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Semiconduttori
/
}
1.1
lf
1.2
1.3
c~
Va
o.---------
x
Schermo
2 Capitolo 1
a) Determinare la velocit Vxdegli elettroni, in funzione di Va, quando attraversano
l'elettrodo A.
e) Se si desidera che la deflessione del fascio elettronico sia d., = 1 cm, quale valore
deve assumere Va considerando tutti gli altri valori numerici uguali a quelli nel
punto d).
.
Soluzione
a) Con velocit iniziale nulla, la velocit vx data dall 'Equazione (1.9), cio
v ="'-i2qVa
x
m
b) Quando un elettrone entra nel campo elettrico verticale presente fra le armature P1 e P2,
esso viene accelerato verso l'alto con accelerazione costante ay; determinabile nel modo
seguente
..
may = qy
= q(V Id)
oppure
ay
= qVImd
La velocit nella direzione Y Vy=aip' dove tI' il tempo necessario agli elettroni per
attraversare le armature P\-P2' ed dato da tI' = ljvx' Combinando queste relazioni si
ottiene
Vy
= qVpljmdvx
c) Sia ts il tempo che intercorre fra l'istante in cui un elettrone lascia gli elettrodi P1-P2 e
l'istante in cui esso colpisce lo schermo. Quindi ds =Yp + Ys' dove yp e y., sono le distanze
nella direzione y percorse dall'elettrone, rispettivamente nei tempi tpe t.,.
yp = 1/2 ai;
Ys = vis
quindi
d =.!.
qVp (.td
2 + qVpld. (,-ld12
., 2 ( md ) lvx ) mdvx
sostituendo il valore di Vxsi ha
Vx
lid vI'
d..= 2d va
d) Sostituendoi valori numericisi ottiene
Semiconduttori 3
10-19
X2000
vx= ~2 x 1.60x
9.11 X
10-31
d = 1.27 X20
100
.' 2 X0.5 X 2000 = 1.27 cm
v
y
Una sottile striscia di alluminio, la cui resistivit di 3.44 X 10-8 Qm, ha una sezione
di 2 X 10-4 mm2 e una lunghezza di 5 mm. Qual la caduta di tensione ai suoi capi
dovuta a una corrente di 50 mA?
[V= 43 mV]
-1.5
Con riferimento alla striscia di alluminio descritta 'nel Problema 1.4, determinare il
valore della corrente che l'attraversa se la caduta di tensione ai suoi capi di 30 ~V.
[I = 34.9 ~A]
1.6
a) Calcolare il campo elettrico necessario per fornire a un elettrone nel silicio (Si)
un'energia media di 1.1 eVo .
b) Applicare un campo elettrico un metodo di p'ratica utilit per ottenere coppie
di portatori ~Iettrone-Iacuna? .
[E
1.7
=0.522 pA]
Calcolare la mobilit degli elettroni liberi nell' alluminio (AI), la densit del quale
2.7 X 103 kg/m3 e la cui resistivit 3.44 X 10-8 Qm. Si assuma che l'alluminio abbia
tre elettroni di valenza per atomo e peso atomico di 26.98.
[~ = 10.0
1.9
kV/cm]
Ripetere il Problema 1.5 per una striscia di silicio intrinseco alla temperatura di 800 K.
[/
. 1.8
=41.4
cm2fV
' s]
4 Capitolo I
1.11
= 1015 atomi/cm3.
1.12
1.13
1.14
Impurezze donatori sono aggiunte a del silicio intrinseco in modo che la sua resistivit
decresca sino a 0.0 10m. Calcolare il rapporto tra atomi donatori e atomi di silicio per
unit di volume.
N
[SD
I =0.833 x 10-7]
1.15
1.16
Se il silicio fosse un metallo monovalente, quale sarebbe il rapporto tra la sua conducibilit e quella del silicio intrinseco a 300 K?
cr
[~=2.76x
cr
1012]
n(O)
nQ""'------o
l
W
Semiconduttori 5
Soluzione
La concentrazione n(x) fornita in figura pu essere espressa come
no - n(O)
W
x + n(O) = kx + n(O)
n(x)
n(x) = n(O)
per
O< x < W
per x > W
per x > W
n+qDn
Sostituendo
E=-
-V1k
c)
=O
V=-
n X
n~n d.t
kx + n(O)
E
dn =---Dn dn
per
O< x < W
per x > W
dx=
ro Edx=- ro kx-V.;c
+ n(O)
= V1{ln
n -In
o
n(O)]
V1' In
Vrln[kx+n(O)]
I
no
n(O)
VT In 10-3 = -3 V'l'ln IO
= -3 x 25 mV In IO = -173 mV
6 Capitolo l
ln
W
I
n (x)
x.
n (O)
-"
not- - - - - - - - - -
-v.,k
n (O)
I
I
I
V"
::.....J.
"0
1.17
,x
Soluzione
La corrente netta di elettroni nulla; quindi in base all'Equazione (1.35)
o
-D n dn
E------- n~n dx -
VTdn
n dx
Dove stato fatto uso della relazione di Einstein Vl'= Dn/~n' Poich E = -dV/dx, otteniamo
dV = V7'dn/n e, integrando fra x ( e x2'
o
1.18
Soluzione
In una giunzione graduale si ha n2 = nl1Nf) e n( = np = n//NA' Quindi, utilizzando il risultato
del Problema 1.17, si pu scrivere
1.19
V2(
= V2 -
n2
n(
VI = Vo= V7'ln-=
Nf)NA
Vl'ln~
n;
Semiconduttori 7
acircuito
1.22 La resistivit dei due lati di una giunzione graduale di silicio di 0.05 Qm (Iato p) e
di 0.025 Qm (Iato n). Calcolare l'altezza della barriera di potenziale VO'
[VO= 594 mV]
1.23 Ripetere il Problema 1.22 supponendo che i valori delle resistivit dei due estremi
siano scambiati tra loro.
2
Il diodo a giunzionepn
2.1
zione del1adistanza per una giunzione brusca al silicio con NA= 5 X 1014 atomi/cm3
e ND = 5 X 1016atomi/cm3. Indicare i valori numerici sul1'asse del1e ordinate. Indicare
le regioni n e p e la zona di svuotamento.
2.2
- 2.3
Le resistivit dei due lati di una giunzione brusca al silicio sono di 2.4 Qcm (Iato p) e
di 25 Qcm (Iato n). Tracciare, in scala semilogaritmica, i grafici delle concentrazioni
dei portatori in funzione delIa distanza. Indicare i valori numerici sulI'asse delle ordinate. Indicare le regioni n e p e la zona di svuotamento.
a) Per quale valore del1atensione la corrente inversa in una giunzione pn raggiunge
il 95% del suo valore di saturazione a temperatura ambiente?
b) Qual il rapporto tra il valore del1a corrente per una polarizzazione diretta di
0.2 V e quello per una polarizzazione inversa con una tensione dello stesso
valore?
c) Se la corrente inversa di saturazione vale IO pA, quali sono i valori di corrente
in polarizzazione diretta per le tensioni di 0.5, 0.6 e 0.7 V?
a) [-150 mV]
b) [54.6]
c) [220 /lA;
1.63 mA;
12.0 mA]
- 2.4 Se la corrente
- 2.5
2.
b) [1.42 nA]
c) [46.8 mA]
lO Capitolo 2
- 2.6 a)
Quale aumento di temperatura darebbe luogo a una corrente inversa di saturazione pari a 60 volte il suo valore a temperatura ambiente?
b) Quale diminuzione della temperatura determinerebbe una diminuzione della
corrente inversa di saturazione a un decimo del suo valore a temperatura ambiente?
a) [59.1 c]
- 2.7
b) [32.2 c]
Un diodo montato in un'apparecchiatura in modo tale che, per ogni grado di differenza tra la temperatura del diodo stesso rispetto a quella ambiente, una potenza termica di 0.1 mW viene trasferita termicamente dal diodo all'ambiente circostante (ci
equivale a dire che la "resistenza termica" del contatto meccanico tra il diodo e l'ambiente di 0.1 mW/C). La temperatura ambiente di 25C. La differenza tra la
temperatura del diodo e quella ambiente non deve superare 10C. Se la corrente inversa
di saturazione di 5 nA a 25C e aumenta del 7% per grado centigrado, qual il
massimo valore di tensione inversa che pu essere applicata ai capi del diodo?
[100 V]
-- 2.8
2.9
Un diodo al silicio viene fatto funzionare con una polarizzazione diretta costante di
0.7 V. Qual il rapporto tra la massima e la minima corrente del diodo nella gamma
di temperatura da -55 a + 100C?
[4.63 x 104]
Il diodo al silicio descritto in Figura 2.5 utilizzato nel circuito in Figura 2.8a con
VAA
= 6 V e R = 100 n.
2.10
b) [18.9n]
Un diodo al silicio con la caratteristica della figura di pagina seguente viene utilizzato
nel circuito di Figura 2.8a con VAA= 5 V e R = l ill.
a) Determinare la corrente in R e la tensione ai suoi capi.
b) Qual la potenza dissipata dal diodo?
c) Quanto vale la corrente nel diodo se R di 2 ill oppure 5 ill?
Soluzione
a) La retta di carico passa per il punto VD= O,ID= 5/1 = 5 mA e ha un coefficienteangolare
di -1/1000 = -l mAN.
Una ragionevole stima del punto di riposo porta a ottenere IDQ= 4.4 mA e VDQ= 0.62 V. La
corrente che scorre in R IDQe, dalla seconda legge di Kirchhoff, si ha VRQ= 5 0.62 = 4.38 V.
0.2
0.4
1.0
Tensione,
1.2
1.4
1.6
v~
b) [2.2 mA]
c) [9.7 mA]
l'
V'O
Vaper VBB= 9 V.
" 6V
0.6 k!1
+
0.3 k!1
0.4 k!1
Vo
2.13
[1.56 V]
Il diodo al silicio la cui caratteristica riportata in Figura 2.5 del testo utilizzato nel
'circuito del Problema 2.12 con VBs = 60 V. Si determini la potenza dissipata sul resistoredi 0.4 kO.
12 Capitolo 2
[410 mW]
2.14
Soluzione
Con i dati forniti si ha, esprimendo la resistenza in kiloohm, Iv = I-Iu
0.7/1 = 69.3 mA.
Pertanto, a T = 25C, Is si pu ricavare dalla relazione
Iv
=IsCeVvlV.r-l)
= I - V/I = 70-
~Is&vvlv7'
Per T= 25C = 298K, VT= T/Il 600 = 298/11600 = 25.7 mV. Quindi si ottiene
Is=Iv/evvlvT=(69.3x 1O-3)/e700125.7=
1.027x 10-13 A
Al variare della temperatura variano sia Is che VI'"Di conseguenza, per T= 45C, si ha
IsC45)=2(45-25YIOIsC25)=4x1.027 x 1O-13=4.103x 10-13 A
e
Il diodo a giunzione pn
13
70
Soluzione approssimata
Siccome la retta di carico l/) = 70 - V/)II praticamente orizzontale, la sua intersezione
con la caratteristica del diodo avviene a corrente praticamente costante a tutte le temperature.
Pertanto, varier solamente VDe come conseguenza lU' Per illustrare questo ragionamento
supponiamo ID = 69.3 mA per T= 45C. Quindi,dall'equazione del diodo,possiamoricavare
VDe IR = V/)/I mA.
644
668
686
700
709
713
713
707
697
-55
-35
-15
+5
25
45
65
85
105
125
14 Capitolo 2
affiancare a uno strumento di misura digitale potrebbe essere soddisfacente per temperature
al di sotto di 25C.
-
2.15
Determ inare la corrente nel circuito di Figura 2.8a del testo per VAA= 12 V e R = 4 kQ,
assumendo che il diodo:
a) sia ideale;
b) possa essere rappresentato come in Figura 2.1 I, con Vy= 0.6 V e Rf= 20 Q.
a) [3 mA]
b) [2.84 mA]
2.16
2.17
2.18
2.19
I
I
2.20
Rappresentare l'andamento della tensione di uscita voCt)nel circuito sotto riportato per
O:$;t :$;5 ms, supponendo che il diodo sia ideale.
Il diodo a giunzione pn
200n
.L
V(I)
5ms
.1
(b)
(a)
2.21
15
Ripetere il Problema 2.20, supponendo che il diodo sia rappresentabile con Vy= 0.5 V
.
eRf=50Q.
2.22 Tracciare l'andamento della tensione di uscita per il circuito di figura per
O::;;t::;;lO ms, assumendo che il diodo sia:
a) ideale;
b) rappresentabile con Vy= 0.6 V e Rf= 40 Q.
V(t)
200n
AAA
V(I)(
I."
oo.,
(a)
10ms
(b)
I
I
16 Capitolo2
15 kf!
V,(I)
5 kf!
7.5 kf!
L
2.26
12 kf!
12 kf!
D2
12 V
)1
Il
IOV
Soluzione
a) Dall'osservazione diretta del circuito si ricava che i diodi non possono condurre simultaneamente, in quanto si ha la conduzione di DI per Vo> 12 V e l'interdizione di D2 per
vo>IOV.
Pertanto, i tre possibili stati dei componenti attivi sono: DI in conduzione e D2 interdetto;
DI interdetto e D2 in conduzione; entrambi i diodi interdetti. Dapprima si assumano DI e
D2 spenti, per cui il circuito diviene
+
12
12
6
+
VI
12V
IOV
Essendo spenti entrambi i diodi nel circuito non scorre corrente e quindi Vo= Vi. Per avere
entrambi i diodi effettivamente
interdetti,
si deve verificare
Il diodo a giunzione pn
17
VI = Vi - 12per cui Vi< 12V. Analogamente, V2= -lO - Vi'per cui vi> -lO V.
Di conseguenza, dimostrato che, per -lO < Vi < 12, entrambi i diodi sono interdetti.
Quando Vi< -lO V, D2 acceso e DI spento; quando Vi> 12 V, DI acceso e D2 spento.
Per Vi> 12 V, il circuito diviene
+
12:
va
Dl
+
ViU
12V
+,
18
2
12=-v.+4
3 '
+
12:
(
va
DJ
(
r "'\+
vi
-
IOV" "
1= -10- 12
6 + 12 e
10=-2 v.-lQ
3
18 Capitolo 2
"O' V
12
VI' V
20
-16t
b) Quando -lO < vi < 12, abbiamo Vo = vi' La sinusoide 20 sin rot assume il valore 12 per
rot = sin-l(12/20) = 37. In modo analogo, si ha che il valore -IO assunto per rot =
sin-l (-10/20) = 210, corrispondenti a (7t+ 1t/6).In conclusione la forma d'onda dell'uscita
Vo'V
12
001,rad
~o--------------16tl
2.27
~
---,~...'
~~
01
2.28
)'
Vi,
a) La caratteristica di trasferimento di una rete a diodi riportata in figura. Tracciare il grafico'della tensione di uscita per Vi(t) = 2 + 3 sin rot.
Il diodo a giunzione pn
19
b) Progettare una semplice rete, utilizzando diodi ideali, che presenti la caratteristica di trasferimento di figura.
2.29
Vi,
-A
I
2
l
I
4
B
)
Vi,
20 Capitolo 2
2.32
Nel circuito del Problema 2.12, VBBsubisce una variazione da 6.0 a 6.25 V. Determinare:
a) la variazione ilVo di Vo;
b) il nuovo valore di Vo'
a) [161 mV]
b) [1.12 V]
2.33
Nel circuito del Problema 2.20 parte a), v(t) = 8 + 0.02 sin rot. Trascurando l'effetto
della capacit di diffusione e assumendo che nel modello in continua del diodo siano
Vy= 0.6 e R.r=O,determinarela tensione d'uscita e rappresentarlacome appare su un
oscilIoscopio se il selettore in posizione
a) accoppiamento in alternata (ac);
b) accoppiamento in continua (dc).
2.34
+
R
(180fI)
Vo
~-
'~
o
t,ms
'tIl
l
(c)
(b)
(o)
2.35
I
I
I
o
"i, V
II diodo a giunzione pn
2.36
21
Soluzione
La prima conclusione che si pu trarre che entrambi i dio di non possono condurre contemporaneamente. Quando Iv;!> IVz+ Vyl, un diodo Zener conduce e l'altro polarizzato in
diretta. Quando IVjl< IVz + Vyl, uno dei due diodi interdetto,
+
VY ~ I + vo
l:
vz -=-
Vy)
I
R
I Pendenza=-.:L
-(Vz+ V)
~
I
I
I~
pendenza:
Vz+Vy
Rf+R
Rf+R.
,vi
22 Capitolo 2
2.37
2.38
_2.39
-
Supponendo che il regolatore di Figura 2.32 debba fornire al carico una tensione di
6 V per tutti i valori di corrente IL assorbita dallo stesso fino a IL = 0.5 A, che la
tensione non stabilizzata vari tra 8 e lO V e che il diodo Zener regoli per Iz > O,
determinare:
a) il valore di Rs;
b) la potenza che il diodo Zener deve essere in grado di dissipare.
a) [4 Q]
2.40
b) [6 W]
Nel circuito di Figura 2.32 Rs ha il valore di 20 n. Supponendo che il diodo Zener sia
da 5.6 V, che regoli per l mA ~ Iz ~ 300 mA e che si abbia regolazione sul carico per
una corrente IL sullo stesso compresa tra Oe 200 mA, determinare la gamma dei valori
della tensione di ingresso non stabilizzata per i quali la tensione sul carico risulta
regolata.
[9.62 < Vs< Il.6 V]
2.41
Il
Diodi polarizzati inversamente sono spesso utilizzati come condensatori variabili controllabili elettricamente. Supponendo che la capacit di transizione di un diodo a giunzione brusca sia di 4 pF a 4 V, calcolare la variazione di capacit per:
a) un aumento della polarizzazione di 0.5 V;
b) una diminuzione della polarizzazione di 0.5 V.
a) [-0.229 pF]
2.42
2.43
Nel circuito mostrato in figura la tensione di accensione dei diodi di 0.6 Vela caduta
di tensione su un diodo in conduzione pari a V' = 0.7 V.
Calcolare Vo per i seguenti valori della tensione di ingresso e indicare lo stato (conduzione o interdizione) di ciascun diodo. Giustificare le ipotesi fatte circa lo stato di
ciascun diodo.
a) VI = lO V, v2 = OV,
b) v(=5V,v2=OV,
Il
b) [0.276 pF]
Il diodo a giunzione pn
c)
d)
23
vI = lO V, v2 = 5 V,
v] = 5 V, v2 = 5 V.
2 kf!
DI
2 kf!
D2
]8 kf!
a) [8.37V]
b) [3.87 V]
c) [8.37 V]
d) [4.07 V]
2.44 Ripetere il Problema 2.43, assumendo che il resistore da 18 k.Q sia collegato in serie
a un generatore di tensione da 5 V.
a) [8.87 V]
b) [5 V]
c) [8.87 V]
d) [5 V]
2.45 Nel circuito rappresentato nella figura di pagina precedente Vi un impulso la cui
durata compresa tra lO e 40 ns. Tracciare l'andamento dell'impulso d'uscita per
durate dell 'impulso di ingresso di 10,20,30 e 40 ns. Supporre che i diodi siano ideali.
(Suggerimento: Per x l, e-X~ l - x).
50f!
DI
50kf!
Vi
0.01J.LF
:=: 50V
+
-
I
'D2
~
VO
3
Transistori bipolari a giunzione
3.1
i l ;::O
il < O
Un generatore controllato non ideale viene utilizzato nel circuito in figura. Tracciare
la caratteristica di trasferimento (v2 in funzione di vs) per ro ~ ex)(circuito aperto).
Quali segmenti della caratteristica si dovrebbero usare se il circuito dovesse funzionare come interruttore? E se dovesse funzionare da amplificatore? (Suggerimento:
Disegnare innanzitutto una famiglia di caratteristiche d'uscita del dispositivo. SuppOli che sia la tensione di accensione sia quella in conduzione ai capi del diodo siano
di 0.5 Ve che Rjvalga 50 n).
~
112
Generatore controllato
2kf!
+
-=-5 V
26
Capitolo 3
3.3
3.4
Soluzione
V22
R
/2Q
/14
/13
'/12
/11
QI
V2Q
V22
i,= o
' V2
3.5
= O).
b) Valutare la corrente che scorre in un transistore pnp con lES = l pA, aF = 0.99
e aR = 0.5, supponendo che il transistore lavori a temperatura ambiente.
I
I
Soluzione
a) Dall'Equazione (3.5) si ricava che, quando lB = O,lE = -le- Dall'Equazione (3.18) si
ottiene
le
3.6
Soluzione
Per un transistorepnp, l'Equazione (3.3) d
le= -aIES(gVEBlVr- l) + les(gVcBIVr- l)
Spostando -aIES(gVEBIVr- l) dal lato sinistro dell'equazione si ottiene
le+ aIES(gVEBlVr-
l)
= lcs(gVcBlVr-
I)
Dall'Equazione (3.2),
lE=lEs(gVEBlVr-1)-cxIlcs(gVcBlVr-l)
=lEs(gVEBlvr=lEs(lDall'Equazione
CXPFXgVEBlVr- I) - cxIlc
(3.15).
si ha lEO
= (I - cxRcxF)IEs'
Pertanto
Con una procedura assolutamente analoga a quella utilizzata nel caso precedente si arriva a
determinareche
3.7
Soluzione
Posto lED= lEs(g-VE~rlE
lB
I) e lCD= lcs(g-VcolVr-
I), le Equazioni
Risolvendo le equazioni
ricava
di 1Bel
c rispetto
il rapporto lEDllCDsi
28 Capitolo 3
lc
l
- /(I-aR)+
B
Ic
aR-/(l-aF)
B
- J3forcedlJ3 F
3.8
a) [188 lill;
3.9
0.47 lill]
b) [250]
Soluzione
Il circuito il seguente
-15V
200
160
120
-20
80
-15
=-15+
-20
lO
0.25 kQ
= 250n
=-15+0.7
-l 00
ICQ = -20 mA e
143 kn
3.10 Un transistore 2N2222A utilizzato nel circuito (ji Figura 3.24a con Rc = 225 n,
RB = 100 kQ e Vcc = 9 V. Determinare Ic e VCE'
Soluzione
Si ponga I3F= 250, come calcolato nel Problema 3.8. Le equazioni risolventi delle maglie
che comprendono collettore-emettitore e base-emettitore sono rispettivamente
Vcc
VCE
= IcRc
VCE
= lc
(0.255)
e 9
0.7 = IB (100)
Quindi
9-0.7
lB =100=
83 ~A
e di conseguenza
VCE = 9 - lc (0.225) = 4.33 V
30 Capitolo 3
3.11
3.12
Un
nel
a)
b)
a) [1.749 mA;
3.13
il 2N2222A a VCE= 5 V e
0.732 V]
Il transistore utilizzato nel circuito mostrato in figura ha /3F = 150 e una corrente
inversa di saturazione trascurabile.
a) Determinare lc e VCE.
b) Ripetere la parte a) per /3F = 50.
Vo
I kf!
400 kf!
2 kf!
+10
(VEE)
Ro
-=-
[4.42 V;
2.567 mA]
3.15 Il circuito del Problema 3.14 utilizzato per ottenere VeE = 5 Vele = 5 mA con
Vee = 9 V. Viene utilizzato la stesso transistore del Problema 3.14 e Rn un ramo
aperto.
a) Determinare Re e RF.
b) Trovare i nuovi valori di l c e di VCEper PF = 49.
[0.792 ill;
85.1 ill;
3.65 mA;
7.05 V]
3.16 Il circuito del Problema 3.14 viene utilizzato con i seguenti valori: Re = 2 ill,
RB= 25 ill e Vcc = 12 V. Il transistore ha pF pari a 49 e una corrente inversa di
saturazione trascurabile.
a) Determinare RF in modo che sia lE = -2 mA.
b) Utilizzando il valore di RF ricavato nel punto a), determinare lE per PF pari a
150.
a) [182.5 ill]
b) [-3.473 mA]
3.17 Il circuito mostrato in figura utilizza un transistore con PF = 100. I valori dei parametri
sono Re = 0.5 kO, RE = 1.0 ill, RB = 44 ill,
Vee
Re
+
VOI
Rg
Vgg
+
V02
a)
Determinare
VOI e V02'
b) [1.52 ill]
c) [1.51 ill]
3.18 Per il circuito del Problema 3.17 i generatori di tensione VBB, Vee e VEEpossono,
ciascuno, valere IO, -IO o OV. Elencare tutte le possibili combinazioni di tensioni di
alimentazione con le quali possibile polarizzare il transistore in zona attiva diretta.
[Vee = lO V;
32 Capitolo 3
3.19
3.20
3.21
Un transistore
VEE =
1 mA.
[3.4 k,Q]
I valori dei parametri nel circuito di Figura 3.26a sono Rl = 150 kO, Rz = 37.5 kQ,
Re = 7 kO e RE = 3 kQ. Il transistore caratterizzato da 13F = 100 e da una corrente
inversa di saturazione trascurabile. Si ha inoltre Vee = 9 V.
a) Determinare VCEe le.
b) Ripetere la parte a) per I3F= 50.
a) [6.69 V;
3.22
3.23
l,
13
0.33 mA]
b) [6.9 V;
0.3 mA]
Il circuito di Figura 3.26a utilizza il transistore del Problema 3.21. I valori dei com= 90 kO, Rz = lO kQ, Re = lO kQ, RE = 0.9 kO e Vee = 12 V.
a) Determinare VCEe leb) Ripetere la parte a) per I3F= 200.
ponenti sono Rl
a) [7 V;
500 !lA]
Il circuito di Figura 3.26a utilizza un transistorepnp con 13F= 50 e una corrente inversa
di saturazione trascurabile. disponibile una tensione di alimentazione positiva di
12 V. Le resistenze sull'emettitore e sul collettore sono da 2 kO ciascuno. Determinare
i valori di Rl e di Rz per i quali VeE= -6 V.
[64.0 kQ;
'.
3.24
'I
37.3 kQ]
rende
13forced =
lO.
I valori dei componenti circuitali sono gli stessi del Problema 3.17.
a) [14.3 V]
b) [87.8 V]
3.25
I valori dei componenti del circuito del Problema 3.17 sono Vee = O, VEE= -lO V,
RE = O,Re = 2 kQ e RH= 50 kO. Il transistore ha 13F = 125 e una corrente inversa di
saturazione trascurabile. Tracciare la caratteristica di trasferimento di VOIin funzione
di VBB,indicando chiaramente i modi di funzionamento del transistore nelle varie zone.
3.26
Ripetere il Problema 3.25, supponendo Vcc = lO V e che tutti gli altri parametri siano
gli stessi.
2.2 k!1
. ----o
Rt
15k!1
Vi o----JW'v
Vo
100k!1
-12V
3.29 Tracciare la caratteristica di trasferimento Vain funzione di Videl circuito rappresentato in figura. Il transistore utilizzato descritto nel Problema 3.28.
+5v
3 k!1
360 k!1
27 k!1
Vi
40 k!1
-IOV
l
lO k!1
Vi o---J\M,
2 k!1
---o
Vo
34 Capitolo 3
Schottky presenta una caduta di tensione di 0.4 V ai suoi capi quando in conduzione.
Soluzione
Il diodo Schottky rimane interdetto fin quando Vo non scende fino al valore 0.3 V. Ovviamente il transistore interdetto quando Vi < 0.7 V e Vo= VcC"Quando il transistore lavora
in zona attiva, le = (Vee - Vo)/2 e lB = (Vj - 0.7)/10. Nel punto limite di conduzione del diodo
si ha pplB = le e Vo= 0.3 V. Pertanto
75(Vi- 0.7)
lO
0.3
I
I
I
I
-1-------L
0.7
Se poniamo Vee = 12 V, il diodo Schottky inizia a condurre quando Vi= 12/15 + 0.68 =
= 1.48 V. Per ulteriori aumenti di Vi la corrente nella resistenza da 2 kn rimane costante al
valore (12 - 0.3)/2 = 5.85 mA. La corrente I nella resistenza da IO kn ha invece il valore
(Vj - 0.7)/1 Oespresso in milliampere. Dalla equazione di bilancio delle correnti discende che
1=ID + lB e 5.85 + lD = le' Utilizzando le = PFIB'si possono ricavare i valori di lB e lD per
qualunque valore di Vi> 1.48 V.
.
3.31
2.6 kf1
I
i
'
> l kf1
T
Q\ 8'kV
+-----r
Vj
'-./
:tJ
w,n
--o
Q2
Vo
b) [12 V]
3.32 La tensione d'ingresso per il circuito in figura Vi(t)= 2 + sin 21t x 103t.Il transistore
utilizzato descritto nel Problema 3.31 e vit) quella mostrata. Tracciare l'andamento di vo(t) per un periodo.
+S v
VE. V
4 kr!
Vo(l)
SI
230 kr!
V,(I)
1-IOJ.lS
I, J.lS
o
1--100
o
1
100
200
3.33 Il transistore del Problema 3.31 utilizzato nel circuito mostrato in figura.
+Sv
v,
2.Skr!
+
RB
Vi
I, J.lS
a) Determinare RB in modo tale che il transistore sia alla soglia della saturazione
per Vi = 5 V.
b) Se Vi l'impulso rettangolare mostrato, tracciare l'andamento di vo(t), supponendo che il transistore risponda istantaneamente.
a) [229 kQ]
3.34 a) Tracciare la caratteristica di trasferimento del circuito mostrato nella figura di
pagina seguente. Il transistore ha 13F = 120, 13 R = 2 e Ieo ~ O.Il diodo Zener da
5.6 V.
b) Tracciare l'andamento di Iz in funzione di Vi,
36 Capitolo 3
+9V
1.7 kO
Vo
100 kf!
Vi
3.35
Un
a)
b)
c)
b) [0.1 k11]
c) [-38]
3.36
a) [175]
3.37
a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali, valido alle basse frequenze,
del circuito di Figura 3.25a.
b) Determinare un'espressione della resistenza vista tra la base e la massa.
3.38
3.39
= 100. La corrente
00
in-
e la resistenza di
c)
= 0.25 V.
b) [-14.1 ilV;J
c) [-3.53 V]
3.40 a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali dello stadio a base comune
della Figura 3.13.
b) Calcolare la resistenza vista alle basse frequenze tra l' emettitore e la base
(guardando verso il transistore).
3.41 a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali, valido a bassa frequenza,
del circuito di Figura 3.37.
b) Determinare Vo2' dati VI = -V2 = 25 V. I valori dei parametri del transistore
sono ~o = 125, rb = O e ro = l MQ. Il generatore di corrente IEE vale 0.2 mA e
Re = 250 Iill.
3.44 I parametri per piccoli segnali a bassa frequenza del transistore in figura montato a
collettore comune sono gm = 40 mS, ~o = 150, ro ~ 00 e rb O.
""
+Vcc
+
Vo
Ro
c) [0.99]
3.45 Il transistore nel circuito mostrato in figura descritto nel Problema 3.44. Determinare
38 Capitolo 3
la resistenza equivalente per piccoli segnali Rcq del transistore collegato a diodo.
+11.2 V
10.5 kO
re
R"I
3.46
Un transistore con f3F = 100 utilizzato nel circuito di Figura 3.36a. Con Vee = 15 V,
determinare il valore di R che porta a le = 0.2 mA.
[70.1 kn]
3.47 I parametri del circuito in Figura 3.32 sono rb= 50 n, r" = 950 n, c" = 50 pF,
- CI!
b) [1.96 x 109rad/s]
4
Transistori a effetto di campo
4.1
Il dispositivo presente nel circuito mostrato un generatore ideale di corrente controllato in tensione definito da 12= 3 x 10-3VI mA.
Dispositivo
V2 'l,
+
+
121'"
.=..12 V
=r
a) Tracciare le caratteristiche di uscita (12in funzione di V2)per VI che varia fra O
e 3 volt ad intervalli di 0.5 V.
b) Si determinino 12 e V2, per Vj = 1.5V.
c) Se Vj un impulso positivo, quale deve essere la sua ampiezza perch il circuito
si comporti come un interruttore' controllato?
Soluzione
a)
3.0
2.5
6
2.0
1.5
:1
1.0
VI
=0.5 V
V2'V
40 Capitolo 4
Affinch il dispositivo
controllato
12 = Oe nell'altro V2= O,cio 12= 12/2 x 10-3= 6 mA, in funzione della tensione Vi, Questo
avviene se Vi = Oe Vi = 2 V, rispettivamente. Se poniamo arbitrariamente V2= 11.5 V per
Per Vi
c) Nelle stesse condizioni del punto b), si rappresenti graficamente un ciclo della
tensione ai capi della resistenza da 2 kO.
d) Si supponga di osservare la tensione V2mediante un oscilloscopio accoppiato in
alternata. Rappresentare graficamente un ciclo della forma d'onda che si vedrebbe sullo schermo.
4.3
Nel circuito del Problema 4.1 viene ora usato un generatore di corrente controllato in
tensione definito da 12 = 2.5 x 10-3 VI + 5 x 10-5 V2.Si ripeta il Problema 4.2 in queste condizioni.
4.4
Si consideri un dispositivo a canale n con una concentrazione di donatori NDatomi/cm3 e con una regione di gate fortemente drogata con una concentrazione di accettori NA atomi/cm3 in modo che sia NA ND, in cui la giunzione gate-canale a
gradino. Si supponga che sia VDs= O e che il potenziale di contatto sia molto pi
piccolo di IVpl.Dimostrare che, per la geometria di Figura 4.6, si ha
IVpl= qND
26 a2
4.5
4.6
a)
[2.11 V]
4.7
b) [18.6 kQ]
a) [600 Q]
Nel circuito di Figura 4.19 viene impiegato il JFET le cui caratteristiche sono riportate
inFigura4.7.
I valori dei componenti circuitali sono VDD= 24 V, RD = 4 kQ, Rs = 1 kQ e
Ra = 100 kQ. Si determinino VDs,ID e Vaso
[16.25 V;
4.8
4.9
-1.55 V]
Nel circuito in Figura 4.19 viene impiegato il JFET di Figura 4.7. La tensione di
alimentazione di 30 V e si desidera avere VDs= 17.5 V e ID= 2.5 mA. Si determinino
i valori di Rs e di RD.
[0.4 li;
--
1.55 mA;
5 kQ]
0.973 kQ]
4.10 Un JFET a canale n ha Vp = -5 V e IDss= 12 mA e viene impiegato nel circuito mostrato. I valori dei parametri sono: VDD= 18 V, Rs= 2 kQ, RD = 2 kQ, RJ = 400 kQ e
R2= 90 kQ. Si determinino i valori di VDse ID,
+VDD
RD
2
Rs
44 Capitolo 4
c) ID=-k(W/L)
si ottiene
R
-3.5=
4.16
2 (-9)
240 + R2
cio R2 = 153 kQ
I transistori Ql e Q2, impiegati nel circuito mostrato, sono identici e hanno le caratteristiche riportate nella Figura 4.24b.
a) Si determini la corrente di drain di QI e la tensione Va,
b) Qual il valore di VDS2?
+6 v
+
VDS2
=
Soluzione
a) La curva di carico mostrata in Figura 4.24b. Tuttavia, in questo caso, anche il transistore
Q I collegato come resistenza non lineare con VGSl= VDSI'
Costruendo la caratteristica di resistenza di QI si ottiene l'intersezione tra le due curve per
VDSI= 3 Ve ID= 20 /lA.
Si ha dunque
Va = VDSI= 3 V
b)
VDS2= VDD-
Va
= 6- 3= 3V
Questo risultato era prevedibile perch, se abbiamo due resistenze in serie uguali tra loro, la
tensione si ripartisce in due parti uguali.
a) [2.67 V;
8.89 J.lA]
b) [3.3 V;
8.89 J.lA]
4.18 Lecaratteristiche dei transistori Ql e Q2 impiegati nel circuito mostrato sono riportate
rispettivamente in Figura 4.24b e in Figura 4.26b. Determinare i valori di VDSle VDS2'
+6V
+
VDS2
[4 V; 2 V]
4.19 Si ripeta il Problema 4.18 assumendo che il fattore di forma di Q2 venga diminuito di
un fattore 5 mentre quello di Ql rimanga inalterato.
[2.89 V; 3.11 V]
4.20 Si ripeta il Problema 4.18 assumendo che il fattore di forma di Ql venga diminuito di
un fattore 5 mentre quello di Q2 rimanga inalterato.
[2.5 V; 3.5 V]
+6v
+
VDSI
+
VDS2
46 Capitolo 4
[4 V; 2 V]
4.22
4.23
0.67 V]
b) [2.89 V;
3.11 V]
c) [4 V;
2 V]
+6V
RD
(lO kf1)
Vo
QI
Soluzione
Siccome Ql e Q3 sono uguali tra loro e hanno VasI = VaS3'anche le loro correnti di drain
sono uguali. Ql e Q2 sono collegati come resistenze non lineari ad arricchimento e, essendo
anch'essi uguali tra loro, ci si pu aspettare che siano sottoposti alla stessa caduta di tensione
(si veda in proposito il Problema 4.16).
Pertanto,
VasI
= VDSI
=3
"
Va
V e IDI
= 20 ~A
= 6 - lo X 104= 6 - 0.02
la seconda
legge di Kir-
lO = 5.8 V
4.24
[116 ~A;
4.25
1.59 V]
5.2 V]
4.27 Tracciare la caratteristica di trasferimento Va in funzione di Vi del circuito di Figura 4.24a per VDD= 6 Y. Il transistore Ql ha le caratteristiche riportate in Figura 4.24b
mentre Q2 un transistore identico avente per un fattore di forma pari a 0.4 volte
quello di Ql.
Si tracci la caratteristica
di trasferimento
4.31 Il JFET impiegato nel circuito di Figura 4.31 ha Vp= -6 V, IDSS= 15 mA, .= 0.02 y-I
ed polarizzato con ID= 6 mA e VDs= lO V.
a) Disegnare il circuito equivalente alle basse frequenze.
b) Quale valore deve avere RD se si vuole che l'ampiezza della componente di
segnale di Vosia pari a lO volte l'ampiezza di vs?
b) [23.6 kQ]
4.32 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali del circuito del Problema 4.10.
b) Determinare il valore della resistenza di uscita vista tra il terminale l e la massa.
c) Se Rs = O, la resistenza calcolata al punto b) aumenta, diminuisce o rimane
immutata?
c) [La resistenza diminuisce]
4.33 Si prenda in esame il circuito del Problema 4.10.
a) Determinare il valore della resistenza vista alle basse frequenze fra il terminale
2 e la massa.
b) Valutare la resistenza del punto a) per RD = 5 kQ, Rs = 3 kQ, RI = 240 kQ,
R2 = 80 kQ, gm = 2 mS e rd = 50 kQ.
c) Ripetere quanto fatto al punto b) nel caso in cui sia RD = O.
48 Capitolo 4
Soluzione
a) Il modello equivalente per piccoli segnali il seguente
G
s
2
R"
Vg.I.= - (/ + ID)Rs
Sostituendo si ottiene
Il
I
\
b)
Il = g/llrd= 2 x 50 = 100 e
R = 3 Il 5 + 50 - 0.461 k,Q
(1
l + 100
c) Con RD = O,si ha
50
R(1= 3 Il l + l 00 - 0.425 k,Q
=O
4.34 Il JFET del circuito mostrato ha le caratteristiche riportate in Figura 4.32. Per
IDD = 2.5 mA, si determini la componente di segnale di Voprodotta da un segnale di
ingresso Vs= 2 sin Wl mV. I corrispondentivalori dei parametri sono RD= 100kQ e
rd= 100 kn.
Si pu supporre che in RD scorra una corrente continua trascurabile e che la frequenza
sia sufficientemente bassa da considerare valido il modello del FET per basse frequenze.
+VDD
RD
+
Vo
4.35 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali alle basse frequenze del
circuito mostrato.
+VDD
RD
b) Si determini Ro'
c) Si valuti Ro per gm = l mS, rd = 50 kQ e RD = lO kn.
c) [0.893 kn]
4.36 Si ripetano le parti a) e b) del Problema 4.35 per il circuito mostrato in figura.
50 Capitolo 4
+VDD
4.37
a) Si disegni il modello per piccoli segnali valido alle alte frequenze del circuito
nel Problema 4.35.
b) Quanto vale la capacit vista fra il drain e la massa?
b) [Cgs]
4.38
a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali valido alle alte frequenze
del circuito relativo al Problema 4.36.
b) Determinare il valore della capacit vista fra source e massa.
b) [Cds+ Cgd]
4.39
Soluzione
a) Il modello il seguente
RG +
Ql
\'i
Q2
Vo
4.41 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali alle basse frequenze del
circuito del Problema 4.40.
b) Ricavare un'espressione per la componente di segnale di v" prodotta dal segnale
di ingresso vi'
- W/L
=
1 e VT
= 1 V.
Tracciare la caratteristica
di trasferimento
VDD 5 V.
= lO e
VT = 2 V. Il transi-
52 Capitolo 4
4.44
5
Fabbricazione dei circuiti integrati
5.1
5.2
5.3
b) [Q2 interdetto]
d) [Q2 interdetto]
Si rappresentino (in forma circuitale) le cinque configurazioni elementari per la realizzazione di diodi integrati.
Quale di esse sar caratterizzata dalla tensione di soglia pi bassa? E quale dal valore
della tensione di breakdown pi alto? .
Soluzione
(a)
(b)
(c)
(ti)
(e)
54 Capitolo 5
La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quanto il
transistore lavora nella zona attiva e quindi, essendo la sua corrente di base molto piccola, si
ha una tensione base-emettitore relativamente ridotta. La configurazione rappresentata in e)
(giunzione base-collettore) ha invece la tensione di breakdown pi alta, essendo essa uguale
a BVCBOdel transistore. Per la verifica di queste considerazioni si faccia riferimento al
Paragrafo 3.13 del testo.
5.4
Soluzione
Dall'Equazione (5.3) deriva
R =.e. (010)
s y
dove
Di conseguenza si ottiene
R - 0.0960cm
s- 2.54x 10-3 cm
5.5
37.8010
Soluzione
a) Dall'Equazione (5.4), deriva
R =R
L cio
s W
20 x 103 = 200 ..
25
da cui
L = 2500 ~m
oppue
L = 2.5 mm
W= l f.lm
5.6
Un condensatore a film sottile ha una capacit di 0.4 pF/~lm2.Lo spessore dello strato
di ossido di silicio di 50 nm. Si calcoli la costante dielettrica relativa dell' ossido di
silicio.
[2.23]
5.7
Un condensatore MOS viene realizzato con uno spessore di ossido di 50 nm. Che area
necessaria per ottenere una capacit di 200 pF, tenendo conto che la costante dielettrica relativa dell' ossido di silicio vale 3.5?
Soluzione
Si pu scrivere
A = A Eo -
3.5x 8.849x
10-12
5.8
A l.
Q2
l
2
3
4
a) [3]
5.9
b) [4]
56 Capitolo 5
3
R2
RI
Q2
5
6
100
,
R3
a) [3]
5.10
Q5
6
a) [4]
4
Vcc
a) [2]
5.12
Il numero tipico di diffusioni necessarie per realizzare un circuito integrato epitassiale-diffuso di silicio a) 6, b) 3, c) 4, d) 5, e) 2.
[b)]
5.13 Lo
p
a)
b)
c)
d)
[d)]
5.14 La
a)
b)
c)
58 Capitolo 5
a) per controllare la posizione delle diffusioni e per proteggere e isolare la superficie del silicio,
b) perch facilita la diffusione dei droganti,
c) per controllare la concentrazione dei droganti,
d) in ragione della sua alta conducibilit termica.
[a)]
5.16
Quando viene creata un'apertura nell'ossido di silicio e attraverso questa si introducono impurit nel silicio, esse diffonderanno in senso verticale
a) in misura maggiore che in senso orizzontale,
b) nella stessa misura che in senso orizzontale,
c) in misura minore che in senso orizzontale,
d) in misura doppia che in senso orizzontale.
[b)]
5.17
5.18
5.19
5.20
La maggior parte delle resistenze presenti nei circuiti integrati sono realizzate
a) durante la metallizzazione,
b) durante la diffusione di emettitore,
y
Q!
RD
Q2
Q3
Q3
oD
Q4
(o)
(b)
5.26 Elencare,nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione del circuito CMOS mostrato nella figura di pagina seguente.
60 Capitolo 5
+VDD
Porta
NOR
elementare
Invertitore 1
Invertitore 2
Doppio buffer
Il
li
.'
-Y
5
Fabbricazione dei circuiti integrati
5.1
5.2
5.3
b) [Q2 interdetto]
d) [Q2 interdetto]
Si rappresentino (in forma circuitale) le cinque configurazioni elementari per la realizzazione di diodi integrati.
Quale di esse sar caratterizzata dalla tensione di soglia pi bassa? E quale dal valore
dellatensionedi breakdownpi alto? .
Soluzione
(a)
(b)
(c)
(cl)
(e)
54 Capitolo 5
La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quanto il
transistore lavora nella zona attiva e quindi, essendo la sua corrente di base molto piccola, si
ha una tensione base-emettitore relativamente ridotta. La configurazione rappresentata in e)
(giunzione base-collettore) ha invece la tensione di breakdown pi alta, essendo essa uguale
a BVCBOdel transistore. Per la verifica di queste considerazioni si faccia riferimento al
Paragrafo 3.13 del testo.
5.4
Un wafer di silicio di spessore y = l mil = 25.4 !J.m stato drogato uniformemente con
fosforo fino a una concentrazione di lO17cm-3; esso stato poi ulteriormente drogato
con boro a una concentrazione di 5 x 1016cm-3. Si determini il valore della sua resistenza di strato.
Soluzione
Dall'Equazione (5.3) deriva
R =.e. (0/0)
s
dove
l
(1017- 5 x 1016)x 1.60 x 10-19x 1300 - 0.096 O cm
I:
Di conseguenza si ottiene
R
- 0.096 O cm
s- 2.54x 10-3 cm
5.5
37.8 0/0
Soluzione
a) Dall'Equazione (5.4), deriva
R = Rs
cio
20 x 103 = 200 ;5
da cui
L = 2500 Ilm
oppue
L = 2.5 mm
5 x 103= 200 x;
5.6
cio W = l J-lm
Un condensatore a film sottile ha una capacit di 0.4 pF/~lm2.Lo spessore dello strato
di ossido di silicio di 50 nm. Si calcoli la costante dielettrica relativa dell' ossido di
silicio.
[2.23]
5.7
Un condensatore MOS viene realizzato con uno spessore di ossido di 50 nm. Che area
necessaria per ottenere una capacit di 200 pF, tenendo conto che la costante dielettrica relativa dell'ossido di silicio vale 3.5?
Soluzione
Si pu scrivere
c W
A= A g-=
o
5.8
AL
R,
Q\
Q2
\
2
3
4
a) [3]
5.9
-
b) [4]
56
Capitolo 5
R2
R.
Q3
100
J-{
Q2
5
R4
4
>Rs
R3
a) [3]
5.10
Rs
7
6
a) [4]
4
Vcc
a) [2]
5.12 Il numero tipico di diffusioni necessarie per realizzare un circuito integrato epitassiale-diffusodi silicio a) 6, b) 3, c) 4, d) 5, e) 2.
[b)]
5.13 Lo "strato sepolto" in un transistore npn integrato realizzato su un substrato di tipo
p
a) usato per ridurre la capacit parassita,
b) drogato p+,
c) situato nella regione di emettitore,
d) drogato n+.
[d)]
5.14 La crescita epitassiale viene impiegata per la fabbricazione dei circuiti integrati
a) perch permette di ottenere basse capacit parassite,
b) perch consente di ottenere giunzioni pn contrapposte di isolamento,
c) per crescere un monocristallo di silicio di tipo n su un monocristallo (il substrato) di tipo p,
d) per crescere selettivamente regioni monocristalline di silicio drogato p con un
valore di resistivit diverso rispetto a quello del substrato.
[c)]
5.15 L'ossido di silicio viene usato nei circuiti integrati
58 Capitolo 5
a) per controllare la posizione delle diffusioni e per proteggere e isolare la superficie del silicio,
b) perch facilita la diffusione dei droganti,
c) per controllare la concentrazione dei droganti,
d) in ragione della sua alta conducibilit termica.
[a)]
5.16
Quando viene creata un'apertura nell'ossido di silicio e attraverso questa si introducono impurit nel silicio, esse diffonderanno in senso verticale
a) in misura maggiore che in senso orizzontale,
b) nella stessa misura che in senso orizzontale,
c) in misura minore che in senso orizzontale,
d) in misura doppia che in senso orizzontale.
[b)]
5.17
5.18
5.19
5.20
La maggior parte delle resistenze presenti nei circuiti integrati sono realizzate
a) durante la metallizzazione,
b) durante la diffusione di emettitore,
Q!
RD
Q3
Q\
1---0 c
I-->
Q2
Q3
Q2
Q4
(a)
5.26
(b)
Elencare, nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione del circuito CMOS mostrato nella figura di pagina seguente.
60 Capitolo 5
+Vnn
Vo
Invertitore l
Invertitore 2
Doppio bufTer
I
. I
I
6
Circuiti logici (digitali) elementari
U
\
a) [11011110]
b) [100101110]
c) [111111 OOOg]
Convertirei numeri decimali riportati nel Problema 6.1 in numeri ottali (base 8).
~ ~5~
c) [2052]
Convertirei numeri decimali riportati nel Problema 6.2 in numeri esadecimali (base 16).
~~
c) [10000101010]
a) [177]
b) [101101000]
b) [12E]
c) [6FO]
o
B
7 8
. I
4V
':1
o
=---~-
-------
62 Capitolo 6
a) [A = 01100110];
6.6
b) [A = 10011001];
[B = 10101010];
[B = 01010101];
[C = 11110000]
[C = 00001111]
Si consideri che l'interruttore di Figura 6.1 del testo sia controllato da una tensione v
e sia chiuso quando v = V(I) e aperto quando v = V(O).L'inter~ttore caratterizzato
= 50 ill quando aperto. Determinare
da una RON= 50 il quandochiusoe da una ROFF
l'intervallo dei valori di R che garantisce V(O):::;0.2 V e V(l) ~ 4.5 V.
[1.2 ill:::; R:::;5.56 ill]
6.7
6.8
Il circuito in Figura 6.1 del testo viene usato come descritto nel Problema 6.6 con una
resistenza R di valore pari a 5 ill. Determinare:
a) il minimo valore di ROFFper cui V(I) ~ 4.8 V,
b) il massimo valore di RON per cui V(O):::;0.2 V.
a) [ROFF= 120ill]
Le forme d'onda del Problema 6.5 sono i tre ingressi di una porta OR a logica positiva.
a) Tracciare la forma d'onda della tensione di uscita della porta.
b) Scrivere la tabella di verit della porta.
6.10
6.12
6.~
I tre segnali mostrati nel Problema 6.5 sono posti in ingresso a tre inverti tori (porte
NOT), le uscite dei quali sono gli ingressi di una porta AND a logica positiva.
a) Tracciare la forma d'onda in uscita alla porta AND.
b) Quale funzione logica degli ingressi A, B e C viene realizzata?
[Y= ABC]
6\4
Ripetere il Problema 6.13 supponendo che le uscite degli inverti tori siano applicate
all'ingresso di una porta OR.
[Y=A + B + C]
6.15
La forma d'onda C del Problema 6.5 passa attraverso un invertitore, l'uscita del quale
applicata insieme con A e B a una porta AND a tre ingressi.
Ripetere il Problema 6.16 supponendo che le forme d'onda siano applicate a una porta
NAND.
6.18 Costruire porte NOT, OR e AND utilizzando solamente porte NAND a due ingressi.
Soluzione
Laporta OR si ottiene come
A
Y=A+B
La porta AND
A
Y=AB
La porta NOT
A~Y=A
64 Capitolo 6
6.21
Ripetere il Problema 6.20 per l'equazione booleana indicata nel Problema 6.19
parte c).
6.22
6.23
Uscita l
Ingresso 2
o
O
l
l
O
O
O
l
O
l
l
O
O
l
O
l
Uscita 2
Il circuito mostrato un invertitore in logica positiva che pilota N circuiti identici posti
in parallelo.
L'interruttore comandato ha RON= 100n, ROFF= 50 kn e Rin= 200 kn. Determinare
il fan-out. I livelli logici sono V(O)~ O5 ~ e V(I) ~ 3 V.
5V
R=5kO
+
Interruttore comandato
N stadi
identici in
parallelo
Vi
-i;
'...._ROFF
[22]
6.25
Nel circuito del Problema 6.24 si ha RON= 0.5 kQ, ROFF= 100 kn e i livelli logici
Vio---
Interruttore
comandato
6.27 La tensione di ingresso vi del circuito descritto nel Problema 6.26, da lungo tempo al
valore V(O),per t = Odiviene pari a V(l). Determinare l'espressione di tpHL'
6.28 I valori dei parametri del circuito descritto nel Problema 6.26 sono VDD= 5 V,
R = lO kQ, C = 50 pF, RON= 417 Q e ROFF= 40 kQ. Per t = O, Vipassa dal valore V(O)
a V(1)e ritornaa V(O)quando t = 0.2 /ls.
a) Determinare il ritardo di propagazione (medio).
b) Qual il valore istantaneo massimo della corrente che l'interruttore deve sopportare?
c) Quanto vale il minimo tempo di ciclo del circuito?
6.29 Supponiamoche l'interruttore descritto nel Problema 6.28 sia chiuso e aperto per
intervallidi tempo uguali.
a) Determinare la potenza media dissipata dal circuito in un ciclo.
b) Valutare il prodotto ritardo-consumo.
6.30 Nel circuito di Figura 6.20b del testo, sia per QI che per Q2 si ha k = 25 /lA/V2 e
Vr= 1.5V. I fattori di forma sono W/L = 5 per Ql e W/L = 1 per Q2. La tensione di
alimentazione VDD= 5V.
a) Tracciare la caratteristica di trasferimento della porta.
66 Capitolo 6
b)
Determinare
Soluzione
a) Il metodo utilizzato ri<:;alcaperfettamente quello descritto nel Paragrafo 6.5 e illustrato
in Figura 6.22 del testo. Si disegnino le caratteristiche di QI e Q2. La caratteristica della
resistenza di carico Q2 si ottiene ponendo VGS2= VDS2e poi si costruisce la curva di carico
sulle caratteristiche di Ql. Poich vi = VGSI e Va = VDSI' immediato ottenere la caratteristica
di trasferimento.
La tabella sotto stante indica approssimativamente i valori ottenuti.
Vi, V
3.5
3.5
3.5
0.9
0.6
0.5
004
004
1.0
1.5
2.5
3.5
4.5
3.4 V,
VOL= 0.75 V,
V/H = 2.7 V
V/L = 1.6 V
V/H
L'invertitore del Problema 6.30 soggetto a variazioni dei parametri durante la fabbricazione. Ripetere il Problema 6.30 supponendo che il valore di k vari di :t20%.
Valutare le variazioni nelle prestazioni.
Soluzione
Poich k varia contemporaneamente e della stessa entit per Ql e per Q2, varieranno solamente le correnti di drain. Se tracciassimo le caratteristiche in forma normalizzata, cio
tracciassimo IDN=Ir/(hV/L), la caratteristica della resistenza di carico e la curva di carico
resterebbero inalterat.
Pertanto, la caratteristica di trasferimento e i margini di rumore saranno essenzialmente quelli
gi calcolati nel Problema 6.30.
6.32
I transistori di Figura 6.20b del testo sono identici con Vr = 1.25 V. Per Ql si ha
kW/L = 100 JlA/V2, per Q2 kW/L = 50 JlA/V2. La tensione di alimentazione
VDD= 5V.
a) Tracciare la caratteristica di trasferimento.
b) Determinare i margini di rumore.
NML = 0.2 V]
6.34 Le tensioni di alimentazione in Figura 6.23a del testo sono VDD= 5V e VGG= 10V.
Ql e Q2 sono identici tra loro e hanno kW/L = l mA/V2 e Vr= 1.5 V.
Tracciare la caratteristica di trasferimento e determinare i margini di rumore.
6.37 Nel circuito di Figura 6.24a del testo, il transistore ad arricchimento ha kW/L =
a svuotamento
ha kW/L
= 20
J!A/V2 e
6.38 Nelcircuito in Figura 6.24a si ha QI con le caratteristiche descritte nel Problema 6.37
e VDD= 5 V. Per il transistore a svuotamento si ha kW/L = 25 J!A/V2 e una tensione
di soglia Vr che varia da -0.5 a -2.5 V.
Disegnarele curve dei margini di rumore come funzione della Vr di Q2 con passo di
0.5V.
.
6.39 Nel circuito in Figura 6.24a si ha QI con le caratteristiche descritte nel Problema 6.37
e VDD= 5 V.
Per il transistore
a svuotamento
si ha k
= lO J!A/V2 e Vr = -1.5 V.
Soluzione
Perrisolverel'esercizio seguiremo il metodo descrittto nell 'Esempio 6.5 e nel Paragrafo 6.6
deltesto.Per una transizione da VOLa VOHsi ha
68 Capitolo 6
Ctot
l
IAv= _
2 [(iD - iL)lvOL + (iD - iL) Iv]
L'ingresso, che pari a VGS1'ha subito una transizione da V(l) a V(O). Con VGSI=
V(O)= 0.3 V si ha iD = Osia quando VDSI= VOL'che quando VDSI= V'. La corrente di carico
carica la capacit Ctote si ha
iL
= 20!-lA quando
iL = 20!-lA
quando
VDS2 =
VDD
VDSl
VGS2= O
VGS2 = O
Di conseguenza otteniamo
l
IAv=
2 [(O -
t pLH-
20) + (O - 20)]
2 x 20 x 10-6
=-20
!-lA
26.5 ns
Nota: Come indicato nel Paragrafo 6.6 del testo, tpLH tpHL'Una ulteriore giustificazione
di questo risultato risiede nel fatto che nel transitono in salita la capacit viene caricata dalla
relativamente piccola corrente di carico, per cui richiede un tempo "significativamente
lungo". Invece, durante il transitorio in discesa, la corrente disponibile per la scarica della
capacit Ctot prevalentemente quella "elevata" del transistore pilota.
6.41
Calcolare il ritardo di propagazione medio del circuito descritto nel Problema 6.37.
[4.99ns]
6.42
[2.62 pJ]
6.43
6.44
Nella porta NOR in Figura 6.28a del testo, si consideri che entrambi i transistori pilota
abbiano applicata una tensione V(l) = 5 V e si ricordi che essi agiscono in parallelo.
I MOSFET utilizzati sono quelli descritti nel Problema 6.37 e VDD= 5 V. Determinare
la corrente di drain in ciascun transistore. Si suggerisce di disegnare prima la caratteristica composta dei transistori pilota in parallelo e poi di costruire la curva di carico.
6.45
a) Si considerino due invertitori NMOS isolati tra loro. L'ingresso di uno di essi
detto A e quello dell'altro B. Le due uscite sono poi collegate tra loro e il nodo
"
l'jl
Il
il
11
Il
I
I
:;11
I~
i'
~I
o
1.5
Vi
3.5
..
.
I
oY
111
'.
,I
"\
70
6.49
Capitolo 6
Se gli invertitori del Problema 6.45 fossero fabbricati in tecnologica CMOS, si potrebbe ancora collegarne insieme le uscite e ottenere la stessa relazione logica tra Y, A e
B? Argomentare la risposta.
6.50
Si consideri il circuito di Figura 6.30a del testo i cui MOSFET sono descritti nel
Paragrafo 6.8. La tensione di ingresso vi varia linearmente nel tempo e raggiunge 5 V
in 100 J.LS.
a) Disegnare l'andamento nel tempo della corrente nel circuito.
b) Qual la potenza media dissipata in ogni intervallo di 100 J.Ls?
[0.088
6.51
J.LW]
L'ingresso dell'invertitore CMOS in Figura 6.30a, descritto nel Paragrafo 6.8, mostrato in figura.
a) Determinare la potenza media dissipata in un ciclo.
b) Il risultato ottenuto in a) aumenta, diminuisce o rimane inalterato al diminuire
di T (aumentare della frequenza)?
Vi,
6.52
6.53
I
I
IJ
il
6.54
Disegnare il circuito CMOS che realizza la funzione logica ottenuta nel Problema 6.46.
Si consideri la porta di trasmissione mostrata in Figura 6.32 del testo con applicate le
tensioni di controllo V(O)= -5 V, V(1)= 5 Ve una sinusoide di 5 V di ampiezzadi
picco.
Si supponga la tensione di soglia VT= O.
a) Verificare che l'intera sinusoide presente in uscita se C = V(1).
b) Mostrare che la trasmissione attraverso la porta non avviene se C = V(O).
c) Ripetere le parti a) e b) ponendo VT= 2.5 V.
Indicare l'intervallo della tensione di ingresso per cui si ha la conduzione di Ql
e Q2.
d) Tracciare l'andamento della tensione di uscita supponendo l'ingresso sinusoidale di ampiezza pari a 7.5 V di picco e la tensione di controllo pari a V(l).
e) Ripetere la parte d) ponendo la tensione di controllo pari a V(O)e VT = 2.5 V.
L'invertitore a BJT in Figura 6.34a del testo stato progettato con RB = 12 kQ,
Re = 3 kQ e Vee = 6 V.
Le correnti inverse di saturazione sono trascurabili.
~F per
saturazionequando Vs = V(1) = 6 V.
b) Supponendoche l'uscita del transistore sia al valore V(1) per la met del tempo,
calcolare la potenza media dissipata.
a) [4.39]
b) [7.1 mW]
6.55 Per il transistore usato in Figura 6.34a del testo si ha 50::; ~F::; 150. La tensione di
alimentazionevale 5 V, V(O)= 0.3 V e V(l) = 4.8 V. L'impulso di corrente in uscita
deveessere di .lOmA.
a) DeterminareRHe Re affinch il transistore sia al limite della saturazione con il
valore minimo di ~F'
b) Supponendoche il transistore sia acceso per la met del tempo, determinare la
potenza media dissipata
~F =
150.
a) [20.5 kO;
0.48 ill]
b) [25.45 mW]
20 kf!
v,
a) [1.7V]
b) [27]
che il transistore
72 Capitolo 6
6.59
Il circuito mostrato in figura viene talvolta usato come invertitore in circuiti logici
6.58
~F = 25 e ~R = 0.5.
Si ponga inoltre
R2
(1.2k!"!)
+
v,
R3
(1.2 k!"!)
b) [I81 = 1 mA;
6.61
Un diodo Schottky viene collegato tra base e collettore nel circuito del Problema 6.56.
Tracciare la caratteristica di trasferimento per O ~ Vs~ 5 V e valutare i margini di
rumore.
NML = 0.4 V]
6.62
Il transistore del circuito mostrato nella figura di pagina seguente ha ~F = 50. Determinare Voe le correnti di base, collettore e nel diodo quando Vs= V(l) = 4 V.
[vo= 0.3 V;
!!!Il
RB
(18k!1)
v,
Vo
6.63 Determinare il fan-out del circuito nel Problema 6.62, dato V(O)= 0.3 V.
[N = 2]
6.64 a) Nel circuito mostrato in figura verificare che Y = (ABC).
b) Quanto vale il fan-out se PF = 25?
c) Qual la potenza media dissipata dalla porta nell 'ipotesi che Y = V(I) per il 50%
del tempo?
+5v
4k!1
2 k!1
4 k!1
A
y
c
lkf!
b) [N= 50]
c) [14.4 mW]
6.65 a) Per la porta NAND TTL di Figura 6.37 del testo, calcolare il valore PF(min)che
a) [2.820]
b) [0.957<PF <2.381]
6.66 a) Tracciare la caratteristica di trasferimento della porta NAND TTL di Figura 6.37, indicando accuratamente lo stato di ciascun transistore in tutti i tratti
della caratteristica. Si assuma PF = 25 e PR = 0.2 per tutti i transistori.
74 Capitolo 6
b) Determinare i margini di rumore.
c) Determinare il fan-out.
Soluzione
In assenza di carichi, con vi < 0.5 V, QI saturo e di conseguenza Q2 e Q3 sono interdetti.
Quando Vi = 0.5 V, si ha VBE2
= VCEI+ vi = 0.2 + 0.5 = 0.7 V, tensione che in grado di
accendere Q2, anche se non scorre ancora corrente in R3. Un aumento di Viporta a polarizzare
Ql in zona inversa (prima in saturazione inversa e poi in zona attiva inversa) e alla conduzione di Q2, la quale porta poi alla conduzione di Q3. Questo fatto produce una caduta su
Rc, per cui la tensione di uscita Vo= Y diminuisce. Ulteriori aumenti di Vi portano alla
saturazione di Q2 con Q3 in zona attiva diretta. Infine, Q3 satura e la tensione di uscita viene
limitata a VCE(sal)= 0.2 V.
0.2
'I
0.5
1.2
1.7
La porta NAND TTL mostrata in figura utilizza uno stadio totem-pole modificato. Si
supponga che gli ingressi siano forniti dalle uscite di porte identiche a questa e che
~F= 20 e ~R = 0.5.
a) Dato A = B = C = V(l), determinare le correnti che scorrono in ogni resistenza,
collettore e base; valutare inoltre i valori delle tensioni rispetto a massa di
ciascuna base e collettore. Si verifichi che Q5 lavora nella regione attiva.
b) Ripetere la parte a) nella situazione in cui almeno uno degli ingressi al valore
V(O). Si verifichi che Q5 lavora in saturazione.
c) Determinare i livelli logici.
d) Determinare il fan-out.
75
+5V
4 kO
1.4kO
"-.
1200
Q5
N
porte
identiche
B
C
2 kO
c) [V(O) = 0.2 V;
V(l) = 1.65 V]
d) [61]
6.68 a) Nel circuito mostrato nella figura a) si ha che Vs = V(l) = 5 V per un lungo
periodo di tempo. Per t = O, VS= V(O)= 0.2 V. Determinare il tempo di salita di
vo'
+5 v
+5 v
(a)
5 kO
0.5 kO
(b)
b) Per ridurre il tempo di salita visto in a), viene aggiunto, come indicato nella
figura b), un circuito attivo di pull-up ai capi della resistenza da 5 kQ. Spiegare
il funzionamento del circuito e la sua efficacia ai fini della riduzione del tempo
di sali ta.
c) Perch la semplice sostituzione della resistenza da 5 kn con una da 0.5 kQ
efficace per la riduzione del tempo di salita?
76 Capitolo 6
6.69
L'uscita della porta TTL di Figura 6.38 del testo viene involontariamente cortocircuitata a massa. Determinare la corrente di corto circuito dato 13F = 20 e che a) tutti gli
ingressi siano a livello V(l ); b) almeno un ingresso sia a livello V(O).
[O;
6.70
43.5 mA]
La porta TTL in figura ha gli ingressi collegati insieme e i transistori, tutti uguali tra
loro, caratterizzati da I3R= 0.5.
a) Determinare 13F(min)affinch la porta funzioni correttamente. Si supponga che
Q2 e Q3 saturino e Vs= V( l).
b) Ripetere la parte a), supponendo che Q2 non saturi.
+5v
130 f!
5 kf!
v,
v.
\.4 kf!
a) [2.47]
6.71
b) [2.10<I3F<2.41]
13F
= 25.
6.72
b) [20]
c) [NMH= 3.2 V;
NML = 0.3]
Soluzione
a) Si supponga il valore di 13F sufficientemente elevato in modo da trascurare sempre Il
correnti di base. Si ha che VR= VB4 - VBE4e VBE4pu essere valutato come equivalente d
Thvenin della rete di base di Q4 come mostrato. Assumeremo VBE= 0.75 V per i dispositivi
di piccola dimensione utilizzati nella ECL.
,r
2VD~.
,--
907f1
i498J
,,
I
,
i
1-- - --~E~=":::::_I
v -
907
907
TI,- 907+ 4980 (-VEE+ 2VD) = 5887(-5.2+
1.5)=-0.57
-11 =
Poich IC2 =
779
1/11,
VE2
= -0.984
- (-2.07)
= 1.086
V > 0.3 V
= -VBE6
+ VC2 =
Essendo Ql e Q3 interdetti, Voi = -VBE5 = -0.75 V = V(1). Se invece QI (e/o Q3) conduce e
VBI= -0.75 V, si ha che Q2 interdetto e
IIEd
VBEI
+ VEE)/RE
= -VBE6 = -0.75 V
78 Capitolo 6
Quando !VBI - VRI > 4 VT>il circuito si comporta nella maniera appena descritta, quando
invece si ha
IVBI -
lineare. La caratteristica
di
-1.42
-1.22
"j.V
NOR
OR
OR
-~
NOR
-0.75
-].734
Soluzione
a) Utilizzando i risultati ottenuti nella risoluzione del Problema 6.72, si nota che VoIcostituisce l'uscita NOR.
La caratteristica di txasferimento invertita rispetto a quella gi calcolata nel Problema 6.72
ed stata riportata nella figura sopra. Quando Vi> -0.75 V, un aumento di Vj stessa potr
portare alla saturazione di Q1. Ponendo VCE(sal)
= 0.2 V, si ha
ICI
VEI = IIEIIRE-
VEE
=5
-0.5
I
I
I
I
VO.
V
Soluzione
Poich
Vo2
= -VBE6 -
quelli
u=-
A
e
l+e.x
-1
Quindi
(l + e.x)2= l + 2f.x + f.2x = +Ae.xoppure
e2x + eX(2
A) + l
=O
A-2
y=~[l:bJl-
A)y + l
=O
4/(A - 2)2]
Detti YI e Y2i due valori cos ottenuti, da questi si ottengono XI = InYI e X2 = InY2' Siccome
x= viVT=
= VR
+ VTlnY2'Questi valori corrispondono a V/Le V/Il (uno dei due valori YI o Y2 minore di l,
cos che il suo logaritmo minore di O). Sostituendo i valori trovati nell'espressione di Vo2
si ottengono i valori di VOlie VaL' dai quali si risale poi al valore dei margini di rumore.
6.75 a) Determinare V(O) e V(l) per la porta ECL elementare di Figura 6.47 del testo,
considerando anche le correnti di base. Si supponga ~F = 50.
b) Quanto valgono i margini di rumore?
6.76
Dimostrare che, quando Q2 conduce, IC2 nella Figura 6.45a del testo maggiore di
ICI (con Ql in conduzione).
6.77
80
Capitolo 6
--L-
Q3
VR
V02
RI
e
R2
VOI
I
..
!!!!!
7
Circuiti digitali combinatori
7.1 a) Indicare come realizzare Sn dell'Equazione (7.1) del testo con porte AND, OR
e NOT.
--
che An
l'Equazione
(7.4)
Cn= BnCn-l + Cn-l An + AnBn
che esprime C dimostrare che
C=BC+CA+AB
b) ValutareD = (A + B + C) C e dimostrare che Sn nell'Equazione (7.1)
Sn=AnBnCn-l + AliBn Cn-l +AnBn CII-l + AnBn Cn-I
data da
Soluzione
--a) C =BC + CA + AB
- - =
= (B q(
- -
(B+ ex C + AXA + B)
--
--
--
C=BCA+BA+CA+
PoichX + x= X, si ha
--
= (B C + B A
NotandocheXX = X otteniamo
- ---
--
--
--
--
--
--
CA+BC+BA+BC+
.
+ C C + C A)(A + B)
--CAB
82 Capitolo 7
--
--
--
--
--
--
--
--
c =B A( C + l) + C A + B C = B A + C A + B C = B C + C A + A B
---b) D = (A + B + C) C = (A + B + C) (B C + C A + A B)
Siccome XX = O,allora
D=ABC+BCA+CAB
Dall'Equazione (7.1)
Sn = A li C + A B C + A B C + ABC = D + ABC
7.4
Ingressi
di controllo
L
A a .
o---
Ma
-..o
O
l
l
O
l
O
l
I Uscita
1---;
A
A
l
O
83
7.7
7.8
Soluzione
I collegamenti utilizzati nella figura possono essere spiegati nel modo seguente: si prendono
e si confrontano tra loro i primi quattro bit (LSB) di A e B nel circuito le gli ultimi quattro
bit (MSB) di A e B nel circuito 2. Nello schema riportato nella Figura 7.13 del testo sono
descritti i collegamenti interni di ogni circuito, con riferimento ai segnali C' ed E' (il segnale
D' e la circuitistica ad esso associata non sono mostrati).
I I I I
D'o
E'2
I
I I I I
E,=.
2
I
Se
A
= B -?
= 1 -?
dove
EL = EoE.E2E3
E~4EsE6E7 = 1
A4
EoE.E2E3E4EsE6E7=1
D',
""=
C' l
..
84 Capitolo 7
+ E3E2E(AOBo)
+ E3A2B2 + E3E2A.B(
7.9
Si consideri un comparatore che ha in ingresso due parole da n bit e ali 'uscita i segnali
E, C e D di Figura 7.13, in cui per non sono disponibili i terminali di ingresso E, C
e IY. Quali elementi logici aggiunti vi sono necessari per effettuare il confronto di due
numeri da 2n bit utilizzando due di tali comparatori a n bit?
7.10
7.11
7.12
7.13
7.14
- -~
+"
PI
Parit
diA2
P2
Parit
diAI eA2
dispari
dispari
pari
pari
1
1
O
O
dispari
pari
pari
dispari
1
O
1
O
pari
dispari
pari
dispari
c) La soluzione identica a quella proposta nella parte a) dell' esercizio, eccetto il fatto che
sei degli ingressi devono essere posti a massa.
7.15
Soluzione
La linea di uscita numero 25 corrisponde a un indirizzo EDCBA = 1100 l, dove i due bit meno
significativi vanno a N2, mentre i tre bit pi significativi vanno a NI. Supponendo di avere
disponibili due elementi N2 per chip (demultiplexer da l a 4 linee ), il numero totale dei circuiti
integrati richiesti l + 8/2 = 5.
---
86 Capitolo 7
EDC =000
~
B
001
o
I
2
3
N2=4
4
5
6
7
r-::~
B.A
sq~
24
25
26
27
B
A
28
29
30
31
N2
111
~,
";z."
~
B
Soluzione
8 xl6 chip
00000oo
a)
N3 8
O
0000
8 uscite
.Tb
.
C B A
7
I chip
L-
0000111
o
8 uscite
,;)J
C B A
15
1111000
,
J I HG
...
I}
I
obb
C B A
I
1111111
8 uscite
'--"
N3
8 uscite
1=
87
} 4 uscite
I chip
O
J666
J/HG
o
B
o
A
15
b) [60]
7.19
7.20
Progettare un sistema che utilizza due chip selettori dati da 16 a l linea per ottenere
un selettore di l dato fra 32. Spiegare il modo di funzionamento del sistema. Come
suggerimento si consideri che l'ingress~ di abilitazione S2 di un elemento pari al
complemento dell'ingresso SI dell'altro e che le uscite Y1 e Y2 dei due circuiti sono
gli ingressi di una porta OR che genera l'uscita Y del sistema.
Soluzione
Uscita
y
A
B
C
D
E
Abilitazione
y.
Y2
Selettore
dati I
Selettore
dati 2
88
Capitolo 7
Gli ingressi E, D, C, B e A formano il codice a 5 bit. Quando E = Osi ottiene la parola ODBCA,
cio un numero compreso tra Oe 15. Quando invece E = 1 si ottiene la parola lDBCA, cio
un numero compreso tra 16 e 31. Quando
E = O,
e quindi Y= O+ J0 =J0.
Quandoinvece
E=l,
SI=1
e quindi Y=J0 + O=J0.
7.21
7.22
(O 5,j 5, 15)
SI = O e YI = J0,
eY1=0,
S2=0
(16~j~31)
eY2=J0
a)
64 a l, utilizzando
lo stesso tipo di
[9]
7.23
Soluzione
N3=16
a)
N3.0
16:l
Lo
N2=8
Loo-
XIS
X'8
..
N3.1
X"8
-<>L
16: I
X"
16:1
:"
j.-
G F
Primostadio -.j
4: l
J3
I H
;:
D C B A
di 32 elementi
NI
XSII
x'0
DCBA
"
j.-
Secondo
stadio-.j
di 4 elementi
XS=D;
7.27 Progettare un codificatore a matrice di diodi che soddisfi la seguente tabella di verit.
Uscite
Ingressi
H/3
W2
Wl
Wo
Y3
Y2
YI
Yo
O
O
O
1
O
O
l
O
O
l
O
O
l
O
O
O
O
l
l
O
l
l
1
O
l
O
O
1
1
O
1
O
7.28 a) Progettare un codificatore con transistori multiemettitore che soddisfi la seguente tabella di verit.
b) Quanti transistori sono necessari e quanti emetti tori ci sono in ciascun transistore?
90 Capitolo 7
Uscite
Ingressi
[3;
7.29
W2
Wl
Wo
Y4
Y3
Y2
Y[
Yo
O
O
l
O
l
O
l
O
O
l
l
O
O
l
l
l
l
O
l
O
l
O
O
l
Qo=2;
QI =2;
Q2 = 3]
. >
A
Il
B
B
c
C
Ys
Ya
Soluzione
A
Il
B
jj
c
E
Y3 = W9 + Wg
b)
Soluzione
a) Dalla Tabella 7.3, facendo uso delle propriet illustrate nella Tabella 6.3, si ottiene
Y3 = WgW9 + W9 = Wg+ W9
b) Dalla Tabella 7.3 si ottiene
Y2 = W4WSW6W7WgW9+ WSW6W7WgW9+ W6W7W8W9+ W7WgW9
= WgW9
(W4WSW6W7
Utilizzando l'Equazione
+ WSW6W7
+ W6W7 + W7)
(6.18) AB + B = A + B, con B = W7 e
otteniamo
Y2 = WgW9 (W4WSW6
+ WSW6 + W6 + W7)
92 Capitolo 7
7.31
Per il codificatore con priorit da lO linee decimali a 4 linee BCD si verifichi che:
Yo= W9+ Wg(W7+ W6Ws+ W6W4W3+ W6W4W2W\)
Soluzione
Dalla Tabella 7.3 si ottiene
----
--------
------
~=~+~~~+~~~~~+~~~~~~~+~~~~~~~~~
Utilizzando l'Equazione (6.18) AB + B = A + B, con B = W9
-----
---
-------
------
---
-----
---
7.32
7.33
7.34
Uscite
Ingressi
XI
Xo
Y3
Y2
YI
Yo
O
O
l
l
O
l
O
l
l
O
O
l
O
l
l
l
l
O
l
O
l
l
l
O
7.36
c) [64;
64]
Si consideri una ROM 1024 x 8 bit con indirizzamento bidimensionale realizzato con
selettori da 8 a I linea.
a) Quanti bit sono necessari per indirizzare la ROM?
b) Quanti bit sono necessari per l'indirizzo X?
c) Quante porte NAND sono richieste?
d) Specificare il numero dei transistori nella matrice di memoria e quanti emetti tori
deve avere ciascun transistore.
a) [lO]
b) [7]
c) [200]
d) [128;
64]
7.37 a) Scrivere l'espressione di Yoe Y2nel convertitore da codice binario a codice Gray.
b) Indicare come realizzare la funzione Yo utilizzando dei diodi.
7.38
7.39
= D C A + CBA + BA
--
94 Capitolo 7
--
=D C BA + CB A + DCB
7.41
Si consideri una ROM da 4 kbit con uscita espressa su 4 bit. Se il codificatorf; della
memoria ha forma quadrata, quanti bit sono necessari per
a) L'indirizzo X?
b) L'indirizzo Y?
c) Disegnare lo schema a blocchi del sistema.
a) [6]
7.42
b) [4]
Si consideri una ROM da 8 kbit con uscita espressa su 8 bit. Se la matrice di memoria
ha 128 righe, quanti bitsono necessari per
a) l'indirizzo X?
b) L'indirizzo Y?
c) Ripetere le parti a) e b) supponendo che la matrice di memoria abbia 64 righe.
d) Quante parole contiene questa ROM e quanti sono i bit necessari per indirizzarla? Verificare la risposta fornita confrontando la con la somma dei bit
degli indirizzi X e Y per ciascuno dei due casi gi considerati in questo
problema.
a) [7]
b) [3]
c) [6; 4]
d) [1024;
lO]
7.43
Sono disponibili due ROM da 16 kbit organizzate come 2048 x 8. Mostrare come
collegarle per ottenere a) una ROM da 32 kbit (2048 x 16) e b) una ROM da 32 kbit
(4096 x 8).
7.44
Indicare con uno schema a blocchi come collegare trentadue ROM da 16 kbit (2048
x 8) per ottenere una ROM equivalente con 16 linee di indirizzo e 8 bit di uscita.
7.45
a) Una ROM 32 x 8 deve essere convertita in una ROM 64 x 4. Le otto uscite sono
0 ... 7 e gli indirizzi sono Ao ... A4' Si aggiunga un ulteriore bit di indirizzo
X = As che controlli delle porte AND-OR, in modo che, quando X = l, si abbia
in uscita 0 ... 3 e, quando X= O, si abbia 4 ... 7'
b) Illustrare come trasformare due chip ROM 32 x 8 in una ROM 128 x 4.
,Iil
95
I
I
I
I
Il
I
I
I I
8
Circuiti e sistemi sequenziali
8.1
a) Verificare che impossibile che le uscite del circuito in Figura 8.1 siano entrambe nello stesso stato.
b) Verificare che nel circuito di Figura 8.1 la condizione B l = B2 = Onon consentita.
Soluzione
a) Nella Figura 8.la si assuma Q = Q = l. Allora, a causa della reazione, si avr A) = A2 = I
e di conseguenza Q = Q = O,contraddicendo l'ipotesi iniziale. Allo stesso modo, dall'ipotesi
Q = Q = Oconsegue che A l = A2 = Oe quindi Q = Q = l. Ne concludiamo quindi che entrambe le uscite Q e Q non possono essere nelle stesso stato.
b) Se nella Figura 8.1b assumiamoBl = B2 = O,allora le uscite di N1e N2(Q e Q) varranno
l indipendentemente dal valore assunto in precedenza da Q e Q. Essendo la condizione Q = Q
non consistente con la definizione di latch, si conclude che l'ingresso Bl = B2 = Onon
consentito.
.
8.2
Si consideri l'interruttore senza rimbalzi di Figura 8.2. Nell'istante tI' > t6 il tasto
viene rilasciato e il contatto si sposta da 1 a 2. Raggiunge la posizione 2 nell'istante
t2' e quindi rimbalza tre volte. Indicare le forme d'ondaB2, BI e Q e spiegare come si
ottenuto il risultato.
Soluzione
Con il tasto in Figura 8.2a nella posizione l, le uscite valgono Q = l e Q = O,come spiegato
nel testo. Appena il tasto premuto, B l sale a 5 V, come mostrato. B2 va a OV nell 'istante
t2' (essendo t2' - ti' l'intervallo di tempo necessario alla commutazione) e quindi la tensione
in B2 sale e scende seguendo i rimbalzi del contatto.
98 Capitolo 8
B,
B2 l
O.
/'2
/'3
~a)
DI(=
NS
NI~
N2
N6
N4~
R
Soluzione
a) Se G = O, le uscite di N3 e N4 sono O. Cos N5 e N6 non dipendono da D. Perci Q
mantiene il suo valore indipendentemente dai cambiamenti di D. Sia ora G = l. Se D = 1,
allora S = 1, R = O,P l = l e P2= O.Poich P l = l, deve essere Q = O.Cos ingresso e uscita
di N2 sono entrambi nulli e poich entrambi gli ingressi di N6 sono nulli si avr Q = l. Allo
stesso modo, se D = Oallora Q = O.
b) L'abilitazione G e gli invertitori a sinistra di Se R sono gli stessi in entrambi i circuiti.
\
\
~Q
Positivo AND
:~::
8.4
Le porte NOR di Figura 8.4 sono realizzate con tecnologia NMOS. I transistori ad
arricchimento hanno kW/L = 400 ~AN2 e Vr = l V; il carico a svuotamento ha
kW/L = 100 ~AN2. Per VDD= 5 V, determinare i livelli di uscita del circuito bistabile.
[0.1 V e 5 V]
8.5
Le porte NAND di Figura 8.1 sono realizzate con tecnologia TTL con Vcc = 5 V. Le
porte TTL hanno V(I) = 2.7 V, V(O)= 0.3 Ve NMH = NML = 0.2 V.
Assumendo che le porte NAND abbiano una caratteristica di trasferimento simile a
quella data in Figura 8.5a, determinare i livelli di uscita dellatch e il livello minimo
di un segnale di trigger necessario a far commutare gli stati.
100 Capitolo 8
Soluzione
La caratteristica di trasferimento di una porta data in modo approssimato nella Figura a.
Rena
v.. V
2.7
VO' V~
VOH2.7
I
I
I
I
I
I
I
VOL0.31-_.JI- - ---'
o
0.5
VIL
V.= Vi
Pendenzaunitaria
"""" I .
...
Figura a)
Figura b)
1.5
2.5
V/H
1.5
2.7
Poich NMH = VOH- V/H = 0.2 V, si ha V/H = 2.7 - 0.2 = 2'.5 V. Allo stesso modo
V/L = 0.2 V, d V/L= 0.2 + 0.3 = 0.5 V. La caratteristica di trasferimento della
serie delle due porte mostrata in Figura b, dove pure tracciata la retta Vo= Vi, Le uscite
saranno allora 0.3 Ve 2.7 V.
La costruzione grafica delle tangenti alla caratteristica di trasferimento con pendenza unitaria
identifica i punti P1 e P2.
I corrispondenti valori di Viin ciascun punto possono essere stimati in Vi = 2.3 V e Vi = 0.6 V.
I livelli di un segnale di trigger necessari a innescare la transizione saranno quindi
0.6 - 0.3 = 0.3 V e 2.7 - 2.3 = 0.4 V.
NML = VOL -
8.6
Le porte NOR di Figura 8.4'sono realizzate con tecnologia CMOS. I transistori NMOS
hanno kW/L = 200 jJ.A/V2e VT = 2 V, mentre i PMOS hanno kW/L = 200 jJ.A/V2e
VT= 2V. Supponendo VDD= 5 V, determinare a) i livelli di uscita dellatch e b) il
valore minimo del segnale di ingresso necessario per provocare il cambiamento di
stato dell'uscita.
a) [OV e 5 V]
8.7
8.8
b) [2.4 V]
Qn
Qn+1
Jn
Kn
O
O
1
1
O
1
O
1
O
1
X
X
X
X
1
O
101
8.9
Verificare che la tabella di verit del FF-JK soddisfatta dall' equazione alla differenza
Qn +
= JnQn + KnQn'
8.11 a) Verificare che non vi alcuna condizione di corsa critica nel circuito JK di
Figura 8.12 tranne che per la condizione J = K = l.
b) Spiegare perch se si fa in modo che sia tp < M < T non vi alcuna condizione
di corsa critica (neanche per J = K = l).
102 Capitolo 8
Essendo Q = O, dalle condizioni di corretto funzionamento del FLIP-FLOP deduciamo che
durante l'intervallo precedente in cui Ck = Odoveva essere QM= O.Quindi nell'istante in cui
Ck saliva a 1 si aveva QM= O.Essendo QM= O,all'uscita di N4 si deve avere QM= 1. Poich
J = O, all 'uscita di Nl sar pure X = 1. Poich poi QM= 1, l'uscita di N3 si conferma essere
QM= O.Si ha cos QM= Oe QAL=1 e tale stato stabile.
b) Sia ora J = 1; dal fatto che Q = Ck = 1, discende X = O.Questo sufficiente a far commutare l'uscita di N3, per cui si avr QM= l. Siccome Q = O, anche Y= 1 e perci all'uscita
di N4 si avr QM = Oe il circuito rimane stabile. Cos ora si ha QM= 1 e QM= O.
c) Se ora si pone J = O,si ha nuovamente X = 1, mentre rimane Y= 1 come al punto b). Ma
essendo dal punto b) QM = O si ha che all 'uscita di N3 QM = 1 e a quella di N4 viene
confermato QM= O.Si ha cio lo stesso stato trovato al punto b).
8.13
Ck
J
8.14
Soluzione
a)
Ck
Ck
R
Si consideri Ja
r tabella di verit del FF-SR in Figura 8.1Ob. Poich S e R possono assumere
i
i
Ll
(FF-1).
8.15 data la tabella di verit di un FF-AB. Mostrare come costruire questo FLIP-FLOP
facendo uso di FF-JK e della logica addizionale necessaria.
An
B"
O
l
O
l
O
O
l
l
Qn+1
Qn
Q"
l
O
QJ
DJ
D2
DI
Do
QJ
Q2
Q2
QI
Q.
Qo
Qo
r
Yo
104 Capitolo 8
8.17
PI del chip di ordine inferiore. Dimostrare che questo sistema funziona come un
registro a codifica di priorit a 8 bit.
Per il registro a scorrimento di Figura 8.17 verificare le modalit operative indicate in
Tabella 8.4 per a) la seconda riga, b) la terza riga, c) la quarta riga.
Soluzione
a) So =SI = l: Si noti immediatamente che le porte AND per gli ingressi seriali di scorrimento a destra (e a sinistra) sono inibite, mentre quelle relative agli ingressi paralleli A, B,
C e D sono abilitate. chiaro che della tripletta di porte AND che pilota ciascuna NOR (le
cui uscite coincidono con i terminali R), soltanto quella relativa agli ingressi paralleli
abilitata, come appare dalla Figura 8.17. Cos quando So = SI = l entrano nel registro i dati
degli ingressi paralleli.
b) So= l, SI = O: Si osservi ora che in ciascuna tripletta abilitata solamente la porta AND
di sinistra. Quindi i dati entrano dall 'ingresso seriale per scorrimento a destra nel FLIP-FLOP
pi a sinistra.
Si osservi che l'uscita QAdi quest'ultimo inviata (attraverso la porta AND di sinistra della
seconda tripletta) alla porta NOR che, complementata, la invia al terminale R del secondo
FLIP-FLOP. Questo equivale a porre S = QA.
La stessa cosa avviene per i rimanenti FLIP-FLOP. Questa configurazione assolutamente
equivalente a quella presentata nel testo in Figura 8.16. Questo conferma che si ottenuto
uno scorrimento seriale verso destra.
c) Le argomentazioni relative a questo punto sono del tutto simili a quelle presentate in b),
essendo i due casi immagini speculari l'uno dell'altro.
8.18
8.19
Q3
= Q2 = Q, = Qo= o.
'\
11
o
,,
:, l
,
I
I
:,
Q2 ....Q
I
I
I
I
I
I
,
,
,
,
,
I
I
,
I
Ql ....Q
I
I
I
Qo
Impulso
b)
,
,
,
,, I
,
,
,
,
,
,
I
I
23456
9 lO II 12
e (c)
So Ro SI R, S2 R2 S3 R3 S4 R4 Qo QI Q2 Q3 Q4 Decodificato
da
Prima dell'impulso l
Dopo l'impulso l
Dopo l'impulso 2
Dopo l'impulso 3
Dopo l'impulso 4
Dopo l'impulso 5
Dopo l'impulso 6
Dopo l'impulso 7
Dopo l'impulso 8
Dopo l'impulso 9
Dopo l'impulso lO
O
O
O
O
l
l
l
l
l
O
O
l
l
l
l
O
O
O
O
O
l
l
O
O
O
l
l
l
l
l
O
O
O
l
l
l
O
O
O
O
O
l
l
l
O
O
l
l
l
l
l
O
O
O
O
l O
l l
O l
O l
O l
O l
O O
l O
l O
l O
l O
l
O
O
O
O
O
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
O
O
O
O
O
l
O
O
O
O
O
l
l
l
l
l
O
O
O
O
O
O
l
l
l
l
l
O
O O O
O O O
O O l
O l l
l l l
l l l
l l l
l l O
l O O
O O O
O O O
O
l
l
l
l
l
O
O
O
O
O
Q4Q3
Q3Q2
Q2QI
QIQO
QOQ4
4Q3
fbQ2
Q2QI
IO
QOQ4
8.20
a) Per il contatore ad anello modificato mostrato in figura, si assuma che inizialmente Q2 = l, Q! = Oe Qo= o. Disegnare una tabella con i valori che assumono
Qo, Q!, Q2' J2 e K2 dopo ogni impulso. Quanti impulsi sono necessari prima che
il sistema inizi a funzionare come un divisore per N? Quanto vale N?
b) Ripetere il quesito a) per i valori iniziali Qo = O, QI = l e Q2 = o.
106 Capitolo 8
J2
Q2
--
JI
QI
Qo
Ck
Ck
K2
Jo
Q2
--C
Ck
KI
QI
Ko
Qo
Clock
a) [0,5]
8.21
8.22
8.23
b) [1,5]
b) [2]
8.24
Disegnare lo schema a blocchi di un sistema contatore che possa essere usato per
generare segnali con periodo da un decimo di secondo a un ora, con incrementi di un
decimo di secondo.
disponibile un segnale di clock con frequenza di 1.8 MHz.
Soluzione
Il contatore che pu essere usato a questo scopo un semplice orologio digitale. Un segnale
con periodo di 0.1 s corrisponde a una frequenza di 10Hz. Quindi possibile dividere per
60 il clock assegnato per ottenere una frequenza di 1800/60 = 30 kHz e ancora per 60, per
ottenereuna frequenza di 500 Hz. La divisione per 50 (ovvero per 25 e poi per 2) d il segnale
richiesto con periodo di 0.1 s; ulteriori divisioni per lO, 60 e ancora 60 danno i segnali per i
secondi, i minuti e le ore. La figura seguente mostra lo schema a blocchi di tale sistema.
0.1 s
1.8MHz
+60
+60
+25
+2
(lO Hz)
Ore
+<50
+60
Minuti
+10
Secondi
Qo
Q2
QI
Q21-
Jo
Clocko--- Ck
Ko
Q3
FO
Qo1-F'
Q"
Ck
KI
F1
Q, 1Q,
Ck
FF2
K2
l,
Q2
Ck
r-
K3
Q3
FF3
Q3
108
Capitolo 8
Soluzione
a)
Q3 Q2 Q( Qo
Prima
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
Dopo
dell'impulso l
l'impulso l
l'impulso 2
l'impulso 3
l'impulso 4
l'impulso 5
l'impulso 6
l'impulso 7
l'impulso 8
l'impulso 9
l'impulso lO
O
O
O
O
O
O
O
O
l
l
O
O
O
O
O
l
l
l
l
O
O
O
O
O
l
l
O
O
l
l
O
O
O
O
l
O
l
O
l
O
l
O
l
O
Si noti che quando viene applicato il decimo impulso, FF l viene disabilitato, in quanto
J( = Q3 = o. Il sistema si dimostra cos un contatore IO:1.
b) Per ottenere un contatore 5: l sufficiente applicare all'ingresso Ck di FFI il segnale di
clock esterno al posto dell'uscita Qo di FFO.
8.27
Modificare nel modo seguente lo schema logico del Problema 8.26. Togliere il clock
dall 'ingresso di FFO e applicare l'uscita Q3 a questo ingresso. Non cambiare alcuna
altra connessione. Scrivere la tabella di verit per Qo, Q], Q2 e Q3 (iniziando dallo
stato 0000) dopo ogni impulso di clock. Verificare che questo sistema un divisore
per lO. Questo circuito detto contatore biquinario perch presenta per Qo una forma d'onda simmetrica. La tabella di verit ottenuta dovrebbe dimostrare quanto affermato.
8.28
a) Per lo schema a blocchi mostrato, scrivere la tabella di verit per Qo, Ql' Q2 e
Q3 (iniziando dallo stato 0000) dopo ogni impulso di clock. Verificare che
questo un contatore 12: 1.
b) Come possibile usare questo sistema per ottenere un divisore di frequenza 6: l?
Qo
QI
Il
I
Q2 I
h
Ko
Fro1t=m--LFF2mJ
Qo
KI = I
QI
K2
ili
=I
Q2
-,
Q3
ili
K3
Q3
109
Soluzione
a)
Q3 Q2 QI Qo
O
O
O
O
O
O
l
l
l
l
l
l
O
Prima dell'impulso l
Dopo l'impulso l
Dopo l'impulso 2
Dopo l'impulso 3
Dopo l'impulso 4
Dopo l'impulso 5
Dopo l'impulso 6
Dopo l'impulso 7
Dopo l'impulso 8
Dopo l'impulso 9
Dopo l'impulso lO
Dopo l'impulso Il
Dopo l'impulso 12
O
O
O
O
l
l
O
O
O
O
l
l
O
O
O
l
l
O
O
O
O
l
l
O
O
O
O
l
O
l
O
l
O
l
O
l
O
l
O
8.29 a) Il circuito mostrato un divisore di frequenza asincrono programmabile. Inizialmente Ck = Oe il contatore azzerato ponendo temporaneamente Cr = O. Quindi
si suppone J = K = Cr = l e che tra Pie p 2 sia presente illatch di Figura 8.21 b.
Se Pro = Prl = O e Pr2 = Pr3 = 1 e se si applica un impulso da una sorgente
esterna (non mostrata) all'ingresso di abilitazione al preset, che valore caricato
in ciascun FLIP-FLOP? Spiegare accuratamente il funzionamento del sistema.
b) Perch necessario l'uso dellatch?
c) Generalizzare come segue il risultato ottenuto in a). Il contatore ha Il stadi e deve
dividere per N, dove 2n > N> 2n - I. A quale valore devono essere programmati
gli ingressi di preset?
I,.i
Pr,
di Preser--
Pr2
J
Ck
Abilitazione
al Preset
rf
r1
Clocko---
Pr3
Pr
Pr
Pr
Pi
QOLJ
FFO
Cr
FFIQ'LJ
Ck
Q2LJ
FF2
Ck
K
Cr
Q2l
Q3FF3
Ck
K
Cr
Q'l
r1
P2
p.
Cr
Q3L
110 Capitolo 8
Soluzione
a) Inizialmente si ha Qo = Q] = O e Qz = Q3 = 1, quindi il contatore precaricato con il
valore 12. Dopo 4 impulsi il conteggio a 16 e perci tutti i Q sono O.Contemporaneamente
tutti i Q sono 1 e vale 1 anche l'abilitazione al presct. Quindi le porte NAND di preset
programmate a l sono attive. In questa situazione FF2 e FF3 sperimentano Pr = Oe cos il
valore 12 caricato nuovamente nel contatore prima dell'impulso successivo. Il ciclo si ripete
e pertanto si ha un contatore 4: 1.
b) Se un FLIP-FLOP presenta un ritardo di propagazione del preset molto minore di quello
degli altri, cambier rapidamente il suo stato, la porta AND andr a Oe fermer l'operazione
di preset. Per evitare ci necessario un latch che mantenga abilitato il preset sino al
successivo fronte in salita del clock, assicurando che tutti i FLIP-FLOP assumano il valore
programmato dopo il conteggio di N.
c) Basta programmare Pro, Pr" Prz e Pr3 in modo che rappresentino il complemento a 2 di
N, ovvero 2" - N.
8.30
Disegnare lo schema logico di un contatore sincrono up-down a 5 bit con riporto seriale.
8.31
Qo
8.32
Per il contatore sincrono di cui mostrato lo schema logico, scrivere la tabella di verit
di Qo, Q, e Qz e verificare che si tratta di un contatore modulo 5.
Qo
QI
Ck
K
QJ-
FFO-
Qrt=J
Ck
K
FFI
Q
Q2
n=
Ck
K
Q
FF2
Q
Pu'ses o
8.33
Si consideri un contatore sincrono a due stadi (entrambi gli stadi ricevono impulsi
clall'ingresso Ck). In ciascun contatore K = l. Dati Jo = Q, e J( = Qo, disegnare il
111
circuito. Dalla tabella di verit di Qo e Q, dopo ciascun impulso, dedurre che si tratta
di un contatore modulo 3.
8.34 Prendendo spunto dalla Figura 8.19, disegnare le forme d'onda presenti in un contatore modulo 6 e dedurne i collegamenti necessari per realizzare un contatore sincrono.
Disegnarne lo schema a blocchi.
9
Sistemi a larghissima scala
di integrazione
9.1
Soluzione
a) Se uno dei due ingressi VI o V4 a OV (Ologico), o se lo sono entrambi, almeno uno dei
due transistori Ql e Q4 interdetto. Quindi, quando <1>
= lO V, Q2 e Q3 conducono e C si
carica a lO V. Si ha cos Va= lO V (l logico).
114 Capitolo 9
sono riassunti nella tabella seguente, da cui si verifica che il comportamento del circuito
quello di una NAND.
VI
V2
Va
O
l
O
l
l
O
O
l
l
l
l
O
b) Durante l'intervallo in cui <I>= OV, l'alimentazione non collegata al circuito e pertanto
non viene dissipata potenza anche nel caso VI = V4= lO V. Pertanto questo circuito dissipa
una potenza minore di quello di Figura 6.29a.
9.2
Modificare il circuito di Figura 9.1 del testo aggiungendo un altro FET Q4 in parallelo
a Ql. Ripetere il Problema 9.1 (sostituendo nel testo la parola NAND con NOR e
sostituendo la Figura 6.29a del testo con la Figura 6.28a del testo.
9.3
a) Si consideri lo stadio di registro a scorrimento di Figura 9.2 del testo con carichi
non dinamici; cio i gate di Q2 e Q5 siano mantenuti a VDDinvece di essere
eccitati dalla forma d'onda del clock. Spiegare il funzionamento del circuito.
b) Mostrare che questa cella dissipa una potenza maggiore di quella con il carico
dinamico collegato al clock di Figura 9.2 del testo.
9.4
VDD
VDD
<>2
1.QS.ov.
C3
rimangono
scarichi.
= o.
VDD e <1>2
115
<1>1=<1>2=0.
9.5
+
t=t
t.Q la carica che lascia CI per andare verso C2. Pertanto la caduta di tensione ai capi
di CI vale t.Q/CI e quella ai capi di C2 t.Q/C2, quindi
t.Q
V= VI--=
t.Q
V2+-
CI
C2
C1C2
t.Q = Cl + C2 = VI - V2
e
9.6
V = VI -
C2
CI + C2
da cui
(VI - V2)=
CI VI + C2V2
CI + C2
a) Si consideri l'invertitore a due fasi NMOS mostrato che usa le forme d'onda di
clock di Figura 9.5b del testo. Spiegare il funzionamento del circuito conside-
116 Capitolo 9
durante <I>l)'
Soluzione
a) Nell'intervallo t)-t2 si ha <1= VDD(I logico) e <1>2= OV (Ologico). Perci Q2 interdetto e QI conduce, caricando C a VDD.
Tra t2 e t3 si ha <1>1
= <1>2=
O,cos QI e Q2 sono interdetti e C si mantiene alla tensione VDD.
Tra t3 e t4 si ha <1>1
= Oe <1>2
= VDD,cos QI interdetto e Q2 conduce. Se Vi= O,allora Q3
interdetto e la corrente in Q2 nulla e C3non si pu scaricare, da cui Vo= VDD'D'altra parte,
se Vi = VDDallora Q3 conduce e C si scarica a massa attraverso Q2 in serie a Q3, portando a
Vo= O.Poich da Vi= Osi ha Vo= VDDe da Vi= VDDsi ha Vo= O, il circuito si comporta da
invertitore. Tra t4 e t5 sia QI che Q2 sono interdetti e perci l'operazione di inversione
avviene in un periodo di clock.
b) Poich il valore dell 'uscita non dipende dal rapporto tra le resistenze dei MOSFET, si
tratta di un invertitore non a rapporto.
c)
Sistemi
a larghissima scala di integrazione 117
d) Tra t( e t2' QO, Ql e Q6 sono in conduzione. Pertanto Vi si ritrova ai capi di Co e
all'ingresso di Q3. Poich Q4 interdetto, i due invertitori sono isolati.
Il condensatore C( viene precaricato a VDD.Come spiegato al punto a), durante l'intervallo
(3-t4' con <1>2= VDD'ha luogo un'inversione e C( viene caricato con il complementare di Vi.
Poich quando <1>2= VDDanche Q4 conduce, allora per CI C2 la tensione su Cl si trasfe= VDD,
risce quasi completamente a C2 [Equazione (9.1)]. Inoltre durante il tempo in cui <1>2
Q5 in conduzione
e precarica
nessuna
C3 a VDD.
delle
tensioni
ai capi delle
capacit,
perch
<1>(=
<1>2
= Oe
9.7
Vnn
Vnn
.J
Q4
VDD
Vo
Q5
C, I
I
:;;':::C2
</>,
</>21
</>3
</>.
J
9.8
118 Capitolo 9
+VDD
A o
9.9
l,
9.10
Una ram da 1024 bit formata da 128 parole di 8 bit ciascuna. se si usa la selezione
lineare, mostrare uno schema a blocchi dell'organizzazione del sistema. Nota: si usi
un rettangolo per rappresentare una cella scrittura-lettura di un bit di Figura 9.8 del
testo con tre terminali: X per l'address input, W per write input e R per read output.
9.11
119
Soluzione
a) Per indirizzare 4096 parole occorre un decodificatore a 12 bit, con 4096 uscite. Quindi
ci sono 4096 porte NAND e ciascuna porta ha 12 ingressi.
b) La dimensione della matrice quadrata contenente 4096 parole 64 x 64. Quindi ciascuno
dei due decodificatori ha 6 ingressi e 64 uscite. Il numero totale di porte AND quindi
64 + 64 = 128, e ciascuna ha 6 ingressi. Si noti il grande risparmio di porte rispetto all'indirizzamento lineare.
c) Per le 256 linee occorrono 256 porte, ciascuna con 8 ingressi; per le 16 linee occorrono
16 porte, ciascuna con 4 ingressi. Il numero totale di porte 272. Pertanto l'organizzazione
proposta al punto b) la migliore.
9.12 Nella figura il chip (O)contiene le parole da Oa 1023, il chip (1) quelle da 1024 a 2047
e cos via. Che parola decodificata dall'indirizzo
a) All' ..., Ao = 011100101011?
b) 111000010110?
c) Che indirizzo occorre applicare per ottenere la parola 2600?
Soluzione
I
Ao
..
.
(3)
(O)
(I)
(2)
1024x 1
I024x I
1024x I
A9
cs
cs
J 00
01
1024x 1
cs
cs
IO
RAM
11
DecodHicatorc
da2a
4 lince
A
a) I dieci bit meno significativi dell'indirizzo danno la parola e gli altri due individuano il
chip. Cos l'indirizzo 011100 l OIOIl corrisponde alla parola 1100 l OlO Il = 512 + 256 + 32
+ 8 + 2 + 1 = 811 del chip 01 = l. Quindi la parola decodificata l x 1024 + 811 = 1835.
b) Allo stesso modo, l'indirizzo 1110000 IOIl Ocorrisponde alla parola 10000 l OIl O= 512
+ 16 + 4 + 2 = 534 del chip Il = 3. Quindi la parola decodificata 3 x 1024 + 534 = 3606.
c) Poich 2600 = 2 x 1024 + 552, occorre decodificare la parola 552 sul chip 2. Si ottiene
cos AlI = l e AIO = O. La rimanente parte dell'indirizzo si ottiene dalla codifica binaria di
120 Capitolo 9
552 = 512 + 32 + 8 = 29 + 25 + 23 ovvero A9 = A5 = A3 = L Se ne deduce che la parola decodificata lOl 000 l O1000.
9.13
9.14
9.15
Si consideri la struttura CCD di Figura 9.23a funzionante con le forme d'onda a due
fasi di Figura 9.27. Tutti gli elettrodi di posto dispari sono collegati a <P1e quelli di
posto pari a <P2.Disegnare i profili di potenziale come in Figura 9.23 e dimostrare che
questo sistema non ha un comportamento soddisfacente perch la direzione del trasferimento di carica non determinata.
Soluzione
ti
<1>2=0
<1>1=V
lJLJ
o
--u-LJ
t2
<1> t
o
--------------------_.
= <1>2= vn
All'istante tI le buche sono ben formate sotto gli elettrodi pari. Si noti che tI e t2 sono gli
istanti mostrati in Figura 9.27 del testo, mentre tI' a met strada tra tI e t2. Assumiamo che
inizialmente una certa carica sia immagazziantata sotto 2. Mentre il tempo passa, il potenziale <PI aumenta e <P2decresce cosicch l'energia della buca di potenziale decresce. Per t = t2
non c' pi alcuna buca e pertanto la carica non pi intrappolata ma pu diffondere ovunque
nel canale. Per t = t3le buche si formano di nuovo sotto gli elettrodi dispari, come nella figura
seguente
'3
<1>.=3/4
q'z=V/4
121
Tuttavia a questo punto non pi possibile determinare dove sia finita la carica iniziale, che
si trover distribuita nelle buche sotto E\, E3 e sotto tutti gli altri elettrodi dispari.
9.16 Si consideri un CCD a due fasi. La lunghezza effettiva di ogni elettrodo 8 mm e la
sua larghezza 8 ~m. La distanza tra righe di elettrodi pure di 8 ~m.
a) Calcolare l'area in mm2 occupata da una cella di memoria.
b) La Mnemonics Inc. ha realizzato una memoria da 64 kb (65,536 bit) usando la
cella descritta in a). Le dimensioni del chip sono di 218 x 235 (25.4 x 10-3)2
mm2. Quale frazione del chip occupata dalla circuiteria ausiliaria (ingressi,
uscita, clock, ecc.)?
9.17 Mostrare l'organizzazione della RAM in Figur::..9.10 del testo, data la cella usata come
mostrato in Figura 9.20 del testo.
9.18 Si consideri la struttura CCD a due fasi di Figura 9.26a del testo eccitata dagli impulsi
positivi di clock mostrati. Si assuma che V2= Ve VI = V/2. Disegnare i profili di
energia potenziale sotto i primi quattro elettrodi per i cinque istanti ti' ..., /5 indicati.
Iniziare con la carica sotto E\ nell'istante t = ti e dimostrare che essa passata sotto
E2 nell' istante t = ts. Si usi carta a quadretti.
Soluzione
Nessuno
Sco1Tmenlo
I~I-'
"',=VI2 I
I
I
"'2=VI2I
I
"
I I II
I Ivi I
I I II
I I II
I I II
'2 '3 '4'5
Potenziale
'2
<1>1 VI2
<1>2=3/4 V
'3
<I>.=VI2
<112=
V
'4
<II.=VI2
<112=3/4 V
'5
<II.=VI2
<112
= VI2
scorrimento
I
I
I
I
I
'6
I
I
I
I
I
'7
I
I
I
I
I
'8
122 Capitolo 9
9.19
9.20
Si consideri la struttura CCD a due fasi di Figura 9.26a del testo eccitata dagli impulsi
negativi di clock mostrati. Si assuma che V2= Ve VI = O.Disegnare i profili di energia
potenziale sotto i primi quattro elettrodi per i cinque istanti tI' ..., t5 indicati. Iniziare
con un bit memorizzato sotto EI nell'istante t = ti e dimostrare che l'informazione
passata nella buca di potenziale sotto E2 nell'istante t = t5' Si usi carta a quadretti.
a) Si consideri la struttura CCD a singola fase. Gli elettrodi dispari sono polarizzati
con una tensione costante V/2. Gli elettrodi pari sono eccitati da una forma
d'onda a impulsi positivi <1>2
mostrata in Figura 9.27 del testo VI = Oe V2= V.
Disegnare i profili di energia potemiale sotto i primi quattro elettrodi negli
istanti t2' t3 e t4' Iniziare con elettron:: sotto EI nell'istante t2 e mostrare che tale
carica memorizzata
sotto E2 per t
quadretti.
b) Disegnare il profilo di energia potenziale per un istante t4' (in cui <1>2
= V/4), per
t5 o t6 (in cui <1>2
= O) e per t7 (in cui <1>2
= V/2). Dimostrare che l'informazione
stata trasferita da EI a E3 in un periodo di clock.
Soluzione
<I>,=V/2
0-
<I>
----.
12
<1>, V/2
<1>2=3/4V
13
<1>1
=V/2
<1>2
= V/2
14
<1>1
= VI2
<1>2
= V/4
l'4
<1>1=VI2
<l>2=V/2
15.16
<1>1
= V/2
<1>2=
V
17
<1>1
= VI2
<1>2
= VI2
.--<1>2
123
Si consideri il multiplexer con abilitazione 2 a l. Disegnare uno schema di collegamento 12Lper questo circuito.
9.25 Il riporto in un sommatore a l bit (full-adder) ha la forma C = AB + BC + CA. Disegnare uno schema di collegamenti 12Lper C.
9.26 Disegnare lo schema dei collegamenti 12Lper un FF-JK sincrono.
lO
Circuiti e sistemi amplificatori
Nel corso del presente capitolo si far riferimento ai transistori indicati di seguito con le
corrispondenti caratteristiche.
Trallsistori
Tipo
F
o
VA (V)
IIpll
125
125
00
IIpll
150
150
100
pllp
200
200
00
pllp
150
150
pllp
50
50
50
00
Si assumer inoltre che tutti i transistori abbiano rb = O e che lavorino alla temperatura di
25C, a meno che non venga diversamente specificato.
10.1 Lo specchio di corrente rappresentato in Figura 10.5a del testo realizzato con il
transistore A e fornisce una corrente di 0.5 mA con Vcc = lO V.
a) Determinare il valore di R.
b) Assumendo che tutti gli altri parametri restino costanti e che la VBE vari di
-2.2 mV/oC, determinare la massima escursione di temperatura compatibile con
una variazione percentuale di ICI inferiore all' 1%.
Soluzione
a) Risolvendo l'Equazione (10.8) rispetto a R e sostituendo i valori numerici si ha
R=~VCC-VBE=
PF+2
le
125 1O-0.7_18.3kQ
125+2
0.5
126 Capitolo lO
10.2
10.3
b) [I3F,max
= 1145; I3F,min
= 91]
l mA e Vcc = 15V:
a) Determinare il valore di R.
b) Determinare la variazione percentuale di ICI conseguente a una variazione della
temperatura di 50C, se la VBEvaria di -2.2 mV/oC e tutti gli altri parametri
restano inalterati.
+vcc
10.4
b) [IMd = 0.192%]
I transistori rappresentati in figura sono identici. Quali sono i valori minimo e massimo
di lc ottenibili con 75 ::;;I3F::;;
175?
l.
127
+5 v
le
lO k!1
-5 V
[IC,min
21k!1
lC2Vo
2.8 k!1
+15V
b) [VO= -1.95 V]
15 k!1
Re
lC2
Vo
-15V
128 Capitolo lO
10.7
Lo specchio di corrente del Problema 10.1 viene modificato nel circuito di Figura 10.8
ed eroga una corrente ICI = 50 !lA. Determinare RE,
10.8 Per realizzare il circuito di Figura 10.8 si utilizza il transistore C e i valori dei parametri sono Vcc = 15 V, R = 30 kQ e RE = l kQ.
a) Determinare ICI'
b) Qual la variazione percentuale di ICI se Vcc aumenta di 0.3 V?
b) [LVCI = 0.544%]
10.9 Nel circuito rappresentato in Figura 10.9 i transistori sono identici. Dimostrare che il
rapporto ICI/IC2 proporzionale a R2/RI.
Soluzione
Nell'ipotesi che sia f3F l, le correnti di base possono essere trascurate, quindi
VSEI + ICIRI = VSE2 + IC2R2
VSEI - VSE2 = IC2R2 - ICIRI
Di conseguenza
Se poniamo ICI = IC2' risulta RJ = R2; inoltre, dal momento che si assunto che le
correnti di base sono trascurabili, l R = l C2e in base alla II legge di Kirchhoff l C2= (Vcc -
Nota:
0.7)/(R + R2).
10.10 Per il circuito di Figura 10.8, dimostrare che, se VBEcambia di I1VBE'il rapporto LVR/IR
inversamente proporzionale a [(VCdVBE)- l], assumendo che tutte le altre grandezze restino costanti.
10.11 Per realizzare un generatore di corrente di Widlar si impiegano transistori del tipo D;
si dispone inoltre di una tensione d'alimentazione negativa di 9 V, e di una resistenza
R da 25 kQ. Determinare il valore di RE per il quale il generatore eroga una corrente
di 40 /lA. [RE = 1.31 kQ]
10.12 a) Ripetere il Problema 10.11 nel caso di una tensione d'alimentazione positiva di
9V.
b) Disegnare il circuito del generatore ottenuto.
Soluzione
In base alla I legge di Kirchhoff si ha
IR
= IC3 +
IB1.
Poich
VBE3
= IC2
e IB3
= IB2;
inoltre risulta
IIEII= ICI + IBI = IC2 + 2 IB2 = IC2(1 + 2/~F).
Quindi
130 Capitolo lO
ovvero
Poich
Poich
I Cl ==lCJ. si pu assumere
si ha
VBEI == VBE2 =
(2)
Combinando le Equazione (l) e (2) e risolvendo rispetto a I CIsi ottiene l'Equazione (10.15).
Soluzione
Poich
VBEI = VBE2.e lCI = lCJ.= lc.
Applicando la I legge di Kirchhoff alle basi di Ql e Q2 risulta
IlE31
= lBl +
lB2
= 2ldPF.
Quindi
lB3 = IlE311(I3F+ 1)
ovvero
lB3 = 2ldPA13F + 1)
Inolttre applicando
lR
= lCJ. +
lB3
la I legge di Kirchhoff
= lc
al collettore di Q2 si ha
+ 2 lc IPF(PF+ 1)
10.15 Il circuito di Figura 10.1Oa impiegato per ottenere una corrente di l mA utilizzando
una tensione d'alimentazione di 12 V e il transistore A.
a) Determinare il valore di R.
b) Determinare la variazione percentuale di ICI conseguente a una variazione percentuale di (3F del 60%.
a) [R = 10.6 kD]
b) [McI = 0.07%]
b) [McI = -0.08%]
10.17 I transistori impiegati nel circuito di Figura 10.11 sono identici, con VA~ 00.
a) Determinare l'espressione di ICI in funzione di (3F' VBE'R e Vcc.
b) Con Vcc = 15 V e (3F = 150, determinare il valore di R in modo che si abbia
ICI = 300 !lA.
c) Qual la massima variazione di temperatura ammissibile, se VBEcambia di
-2.2 mV/oC e tutti gli altri parametri restano invariati, in modo che si abbia
IMcd:::; 30 !lA?
a) [lci
~}
Vcc- 2VBE
(3}+ 4f3F+2
b) [R = 44.1 kD]
10.18 Nel circuito di Figura 10.12 si impiega il transistore C. Si ha inoltre Vcc= 11.2 V,
Rc= 1.2 kD, RE= 0.3 kQ, RI = 90 kD eR2 = IO kD.
a) Determinare il punto di lavoro.
b) Determinare i nuovi valori di l CQe VCEQse ~F viene diviso per 2.
VCE=6.83 V]
VCE=6.51 V]
10.20 Il circuito mostrato in figura (realizzato con il transistore C) progettato in modo che
si abbia Va= Oe VCEQ= 3 V.
a) Determinare i valori di Rc ed RE,
b) Utilizzando i valori ottenuti al punto a), determinare la variazione di Va se (3F
viene diviso per 2.
c) Utilizzando ancora i valori ottenuti al punto a), determinare la massima variazione di Va conseguente a una variazione del 5% del valore di entrambe le
tensioni di alimentazione.
132 Capitolo lO
+6V
90 kf!
Re
+
Vo
IO kf!
-6V
RE = 0.274 lill]
c) [Vo= -.4'?6 V]
c
B
10.22 Il circuito in Figura 10.12 alimentato alla tensione di 28 V ed progettato per operare
Rc e RE.
di ~F e di VBEproducano
Rc = 7.0 kO;
10.23 Nel circuito rappresentato in figura, i transistori Q3 e Q4 hanno la funzione di polarizzare Ql e Q2; i transistori Q5, Q6 e Q7 costituiscono uno specchio multiplo di
corrente, con Q6 e Q7 carico dinamico, rispettivamente, per Ql e Q2.
Per tutti i transistori, di tipo pnp, si ha pF = 150, ed possibile assumere VA-7 00 .
Determinare il valore di R in modo che il circuito funzioni correttamente.
+15v
Q5
28 kf!
-15 V
[R = 54 kO]
10.24 Nello specchio di corrente rappresenato in figura si impiega il transistore A. Determinare i valori di lCI' lC2e lC3'
+9V
30kf!
1.94kf!
134 Capitolo lO
[Ic I = IC2
= 0.271
mA;
1.5f /lA
a) Per W/L = 4, determinare il valore di R in modo che si abbia ID = 400 /lA con
VDD= 9 V.
b) Utilizzando il risultato ottenuto nel punto a), determinare di quanto varia la 1m
se per Ql si ha invece W/L = 2.
c) Ripetere il punto b) con il valore W/L = 8.
a) [R = 13.75 kO]
10.26 Nel circuito Figura 10.15a si impiegano MOSFET con le caratteristiche date in Figura
10.15b; la tensione d'alimentazione vale 5 V: Determinare il valore di R in modo che
si abbia ID = 100 /lA.
[R = 7 kQ]
10.27 Per i MOSFET rappresentati in Figura 10.15a si ha k(W/L) = 200 /lA/V2 e Vr= 2 V e
la tensione d'alimentazione vale 12 V. Determinare il valore di R in modo che si abbia
ID = 0.5 mA.
[R= l kn]
10.28 Per i transistori ad arricchimento rappresentati in figura si ha ID = 100 x (VGS- 3)2
/lA; per il transistore a svuotamento si ha invece ID= 100 x (VGS+ 1)2/lA. Determinare ID!'
+IOV
10.29 Per
a)
b)
c)
6 kn
12kn
+
Vo
-12 V
b) [Va = 15.95 V]
c) [V;=-2 V]
10.30 Per il FET del circuito rappresentato in Figura l 0.18a si ha IDSS= 3 mA e Vp= - 3 V.
Determinare il punto di riposo del transistore (IDSQ'VasQ' VDSQ)con RI = 1.5 MQ,
R2 = 0.3 MQ, RD= 20 kQ,Rs= 5 kQ e VDD=60 V.
[VasQ=-0.49V;
IDQ=2.10mA;
VDsQ=7.5V]
10.31 Determinare gli intervalli di variazione di IDsQe VDSQdel Problema 10.30, in conseguenza di una variazione del valore della Vp di :t0.5 V.
[2.08~IDQ~2.11
mA;
7.18~ VDSQ~7.93V]
10.32 Nel circuito di Figura l 0.18a si impiegato il FET con la caratteristica mostrata in Figura
10.19.
Determinare i valori di RI, R2, RD e Rs in modo che si abbia 4.0 ~ IDSQ~ 5.0 mA e
VDs~ 6V, con una tensione d'alimentazione di 24 VeRa ~ 100 kQ.
10.33 Per realizzare un circuito analogo a quello rappresentato in Figura l 0.18a si impiega
un JFET a canale p, per il quale il costruttore fornisce le seguenti caratteristiche:
Vp
IDSS
Valore minimo
Valore massimo
5V
-2.5 mA
6V
-4.5 mA
136 Capitolo IO
Si vuole ottenere una 1DQcompresa tra -1.6 e -2.0 mA, con VDD= -30 V e RG
~ 100 kQ.
a) Determinare R., R2 e Rs.
b) Quali sono i valori minimo e massimo di VDSQottenibili con RL = IO kQ?
a) [Rs = 2.5 kQ; RJ = I MQ; R2 = I I I kQ;
b) [VDSQ= -IO V; VDSQ= -5 V]
Soluzione
1m =k(~).(VGS.
- (W/L).
1m - (W/Lh
1m
Soluzione
a) Utilizzando le Equazioni (10.33) e (10.34) si ha
0.5
gm =25 =20 ms
200
e r1t = 20 = IO kQ
b)
Per
~o
r =320=16kQ
l!
e A =320x6_-107
20
Per ~o = 200
c)
137
(1
v 2+ 16
0.6)
= 80,
80
-80x 6
r =- = 4 kQ e A =
-80
l!
20
2+ 4
B; lo' ottenuta mediante uno specchio di corrente realizzato con il transistore E,vale 50 /lA. Determinare
Av, R; ed Ro, con Rs = 5 kQ.
Soluzione
Il transistore B caratterizzato dai seguenti parametri
0.05
g11/=-=2
25
ms
150
e r =-=75
l!
100
kQ e r =-=2
o
0.05
MQ
= 75 kQ
Ro = ro= 2 MQ
e R~=RL=667
kQ
b) [Av= -667]
138 Capitolo lO
= 2 kil.
a) Determinare A v.
b) Determinare R;,
c) Determinare Ro ed R~.
a) [Av=-15.9]
c) [Ro ~
R~ = 33.3 kil]
00;
10.40 Per realizzare un amplificatore a collettore comune si impiega il transistore D, polarizzato con ICQ = -0.25 mA e pilotato da un generatore di tensione di resistenza interna pari a 3 kil.
a) Qual il valore di RE necessario perch si abbia R~ = 110 il?
b) Utilizzando il valore di RE appena determinato, valutare A ve Rj'
. a) [RE =
1.42kil]
Av= 0.924]
b) [Av=0.988;
Ro=52il;
R~=5l il]
10.42 Verificare le relazioni approssimate valide per un amplificatore a base comune, riportate in Tabella 10.3a.
Soluzione
Il circuito equivalente dell'amplificatore a base comune, per ro ~
le
--.
00
e l'h
= O, risulta
+
gmvx
v:
le
AI=-
lei
Re
rn
le
le = g",V1[ e
Vo
I
Ro
Ricavando
V1[si ha
ol
Ro
V=- -r,/e
n
l + ~o
e quindi
Per valutare Ro' assumendo che lE sia fornita da un generatore di corrente, si ottiene
Vn = -gmVnrn = -~oVn
che risulta soddisfatta solo pe\"Vn = O,quindi
V.
v,
-~olfij(1
+ ~o) = AfR)e
10.43 Nel circuito di Figura 1O.25a si impiega il transistore A, polarizzato con una corrente
di collettore di 0.2 mA. Per Rs = 2 kn, RE = 100 Q ed Re = 5 kQ, determinare:
a) AveR;;
b) l'intervallo entro cui varia A v in conseguenza di una variazione di ~o del 60%.
a) [Av= -20.7;
Determinare
Ro ed R~.
140 Capitolo lO
-19.2;::: Av;:::-21.4]
10.45 a) Determinare l'espressione di M viA v per una variazione di ~13di 13o nel circuito
diFigura10.25,assumendo
chesi abbia130 I.
c) [RE= 374 O]
10.46 Verificare i risultati relativi all'amplificatore a collettore comune riportati in Tabella 10.3b.
10.47 Verificare i risultati relativi all'amplificatore a emettitore comune con resistenza sull'emettitore riportati in Tabella 10.3b.
Soluzione
Il circuito equivalente per piccoli segnali del generatore di Widlar riportato nella pagina
seguente. La parte di circuito racchiusa nel rettangolo tratteggiato equivale a una resistenza
Rx= R IlrOI lIl/gm Ilr,,1= l/gm.
Si osservi che V"I insiste ai capi del generatore gmV"I' quindi V"I/gmV,,1 una resistenza di
valore l/gm.
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
:5 R
I
I
I
I
I
I
I
I
C2
~-+
V"2
To2
+
V"I
Toi
immediato riconoscere nello schema di figura uno stadio a emettitore comune con resistenza di emettitore.
Quindi Ro la resistenza d'uscita di questo stadio con Rx al posto di Rs.
Poich r1l2= ~J8m2 = ~oVT'IC2 una resistenza di valore elevato, essendo IC2 una "piccola"
corrente, frequentemente risulta rIl2 (Rx + RE). Quindi
!)02RE
Ro'" ro2 [ l +
= roil
+ 8m2RE)
142 Capitolo lO
a) Determinare Av = Voi/Vs'
b) Determinare le resistenze Ro ed R' o viste tra il terminale voI e massa. assumendo
che si abbia 1I.=
a) [Av = -8.80]
90 Y.
b) [Ro=789D]
c) [R'0=441 D]
10.55 Il JFET del Problema 10.53 polarizzato in modo da avere VasQ= -2.Y.
a) Determinare il valore della resistenza RD che assicuri un guadagno di tensione
lAvi = 20 nella configurazione a source comune.
b) Assumendo che la IDSSresti invariata e con il valore di RD determinato al
precedente punto a), valutare il guadagno Av per Vp = -5 Y.
c)
a) [RD=20.6 kD]
= -3
b) [lAvi = 21.9]
Y.
lAvi = 15.2]
10.56 Il circuito di figura rappresenta un amplificatore a gate comune. Determinare le espressioni di A v' R; ed Ro'
RD
~VDD
10.57 Nel circuito di Figura 10.27a, con RD = 20 kQ ed Rs = 1.5 kQ, si impiega un JFET
con
= I mS ed r d = 40 kD.
a) Determinare Av = Vo/Vs'
b) Determinare il nuovo valore di A V>nel caso in cui il valore di IDSScambi del
20% e Vp e Vas restino invariati.
gl1l
a) [Av= -6.58]
b) [Av= -6.97]
.1
Ro = 0~950kQ]
J
Q2
---o
v.
"1
+Il''VGG
"::"
J
Q2
+
vd
")
d
I
Q\
"+
V.
-
110.61 Un amplificatore costituito da due stadi CE in cascata. Ciascuno di essi realizzato con il transistore A polarizzato con ICQ= l mA; si ha inoltre Rs = 0.6 ld1 e
RCI = RC2= 1.2 ld1. Determinare A VI'A JI2e A v.
[AvI = -40.3;
AJ12= -34.7;
Av= 1400]
10.62 All'amplificatore descritto nel Problema 10.61 viene aggiunto un ulteriore stadio, anch'esso realizzato con il transistore A, ma polarizzato con ICQ= 2 mA; la resistenza
di collettore vale 0.6 ld1.
a) Determinare il guadagno complessivo dell'amplificatore quando il terzo stadio
aggiunto a valle degli altri due.
b) Determinare il guadagno quando il terzo stadio a monte degli altri due.
c) Determinare il guadagno quando il terzo stadio posto fra gli altri due.
144 Capitolo IO
+
2 k{}
l k{}
----o
Q3
Q2
'0
100 {}
a) [A v = -38.000]
5 k{}
b) [Av= -38,000]
c) [Av= -44,200]
2 k{}
l k{}
----o
Q3
QI
2 k{}
V.r.!
.0
5 k{}
100{}
[Av= 2890]
10.65 Il generatore di segnale (con la propria resistenza interna) dell'Esempio 10.7 pilota un
amplificatore a emettitore comune a singolo stadio, realizzato con il transistore Q2.
a) Determinare il valore di Re necessario ad ottenere lo stesso guadagno complessivo determinato nell'esempio detto.
145
Soluzione
a) Per avere lAvi = 1010 deve essere
100Rc
1010=- 2+0.5 e Rc = 25.3 kQ
b) gm= ~/r1C= 100/0.5 = 200 ms e
- ICQ
- ~.
gm-y T ovvero 0.2- 25 da ICQ- 5 mA
Affinch il transistore sia polarizzato in regione attiva, deve essere
VCC = VCE + ICQRc = 0.3 + 5 x 25.3 = 126.8 V
Re
-o
v, ('\
'
Q2
+
VO
-l-
[Av= -985]
10.67 Due stadi a base comune sono connessi in cascata e ciascuno realizzato con il transistore C, po1arizzato con ICQ= 0.5 mA.
Il circuito pilotato da un generatore di segnale con resistenza interna di 50 Q e si ha
inoltre RCI = RC2 = 5 kQ. Determinare:
a) il guadagno dei singoli stadi;
146 Capitolo lO
b) il guadagno complessivo dell'amplificatore.
a) [AvI = -49.8;
b) [Av=49.0]
AV2= -0.985]
10.68 Un amplificatore cascode realizzato utilizzando per ciascuno degli stadi il transistore
C polarizzato con ICQ= 0.2 mA e pilotato con un generatore di tensione di resistenza
interna pari a l kn.
Si ha inoltre Rc = 5 kQ.
a) Determinare il guadagno di tensione A v.
b) Determinare la variazione percentuale del valore di A v' conseguente a una
variazione di :t20% del valore di Rec) Rispondere alla domanda b) nel caso in cui il valore di Rs cambi di :t 10%.
c) [Av= -38.46 :t0.30]
b) [Avcambiadi:t20%]
a) [Av = -38.4]
I
I
Supporre RD
r"" rd
r"" ~o
l e Il
l.
+
I
I
RD
I
I
I
v,
Q\
V02
Re
VoI
Rs
10.70 Una coppia Darlington impiegata come inseguitore di emettitore con RE = 500 O ed
pilotata da un generatore di tensione con resistenza interna di 50 kn.
Entrambi i transistori sono del tipo B; QI polarizzato a 151lA e Q2 a l mA. Determinare A v' Ro ed Rj.
[Av = 0.657;
Ro = 0.261 kn;
147
10.71 I JFET rappresentati in figura sono identici e caratterizzati dai parametri forniti nel
Problema 10.57. Determinare:
a) il guadagno di ciascuno stadio;
b) il guadagno complessivo V/Vs;
c) le resistenze d'uscita Ro ed R' o'
+
40 k!1
\O k!1
Q3
o
2k!1
vsU
a) [AVI = -98.8;
b) [Av=64.5]
AV2 = -8;
).
+
5k!1
Vo
AV3= 0.816]
c) [Ro=0.976kn;
R~=0.817kQ]
RD2
Vo
v,
Soluzione
148 Capitolo lO
GI
DI
+/
S2
112Vgs2
Vse
Vgsl
RD2
Va
Vgs2
+
-OG2
SI
V=
s
I kf!
"
DI
VI
Vo
QI
0.5 kf!
1'-1I
11,1
a) [v/n
= 0.950]
b) [V/VI = -0.538]
10.74 L'amplificatore differenziale rappresentato in Figura 10.36 realizzato con il transistore C polarizzato con l cq = 100 IlA. Determinare i valori di Rc e RE per i quali si ha
IADMI= 500 e un CMRRdI 80 dB.
[Rc = 125 kn;
RE = 1.25 MQ]
10.75I segnali in ingresso all 'amplificatore differenziale del Problema 10.74 sono
VI= 15sin 1201tl+ 5 sin 21tx 1031mV
V2= 15 sin 120 1tl- 5 sin 21t x 103t mV
IOk!1
lO k!1
Voi
Vo2
14.3 k!1
-15 V
a)
b)
c)
d)
150 Capitolo IO
10.77 La resistenza da 14.3 kQ del Problema 10.76 viene sostituita con uno specchio di
corrente che ha la funzione di erogare la stessa corrente di polarizzazione. Lo specchio
realizzato con un transistore C, caratterizzato per da VA= 130 V.
a) Dimensionare gli elementi dello specchio di corrente.
b) Quali sono i nuovi valori del guadagno differenziale e del CMRR?
a) [R = 14.2 lill]
b) [ADM=-191]
c) [CMRR::=74.3 dB]
in cui VAne VApsono le tensioni di Early per il transistore npn e per il transistore pnp,
rispettivamente.
b) Dati VAn = 120 V e VAp = 50 V, determinare il valore di IADMI.
c) Il valore del guadagno differenziale ADMcambia in conseguenza di una variazione della corrente di polarizzazione?
+vcc
10.80 Per il circuito del Problema 10.79, valutare il CMRR e il guadagno ACM' noti
Vcc = 15 V, VEE= 15 V, Rp = 53.5 kQ ed RN= 28 kQ. Per i transistori npn, 13Fvale
200, mentre per i transistoripnp si ha 13F = 130 = 50. I valori di VTsono quelli gi forniti
nel Problema 10.79.
[CMRR = 4780;
IAcMI= 0.296]
4/1
4/1
Ql
32.5 kfl
VI o
Q2
32.5 kfl
1-0 V2
4/1
2/1
16.25kfl
-IO V
10.82 I JFET impiegati per realizzare un montaggio a source accoppiati sono caratterizzati
dai valori gm = 1 mS ed rd = 50 kQ e polarizzati
mediante un generatore
di corrente di
-10.83 Verificare
ACM=-0.361;
l'Equazione (10.110).
152 Capitolo lO
Soluzione
Per RL = Rj
00
+
+
=O
dove
Vj
= -Vz
+ IR2
Combinando queste equazioni e osservando che risulta Vo = I(R1 + R2), si ottiene che Av=
V/V2 dato dall'Equazione (10.110).
Determinare
Determinare
Vo per Il ~ 00.
Vo per Il = 4.
b) [vo=-(3l/32)V]
10.85 Nel circuito di Figura 10.46 si ha RI = R' = l kO, Rz = 2R), R3 = 2R2, ... RII= 2Rn-l'
Letensioni
d'ingresso
vI'vz,... vn possono valere O o lO V.
a) Per Il = 4, qual la minima tensione d'uscita, se almeno una delle tensioni
d'ingresso non nulla?
b) Qual la massima tensione d'uscita, con Il = 4?
a) [Ivoi= 1.25 V]
b) [Ivol= 18.75 V]
tensioni d'ingresso sia non nulla, nelle condizioni indicate nel Problema 10.85.
La massima resistenza disponibile vale 55 kO.
b) Qual il nuovo valore di n che si ottiene riducendo il valore di R I a 100 Q?
a) [Ivol= 5/8 V]
b) [n=9]
10.87 Si vuole impiegare il circuito di Figura 10.46 per determinare il punteggio medio
riportato da un gruppo di studenti in un quiz. Gli studenti sono 25 e il punteggio va
da l a lO. La massima tensione d'uscita pari a lO V e il minimo valore di resistenza
utilizzabile l kO. Il minimo valore di tensione disponibile in ingresso 250 IlV.
a) Dimensionare gli elementi del circuito.
153
o
2
lO
10.89 Ripetere il Problema 10.88 per il circuito di Figura 10.48b. Porre R2 = lO kQ e con-
10.90 Ripetere il Problema 10.88 per l'integratore rappresentato in Figura 10.50 e descritto
dall'Equazione (10.117).
Il
Rispostain frequenza degli amplificatori
Nota: Negli schemi circuitali relativi ai problemi che seguono non stata riportata la rete
di polarizzazione.
Il lettore pu assumere che gli elementi attivi siano correttamente polarizzati e che i componentiutilizzati per la definizione del punto di lavoro (e non riportati) abbiano effetti trascurabilisul comportamento del circuito.
Nel corso del presente capitolo si far riferimento ai transistori indicati di seguito con le
corrispondenti caratteristiche.
Transistori
Tipo
F
o
VA (V)
npn
125
125
npn
150
150
100
npn
200
200
pnp
150
150
pnp
50
50
400
0.3
400
0.3
00
fr (MHz)
CII(pF)
300
0.5
00
.-1:'
00
100
0.5
50
lO
0.5
eccitato mediante un segnale vi = 0.1 sin roi + 0.1 sin 2root. In as-
11.1
Un amplificatore
156
Capitolo Il
Soluzione
a) I valori assunti da vo' per vari valori di (j)i, sono riportati in tabella e il relativo grafico
della forma d'onda risulta
ooot
Vo
Vo
1.5
deg
V
1.0
O
30
60
90
120
-0.375
0.875
1.62
1.38
0.491
150
180
210
240
270
300
330
-0.25
-0.375
-0.125
-0.116
-0.625
-1.24
-1.25
0.5
1.51/
I
60
'l'
ro.'.grndi
-0.5
-1.0
-1.5
b) Entrambe le componenti del segnale Vorisultano ritardate di 1t/I2 rad, quindi l'uscita
risulta non distorta, ma semplicemente ritardata. Il grafico relativo coincide con quello di
Figura 11.1 del testo.
11.2
Con riferimento allo schema di figura, determinare il limite superiore di banda nel-l'ipotesi che il circuito schematizzato con il quadripolo sia, alle medie frequenze, un
amplificatore a emettitore comune.
+
Amplificatore
a bassa
frequenza
11.3
v.
157
Soluzione
Il circuito equivalente risulta
l/sC
~,
-=
Rs
8/11V1t=
- Vb 1..+ Sc
(
V1t
Vb -+-+SC
Rs r1t
= Vb -
r1t
- Vo -+SC
r1t
+ Vo
SC
(1)
+ J, + 1..
RE
dove
)
(3)
Vo
sostituendo l'Equazione
(2)
r1t
il sistema si ottiene
Vo
1 + sCrl(1 + ~o)
-=A
Vs o
l + s/roH
dove, posto ~o = gn/1t'
11.4 Determinare il limite inferiore di banda del circuito mostrato in figura, assumendo che
il quadripolo rappresenti un inseguitore di source.
Amplificatore
a bassa
frequenza
158
Capitolo I l
11.5
Ripetere il Problema I lA per il caso di un amplificatore a source comune con resistenza sul source.
11.6
11.7
= 50 MHz,
si ha IBUco)1= 8. DeterminarelTed/p.
IT = 400 MHz]
= I mA, un guadagno di
di 25 MHz.
= I mA, nell'ipotesi
che si
11.9
11.11 Un amplificatore con due poli ha la funzione di trasferimento descritta dall'Equazione (I 1.22), con a3 = O.
a) Fornire una stima delle frequenze di polo.
b) Ponendo n = a12/a2come il fattore approssimato di separazione dei poli, dimostrare che per n> IOi poli effettivi del sistema sono separati di almeno tre ottave.
comune,
supponendo
di avere ro -7 00 e di operare
sul circuito a 1t
159
I/sC!,
+
+
IIsC"
!1'8I/1Y"
Vs
'R=
VIt R1t +s(C1t+ CIl)
s
cIO
R~
VIt = Vs
Rs
Quindi;
-VsPo(l-sC/gl/I)
(Rs + rlt)[l + s~(CIt + CIl)]
Rdl+s~(CIt+CIl)]
l + s[R~CIt + R~CIl(l + gll.RC> + CIlRd + s2CItCIlR~Rc
"
160 Capitolo I1
RCZo
Re + 20
b) Per ro che assume un valore finito, posto RL = Re" ro,l'espressione di 20' risulta quindi
uguale a quella trovata al punto a) sostituendo Re con RL.
di banda OOH.
=jooH.
Soluzione
a) I parametri del transistore sono: gm =40 mS, r7t= 3.125 kQ (vedi Problema 10.35), e in
base all'Equazione (11.19)
40x 10-3
300x 1()6=
2n(C7t+ l) x 10-
-125x 1.2
Avo= 0.3+3.125 --43.8
.
12 da CUI
C7t
= 20.2
pf
In baseall'Equazione(I1.31)
3.125x 0.3
a)
OOH
Mrad/s
3.125
= 3.125 -0.269L
1+ j52.8 x 3.125[20.2+ 1(1 + 40 x 1.2)]X 10-3 1 + jl1.56
-850 Q
/H =2.17 MHz]
0.1 kf!
[fH
= 9.11 MHz;
Av
=-20.9]
11.17 Un transistore del tipo C, polarizzato con ICQ= l mA, impiegato per realizzare un
amplificatore a base comune, con Rc =5 kQ e Rs = 50 Q. Il segnale applicato in ingresso vs(t) =2 sin Wl mV. DeterminareAyo e il valore approssimato di/H"
Avo
= -74.7]
11.18 In un inseguitore di source con Rs = l kQ, si impiega un JFET con ~ =50 e rd = lO kQ.
Le capacit del FET valgono Cgs= 5 pF, Cgd= 2 pF e Cds= 2 pF. Determinare AyO e
il valore approssimato di/H, nell'ipotesi che si abbia Rs = 5 kQ.
Soluzione
G
Il circuito equivalente
quello a lato
-1
risulta
Cgs= C2
IO
'
Cgs = C3
50Y
Ys
D
gs
162 Capitolo Il
A
vo
50 xl
=0.758
50 + 10+ (l + 50) x l
5 S Rs
!o--
--00
R22
IO
fl
RII
Per R22'sostituendo la parte destra della rete con il relativo equivalente di Thevenin, risulta
VtI,= 50Vg/(l0 + l) = (50/11)Vgs e Rti. = IO Il l = 10/11 kQ. Applicando un generatore di
prova VI fra i punti G e S, la corrente erogata Il risulta
50
lO
-VI-Tl Vgs=II (5 +Tl)
Quindi
VI
65/11
R22
=TI = 61/11
al
=5 x
l
fi-r=-=
21tal
= 1.066 kQ
2 + 1.066 X 5 + 0.189 x 2
= 15.7
ns ovvero
10.1 MHz
11.19 a) Determinare l'impedenza d'uscita Zo per l'inseguitore di source del Problema 11.18 in funzione di Rs.
b) Pu l'impedenza d'uscita avere carattere induttivo su un certo intervallo di
frequenze?
11.20 Nel circuito rappresentato in figura si impiega il transistore del Problemal1.18.Determinare Avo e il valore approssimato di/w
2 kf1
[Avo
= -7.04;
fH
I kf1
= 2.70 MHz]
11.21 Un transistore del tipo A, polarizzato con ICQ=-0.2 mA, impiegato per realizzare
un amplificatore a emettitore comune con resistenza RE, analogo a quello del Problema 10.43.
Per Rs
= 2 kO,
RE
[Avo= -20.7;
fH= 5.34MHz]
Soluzione
Facendo uso delle formule riportate in Tabella 1O.3adel testo si ha
A
vo
In baseall'Equazione(I1.31)risulta
1.0 x 0.6
al
1
fH
4.47 MHz
Soluzione
Il circuito di Figura 11.19 del testo, per CL = O, pu essere ridisegnato nel modo seguente
I
I
164 Capitolo Il
z"
+
v"
IlsC!,
+
zwc
g",REV"
ovvero
Essendo VIt
=IxZIt'
ZB,c=RE+
Supponendo
Z.=I
1 + srltCIt
l e rlt
l,
1
IIZB,c
C
S Il
~- C
It
Z; = PoRE
l+s
It
1 + srltCIt
PoRE' mettendo in evidenza PoRE' risulta
1 + srltC,(13o
1 + S/roT
=pR
o E 1 + s/ro
P
ovvero
Mettendo nuovamente
l' I.
,I
l'.l'
= VxxlIx risulta
130
Z' C =PR E
B
o
ZB'C
Soluzione
Lafunzione di trasferimento dell'inseguitore di source presenta uno zero alla pulsazione s
percui la corrente in Cgs uguale a g/llVgs'Quindi
sCgsVgs -
Pervalutare a I e a2 si pu fare uso del metodo delle costanti di tempo. In base alla Figura l
si ha RJI =Rs'
.
-0
!R22
+ Vgs Rs
gs
fl
grnVgs
Ri.
D
Figura I
Applicando un generatore
!T:
Rs
RL
VP
'-----+
D
Figura 2
..
RL
Vgs
Vgs si ha
Rs+RL
l + g/llRL
Quindi
R33 =
RL
l + gll~L
Sostituendo i valori delle resistenze viste si ottiene la prima delle Equazioni (11.54).
Per ricavare
a2
= R'j IC1(R~2C2
+ R~3C3) + R~2C2Rj3C3
Rbl
166 Capitolo Il
R~2 =R!3
Cortocircuitare C2 rende
Vgs
R~3 =RLllRs
Soluzione
Con riferimento alla Figura l (derivata dalla Figura 11.22 del testo), l'impedenza d'ingresso
risulta
Figura I
Il C
s gs
l/sCds
Rs
il'SCgd
<.f>
RL
GIIIVg.r
lzo
Figura2
l
Z;=- C IIZxx
S gd
Per determinare Zxx si applica un generatore di prova I( fra i punti x-x e si determina Vxx.
Posto
Risulta,
-IxVgs-
l
sCgs
167
g/ll
[l
+- C
S gs]
l
Z;=- C IIZxx
s gd
Per determinare Zyy si applica un generatore di prova It fra i punti Y-Ye si determina Vyy.
Posto
.
Quindirisulta
Sostituendo l'espressione
Zyy
= (1
+ sCgsZs)/(gm + sCgs)
Quindi,sostituendo questa espressione di Zyy nella formula di Zo prima trovata e riorganizzando i vari termini si ottiene l'Equazione (11.57).
11.26 a) Determinare i coefficienti a I e a2 con il metodo delle costanti di tempo per il
circuito rappresentato nella figura di pagina seguente.
b) Ponendo RI = R2 =R, CI = C2 = C e Av = 2, fornire una stima della posizione
dei poli.
c) Confrontare il risultato ottenuto con i poli effettivi, determinabili mediante la
risoluzione dell' equazione caratteristica del circuito.
d) Commentare la validit dell'approssimazione a polo dominante.
168 Capitolo Il
R.
Amplificazione A, = I + Rb/ R.
Soluzione
A
+
,+
C2''l'
Considerando
R~2
= R,
Yx
Ci comporta
= 2RC
+ RC(1
2)
= RC
a2
= R2C2
= RCs
. -~
3
(1 +
_J'I5 )
d) L'approssimazione a polo dominante non quindi valida. L'ipotesi Ip;1=a;- l/a; vera
solo se i poli sono reali, mentre in questo caso risultano complessi.
La condizione IPII < IP21utilizzata per adottare le soluzioni approssimate IPII= Vai e
IP2' = a,/a2 condizione necessaria ma non sufficiente.
11.27 Ripetere il Problema 11.26 per il circuito mostrato in figura.
+
A,
Amplificatore
di tensione ideale
11.28 a) Ripetere il punto a) del Problema Il.26 per il circuito mostrato in figura,
assumendo che il blocco contraddistinto dal simbolo Av sia un amplificatore
ideale di tensione.
b) Determinare le frequenze approssimate di polo per RI = R2 = R3 = R, Cl = C2,
Av = 2.
c) Determinare la posizione effettiva dei poli, e confrontare i risultati ottenuti.
170 Capitolo Il
11.30 a) Il circuito mostrato in figura realizzato con tre transistori del tipo impiegato
nell'Esempio 10.7.
Assumendo che per ciascuno di essi si abbiafr = 200 MHz e CI1 = 1 pF, determinare Avo e il valore approssimato di fH.
b) Stimare la posizione del pi vicino polo non dominante. (Nota: Si supponga che
il limite superiore di banda dell'inseguitore di emettitore sia sufficientemente
elevato da non influire sul valore di fH dell 'intero amplificatore).
+
2 kf!
\ kf!
+
Q3
Q\
100 f!
5 kf!
b) [f2= 44 MHz]
11.31 Per i transistori descritti nell'Esempio 10.7 si hafr = 200 MHz e CI1 = l pF.
a) Stimare il valore del limite superiore di bandafH dell'intero amplificatore.
b) Confrontare il risultato con quello relativo all' amplificatore del Problema Il.30.
c) Determinare la posizione approssimata del primo polo non dominante. (Nota: Si
171
=0.768 MHz]
c) fI2
= 12.9 MHz]
2kf!
I kf!
'"
2 kf!
Q3
+
vd
a) fIH
= 3.93 MHz]
100 f!
')
5 kf!
11.33 I transistori, identici tra loro, impiegati nel circuito rappresentato in figura, sono caratterizzati da r1t = 1.5 kO, ~o = 150, C1t= 50 pF e CI!= l pF.
.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di IH, con Rs = 20 kO. (Nota: Si
assuma che il limite superiore di banda dell'inseguitore di emettitore sia talmente elevato da non influire sul valore diIH dell'intero amplificatore).
b) Stimare la posizione del primo polo non dominante.
+vcc
2 kf!
2 kf!
a) [Avo
= 1530;
IH =2.91 MHz]
2 kf!
200 f!
. .,......
I
172 Capitolo Il
~F = 150,
VA
= 120 V,fT
= 400 MHz
Re
-o
v.,()
'
Q2
Va
-l-
11.35 Nel circuito relativo al Problema Il.34 si utilizza il transistore B, con ICQI= 75 /lA e
ICQ2
= 250
/lA. Per Rs
= Rc = 500
kQ, determinare
simato) difH.
[Avo =4010;
fH
= 73.8 kHz]
= 0.2
mA.
Stimare la frequenza
Il
173
+
80 kf!
C>----'
+
v,
0:-
v.
300 kf!
-l11.38 Due stadi a source comune sono connessi in cascata; essi sono realizzati con JFET
identici, per i quali si ha glll= l mS, rei= 40 k!1, Cgs= 5 pF, Cgr l pF, Cels= l pF.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di IH per Rs = 5 k!1, RDI = 40 k!1,
Rm = lO k!1.
b) Stimare la frequenza del primo polo non dominante.
a) [fH=0.334 MHz;
Avo = 160]
11.39 I JFET rappresentati in figura hanno le caratteristiche date nel precedente problema.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di Iw
b) Stimare la frequenza del primo polo non dominante.
+
40 kf!
lO kf!
Q2 +
v,
2kf!
11.40 Ripetere il Problema 11.39 invertendo la posizione dei due stadi dell'amplificatore.
[Avo= 79.0; IH = 667 kHz; 12 = 4.58 MHz]
174 Capitolo Il
11.41 Per il JFET impiegato nel circuito in figura si ha gm = 2 mS, rd = 30 kQ, Cgs= lOpF,
Cgti= 5 pF, Cd,.= 5 pF.
.
Per il BJT si ha invece
r7t
= 2.5
I kf2
IOkf2
11.42 Ripetere il Problema 11.41 invertendo la posizione dei due stadi dell'amplificatore.
[f2 = 1.75 MHz]
11.43 Nella figura seguente riportato il circuito equivalente relativo a un amplificatore
differenziale, cui applicato il segnale vd'
a) Per ~o = 125, r7t = 25 kQ, C7t= 5 pF, CJl= l pF e r(}= l MQ, determinare il
valore approssimato di Iw
b) Stimare la frequenza del primo polo non dominante.
cp
VI
VOI
r7f>
V1f
-.r
r.
v.
:::!:::c
grnV1f
ro
Vd
':"
V2
[fH
"
= 6.28
kHz;
I '>gmv. <-ro
f---l---l-
C.
12 = 161 MHz]
Re
(250kf2)
V02
175
11.44 In figura rappresentato il circuito equi valente all'amplificatore differenziale del problema precedente, al quale per applicato un segnale di modo comune vC'
a) Determinare il valore approssimato difH.
b) Stimare la frequenza del primo polo non dominante.
a) ffH 1.29kHz]
b) ff2= 15.9GHz]
Cw
Il
.-l"
+
Vw
-Lc
,.o
gmVn
'2"
Re
250 ;>"0
kO
Re
250
kO
Vw
-=-
-=-
RE
(500 kO)
11.45 I guadagni differenziale e di modo comune di un amplificatore possono essere approssimati dalle espressioni
A
DM
-2000
. A
1+ s/2n x 106'
= -0.5
Cm 1+ s/2n x 108
Soluzione
Sostituendo
in
176 Capitolo Il
Per Avo
O>H
50k11
IOkr!
5 kr!
1+
V,
+
98 k11
20 k11
2 kr!
Primo stadio
=
=
a) [Avo(
50; 1m
d) fIH
16.9 kHz]
+1
v,
10 kr!
Secondo stadio
=20 kHz;
Terzo stadio
Avo2 =-5;
IH2
= 167 kHz]
11.48 Vincoli di carattere tecnologico impongono spesso che il rapporto tra la massima e la
minima resistenza impiegate in un circuito non sia superiore a lO.
a) Imponendo questa condizione, determinare il massimo guadagno a centro banda
realizzabile con tre stadi in cascata, ciascuno dei quali sia realizzato mediante
un amplificatore operazionale, nell'ipotesi che sia richiesto un segnale d'uscita
sfasato di 1800 rispetto a quello d'ingresso.
b) Imponendo ancora la stessa condizione e con riferimento all'amplificatore ottenuto al precedente punto a), determinare l'ampiezza della banda passante ottenibile, se per ciascuno degli amplificatori operazionali si ha Avo = 126 dB e
J" = 5 Hz.
a) [Avo= -1210]
11.49 Ripetere il Problema 11.48, imponendo che ingresso e uscita dell'amplificatore siano
in fase.
a) [Avo = 1331]
b) ffH
= 45.5 kHz]
= 20
Hz.
1.5kf!
Lc
38kf!
+
Vo
V,li
24.H"
.. o.,,"
0.15 kf!
-l-
CE
-3 V
Vo =0.02 V]
b) [CB= 1.71 ~F]
d) [CE = 65.8 ~F; CB = 17.1 ~F]
11.52 a) Determinare Avo e il valore approssimato di fH per il circuito del Problema Il.50.
b) Un condensatore C collegato tra base e collettore; determinare il valore di C
in modo che si abbia/H = 20 KHz.
178 Capitolo Il
c) Se alI' amplificatore applicato il segnale vsU) = VIIIsin (2n x 103 t), qual il
segnale d'uscita vo' quando si ha VIII= 0.1 V?
d) Qual il massimo valore di VIIIper il quale non si ha distorsione?
Soluzione
a) In base ai risultati del Problema11.50risultaIC2=1.99mA.glll
Inoltre
C1t= 2n79.6
x 0.4 -0.3=31.4
pF e CI! = 0.3 pF
+
RIs
0.3
t"
+
vls "-
v"
-
J
RE
0.6
V/ = Vs e
Quindi risulta
A vo
Per CI!
-200 x 1.5
0.3+2.51+(200+ 1)0.6
=-2.43
Il
Rls
V1t
l
RI s
RE -
glllV"
I
III
Il'
111
al circuito seguente
y_v"
e quindi
0.3 + 0.6
1+ 79.6x 0.6 =0.0185 kQ
R~=2.5lIl0.0l85=0.0184
kQ
B I,
r" _v"r-II
R',
,..v.
RE Ci)
= (Il
(2)
- 13) rrr.
2.53 kQ
180 Capitolo l l
al
l
IH=-=
21ta)
119 MHz
b) La capacit messa fra B e C risulta in parallele a CI1;quindi, per avere 11/= 20 kHz,al
deve risultare
1
al =-=
l
21tIH 21tX20 x 1()3= 7960 ns
Quindi,
da cui
C= 7960-R~C1t-R~CI1_7960-1.34=3l50
RO
2.53
Il
pF = 3.15 nF
dove Avo
Vo
= -2.43.
=0.02+
l()3t)
Da cui
d) Quando il picco positivo della tensione di uscita supera i 3 V il segnale risulta distorto.
Quindi
Vo = 0.02 + VmlAvol:5:3 V
ovvero
IVm-1< 3 - 0.02
1.22 V
Il secondo limite su Vm posto dal fatto che il transistore non deve andare in saturazione,
ovvero in nessun istante deve risultare VCE< 0.3 V.
11.53 a) Dimostrare che il guadagno di un amplificatore a FET con capacit di bypass
sul source (Cs)
AVL(s)=
A vo
l + s/(J)s
l + g",:?'sl + s/roL
181
00
2 kil
b) [P = 4.16%]
c) [f=417Hz]
11.55 I transistori impiegati nel circuito di figura sono identici tra loro e caratterizzati da
r1[=4kQe~o=200.
+
3 kil
100kil
v"
lO kil
100 il
Cn
5 kil
330 il
182 Capitolo Il
a) Determinare il valore del limite inferiore di banda per ciascuno stadio, assumendo che si abbia CBI CB2 = I /.lF e CEI CE2 100/.lF.
b) Qual il limite inferiore di banda dell'intero amplificatore?
c) Confrontare il risultato ottenuto con quello ricavabile dal diagramma asintotico
di Bode del guadagno.
a) [fLi = I 13Hz;
fL2
= 72.6 Hz]
11.57 I JFET del circuito mostrato nella figura seguente sono identici tra loro e caratterizzati
da 8", = 2 mS e rd =40 kn.
a) Con CGI = CG2 = I /.lF e CSI = CS2 = 100 /.lF, determinare il limite inferiore di
banda di ciascuno stadio.
b) Determinare il limite inferiore di banda dell'intero amplificatore.
c) Confrontare questo valore con quello ottenibile dal diagramma asintotico di
Bode del guadagno dell'amplificatore.
+
0.6M!1
20 k!1
\'"
-1{CG2
0.1 M!1
v'V
0.15 M!1
I
I
"I
:::b CSt
2k!1
4 k!1
C.12
\
a) [fLI
=57.5
Hz;
si hafL
=5.60
CG2
/.lF;
= 11.9 Hz]
[CS2
'[,
fL2
=2.06
/.lF;
CS1
=53 /.lF;
CGI
=7.39 JlF]
12
Amplificatori reazionati
Per /0 studente: in molti schemi relativi ai problemi di questo capitolo non sono riportati i
circuiti di polarizzazione.
Si pu assumere che i vari dispositivi siano correttamente polarizzati e che i componenti
utilizzati per la polarizzazione (e non indicati) diano luogo a effetti trascurabili sulle prestazioni della rete nel suo complesso.
I transistori indicati nella tabella che segue sono frequentemente usati nei successivi problemi
Transistori
Tipo
o
F
VA, V
npn
125
125
npn
150
150
100
IIpn
200
200
125
pnp
150
150
pnp
50
50
50
00
00
184 Capitolo 12
Soluzione
a) Un amplificatore di corrente pu essere realizzato dalla cascata di un amplificatore
transresistivo (convertitore corrente-tensione) con un amplificatore transconduttivo (convertitore tensione-corrente).
Convertitore
)rs
b)
corrente tensione
VoI
V02
Convertitore
tensione. corrente
500Q
500
100 k!1
V,"2
50 k!1
li= Is;
lo
50 000
VOi= V'"2= 50000+ 50 XRII/i = 0.999x l()4/i
..
Amplificatori reazionati
185
-..
101
li2
Convertitore
corrente - tensione
Convenitore
tensione
- corrente
Pi precisamente
12.4 Nel circuito mostrato Ql e Q2 sono due transistori identici che hanno r1t= 1 kQ e
glll=O.lS.
a) Quale tipo di amplificatore viene approssimato da questo circuito?
Amplificatore
Sorgente
3 kO
186 Capitolo 12
+
0.6 kf!
Sorgente
3 kf!
12.6
+
VI
Amplificatore:
invertente
A.
Vo
v,
I
I
+
VI
Rete di
reazione
AI = 300]
12.7
= = =
l!
l'I
Amplificatori reazionati
187
d) Sia Xos la componente di uscita dovuta a Xs' Xol la componente di uscita dovuta
a Xl' e cos via. Calcolare Xo/Xo1' Xo/Xo2 e Xo/Xo3'
e) Ripetere il quesito b) per ~= O.
f)
Ripetere
il quesito
~=O
d) per
conclusioni?
e comparare
i risultati.
X2
XI
X3
Xs
Xo
r-l{3
=
AF
Xo
b) [-=AF'
XI
d)
Xo
'
Xos
Xs
Xol
XI'
[-=-'
-=
X2
A2
1 +AIA2~'
Xos
A IXs
Xo2
X2'
-=-'
Xo
e) [:xI =AOL;
Xo
-=
X3
AA
I 2
l + AIA2~
l
1 +A)A2P
Xos
AOLXs
Xo3
X3
-=-]
Xo
Xo
:x=A2;
2
X=
3 1]
T = 54.4;
p= 0.0196]
A
=1;
T=AoL;
J.lRs
AF= rd(1 + Il)R s
188 Capitolo 12
di emettitore
RE,
Soluzione
a) Si consideri quale grandezza di uscita la corrente lo che scorre nella resistenza di
collettore.
Ponendolo Orisulta RE in serie a Rs' Per li = O,REe Re sono in serie e quindi si ottienein
totale la rete di figura
c
l~c
Vf~RE
+
E
Amplificatori reazionati
189
+
Re
Vo
v,
Soluzione
a) Ponendo Vo= , la resistenza RF risulta collegata in ingresso fra base ed emettitore. Per
Vi = ,
(a)
(b)
Nota:
stato assunto ro ~
00.
di Norton. Quindi,
Se ro
::/= 00,
190 Capitolo 12
12.13 a) Determinare R/F per l'amplificatore del Problema 12.11, utilizzando la formula
per l'impedenza
di Blackman.
= r1t + RE (l
12.14 Determinare
b) [ROF=(RE + ro) 1 +
+ ~o)];
\.
del Problema
~oR
Rs+rrt+RE J
12.12
[AOL=
AF=
(R) +R2)Av
T=
R) +Rz+Ro
(R) + Rz)Av
R ((l + Av) + R2 + Ro
R(Av
R) +R2 +Ro
Ro(R) + Rz)
b)
[RoF= D( (1 +A v)+R
+R]o
Amplificatori reazionati
[AD=O;
191
J.lRs .
AOL
= rd+Rs'
12.17 Ripetere il Problema 12.16 per lo stadio a emettitore comune con RE.
[AD =O;
12.18 L'amplificatore operazionale del circuito di figura caratterizzato da un guadagno ad
anello aperto Av e una resistenza di uscita Ro.
a) Utilizzando i parametri t. determinare AD, AOL>T e AFo
b) Utilizzando la formula dell'impedenza di Blackman, valutare R1Fe ROF"
~
I
v,
A"R"
Vo
..-+
+VDD
+
Rs
192 Capitolo 12
12.19 Nell'inseguitore di source della figura di pagina precedente, vr = VRMsin 21tx 120t
la tensione d'ondulazione relativa all'alimentazione, che pu essere trattata come un
segnale di disturbo. Per Rs =2 kn, gm= 2 mS, To= 20 kn e R = 500 kn, determinare
il valore massimo che pu assumere VRMaffinch la tensione di ondulazione presente
in uscita non superi 20 J.lV.
[VR = 1.02 mV]
12.20 a) Quale tipo di reazione stata utilizzata nel circuito di figura?
b)
Per Rj
c)
d)
Determinare AF per Av ~
Valutare R1F e ROF.
00.
e) Quale valore deve essere assegnato ad Av se si desidera che sia ROF= 600 Q?
Amplificatore
Ro
Rs
RL ;;..
+
ROF
v.
Rete di reazione
b)
c)
d)
= 30.1;
[AF = 26]
[R/F =7.01 kn;
[AOL
T = 1.16;
AF = 13.9]
e) [A~=661]
12.21 a) Quale tipo di reazione stata utilizzata nel circuito di figura?
b) Disegnare il circuito equivalente dell'amplificatore senza reazione.
c) Per Rj = 500 n, Ro = 20 kn, R2 = 50 kn, R, = l kn, gm = 100 S, Rs = 600 il e
RL = 2 kil, determinare AOL>T e AF.
d) Valutare R1Fe ROF.
e) Determinare AF per gm ~ 00.
,l
..
Amplificatori reazionati
193
Amplificatore
c
o-
A
+
V,
R,
lor
R,
RL
+
Vo
+
I
l\/\,
R2
v,
D
ROF
Rete di reazione
c)
= -6.57;
[R/F = 1.38 MQ;
[AOL
d)
e) [AF =-10-3]
= 6.57 X 103;
ROF = 480 MQ]
12.22 a) Ripetere il Problema 12.21 per il circuito di figura. I valori dei vari elementi
sono:
Ri
=5
kQ, Ro
= 0.5
e RL = 2 kQ.
b) Quale valore deve assumere Rm per ottenere R1F= 50 Q?
Amplificatore
Ro
A
lo r
f,rp
I -
f r
RL
'V\
R2
R.
D
o--ROF
Rete di reazione
a)
[AOL
= -75.4;
b) [R,=20.8 kQ]
=75.4;
AF
=-0.987;
R1F
= 0.625 W;
ROF
=953 kQ]
194 Capitolo 12
RD
RD
RD
+
Q3
RG
RG
~
ROF
Soluzione
Rs
RG
RF
V.I
+
Amplificatore
a trestadi
RF
Il'
L'amplificatore a tre stadi presenta una resistenza d'ingresso infinita e una resistenza d'uscita
uguale a rdllRD= 201112= 7.5 kQ.
Il guadagno complessivo A VIAV2AV3'dove
Amplificatori reazionati
195
Rs
RF$
+.A.
Rf'
Rct
Vs
Y3.V;
Av
Vo
IROD
13=~=
rs+RF
0.05 =2
0.05+5
101
Tsc
=O
Toc
=T
= 3/(1
+ 1.28 x 103/101)
Quindi,
ROF
= 219
.Q.
12.25 Nel circuito di figura stato utilizzato il transistore A, polarizzato con ICQ"=1.5 mA.
a) Determinare AF e T.
b)
Valutare
R1Fe RoF'
196 Capitolo 12
+
R
(1.2 kf!)
4.3 kf!
+
Q2
Vo
4.7 kf!
0.1 kf!
6.2 kf!
Soluzione
A
Po = 125'
gm
R s: 1.2
4.3 > RCI
AOL
= AVIAv2dove,
=
A
vi
Av2
+
V~ RE
~1'0.1
-125 x 4.3
-32.6' R' = R
2 + 2.08 + (125 + 1)(0.1116.2)
, 01
CI
-125[(6.2 + 0.1)114.7111.2]
=-16.3
4.3 + 2.08
~= 0.10~16.2 -
= 530
~II
I
4.7. -
=4.3
ro ~
00
= 1.5/25 = 60 mV
r1t =
125/60 = 2.08 kQ
b) RJD
ritI
Tsc = T
IR =0
=
-125 x4.3
-37.1
vI 0+ 2.08 + (125 + 1)(0.1116.2)
Tsc
= -(-37.1)
Toc
= T IR, -+ ~ =O
(-16.3) (-1163)
e ponendo
= 9.60
R1F
00
A =-125[(6.2+0.1)111.2]=-19
v2
4.3 + 2.08
.7
12.27 Uno stadio a emettitore comune con resistenza di emettitore RE realizzato con un
transistore avente rlt =2.5 kil e ~o = 125.
a) Per Rs = 2.5 kil e Rc = 3 kil, determinare RE in modo che risulti S~F=-1/31.
b) Utilizzando il valore di RE trovato in a), determinare AF.
o
c) Confrontare il valore di AF determinato in b) con quello dell'Esercizio 12.8.
Soluzione
a) Utilizzando l'analisi approssimata e assumendo quale uscita il segnale lo' l'amplificatore
senza reazione risulta
lo = ~ib;
Ib = Vj(Rs + RE + rlt)
~ = Vfllo = -RE
AOL = IjVs = ~j(Rs + RE + rlt)
T= -AOL~ =
~oRE
Rs+rlt+RE
198 Capitolo 12
R
Ib
Re
+
VI
RE
Tuttavia
si ha T = 30
Quindi
30=
125RE
2.5 + 2.5 +RE
AOL
b) AF=I+T=
e RE = 1.58 kQ
1+30
Notare che
c) Per ottenere le stessa sensitivit, il guadagno del circuito a singolo stadio risulta ridotto
di un ordine di grandezza.
12.28 Il circuito di Figura 12.12 utilizza lo stesso transistore del Problema 12.27.
a)
b)
1/31.
b) [AF =-0.746]
,
,
Amplificatori reazionati
199
\Okf!
lO kQ
Q2
5 kf!
v,
IOkn
'1
,
+
"
vo
0.47 kf!
":"
\O kf!
Soluzione
a) Questo circuito presenta una reazione di tipo serie-parallelo. Il circuito di figura seguente
evidenzia l'effetto caricante della rete di reazione.
+
\O
I
5
+r--..
Vs
0.47
rJ
IO
I
+
VF
+
\O
Vo
0.47
+
IO
0.449
v,
20
10.47
200 Capitolo 12
Ponendo ~
= gmrd= l x 20 = 20,
VI =
-20 x lO
Vs 20 + lO + (1 + 20) 0.449
AY2
= -gmRL2 = -l
AOL =
x 4.07
10.5, si ha
A =-5.07
vi
= -4.07
~=~
= 0.47 - 0.0449
Vo lO+ 0.47
T = AoL~ = 20.6 x 0.0449 = 0.925
10.7
A - AOL 20.6
F- 1 + T - 1 + 0.925
Toc
=T
= 201110.47 = 6.87 kQ
RL2
Quindi,
AY2 = -1 x
Toc
6.87 = -6.87
= AoL~ = 34.8 x
0.0449
= 34.8
= 1.56
Di conseguenza,
- -~oRCI
A OL-RE
e (12.50).
12.31 a) Ripetere il punto a) del Problema 12.29 per il circuito di figura. I transistori
Amplificatori reazionati
201
b)
mA.
+
20 kf!
20 kf!
0.82 kf!
I kf!
+
5.6 kf!
a) [T
= 7.12;
AOL
= 181;
AF
= 125]
b) [RIF = 5.03 Q]
= 5 kil,
figura?
e RF
(R1 + R2).
RCI
R,
202 Capitolo 12
Soluzione
a) La reazione del tipo serie-serie. Infatti, ponendo lo = Osi elimina la reazione, analogamente, ponendo la corrente d'ingresso uguale a zero la reazione scompare.
b) Per T l, AF '" -l/p. Dalla risposta c).
Vi"
PF=-Llo
AI=
c)
-R(R2
R,+R2+RF
Rl +R2+RF
RF
RR( 2
"'RRl 2
Il circuito, comprendente
essendoRFR(+R2
gli effetti caricanti della reazione, risulta
+
Vf~ R,
+
p=~=
-R2
R( = 0.33x 200 =-3.21
lo R( + R2+ RF
0.2+ 0.33+ 20
0.25
QI
ha 8m
= 25 = lO mS,
200
125
l
200
125
Q2 ha 8m= 25 =40mS, r1t=0.04 =5 kQ, ro=T=
125 kQ
0.5
200
125
Q3 ha 8m="25=20 mS, r1t=0.02 = lO kQ, ro= 0.5 = 250 kQ
i
I
ic2
~=~o'
'b2
ib3
--;-='c2
RL2
RL2
+ Rin3
lo
; --;-=~o
'b3
Ponendo
= 511500 = 4.95
kQ;
RL2
= 59.8 kQ
= 75.2 kQ
Quindi
=200
A
OL
( 7.08 + 75.2 )
= -AOL~ = -5.67
A
F
d)
-7.08
= lAOL
= 5.67
+ T 1+18.2
Vo lo
V=V(-RL3)=-A~L3;
s
s
200
(-3.21)
-4.95
( 4.95 + 5)
200
- 5.67
= 18.2
0.295
kQ
12.33 Determinare
[R1F
X 103
= 100 MQ;
ROF
12.32.
=22.5 MQ]
e (12.56).
ZfF= [ritI
+ Ril + ~ol)](l + T
IRs=O)
204 Capitolo 12
=-4040;
[AOL
T= 202;
AF= -200]
=767;
[AOL
T= 25.0;
AF= 29.5]
T= 93.8;
[AOL
= 14.7;
T= 1.66;
AF= 5.52]
-AJA03
Xs - I-AA/2+AIA0/.
b) Ponendo nell'Equazione (12.60) A2A3 =A. Determinare la sensitivit S~F,utilizzando l'Equazione (12.8).
s9 ""~ dG = dG/G
g dx
dx/x
= l.
Soluzione
a) Per il grafo di flusso di Figura 12.38, si ha che A2' A3 ef2 formano un anello di reazione
la cui funzione di trasferimento
risulta A2A/(I
A0/2)'
-AI(A03)/(l
- A0/2)
-AF
l -(-AI)A01/(l-A03A/2)
-AIA
I-Af2+A(Afl
-AI
(l-Af2+AJAfl?
1
I-Af2 +AJAfJ
a reazione
multipla di Figura
12.42, posto
AI
=al/(1
+ 'tIS),
Soluzione
a) Sostituendo nell'Equazione
l-A
F
(12.63)
AIA03
l-
Conopportune semplificazioni
b) Il coefficiente di S2pu essere variato agendo su a/3. Una volta fissato a13' il coefficiente di s pu essere variato agendo su a{2. Il termine costante pu quindi essere variato
agendo a Il.
12.41 Ripetere il Problema 12.40 per l'amplificatore a reazione multipla a salto di rana di
Figura 12.40.
12.42 I transistori del circuito di figura sono caratterizzati dai parametri r1t'ro e ~o.
a) Quale relazione deve essere soddisfatta affinch sia RtF = r1t.
b) Valutare AF = V/Vs per RtF = rlt.
206 Capitolo 12
+
Re
Rs
Vs
J12.43 a) Per il circuito del Problema 12.42, quale relazione deve essere soddisfatta
affinch sia ROF = ro.
b) Valutare AF = V/Vs per ROF = ro.
12.44 Utilizzando il transistore C, realizzare il circuito del Problema 12.20.
13
Stabilit e risposta
degli amplificatori reazionati
= 1 + S/wh
Avif/ooL
- l + S/ooL
~=
= l + ~Avol(l
Avo
208 Capitolo 13
Sostituendo i valori numerici si ottiene
A
s500
l
FH() - 1+ 0.01 x 500 1+ s/(21tx 50 X 103)(1+ 0.01 x 500)
83.3
- l + s/(21tx 0.3 X 106)
500
= 83 3
s/(21tx 167)
. 1+ s/(21tx 167)
PGB
13.2
= AFO
ifH
l)
MHz
Due blocchi amplificatori identici, con A =200 efh = 100 kHz, vengono utilizzati per
la realizzazione di un amplificatore il cui guadagno complessivo sia 100 e il cui limite
superiore di banda siafH ;;::2 MHz. Assumendo che i due stati non interagiscano, quali
valori pu assumere ~ per soddisfare le condizioni poste?
Soluzione
In base ai dati forniti risulta
AOL
= A2 = 4 x
AF8=-
AOL
l + To
lO" e
ovvero
100=-
4 x lO"
l + To
= 399.
20
q= 0.1 +0.1
lO
modo che l'insieme dei due amplificatori, ad anello aperto, presenti un polo dominante, si
pu ottenere l'amplificatore desiderato.
Per spostare un polo da -21t x 105 rad/s a -21t x 2 X 106 rad/s necessario un valore di
1 + To =20. Essendo AFB =AoLI(1 + To)' risultaAoL = 100x 20 =2000. Il primo amplificatore ha A = 200, quindi il secondo amplificatore deve avere un guadagno di lO. Utilizzando
una reazione locale con T2 + 1 =20, il secondo amplificatore presenta un guadagno di IO e
un polo a s =-21t x 0.1 x 20 Mrad/s.
In base alle Equazione (13.16) risulta
/0=-./0.1 x2(1 + 19) =2 MHz;
q=~0.1
+ 2 = 0.952;
k = -.!...
2Q = 0.525
Dai grafici della Figura 13.13 si ottiene che il sistema presenta ancora un picco e che la
frequenza limite a 3 dB maggiore di/o.
Infine, essendo To = -AI3, si ha che per la reazione locale deve essere, per T2 = 19 e A = 200,
1131
= 0.095;
= 2000,1131
= 0.0095.
=a./(1+sloo.),
A2
=a2/(1+sloo2)
dalla frequenza.
a) Assumendo che all3.. a2132e a.a213 siano tutti molto pi grandi dell'unit,
determinare 13 in modo che il guadagno dei due amplificatori, a bassa frequenza,
sia uguale.
b) Confrontare S~Fa bassa frequenza dei due amplificatori.
c) Se AI =A2 ell3. = 132quale amplificatore ha una banda maggiore?
d) Quale amplificatore ha caratteristiche nel complesso migliori?
Soluzione
a) I due amplificatori in cascata hanno un guadagno di
210 Capitolo 13
l-a.~,
a2
al~
l-a2~ - l-a,a2~
~=
al
a2
a.a2
(l
(l
al~.)(l
- a'~1)2(l - a2~2)
~~2)
- l-a,~.
al
~
~
(l-a,~~)2
l - a,a2~
Sostituendo il valore di
1
l-al~~
~ ottenuto
- a2~2
Poich l - a2~2 = l + T2 del secondo anello di reazione (ed T2 > l), si osserva che la
reazione globale d luogo a una migliore desensitivit delle due reazioni locali in cascata.
c) SeAl=A2e~I=~2
dove
di conseguenza
To
a) Per To = 103, COI= 0.1 Mrad/s, C02= 1 Mradls e C03= lO Mrad/s, determinare se
l'amplificatore ad anello chiuso stabile.
b) Quali sono i margini di fase e d'ampiezza. Si utilizzi il diagramma asintotico di
Bode.
a) [L'amplificatore instabile]
13.5
Ripetere il Problema
Soluzione
a) In base ai valori numerici forniti, risulta
Tis2x104
( ) - (l + sA>.2)(1+ s/40)(1 + s/200)
Dove le pulsazioni sono espresse in Mrad/s.
I diagrammi asintotici di Bode risultano come dalla figura di pagina seguente.
Dai grafici si ricava coa = 316 Mrad/s e co~= 100 Mrad/s, quindi l'amplificatore
instabile.
212 Capitolo 13
o
86
80
601
40
-90
20
0.1
"'I
IO
",2
-180
2
00.
MradlS
= IO MradlS
=100 MradlS
-270
13.6
~I
T(s)-
~I
I
= lO dB?
I)
l,
,
c) [To= 30 dB]
-~~
~---
13.8
13.9
L'amplificatore del Problema 13.5 viene compensato utilizzando la tecnica di cancellazione polo-zero al fine di ottenere un margine di fase di 45. La rete utilizzata per
effettuare la cancellazione polo-zero ha una funzione di trasferimento (l + s/z()/(l +
s/coA).
a) Determinare Zl e coA.
b) Qual il nuovo margine d'ampiezza?
a) [z( = 0.2 Mrad/s;
13.10 Si supponga che, dopo che stata aggiunta una rete di compensazione a polo e zero,
il fattore di riporto T(s) del Problema 13.5 possa essere approssimato con una funzione
con due poli
a)
b)
Determinare
Confrontare
13.9.
13.11 Il fattore di riporto di un amplificatore, dopo che stata effettuata una compensazione
a riduzione di banda, risulta
a)
Determinare
COA
in modo tale che risulti cl>M= 45.
c)
una rete
Per z( > COIe z. ::; 105, determinare COIe z( in modo da ottenere cl>M= 45.
Comparando i risultati dei punti a) e b), determinare quale tecnica di compensa-
214 Capitolo 13
=25 rad/s]
[OOA
b) [ZI
= 105 rad/s;
= 1.58 rad/s]
001
13.12 a) Determinare i margini di fase e d'ampiezza relativi a T(s) fornito nel Problema 13.11 punto a), per 001= 20 rad/s, utilizzando
i diagrammi
asintotici
di Bode.
a)
[<11M
= 49.5; GM = 42 dB]
Soluzione
Il
a) I poli ad anello aperto sono Il =0.4 MHz e/2 = 1.6 MHz. Il minore tempo di salita senza
sovraelongazione si ha per k = 1 ovvero Q = 1/2k =0.5.
Quindi
- V/J2(1 + To)
Q-
11+/2
d luogoa
To -- Q2ifl +/2)2 _ 1 o
IJ2
Il
0.4 x 1.6
Si osservi che questo un valore basso del guadagno d'anello. Per ottenere un guadagno
d'anello pi elevato, con i relativi benefici, i poli ad anello aperto devono essere maggiormente separati.
b) Il tempo di salita per il sistema reazionato, per k = 1, si ricava dalla Figura 13.15.
La variazione di x per y che varia fra il 10% e il 90%
I
"
= Qifl
= t2 -
ti
+ 12)
= 1 MHz, si ha
= (x2 -
xl)!fO
= 0.54/1.0 = 0.54
J.lS
Q .
10m
dacui k = 1/(2 X 004) = 1.25. Quindi siamo di fronte al caso di risposta sovrasmorzata. Poich
4k2 =6.25 > l, possiamo approssimare la risposta utilizzando una sola costante di tempo,
La piccola riduzione del tempo di salita, nel caso reazionato, dovuta al ridotto valore di To;
comunque
risulta
'tRF
= 'tR/(1
+ To).
13.14 Se l'amplificatre del Problema 13.13 ha T= 30 dB, quanto valgono il t,empo di salita
e la sovraelongazione (se esiste)?
['tR = 32.8 ns;
13.15 a)
a) [To = 52.5]
c: [ym= 0.9975]
13.16 Ricavare le Equazione (13.28-13.31) per la risposta al segnale a gradino di un amplificatore con due poli.
[Suggerimento: per il caso sovrasmorzato assumere k2 l e sviluppare in serie di
Taylor (1 - llk2)112].
Soluzione
In base all'Equazione (13.21), possiamo ottenere il guadagno normalizzato come
ro2
o
Vo(s)
s2 + skroos +
dove stato posto 2k = 1/Q, in base all'Equazione (13.22). Poich v/t) un segnale a gradino,
Vj(s) = Vls, ovvero
Vo(s) AFO
..Jk2- I)
216 Capitolo 13
sl,2=-OOok:J::jOOo-..J1-k2 =-oook:J::jOOd'
OOd=OOo-..J1-k2
--
S2 + 2koo os + 002
o + k2Cfl:.
o - k2Cfl:.
o
1:1
=1-
s+kooo
kooo
--- S
Vo(s)
(s + kffio)2+ oo~ OOd(s + kOOY+ oo~ VAFO
s+kooo
- kooo
OOd
=l -
in frazioni parziali
Vo(s)
VAFO
002
o
s(s+ OOY
000
s
(s + (00)2
-Vo(t) = 1 VAFO
(13.29).
Il
I
i
----------
-~
~---
000
l
l
2-./k2-1 (k+-./k2-1) s+000(k+-./k2_1)
Posto
kl =k--./k2-1
e ~=k+-./k2-l
Quindi,
Vo(S)
VAFO
:::
k (1
- "1-
~ = k (1 + " 1 - 12
12) e
l risulta
-..!!
:::
VAFO
Poich 2k2
l
1
2k e-roJ12k
- - e-'2Aroi
2k(1- 1/2k2) (
2k
)
l, risulta
1
e
2k(1
- 1/2k2)
quindi
vo(t)
-- l
2k
---
--
--
218 Capitolo 13
13.18 Il circuito di figura impiega il transistore di tipo "A"I. I valori dei parametri circuitali
sono: Rs = 2.5 kQ, Rc = 3 kQ e RF = 20 kQ. Determinare la frequenza del polo dominante, sia ad anello chiuso che aperto.
+
Re
v,
operazionale
e AFO il
13.21 Per il circuito di figura, dimostrare che il polo dominante ad anello chiuso uguale al
polo dominante ad anello aperto moltiplicato per (l + To). Utilizzare i parametri del
transistore modello "C" polarizzato con ICQ = 0.5 mA. .
I parametri del transistore "A" sono riportati nella tabella all'inizio dei problemi relativi al Capitolo 12.
7.5 k!1
o
+
Vo
-
300 !1
Soluzione
L'amplificatore in oggetto presenta una reazione serie-serie (amplificatore transconduttivo)
e il circuito senza reazione riportato in figura
+-lo
Rr
.+
V.
R.+RE
"-..,
R.
Re
r'
C,..
RF
.+
r"
IC"
I parametri del transistore sono: gl/l= 0.5/25 = 20 mS, rx = 200/20 = lO kQ, CI1= 0.3 pF e
Cx = 20/(211:x 0.4) - 0.3 = 7.66 pF.
Quindi risulta
al
kQ
Rg2= mio + gl/I?L)+ RL= 0.566 [1 + 20 (7.5 + 0.3)] + (7.5 + 0.3) =96.7 kQ
Il
=Rc+
RE= 7.8 kQ
220 Capitolo 13
al
f2
= a2 = 21t x
n=
fo
33.3
523 MHz
10.1
= ;.;~ = 110
e in base all'Equazione
=4.77"'110(1+5.66)= 129;
(13.34)
Q = "'110(~.~5.66) = 0.246
Per Q2 < 0.1 stato dimostrato che la risposta ad anello chiuso presenta un polo dominante. Quindi,fH = fl(l + To) = 31.8 MHz. Se si utilizza l'Equazione (13.43) si ottienefH ""
33.7 MHz che una buona approssimazione, per un calcolo manuale, del valore esatto.
13.22 I transistori utilizzati nell'Esempio 12.7 hanno fT = 200 MHz e CJ.l= 1 pF.
a) Determinare i valori approssimati delle frequenze dei due poli dominanti ad
anello aperto.
b) In base ai valori ottenuti rispondendo al punto a), stimare le pulsazioni dei poli
ad anello chiuso.
c) Tracciare i diagrammi asintotici di Bode relativi al punto a) e valutare il margine
di fase.
a) [tI
=0.589 MHz;
f2
=23.6 MHz]
c)
[CPM
= 67.5]
13.23 I FET dell'Esempio 12.9 hanno Cgs=5 pF, Cgd= 2 pF e Cds= l pF.
a) Stimarei valoriapprossimatidellefrequenzerelativeaiduepoliadanelloaperto
pi vicini all'origine.
b) Tracciare i diagrammi asintotici di Bode relativi al punto a) e valutare il margine
di fase.
c) Verificare la stabilit dell'intero amplificatore, sulla base dei risultati otten.uti
nel punto b).
P2 = 41.40 Mrad/s]
13.24 Ripetere il Problema 13.23 relativamente al circuito del Problema 12.24, assumendo
per le capacit parassite i valori forniti nel Problema 13.23.
P2 = 12.0 Mrad/s;
<PM 31]
=5.56 Mrad/s;
13.26 Ripetere il Problema 13.22 relativamente al circuito del Problema 12.29, assumendo
per le capacit parassite i valori forniti nel Problema 13.23.
[(01
I
1-
= 4.37
Mrad/s;
(02
= 49.2 Mrad/s;
CPM
=73.2]
= 3.04
[OO(
Mrad/s;
002
= 62.9
Mrad/s;
CPM= 47.2]
13.29 Una capacit Cc inserita fra gate e drain di Q2 nel circuito del Problema 13.24.
a) Determinare Cc in modo che risulti k = 0.8.
b) Quanto vale il margine di fase?
c) Stimare la banda ad anello chiuso.
a) [Cc
= 11.3
pF]
b) [cpM= 69.9]
c) [OOH
= 3.28 Mrad/s]
13.30 Una capacit Cc inserita fra base e collettore di Q2 nel circuito del Problema 13.28.
a) Determinare Cc in modo che risulti Q2 = 0.1.
b) Stimare la banda ad anello chiuso.
b)
[OOH
= 530 Mrad/s]
13.32 Il circuito del Problema 13.28 compensato inserendo un condensatore Cc fra base di
Q2 e massa.
a) Determinare Cc in modo che risulti Q2 = 0.1.
b) Valutare la banda ad anello chiuso e confrontare il risultato con quello ottenuto
nel Problema 13.30.
c) Confrontare il valore di Cc ottenuto rispondendo al punto a) con quello dello
stesso punto del Problema 13.30.
b)
[OOH
= 56.3 Mrad/s]
13.33 AI circuito dell'Esempio 13.7 richiesto di pilotare una capacit di carico CL =20 pF.
a)
Determinare
=
=
222
Capitolo 13
13.34 Si consideri lo stadio a emettitore comune di figura, al quale stata aggiunta una
capacit di reazione Cc
Cw
+
Re
Ce
+
R,
\"0
v,
-=-
a)
b)
c)
d)
e)
Soluzione
a)
l'
Rs
CII
"
'.
;,
+A
I c"
Vs
Lo zero ZI = gm/CC.
c)
a2 = C1tCdR)lrn)RL
)2 '" al/a2
CI!
az
= 1.5
x 25 (1011100) x lO
(Oz = 3900/3410
ZI
= 1.5 x
= 1.14 x
= 3410
= 3.90 ~s
(ns)z
109 Mrad/s
e) Se Cc = O, CJl= 0.5pF.Quindi,
al = (1011100)[1.5
+ 0.5(1 + 1.5 x lO)] + 0.5 x lO = 91.4 ns
(O,
= 1.5 x
= 1.34 x
109 rad/s
l
Ce
v..
Re
+
v.
-
R,
-=-
CI!+ Cn.
= g,,/CI!
= O.
224 Capitolo 13
Soluzione
L'amplificatore operazionale un separatore a guadagno unitario e quindi il circuito equivalente risulta quello riportato in figura.
vn.
Quindi
Ree"" Rs'gmRe
Si osservi che la componente di azione diretta della costante di tempo, RLCe, omessa in
virt della caratteristica unidirezionale del separatore.
.
b) Poich il separatore unidirezionale, lo zero si verifica a quella pulsazione in cui la
corrente in CJl uguale a gmVn, ovvero sCJlVn = gmVn. Quindi lo zero si ha per s
= gn/CJl.
c) Utilizzando i valori numerici forniti nel Problema 13.34, con Cc =25 pF, si ha
al = (1001110)x 1.5 x lO x 25 = 3410 ns
p( "" lIal = 0.293 Mrad/s
Sz = 1.5/0.5 = 3 Grad/s
Con Ce = O,SZha la stessa frequenza. Tuttavia
al = Rs'Cn + Rs'(1 +gmRe)CJl+ CJlRe
'I
I
Il.
Cc
+
\ MO
Q\
+
Q2
Ro = 0.333 MQ]
c) [f. = 25 kHz]
v.
. MO
13.38 a) Analizzare il circuito del Problema 13.37 utilizzando la teoria della reazione e
valutare AOL(s), (3(s), T(s) e AF(s). Si osservi che tutti questi parametri sono
funzione di Cc.
b) Valutare T per s =jro = O. Il risultato ragionevole?
c) Nell'ipotesi che is sia un gradino di corrente, tracciare l'andamento temporale
di vo(t).
RL'R/
a) [AoL(s)=,
Rs +ZL
l
,
Gm(RLIlZx) -; + sCc
(Rs
~(s)
=-sC6
226 Capitolo 13
b) [T(s)
= O]
13.39 Il polo dominante -COIdel circuito del Problema 13.37 uno dei due poli del guadagno
ad anello aperto AOL(s) = 105/(1 + s/coI)(1 + s/2rc x 107)di un amplificatore operazionaIe. Determinare Cc un modo che il margine di fase per un guadagno ad anello chiuso
unitario sia di 45.
Soluzione
Assumendo lOco) :::;co/lO, ovvero COI:::;105 rad/s, i diagrammi
tati in figura
In.dB
LT. gradi 6
100
01
I
Il
IO
I
7
IO
(J)
8
IO
(J),radls
I
I
-90
(J). radls
2
IO
I
.....
--t
-m
In
n
-180
<l>M
=45 ':)J
14
Caratteristiche degli amplificatori
operazionali
a) [R = 137.5 kQ]
14.2
c) [no]
a) Nel circuito in figura IR = 50 J.!A;calcolare il valore del rapporto R1/R2 per cui
si ha lo = 100 J.!A.
b) Quanto vale la resistenza di uscita dello specchio?
+15v
IR
228 Capitolo 14
14.3
a) I transistori pnp in Figura 14.2 del testo hanno una tensione di Early pari a
VAP =50 V, mentre quelli npn hanno una tensione di Early pari a VAN= 120 V.
Detta ICQla corrente di polarizzazione, dimostrare che la resistenza di carico del
transistore npn
VAN VAp
RL=
ICQ(VAN+ VAP)
b)
c)
d)
Valutare RL"
Per r1t Rs e ICQ 0.1 ~A, calcolare V/Vs"
Il risultato ottenuto al punto c) risente delle variazioni
b) [RL
14.4
= 353
kQ]
c) [Av
= -1410]
di I CQ?
d) [no]
Soluzione
a) Per la corrente di collettore si ha IC4 =ICI + IBi + 102 ""IR. Assumendo
~F
1, si ha
IESl
- lESI
Le correnti di saturazione dei transistori sono direttamente proporzionali alle aree di giunzione, per cui
IC2- A2
ICI - AI
La I legge di Kichhoff impone che, per ~F
A2
lo
b)
=ICI
+ AI
A2
ICI
=( 1 + AI ) IR
Usando l'Equazione
(14.2) si ottiene
A2
A2
300
=( l + A I ) 50
oppure
AI= 5
c) Per ottenere una corrente di 300 /lA con transistori pnp necessario ricorrere a transistori
di grande area e valori di resistenza elevati.
d) L'area A2 deve essere minore di A l'
14.5
In figura mostrato un amplificatore operazionale a due stadi (vedi anche da Problema 14.6 a Problema 14.10).
a) Individuare la funzione di ciascun transistore.
b) Verificare che, in assenza di segnale di ingresso (le basi di Ql e Q2 sono
entrambe a massa), Vo = O. Tutti i transistori npn hanno ~o = ~F = 200, VA
= 120 V, CI! =0.5 pF e/T =400 MHz. Tutti i transistori pnp hanno ~o =~F = 50,
VA = 60 V, CI!= 0.5 pF e/T = lO MHz. Usare Vcc = 15V.
+Vcc
Cc
VI
-Vcc
14.6
14.7
Soluzione
a) La resistenza di uscita della coppia differenziale
230 Capitolo 14
con IIC71
= Ild.
120
60
ron= 20 = lO MQ; rop=U=5 MQ
e Ro = lO Il 5 = 3.33 MQ. Il modello dello stadio CC-CE
50
= 25 = 0.56
ro9
=14 = 8.57
mS
120
200
r1t9=-=
0.56
MQ
357 kQ
12
gmlO
120
= 25 =0.48
rolO=12
mS;
= lO
MQ
200
rltlO= 0.48 =417 kQ
.;
I
I.
12
gm5
50
= 25 = 0.48
50
r05=U=4.17
e usando l'Equazione
R
rlt
= 0.48 = 104
kQ
MQ
(10.12) si ha RE5 = 6.48 kQ. Allora
= 16.4 MQ
= 4170 1 + 50 x 6.48
05
mS;
104+6.48
si ha
da VTh =AV9
Vs' dove
A =
(200 + 1)(50118570)
- 0.730
v9 3330 + 357 + (200 + 1)(50118570)
R
TII
l + 200
09
AylO
= rolO
= 9.32
MQ
14.8 a) CalColare CMRR, ADMe Ro dello stadio differenziale del Problema 14.5.
b) Quanto vale la resistenza differenziale di ingresso?
= 76.4
a) [CMRR
14.9
Determinare il guadagno di tensione e la resistenza di uscita dell'inseguitore di emettitore. Supporre che Ql Osia polarizzato con Ic = 12 J.LAe che la resistenza di ingresso
dell'inseguitore di emettitore possa essere approssimata con ~RE' dove ~ il gudagno
di corrente del transistore composto e RE la resistenza effettiva di emettitore.
Soluzione
Si assuma RL ~ l kQ e ICI2 =250 J.LA(per alimentare carichi con corrente di picco pari a
250 J.LA).Con RL ~ l kQ e ~c ~02= 2002, la resistenza di ingresso della coppia Darlington
Ri > ~/RL =2002 X l =40 MQ.
""
li
Cos
Vo
(200)2Vs
"',...,..
+ 40,000 x l
= 0.866
Si noti che Ay e Ri sono valori approssimati. Se si tiene conto di rn' Ay aumenta leggermente
(Ay =0.9).
La resistenza di uscita Ro dell'inseguitore di emettitore Darlington si pu calcolare dalla
figura applicando due volte, prima a Rxx e poi a Ro. la relazione in Tabella 1O.3b, in cui si
sia sostituita Rs con RL.
232 Capitolo 14
+
Q/2
20
=7.3 kHz]
208 kn]
Re
Re
Voi
V02
Q2
QI
Soluzione
a) Per soddisfare la I legge di Kirchhoff al nodo comune alle due R I deve essere
ICI + ICl
= aFIEE
(1)
= VBEI -
+ (Rl/aF)
VBE2
(lCI
(2)
ICl)
Poich
ICI
= e(VOEI - VB2Wr
(3)
ICl
risolvendo
- alEE
l - alEE
CI- l + e-6VIVr Cl- l + e6VIVr
(4)
dove LlV= VBEI - VBE2Occorre ora mettere in relazione L\V con vdoDalla (4) si ha che
ICI -l cl pu essere espresso come
CI
Poich
-l
Cl
(eX
=a
l
IEE
1+ e-6VIVr
l
1+ e6VIVr
= aIEE(e6VIVr-
e-6VIVr)
234 Capitolo 14
(5)
Sostituendo la (5) nella (2) si ottiene
Vd= Av + R)IEE tanh 2~V
T
da cui
(6)
Per 12AV/V~
(7)
+ 2RlE/!VT)
Sia la (7) che la (8) indicano che per forzare una stessa corrente in uno dei transistori
occorrono valori pi elevati di vd di quelli che occorrono con R I = O(nello stadiostandard
ad emetti tori accoppiati).
Le caratteristiche di trasferimento hanno forma simile, tranne che necessario avere Vd>
4VT= 100 mV.
-4 VT '" -100 mV
-4VT'" -100 mV
Si noti che R / EEdetermina di quanto la vd deve essere maggiore di 100 mV per far commutare
la corrente (come nella porta ECL). Inoltre, dalla (6), se vd = O, poich x = k tanh x soddisfatta solo per x
b)
= O,
si ha ICJ
ICJ..
Cio
oppure
IVdl
= 100 + 2 x
100 x l
= 300 mV
Q3
IO kf!
Q\
+
Vo
Q\
Q2
236 Capitolo 14
b) Se 0.1 < lill < lO, che errore si commette assumendo che lill
llRI
IV.
c) Come si modifica la risposta al punto b) se si aumenta llRI?
b) [5.76%]
=R/R2?
Usare
c) [l'errore diminuisce]
14.17 Nel semplice amplificatore operazionale di figura, tutti i transistori npn hanno
~F =200 e tutti quelli di tipo pnp hanno ~F =50. I generatori di corrente sono realizzati
con pnp. Verificare che quando vI = v2 =O si ha Vo = O.
+15V
v.
-15 V
14.18 Le tre sorgenti di corrente dell'AO del Problema 14.17 sono alimentate dalla stessa
corrente di riferimento lR =300 ~A. Disegnarne il circuito.
14.19 Assumendo ~F = 250 per i transistori npn e ~F = 50 per quelli pnp, determinare le
correnti di base nello stadio differenziale e in quello di guadagno dell' AO tipo 741 in
Figura 14.19.
[IBI
=lB2 = 36.8
nA;
lBI6
=71.2 nA]
14.20 Nella figura di pagina seguente rappresentato il modello circuitale di uno stadio
differenziale realizzato con un amplificatore operazionale di cui sono note le correnti
e la tensione di sbilanciamento.
a) Determinare la componente della tensione Vo dovuta al segnale differenza
vI - v2'
b) Determinare la componente di Vodovuta a lj2.
c) Ripetere il punto b) per Vos'
d) Per vI = v2 determinare la tensione totale di sbilanciamento all'uscita.
e) Calcolare la tensione di sbilanciamento di uscita per Vos= 6 mV, Iio = 0.2 l!A,
IBI = IB2= 0.5 l!A, RI = 50 kQ e R2 = 500 kQ.
Soluzione
Per risolvere il problema assegnato conveniente usare il principio di sovrapposizione degli
effetti, per calcolare singolarmente i contributi all'uscita dovuti a ciascun generatore: v" V2'
Vos' lio'
Si noti che se IBl = IB2'i contributi dovuti a questi due generatori si annullano reciprocamente.
a) Con Iio =O e Vos =O si ha
b)
Con vI
il seguente
Capitolo 14
238
Vx = O, da cui
Vo-Vy
R2
(1)
Vy
/J=-
R(
La I legge di Kirchhoff
impone che
RI
R I + R2
Eguagliando
c)
Con VI
RIR2
v-
2(R I + R2 )
/./O
(2)
= v2 = O elio
+--
R2
12
+
Vx
vr
RI
RI
R2
Il!
d)
Con VI
Vo
=v2' l'uscita
= R/io
+ (RiRI
vo=500xO.2+
+ l)Vio
500
50 +1 6=166 mV
14.21 a) Usare la teoria della reazione per calcolare la componente del segnale in uscita.
b) Quanto vale la componente dovuta allo sbilanciamento in uscita?
Vo
v,
14.22 Si prenda in esame l'amplificatore operazionale di Figura 14.22b il cui modello circuitale mostrato in Figura 14.21. Ponendo Ro = O e V;o =Odimostrare che:
a)
182
-R'RR;Av
V I
02- (R;+ R I)(R' + R) + RR' - AflR; B2
b)
la tensione
01
c)
RjRI(R + R')Av
(R+R')(RI
Dimostrare
IBI
+R) -AflR;+RR'
BI
minimizzata
scegliendo
= RR'/(R+ R').
RI
in figura, VI e V2 rappresentano tensioni inde~ideralc. Dimostrare che se Rj ~ 00 , Ro = O,Avi < Oe A,.~< O.allora
Vo = Av2 [AvI (V'
con
V'=V-
Dimostrare
V2]
-
R
R+R'
V' +
K
inoltre che, se
Av~vIR/(R + R')
Vo=(1
VI)
l, allora
+ ~)(VI + :~)
14.24 Lo stadio differenziale a JFET in figura viene usato per realizzare un AO ibrido. Cio
lo stadio di ingresso a JFET viene realizzato usando componenti discreti, mentre i
transistori bipolari ed i rimanenti stadi sono realizzati in tecnologia integrata. Il JFET
ha IDss =3 JlA e Vp = -3 V. Il bipolare ha PF = p"= 200 e VA = 100 V. Calcolare
CMRR e ADM'Per il JFET usareA.= 0.0l V-I.
240 Capitolo 14
+Vcc
6 kf!
lOkf!
6 kf!
20 kf!
Cc
v.
1.2V
-Vcc
[CMRR
=74.2
dB;
ADM
=-20.4]
+Vcc
[ADM -300]
'.
500f!
500 f!
-Vcc
14.26 Il circuito in figura noto come amplificatore differenziale di corrente e viene spesso
.
-i.
Q3
Q2
QI
c) [00.
= 600 rad/s]
242 Capitolo 14
A
OL
a)
2 x lOS
(l + S/CO,)(1 + S/(02)
Per co2
= 107.5 rad/s,
ripetere il Problema
a)?
14.30 Alcuni AO sono "parzialmente" compensati. Ovvero, viene usata una compensazione
interna per fornire un margine di fase di 45 per AFO= 5. Per l' AO del Problema 14.29,
C02= 107rad/s e
l
co\=
Req(C,+ Cc)
dove C, la capacit di compensazione interna e Cc quella esterna.
a) Con Cc = Oe C, = 2pF, determinare
Req.
Soluzione
a)
sto
Se AFO = 5 si ha RiR,
Ts_2X105
( )5
= 4 e T(s) = R,AoL/(R,
=AoL/(1 + RiR,).
Si ricava da que-
l
(l + s/co,)(1+ s/107)
=45,coG= 107rad/s
Per <l>M
COI
+ R2)
= 250 radls
Con Cc= O,
COI= l/ReqCI ovvero Req= 1/(250 x 2 x 10-(2) = 2000 M,(-"
b)
pi alta frequenza
=AoL(s) = 2 x
= 100 -
= 98
pF
14.31 L'amplificatore del Problema 14.30 viene usato come amplificatore invertente. Deter-
14.32 Il guadagno ad anello aperto dell' AO in Figura 14.32a pu essere approssimato con
Aj(l
+ S/O)I)(l + s/O)z).
= 1.
Soluzione
a) Essendo la rete di reazione resistiva, AOLe T hanno la stessa risposta in frequenza.
AOL ViVI' e a causa della partizione di tensione si ha
RH+ lIsC
A + RH .
t 1_;"
VI
VI -
-l + sRHC
si ottiene
Avo
A causa della cancellazione polo-zero 0)1 = l/RHC e il polo a -l/(RA + Ru)C posizionato
in modo da ottenere il valore desiderato di <I>M.
c) Lo stadio, assumendo che l'amplificatore non ;;werta e la cancellazione polo-zero, il
seguente
b)
107rad/s. Allora
244
Capitolo 14
La pulsazione di polo
Tooox
= ooG
OOx
ovvero
OOx
= 107/HP = 100
in modo che
rad/s
E quindi
RAC + RBC
= 10-2
RAC
::::
10-2
Scegliendo C = l nF si ha
Soluzione
a) Il circuito per il calcolo di T il seguente
+
+
R2
R
Vi
c:;:;:::
-Av V;Z
V=x
V.=
I
R2+Z
R + lIsC
R+ l/sC+Rx
b)
001=
T(s)-
14.34 Nella parte (a) della figura rappresentato il grafo di flusso di un AO a tre stadi con
guadagno ad anello chiuso unitario.
a) Quanto deve valere <01se cI>M=45?
b) Viene aggiunto una percorso diretto per il segnale, costituito da un quadripolo
avente una funzione di trasferimento 'tsl(1 + 'ts), come mostrato nella parte (b)
della figura. Usando il valore di <01calcolato in a), per quale intervallo di valori
di 't si ha un incremento di cI>
M?
-I
x, o
I
..
6
I + s/J06
30
I + SIOlI
o x.
30
I +s/l()5
(o)
x, o
I
..
I
..
o x.
(b)
x,
o x.
rs
I +rs
246 Capitolo 14
= 18.5 rad/s]
a) [001
= 105 rad/s]
b) [00
Soluzione
a) La massima pendenza di una sinusoide vale VII/oo.Per non avere distorsioni non lineari
tale pendenza deve essere minore dello slew-rate dell' AO. Quindi 00= lO Mrad/s.
b) Analogamente si trova 00=3.33 Mrad/s.
14.39 a) Per l'amplificatore in figura calcolare T(s).
b) Questa configurazione circuitale pu essere usata per compensare l'amplificatore? Giustificare la risposta.
",
"o
Soluzione
Se l'amplificatore ha guadagno finito Av' l'uscita ottenuta per sovrapposizione degli effetti vale
Va=
-R0v
R1(I+A)+R2
VI +
R4
A/R l + R2)
R3+R4R(I+A)+R2
V2
-AvV,
V R +
0- R l ( l +A v) +R 2 2
Se R]/R2
RiR. +R2) -A
R 3 +R 4
DM I
= RiR4, si ha
A - -Av2R2
DM- R,(I + Av)
ACM
=o
e CMRR ~
00
Infatti
R2R3+2R2R4+R,R4
CMRR =
R2R3 - R,R4
a)
Per RL
14.44 In Figura 14.43, l'amplificatore differenziale ha un guadagno di 12, lo stadio di guadagno e quello di uscita hanno ciascuno un guadagno di 30, mentre l'inseguitore di
source ha un guadagno di 0.9.
248 Capitolo 14
Vo
a) [VIn = 1004]
b) [Cc
= 1.65
J.1F]
14.45 Nel circuito in Figura 14.46, Rs = 5 kQ, RL = 30 kQ, gm = l mS, Cgs= 5pF e
Cgd
a)
b)
c)
d)
= 2 pF.
Posto Cc = O, calcolare il polo dominante.
Calcolare lo zero della funzione di trasferimento.
Determinare Cc in modo da ottenere un polo dominante alla frequenza di 1kHz.
Assumendo per Cc il valore calcolato al punto c), quale sarebbe la frequenza di
zero se non si usasse il separatore?
- VI)
Vo
14.47 Dati i segnali vI e vz' usare due amplificatori invertenti in modo da ottenere un'uscita
Vo =k(vz - vI)' con k positivo.
14.48
ADVBO
4
---o
Vo
15
Generazione ed elaborazione
di forme d'onda
15.1 Si verifichil'Equazione(15.4)
Soluzione
A
(1)
IzR + 13 = -g/llRLVgs
(2)
RI3 = O
=O
(3)
A
Risolvendo questo sistema per 13,si pu valutare Vgs= RI3 e T = - Vg/Vgs' Ponendo p =sRC,
sostituendo p =jroN e riorganizzando i termini dell' espressione si ottiene l'Equazione (15.4).
15.2
a) Per la rete riportata in Figura 15.2a del testo, si impieghi la tecnica della rezione
per dimostrare che l'impedenza di ingresso vale
252 Capitolo 15
Z.=R
Soluzione
a) Zj si pu calcolare usando la formula dell'impedenza di Blackman
ZiO=R IlZxx; ZXX=[(s~ IlR + s~ )11R] + s~
Tsc =Opoich il cortocircuito tra A e B porta a Vgs= O. Toc = T, secondo quanto trovato nel
Problema 15.1 ed espresso dall'Equazione (15.4). Combinando questi termini si ha
. oc
ZiO
ZjF=
,.,.
Z. =R 1- 5(6)- j-{6(6 - 6) =R
29
l
3 - 6 - j4-{6
3 + j4-{6
=R(O.83 -
i2.70 ) Q
Soluzione
Se si considera il carico di uscita dell'amplificatore a JFET il circuito diviene
c
c
+"
R
+
253
Leequazioni di maglia del circuito mostrato sono identiche a quelle del Problema 15.1, tranne
una modifica nella (l) per tenere conto di RL
1\
Il(RL + R + lIsC)
12R + 13 = -gmRLVgs
dove k
1-
=RL/R. La frequenza
%J6 + 4k) =O
da cui
=-l
cos
gmRLro~
5+k-ro~1+4k)
Sostituendo roNe risolvendo per gmRLsi ottiene il guadagno dello stadio a JFET come
R - 4k2+ 22k + 29
gm L l + 4k
Si noti che per k
Problema 15.1.
15.4
= O (l'effetto
~0~4k+ 2: +23
dove k
= RdR.
254 Capitolo 15
Vcc
...-
Re
RI
II
R3
lb
- J--iJ
--<>-<>B2 BI
R2
eil
I C
Soluzione
a) Sostituendo il generatore comandato di corrente con il suo equivalente di Thevenin e
scrivendo le equazioni di maglia del circuito risultante si ottiene
1\
/3olbRe
(1)
(2)
(3)
12
= 13(2 - ja.)
= III
+ 3k
Il guadagno di corrente di anello lilb e quindi, dovendo questa grandezza risultare reale,
la parte immaginaria deve essere nulla, ossia
Cos
l
f
Il
Il
= 21tRC;/6 + 4k
255
A questa frequenza
=-L
!.l2.
13 ~ok
Per li/h> l si ha
~o> 4k + 23 + 2:
29
c) ~o=4k+23+k
Cos
?; = 4 - 29/k2 =O
da cui
= (29/4)112 = 2.7
E infine ~om..
. =4(2.7) + 23 + 2912.7 =44.5
15.5 Si progetti un oscillatore a sfasamento che lavori alla frequenza di 8 kHz. Si impieghi
un MOSFET con Il = 59 e rd = lO kQ. La rete di sfasamento non deve caricare l'amplificatore.
a) Si trovi il valore minimo della resistenza di drain RD per il quale il circuito pu
oscillare.
b) Si valuti il prodotto RC.
c) Si scelga un valore ragionevole per R e si valuti C.
b) [RC
= 12.99 Ils]
c) [R =30 kQ;
C =430 pF]
15.6 Con riferimento all'oscillatore a FET mostrato in figura, si trovi a) V/VD, b) la frequenza di oscillazione, c) il valore minimo del guadagno dello stadio a inseguitore di
source necessario per l'oscillazione.
+VDD
R
R
I c
.
I c
+1
VI
I
-I
-l R,
0+
Vo
= Vss
0-
256 Capitolo 15
Soluzione
a) Si consideri la rete di sfasamento ridisegnata in figura
F
-o
Vo
= =
~L.l
Vo
29
+ l - 30 -
29 - -...
= 21tR016
= -~A
= 0.967
15.7 Il circuito in Figura 15.2a impiega un JFET che ha gm = 5 mS e ro = 50 kQ. I condensatori Cdse Cgshanno un effetto trascurabile alla frequenza di lavoro. Si determinino
RDe C, per R = 100 kQ, necessari per la generazione di una oscillazione a lO kHz.
C = 65 pF]
Av = 3]
"
257
a) [(00mIO
. = 100 rad/s;
15.10 a) Si progetti il circuito in Figura 15.3 in modo che oscilli alla frequenza di 2 kHz.
Si scelgano R( = R2 e CI = C2 e non si faccia uso di valori di resistenza inferiori
ad 1 kQ.
b) Se la tecnologia di realizzazione del circuito permette di ottenere resistenze e
condensatori con tolleranze dell' l % rispetto ai valori nominali, qual l'indeterminazione sul valore della frequenza di oscillazione?
a) [R( = l kQ;
=0.0796
CI
IlF]
15.11 Un oscillatore di Hartley viene progettato con L( =2 IlH e L2 = 20 IlH e con un condensatore variabile.
a) Si determini l'intervallo di variazione della capacit necessario per poter variare
la frequenza da 950 a 2050 kHz.
b) Si progetti un opportuno stadio ad amplificatore operazionale per ottenere il
guadagno richiesto Av'
a) [Cmax = 13.9 pF;
Cmin
=3.0 pF]
b) [Ay =-100;
R(
= 3.69
IlH;
b) [Ay =-75;
RiRI
= 75]
di corrente
- l
I.
Rj
258 Capitolo 15
15.14 Il circuito relativo al Problema 15.13 pu essere usato come oscillatore di Colpittsnel
caso in cui Z) =-j/mC \> Z2 =-j/mC2 e Z3 =jmL. L'amplificatore di corrente ha una
impedenza di ingresso Ri e una resistenza di uscita infinita. Si determini la frequenza
di oscillazione e il valore di Ai necessario per sostenerla.
1
. A - C IC ]
[m O-.ITf'C
2I
( C ) +C"2
i-
15.15 In questo problema viene esaminato l'effetto sulle prestazioni di un oscillatore dovuto
all'uso di componenti reali. Si consideri l'oscillatore di Colpitts riportato in Figura 15.5 nel quale la capacit dei condensatori valgono 500 pF e 50 nF e l'induttanza
di 20 J.LHpresenta una resistenza parassita serie RL = 4 n. Si determini la frequenzadi
oscillazione e il valore di Av necessario per sostenerla.
= 104]
15.16 Vogliamo valutare l'effetto della resistenza serie parassita associata a un 'induttanza
reale sulle prestazioni del circuito di Hartley riportato in Figura 15.5. Per C = 100pF,
L) =99 J.LHin serie con IOil e L2 = 1 J.LHin serie con l n, si trovi la frequenzadi
oscillazione e il valore di Av necessario per sostenerla.
[mo =9.986 Mrad/s;
Ay
= 105]
15.18 Nella struttura a ponte di Wien di Figura 15.3, Z) formata da R, C e L in serie, mentre
Z2 una resistenza R3' Si trovi la frequenza di oscillazione e il valore minimo del
rapporto R/R2.
.,
Generazione di fonne d'onda
259
+
R
0.01 JJF
IOkf!
10mH
[1%]
15.21 a) Le porte NOR di Figura 15.13 possono assorbire o erogare una corrente massima
pari a 5 mA. Per VDD= 5 V e VT= 2.5 V, si determini la durata massima dell'impulso con C = lnF.
b) Il diodo tagliatore ha v.y = 0.5 Vela sua Rf vale 20 Q. Qual il valore massimo
di vx?
[Vx= 5.5 V]
15.22 Le porte NOR di Figura 15.13 sono realizzate in tecnologia NMOS. La tensione di
-alimentazione
5 V e i livelli logici sono V(O) = 0.2 V e V(I) = 5 V. Si assuma
VT= 2.5 V.
a) Si ricavi l'espressione della durata dell'impulso. Si supponga che vengano usati
diodi tagliatori e che questi ultimi siano caratterizzati da Vy =0.6 V e Rf = 20 Q.
b) Si disegnino le forme d'onda di voi' vo2e vx.
[T = 0.652 RC]
260 Capitolo 15
15.23 Se si suppone che la VTusata per il Problema 15.22 possa variare del 10% da esemplare
a esemplare, qual l'intervallo di valori possibili risultanti per la durata dell'impulso?
[Tmin
=0.557
RC;
15.24 La porta NOR in Figura 15.13 caratterizzata da parametri che variano da esemplare
a esemplare. Si supponga che la VTdel MOSFET vari del 20%, VDDdel 5%, R e C del
20%.
Determinare i valori minimo e massimo della durata dell'impulso, quando i valori
nominali di R e C sono rispettivamente di IO kQ e 200 pF.
a) [TImax = 1.22 RC;
TI.mIO=0.350 RC]
TI.mIO=0.70 ~s]
caratterizzato
a 5 V.
Soluzione
a) L'uscita un'onda quadra il cui semiperiodo, dato dall'Equazione (15.19), vale
T/2
= RC
ln3
Quando l'uscita della porta 1 ha una transizione da V(l) a V(O),per t =O+, voi
e dovendosi
Vx
mantenere
= (VDD +
VX (TI)
Vc
= V1"
essere
Vx
VT)-T.IRC da cui
VDD+ VT
v
=RC In 3
T
per
VT = VDd2
TI,
Infine
= VDD +
VT)-IIRC
= VT = (VDD +
TI =RCln
deve
VT. Allora,
per t:::;;O si ha
= TI
+ T2
=2
RC In 3
= 2.2
261
RC
b) Poich la corrente di ingresso di una porta CMOS nulla, la corrente scorre nelle uscite
delle porte CMOS, in R e C. La massima variazione di tensione ai capi di R si ha durante la
transizione di voI da V(O) a V(l), quando contemporaneamente v02va da V(l) a V(O). Poich
ve resta costante durante la commutazione, si ha che vR = voi - Vxsperimenta una variazione
di 5 - (-2.5) = 7.5 V. Perci l =7.5/50 =0.15 J1A. Durante l'altra transizione, i diodi di
protezione limitano la corrente al valore viR = [V(l) + Vy]/2, che minore di 0.15 mA.
15.26 Il circuito astabile del Problema 15.25 viene ora alimentato con VDD=6 V.
a) Si determini il periodo dell'onda quadra in uscita.
b) Si disegnino le forme d'onda di voI' v02' Vx e ve in funzione del tempo. Si
individuino con precisione le costanti di tempo.
[787 J1s]
15.27 Il multivibratore astabile del Problema 15.25 viene ora alimentato con VDD= 3.5 V.
Si ripeta, in queste condizioni, il Problema 15.25.
Soluzione
a) Si assuma che per le porte CMOS sia ancora VT =2.5 V. In questa ipotesi l'uscita v02non
pi simmetrica e il suo andamento deve essere valutato a tratti.
-Vy
Per t
= 0-
T2
si abbi~ voi
J TI
= VDD,
V02
= O e vx = 2.5
= VT. La
262 Capitolo 15
vc = Vx -
V02
VDD+ V"f
Vr
istante
voi
VDD.Per t
= TI+ si ha poi
voi = VDD,v02= O
e Vx= Vr- VDD,per cui interviene nuovamente il diodo di protezione limitando Vxa -Vr
Allora
Vx
= VDD -
[VDD
( - V"f)]e-fIRC
e infine
VDD+
T = TI + T2 =RC In
Vr
V"f
VDD+
V"f
+ VDD- Vr
]
+ In 3.5
.
3.5-+ 0.5
2.5]
[In 3.52+50.5
= 0.928
ms
15.28 Il circuito in Figura 15.17 viene realizzato con C = lO nF. Le porte CMOShanno
Vr = 2.5 V e sono alimentate a 5 V. I diodi D 1 e D2 sono supposti ideali. Si determinino RI e R2 in modo da ottenere in uscita una forma d'onda di periodo 50 J.l.scon
l'impulso positivo di durata pari a IO /ls.
R2
=5.07 kQ]
263
15.31 a) Si dimensioni il circuito del Problema 15.30 con la condizione che i valori di
resistenza usati siano compresi fra lO kQ e 22 MQ e che il valore di capacit
sia il minore possibile. Si utilizzino valori standard con tolleranza del 5% per
resistenze e capacit.
b) Qual il massimo errore risultante sulla durata del periodo?
c) Qual la durata dell'impulso pi breve?
a) [R) = 22 MQ; C = 1.31 nF; R2 = 22 kQ]
b) [10.5%]
c) [T2.mln = 17.9 Jls]
fino all'istante
= r,
ritornato
nel suo
stato stabile.
b) Si rica\i una espressione per la durata dell'impulso T.
+Vcc
RL
RI
Q)
-VBB
[T=RCln
2VCC- l]
VCC- Vy
15.33 Il circuito nella figura di pagina seguente un multivibratore astabile a JFET a componenti discreti.
a) Si ripeta per questo circuito la parte a) del Problema 15.32.
b) Si ricavino le relazioni che legano i parametri del circuito al periodo e alla durata
degli impulsi in uscita.
264 Capitolo 15
+VDD
RD
RD
-VGG
[T=RCln
= VZ2 = 5 V.
Se ne spieghi l'andamento.
b) Si ripeta la parte a) nel caso in cui il gudagno per grandi segnali dell'amplificatore operazionale sia pari a 10,000.
c) Si ripeta la parte a) nel caso in cui sia applicata una tensione positiva di 2 V fra
il terminale negativo delI'operazionale e la massa.
~
Okn
VI
+
Vo
r-
15.35 a) Facendo uso di due comparatori e di una porta AND si progetti un sistema la cui
uscita al livello logico 1 se e solo se il segnale di ingresso cade nella finestra
di valori compresi fra VRI e VR2.Se ne spieghi il funzionalmento.
b) Si desidera determinare con una incertezza di 50 mV l'ampiezza di un impulso
che pu variare fra Oe un massimo di 5 V.
Si modifichi il sistema progettato al punto a) in modo da rendere possibile questa
operazione.
15.36 Nel comparatore rigenerativo di Figura 15.22 si desidera avere una tensione di soglia
VI pari alla tensione di riferimento VAcon una isteresi di 0.1 V. Si determinino i valori
265
[VA 5 V;
Vz =4.3 V]
15.37 a) Per realizzare il trigger di Schmitt di Figura 15.22 si fa uso di diodi Zener da
6 V i quali presentano una VD = 0.7 V. Si calcolino i valori del rapporto R1/R2
e della tensione di riferimento VA che consentono di ottenere una tensione di
soglia VI = OV e una isteresi di 0.2 V.
b) Questo comparatore viene usato per squadrare un'onda sinusoida1e a 4 kHz la
cui ampiezza picco-picco 2 V. Si calcolino le durate positiva e negativa della
forma d'onda in uscita.
riferimento VA,
Quanto deve valere VA per avere una V2 negativa?
=-V2?
c) [VA = O]
=5
R l' Si disegni la
forma d'onda in uscita quando all'ingresso viene applicata una tensione sinusoidale con ampiezza di picco di 8 V (si adoperi la stessa scala dei tempi per
l'ingresso e per l'uscita).
R,
Il
YI~-
-L
r-
'.
15.40 a) Nel generatore d'onda quadra di Figura 15.25 vengono impiegati due diodi Zener
con valori diversi delle tensioni di soglia VZI e VZ2'Nell'ipotesi che l'uscita possa
assumere solo i valori +Voi o -Vo2' dove Voi = VZ1+ VD e Vo2= VZ2+ VD, si
verifichi che la durata della parte positiva della forma d'onda in uscita data da
266 Capitolo 15
TI
= RC
In l + ~Vo:IVol
l-~
b) Si verifichi che Tz (la durata della porzione negativa) data dalla stessa espressione con VoI e Voz scambiati di posto.
c) Se VoI> Voz, TI risulta maggiore o minore di Tz? Si giustifichi la risposta.
15.41 Il generatore di onda triangolare di Figura 15.27 ha una tensione Vs per il controllo
della simmetria posta sul terminale non invertente dell'integratore.
a) Si verifichi che la velocit di salita per la rampa positiva data da (VO+ Vs)/RC.
b) Si determinino i valori di TI, Tz e f
c) Si verifichi che l'espressione del ciclo di lavoro quella data dall'Equazione (15.34).
15.42 Si verifichi l'Equazione (15.37) per la durata T dell'impulso in uscita dal multivibratore monostabile in Figura 15.29.
15.43 a) Si consideri il generatore di impulsi mostrato in figura. Si trovino i valori di vz.
Voe vI nello stato di riposo (prima dell'applicazione dell'impuilso di trigger).
b) In t =Oviene applicato in ingresso un impulso di trigger positivo di breve durata
e di ampiezza superiore a VR'
Si trovino i valori di Voe vI a t = 0+ (si ricordi che la tensione ai capi di un
condensatore non pu cambiare istantaneamente). Si disegni la forma d'onda di
Voe vI in funzione del tempo.
Si dimostri che il circuito si comporta come un multivibratore monostabile
caratterizzato da una durata T per l'impulso di uscita.
c) Si determinino i valori di Voe vI per t = 'r e si prosegua il disegno della forma
d'onda fino a quando si raggiunge nuovamente la situazione di riposo. Quanto
vale il tempo di recupero? (Il diodo interdetto o in conduzione?)
d)
= RC
In (2V/VR)
v.
v.
c
R
267
Soluzione
a) Si faccia riferimento alla figura. In condizione di riposo v2 =-VR e il comparatore a
= Vo = Vz + VD.A riposo, nel condensatore non scorre alcuna corrente. Quindi
la caduta di tensione su R nulla e VI = O.La tensione ai capi di C Vo'
b) Per t = O,uno stretto impulso di trigger di ampiezza maggiore di VRporta v2 sopra OV e
livello alto, Vo
il comparatore
commuta
e t = T quando vI = -VR
VR = -2VoE-TI1:
15.44 Il circuito in Figura 15.24 viene progettato con i seguenti parametri: Vcc =5 V,
RI =3.9 k.Q, R2 =2.6 kQ e RE = l kQ. I transistori Ql e Q2 sono identici, con
~F = 100 nella regione
attiva
e ~forced
= 50
in saturazione.
Soluzione
a) Con Vi = O,Q l interdetto poich, anche supponendo Q2 interdetto in modo da avere
VE = O, sarebbe VBEI = Oe non si potrebbe avere Ql in conduzione. Allo stesso modo, Q2
non pu essere interdetto perch, essendo interdetto Q l, la sua base viene ad essere collegata
a 5 V tramite la resistenza R. da 3.9 kQ. Si assuma quindi Q2 in saturazione e Ql interdetto.
La II legge di Kirchhoff permette di ricavare le equazioni
-5 + IB2RI + VBE2+ (lB2 + IC2)RE = O
-5 + IC2R2 + VCE2.., + (IB2 + IC2)RE
=O
(1)
268 Capitolo 15
= 4.8
Risolvendo
l'ipotesi
il sistema si ottiene IB2 = 0.62 mA e IC2 = 1.16 mA. Poich (IClIIB2)< ~F 100,
saturazione
di Q2 risulta
verificata.
Analogamente
VBEI = Vi - (lB2+ Id
sulla
RE = 0- (0.62 + 1.16)
VE = 1.78 V.
Vo
(2)
=5 -
= -1.78
V(1)
= 5 V.
Vi = 0.7 + 1.78 = 2.48 V = VI. Per Vi> VI' Ql entra in zona attiva e Q2 si interdice. Si
noti che VCEI VBE2.Una volta saturato QI per Vi > 2.48 V, al fine di far tornare Q2 in
ossia
conduzione, Vi deve essere ridotta riportando Q1 nella regione attiva diretta, con VCEI=
0.7 V. Con QI in zona attiva e VCEI=0.7 V (con Q2 interdetto), la II legge di Kirchhoff
richiede
-5 + ICIRI + 0.7 + ICI(I + 1/~F) = O
Vi
= VBEI +
VE
(3)
(4)
= 0.876 mA
= 1.58 V
Cos
V2
= 1.58 V
e VH = VI
V2
= 2.48 -
1.58 = 0.9 V
Soluzione
Si assuma Q2 saturo e Ql interdetto. Il modello del circuito allora il seguente
+5V
7.5k.Q
5.1 k.Q S 1/0.
+
Vo
+
2kQ
-
269
=O
=O
(1)
(2)
La soluzione del sistema d IB2 =0.3187 mA e IC2 = 0.5863 mA. Q2 chiaramente saturo,
essendo ~FS;lcilB2 = 1.84, un valore superato da qualsiasi transistore mai costruito.
Va= 5 - lC2X 5.1 = 5 - 0.5863 X 5.1 = 2.01 V
VE= (lC2+ 181)2= (0.5863 + 0.3187)2 = 1.81 V
Poich Vj= VBEI+ VE,Ql non entrer in conduzione finch Vj =0.7 + 1.81 =2.51 V. Si noti
che si assunto V'Y= 0.7 V. Quando Q 1 conduce Q2 supposto interdetto.
Con Q2 interdetto,
Va= Vcc = 5 V. Essendo VCEI= VBE2'VCEIpu avvicinarsi a 0.7 V senza che Q2 entri in
conduzione. Quando VCEI 0.7 V, Ql entra in zona attiva e
~F+ 1
Vin=0.7+ VE=-o.7+lcl
(~
(3)
)2
) ICI
X2
(4)
=O
questo valore nella (3) si ha
2.01
--
,,
,
,,
,
,,
,,
.,
: VII=0.9V :
1.61
,,
2.51
270 Capitolo 15
15.47 a) Si faccia uso di un timer 555 per progettare un circuito monostabile caratterizzato da una durata di impulso di 20 fJ.s,nell'ipotesi che sia Vcc =5 V, V(O)= O
e R = 91 k.Q.
b) Con gli stessi valori dei parametri determinati al punto a), qual la durata
dell'impulso
= 0.2 V?
[TI = 19.25 fJ.s]
se V(O)
a) [C =200 pF]
b)
15.48 Si vuole usare il circuito di Figura 15.32 per la generazione di un'onda quadra con un
rapporto fra la durata dell'impulso positivo e quello negativo pari a 3. Dato C = l nF,
si determinino i valori di RA e RB.
[RA= 0.455 kQ;
RB
=0.228
k.Q]
C~
iR
[T=RCln
'c
V
cc]
Vr
15.50 Il circuito mostrato in figura viene usato come multivibratore astabile che pu essere
usato per misurare il tempo di propagazione attraverso una porta logica.
a) Nell'ipotesi che ogni porta abbia un tempo di propagazione di lO ns, si rappresentino le forme d'onda voI' vo2' vo3e vo4 in funzione del tempo. Ogni porta
alimentata con una tensione di 5 V e ha una tensione di soglia pari a 2.5 V.
b) possibile estendere questa tecnica in modo da avere 4 porte nell' anello di
retroazione?
c) Si ripeta la domanda b) nel caso di 5 porte.
NOR l
o---C NOR 2 o
NOR 3
NOR 4
Soluzione
a) Assumiamo che voI' l'uscita di NORl, commuti da V(O) a V(l) nell'istante t = O.Dopo
30
~
60
1.115
1.115
10
40
1.115
20
50
271
1.115
30
60
lO Jls vo2 passa da V(1) a V(O). Per t =20 Jls questa transizione si propaga all'uscita di
NOR3 ed causa della commutazione da V(1) a V(O) di NORI (e NOR4), generando cos
un impulso.
Questa ulteriore commutazione si propaga come descritto, generando un'onda quadra il cui
periodo pari a 2n volte il ritardo della singola porta, dove n il numero di porte che
compongono l'anello.
b) No. Perch il sistema funzioni come generatore di impulsi il segnale che ritorna in
ingresso a NORl, generato dall'ultima porta, deve avere segno tale da provocare una commutazione. Questa condizione di opposizione di fase rispettata solo da un numero dispari
di porte.
c) Si. Il motivo lo stesso che ha portato alla risposta negativa del punto b).
15.51 a) Si verifichi l'Equazione (15.46) che esprime l'errore di pendenza es nel caso di
una tensione di scansione esponenziale.
b) Nel circuito riportato in Figura 15.37 si pone, in parallelo a C, una resistenza
RI' Si dimostri che es viene-ad essere moltiplicato per il fattore (R,+R2)/R2.
e=--Vs R. +Ri
Av VCcRi
272 Capitolo 15
d) Come si pu ottenere Ts = l J.l.scon un valore di capacit pi ragionevole di
quello ottenuto al punto precedente (100 volte pi grande, per esempio)?
e) Qual il valore massimo di Ts che pu essere misurato con questo sistema?
Soluzione
a) Per il cortocircuito virtuale presente all'ingresso dell' amplificatore in Figura 15.35c,la
corrente in R I vale Vcd R I. Poich l' operazionale non assorbe alcuna corrente, allora la
corrente VcdRI va a caricare CI e la tensione di uscita una rampa la cui pendenza negativa
-VcdRICI. Si ricava
ovvero
CI
= VccTs= 30x 1
Vfll
IOXI06F=3
J.l.F
= 3 pF
Poich l'errore nella pendenza non dipende da C.. allora dal punto b) si ha
es = 0.00033 %
d) Il piccolo valore di CI = 3 pF ottenuto nel punto c) risulta di difficile realizzazione
pratica, in quanto dello stesso ordine di grandezza della capacit parassita associata al
condensatore e ai collegamenti. Riducendo R si pu ottenere un valore molto maggiore di CI,
Cambiando R da l Mf.ra lO k.Q(cio di un fattore 100), si ottiene per CI un valore pi grande
dello stesso fattore, cio CI =300 pF.
15.54 a) Per il generatore di rampa bootstrap mostrato nella parte (a) della figura, il
condensatore CI pu essere scelto di valore arbitrariamente grande. La caduta
ai capi del diodo ideale D pu essere trascurata in conduzione e si pu assumere
che qualunque valore di tensione negativa su D lo porti in interdizione. L'amplificatore operazionale ideale (Ri ~ 00,Ro = O e A ~ 00). Con l'interruttore
S chiuso, qual la tensione ai capi di CI e di R? Con S aperto e C carico a vc'
qual la tensione ai capi di C I e di R? Si dimostri che con questo circuito si
riesce ad ottenere una rampa perfettamente
lineare e che ve
= Vt/Re.
b) Mediante il sistema riportato nella parte (b) della figura si vuole ottenere una
coppia di uscite simmetriche
R'/R e R"/R.
[R'/R = 2; R"/R = 1]
(voi
= -vo2)'
Si determinino
.,
Generazione di forme d'onda
273
+
l'.
(a)
v
D
p
R'
R"
R
R
Voi
(b)
15.55 a)
Si consideri
il modulatore
chopper
di Figura
da +vo
invece che da -vo' Si rappresentino i primi cinque impulsi della forma d'onda
modulante vmdi Figura 15.41b. Sia v+la forma d'onda cos ottenuta, Sulla stessa
scala dei tempi si rappresentino v- e l'uscita del chopper quando SI controllato
da -vo (v- = v in Figura 15.41b).
b) Si indichi come combinare v+e v- mediante amplificatori operazionali in modo
da ottenere il segnale AM mostrato in Figura 15.40c.
16
Condizionamento del segnale
e conversione dei dati
16.1 In figura rappresentato l'andamento della tensione di controllo della porta nel circuito di Figura 16.7b del testo.
Tracciare l'andamento della tensione di uscita per le due forme d'onda di Figura 16.6
del testo.
V(I)"---
V(O)
16.2
Pro161
Ripetere il Problema 16.1 per il circuito in figura.
vso-+
T_io",
dicontrollo
V,""
16.3
T,
Ripetere il Problema 16.1 per la forma d'onda di ingresso mostrata nella figura di
pagina seguente.
276 Capitolo 16
16.4
Pro163
a) L'interruttore S del circuito in figura aperto per mezzo periodo e chiuso per la
restante parte del periodo. Calcolare il guadagno per ciascuno dei due semiperi odi.
b) Il circuito in figura viene utilizzato per generare il segnale di ingresso VI al
circuito di campionamento e tenuta di Figura 16.7b del testo, commutando S alla
frequenza di 8 kHz.
La tensione di controllo del gate quella data nel Problema 16.1.
Determinare l'uscita del sistema, supponendo che la tensione di ingresso Visia
la sinusoide a 3.5 kHz di Figura 16.6 del testo.
R
l'.l
L--- Tensione
di controllo
16.5
a) [Av=l;
Av=-l]
Soluzione
a) Si osservi la figura seguente
Durante il campionamento la tensione ai capi di C cambia sino a che va = Vi; per questa
condizione l'amplificatore di ingresso non eroga pi corrente in C. Quando l'interruttore si
apre, C mantiene la sua carica e la tensione va rimane costante ai capi di C sino al termine
dell'intervallo di campionamento. Questo dimostra che viene svolta la funzione di campionamento e tenuta.
b) Si osservi la figura seguente
v'
R2
(R1+R2)=vi
( l+R) )
278 Capitolo 16
Per questo schema si ha
16.6
a) Nel convertitore DIA di Figura 16.13 del testo il terzo bit pi significativo
(MSB) N - 3 l e tutti gli altri bit sono a zero.
Determinare la tensione ai nodi N - 3, N - 2, N
l e l'uscita
Vo in funzione di
VR e delle resistenze.
b) Per un D/A a 8 bit con il bit meno significativo a l (LSB) e tutti gli altri a O,
calcolare le tensione di tutti i nodi e dell'uscita.
Soluzione
a) Nel testo stato mostrato che, se il bit N - 3 l e tutti gli altri sono O, allora la tensione
del nodo N 3 vale V~3.
La rete a scala mostrata di seguito
N-3
+
N-3
VR
T
>
>
=>
N-2
VR
T
NAIlA
+
VR
""6
N-l
SR
L:'
-
Quindi la tensione al nodo N 2 la met di quella in N - 3, cio V~6. A sua volta la tensione
del nodo N l met di quella in N 2, ossia VN-l = V~12.
b) Si noti dalla parte a) che, quando ci si muove nella scala da sinistra a destra, le tensioni
ai nodi sono divise per 2 in ciascun nodo adiacente.
Per N
= 5. N - l = 4,
e quindi si hanno
4 nodi.
Al nodo Ola tensione V~3; al nodo lla tensione Vi6; al nodo 2la tensione Vi12; al
nodo 3 la tensione V~24; infine, al nodo 4, la tensione Vi48.
Quindi
..L
16.7 Nel DAC a scala invertita in figura i commutatori sono connessi direttamente all'ingresso dell' AD.
a) Dimostrare che la corrente l erogata da VR una costante indipendente dall'ingresso digitale. Spiegare perch con questo sistema vengono eliminati i transitori
dovuti al ritardo di propagazione.
b) Quanto valgono la corrente nel commutatore e Vo se il MSB l e tutti gli altri
sono O?
c) Ripetere il punto b), supponendo che il bit precedente il MSB sia l e tutti gli
altri O.
d) Nel convertitore DIA a 4 bit, calcolare Vo per LSB a l e tutti gli altri bit a zero.
VR
Nodo
NI
!l
2R
MSB
2R
R
2R
N2t
~+
2R
-AIV
R
oR
2R
LSB
Soluzione
280 Capitolo 16
b)
I
I=VKR!N-l
VR
t
R
N-J
R
2R
-oIN-J
IN-2
'AA.j
=
=
2R
= -2RIN-I = -VR
c) Dalla figura
IN-2
e cos
Vo
= l/2
IN-l
d) Si noti che la tensione dovuta a un particolare bit la met di quella dovuta al bit di
ordine immediatamente
16.8
Per N
= 4,
Vo = -VR,
allora
I commutatori nel DAC di Figura 16.11 del testo sono realizzati come mostrato in
Figura 16.12b del testo. L'amplificatore operazionale viene alimentato con un generatore di tensione di lO V. La tensione analogica di uscita desiderata deve avere un
valore massimo pari a lO V e il massimo valore di resistenza circa 32 kQ
(32 x 210Q).
a) Specificare i valori dei componenti per un DAC a 8 bit.
b) Quanto vale la massima corrente nella resistenza di reazione dell' AO?
c) Qual la risoluzione del convertitore?
a) [R' = 128.5 Q]
16.9
superiore.
c) [39.2 mV]
,-
'\..
'~
b) [9.84 V]
281
c) [0.16 V]
16.10 Descrivere l'utilizzo di blocchi D/A e A/D in un voltmetro digitale. Disegnare uno
schema a blocchi.
16.11 L'integratore in Figura 16.19 del testo progettato con R = lO kQ, C = l nF, e un AO
con guadagno ad anello aperto e banda rispettivamente pari a 106 dB e 5 Hz.
a) Tracciare il diagramma asintotico di Bode ed indicare l'intervallo di frequenze
in cui il sistema si comporta come un integratore.
b) Tracciare la forma d'onda in uscita per un ingresso a gradino. Indicare l'intervallo di tempo in cui l'uscita rappresenta l'integrale dell'ingresso.
a) [tra l Hz e 100 kHz circa]
16.12 Ricavare la funzione di trasferimento della rete in figura. Verificare che Vo= (l/RC)
.".
16.13 Dimostrare
Jvilt.
v"
+
R
\'.{
16.14 Verificare che il sistema nella figura di pagina seguente, che usa un solo AO, un
doppio integratore. In altri termini, dimostrare che la funzione di trasferimento
282 Capitolo 16
= Iz). Perch?
Soluzione
Usando il principio di sovrapposizione degli effetti si ottiene
VCs
voz=-- R
Vz e
Vo
=vOI +
Vcs
VCs
l
+R vI
R + VCs
vOI=-
l
v02 = RCs VI - RCs Vz= RCs (vI - vz)
Poich la divisione per s corrisponde a una integrazione nel dominio del tempo, si ha
16.16 Si vuole progettare un filtro passa-basso con una banda a 3 dB di 4 kHz ed un'attenuazione di almeno 30 dB a 6 kHz.
a) Qual l'ordine del filtro di Butterworth necessario?
b) Ripetere il punto a) per un filtro di Chebyshev a 0.5 dB.
c) Qual la funzione di trasferimento del filtro passa-banda corrispondente a quello
trovato al punto a), la cui frequenza centrale sia 40 kHz?
a) [9]
b) [6]
16.17 Si vuole progettare un filtro passa-basso con una banda a 3 dB di 200 Hz e un'attenuazione di 50 dB a 400 Hz.
a) Determinare l'ordine del filtro di Butterworth richiesto.
b) Ripetere il punto a) per un filtro di Chebyshev a l dB di ripple.
c) Convertire la funzione del punto b) nel suo equivalente passa-alto con frequenza
di taglio di 200 Hz.
a) [9]
b) [6]
Condizionamento
del segnale
283
Soluzione
Si consideri una funzione passa-basso normalizzata
1
H(P) =l+P
La sostituzione di p con (s2 + mo2)/mHs d
H(s)-
1
1+ (S2 + ~)/mw
mw
(l/Q)(s/mo)
S2 + smH+
1 + (s/mo)(1/Q) + (s/mo>2
Soluzione
II circuito equivalente il seguente
CI
R.
+-L
VI
Yo =AvY;
1/sC2
y.I
R2
C2
"1'
V;
+
+
AvV;
Vo
(1)
Y
+ 1/sC2 x
(2)
284 Capitolo 16
Vx
R2+ l/sC2 +sCI (Vx- Vo)=O
(3)
Sostituendo l'Equazione (2) nell'Equazione (l) e quindi il risultato nell'Equazione (3) permette di risolvere quest'ultima in Vx. Usando questo risultato nell'Equazione (l) e nell'Equazione (2) si ottiene, dopo una riorganizzazione dei termini, l'Equazione (16.24).
16.22 a) Un'alternativa alla scelta progettuale descritta dall'Equazione (16.26) e dall'Equazione (16.27) consiste nel porre Av = 2 in tutte le sezioni. Progettare un filtro
passa-basso di Chebyshev del sesto ordine a 0.5 dB di ripple con una frequenza
di taglio di 2 kHz. Determinare il valore di tutti i componenti. Si osservi che
alcuni componenti possono avere valori arbitrari: indicare quali sono e scegliere
valori di uso pratico.
b) Quanto vale la frequenza a 3 dB del filtro?
b) [2.082 kHz]
16.24 Ripetere il Problema 16.19 usando il circuito di Figura 16.30b del testo.
16.25 Ripetere il Problema 16.22 per un filtro passa-alto.
16.26 Progettare un circuito passa-banda con frequenza centrale di 8 kHz e banda di 1.5 kHz.
L'attenuazione deve risultare pari ad almeno 30 dB a un'ottava dai limiti di banda.
a) Progettare il circuito supponendo che non sia consentita ondulazione all'interno
della banda passante. Usare valori ragionevoli dei componenti che possono
essere scelti arbitrariamente, indicando quali sono.
b) Quanto vale l'attenuazione a 9 kHz?
b) [14 dB circa]
16.27 Ripetere il Problema 16.26 supponendo che sia consentita un'ondulazione (ripple) di
0.5 dB nella banda passante.
b) [17 dB circa]
Soluzione
Il circuito equivalente il seguente
RI
CI....-r--.
+
VI(
R3
,
Cz
Rz
+
AVVj -
Vo
+ Vj
(1)
R2
v.=
V
, R2+ lIsC2 x
(2)
I x
Vx
+ (Vx- Va) - O
R2 + l/sC2
(3)
R3
Soluzione
Il circuito in esame il seguente
+
Vz
ovvero
286 Capitolo 16
(1)
Vx = -V-jsCIR2
L'applicazione
Vx-VI
~+SCIVx+(VxI
al nodo di potenziale
Vx d
(2)
V2)SC2=0
16.30 Usare la cella biquadratica in Figura 16.34b per progettare il circuito descritto nel
Problema 16.26.
Soluzione
('
R
a
Ra +Rb
- Vl = O. Dal partitore di
(1)
V2)IR2= O
(2)
(3)
V2e Vx' che pu essere risolto in funzione dei valori dei parametri e di VI, Risolvendo per V2
e ponendo Av = l + RJRa si ottiene l'Equazione (16.32).
16.32 Un filtro passa-basso ideale la cui frequenza di taglio 5 kHz ha in cascata un filtro
passa-alto ideale confe =4.8 kHz
a) Tracciare la risposta in frequenza del sistema cos ottenuto.
b) Supponendo che la frequenza di taglio di ciascun filtro possa essere controllata
con una precisione pari all' l %, tracciare la risposta in frequenza corrispondente
al caso peggiore. Commentare l'efficacia di questa soluzione per filtri di uso
comune.
Soluzione
a) Le due risposte sono
Ampiezza,
dB
Ampiezza.
dB
4.8
f, kHz
f, kHz
La caratteristica composta
Ampiezza,
4.8
5.0
dB
f, kHz
Questo risultato deriva dal fatto che il sistema passa-basso permette il passaggio di tutte le
frequenze inferiori a 5 kHz, mentre il passa-alta elimina tutte le frequenze sotto i 4.8 kHz.
b) Per IL =5(1 + 0.01) = 5.05 kHz elH =4.8(1- 0.01)=4.752 kHz, la risposta in frequenza quella indicata nella parte A della figura di pagina seguente, mentre nella parte B
presentata quella per IL =5(1 - 0.01) =4.95 kHz elH =4.8(1 + 0.01) =4.848 kHz.
Per il caso ideale la banda passante 5 - 4.8 = 0.2 kHz = 200 Hz. Per il caso A la banda
298 Hz, con un errore del +49%. Per il caso B la banda 102 Hz, con un errore del-49%.
Chiaramente questo approccio al progetto dei filtri passa-banda non efficace.
288 Capitolo 16
Ampiezza.
Ampiezza. dB
dB
4.752
5.050
4.848
f,kHz
4.950
f,kHz
16.33 Progettare una rete elimina-banda con Q = lO e fa = 8 kHz. Si usi C =500 pF e selezionare valori delle resistenze in modo tale che la dispersione dei valori (il rapporto
tra il massimo e il minimo valore di resistenza usato), non sia maggiore di lO.
16.35 a) Determinare la funzione di trasferimento del circuito in Figura 16.39 del testo,
assumendo Y = O.
b) Verificare l'Equazione (16.33).
16.37 Dimostrare che il circuito in Figura 16.42 del testo presenta la risposta in frequenza
descritta dall'Equazione (16.36).
l, Y.Y3
Y.=-=-Y.
, VI Y2Y4
-l,
---
-o li
r:
Zi
R2
R,
li
..r+
b) [0.IJ.lH:S;L:S;50mH]
16.41 Nella figura di pagina seguente mostrata una realizzazione alternativa di giratore.
Dimostrare che VPj risulta induttiva, supponendo ideali gli AO.
290 Capitolo 16
R
li
Vi
R
R
16.42 a)
=-z.
li
Vi
b) [VjVi
=-1]
16.43 Il NIC (Negative Impedance Converter) del circuito in figura ha le seguenti propriet:
Z\
= -ZL
e V2 = VI.
+
Vi
',I
NIC
I :2
ZL
Vo
Soluzione
a) Il circuito equivalente il seguente
c
+
-RL(l + RCs)
R(l +sRLCL)-RL(l +sRCs)
RL
l +sRLCL
~-
-RL(l + RCs)
- =
Vi
b) Z
In
-RL(l + RCs)
R-RL +s(R-RLRC)
R
RL
l + RCs
l + RLC
V2
--
Vi
per VI = V2
= liZin
H(s)
= Zin(s)
Z=
In
R2(CL- C)s
(l + RCs)(l + RCLs)
= CL (R
*- RL).
292 Capitolo 16
Verificare
la Tabella
16.5.
Soluzione
a) Il circuito equivalente
+
+
Vb
ZD
Zc + ZD
(I)
Av,Va
(2)
V2 =AV2Vb
Va- V2
ZA
ZB
-+
=0
(3)
Sostituendo l'Equazione (1) nell'Equazione (2) si ottiene Vz =Av.AvzZD V/(Zc + ZD)' ovvero
Va
= ViZc
+ ZD)/Av.AV2ZD
(4)
Sostituendo l'Equazione (4) nell'Equazione (3) e risolvendo per ViVi =H(s) si ottiene l'Equazione (16.37).
b) Per il caso passa-basso, sostituendo Z, = R" Zc = Rz, ZB= lIsC. e ZD= lIsCz, s ottiene
H(s) =
Av.AvJs2C. C2
R, + lIsC,)(R2 + lIsCz) - R.Av.AvlsC2
Av.AV2
- R.R2C.Czs2 + s[R,C.(1- Av.AV2)+ R2C2]+ l
che chiaramente una funzione passa-basso. In modo simile i casi passa-alto e passa-banda
presentano
16.46 Progettare il filtro del Problema 16.19 usando la cella biquadratica in Figura 16.44 del
testo, scegliendo R2 R3 =R4 R6 = lO kQ.
16.47 Ripetere il Problema 16.26 usando il filtro in Figura 16.44 del testo. I valori di alcuni
componenti sono fissati nel Prob1ema-16.46.
16.48 Ripetere il Problema 16.27 utilizzando la cella filtrante in Figura 16.44 del testo. I
valori di alcuni componenti sono fissati nel Problema 16.46.
Soluzione
Nel circuito di Figura 16.44 del testo si usino condensatori tutti uguali e di valore pari a C e
resistenze pure uguali, tranne R7, di valore pari a R. Dall'Equazione (16.39) si ricava
D(s)
=R2Cls2 + -
3R7
R+R7
RCs + 1
da cui
O)
o
=-L
RC
1 +x
e Q =~
con
I polinomi gi ricavati nel Problema 16.27 possono ora essere realizzati ponendo R = lO kQ
e usando quattro celle caratterizzate dai parametri seguenti
Cella n. I C (nF)
l
2
3
4
2.180
1.828
1.846
2.164
I R7 (O)
246.3
205.8
515.2
608.3
16.49 Disegnare l'equivalente a condensatori commutati del circuito in Figura 16.22 del
testo.
16.50 Disegnare l'equivalente a condensatori commutati del circuito in Figura 16.44 del
testo.
16.51 Dimostrare che se la tensione di riferimento VR in Figura 14.42 del testo variabile
nel tempo, l'amplificatore
transconduttivo
294 Capitolo 16
16.52 Usare uno o pi moltiplicatori per generare una forma d'onda sinusoidale di frequenza
3/0 a partire da una sinusoide a frequenza/o'
16.53 a) Usare un moltiplicatore per generare un segnale vo(t) proporzionale a v/o
b) Ripetere il punto a) per Voproporzionale a vi"3.
16.54 I segnali di ingresso al moltiplicatore in figura sono un segnale modulato in ampiezza
vm= V(t)cos ffiet e la portante VcCs ffiet.
a) Mostrare che possibile usare Voper ottenere l'informazione V(t).
b) Se V(t) = Vmcos ffii, con ffis ffie' quale dovrebbe essere la frequenza di taglio
del filtro?
Portante
modulata
Filtro
passa-basso
\'0
R
R
DI
3
2
.".
a) [K = 2]
D2
16.57 Una forma d'onda presenta un picco posistivo di ampiezza VI e uno negativo di ampiezza V2. Disegnare un circuito che utilizzi due rivelatori di picco, la cui uscita sia
uguale al valore picco-picco VI- V2.
16.58 a) L'amplificatore esponenziale in Figura 16.54 del testo viene posto in cascata con
l'amplificatore logaritmico di Figura 16.53. Se Vs l'ingresso all'amplificatore
logaritmico e Vo' l'uscita di quello esponenziale, dimostrare che Vo' = Vs'
b) Supporre che le resistenze Rp R2, R3 e R4 in Figura 16.53 non siano uguali alle
corrispondenti resistenze in Figura 16.54. Denominare KI' '" KI e K2' '" K2 le
costanti nell'Equazione (16.60). Per il sistema in cascata in a), provare che Vo'
risulta proporzionale alla potenza n-esima di Vs' dove n = K/KI'.
c) Supporre che R3 nell'amplificatore esponenziale sia regolabile, ma che tutte le
altre resistenze abbiano i valori indicati nelle Figura 16.53 e 16.54. Calcolare R3
in modo tale che risulti n = 3. Ripetere per n = 1/3.
..
17
Circuiti e sistemi di potenza
17.1
Un diodo la cui resistenza interna 20 il, deve alimentare un carico di 200 il a partire
da una sorgente alternata di 110 V efficaci. Calcolare a) la corrente di picco nel carico;
b) la corrente media nel carico; c) la corrente alternata nel carico; d) la tensione continua sul diodo; e) la potenza totale in ingresso al circuito; f) la percentuale di regolazione dalla condizione di assenza di carico a quella prevista.
a) [707 mA];
d) [-45 V];
17.2
b) [225 mA];
c) [353.5 mA];
e) [275 W];
f) [2.46%]
Soluzione
Per un segnale Vi(t) = Vmsinrot,l'angolo di conduzione 8\ = roti' individuato dalla relazione
Vi(tl) = V'Yvvero V'Y= Vmsinrot..
Quindi8\ = sin-\(V/Vm) e, per simmetria, 82 = 1t - 8\. Questo conferma l'Equazione (17.15).
Idc =-
f1t
21t o
Poich i(t)
i(rot) d(rot) =-
f1t
J -
v(rot)
21t o Rf+ RL
d(rot)
l'integrale diviene
1 -91 Vm sinrot
Id =d(rot)
c 21t a
Rf+RL
ed eseguendo l'integrale si giunge al risultato espresso dall'Equazione (17.16).
17.3
Mostrare che la massima potenza continua di uscita Pdc ==Vdidc in un circuito monofase a singola semionda si ha quando la resistenza di carico eguaglia la resistenza del
diodo Rt
298 Capitolo 17
17.4
=J...
21t
j1t
vJda..
o
a) Mostrare che, per il circuito a semplice semi onda
= 40.5 %
11, 1 + Rf /R L
b) Mostrare che per il raddrizzatore a doppia semi onda 11, ha un valore doppio
rispetto a quello trovato al punto a).
17.5
17.6
17.7
=ifL X 100%
b) [254.66 mA];
c) [OV];
d) [28.28 V]
17.8
[111.3 V]
17.9
Mostrare che a regime ogni condensatore si carica sino alla tensione di picco del
trasformatore Vme che perci Vo = 2Vm.Si assumanodiodiideali.
b) Qual la tensione inversa di picco ai capi di ciascun diodo?
b) [2VmJ
DI
I
I
Triplicatore
~I
c)
Uscita
'811IQIE~
+
(a)
I-
C2
C4
Quadruplicatore1
(b)
300 Capitolo17
c) Generalizzare il presente circuito e quello del Problema 17.10 in modo da
ottenere un circuito moltiplicatore per n, in cui n un qualsiasi numero pari. In
particolare, disegnare il circuito di un moltiplicatore di tensione per 6.
d) Mostrare che i moltiplicatori di tensione per n, con n dispari possono essere
ottenuti semplicemente scegliendo l'uscita in modo opportuno.
17.12 a) Si consideri il filtro capacitivo di Figura 17.10. Mostrare che durante l'intervallo
di tempo in cui il diodo in conduzione la corrente nel diodo data da
i = //IIsin(oot+ ",), dove
//11 == V/II
~2L + 002cJ
'"
=tan-I (ooCRL)
dvo
L'angolo
OOtl= 1t -
RL
",.
V/IIsin oot
//11 == V/II
b)
Vo
+ ooCV/II
cos OOt
= /mSIn(oot+ ",) dove
= tan-I
di interdizione
(X)
(ooCRJ
i(t) = O, ovvero ootl+ '" = 1tda cui
...,
Circuiti e sistemi di potenza 301
Soluzione
a) Il circuito ridi segnato
sL
+
+
l/sC
l'sC
VI
21
V2
nodali sono
"R=VA (R+sC+
)-
VB 21
( )
~)
Risolvendo il sistema e considerando che V2 = VB' si ottiene valutando ViVI per s =jro
l'espressione seguente
V2 VI
b)
RL
RL + 2R
- co2[LqR
=H(jro)
H(O) -
RL
RL +2RL
200
0.8
200+2x25
= H(O)VI
(O)
= 2.333 x
10-8 x e-jL571
Cos
V2(j754) = 1l~-v2 ~ (2.333 x 10-8x fi(It-L57I) = 1.540 x 10-6x fiL57I
La corrispondente funzione del tempo allora
v2 (t) = 39.6 + 1.540 x 10-6 cos (754t + 1.571)
Il fattore di ondulazione vale
302 Capitolo 17
1.540 X 10-6
-{I x 39.6
= 2.750 X 10-8
17.14 Ripetere il Problema 17.13 per il circuito raddrizzatore con ingresso induttivo mostrato. I valori dei componenti sono: Rs = 25 n, R = 50 n, RL = 500 n, c = 100J.lFe
L = lO H. La tensione di ingresso pu essere espressa come
2200
4
lOOrot+...)
vl(t)=~(l-3cos
~+
~I
RL
V2
Soluzione
sL
+
I/Cs
v2
Zz
VI - 21 +Zz
Risolvendo il circuito e sostituendo s
Vz
=jro si ottiene
RL
- =H(jro) =
VI
Rs + R + RL - o)lLCRL+ jro[L+ CRL(R+ Rs)]
b) Per ro = O,H(jO)= RL/(RL+ R + Rs) = 500/(500+50 + 25) = 0.870. L'uscita in continua
allora
220-
1t
Vz= VIH(O)=-
x 0.87 = 86.1
Il calcolo per l'altra componente d IH(j1001t)1= 1.021 x lO-z e LH(j 1001t)I = 8.834 x
lO-z radoCos
x ~ = 1.348
ej3.230
b)
= 1t = 1t -
Si ha poi
= 4042 ...j
(~ J + (2x
x 60 x 25 x 10-')'
sm (mi + 80")
Quando il diodo conduce Vo = v(t) = Vmsinrot= 56.6 sinrot. Tra l'istante di interdizione t( e
quello di conduzione t2 il condensatore si scarica attraverso la resistenza di carico con
costante di tempo RLC, cosicch
= 55.7 e-<oo/-100)/323.7
Questa esponenziale interseca la curva Vmsinrotin rot2' l'angolo di conduzione. Graficamente si trova che questo angolo vale 44. La corrente di picco vale 0.556 sin(rot2 + 80)
= 0.460 A.
r~
I
304 Capitolo 17
.a.vo' V
1000.. i,. mA
800
','
,
,
600J
',
,
'\
'
v_
Lo
20
200
o
c)
44
cUI-in
224
280
Si ha ora
al
= 1t-
sin 93.4)
e.-(OO(
- 93.4)/16.96= 56.5
e.-(OO(- 93.4)/972
\F
1600
800-1
400-1 I
l
1200
/ I,
'-
'-
I
I
I
'
,
62 93.4
cUI-in cUI-ouI
/"
\
'
60
1-40
I
Il- 20
242 273.4
17.16 Ripetere il Problema 17.15, assumendo che la frequenza di lavoro sia 50 Hz.
15.8 mA]
17.17 Nel Paragrafo 17.6 sono dati i valori tipici dei coefficienti di stabilizzazione per regolatori di tensione monolitici. La tensione continua non stabilizzata varia di :!:0.5V a
causa delle fIuttuazioni della tensione di rete. La corrente nel carico pu variare di
:!:2A. Le variazioni di temperatura rispetto alla temperatura ambiente di +30C sono
di :!:50C. Calcolare l'escursione massima totale che si pu avere nella tensione di
uscita rispetto al valore di regime a 30C.
[0.112 V]
17.18 Nella Figura 17.17 si ha Av = 105,R I = R2' VR = 6 Vela deriva della tensione di sbilanciamento dell'operazionale di lO IlV/oC.
a) Quanto vale approssimativamente la tensione di uscita?
b) Quanto vale ST a causa della deriva della tensione di sbilanciamento dell' AD?
c) Quanto vale ST a causa della deriva della tensione base-emettitore di Ql? Si
trascuri la deriva della tensione di sbilanciamento.
a) [12 V];
c) [-0.044 IlV/C]
Determinare
l'e-
Vo
+
Vo
lkQ
(a)
(b)
Soluzione
306 Capitolo 17
= VREG+
Vo
(VREGIR() R2
= VREG(l
+ RiR()
Soluzione
a) La corrente in R VREGIR=515 = l A. Di qui
IL
=l
+ IQ
= 1.01A
b) Si usi un amplificatore operazionale, come nel circuito b) del Problema 17.19, in cui
Rt
= Re
R2 la resistenza
= 515 = l
A indipendentemente
da
IQ'
R2
VO="2Vrcf l-Rt
> 1.
c) Mostrare che per valori assegnati di Vo e Vrefil rapporto RziRI deve essere scelto
in modo che sia
R,
Amplificatore
d'errore
17.22 a) Le distorsioni non lineari causano la generazione di frequenze in uscita che non
sono presenti in ingresso. Assumendo che la curva dinamica possa essere rappresentata dall'Equazione (17.35), e che il segnale di ingresso sia
= I, cos Wl! + Iz cos OOz!
mostrare che l'uscita conterr un termine continuo e termini sinusoidali di
pulsazioni wl' ooz,2001'200z.Wl + ooz,Wl - ooz.
b) Generalizzare il risultato ottenuto in a) mostrando che se la curva dinamica
contiene termini di ordine pi elevato di ib, l'uscita conterr frequenze di
intermodulazione, date dalle somme e dalle differenze di multipli interi di 001e
ooz;per esempio 2001:!:200z,2001:!:ooz,3wI :t OOze cos via.
ib
Soluzione
a) L'Equazione (17.36) con ib =IlcosooI! + Izcosooz!diviene
ic
= Glib
+ Gz~= GIII cos Wl! + GILz cos OOz!+ Gli cosZ Wl! +
+ Gz.qcosZOOz!
+ 2GilIz cos Wl!cos Wz!
Si noti che poich 2cosza
tiene termini
= l + cos2a
le cui pulsazioni
e 2cosacos~
= cos(a
200z, Wl + ooz, Wl
308 Capitolo 17
Gli
poich
= Gill
ora
= cos 3a
4 COS3a
+ 3cos a
e
4 cos2 a cos
cos
p=
allora ie contiene, oltre alle frequenze elencate in a), 3col' 3C02'(2col ::!:(02)' (co, ::!:2(02)' Se poi
il termine ie contiene anche G4ib4, saranno presenti anche termini del tipo cOS4COIt(con
pulsazione 4col)'
17.25 a) Si consideri un transistore ideale che non introduce distorsioni anche se pilotato
dall'interdizione alla saturazione, in cui ve = Vmin'Verificare che il rendimento
di conversione dato da
25(V cc
11=-
Vmin)
Vcc
x 100%
Dall 'Equazione
IMVM
Vmin)
(17.54)
Vm
l Vec- Vmin
11=-=-=2Vec!e 2Vee 4
Vec
=25
Vec-
Vmin
Vce
=25%.
Ima.
.-
-l
f =I,.
I
'
Reuadicarico
Imo.
ICQ
I+t------I,. II
V,.
VC
"
I
VCC= Vrnox
[min= o
17.27 La simmetria speculare richiede che la parte inferiore di una forma d'onda, quando
traslata di 1800 rispetto all'asse dei tempi, sia l'immagine speculare della parte superiore. La condizione per l' alternativit rappresentata matematicamente dalla relazione
i(rot)
=-i(rot + 1t)
RL
= 8 Q.
L'ingresso
sinusoidale.
Determinare
= 15 V e
310 Capitolo 17
a)
b)
c)
d)
e)
I
I
I