Dispositivi - Domande Orale

Davide Resnati
June 23, 2011

1 Struttura elettronica dei solidi semiconduttori

1.1 Illustrare cosa si intende per solido cristallino, dare alcuni esempi di celle unitarie e stimare, a partire dal passo reticolare la densit atomica del solido
Un solido cristallino caratterizzato da una disposizione ordinata di atomi invariante rispetto a operazioni di traslazione (=simmetria traslazionale). L'unita minima di simmetria si dice del sistema cubico sono:

cella elementare (unitaria) .

Quelle

la cella cubica semplice (CS, 1 atomo/cella) cubica a facce centrate (CFC, 4 atomi/cella) cubica a corpo centrato (CCC, 2 atomi/cella).

Il cristallo di sodio (

Na ), ad esempio, ha struttura CCC; quindi se a il passo reticolare ci saranno

2 atomi a3 cm3 .

1.2

Illustrare il modello atomico di Bohr, ricavando l'espressione del raggio medio delle orbite. Utilizzare questo risultato per stimare il passo atomico del cristallo di Sodio.

Il modello atomico di Bohr (semiclassico, perch unisce concetti di meccanica classica alla quantizzazione dell'energia) si basa sulle seguenti ipotesi:

Gi elettroni rivoluzionano attorno al nucleo lungo orbite circolari ben denite e quantizzate. Mentre orbitano non emettono energia elettromagnetica (=Maxwell) Emettono/assorbono energia solo se passano da un'orbita ad un'altra.

In queste ipotesi la quantit di moto quantizzata:

mvr = n
e la forza coulombiana determina un moto circolare uniforme:

(1.1)

2 Zqe 4 0 r2
dove

mv 2 r

(1.2)

r e v sono raggio e velocit della sua orbita, n il numero h = 1.05 1034 J s. Dal sistema delle (1.1), (1.2), ponendo Z = 1 si ottiene il raggio 2 dell'orbita in funzione di n, valido in un atomo idrogenoide (1 elettrone di valenza) :
e sono massa e carica dell'elettrone, quantico principale e

rn = n2
dove con

4 0 2 = n2 r0 2 qe m

(1.3)

mediamente

r0

indichiamo il raggio di Bohr. su un'orbita circolare.

Quello trovato un raggio medio perch l'elettrone si muove solo

Il sodio un atomo idrogenoide con

0.45 nm

da cui il passo cristallino

di idrogeno; per il sodio il valore

n = 3. Il raggio dell'orbita dell'unico elettrone di valenza rN a = 9r0 a = 2rN a = 0.90 nm. Il modello di Bohr in realt preciso solo per l'atomo Kg eettivo si ricava dalla densit del sodio, N a = 968 cm3 , da cui si ottiene:

atomiN a molN a N a mol atomi =N =N = 2.53 1022 = 6.022 1023 0.042 cm3 cm3 mmol cm3 cm3
da cui

a=

2 2.531022

0.43 nm

dove

il numero di atomi per ogni cella elementare del cristallo di sodio

(struttura CCC).

1.3

Illustrare l'apparente contraddizione tra la II legge della dinamica e la legge di Ohm. Introdurre il modello a rilassamento per la velocit di deriva e la mobilit.

Possiamo riscrivere corrente e tensione elettrica nei seguenti modi:

V(a,b) = (Vb Va ) =
a

Edl =
a

F dl qp

(1.4)

I= JdS =

qp nv dS V = IR
(1.5)

Dalla 1.4 vediamo che la tensione dipende dalla forza applicata al portatore di carica, mentre la 1.5 mostra la dipendenza della corrente dalla velocit del portatore di carica. La legge di Ohm che la

velocit

aerma quindi

del portatore di carica, e non la sua accelerazione, proporzionale alla forza ad esso applicata.

L'apparente contrasto con il II prinicipio della dinamica newtoniana dovuto al fatto che l'elettrone non si muove nel vuoto ma in un reticolo di nuclei atomici positivi che ne inuenzano il movimento. Il movimento di un elettrone in un solido approssimabile come m.r.u.a. reticolo o altri elettroni) separati da un intervallato da urti (contro il

vd = v(t) =

qE qE m t = 2m , dove m la massa ecace dell'elettrone nel materiale considerato. In realt il modello non cos semplice, dato che l'urto un evento statistico; si pu applicare il II principio q v vd della dinamica in un tempo pari a : m t = m = qE da cui vd = m E . Il coeciente

tempo di rilassamento medio .

La velocit di deriva risulterebbe

=
la

q m

(1.6)

mobilit elettronica.
Discutere la conducibilit in un conduttore metallico e la sua dipendenza dalla temperatura.

1.4

Un conduttore metallico a temperatura ambiente possiede gi un gran numero di portatori di carica in grado di formare una corrente elettrica. I metalli sono quindi caratterizzati da valori di conducibilit molto elevati (resistivit dell'ordine del

/cm).

Il modello di Drude valido nei conduttori metallici fornisce una prima

espressione della conducibilit elettrica: mentre

nq 2 me . In questa formula n la concentrazione di elettroni liberi il tempo medio tra un urto con il reticolo e il successivo, scrivibile grazie al teorema di equipartizione

dell'energia come

a vth

= a(

3kT 1 , dove m )

il passo reticolare. Otteniamo quindi

N nq me a
3kT m

Vediamo che la conducibilit aumenta al diminuire della temperatura; in realt la dipendenza ad alte temperature del tipo reticolo.

1 T , mentre a basse temperature del tipo

1 T 5 +Na dove

Na

il numero di impurit nel

1.5

Illustrare le propriet dei semiconduttori del IV gruppo (reticolo, concentrazione intrinseca, sua dipendenza dalla temperatura, la lacuna).
2 celle CFC traslate di a/4 lungo la diagonale, 8

La cella elementare del reticolo cristallino di silicio e germanio analoga a quella del primo elemento del IV gruppo, il carbonio (la struttura si dice diamond cubic): conduttori n buoni isolanti) Nei semiconduttori la concentrazione intrinseca aumenta con la temperatura: questo avviene perch l'elettrone pu assorbire energia portandosi dalla banda di valenza alla banda di conduzione e lasciando nella prima una atomi/cella. La concentrazione intrinseca di portatori di carica molto inferiore a quella dei metalli (n buoni

ni = c T 2 e kT (cfr graco pag 37) e pu essere spiegato con i E E ckT F concetti esposti nel punto [3.7]: applicando la formula n = NC e alla concentrazione intrinseca otteEgap E (EC +EF )/2 2kT C kT = NC e . NC la densit di stati equivalenti ed proporzionale alla niamo ni = NC e 3 temperatura secondo la relazione: NC c T 2 .
positiva; L'andamento del tipo Gli elettroni (negativi) e le lacune (positive) generati termicamente contribuiscono entrambi alla corrente elettrica nel materiale, che per questo viene detta la seguente espressione per la corrente elettrica:

lacuna

Egap

bipolare.

Questo equivale a trattare la lacuna come una

particella positiva che si muove nella banda di valenza; matematicamente si pu esprimere la situazione scrivendo

c I qvj q k=j
dove

v c vk = qvj q k

v v c v vk + qvj = qvj + qvj

c vj

la velocit di un elettrone nella banda di conduzione.

Sommando e sottraendo

v qvj

si pu porre la

sommatoria uguale a 0 (globalmente gli elettroni in banda di valenza non si muovono); il termine aggiunto rappresenta la lacuna ed matematicamente equivalente a un elettrone con carica positiva che si muove in verso opposto agli elettroni.

1.6

Stimare la conducibilit del Silicio/Germanio puro a temperatura ambiente (commentare l'espressione, quanticare i termini)

La legge di Ohm aerma che

Jd = E

ma la densit di corrente scrivibile anche come

Jd = qe n vd =
(1.7)

q E (n n + p p)

da cui:

= qe (n n + p p)
Nel silicio intrinseco a temperatura ambienten
2 2

= p = ni = 1.45 1010 cm3 , n = 1450 cm e p = 480 cm da cui V s V s S applicando la (1.7) : 4.48 cm . Il materiale un pessimo conduttore e allo stesso tempo uno scarso isolante. cm2 13 3 Analogamente nel germanio intrinseco a temperatura ambiente n = p = ni = 2.40 10 cm , n = 3900 V s cm2 mS e p = 1900 V s da cui 22.3 cm . La maggiore conducibilit spiegata dal band gap pi elevato (0.66 eV
contro 1.12 eV del silicio); questo spiega anche la

ni

pi elevata).

1.7

Introdurre il concetto di drogante, illustrare l'inuenza dei droganti sulla conducibilit del semiconduttore a partire dal modello ad orbitali di legame.

Si dicono

droganti

gli atomi inseriti nel reticolo cristallino di silicio/germanio in posizione donori

sostituzionale
+ lacune.

con un Quindi

numero maggiore (donori) o minore (accettori) di elettroni. Aumentano il numero dei portatori di carica: aumentano in modo signicativo e conduciblit del materiale perch Meccanismo: atomi donori per l'elettrone pi esterno di:

controllabile

+ e- liberi, accettori

la conducibilit del materiale.

Il drogaggio n ottimizza la

n > p .

5 e- di valenza, 4 fanno legame sp3 con quelli del Si, il 5 rimane libero (=

portatore di carica). Ad esempio fosforo, donore, trattandolo come idrogenoide otteniamo un raggio dell'orbita

rP =

rSi r0

0.5 nm

che confrontabile col passo reticolare del silicio, quindi

l'elettrone praticamente libero ( molto delocalizzato)

1.8

Stimare sulla base del modello di Bohr, l'energia di legame dell'elettrone del Fosforo, quando immerso nel reticolo di Silicio.

Sempre con le ipotesi di Bohr, ricordando la denizione di energia potenziale e che dell'elettrone

mv 2 =

ET OT = Epot + Ek =

2 Zqe 4 0 r (1

2 Zqe 4 0 r , l'energia

+ 1) 2

sostituendo

con il raggio medio dell'orbita

rn

otteniamo

ET OT =
dove

2 Zqe Ry 1 = 2 2 2(4 r ) n n 0 0

Ry 13, 6 eV
Ry
2 rSi

detta costante di Rydberg. L'energia ricavata anche, in modulo, l'energia di ionizzazione

dell'elettrone. Per il calcolo si tiene conto della costante dielettrica relativa del silicio (vale anche a livello microscopico: l'e- libero polarizza la nube elettronica come se fosse un dielettrico). Trattando P come idrogenoide:

EP =

= 136 meV

che confrontabile con l'energia termica, quindi P quasi sempre ionizzato a temp

ambiente (cfr 7)

1.9

Illustrare la legge di azione di massa, i concetti di maggioritari e minoritari.

In un semiconduttore deniamo un

ricombinazione R(T, n, p)

tasso di generazione dei portatori di carica G(T )

R(T, n, p) = np r(T ). G(T ) = R(T, n, p) n = p = ni
All'equlibrio abbiamo

e un analogo

tasso di

(la ricombinazione dipende da quante coppie elettrone-lacuna ricombinabili ci sono

in giro!). Si verica sperimentalmente che

da cui necessariamente

G(T ) = np = n2 i r(T )

(1.8) Ne

Quest'ultimo risultato chiamato

legge dell'azione di massa

e vale in ogni semiconduttore all'equilibro.

deriva che se il drogaggio aumenta la concentrazione di elettroni liberi (n, maggioritari in questo caso), le lacune (p, minoritarie) si ridurranno proporzionalmente di numero in modo che l'analogia con lo studio dell'equilibrio di una reazione chimica, dove e

ni

rimanga costante. Si noti Un

sono le concentrazioni dei reagenti mentre se i maggioritari sono

n2 i

la concentrazione dei prodotti (che, come in cinetica chimica, una funzione della temperatura).

semiconduttore in cui i portatori maggioritari sono gli elettroni si dice di le lacune si dice di

tipo p.

tipo n,

1.10

Illustrare la dipendenza della mobilit dal drogaggio di un semiconduttore.

+ atomi droganti (ricordiamo che

+ atomi ionizzati nel reticolo

+ forza coulombiana subita dal portatore di carica

che subisce un disturbo (= urto)

diminuzione di mobilit.

p e n diminuiscono

in identiche proporzioni

di valenza )
1.11

p < n in

quanto il movimento delle lacune implica il movimento di molti elettroni nella

banda

Illustrare la dipendenza della conducibilit di un semiconduttore drogato al variare della temperatura distinguendo tra i regimi di freeze-out/conducibilit estrinseca/ conducibilit intrinseca.

La conducibilit in un semiconduttore drogato dipende da due diversi fattori legati alla tempartura: la percentuale di atomi droganti ionizzati e la concentrazione intrinseca di portatori. Entrambi i fattori crescono con la temperatura ma mentre il primo cresce asintoticamente no alla concentrazione di drogante (ionizzazione completa), il secondo cresce illimitatamente ma solo per alte temperature. Ne deriva che oltre una certa

peratura critica Tc il secondo fattore domina (regione intrinseca).

ND
(regione estrinseca), perch in genere

tem-

Per

quella del drogante

ni

T < Tc la concentrazione essenzialmente ND . Per temperature molto basse pochi

atomi droganti sono ionizzati e la concentrazione intrinseca di portatori si avvicina asintoticamente allo 0; ne deriva che la conducibilit tende ad annullarsi (regione di freeze out) Chiaramente la conducibilit direttamente proporzionale alla concentrazione di portatori di carica secondo la (1.7), osservando che in un semiconduttore estrinseco una delle due concentrazioni (n o rispetto all'altra; distinguiamo quindi tre regioni di temperatura anche per la conducibilit.

p)

trascurabile

Figure 1.1:

1.12

Illustrare, partendo dall'esempio della distribuzione di un gas in una colonna isoterma, i risultati fondamentali della statistica di Boltzmann (distribuzione in energia, rapporto della concentrazione a due quote, dipendenza dalla temperatura).

Dallo studio della termodinamica noto che in una colonna isoterma di gas valgono le seguenti relazioni:

P = kB nT dP = mng dz
dove

(legge dei gas ideali) (legge di Stevino)

Dierenziando la prima e sostituendo si

la concentrazione di particelle (e non il numero di moli!).

ottiene

dn dz

= mgn kB T

il cui integrale generale

mgz k T B

n(z) = n0 e

(1.9)

ovvero la concentrazione di particelle decresce esponenzialmente con l'altezza. Il numero totale di particelle

+ mgz BT NT OT = 0 e kB T n0 dz = kmg n0 . Analogamente le particelle che stanno sopra una data altezza h sono: mgh(0) + mgz Nh = h e kB T n0 dz = NT OT e kB T . Notiamo che mgh l'energia potenziale delle particelle ad altezza h, e ugualmente 0 l'energia potenziale associata a NT OT , vedendo quest'ultimo come il numero di particelle che stanno sopra l'altezza 0. La precedente pu essere quindi generalizzata a due altezze qualsiasi, a
due concentrazioni invece che a due quantit di particelle e, in generale, a una qualsiasi distribuzione continua di energie in quella che si dice

distribuzione di Boltzmann :

E (h )E (h ) n(h2 ) p 2 Tp 1 kB =e n(h1 )

(1.10)

Vediamo che, ssate due quote di riferimento temperatura.

h2 > h1 , il rapporto delle concentrazioni aumenta al crescere della

temperatura, ovvero le particelle del gas si portano mediamente ad un'altezza maggiore per via dell'aumento di

2 Giunzione p-n I: elettrostatica, prolo di cariche e correnti

2.1 Illustrare le caratteristiche retticanti di una giunzione p-n. Valutare la differenza di potenziale all'equilibrio e giusticare qualitativamente l'eetto della polarizzazione sulla estensione della zona di carica spaziale e sulla caduta di potenziale.

Una giunzione p-n formata da un semiconduttore drogato n e uno drogato p aancati. Il dispositivo ha la particolarit di condurre corrente elettrica solo in un dato verso (da p ad n, cio gli elettroni possono andare solo dalla zona n alla zona p). La distribuzione di carica all'equilibrio determinata da fenomeni diusivi: il

n2 i NA . Possiamo trattare gli elettroni liberi alla stregua di particelle di un gas ideale e quindi applicare la statistica di
lato n avr una concentrazione di elettroni liberi

ND

mentre per la (1.8) la concentrazione nel lato p sar

Boltzmann:

n(lato n) n(lato p)

NA ND n2 i

=e

qVn qVp kB T

. La dierenza di potenziale all'equilibrio tra le due zone vale quindi:

Vbi = Vp Vn =

kB T NA ND ) ln( q n2 i

(2.1)

Qualitativamente, quello che accade la migrazione, con successiva ricombinazione, di parte degli elettroni liberi dalla zona n alla zona p. Ne deriva la formazione di una

zona di carica spaziale

(in corrispondenza della

giunzione metallurgica) dove le cariche degli ioni di drogante sono esposte cio non bilanciate da portatori in eccesso. In questa zona la densit di carica non nulla e ne deriva un campo elettrico diretto dalla zona n alla zona p. In polarizzazione, la tensione applicata ai morsetti della giunzione modica il potenziale ai capi della zona di carica spaziale : una tensione di polarizzazione diretta si oppone alla tensione di built-in data dalla (2.1) ; ne consegue una riduzione del campo elettrico e quindi dell'estensione della zona di carica spaziale (il generatore inietta portatori di carica che vanno a coprire la carica netta in zona svuotata). Viceversa, in polarizzazione inversa la tensione ai capi della zona di carica spaziale aumenta e ne aumenta anche l'estensione.

2.2

Tracciare il prolo di energia potenziale ai morsetti di una giunzione p-n all'equilibrio ed in polarizzazione diretta/inversa e giusticare le dipendenze attese per la espressione della corrente.

Figure 2.1: Gli elettroni vedono una barriera di potenziale pari al potenziale di built in (i ) verso la zona p. La corrente dalla zona p alla zona n sar direttamente proporzionale alla concentrazione di elettroni minoritari in zona p:

I21

n2 i NA . La corrente dalla zona n alla zona p dipender invece dalla barriera di potenziale, secondo un q(i +VR ) kT esponenziale di Boltzmann: I12 ND e . In condizioni di equilibrio (VR = 0) abbiamo I21 = I12 qVR n2 kT i mentre in polarizzazione inversa abbiamo In = I21 I12 ). NA (1 e

Figure 2.2: Un ragionamento simile per le lacune (gura 2.2 (a)) ci porta a scrivere la dipendenza attesa per la corrente in polarizzazione inversa, dove

VR

la tensione di polarizzazione inversa presa in modulo:

I = (n

qVR n2 n2 i + p i )(1 e kT ) NA ND

(2.2)

In polarizzazione diretta cambia la dipendenza gli stessi passaggi precendenti:

I12 :

sempre per Boltzmann,

I12 ND e

q(i VD ) kT

da cui, con

I = (n
2.3

qVD n2 n2 i + p i )(e kT 1) NA ND

(2.3)

Ricavare l'andamento dettagliato di campo elettrico e prolo di potenziale in una giunzione p-n con drogaggi uniformi polarizzata all'equilibrio. Dare le espressioni esplicite del campo elettrico massimo e della estensione della zona di carica spaziale.

Nella zona di carica spaziale sono presenti due distribuzioni di carica di segno opposto, di densit lato p e

qNA

dal

qND

dal lato n. Per il principio di conservazione della carica elettrica deve chiaramente essere

qNA |xp | = qND |xn |

essendo .

(2.4)

|xn |

|xp |

le estensioni della zona svuotata dal lato n e dal lato p.

Figure 2.3: Ora, la legge di Gauss per il campo elettrico (I equazione di Maxwell) aerma che: ragionando in una dimensione: Da queste si ottiene

E =

ovvero,

dE dx dE dx

= = qND

qNA

, xp < x 0 (mettendo , 0 < x xn

il lato n sul semiasse positivo delle x).

E = qNA (xp + x) , xp < x 0 E = qND (x xn ) , 0 < x xn

imponendo le condizioni al contorno

E(xp ) = E(xn ) = 0.

Il campo assume valore massimo nellorigine, pari a

Emax =

qNA xp

qND xn

(la continuit garantita dalla (2.4) ). Il potenziale si ricava dalla 1.4 :

V = qNA (x xp )2 2 V = qND (x xn )2 + Vbi 2

7

, xp < x 0 , 0 < x xn

qNA x2 +qND x2 qN x (x +x ) p n = A p2 p n , che la stessa tensione di built in data dalla (2.1) (sono 2 state imposte le condizioni V (xp ) = 0 e la continuit in 0). N La larghezza totale della zona svuotata pu essere scritta, ricordando la (2.4) come W = xp +xn = xp (1+ A ); ND Vbi 2 inoltre dal punto precedente vediamo che W = qNA xp . Dal sistema delle due si ottiene
dove si posto

Vbi =

W =

1 2 Vbi 1 ( + ) q NA ND Emax = 2 Vbi W

(2.5)

Notiamo inne che possiamo riscrivere l'espressione del campo massimo di giunzione come

2.4

Introdurre la corrente di diusione e ricavare la Legge di Fick giusticando il legame tra coeciente di diusione e mobilit (relazione di Einstein).

Gli elettroni liberi in un semiconduttore sono soggetti al dell'asse x, abbiamo che il usso di elettroni dal punto dal punto

moto browniano.
verso l'origine

Fissato un punto come origine

+, + = 1 n() vth (prendiamo come il libero cammino 2 concentrazioni n() e n() con Taylor al primo ordine otteniamo il usso netto di elettroni attraverso il punto n scelto come origine degli assi dovuto al moto browniano in condizioni stazionarie (cio t = 0): (0) = + = 1 n n n vth (n(0) (0) n(0) (0)) = D (0) 2 x x x

1 = 2 n() vth e analogamente, medio, cio = vth ). Sviluppando le

Questa legge, che mostra la dipendenza del usso di elettroni dal gradiente di concentrazione, la prima

legge 1 2 di Fick. D = vth il coeciente di diusione; ricordando che l'energia cinetica dell'elettrone 2 mvth = kT , 2 kT 2 possiamo riscrivere quest'ultimo come D = vth = e dalla (1.6) otteniamo la relazione di Einstein m
=
kT q

:D

2.5

Ricavare l'equazione di continuit, discutendo le espressioni dei termini di generazione/ricombinazione.

L'equazione di continuit rappresenta la legge di conservazione della carica elettrica espressa in condizioni non

J t + x = 0. La relazione va scritta per i portatori di carica di entrambi i segni; se si suppone che non ci siano processi di generazione/ricombinazione di coppie
stazionarie; in una dimensione pu essere scritta come: elettrone/lacuna va bene cos, considerando invece i tassi di generazione e ricombinazione otteniamo, ad esempio,

n 1 Jn t = q x + Gn una corrente di elettroni negativa).

per gli elettroni liberi: essere in un semiconduttore

Rn

(abbiamo diviso per q e portato fuori il segno da

Jn che

essendo

Per determinare i due tassi di generazione/ricombinazione ragioniamo nel modo seguente: supponiamo di

drogato p in cui non possa avvenire ricombinazione in volo tra elettrone lacuna (in Si-

Ge non si conserva la quantit di moto); qui la ricombinazione avviene con la cattura di un minoritario da parte di uno degli ioni del reticolo e con la successiva ricombinazione con un maggioritario. ragionevole quindi che

Rn

dipenda direttamente dalla concentrazione di minoritari (i maggioritari si suppongono sempre disponibili)

e inversamente dal

1 n 1 . Otteniamo Rn = In = (n NT vth ) n ; al contrario, si pu supporre la generazione costante e dipendente solo dalla concentrazione di equilibrio: 0 di generazione e la ricombinazione netta Gn = nn . Un ragionamento analogo considera nullo il tasso dipendente dalla concentrazione di portatori n = nn0 . L'equazione di continuit diventa, in entrambi
della frequenza delle interazioni tra minoritari e ioni del reticolo:

tempo di vita medio

di questi ultimi

n .

Il tempo di vita medio denibile come il reciproco

n =

iniettati

totale

i casi:

n 1 Jn n n0 = t q x n

Resta solo da esplicitare la densit di corrente che formata da una componente di da una componente di

diusione Jndif f = qn = qDn n x

n t p t

deriva Jndr = qn nE

(quest'ultimo termine di segno opposto per le lacune

perch la corrente positiva nel verso opposto al gradiente di concentrazione). Le equazioni di continuit sono quindi, nelle ipotesi considerate:

= n E =

n 2 n n n0 + Dn 2 (in zona p) x x n p 2 p p p0 + Dp 2 (in zona n) x x p

8

(2.6)

p E

(2.7)

2.6

Integrare l'equazione di continuit per ricavare l'andamento del prolo di portatori minoritari iniettati in una zona neutra ai capi di una giunzione p-n polarizzata direttamente.

Se si ipotizza di essere in zona neutra (E

nn0 n

=0

riscrivibile in funzione di

0) e in condizioni stazionarie ( n = 0) la (2.6) diventa Dn n t x2 x x 2 n n = n n0 : n = L2 il cui integrale generale n (x) = c1 e Ln + c2 e Ln . x2

n

Le condizioni al contorno sono

n (Wp ) = 0 qV n (xp ) = n0 (e kT 1)

ipotizzando il diodo

a base lunga (Wp

Ln )

mettendo il sistema di riferimento con l'origine sulla giunzione metallurgica e verso positivo dalla parte della zona n. Da queste si ottiene il prolo cercato (per gli elettroni minoritari iniettati in zona p):

n (x) = n0 (e kT 1)e
Vediamo che al limite della zona svuotata vale

qV

x+xp Ln

(2.8)

n(xp ) = n0 + x (xp ) = n0 e kT =

qV

n2 VV i e th NA

(2.9)

La situazione perfettamente simmetrica in zona n per le lacune minoritarie.

2.7

Ricavare l'espressione della corrente totale che attraversa una giunzione p-n in polarizzazione diretta. Tracciare e giusticare l'andamento della densit di corrente di lacune e di elettroni.

Per ricavare la corrente totale troviamo prima l'espressione della densit di corrente totale di lacune e elettroni nella giunzione. Dalla (2.8) possiamo subito ricavare la densit di corrente dei minoritari nelle rispettive zone neutre:
x+xp qV dn qDn = n0 (e kT 1)e Ln dx Ln qV qDp dp xxn = qDp = p0 (e kT 1)e Lp dx Lp

Jn Jp

= qDn

(2.10)

(2.11)

In particolare, alla frontiera con la zona svuotata abbiamo . .

qV qV qDp qDn kT 1) e J (x ) = kT 1) p n Ln n0 (e Lp p0 (e Ipotizzando trascurabili i fenomeni di ricombinazione in zona di carica spaziale, le densit di correnti di

Jn (xp ) =

minoritari si conservano all'interno di essa, e quindi la densit di corrente in zona svuotata vale Per continuit, questa la densit di corrente di tutta la giunzione. giunzione quindi:

JT = Jn (0)+Jp (0)

La corrente totale che attraversa la

IT = JT A = qA(
dove e

qV qV Dn n2 Dp n2 i + i )(e kT 1) = Is (e kT 1) Ln NA Lp ND

(2.12)

l'area di giunzione e si sono esplicitate le concentrazioni di equilibrio dei minoritari come

p0 =

n2 i NA . (2.2), (2.3).

n0 =

Is

si dice

corrente di saturazione inversa.

n2 i ND

Notiamo che la (2.12) rispetta le previsioni fatte nelle

Figure 2.4:

La continuit della corrente ha come conseguenza il prolo mostrato in gura: la corrente di maggioritari nelle zone neutre non costante ma compensa punto a punto la diminuzione di corrente di minoritari; ad esempio dal lato n vengono iniettati elettroni liberi che ai margini della giunzione hanno concentrazione pari a

Jp (xp ).
2.8

Queste correnti di maggioritari, tratteggiate in gura, sono

correnti di drift

Si consideri una giunzione p-n polarizzata inversamente: ricavare l'andamento del prolo di minoritari in una delle zone neutre adiacenti

Vale lo stesso procedimento svolto in precedenza e quindi, per gli elettroni minoritari, vale ancora la (2.6). In questo caso per

n (x)

rappresenta una

diminuzione

di portatori liberi piuttosto che un'iniezione (aggiunta);

cambiano quindi le condizioni al contorno che sono:

n (Wp ) = 0 n (xp ) = n0 (e
qVR kT

1)
x+xp Ln

. Inoltre

VR

il modulo della

tensione inversa applicata al diodo. In tutto quindi il prolo dei minoritari in zona neutra p dato da:

n(x) = n0 n (x) = n0 n0 (1 e

qVR kT

)e

Figure 2.5:

3 Giunzione p-n II: capacit di giunzione, breakdown e modello a bande energetiche

3.1 Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione diretta (capacit di diusione) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo.

Una giunzione pn polarizzata direttamente presenta un accumulo di minoritari ai margini della zona svuotata, ricavabile, per gli elettroni in zona p, integrando la (2.8) lungo la zona neutra:

QDn = q

xp

n (x)dx =

10

i qLn ND (e Vth 1).

n2

Notiamo che possiamo riscrivere la (2.10) in funzione della carica accumulata:

|QDn | L2 /Dn n

|QDn | n . Per le lacune si trova analogamente

che la carica mobile

totale

QDp =

V n2 i qLp NA (e Vth

presente su ciascun bordo della zona svuotata

dipende dalla tensione diretta applicata

V.

Deniamo quindi
V

capacit di diusione
V

1) e Jp = 1 : QD = QDp + |QDn | e
la grandezza

Jn = QDp p . Si pu dimostrare
vediamo che

CD =
dove si posto unilatera:
p QD0 = qn2 ( NA + i supponiamo NA ND

Q (e Vth 1) Q e Vth dQD = D0 D0 dV Vth Vth

(3.1)

Ln ND ). Una scrittura pi interessante della (3.1) si ottiene per una giunzione da cui QD QDp = p Jp = p JD . Da qui deriva che

CD =

p JD Vth p
non rappresenta il tempo di vita

Lo stesso risultato valido anche per un diodo a base corta, dove per medio della lacuna ma il pari a

Wp xp 2Dn ) Per il modello circuitale vedere il punto successivo.

tempo di transito

della lacuna attraverso la zona neutra (il tempo di transito risulta

tr,n =

3.2

Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione inversa (capacit di svuotamento) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo.

In polarizzazione inversa l'accumulo di carica mobile che genera la capacit di diusione non presente e quindi l'unico eetto capacitivo dovuto alla carica che la carica per unit di supercie :

Qj presente nella zona svuotata. Dalla (2.4) Qj = qND xn = qNA xp . Dalla (2.5) possiamo poi esplicitare

si ottiene o

xp o xn :

xn =

2 (Vbi +VR )NA qND (NA +ND ) da cui

QJ =

2q (Vbi + VR )

NA ND (NA + ND )

A questo accumulo di carica corrisponde una capacit detta a:

di svuotamento o di giunzione
2q

pari per denizione

Cj =

dQj d NA ND = ( 2q d(V dV (NA + ND )

Cj0 1+ V R
V bi

1 (Vbi + VR )) = 2 Vbi + VR

NA ND (NA + ND )

(3.2)

Questa grandezza si pu anche esprimere in funzione della capacit di giunzione all'equilibrio

Cj0 = Cj |Vrev =0 =

q NA ND 2Vbi (NA +ND ) :

Cj =

; oppure si pu notare, utilizzando ancora la (2.5) che

Cj esattamente la capacit

di un condensatore piano in silicio con armature distanti

W : Cj =

Figure 3.1:

1 intuitivamente,

entrambe le distribuzioni di carica inducono una distribuzione di segno opposto sull'altro lato della giunzione.
11

In gura 3.1 sono riportati gli andamenti dei due eetti capacitivi. capacit di diusione, mentre

In polarizzazione diretta prevale la

CJ

si trascura oppure si approssima con

2Cj0 .

In polarizzazione inversa la

capacit di diusione nulla (e cos anche le correnti) e c' solo l'eetto dovuto alla zona svuotata. I modelli circuitali per la polarizzazione diretta (a) e la polarizzazione inversa (b) sono riportati in gura 3.2 .

Figure 3.2:

3.3

Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per eetto Zener, stimarne il campo elettrico critico sulla base di un semplice modello di legame.

Il breakdown per eetto Zener avviene in presenza di forti campi elettrici (E

107 V /cm).

In queste condizioni

gli elettroni che formano i legami covalenti del reticolo vengono strappati dai rispettivi atomi e formano coppie elettrone-lacuna che partecipano alla corrente di saturazione inversa. Essendo il campo elettrico di giunzione dipendente direttamente dal drogaggio, questo eetto comune solo in dispositivi fortemente drogati e per questo, in genere, la tensione di breakdown Zener e in genere pi bassa rispetto alla tensione che causa il breakdown per eetto valanga. All'aumentare della temperatura la tensione di breakdown per eetto Zener

diminuisce

in quanto ad alte

temperature sono sucienti campi elettrici inferiori per strappare la stessa quantit di elettroni dal reticolo.

Figure 3.3: L'eetto coesiste con il breakdown a valanga, che prevale se la zona svuotata pi larga (gli elettroni devono avere spazio per accelerare). In diodi fortemente drogati prevale invece l'eetto Zener: questo spiegabile osservando che per forti drogaggi li elettroni possono passare dalla banda di valenza alla banda di conduzione per eetto tunnel anche in presenza di tensioni inverse relativamente basse

12

3.4

Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per ionizzazione ad impatto e stimare il campo critico sulla base di un semplice modello. Discutere la dipendenza del campo critico dal drogaggio.

Il breakdown per ionizzazione ad impatto, o per

eetto valanga, avviene quando i portatori liberi che attraversano

La

la carica spaziale vengono fortemente accelerati dal campo elettrico di giunzione; in questo caso acquistano energia cinetica suciente da rompere un legame covalente in caso di collisione con gli ioni del reticolo. rottura del legame implica la formazione di una coppia elettrone-lacuna che verr anch'essa accelerata dal campo elettrico, potendo a sua volta generare altre coppie elettrone-lacuna e aumentano cos la corrente inversa. La tensione in corrispondenza della quale si ha questo fenomeno in genere pi alta della tensione di breakdown dei diodi Zener. L'eetto valanga ha una dipendenza inversa dalla temperatura rispetto all'eetto Zener: un aumento della temperatura provoca infatti una diminuzione del libero cammino medio dei portatori e quindi della loro eneriga cinetica. Di conseguenza, ad alte temperatura sar necessario un campo elettrico pi elevato per produrre l'eetto valanga. Si pu stimare che il campo elettrico necessario a produrre l'eetto valanga sia il campo elettrico che fornisca a un elettrone un energia pari all'energia di ionizzazione degli atomi del reticolo; in formule:

qE B = Ei

dove

= vth =

30 nm . Essendo l'energia di ionizzazione dell'ordine dell'elettronvolt otteniamo un campo critico di E B 300 kV /cm. Dalle espressioni del campo massimo ottenute nel punto [2.3] possiamo poi 2(Vbi +VRB ) scrivere EB = se la giunzione fortemente drogata p (oppure sostituendo ND se una giunzione EB
qNA

3kT m m q

p-n+) da cui l'espressione per la tensione di breakdown:

VRB
3.5

2 EB 3 1017 V 2qNA NA

Illustrare la formazione delle bande di livelli energetici in un solido cristallino con particolare riferimento ai solidi degli elementi del IV gruppo della tavola periodica.

In gura 3.4(a) mostrata la densit di probabilit per gli elettroni di due atomi di idrogeno in funzione del raggio. Avvicinando i due atomi, le due curve si sovrappongono, il che implica un'interazione fra i due elettroni. Per il principio di esclusione di Pauli, quindi, essi andranno a occupare due dierenti livelli energetici (che, alla formazione della molecola questi sono per compresi in un 3.4(c)).

H2

, si traducono negli orbitali

molecolari

leganti e antileganti). La situazione

mostrata in gura 3.4(b). Ripetendo il procedimento per n atomi si ottengono n livelli energetici separati; originario. Ne deriva una distribuzione quasi-continua di livelli energetici che forma una

intervallo di energie ristretto in quanto corrispondono a un unico stato quantico banda di energie (gura

Figure 3.4: Questa situazione vale anche nel silicio (gura 3.5): qui i livelli energetici s e quelli p, inizialmente separati per i due atomi isolati, si mischiano formando 2 stati a pi bassa energia (orbitali leganti sp) e 2 stati a pi alta energia (orbitali antileganti sp), con ogni stato che pu ospitare due elettroni di spin opposto. Anche qui il meccanismo si ripete con la formazione del cristallo, e alla distanza interatomica di equilibrio, d origine a due bande di livelli energetici separate, la

banda di valenza

e la

banda di conduzione.

Vediamo che tutti gli orbitali leganti (2 per ogni atomo) fanno parte della banda di valenza. Questo vuol dire che allo zero assoluto la banda di valenza risulter completamente riempita da elettroni e viceversa, tutti gli stati della banda di conduzione (orbitali antileganti) risultano liberi.

13

Figure 3.5:
3.6 Illustrare e la statistica di occupazione dei livelli energetici e introdurre la denizione di livello di Fermi.

Per determinare la distribuzione degli elettroni nei diversi livelli energetici, e quindi della bande, non va bene la statistica di Maxwell-Boltzmann, poich questa prevede che uno stesso stato energetico (quantico) possa essere occupato da un numero qualsiasi di elettroni, in contrasto con il principio di esclusione di Pauli. Una statistica che integra invece questo principio la

funzione di distribuzione di Fermi-Dirac:

f (E) = 1 1+e
EEF kT

(3.3)

Essa ha l'andamento mostrato in gura 3.6 . Per le lacune vale chiaramente

fh (E) = 1 f (E) =
1+e

1
EF E kT

Figure 3.6: L'energia di riferimentoEF chiamata osservando che, per precedente,

energia di Fermi.
E < EF
e 0 per

Possiamo calcolarla in maniera approssimata

T = 0K , f (E)

vale 1 per

E > EF ,

ovvero, per quanto detto nel punto

EF

si trova compresa fra la banda di valenza e la banda di conduzione, nel cosiddetto

energy gap.

Se ci poniamo in un semiconduttore intrinseco (basse concentrazioni di portatori di carica) possiamo supporre che tutti gli elettroni liberi abbiano energia ). Se chiamiamo relazione

Ee EC
1

e tutte le lacune abbiano energia

Eh EV

(vedi gura 3.7

NC

NV

il numero di livelli energetici in prossimit di

EC EF 1+e kT

EC

EV

e supponiamo

n = p si pu riscrivere come NC

= NV

1
EF EV 1+e kT

da cui, risolvendo rispetto a

NC = NV la EF si ottiene
(3.4)

EF =

EC + EV 2

, cio il livello di Fermi si trova approssimativamente al centro della banda proibita. L'energia di fermi in un semiconduttore intrinseco chiamata anche

livello di Fermi intrinseco.

14

Figure 3.7:

3.7

Denire le densit di stati  equivalenti in banda di conduzione e valenza. Illustrarne il legame con la concentrazione intrinseca ed il gap.

Secondo quanto detto nora, la concentrazioni di elettroni liberi a una data energia

E > EC

si ottiene come

n(E) = g(E EC ) f (E)

concentrazione la banda:

totale

dove

g(E EC )

la densit di stati per unit di energia, calcolata all'energia

E.

La

di elettroni in banda di conduzione si ottiene quindi integrando la precedente lungo tutta

n0 =

g(E EC ) f (E)dE
EC

(3.5)

Se ipotizziamo che

E EF > 3kT

possiamo approssimare

f (E) e

EEF kT

e quindi l'integrale diventa:

n=

g(E EC ) e
EC

EEF kT

dE = e

Ec EF kT

g(E EC ) e
EC

EEC kT

dE = NC e

Ec EF kT

(3.6)

NC il valore dell'integrale denito. Abbiamo ricavato che n uguale alla concentrazione di elettroni che ci sarebbe in un sistema equivalente con NC livelli energetici tutti a energia EC occupati con la rispettiva probabilit. Per questo motivo la quantit NC rappresenta la densit di stati equivalenti in banda di conduzione.
chiamando Chiaramente un'espressione analoga da un procedimento simile si ottiene per le lacune: tipici sono

p = NV e

EF EV kT

(valori

NC = 3.22 1019 cm3

NV = 1.83 1019 cm3 ).

Figure 3.8:

15

Vediamo che con questa approssimazione la distribuzione di tipo maxwelliano, con le energie riferite al livello di Fermi; questo avviene perch nella nostra ipotesi (energie che superano di diversi kT l'energia di Fermi) ci sono pochi elettroni in banda di conduzione e il principio di esclusione ha eetti trascurabili. In un semiconduttore intrinseco

n2 = n p = NC e i
avendo posto

Ec Ei kT

NV e

Ei EV kT

= NC NV e kT

EG

(3.7)

EG = EC EV

cio pari all'energy gap.

La (3.7) mostra che la concentrazione intrinseca

indipendente dal livello di Fermi ed funzione dell'ampiezza dell'energy gap, oltre che della temperatura.

3.8

Illustrare l'andamento del diagramma a bande in una giunzione p-n all'equilibrio.

In un semiconduttore drogato tipo n per la (3.6) abbiamo:

ND n = NC e NC ) ND

Ec EF kT

da cui

EC EF = kT ln(

ovvero il livello di Fermi si avvicina al limite inferiore della banda di conduzione all'aumentare del drogaggio (ricordiamo che

NC 1019

e che quindi per drogaggi non estremi il logaritmo sempre negativo).

Vale un

espressione analoga per un semiconduttore drogato di tipo p:EF

EV = kT ln( NV ). NA

Ponendo

NA = ND = n i

in queste due relazioni troviamo un utile espressione per il livello di Fermi intrinseco:

Ei =
coerente con la (3.4). Deniamo tipo n:

EC + EV NC kT ln( ) 2 NV = 1 (EF EI ) q

(3.8)

potenziale di Fermi
n =

la quantit

Otteniamo per un semiconduttore drogato di

1 ND ND NC kT (EC + kT ln( ln( ) EC + kT ln( )) = ) q NC ni q ni p = kT ln( NA ) ni

(3.9)

e per un semiconduttore drogato di tipo p rispetto al livello instrinseco).

(negativo perch l'energia di Fermi si abbassa

Al contatto tra questi due tipi di semiconduttore il livello di Fermi deve necessariamente equalizzarsi in tutto il materiale (ricordiamo che esso denito come il pi alto livello occupato dagli elettroni allo zero assoluto); ne deriva un

piegamento delle bande energetiche, la cui posizione relativa rispetto al livello di Fermi deve rimanere
J = n p = kT ND NA ln( ) q n2 i

invariata. Il gradino di potenziale che si forma fra i due lati della giunzione pari alla somma dei moduli dei due potenziali di Fermi:

che ancora il potenziale di built-in della giunzione ottenuto nella (2.1). L'andamento delle bande energetiche in una giunzione p-n quindi quello mostrato in gura 3.9.

Figure 3.9:

16

4 Struttura Metallo-Ossido-Semiconduttore e MOSFET

4.1 Denire il potenziale di contatto tra due materiali. Illustrare le condizioni per cui un contatto metallo-semiconduttore retticante.
Si denisce In un metallo, diversamente da quanto succede in un semiconduttore, l'energia di Fermi si trova nella banda di conduzione (e questo spiega la buona conducibilit elettrica dei metalli).

funzione lavoro w

la minima quantit di energia necessaria per strappare un elettrone da un solido: come si vede in gura 4.1 (a) questa pu essere vista come la dierenza tra il livello di Fermi e il livello di vuoto (energia alla quale gli elettroni non sono pi vincolati al solido).

Figure 4.1: Nel semiconduttore (di tipo n, mostrato a destra) la denizione non pi esattamente valida in quanto non ci sar mai nessun elettrone avente energia l'

anit elettronica q
Si denisce

EF

, che compresa nella banda proibita. Si denisce allora

come l'energia necessaria per estrarre dal semiconduttore un elettrone libero avente

energia cinetica nulla, ovvero avente energia

potenziale di contatto tra due materiali la dierenza fra le rispettive funzioni lavoro e, similmente, potenziale di contatto instriseco il potenziale di contatto fra un materiale e il silicio intrinseco. In gura 4.1 (b)
Vbi = m s
(4.1)

EC .

mostrato il contatto tra un metallo e un semiconduttore; il potenziale di contatto :

ed la barriera di potenziale vista dagli elettroni del semiconduttore verso il metallo; questa causata dall'accumulo di carica

positiva, cio di portatori minoritari, nella zona di giunzione W. Gli elettroni del metallo vedono invece
B0 = m .
Quest'ultima una grandezza costante e non varia neanche se alla giunzione

una barriera di

applichiamo una dierenza di potenziale, quindi non mai possibile un usso considerevole di elettroni dal metallo verso il semiconduttore. Se applichiamo una dierenza di potenziale positiva rispetto al semiconduttore (gura (a)) la barriera di potenziale aumenta (le energie di Fermi devono equalizzarsi solo all'equilibrio!) e quindi non possibile un usso di elettroni attraverso il dispositivo (non passa corrente). Al contrario una dierenza di potenziale positiva rispetto al metallo causa un abbassamento della barriera di potenziale e quindi facilita il usso di elettroni dal semiconduttore al metallo. Questa giunzione quindi una giunzione corrente simile a quella della giunzione p-n.

retticante

con una caratteristica tensione

17

Tutto questo possibile solamente sotto l'ipotesi che il potenziale di contattoVbi sia In totale abbiamo quattro tipi possibili di giunzone metallo-semiconduttore:

positivo.

Se cos non

fosse la giunzione permetterebbe il usso di elettroni in entrambi i versi formando quindi un contatto

ohmico.

metallo-semic. tipo n con metallo-semic. tipo n con metallo-semic. tipo p con metallo-semic. tipo p con

m > s : m < s : m > s : m < s :

retticante ohmica ohmica retticante

Per ricavare questi risultati si tracci il diagramma delle bande della giunzione all'equilibrio, vericando che un aumento di maggioritari nella zona di giunzione produce un contatto ohmico. In realt dicile realizzare buoni contatti ohmici con gran parte dei semiconduttori, soprattutto se drogati p (bisogna utilizzare un metallo in genere con una

m > 5V ).

In pratica si realizzano sempre contatti retti-

canti ma con semiconduttori fortemente drogati (contatti n+ o p+) in modo da piegare fortemente le bande e permettere il usso di elettroni in entrambi i versi per

eetto tunnel.

4.2

Illustrare l'elettrostatica di una struttura MOS, identicando le cadute di potenziale in condizione di banda piatta.

La struttura MOS analoga a un condensatore a facce piane parallele, dove un armatura formata dal contatto metallico (solitamente silicio policristallino fortemente drogato), l'altra la supercie del semiconduttore e fra di esse interposto uno strato di

SiO2

come dielettrico.

Consideriamo uno strato semiconduttore di

tipo p; se applichiamo una tensione negativa al contatto metallico (

gate )

otteniamo un accumulo di elettroni

nell'interfaccia metallo-ossido che generano un campo elettrico e un corrispondente accumulo di carica positiva (maggioritaria) all'interfaccia ossido-semiconduttore (come in un condensatore). Una tensione positiva al gate genera distribuzioni di carica opposte, in particolare una carica netta

negativa

sulla supercie del semicondut-

tore di tipo p (le lacune maggioritarie si allontanano dalla supercie).

sucientemente alta la concentrazione delle lacune diminuisce tanto che tutti gli eetti di tipo n. Il fenomeno si dice inversione (gura 4.2(c)).

Se applichiamo una tensione positiva la supercie del semiconduttore a

Figure 4.2: In gura 4.3 sono mostrate le bande energetiche in tutto il dispositivo MOS. Imponendo la costanza del livello di Fermi (che vale anche in polarizzazione, poich comunque l'ossido non conduce corrente) abbiamo

m + Vox0 = +
m Vox0 Eg
e

Eg 2q

s0 + p

dove: riferite alla banda di

sono la funzione lavoro del metallo e l'anit elettronica del semic.

conduzione dell'ossido la caduta di tensione ai capi dell'ossido all'equilibrio

il bandgap del semiconduttore

18

Figure 4.3:

p s

il potenziale di Fermi del semiconduttore

si dice

potenziale di supercie (s0

all'equilibrio)

La precedente si pu riscrivere come

+Vox0 + s0 = (m ( +
dove

Eg + p )) = ms 2q

(4.2)

ms

indica la dierenza fra le funzioni lavoro del metallo e del semiconduttore (sempre riferite all'ossido).

Si denisce

tensione di banda piatta VF B

la tensione applicata al gate anch le bande del semiconduttore

non si pieghino all'interfaccia con l'ossido, ovvero anch sia

s = 0

(carica netta nulla sulla supercie del

semiconduttore). Una tensione applicata al gate si traduce in una variazione di

Vox

e di

ovvero, per la (4.2): (4.3)

VG = Vox Vox0 + s s0 = Vox + s + ms

Alla condizione di banda piatta dobbiamo aggiungere

Vox = Cox
ox

dove

Qox

una carica per unit di area,

generalmente positiva, intrappolata nell'ossido in fase di lavorazione (questa carica induce una carica negativa in supercie al semiconduttore che noi vogliamo annullare). Si ottiene quindi

VG |s =0 = VF B = ms
Si noti che

Qox Cox s = 0.

(4.4)

ms

funzione del drogaggio del substrato e del tipo di metallo usato come elettrodo di gate. Le

cadute di potenziale sono mostrate in gura (4.4); in banda piatta ovviamente

Figure 4.4:

4.3
Se

Struttura MOS: denire le condizioni di svuotamento e forte inversione. Ricavare l'espressione della tensione di soglia.
il condensatore MOS si dice in zona di

VG < VF B

accumulazione :

all'interfaccia Me-Ox si accumulano

elettroni mentre all'interfaccia Ox-Si si accumulano lacune, queste ultime tutte a ridosso dell'interfaccia (questo

19

implica che Se una

ha un valore negativo ma comunque prossimo a 0); il comportamento quindi molto simile a con

quello di un condensatore lineare.

VG VF B > 0

VG VF B

piccolo siamo in zona di

svuotamento :

la supercie del semiconduttore

praticamente priva di portatori liberi (le lacune vengono respinte e gli elettroni sono pochissimi) ed quindi

zona svuotata

analoga a quella della giunzione pn.

Se alziamo ulteriormente

VG

i pochi elettroni liberi presenti nel semiconduttore cominciano a concentrarsi

in supercie per via del campo elettrico. Per la loro concentrazione vale la distribuzione di Boltzmann:
V (0)V (xd ) Vth s n2 i e Vth NA

n(0) = n(xd ) e
Dalla (4.5) osserviamo che per dice che si ha un'

(4.5)

s > Vth ln( NA ) ni

ossia per

concentrazione di elettroni supera la concentrazione intrinseca di silicio

s = Vth 2 ln( NA ) = 2p (gura 4.2 (c)). Per s > 2p la carica totale presente all'interfaccia ni Si-Ox approssimabile con n(0) (prima contava di pi la carica ssa negativa dovuta alla zona di svuotamento). Questo vuol dire che a piccole variazioni di s corrispondono grandi variazioni della carica totale in supercie
avviene per secondo la (4.5) (vedi gura 4.5).

inversione del drogaggio poich la supercie del semiconduttore a tutti gli eetti uno strato drogato n. Quando la concentrazione di elettroni diventa confrontabile con la carica presente nella zona svuotata, cio NA (vedi punto successivo), il condensatore MOS si dice in regime di forte inversione ; questo

s > p (livello di Fermi del semiconduttore) la ni ; per questi valori del potenziale di supercie si

Figure 4.5: In queste condizioni le variazioni di

s sono davvero =

piccole (qualche

Vth ) e quindi si pu considerare costante;

l'estensione della zona svuotata in zona di forte inversione quindi approssimativamente costante e uguale a (vedi punto successivo)

xdmax =

2 s s qNA

4p s qNA , a cui corrisponde una carica totale di

(4.6)

Qdmax = qNA xdmax = 4q s NA p

Ora dalla (4.3) osserviamo che per

VG > VF B

vale la seguente relazione:

VG VF B = s + Vox = s
dove

Qc Qd Cox Cox Qc < 0);

(4.7)

Qc e `

la carica totale degli elettroni liberi presenti all'interfaccia (quindi

carica sia concentrata in un sottile strato a ridosso dell'interfaccia che viene chiamato considera nulla in zona di debole inversione e quindi si denisce la

tensione di soglia VT 0 come la minima tensione

canale.

si suppone che questa La carica

Qc si

20

che permette l'entrata in zona di forte iniezione, cio la formazione del canale. alla soglia fra debole e forte iniezione (s

VT 0

si ottiene riscrivendo la (4.7)

= 2p , Qd = Qdmax , Qc = 0): 2p + VF B VT 0
come (4.8)

VT 0 = 2p +

dove si posto

2q s NA (coeciente di eetto body). D'ora in avanti si indicher Cox si discuter nella domanda [4.7].

VT ,

il pedice 0

4.4

Struttura MOS: illustrare l'elettrostatica del sistema in condizioni di svuotamento, ricavando la densit superciale dei portatori liberi all'interfaccia e la sua dipendenza dalla tensione di controllo.

In zona di svuotamento l'intefaccia Si-Ox priva di portatori di carica, ovvero presente una zona svuotata dalla parte del semiconduttore di larghezza

xd

e con densit di carica

semiconduttore di tipo p). Da qui si ottiene, integrando come per la giunzione pn:

V (x) =

qNA 2 2 s (x xd ) . Il potenziale di supercie quindi, avendo posto La densit superciale dei portatori liberi all'interfaccia data invece dalla (4.5) che permette di scrivere:

= qNA (NA il drogaggio del E(x) = qNA (x xd ) e s A V (xd ) = 0,: s = V (0) = qNs x2 . d 2

Qn = Q0 e mkT
dove

qVG

m=

VG s

Cd +Cox (partitore capacitivo). Cox

4.5

Transistore MOSFET: ricavare l'espressione della corrente di conduzione in zona ohmica, chiarendo le approssimazioni che si compiono.

Un transistore MOS si ricava dalla struttura MOS vista in precedenza ponendo due contatti metallici agli estremi del canale n ( disponibili per la conduzione; supponiamo inoltre di ssare l'elettrodo di source (posto = 0) e l'elettrodo di drain a potenziale

di body

source e drain ); la zona di semiconduttore sotto i contatti drogata n+ per avere elettroni allo stesso potenziale del contatto

del canale vale, secondo la (1.6):

VD . In zona di inversione (oltre la soglia) la conducibilit (x) = qn n(x) = Qn (x)n dove Qn (x) la carica per unit di area nel canale. Qn (x) Cox

Per determinare quest'ultima grandezza scriviamo la (4.7) in zona di forte inversione:

VGS = VG VF B = 2p + Vc (x) +
dove abbiamo posto

2p + Vc (x)

0,Vc (L) = VD ),
canale:

usando le stesse semplicazioni della (4.8). Possiamo poi approssimare la carica

s = 2p + Vc (x) (il potenziale di supercie diminuisce linearmente lungo il canale,Vc (0) = Qd (dovuta

agli ioni negativi della zona svuotata)

costante lungo tutto il canale

e pari al valore misurato dal lato source del

Qd =

2p + Vc (x)

2p

(cio trascuriamo il fatto che la zona svuotata si allarga andando dal

source al drain). Da qui ricaviamo

|Qn (x)| = Cox (VGS (VF B + 2p +

. Nota

2p + Vc (x)) Vc (x)) Cox (VGS VT Vc (x))

(4.9)

Qn (x)

possiamo scrivere esplicitamente l'incremento della funzioneVc (x) tramite la legge di Ohm :

dVc = IDS

dx dx = IDS n Q (x)W n Cox (VGS VT VC )W

(4.10)

e, risolvendo per separazione delle variabili, troviamo la corrente cercata:

n Cox
0

VDS

(VGS VC VT )dVC
2 VDS ] 2

= =

n Cox [VDS (VGS VT )

2 per

IDS L dx W 0 IDS L W
=
dx n Q (x)W

una sezione innitesima lunga dx abbiamo: dR =

dx y(x)W

1 nq

dx y(x)W

21

1 W 2 n Cox [2(VGS VT )VDS VDS ] (4.11) 2 L L'equazione mostra che in zona ohmica (tensione VDS bassa) il MOSFET si comporta come un resistore non IDS =
lineare. La caratteristica parabolica ha il vertice in

IDS,sat = IDS |VDS =(VGS VT ) = IDS,sat

4.6
si dice

1 W n Cox (VGS VT )2 2 L

(4.12)

corrente di saturazione

del MOSFET

Transistore MOSFET: ricavare l'espressione della corrente di conduzione in saturazione, chiarendo le approssimazioni che si compiono.

Al raggiungimento di

(4.9) che in queste condizioni esiste un punto si annulla; questo punto detto di pinch o

VDS = (VGS VT ) = VDS,sat x=L

il MOSFET entra in regime di saturazione: vediamo dalla dove

punto di pinch o

Q (L ) = 0,

ovvero tale che la carica libera nel canale

(strozzamento). Sempre dalla (4.9) otteniamo che nel punto

Vc (L ) = VGS VT .

Fisicamente questo signica che all'aumentare di

VDS > VDS,sat

il canale si

accorcia ma ai suoi capi cade sempre la stessa dierenza di potenziale; quest'ultima impone una corrente nel canale, ricavabile similmente a quanto visto nel punto precedente:

IDS =
.

W 1 n Cox (VGS VT )2 = k(VGS VT )2 2 L

(4.13)

In genere il punto di pinch o arretra di una piccola frazione rispetto alla lunghezza del canae; quindi in prima approssimazione si pu approssimare costante e pari a

L L.

La corrente in zona di saturazione quindi approssimativamente

IDS = IDS,sat

(4.12). da notare che gli elettroni, una volta arrivati al punto di pinch o,

sono spinti verso il terminale di drain dal forte campo elettrico che si sviluppa a causa della caduta di potenziale

VDS VDS,sat
4.7

che si sviluppa nella breve lunghezza

LL.

Transistore MOSFET: chiarire l'origine e la denizione di  coeciente di effetto body . Discuterne l'impatto sulla capacit di corrente del transistore.

Finora abbiamo supposto che source e body fossero contatti di source e di body formano una canale per la variazione di

equipotenziali, ovvero VSB = 0. Se, invece, VSB > 0 i giunzione pn polarizzata inversamente (ricordiamo che l'area sotto
Questo implica che gli elettroni che si creano nel di quelli del source e quindi tendono a uire verso

il source drogata n+, mentre il substrato drogato p).

VG

sono a potenziale pi alto

quest'ultimo; di conseguenza aumenta la carica ssa presente sotto l'ossido in zona di inversione data dalla (4.6):

Qdmax = qNA xdmax = 2q s NA (2p + VSB ). Sostituendo questa nella (4.7), sempre con le condizioni di inversione, otteniamo la tensione di soglia: VT = 2p + 2p + VSB + VF B = VT 0 + ( 2p + VSB 2p ).
2q s NA e si osserva che esso regola la dipendenza della tensione di soglia Cox dalla tensione fra source e body. Se VSB = 0 abbiamo ovviamente VT,mn = VT 0 .
Il coeciente di eetto body

Un altro eetto legato al coeciente di eetto body legato all'approssimazione eettuata nella (4.9) nella quale si

sovrastimata

la carica libera presente nel canale, supponendo che la zona di carica spaziale sotto il dove vediamo che la proporzionalit regolata ancora da

gate avesse larghezza costante. Senza approssimazione, la carica libera diventa

( 2p + Vc (x)

2p )),

Qn = Cox (VGS VC (x) VT . Inserendo questa nella

(4.10) e integrando si ottiene un espressione della corrente di saturazione del MOSFET trovata di un fattore moltiplicato per

minore

di quella gi

4.8

Transistore MOSFET: discutere la variazione della corrente di saturazione al variare della polarizzazione di drain. Chiarirne la sica e l'impatto sulle prestazioni del componente.

L'approssimazione fatta nel punto [4.6] non tiene conto del fatto che all'aumentare di canale diminuisce (

modulazione della lunghezza di canale ).

IDS 3 :

VDS

la lunghezza

del

Dalla (4.13) vediamo che un aumento di

VDS

implica

allora un aumento della corrente di saturazione

IDS 1 d 1 IDS dL = n Cox W (VGS VT )2 ( )= VDS 2 dVDS L L dVDS

3 Si

(4.14)

ricordi che

d ( 1 ) dx y(x)

1 = y(x)2

dy(x) dx

22

Considerando questo eetto, la corrente di saturazione si ottiene al primo ordine sviluppandone l'espressione in serie di Taylor:

IDS = IDS |VDS,sat + (VDS VDS,sat )

Il coeciente

IDS |V = IDS |VDS,sat (1 + (VDS VDS,sat )) VDS DS,sat

(4.15)

1 dL = L dVDS

detto

coeciente di modulazione di canale. resistenza di uscita r0

La (4.15) mostra come, per tensioni di

drain superiori a quella di saturazione, la corrente aumenti linearmente a causa della variazione della lunghezza eettiva del canale n. Questo implica che la del transistor non innita in zona di saturazione (ovvero non un generatore di corrente ideale) ma ha un valore nito dipendente da

e pari a

I r0 = ( VDS |VDS,sat )1 . DS

transconduttanza

Questo pone dei limiti al massimo guadagno in tensione

G = vd /vg

del componente: la

del MOSFET si denisce come

gm =

IDS,sat W = n Cox (VGS VT ) = 2k(VGS VT ) VGS L

(4.16) Il guadagno

e quindi lega la variazione della corrente erogata alla variazione della tensione di controllo. teoricamente pari a

G = gm RL , dove RL la resistenza di carico fra drain e massa; se r0 non nulla abbiamo per: vd = gm vg RL ||r0 gm vd r0 per RL r0 , ovvero il guadagno limitato da r0 . Osserviamo anche che inversamente proporzionale alla lunghezza del canale: il fenomeno sopra descritto,
quindi, si manifesta maggiormente in transistor sub-micrometrici piuttosto che in transistor pi grandi (infatti i transistor in microelettronica guadagnano 5~10).

4.9

Introdurre la fenomenologia della saturazione della velocit di deriva nei semiconduttori. Denire e valutare l'ordine di grandezza del campo critico. Illustrare l'eetto sulla base di un modello a rilassamento delle grandezze dinamiche delle particelle (quantit di moto ed energia)

Per campi elettrici ordinari la velcoti di drift dei portatori in un semiconduttori proporzionale al campo elettrico tramite la mobilit (vedi (1.6)), che si assume costante. In presenza di alti campi elettrici la velocit di deriva aumenta invece meno che proporzionalmente col campo, per avvicinarsi asintoticamente a un valore detto

velocit di saturazione

(vedi gura 4.6 (b))

Questo vuol dire che la mobilit elettronica non costante;

valgono in generale i seguenti vincoli:

n n (E) = n (E) n (E)

Per campi maggiori di

1 E 1 E

per E < 103 V /cm per 103 V /cm < E < 104 V /cm per E > 104 V /cm 40 kV /cm si considera 5 10106 cm/s)

10 kV /cm la

mobilit assume valori molto piccoli e in genere dopo

nulla; a questo punto la velocit degli elettroni ha raggiunto il suo valore massimo (dell'ordine di

e rimane costante. Questo avviene a causa dell'aumento di probabilit di scattering da parte degli elettroni con gli ioni del reticolo cristallino all'aumentare della velocit (si riduce. Questi forti campi elettrici si hanno nei MOSFET in caso di scaling a tensione costante (vedi gura 4.6 (a)); nel canale esiste quindi un intervallo in cui la legge di Ohm non vale pi e le cariche si muovono con velocit costante eettivamente

vd,sat (prima

acceleravano lungo il

canale). Notiamo inne che la mobilit nel canale di un MOSFET (e di conseguenza la velocit di saturazione)

minore

di quella misurata nel bulk, o comunque in un semiconduttore isolato. Questo perch

i portatori di carica interagiscono con la supercie e con lo strato di ossido soprastante a causa del campo elettrico indotto dal gate, riducendo il loro movimento eettivo.

4.10

Discutere la dipendenza della frequenza di taglio del MOSFET dalla lunghezza di canale.

La frequenza di taglio (

cut o ) del MOSFET la massima frequenza operativa del dispositivo.

tr = vsat
come:

In un nMOSFET

questo limite dovuto a due principali limitazioni: il tempo di transito degli elettroni nel canale e l'impedenza d'ingresso nita del transistor. Il tempo di transito minimo per gli elettroni : del canale e

vsat

la velocit di saturazione. Esprimiamo

vsat =

L vsat dove L la lunghezza V n Esat = n DS,sat = n (VG VT ) ; L L

la frequenza di taglio in questo caso quindi:

fT =

1 n (VG VT ) = 2tr 2L2

23

(4.17)

Figure 4.6: (a)

(b)

L'impedenza d'ingresso nita dovuta agli eetti capacitivi presenti tra le varie parti del transistor. Nel caso ideale possiamo considerare solo la capacit presente tra gate e source alla capacit per unit di area dell'ossido moltiplicata per l'area del canale: scorre nell'elettrodo di gate allora

CGS osservando che questa pari CGS = Cox W L. La corrente che

Ricordando che

ii = jCGS vGS = jCox W L vGS .

di taglio come quella frequenza per la quale

il guadagno in corrente del MOSFET unitario.

Deniamo in questo caso la frequenza

iD = gm vGS

otteniamo:

|
Dall'espressione di

id T gm gm = 1 fT = = |= ii T Cox W L 2 2Cox W L

(4.18)

gm

(4.16 ) facile vericare che la (4.17) e la (4.18) coincidono.

4.11

Illustrare i passi di processo principali di un processo CMOS.

La realizzazione di circuiti in tecnologia CMOS parte dalla crescita di lingotti cilindrici di silicio purissimo, di diametro crescente con l'avenzamento tecnologico (200mm negli anni '90, fra un paio d'anni entreranno in produzione lingotti da 450mm di diametro). Da questi vengono ricavate delle sottili fette di silicio dette (

wafer,

sulle quali avviene l'eettiva costruzione dei circuiti; su ogni wafer si fanno in genere molte copie dello stesso chip

die ).

I processi con cui vengono realizzati questi circuiti consistono essenzialmente nella deposizione selettiva

e sico-chimica di diversi strati omogenei sulla supercie del wafer; la selettivit garantita da una tecnica chiamata

fotolitograa.

4.11.1 Deposizione in fase di vapore

un processo utilizzato per far crescere ulteriori strati di silicio su una base preesistente.

chemical vapor deposition

Si utilizza la drogaggio n),

(CVD) con

SiH4 (silano,

strato epitassiato di silicio),

P H3 (fosna,

B2 H6 (diborano, drogaggio p).

Sopra il wafer creato con metodi di crescita cristallina viene spesso fatto crescere

uno strato di silicio meno drogato di quello sottostante (p invece di p+) che viene detto strato

epitassiato.

Questo strato caratterizzato da un minor numero di impurezze rispetto al wafer originario, proprio per essere stato generato per deposizione. Le apparecchiature utilizzate sono simili a quelli dell'ossidazione termica descritto nel punto seguente e i procedimento simile: nella camera di reazione vengono iniettati i gas contenenti l'elemento di cui si vuole fare lo strato sottile, questi reagiscono o si decompongono sulla supercie del wafer e vengono in seguito espulsi dal forno.

4.11.2 Ossidazione termica

L'ossidazione termica consiste nella crescita di uno strato di ossido di silicio (SiO2 ) sulla supercie del wafer. L'ossido serve per: nei transistori MOS. Il processo avviene ad alta temperatura (800 creare barriere siche ad altri processi di deposizione, proteggere le giunzioni da agenti contaminanti, isolare la supercie dagli strati di interconnessione e, in ultimo, creare lo strato di ossido di gate

- 1200

C).

I wafer sono inseriti parallelamente in una

navicella di quarzo contenuta nel forno. Quest'ultimo ha le aperture che consenstono ingresso e uscita dei gas

24

Figure 4.7:

oxidation.

reagenti e dei prodotti. Se il gas reagente

O2

si parla di

dry oxidation

mentre se il gas

H2 O

si parla di

wet

La wet-ox pi veloce della dry-ox perch il legame O-H pi debole del legame O=O; di contro

l'ossido realizzato ha compatezza minore di quello realizzato in dry-ox perch la reazione genera dall'ossido e lascia dei vuoti.

H2

che esce

4.11.3 Fotolitograa
Il chip la minima area del wafer sottoposta al processo di fotolitograa. stendere sul wafer uno strato di materiale fotosensibile denominato

(foto)resist.

Questo consiste dapprima nello In seguito si espone il wafer Il

a una radiazione opportuna (di solito uv) e sucientemente coerente (in genere da laser). La parte di resist esposta alla luce polimerizza e diventa insolubile, rendendo possibile la rimozione delle zone non esposte. resist rimasto scherma il wafer da successive deposizione, permettendo la deposizione selettiva. Il problema principale consiste nella corretta illuminazione dello strato di resist: davanti alla sorgente luminosa viene posta una maschera di quarzo selettivamente cromato; i fori nella cromatura sono dell'ordine di grandezza dei 100nm, cio

pi piccoli

della lunghezza d'onda della luce utilizzata (~ 190nm) creando fenomeni distanza focale)

di dirazione. Questi si possono annullare ponendo delle lenti di grande apertura (diametro davanti al reticolo di dirazione .

4.11.4 Impiantazione ionica

Il drogaggio, una volta depositato il resist, avviene per impiatazione ionica, piuttosto che per processi diusivi; questi ultimi, in tutto e per tutto simili al processo di ossidazione termica, sono poco precisi, soprattutto per bassi drogaggi. L'impiantazione avviene dapprima accelerando debolmente gli atomi di un gas ionizzato; questi vengono deessi da un campo magnetico (che separa gli ioni in base alla loro massa) e il fascio di ioni selezionato viene riaccelerato e sparato sulla supercie del wafer. La dose in questo modo pu essere controllata con accuratezza; per renderla uniforme si ruota il wafer durante l'impiantazione ( ione va troppo in profondit). evitare che la direzione di impiantazione degli ioni sia parallela ai canali reticolari (

twist ) e si inclina il wafer per channelling, se avviene lo

4.11.5 Pulitura, rinvenimento e attivazione del drogante

Il wafer viene poi ripulito dal resist rimasto e in seguito riscaldato a 900

per rimuovere impurit fuori

posizione che diondono verso l'interfaccia epi-sub (il fondo del wafer lasciato non lappato per non attrarre le impurit). Il rinvenimento avviene per pochi wafer alla volta in reattori RTP (

rapid thermal process ) annealing

con dei

brevi ash da riettori. Lo stesso processo di riscaldamento permette agli atomi di drogante di localizzarsi in posizione sostituzionale nel cristallo (altrimenti creano impurit); il processo si dice (che former le piazzole di contatto) con una soluzione silice + Dopo la deposizione selettiva del resist in genere si esegue una lappatura della supercie dell'ossido esposta

H2 O

(la seconda ossida, la prima rimuove un

atomo alla volta, un eetto chimico mediato da azioni meccaniche).

25

4.11.6 Deposizione in fase vapore II e apertura contatti Si deposita ora con processo PVD (physic vapor deposition, ovvero assorbimento diretto degli atomi del materiale sorgente in fase gassosa) uno strato di BPSG (boron-phosphoron-silicon glass ) con funzioni di isolamento. In
questo strato devono essere create delel paerture per i contatti metallici: queste vengono eettuate con un attacco anisotropo (devono essere dei canali verticali) in una camera a plasma (vengono sparati degli ioni positivi che strappano un atomo alla volta). Vengono poi creati i contatti metallici con la deposizione di uno strato di tungsteno nelle aperture appena create e sopra di esso uno strato di alluminio che denisce lo strato di metal.

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