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Dipartimento di Fisica Enrico Fermi

Corso di Laurea in Fisica

Introduzione allElettronica
Parte 2: Elettronica Analogica
Roberto dellOrso, Elisa Falchini, Vincenzo Flaminio
Donato Nicol`
o, Chiara Roda, Franco Spinella

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Copyright 2005
Edizioni ETS
Piazza Carrara, 16-19, I-56126 Pisa
info@edizioniets.com
www.edizioniets.com
Distribuzione
PDE, Via Tevere 56, I-50019 Sesto Fiorentino (Firenze)
ISBN 88-467-1173-4

Avvertenze degli autori


Questo testo aronta un argomento che dicilmente potrebbe omettere il nome di
compagnie che commercializzano software o hardware nel mondo dellelettronica.
Tutti i prodotti o le tecnologie a cui si fa riferimento sono marchi registrati a nome
di queste compagnie.
Gli autori ringraziano anticipatamente i responsabili in questione e precisano che il
materiale divulgato, anche se fa riferimento a marchi registrati, non ha carattere
pubblicitario, ne vuole favorire alcuno. Qualsiasi fraintendimento `e da ritenersi di
natura accidentale.

Prefazione alla prima edizione


In questo volume abbiamo descritto gli argomenti trattati nel Corso di Laboratorio
di Fisica VI tenuto da uno di noi (V.F.) negli ultimi 15 anni per gli studenti del
Corso di Laurea in Fisica presso lUniversit`a di Pisa. Esso f`a seguito al volume
dedicato allelettronica digitale, che abbiamo di recente pubblicato.
Il Corso presuppone le conoscenze di base relative alle applicazioni delle leggi di
Kirchho, dei teoremi di Thevenin e Norton, del metodo simbolico nella risoluzione
di circuiti in alternata oltre a, naturalmente, lutilizzo degli strumenti di laboratorio
(oscilloscopio, tester, etc.). In questo volume si `e comunque ritenuto opportuno
inserire un capitolo dove questi concetti vengono richiamati, ed illustrati con alcuni
semplici esempi.
Si `e inserito un capitolo dedicato alle trasformate, il cui utilizzo ricorre molto
spesso nel seguito, come pure uno dedicato alle linee di trasmissione. Segue una
discussione elementare dei semiconduttori, diodi e transistor (bipolari e ad eetto
di campo). Sono anche discusse varie applicazioni dei diodi, degli amplicatori a
transistor, dei FET e degli amplicatori dierenziali.
Un capitolo `e dedicato alla struttura delle famiglie logiche (limitato alle pi`
u
semplici tra queste).
Una parte importante del Corso `e quella dedicata agli amplicatori operazionali
ed alle loro applicazioni. Questi sono stati trattati in modo abbastanza dettagliato
e con numerosi esempi. Abbiamo discusso in un capitolo a se il famoso 555 ed
alcune sue applicazioni.
Segue una trattazione dei ltri attivi e poi del feedback negli amplicatori. Gli oscillatori sinusoidali sono discussi in un capitolo a parte, limitatamente alle strutture
pi`
u semplici.
Segue una discussione dei convertitori Analogico-Digitale e Digitale-Analogico.
Questi hanno oramai un utilizzo sempre pi`
u diuso nei sistemi di trasmissione
digitale. Abbiamo quindi ritenuto opportuno discutere in questo capitolo anche
i concetti legati al campionamento ed il relativo teorema.
Un apposito capitolo `e stato dedicato al rumore, ed in particolare al rumore nei
circuiti elettronici.
Lultimo capitolo, non strettamente legato al resto, ma che fa abbondante uso
dei concetti illustrati nel resto del Corso ed illustra applicazioni dei vari circuiti
discussi, `e dedicato ai rivelatori di particelle e di radiazione ionizzante nonche alla
relativa elettronica (preamplicatori ed amplicatori).
Abbiamo cercato di chiarire quanto esposto con numerosi esempi ed applicazioni.
Nel far ci`o abbiamo fatto abbondante ricorso alla versione Demo del programma
di simulazione MICROCAP 7 [5]. Questo `e stato adoperato anche per ottenere la

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gran parte dei graci contenuti nel testo. Ringraziamo la Spectrum Software per il
permesso di far uso di tale programma, il cui utilizzo consigliamo a tutti gli studenti.
Desideriamo ringraziare i numerosi Colleghi che hanno collaborato con noi in
questi anni, contribuendo a sviluppare la parte pratica del Corso, assistendo gli studenti e mettendo inoltre in evidenza numerosi errori contenuti nelle prime stesure dei
relativi appunti. In particolare desideriamo ringraziare: Antonio Bardi, Alessandro Cardini, Alessandro Cerri, Francesco Forti, Paola Giannetti.
Un ringraziamento particolare, per la dedizione e la competenza con cui hanno
gestito i laboratori didattici del secondo biennio di Fisica in tutti questi anni, al
Responsabile dei laboratori, Carlo Bianchi, ed ai Tecnici Fabrizio Tellini e Virginio
Merlin. Grazie al loro impegno il nostro lavoro `e stato reso enormemente pi`
u agevole.
Pisa, Gennaio 2005

Prefazione alla seconda edizione


In questa seconda edizione sono stati corretti numerosi errori e chiariti meglio alcuni
dei concetti esposti.
` stata inoltre espansa la parte dedicata agli oscillatori sinusoidali, con laggiunta
E
di una sezione dedicata agli oscillatori Hartley e Colpitts, nonch`e alluso dei cristalli
negli oscillatori.
Pisa, Luglio 2006

Indice
Indice

vii

1 Richiami di teoria dei circuiti elettrici


1.1 Leggi di Kircho . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton . . . . .
1.3 Principio di sovrapposizione . . . . . . . .
1.4 Generatori di tensione/corrente . . . . . .
1.4.1 Generatori ideali e reali . . . . . . .
1.4.2 Generatori dipendenti . . . . . . .
1.5 Quadripoli. Parametri h, y, z . . . . . . .
1.6 Teorema di Miller . . . . . . . . . . . . . .
1.7 Circuiti RC e CR . . . . . . . . . . . . . .
1.7.1 Risposta a gradini ed a rampe . . .
1.7.2 Risposta ad onde quadre . . . . . .
1.7.3 Risposta a segnali sinusoidali . . .
1.8 Riessione di impedenze nel primario di un

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2 Uso
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2.6
2.7
2.8

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trasformatore

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delle trasformate di Fourier e di Laplace


Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
La trasformata di Fourier . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Trasformata di Laplace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace . . . . . .
Risposta di un circuito ad uneccitazione di forma generica
Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi . . . . . . .
Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione .
Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale . . .

3 Diagrammi di Bode e di Nyquist


3.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Diagrammi di Bode . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Quadripoli del secondo ordine . . . . . . . . . .
3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi
3.5 Diagrammi di Nyquist . . . . . . . . . . . . . .

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coniugati
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4 Linee di trasmissione
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4.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.2 Cavi coassiali: principi generali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
vii

viii
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8

Indice
Riessioni alle estremit`a di una linea . .
Riessioni multiple . . . . . . . . . . . .
Eetti resistivi nelle linee di trasmissione
Adattamento dimpedenza per una linea
Linee di trasmissione commerciali . . . .
Linea chiusa su di un condensatore . . .

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5 Semiconduttori: Diodi e Transistor


5.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Conduzione elettrica nei semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze .
5.4 Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione . . . . . . .
5.5 Giunzioni p-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6 Caratteristica I-V del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacit`a associate alla giunzione
5.7.1 Capacit`a associate alla giunzione . . . . . . . . . . . . . . .
5.8 Esempi di uso di diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.1 Circuiti raddrizzatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.2 Retticatore ad onda intera . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.3 Rivelatore di picco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.4 Circuito ssatore (Clamping) . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.5 Duplicatore di tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.6 Misura analogica di una frequenza dimpulsi . . . . . . . . .
5.8.7 Circuito limitatore con diodi Zener . . . . . . . . . . . . . .
5.8.8 Interruttore a ponte di diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9 Il transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9.2 Struttura interna e funzionamento in zona attiva . . . . . .
5.9.3 Caratteristiche duscita del transistor . . . . . . . . . . . . .
5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor . . . . . . . . . . . .

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6 Transistor bipolari
135
6.1 Caratteristiche del transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
6.2 Il transistor in zona attiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.2.1 Leetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
6.3.1 Conduttanza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
6.3.2 Conduttanza di feedback . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
6.3.3 Base-Spreading resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
6.3.4 Conduttanza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
6.4 La transconduttanza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
6.5 Le congurazioni base-comune e collettore comune . . . . . . . . . . . 150
6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
6.6.1 Polarizzazione per mezzo di una sorgente di corrente costante 159
6.7 Transistor Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
6.8 Specchi di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164

Indice
7 Il modello di Ebers-Moll per i transistor
7.1 Basi del modello . . . . . . . . . . . . .
7.2 Il transistor in interdizione . . . . . . . .
7.3 Il transistor in saturazione . . . . . . . .

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bipolari
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8 Amplicatori a transistor bipolari


8.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2 Inseguitore di emettitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.1 Guadagno in tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.2 Impedenza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.3 Impedenza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.4 Guadagno in corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.5 Calcolo approssimato dei parametri . . . . . . . . . . .
8.2.6 Emitter follower ad alta impedenza dingresso . . . . .
8.2.7 Inseguitore demettitore: sommario delle caratteristiche
8.3 Amplicatore ad emettitore comune (CE) . . . . . . . . . . .
8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore . . . . . .
8.4.1 Esempio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.5 Amplicatori in cascata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6 Amplicatore in base comune . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.1 Guadagno in corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.2 Impedenza dingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.3 Guadagno in tensione . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.6.4 Impedenza duscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.7 Relazione tra guadagno in corrente ed in tensione . . . . . . .
9 Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET
9.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.2 Struttura base dei JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.3 Struttura base dei MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.4 Caratteristiche dei FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.5 Circuito equivalente del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.6 Schemi di polarizzazione per il FET . . . . . . . . . . . . . . .
9.7 Amplicatori a FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.8 Inseguitore di source . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.9 Amplicatore a FET: struttura generale . . . . . . . . . . . .
9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET . . . . . . . .
9.10.1 Risposta alle alte frequenze . . . . . . . . . . . . . . .
9.10.2 Risposta alle basse frequenze . . . . . . . . . . . . . . .
9.10.3 Risposta sullintero spettro di frequenze . . . . . . . .
9.11 Verica delle approssimazioni fatte . . . . . . . . . . . . . . .
9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione . . . . .
9.13 I CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.13.1 I CMOS come amplicatori . . . . . . . . . . . . . . .
9.14 Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET
10 Amplicatori dierenziali

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259

Indice
10.1
10.2
10.3
10.4
10.5
10.6

Concetti generali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplicatore dierenziale: schema base . . . . . . . . . . . . . . .
Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale
Impedenza dingresso dellamplicatore dierenziale . . . . . . . . .
Generatore di corrente sullemettitore . . . . . . . . . . . . . . . . .
Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington . . . .

11 Struttura delle principali famiglie logiche


11.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.2 Livelli logici . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.3 Il Fan-Out . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11.4 Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)
11.5 Circuiti in logica TTL . . . . . . . . . . .
11.6 Circuiti in logica CMOS . . . . . . . . . .

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12 Amplicatori operazionali
12.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.2 Propriet`a degli amplicatori operazionali . . . . . . . . . . . . .
12.2.1 Ingresso dierenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali . . . . . . .
12.3.1 Amplicatori invertenti e non-invertenti . . . . . . . . .
12.3.2 Amplicatore non-invertente . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.3 Amplicatore della dierenza di due segnali . . . . . . .
12.3.4 Amplicatore della somma di due o pi`
u segnali . . . . . .
12.3.5 Integratore realizzato tramite un operazionale . . . . . .
12.3.6 Derivatore realizzato tramite un operazionale . . . . . .
12.3.7 Amplicatore di carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.8 Tensione di riferimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.3.9 Convertitori corrente-tensione e tensione-corrente . . . .
12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali . . . . .
12.4.1 Comparatore con isteresi . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.2 Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari)
12.4.3 Multivibratore monostabile . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.4 Generatore di onde triangolari . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.5 Limitatori e retticatori . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.4.6 Rivelatori di picco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12.5 Limiti degli amplicatori operazionali . . . . . . . . . . . . . . .
13 Il timer 555
13.1 Introduzione . . . . . . . . . . .
13.1.1 Multivibratore astabile .
13.2 Multivibratore monostabile . . .
13.3 Trigger di Schmitt . . . . . . .
13.4 Convertitore tensione-frequenza

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14 Filtri attivi
357
14.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
14.1.1 Caratteristiche di risposta dei ltri . . . . . . . . . . . . . . . 357

Indice

xi

14.2 Generalit`a sui ltri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


14.2.1 Esempi di ltri del primo e del secondo ordine . . .
14.3 Funzione biquadratica di trasferimento . . . . . . . . . . .
14.4 Corrispondenze tra tipi diversi di ltri . . . . . . . . . . .
14.5 Il ripple nei ltri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali . . . . . . .
14.7 Filtri di Butterworth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine . . . . . . . . . .
14.9 Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto tra diversi tipi di
14.10Filtri biquadratici ad amplicatore singolo . . . . . . . . .
14.10.1 Implementazione dei diversi tipi di ltri biquad .
14.11Filtri attivi a retroazione multipla . . . . . . . . . . . . . .
14.12Filtri notch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14.13Filtri a condensatori commutati . . . . . . . . . . . . . . .
15 Il feedback negli amplicatori
15.1 Struttura generale del feedback . . . . . . . . . . . . .
15.2 Altre propriet`a del feedback negativo . . . . . . . . . .
15.2.1 Stabilizzazione del guadagno . . . . . . . . . . .
15.2.2 Risposta in frequenza di un amplicatore . . . .
15.3 Le topologie di feedback negli amplicatori . . . . . . .
15.3.1 Classicazione degli amplicatori . . . . . . . .
15.4 Eetto del feedback sulle impedenze di un amplicatore
15.4.1 Impedenze dingresso . . . . . . . . . . . . . . .
15.4.2 Considerazioni generali . . . . . . . . . . . . . .
15.4.3 Impedenze duscita . . . . . . . . . . . . . . . .
15.5 Analisi dei circuiti con feedback . . . . . . . . . . . . .
15.5.1 Individuazione del tipo di reazione . . . . . . .
15.5.2 Analisi quantitativa del guadagno . . . . . . . .
15.6 Stabilit`a negli amplicatori con feedback . . . . . . . .

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16 Oscillatori sinusoidali
16.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.2 Realizzazione di un oscillatore sinusoidale . . . . . . . . . . .
16.3 Loscillatore a sfasamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.4 Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare . . . . . . . . .
16.5 Loscillatore sinusoidale in quadratura . . . . . . . . . . . . .
16.6 Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali . . . . . . . . .
16.7 Loscillatore a mezzo ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . .
16.8 Loscillatore a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.8.1 Poli e zeri di A per loscillatore a ponte di Wien . .
16.8.2 Stabilit`a in frequenza delloscillatore a ponte di Wien
16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive
16.9.1 Struttura generale di un oscillatore a tre punti . . . .
16.9.2 Oscillatori Colpitts . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.9.3 Oscillatori Hartley . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.9.4 Oscillatori LC a transistor . . . . . . . . . . . . . . .

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. 463

xii

Indice
16.10Oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.10.1 Esempi di oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . .
16.11Risuonatori ceramici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16.12Appendice A: Non-linearit`a dei dispositivi attivi adoperati
16.13Appendice B:
relazione tra Q0 ed il numero di oscillazioni in un tempo

17 Convertitori Digitale-Analogico ed Analogico-Digitale


17.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17.2 Circuiti di Sample-and-Hold . . . . . . . . . . . . . . . .
17.3 Convertitori Digitale-Analogico . . . . . . . . . . . . . .
17.4 Convertitori Digitale-Analogico pilotati in corrente . . .
17.5 Convertitori Analogico-Digitale (ADC) . . . . . . . . . .
17.5.1 ADC a contatore (Counting ADC) . . . . . . . .
17.5.2 ADC ad approssimazioni successive . . . . . . . .
17.5.3 Convertitore ADC a rampa singola . . . . . . . .
17.5.4 LADC a doppia rampa . . . . . . . . . . . . . .
17.5.5 Flash ADC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17.6 Caratteristiche dei DAC ed ADC commerciali . . . . . .
17.7 ADC e campionamento dei segnali . . . . . . . . . . . . .
17.8 Il teorema del campionamento . . . . . . . . . . . . . . .

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18 Il rumore nei circuiti elettronici


18.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.2 Processi stocastici stazionari . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.2.1 Descrizione nel dominio del tempo . . . . . . . . . . . . .
18.2.2 Analisi nel dominio della frequenza . . . . . . . . . . . .
18.2.3 Determinazione sperimentale della densit`a spettrale . . .
18.3 Rumore termico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.3.1 Metodo di Nyquist . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.4 Il rumore di tipo shot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.5 Rumore 1/f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.6 Circuiti equivalenti per il rumore . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.7 Rumore in un quadripolo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.8 Dipendenza del rapporto segnale/rumore in un quadripolo dalla
sistenza della sorgente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.9 Cifra di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.10Rumore nel caso di una catena di pi`
u amplicatori in cascata . .
18.11Espressione analitica della cifra di rumore . . . . . . . . . . . .
18.12Temperatura di rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.13Esempio: Transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14Il rumore nei componenti elettronici . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.14.2 Il rumore nel transistor bipolare . . . . . . . . . . . . . .
18.14.3 Il rumore nei FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.15Appendice A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18.16Appendice B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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562

Indice

xiii

18.17Appendice C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 564
18.17.1 Teoremi di Campbell e di Carson . . . . . . . . . . . . . . . . 564
19 Elettronica per rivelatori di particelle
19.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2 Caratteristiche di risposta dei rivelatori . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.1 Risoluzione energetica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.2 Risposta temporale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.3 Ecienza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.2.4 Tempo morto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.3 Rivelatori a scintillazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.4 Fotomoltiplicatori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.4.1 Risoluzione energetica di un fotomoltiplicatore . . . . . . .
19.4.2 Risoluzione temporale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.5 Forma dellimpulso alluscita del fotomoltiplicatore . . . . . . . .
19.6 Rivelatori a gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.6.1 Il Contatore Proporzionale . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.6.2 Il modo streamer limitato . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.7 Rivelatori a semiconduttore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.7.1 Preamplicatori di carica per rivelatori a semiconduttore .
19.8 Struttura della catena di rivelazione ed amplicazione . . . . . . .
19.8.1 Preamplicatori e rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.2 Rumore elettronico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.3 Formazione dei segnali prodotti da rivelatori di particelle
19.8.4 Altri metodi di shaping dei segnali . . . . . . . . . . . .
19.8.5 Shaping CR (RC)n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.6 Shaping triangolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.7 Spostamento della linea di zero . . . . . . . . . . . . . . .
19.8.8 Decit balistico e scelta delle costanti di tempo . . . . . .
19.8.9 Shaping e rumore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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618
619

Bibiograa

623

Indice Analitico

626

xiv

Indice

Capitolo 1

Richiami di teoria dei circuiti


elettrici
In questo capitolo saranno discussi alcuni dei teoremi che vengono frequentemente
impiegati per eettuare lanalisi di circuiti elettronici composti da elementi passivi,
quali resistenze, condensatori ed induttanze, insieme a generatori di tensione o di
corrente.

1.1

Leggi di Kircho

Alla base della teoria dei circuiti elettrici troviamo le leggi di Kircho, che consentono
di scrivere in forma consistente delle equazioni lineari da cui, note le sorgenti di
tensione e/o di corrente, `e possibile ottenere le correnti e le tensioni in tutti i punti
della maglia.
Chiameremo rami della maglia gli elementi di questa attraversati da correnti
determinate istante per istante dalle dierenze di potenziale tra i loro estremi, che
chiameremo nodi .
Ad esempio, nel circuito di gura 1.1, i tratti ab, bc, be, cd, de, ef , af sono rami.
I punti a, b, ... f sono nodi.

a
V1

Z1

I1

+
i

Z3

Z2

Z4

Figura 1.1: Circuito a due maglie.


Nellesempio, il ramo af ha un generatore di tensione V1 ed il ramo bc un ge1

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

neratore di corrente I1 . Per una denizione dei concetti di generatore di tensione e


generatore di corrente si veda il paragrafo 1.4.
Nel ramo ab `e inserita unimpedenza Z1 , nel ramo be unimpedenza Z3 etc.
Per il generico ramo vale ovviamente la Legge di Ohm: la dierenza di potenziale tra i due nodi che lo delimitano `e uguale alla corrente I, che lo attraversa,
moltiplicata per limpedenza:
V =Z I

(1.1)

Nel caso in cui Z non sia puramente resistiva, allora, nellequazione precedente
Z sar`a un operatore lineare. Ad esempio, se Z `e costituita da uninduttanza:
V = L

d
I
dt

(1.2)

mentre se Z `e costituita da una capacit`a:



1
V =
I dt
(1.3)
C
Nel caso in cui la sollecitazione (V (t), I(t) nel nostro esempio) sia sinusoidale
con pulsazione , sappiamo come il metodo simbolico possa essere adoperato per
esprimere i suddetti operatori come numeri complessi:
V = jL I
1
I
V =
jC

nel caso induttivo


nel caso capacitivo

Vedremo nel seguito come la tecnica delle trasformate di Laplace (o di Fourier)


possa essere adoperata per trasformare le equazioni (1.1), (1.2) e (1.3) in equazioni
lineari a coecienti costanti.
Le leggi di Kircho sono espresse come segue:
I) la somma algebrica delle correnti che convergono verso un nodo `e nulla;
II) la somma algebrica delle dierenze di potenziale lungo un circuito chiuso (maglia)
`e nulla.
La prima delle due leggi di Kircho esprime la conservazione della carica elettrica,
la seconda la conservazione dellenergia.
Nellapplicare la seconda delle leggi di Kircho `e conveniente introdurre le correnti di maglia, come mostrato in gura 1.1. Notiamo che la corrente che attraversa

il ramo be `e (i i ) nel verso che va da b ad e. Con tale denizione, la seconda delle
leggi di Kircho ci d`a:


V1 = Z1 i + Z3 (i i ) + Z2 i


i Z4 = Z3 (i + i )
che costituisce un sistema di due equazioni (lineari nel senso detto prima) nelle

incognite i e i . Dallultima equazione segue:


(Z4 Z3 )i = Z3 i

1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton


da cui:

1.2

Z4 Z3 
i =
i=
Z3


Z4

1 i
Z3

Teoremi di Th
evenin e di Norton

Teorema di Th
evenin
Un generico segmento di circuito, compreso tra due nodi, pu`o essere, agli eetti del
calcolo delle correnti e delle tensioni, sostituito da un generatore di tensione VT h in
serie con unimpedenza RT h . La tensione VT h `e quella che si misurerebbe tra i nodi
in questione aprendo il circuito. Limpedenza RT h `e quella che si misurerebbe tra i
nodi, tenendo conto di tutti gli elementi presenti tra gli stessi e sostituendo ciascun
generatore di corrente o di tensione con la sua impedenza interna.
Questo teorema viene spesso impiegato per ridurre il numero di maglie in un
circuito.
Per esempio, il circuito a due maglie di gura 1.2, pu`o essere ridotto ad una sola

R1
V1

R2

V2

Figura 1.2: Circuito a due maglie.


maglia sostituendo i componenti alla sinistra dei nodi a e b (compresa la resistenza
R) con il loro equivalente di Thevenin (gura 1.3):

RTh
VTh

R2

V2

Figura 1.3: Circuito ad una maglia, ridotto sfruttando il Teorema di Thevenin.

RT h =

R R1
R + R1

VT h = V1

R
R + R1

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici


La corrente i che passa attraverso R2 `e data da:



V2 VT h
R R1
R
i=
= V2 V1
R2 +
R2 + RT h
R + R1
R + R1

quindi
i=

(V2 V1 )R + V2 R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2

La tensione nel punto a sar`a allora:


Va = V2 R2 i
e la corrente in R:
iR =

Va
.
R

Possiamo dimostrare il Teorema di Thevenin come segue.


Consideriamo una rete con n rami. Indichiamo con ri ed fi rispettivamente
la resistenza e la forza elettro-motrice (f.e.m.) del ramo i-esimo. Supponiamo di
aggiungere un ramo di resistenza r0 tra due punti (nodi) qualsiasi della rete e che
tra questi due punti esistesse, prima dellaggiunta del nuovo ramo, una d.d.p. V.
Detta R0 la resistenza complessiva che la rete presenta tra i due punti dati, il teorema
di Thevenin dice che la corrente i0 nel nuovo ramo `e data da:
i0 = V /(R0 + r0 )
Per dimostrarlo supponiamo che anche nel ramo r0 sia inserita una f.e.m. f0 . La
corrente i0 `e una funzione lineare delle varie f.e.m. presenti nella maglia:
i0 =

n


Ak fk

Ak costanti

k=0

Eliminando tutte le fk (ma non le resistenze rk ), cio`e ponendo fk = 0 per k = 0,


avremo:
i0 = A0 f0
ma sappiamo che f0 /r0 = (r0 + R0 ), quindi
1
= r0 + R0
A0
Riportiamo ora il circuito nelle condizioni precedenti tornando ad inserire le fk
e diamo inoltre ad f0 valore pari a V tale che sia i0 = 0:
0 = V A0 +

n


Ak fk

k=1

poiche il ramo r0 ora non assorbe corrente, questa V coincider`a con la d.d.p. esistente
tra i due punti nel circuito primitivo.

1.2 Teoremi di Thevenin e di Norton

Ponendo ora f0 = 0 ed utilizzando le equazioni scritte il precedenza otteniamo:


i0 =

n


Ak fk =

k=0

n


Ak fk = V A0 =

k=1

V
r0 + R0

che dimostra il teorema di Thevenin.


Teorema di Norton
Un generico segmento di circuito, compreso tra due nodi, pu`o essere, agli eetti
del calcolo delle correnti e delle tensioni, sostituito da un generatore di corrente
iN o in parallelo con unimpedenza RN o . La corrente iN o `e quella che uirebbe tra
in nodi in questione se questi fossero messi in corto circuito. Limpedenza RN o `e
quella misurata tra i medesimi nodi, tenendo conto di tutti gli elementi presenti
tra gli stessi e sostituendo ciascun generatore di corrente o di tensione con la sua
impedenza interna.
Esaminiamo ad esempio ancora il circuito a due maglie di gura 1.2 e sostituiamo
la maglia di sinistra con il suo equivalente di Norton; esso viene quindi ridotto al
circuito di gura 1.4:

a
i No

R2

RNo

V2

Figura 1.4: Circuito equivalente a quello di gura 1.2 ottenuto sfruttando il Teorema di Norton.

iN o =

V1
R1

RN o =

R R1
R + R1

La tensione tra i nodi a e b e la corrente attraverso la R2 sono date da:


Vab = (i + iN o )RN o

i=

V2 Vab
R2

da cui
RN o
V2
(i + iN o )
R2
R2


V2
RN o
RN o
=
i 1+
iN o
R2
R2
R2
i=

i(R2 + RN o ) = V2 RN o iN o

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici


i=

V2
RN o

iN o
R2 + RN o R2 + Rno

Sostituendo in questa le espressioni di RN o e iN o :






R R1
R R1
R R1 V1 
i = V2

=
R2 +
R2 +
R + R1
R + R1 R1
R + R1
=

(V2 V1 )R + V2 R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2

cio`e il medesimo risultato che si ottiene con lapplicazione del Teorema di Thevenin.
Corollario dei teoremi di Th
evenin e Norton
Dai teoremi di Thevenin e Norton segue che un generatore di tensione V in serie
con una resistenza R `e equivalente ad un generatore di corrente I in parallelo con
R, purche sia V = R I (gura 1.5).

R
V

R V=RI

Figura 1.5: Sinistra: generatore di tensione in serie ad una resistenza; destra: generatore di
corrente in parallelo ad una resistenza. I due circuiti si equivalgono purche V = RI.

Come corollario segue quindi che la tensione a circuito aperto `e uguale alla
corrente a circuito chiuso moltiplicata per la resistenza.
Nonostante la sua semplicit`a, questa relazione pu`o risultare molto utile nellanalisi dei circuiti.

1.3

Principio di sovrapposizione

In una rete lineare in cui siano presenti pi`


u sorgenti di tensione e/o corrente la
risposta pu`o essere calcolata a partire dalla risposta ottenuta in presenza di una sola
delle sorgenti e sommando poi tutte le risposte. Nel calcolo della risposta ad una
generica delle sorgenti occorre sostituire tutte le altre con le loro impedenze interne
(cio`e, ogni sorgente ideale di tensione con una resistenza nulla ed ogni sorgente ideale
di corrente con una resistenza innita).
Applichiamo il principio di sovrapposizione al circuito gi`a esaminato di gura 1.2.
Se fosse presente solo V2 (con V1 sostituito da un cortocircuito) la corrente in R2
sarebbe:
V2
V2 (R + R1 )

=
i2 =
R R1
R(R1 + R2 ) + R1 R2
R2 + R+R1
Se fosse invece presente solo V1 (con V2 sostituito da un cortocircuito) la corrente
in R2 sarebbe:

1.4 Generatori di tensione/corrente

V1
i2 =
R2



1

R1 (R + R2 )
R(R1 + R2 ) + R1 R2


=

V1 R
R(R1 + R2 ) + R1 R2

In presenza di entrambe le sorgenti avremo:






i2 = i2 + i2 =

(V2 V1 )R + R1 V2
R(R1 + R2 ) + R1 R2

cio`e nuovamente il medesimo risultato ottenuto facendo uso dei teoremi di Thevenin
e Norton.

1.4

Generatori di tensione/corrente

I generatori sono componenti circuitali attivi e rappresentano dispositivi capaci di


fornire energia elettrica al circuito cui sono connessi.

1.4.1

Generatori ideali e reali

I tipi di generatori ideali normalmente considerati sono due: quello di tensione e


quello di corrente.
Un generatore ideale di tensione fornisce un valore di tensione assegnato (V = Vs )
indipendentemente dalla corrente erogata e quindi dal circuito a cui `e connesso
(gura 1.6 a).
Un generatore ideale di tensione deve necessariamente avere resistenza interna
nulla, altrimenti la tensione ai suoi capi sarebbe V = Vs rs i (dipendente dalla
corrente erogata).
Un generatore reale di tensione pu`o essere assimilato ad un generatore ideale
in serie con la propria resistenza interna (gura 1.6 b).
Un generatore ideale di corrente fornisce una corrente di valore assegnato (i = is )
indipendentemente dalla tensione tra i terminali del generatore e quindi dal
circuito a cui `e connesso (gura 1.6 c).
Un generatore ideale di corrente deve necessariamente avere resistenza interna
innita, altrimenti la corrente erogata sarebbe pari a i = is V /rs (dipendente
dalla tensione ai suoi capi).
Un generatore reale di corrente pu`o essere assimilato ad un generatore ideale
in parallelo con la propria resistenza interna (gura 1.6 d).

1.4.2

Generatori dipendenti

Un generatore dipendente eroga un segnale di tensione/corrente dipendente dalla


corrente/tensione presente in unaltra parte del circuito.
Un esempio `e quello di gura 1.7, nel quale il generatore dipendente i1 eroga
una corrente che `e proporzionale, secondo la costante , alla corrente nella maglia
dingresso i1 . La corrente nella maglia duscita i2 sar`a:

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

rs
+

Vs

Vs

a)

b)
i

is

is

c)

rs

i
V

d)

Figura 1.6: a): generatore ideale di tensione; b): generatore reale di tensione; c) generatore
ideale di corrente; d) generatore reale di corrente.

i1
R1
V1

i1

R2

R3

V2

Figura 1.7: Circuito che contiene un generatore dipendente di corrente.

i2 = i1 + i
Un altro esempio `e quello di gura 1.8, nel quale abbiamo nella maglia duscita
un generatore di tensione che eroga una tensione proporzionale alla tensione presente
tra i terminali dingresso V = Vf .

1.5

Quadripoli. Parametri h, y, z

Sebbene i componenti circuitali con due terminali siano quelli pi`


u comuni, esistono
numerosissimi componenti circuitali con N terminali (N > 2). Il modello circuitale
di un elemento con N terminali prende il nome di N-polo (N = 3 tripolo, N = 4
quadripolo).

1.5 Quadripoli. Parametri h, y, z

ra

Vf

Rg

Rc

Vf

+
Figura 1.8: Circuito che contiene un generatore dipendente di tensione.
Nella teoria dei circuiti gli N-poli hanno un duplice ruolo. Primo, sono adoperati
come modelli di parti complesse di circuiti che interagiscono con le restanti parti del
` possibile caratterizzare
circuito di cui fanno parte attraverso pi`
u di due terminali. E
il funzionamento di queste parti indipendentemente dal circuito in cui esse sono
inserite. Secondo, gli elementi con pi`
u di due terminali sono adoperati come modelli
per componenti complessi quali i transistor, gli amplicatori operazionali, etc.
Il funzionamento di un N-polo `e denito dalle relazioni esistenti tra le intensit`a
delle correnti che attraversano i terminali e le tensioni tra i terminali.
Un N-polo ha N intensit`a di corrente distinte, tante quanti sono i terminali, e
N(N 1)/2 tensioni distinte, tante quante sono le coppie di terminali senza ripetizione. Naturalmente tutte queste grandezze non sono completamente indipendenti
luna dallaltra; il numero di grandezze indipendenti necessarie per descrivere il funzionamento dellN-polo pi`
u essere ridotto grazie alle due leggi di Kircho. In generale, per un componente con N terminali, solo N 1 intensit`a di corrente e N 1
tensioni sono indipendenti (descrittive). Il funzionamento di un N-polo `e descritto
da N 1 relazioni tra le intensit`a di corrente e le tensioni descrittive; relazioni che
dipendono solo dalla costituzione sica del componente che lelemento rappresenta.
Una coppia di terminali `e detta porta se la somma delle intensit`a delle correnti
che li attraversano `e uguale a zero. A ciascuna porta `e associata unintensit`a di
corrente ed una tensione.
Molti degli elementi circuitali che saranno introdotti in seguito in questo volume,
possono essere descritti come quadripoli a due porte, o doppi bipoli (e saranno
chiamati semplicemente quadripoli).
Vediamo lesempio di gura 1.9, in esso compare una coppia di terminali din-

i1

v1 i
3
3

i2
i 4 v2

Figura 1.9: Doppio bipolo o quadripolo.


gresso (porta dingresso) ed una coppia di terminali duscita (porta duscita). Le
intensit`a di corrente entranti nei quattro terminali vericano le seguenti relazioni:

10

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

i1 + i3 = 0

i2 + i4 = 0

cos` possiamo associare alla porta dingresso semplicemente lintensit`a di corrente i1


e la tensione v1 , a quella duscita, la corrente i2 e la tensione v2 .
Il funzionamento dei quadripoli a due porte `e descritto da due relazioni indipendenti tra le due intensit`a di corrente i1 e i2 e le due tensioni v1 e v2 ; relazioni
che dipendono unicamente dalla natura sica del componente che il doppio bipolo
rappresenta.
Naturalmente esiste la possibilit`a che due quadripoli, diversi nella composizione
circuitale interna, si comportino in modo identico relativamente alla grandezze elettriche (correnti e tensioni) sui terminali. Quando questo si verica, i due quadripoli
sono detti equivalenti e possono essere scambiati tra loro senza inuenzare il comportamento della rete elettrica nella quale sono inseriti.
Un quadripolo lineare non pu`o comprendere nella sua rete generatori indipendenti di tensione o corrente; per`o possono essere presenti generatori dipendenti da
una grandezza elettrica ai terminali o interna.
Abbiamo visto che delle quattro variabili (i1 , i2 , v1 e v2 ) che descrivono il
quadripolo, solo due possono essere assegnate indipendentemente, le altre sono legate
alla prime da equazioni lineari. Ognuna delle dierenti scelte delle possibili coppie
di variabili indipendenti (i1 -i2 , i1 -v1 , etc) conduce ad una descrizione matematica
diversa; poiche le possibilit`a sono sei, esistono sei diversi modelli matematici che
descrivono un quadripolo.
Modello a parametri y
Il modello a parametri y (conduttanza) viene usato per descrivere le correnti caratteristiche del quadripolo in funzione delle tensioni ai capi dei terminali dingresso ed
uscita:
i1 = f1 (v1 , v2 )
i2 = f2 (v1 , v2 )
il circuito equivalente al quadripolo che vogliamo descrivere con il modello a parametri
y `e quello di gura 1.10. Il sistema di equazioni lineari associate `e:
i1
v1

i2
y11

y12 v2

y21 v1

y22

Figura 1.10: Circuito equivalente a parametri y.



i1 = y11 v1 + y12 v2
i2 = y21 v1 + y22 v2

v2

1.6 Teorema di Miller

11

I parametri y si possono determinare mediante i rapporti corrente-tensione imponendo la condizione che una delle due tensioni sia nulla; operativamente, quindi,
devono essere chiusi in cortocircuito i terminali dingresso (v1 = 0) e di uscita
(v2 = 0).
Modello a parametri z
Scegliendo come variabili indipendenti le correnti di ingresso e di uscita (i1 e i2 ), le
equazioni che descrivono il comportamento del quadripolo hanno la forma:

v1 = z11 i1 + z12 i2
v2 = z21 i1 + z22 i2
Il modello circuitale che ne deriva `e denominato modello a parametri z o parametri
impedenza, dato che i coecienti delle correnti rappresentano delle impedenze. I
parametri z si possono determinare misurando i rapporti tensione-corrente avendo
aperto lopportuna coppia di terminali in modo da avere i1 = 0 e i2 = 0.
Modelli a parametri ibridi
I modelli a parametri ibridi si ottengono considerando come variabili indipendenti le
grandezze i1 e v2 oppure v1 e i2 ; nel primo caso il quadripolo `e descritto dal modello
a parametri h, nel secondo dal modello a parametri g.
Il circuito equivalente al quadripolo descritto col modello a parametri h `e quello
di gura 1.11, e le equazioni lineari associate sono:
i1

h11

i2
+

v1

h12 v2

h21 i 1

h22

v2

Figura 1.11: Circuito equivalente a parametri h.



v1 = h11 i1 + h12 v2
i2 = h21 i1 + h22 v2
dove i parametri h12 e h21 sono numeri puri, il parametro h11 ha le dimensioni di
una impedenza, mentre il parametro h22 quelle di una conduttanza.
La determinazione sperimentale di questi parametri si eettua prima aprendo
il circuito dingresso (i1 = 0) e alimentando luscita (si ottengono h12 e h22 ) e poi
cortocircuitando luscita (v2 = 0).

1.6

Teorema di Miller

Sia dato un circuito con un generico numero di nodi. Indichiamo con Vi il potenziale
delli-esimo nodo. Consideriamo due di questi nodi, ad esempio quelli 1 e 2 di

12

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

gura 1.12 ed ammettiamo di conoscere il rapporto tra le tensioni V2 /V1 = K. Ci


chiediamo quale sar`a la corrente che uisce in unimpedenza Z inserita tra i nodi 1
e 2.

Figura 1.12: Generico circuito con N poli.


Il Teorema di Miller ci dice che la corrente erogata dal nodo 1, che attraversa 2,
(e, pi`
u in generale, la risposta del circuito) pu`o essere calcolata ricorrendo al circuito
equivalente di gura 1.13, dove:
Z1 =

Z
1K

Z2 =

ZK
1K

2
Z2

Z1
3

Figura 1.13: Circuito equivalente a quello di gura 1.12 ottenuto grazie al Teorema di Miller.
Infatti la corrente che uisce in Z `e:


V1
V1
V2 1
V1 V2
1K
= V1 1
= V1
=
=
I=
Z
V1 Z
Z
Z/(1 K)
Z1
cio`e la medesima corrente che attraversa, dal nodo 1, limpedenza Z1 verso massa.
Analogamente, la corrente che uisce in Z dal nodo 2 `e:


V2 V1
V1 1
V2 (1 1/K)
V2 (K 1)
V2
I=
.
= V2 1
=
=
=
Z
V2 Z
Z
K Z
Z2

1.7 Circuiti RC e CR

1.7

13

Circuiti RC e CR

Circuiti costituiti da sole resistenze e capacit`a sono importanti, in quanto essi permettono di realizzare ltri senza far uso di induttanze (pi`
u complesse dal punto di
vista tecnologico).
Un ltro `e un circuito che lascia passare solo segnali compresi in un certo intervallo in frequenze. Si dice ltro passa-basso un circuito che lascia passare solo le
frequenze pi`
u basse di una pressata, detta frequenza di taglio. Viceversa si dice
ltro passa-alto un circuito che seleziona frequenze pi`
u alte di una pressata.
Un circuito che funzioni come ltro passa-basso si pu`o ottenere semplicemente
mettendo in serie una resistenza ed un condensatore, il segnale in ingresso si invia ai
capi della serie ed il segnale in uscita si legge ai capi del condensatore (gura 1.14).
R
Vi

Vo

Figura 1.14: Circuito RC o passa-basso (integratore).


Per avere un ltro passa-alto sempre con un circuito formato da una serie tra
un condensatore ed una resistenza, il segnale in uscita deve essere letto ai capi della
resistenza, che, in questa congurazione, segue il condensatore (gura 1.15).
C
Vi

Vo

Figura 1.15: Circuito CR o passa-alto (derivatore).

1.7.1

Risposta a gradini ed a rampe

Vediamo prima di tutto quale `e la risposta di un circuito passa-basso ad un gradino


unitario in ingresso.
Sempre considerando il circuito di gura 1.14 possiamo scrivere le seguenti equazioni:


vi = Ri + C1 idt
o
i = vi v
R
sostituendo la seconda nella prima:
1
vi vo
+
vi = R
R
RC

1
vi dt
RC


vo dt

14

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici


1
vo =
RC

1
vi dt
RC


vo dt

dvo
+ vo = vi
dt
la cui soluzione `e data da (gura 1.16):

(1.4)

RC

vo = 1 et/

RC

vi
vo

Figura 1.16: Risposta di un circuito RC passa-basso ad un gradino.


La risposta dello stesso circuito ad un segnale in ingresso che rappresenti una
rampa (vi = t) si trova risolvendo ancora lequazione (1.4). La soluzione dellequazione omogenea `e vo = et/ e la soluzione particolare dellequazione completa `e
vo = (t ); le condizioni al contorno sono le seguenti:

t=0
vo = 0
t = vo = t
quindi la risposta del circuito `e data da:
vo = (et/ 1) + t
Considerando lo sviluppo dellesponenziale per t << abbiamo:


t2
t
t2
vo = + 2 ... + t 

2
2
cio`e, a parte il fattore 1/ , lintegrale del segnale in ingresso. Al crescere di t,
tuttavia, landamento diviene nuovamente lineare.
Questo tipo di risposta (lintegrale dellingresso per tempi piccoli rispetto ad
RC) si ottiene anche per altre forme donda in ingresso. La caratteristica di avere

1.7 Circuiti RC e CR

15

in uscita un segnale corrispondente allintegrale di quello in ingresso `e propria di


questo tipo di circuito che, difatti, viene anche chiamato integratore.
Consideriamo adesso il circuito di gura 1.15, il ltro-passa alto; per un gradino
unitario in ingresso avremo:
vo = vi vc = vi vi (1 et/ )
dove vc `e la tensione ai capi del condensatore, quindi il segnale in uscita `e dato da
(gura 1.17):
vo = et/
(1.5)

vi

vo

Figura 1.17: Risposta di un circuito CR passa-alto ad un gradino.


Questo tipo di circuito blocca completamente ogni segnale continuo e, pi`
u in
generale, ogni segnale alle basse frequenze (di qui il nome di ltro passa-alto).
Vediamo adesso in che senso questo tipo di circuito pu`o essere usato come
derivatore. Per il circuito CR possiamo scrivere le seguenti equazioni:


vo = vi C1 idt
i = vRo
sostituendo la seconda nella prima avremo:

1
vo dt
vo = vi
RC
dvo
dvi
vo
+
=
(1.6)
RC
dt
dt
Consideriamo i due casi limite: quello in cui vi stia cambiando molto rapidamente
e quello in cui cambi molto lentamente.
Nel primo caso, come si `e gi`a visto, poiche la dierenza di potenziale ai capi del
condensatore non pu`o cambiare rapidamente, si ha che dvo /dt sar`a grande (come

16

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

dvi /dt) ed allora il termine vo /RC potr`a in prima approssimazione essere trascurato
rispetto a dvo /dt. In tal caso, quindi avremo
vo = vi + cost.
dove la costante dipende dalle condizioni iniziali.
Nel secondo caso vi cambia molto poco in un tempo pari alla costante di tempo
RC del circuito, ovvero RC << T dove T `e il tempo in cui vi subisce una variazione
apprezzabile. Avremo:
dvo
vo
>>
RC
dt
trascurando quindi a primo membro nellequazione (1.6) il termine dvo /dt, avremo:
dvi
dt
cio`e il segnale in uscita verr`a ad essere proporzionale alla derivata di quello in
ingresso.
Prendiamo come esempio il caso di un segnale a rampa:
vo = RC

vi = t
lequazione dierenziale del circuito si scrive in tal caso:
dvo
vo
+
=
RC
dt
e la soluzione di tale equazione `e:
vo = RC(1 et/RC )
Per t << RC possiamo sostituire lesponenziale in parentesi con il suo sviluppo
in serie:
et/RC  1

t
+ ...
RC

quindi:
vo = t
Vediamo cos` che per tempi piccoli rispetto alla costante di tempo RC il segnale
in uscita segue quello in ingresso. Per tempi grandi, invece, il termine esponenziale
tender`a a zero ed avremo:
vo  RC
Se il fronte di salita di un generico tipo di impulso pu`o essere approssimato con
una rampa, possiamo usare questo circuito come derivatore ed ottenere la pendenza
attraverso la misura del valore asintotico del segnale in uscita.

1.7 Circuiti RC e CR

1.7.2

17

Risposta ad onde quadre

Supponiamo di mandare in ingresso ad un circuito CR passa-alto (gura 1.15)


unonda quadra di periodo 2T ed ampiezza V .
Per t < T il segnale in uscita `e quello calcolato in precedenza come risposta ad un
ingresso a gradino (equazione (1.5)). A t = T il segnale in ingresso diminuisce la sua
ampiezza di un valore pari a V e di conseguenza anche quello di uscita cade di V
in quanto la dierenza di potenziale ai capi di C non pu`o cambiare improvvisamente:

vo = (V eT / V ) < 0

t=T

A partire da tale istante luscita comincia a risalire verso lo zero con legge esponenziale e con la medesima costante di tempo di prima:
vo = V (eT / 1)e(tT )/
Se vogliamo che la distorsione sia minima, occorre che la costante di tempo RC
sia grande rispetto a T . Tuttavia c`e sempre una caduta alla ne del segnale in
ingresso. Inoltre lintegrale della parte di segnale in uscita sopra lo zero `e uguale a
quello della parte negativa (gura 1.18).

111111111
000000000
000000000
111111111
000000000
111111111
T < RC
000000000
111111111
000000000
111111111
000000000
111111111
00000000000000000
11111111111111111
000000000
111111111
00000000000000000
11111111111111111
00000000000000000
11111111111111111
00000000000000000
11111111111111111

0110
1010
1010
10

T >> RC

11
00
00
11
00
11
00
11
00
11
00
11
00
11

Figura 1.18: Risposta ad unonda quadra di un circuito CR passa-alto.


Riassumendo, le caratteristiche della risposta di un circuito passa-alto ad unonda
quadra periodica in ingresso sono le seguenti:
- il segnale in uscita `e periodico, con lo stesso periodo di quello in ingresso;
- larea sopra lasse dei tempi `e uguale allarea sotto;

18

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

- quando lingresso subisce una brusca variazione, anche luscita subisce una brusca
variazione nello stesso verso;
- durante un qualsiasi intervallo di tempo in cui lingresso mantiene un livello
costante, luscita decade esponenzialmente verso lo zero.

1.7.3

Risposta a segnali sinusoidali

Esaminiamo ora la risposta di un circuito passa-alto ad unonda sinusoidale.


Consideriamo ancora il circuito di gura 1.15. Le impedenze del condensatore e
della resistenza sono :
ZC =

1
jC

ZR = R

il segnale in uscita `e dato da:


vo = vi
= vi

R
R
jRC
=
= vi
1 = vi
Ztot
jRC + 1
R + jC

jRC(1 jRC)
jRC + (RC)2
=
v
i
1 + (RC)2
1 + (RC)2

da cui:
vo
RC
=
(RC + j)
vi
1 + (RC)2
quindi il segnale in ingresso viene attenuato di un fattore
A=

RC
1 + (RC)2

che tende ad 1 per che tende ad innito, ed a RC per RC << 1. Il segnale `e


inoltre sfasato di un angolo con
tg() =

1
RC

Se il segnale in ingresso `e unonda sinusoidale del tipo


vi = V sin(t)
allora il segnale in uscita `e
vo = AV sin(t + )
Per avere un derivatore perfetto, deve essere = /2 e quindi dovremmo avere
R = 0 oppure C = 0. Tuttavia, se RC = 0.01, allora = 89.4o e quindi
lapprossimazione `e molto buona.
Esaminiamo ora, la risposta allonda sinusoidale di un circuito passa-basso :
vo = vi

1
ZC
1
= vi
1 =
Ztot
jC R + jC

1.8 Riessione di impedenze nel primario di un trasformatore


= vi

19

1
1 jRC
= vi
1 + jRC
1 + (RC)2

quindi in questo caso il fattore di attenuazione `e pari a:


1
A=
1 + (RC)2
che tende a zero per che tende ad innito. Lo sfasamento `e invece dato da:
tg() = RC
Si pu`o vericare il comportamento del circuito come integratore attraverso unanalisi della risposta ad un segnale sinusoidale. In tal caso infatti, se lingresso `e una
funzione del tipo cos(t), il segnale in uscita dovr`a essere del tipo sin(t), ovvero
cos(

t)
2

se lo sfasamento fosse diverso da /2, il comportamento non sarebbe quello di un


` invece, possibile vericare che lo sfasamento `e 89.4o (invece
buon integratore. E,
o
di 90 ) se RC 15T , dove T `e il periodo dellonda.
Una forma donda sinusoidale, al passaggio
 attraverso una rete lineare (cio`e una
rete contenente i soli operatori lineari R, C1 dt, L dtd ) rimane sinusoidale. Lunico
eetto che il circuito ha su di essa `e quello di introdurre eventualmente uno sfasamento. Questa `e una caratteristica delle sole forme donda sinusoidali. Ogni altra
forma donda subisce delle modiche nella forma. Il processo attraverso il quale la
forma di un segnale non sinusoidale `e alterata dalla trasmissione attraverso una rete
lineare `e chiamato linear wave shaping.

1.8

Riessione di impedenze nel primario di un


trasformatore

Se una generica impedenza Z `e presente nel secondario di un trasformatore, quale ad


esempio quella mostrata in gura 1.19, limpedenza vista nel primario `e legata a
Z ed al rapporto di trasformazione da una semplice relazione, che ora esamineremo.
Il rapporto di trasformazione per la tensione `e legato al rapporto tra i numeri di
spire n1 ed n2 presenti rispettivamente nel circuito primario ed in quello secondario,
dalla nota relazione:
v1
n1
=
v2
n2
Lanaloga relazione per la corrente `e:
i1
n2
=
i2
n1
La relazione tra corrente e tensione nel circuito secondario `e daltronde:
v2
= Z
i2

20

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

I2

I1
v1

n1

n2

v2

Figura 1.19: Riessione dellimpedenza Z nel primario di un trasformatore.


Limpedenza vista guardando nel primario `e:
Zin =

v1
i1

Sostituendo in questa i valori forniti dai rapporti di trasformazione per tensione e


corrente, otteniamo:
 2
v2 n1 /n2
n1
= Z
(1.7)
Zin =
i2 n2 /n1
n2
Se Z `e una semplice resistenza R, avremo:
 2
n1
Rin = R
n2
Se Z `e una capacit`a Z = 1/jC, avremo:
 2
n2
Cin = C
n1
Se inne Z `e uninduttanza Z = jL, avremo:
 2
n1
Lin = L
n2

(1.8)

(1.9)

(1.10)

Il trasformatore potrebbe consistere in un autotrasformatore, quale quello mostrato in gura 1.20.


In tal caso possiamo applicare le medesime relazioni appena scritte, con lintesa
che ora n1 `e il numero di spire nel circuito dingresso, mentre n2 v`a ora sostituito con
il numero totale di spire presenti nel circuito secondario, n = n1 + n2 . La resistenza,
capacit`a ed induttanza viste nel circuito primario saranno ora date da:
Rin = R

n 2
1

n


Cin = C

n
n1

(1.11)

2
(1.12)

1.8 Riessione di impedenze nel primario di un trasformatore

21

n2
v2
v1

n1

Figura 1.20: Riessione dellimpedenza Z nel primario di un autotrasformatore.

Lin = L

n 2
1

(1.13)

22

Capitolo 1. Richiami di teoria dei circuiti elettrici

Capitolo 2

Uso delle trasformate di Fourier e


di Laplace
2.1

Introduzione

Per risolvere le equazioni integro-dierenziali che compaiono nel calcolo della risposta
di una rete elettrica a determinati segnali applicati, `e utile far uso del metodo
delle trasformate. Queste infatti trasformano le equazioni integro-dierenziali in
equazioni algebriche, la cui soluzione `e in genere molto pi`
u agevole.
Ci limiteremo in questa sezione a fornire gli elementi minimi essenziali per
arontare e risolvere i problemi che comunemente si incontrano in elettronica.
Alcuni semplici esempi saranno anche discussi, per rendere pi`
u esplicito luso del
metodo.
Per approfondimenti si rimanda alla bibliograa elencata in fondo a questa
sezione, in particolare alle referenze [1] ed [3].

2.2

La trasformata di Fourier

Sia data una funzione del tempo f (t). La sua trasformata di Fourier `e denita come:
 +
F () =
f (t)ejt dt
(2.1)

Fisicamente possiamo pensare che la f(t) sia costituita da una somma innita di
oscillazioni sinusoidali, ciascuna caratterizzata da una pulsazione ed unampiezza.
La grandezza:
F ()d/2
rappresenta lampiezza con cui compare in tale somma innita loscillazione di
frequenza compresa nellintervallo che va da f ad f + df , dove f = /2.
Se la F () `e nota, `e possibile ricavare la f(t), antitrasformando:
 +
1
f (t) =
F ()ejt d
(2.2)
2
Dalle denizioni (2.1) ed (2.2), sviluppando il termine:
ejt = cost + jsint
23

24

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

si vede facilmente che la F () `e reale se f(t) `e una funzione pari di t, cio`e se f(t)=f(-t),
mentre `e immaginaria se f(t) `e una funzione dispari: f(t)=-f(-t).
Le seguenti propriet`a della trasformata di Fourier sono spesso utili:
Linearit`
a : se F1 () = F [f1 (t)] ed F2 () = F [f2 (t)] ed a1 , a2 sono delle
costanti, allora:
F [a1 f1 (t) + a2 f2 (t)] = a1 F1 () + a2 F2 ()
propriet`
a di scaling: se F () = F [f (t)] ed a `e una costante reale, allora:
F [f (at)] =

F( )
|a| a

propriet`
a di traslazione temporale: se F () = F [f (t)] allora:
F [f (t t0 )] = F ()ejt0
propriet`
a di traslazione in frequenza: se 0 `e una costante reale e F () =
F [f (t)] allora:


F f (t)ej0 t = F ( 0 )
Calcoliamo ad esempio la trasformata della f(t) mostrata nel graco superiore
della gura 2.1, che rappresenta un impulso rettangolare di altezza h e durata t1 .
Facendo uso della (2.1) troviamo:

F () = h
0

t1

ejt dt =

sin(t1 /2) jt1 /2


h
(1 ejt1 ) = ht1
e
j
t1 /2

Landamento in funzione di della F () `e mostrato nel graco inferiore della gura 2.1. Vediamo che F () diminuisce allaumentare di ||. Per || molto grandi
possiamo considerare F () = 0, senza commettere un errore apprezzabile. Notiamo
anche che se t1 diminuisce, il range dei valori di in cui F () `e apprezzabile si
allarga.
Ad esempio, vediamo in gura 2.2 come cambia la F () se dimezziamo t1 rispetto
al valore che esso aveva in gura 2.1. In questa gura la curva tratteggiata `e quella
relativa ad un valore di t1 = 1.2 mentre quella a tratto continuo `e ottenuta con
un valore di t1 = 0.6. Le componenti di alta frequenza sono tanto pi`
u importanti
quanto pi`
u stretto `e limpulso.
Quando si fa uso della f (t) per descrivere uneccitazione (o una risposta) si dice
che si lavora nel dominio del tempo. Quando si fa invece uso della sua trasformata
di Fourier F () si dice che si lavora nel dominio della frequenza.
Alle propriet`a della trasformata di Fourier elencate sopra, dobbiamo aggiungerne
due che riguardano la trasformata della derivata e dellintegrale di una funzione f(t).
Se f (t) 0 per t , allora la trasformata della derivata della f(t) `e:


d
F
f (t) = jF ()
(2.3)
dt

2.2 La trasformata di Fourier

25

Figura 2.1: Il graco superiore mostra un impulso rettangolare di altezza h=1.5 e durata
t1 = 1.2s, quello inferiore la sua trasformata di Fourier

cio`e, la derivazione rispetto a t corrisponde alla moltiplicazione della trasformata


della funzione iniziale per j. Analogamente, per lintegrale troviamo:


F ()
F
f (t)dt =
(2.4)
j
cio`e, lintegrazione rispetto a t corrisponde alla divisione della trasformata iniziale
per j.
Esaminiamo lapplicazione della tecnica della trasformata di Fourier al calcolo
della risposta di un semplice circuito RL come quello mostrato in gura 2.3, cui sia
applicato in ingresso un gradino di tensione V (t) = V0 u(t) (dove u(t) `e la funzione
gradino unitario, che `e uguale a 0 per t < 0 e ad 1 per t > 0).
Lequazione di Kirckho per la maglia fornisce:
di(t)
+ Ri(t)
dt
dove i(t) `e la corrente nella maglia. Prendendo la trasformata di entrambi i membri
di questa equazione, otteniamo:
 +
 +
 +
jt
jt
v(t)e
dt = jL
i(t)e
dt + R
i(t)ejt dt
v(t) = L

26

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

1.5

F( )

F 1( )
0.5

40

20

20

40

Figura 2.2: Trasformata di Laplace per limpulso rettangolare. Linea tratteggiata: t1 = 1.2s;
linea a tratto continuo: t1 = 0.6s

V(t)

i(t)

Figura 2.3: Circuito LR


cio`e, in simboli:
V () = (R + jL)I() Z()I()
dove Z() `e la trasformata di Fourier dellimpedenza del circuito.
Lincognita del nostro problema, cio`e la corrente i(t) nella maglia, pu`o esser
facilmente calcolata a partire dalla trasformata I():
I() =

V ()
V ()
=
= V ()Y ()
R + jL
Z()

dove Y () `e la trasformata di Fourier dellammettenza (Y () = 1/Z()). La Y ()


`e anche detta, nel caso generale, la funzione di Green del problema.
Come visto, il termine induttivo d`a un contributo alla tensione V () pari a
(jL)I(). Ci`o si esprime dicendo che la trasformata dellimpedenza associata allinduttanza `e ZL = jL. Tale terminologia `e analoga a quella che si ha nel metodo
simbolico applicato a segnali sinusoidali.

2.2 La trasformata di Fourier

27

Analogamente si pu`o vericare che la trasformata di unimpedenza capacitiva `e


data da 1/(jC), dove C `e la capacit`a. Infatti, per un condensatore inizialmente
scarico, caricato da una corrente i(t), la dierenza di potenziale ai suoi capi `e data
da:
t  
i(t )dt
v(t) = 0
C
Prendendo la trasformata di entrambi i membri, e facendo uso della relazione:

 t
1


F ()
f (t )dt =
F
j
0
si trova:

1
I() = Z()I()
jC
che `e quanto asserito. Il risultato trovato `e nuovamente simile a quello noto nel caso
del metodo simbolico applicato a segnali sinusoidali. Potremo quindi, in un generico
problema, sostituire direttamente alle impedenze le loro trasformate ed ottenere cos`
direttamente la funzione di Green del sistema.
Consideriamo ad esempio il circuito di gura 2.4:
V () =

i(t)
L
V(t)

L2

Figura 2.4: Circuito L-LCR


dove:
Z1 = jL1 , Z2 = jL2 , ZC =

1
, ZR = R
jC

Si ottiene:
V () = Z() I()
con:

(R + 1/(jC))jL2
+ jL1
R + 1/(jC) + jL2
La Z() descrive completamente le propriet`a siche del circuito in esame. Essa `e in
generale una funzione complessa di , caratterizzata quindi da un modulo ed una
fase, entrambi funzioni di .
Nei casi esaminati la soluzione completa del problema, cio`e il calcolo della relazione tra v(t) ed i(t), richieder`a poi luso dellantitrasformata, applicata ai due
termini delle relazioni ottenute tra V () ed I(). Vedremo pi`
u avanti come ci`o
possa esser realizzato.
Z() = (ZC + ZR ) Z2 + Z1 =

28

2.3

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

Trasformata di Laplace

Se f (t) `e una funzione di t, la sua trasformata di Laplace `e una funzione della


variabile complessa denita da:
 +
est f (t)dt
(2.5)
L(s) = L [f (t)] =
0

dove la variabile complessa s = + j.


Lantitrasformata `e ottenuta tramite unintegrazione nel piano s complesso:
 a+j
1
f (t) =
F (s)est ds
(2.6)
2j aj
dove lintegrazione `e eettuata lungo la retta indicata in gura 2.5 dalla linea
tratteggiata.
j

Figura 2.5: Piano s complesso. La linea tratteggiata `e quella lungo cui v`a eettuata
lintegrazione della F (s)est per il calcolo dellantitrasformata di Laplace
Analogamente al caso della trasformata di Fourier, anche ora esistono alcune
relazioni che `e utile ricordare.
propriet`a di scaling:
L [f (at)] =

1 s
L( )
a a

propriet`a di traslazione temporale:


L [f (t )] = L(s)es
propriet`a di traslazione in frequenza:


L f (t)et = L(s + )

2.3 Trasformata di Laplace

29

Va inne ricordata la trasformata della derivata e dellintegrale della funzione f (t).


Per quel che concerne la derivata prima, abbiamo una relazione analoga a quella
incontrata nel caso della trasformata di Fourier:
L [f  (s)] = sL(s) f (0+ )

(2.7)

u in generale, per la
dove f (0+ ) `e il limite destro di f (t) per t tendente a 0. Pi`
ma
derivata n di f (t), abbiamo:
(n)
df n1(0)
n
n1
n2 df (0)
....
L f (t) = s L(s) s f (0) s
dt
dtn1
Per ci`o che concerne la trasformata dellintegrale della f (t), abbiamo:
 t

1


(2.8)
L
f (t )dt = L(s)
s
0
Dobbiamo notare che lintegrale (2.5) non esiste per una qualsivoglia funzione,
per valori generici della parte reale di s. Se infatti `e negativo, il termine exp(st)
far`a si che lintegrando diverga per t . Se invece `e positivo il termine exp(st)
tender`a a zero per t tendente ad innito e lintegrale sar`a in genere nito. Pi`
u in
generale, per una generica funzione f (t) il seguente test consente di determinare
quali siano i valori di che rendono convergente lintegrale. Si calcoli:

f (t)et dt
0

Se tale integrale esiste per > 0 , dove 0 `e una costante, allora esister`a la
trasformata di Laplace della f (t) per > 0 .
La classe delle funzioni che possono essere trasformate in tal modo `e nota come
classe delle funzioni di ordine esponenziale. Esempi di funzioni appartenenti a tale
classe sono:
f (t) = tn , per la quale `e: limt tn et = 0 per n generico, se > 0
f (t) = e5t , per la quale `e: limt e5t et = 0 per > 5
Una funzione che non `e di ordine esponenziale `e: f (t) = exp(t2 ).
Tutte le funzioni che normalmente incontreremo nella applicazioni elettroniche
saranno di ordine esponenziale. Per ulteriori dettagli vedasi la referenza [1].
Avremo spesso bisogno delle L-trasformate di alcune funzioni elementari, che
riassumiamo qui di seguito:

f(t)
u(t) (funzione gradino)
t (rampa)
eat
sin(t)
cos(t)
eat sin(t)
eat cos(t)
u(t a)(gradino unitario ritardato)
(t) (funzione di Dirac)

L(s)
1/s
1/s2

1
sa

s2 + 2
s
s2 + 2

(sa)2 + 2
sa
(sa)2 + 2
1 as
e
s

30

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

Ricordando che una funzione di variabile complessa s che sia espressa come rapporto tra due polinomi a coecienti reali nella variabile s `e completamente individuata, a meno di una costante moltiplicativa, dai suoi poli e zeri nel piano complesso
s, potremo rappresentare le F(s) appena scritte, come mostrato nelle gure 2.6 e 2.7,
dove un cerchietto indica uno zero ed una X un polo.

u(t)

jM
1/s

t
XX
jM

I
1/(s-a)

e=J(a<0)
X
-|a|

jM

M/(M +s 

sin( t)

X
M
X

Figura 2.6: Rappresentazione di alcune funzioni elementari tramite le posizioni degli zeri e dei
poli nel piano s complesso: un polo `e indicato con una X , uno zero con un O
Dallesame delle gure 2.6 e 2.7 possiamo fare le seguenti considerazioni generali:
i poli sono o reali o complessi coniugati
ad un polo reale singolo `e associata una funzione f (t) di tipo esponenziale
a due poli complessi coniugati sono associate funzioni di tipo sinusoidale
se i poli si trovano nel semipiano destro, la f (t) diverge
quanto pi`
u un polo reale negativo `e lontano dallorigine, tanto pi`
u velocemente
lesponenziale tende a zero
quanto maggiore `e la distanza dallorigine di una coppia di poli complessi
coniugati, tanto pi`
u elevata `e la frequenza doscillazione della corrispondente
f (t)

2.3 Trasformata di Laplace

31

jM
s/(M +s 
X

cos( t)

jM

e=J sin( t)
(a<0)

M/[(s-a) +M ]

-|a|

X
jM

e=J cos(t)
(a<0)

(s-a)/[(s-a) +M ]

-|a|

Figura 2.7: Rappresentazione di alcune funzioni elementari tramite le posizioni degli zeri e dei
poli nel piano s complesso: un polo `e indicato con una X , uno zero con un O
Se lequazione trasformata `e del tipo:
Y (s) = G(s)X(s)
dove X(s) `e la trasformata delleccitazione, Y(s) quella della risposta e G(s) `e la
funzione di Green del sistema, la risposta y(t) pu`o essere ottenuta antitrasformando
la Y(s). Per far ci`o si cerca di esprimere la Y(s) come somma di frazioni parziali, di
ciascuna delle quali si conosca lantitrasformata. Data la linearit`a della trasformata,
la risposta sar`a la somma delle singole antitrasformate.
In tale tipo di calcoli sono utili i cosiddetti teoremi del valore iniziale e del valore
nale:
lim+ y(t) = lim sY (s)
(2.9)
t0

lim y(t) = lim sY (s)

s0

(2.10)

Le trasformate di Laplace vengono normalmente denite per funzioni che sono


nulle per t < 0. Ci`o copre la pi`
u gran parte delle funzioni dinteresse in elettronica.
possibile estendere il metodo delle trasformate di Laplace al caso di funzioni
E
non nulle per t < 0, ma esiste allora unambiguit`a nella trasformata inversa.

32

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

Da un punto di vista pratico esiste poca dierenza tra i metodi di Fourier e


di Laplace. Tuttavia, poich`e la trasformata di Laplace esiste per una pi`
u ampia
classe di funzioni, `e normalmente pi`
u conveniente usare questultimo metodo. Ad
esempio, le funzioni che crescono indenitamente nel tempo non posseggono una
trasformata di Fourier e quindi esse (che compaiono quando si debba analizzare
il comportamento di sistemi instabili) debbono essere trattate con il metodo delle
trasformate di Laplace.
Nelle applicazioni elettroniche si incontrano spesso trasformate di Laplace della
forma:
N(s)
N(s)
=
(2.11)
D(s)
(s 1 )(s 2 )(s 3 ) (s n )
dove 1 , 2 , , n sono i le radici della funzione D(s), cio`e i poli della funzione
N(s)/D(s).
Esaminiamo ora alcuni esempi, per poi analizzare metodi generali per il calcolo
dellantitrasformata.

2.4

Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace

Equazione dierenziale lineare del secondo ordine


Si debba risolvere la seguente equazione lineare del secondo ordine:
dx(t)
d2 x(t)
+3
+ 2x(t) = 4e3t u(t)
2
dt
dt
con le condizioni iniziali:
x(0) = 2


dx(t) 
= 1
dt t=0
Si prenda la trasformata di Laplace di entrambi i membri dellequazione:

dx(t) 
4
2
+ 3 [sX(s) x(0)] + 2X(s) =
s X(s) sx(0)

dt t=0
s+3
Sostituendo i valori iniziali, questa fornisce:
(s2 + 3s + 2)X(s) =
da cui:
X(s) =

4
+ 2s + 5
s+3

2s2 + 11s + 19
(s + 1)(s + 2)(s + 3)

Questa pu`o esser riscritta come:


X(s) =

5
2
5

+
s+1 s+2 s+3

Lantitrasformata di questa si scrive in modo diretto come somma delle antitrasformate delle singole frazioni:
x(t) = (5et 5e2t + 2e3t )u(t)

2.4 Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace

33

Questa `e quindi la soluzione dellequazione dierenziale, con le condizioni al contorno


imposte.
Esempi relativi a circuiti elettrici
In modo analogo a quanto visto nel caso delle trasformate di Fourier possiamo, anche
nel caso delle trasformate di Laplace, evitare di scrivere lequazione dierenziale
associata ad un dato circuito, scrivendo direttamente lequazione algebrica che si
ottiene sostituendo a ciascun componente (induttanza, capacit`a, resistenza) nonch`e
a ciascun generatore di tensione o di corrente, i rispettivi L-trasformati. Ci`o segue
ovviamente dalla linearit`a delle equazioni.
Per una resistenza R sappiamo che `e:
v(t) = Ri(t)
per cui, in termini delle L-trasformate:
V (s) = RI(s)
la L-trasformata dellimpedenza associata alla resistenza R `e quindi:
ZR = R
Nel caso di uninduttanza abbiamo invece:
v(t) = L

di(t)
dt

la cui L-trasformata `e:


V (s) = L [sI(s) i(0)] = LsI(s) Li(0)
dove i(0) `e la corrente nellinduttanza per t = 0.
Da questa otteniamo poi:
I(s) =

i(0)
1
V (s) +
Ls
s

Se poi le condizioni iniziali sono tali che i(0) = 0 otteniamo:


V (s) = LsI(s)
per cui limpedenza trasformata `e:
ZL (s) = Ls
Un risultato analogo a quello del metodo simbolico, con la sola sostituzione di s a
j.
Nel caso di un condensatore troviamo in modo analogo:
i(t) = C

dv(t)
dt

34

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

da cui:
I(s) = C [sV (s) v(0)] = CsV (s) Cv(0)
e poi:
1
v(0)
I(s) +
Cs
s
Se la tensione ai capi del condensatore `e inizialmente nulla: v(0) = 0, avremo:
V (s) =

ZC (s) =

1
V (s)
=
I(s)
sC

Ancora una volta un risultato analogo a quello del caso simbolico, con la sola
sostituzione della variabile complessa s a quella immaginaria j.
Risposta di un circuito RC passa-basso ad un gradino unitario
Consideriamo lo schema del circuito passa-basso mostrato in gura 3.1, dove ammettiamo che la dierenza di potenziale ai capi del condensatore sia nulla per
t=0.
R
Vin

Vout

Figura 2.8: Circuito RC passa-basso


Applicando il metodo delineato nella sezione precedente, troviamo la seguente
relazione tra le trasformate dellinput e delloutput:
Vout (s) = Vin (s)

1
1/
= Vin (s)
1 + sRC
s + 1/

dove = RC. Poich`e la trasformata dellinput (gradino unitario) `e uguale ad 1/s,


avremo quindi:
1
1
Vout (s) =
s s + 1/
Scriviamo il secondo membro di questa espressione nella forma:
b
a
+
s s + 1/
con a e b costanti da determinare. Uguagliando le due espressioni di Vout (s),
troviamo a = 1 e b = 1. La trasformata della risposta sar`a quindi:
1
1
Vout (s) =
s s + 1/
la cui antitrasformata `e:

vout = 1 et/

che `e il risultato noto per tale circuito, da analisi elementari.

2.4 Esempi di calcolo di antitrasformate di Laplace

35

Risposta di un circuito RC passa-basso ad una rampa


Ammettiamo ora che al medesimo circuito RC sia applicata in ingresso una rampa
di pendenza unitaria: f (t) = t. La funzione di trasferimento, `e la stessa del caso
precedente. La dierenza `e nel fatto che ora la trasformata dellinput `e 1/s2 . Avremo
quindi:
1
1
1
Vout (s) =
=
s2 s + 1/
s

1
1
s s + 1/



1 1
1
=

s s s + 1/

ed in denitiva:
Vout (s) =

+
2
s
s s + 1/

Lantitrasformata di questa `e:




vout = t 1 et/
Risposta ad un gradino unitario di un circuito RL
Analogamente al caso del circuito RC, anche in quello del circuito RL di gura 2.9,
cui sia applicato in ingresso un gradino unitario di tensione e dove si ammetta che
la corrente sia nulla per t=0, possiamo scrivere in modo ovvio la relazione tra le
L-trasformate dellinput e delloutput:
Vout (s) = Vin (s)

sL
s
s
= Vin (s)
= Vin (s)
R + sL
s + R/L
s + 1/

con = L/R. Da questa segue:


s
1
1
=
s s + 1/
s + 1/

Vout (s) =
e quindi:

vout (t) = et/

R
Vin

Figura 2.9: Circuito RL

Vout

36

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

Risposta ad una rampa del circuito RL


Questa volta la trasformata delleccitazione `e 1/s2 , per cui avremo:
Vout (s) =

1
1
s
1
=
2
s s + 1/
s s + 1/

che pu`o esser messa nella forma:


Vout (s) =
la cui antitrasformata `e:

1
1

s s + 1/



vout (t) = 1 et/

Notiamo che negli ultimi esempi abbiamo implicitamente ammesso che le condizioni
iniziali fossero: i(0) = 0 nel caso del gradino applicato al circuito RL e vout (0) = 0
nel caso della rampa.

2.5

Risposta di un circuito ad uneccitazione di


forma generica

Negli esempi esaminati abbiamo sempre considerato eccitazioni di forma particolarmente semplice: gradini unitari o rampe. Ci proponiamo ora di esaminare il caso
in cui il segnale applicato abbia una forma generica, descritta da una funzione S(t)
quale ad esempio quella mostrata in gura 2.10.
Possiamo calcolare la risposta del circuito facendo uso del principio di sovrapposizione. Consideriamo cio`e il segnale S(t) in un piccolo intervallo di tempo
(t1 , t1 + t1 ). Se t1 `e molto piccolo, potremo schematizzare tale segnale con una
funzione 1 : A(t1 ), dove A `e la grandezza S(t1 )t1 (per t1 0). La risposta
R1 (t) del circuito a tale segnale sar`a quindi approssimabile, per t 0 con la
risposta a tale funzione :
R1 (t) = Ay(t t1 )
dove y(t t1 ) rappresenta la risposta del circuito al tempo t ad una applicata al
tempo t1 .
Sostituendo in questespressione ad A il termine S(t1 )t1 , otteniamo:
R1 (t) = S(t1 )y(t t1 )t1
che, per t1 0 si scrive:
R1 (t) = S(t1 )y(t t1 )dt1
Per il principio di sovrapposizione e la linearit`a del sistema, la risposta del circuito al
tempo t sar`a la somma (cio`e lintegrale) della risposta a tutti gli impulsi elementari
che hanno avuto luogo negli istanti ti , con ti < t. In altri termini:
 t


Ri (t)
S(t )y(t t )dt
R(t) =
i=0
1

`e la funzione (x) introdotta da Dirac

2.5 Risposta di un circuito ad uneccitazione di forma generica

37

Figura 2.10: Funzione di forma generica. Applicazione della trasformata di Laplace per il
calcolo della risposta di un circuito

Ponendo in questa = t t , otteniamo:


 t
R(t) =
S(t )y( )d

(2.12)

Questo `e noto come lintegrale di convoluzione delle funzioni S(t) e y(t). Quindi la
risposta di un circuito ad uneccitazione generica S(t) `e ottenibile attraverso la (2.12),
una volta nota la risposta y( ) alla funzione (t).
Si pu`o facilmente dimostrare che:
L [R(t)] = L [S(t)] L [y(t)]


ovvero:

st

R(t)e


dt =

st

S(t)e
0


dt

y(t)est dt

Per dimostrare tale relazione, calcoliamo la trasformata di Laplace del membro


di destra della (2.12):
 t

st
e dt
S(t )y( )d
0

e trasformiamo lintegrale interno estendendolo no a +. Possiamo far ci`o moltiplicandolo per la funzione u(t ), che `e nulla per t < . Lespressione precedente
diventa:




st
e dt
S(t )y( )u(t )d =
y( )d
S(t )u(t )est dt
0

38

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

Lintegrale interno `e nullo per t < . Integriamo quindi tra ed :




y( )d
S(t )est dt
0

Poniamo ora t = t . Lespressione precedente diviene:






 s(t + ) 
s
y( )d
S(t )e
dt =
y( )e d
0

S(t )est dt

che `e appunto il prodotto delle trasformate:


Y (s) S(s)

2.6

Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi

Negli esempi esaminati abbiamo incontrato funzioni esprimibili come rapporti tra
polinomi nella variabile complessa s, di cui abbiamo, con metodi relativamente
semplici, calcolato lantitrasformata.
Abbiamo raggiunto lo scopo esprimendo la funzione come somma di frazioni elementari, aventi ciascuna unantitrasformata nota, e sommando poi le antitrasformate
dei singoli termini. Tale decomposizione `e nota come sviluppo in frazioni parziali.
Ammetteremo sempre che, nella funzione data, il grado del polinomio a numeratore sia minore di quello a denominatore ed analizzeremo il metodo di decomposizione distinguendo tre casi diversi.
a) Poli reali semplici
Supponiamo cio`e che la funzione da antitrasformare, F(s) possa essere scritta
come:
N(s)
F (s) =
(s + )D1 (s)
dove il numero reale non `e una radice di D1 (s). Possiamo allora scrivere F(s) nella
forma:
k
+ F1 (s)
F (s) =
s+
Per determinare la costante k, moltiplichiamo entrambi e membri di questequazione
per s + :
(s + )F (s) = k + (s + )F1 (s)
cio`e:
N(s)
= k + (s + )F1 (s)
D1 (s)
Ponendo ora s = , otteniamo:
k = (s + ) F (s)|s=


N(s) 
N()
=
=

D1 (s) s=
D1 ()

2.6 Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi

39

Trovato in tal modo k, il problema dello sviluppo in frazioni parziali di F(s) `e


ricondotto a quello dello sviluppo di F1 (s). Se questa ha un polo semplice , il
processo pu`o esser ripetuto relativamente ad F1 . Notiamo che:
F1 (s) = F (s)

k
s+

Consideriamo ad esempio la funzione:


X(s) =

2s2 + 11s + 19
(s + 1)(s + 2)(s + 3)

Poich`e questa funzione ha solo poli semplici ed inoltre il grado del polinomio a
numeratore `e inferiore di quello del polinomio a denominatore, lo sviluppo in frazioni
parziali `e:
k1
k2
k3
X(s) =
+
+
s+1 s+2 s+3
dove:

2s2 + 11s + 19 
k1 = (s + 1) X(s)|s=1 =
= 5
(s + 2)(s + 3) s=1

2s2 + 11s + 19 
= 5
k2 = (s + 2) X(s)|s=2 =
(s + 1)(s + 3) s=2

2s2 + 11s + 19 
= 2
k3 = (s + 3) X(s)|s=3 =
(s + 1)(s + 2) s=3
Ne segue che:
X(s) =
e quindi:

5
2
5

+
s+1 s+2 s+3



x(t) = 5et 5e2t + 2e3t u(t)

b) Poli semplici complessi


Poich`e le radici complesse di un polinomio a coecienti reali compaiono sempre
insieme alle complesse coniugate, scriveremo F(s) nella forma:
F (s) =

N(s)
(s + + j)(s + j)D1 (s)

dove j non sono radici di D1 (s).


F(s) pu`o ora esser messa nella forma:
k
k
+
+ F1 (s)
F (s) =
(s + + j) (s + j)
Ora determineremo k (e quindi k ) seguendo la stessa procedura adottata nel caso
di radici reali semplici.


N(s)

k = (s + + j)F (s)|s=j =
=
(s + j)D1 (s) s=j

40

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

N( j
(2j)D1 ( j)

Una volta che k e k siano stati cos` determinati, i due termini complessi ottenuti
possono essere combinati ponendo k = a + jb:
k
k
(a + jb)(s + j) + (a jb)(s + + j)
+
=
(s + + j) (s + j)
(s + + j)(s + j)
cio`e:

2a(s + )
2b
+
2
2
(s + ) +
(s + )2 + 2

Consideriamo il seguente esempio:


Y (s) =

10s2 + 15s 5
10s2 + 15s 5
=
s(s2 + 2s + 5)
s(s + 1 + 2j)(s + 1 2j)

la cui decomposizione in frazioni parziali `e:


Y (s) =
dove:

k0
k
k
+
+
s
s + 1 + 2j s + 1 2j


10s2 + 15s 5 
= 1
k0 = sY (s)|s=0 =
s2 + 2s + 5 s=0

3
10s2 + 15s 5 
11
k = (s + 1 + 2j)Y (s)|s=12j =
+j
=

s(s + 1 2j) s=12j
2
2

Ne segue che:
1
11(s + 1)
32
1 11/2 + j3/2 11/2 j3/2
+
= +
+
Y (s) = +
2
2
s
s + 1 + 2j
s + 1 2j
s (s + 1) + 2
(s + 1)2 + 22
Lantitrasformata `e allora:


y(t) = 1 + 11et cos(2t) + 3et sin(2t) u(t)
c) Poli multipli
Supponiamo che F(s) abbia la forma:
F (s) =

N(s)
(s s0 )n D1 (s)

dove s0 non `e una radice di D1 (s) e, nel caso generale, complesso. In tal caso
scriveremo F(s) come:
F (s) =

k1
k2
kn1
kn
+
++
+
+ F1 (s)
2
n1
s + s0 (s + s0 )
(s + s0 )
(s + s0 )n

Moltiplicando entrambi i membri di questa equazione per (s + s0 )n troviamo:


(s + s0 )n F (s) = k1 (s + s0 )n1 + k2 (s + s0 )n2 + + kn1 (s + s0 )+

2.6 Funzioni esprimibili come rapporto di polinomi

41

+kn + (s + s0 )n F1 (s)
Ponendo in questa s = s0 , otteniamo:
kn = (s + s0 )n F (s)|s=s0
Per trovare ora kn1, dopo aver moltiplicato per (s + s0 )n , prendiamo la derivata
rispetto ad s di entrambi i membri dellequazione:
d
[(s + s0 )n F (s)] =
ds
= (n 1)k1 (s + s0 )n2 + (n 2)k2 (s + s0 )n3 +
+2kn2(s + s0 ) + kn1 + 0 + (s + s0 )n

dF1 (s)
+ n(s + s0 )n1 F1 (s)
ds

Ponendo ora s = s0 , otteniamo:


kn1 =

d
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
ds

Prendendo invece la derivata seconda, troviamo:


2kn2 =

d2
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
2
ds

In generale, per r = 0, 1, 2, , n 1:
knr =

1 dr
[(s + s0 )n F (s)]s=s0
r! dsr

Consideriamo il seguente esempio:


F (s) =

s2
s(s + 1)3

Questa pu`o essere espressa come:


F (s) =

k1
k2
k3
k0
+
+
+
2
s
s + 1 (s + 1)
(s + 1)3

Applicando il metodo indicato sopra troviamo:


s 2 
= 2
k0 = sF (s)|s=0 =
(s + 1)3 s=0


s 2 
3

= 3
k3 = (s + 1) F (s) s=1 =
s s=1




d
d s2
2 
3
(s + 1) F (s) s=1 =
= 2
= 2
k2 =
ds
ds
s s=1
s s=1
 

2 
1 d2
1 d
3
F
(s)
=
= 2
(s
+
1)
k1 =
s=1
2 ds2
2 ds s2 s=1

Si ha quindi:
2
3
2
2
+

F (s) = +
2
s s + 1 (s + 1)
(s + 1)3

42

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

la cui antitrasformata `e:



3 2 t
t
t
u(t)
f (t) = 2 + 2e + 2te + t e
2

I risultati ottenuti ci consentono di scrivere in modo immediato la risposta di


un circuito quando se ne conosca la trasformata di Laplace, almeno nel caso che si
presenta pi`
u di frequente, in cui i poli sono singoli o doppi (reali o complessi).
Se la trasformata `e scritta nella forma:
N(s)
N(s)
=
D(s)
(s 1 )(s 2 ) (s n )
ed i poli sono tutti singoli, la f (t) `e data da:

n 

N(s)(s i )est
f (t) =
D(s)
s=i
i=1

(2.13)

(2.14)

Se alcuni dei poli sono doppi, lultima espressione scritta continua a valere per il
contributo dei poli singoli, mentre un polo doppio dar`a un contributo aggiuntivo:
 



d N(s)(s k )2
N(s)(s k )2
k t
te +
ek t
(2.15)
D(s)
ds
D(s)
s=k
s=k
Ulteriori dettagli possono esser trovati nelle referenze [2] , [3] e [4]. Nelle prossime
sezioni analizzeremo alcuni circuiti facendo uso della tecnica delle trasformate.

2.7

Circuito LCR eccitato da un gradino unitario


di tensione

Il circuito di gura 2.11 sar`a ora analizzato con la tecnica delle trasformate di
Laplace, ammettendo che la sorgente di tensione fornisca un gradino unitario e
che le condizioni iniziali siano:
iL (0) = 0
vC (0) = 0
Possiamo ora sostituire a ciascun componente la sua L-trasformata, con che lequazione della maglia si scrive:




R/sC
R
V (s) = sL +
I(s) = sL +
I(s) =
R + 1/sC
1 + sRC
L( s2 + s + R/L)
I(s)
1 + s
dove I(s) `e la trasformata della corrente iL (t) nellinduttanza, V(s) la trasformata
delleccitazione e dove si `e posto = RC.
Da questa otteniamo:
=

I(s) =

1 + s
sL( + s + s2 )

2.7 Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione

43

dove abbiamo sostituito a V(s) la sua espressione (1/s) e posto = R/L. La


trasformata della dierenza di potenziale ai capi dellinduttanza `e allora:
VAB (s) = sLI(s) =

1 + s
+ s + s2

Ora potremo avere soluzioni molto diverse a seconda che le radici del polinomio a
denominatore siano:
1. reali e coincidenti
2. reali e distinte
3. complesse coniugate
Le radici in questione sono date da:
si =

1 4
2

Il discriminante `e:
= 1 4 = 1 4R2 C/L
Le radici saranno reali e coincidenti se = 0 cio`e se:

1 L
R=
2 C
saranno reali e distinte se il discriminante `e positivo:

1 L
R<
2 C
Saranno inne complesse coniugate se:
1
R>
2

L
C

Consideriamo il caso di radici distinte (reali o complesse).

B
L

Figura 2.11: Circuito LCR

44

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace


In tal caso la trasformata della risposta pu`o essere scritta come:
VAB (s) =

1 + s
(s s1 )(s s2 )

Usiamo ora le equazioni (2.14) e (2.15) per trovare lantitrasformata. Troviamo:


vAB =

1 + s1 s 1 t 1 + s2 s 2 t
e +
e
s1 s2
s2 s1

Se s1 ed s2 sono complessi, con s1 = s2 = , allora:


t

vAB

(1 + )et (1 + )e
=

Poniamo ora:
Re = a , Im = b
Avremo allora, dopo qualche passaggio:
vAB =

eat
[(1 + a )sin(bt) + b cos(bt)]
b

Notiamo che a = 1/(2RC). Vediamo allora che loscillazione si smorza con una
costante di tempo pari a 2RC. La tensione nel punto B sar`a:
vB = vin vAB = 1 vAB
La gura 2.12 mostra la risposta del circuito nel caso in cui si sia scelto:
C = 1nF , L = 10H
e per valori di R compresi tra 200 e 500 , che forniscono valori complessi per s1
ed s2 .
Se i poli sono reali e distinti avremo, indicandoli con s1 ed s2 :
vAB

(es1 t es2 t ) + (s1 es1 t s2 es2 t )


=
s1 s2

Notiamo che `e:

1 4R2 C/L

1
=
=
=

s1 s2 =
2

RC

LC

dove si `e posto: = . Abbiamo ovviamente:


s1 =

1 +
2

1
2

s1 s2 =

s2 =

2.7 Circuito LCR eccitato da un gradino unitario di tensione

5 .10 7

R=200
R=300
R=400
R=500

1 .10 6
1.5.10 6
t
tempo (secondi)

45

2 .10 6

Ohm
Ohm
Ohm
Ohm

Figura 2.12: Risposta del circuito di gura 2.11 eccitato da un gradino unitario di tensione,
per valori di R compresi tra 200 e 500 . Il valore di L `e 10H; quello di C 1nF
p

V (Volts)

0.96

50 Ohm
0.72

0.48

10 Ohm
0.24

t (s)
0.0

0.0 0.4
( ) ( )

0.8

1.2

1.6

2.0

Figura 2.13: Risposta del circuito di gura 2.11 eccitato da un gradino unitario di tensione,
per valori di R compresi tra 10 e 50 . Il valore di L `e 10H; quello di C 1nF

Si ottiene inne dopo alcuni passaggi:


t

t/2 
t
t
t
e
vAB =
e 2 e 2 + e 2 + e 2
2

46

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace

La gura 2.13 mostra landamento della tensione in B nel caso in cui C ed L abbiano
i medesimi valori del caso precedente e per valori di R compresi tra (10 ) e (50 ).
Come si vede, la tensione nel punto B sale tanto pi`
u lentamente quanto minore `e il
valore di R.
Consideriamo ancora un circuito LRC, ora con i tre componenti messi in serie
tra di loro ed in serie al generatore (vedasi la gura 2.14). Questultimo fornisce
anche in questo caso un gradino unitario di tensione.

L
C

u(t)

Vo

Figura 2.14: Circuito RLC-serie


Ammettiamo che i valori dei componenti siano:
R = 12 , L = 2H , C = 0.02F
e le condizioni iniziali:
iL (0) = 0 , vC (0) = 0
Le trasformate dei componenti e delleccitazione sono allora:
ZR = 12 , ZL = 2s , ZC = 50/s , U(s) = 1/s
La trasformata della tensione duscita Vo sar`a allora:
ZC
50/s
Vo (s) =
U(s) =
ZC + ZR + ZL
50/s + 2s + 12

 
1
=
s

k0
25
=
+ F (s)
(25 + 6s + s2 ) s
s

=
dove:

k0 = s Vo (s)|s=0 = 1
Ne segue:
F (s) = Vo (s)

25
1
6+s
k0
=
= 2
2
s
s (s + 6s + 25) s
s + 6s + 25

Otteniamo inne per Vo (s):


Vo (s) =

6+s
3+s
1
1
4 3/4

2
2
2
2
s (s + 3) + 4
s (s + 3) + 4
(s + 3)2 + 42

Si ottiene allora per lantitrasformata:




3
3t
cos(4t) + sin(4t) u(t)
vo (t) = 1 e
4

2.8 Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale

2.8

47

Risposta di un circuito CR ad un segnale sinusoidale

La tecnica delle trasformate di Laplace si rivela di grande utilit`a anche nei casi in
cui il segnale applicato sia sinusoidale. Esaminiamo il caso particolare di un circuito
CR come quello di gura 2.15, in cui il segnale applicato `e:
vin = vo sin(t)

C
Vin

Vout

Figura 2.15: Circuito RC eccitato da una sorgente sinusoidale di tensione


La funzione di trasferimento di questo circuito `e:
G(s) =

s
1
1 =
s+a
1 + s

dove: = RC e a = 1/ .
la trasformata di Laplace di vin `e:
Vin (s) =

vo
+ 2

s2

la trasformata del segnale in uscita sar`a:


Vout (s) =

(s2

vo s
+ 2 )(s + a)

(2.16)

che pu`o esser riscritta come:


Vout (s) =

vo s
(s + j)(s j)(s + a)

(2.17)

Questa pu`o esser scritta come la somma di termini di cui si conosce lantitrasformata, con i metodi descritti in precedenza. Si ottiene:
Vout (s) =
dove:

B
C
A
+
+
s + j s j s + a

vo
(a + j)
2( 2 + a2 )
vo
(a j)
B =
2( 2 + a2 )
A =

48

Capitolo 2. Uso delle trasformate di Fourier e di Laplace


C =

avo
2 + a2

Ne segue per lantitrasformata:


vout (t) = Aejt + Bejt + Ceat
Questa, facendo uso delle espressioni trovate per i coecienti A, B, C, pu`o esser
riscritta come:


1
vo
1
jt
jt
at
vout (t) = 2
(a + j) e
+ (a j) e ae
+ a2 2
2
Sviluppando i termini exp(jt) e semplicando, questa diventa:

vo
at
a
cos(t)
+

sin(t)

ae
=
vout (t) = 2
+ a2





vo
at
2
2
a +
cos(t) +
sin(t) ae
= 2
+ a2
a2 + 2
a2 + 2
Ponendo inne:

cos =
2
a + 2
a
sin =
a2 + 2
e quindi:
a
tan =

La risposta pu`o esser messa nella forma:



vo  2
2 sin(t + ) aeat
(2.18)
vout (t) = 2
a
+

+ a2
Notiamo che `e vout (0) = 0.
Discutiamo ora questo risultato, confrontandolo con quello che avremmo ottenuto
adoperando il normale metodo simbolico.
In tal caso avremmo avuto:
1
1

vout
= vo sin(t)
=
(t) = vo sin(t)
1 + 1/j
1 + a/j
j
j(a j)
= vo sin(t) 2
=
a + j
a + 2
vo
= 2
sin(t) ( + ja) =
a + 2



vo
sin(t) 2 + a2
+ j
= 2
a + 2
2 + a2
2 + a2
Si ottiene inne:
vo 2

vout
= 2
+ a2 sin(t) (cos + jsin)
+ a2
Questa dierisce dalla (2.18) per il termine a exp(at) che ora `e assente.
Tale dierenza pu`o esser compresa se si pensa che, adoperando il metodo delle
trasformate di Laplace noi teniamo correttamente conto del fatto che il segnale
applicato `e nullo per t < 0. Il termine a exp(at) rappresenta un transiente che
decade con costante di tempo = 1/a. Il metodo simbolico invece ammette che il
segnale applicato sia stazionario, cio`e sia stato applicato a tempi t 0.
= vo sin(t)

Capitolo 3

Diagrammi di Bode e di Nyquist


3.1

Introduzione

Ci proponiamo in questa sezione di discutere i metodi comunemente adoperati in


elettronica per rappresentare gracamente le funzioni di trasferimento dei circuiti
quadripolari. Tali metodi sono di notevole utilit`a sia per una visualizzazione immediata della risposta di un circuito che per discutere il problema della stabilit`a
nei circuiti oscillanti e, pi`
u in generale, nei circuiti con feedback. Inizieremo con
una breve discussione di quelli che sono noti come i diagrammi di Bode, e con la
presentazione di alcuni esempi. Passeremo poi a discutere i diagrammi di Nyquist.

3.2

Diagrammi di Bode

Cominceremo con lanalizzare un esempio: quello del ben noto circuito RC passabasso, che per comodit`a riportiamo in gura 3.1.

V in

V out

Figura 3.1: Circuito RC passa-basso


Come sappiamo, la funzione di trasferimento di questo circuito, espressa in funzione della variabile s (dove s = j o, pi`
u in generale, s = + j se facciamo uso
delle trasformate di Laplace, con la frequenza angolare) `e:
G(s) =

k
s s1

dove = RC e k = s1 = 1/ . Tale funzione ha un polo in s1 e nessuno zero.


49

50

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

Esaminiamo landamento del modulo di G(s), espresso in decibel, in funzione del


logaritmo di :
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log |j s1 |
Per frequenze angolari |s1 | questa diventa:
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log |s1 | = 0

(3.1)

essendo |s1 | = |k|. Vediamo quindi che il modulo della funzione di trasferimento
espresso in dB si annulla. Ci`o vuol dire che il guadagno |G()| ha modulo unitario.
Ad alte frequenze ( |s1 |)avremo invece:
20 log |G()| = 20 log |k| 20 log

(3.2)

Questa ci dice che il modulo della funzione di trasferimento espressa in dB `e una


funzione lineare della variabile 20 log .
Il graco che si ottiene riportando per un circuito il modulo della funzione di
trasferimento espresso in dB in funzione del log `e il diagramma di Bode per il
modulo di G. Il diagramma relativo al circuito RC appena analizzato `e mostrato in
gura 3.2.
Passa basso

|G(
) | (dB)

10

15

20
1.5

2.5

3.5

4.5

log(
)

G()
Rette asintotiche

Figura 3.2: Diagramma di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito
RC passa-basso. La curva solida descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli
andamenti asintotici

Poich`e G() `e in genere un numero complesso, esso `e caratterizzato anche da


una fase (). Il graco che si ottiene riportando la fase in funzione del log `e il
diagramma di Bode per la fase. Linsieme dei due diagrammi di Bode per un dato
circuito caratterizza la risposta dello stesso.
In realt`a, `e spesso suciente esaminare le rette asintotiche che descrivono landamento del modulo (in dB) e della fase della funzione di trasferimento. Quelle
relative a |G(s)| per il ltro passa-basso sono mostrate con tratteggio in gura 3.2.

3.2 Diagrammi di Bode

51

Nellesempio in esame, relativo al modulo di G(), le due rette asintotiche sono


quelle date dalle equazioni (3.1) e (3.2). Esse si incontrano, come si pu`o facilmente
vericare, nel punto:
1
= |k| =

(vedi gura 3.2). Notiamo che se raddoppia (cio`e in unottava) la grandezza


20 log aumenta di circa un fattore 6. Poich`e la funzione (3.2) `e lineare nella
variabile 20 log , si vede che essa `e tale da subire una variazione (diminuzione) di
6dB per ottava. Il ltro passa-basso ha quindi un andamento asintotico alle alte
frequenze caratterizzato da una retta di pendenza (negativa) pari a 6dB per ottava.
Si pu`o poi facilmente vericare che se la frequenza varia di un fattore 10 anzich`e
2 (cio`e in una decade) la funzione avr`a subito una variazione di 20 dB. Ci`o si esprime
dicendo che la retta in esame ha una pendenza (negativa) di 20 dB/decade.
Nel punto in cui le due rette asintotiche si incontrano, il modulo
della risposta

vera |G()| del circuito vale, come si pu`o facilmente vedere, 1/ 2. In decibel, esso
vale 3 dB, e quindi `e 3 dB al di sotto del valore asintotico alle basse frequenze
(che `e 0 dB).
Esaminiamo ora il ltro passa-alto, mostrato in gura 3.3.

C
Vin

Vout

Figura 3.3: Circuito CR passa-alto


La funzione di trasferimento, come si pu`o facilmente vericare, vale:
G(s) =

s
s s1

con s1 = 1/ . Questa ha uno zero nellorigine (s=0) oltre ad un polo in s = s1 .


Landamento del modulo di questa funzione (in dB) per |s1 | `e:
|G(s)|dB = 20 log 20 log |s1 |
Vediamo che questa funzione cresce allaumentare di log con una pendenza di
6dB/ottava. Per frequenze molto alte ( |s1 |) landamento diventa costante:
|G(s)|dB = 0
cio`e il guadagno diventa unitario.
Tali comportamenti, per alte e per basse frequenze, sono schematicamente indicati nel diagramma di Bode di gura 3.4, dove e anche riportata la curva che descrive
landamento reale.

52

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist


passa alto
5

|G(
) | (dB)

10

15

20
2.5

3.5

4.5

5.5

log(
)

G()
rette asintotiche

Figura 3.4: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito CR
passa-alto. La curva solida descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli
andamenti asintotici

Le due rette asintotiche si incontrano nel punto: = |s1 | = 1/ . In tale punto


il valore vero di |G(|dB `e -3 dB, come nel caso del circuito passa-basso.
Riassumendo, possiamo dire che ad una funzione di trasferimento con un polo
semplice e nessuno zero, corrisponde un ltro passa-basso, caratterizzato da una
risposta piatta (0 dB) a frequenze molto minori del valore assoluto del polo e da
una risposta che decresce con pendenza di 6 dB/ottava ad alte frequenze. Le rette
asintotiche che descrivono tali andamenti si incontrano nel punto = |s1 | dove s1
`e la posizione del polo. In corrispondenza a tale frequenza la funzione |G()|dB ha
un valore che `e 3 dB.
Una funzione di trasferimento con un polo semplice ed uno zero nellorigine
corrisponde ad un ltro passa-alto, caratterizzato da un andamento crescente con
una pendenza di 6 dB/ottava a basse frequenze ( |s1 |), dove s1 `e la posizione del
polo, e da un andamento costante (0 dB) ad alte frequenze. Le rette che descrivono
i due andamenti asintotici si incontrano in = |s1 |. In corrispondenza a tale
frequenza angolare la funzione di trasferimento vale 3 dB.
Plots di Bode per la fase
La fase , nel caso del circuito passa-basso, `e data da:

=
tan =
s1
cio`e:
= arctan( )

(3.3)

Vediamo che tende a zero se |s1 |, mentre tende ad /2 se |s1 |.


Landamento reale di , descritto dalla (3.3) `e mostrato in gura 3.5, insieme agli
andamenti asintotici (rette tratteggiate) per |s1 | e per |s1 |.

3.2 Diagrammi di Bode

53

passa basso

0.5

()

(radianti)

0.5

1.5

()
rette asintotiche

log(
)

Figura 3.5: Plot di Bode per la fase, relativo al circuito RC passa-basso. La curva solida
descrive landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli andamenti asintotici
Si pu`o facilmente vericare che, per = 0.1
, la fase `e ancora vicina a zero, mentre

per = 10 essa ha ormai raggiunto il suo valore asintotico /2.


facile vedere che
Esaminiamo ora il caso del ltro passa-alto, gi`a analizzato. E
in tal caso la fase `e data da:
s1
1
tan =
=

cio`e:
= arctan(1/ )
(3.4)
Vediamo da questequazione che /2 per 0, mentre 0 per .
Tali andamenti asintotici sono mostrati in gura 3.6 (rette tratteggiate) insieme
allandamento vero, descritto dalla (3.4).
Anche in questo caso landamento asintotico per piccoli valori di ( 1/ )
dierisce molto poco dallandamento reale per = 0.1/ , mentre landamento asintotico per grandi valori di ( 1/ ) dierisce poco da quello reale quando
= 10/ .
La gura 3.7 mostra i plot di Bode relativi ad un circuito CR, con valori dei
componenti dati da: C = 1nF , R = 1k. Questi sono stati ottenuti facendo uso del
programma di simulazione Microcap VII [5].
Consideriamo ancora una funzione di trasferimento con un polo ed uno zero non
nellorigine:
G(s) =

1 + s2
1 + s1

(3.5)

54

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist


passa alto

()

(radianti)

1.5

0.5

0.5
1

()
rette asintotiche

log(
)

Figura 3.6: Plot di Bode per la fase, relativo al circuito CR passa-alto. La curva solida descrive
landamento vero; le rette tratteggiate corrispondono agli andamenti asintotici
Il polo `e in s1 = 1/1 ; lo zero in s2 = 1/2 . Il plot di Bode per il modulo `e
mostrato in gura 3.8 (dove si `e ammesso che sia 1 2 ).
Il plot di Bode per la fase pu`o esser facilmente ottenuto facendo uso della
relazione:
= arctan (2 ) arctan (1 )
dove 1 < 2 , cio`e 1/2 < 1/1 . Avremo i seguenti andamenti asintotici:
Per

1
2

(e quindi anche

1
)
1

Per

1
1

(e quindi anche

1
)
2

Per

1
2

ed

1
1

= arctan(2 ) /2

Tali andamenti sono qualitativamente indicati nella gura 3.9.

3.3

Quadripoli del secondo ordine

Esaminiamo ora un sistema descritto da una funzione di trasferimento del tipo:


k
(3.6)
(s s1 )(s s2 )
Questa non ha alcuno zero, ma ha due poli nei punti s1 ed s2 . I poli s1 ed s2
possono essere reali e distinti, reali e coincidenti o complessi coniugati.
G(s) =

3.3 Quadripoli del secondo ordine

55

20.00
0.00
-20.00
-40.00
-60.00
-80.00

100
1K
G()(dB)

10K

100K

1M

10M

1M

10M

Frequenza (Hz)
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
0.00

100
1K
10K
100K
() (gradi)
Frequenza (Hz)

Figura 3.7: Plot di Bode per modulo (in alto) e fase (in basso) relativo al circuito RC passa-alto
ottenuto con i valori dei componenti dati nel testo. Le curve sono state ottenute facendo uso del
programma di simulazione Microcap.

Cominciamo con lesaminare il caso in cui i due poli siano reali e coincidenti. In
tal caso possiamo scrivere:
20 log |G(j)| = 20 log |k| 20 log |s s|2 = 20 log |k| 40 log |j s|
con: s1 = s2 = s (reale).
Esaminiamo gli andamenti asintotici. Per s:
|G()|dB = 20 log |k| 40 log |s| = costante
Se invece `e s:

(3.7)

|G()|dB = 20 log |k| 40 log

cio`e si ha un andamento decrescente, con pendenza pari a 12 dB/ottava, cio`e al


doppio di quella che si aveva nel caso del ltro passa-basso del primo ordine.
Le due rette che descrivono landamento asintotico per basse e per alte frequenze
si incontrano nel punto = s. In tale punto la |G()|dB vale:
|G()|dB = 20 log |k| 40 log |js s| =

56

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

G()
(dB)
|G|= /1
2

6 dB/ottava

1/2

1/1

log()

Figura 3.8: Rette asintotiche relative al plot di Bode per il modulo della funzione di
trasferimento con un polo ed uno zero descritta dalla (3.5)

/2

0.1/2

1/2

10/2

0.1/1

1/1

10/1

log()

Figura 3.9: Rette asintotiche relative al plot di Bode per la fase della funzione di trasferimento
con un polo ed uno zero descritta dalla (3.5)
= 20 log |k| 40 log s 40 log

2 = costante 6dB

dove la costante ha un valore uguale a quello dellanaloga costante presente nella (3.7). Si ha quindi unattenuazione di 6dB rispetto a quella che si aveva a basse
frequenze. Abbiamo quindi un ltro passa-basso con un taglio pi`
u netto di quello
che avremmo avuto utilizzando un sistema del primo ordine.
Esaminiamo ora il caso di un sistema descritto dalla medesima funzione di trasferimento appena esaminata, ma nel quale le due radici s1 ed s2 del polinomio
a denominatore siano reali e distinte. Ammettiamo per semplicit`a che esse siano

3.3 Quadripoli del secondo ordine

57

abbastanza distanti luna dallaltra:


|s1 | |s2 |
Facendo ora uso di quanto appreso nora, possiamo vedere che, se |s1 | (e quindi
|s2 |) avremo un andamento costante per |G()|dB . Per valori di |s1 | ed
|s2 |, il contributo del termine 1/(s s2 ) sar`a ancora costante, mentre il termine
1/(s s1 ) avr`a un andamento decrescente, con una pendenza di 6 dB/ottava. Inne,
per |s2 | (e quindi |s1 |) alla pendenza di 6 dB/ottava causata dal termine
1/(s s1 ) si somma un ulteriore contributo di 6 dB/ottava causato dal termine
1/(s s2 ). Landamento complessivo pu`o in denitiva esser riassunto come indicato
in gura 3.10.
G(
()
(dB)

6 dB/ottava

log(
()
|s1|

|s2|
12 dB/ottava

Figura 3.10: Rette asintotiche relative al plot di Bode per il modulo della funzione di
trasferimento con due poli descritta dalla (3.6)

Landamento della fase () per tale sistema `e poi quello mostrato in gura 3.11.

|s1|

|s2|
log(
()

-/2

Figura 3.11: Rette asintotiche relative al plot di Bode per la fase della funzione di trasferimento
con due poli descritta dalla (3.6)
Ci riserviamo di esaminare nella prossima sezione il caso di poli complessi coniugati, che merita unattenzione particolare.

58

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist


Esaminiamo ora il caso della funzione di trasferimento:
G(s) =

ks2
(s s1 )(s s2 )

(3.8)

con |s1 | |s2 |. Questa funzione ha due zeri coincidenti nellorigine e due poli
nei punti s1 ed s2 . Esaminiamo il relativo diagramma di Bode per il modulo. Si ha:


2


k

20 log |G()| = 20 log 
(j s1 )(j s2 ) 
Per frequenze angolari |s1 |, |s2|, si ha:
|G()|dB 20 log

k 2
k
= 20 log
+ 40 log
s1 s2
s1 s2

cio`e un andamento crescente in funzione di log . La pendenza nel diagramma di


Bode `e di 12 dB/ottava. Per frequenze |s1 |ed |s2 | avremo invece:
|G()|dB 20 log

k
k
= 20 log
+ 20 log
|s2 |
|s2 |

Vediamo che questa ha, nel diagramma di Bode, un andamento crescente con una
pendenza di 6 dB/ottava. La retta che descrive landamento asintotico per |s1 |
e quella che descrive landamento asintotico per |s1 | |s2 | si incontrano nel
punto di coordinata tale che:
20 log

k
k
+ 40 log = 20 log
+ 20 log
|s1 s2 |
|s2 |

cio`e: = |s1 |.
Inne, per |s2 | |s1 | avremo:
|G()|dB 20 log k = costante
Vediamo quindi che il circuito descritto da questa funzione di trasferimento `e un
passa-alto. Calcoliamo il valore di per cui la retta che descrive il comportamento asintotico per |s1 | |s2 | incontra quella che descrive il comportamento
asintotico per |s2 |. Troviamo facilmente:
= |s2 |
In corrispondenza a tale valore di la funzione di trasferimento espressa in dB vale:





ks22
 = 20 log k 20 log 2 = 20 log k 3dB

20 log 
(js2 s1 )(js2 s2 ) 
Cio`e la risposta `e, come in altri casi simili esaminati, 3 dB al di sotto del valore
asintotico per .
Landamento di tale funzione di trasferimento `e mostrato nel diagramma di Bode
di gura 3.12.

3.3 Quadripoli del secondo ordine

59

|G(
()|
(dB)
20 log k
6 dB/ottava c

12 dB/ottava

|s1|

|s2|

log()

Figura 3.12: Rette asintotiche relative al plot di Bode per il modulo della funzione di
trasferimento con uno zero doppio nellorigine e due poli, data dalla (3.8)

Esaminiamo ora un sistema descritto da una funzione con uno zero semplice
nellorigine e due poli distinti:
G(s) =

ks
(s s1 )(s s2 )

(3.9)

Per frequenze angolari |s1 | |s2 | avremo:


20 log |G()| = 20 log k + 20 log 20 log |s1 s2 |
Cio`e abbiamo un andamento crescente con una pendenza di 6 dB/ottava, come
mostrato in gura 3.13.
Per frequenze angolari comprese tra s1 ed s2 avremo:
|G()|dB = 20 log k + 20 log |s2 | = costante
Inne, per valori di molto maggiori di s2 :
|G()|dB = 20 log k + 20 log 20 log 2 = 20 log k 20 log
cio`e abbiamo un andamento decrescente, con una pendenza di -6 dB/ottava.
Anche in questo caso potremmo vericare che le rette che descrivono landamento
asintotico per |s1 | e per |s1 | si incontrano in = |s1 |, e che quelle che
descrivono gli andamenti asintotici per |s2 | e per |s2 | si incontrano in
= |s2 |. Inoltre in tali punti il valore vero della |G()|dB `e sotto di 3 dB rispetto
al valore che la retta asintotica orizzontale fornisce. Abbiamo ovviamente un ltro
passa-banda.
Consideriamo inne un circuito descritto dalla funzione di trasferimento:
G(s) =

k(s2 + 02)
(s s1 )(s s2 )

60

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

|G()|
(dB)

20 log k - 20 log|s |

$
6 dB/ottava c

Z -6 dB/ottava

|s1|

|s2|

log()

Figura 3.13: Rette asintotiche relative al plot di Bode per il modulo della funzione di
trasferimento con uno zero semplice nellorigine e due poli, data dalla (3.9)

che ha due poli in s1 ed s2 e due zeri immaginari in s = j0 . Si pu`o dimostrare


che tale funzione descrive un ltro elimina-banda.
A conclusione delle considerazioni svolte, possiamo ora trarre alcune conclusioni
di carattere generale:
a) ad uno zero semplice nella funzione di trasferimento corrisponde nel diagramma di Bode un andamento crescente, con una pendenza di 6 dB/ottava;
b) ad uno zero doppio corrisponde un andamento crescente con una pendenza di
12 dB/ottava;
c) ad un polo semplice corrisponde un andamento decrescente con una pendenza
di 6 dB/ottava;
d) ad un polo doppio corrisponde un andamento decrescente con una pendenza
di 12 dB/ottava.
Quindi, unanalisi dei poli e degli zeri della funzione di trasferimento pu`o portare ad
individuare in modo semplice il tipo di risposta che ci si deve aspettare dal circuito
descritto dalla funzione stessa.
Esaminiamo come esempio il circuito mostrato in gura 3.14.
La funzione di trasferimento, come si pu`o facilmente vericare, `e:
s
(3.10)
+ s + (R/L)
Questa ha uno zero nellorigine, che fornisce un andamento crescente con pendenza di 6 dB/ottava. Il polinomio di secondo grado a denominatore ha un discriminante
G(s) =

(RC)s2

3.3 Quadripoli del secondo ordine

61

Figura 3.14: Circuito RCL, la cui funzione di trasferimento `e data dalla (3.10)
dato da:
=

1 4R2 C/L

Vediamo da questa che le radici (e quindi i poli della funzione di trasferimento)


saranno reali e distinte se:

1 L
R<
2 C
Se ci`o accade, indicando con s1 ed s2 le due radici (con s1 < s2 ) avremo un diagramma di Bode per il modulo, del tipo mostrato in gura 3.15. Vediamo che si tratta
di un ltro passa-banda.

|G()|
(dB)

6 dB/ottava c

Z -6 dB/ottava

|s1|

|s2|

log()

Figura 3.15: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito di
gura 3.14, nel caso in cui le due radici siano reali e distinte. Sono state riportate solo le rette
asintotiche

Se le radici sono reali e coincidenti ( = 0 ed s1 = s2 ), avremo un diagramma


di Bode per il modulo del tipo mostrato in gura 3.16.
Se inne il discriminante `e negativo, i poli saranno complessi coniugati. Si pu`o
dimostrare che in questo caso gli asintoti sono uguali a quelli corrispondenti ad

62

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

|G()|
(dB)

6 dB/ottava c

Z -6 dB/ottava

|s1|=|s2|

log()

Figura 3.16: Plot di Bode per il modulo della funzione di trasferimento relativa al circuito di
gura 3.14, nel caso in cui le due radici siano reali e coincidenti. Sono state riportate solo le rette
asintotiche

un polo doppio, in |s1 | = |s1 | = |s2 |. Il comportamento della curva che descrive
landamento della |G()|dB in prossimit`a del polo doppio ha un andamento che
dipende dal rapporto tra parte immaginaria e reale del polo. Tale comportamento
sar`a studiato nella prossima sezione.
Notiamo inne che, con riferimento al diagramma di Bode mostrato in gura 3.15,
la larghezza di banda `e denita come: BW = |s2 | |s1 |.
Ad esempio, con la seguente scelta dei valori dei componenti:
R = 1k , L = 1mH , C = 50 pF
Si ottengono per questo circuito, facendo uso del programma di simulazione Microcap VI, i plot di Bode per modulo del guadagno e fase, mostrati in gura 3.17.

3.4

Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati

Riprendiamo ora lanalisi della funzione di trasferimento con due poli, gi`a incontrata
nella precedente sezione, nel caso in cui i due poli s1 ed s2 siano complessi coniugati.
Analizzeremo in realt`a nuovamente il caso generale di una funzione con due poli,
introducendo una notazione che si rivela utile in molti casi, ad esempio nellanalisi
dei ltri attivi.
Possiamo riscrivere in generale il denominatore di una funzione di trasferimento
con due poli:
(s s1 )(s s2 )
(3.11)

3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati

63

10.0
-2.0

|G(f)| (dB)

-14.0
-26.0
-38.0
-50.0

1K

10K

100K

1M

10M

100M

1G

1M

10M

100M

1G

120.0
72.0
24.0

(f)

(gradi)

-24.0
-72.0
-120.0

1K

10K

100K

Frequenza (Hz)

Figura 3.17: Plot di Bode per modulo e fase della funzione di trasferimento (3.10) relativa
al circuito di gura 3.14. Le curve mostrate sono state ottenute facendo uso del programma di
simulazione Microcap, con i valori dei componenti indicati nel testo

nella forma:
s2 +

0
s + 02
Q0

(3.12)

Sviluppando la (3.11) ed uguagliando i coecienti a quelli che gurano nella (3.12),


otteniamo:
0
= (s1 + s2 )
Q0
02 = s1 s2
Invertendo queste equazioni si ottiene:

 
2
0
0
1

402
s1,2 =
2
Q0
Q0
I poli saranno reali e coincidenti per = 0, cio`e:
02(1 4Q20 ) = 0

(3.13)
(3.14)

(3.15)

64

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

da cui:
Q0 = 0.5
I poli saranno reali e distinti per Q0 < 0.5 mentre saranno complessi coniugati
per Q0 > 0.5. In questultimo caso la parte reale dei due poli sar`a:
Re(s1 ) = Re(s2 ) =

0
2Q0

Notiamo che in questo caso, con s2 = s1 , lequazione:


02 = s1 s2 = s1 s1 = |s1 |2 = |s2 |2
ci dice che 0 rappresenta la distanza di ciascuno dei due poli dallorigine. Ci`o `e
mostrato in gura 3.18.

Figura 3.18: Poli nel piano s complesso, per una funzione di trasferimento con due poli complessi
coniugati. Q0 , 0 e sono quelli deniti nel testo
Dalla gura si vede che:
cos =

1
2Q0

con Q0 > 0.5


Poniamo ora:
s1 = + j
s2 = j
e scriviamo la funzione G(s):
G(s) =

1
1
=
(s s1 )(s s2 )
(s + j)(s + + j)

Sostituendo ad s lespressione j otteniamo:


|G|2 =

1
[2 + ( )2 ] [2 + ( + )2 ]

3.4 Funzioni di trasferimento con due poli complessi coniugati

65

Calcoliamo ora il valore di in corrispondenza a cui |G| `e massimo. Essendo |G|


positivo, questo sar`a anche il valore che rende massimo |G|2 , che sar`a dato dalla
soluzione dellequazione:
d|G|2
= 0
dt
ovvero dellequazione:




2( ) 2 + ( + )2 + 2( + ) 2 + ( )2 = 0
Questa si riduce facilmente a:
42 + 2( 2 2 ) 2 = 0
la cui soluzione `e:

2 = 2 2

Troviamo cio`e che la frequenza in corrispondenza alla quale la |G| ha un massimo


`e data da:

max = 2 2
Espressa in termini delle variabili 0 e Q0 , questa si scrive:


1
2
max = 0 1
2Q20

(3.16)

Il valore che la funzione |G| acquista in tale punto pu`o esser facilmente ottenuto
come segue. Scriviamo la G(s) nella forma:
A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02

(3.17)

dove A0 `e il valore di G(s) per s=0. Poniamo s = j e calcoliamo il modulo di G.


A0 02
(02 2 ) + j Q00

(3.18)

A0 Q0
|G(j)|=max = 
1 4Q1 2

(3.19)

G(j) =
da cui:

La dipendenza di questa funzione da Q0 `e mostrata in gura 3.19.


Notiamo che, come si vede dallequazione (3.16) un massimo nella risposta pu`o
aversi solo per:
1
< 1
2Q20
cio`e per:
1
Q0 > = 0.707
2
Per Q0 = 0.707 troviamo:

|G(j)|=max = A0

66

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

40

30
G

max Q 0

20

10

Q0

Figura 3.19: Dipendenza da Q0 della funzione |G(j)|=max data dalla (3.19)

|G()|

(dB)

|G()|

per diversi valori di Q0

20

10

10

Q0=1
Q0=1.5
Q0=2
Q0=4

1000

Figura 3.20: Diagramma di Bode per il modulo della G(s) data dalla (3.17), per diversi valori
di Q0

Riportiamo nel graco di gura 3.20 il diagramma di Bode per il modulo della G(s)
dato dallequazione (3.17).
Vediamo da questi risultati, ed in particolare dalle equazioni (3.16) e (3.17), che
la curva di risposta |G(j)| ha un massimo tanto pi`
u accentuato quanto pi`
u `e elevato
il Q0 del circuito. La posizione del massimo si sposta, come mostrato dalla (3.16),
al variare di Q0 . max aumenta allaumentare di Q0 e diviene uguale ad 0 per
Q0 .
0
`e lascissa comune dei poli,
Poich`e 0 `e la distanza dei poli dallorigine e 2Q
0
vediamo che langolo che abbiamo indicato con aumenta allaumentare di Q0 .
Vediamo cio`e che la curva che descrive la risposta del sistema acquista in prossimit`a
u accentuato quanto pi`
u i poli sono vicini allasse
di 0 un picco che `e tanto pi`

3.5 Diagrammi di Nyquist

67

immaginario e lontani da quello reale.

3.5

Diagrammi di Nyquist

Se si riporta in un diagramma cartesiano, in ascissa la parte reale della funzione di


trasferimento G(j) ed in ordinata la parte immaginaria, si ottiene quello che `e noto
come diagramma di Nyquist della G(j). Al variare di il punto rappresentativo
del sistema si muove lungo una curva. Il vettore che unisce lorigine delle coordinate
con il generico punto rappresenta la funzione di trasferimento in corrispondenza al
valore di relativo al determinato punto. Ad esempio, la gura 3.21 mostra il
diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento caratteristica di un circuito
passa-basso:
1/
j 1/

G(j) =

(3.20)

Nyquist plot per un circuito passa-basso

Im[G()]

0.2

0.4

0.6

0.8

0.6

0.4

0.2

Re[G( )]
Plot per tra 100 e 500,000 rad/s

Figura 3.21: Diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento (3.20), per variabile tra
100 e 500,000 rad/s

Unaltro esempio `e quello della funzione di trasferimento con un polo ed uno zero
non nellorigine. Il relativo diagramma di Nyquist `e mostrato in gura 3.22.
Lespressione analitica della funzione di trasferimento in questesempio `e data
da:
G() =

1 + j2
1 + j1

(3.21)

dove 1 = 3.979 106 e 2 = 1.592 104 ed varia tra 100 e 400,000 rad/s.
Un ulteriore esempio `e quello di una funzione di trasferimento con uno zero non
nellorigine e due poli:
G() =

0.001 j2
(0.001 j1 )

(3.22)

68

Capitolo 3. Diagrammi di Bode e di Nyquist

Im[G()]

20

10

10

20
Re[G()]

30

40

Figura 3.22: Diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento (3.21), per variabile tra
100 e 400,000 rad/s e con i valori di 1 e 2 indicati nel testo
con 1 e 2 uguali a quelli dellesempio precedente.
Il relativo diagramma di Nyquist `e mostrato in gura 3.23.
0

Im[G()]

0.05

0.1

0.15

0.2

0.02

0.04

0.06

0.08

Re[G()]

Figura 3.23: Diagramma di Nyquist per la funzione di trasferimento (3.22), per variabile tra
100 e 400,000 rad/s e con i valori di 1 e 2 indicati nel testo

Capitolo 4

Linee di trasmissione
4.1

Introduzione

Nelle attuali trasmissioni televisive via satellite si opera a frequenze di diversi GHz.
I segnali che il decoder riceve sono tipicamente dellordine del GHz. Segnali di
frequenza similmente elevata sono utilizzati nelle normali trasmissioni televisive,
nonch`e nei sistemi di trasmissione dati.
I cavi elettrici che trasportano i segnali ai sistemi di decodica/ricezione debbono essere tali da non introdurre distorsioni e da non attenuare apprezzabilmente il
segnale. Se si adoperassero a tale scopo delle normali coppie di conduttori elettrici,
si avrebbe una certa attenuazione. A questa si potrebbe pensare di ovviare con un
successivo stadio di amplicazione. Purtroppo ci`o non aiuterebbe, poich`e lattenuazione introdotta da un normale cavo elettrico `e funzione della frequenza. Ci`o fa s`
che il segnale che arriva al ricevitore sia fortemente distorto.
Nel campo dellelettronica digitale veloce `e necessario trasmettere segnali logici costituiti da impulsi molto brevi (dellordine del ns), con ripidi fronti di salita
e di discesa. Anche in tal caso, luso di normali cavi conduttori allungherebbe i
fronti di salita e discesa, oltre a deformare la forma dellimpulso, con conseguenze
disastrose per i sistemi di decodica. Occorre quindi realizzare degli opportuni conduttori che abbiano bassa attenuazione (in modo da consentire la trasmissione su
cavi molto lunghi) e sopratutto che non siano tali da introdurre distorsioni. Inoltre,
tali conduttori debbono risultare immuni da disturbi elettromagnetici eventualmente
presenti nellambiente.
I conduttori pi`
u comunemente adoperati a tale scopo sono i cavi coassiali, il cui
uso `e ormai ampiamente diuso nel settore della comunicazione, come in quello della
Fisica ed in molti settori dellIndustria.
Un uso importante che di tali cavi si fa in Fisica (specie in Fisica subnucleare)
`e quello di ritardare un segnale elettronico di una quantit`a predeterminata. Si
parla in tal caso di linee di ritardo.
Nel seguito discuteremo la struttura e le propriet`a dei cavi coassiali. Le considerazioni che svolgeremo hanno comunque validit`a pi`
u generale e possono esser
applicate a linee di trasmissione aventi strutture diverse da quelle dei normali cavi
coassiali.
69

70

4.2

Capitolo 4. Linee di trasmissione

Cavi coassiali: principi generali

In questa sezione discuteremo il principio di funzionamento di un cavo coassiale,


ammettendo che esso sia privo di perdite, quali potrebbero nascere da eetti resistivi
o da perdite nel dielettrico. Esamineremo alla ne del capitolo le complicazioni che
possono esser causate da tali fattori.
Schematizzeremo un cavo coassiale come in gura 4.1.
L

Figura 4.1: Sezione di un cavo coassiale, di lunghezza L, raggio interno r e raggio esterno R
Il conduttore interno ha raggio r, quello esterno R. Sappiamo che, ad una lunghezza unitaria di cavo `e associata una capacit`a C0 data da:
2
[F ]
C0 =
ln(R/r)
dove  = 0 r ed r `e la costante dielettrica relativa del mezzo compreso tra il
conduttore interno e quello esterno. Analogamente, ad una lunghezza unitaria di
conduttore `e associata uninduttanza L:

ln(R/r) [H]
2
dove = 0 r `e il prodotto della permeabilit`a magnetica del vuoto per la
permeabilit`a magnetica relativa.
Se il cavo ha lunghezza x, la sua capacit`a ed induttanza saranno:
L0 =

C = C0 x
L = L0 x
Ammettiamo ora che ad un estremo del cavo sia applicato un segnale di tensione
V. Il cavo, inizialmente scarico, comincer`a caricarsi ed una corrente I uir`a nel
conduttore. Potremo schematizzare la propagazione dei segnali di tensione e corrente
nel cavo come mostrato in gura 4.2.
Qui si deve immaginare che sia stata fatta unistantanea ad un preciso istante
t. Infatti sia V(x) che I(x) saranno in genere anche funzioni del tempo. Sappiamo che
uninduttanza percorsa da una corrente variabile genera una dierenza di potenziale
ai propri capi data da:
dI
V = L
dt
Nel nostro caso, linduttanza Lx associata al tratto x di cavo genera una
dierenza di potenziale tra i suoi estremi (i punti a e b) data da:
V (x + x) V (x) = L0 x

I
t

4.2 Cavi coassiali: principi generali

71

I(x)

I(x+ x)
V(x)

V(x+ x)

Figura 4.2: Schema relativo alla propagazione di unonda lungo una linea. La corrente allistante
generico t vale I(x) nel punto di ascissa x. La dierenza di potenziale tra i conduttori nel medesimo
punto `e V (x). Nel medesimo istante queste, ad una distanza x, valgono rispettivamente I(x+x)
e V (x + x)

dove abbiamo usato il simbolo () di derivata parziale, poich`e I e funzione di x


oltre che di t.
Questa , al limite x 0 fornisce:
I
V
= L0
x
t

(4.1)

La capacit`a associata al tratto di cavo compreso tra a e b (C0 x) possiede una


carica Q data da:
Q = CV = C0 xV
dove V `e la dierenza di potenziale media tra conduttore interno e conduttore
esterno nel tratto x. Poich`e prenderemo il limite x 0, questa sar`a la dierenza
di potenziale tra i due conduttori nel punto x. La corrente netta uscente dal tratto
di lunghezza x `e:
I = I(x + x) I(x) =

V
V
dQ
= C
= C0 x
dt
t
t

Al limite x 0 questa fornisce:


I
V
= C0
x
t

(4.2)

Lequazione (4.1) ci dice che la corrente variabile genera un gradiente di tensione;


la (4.2) ci dice che la tensione variabile genera un gradiente di corrente.
Derivando la (4.1) rispetto a t e la (4.2) rispetto ad x, si trova:

Da queste si ottiene poi:

2V
2I
= L0 2
xt
t

(4.3)

2V
2I
=
C
0
x2
tx

(4.4)

2I
2I
=
C
L
0 0
x2
t2

(4.5)

72

Capitolo 4. Linee di trasmissione

2V
2V
=
C
L
(4.6)
0
0
x2
t2
Cio`e troviamo
 limportante risultato che sia V che I soddisfano lequazione delle
onde con u = L01C0 . La costante u `e la velocit`a di propagazione dellonda. Il suo
inverso `e il ritardo per unit`a di lunghezza. La soluzione, sia per V che per I, sar`a
quindi della forma f (x ut).
Ne segue che un qualsiasi segnale sinusoidale si propagher`a lungo il cavo con la
medesima velocit`a u, qualunque sia la frequenza f del segnale. Di qui segue, facendo
uso dello sviluppo in serie di Fourier di un segnale periodico qualsiasi, che il sistema
non introduce distorsioni. Si noti che il risultato raggiunto `e vero per un qualsiasi
cavo coassiale a condizione di trascurare le perdite .
Esaminiamo ora la propagazione di un gradino di tensione come quello indicato
in gura 4.3, lungo un cavo coassiale.

t=0

t=x1/u

Figura 4.3: Gradino di tensione di altezza V. Il gradino si propaga lungo la linea con velocit`a u
Se il gradino di tensione `e applicato ad una estremit`a della linea al tempo t=0,
esso comincer`a a caricare la linea, ed un impulso di corrente si propagher`a lungo
questa con velocit`a u. Il fronte di tensione si propagher`a con la medesima velocit`a.
Al tempo t, la carica totale accumulata in un tratto di linea di lunghezza x = ut
sar`a:
Q = It
con Q = CV = C0 xV = C0 utV .
Notiamo che V `e laltezza del fronte di tensione, che `e costante. Quindi:

dQ
C0
= C0 uV =
I =
V
dt
L0
Il rapporto in ogni punto tra tensione e corrente sar`a:

L0
V
Z0 =
=
I
C0

(4.7)

4.3 Riessioni alle estremit`


a di una linea

73

Questa va sotto il nome di impedenza caratteristica della linea.


Notiamo che Z0 ha le dimensioni di una resistenza, ma ci`o non deve far pensare
che la linea sia assimilabile ad una impedenza di valore Z0 . Il signicato di Z0 `e solo
quello del rapporto tra tensione e corrente per unonda che viaggi lungo la linea. A
destra del fronte donda la tensione `e nulla, come nulla `e la corrente.
Per unonda che si propaghi in verso contrario adotteremo la convenzione di
scegliere il segno negativo per la corrente, con che:

V
L0
(4.8)
= Z0 =
I
C0
Valori tipici di Z0 sono nel campo (50 200 ).
Valori di Z pi`
u elevati (no a qualche k) possono essere ottenuti aumentando
L. Ci`o si pu`o realizzare con un cavo che utilizzi un conduttore interno avvolto a
spirale, eventualmente su di un supporto centrale di materiale ferromagnetico. Se
il solenoide `e ttamente avvolto, il campo magnetico nella zona compresa tra i due
conduttori `e trascurabile rispetto a quello nel conduttore centrale. Linduttanza `e
quindi determinata dal conduttore interno solenoidale e vale:
n2 a2
= r n2 2 a2 107 (H/m)
4
Essendo
il ritardo per unit`a di lunghezza della linea proporzionale, a parit`a di
C0 , alla L0 , ne segue che questo tipo di linea ad alto Z0 avr`a anche un elevato
valore del ritardo per unit`a di lunghezza.
L0 =

4.3

Riessioni alle estremit`


a di una linea

.
Se londa di tensione `e progressiva (cio`e si propaga nel verso crescente delle x)
essa sar`a del tipo:

x
V = f t
u
Se essa `e regressiva:

x
V = f t+
u
Londa di corrente sar`a:
1

x
I =
f t
Z0
u
Agli estremi della linea debbono per`o essere soddisfatte delle condizioni al contorno. Ammettiamo infatti che la linea sia chiusa su di una resistenza R, di valore diverso da Z0 . In tal caso, allestremit`a della linea dovr`a esser soddisfatta la
condizione:
V
= R = Z0
I
che londa incidente non pu`o soddisfare. Dovr`a allora aver origine unonda riessa
(di tensione e corrente) tale che la somma delle onde incidente e riessa soddis la
condizione.

74

Capitolo 4. Linee di trasmissione

Se indichiamo con il coeciente di riessione, cio`e se V (1 1) `e


lampiezza di tensione dellonda riessa, lampiezza di corrente della stessa sar`a:
Ir =

V
Z0

Le ampiezze complessive di tensione e di corrente allestremit`a della linea saranno


allora:
Vt = V (1 + )
It = I + Ir =

V
(1 )
Z0

Il rapporto Vt /It sar`a quindi:


Vt
1+
= Z0
It
1
che deve uguagliare R. Ne segue
1+
R
=
Z0
1
da cui:
=

R Z0
R + Z0

(4.9)

cio`e londa riessa avr`a ampiezza pari a V. Il parametro `e noto come coeciente di riessione.
Esaminiamo ora i seguenti casi particolari:
(a) R = 0 = 1. In tal caso londa di tensione riessa `e capovolta rispetto a
quella incidente
(b) R = = +1. In tal caso londa riessa `e uguale a quella incidente
(c) R = Z0 = 0. In tal caso non c`e onda riessa. Si dice che la linea `e chiusa
sulla sua impedenza caratteristica
Consideriamo ora un generatore di segnali, avente una impedenza duscita Rs ,
chiuso su di una linea di trasmissione avente impedenza caratteristica R0 , come
mostrato in gura 4.4.
Limpedenza vista tra i terminali duscita (a-b) del generatore guardando verso
destra `e R0 . Se u(t) `e un gradino di tensione, Vi sar`a:
Vi =

R0
u(t)
R0 + Rs

ad esempio, se la linea `e adattata allingresso cio`e se Rs = R0 , si avr`a:


Vi =

1
u(t)
2

4.4 Riessioni multiple

Rs
U(t)

75

V => R
b

T1

Figura 4.4: Generatore dimpedenza duscita Rs , chiuso su di una linea avente impedenza
caratteristica R0 . La linea `e chiusa allaltra estremit`a su di unimpedenza R

Guardiamo ora cosa accade al gradino di tensione quando esso, dopo un tempo
T, raggiunge laltra estremit`a della linea. Ci`o dipender`a ovviamente dal valore di R.
Ammettiamo per cominciare che sia R =0 . In tal caso avremo = 1. Quindi, dopo
un tempo T (pari alla lunghezza L della linea divisa per la velocit`a di propagazione
del segnale lungo la linea) dallestremo di questa partir`a un segnale di tensione
Vr = Vi = u(t)/2.
Tale segnale arriver`a allingresso della linea dopo un ulteriore tempo T. A partire
da tale istante il segnale di tensione fra i punti a e b sar`a u/2u/2 = 0. In denitiva
il segnale di tensione in a-b avr`a landamento mostrato in gura 4.5(a).
Se la lunghezza della linea `e molto piccola il segnale sar`a un impulso stretto,
come mostrato in gura 4.5(b).
Tale metodo `e adoperato talvolta per generare un segnale di breve durata a
partire da un segnale lungo, il quale abbia un brusco fronte di salita (o di discesa).
Un esempio `e mostrato in gura 4.5(c),(d).

4.4

Riessioni multiple

Ammettiamo ora che n`e limpedenza duscita del generatore che alimenta la linea
(avente lunghezza L) n`e limpedenza che chiude la linea allestremit`a di ricezione
siano adattate. Siano cio`e esse entrambe diverse dallimpedenza caratteristica della
linea. Chiamiamo  il coeciente di riessione allestremit`a di ingresso e quello
allestremit`a duscita. Esaminiamo landamento temporale del segnale alla estremit`a
dingresso, per un segnale a gradino u(t). Quando il segnale parte, a t = 0+ , esso
vale u. Al tempo tD = L/u, un segnale riesso, pari a u comincia a muoversi dallestremo duscita verso sinistra. Per t = 2tD il segnale u arriva al punto dingresso
(x=0). In tale istante il segnale in x=0 passa dal valore u al valore u+u = (1+)u.
In questo stesso istante,un segnale riesso pari a  u parte dallestremit`a di ingresso
verso destra. Al tempo t = 3tD questo segnale arriva allestremit`a della linea e viene
nuovamente riesso. Il nuovo segnale riesso vale:  u. Questo arriva in x=0 al
tempo 4tD e viene a sommarsi ai precedenti. In denitiva, se osserviamo il segnale
in x=0 avremo:
per t < 2tD ; V = u
per 2tD < t < 4tD ; V = u + u

76

Capitolo 4. Linee di trasmissione

(a)

u/2
t=0

t=2T

(b)

u/2
t=0 t=2T

t
(c)
Segnale dal generatore

t
(d)
Segnale all'ingresso della linea

Figura 4.5: Eetto delle riessioni di un gradino allestremit`a di una linea cortocircuitata. (a)
impulso rivelato tra i punti a e b di gura 4.4 nel caso generico; (b) impulso rivelato nel caso in
cui la linea sia molto corta; (c) segnale fornito dal generatore, con un ripido fronte di salita ed una
lenta discesa; (d) segnale rivelato tra i punti a e b di gura 4.4 in corrispondenza a tale segnale
fornito dal generatore

per 4tD < t < 6tD ; V = u + u +  u


per 6tD < t < 8tD ; V = u + u +  u +  u
Notiamo che, essendo e  entrambi minori di 1, i successivi termini saranno
sempre pi`
u piccoli.

4.5

Eetti resistivi nelle linee di trasmissione

Le linee n qui considerate erano caratterizzate da una capacit`a C0 ed un induttanza


L0 per unit`a di lunghezza ma erano altrimenti prive di perdite ohmiche. Se degli el-

4.5 Eetti resistivi nelle linee di trasmissione

77

ementi resistivi sono anche presenti, un elemento di linea potr`a essere schematizzato
come in gura 4.6:

R0

L0

B
C0

G0

Figura 4.6: Linea di ritardo con perdite ohmiche. R0 , C0 , L0 e G0 sono deniti nel testo
Qui in aggiunta ad una capacit`a C0 ed induttanza L0 per unit`a di lunghezza,
abbiamo una resistenza R0 (serie) ed una conduttanza G0 (parallelo) per unit`a di
lunghezza.
Le equazioni diventano ora, indicando al solito con V la dierenza di potenziale
fra i punti B e A, con I la dierenza tra la corrente uscente da B e quella entrante
in A e con z la coordinata misurata lungo la linea:
V = R0 zI(z, t) L0 z

I(z, t)
t

(4.10)

I = G0 zV (z, t) C0 z

V (z, t)
t

(4.11)

Cio`e:
V
I(z, t)
= R0 I(z, t) L0
z
t

(4.12)

V (z, t)
I
= G0 V (z, t) C0
z
t

(4.13)

da cui si ottiene:
2V
2V
V
+ R0 G0 V
=
L
C
+ (L0 G0 + R0 C0 )
(4.14)
0
0
2
2
z
t
t
Questo ovviamente si riduce allequazione (4.6) se R0 = G0 = 0.
Unequazione analoga pu`o essere facilmente ottenuta per la corrente I(z,t).
Esaminiamo ora la risposta di tale linea ad un segnale sinusoidale:
V = V (z)ejt
Sostituendo nella (4.14) si trova:
d2 V
= V (z)[R0 G0 L0 C0 2 + j (L0 G0 + R0 C0 )] 2 V (z)
dz 2

(4.15)

78

Capitolo 4. Linee di trasmissione


con:

2 L0 C0 2 + j (L0 G0 + R0 C0 ) + R0 G0 = (R0 + jL0 ) (G0 + jC0) (4.16)


La variabile:
+ j

(R0 + jL0 )(G0 + jC0)

(4.17)

`e detta costante di propagazione.


La soluzione generale dellequazione dierenziale (4.14) `e quindi del tipo:
V (z, t) = V1 ez ej(tkz) + V2 ez ej(t+kz)

(4.18)

Questa `e nuovamente la somma di unonda progressiva e di una regressiva. Ciascuna delle due onde `e per`o moltiplicata per un esponenziale (ez ) che introduce
unattenuazione con costante = 1/.
Notiamo che sia che k dipendono da . Ci`o ha leetto di introdurre una
distorsione in un generico segnale applicato. Infatti si vede che le diverse componenti
di Fourier di un tale segnale sono attenuate in modo diverso, come diversa `e la loro
velocit`a di propagazione: v = /k.
Risolvendo la (4.16) si trova:

1
2 = [(R0 G0 2L0 C0 ) + (R02 + 2 L20 )(G20 + 2 C02 )]
(4.19)
2

1
k 2 = [(R0 G0 2 L0 C0 ) + (R02 + 2 L20 )(G20 + 2 C02 )]
(4.20)
2
A frequenze tali che R0 /L0 1 e G0 /C0 1, e k possono essere
approssimati con:
 
 
1
C0
L0
R0
+ G0

2
L0
C0

k L0 C0

Con ci`o la velocit`a di propagazione v = /k 1/ L0 C0 , come nel caso di una


linea priva di perdite.
Inoltre, in tale approssimazione la costante di attenuazione viene ad essere
indipendente dalla frequenza. Nel caso dei cavi coassiali tale regione di alte frequenze
inizia attorno ai 100 kHz.
A frequenze pi`
u elevate leetto pelle fa si che la parte di conduttore responsabile
della conduzione si riduca ad uno strato superciale tanto pi`
u sottile quanto pi`
u
elevata `e la frequenza dei segnali trasmessi. Ci`o porta ad un aumento della resistenza
e di conseguenza ad una lunghezza dattenuazione 1 che diminuisce allaumentare
della frequenza. Se indichiamo con la resistivit`a del conduttore, con la skin
depth, cio`e la profondit`a di penetrazione dellonda elettromagnetica nel conduttore
(dipendente da ) e con a il raggio del conduttore, si trova che la resistenza per unit`a
di lunghezza `e approssimativamente uguale a:
 
1

R0 =
2 a
1

Denita come la lunghezza dopo la quale il segnale si `e attenuato di un fattore e.

4.6 Adattamento dimpedenza per una linea

79

Ad esempio, nel caso del rame ( = 5.8 107 ( m)1 ), se a=1 mm, e dato da:

2
=
0
cio`e:


2
1
1
=
0.066
m/ s =
=
0.166
=
5.8 107 4 107

f


1
cm/ s
= 6.6
f
Ne segue che, per un cavo di rame avente un raggio del conduttore interno di 1 mm,
R0 vale allincirca:


1000
5
1
R0 =
=
4.15
10
f

Hz
m
2 0.066 5.8 107


che, ad una frequenza di 1 GHz da:


R0 = 1.3
per un cavo avente un metro di lunghezza.
La dipendenza della resistenza del cavo dallinverso della radice quadrata della
frequenza `e confermata dai dati sperimentali.
Se ad una estremit`a di un cavo avente una resistenza per unit`a di lunghezza
R0 ed una capacit`a per unit`a di lunghezza C0 , `e applicato un gradino di tensione,
il segnale misurato allestremit`a opposta non `e esattamente un gradino. Esso sar`a
caratterizzato da un tempo di salita che `e dato dal prodotto RC, dove R `e la
resistenza e C la capacit`a del cavo. Poich`e C `e uguale a C0 moltiplicato per la
lunghezza del cavo ed analogamente R `e uguale a R0 moltiplicato per la lunghezza
del cavo, ne segue che il tempo di salita del segnale `e pari a R0 C0 moltiplicato per
il quadrato della lunghezza del cavo. Ad esempio, per un cavo del tipo di quello
esaminato, il tempo di salita tipico dopo una lunghezza di 10 m `e circa 1 ns.
Le case costruttrici forniscono il valore di , cio`e del tempo di salita misurato
su di un cavo lungo 10 m. Valori tipici per cavi adoperati in elettronica veloce sono
0.04-0.2 ns.

4.6

Adattamento dimpedenza per una linea

Le riessioni che i segnali possono subire alle estremit`a di una linea di trasmissione
possono dar luogo ad inconvenienti. Ammettiamo ad esempio di voler osservare alloscilloscopio un certo impulso, avente una determinata altezza e durata, fornito da
un generatore dimpulsi avente una bassa impedenza duscita. Se, come quasi sempre accade, facciamo uso di un cavetto da 50 per inviare il segnale in esame ad un
oscilloscopio, dobbiamo tener conto del fatto che una tipica impedenza dingresso di
questo `e dellordine del M. In tali condizioni il coeciente di riessione allingresso
delloscilloscopio sar`a circa 1. Il segnale riesso arriver`a, dopo un piccolo ritardo,
alluscita del generatore, dove si sommer`a al segnale che questo sta inviando. In

80

Capitolo 4. Linee di trasmissione

tal modo avremo, in tempi brevissimi (dellordine del ritardo del cavo, cio`e pochi
ns) un gran numero di riessioni tra generatore ed oscilloscopio, con il risultato di
osservare un segnale completamente diverso da quello originato dal generatore.
quindi necessario liberarsi delle riessioni. Ci`o sarebbe possibile se limpeE
denza dingresso delloscilloscopio fosse uguale a quella della linea (50 nel nostro
caso). Alcuni oscilloscopi sono gi`a predisposti in modo che si possa commutare
limpedenza dingresso, tra 1 M e 50 . Nei casi in cui tale predisposizione non
esista `e possibile adattare lingresso, ponendo in parallelo ad esso un tappo da
50 . Lo schema `e quello di gura 4.7.

50 Ohm

U(t)

R = 50 Ohm

Oscilloscopio

Figura 4.7: Adattamento dimpedenza di una linea


Esistono dei connettori appositi che svolgono tale funzione.
Situazioni simili a quella descritta possono vericarsi in altre applicazioni: pu`o
ad esempio accadere che la linea abbia unimpedenza maggiore di quella del circuito
che essa deve alimentare. In tal caso occorrer`a mettere in serie allingresso del
circuito unopportuna impedenza, tale che la somma dellimpedenza dingresso del
circuito e di quella aggiunta sia uguale allimpedenza della linea. In tutti questi casi
si dice che si eettua un adattamento dimpedenza.
Il problema delle riessioni pu`o essere ulteriormente complicato dalla presenza,
allingresso del circuito che la linea deve alimentare, di impedenze di tipo induttivo
o capacitivo. Unanalisi di questo tipo di riessioni `e discussa nel capitolo dedicato
alle trasformate di Laplace, come applicazione di queste.

4.7

Linee di trasmissione commerciali

Sono comunemente disponibili in commercio unenorme variet`a di cavi coassiali, che


dieriscono per il diametro dei conduttori, la natura del materiale, lo spessore e
natura del dielettrico che separa il conduttore interno da quello esterno etc..
Normalmente il materiale adoperato per i conduttori `e rame, rame/stagno o
altre leghe speciali. Il dielettrico pu`o essere polietilene, nylon, polipropilene o altre
sostanze plastiche.
Nella pratica radiotelevisiva si fa uso di cavi aventi impedenza caratteristica di
75 . Nei sistemi di telecomunicazione si fa uso di cavi da 50 . Questo `e anche
il caso delle linee di ritardo adoperate in esperimenti di Fisica Subnucleare, dove si

4.8 Linea chiusa su di un condensatore

81

adoperano cavi gi`a predisposti, con opportuni connettori (aventi impedenza di 50 )


alle estremit`a, e con lunghezze diverse, corrispondenti a ritardi che vanno da 0.5 ns
a qualche decina di ns.
I cavi maggiormente adoperati in Fisica Subnucleare sono quelli corrispondenti
allo standard RG-58C/U (50 ) con diametro esterno di 2.95 mm, nonch`e quelli del
tipo RG-174/U (sempre di 50 ) con diametro di 1.52 mm.
Nel campo dellinformatica e della telematica si adoperano spesso cavi da 93
o 105 , come pure cavi da 75 .
Le lunghezze dattenuazione, come i diametri, variano molto da tipo a tipo di
cavo. Inoltre, come gi`a accennato, la lunghezza dattenuazione cambia con la frequenza. Normalmente tale parametro `e quotato nei cataloghi in unit`a di dB/100 piedi. Unattenuazione di 1 dB/100 piedi corrisponde allincirca ad una diminuzione
dellampiezza del segnale dell80% ogni 30 m.
Lunghezze dattenuazione tipiche (per cavi coassiali che rientrano nella standard
MIL-C-17) con diametro esterno di 0.86 mm vanno da 15 dB/100 piedi a frequenze
di 100 MHz, a 258 dB/100 piedi a frequenze di 20 GHz.
Cavi coassiali dello stesso tipo, ma con diametro di 3.58 mm, hanno lunghezze
dattenuazione migliori: esse variano tra 3 dB/100 piedi a 100 MHz e 68 dB/100 piedi
a 20 GHz.

4.8

Linea chiusa su di un condensatore

Abbiamo visto che se una linea di ritardo avente impedenza caratteristica Z0 `e chiusa
su di unimpedenza Z, il coeciente di riessione (cio`e il rapporto tra lampiezza del
segnale riesso e quella del segnale incidente) `e dato da:
=

Z Z0
Z + Z0

(4.21)

Ci proponiamo ora di calcolare, facendo uso della tecnica delle trasformate di Laplace,
la riessione di un impulso rettangolare di durata T ed ampiezza unitaria, allestremit`a di una linea chiusa su di un condensatore, come mostrato in gura (4.8).

R
V

Figura 4.8: Linea chiusa su di un condensatore: schema utilizzato per il calcolo delle riessioni
Un gradino unitario di tensione `e descritto dalla funzione u(t), nulla per t < 0
ed uguale ad 1 per t 0. La trasformata di Laplace del gradino `e, come sappiamo,

82

Capitolo 4. Linee di trasmissione

1/s. Un gradino ritardato di un tempo T `e descritto dalla funzione u(t T ), la cui


trasformata `e:
1 sT
e
s
Un impulso rettangolare di ampiezza unitaria e durata T pu`o esser ottenuto (vedi
gura 4.9) sottraendo u(t T ) da u(t):
r(t) = u(t) u(t T )

v(t)

u(t)
u(t-T)

u(t)-u(t-T)=r(t)

t=0

t=T

Figura 4.9: Impulso unitario di durata T , ottenuto per sottrazione da due gradini unitari che
hanno inizio rispettivamente al tempo t = 0 ed al tempo t = T

La trasformata di Laplace di questo `e:


r(s) =

1
(1 esT )
s

dove abbiamo fatto uso del simbolo (tilde) ad indicare la trasformata. Limpulso
riesso allestremit`a della linea sar`a dato da:
vr (t) = r(t)
Il segnale presente ai capi del condensatore C `e la somma dellimpulso incidente e
di quello riesso:
vc (t) = vr (t) + r(t) = (1 + )r(t) =

2ZC
r(t)
ZC + Z0

dove ZC `e limpedenza capacitiva, la cui trasformata `e: ZC = 1/sC.


Trasformando i due membri di questa equazione otteniamo:



1
1
1
1/sC
sT
sT

1e

e
vc (s) = 2
= 2
Z0 + 1/sC s
s(1 + s ) s(1 + s )
dove si `e posto = CZ0 .

4.8 Linea chiusa su di un condensatore

83

Il termine 1/[s(1 + s )] pu`o esser riscritto come:


1
1
1
=
s(1 + s)
s s + 1/






1
1
sT
sT
1e
1e

=
s
s + 1/



1
1
1
s

e
s + 1/
s s + 1/

Da cui:

vc (s) = 2

1
=2
s
la cui antitrasformata `e:





vc (t) = 2 u(t) 1 et/ u(t T ) 1 e(tT )/

(4.22)

La gura 4.10 mostra landamento di questa funzione nel caso in cui sia: C =
3nF, Z0 = 600, T = 8s.

Tensione (V)

2.5

1.67

0.83

0
1 .10 6

5.5.10 6
Tempo (s)

Tensione ai capi di C
Segnale in ingresso

Figura 4.10: Riessione di un impulso di durata T allestremit`a di una linea chiusa su di un


condensatore. Limpulso, di durata T=8s, `e indicato dalla forma donda tratteggiata. La curva
solida `e la risultante dellonda incidente e di quella riessa, rivelabile ai capi del condensatore.
Limpedenza della linea `e Z0 =600 ; la capacit`a C = 3nF

Se misuriamo landamento temporale della tensione allingresso della linea, ed


ammettiamo che i successivi impulsi siano temporalmente ben separati (cio`e la loro
frequenza sia molto bassa) ed inoltre che il ritardo tD della linea sia grande rispetto alla lunghezza T dellimpulso, potremo vedere leetto della sola onda riessa.
Questa `e data dalla dierenza tra la soluzione gi`a trovata (4.22) ed r(t), cio`e:





vi (t) = u(t) 1 2et/ u(t ) 1 2et /
dove: t = t T . Questo segnale di tensione appare in realt`a al tempo tD (se lo zero
dei tempi `e quello in cui ha luogo la riessione, come nellesempio precedente, o al
tempo 2tD se lo zero dei tempi `e listante in cui il segnale `e partito dal generatore
dimpulsi). Landamento temporale di vi (t) ottenuto facendo uso di un programma
di simulazione (Microcap 6 [5]) `e mostrato in gura 4.11. I dati adoperati sono:

84

Capitolo 4. Linee di trasmissione


lunghezza T dellimpulso: 50 ns;
frequenza degli impulsi: 1 MHz;
impedenza caratteristica della linea: Z0 = 100;
ritardo della linea: tD = 750ns;
capacit`a: C = 350pF .

4.0
3.2

Ampiezza (Volt)

2.4
1.6
0.8
0.0

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

1.2

1.6

2.0

4.0
Ampiezza (Volt)

2.6
1.2
-0.2
-1.6
-3.0

0.0

0.4

0.8

Tempo (s)

Figura 4.11: Riessione allestremit`a di una linea chiusa su di un condensatore. Il graco


superiore mostra il segnale ai capi del condensatore; quello inferiore mostra il segnale allingresso
della linea. I valori dei componenti ed i parametri del segnale applicato sono indicati nel testo.

Il graco in alto mostra il segnale ai capi di C. Questo, come si vede, `e ritardato


di 750 ns rispetto allistante in cui il segnale `e partito dal generatore. Il successivo
segnale compare ai capi di C dopo ulteriori 1000 ns, ed `e associato al secondo impulso
in ingresso.
Il graco inferiore mostra landamento dei segnali allingresso della linea. Vediamo due successivi impulsi inviati dal generatore, mentre il primo impulso riesso
compare con un ritardo 2tD = 1.5 s dallinizio del primo impulso.

Capitolo 5

Semiconduttori: Diodi e
Transistor
5.1

Introduzione

In questo capitolo ci proponiamo di fornire i concetti che sono alla base del funzionamento dei diodi al silicio e dei transistor bipolari. Inizieremo con una descrizione,
alquanto sommaria, del processo di conduzione elettrica nei solidi ed in particolare
nei semiconduttori. Esamineremo poi i processi che hanno luogo allinterfaccia tra
due semiconduttori aventi conducibilit`a diverse e descriveremo le caratteristiche dei
diodi ed alcune delle loro applicazioni. Passeremo poi a studiare la struttura ed il
funzionamento del transistor bipolare a giunzione.
Prima di iniziare, val la pena di riassumere gli eventi che portarono, nel 1940,
alla scoperta del diodo a giunzione presso i laboratori Bell di New York e successivamente, nel dicembre del 1947, alla scoperta, presso i medesimi laboratori, del
transistor.
Per molti anni gli apparecchi radio avevano fatto uso, per la rivelazione dei
segnali, di raddrizzatori, consistenti in un cristallo su cui veniva tenuta premuta
lestremit`a di un sottile lo metallico (noto in gergo come bao di gatto). Tale tipo
di rivelatore (adoperato anche da Marconi nella sua prima trasmissione attraverso
lAtlantico il 12 Dicembre 1901) era molto instabile ed il suo funzionamento era ben
lungi dallessere stato compreso. Esso era stato scoperto da Munk A. Rosenhold,
ma la scoperta era passata inosservata, no a che non fu riscoperto da F. Braun
nel 1874, ed adoperato in elettronica da Jagadis Chandra Bose nel 1899. Si era
quindi passati a rivelatori basati su valvole termoioniche (diodi). Questi avevano
per`o linconveniente di avere una elevata capacit`a tra gli elettrodi, il che rendeva
estremamente dicile il loro uso ad alte frequenze. La seconda guerra mondiale
pose il problema della rivelazione di navi o velivoli in avvicinamento, tramite la
rivelazione di segnali di alta frequenza riessi da tali mezzi. Ci`o richiedeva rivelatori
(ed amplicatori) che funzionassero nella zona delle microonde. Ci fu quindi una
corsa allo sviluppo di rivelatori che potessero sostituire le valvole, e si ritorn`o quindi
ad esplorare la possibilit`a di utilizzare i cristalli. Tra i cristalli pi`
u studiati no
a quel momento vi erano il Selenio, il Germanio, il Silicio ed altri. Il Fisico Karl
Lark-Horovitz (un Viennese divenuto Americano nel 1936) che era Professore alla
Purdue University, si era concentrato sul Germanio, ed era riuscito, nel 1942, ad
85

86

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

ottenere dei cristalli di Germanio di elevata purezza.


Verso la ne degli anni 30 cominciava ad esser chiaro che vi erano buone possibilit`a di realizzare sistemi elettronici in grado di operare ad alte frequenze facendo
uso di tali cristalli. Nel 1936 Mervin Kelly, dei Laboratori Bell, mise su un gruppo
di sica dello stato solido. Nel gruppo lavoravano William (Bill) Shockley, Russell
Ohl, Jack Sca ed altri. V`a notato che gi`a nel 1938 due ricercatori Tedeschi (Pohl e
Hilsch) avevano descritto un amplicatore a stato solido che faceva uso di un cristallo di Bromuro di Potassio, a cui avevano attaccato tre ba di gatto (un antenato
del futuro transistor). Tuttavia questo lavorava solo a basse frequenze e non era
molto interessante.
Verso linizio del 1939, presso i Laboratori Bell, Russell Ohl era riuscito a produrre dei cristalli di silicio con un grado di purezza del 99.8% ed a farne funzionare
alcuni come raddrizzatori (anche se solo a frequenze non elevate). Il 23 febbraio egli
not`o che un particolare cristallo non possedeva, a dierenza degli altri, la propriet`a
di lasciar passare la corrente in una sola direzione. Osservando pi`
u accuratamente
il cristallo egli not`o che esso aveva una sottile fessura nel mezzo. Prov`o allora a far
passare corrente attraverso il cristallo in varie condizioni sperimentali ed osserv`o che
la corrente cambiava se il cristallo era posto vicino ad un saldatore caldo o anche
vicino ad una lampada ad incandescenza. Si rese cos` conto del fatto che era la luce
che, investendo il cristallo faceva passare una corrente. Quando Ohl port`o il cristallo
perche fosse esaminato dai responsabili dei Laboratori, questi si dimostrarono molto
scettici e lo dettero a Walter Brattain perche ne rimisurasse le caratteristiche.
Ulteriori indagini furono portate avanti dallo stesso Ohl, in collaborazione con
Mervin Kelly, Walter Brattain e Joseph Becker. Si not`o che, collegando le due
facce del cristallo ad un voltmetro ed accendendo una torcia tascabile , il voltmetro
indicava un brusco salto di tensione, di circa mezzo Volt. Successive misure ed
osservazioni svelarono larcano: i livelli di purezza del cristallo erano diversi dai due
lati della fessura; uno dei lati aveva cos` un eccesso di elettroni liberi, laltro un
decit. A causa della diusione, gli elettroni in eccesso da quel particolare lato della
fessura si muovevano verso il lato opposto, creando in tal modo una distribuzione
disuniforme di carica e di conseguenza una barriera di potenziale in corrispondenza
della fessura. Ci`o costituiva un diodo, per cui la corrente elettrica poteva uire solo
nel verso corrispondente a quello decrescente del potenziale. Quando Ohl accendeva
la lampada, lenergia dei fotoni emessi era suciente ad imprimere agli elettroni
lenergia cinetica necessaria ad attraversare la barriera di potenziale, producendo cos`
una corrente elettrica. Ohl, senza rendersene conto, aveva realizzato una primordiale
cella solare, che riceve energia dal sole e la converte in elettricit`a. I Laboratori Bell
avevano ora un sistema per sostituire gli ingombranti e costosi tubi a vuoto con
minuscoli diodi al silicio.
Altrettanto empirica fu linvenzione del transistor, realizzata da Walter Brattain, Robert Gibney, William Shockley e John Bardeen, sempre ai Bell Labs, tra il
novembre ed il dicembre 1947.
Lidea base era quella di realizzare un dispositivo che funzionasse in modo analogo
ad una valvola (triodo) termoionica, in cui una tensione applicata allelettrodo posto
tra catodo ed anodo (la griglia) modula la corrente che uisce nel tubo. Ora
per`o si trattava di inserire lanalogo della griglia nella zona di semiconduttore che
separa la zona ricca di portatori di carica negativi, da quella ricca di portatori

5.1 Introduzione

87

positivi. Essendo lo spessore di tale zona dellordine di qualche micron, loperazione


era tuttaltro che banale.
John Bardeen, il teorico che, insieme agli sperimentali Shockley e Brattain, ebbe
nel 1956 il Nobel per le ricerche che portarono allinvenzione del transistor, nella sua
Nobel lecture, cos` descrive questi sviluppi:
Era stata a lungo coltivata la speranza di realizzare un triodo, o dispositivo amplicatore, facendo uso di un semiconduttore. Due erano state le possibilit`
a suggerite. La prima scaturiva da unanalogia tra una giunzione retticatrice metallosemiconduttore ed un diodo a vuoto. Se fosse in un qualche modo stato possibile
inserire una griglia nella regione di carica spaziale in corrispondenza della giunzione, si sarebbe riusciti a controllare il usso di elettroni attraverso la stessa. Una
grossa dicolt`
a pratica era costituita dal fatto che la zona di carica spaziale ha
tipicamente uno spessore di 104 cm. Che tuttavia lidea fosse valida era stato dimostrato da Hilsch e Pohl che avevano costruito un triodo facendo uso di un cristallo
di alogenuro alcalino, in cui lo spessore della zona di carica spaziale era dellordine
del cm. Poich`e tuttavia in tale dispositivo lamplicazione era limitata a frequenze
dellordine di 1 Hz, esso non era di alcuna utilit`
a pratica in applicazioni elettroniche.
La seconda idea era quella di controllare la conduzione in un lm sottile o piastra di semiconduttore, tramite lapplicazione di un campo elettrico perpendicolare
alla piastra medesima (chiamato leffetto di campo). In forma semplicata, la
piastra forma una delle armature di un condensatore, di cui laltra armatura costituisce lelettrodo di controllo. Quando una tensione `e applicata allarmatura di
controllo, cariche elettriche vengono indotte sulla piastra. Se le cariche indotte sono
dei portatori elementari liberi, la conduzione (lungo la piastra) dovrebbe cambiare
al variare della tensione applicata. Questidea f`
u suggerita da Shockley; i suoi calcoli indicavano che, adottando unopportuna geometria e materiali adatti, leetto
avrebbe dovuto essere abbastanza grande da produrre unamplicazione.
Una serie di tentativi furono eettuati in condizioni sperimentali le pi`
u disparate
(no ad immergere campioni di silicio in acqua per liberare la supercie dalla condensazione !) prima di arrivare a realizzare un dispositivo, quale il transistor, in
grado di essere adoperato come amplicatore e quindi di sostituire le ingombranti
e delicate valvole termoioniche (triodi, tetrodi, pentodi etc.). Il primo prototipo di
transistor realizzato aveva una struttura molto simile a quella realizzata da Pohl e
Hilsch nel 1938, cio`e era costituito da un cristallo di Germanio, cui erano stati attaccati tre ba di gatto. Si era alla ne del 1947, ma i laboratori tennero la cosa
segreta no allanno successivo. Nel frattempo si preoccuparono pero di brevettare
linvenzione e di convincere i militari a non bloccare la diusione dellinformazione !
Il 30 Giugno 1948 tennero una conferenza stampa in cui annunciavano la scoperta.
Questa pass`o quasi inosservata. Era stato comunque realizzato il primo transistor,
lanalogo del triodo a vuoto di cui parla Bardeen. Il nuovo dispositivo faceva ancora uso dei contatti metallici, ma pochi anni pi`
u tardi (1951) furono sviluppati
i primi prototipi di transistor a giunzione quali li conosciamo oggi (in dimensioni
enormemente pi`
u piccole). Si dovette attendere no al 1954 prima di incontrare la
prima seria versione commerciale, anche se una pubblicit`a della Raytheon del 1952
dichiara che il primo transistor prodotto da loro (il ck703) risaliva al 1948 ! Comunque i primi transistor prodotti (il ck703 ed il ck716 della Raytheon) non furono
un grande successo dal punto di vista commerciale. Il primo ad essere prodotto in

88

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

grandi quantit`a f`
u invece il ck722.
I Bell Labs inziarono a vendere brevetti del transistor a giunzione nel 1952, al
prezzo di 25,000 dollari per brevetto. Un brevetto f`
u acquistato da una compagnia
di Tokyo, la Tokyo Tsushin Kogyo (che nel 1955 divent`o la Sony). Questa compagnia produsse le prime radio interamente a transistor, con unampia diusione
commerciale. In realt`a gi`a la Texas aveva prodotto radio a transistor uno o due
anni prima, ma non era stata altrettanto abile nel commercializzarla.
Resoconti dettagliati della cronistoria di queste invenzioni possono esser consultati alle riferimenti [38], [39], [40], [41], [43], [44].

5.2

Conduzione elettrica nei semiconduttori

Inizieremo con alcuni brevi richiami dei concetti che sono alla base della conduzione
elettrica nei solidi, quali i semiconduttori. La densit`a di corrente `e denita da:
J = nqv

(5.1)

dove n `e il numero di cariche elementari per cm3 , q la carica elementare e v la


velocit`a di drift. Questultima `e legata (per campi elettrici non troppo elevati) al
campo elettrico da una relazione di proporzionalit`a:
v = E

(5.2)

dove `e una costante (mobilit`a) caratteristica del materiale. Le dimensioni


siche di tale costante sono:


[] = cm2 /(V olt s)
Si tratta, come si vede, di unit`a ibride, appartenenti in parte al sistema SI ed in
parte al cgs.
La densit`a di corrente pu`o, facendo uso delle equazioni (5.1) e (5.2), essere
espressa come:
J = nqE = E

(5.3)

dove = nq `e la conduttivit`a, che `e linverso della resistivit`a (notiamo che


in questa equazione q `e il modulo della carica elettrica elementare, a dierenza del
medesimo simbolo adoperato nella (5.1)):
= 1/

5.3

(5.4)

Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze

La conduttivit`a nei semiconduttori allo stato puro `e estremamente bassa, a causa


dellesiguo numero di elettroni liberi per unit`a di volume. In eetti, nel silicio allo
stato puro i legami atomici covalenti tra atomi contigui determinano una struttura

5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze

89

cristallina estremamente stabile. Il silicio, tetravalente, forma legami covalenti che


possono esser qualitativamente illustrati, in un piano, come mostrato in gura 5.1.

Figura 5.1: Schema dei legami covalenti nel silicio cristallino


Nella gura sono mostrati gli atomi (pallini solidi), gli elettroni (punti) ed i legami
covalenti (linee tratteggiate). Ciascun atomo ha quattro elettroni di valenza. Nella
struttura cristallina a questi vengono ad aggiungersi quattro elettroni di valenza di
altrettanti atomi contigui, creando una struttura atomica estremamente stabile.
In tali condizioni la conduzione pu`o solo aver luogo a causa della rottura di
qualcuno dei legami chimici covalenti, causata dallagitazione termica.
Se, a causa di tale agitazione, un elettrone viene liberato, esso, in presenza di un
campo elettrico, contribuir`a alla corrente elettrica.
Notiamo che, se n `e il numero di elettroni resi liberi per unit`a di volume, essi
lasciano dietro di s`e un ugual numero di lacune libere, cio`e di siti atomici dove i
legami chimici richiederebbero un elettrone. Tali lacune si comportano come cariche
positive libere: sotto lazione di un campo elettrico esse si muovono nella direzione
del campo dando un proprio contributo alla corrente. Tale contributo si somma a
quello dovuto agli elettroni. Ci`o `e stato vericato sperimentalmente facendo uso
delleetto Hall.
Se indichiamo con p la concentrazione delle cariche positive libere, avremo per il
loro contributo alla densit`a di corrente:
Jp = pp qE

(5.5)

dove p `e la mobilit`a delle lacune. Questa dierisce da quella degli elettroni n :




p  500 cm2 /V s


n  1300 cm2 /V s

(5.6)
(5.7)

La densit`a di corrente complessiva sar`a:


J = nn qE + pp qE = (nn + pp ) qE = E

(5.8)

90

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor


cio`e:
= (nn + pp )q

(5.9)

Come accennato, i moti dagitazione termica liberano un ugual numero di elettroni e lacune per unit`a di volume:
n = p ni

(5.10)

ni `e nota come la concentrazione intrinseca di elettroni (lacune) nel silicio allo


stato puro.
Si noti per`o che se un qualche meccanismo interviene a modicare una delle
due concentrazioni (e lintroduzione di opportune impurezze `e un tale meccanismo)
quella dellaltro componente cambia in verso opposto, in modo tale che sia sempre:
np = n2i

(5.11)

Tale relazione `e nota come legge dellazione di massa.


Il parametro ni dipende dalla temperatura ed `e esprimibile come:
ni = A0 T 3 eEG0 /kT

(5.12)

dove T `e la temperatura assoluta, k la costante di Boltzmann (in eV /o K), A0 `e


una costante ed EG0 `e lenergia necessaria a rompere un legame covalente a 0 oC.
Per il silicio a 300 o K si ha:
ni  1.5 1010 /cm3
mentre il numero di atomi/cm3 `e allincirca 1022 . La dipendenza di EG dalla
temperatura `e approssimativamente:
EG (T ) 104 T
A temperatura ambiente: EG0  1.1eV .
Introducendo nel materiale piccole quantit`a di impurezze (drogaggio), la conduttivit`a pu`o variare di molti ordini di grandezza. Le impurezze comunemente adoperate sono atomi pentavalenti (come larsenico) o trivalenti (come il boro). Nel primo
caso latomo che viene a sostituire, nella struttura cristallina, un atomo di silicio, ha
un elettrone che risulter`a pi`
u debolmente legato e contribuir`a alla concentrazione di
elettroni liberi. Gli atomi che costituiscono tale tipo di impurezze sono noti come
donori . Nel caso in cui il drogaggio venga eettuato con una sostanza trivalente,
latomo che, nella struttura cristallina, viene a sostituire un atomo di silicio ha un
elettrone in meno (dal punto di vista chimico) ed `e quindi in grado di catturare un
elettrone libero. Si parla in tal caso di un atomo accettore. Nel primo caso si dice che
il drogaggio `e di tipo n, nel secondo di tipo p. Se indichiamo, nel caso pentavalente,
con ND la concentrazione dei donori avremo, nellipotesi che sia ND ni :
n = ND
p n = p ND = n2i

5.3 Conduzione elettrica nei semiconduttori in presenza di impurezze

91

da cui:

n2i
ni
=
ni ni
ND
ND
cio`e la concentrazione di lacune sar`a fortemente ridotta. Si dice che in tal caso gli
elettroni sono i portatori maggioritari , le lacune i portatori minoritari. Lopposto
ovviamente avviene se il drogaggio `e di tipo p.
Esaminiamo un esempio. La conduttivit`a del silicio allo stato puro:
p=

= ni q (n + p )
facendo uso dei valori numerici:
ni = 1.5 1010 cm3
q = 1.6 1019 C
n = 1300 cm2 V 1 s1
p = 500 cm2 V 1 s1
`e uguale a:
= 4.32 106 1 cm1
da cui:

= 2.31 105 cm

Ammettiamo ora di aggiungere un donore per ogni 108 atomi di silicio. Avremo
per il numero di donori/cm3 :
NAv d 8
10
P
Dove NAv `e il numero di Avogadro, d la densit`a e P il peso molecolare.
Sostituendo i valori numerici:
ND =

NAv = 6.02 1023


P = 28.1
d = 2.33 g cm3
troviamo:
n = ND = 4.99 1014 cm3
mentre la concentrazione delle lacune diviene, per la legge dellazione di massa,
del tutto trascurabile.
La conduttivit`a diviene allora:
 nqn = 0.1 (cm)1
e quindi:
= 9.6 (cm)

92

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Il rapporto tra il nuovo valore della resistivit`a e quello relativo al silicio allo stato
puro diviene allora:
9.6
= 4.16 105
2.31 105
cio`e una diminuzione di un fattore 24,000.
Ci`o `e in ultima analisi legato al fatto che la percentuale (108 ) di atomi aggiunti
signica 5 1014 donori/cm3 , da confrontare con 1.5 1010 elettroni nel silicio allo stato
puro.
R =

5.4

Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione

Se un semiconduttore, quale il silicio, `e drogato in modo non uniforme, inizia ad


aver luogo un processo di diusione dei portatori liberi (elettroni o lacune) da quelle
regioni dove la concentrazione `e pi`
u elevata verso zone di minor concentrazione. Il
processo ha unorigine puramente statistica ed `e analogo alla diusione di un gas da
regioni di maggior densit`a verso quelle dove la densit`a `e minore.
Consideriamo infatti un lungo tubo rettilineo pieno di un gas con concentrazione
n(x) non uniforme e sia lasse x parallelo alla direzione del tubo (gura 5.2).

J(x)

J(x+dx)
dx

Figura 5.2: Diusione in un tubo pieno di gas con concentrazione non uniforme
Se S `e la sezione del tubo, J(x) la densit`a di corrente (cio`e il numero di molecole
che nellunit`a di tempo attraversano lunit`a di supercie nella posizione di ascissa
x) lincremento per unit`a di tempo del numero di particelle nello strato tratteggiato
in gura `e dato da:
dJ(x)
dx
dx
Se indichiamo con n(x, t) il numero di atomi per unit`a di volume, tale incremento,
nel punto di ascissa x, `e anche dato da:
S [J(x) J(x + dx)] = S

Sdx
Per cui si ha :
ovvero:

dn
dt

dn
dJ
=
dx
dt

5.4 Diusione in presenza di un gradiente di concentrazione

dJ =

93

dn
dn dx
dx =
dx
dt
dx dt

cio`e:
dn
(5.13)
dx
Questa equazione ci dice che la densit`a di corrente `e proporzionale al gradiente
della densit`a, cambiato di segno.
Il parametro D `e noto come coeciente di diusione.
Un fenomeno identico ha luogo nel caso della diusione dei portatori di carica
in una barretta di un semiconduttore ove sia stato eettuato un drogaggio non
uniforme.
Scriveremo quindi in tal caso per la densit`a di corrente elettrica:
J = D

dp
(5.14)
dx
nel caso di un drogaggio non uniforme di portatori positivi (lacune). Qui Dp `e
il coeciente di diusione per le lacune e p(x) il gradiente di concentrazione delle
stesse.
Analogamente, nel caso di un drogaggio di tipo n (elettroni) avremo:
Jp (x) = qDp

dn
(5.15)
dx
dove Dn `e il coeciente di diusione per gli elettroni e dove lassenza del segno
(-) presente nella (5.14) `e legato al fatto che ora la carica dei portatori `e negativa
(q `e il modulo della carica elettrica).
Sussiste la seguente relazione (nota come equazione di Einstein) tra i coecienti
di diusione e le mobilit`a:
Jn (x) = qDn

Dp
Dn
T
kT
=
VT =

p
n
q
11600

(5.16)

dove k `e la costante di Boltzmann in Joule/o k e T la temperatura assoluta.


Il parametro VT nel sistema SI `e esprimibile in Volt e, a temperatura ambiente,
vale approssimativamente 26 mV.
In presenza di un campo elettrico diretto lungo lasse x, alla corrente di diusione
viene a sommarsi quella dovuta al campo, data dalle equazioni (5.3) e (5.5). La
corrente totale sar`a allora data da:
dp
dx
nel caso di un gradiente di concentrazione di lacune, e da:
Jp (x) = qp pE qDp

(5.17)

dn
(5.18)
dx
se `e presente un gradiente di concentrazione di elettroni.
In condizioni stazionarie, a circuito aperto, la densit`a di corrente totale deve
annullarsi. Avremo cio`e :
Jn (x) = qn nE + qDn

94

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

p pE = Dp

dp
dx

da cui, con E legato al potenziale da:


E=

dV
dx

si ottiene:
Dp dp
dV
= p
p dx
dx
cio`e :
dp
p
che, integrata fra due generici punti 1 e 2, fornisce:
dV = VT

V21 V2 V1 = VT ln

p(x1 )
p1
= VT ln
p(x2 )
p2

(5.19)

o anche:
p1 = p2 eV21 /VT

(5.20)

la (5.20) `e nota come equazione di Boltzmann. Lanaloga equazione per le lacune


`e:
n1 = n2 eV21 /VT

(5.21)

Moltiplicando membro a membro le equazioni (5.20) e (5.21), riotteniamo la


legge dellazione di massa:
n1 p1 = n2 p2

5.5

Giunzioni p-n

Se in una barretta di silicio viene eettuato un drogaggio di tipo p in una met`a e


di tipo n nellaltra, come mostrato in gura 5.3, si avr`a in un tempo brevissimo una
diusione di lacune da sinistra verso destra ed unanaloga diusione di elettroni da
destra verso sinistra.
Tale processo `e rapidamente contrastato dal campo elettrico, diretto da destra
verso sinistra, che nasce come conseguenza di tale usso. Si raggiunge cos` una
situazione di equilibrio in cui, a circuito aperto, non `e pi`
u presente alcuna corrente.
Notiamo che gli elettroni che dalla zona n diondono verso la zona p, hanno unelevatissima probabilit`a di essere catturati dalle lacune presenti in tale zona non
appena essi abbiano superato la giunzione. Analogamente, le lacune che dalla zona
p uiscono verso la zona n sono catturate dagli elettroni presenti in tale zona subito
al di l`a della giunzione. La zona dai due lati della giunzione viene in tal modo ad
essere priva di cariche libere. A tale zona si d`a il nome di zona di svuotamento o
zona di transizione o anche zona di carica spaziale.

5.5 Giunzioni p-n

95
p

(a)
p

(b)

Figura 5.3: Schema di una giunzione p-n. Graco superiore: distribuzione dei portatori nella
giunzione, ammettendo che se ne possa fotografare la distribuzione subito dopo che la giunzione
sia stata prodotta. Graco inferiore: distribuzione dei portatori allequilibrio

Lo spessore della zona di svuotamento `e tipicamente molto piccolo, ma pu`o


essere aumentato applicando unopportuna dierenza di potenziale inversa, come
vedremo tra poco.
Se indichiamo con pp0 la concentrazione iniziale (cio`e prima che la diusione abbia
luogo) di lacune sul lato sinistro della giunzione e con pn0 lanaloga concentrazione
di lacune sul lato destro, con NA la concentrazione di accettori sul lato p con ND la
concentrazione di donori sul lato n, avremo:
pp0 = NA
pn 0 =

n2i
ND

Segue allora dalla (5.19) che tra due punti 1 e 2, situati il primo a sinistra ed il
secondo a destra della giunzione, si avr`a una dierenza di potenziale data da:
V0 = V21 = VT ln

pp 0
NA ND
= VT ln
pn 0
n2i

(5.22)

Le gure 5.3 (a) e (b) illustrano ci`o che avviene dei portatori di carica a seguito
della diusione. La zona allimmediata sinistra della giunzione viene a perdere
lacune a causa della diusione di queste verso la zona n. Essa acquista cos` una
carica netta negativa. Analogamente la zona allimmediata destra della giunzione
viene a perdere elettroni a causa della diusione di questi verso la zona p. Essa
acquista cos` una carica netta positiva.
Landamento qualitativo della distribuzione delle cariche `e mostrato nella parte
superiore della gura 5.4. Nasce come conseguenza un campo elettrico rivolto nel
verso negativo dellasse x, il cui andamento `e mostrato nella parte inferiore della
gura. Il corrispondente andamento del potenziale `e mostrato nella parte superiore
della gura 5.5.

96

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

q(x)

E(x)

Figura 5.4: Graco superiore: andamento della carica netta attraverso una giunzione p-n.
Graco inferiore: andamento del campo elettrico.

La barriera di potenziale che cos` si crea, impedisce alle lacune presenti nella
zona p di continuare a diondere verso la zona n, e viceversa, agli elettroni presenti
nella zona n di diondere verso la zona p. In realt`a la situazione `e un tantino pi`
u
complicata, poiche i portatori liberi (elettroni nella zona n e lacune nella zona p)
hanno una distribuzione di energie che, classicamente, `e descritta dalla funzione di
Boltzmann:
f () = Ce
/kT

(5.23)

che ci d`a il numero di portatori di carica aventi energia maggiore di . In questa


relazione, k `e la costante di Boltzmann e T la temperatura assoluta. Esiste quindi un
certo numero di portatori di carica con energia suciente a superare la barriera di
potenziale V0 . Ci`o costituisce una corrente diretta dal lato p verso il lato n. Tuttavia
la corrente netta totale risulta nulla. Ci`o `e dovuto al fatto che nella zona n esistono,
sia pure in piccolissima concentrazione, cariche positive (lacune) libere. La presenza
di queste lacune (portatori minoritari) `e legata ai moti dagitazione termica. Queste
possono diondere nella zona n verso la giunzione dove, a causa del verso del campo,
sono rapidamente accelerate verso la zona p. Analogamente esistono nella zona p
elettroni liberi (portatori minoritari) che diondono verso la giunzione e sono poi

5.5 Giunzioni p-n

97

rapidamente accelerati dal campo verso la zona n. Linsieme di queste due correnti,
nota complessivamente come corrente termica Is , controbilancia allequilibrio la
corrente legata alle cariche maggioritarie che hanno energia sucientemente elevata
da superare la barriera di potenziale (corrente di ricombinazione, Ir ).
Allequilibrio quindi avremo:
Is = Ir
ora, la corrente di ricombinazione, per quanto visto `e proporzionale a:
Ir = CeqV0 /kT
ottenuta dalla (5.23) sostituendo ad  lenergia qV0 corrispondente alla barriera
di potenziale che le cariche debbono superare.
Notiamo ancora che la corrente termica Is non dipende dallaltezza della barriera
di potenziale V0 ; se quindi laltezza della barriera viene alterata per una qualche
azione esterna, Is rimane uguale a:
Is = CeqV0 /kT
mentre la corrente di ricombinazione Ir diviene:
Ir = CeqV

 /kT

dove V  `e il nuovo valore della barriera di potenziale.


Immaginiamo ora che al dispositivo considerato venga applicata una polarizzazione inversa, con il lato n collegato al positivo di una batteria V ed il lato p
collegato al negativo. La polarit`a `e tale da far allontanare dalla giunzione sia lacune
nella zona p che elettroni nella zona n. Di conseguenza, la regione con densit`a di
carica negativa si estende ulteriormente alla sinistra della giunzione e quella con
densit`a di carica positiva si estende a destra. Si ha cio`e un allargamento della zona
di svuotamento, un conseguente aumento della dierenza di potenziale, che ora diviene V0 +V ed in denitiva nessun sostanziale passaggio di corrente. Ci`o `e mostrato
nella parte inferiore della gura 5.5.
Se al contrario ammettiamo che la giunzione sia polarizzata in modo diretto, si
avr`a una riduzione della barriera di potenziale ed un usso di corrente.
Nel primo caso avremo:
V  = V0 + V
e nel secondo:
V  = V0 V
In entrambi i casi avremo una dierenza tra Is ed Ir e quindi una corrente netta.
Esaminiamo dapprima il caso in cui la polarizzazione sia diretta. La corrente
sar`a allora:


I = Ir Is = Ceq(V0 V )/kT CeqV0 /kT = CeqV0 /kT eqV /kT 1 =

98

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

V (x )

01

V (x )

Figura 5.5: Graco superiore: andamento del potenziale attraverso una giunzione p-n. Il graco
inferiore mostra come il potenziale venga modicato dallapplicazione di una tensione inversa



= I0 eqV /kT 1

(5.24)

con:
I0 = CeqV0 /kT
Nel caso in cui la polarizzazione si inverte, cambia semplicemente il segno di
V nella (5.24). Questa equazione pu`o quindi essere adoperata per descrivere il
funzionamento del diodo sia nel caso in cui la polarizzazione sia diretta che nel caso
di polarizzazione inversa1 .
Questo `e il comportamento di un diodo raddrizzatore, il cui simbolo `e mostrato in
gura 5.6 e dove `e anche indicato il verso in cui la corrente pu`o uire in polarizzazione
diretta (qV kT ).

5.6

Caratteristica I-V del diodo

La caratteristica del diodo, cio`e la relazione tra tensione applicata e corrente nel
diodo `e esprimibile nella forma:
1

Notiamo che se V `e positivo e qV molto maggiore di kT , la (5.24) diviene approssimativamente


I = I0 eqV /kT e la corrente pu`
o acquistare valori elevati. Se viceversa V `e negativo (e qV maggiore
in modulo di kT ) avremo: I = I0 , una corrente molto piccola.

5.6 Caratteristica I-V del diodo

99

I
Figura 5.6: Simbolo adoperato per un normale diodo a semiconduttore. Il verso indicato per
la corrente `e quello in cui essa scorre quando si applichi una polarizzazione diretta



I = I0 eVD /VT 1

(5.25)

Dove `e un parametro numerico che per il silicio vale allincirca 1 2, ed I0 `e


una costante, nota come corrente inversa di saturazione. I0 `e molto piccolo: esso
pu`o valere 1014 1015 A nel caso del silicio.
Landamento della funzione espressa dallequazione (5.25) `e mostrato in gura 5.7.
100

I VD

50

0.5

0.5

1.5

VD

Figura 5.7: Caratteristica corrente-tensione per un diodo a giunzione (equazione (5.25))


Vediamo che per tensioni applicate negative, la corrente risulta estremamente
piccola (non visibile nel graco).
Se VD `e positivo (polarizzazione diretta) possiamo distinguere il caso in cui sia
VD VT da quello in cui sia VD VT .
Nel primo caso il termine esponenziale dominer`a rispetto al termine costante.
Landamento della corrente sar`a cio`e un esponenziale crescente. Esaminiamo alcuni
casi numerici, ammettendo che sia I0 = 1014 A, = 1, VT = 25 mV (Tabella (5.1)).
Vediamo che la corrente `e trascurabile no a tensioni applicate di  0.6 V . A
0.7 V la corrente `e aumentata in misura apprezzabile. Normalmente si assume che

100

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor


VD (mV )
25
100
200
400
600
700
800

I (A)
2.7 1014
5.5 1013
3.0 1011
8.9 108
26.0 105
14.5 103
790.0 103

Tabella 5.1: Esempi numerici di correnti rilevate attraverso un diodo (I) per tensioni applicate
ai suoi capi pari a VD per un diodo con caratteristiche: I0 = 1014 A, = 1, VT = 25 mV .

il diodo sia interdetto per tensioni dirette inferiori a 0.65 V , mentre conduca per
tensioni 0.7 V . Come si vede dalla tabella, quando il diodo `e in conduzione, a
causa della rapida variazione della corrente al variare della tensione, si ha che ad
importanti variazioni di corrente corrispondano piccolissime variazioni di tensione.
Ci`o pu`o esser visto in modo quantitativo facendo uso della (5.25) nel caso VD VT .
Per due diversi valori della corrente, I1 ed I2 avremo infatti:
I1 = I0 eVD1 /VT
I2 = I0 eVD2 /VT
Dal rapporto di queste due equazioni si ha allora:
I1
= e(VD1 VD2 )/VT
I2
e, prendendo il logaritmo di entrambi i membri:
V D1 V D2 =

VT I1
I1
ln  25 mV ln

I2
I2

Se la corrente I1 `e pari a dieci volte I2 si ha:


VD1 VD2  57 mV
In altri termini, la caduta di potenziale ai capi del diodo cambia molto poco al
variare della corrente che lo attraversa. Ci`o `e legato al fatto che la caratteristica di
gura 5.7, quando il diodo conduce, `e allincirca una retta verticale (di pendenza
poco inferiore a /2).
Per una resistenza R la legge di Ohm `e:
1
I
=
R
V
Un valore elevato del rapporto I/V corrisponde ad un piccolo valore della resistenza, cio`e dellinverso della pendenza della retta che ne descrive il comportamento
nel piano I V .

5.6 Caratteristica I-V del diodo

101

Si pu`o quindi parlare di una resistenza associata al diodo quando questo `e in


conduzione. Tale resistenza, che denoteremo con Rf , ha un valore estremamente
piccolo.
Esaminando la caratteristica del diodo nella zona in cui esso `e polarizzato inversamente, vediamo che tale zona della caratteristica corrisponde ad una resistenza di
valore molto elevato, che nel seguito indicheremo con Rr .
Consideriamo ora lesempio di gura 5.8.

Vi

Figura 5.8: Semplice circuito che utilizza un diodo


Lequazione del circuito `e 2 :
vi = RiD + vD
da cui:
1
vi
iD = vD +
R
R
che `e lequazione di una retta (retta di carico) nel piano (vD iD ). In questequazione iD e vD sono entrambe incognite. Tuttavia esse sono legate tra loro
dalla (5.25), per cui possono, in linea di principio, esser facilmente calcolate.
Un modo per risolvere il problema `e quello di ricorrere al graco della (5.25) e
disegnare sul medesimo la retta di carico, come mostrato nel graco di gura 5.9.
2

Qui e nel seguito adopereremo la seguente notazione per segnali di corrente (ed analoga per
segnali di tensione):
ID = corrente continua (quiescente).
Cio`e, una lettera maiuscola con sottoscritta maiuscola denota una quantit`
a stazionaria.
iD = corrente totale
Cio`e, una lettera minuscola con sottoscritta maiuscola denota la quantit`
a totale, somma di quella
stazionaria e della componente variabile.
id = segnale di corrente
Cio`e, una lettera minuscola con sottoscritta minuscola denota la componente variabile.
In altre parole, nel caso della corrente si ha:
iD = ID + id
.

102

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

La retta ha una pendenza pari a 1/R. Essa interseca lasse verticale (corrente) per
iD = Vi /R e quello orizzontale (tensione) per VD = Vi .

iD
vi/R

retta di carico
iD
vD
vi

vD

tg=-1/R

Figura 5.9: Retta di carico per il diodo di gura 5.8


Esaminiamo ora ci`o che accade se il diodo `e polarizzato inversamente, cio`e se
vD 0. In tale regione ci aspetteremmo che I  I0 , che cio`e la corrente (che ora
uisce in verso opposto) fosse trascurabilmente piccola. In realt`a si trova che, anche
se molto piccola, questa corrente `e diversi ordini di grandezza pi`
u elevata di quanto
predetto dallequazione del diodo. Per esempio, un diodo per piccoli segnali, avente
un valore di I0 = 1014 1015 pu`o esibire una corrente inversa dellordine del nA.
Inoltre tale corrente aumenta allaumentare della tensione inversa applicata nonch`e
allaumentare della temperatura.
Tale corrente `e in parte legata alla presenza, in minute quantit`a, di portatori
di carica di tipo p nella regione n e di tipo n nella regione p ed in parte a perdite
dielettriche.
I portatori di cui sopra vanno sotto il nome di portatori minoritari, per distinguerli dai portatori maggioritari che sono quelli introdotti con il drogaggio delle
due zone. La loro presenza `e dovuta alla rottura dei legami chimici, causata dai
moti di agitazione termica.
La corrente I, molto piccola per tensioni inverse applicate non eccessivamente
grandi, subisce un brusco aumento se la tensione inversa applicata supera un certo
valore (tensione di breakdown). Tale comportamento `e mostrato in gura 5.10.
La tensione di breakdown `e quella corrispondente al ginocchio nel graco di
gura e viene indicata con il simbolo VZ (dove Z sta per Zener ). Al ginocchio la
corrente aumenta molto rapidamente allaumentare della tensione applicata3 . Per
questo motivo i diodi possono essere adoperati in questa regione come stabilizzatori
di tensione. Sono disponibili in commercio appositi diodi (diodi Zener) con valori
3

molto pi
u rapidamente di quanto essa non aumenti per tensioni dirette maggiori di V .

5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacit`


a associate alla giunzione

103

100.mA

50.mA

VZ
V

0.mA

-50.m
A

V
-100.m
A

-8.00
-7.00-6.00-5.00-4.00-3.00-2.00-1.000.00 1.00 2.00

V (Volt)

Figura 5.10: Caratteristica di un diodo Zener


della tensione VZ stabiliti dal produttore (di norma da qualche Volt a qualche centinaio di Volt). Il simbolo adoperato per il diodo Zener `e mostrato in gura 5.11. La
corrente uisce nel verso indicato con If in gura se la polarizzazione `e diretta e
maggiore di V , nel verso indicato con Ir se la polarizzazione `e inversa e maggiore
(in modulo) di VZ .

Ir
If
Figura 5.11: Simbolo adoperato per il diodo Zener. If `e la corrente quando il diodo `e polarizzato
direttamente; Ir quando `e polarizzato inversamente, con tensione maggiore di VZ

5.7

Resistenza dierenziale del diodo e capacit`


a
associate alla giunzione

La caratteristica I-V del diodo:




I = I0 eV /VT 1

104

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

pu`o, per segnali continui e polarizzazione diretta, essere schematizzata come


mostrato nella parte destra della gura 5.12, cio`e sostituendo il tratto di curva
compreso tra 0 e 0.7 Volt con un tratto orizzontale (I=0) ed il tratto esponenziale
successivo con una retta avente una pendenza determinata dal parametro VT .
I

1/Rf
V

Figura 5.12: Rappresentazione a tratti della caratteristica del diodo (graco di destra)
confrontata con quella reale (graco di sinistra)

Ci`o equivale a sostituire al diodo reale uno ideale (cio`e avente V = 0 ed Rf = 0)


in serie con un generatore di tensione di valore V  0.7 V ed una resistenza Rf ,
come mostrato in gura 5.13.

Rf
V

Figura 5.13: Schematizzazione di un diodo reale, tramite un diodo ideale (avente V = 0), in
serie con una resistenza ed una batteria di valore V = 0.7 V

Se al diodo `e invece applicato un segnale variabile, costituito dalla somma di un


segnale continuo (positivo) e di uno variabile, di piccola ampiezza:
V = V0 + v
(dove cio`e dV = v).
avremo:
iD = I0 eV /VT

5.7 Resistenza dierenziale del diodo e capacit`


a associate alla giunzione

105

da cui si ottiene che la componente variabile id della corrente `e legata alla


componente variabile v della tensione, da:
id d(iD ) = I0

1 V /VT
iD
iD
I
e
dV =
dV =
v
v
VT
VT
VT
VT

Ne segue:
25
VT
v

rd =
id
I
I(mA)
La grandezza rd `e la resistenza dierenziale del diodo. Vediamo che la resistenza dierenziale dipende dalla corrente totale I che lo attraversa e diminuisce allaumentare di questa. Se quindi ad un diodo `e applicato un segnale variabile di
tensione di piccola ampiezza, la corrispondente variazione di corrente si ottiene dividendo lampiezza (variazione) del segnale di tensione per la resistenza dierenziale
rd . Per I = 1 mA, la resistenza dierenziale `e pari a circa 25 .

5.7.1

Capacit`
a associate alla giunzione

Se al diodo `e applicato un segnale di alta frequenza, questo pu`o esser trasmesso


anche nel caso in cui la polarizzazione applicata sia inversa. In eetti, con tale
polarizzazione la zona di svuotamento pu`o, con buona approssimazione, essere assimilata ad un dielettrico che separa due zone conduttrici, la zona p e quella n.
In tali condizioni abbiamo lequivalente di un minuscolo condensatore a facce piane
e parallele, in cui la separazione tra le armature `e pari alla larghezza W della zona
di svuotamento. Se A `e larea della giunzione ed  la costante dielettrica eettiva
della zona di svuotamento, la capacit`a sar`a data da:
Cj =

A
W

Questa `e nota come capacit`a incrementale o capacit`a di transizione.


Poich`e W cambia al cambiare della tensione inversa applicata, varia corrispondentemente la capacit`a del nostro condensatore. Si ha cio`e un condensatore la cui
capacit`a pu`o esser fatta variare applicando un comando elettrico (tensione) esterno.
Dispositivi di questo tipo sono disponibili in commercio (varicap).
Analizziamo pi`
u in dettaglio il funzionamento del diodo in tali condizioni. Se
in un tempo dt cambiamo la tensione applicata di dV, avremo una corrispondente
variazione dQ della carica presente sul lato p della giunzione (uguale in modulo a
quella presente sul lato n). Avremo quindi una corrente:
i=

dQ
dQ dV
dV
=
= Cj
dt
dV dt
dt

Analizzando in dettaglio landamento di W in funzione della tensione inversa applicata, si trova:


Cj = 

Cj 0
1+

(5.26)
VR
V0

dove VR `e la tensione inversa applicata, V0 `e la tensione associata al diodo non


polarizzato (0.6 0.8 V ) e Cj0 `e la capacit`a del diodo per VR = 0.

106

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Questa relazione `e valida per una giunzione p n brusca. Una relazione di uso
pi`
u generale `e [42]:
Cj 0

Cj =

1+

VR
V0

(5.27)

dove m `e una costante il cui valore dipende dal modo in cui la concentrazione
del drogaggio varia andando dal lato p a quello n. Tale parametro varia tra 1/3 ed
1/2.
Vediamo che in ogni caso la capacit`a di transizione Cj decresce al crescere della
tensione inversa applicata VR . Valori tipici di Cj sono di circa 1 pF.
Se il diodo `e polarizzato in modo diretto, la larghezza W della zona di svuotamento diminuisce e di conseguenza aumenta la capacit`a di transizione Cj . Tuttavia,
per tale polarit`a del potenziale applicato, una seconda capacit`a, molto pi`
u grande
della prima, interviene. Questa, nota come capacit`a di diusione o capacit`a di
immagazzinamento, `e legata al tempo che i portatori di carica immessi da una delle
due regioni nellaltra, impiegano a ricombinarsi.
Esaminiamo ci`o che accade. Se il diodo `e polarizzato direttamente da una batteria, questa immette lacune nella zona p ed elettroni nella zona n. Tali cariche,
arrivando nella zona di svuotamento, si ricombinano con le cariche legate che sono
presenti in tali zone (elettroni nella zona p e lacune nella zona n), causando in tal
modo un restringimento della zona di svuotamento ed un abbassamento della barriera di potenziale. Ci`o a sua volta permette che ulteriori lacune attraversino la
giunzione dalla zona p verso la zona n e ad ulteriori elettroni di muoversi in verso
contrario. Sono questi movimenti di cariche che sono allorigine della conduzione
nel diodo quando esso `e polarizzato direttamente.
Le cariche cos` immesse da una regione nellaltra debbono per`o ricombinarsi con
quelle di segno opposto che esse incontrano nella nuova regione. Se indichiamo con
il tempo medio che una carica impiega a ricombinarsi e con Q la carica totale
spostata in tale tempo, la corrente sar`a:
ID = I =

Q
= I0 eVD /VT

Se ora deniamo la capacit`a di diusione come:


Cd =

dQ
dVD

avremo:
Cd =

I0 VD /VT
ID
e
=
VT
VT

Ed essendo:
rd =

(5.28)

VT
ID

troviamo inne:
Cd =

rd

(5.29)

5.8 Esempi di uso di diodi

107

Esaminiamo ad esempio un diodo al silicio, con = 2, ID = 25 mA, VT = 25 mV


e = 1 ns. Troviamo:
Cd =

109 25 103
= 0.5 nF
2 25 103

che `e molto maggiore di Cj .


Il parametro , che `e critico in questo contesto, pu`o variare tra pochi ns e
centinaia di s.
` la presenza della capacit`a di diusione che limita luso dei diodi a giunzione
E
a frequenze molto elevate. Per applicazioni a tali frequenze si pu`o far uso di diodi
basati su giunzioni metallo-semiconduttore, noti come diodi Schottky, il cui simbolo
`e mostrato in gura 5.14.

Figura 5.14: Simbolo adoperato per il diodo Schottky

5.8
5.8.1

Esempi di uso di diodi


Circuiti raddrizzatori

Cominciamo con il considerare un semplice circuito raddrizzatore, che fa uso di una


resistenza in serie ad un diodo (gura 5.15).

D
out
100

Figura 5.15: Semplice circuito raddrizzatore a diodo


Il segnale alternato applicato `e:
V (t) = V0 sin(t)
con:
V0 = 5 V

108

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

ed:
f=

= 60 Hz
2

Inoltre `e R = 100.
Nel nostro esempio il diodo ha un valore di V = 0.81 V . Una corrente potr`a
uire nella resistenza R se la dierenza di potenziale VD ai capi del diodo supera V .
Lequazione del circuito `e:
V0 sin(t) = VD + RI
La corrente si annulla per:
V0 sin(t) = VD  0.81 V
ci`o avviene per:
0.81
 0.162
5
Da questa si trova che il primo istante in cui la corrente si annulla `e:
sin(t) =

t1  0.43 ms
La corrente si annulla nuovamente per:
t2  7.9 ms
Quando la corrente si annulla, la tensione in output si annulla anchessa.
Il graco di gura 5.16 mostra il segnale in ingresso (linea solida) e quello in
uscita (linea tratteggiata), ottenuti facendo uso della versione Demo del programma
di simulazione Microcap [5]. La curva nel graco inferiore `e la dierenza di potenziale
ai capi del diodo (cio`e la dierenza delle due curve nel graco superiore).
Come si vede, nel segnale in uscita risulta tagliata la parte inferiore. Il circuito
ha raddrizzato londa in ingresso.
Se il V del diodo pu`o esser trascurato rispetto allampiezza del segnale applicato,
allora lintera semionda positiva verr`a ad essere trasmessa e quella negativa bloccata.
Analizziamo la risposta in tale approssimazione, per un segnale in ingresso:
V (t) = V0 cos(t)
Il segnale in uscita avr`a un valor medio dato da:
V0,dc

1
=
T

T /2

1
V0 cos(t)dt =
T
T /2

T /4
T /4

V0 cos(t)dt

(5.30)

essendo nullo il contributo negli intervalli di tempo (T /2, T /4) e (T /4, T /2).
Questa pu`o essere riscritta come:
 /2
 /2
1
1
V0
V0,dc =
(5.31)
V0 cos(t)d(t) =
V0 cos xdx =
T /2
2 /2

I raddrizzatori a diodi sono adoperati spesso per ottenere una tensione continua
a partire da una alternata. Ad esempio, se si vuole alimentare un apparecchio
radio portatile o ricaricare la batteria di un telefonino, si fa uso di un trasformatore

5.8 Esempi di uso di diodi

109

7.5
5.0
2.5
0.0
-2.5
-5.0

0.

10.

0.

10.

20.

30.

40.

50.

30.

40.m

50.

4.000
2.000
0.000
-2.000
-4.000
-6.000

20.

Time

(ms)

Figura 5.16: Il graco superiore mostra la forma donda sinusoidale in ingresso (curva a tratto
solido) ed in uscita (curva a tratteggio) per il circuito raddrizzatore di gura 5.15. La curva
inferiore `e la tensione ai capi del diodo. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti
e dei segnali indicati nel testo, facendo uso del programma Microcap

alimentato dalla rete elettrica a 220 Volt per generare un segnale (della medesima
frequenza) di pochi Volt. Un successivo circuito raddrizzatore converte questo in un
segnale unipolare, ancora variabile, del tipo appena descritto. Vedremo ora come
si possa, ricorrendo ad opportuni ltri, ridurre la componente variabile presente in
tale segnale.
Londa in uscita nel circuito di gura 5.15 ha componenti di Fourier a frequenze
, 2, 3, 4 etc. Analizziamo lo sviluppo in serie di Fourier, facendo uso delle
relazioni duso generale:
f (t) = a0 + a1 cos t + b1 sin t + a2 cos 2t + b2 sin 2t + a3 cos 3t + b3 sin 3t +
con i coecienti ai , bi dati da:
1
a0 =
T
2
a1 =
T
2
b1 =
T

am =

2
T

T /2

f (t)dt
T /2
T /2

f (t) cos tdt


T /2

T /2

f (t) sin tdt


T /2

T /2

f (t) cos mtdt


T /2

110

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor


2
bm =
T

T /2

f (t) sin mtdt


T /2

Nel nostro caso lintegrazione v`a eettuata tra T /4 e T /4, poiche la nostra f(t)
`e nulla al di fuori di tale intervallo. Inoltre, data la simmetria della funzione per
uno scambio t t, tutti i coecienti bn sono nulli. Eettuando il calcolo dei vari
integrali, si trova facilmente:


1 1
2
2
V (t) = V0
+ cos t +
cos 2t
cos 4t +
(5.32)
2
3
15
I termini successivi hanno coecienti sempre pi`
u piccoli, e saranno trascurati.
Volendo ltrare ulteriormente il segnale, ridurre cio`e il contributo delle armoniche, si pu`o ricorrere ad un ltro passa-basso RC, come mostrato in gura 5.17:
D

5k

out

R
V

100

RL

53

Figura 5.17: Circuito raddrizzatore a diodo. Il segnale `e ulteriormente ltrato facendo uso
dei componenti R-C aggiunti nella parte destra del circuito

Ammettiamo che sia RL R e scegliamo inoltre un valore di capacit`a tale che


sia RC = 100/. In tal caso, la risposta del circuito pu`o esser facilmente ottenuta
facendo uso del principio di sovrapposizione. Infatti possiamo considerare la parte
RC del circuito come alimentata da un generatore ideale di tensione, di valore pari
alla tensione, gi`a calcolata, presente ai capi di RL . Essendo R di valore grande
rispetto ad RL essa costituisce un modesto carico per il suddetto generatore, per
cui possiamo ritenere che, con ottima approssimazione, la tensione ai capi di RL gi`a
calcolata, in assenza del circuito RC, sia uguale a quella in presenza di esso.
Possiamo inoltre, facendo uso del principio di sovrapposizione, sostituire al suddetto generatore ideale, la serie dei tre generatori mostrati in gura 5.18, corrispondenti ai primi tre termini nello sviluppo (5.32).
Dalla gura 5.18 otteniamo, per il modulo della risposta ai singoli generatori:
Vout,dc =

V0

per il segnale continuo;


V0 Z C
2 R + ZC
per il segnale a frequenza angolare , dove `e ZC = 1/jC.
Vout,1 =

5.8 Esempi di uso di diodi

111

out
2/3 V0cos2t
C

V0/2cost
V0/

Figura 5.18: Schema adoperato per il calcolo del segnale alluscita del circuito di gura 5.17
Sostituendo si ottiene per Vout,1 :
Vout,1 =

1
1
V0
V0
V0

=

2 1 + (RC)2
2 1 + 1002
200

Per il termine successivo nello sviluppo, corrispondente al segnale di frequenza


angolare 2, avremo:
Vout,2 =

1
2V0
V0

=
3 1 + 2002
300

Trascurando i termini di ordine pi`


u elevato, avremo quindi:


1
1
1
+
sin t +
sin 2t +
V0 (t)  V0
200
300
Il rapporto tra il valore quadratico medio delle componenti variabili (ripple) e
quello della componente continua e pertanto:


1
=
 0.011
+
=
2
2
(300)
280
2 200
Vediamo cos` che la componente variabile (ripple) rappresenta appena l1% di
quella continua.

5.8.2

Retticatore ad onda intera

Nel circuito raddrizzatore appena discusso, solo una met`a (quella positiva) del
` possibile migliorare tale circuito
segnale alternato applicato veniva trasmessa. E
facendo in modo che la met`a inferiore del segnale, cambiata di segno, sia anchessa
trasmessa. Un circuito che realizza tale funzione `e quello di gura 5.19.
Il secondario del trasformatore ha una presa centrale, collegata a massa. Durante
la semionda positiva la tensione ai capi della met`a superiore del secondario `e tale

112

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

da polarizzare direttamente il diodo D1 , mentre quella ai capi della met`a inferiore


polarizza D2 in modo inverso. In questa fase quindi la corrente segue il percorso
superiore indicato in gura e uisce poi nel carico RL collegato a massa. Durante
la semionda negativa viene invece ad essere polarizzato direttamente D2 ed inversamente D1 . Vediamo allora che la corrente seguir`a il percorso indicato in gura dalla
linea inferiore, ma attraverser`a RL nel medesimo verso di prima. Si vede cio`e che
entrambe le semionde sono state raddrizzate.
Anche in questo caso `e poi possibile diminuire il contributo delle armoniche nella
tensione ai capi di RL , ponendo a valle un opportuno circuito passa-basso.

D1
+
+

+
V

RL
_

VL
IL

D2

Figura 5.19: Retticatore ad onda intera

5.8.3

Rivelatore di picco

` spesso necessario ricorrere a circuiti che memorizzino per un breve intervallo di


E
tempo, il valore massimo che un segnale di tensione ha raggiunto. Un tipico uso di
circuiti di questo tipo si incontra nei sistemi di sample-and-hold che precedono un
Convertitore Analogico-Digitale (ADC). La memorizzazione del segnale di tensione
pu`o esser ottenuta facendo s` che esso vada a caricare un condensatore. Occorre
per`o impedire che questo si scarichi quando il segnale diminuisce o diviene negativo.
Il circuito di gura 5.20, noto come rivelatore di picco, implementa tale funzione.
Se infatti il segnale Vi `e positivo e crescente, trascurando per un attimo la resistenza RL ed ammettendo che sia V 0, vediamo che il diodo D viene ad esser
polarizzato direttamente e di conseguenza il condensatore si carica seguendo Vi .
In realt`a V non `e zero, quindi avremo che la tensione ai capi del condensatore sar`a
data da:
VC = Vi V
Se ora Vi comincia a diminuire, avremo che il condensatore, oramai carico ad
un certo valore VC , mantiene tale valore (sempre trascurando la resistenza RL ). Il
diodo D verr`a ora ad essere interdetto e non ci sar`a alcuna corrente nei circuito. Se
Vi comincia a risalire nuovamente, il diodo verr`a ad essere nuovamente polarizzato
in modo diretto se `e:

5.8 Esempi di uso di diodi

113
D
+

Vi

20

RL VL

Figura 5.20: Rivelatore di picco

V i > V + V C
Se Vi supera tale valore di soglia, il diodo consentir`a il passaggio della corrente e la
tensione ai capi del condensatore comincer`a nuovamente ad aumentare, seguendo
Vi (a meno del termine costante V ).
Se vogliamo che la tensione ai capi del condensatore rappresenti la memoria del
massimo raggiunto da Vi , per un tempo nito , dobbiamo far s` che il condensatore
abbia modo di scaricarsi dopo tale tempo. A ci`o provvede la resistenza RL . La
costante di tempo RL C dovr`a essere dellordine del tempo voluto. Landamento
del segnale alluscita del circuito di gura, ottenuto facendo uso del programma di
simulazione [5], `e mostrato in gura 5.21.
I valori scelti sono:
RL = 2k
C = 20F
Il segnale in ingresso (curva solida nella gura) `e una sinusoide:
Vi = 5 sin 2t
con = 60 Hz.
Il segnale in uscita `e mostrato dalla linea tratteggiata. Notiamo che esso ha un
valore massimo che dierisce da Vi di circa 0.7 V olt e che non rimane costante, ma
diminuisce in modo esponenziale. La memoria pu`o esser allungata aumentando il
valore di RL .
Invertendo il verso del diodo `e poi possibile trasformare, come `e facile vericare,
il rivelatore di picco positivo in un rivelatore di picco negativo.

5.8.4

Circuito ssatore (Clamping)

` necessario in alcuni casi ssare ad un certo valore continuo il massimo (o il


E
minimo) di un segnale sinusoidale di tensione. I circuiti che svolgono tale funzione
sono noti come circuiti ssatori o clamping.

114

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor


7.5

5.0

2.5

0.0

-2.5

-5.0

0.0

20.0

40.0

60.0

80.0

100.0

Tempo (ms)

Figura 5.21: Segnale allingresso (curva solida) ed alluscita (curva a tratteggio) del rivelatore
di picco di gura 5.20. I valori dei componenti e quelli del segnale sono indicati nel testo. I risultati
sono quelli forniti dal programma di simulazione Microcap

Un circuito che ssa a V il valore massimo di un segnale sinusoidale, `e quello di


gura 5.22.
20
+
C
Vi

VL

Figura 5.22: Circuito clamping


Se infatti il segnale in ingresso sale, il segnale VL sale anchesso, no a che Vi
non sia divenuto uguale a V . A partire da tale istante il diodo inizia a condurre
e VL = V . Ora, la tensione sullarmatura sinistra del condensatore continua a
salire, seguendo Vi , mentre quella sullarmatura destra rimane ssa a V . Se ora Vi
comincia a diminuire, e con esso la tensione sullarmatura sinistra del condensatore,
quella sullarmatura destra comincer`a a scendere anchessa, interdicendo il diodo.
Vediamo che in tal modo VL continua a diminuire nellintervallo di tempo in cui Vi

5.8 Esempi di uso di diodi

115

diminuisce. Poiche VL partiva da un valore V , esso diminuir`a, divenendo presto


negativo.
Se V0 `e lampiezza del segnale sinusoidale Vi , il minimo valore che VL raggiunger`a
`e quindi:
VL,min = V 2V0
Se ora Vi comincia nuovamente ad aumentare, VL aumenter`a anchesso, no a
raggiungere un valore massimo V quando Vi acquista il suo valore massimo V0 .
In tutta la fase descritta il diodo rimane interdetto. Esso svolge unicamente il
ruolo di far caricare il condensatore nella fase iniziale in cui Vi inizia a crescere.
Landamento dei segnali Vi e VL `e rappresentato dalle curve di gura 5.23. La
sinusoide superiore `e Vi , quella inferiore VL . Il segnale sinusoidale in ingresso ha
unampiezza di 5 V ed una frequenza di 60 Hz.
15.0

10.0

5.0

0.0

-5.0

-10.0

0.0

20.0

40.0

60.0

80.0

100.0

Tempo (ms)

Figura 5.23: Segnale in ingresso (curva superiore) ed uscita (curva inferiore) del circuito clamping di gura 5.22. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti e dei segnali indicati
nel testo, facendo uso del programma Microcap
` possibile eettuare un clamp ad una tensione diversa da V , modicando il
E
circuito con laggiunta di una batteria, come mostrato in gura 5.24. Qui si `e scelto
una batteria da 2 V . Con tale scelta, il massimo della tensione in uscita `e ssato
a:
V VR = 0.8 2.0 = 1.2 V
I relativi segnali sono mostrati in gura 5.25.

116

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

20
+
C
D

Vi

VL
VR

-2
-

Figura 5.24: Circuito clamping modicato con laggiunta di una batteria, per eettuare un
clamp ad un tensione diversa da V
10.0

5.0

0.0

-5.0

-10.0

-15.0

0.0

20.0

40.0

60.0

80.0

100.0

Tempo (ms)

Figura 5.25: Segnali in ingresso (curva superiore) ed uscita (curva inferiore) del circuito clamping di gura 5.24. Le curve sono state ottenute, con i valori dei componenti e dei segnali indicati
nel testo, facendo uso del programma Microcap

5.8.5

Duplicatore di tensione

La gura 5.26 mostra un circuito che fornisce in uscita una tensione continua pari a
2V0 , dove V0 `e lampiezza del segnale sinusoidale applicato in ingresso.
Il circuito `e costituito da un clamp seguito da un rivelatore di picco per segnali
negativi.
La met`a sinistra del circuito, costituita dalla capacit`
a C e dal diodo D, ssa il
massimo del segnale in uscita (quello ai capi delle diodo D) ad un valore V . La met`a
destra (D1 , C1 ) memorizza il valore minimo (V 2V0 ) che tale segnale assume.
Il graco di gura 5.27 mostra in alto landamento del segnale applicato (curva

5.8 Esempi di uso di diodi

117

superiore) e di quello ai capi di D (curva inferiore) ed in basso il segnale di tensione


in uscita Vout . Vediamo che, dopo un breve tempo di assestamento, legato alla carica
dei condensatori, la tensione in uscita acquista un valore di circa:
V 2 5 = 9.2 V olt

D1

+
C
D

Vi

C1

Vout

Figura 5.26: Circuito duplicatore di tensione

15.0

10.0

5.0

0.0

-5.0

-10.0

0.0

100.0

200.0

300.0

400.0

500.0

400.0

500.0

Tempo (ms)
8.0

4.0

0.0

-4.0

-8.0

-12.0

0.0

100.0

200.0

300.0

Tempo (ms)

Figura 5.27: Il graco superiore mostra il segnale allingresso del circuito duplicatore di tensione
(curva superiore) e quello ai capi del diodo (curva inferiore). Il graco inferiore mostra il segnale
continuo ottenuto (dopo la fase di stabilizzazione iniziale). Le curve sono state ottenute, con i
valori dei componenti e dei segnali indicati nel testo, facendo uso del programma Microcap

118

5.8.6

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Misura analogica di una frequenza dimpulsi

Il circuito di gura 5.28 `e a volte adoperato come tachimetro nelle automobili. Esso
fornisce una tensione in uscita proporzionale al numero di impulsi al secondo inviati
in ingresso. Gli impulsi costituiscono un treno donde rettangolari, di altezza e
durata ssa. Analizziamo il funzionamento.
Ciascun impulso positivo in ingresso carica il condensatore C1 attraverso il
diodo D1 . Per questa polarit`a dellimpulso D2 risulta interdetto. Quando limpulso
torna a zero, la tensione sullelettrodo sinistro del condensatore scende, e scende
simultaneamente quella sullelettrodo destro (il comportamento `e uguale a quello,
gi`a esaminato, del circuito clamping). Ora la tensione dellelettrodo destro di C1 , che
era rimasta bloccata a V , pu`o scendere a valori negativi, con che D2 pu`o cominciare
a condurre, caricando negativamente il condensatore C2 . Come si vede dallo schema,
C2 `e di valore molto maggiore di C1 . La costante di tempo con cui esso si scaricher`a
attraverso la resistenza R `e quindi molto grande, e comunque molto maggiore del
tempo di carica. Se il numero di impulsi al secondo `e n e laltezza dimpulso V, la
carica associata a ciascun impulso `e C1 V e la corrente media i = C1 V n. Questa
corrente produce ai capi di C2 un aumento della tensione pari a V2 = nV C1 /C2 .
Si raggiunger`a dopo un certo tempo una situazione stazionaria in cui il processo di
carica di C2 viene rallentato dallaumento del potenziale V2 , mentre la scarica di C2
attraverso R continua con legge esponenziale. In questa fase asintotica (raggiunta
nella pratica dopo una frazione di secondo) la tensione ai capi di C2 `e proporzionale
al numero n di impulsi al secondo. La parte del circuito costituita dal condensatore
C1 e dai diodi agisce da pompa di carica elettrica; C2 da serbatoio.

D2

C1
1n
V

D1

C2

10

22k

Figura 5.28: Circuito per la misura analogica di una frequenza dimpulsi

I risultati di una simulazione di questo circuito, ottenuti facendo uso del programma microcap [5], sono mostrati nelle gura 5.29 e 5.30. I valori dei componenti
adoperati sono quelli di gura 5.28. Il segnale in ingresso `e unonda quadra, di periodo 200 s e duty-cycle 50%. La gura 5.29 mostra il segnale in ingresso (graco
superiore) e quello ai capi di C2 (graco inferiore) limitatamente ai primi 2 ms. La
`
gura 5.30 mostra la tensione ai capi di C2 su di un intervallo temporale di 0.8 s. E
evidente la crescita asintotica del segnale in uscita (negativo) verso -450 mV.

5.8 Esempi di uso di diodi

119

7.5

6.0

4.5

3.0

1.5

0.0

0.0

0.4

0.8
Tempo

1.2

1.6

2.0

1.6

2.0

(ms)

3.2mV

1.60mV

0.0mV

-1.6m
V

-3.2m
V

-4.8
-4.8m
V

0.0

0.4

0.8
Tempo

1.2
(ms)

Figura 5.29: Il graco superiore mostra la sequenza dimpulsi inviati al circuito di gura 5.28.
Quello inferiore mostra il segnale in uscita. I risultati mostrati sono stati ottenuti facendo uso del
programma Microcap
300.
mV m
300

150 m V

0mV

-150m V

-300m V

-450m V

0.

160.

320.

480.

640.

800.

Tempo (ms)

Figura 5.30: Segnale in uscita dal circuito di gura 5.28 su di una scala temporale espansa
(no a 800 ms)

5.8.7

Circuito limitatore con diodi Zener

Il circuito di gura 5.31 limita, sia nella semionda positiva che in quella negativa,
il segnale sinusoidale applicato in ingresso. Nellesempio di gura, lingresso ha una

120

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

frequenza di 1 kHz ed unampiezza di 10 V. Lo Zener adoperato `e un 1N4731, che


ha VZ = 4.3 V . Il taglio avviene quindi a:
VZ + V = 4.3 + 0.7 5.0 V

R
V out

10k

D2

V in

1N 4731
D1

Figura 5.31: Circuito limitatore con diodi Zener


Il risultato ottenuto facendo uso del programma di simulazione `e mostrato in
gura 5.32.

V in

V out

10.

5.

0.

-5.

-10. 0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

Tempo (ms)

Figura 5.32: Segnale in ingresso (sinusoide di ampiezza 5 V) ed uscita per il circuito di


gura 5.31

5.8 Esempi di uso di diodi

5.8.8

121

Interruttore a ponte di diodi

` spesso necessario far uso di interruttori comandati da un segnale di tensione. Il


E
circuito di gura 5.33 trasmette o meno in uscita il segnale di tensione presente in
ingresso, a seconda del segno della tensione di controllo Vk .
Vk
5

Rc1

5k
c
D3

D1
Vi=3 sint

ri

100
RL

10k

D4

D2

VL

d
Rc2

-Vk

5k

-5

Figura 5.33: Interruttore a ponte di diodi


Esaminiamone il funzionamento.
Ammettiamo, per cominciare, che la tensione di controllo Vk sia stata ssata
a +5 V. Se Vi = 0, i diodi D1 e D2 condurranno. La tensione nel punto c sar`a
Vi + V = 0 + 0.6 = 0.6 V (stiamo ora ammettendo che il V dei diodi adoperati sia
0.6 V). Ora D3 e D4 condurranno ed avremo:
Vb = Vc 0.6 = 0 V
Cio`e la tensione in uscita VL sar`a uguale a quella in ingresso. Ammettiamo ora
che Vi e quindi Va aumenti e salga ad esempio a 0.2 V. Ora Vc salir`a a 0.2 + 0.6 =
0.8 V . Vb sar`a allora:
Vb = Vc 0.6 = 0.2 V
ancora una volta uguale a Vi . Vediamo quindi che, ntantoch`e i diodi conducono,
VL segue Vi .
Ammettiamo ora di portare Vk a -5 V. Ora i diodi D1 e D2 saranno interdetti, e
cos` pure D3 e D4 . In RL non passer`a alcuna corrente e VL = 0.
Vediamo quindi che il ponte di diodi trasmette il segnale Vi se Vk = +5 V , mentre
luscita `e nulla per Vk = 5 V .
Ci chiediamo ora quale sar`a il massimo valore che Vi pu`o assumere anch`e, con
Vk = +5 V , il sistema continui a trasmettere, senza deformarlo o tagliarlo, il segnale
applicato in ingresso.

122

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Ovviamente, se Va diviene cos` grande che la dierenza di potenziale ai capi di


D1 sia nulla (in pratica, minore di V = 0.6 V ), il diodo D1 sar`a interdetto, o quasi;
la dierenza di potenziale ai suoi capi sar`a 0 V .
Ammettiamo, per fare un esempio, che sia Va = 4.8 V . In tali condizioni D1 sar`a
al limite della conduzione, con una dierenza di potenziale ai suoi capi di 0 V .
Quindi Vc  4.8 V . Notiamo che in queste condizioni D3 continuer`a a condurre, con
una dierenza di potenziale ai suoi capi di circa 0.6 V, il che implica una tensione
di uscita Vb  4.8 0.6 = 4.2 V . Vediamo che in tali condizione Vb non `e pi`
u uguale
a Va . Notiamo ancora che D2 continua a condurre, con che: Vd = Va 0.6 = 4.2 V .
Il diodo D4 , con una dierenza di potenziale allincirca nulla ai suoi capi, `e al limite
dellinterdizione, come D1 . La corrente in esso iD4 sar`a uguale a 0. Chiamando
Vim il massimo valore che il segnale in ingresso pu`o assumere prima che le correnti
attraverso D1 e D4 si annullino avremo, ponendo Rc1 = Rc2 Rc :
Va = Vim
Vd = Va V = Vim V
Vc = Va = Vim
Vb = Vc V = Va V = VL
dove:
RL iL = Vk Rc iL V
cio`e:
iL (RL + Rc ) = Vk V
da cui:
iL =

Vk V
RL + Rc

Da questa segue:
VL = RL iL =

RL
(Vk V ) = Vim V
RL + Rc

e quindi:
Vim = V +

RL
(Vk V )
RL + Rc

Se ad esempio `e:
RL = 10 k ;

Rc = 5 k ;

Vk = 5 V

avremo:
Vim = 0.6 +

10
(5 0.6) = 3.5 V
15

5.9 Il transistor bipolare

5.9
5.9.1

123

Il transistor bipolare
Introduzione

Abbiamo gi`a accennato, nellintroduzione a questo capitolo, allidea coltivata attorno


al 1945 da numerosi ricercatori, di realizzare un amplicatore a stato solido che
funzionasse in modo analogo ad una valvola termoionica (triodo o simile). Lidea
era cio`e quella di controllare la corrente in un diodo al silicio, inserendo nella zona
di separazione tra la parte p e quella n, lanalogo di una griglia. Nel transistor
bipolare a giunzione, quale oggi lo conosciamo, si controlla la corrente che uisce tra
due zone di ugual drogaggio, mediante una corrente immessa in una sottile zona,
di drogaggio opposto, realizzata tra le prime due. Ci`o `e schematicamente mostrato
in gura 5.34, dove le due zone che rispettivamente emettono e ricevono la corrente
controllata dalla corrente Ig , sono di tipo n, mentre la zona che le separa, che svolge
il ruolo della griglia in un tubo a vuoto, `e di tipo p.
E

I'

Ig

Figura 5.34: Struttura schematica di un transistor bipolare a giunzione. Sono indicate le zone
occupate dallemettitore (E), base (B) e collettore (C)
Un transistor bipolare `e quindi un dispositivo che controlla una corrente mediante
unaltra corrente (molto piccola). Ci`o lo dierenzia da un triodo, in cui `e una
tensione (la tensione di griglia) a controllare la corrente che passa nel tubo.
Un transistor di questo tipo `e detto npn. Esistono anche transistor pnp in
cui le polarit`a sono invertite. I simboli adoperati per i due tipi di transistor sono
mostrati in gura 5.35.
npn
C

pnp
IC

IC

IE

B
IB
E

IE

IB

Figura 5.35: Simboli adoperati per i transistor bipolari a giunzione. A sinistra: transistor npn;
a destra: transistor pnp

I terminali che rispettivamente emettono e raccolgono le cariche il cui usso


costituisce la corrente nel transistor sono detti rispettivamente di emettitore e

124

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

di collettore. Il terminale collegato alla zona intermedia `e quello di base. In


un transistor npn la corrente `e dovuta (principalmente) ad elettroni emessi dallemettitore e raccolti poi dal collettore. In un transistor pnp la corrente `e dovuta
(principalmente) a lacune emesse dallemettitore e raccolte poi dal collettore. Tale
corrente `e controllata dalla corrente immessa nella base. Il verso della corrente convenzionale (cio`e di cariche positive) `e, in entrambi i tipi di transistor, indicato dal
verso della freccia nella gamba di emettitore.
` possibile, con una semplice esperienza, mettere in evidenza lelevato guadagno
E
in corrente di un transistor. Il circuito, consistente in un transistor (meglio se ad
alto guadagno), una batteria da 9 V, una resistenza da 100 ed un LED, `e mostrato
in gura 5.36.
LED

P
C
B
E

Figura 5.36: Schema di un semplice esperimento illustrativo del funzionamento di un transistor


bipolare a giunzione

Nella congurazione di gura, con il terminale di base non collegato, il LED


rimane spento essendo nulla la corrente nel transistor. Se ora stringiamo tra due
dita di una mano il terminale di base e tra due dita dellaltra mano il positivo
della batteria (punto P) il LED si accender`a. Ci`o dimostra che `e suciente la
piccolissima corrente (pochi A) che, attraverso il nostro corpo, uisce tra il positivo
della batteria, la giunzione base-emettitore e massa, per far passare nel transistor
una corrente (qualche mA) abbastanza elevata da far accendere il LED.

5.9.2

Struttura interna e funzionamento in zona attiva

La struttura interna del transistor bipolare `e mostrata in gura 5.37, relativa ad una
transistor npn.
Come si vede, abbiamo due diodi contrapposti: quello emettitore-base e quello
base-collettore. Allequilibrio la distribuzione delle cariche, del campo elettrico e del
potenziale sono quelle mostrate nelle gure 5.38,5.39, 5.40.
Ammettiamo ora che la giunzione (diodo) emettitore-base sia polarizzata in modo
diretto e quella collettore-base in modo inverso, come mostrato in gura 5.41.
Il corrispondente andamento del potenziale `e quello di gura 5.42.
Attraverso la prima delle giunzioni suddette, elettroni passeranno per diusione
dallemettitore nella base e lacune dalla base nellemettitore. Il transistor `e per`o
costruito in modo che la concentrazione di lacune nella base sia molto pi`
u piccola

5.9 Il transistor bipolare

125
E

B
+
+
+
+
+
+
+

-p
-

C
-

+
+
+
+
+
+
+

Figura 5.37: Struttura schematica del transistor bipolare a giunzione (di tipo npn)

Figura 5.38: Distribuzione della carica in un transistor bipolare a giunzione non polarizzato

dellanaloga concentrazione di elettroni nellemettitore. Ne segue che la corrente


che attraversa il diodo emettitore-base `e dovuta quasi esclusivamente ad elettroni
che dallemettitore passano nella base. Un ulteriore caratteristica del transistor `e
costituita dal fatto che lo spessore della base `e molto stretto. Ne segue che un
elettrone che dallemettitore passa nella base, ha una probabilit`a molto piccola di
esser catturato da una lacuna presente in tale zona. Indicheremo con (1 ) (con
vicino ad 1) la probabilit`a che ci`o avvenga.
Un elettrone che non venga catturato, attraversa il piccolo spessore della base e,
giunto in corrispondenza della giunzione base-collettore (polarizzata inversamente)
`e rapidamente accelerato verso il circuito di collettore. La probabilit`a che ci`o accada
`e . Il parametro `e una caratteristica del dato transistor ed `e in genere compreso
tra 0.9 e 0.99.
Se un elettrone `e catturato da una lacuna in base, si avr`a una diminuzione
della carica in tale regione (scomparsa di una lacuna). La batteria provvede per`o
a ripristinare tale carica immettendo una corrente nella base. Chiameremo IB tale
corrente di base. Poiche il numero di lacune che, in un dato tempo, catturano

126

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Figura 5.39: Andamento del campo elettrico in un transistor bipolare a giunzione non
polarizzato

Figura 5.40: Andamento del potenziale in un transistor bipolare a giunzione non polarizzato

5.9 Il transistor bipolare

127
VBE

(n)

VCE

IE

(p)

(n)

IC

C
IB

Figura 5.41: Schema base di un transistor bipolare a giunzione npn polarizzato in zona attiva.
Sono indicate, oltre alle batterie che forniscono la polarizzazione, le correnti di collettore (IC ) di
base (IB ) e di emettitore (IE ), con i loro versi reali.

Figura 5.42: Andamento del potenziale in un transistor bipolare a giunzione npn polarizzato
in zona attiva.

elettroni `e proporzionale ad 1 , avremo:


IB (1 ) IE
Analogamente, la corrente che uisce tra collettore e base, proporzionale al numero di elettroni che, immessi dallemettitore nella base, riescono a passare nel
circuito di collettore, sar`a proporzionale ad :
IC IE
Occorre tener presente che alla corrente di collettore contribuisce anche quella
dovuta ai portatori minoritari (lacune) presenti nel collettore. Questi infatti sono

128

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

accelerati verso la base dal campo esistente in corrispondenza della giunzione basecollettore (polarizzata inversamente). Tale corrente `e la corrente inversa nel diodo
base-collettore: I0 .
In denitiva, la corrente di collettore `e data da:
IC = IC + I0 = I0 + IE
Con la convenzione per i segni delle correnti mostrata in gura 5.43, avremo
allora:
IC
IC

IB

IB

VCE

VCE

VBE

VBE

IE

(a)

IE

(b)

Figura 5.43: Schemi di polarizzazione per un transistor bipolare a giunzione che lavori in zona
attiva. VBE `e la dierenza di potenziale tra base ed emettitore; VCE `e la dierenza di potenziale
tra collettore ed emettitore

IB + IC = IE
Dalle due ultime equazioni si ottiene poi:
IC = I0 + IE = I0 + IB + IC
da cui:

1
IB +
I0
(5.33)
1
1
Il parametro /(1 ) `e noto come il del transistor. Esso varia tra qualche
decina e qualche centinaio. La precedente equazione pu`o quindi essere scritta nella
forma:
IC =

1
I0
(5.34)
1
In genere I0 `e molto piccolo e pu`o esser trascurato. Tuttavia v`a ricordato che
esso `e moltiplicato per il fattore 1/(1 ) che, al pari di , varia tra qualche decina
e qualche centinaio. Inoltre I0 aumenta molto allaumentare della temperatura.
Esistono quindi delle circostanze in cui, per ottenere risultati precisi, occorre tener
conto di tale termine.
IC = IB +

5.9 Il transistor bipolare

129

Nel seguito useremo lequazione nella forma:


IC = IB

(5.35)

Questa ci dice che la corrente di collettore, se il transistor `e polarizzato come


detto sopra (transistor in zona attiva) `e una funzione lineare della corrente di base.
La corrente di emettitore dierisce di poco da quella di collettore:
IE = IC + IB = IC +

IC
 IC

Essendo 1.
Notiamo che:
pu`o variare molto tra un transistor e laltro, anche se i due transistor sono
nominalmente uguali;
varia al variare del punto di lavoro, cio`e delle tensioni applicate al transistor;
varia al variare della temperatura.
Se una corrente variabile `e inviata in base si avr`a una corrispondente variazione
della corrente di collettore:
IC = IB + IB

IB
IB

In genere il termine /IB `e piccolo, per cui, con la notazione adottata per le
grandezze variabili, avremo:
ic = ib

(5.36)

A rigore, se il termine /IB non pu`o esser trascurato, occorre distinguere tra
il che compare nella (5.35), che `e il fattore moltiplicativo tra corrente di base e
di collettore e quello che gura nella (5.36). Per motivi che vedremo in seguito,
il parametro che compare nella (5.35) `e indicato con il simbolo: hF E . Il che
compare nella (5.36), riferito a grandezze variabili, `e quindi indicato con pedici
minuscoli: hf e . Faremo spesso lapprossimazione:
hF E hf e

5.9.3

Caratteristiche duscita del transistor

La relazione tra corrente di emettitore e dierenza di potenziale VBE applicata tra


emettitore e base, `e essenzialmente data dalla caratteristica del diodo: la corrente di
emettitore aumenta molto rapidamente allaumentare di VBE (con VB > VE per un
transistor npn polarizzato in zona attiva), in modo tale che VBE si stabilizzi attorno
a 0.7 Volt.
Di maggior interesse sono le cosiddette caratteristiche duscita, cio`e le curve che
descrivono la dipendenza della corrente di collettore dalla dierenza di potenziale

130

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

VCE tra collettore ed emettitore. La curva che descrive tale dipendenza per un dato
transistor, dipende dal valore della corrente di base. Curve tipiche sono mostrate
in gura 5.44. Le curve corrispondono a valori diversi della corrente di base IB ,
crescente via che ci si sposta verso lalto.
Zona attiva
IC (m A)

Saturazione

160.

120.

80.

40.
Interdizione

0.00

1.00

2.00

3.00

4.00

5.00

V C E (V )

Figura 5.44: Caratteristiche duscita del transistor npn discusso nel testo. E` riportata IC in
funzione di VCE per diversi valori della corrente di base IB . Questi sono crescenti dal basso verso
lalto

In questa gura dobbiamo distinguere tre regioni:


(a) La zona attiva, cio`e quella in cui le caratteristiche sono allincirca delle rette
orizzontali (in realt`a, come si vede e come discuteremo pi`
u avanti, con una
piccola pendenza). In questa zona abbiamo una approssimata proporzionalit`a
tra corrente di base e corrente di collettore, come descritto dalla (5.35). Essa
`e in genere scelta quando si voglia adoperare il transistor come amplicatore.
(b) La zona di interdizione, cio`e quella in basso nel graco, dove IC = 0. Il
transistor sar`a in questa zona se VBE V , con che il diodo emettitore base
`e interdetto.
` bene precisare che ci`o `e vero no a che la giunzione base-collettore continua
E
ad esser polarizzata inversamente. Se cos` non fosse, se cio`e la giunzione basecollettore fosse polarizzata direttamente e quella emettitore-base inversamente,
verrebbero semplicemente ad essere scambiati, rispetto al funzionamento in
zona attiva, i ruoli di emettitore e collettore. Si dice che allora il transistor
funziona in zona attiva inversa. In tali condizioni vale una relazione simile

5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor

131

alla (5.35), dove per`o adesso la corrente IC v`a sostituita da IE :


IE = R IB
dove R ( reverse) `e, per costruzione, molto minore del che abbiamo
nora incontrato (che viene spesso chiamato F = forward).
(c) La zona a sinistra nel graco, dove la relazione di linearit`
a viene meno, `e la
zona di saturazione. Questa `e caratterizzata, come si vede dal graco, da
valori di IC molto pi`
u piccoli di quelli che si hanno, per la data corrente di
base, nella zona lineare. Cio`e in tale zona `e :
IC IB

(5.37)

Quando il transistor opera in saturazione, la dierenza di potenziale VCE `e


molto piccola ( 0.2 V ). Inoltre, come si vede dalle caratteristiche, in tale
zona la corrente di collettore non dipende pi`
u dalla corrente di base. Si entra
in tale zona se sia la giunzione base-emettitore che quella base-collettore sono
polarizzate direttamente. La corrente di collettore in tale zona `e dovuta alle
cariche minoritarie (lacune) presenti nel collettore, che passano in base.

5.10

Nomenclatura adoperata per diodi e transistor

I simboli adoperati per indicare i diversi tipi di diodi e transistor, seguono tre diverse convenzioni, note rispettivamente con i nomi di Pro-Electron, JEDEC (Joint
Electron Device Engineering Council) e JIS (Japanese Industrial Standard). Il primo di questi `e lo Standard Europeo, il secondo quello Americano, lultimo quello
Giapponese. Il signicato dei simboli adoperati nei diversi sistemi `e riassunto nella
tabella di gura 5.45 (Pro-Electron), 5.46 (JEDEC) e 5.47 (JIS).
V`a detto per completezza che alcuni produttori adottano dei sistemi che non
rispettano alcuno di questi Standard. Ad esempio:
MJ = Motorola, transistor di potenza, custodia metallica;
MJE = Motorola, transistor di potenza, custodia in plastica;
MPS = Motorola, transistor di bassa potenza, custodia in plastica;
TIP = Texas Instruments, transistor di bassa potenza, custodia in plastica;
...........................
Nei cataloghi forniti dai produttori compaiono un gran numero di parametri che
caratterizzano un transistor. Nella tabella (5.2) elenchiamo i principali di questi
parametri, con una breve spiegazione del loro signicato.

132

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

VCEM ax
IC Max
hF E ()
PT otM ax
VCESat

Massima dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore


Massima corrente di collettore
Guadagno in corrente (in DC)
Massima potenza che il transistor pu`o dissipare (data da VCE IC
Dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore
quando il transistor `e in saturazione
Tabella 5.2:

Transistor and Diode Data


Part Numbers on Transistor & Diodes typically follow one of 3 conventions Pro-Electron, J
described below.

Pro-Electron
Form: two letters, [ optional letter], serial number,
Example: BC108A, BAW68, BF239

Serial number
Optional
1st Letter - specifies the
2nd Letter - specifies the type
of
semiconductor material device
3rd Letter
A
B
C
R

Germanium
Silicon
Gallium Arsenide
Compound Materials

The third The characters following


A Diode, low power or signal
letter
the first two letters form
B Diode, variable capacitance
indicates
serial number for the devi
C Transistor, audio frequency
low
that the
type. Those intended for
power
device is domestic use have a
D Transistor, audio frequency
intended forthree-figure number (100
power
industrial or
999), those intended for
E Diode, tunnel
commercial use normally
F Transistor, high frequency
professional
low
power
rather than have one letter and two
commercial figures (W10 Z99)
G Miscellaneous devices
applications.
H Diode, sensitive to magnetism
It is usually
L Transistor, high frequency
a W,X,Y or
power
Z.
N Photocoupler
P Light detector
Q Light emitter
R Switching device, low power
e.g. thyristor, diac, unijunction etc
S Transistor, low power switching
T Switching device power, e.g.
thyristor, triac, etc.
U Transistor, switching power
W Surface acoustic wave device
X Diode, multiplier, e.g. varactor
Y Diode, rectifying
Z Diode, voltage reference

Figura 5.45: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard P ro Electron

5.10 Nomenclatura adoperata per diodi e transistor

JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)


Form: digit, letter, serial number, [suffix]
Example: 2N2222A, 2N904
1st Number designates the type of
2nd
device
Number

The following figures denote the


Suffix Optional
device serial number

1 Diodes
2 Bipolar transistors
3 FET devices
4/5 OptoCoupler

Serial number of component A = low gain


B = medium
gai
yields no indication of function
or
C = high gain
spec.

Figura 5.46: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard JEDEC

Japanese Industrial Standard (JIS)


Form: digit, two letters, serial number, [suffix]
Example: 2SA1187, 2SB646
1st Number designates the
type of device

1 Diodes
2 Bipolar transistors
3 FET devices

2 Letters

SA:
SB:
SC:
SD:
SE:
SF:
SG:
SH:
SJ:
SK:
SM:
SQ:
SR:
SS:
ST:
SZ:

The
following
figures
denote the Suffix Optional
device
serial
number

Suffix indicates that


PNP HF transistor
Serial
PNP AF transistor
number of the type is approved fo
NPN HF transistor
component use by various
Japanese organisations
NPN AF transistor
Diodes
yields no
Thyristors
indication
Gunn devices
of function
UJT
or spec.
P-channel FET/MOSFET Since this
N-channel FET/MOSFET is a serial
Triac
number
LED
may
Rectifier
provide
Signal diodes
insight into
Avalanche diodes SV: Varicaps
date.
Zener diodes

Manufacturer Specific
Apart from JEDEC, JIS and Pro-electron, manufacturers often introduce their
own types, for commercial reasons (ie to get their name into the code) or to
emphasise that the range belongs to a specialist application.
Common brand specific prefixes are:
MJ: Motorolla power, metal case
MJE: Motorolla power, plastic case
MPS: Motorolla low power, plastic case
MRF: Motorolla HF, VHF and microwave transistor
RCA: RCA
RCS: RCS
TIP: Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL: TI planar power transistor
TIS: TI small signal transistor (plastic case)
ZT: Ferranti
ZTX: Ferranti
Examples-

ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Figura 5.47: Caratteristiche dei transistor, secondo lo standard JIS

133

134

Capitolo 5. Semiconduttori: Diodi e Transistor

Capitolo 6

Transistor bipolari
6.1

Caratteristiche del transistor bipolare

Il transistor bipolare, quando usato nella zona attiva (cio`e con VBE > V , VC > VB )
si comporta come amplicatore di corrente. Una piccola corrente iniettata in base
controlla una corrente molto maggiore che (in un transistor npn) attraversa il transistor nel verso collettore-base-emettitore, come mostrato in gura 6.1 (relativa alla
congurazione nota come emettitore comune o CE, in cui lemettitore `e comune
alla maglia dingresso ed a quella duscita).

IC
IC

IB

IB

VCE

VCE

VBE
IE

VBE

(a)

IE

(b)

Figura 6.1: Transistor polarizzato nella congurazione emettitore-comune.


La batteria indicata con VCE fa si che il collettore sia polarizzato positivamente
rispetto allemettitore pi`
u di quanto la base sia polarizzata rispetto al medesimo
emettitore. Ci`o assicura che VCB sia positivo.
Notiamo che il diodo emettitore-base, polarizzato direttamente, stabilir`a una
dierenza di potenziale VBE allincirca uguale a 0.7 V (cio`e al V del diodo) indipendentemente dalla corrente IB che entra in base1 . Questultima potr`a variare, con
una conseguente variazione di IC , mentre VBE rimarr`a praticamente costante.
1

In realt`
a, in presenza di segnale in base, VBE varia attorno al valore 0.6 0.7 V , come evidente

135

136

Capitolo 6. Transistor bipolari

A rigore quindi quello che abbiamo indicato con VBE non potr`a essere un generatore (ideale) di tensione, poich`e in tal caso VBE potrebbe esser maggiore di V , ma
al generatore VBE dovr`a essere associata una resistenza.
Una congurazione pi`
u realistica (ma poco adoperata, come vedremo pi`
u avanti)
`e quella di gura 6.2:

IC

Rc

IB
VCE

Rb
VB

IE

Figura 6.2: Transistor polarizzato in modo da lavorare come amplicatore, nella congurazione
emettitore-comune. Sono presenti la resistenza di collettore RC e quella di base RB . Questultima
fa s` che la corrente di base rimanga approssimativamente costante.

In questa congurazione avremo:


VBE = VB Rb IB
dove VBE 0.6 0.7 V . Se ad esempio ssiamo VB = 2 V , Rb = 28 k, avremo:
IB =

2 0.6
mA = 0.05 mA
28

Se ora il transistor avesse un guadagno in corrente hF E = = 100, la corrente


di collettore IC sarebbe uguale a 5 mA e quella di emettitore:
IE = IC + IB = 5.05 mA
Ammettendo che sia VCE = 10 V ed Rc = 1 k, la tensione sul collettore sar`a:
VO = 10 5 = 5 V
Se ora aggiungessimo in serie a VB una tensione variabile (ad esempio sinusoidale), piccola rispetto a VB , ad esempio una tensione avente unampiezza di 0.5 V,
IB varier`a tra:
2.5 0.6
mA = 0.068 mA
(IB )max =
28
e
1.5 0.6
(IB )min =
mA = 0.032 mA
28
proprio tale piccola variazione di VBE a causare la variazione di
dalle caratteristiche del diodo. E
corrente nel transistor.

6.1 Caratteristiche del transistor bipolare

137

con conseguenti variazioni di IC comprese tra:


(IC )max = 6.8 mA
e:
(IC )min = 3.2 mA
e di VO comprese tra:
(VO )max = (10 3.2) V = 6.8 V
e:
(VO )min = (10 6.8) V = 3.2 V
La variazione del segnale di tensione in uscita `e:
VO = (VO )max (VO )min = 3.6 V
mentre quella del segnale di tensione in ingresso `e:
Vi = 0.5 (0.5) V = 1 V
ed il guadagno in tensione:
GV =

VO
= 3.6
Vi

Dobbiamo osservare che quando il segnale applicato in ingresso aumenta, la tensione in uscita diminuisce (e viceversa). Abbiamo cio`e a che fare con un amplicatore
invertente. Il valore ottenuto (3.6) `e quindi il modulo di GV , che `e negativo.
Notiamo che il numeratore nellespressione del guadagno dipende dal valore scelto
per Rc . Se Rc fosse 1.4 k anzich`e 1 K, avremmo infatti:
(VO )max = (10 3.2 1.4) V = 5.52 V
e:
(VO )min = (10 6.8 1.4) V = 0.48 V
per cui:
GV =

VO
= 5.04
Vi

Osserviamo che, se cercassimo di aumentare ulteriormente il guadagno scegliendo un valore di Rc ancora pi`
u alto, la tensione sul collettore scenderebbe a valori
prossimi a zero o negativi. In tali condizioni il transistor non sarebbe pi`
u polarizzato
in zona attiva.
Prendiamo ad esempio Rc = 2.2 k. In assenza di segnale avremo IC = 5 mA e
quindi:
VC = 10 5 2.2 = (10 11) V = 1 V
In tali condizioni, la giunzione base-collettore viene ad essere polarizzata con una
tensione VB VC = VB VE + VE VC = 0.6 + 1 = 1.6 V . Vediamo che ora sia

138

Capitolo 6. Transistor bipolari

Zona attiva
IC (m A )

Saturazione

160.

120.

80.

40.
Interdizione

0.00

1.00

2.00

3.00

4.00

5.00

V C E (V )

Figura 6.3: Caratteristiche di uscita del transistor bipolare.

Sono indicate la zona di

saturazione, quella di interdizione e quella attiva

la giunzione base-emettitore che quella base-collettore vengono ad essere polarizzate


direttamente. Il transistor in tale condizione `e in saturazione.
Poich`e entrambi i diodi si assesteranno con tensioni di circa V , avremo VC VE
0V.
La zona di saturazione `e caratterizzata, come `e possibile vedere sulle caratteristiche del transistor (gura 6.3), da valori di IB maggiori di quelli che, a parit`a di
IC , competono al medesimo transistor quando esso lavora in zona attiva.
Da un punto di vista pratico, un transistor pu`o esser considerato in saturazione
se `e:
IC
IB

Se la giunzione base-emettitore `e polarizzata inversamente (cio`e se VBE < V ),


il transistor `e interdetto. Elettroni non uiscono pi`
u dallemettitore nella base
e di conseguenza la corrente nel transistor scende a valori prossimi a zero. In tali
condizioni, se la congurazione `e quella CE, tutta la tensione applicata al collettore `e
presente in uscita. Al contrario, come visto, se il transistor `e in saturazione, VCE 0
(in realt`a VCE 0.2 V ) e quindi VO
= (0 0.2)V .
Nei circuiti digitali il transistor viene spesso fatto lavorare nei due stati dinterdizione (VO VCC ) e di saturazione (VO 0 V ) che vengono associati rispettivamente allo stato logico 1 ed allo stato logico 0.
La gura 6.4 mostra un tipico schema in cui il transistor `e adoperato come
amplicatore. Esso lavora quindi nella zona lineare delle caratteristiche.
La parte superiore della gura 6.5 mostra il segnale applicato in ingresso insieme
al segnale misurato ai capi di RL (uscita). La frequenza del segnale sinusoidale

6.1 Caratteristiche del transistor bipolare

139

applicato `e 5 kHz e lampiezza 1 V . Come si vede, il segnale in uscita `e invertito


rispetto a quello in ingresso ed ha unampiezza di circa 3.5 V. Il graco inferiore
nella gura mostra landamento della tensione misurata tra base ed emettitore.
12
V
3.8k Rc
50k R1
C2
C1

50mF

50mF
10k R2
Vin

100k

5kHz/1V
1k

RL

Re

Figura 6.4: Amplicatore a transistor bipolare nella congurazione emettitore-comune. Le


resistenze R1 ed R2 mantengono costante la tensione di base
Riassumendo quanto visto in questa sezione, un transistor pu`o esser adoperato
come elemento di un circuito logico, nel qual caso esso vien fatto lavorare nello stato
di saturazione (dierenza di potenziale tra collettore ed emettitore nulla) o dinterdizione (corrente di collettore nulla). Nel primo caso, mostrato in gura 6.6(a), la
tensione di collettore verr`a ad essere uguale a circa (0.1 0.2 V ) ed il relativo stato
corrisponder`a al livello logico basso. Nel secondo caso, illustrato in gura 6.6(b),
la tensione di collettore verr`a ad essere uguale a quella di alimentazione ed il relativo
stato corrisponder`a al livello logico alto.
Alternativamente, il transistor pu`o esser adoperato come amplicatore. In tal
caso esistono tre diverse possibilit`a, che pi`
u avanti analizzeremo in dettaglio:
1. Nella congurazione emettitore comune o CE, mostrata nella parte in alto
a sinistra di gura 6.7, il transistor funziona da amplicatore (invertente) di
tensione, con un buon guadagno anche in corrente.
2. Nella congurazione base comune o CB, mostrata nella medesima gura, il
transistor funziona da amplicatore (non invertente) di tensione, con un basso
guadagno in corrente
3. Nella congurazione collettore comune o CC, anche nota come inseguitore
di emettitore (EF), in basso nella gura, il transistor ha un elevato guadagno
in corrente, ma nessun guadagno in tensione.
Luso del transistor come amplicatore sar`a discusso nel capitolo 8. Quello come
elemento di circuiti logici nel capitolo 11. Nel resto di questo capitolo analizzeremo

140

Capitolo 6. Transistor bipolari

6.0

(V)
4.0

2.0

0.0

-2.0

-4.0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

3.0

4.0

5.0

t (ms)

700.0

VBE (mV)
680.0

660.0

640.0

620.0

600.0

0.0

1.0

2.0

t (ms)

Figura 6.5: Nel graco superiore la sinusoide tratteggiata mostra il segnale sinusoidale (ampiezza circa 1 V) applicato allingresso del transistor di gura 6.4.La sinusoide a tratto solido `e il segnale
ai capi di RL . Il graco inferiore mostra landamento della tensione misurata tra base ed emettitore

i metodi comunemente adoperati per ssare il punto di lavoro del transistor, una
volta scelta la congurazione, nonche i circuiti equivalenti adoperati per calcolare
la risposta di un amplicatore a transistor a segnali variabili di piccola ampiezza.
Discuteremo anche alcuni particolari tipi di transistor e di combinazioni di transistor.

6.2

Il transistor in zona attiva

Come visto, in zona attiva la corrente di collettore `e, in prima approssimazione,


legata alla corrente di base da una relazione lineare:
ic = ib
dove = hf e hF E , `e il guadagno in corrente per piccoli segnali.
Adoperiamo le seguenti convenzioni:
ib = componente variabile della corrente di base;

(6.1)

6.2 Il transistor in zona attiva

141

Vcc

Vcc

R
Vout=0.2 V

IB

Vout=Vcc

Q
Transistor
in
saturazione

Transistor
in
interdizione

VBE<V

(a)

(b)

Figura 6.6: Il transistor bipolare come elemento di circuito logico. A sinistra vediamo il transistor in saturazione (uscita bassa=stato logico 0) ; a destra il medesimo transistor `e in interdizione
(uscita alta=stato logico 1)

Vcc

Vcc

Rc

Rb

Rc
Vout
Vout

Vin

Re

Vin

Rb1
Rb2

(CE)
Vcc

(CB)

Rb
Vout
Vin

Re

(CC)

Figura 6.7: La congurazione in alto a sinistra mostra una tipica congurazione in cui il
transistor bipolare `e adoperato nella congurazione emettitore-comune. Quella in alto a destra
`e la congurazione base-comune. La congurazione in basso `e quella collettore-comune o anche
inseguitore di emettitore

IB = componente continua (quiescente) della corrente di base;


iB = corrente di base totale iB = IB + ib .
con analoghi simboli per le correnti di collettore e di emettitore.
Analogamente per le tensioni:
vce = componente variabile della tensione collettore-emettitore;

142

Capitolo 6. Transistor bipolari


VCE = componente continua della tensione collettore-emettitore;
vCE = tensione totale: vCE = VCE + vce .

Un circuito equivalente che descrive la relazione lineare 6.1 `e quello indicato


in gura 6.8, relativo alla congurazione CE.
ib

ic

C
ib

Figura 6.8: Circuito equivalente semplicato per il transistor bipolare che lavora in zona attiva.
ib `e un generatore dipendente di corrente

Nel circuito di gura sono indicati i terminali esterni di collettore, emettitore


e base ed `e presente nella maglia duscita un generatore ideale di corrente ib (un
generatore dipendente, in cui appunto la corrente di maglia `e funzione della corrente
presente nella maglia dingresso, ib ).
Il circuito equivalente disegnato `e troppo grossolano, poich`e esso non tiene conto
di alcune propriet`a siche del transistor. Vediamo di esaminarle.
La prima cosa di cui dobbiamo tener conto `e la resistenza associata al diodo
base- emettitore. Come sappiamo, un tale diodo ha una resistenza dierenziale
(denita come dv/di = re ) data da:
re =

VT
26
()

IE
IE (mA)

dove nel nostro caso IE `e la corrente di emettitore. Guardiamo ora dentro la


base e chiediamoci quale sia la resistenza vista. In altre parole, immaginiamo che
una variazione di potenziale VB sia applicata alla base e misuriamo la conseguente
variazione IB della corrente. La resistenza vista guardando nella base `e:
rb e =

vB
vB iE vB
=

=
iB
iE iB
iE

Ma ora vediamo che vB


= vBE , per cui:
rb e =

vBE
VT
= re =
iE
IE

Questa `e quindi la resistenza vista guardando nella base.


In realt`a, a questo termine, associato alla resistenza del diodo base-emettitore, c`e
da aggiungere un ulteriore termine, indipendente da IE e da , dovuto alla resistenza
intrinseca della base. Questo termine, noto come la base spreading resistance ed
indicato con rbb , vale mediamente 100 . In denitiva quindi, la resistenza vista

6.2 Il transistor in zona attiva

143

guardando nella base `e pari alla somma dei due termini: rb e +rbb . Per una corrente
IE tipica di 1 mA ed un di 100, vediamo che
rb e 100 25/1 = 2500
cio`e `e molto maggiore di rbb .
Il circuito equivalente disegnato in precedenza pu`o, tenendo conto della resistenza
di base, esser ora modicato come mostrato in gura 6.9, dove abbiamo introdotto
un parametro hie = rb e + rbb .
ib

ic

C
hie

hfeib

hie=rb'e+rbb'

Figura 6.9: Circuito equivalente a parametri h del transistor adoperato in zona attiva, nella
congurazione emettitore-comune
Il range di valori che hie ed hf e assumono per un dato transistor `e normalmente
fornito dai costruttori.

6.2.1

Leetto Early

Un ulteriore aspetto sico nel funzionamento del transistor deve a questo punto esser
preso in considerazione. Sappiamo che, in un transistor npn che lavora in zona attiva,
una frazione degli elettroni che dallemettitore entrano in base (con giunzione baseemettitore polarizzata direttamente) passa nel collettore (la giunzione base-collettore
`e polarizzata inversamente). Una frazione (1 ) `e catturata dalle lacune presenti
in base e contribuisce alla corrente di base. Notiamo che, essendo il drogaggio della
base non elevato e la larghezza della base stretta, il parametro `e vicino ad 1. Il
del transistor, denito come: = /(1 ), sar`a quindi elevato. Se un qualche
meccanismo interviene a ridurre la larghezza eettiva della base, diminuir`a la
probabilit`a che un elettrone sia catturato nella base , diverr`a ancora pi`
u vicino ad
1 e aumenter`a ulteriormente. Ad esempio, se passa da 0.995 a 0.996, passer`a
da 199 a 249. Una variazione di una parte su mille in si traduce in una variazione
del 25% in !
Un meccanismo che causa simili variazioni `e presente nei transistor, per eetto
della polarizzazione inversa della giunzione base-collettore. Infatti, sappiamo che
leetto della polarizzazione inversa in un diodo `e quello di un allargamento della
zona di svuotamento in prossimit`a della giunzione. Nel nostro caso, allaumentare
della tensione di collettore, aumenta la polarizzazione inversa della giunzione basecollettore e ci`o causa un allargamento della zona di svuotamento nella base. Ci`o
diminuisce la larghezza eettiva della base e diminuisce quindi la probabilit`a che un
elettrone immesso in base dallemettitore sia catturato da una lacuna; in altre parole

144

Capitolo 6. Transistor bipolari

diminuisce la grandezza che abbiamo chiamato (1 ), ed aumenta e quindi .


In altri termini, il guadagno del transistor aumenta, con IB costante, allaumentare
di VCE . Ci`o fa si che le caratteristiche duscita non siano delle rette orizzontali, ma
inclinate, come mostrato in gura 6.10.
Il meccanismo che abbiamo appena illustrato va sotto il nome di eetto Early.
I prolungamenti della parte rettilinea delle caratteristiche incontrano lasse VCE in
corrispondenza di un valore VA della tensione VCE , chiamata tensione Early, come
si vede in gura. Questa vale qualche centinaio di Volt.
200.

IC (mA)
160.

120.

VA

80.

40.

VA
0.0
0.
-4.
-4.

-3.0

-2.0

-1.0

0.0

1.0

2.0

VCE (V)

Figura 6.10: Illustrazione delleetto Early: le caratteristiche di uscita del transistor convergono
verso un punto situato sullasse negativo VCE . Il valore VCE di tale punto `e la tensione Early VA
Da unanalisi accurata del processo si trova che tale eetto pu`
o esser descritto
sostituendo alla (6.1) la seguente equazione:
ic = ib +

1
vce
ro

Questa corrisponde a sostituire il generatore ideale di corrente nel circuito duscita, con un generatore in parallelo ad una resistenza ro . Ci`o `e mostrato in gura 6.11.
La resistenza ro ha valori molto grandi (centinaia di k). Spesso `e quotato il suo
inverso, hoe = 1/ro . Val la pena di menzionare che le sottoscritte e per i parametri
h stanno ad indicare che esse si riferiscono ala congurazione emettitore comune
(CE). La lettera h `e liniziale di hybrid e sta a ricordare il fatto che i parametri
hie , hoe , hf e sono ibridi, nel senso che hanno dimensioni siche diverse: hie `e una
resistenza, hoe una conduttanza, hf e `e adimensionale.
Leetto Early ha una seconda conseguenza, nora ignorata: allaumentare della
polarizzazione inversa base-collettore si ha una diminuzione della larghezza eettiva
della base W e quindi una diminuzione della corrente di ricombinazione in base. Ci`o
implica che, a parit`a di valori di VBE la corrente di base diminuisce allaumentare
di VCE (o, a parit`a di corrente di base, VBE aumenta). Vedi gura 6.12.

6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto)

145

ib

ic

C
hfeib

hie

ro

Figura 6.11: Modello a parametri h del transistor bipolare. Sono presenti i parametri hie ,
hoe =1/r0 ed hf e
1.0
1.

1V

IB (mA)

2V

VCE = 0V

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

500.

600.

700.

800.

VBE (mV)

Figura 6.12: Caratteristiche dingresso del transistor bipolare: corrente di base IB in funzione
di VBE , per valori diversi di VCE

Ci`o pu`o esser parametrizzato introducendo, un ulteriore parametro: un generatore di tensione nella maglia dingresso, che genera una tensione vb = hre vce
dipendente dalla tensione duscita.
Il circuito completo diventa ora quello di gura 6.13:
Valori tipici dei parametri ibridi nella congurazione emettitore comune sono:
hie 1 k , hre 104 , hf e 100 , hoe 105 1

6.3

Il modello a -ibrido (Giacoletto)

Il modello che va sotto il nome di Giacoletto `e quello di gura 6.14. Questo non ha
il generatore di tensione gre vce , ma in esso leetto Early `e descritto dalla resistenza
rb c che unisce il nodo interno alla base B  con il collettore.
rbb `e la resistenza presente tra il terminale della base ed il contatto ohmico

146

Capitolo 6. Transistor bipolari

ib

ic

hie
hrevce

hfeib

vce

ro

Figura 6.13: Modello completo a parametri h ibridi del transistor bipolare


ib

ic

B' rb'c

rbb'

vb'e

rb'e

gmvb'e

rce

vce
-

Figura 6.14: Il modello di Giacoletto del transistor bipolare


interno alla base stessa; rb b `e la resistenza presente tra il contatto ohmico interno
alla base e lemettitore.
Valori tipici dei parametri, a temperatura ambiente sono, per una corrente
quiescente IC = 1.3 mA:
rbb = 100 , rb e = 2 k , rb c = 20 M , rce = 200 k
Si pu`o far vedere che la transconduttanza gm `e funzione solo di |IC |; a temperatura ambiente:
|IC |(mA)
|IC |(mA)
=
gm =
(mA/V )
VT
26
che, per IC = 1.3 mA vale 50 mA/V .
Facciamo vedere ora che tutte le componenti resistive in questo modello possono
essere ottenute dai parametri h nella congurazione CE.

6.3.1

Conduttanza dingresso

Questa `e gb e = 1/rb e . Dai valori numerici dati, si vede che rb c rb e . Quindi la
corrente di base ib uisce in rb e e:
vb e = ib rb e

6.3 Il modello a -ibrido (Giacoletto)

147

La corrente di collettore a circuito chiuso `e data da:


ic = gm vb e gm ib rb e = hf e ib
da cui:
rb e =

hf e
hf e
VT
=
gm
|IC |

o anche:
gb e =

gm
hf e

notiamo che, nel range di correnti in cui hf e rimane costante, rb e `e direttamente proporzionale alla temperatura ed inversamente proporzionale alla corrente
quiescente IC .

6.3.2

Conduttanza di feedback

Con linput a circuito aperto, hre `e denito come il guadagno inverso di tensione.
Ponendo ib = 0 nel circuito a parametri h:
hre =

vb e
rb e
=
vce
(rb e + rb c )

da cui:
rb e (1 hre ) = hre rb c
poich`e hre 1, con buona approssimazione si ha:
rb e = hre rb c
o:
gb c = hre gb e
poich`e hre 104 , si vede che: rb c rb e .

6.3.3

Base-Spreading resistance

La resistenza dingresso con loutput in corto-circuito `e hie . In queste condizioni rb e


`e in parallelo con rb c . Poich`e rb c rb e , ne segue che rb c rb e
= rb e , e quindi:
hie = rbb + rb e
rbb = hie rb e
facendo uso dellespressione ottenuta in precedenza per rb e , si ha che:
hie = rbb = hf e
poich`e di solito rb e rbb .

VT
VT
hf e
|IC |
|IC |

148

Capitolo 6. Transistor bipolari

6.3.4

Conduttanza duscita

Nel circuito a parametri h, la conduttanza duscita `e hoe con linput a circuito aperto.
Per ib = 0 avremo allora:
ic =

vce
vce
+
+ gm vb e
rce rb c + rb e

con ib = 0 abbiamo vb e = hre vce , e dallequazione appena scritta si ha:


hoe =

ic
1
1
=
+
+ gm hre
vce
rce rb c

dove si `e fatto uso del fatto che rb c rb e . Facendo ora uso del fatto che:
gm = hf e gb e
e che:
gb e =

gb c
hre

otteniamo:
hoe = gce + gb c + hf e gb e hre = gce + gb c +

hf e gb e gb c
gb e

cio`e:
gce = hoe (1 + hf e ) gb c
Ad alte frequenze, i parametri h debbono esser considerati funzioni complesse della frequenza. Quindi il modello a parametri h non `e utile ad analizzare amplicatori
di alta frequenza.
Si pu`o tener conto del comportamento di un transistor ad alte frequenze, nellambito del modello a parametri -ibrido, come segue: viene aggiunta tra E e B
la capacit`a di diusione dellemettitore, e tra C e B la capacit`a di transizione del
collettore.
A basse frequenze `e invece pi`
u conveniente usare il modello a parametri h.

6.4

La transconduttanza

Un modello che `e spesso adoperato, in alternativa a quello a parametri h e che, a


basse frequenze, `e equivalente a questo, `e quello che fa uso della transconduttanza
gm . Questa `e denita come:


iC
iC
gm =
=
vBE vCE VCEQ =cost.
vBE vce =0
dove vCE = costante implica che la parte variabile vce di vCE `e stata cortocircuitata (idealmente con un condensatore di grossa capacit`a). Da questa si ottiene:
iC = gm vBE .
Il modello che fa uso della transconduttanza `e simile a quello a -ibrido, con
leliminazione di rb c (legato alleetto Early). Il relativo diagramma `e mostrato in
gura 6.15, dove v = vBE .

6.4 La transconduttanza

ib

149

ic

rb

+
v

gmv

ro

Figura 6.15: Modello del transistor bipolare che fa uso della transconduttanza gm
poich`e `e: v = r ib avremo:
ic = gm v = gm r ib
per cui vediamo che gm r corrisponde ad hf e nel modello a parametri h.
gm pu`o esser calcolato a partire dalla corrente quiescente iC = ICQ . Infatti `e:
iC = iE
da cui:
iC
gm =
vBE
dove la derivata

iE
vBE


vce =0

iE
=
vBE


vce =0

non `e altro che la conduttanza dierenziale del diodo:


iE
IEQ IEQ
(1 )
= gD =
=
vBE
VT
26

per cui:
gm =

ICQ
IEQ
=
(1 )
26
26

Inoltre, la resistenza dingresso ri `e uguale a:


ri = rb + r = hie
Vediamo in denitiva che, tra i parametri gm , rb , ed r del presente modello e
quelli del modello a parametri h, esistono le relazioni:
hie = rb + r
hf e = gm r
hoe = 1/ro

150

Capitolo 6. Transistor bipolari

6.5

Le congurazioni base-comune e collettore comune

La congurazione che abbiamo n qui esaminato era quella in cui lemettitore era
comune al circuito dingresso ed a quello duscita (congurazione common-emitter o
CE). Il modello a parametri h in tale congurazione era caratterizzato dai parametri:
hie , hf e , hre , hoe
Le congurazioni base-comune (CB) e collettore comune (CC), schematicamente
indicate in gura 6.16 (a)-(b) (dove sono state omesse le resistenze di polarizzazione),
possono essere descritte facendo uso di un modello formalmente identico, con la sola
sostituzione dei parametri con la sottoscritta e, con altri parametri, aventi la
sottoscritta b (base comune o CB) o C (collettore comune o CC)

(a)

(b)

Out
In

In

Out

CC

CB
(a')

(b')

ie

ic

ib

ie

hib

hic
hrbvcb

hfbie

hob

vcb

ib

hrcvec

hfcib

hoc

ic

Figura 6.16: Congurazione base-comune (a) e collettore-comune (b) per lamplicatore a


transistor bipolare. In basso sono mostrati i relativi modelli a parametri h: (a) base-comune, (b)
collettore-comune

Esistono delle relazioni tra i parametri h nelle tre congurazioni. Cominciamo


con lesaminare la congurazione CB.
A tale scopo, scriviamo le relazioni tra correnti e tensioni nella congurazione
CE. Le convenzioni adoperate per i segni delle tensioni ed i versi delle correnti sono
quelle mostrate in gura 6.17
Le relazioni sono le seguenti:
ic = hf e ib + hoe vce
vbe = hie ib + hre vce

(6.2)
(6.3)

vec

6.5 Le congurazioni base-comune e collettore comune

151

+
ic

vcb
ib

+
vbe

ie

Figura 6.17: Convenzione adoperata nel testo per i segni di tensioni e correnti del transistor
Lanaloga relazione, nella congurazione base comune, con riferimento al circuito
equivalente mostrato in gura 6.16(a) `e data dalle equazioni:
ic = hf b ie + vcb hob
veb = hib ie + hrb vcb

(6.4)
(6.5)

ie = ic + ib
vce = vcb + vbe
vbe = veb

(6.6)
(6.7)
(6.8)

dove occorre notare che:

A partire da tali relazioni `e facile dimostrare le seguenti relazioni approssimate:


hie
1 + hf e
hf e
=
1 + hf e
hoe
=
1 + hf e

hib =
hf b
hob

hrb = hre +

(6.9)
(6.10)
(6.11)
hie hoe
1 + hf e

(6.12)

Per ottenere tali relazioni, sostituiamo nelle equazioni (6.2), (6.3) le (6.6), (6.7), (6.8):
ic = hf e ie hf e ic + vcb hoe veb hoe
vbe = veb = hie ie hie ic + hre vcb hre veb

152

Capitolo 6. Transistor bipolari

dalla seconda di queste equazioni segue:


veb =

hie
hie
hre
ie +
ic
vcb
1 hre
1 hre
1 hre

(6.13)

mentre la prima fornisce:


ic (1 + hf e ) = hf e ie + vcb hoe veb hoe

(6.14)

sostituendo in questa lespressione di veb data dalla (6.13) otteniamo:

ic =

hf e + hie hoe /(1 hre )


hoe
vcb
ie +
1 + hf e + hie hoe /(1 hre )
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe

(6.15)

e, sostituendo questa nella (6.13):

veb =

hie
hie hoe hre (1 + hf e )
ie +
vcb
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe

(6.16)

Confrontando le (6.15) e (6.16) con le (6.4), (6.5), otteniamo le relazioni che esprimono in modo esatto i parametri hib , hf b , hrb , hob :
hie
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe
hf e (1 hre ) + hie hoe
=
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe
hre (1 + hf e ) + hie hoe
=
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe
hoe
=
(1 + hf e )(1 hre ) + hie hoe

hib =

(6.17)

hf b

(6.18)

hrb
hob

(6.19)
(6.20)

Poich`e hre 1, queste sono, con ottima approssimazione:


hie
(1 + hf e ) + hie hoe
hf e + hie hoe
=
(1 + hf e ) + hie hoe
hre (1 + hf e )
hie hoe
=
+
(1 + hf e ) + hie hoe (1 + hf e ) + hie hoe
hoe
=
(1 + hf e ) + hie hoe

hib =

(6.21)

hf b

(6.22)

hrb
hob

(6.23)
(6.24)

poich`e inoltre tipicamente `e (1 + hf e ) hf e 100 mentre hie hoe


= 0.01, seguono
le relazioni approssimate (6.9) (6.12).
Passiamo ora ad esaminare la congurazione CC, per la quale, con le convenzioni
per le correnti e le dierenze di potenziale mostrate nelle gure 6.16(b) e 6.17,
lanalogo delle equazioni 6.2 e 6.3 sono:

6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor

ie = hf c ib hoc vec
vbc = hic ib + hrc vec

153

(6.25)
(6.26)

Per trovare le relazioni tra i parametri nelle congurazioni CC e CE, sostituiamo


nelle 6.2 e 6.3, le seguenti relazioni:
vce = vec
ie = ib + ic
Troviamo:
ie ib = hf e ib + hoe vce
vce vcb = hie ib + hre vce

(6.27)
(6.28)

ie = (hf e + 1) ib + hoe vce


vcb = hie ib + (hre 1) vce

(6.29)
(6.30)

ie = (hf e + 1) ib hoe vec


vbc = hie ib + (1 hre ) vec

(6.31)
(6.32)

cio`e:

da cui:

Confrontando queste con le equazioni 6.25 e 6.26 troviamo la corrispondenza


cercata:
hic
hf c
hrc
hoc

6.6

=
=
=
=

hie
(hf e + 1)
1 hre
hoe

(6.33)
(6.34)
(6.35)
(6.36)

Circuiti di polarizzazione del transistor

Dallesame delle caratteristiche duscita del transistor `e possibile, tenendo conto


della particolare applicazione voluta (amplicatore, adattatore dimpedenza etc.),
stabilire il punto di lavoro, cio`e i valori quiescenti di IC , IB e VCE nel caso si voglia
adottare una congurazione CE. Fissati tali valori, occorrer`a ssare un circuito di
polarizzazione, cio`e un insieme di tensioni e resistenze opportune, tali da stabilire,
in assenza di segnale applicato, tali condizioni quiescenti.
Consideriamo come esempio quello di gura 6.18 ed ammettiamo di voler ssare
IC , IB e VCE a determinati valori quiescenti, che chiameremo ICQ , IBQ e VCEQ .

154

Capitolo 6. Transistor bipolari

IC
IB

Rc

Rb
VCC
IE

Figura 6.18: Circuito di polarizzazione del transistor: corrente di base costante


Dallesame del circuito di base otteniamo:
VCC Rb IBQ = VBE
= 0.7 V
da cui:
Rb =

VCC VBE
IBQ

(6.37)

La scelta di VCC non `e del tutto libera, poich`e il circuito di collettore deve essere
scelto in modo tale che sia IC = ICQ ed inoltre Rc deve essere tale da fornire la retta
di carico voluta.
In eetti, dallanalisi del circuito di collettore otteniamo:
VCC Rc IC VCE = 0

(6.38)

che `e lequazione della retta di carico (vedi gura 6.19)


Lintercetta della retta di carico con lasse VCE `e pari a VCC , la pendenza `e
1/Rc .
Ovviamente, la retta dovr`a essere stata scelta in modo da passare per il punto
Q:
VCEQ = VCC Rc ICQ
In tal modo, ssati VCC ed Rc , Rb pu`o essere ottenuto dalla (6.37).
Il circuito illustrato come esempio non `e conveniente dal punto di vista pratico. Infatti in tale circuito il valore quiescente della corrente di base `e sso e ci`o
implica che la corrente di collettore IC = IB , dipenda dal del transistor. Poich`e
questo cambia molto tra un transistor ed un altro del medesimo tipo, il circuito di
polarizzazione scelto non `e molto conveniente. Potrebbe infatti accadere che, scelto
un punto di lavoro sulla base delle caratteristiche fornite dal costruttore, e ssata
quindi, con il circuito di polarizzazione in esame, una certa corrente di base IB , ad
essa corrisponda per il transistor che si sta realmente adoperando, un valore di IC
molto diverso dal valore di ICQ voluto.
Se il valore di ICQ sale, aumenta la caduta di potenziale ai capi di Rc e diminuisce
quindi la tensione sul collettore. Se laumento di ICQ `e grande, si potr`a arrivare ad
una situazione in cui il collettore `e positivo rispetto alla base: il transistor andr`a in
saturazione.

6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor

155

IC (mA)

VCC/Rc

200

150

ICQ

IB

100

50

-1/Rc

0.

0.0

1.0

VCEQ

2.0

3.0

4.0

5.0

Vce (V)

Figura 6.19: Transistor bipolare: caratteristiche duscita con sovrapposta la retta di carico. Q
indica il punto quiescente di lavoro

Conviene quindi, anzich`e mantenere IB sso, fare in modo che siano ssi IC e
VCE .
Un secondo motivo per cui non `e consigliabile tenere IB sso `e la dipendenza di
IC , a parit`a di IB , dalla temperatura.
In eetti, la corrente di collettore ha anche un termine proporzionale alla corrente
inversa di saturazione ICO :
IC = IB + ( + 1)ICO
ne segue:
dIC
= + 1 100
dICO
e, poich`e ICO raddoppia per ogni 10 o C di aumento della temperatura, avremo
tipicamente, per un tale aumento di temperatura:
IC = 2( + 1)ICO
dove ICO 10 nA a temperatura ambiente (per il silicio). Ne segue:
IC
= 200 10 106 mA = 2A
Anche se tale eetto `e piccolo, esso pu`o innescare un processo cumulativo: laumento di IC dar`a luogo ad un aumento di temperatura, che a sua volta far`a aumentare IC . Il processo `e noto come thermal runaway, ed esso pu`o portare alla
distruzione del transistor o comunque a farlo lavorare fuori dalla zona attiva.

156

Capitolo 6. Transistor bipolari

IC
R1

Rc

IB
VCC

B
R2

IE

Re

Figura 6.20: Amplicatore a transistor bipolare: circuito di polarizzazione a VB costante


Un circuito che ovvia a tali inconvenienti `e quello di gura 6.20.
In questo circuito, se aumenta IC , aumenta anche IE e ci`o causa una caduta
di potenziale ai capi di Re , cio`e una diminuzione di VBE . Tale diminuzione di
VBE causer`a una diminuzione della corrente di emettitore (e di base) e quindi una
diminuzione di IC . Questo `e un tipico esempio di reazione negativa.
Per analizzare tale circuito, sostituiamo la parte di esso situata a sinistra della
linea BN con il suo equivalente di Thevenin (vedi gura 6.21).

IC

Rc

Rth

VCC
IE

Vth

Re

Figura 6.21: Amplicatore a transistor bipolare: circuito equivalente di quello a VB costante


di gura 6.20

con:
Rth =

R2
R1 R2
, Vth = VCC
R1 + R2
R1 + R2

Applicando il teorema di Kircho per le maglie al circuito di base, otteniamo:


Vth = IB Rth + VBE + (IB + IC )Re
=

IE
Rth + VBE + IE Re
+1

da cui:
IE =

Vth VBE
Re + Rth /( + 1)

(6.39)

6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor

157

Per far si che IE non risenta di variazioni nel valore di n`e di cambiamenti di
temperatura, imponiamo i seguenti vincoli:
(a) Vth VBE
(b) Re Rth /( + 1)
la prima delle due condizioni fa si che piccole variazioni di VBE (attorno a 0.7 V)
siano trascurabili rispetto a Vth , che dominer`a nel numeratore dellespressione di IE .
Tuttavia, Vth non pu`o esser molto grande, poich`e aumentando Vth dovr`a aumentare
la tensione del collettore (per mantenere polarizzata inversamente la giunzione basecollettore) e ci`o, a parit`a di VCC , diminuir`a lescursione del segnale ai capi di Rc e
quindi il guadagno.
Un compromesso pu`o esser raggiunto scegliendo Vth
= 1/3VCC , VCB
= VCE
=

1/3VCC e IC Rc = 1/3VCC .
La condizione (b) fa si che IE sia indipendente da . Tale condizione pu`o esser
soddisfatta scegliendo Rth piccolo, cio`e prendendo due resistenze R1 ed R2 di piccolo
valore. Tuttavia anche questa scelta ha degli inconvenienti. Se R1 ed R2 sono piccole,
avremo una notevole energia dissipata in esse per eetto Joule. Inoltre, la resistenza
dingresso Rin del circuito `e il parallelo di quella del transistor e di Rth . Un piccolo
u gran parte dei
valore di Rth abbasser`a quindi Rin , e ci`o non `e desiderabile nella pi`
casi. Ancora una volta dobbiamo raggiungere un compromesso. Notiamo a questo
riguardo che la condizione (b) pu`o esser scritta:
( + 1)Re Rth
e che il termine a sinistra di questa equazione `e la resistenza dingresso del
transistor con la resistenza Re sullemettitore. Il circuito dingresso pu`o ora essere
ridisegnato come mostrato in gura 6.22.
VCC

R1

R2

Re(+1)

Figura 6.22: Circuito adoperato per il calcolo della tensione di base nella congurazione di
gura 6.21

Vediamo che, se Re ( + 1) `e grande, la tensione di base VB sar`a ssata dal


partitore R1 R2 . Quindi la condizione (b) equivale a richiedere un VB sso, e ci`o
suggerisce che la corrente nella serie delle due resistenze R1 R2 sia grande rispetto

158

Capitolo 6. Transistor bipolari

alla corrente che entra in base. Tipicamente, si sceglie R1 ed R2 in modo tale che la
corrente nella serie dei due sia nel range (0.1 IE IE ).
Vediamo ad esempio di calcolare i valori delle resistenze, se si ammette di adoperare una VCC = +12V ed IC = 1 mA. Si supponga = 100. Seguiamo la regola
stabilita in precedenza, cio`e ammettiamo che 1/3 del potenziale si ritrovi ai capi di
Rc , 1/3 sia Vth ed il rimanente 1/3 sia la dierenza di potenziale VCB ( VCE ).
Avremo quindi:
Vth = 4 V
VE = Vth VBE = 4 VBE 3.3 V
Il valore di RE sar`a allora dato da:
VE
= 3.3 k
IE
Avendo posto IE
= IC = 1 mA.
Fissiamo inoltre una corrente nel partitore (R1 R2 ) pari a 0.1 IE . Trascurando
la corrente di base avremo:
12
= 120 k
R1 + R2 =
0.1IE
ed:
R2
VCC = Vth = 4 V
R1 + R2
da cui otteniamo:
R1 = 80 k , R2 = 40 k
Inoltre la condizione che la caduta di tensione ai capi di Rc sia 1/3VCC ci d`a:
Rc 1 mA = 4 V Rc = 4 k
Possiamo ora ottenere una valutazione pi`
u prossima al vero del valore di IE ,
tenendo conto della corrente di base, che nora abbiamo trascurato. Dalla relazione (6.39) otteniamo:
3.3
4 0.7
=
= 0.926 mA
IE =
3.3 + Rth /101
3.3 + 26.7/101
al posto del precedente valore IE = 1 mA.
Un sistema alternativo per polarizzare il transistor `e quello di gura 6.23.
Dalla gura vediamo che:
IE
Rb + VBE
VCC = IE Rc + IB Rb + VBE = IE Rc +
+1
per cui la corrente di emettitore `e:
VCC VBE
IE =
Rc + Rb /( + 1)
Perch`e IE non dipenda da , scegliamo Rb /( + 1) Rc .
Dobbiamo per`o far ci`o tenendo conto del fatto che il valore di Rb determina
lescursione del segnale sul collettore, poich`e `e:
Rb
VCB = IB Rb = IE
+1

6.6 Circuiti di polarizzazione del transistor

IC+IB=IE
IB

Rc

159

VC=VBE+RBIB

IC

Rb

VCC
VBE

IE

Figura 6.23: Schema alternativo per la polarizzazione di un transistor adoperato come


amplicatore. Congurazione emettitore comune

6.6.1

Polarizzazione per mezzo di una sorgente di corrente


costante

Possiamo ssare la corrente IEQ  ICQ inserendo un opportuno generatore di


corrente nella gamba di emettitore.
Lo schema di principio `e quello indicato nella parte sinistra della gura 6.24.
Questo ha il vantaggio che ora la corrente di emettitore `e indipendente dai valori
quindi possibile scegliere per Rb una resistenza di valore elevato,
di e di Rb . E
ottenendo in tal modo un circuito con elevata impedenza dingresso.
VCC
I
IC

Rc

IR

R
Q1

Q2

Rb
I
-VEE

Figura 6.24: Amplicatore a transistor bipolare nella congurazione CE: schema di polarizzazione tramite una sorgente costante di corrente. A sinistra `e riportato lo schema generico,
a destra unimplementazione pratica del generatore di corrente costante tramite uno specchio di
corrente

Un circuito che realizza uno schema del tipo di quello indicato, `e mostrato nella
parte destra della stessa gura. Questo genera la corrente costante I da utilizzare
nel circuito di emettitore dellamplicatore mostrato nella parte sinistra della gura.

160

Capitolo 6. Transistor bipolari

Esaminiamo il comportamento di tale specchio di corrente, come `e comunemente chiamato. I transistor Q1 e Q2 sono identici (sono realizzati con il medesimo
materiale e sul medesimo chip). Notiamo che Q1 `e collegato a diodo, cio`e ha il
collettore unito alla base. Con tale collegamento, la giunzione base-collettore `e polarizzata inversamente (sarebbe polarizzata direttamente se fosse VB > VC ). I due
transistor hanno sia le basi che gli emettitori uniti insieme, quindi VBE1 = VBE2 e,
poich`e i due transistor sono identici, essi avranno uguali correnti. La corrente I sar`a
quindi uguale ad IR , con:
IR =

VCC + VEE VBE


R

(6.40)

Esempio: Ammettiamo che sia: VCC = 10 V , = 100, Rb = 100k, Rc = 7.5k,


I = 1 mA e calcoliamo VB , VE , VC . Ammettendo poi che sia VEE = 10 V , calcoliamo
il valore di R nel generatore di corrente.
VC pu`o esser ottenuta dalla caduta di potenziale sulla resistenza Rc percorsa da
una corrente IC , dove:
IC = IE IB = IE

IC

IC =
IE = 0.99 mA

+1

Si ha quindi:
VC = 10 7.5 0.99 = 2.575 V
La corrente di base `e: IB = IC / = 0.0099 mA, per cui la tensione di base `e:
VB = 0 0.0099 100 = 0.99 V
= 1 V
La tensione di emettitore `e:
VE = VB 0.7 = 1.7 V
Il valore di R nel generatore di corrente pu`o esser ottenuto dalla (6.40):
I = 1 mA =

10 + 10 0.7
R

da cui:
R = 19.3 k

6.7

Transistor Darlington

Ricordiamo che due parametri importanti in un transistor bipolare a giunzione sono


il guadagno in corrente hf e e limpedenza di ingresso. Questultima `e data, con
riferimento alla gura 6.25, da:
vbe
= rb + (hf e + 1)re
ib
dove re `e la resistenza del diodo base-emettitore polarizzato direttamente, cio`e:
rin hie =

re

25
ICQ (mA)

6.7 Transistor Darlington

161
C
ic
rb

ib

re

ie
E

Figura 6.25: Transistor bipolare! visualizzazione dei parametri rb ed re


pari a 2.5 se ICQ = 10 mA. con ci`o:
hie = rin = rb + (hf e + 1)

25
ICQ (mA)

Se nel circuito di emettitore `e inserita una resistenza Re , questa verr`a ad essere


in serie ad re e la resistenza dingresso sar`a ora:
rin = rb + (hf e + 1)(re + Re )
A volte rb ed re possono essere trascurate rispetto ad Re . Avremo allora:
rin
= (hf e + 1)Re
possibile realizzare transistor con valori di hf e ed hie molto maggiori, utilizE
zando coppie di transistor in cui lemettitore del primo `e collegato alla base del
secondo. Tali transistor, noti come Darlington2 sono commercializzati da varie
ditte. Un esempio tipico `e il 2N6285, che ha un guadagno in corrente di circa 2400,
con correnti di collettore di 10A. Lo schema pi`
u semplice di un transistor Darlington
`e quello mostrato in gura 6.26.
Vediamo che la corrente di emettitore del primo transistor `e la corrente di base
del secondo.
Il guadagno complessivo in corrente di questo sistema pu`o esser calcolato facilmente:
ic
ic1 + ic2
ic1 ic2
ic2 ib2 ic1
hf e Ai
=
=
+
= hf e1 +
=
ib1
ib1
ib1 ib1
ib2 ic1 ib1
= hf e1 +

hf e2 hf e1
= hf e1 (1 + hf e2 )
1

poich`e 1 1.
Se i due transistor sono caratterizzati da valori uguali di hf e , si ha, ponendo
hf e1 = hf e2 = hf et :
hf e h2f et
2

Dal nome del ricercatore, Sidney Darlington, che li invent`


o nel 1953.

162

Capitolo 6. Transistor bipolari

ic=ic1+ic2
ic1
ib1

ic2

Q1

Q2
ie1=ib2

ie2

Figura 6.26: Schema base di un transistor Darlington


Vediamo quindi che il parametro hf e di questo transistor composito (che `e noto come transistor Darlington) `e allincirca uguale al quadrato dellhf e del singolo
transistor.
Possiamo ora far vedere che anche limpedenza dingresso risulta molto aumentata.
Guardando nella base di Q1 vediamo infatti unimpedenza pari a :
Ri = hie1 + (hf e1 + 1) hie2
con:
hie2
=

25
VT
=
IEQ2 (mA)
IEQ2 (mA)

Notiamo che, essendo le correnti nei due transistor molto diverse, saranno parimenti diversi i loro parametri hie .
Segue:
VT
VT
+ (hf e1 + 1)(hf e2 + 1)
=
IEQ1
IEQ2



1
VT IEQ2
= (hf e1 + 1)
+ (hf e2 + 1)
+ (hf e2 + 1)
IEQ2
IEQ2 IEQ1

Ri = (hf e1 + 1)

= (hf e1 + 1) VT

1
IEQ1

Le correnti nei due transistor sono nel rapporto:


IEQ2
= (hf e2 + 1)
IEQ1
per cui:
Ri = 2(hf e1 + 1)(hf e2 + 1)

VT
IEQ2

Vediamo quindi che limpedenza dingresso complessiva `e maggiore di quella del


singolo transistor di un fattore 2(hf e + 1).
Notiamo che un transistor Darlington ha un valore di VBE che `e il doppio di quello
di un normale transistor. Nelluso in un circuito digitale, un transistor di questo tipo

6.7 Transistor Darlington

163

ha lulteriore inconveniente che il VCE della coppia, quando questa `e in saturazione,


`e uguale a VCE1 + VBE2  0.2 + 0.8 = 1 V . Inoltre, un transistor Darlington come lo
abbiamo disegnato `e intrinsecamente lento, sopratutto se adoperato come elemento
di un circuito digitale. Infatti Q1 non pu`o mandare rapidamente in interdizione Q2 3 .
Per ovviare a tale limitazione si modica la congurazione indicata sopra, inserendo
una resistenza tra la base e lemettitore di Q2 , come mostrato in gura 6.27.
ic=ic1+ic2
ic1
ib1

ic2

Q1
ie1

Q2
ib2
Rb

ie2

iR

Figura 6.27: Schema base alternativo di un transistor Darlington


Ora avremo:

0.7
Rb
da cui si vede che scegliendo opportunamente Rb si pu`o ottenere un valore
conveniente per ie1 , a partire dal valore minimo di ib2 .
Vediamo come si modichino ora i valori di Ri e di hf e del sistema. Notiamo che
ora Rb `e in parallelo con hie2 , con che limpedenza dingresso del circuito sar`a:
ie1 = ib2 + iR = ib2 +

Ri = hie1 + (hf e1 + 1)(Rb hie2 )


Vediamo che ora limpedenza dingresso `e minore di quella del caso precedente.
Calcoliamo ora il guadagno in corrente. Abbiamo:
ic = ic1 + ic2 = hf e1 ib1 + hf e2 ib2
con:
ib2 = ie1

Rb
Rb
= (hf e1 + 1)ib1
Rb + hie2
Rb + hie2

In denitiva otterremo:
ic = hf e1 ib1 + hf e2 (hf e1 + 1)ib1
3

Rb
Rb + hie2

Ricordiamo che, se Q2 `e in saturazione, perch`e esso possa uscirne deve liberarsi delle cariche
accumulate in base. Ci`o non pu`
o facilmente avvenire attraverso lemettitore di Q1 .

164

Capitolo 6. Transistor bipolari

da cui:

ic
Rb
= hf e1 + hf e2 (hf e1 + 1)
ib1
Rb + hie2
= hf e2 = hf e , questa diventa:

Ai =
Nel caso in cui sia hf e1

Ai = hf e + hf e (hf e + 1)

Rb
Rb

= h2f e
Rb + hie2
Rb + hie2

Vediamo quindi che anche il guadagno in corrente `e inferiore a quello della


congurazione in cui la resistenza Rb era assente.
Transistor Darlington sono disponibili in commercio come oggetti singoli, dove
`e normalmente inclusa la resistenza R. La gura 6.28 illustra le caratteristiche del
transistor Darlington 2N7052 della Fairchild. Si noti la dipendenza delle caratteristiche dalla temperatura, nonch`e il fatto che il guadagno a temperatura ambiente `e
dellordine di 30,000 per correnti di collettore no a centinaia di mA.

6.8

Specchi di corrente

Cominciamo con lesaminare la congurazione mostrata in gura 6.29, in cui un


transistor npn `e montato con base e collettore uniti insieme.
facile vedere che ora il transistor si comporta come un diodo. Infatti, la
E
polarizzazione `e tale che la giunzione emettitore-base `e polarizzata direttamente,
mentre quella base-collettore `e polarizzata inversamente4 .
La dierenza di potenziale tra base ed emettitore sar`a quella (VBE ) di un diodo
polarizzato direttamente. La corrente in R sar`a quindi:
IR =

VCC VBE
R

con:
IR = IC + IB = IC (1 +

1
1+
) = IC

Segue da questa:
IC =

VCC VBE
IR =
IR
1+
1+
R

Vediamo cos` che la corrente IR (e cos` IC ) `e determinata da VCC e dal VBE del
transistor (oltre che da R).
Esaminiamo ora la congurazione mostrata in gura 6.30, dove ammettiamo che
i due transistor siano identici:
Il transistor Q1 fa passare una corrente in R data da:
IR =

VCC VBE1
R

Essendo VBE1 = VBE2 VBE ed i due transistor identici, avremo che la corrente
nel secondo transistor sar`a uguale a quella del primo, indipendentemente dal valore
di Z.
4

La giunzione base-collettore sarebbe polarizzata direttamente se fosse VC > VB .

6.8 Specchi di corrente

165

Electrical Characteristics
Symbol

TA = 25C unless otherwise noted

Parameter

Test Conditions

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

IC = 1.0 mA, IB = 0

100

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC = 100 A, IE = 0

100

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE = 1.0 mA, IC = 0

12

ICBO

Collector-Cutoff Current

VCB = 80 V, IE = 0

0.1

ICES

Collector-Cutoff Current

VCE = 80 V, IE = 0

0.2

IEBO

Emitter-Cutoff Current

VEB = 7.0 V, IC = 0

0.1

20,000
1.5

2.0

V
A

2N7052 / 2N7053 / NZT7053

NPN Darlington Transistor

ON CHARACTERISTICS*
hFE

DC Current Gain

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC = 100 mA, VCE = 5.0 V


IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA

VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

IC = 100 mA, VBE = 5.0 V

10,000
1,000

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS


FT

Transition Frequency

IC = 100 mA, VCE = 5.0 V,

Ccb

Collector-Base Capacitance

VCB = 10 V,f = 1.0 MHz 2N7052


2N7053

200

MHz
10
8.0

pF

*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 1.0%

Typical Pulsed Current Gain


vs Collector Current

100
80
60
40
20
0
0.001

125 C

25 C
- 40C

0.01
0.1
IC - COLLECTOR CURRENT (A)

VCESAT- COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)

h FE - TYPICAL PULSED CURRENT GAIN (K)

Typical Characteristics

Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
2
= 1000
1.6
1.2
- 40C

0.8

25 C
125 C

0.4
0
10

100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)

1000

Figura 6.28: Caratteristiche di un tipico transistor Darlington


come se il primo transistor programmasse la corrente che circoler`a nel secondo.
E
Pi`
u esattamente avremo:


2
IR = IC + IB1 + IB2 = IC 1 +

con:
IR =

VCC VBE
R

166

Capitolo 6. Transistor bipolari

VCC
IR

IB

Figura 6.29: Transistor bipolare montato in modo da funzionare come diodo


+VCC

IR

IB

VCC

IC2

IC1
Q1

Q2
IB1

IB2

Figura 6.30: Specchio di corrente a transistor bipolare


per cui la corrente nel carico Z sar`a:
IZ = IC =

VCC VBE
VCC VBE

+2
R
R

essendo 1.
In realt`a, la corrente IC2 , cio`e la corrente nel carico Z, non sar`a rigorosamente
uguale a questo valore, a causa delleetto Early. Ricordiamo infatti che il circuito duscita di un transistor in congurazione di emettitore comune pu`o esser
schematizzato come mostrato in gura 6.31, dove `e:
ro =

1
VA
=
(VA = Tensione di Early)
hoe
IC

La presenza di ro , o meglio il fatto che ro non sia innitamente grande, `e legata allandamento leggermente crescente delle caratteristiche duscita del transistor,
come mostrato in gura 6.32.

6.8 Specchi di corrente

167

C
hFEIB

ro=1/hoe

Figura 6.31: Conseguenza delleetto Early sulla corrente nel carico di gura 6.30

150.

IC (mA)
pendenza=1/r0

100.

50.

0.

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

Vce (V)

Figura 6.32: Transistor bipolare: caratteristica duscita che illustra leetto Early
La parte rettilinea della caratteristica interseca lasse IC = 0 in VCE = VA
(tensione di Early). Ci`o fa si che al variare di VCE2 nel nostro specchio di corrente,
IC2 non rimanga esattamente uguale ad IC1 , ma aumenti allaumentare di VCE2 , cio`e
cambi al cambiare del carico Z.
Lo specchio di corrente appena esaminato pu`o esser esteso a comprendere pi`
u
transistor. In tal modo, la corrente che passa in un transistor pu`o pilotare le
correnti in un numero di carichi diversi. Ci`o `e indicato in gura 6.33.
Q0 `e il transistor che pilota gli altri. Le correnti I1 , I2 , I3 saranno, a meno di
deviazioni legate alleetto Early, uguali alla corrente IC0 = IR .
Si possono anche realizzare specchi multipli di corrente simili a quello appena
descritto, con correnti I1 , I2 , I3 , diverse luna dallaltra, in rapporti pressati.
Ci`o viene ottenuto utilizzando, in un integrato, transistor Q1 , Q2 , Q3 , , aventi

168

Capitolo 6. Transistor bipolari

VCC
I1

Q0

Z1

I2

Q1

Z2

I3

Z3

Q3

Q2

Figura 6.33: Specchio multiplo di corrente


aree della giunzione di emettitore diverse luna dallaltra.
Un metodo alternativo per programmare una corrente I1 minore di quella nel
transistor pilota Q0 , `e costituito dal cosiddetto specchio di Widlar. Questo differisce dal normale specchio di corrente per linserimento di una resistenza nota
sullemettitore del transistor Q1 , come mostrato in gura 6.34
+VCC

IR

R
IB

VCC

IC1

IC0
IB0

IB1

Q0

Q1
VBE0

VBE1
Re

Figura 6.34: Generatore di corrente costante di Widlar


La presenza in tale circuito di Re , fa si che VBE0 sia diverso da VBE1 e quindi
che IC1 = IC0 . Si ha infatti:
VBE0 = VBE1 + Re (IC1 + IB1 )
da cui segue:
VBE VBE0 VBE1 = Re (IB1 + IC1 )

6.8 Specchi di corrente

169

Ricordando che:

IC0
= eVBE /VT
IC1

per cui:


VBE = VT ln

si ha:

VBE
Re =
= VT ln
IB1 + IC1

IC0
IC1

IC0
IC1

1
IB1 + IC1

cio`e:
V

T
ln
Re =
1
IC1 1 +

IC0
IC1


(6.41)

Essendo poi:



VCC VBE0
1
IC1
= IC0 + IB0 + IB1 = IC0 1 +
IR =
+
R

dove si desidera che sia IC1 < IC0 , con che il termine IC1 / (con 1) pu`o
esser trascurato.
Si ha quindi nuovamente:
IC0 =

VCC VBE0
IR =
1+
1+
R

Fissati IC0 ed IC1 si calcola R da questultima e poi Re dalla (6.41).


Esaminiamo ora limpedenza duscita del generatore di corrente di Widlar, per
segnali variabili di piccola ampiezza. Questa pu`o esser calcolata facendo uso del
circuito equivalente di gura 6.35.
ib1

ic1

B1
hie

R's

hfeib1

C1

1/hoe

E1
vc1
Re

Figura 6.35: Generatore di corrente costante di Widlar: circuito adoperato per il calcolo della
corrente

dove Rs `e il parallelo di R e dellimpedenza duscita di Q0 . Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di applicare ai terminali duscita una corrente ic1 e
calcoliamo la tensione vc1 .

170

Capitolo 6. Transistor bipolari

1
(ic1 hf e ib1 ) + RP ic1
hoe

vc1 =
dove:

(6.42)

RP = Re (Rs + hie )

Trascurando il secondo termine nella (6.42) rispetto al primo (che prevale a causa
del coeciente 1/hoe ) si ottiene:
vc1 =

1
(ic1 hf e ib1 )
hoe

(6.43)

La maglia di sinistra d`a poi:


ib1 (hie + Rs ) + Re (ib1 + ic1 ) = 0
da cui:

ib1 (hie + Rs + Re ) = Re ic1


ic1
ib1 = Re
hie + Rs + Re

Sostituendo questa nella (6.42) si ha:




1
hf e Re

1+
ic1
vc1 =
hoe
hie + Rs + Re
e quindi limpedenza duscita sar`a:
vc1
1
=
RO
ic1
hoe

hf e Re
1+
hie + Rs + Re

Se `e inoltre Re (hie + Rs ), si ha:


1 + hf e
RO
=
hoe
cio`e la resistenza duscita `e (1 + hf e ) volte maggiore di quella del singolo transistor.
Uno specchio di corrente in cui leetto Early non pu`o dar noia `e costituito dal
cosiddetto specchio di Wilson, mostrato in gura 6.36(a).
Notiamo che ora base e collettore di Q1 sono ad un potenziale VBE rispetto a
massa. Di conseguenza la base di Q2 `e ad un potenziale 2 VBE rispetto a massa.
Essendo la base di Q2 unita al collettore di Q0 , ne segue che VCE0 = 2 VBE =costante.
In Q0 ora non si ha eetto Early, essendo stato ssato VCE0 . Daltronde, la corrente
nel carico `e uguale a quella in Q1 , che `e uguale a quella in Q0 e quindi `e ssata una
volta stabiliti i valori di VCC e di R.
Si pu`o dimostrare che IC vale:
IC =

2 + 2
IR
2 + 2 + 2

con:
IR =

VCC 2VBE
R

6.8 Specchi di corrente

171

(a)

(b)

+VCC

+VCC

Z
Q2

VCC

VBE
Q0

IC

Q1
VBE

Q0

Q2

Q1
I1

Figura 6.36: Il circuito mostrato in (a) `e un generatore di corrente costante di Wilson che
utilizza transistor npn. In (b): generatore di corrente costante di Wilson che utilizza transistor
pnp

e quindi:
IC IR =

2IR
+ 2 + 2

|IC IR |
2
1%
= 2
IR
+ 2 + 2
Gli specchi di corrente n qui esaminati utilizzavano transistor (npn). In tali
circuiti il carico era situato tra collettore e alimentazione. Utilizzando transistor pnp
si pu`o facilmente ottenere dei circuiti con carico a massa. Ad esempio, lo specchio
di corrente di Wilson pu`o esser realizzato con transistor pnp, come mostrato in
gura 6.36(b).

172

Capitolo 6. Transistor bipolari

Capitolo 7

Il modello di Ebers-Moll per i


transistor bipolari
7.1

Basi del modello

Il modello a parametri h del transistor bipolare, o equivalentemente il modello a ,


sono utilizzabili per calcolare le principali propriet`a (guadagno in corrente, resistenza
dingresso etc.) di amplicatori a transistor. Nella pi`
u gran parte dei casi, in tali
applicazioni, i transistor lavorano in zona attiva. Un modello che schematizza il
funzionamento del transistor in una qualsivoglia delle zone di funzionamento (zona
attiva diretta, attiva inversa, saturazione, interdizione) `e quello proposto da Ebers e
Moll nel 1954, successivamente perfezionato da altri ed ampiamente adoperato per
simulare al computer il comportamento del transistor 1
Le equazioni di Ebers-Moll hanno inoltre il vantaggio di esser costruite a partire dai principi sici su cui `e basato il comportamento del transistor. Se infatti
indichiamo le correnti e tensioni nel transistor, facendo uso della notazione di gura 7.1, e ricordiamo che la corrente di collettore IC `e una frazione della corrente di
emettitore: IC = D IE avremo reso conto, approssimativamente, del funzionamento
del transistor in zona attiva. Si noti che abbiamo chiamato D il parametro , per
indicare che intendiamo riferirci al funzionamento diretto (cio`e nella normale zona
attiva, con VBE > 0 e VBC < 0).
Ricordiamo ora che in zona attiva contribuisce alla corrente di collettore anche
la corrente inversa di saturazione ICO , dovuta alle cariche minoritarie (positive in un
transistor npn) presenti nel collettore, accelerate verso la base (e poi lemettitore)
dalla polarizzazione inversa della giunzione base-collettore. A rigore dovremo quindi
esprimere la corrente di collettore come:
IC = D IE + ICO
Risulta pi`
u conveniente esprimere il secondo termine a secondo membro, nella
forma completa che caratterizza un diodo (la giunzione base-collettore) polarizzato
inversamente:


ICO ICO eVBC /VT 1
1

Questo `e adoperato ad esempio nel programma di simulazione SPICE; dove peraltro `e


possibile scegliere modelli pi`
u avanzati, quali quello di Gummel-Poon o altri.

173

174

Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari

BC -

B
I

+
+
V

BE

Figura 7.1: Simboli adoperati per correnti e tensioni nella discussione del modello di Ebers-Moll
che, nella zona di funzionamento attualmente in esame (VBC < 0 e |VBC | VT )
coincide con +ICO .
Il vantaggio di esprimere in tal modo il secondo termine `e nel fatto che tale
espressione `e pi`
u generale. Essa render`a conto del funzionamento del transistor
anche se la giunzione base-collettore `e polarizzata direttamente. Scriveremo quindi:


IC = D IE ICO eVBC /VT 1
(7.1)
Ammettiamo ora che sia la giunzione base-emettitore che quella base-collettore
siano polarizzate inversamente. Lespressione precedente (scritta per VBC negativo,
e |VBC | VT ):
IC = D IE + ICO
deve fornire, essendo con tali polarizzazioni il transistor interdetto, valori pressoch`e nulli per le correnti IC ed IE . Ci`o `e possibile se, accanto allequazione (7.1),
introduciamo una seconda equazione che fornisca IE in funzione di VBC , VBE ed IC .
Il punto di partenza per costruire tale equazione `e lequazione che lega la corrente
nel diodo base-emettitore alla dierenza di potenziale VBE :


IE = IEO eVBE /VT 1
Se il diodo `e polarizzato direttamente (VBE > V ), questa fornir`a correttamente
il valore della corrente IE da adoperare nella (7.1).
Se il diodo `e polarizzato inversamente avremo: IE = IEO , cio`e un contributo
molto piccolo alla corrente (corrente inversa di saturazione della giunzione baseemettitore). Notiamo tuttavia che, con VBE negativo, un ulteriore contributo alla
corrente IE pu`o venire se la giunzione base-collettore `e polarizzata direttamente.
Infatti, in tali condizioni, il collettore immetterebbe elettroni nella base e questi, o
meglio una frazione R di questi, passerebbero poi nellemettitore2 .
2

Il parametro R `e lanalogo del parametro D che compare quando il transistor lavora in zona
attiva diretta. Nelle condizioni ora in esame diremo che il transistor lavora in zona attiva inversa
(la sottoscritta R sta per reverse). In genere `e R D

7.1 Basi del modello

175

In termini della corrente, potremo dire che una frazione R della corrente di
collettore, passa nellemettitore:
IE = R IC
a questa va poi sommata la corrente (IEO ) inversa di saturazione che, con VBE <
0, uisce tra emettitore a base:
IE = R IC IEO
Inne, riscriviamo il secondo termine a secondo membro nel modo generale
appropriato per un diodo, ottenendo:


IE = R IC + IEO eVBE /VT 1
(7.2)
Le (7.1) e (7.2) sono le equazioni di Ebers-Moll. Il primo dei termini a secondo
membro di ciascuna delle due equazioni rappresenta la componente di transistor
della relativa corrente; il secondo la componente di diodo. Le due equazioni
rendono conto del funzionamento del transistor in una qualsivoglia delle zone di
funzionamento.
facile vericare come da queste equazioni sia possibile ricavare le correnti in
E
funzione delle tensioni:
IE =

 V /V


IEO
R ICO  VBC /VT
e BE T 1
e
1
1 D R
1 D R

(7.3)

IC =



 V /V
D IEO  VBE /VT
ICO
1
e
e BC T 1
1 D R
1 D R

(7.4)

Possiamo anche ricavare le tensioni ai capi delle giunzioni in funzione delle


correnti:


IE R IC
(7.5)
VBE = VT ln 1
IEO


IC D IE
(7.6)
VBC = VT ln 1
ICO
I parametri sici D , R , IEO , ICO non sono indipendenti; essi sono legati tra
loro da:
D IEO = R ICO
Abbiamo gi`a incontrato il parametro del transistor, pari al rapporto tra IC ed
IB in zona attiva. Anche ora possiamo denire = hF E come:
hF E =

IC
IB

e, per la componente variabile:


hf e =

IC
IB

176

Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari

Entrambi questi parametri possono esser espressi in funzione dei coecienti presenti nelle equazioni di Ebers-Moll. Infatti, in zona attiva, con VBC < 0 e |VBC VT ,
la (7.1) diventa:
IC = D IE + ICO
e, poich`e IE = IB + IC :
IC = D IB + D IC + ICO
da cui:
IC =

D
ICO
ICO
IB +
= hF E IB +
1 D
1 D
1 D

e, per hf e , essendo in genere ICO piccolo:


hf e =

IC
D
hF E
IB
1 D

Ad esempio, per D = 0.98 si ha hF E hf e 50.


Quando il transistor funziona in modo inverso, il ruolo dellemettitore e del collettore vengono ad essere scambiati, ed IC sostituisce IE (e viceversa). Occorrer`a
ora far uso dellequazione (7.2):
IE = R IC IE0
dove IC = IE IB , per cui:
IE = R IE R IB IE0
e quindi:
IE =

R
IE0
IB
1 R
1 R

per cui:
hF C

IE
R
=
IB
1 R

Dove la sottoscritta C in hF C st`a ad indicare che ora, con i ruoli di emettitore e


collettore scambiati, la congurazione `e di collettore comune.
Si noti che ora IE `e negativo, rispetto alla convenzione adottata in precedenza
per i versi delle correnti.
In genere R `e molto diverso da D . Valori tipici sono:
R 0.01 0.2 hF C 0.01 0.25
Cio`e il guadagno in corrente nel modo attivo-inverso `e molto minore di quello relativo al modo attivo-diretto. Il transistor, a causa dei dettagli costruttivi (drogaggio
di base, emettitore e collettore; dimensioni siche delle giunzioni) non `e simmetrico
per scambio emettitore-collettore.

7.2 Il transistor in interdizione

7.2

177

Il transistor in interdizione

Se la tensione tra base ed emettitore non `e sucientemente elevata da polarizzare


direttamente la relativa giunzione, la corrente di emettitore si riduce a zero. Se
inoltre anche la giunzione di collettore `e polarizzata inversamente, con VBC VT ,
la IE pu`o esser ottenuta dallequazione (7.3):
IE =

 V /V

IE0
R IC0
e BE T 1 +
1 D R
1 D R

e, facendo uso della relazione:


D IE0 = R IC0
si trova:
IE =

 V /V

IE0
e BE T + D 1
1 D R

dove D 1, per cui:


IE =

IE0 VBE /VT


e
1 R

che, con R nel range di valori (0.01 0.2), ci d`a:


IE
= (1 1.25) IE0 eVBE /VT
Come nel caso di un diodo, IE diverr`a apprezzabile solo per VBE 0.6 V .

7.3

Il transistor in saturazione

Consideriamo il montaggio di gura 7.2, con il transistor che lavora in zona attiva.

IC

RL

rs
Vs

IE

Vcc

Figura 7.2: Congurazione emettitore-comune per un transistor npn


In tali condizioni la corrente di base sar`a tale che la corrispondente corrente di
collettore IC provoca in RL una caduta di potenziale molto minore di VCC . In tali

178

Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari

condizioni, mentre la giunzione emettitore-base `e polarizzata direttamente, quella


base-collettore `e polarizzata inversamente.
Se si aumenta ora la corrente di base, si avr`a un conseguente aumento della
corrente di collettore, un aumento della caduta di potenziale in RL ed in denitiva
un minor valore di VC , e quindi di VCE . Aumentando ulteriormente la corrente di
base si potr`a raggiungere un punto tale che la dierenza di potenziale base-collettore
cambi segno, cio`e la giunzione venga ad esser polarizzata direttamente (cio`e nel verso
tale da sfavorire il usso delle cariche di minoranza elettroni presenti nella base,
verso il collettore).
Notiamo che la giunzione base-emettitore continua ad iniettare elettroni nella
base (cio`e corrente nellemettitore), ma questi elettroni non possono pi`
u esser raccolti
dal circuito di collettore, a causa della polarizzazione della giunzione base-collettore.
In tali condizioni si dice che il transistor `e entrato in saturazione. Avremo una
elevata corrente di base, una elevata corrente di emettitore ma una piccola corrente
di collettore. Il rapporto IC /IB , che `e uguale ad una costante (hF E ) in zona attiva,
diviene ora molto minore di hF E . Possiamo allora scegliere quale parametro che
misura il grado di saturazione, il rapporto:
=

IC
hF E IB

che deve essere uguale ad 1 in zona attiva diretta.


Poich`e la saturazione implica una polarizzazione diretta (o comunque non inversa) della giunzione base-collettore, ci si deve aspettare un legame tra e VBC e, di
conseguenza, tra e VCE .
Con la convenzione per i segni gi`a adottata in gura 7.1, la relazione tra VCE ,
VBE e VBC `e:
VCE = VBE VBC
Dalle equazioni (7.5) e (7.6), trascurando il termine costante (1) (poich`e per
entrambe le giunzioni `e VD VT ), si ottiene:


IE R IC
IC0

VBE VBC = VT ln
IE0
IC D IE
Poich`e inoltre `e:

D
IC0
=
IE0
R
nonch`e: IC = IE IB , lequazione precedente, dopo alcuni semplici passaggi algebrici
diventa:
IE /hF C + IB
VCE = VBE VBC = VT ln
IB IC /hF E
con:
R
hF C =
1 R
D
hF E =
1 D
e, dividendo numeratore e denominatore per IB :
VCE = VT ln

1+
1

IE
hF C IB
IC
hF E IB

= VT ln

1+

IC
hF C IB

1
hF C

7.3 Il transistor in saturazione


1+

IC
hF E IB

179

hF E
hF C

1
hF C

hF E
hF C

1+hF C
hF C

= VT ln
1
1
Landamento di questa funzione della variabile `e mostrato in gura 7.3.
= VT ln

V CE (V)

0.2

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

=IC /hFE B
I

Figura 7.3: Andamento di VCE in funzione della variabile = IC /(hF E IB ) secondo lequazione
di Ebers-Moll

Esaminiamo alcuni punti caratteristici di tale funzione, o equivalentemente della


sua inversa (VCE ).
(1) si annulla per:


VCE = VT ln

con:
hF C =

1 + hF C
hF C

R
1 R

per cui: VCE = VT ln (1/R ) che, con valori tipici di


VT = 25 mV , R = 0.2
vale:
VCE = VT ln

1
25 ln 5 mV = 40 mV
R

cio`e , e quindi la corrente di collettore, `e praticamente nulla per VCE


40 mV .
(2) `e uguale ad 1 per:
VCE = VT ln

1 1 + hF E + hF C

hF C
1

In pratica sar`a prossimo ad 1 per valori di VCE di 5 10 V .


(3) Esaminiamo inne la zona di saturazione; quella in cui VCE 0. Questa `e
molto importante nei circuiti digitali, dove un basso valore di VCE `e essenziale

180

Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari


per una buona separazione del livello logico basso (transistor in saturazione)
dal livello logico alto (transistor interdetto).
Vediamo che VCE si annulla per:
1 + hF C hF E
+
= 1
hF C
hF C
cio`e:



hF E
1
1+
=
hF C
hF C

e quindi:

da cui:

1
IC
=
hF E IB
hF E + hF C
1
IC
=
IB
1 + hhF C

FE

che, per hF E = 100 ed hF C = 0.25, ci d`a:


IC
0.997
IB
Il punto dinizio della saturazione pu`o essere considerato quello in cui 0.9,
sat
al quale corrisponde un valore di VCE
dato da:
 

1 + hF C
hF E
sat
+ 0.9
VCE = VT ln 10
hF E
hF C
dove `e hF E 1 + hF C , per cui questa `e approssimativamente:


hF E
sat
= 285 mV
VCE = VT ln 9
hF C
dove abbiamo ammesso che sia hF E = 100 ed hF C = 0.01.
In pratica, se si vuole utilizzare un transistor che operi in saturazione con il minor
valore possibile di VCE , si mantiene sso IC (ad esempio, nel circuito di gura 7.4,
IC = VCC /RL ) e si cerca di ottenere il minimo valore possibile di VCE aumentando
IB .
Se ad esempio volessimo un valore di VCE = 0.2 V avremmo:
5 0.2
= 4.8 mA
1k
IB dovr`a allora esser maggiore di 4.8/hF E che, con hF E = 50 `e:
IC =

IB > 0.096 mA

7.3 Il transistor in saturazione

181

Vcc=5V
RL=1k
Rb

Figura 7.4: Schema per un transistor npn in saturazione


Possiamo, per precauzione, scegliere un valore doppio di questo: IB = 0.192 mA
0.2 mA. Rb dovr`a allora valere:
Rb =

sat
5 VBE
(k)
0.2

sat
dove VBE
0.8 V . Ne segue:

Rb =

5 0.8
= 21 k
0.2

sat
Spesso le case costruttrici forniscono, per un dato transistor, un graco di VCE
in funzione di o di IC /IB .

182

Capitolo 7. Il modello di Ebers-Moll per i transistor bipolari

Capitolo 8

Amplicatori a transistor bipolari


8.1

Introduzione

In questa parte ci occuperemo delle strutture pi`


u frequentemente adoperate nella realizzazione degli amplicatori a transistor. Il termine amplicatore pu`o voler dire
unamplicazione dellampiezza di un segnale di tensione, di corrente, di potenza,
ma pu`o anche implicare una trasformazione di un segnale di tensione in un segnale
di corrente, o viceversa.
Se lamplicatore fornisce in uscita una replica amplicata del segnale in tensione
presente in ingresso, esso `e un amplicatore di tensione. Il guadagno a` allora denito
come:
vout
Av =
vin
Analogamente, se lamplicatore fornisce in uscita una replica amplicata del
segnale di corrente presente in ingresso, essa `e un amplicatore di corrente, per il
quale il guadagno `e denito da:
iout
Ai =
iin
Notiamo che un amplicatore di tensione avr`a in genere una bassa impedenza
duscita, mentre lopposto `e vero per un amplicatore di corrente.
Se un segnale di tensione vin in ingresso `e trasformato in un segnale di corrente
iout in uscita, si dice che si ha un amplicatore a transconduttanza per il quale il
guadagno `e:
iout
G=
vin
dove G ha le dimensioni di 1 .
Analogamente, se un segnale di corrente iin in ingresso `e trasformato in un segnale
di tensione vout in uscita, avremo un guadagno:
R=

vout
iin

si dice in tal caso che lamplicatore `e a transresistenza.


Un amplicatore a transconduttanza ha in genere unelevata impedenza dingresso ed unelevata impedenza duscita, mentre un amplicatore a transresistenza
ha una bassa impedenza dingresso ed una bassa impedenza duscita.
183

184

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

In questo capitolo ci occuperemo di discutere le strutture base di alcuni tipi di


amplicatori. Ci limiteremo a cercare di comprendere la risposta di tali circuiti a
segnali di piccola ampiezza, in modo da poter calcolare i parametri che caratterizzano
il circuito facendo uso del modello a parametri h. I parametri che di volta in volta
calcoleremo sono: il guadagno, la resistenza dingresso Ri e quella duscita duscita
Ro .
Trascureremo gli eetti dovuti alle capacit`a delle giunzioni ed ai condensatori
di accoppiamento e/o di bypass. La risposta che calcoleremo sar`a quindi quella
riscontrabile ove tali eetti capacitivi possano essere trascurati, cio`e entro la banda
passante dellamplicatore.
La dipendenza della risposta dalla frequenza sar`a discussa nel capitolo dedicato
agli amplicatori a FET, dove leetto delle capacit`a `e analogo a quello che si ha
negli amplicatori a transistor bipolari.

8.2

Inseguitore di emettitore

Esaminiamo lamplicatore ad inseguitore di emettitore, o emitter follower mostrato


in gura 8.1. Questo `e anche noto come amplicatore a collettore comune.
+VCC

Rb
VO
Vs

Re

Figura 8.1: Inseguitore di emettitore


Ammettiamo di aver ssato i valori delle resistenze in modo da stabilire il punto
di lavoro pi`
u opportuno.
Calcoleremo:
(a) il guadagno in tensione;
(b) il guadagno in corrente;
(c) la resistenza dingresso;
(d) la resistenza duscita.
Usiamo il modello a parametri h, con i soli parametri hie ed hf e . Ammettiamo
cio`e che siano trascurabili i parametri hoe ed hre .

8.2 Inseguitore di emettitore

8.2.1

185

Guadagno in tensione

Con riferimento al circuito equivalente di gura 8.2, dove rs `e la resistenza duscita


della sorgente vs , avremo:
ie = ib + ic = ib (1 + hf e )

(8.1)

vo = Re ie = (1 + hf e )Re ib

(8.2)

ib

rs

hie

i
Vs

ic

Rb

i-ib

ie

Re

hfeib vo
ic

C
Figura 8.2: Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno e delle impedenze
dingresso e duscita dellinseguitore di emettitore di gura 8.1.

vs = rs i + Rb (i ib ) = (rs + Rb )i Rb ib

(8.3)

Rb (i ib ) = hie ib + Re (1 + hf e )ib

(8.4)

Dalla (8.3) otteniamo:


i=

vs + Rb ib
rs + Rb

Sostituendo questa nella (8.4) si ha:


Rb

vs + Rb ib
Rb ib = hie ib + Re (1 + hf e )ib
rs + Rb

Da questa segue poi:



Rb
Rb
vs = hie + Re (1 + hf e ) + Rb
Rb ib
rs + Rb
rs + RB

cio`e:


Rb vs = ib hie (rs + Rb ) + Re (1 + hf e )(rs + Rb ) + Rb (rs + Rb ) Rb2
dalla (8.2) segue:
ib =

vo
(1 + hf e )Re

che, sostituita nellultima relazione scritta, fornisce:


vo
(1 + hf e )Re Rb
=
=
vs
hie (rs + Rb ) + Re (1 + hf e )(rs + Rb ) + rs Rb

186

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari


= (1 + hf e )

1
Re Rb
rs + Rb hie + Re (1 + hf e ) +

rs Rb
rs +Rb

Se `e poi:
Re (1 + hf e ) hie +

rs Rb
rs + Rb

segue:
v0
Rb
=
vs
rs + Rb
cio`e, nelle approssimazioni fatte, Av dipende solo dalle resistenze rs ed Rb .
Se inoltre `e: rs Rb si ha:
Av

Av
= 1(positivo)

8.2.2

Impedenza dingresso

Questa `e denita come:


Ri =

vs
i

Dalla (8.4) otteniamo:


ib =

Rb i
Rb + hie + Re (1 + hf e )

e dalla (8.3):
vs = (Rb + rs )i Rb ib = (Rb + rs )i

Rb2 i
Rb + hie + Re (1 + hf e )

Ne segue:
Ri =

Rb rs + hie (Rb + rs ) + Re (1 + hf e )(Rb + rs )


vs
=
i
Rb + hie + Re (1 + hf e )

Se rs pu`o esser trascurato, questa diventa:


Ri = Rb

hie + Re (1 + hf e )
Rb + hie + Re (1 + hf e )

che `e il parallelo di Rb e di hie + Re (1 + hf e ). Questo vuol dire che limpedenza


intrinseca del circuito (ignorando Rb ) `e:
Rin = hie + Re (1 + hf e )
Se ad esempio `e:
hie = 1 k , hf e = 100 , Rb = 10 k , Re = 1 k
troveremo:
Rin 100 k
ed:
Ri 10 k
Cio`e limpedenza dingresso intrinseca Rin dellemitter follower `e elevata.

8.2 Inseguitore di emettitore

8.2.3

187

Impedenza duscita

Per calcolare Rout , poniamo Re = , vs = 0 (cio`e cortocircuitiamo il generatore) ed immaginiamo di applicare tra emettitore e massa un segnale di tensione
v. Calcoliamo la corrente i erogata dal generatore del segnale e poi Rout come:
v
Rout =
i
Il circuito diventa quello di gura 8.3, dove si `e trascurato Rb rispetto ad rs ..

hie

ib

rs

hfeib

Figura 8.3: Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita dellinseguitore
demettitore. Questo circuito `e ottenuto da quello di gura 8.2 cortocircuitando il generatore e
supponendo di introdurre tra emettitore e massa un segnale di tensione v
Avremo:
v = (rs + hie )ib
i = (1 + hf e )ib
per cui:
rs + hie
v
=
i
1 + hf e
Se ad esempio fosse rs 0, hie = 1 k ed hf e = 100, avremmo Rout
= 10 .
La resistenza vista guardando nei terminali duscita `e poi il parallelo di Rout
ed Re .
Rout =

8.2.4

Guadagno in corrente

Con riferimento alla gura 8.4 (a), questo `e denito come:


ie
i
Avremo allora, facendo uso dello schema di gura 8.5:
Ai =

Ai

ie ib
ie
Rb
=
= (1 + hf e )
i
ib i
Rb + hie + Re (1 + hf e )

se, come nellesempio fatto in precedenza, `e Rin = hie + Re (1 + hf e ) Rb , avremo:


Ai =

Rb
Rb
(1 + hf e )
(1 + hf e )
Rin + Rb
Rin

188

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

+VCC

C
ic

ib

B
Rb

rs

C
ie

re

VO

Re

Re

(a)

(b)

Figura 8.4: (a) linseguitore di emettitore, dove `e stata messa in evidenza limpedenza rs del
generatore. (b) modello del transistor che fa uso di un diodo e della resistenza re associata alla
giunzione emettitore-base.

ib
i
hie
Rb
Re(1+hfe)

Figura 8.5: Modello adoperato per il calcolo del guadagno in corrente dellinseguitore di
emettitore

Il guadagno in corrente tra emettitore e base `e comunque (1 + hf e ).

8.2.5

Calcolo approssimato dei parametri

I risultati ottenuti in modo esatto, utilizzando il modello a parametri h, possono


essere ottenuti in modo approssimato con considerazioni intuitive.

Guadagno in tensione
Con riferimento alla gura 8.4 (a), osserviamo che, nella congurazione adoperata,
lingresso (la base del transistor) e luscita (lemettitore) sono separati soltanto da un
diodo (la giunzione base-emettitore) polarizzato direttamente. Sappiamo daltronde

8.2 Inseguitore di emettitore

189

che la resistenza (dierenziale) diretta di un diodo `e:


re =

25
I(mA)

per cui il circuito: base (ingresso)-uscita (emettitore) pu`o esser ridisegnato come
mostrato nella medesima gura, nella parte (b), dove abbiamo evidenziato il diodo
(ideale) e la resistenza re ad esso associata. Notiamo che:
VA = VB 0.7
per cui:
VA = VB
Daltronde:
VO = VA

Re
VA
re + Re

e quindi:
VO
VO
Av
=
=
=1
VB
VA
Abbiamo, nel far ci`o, ignorato la resistenza rs della sorgente, e quella di polarizzazione di base Rb . Tenendone conto il risultato cambia poco, come mostra il calcolo
esatto visto in precedenza.
Impedenza dingresso
Questa `e:
Rin =
dove:
ib =

vb
ib

ie
1 + hf e

e:
vb
= ve
per cui:
Rin =

ve
(1 + hf e ) = Re (1 + hf e )
ie

Impedenza duscita
Questa `e denita come:

vo (a circuito d uscita aperto)


i0 (a circuito d uscita in corto)

dove, a circuito duscita aperto, vo vb .


Se il circuito duscita `e in corto, cio`e se lemettitore collegato per il segnale a
massa la corrente di base sar`a:
vb
ib =
rs

190

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

e quindi:
ie =

vb
(hf e + 1)
rs

ne segue:
Rout =

8.2.6

vb
(1
rs

vb
rs
=
+ hf e )
1 + hf e

Emitter follower ad alta impedenza dingresso

La resistenza dingresso dellemitter follower, come visto, `e allincirca:


hie + (hf e + 1) Re
Un amplicatore con unimpedenza dingresso molto elevato pu`o essere ottenuto
sostituendo il transistor adoperato con un transistor Darlington, la cui struttura
base `e stata discussa in precedenza.
Si `e visto che per essa si ha:
2
hf e hf e1 hf e2
= (hf et )

Un emitter follower realizzato con un Darlington avr`a quindi unimpedenza dingresso estremamente elevata. Se ad esempio scegliamo Re = 5 k ed utilizziamo un
Darlington con hf et = 100 e quindi con hf e = 104 , avremo unimpedenza dingresso
di:
Rin = 5 107 = 50 M

8.2.7

Inseguitore demettitore: sommario delle caratteristiche

Da quanto abbiamo visto, linseguitore demettitore `e caratterizzato dalle seguenti


espressioni approssimate per i parametri:
Av
=

Rb
rs + Rb

Rin
= hie + Re (1 + hf e )
Rb
Ai
(1 + hf e )
=
Rin
rs + hie
Ro
=
1 + hf e
Il guadagno in tensione `e positivo ed inferiore ad 1; limpedenza dingresso `e elevata;
il guadagno in corrente `e elevato; limpedenza duscita bassa.
Ad esempio, con la seguente scelta dei valori dei componenti:
Rb = 880k
Re = 7k
rs = 20k

8.3 Amplicatore ad emettitore comune (CE)

191

hf e = 240
hie = 6400
troviamo:
Av = 0.98
Rin = 1.693 M
Ai = 125
Ro = 109
Notiamo che il calcolo `e stato eettuato in assenza di carico. Questo equivarrebbe ad
una resistenza in parallelo ad Re (eventualmente con un accoppiamento capacitivo,
per non modicare il punto di lavoro del transistor). Se ad esempio avessimo un
carico di valore uguale ad Re , dovremmo, nelle relazioni precedenti, sostituire ad Re
un valore met`a. Con ci`o limpedenza dingresso diverrebbe:
Rin = hie +

8.3

Re
(1 + hf e ) = 849 k
2

Amplicatore ad emettitore comune (CE)

Il circuito base di un amplicatore CE `e mostrato in gura 8.6 (a), accanto al circuito


utilizzabile per il calcolo delle caratteristiche, mostrato in (b):

VCC
ic

ib

Rc

rs

VO

rs

ic

hie

VS

B
VS

hfeib

RC

(a)

(b)

Figura 8.6: (a) amplicatore ad emettitore comune. (b) circuito equivalente adoperato per il
calcolo delle caratteristiche dellamplicatore

Il guadagno in corrente `e dato da:


Ai =

ic
hf e ib
=
= hf e
ib
ib

La resistenza dingresso (senza tener conto di rs ) `e poi:


Ri =

vbe
= hie
ib

192

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

Il guadagno in tensione Av pu`o esser ottenuto dalla relazione (valida sempre):


Av = Ai

Rc
Ri

Per dimostrarla, basta riscrivere Av come:


Av =

Rc
vo
vo /Rc Ri
vo /Rc Rc
ic Rc
=
=
=
= Ai
vb
vb /Rc Ri
vb /Ri Ri
ib Ri
Ri

(poich`e vo = Rc ic ).
Ne segue:
Av = hf e

Rc
(negativo)
hie

Possiamo ricalcolare Av tenendo conto della resistenza rs della sorgente:


Avs

vb
hie
vc
vc vb
=
= Av = Av
vs
vb vs
vs
rs + hie

Ovviamente, se limpedenza duscita del generatore, rs , `e trascurabile, ritroveremo Avs = Av .


Per calcolare inne limpedenza duscita Ro , poniamo al solito vs = 0, Rc =
; immaginiamo poi di applicare un segnale di tensione v tra collettore e massa,
calcoliamo la corrente assorbita i e deniamo Ro come:
Ro =

v
i

Notiamo che, nel nostro circuito, con vs = 0 si ha ib = 0 e quindi ic = hf e ib = 0.


Ne segue:
Ro =
In realt`a, limpedenza duscita non sar`a innita, se teniamo conto del parametro
hoe che compare nel modello a parametri h completo. In tal caso si pu`o vedere che
limpedenza duscita `e allincirca uguale ad 1/hoe , che `e dellordine di 10 k.

8.4

Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore

Laggiunta di una resistenza sullemettitore aiuta a stabilizzare il punto di lavoro


rispetto a variazioni nei parametri del transistor, ed in particolare rispetto a variazioni di = hf e . Se infatti il del transistor aumenta, ci`o avr`a come conseguenza
un aumento della corrente di collettore e di emettitore. Tale aumento dar`a luogo
ad una maggiore caduta di potenziale ai capi della resistenza di emettitore e, se il
potenziale di base `e ssato da un partitore, ad un minor valore di VBE e quindi ad
una minore corrente (feedback negativo).
Abbiamo gi`a visto che il guadagno in tensione di un common-emitter `e: Av =
hf e Rc /hie . Facciamo ora vedere che laggiunta di una resistenza sullemettitore fa
si che il guadagno in tensione divenga:

8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore

Av =

193

Rc
Re

e quindi indipendente dai parametri del transistor, ma dipendente soltanto dalle


resistenze esterne Rc ed Re .
Usiamo ancora una volta il modello a parametri h semplicato (cio`e ignoriamo
hre ed hoe ) e calcoliamo i parametri Ai , Ri , Av , Ro dellamplicatore (vedi gura 8.7).
ib

ic

hie

rs

hfeib

vi

ie

Re

vo

RC

VS

Figura 8.7: Circuito equivalente (a parametri h) adoperato per calcolare le caratteristiche


dellamplicatore CE con una resistenza inserita tra emettitore e massa

Avremo:
Ai =
Ri =

ic
= hf e
ib

vi
hie ib + Re (ib + ic )
=
= hie + Re (1 + hf e )
ib
ib
Av = Ai

Rc
hf e Rc
=
Ri
hie + Re (1 + hf e )

e se, come quasi sempre accade, `e: Re (1 + hf e ) hie , si avr`a:


Av =

hf e Rc
Rc

1 + hf e Re
Re

La resistenza duscita sar`a uguale a quella relativa al caso in cui Re era assente.
Notiamo che il guadagno in tensione `e minore di quello che si aveva in assenza
di Re (era uguale a hf e Rc /hie ).

8.4.1

Esempio

Consideriamo lamplicatore CE di gura 8.8.


Il transistor adoperato ha un hf e = 50. I condensatori C1 e C3 , di valore molto
grande (50 F , hanno lo scopo di disaccoppiare lamplicatore dal resto del circuito
(compreso il generatore) per ci`o che riguarda le tensioni e correnti stazionarie.
Il condensatore C2 , posto in parallelo alla resistenza di emettitore, fa si che
lemettitore sia realmente a massa per il segnale (non per la componente continua).

194

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

+VCC=24V

3.8k Rc
50k

R1

C3

C1

50

50
1k
ii

10k R3

10k R2
2.2k Re

C2

RL

50

Figura 8.8: Amplicatore ad emettitore comune


Il generatore adoperato `e stato schematizzato come un generatore ideale di corrente
in parallelo con la propria resistenza interna.
Analizziamo dapprima il punto di lavoro del transistor. Dal punto di vista
delle tensioni e correnti quiescenti, la parte del circuito posta a sinistra della linea
tratteggiata pu`o esser sostituita dal suo equivalente di Thevenin:
Rth =

R1 R2
R2
= 8.3 k , Vth =
24 V = 4 V
R1 + R2
R1 + R2

Nella gura 8.9 abbiamo indicato le altre grandezze rilevanti ai ni del calcolo
delle correnti: VD ed Re .
IB

B
Rth
VD=0.7V

Vth
IE

Re

Figura 8.9: Schema adoperato per il calcolo delle correnti quiescenti nel transistor di gura 8.8.
Rth `e il parallelo di R1 ed R2 . VD schematizza la giunzione di emettitore
Poich`e si ha:
IE = (hF E + 1) IB

8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore

195

avremo:
Vth = Rth IB + VD + Re (hF E + 1) IB
da cui:
IB =
e quindi:

4 0.7
= 0.027 mA
8.3 + 51 2.2

IE = 0.027 (hF E + 1)
= 1.4 mA

Ne segue:
VCE 24 IE (Rc + Re ) = 15.6 V
e poi:
hie = rbb + hf e re
= hf e re
= hf e

25
= 0.893 k
IE (mA)

Calcoliamo ora Ai (ignorando hre ed hoe ). Il circuito equivalente `e quello di


gura 8.10.
ib

ic

C
iL

R3

ii

Rth

hie

hfeib

RC

RL

Figura 8.10: Circuito equivalente a parametri h adoperato per il calcolo dei parametri
dellamplicatore CE di gura 8.8. Sono stati trascurati i parametri hre ed hoe
Avremo:
ib = ii

(R3 Rth hie )


= 0.835ii
hie

Ai =
mentre `e:
iL = hf e ib
da cui:

iL
iL ib
iL
=
=
0.835
ii
ib ii
ib

RL Rc
1
Rc

= hf e ib
RL + Rc RL
RL + Rc
iL
Rc
= hf e
ib
RL + Rc

e si ottiene inne:
Ai = 0.835 50

3.8
= 33.0
1 + 3.8

196

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

(Notare che il segno (-) deriva dal fatto che stiamo considerando la corrente che
dal collettore uisce verso massa attraverso il carico. In precedenza si era considerata
la corrente entrante nel collettore).
Limpedenza dingresso `e il parallelo di hie , di Rth e della resistenza da 10 K:
Rin = 10k 8.3k 0.89k = 0.746k
Limpedenza duscita `e semplicemente Rc = 3.8k.
Il guadagno in tensione `e:
RL
Av = Ai
Ri
(ora con il segno (+), vista la convenzione adoperata per Ai ) cio`e:
Av = 33

1
= 44.0
0.746

Vediamo ora come si modichino i valori ottenuti, se si tiene conto dei parametri
hre ed hoe , che nora sono stati ignorati.
Ammettiamo dunque che sia:
hre = 104 , hoe = 104 S
Il circuito equivalente ora diventa quello di gura 8.11.

ib

hie
ii

10k

8.3k

hrevce

hfeib

hoe-1

3.8k 1k v
ce

Figura 8.11: Circuito equivalente a parametri h adoperato per il calcolo dei parametri
dellamplicatore CE di gura 8.8. Sono stati inclusi anche i parametri hre ed hoe
Le due resistenze in parallelo nella maglia dingresso possono essere sostituite
con la resistenza equivalente (4.53 K). Analogamente, la resistenza 1/hoe e quella da
3.8 K nella maglia duscita possono esser sostituite con lunica resistenza da 2.75 K.
Si ottiene cos` un circuito pi`
u semplice gura 8.12.
Dallanalisi del circuito duscita otteniamo:
i = hf e ib +
da cui:

vce
1k i
= hf e ib
2.75k
2.75k

1
i 1+
2.75


= hf e ib

8.4 Amplicatore CE con una resistenza sullemettitore

B ib

197

hie
ii

iL

4.53k

hrevce

2.75k

hfeib

vce
1k

Figura 8.12: Semplicazione del circuito equivalente a parametri h di gura 8.11 adoperato
per il calcolo dei parametri dellamplicatore CE di gura 8.8.

che, con hf e = 50, d`a:


i = 36.7 ib
e poi:
iL = i = 36.7 ib (mA)
vce = RL iL = 36.7 103 ib (V )
Lanalisi del circuito dingresso fornisce:
vb = 104 vce + hie ib = 104 36.7 103 ib + 890ib
= 890ib
Il guadagno in corrente sar`a:
Ai =

iL
iL ib
iL ib vb
=
=
ii
ib ii
ib vb ii

con:

iL
= 36.7
ib
1
ib
(S)
=
vb
890
per calcolare Ai ci serve ancora vb /ii . Ora, dal circuito dingresso troviamo:
ii = ib +

vb
vb
vb
vb
=
+
=
4.53k
890 4530
744

ed inne:

vb
= 744.0
ii

Quindi:
744
= 30.7
890
mentre prima si era trovato Ai = 33.
Calcoliamo ora, tenendo conto di tutti i parametri, la resistenza dingresso Ri .
Ridisegniamo a tale scopo il circuito equivalente, come mostrato in gura 8.13.
Dalla maglia dingresso si ha:
Ai = 36.7

Ri =

vb
hie ib + hre vce
=
ib
ib

(8.5)

198

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

ib

-iL

hie

rs

v1

i'

hrevce

vs

hfeib

C
iL

1/hoe

vce

Figura 8.13:

Circuito equivalente adoperato per il calcolo della resistenza dingresso


dellamplicatore CE di gura 8.8

e, dalla maglia duscita:


vce = RL iL
con:
iL = (hf e ib + vce hoe )
da cui:
vce = RL (hf e ib + vce hoe )
che porta a:
vce (1 + RL hoe ) = RL hf e ib
da cui:

vce
RL hf e
=
ib
1 + RL hoe
Questa, sostituita nella 8.5, d`a:
Ri = hie

hre hf e RL
1 + RL hoe

Con i valori dei parametri h dati e facendo uso anche del valore di RL = 1K,
troviamo:
Ri
= hie 5 ()
cio`e una correzione piccolissima rispetto al valore precedente che, ignorando R1 ,
R2 , e la resistenza da 10 K, era appunto hie .
Il guadagno in tensione sar`a ottenibile poi dalla solita relazione:
Av = Ai

RL
Ri

Si trova:
Av = 34.5
Calcoliamo inne limpedenza duscita Ro :
Ro

vce
(vs = 0)
iL

dove:
iL = hf e ib + vce hoe

(8.6)

8.5 Amplicatori in cascata

199

ib `e calcolabile dalla maglia dingresso (con vs = 0):


v1 = rs ib = hie ib + hre vce
da cui:
ib =

hre vce
rs + hie

che, sostituita nella 8.6 fornisce:


hf e hre
= vce
iL = vce hoe vce
rs + hie

(rs + hie )hoe hf e hre


rs + hie

e limpedenza duscita:
Ro =

vce
rs + hie
=
iL
(rs + hie )hoe hf e hre

che, essendo tipicamente hf e hre hoe (rs + hie ), `e uguale a 1/hoe .

8.5

Amplicatori in cascata

Pi`
u stadi damplicazione possano esser posti in cascata per aumentare il guadagno
o anche semplicemente per orire un guadagno corrispondente a quello di un singolo
stadio CE, unito ad una bassa impedenza duscita quale quella oerta da un emitter
follower.
Esaminiamo ad esempio il circuito di gura 8.14.
VCC
R1 40k

5k

Rc1

v2
rs
1k
vs

ib2
ic1

ib1
R2 40k

vo

ie2
100 Re1

5k

Re2

-VEE

Figura 8.14: Amplicatori in cascata: un CE `e seguito da un inseguitore di emettitore


Notiamo che il primo stadio `e un CE con una piccola resistenza sullemettitore,
mentre il secondo `e un emitter-follower. Il guadagno in tensione di tale amplicatore
`e:
vo
vo v2
Av =
=
= Av1 Av2
v1
v2 v1
cio`e il prodotto dei guadagni dei singoli stadi.

200

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

Se si tiene conto della resistenza interna del generatore e si denisce in tal modo
un nuovo guadagno Avs :
Avs


v1
Ri1
vo
vo v1
=
= Av = Av

vs
v1 vs
vs
rs + Ri1


dove Ri1
`e la resistenza dingresso del primo stadio.

Tale relazione segue dal fatto che le resistenze rs ed Ri1
costituiscono un partitore.

Notiamo che Ri1 `e la resistenza dingresso del primo stadio, che `e il parallelo di
R1 R2 con la resistenza Ri1 = hie + Re1 (1 + hf e ).
Facendo uso dei valori numerici delle resistenze ed assumendo un hf e di 100,
troviamo (con hie = 2k):

R1 R2 = 20k
Ri1 = 2 + 101 0.1 = 12.1k
12.1 20

Ri1
=
= 7.54k
12.1 + 20
per cui:


Ri1
7.54
= Av
= 0.88Av

Ri1 + rs
8.54
Per calcolare il guadagno in tensione del primo stadio, facciamo uso della relazione che esprime tale guadagno in funzione del guadagno in corrente, della resistenza dingresso e di quella che costituisce il carico dello stadio 1 :

Avs = Av

RL
(8.7)
Ri
Con Ri =resistenza dingresso ed RL =carico totale.
Nel caso del primo stadio la resistenza Ri1 `e gi`a stata calcolata, mentre RL `e
rappresentata dal parallelo di Rc1 e della resistenza dingresso del secondo stadio.
Questultimo ha:
Av = Ai

Ri2 = hie + (1 + hf e )Re2 = 2 + 101 5 = 507k


Per cui:
RL1 = Ri1 Rc1 = 4.95 k
Poich`e daltronde il guadagno in corrente del primo stadio `e hf e = 100,
avremo:
RL1
Av1 = 100
= 40.9
Ri1
Il guadagno in corrente del secondo stadio, cio`e il rapporto tra la corrente di
emettitore e quella di base `e chiaramente 1 + hf e . Il guadagno in tensione dellemitter follower `e stato gi`a calcolato in precedenza. Nel caso in esame, siamo interessati
al guadagno intrinseco dellEF, cio`e a quello che si ha per un valore dellimpedenza duscita dello stadio che lo precede uguale a zero. Ponendo quindi rs = 0
nellespressione di Av2 , otteniamo:
Av2 =
1

(1 + hf e )Re2
hie + (1 + hf e )Re2

Per la dimostrazione della 8.7 si veda lultima sezione di questo capitolo.

8.5 Amplicatori in cascata

201

e, poich`e il denominatore di tale espressione `e anche la resistenza dingresso dello


stadio, Ri2 , otteniamo:
Ri2 hie
hie
Av2 =
= 1
Ri2
Ri2
Sostituendo i valori numerici: Ri2 = 507k e hie = 2k, si trova:
2
= 0.996
507
Il guadagno complessivo di tensione `e quindi:
Av2 = 1

Av = Av1 Av2 = 40.9 0.996 = 40.74


Calcoliamo ora il guadagno in corrente. Questo non `e uguale al prodotto dei
guadagno in corrente dei singoli stadi, poich`e non tutta la corrente in uscita dal
collettore del primo stadio entra nella base del secondo. Ci`o `e evidente dallo schema
equivalente di gura 8.15:
C1

i b2

ic 1
Rc1

Ri

Figura 8.15: Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno in corrente complessivo
dellamplicatore di gura 8.14. Ri2 `e limpedenza dingresso del secondo stadio; questa `e in
parallelo alla resistenza di collettore del primo stadio.

In tale schema Ri2 `e limpedenza dingresso del secondo stadio. Si vede facilmente
che:
Rc1
5
ib2
=
=
= 9.77 103
ic1
Rc1 + Ri2
5 + 507
Il guadagno complessivo in corrente `e:
Ai =

ie2
ie2 ib2 ic1
=
ib1
ib2 ic1 ib1

dove la prima e lultima delle frazioni a secondo membro sono i guadagni in


corrente del secondo e del primo stadio rispettivamente. Si ha quindi:
Ai = Ai2

ib2
Ai1 = (hf e + 1) 9.77 103 (hf e ) =
ic1
= 101 9.77 103 100 = 98.6

Calcoliamo inne limpedenza duscita dellamplicatore. Per un emitter-follower,


quale `e lo stadio nale del nostro circuito, questa `e:
Ro =

Rs + hie
1 + hf e

202

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

dove Rs `e limpedenza duscita della sorgente che alimenta lemitter-follower. Nel


nostro caso questa `e limpedenza duscita del primo stadio (Ro1 = 5k). Ne segue:
Ro =

5+2
= 69
101

Limpedenza duscita calcolata tenendo conto anche della resistenza sullemettitore `e poco diversa:
Ro = 69 5000 = 68
Riassumendo, abbiamo un amplicatore con unimpedenza dingresso:

= 7.54k
Ri = Ri1

unimpedenza duscita:

Ro = 68

un guadagno in tensione, tenendo conto della resistenza duscita del generatore


(rs = 1k):
Avs = Av 0.88 = 40.74 0.88 = 35.8
ed inne un guadagno in corrente:
Ai = 98.6

8.6

Amplicatore in base comune

La congurazione base di un amplicatore di questo tipo `e quella mostrata nella


gura 8.16(a).
ie

ic

ie

RL

ri

Vi

iL

Cb

ri
vi

R2

R1

hfeib

ic

i'
hie

VCC

ib

1/hoe

iL

RL

vout

(a)

(b)

Figura 8.16: (a) amplicatore in base comune. (b) circuito equivalente adoperato per il calcolo
dei parametri dellamplicatore.

Il segnale dingresso `e applicato allemettitore. Il condensatore di bypass Cb fa


si che la base sia cortocircuitata a massa per il segnale, mentre le resistenze R1 R2
garantiscono una corretta polarizzazione del transistor. Il segnale di tensione in
uscita `e quello tra collettore e massa (ovvero tra collettore e base).
Per calcolare i parametri di questo amplicatore, facciamo uso del modello a
parametri h. A rigore, dovremmo far uso dei parametri h relativi alla congurazione

8.6 Amplicatore in base comune

203

base comune, cio`e hib , hf b , hrb , hob . Tuttavia possiamo, con un semplice riarrangiamento dei componenti, far uso dei parametri relativi alla congurazione emettitorecomune, hie , hf e , hre , hoe . Inoltre, essendo hre molto piccolo, trascureremo il suo
contributo.
Essendo poi la base cortocircuitata a massa dalla capacit`a Cb , potremo ignorare
le resistenze di polarizzazione R1 ed R2 . Si ottiene allora il circuito equivalente
mostrato nella parte (b) della gura.
Calcoliamo ora i parametri di tale amplicatore.

8.6.1

Guadagno in corrente

Questo `e dato da:


Ai =

iL
ie

dove:
iL = ic = (hf e ib + i )
ed inoltre:
i = (vcb veb )hoe = (vout veb )hoe = (RL ic + hie ib )hoe
da cui segue:
iL = (hf e ib RL ic hoe + hie ib hoe ) = (hf e ib + RL iL hoe + hie ib hoe )
Da questa si ha poi:
iL (1 + RL hoe ) = ib (hf e + hie hoe )

(8.8)

dove `e inoltre:
ib = (ie + ic ) = ie + iL
per cui:
iL (1 + RL hoe ) = ie (hf e + hie hoe ) iL (hf e + hie hoe )
e quindi:
iL (1 + RL hoe + hf e + hie hoe ) = ie (hf e + hie hoe )
ed inne:
Ai =

iL
hf e + hie hoe
=
ie
1 + hf e + hoe (hie + RL )

poich`e hoe
= 104 105 , vediamo che, con hie 2k ed RL 10k, i termini che
contengono hoe possono esser trascurati, e si ottiene:
Ai
=

hf e
=1
1 + hf e

204

8.6.2

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

Impedenza dingresso

Limpedenza dingresso `e:


Ri

veb
hie ib
hie
hie
=
=
=
ie
ib + ic
1 + ic /ib
1 iL /ib

dove iL /ib pu`o esser ottenuto dalla 8.8:


iL
hf e + hie hoe
=
ib
1 + RL hoe
per cui si ottiene:
Ri =

1+

hie
hf e +hie hoe
1+RL hoe

hie (1 + RL hoe )
1 + (RL + hie )hoe + hf e

anche qui i termini proporzionali ad hoe possono essere trascurati rispetto agli
altri; si ottiene quindi:
hie
Ri
=
1 + hf e
che, per i valori tipici: hie
= 2k, hf e
= 100, vale:
Ri
= 20

8.6.3

Guadagno in tensione

Il guadagno in tensione Av `e ottenibile dalla solita relazione:


Av = Ai

hf e
RL
RL
RL
=
= hf e
Ri
1 + hf e hie /(1 + hf e )
hie

dove abbiamo trascurato i termini proporzionali ad hoe . Tali termini non possono
esser trascurati nel calcolo di Ro .

8.6.4

Impedenza duscita

Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di applicare ai terminali duscita


(cio`e agli estremi cui `e ssata RL , dopo aver rimosso RL ) un generatore di corrente
ic , come mostrato in gura 8.17.
Cortocircuitiamo il generatore indipendente vi (ma non la sua resistenza interna
ri ) e calcoliamo la dierenza di potenziale che risulta tra collettore e base: vcb .
Avremo ovviamente:
vcb = vce + veb
(8.9)
con:
vce =

i
= (ic hf e ib ) /hoe
hoe

(8.10)

veb
hie

(8.11)

ed anche:
ib =

8.6 Amplicatore in base comune

205

hfeib

ic

ic

i'
ri

ie

hie

ic

1/hoe

ib

Figura 8.17:

Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita


dellamplicatore CB di gura 8.16

ie =

ic = (ie + ib ) = veb

veb
ri

1
1
+
ri hie

(8.12)

= veb

ri + hie
ri hie

(8.13)

La 8.11 e la 8.13 danno ib in funzione di ic :


ib =

ri
ic
ri + hie

Sostituendo questa nella 8.10:




ic
ri hf e
1+
vce =
hoe
ri + hie
Mentre la 8.13 fornisce:
veb =

ri hie
ic
ri + hie

Segue allora dalla 8.9:



vcb = vce + veb = ic
e quindi:
vcb
1
Ro =
=
ic
hoe
=

1
hoe

ri hf e
1+
ri + hie

hie + ri (1 + hf e )
ri + hie


+

ri hie
+
ri + hie

ri hie
=
ri + hie

1
[ri hie hoe + hie + ri (1 + hf e )]
hoe (ri + hie )

Se ri = 0, questa diventa:
Ro =

1
hoe

206

8.7

Capitolo 8. Amplicatori a transistor bipolari

Relazione tra guadagno in corrente ed in tensione

Per dimostrare in modo generale la relazione:


Av = Ai

RL
Ri

facciamo riferimento al circuito equivalente di gura 8.18:

ii

vi

io

Ri

vo

RL

Figura 8.18: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della relazione tra guadagno in
corrente ed in tensione di un generico amplicatore. Ri `e la resistenza dingresso; RL il carico
presente alluscita

Vediamo facilmente che `e:

vi
Ri
vo
io =
RL
ii =

da cui:
Ai

io
vo Ri
=
ii
vi RL

Av =

vo
RL
= Ai
vi
Ri

e quindi:

Capitolo 9

Caratteristiche dei FET ed


amplicatori a FET
9.1

Introduzione

Abbiamo visto nellintroduzione al capitolo 5 che, negli anni in cui si eettuarono


i primi esperimenti che avrebbero portato allinvenzione del transistor, si seguivano
due diverse linee di ricerca. Una delle due, perseguita in particolare da Shockley,
era quella di modulare la corrente in una sottile striscia di semiconduttore, mediante
lapplicazione di una campo elettrico variabile, perpendicolare alla striscia medesima.
Si dice che quando, con il contributo determinante dello stesso Shockley, f`
u
inventato il transistor bipolare a giunzione (non basato su tale idea) Shockley fosse
alquanto deluso. La sua idea f`
u tuttavia perseguita e si arriv`o inne, verso la ne
degli anni 50, allinvenzione del transistor a giunzione ad eetto di campo (JFET)1 .
In questo capitolo, dopo aver discusso la struttura base dei JFET e poi dei MOSFET, passeremo ad esaminare in dettaglio le caratteristiche dei JFET e discuteremo
alcune semplici applicazioni di tali dispositivi come amplicatori.
Analizzeremo in particolare la scelta del punto di lavoro e delle reti di polarizzazione, il calcolo della risposta per piccoli segnali a basse frequenze, ed inne i limiti
posti dalle capacit`a parassite e da quelle di accoppiamento, sulla banda passante.
Anche se le applicazioni che esamineremo saranno limitate ai JFET, che sono
dei tipici dispositivi a svuotamento, queste possono facilmente essere generalizzate
al caso dei MOSFET, sia a svuotamento che ad arricchimento. Nel seguito di questo
capitolo adopereremo il termine FET per JFET.
Per una trattazione pi`
u dettagliata dellargomento, si consulti le riferimenti ([10]),([7]),
([11]),([25]).

9.2

Struttura base dei JFET

Uno schema di massima di un JFET a canale n `e mostrato in gura 9.1.


In una barretta di semiconduttore di tipo n a debole drogaggio vengono impiantate,
sulle due facce opposte, due zone fortemente drogate p (p+ ). A queste due zone ven1

Quello realizzato aveva prestazioni decisamente modeste. Si dovette aspettare linizio degli
anni 70 perch`e i primi FET planari entrassero in uso

207

208

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET


Gate

p+
Drain

canale n

Source

p+

Figura 9.1: Rappresentazione schematica della struttura di un JFET. Le zone indicate in nero
costituiscono i contatti metallici. Con p+ sono indicate zone ad elevata concentrazione p.
gono applicati contatti metallici, che costituiscono lelettrodo di controllo (il gate).
Alle due estremit`a opposte della barretta vengono applicati due ulteriori elettrodi,
detti rispettivamente source e drain, tra cui scorrer`a, come vedremo, la corrente
che sar`a modulata da un opportuno potenziale applicato al gate.
In corrispondenza delle giunzioni tra il canale n e le due zone p+ si formano,
in assenza di tensioni applicate, due diodi. A causa della asimmetria del drogaggio,
la zona di svuotamento si estender`a in profondit`a allinterno della zona n.
Se, sempre in assenza di tensione applicata al gate, applichiamo una dierenza di
potenziale tra source e drain, con questultimo positivo rispetto al source, elettroni
uiranno nel canale n, dal source verso il drain; cio`e una corrente IDS passer`a nel
verso drain-source. Tale corrente sar`a, per piccoli valori di VDS , proporzionale a
questa. Ci`o `e illustrato nel tratto iniziale del graco di gura 9.2 (curva superiore
dove VGS `e tenuto a 0 Volt).

IDS

Vp

VGS = 0 V
VGS = -2 V

VDS

Figura 9.2: Caratteristica IDS -VDS di un JFET a canale n. Le curve mostrate si riferiscono a
valori diversi della dierenza di potenziale Gate-Source VGS

Se ora il gate `e tenuto ad una tensione negativa rispetto al source, le giunzioni

9.2 Struttura base dei JFET

209

(n p+ ) verranno ad esser polarizzate inversamente, la zona di svuotamento si


estender`a ancor pi`
u in profondit`a nel canale e di conseguenza la sezione del canale in
cui sono ancora presenti cariche libere (la zona conduttiva del canale) si restringer`a.
Diminuir`a quindi, a parit`a di VDS , la corrente IDS . Continuando ad aumentare la
u accentuata.
tensione inversa VGS , la diminuzione della corrente IDS sar`a sempre pi`
In altri termini, allaumentare della polarizzazione inversa VGS del gate, il dispositivo si comporta come una resistenza di valore sempre pi`
u elevato, come dimostrato
dal tratto iniziale della curva inferiore di gura 9.2 (relativa, a titolo di esempio, ad
un valore VGS = 2 Volt). Ci`o a condizione che VDS rimanga, come vedremo, al di
sotto di determinati valori.
Se VDS raggiunge un certo valore di soglia VP (con VP negativo) si trova che
la linearit`a della dipendenza di IDS da VDS viene meno, no a che la corrente non
diventa indipendente da VDS . Ci`o `e mostrato in gura 9.2.
Il simbolo adoperato per il JFET a canale n `e quello mostrato nella parte sinistra
di gura 9.3.

(canale n)

(canale p)

D
G

D
G

Figura 9.3: Simboli adoperati per i JFET. A sinistra: JFET a canale n; a destra: JFET a
canale p

Esistono JFET a canale p, in cui il drogaggio delle inserzioni laterali (gate) `e


n+. In tali transistor al gate v`a data una tensione positiva rispetto al source. Il
simbolo comunemente adoperato per tale JFET `e mostrato nella parte destra della
medesima gura. In entrambi i tipi di transistor il verso della freccia sul gate `e
quello che corrisponde ad una polarizzazione diretta della giunzione gate-canale.
Esaminiamo ora pi`
u in dettaglio cosa accade in un JFET a canale n quando, con
VDS = 0, alla giunzione gate-source venga applicata una polarizzazione inversa. In
tali condizioni, la zona di svuotamento si estende sempre pi`
u in profondit`a allinterno
del canale, la cui conducibilit`a `e adata alla parte dove continuano ad esser presenti
cariche libere. Ci`o `e mostrato nella parte superiore della gura 9.4. Ne segue che,
aumentando tale polarizzazione inversa, la resistenza del canale aumenta sempre
pi`
u. Si raggiunger`a inne una situazione in cui la resistenza del canale tra drain e
source diviene (teoricamente) innita. Si dice che il canale `e strozzato ed al valore
di VGS per cui ci`o avviene (negativo per un JFET a canale n, positivo per uno a
canale p) si da il nome di tensione di pincho, indicata comunemente con il simbolo
VP . Notiamo che la tensione di pincho `e la dierenza di potenziale tra il gate ed

210

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

il punto P indicato nella parte inferiore della gura 9.4, quando si sia raggiunta la
condizione per cui il canale `e strozzato.

Gate

p+
zona di svuotamento

Source

Drain

canale n
zona di svuotamento

p+

IDS

Gate

P
p+
zona di svuotamento

Source

canale n

Drain

zona di svuotamento

p+

IDS

Figura 9.4: Eetto sulla distribuzione delle cariche nel canale, dellapplicazione di una polarizzazione inversa VGS , con VDS =0. In Nella gura in basso la dierenza di potenziale `e tale da
causare il pincho del canale.

La condizione per cui la dierenza di potenziale tra gate e canale `e tale da


causare il pincho pu`o esser ottenuta anche se, mantenendo nulla VGS , aumentiamo
la dierenza di potenziale VDS . Infatti ci`o f`a aumentare la dierenza di potenziale
tra gate e canale, nella parte di questo pi`
u vicina al drain (quella dove il potenziale `e
pi`
u elevato). Ci`o `e mostrato nella parte superiore della gura 9.5, dove si pu`o notare
come la zona di svuotamento si sia deformata, avvicinandosi al drain. Continuando
ad aumentare VDS si raggiunge il pincho, come indicato nella parte inferiore della
gura. Il punto indicato con P in gura raggiunge un valore di potenziale tale che
VGP sia uguale alla tensione di pincho VP . In tali condizioni, essendo VGS = 0 la
dierenza di potenziale tra source e punto P diviene uguale a quella tra gate e punto
P. La dierenza di potenziale tra il punto P ed il drain sar`a molto piccola, per cui
avremo:
VDS = |VP |
Quindi |VP | pu`o anche esser denita come il minimo valore della dierenza di
potenziale tra drain e source che causa il pincho, con VGS = 0.

9.2 Struttura base dei JFET

211

Per valori di VDS superiori a |VP |, la corrente IDS rimane costante, come mostrato
in gura 9.2. Al valore di tale corrente per VDS = |VP | (con VGS = 0) si d`a il nome
di corrente di saturazione, indicata con il simbolo IDSS .
Se VGS `e diverso da zero (e, per un JFET a canale n, negativo) si trova che il
u piccoli.
pincho ha luogo per valori di VDS pi`
Ci`o `e consistente con il fatto che il pincho ha luogo in corrispondenza ad una
dierenza di potenziale denita tra gate e canale, e che tale dierenza di potenziale
`e determinata sia dal potenziale del gate che da quello del drain, rispetto al source.
Il valore di VDS che causa il pincho, per un generico valore di VGS , `e minore di
|VP |.
Se aumentiamo il valore di VDS al di sopra di |VP | troviamo che la dierenza di
potenziale del punto P di gura rispetto al source rimane uguale a VP , mentre una
dierenza di potenziale pari a VDS |VP | nasce tra il drain ed il punto P. Grazie a
questa dierenza di potenziale, gli elettroni provenienti dal source possono, una volta
raggiunto il punto P, dove inizia la zona di svuotamento, attraversarla e raggiungere
il drain.
V1
Gate

p+
zona di svuotamento

Source

canale n
Drain

zona di svuotamento

IDS

p+

VP0>V1
P
Gate

p+
zona di svuotamento

Source

canale n

zona di svuotamento

p+

Drain

IDS

Figura 9.5: Eetto sulla distribuzione delle cariche nel canale, dellapplicazione di una polarizzazione diretta VDS , con VGS =0. In Nella gura in basso la dierenza di potenziale `e tale da
causare il pincho del canale.

Landamento della corrente in funzione di VDS , per diversi valori di VGS , `e mostra-

212

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

to in gura 9.6. Le curve riportate sono relative a valori di VGS decrescenti andando
dallalto verso il basso.
Caratteristiche del JFET

IDS

10

15

20

25

30

VDS

Figura 9.6: Andamento della corrente IDS nel canale del JFET in funzione di VDS , per diversi
valori di VGS . Le curve riportate sono relative a valori di VGS decrescenti andando dallalto verso
il basso

Si pu`o notare la zona ohmica iniziale, quella in cui c`e linizio della riduzione del
canale e poi quella in cui le caratteristiche divengono orizzontali, nota come zona
di saturazione. Il valore di IDS in saturazione `e tanto pi`
u grande quanto minore il
valore di |VGS |.
La dierenza di potenziale in corrispondenza alla quale si ha linizio della saturazione `e data da:
V DS
= VGS VP
Ovviamente, per VGS = VP avremo V DS = 0. In tali condizioni si ha IDS = 0 per
qualsiasi valore di VDS (JFET interdetto).
In gura 9.6 la curva tratteggiata unisce i punti di pincho corrispondenti ai
diversi valori di VGS .
IL JFET pu`o essere adoperato come amplicatore nella zona in cui le caratteristiche sono delle rette orizzontali, cio`e nella zona di saturazione. Vediamo che in tale
zona una variazione della tensione applicata al gate: VGS , causa una variazione
nella corrente: IDS , indipendente dal valore di VDS . In altre parole, il JFET `e un
dispositivo attraverso cui si controlla una corrente con un segnale di tensione.
A dierenza del transistor bipolare a giunzione, in cui alla conducibilit`a contribuiscono sia elettroni che lacune, in un JFET i portatori di carica sono di un solo
segno: negativi per un JFET a canale n, positivi per uno a canale p. Di qui la
denominazione di dispositivi unipolari spesso adoperata per indicare i JFET.

9.2 Struttura base dei JFET

213

Poich`e il diodo (p+ n) `e polarizzato inversamente, limpedenza vista dal


generatore del segnale di tensione VGS = vgs `e molto elevata e la corrente che
uisce tra gate e canale `e sostanzialmente nulla. Questo `e un importante vantaggio
del FET rispetto ai normali transistor bipolari.
Aumentando ulteriormente la tensione VDS si raggiunge un valore in corrispondenza al quale la corrente IDS aumenta molto rapidamente. Ci`o `e legato al fatto
che per tale valore di VDS la dierenza di potenziale tra gate e canale aumenta cos`
tanto da causare un processo a valanga (breakdown). Il valore di VDS a cui avviene
il breakdown dipende quindi anche da VGS . Indicando con BVDS la tensione di
breakdown, si trova che essa dipende da VGS come segue:
|BVDS | = |VBR | |VGS |
dove con |VBR | abbiamo indicato la dierenza di potenziale tra il gate ed il punto P
di gura 9.4 che causa il breakdown della giunzione. Tensioni tipiche di breakdown
sono nel range 20 100 V olt.
Riassumendo, possiamo distinguere, nel funzionamento del JFET, tre zone distinte:
(a) La zona ohmica, in cui la dierenza di potenziale drain-source `e piccola ed il
canale `e ancora aperto. La corrente di drain in tale zona pu`o essere espressa
come:


2
ID = Kp 2 (VGS VP ) VDS VDS
per 0 < VDS (VGS VP ).
Questa, per VDS |VP | pu`o esser approssimata come:
ID = Kp [2 (VGS VP ) VDS ]
La costante Kp `e poi data da:
Kp =

IDSS
VP2

(b) La zona di saturazione, VDS > (VGS VP ), in cui la corrente IDS non dipende
da VDS . La corrente in tale zona `e data da:
ID = Kp (VGS VP )2
dove, per un JFET a canale n deve essere: VP VGS 0.
Il luogo dei punti di pincho, cio`e della curva che separa la zona ohmica da
quella di saturazione, pu`o esser ottenuto da tale equazione ponendo VGS =
VDS + VP :
2
ID = Kp VDS
che `e lequazione di una parabola.
(c) La zona di interdizione. Questa `e la zona in cui la dierenza di potenziale VGS
`e minore di VP (dove, per un JFET a canale n, VP `e negativo). In tale zona
la corrente `e nulla, ID = 0.
(d) La zona di breakdown, in cui la dierenza di potenziale VDS applicata `e cos` elevata da causare un brusco aumento della corrente ed eventualmente la rottura
del dispositivo.

214

9.3

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Struttura base dei MOSFET

I MOSFET, o Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Eect-Transistor, esistono in una


notevole variet`a di strutture: a canale n, a canale p, ad arricchimento, a svuotamento.
Esaminiamo, per cominciare, la struttura di un MOSFET a canale n ad arricchimento (n channel enhancement) noto come NMOS. Questa `e mostrata in
gura 9.7.

S
Al
SiO2
n+

G
Al
SiO2
-------------------------------

D
Al
SiO2
n+

substrato p

Figura 9.7: Struttura base di un MOSFET. Sono indicati i contatti metallici esterni (Alluminio),
lo strato di biossido di silicio, le zone con drogaggio n+ , il substrato p. Il canale tra le due
zone n+ `e indicato in tratteggio.
Due regioni n+ ad elevato drogaggio sono inserite in un substrato di tipo p. La
supercie superiore `e coperta da un sottile strato di biossido di silicio, eccezion fatta
per due inserzioni metalliche (Al) che costituiscono i contatti esterni delle zone n+ .
La prima di queste costituisce il Source, la seconda il Drain. Sulla parte centrale
della zona di SiO2 esiste un ulteriore elettrodo dalluminio (il Gate). Inferiormente
esiste un ultimo elettrodo, quello del Substrato.
Normalmente il source ed il substrato sono uniti insieme, mentre il gate `e tenuto
ad un potenziale positivo rispetto al source. Anche il drain `e tenuto ad un potenziale
positivo rispetto al source.
Notiamo ora che, prima che tali potenziali vengano applicati, elettroni diondono dalle zone n+ verso la zona p del substrato. Se ora il gate `e portato ad un
potenziale positivo rispetto al source (ed al substrato), questi elettroni vengono attratti nella parte di substrato compresa tra drain e source, aumentando in tal modo
la conducibilit`a di tale regione e creando un canale conduttivo. La dierenza di

9.3 Struttura base dei MOSFET

215

potenziale applicata tra drain e source causer`a allora un passaggio di corrente nel
verso drain-source. La minima dierenza di potenziale VGS per cui ci`o avviene `e
detta tensione di soglia ed indicata con il simbolo Vt .
Allaumentare di VDS , con VGS costante e maggiore di Vt , la corrente aumenta.
Il sistema si comporta come una resistenza (in modo analogo al JFET nella zona
ohmica). Questa `e quindi la zona ohmica del MOSFET.
Notiamo ora che laumento di VDS , cio`e di VD , causa una diminuzione del valore
relativo della tensione di gate rispetto a quella del canale in prossimit`a del drain, il
che a sua volta causa un restringimento del canale in tale zona.
Quando VDS diviene abbastanza grande e VDG diventa inferiore a Vt (cio`e: VDG =
VGS VDS Vt ) si ha un pincho, analogo a quello gi`a visto nel caso del JFET.
Ogni ulteriore aumento di VDS non causa sostanziali incrementi nella corrente IDS .
Il MOSFET `e entrato nella zona di saturazione.
La caratteristica completa del MOSFET, cio`e la dipendenza funzionale di IDS
da VDS , per VGS costante, `e mostrata in gura 9.8.
IDS

Zona
ohmica

Zona di saturazione
.

VGS = costante > Vt

VGS-Vt

V DS

Figura 9.8: Caratteristica di un MOSFET: IDS in funzione di VDS per VGS = costante. Sono
indicate la zona di saturazione (VGS > Vt ) e quella ohmica.

Continuando ad aumentare VDS si raggiunge un punto in cui si verica il breakdown del MOSFET e la corrente aumenta molto per ulteriori piccoli aumenti di
VDS . Ci`o `e del tutto analogo a quanto accade nel caso del JFET. Valori tipici della
tensione di breakdown vanno da alcune decine di Volt a circa 100 Volt.
Il simbolo del MOSFET ad arricchimento a canale n, `e quello di gura 9.9.
La gura(a) mostra il simbolo completo, dove sono indicati i terminali di source
(S), drain (D), gate (G) e substrato o body (B). Il verso della freccia `e quello che
corrisponde al diodo substrato-regione n+ . La gura (b) `e il simbolo abbreviato,
adoperato quando il substrato `e unito al source. Ora il verso della freccia `e quello
della corrente nel FET.

216

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET


D

G
S

(a)

(b)

Figura 9.9: Simboli adoperati per un MOSFET ad arricchimento a canale n: (a) il simbolo
completo; (b) simbolo abbreviato, adoperato quando il substrato `e unito al source.
Notiamo che, essendo il gate completamente isolato, limpedenza vista guardando nel gate `e (teoricamente) innita. Nella pratica essa e molto grande ( 108 M).
Nella zona ohmica (VDS VGS Vt ), la caratteristica di trasferimento di un
NMOS pu`o esser espressa come:


2
IDS = KP 2 (VGS Vt ) VDS VDS

(9.1)

Per VDS VGS Vt , cio`e nella zona di saturazione, la caratteristica di trasferimento si ottiene da questa, sostituendo a VDS la grandezza VGS Vt . Infatti la corrente nella zona di saturazione `e quella raggiunta dalla corrente nella zona ohmica,
quando VDS raggiunge il valore VGS Vt . Si ha quindi:
IDS = KP (VGS Vt )2
Per VGS = 0 questa diventa:
IDS = KP Vt2 IDSS
dove IDSS `e la corrente che uisce tra drain e source quando VGS = 0 (corrente di
saturazione). IDSS `e molto piccola ( nA).
Segue dallultima relazione che la costante KP `e data da:
KP =

IDSS
Vt2

per cui:
IDS

IDSS
=
(VGS Vt )2 = IDSS
Vt2

VGS
1
Vt

2

Esiste il MOSFET a canale p ad arricchimento, in cui tutti i segni e le polarizzazioni sono invertiti rispetto a quello a canale n ora esaminato. Il funzionamento `e
altrimenti del tutto analogo.
I simboli adoperati per questo MOSFET (PMOS) sono mostrati in gura 9.10.
Notiamo che ora la corrente scorre nel verso source-drain (con il gate unito al source).
Esaminiamo ora un dispositivo a svuotamento, prendendo ad esempio un MOSFET a canale n, quale quello mostrato in gura 9.11.
Ora nella zona compresa tra le due regioni n+ esiste un canale n. In assenza di
tensione applicata al gate il dispositivo quindi condurr`a.

9.3 Struttura base dei MOSFET

217

B
G
S

(a)

(b)

Figura 9.10: Simboli adoperati per un MOSFET ad arricchimento a canale p: (a) il simbolo
completo; (b) simbolo abbreviato, adoperato quando il substrato `e unito al source.

Al

D
Al

Al

SiO2

SiO2
n+

SiO2
n+

substrato p

Figura 9.11: Struttura schematica di un MOSFET a canale n a svuotamento. Sono indicati


contatti metallici in alluminio, lo strato di biossido di silicio, le zone con drogaggio n+ , il canale n
che viene chiuso quando il gate `e tenuto ad un potenziale negativo rispetto al source.

Se il gate `e tenuto ad un potenziale negativo rispetto al source (unito al substrato), gli elettroni contenuti nella zona n del substrato vengono respinti. Di conseguenza si former`a una zona di svuotamento, cio`e un restringimento del canale.
Viceversa, se il gate `e tenuto ad un potenziale positivo, ulteriori elettroni saranno attratti verso lo strato superiore di SiO2 ; si avr`a un ulteriore allargamento del
canale, cio`e un aumento della conduttanza. In questo secondo caso si dice che il
transistor opera nel modo di arricchimento, nel primo, di svuotamento.
Ammettiamo ora di operare nel modo di svuotamento, cio`e con il gate tenuto
ad un potenziale negativo. Se la dierenza di potenziale VDS vien fatta aumentare,
la corrente aumenter`a dapprima in modo lineare (zona ohmica) ma, per ulteriori

218

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

aumenti di VDS si avr`a un fenomeno analogo a quello gi`a visto nei casi precedenti:
la dierenza di potenziale VDG aumenta, e ci`o causa un restringimento del canale in
prossimit`a del drain. Landamento della corrente IDS in funzione di VDS comincer`a
a deviare dalla linearit`a. Se la dierenza di potenziale VDS supera un certo valore, si
ha il pincho del canale e la corrente diverr`a, come nei casi precedenti, indipendente
da VDS . Questa `e la zona di saturazione del transistor.
Come nel caso del JFET, chiamiamo VP il valore di VDS che causa la saturazione
con VGS = 0. Questo `e anche il minimo valore di VGS che causa il pincho con
VDS = 0.
La corrente che uisce tra drain e source quando VGS = 0 e VDS = |VP | `e nota
come corrente di saturazione: IDSS .
La caratteristica di questo transistor nel piano IDS VDS , con VGS = 0 `e mostrata
in gura 9.12.
IDS
Zona di saturazione

Zona
ohmica

VGS = 0

V DS

VP

Figura 9.12: Caratteristica di un MOSFET: IDS in funzione di VDS per VGS = 0.


La saturazione si ha per valori di VDS tali che la dierenza di potenziale gatecanale in prossimit`a del drain uguagli VP . Cio`e:
VGD = VGS VDS = VP
o anche:
VDS = VGS VP
La caratteristica di trasferimento nella zona ohmica (0 < VDS VGS VP ) `e data
da:


2
IDS = KP 2 (VGS VP ) VDS VDS
che, per piccoli valori di VDS (VDS VP ) pu`o esser approssimata da:
IDS = KP [2 (VGS VP ) VDS ]

9.4 Caratteristiche dei FET

219

con:
KP =

IDSS
VP2

Nella zona di saturazione: VDS VGS VP , la dierenza di potenziale tra drain


e source `e maggiore della tensione di pincho e la corrente IDS diviene praticamente
indipendente da VDS . La corrente in tale zona pu`o esser ottenuta dallequazione
precedente ponendo: VDS = VGS VP . Si ottiene allora:
IDS = KP (VGS VP )2
Per un valore pressato di IDS questa equazione fornisce due valori diversi di
VGS , solo uno dei quali `e sicamente signicativo (VGS > VP per un FET a canale n;
VGS < VP per uno a canale p). Il luogo dei punti di pincho, che denisce il conne
tra la zona ohmica e quella di saturazione, si ottiene ponendo nellultima equazione:
VGS = VDS + VP
Si trova:

2
IDS = KP VDS

che `e lequazione di una parabola.


Il simbolo adoperata per il MOSFET a canale n a svuotamento `e quello mostrato
in gura 9.13. In (a) `e mostrato il simbolo completo, in (b) quello relativo al caso
in cui il source sia unito al substrato.
D

G
S
(a)

S
(b)

Figura 9.13: Simbolo adoperata per il MOSFET a canale n a svuotamento. In (a) `e mostrato
il simbolo completo, in (b) quello relativo al caso in cui il source sia unito al substrato.

Il simbolo adoperato per il MOSFET a canale p a svuotamento dierisce da


quello della gura solo per il verso delle frecce.

9.4

Caratteristiche dei FET

Le curve caratteristiche di un tipico FET a canale n sono mostrate in gura 9.14


dove v`a notato che, per un dispositivo a svuotamento quale il JFET, VGS deve esser
negativo.
I punti indicati con le labels A,B,C,.., sono i punti di pincho corrispondenti ai
vari valori di VGS .
La zona di saturazione inizia per VDS = VA se VGS = V1 , per VDS = VB se
VGS = V2 , etc..

220

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

15.0

IDS
VGS=V1

12.0

VGS=V2

B
9.0

VGS=V3

C
6.0

VGS=V4

3.0

VGS=V5

0. 0.

2.0

4.0

6.0

VDS

8.0

10.0

Figura 9.14: Caratteristiche tipiche di un JFET: `e riportata la corrente IDS in funzione di


VDS per valori diversi della dierenza di potenziale VGS . I punti indicati con A,B,.. sono i punti
di pincho relativi ai dati valori di VGS

0.4

IDS

0.3

0.2

1.5

0.5

VGS

Figura 9.15: Relazione tra IDS e VGS nella zona di saturazione

La caratteristica che esprime landamento di ID in funzione di VGS nella zona di


saturazione `e mostrata in gura 9.15.
Questa `e a volte espressa analiticamente nella forma:

IDS = IDSS


3/2 !
VGS
VGS
1+3
+2
VP
VP

(9.2)

9.4 Caratteristiche dei FET

221

che `e spesso approssimata con un andamento quadratico:



n
VGS
(9.3)
IDS = IDSS 1
VP
con n 2.
Come visto, un FET `e un dispositivo che controlla una corrente (la corrente
nel canale, IDS ) mediante una tensione (la dierenza di potenziale VGS tra gate e
source). Un parametro importante `e quindi la transconduttenza gm :
IDS
(9.4)
VGS
Facendo uso dellultima equazione (con n=2) si trova:
2
IDS IDSS
(9.5)
gm =
VP
La corrente IDS nella zona di saturazione non `e rigorosamente costante per VGS
ssato, ma dipende leggermente 2 anche da VDS . Scriveremo allora:
gm

ID IDS = f (VGS , VDS )


e, per piccole variazioni di VGS e VDS :
ID
ID
ID =
VGS +
VDS
VGS
VDS
cio`e, indicando con lettere minuscole le componenti variabili di correnti e tensioni:
id = gm vgs + gd vds

(9.6)

dove:

ID
(9.7)
VDS
`e la conduttanza dierenziale del canale nella zona di saturazione: gd = 1/rd .
Valori tipici di gm ed rd sono:
gd =

gm 3 mS
rd 100 k
Spesso rd `e cos` elevato da poter esser trascurato.
Confrontiamo la (9.6) con lanaloga equazione per il transistor bipolare nella
congurazione emettitore comune:
ic = hf e ib + hoe vce
con:
vbe = hie ib
da cui:

hf e
vbe + hoe vce
hie
Dal confronto vediamo che il parametro hf e /hie del transistor bipolare corrisponde al gm del JFET, mentre hoe corrisponde a gd .
Il gm tipico del FET `e (1 5) mS, mentre il parametro hf e /hie del transistor
bipolare vale (40 400) mS.
ic =

Ci`
o `e analogo a quanto accade nel caso dei transistor bipolari, a causa delleetto Early.

222

9.5

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Circuito equivalente del FET

Lequazione (9.6) della sezione precedente porta in modo immediato al circuito


equivalente di gura 9.16.

G
gm vgs

rd

Figura 9.16: Circuito equivalente del JFET. gm `e la transconduttanza del JFET; rd la resistenza
duscita.

Notiamo che limpedenza dingresso `e eettivamente innita, il che `e rappresentato dal gate che risulta isolato nello schema equivalente. Usando poi il teorema di
Thevenin, possiamo sostituire, come mostrato in gura 9.17, al generatore dipendente di corrente, in parallelo con la resistenza rd , un generatore di tensione, vgs ,
in serie con rd , dove = rd vgs .

rd

-gm rd vgs=- vgs

Figura 9.17: Circuito equivalente del JFET ottenuto da quello di gura 9.16, sostituendo al
generatore di corrente gm vgs in parallelo ad rd un generatore di tensione gm rd vgs in serie ad rd

Il parametro gd = 1/rd `e noto come conduttanza di drain o conduttanza


duscita. Il parametro `e anche uguale a:
=

VDS
|I =cost.
VGS DS

9.6 Schemi di polarizzazione per il FET

9.6

223

Schemi di polarizzazione per il FET

Uno schema tipico in cui un FET a canale n viene adoperato come amplicatore `e
quello mostrato in gura 9.18.

VDD
ID

Rd
D

VOUT

S
Rg

Rs

Figura 9.18: Schema di polarizzazione di un JFET adoperato come amplicatore. La resistenza Rg `e di regola molto grande. La resistenza Rs ha in parallelo un condensatore C di valore
abbastanza grande da costituire un corto per il segnale
Le resistenze Rg ed Rs servono a tenere il gate ad una tensione negativa rispetto
al source. Indicando con ID = IDS la corrente quiescente nel FET, si ha infatti:
VGS = VG VS = RS ID

(9.8)

VDD = Rd ID + VDS + Rs ID = (Rd + Rs ) ID + VDS

(9.9)

anche:
E

Il condensatore C `e un corto circuito per la componente variabile, mentre `e un


interruttore aperto per la corrente che polarizza il source.
Se sono dati VDD , Rd , Rs , Rg , `e immediato trovare il punto di lavoro, facendo
uso delle caratteristiche di uscita o dellespressione analitica di ID vs VGS :

2
VGS
ID = IDS = IDSS 1
(9.10)
VP
Infatti, dallequazione (9.8) si ha: ID = VGS /Rs e, uguagliando questa al
secondo membro della (9.10), si ottiene:

2
VGS
VGS
=
IDSS 1
VP
Rs

224

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

che `e unequazione quadratica nella variabile VGS . Risolta tale equazione si


ottiene VGS . Noto cos` VGS , ID si ottiene facendo uso della (9.10) e VDS facendo uso
della (9.9).
Consideriamo il seguente esempio:
VDD = 15 V , Rd = 620 , Rs = 380
Rg = 10 M , IDSS = 13 mA , VP = 4.4 V
Troviamo facilmente:
VGS = 1.77 V
(Lequazione quadratica ha anche la soluzione VGS = 10.94 cui per`o corrisponde
ID = 0).
Si ottiene da questa:
ID = 4.65 mA
ed inne:
VDS = VDD (Rd + Rs )ID = 10.35V
Allo stesso risultato si potrebbe arrivare, ssati i valori dei componenti, facendo
uso delle caratteristiche di uscita, mostrate in gura 9.19.
Caratteristiche di un J-FET

Vdd/(Rs+Rd)

IDS
VGS=0

IDSQ

Q (VGSQ)

VGS=V10
Vdd

VDSQ

VDS

Figura 9.19: Retta di carico per il JFET di gura 9.18, sovrapposta alle caratteristiche del
JFET (IDS in funzione di VDS per diversi valori di VGS ). La retta di carico `e caratterizzata dai
punti estremi: IDS = VDD /(Rs + Rd ) per VDS =0 e VDS = Vdd per IDS =0. Essa passa inoltre per
il punto di lavoro quiescente Q (VDSQ IDSQ )

9.6 Schemi di polarizzazione per il FET

225

Il valore di VDD ssa il punto della retta di carico corrispondente a ID = 0,


mentre il rapporto tra VDD ed (Rd + Rs ) ssa il punto corrispondente a VDS = 0.
Il punto di lavoro Q sar`a il punto dintersezione tra la retta di carico e la curva
caratteristica per la quale risulti essere:
ID =

VGS
Rs

Esaminiamo come secondo esempio il seguente.


Si vuol calcolare la rete di polarizzazione di un J-FET a canale n (BFW10) tale
che il punto di riposo abbia:
IDSQ = 6 mA , VDSQ = 10 V , VDD = 20 V
I parametri IDSS e VP , forniti dal costruttore, sono:
IDSS = 13 mA , VP = 4.5 V
Il circuito di polarizzazione `e il medesimo usato nellesempio precedente. Calcoliamo ora i valori dei componenti. Dallespressione analitica di ID vs VGS , troviamo:



ID
VGS = VP 1
IDSS


cio`e:
VGSQ = VP


1

che, con i valori numerici dati, fornisce:




VGSQ = 4.5 1

6
13

IDQ
IDSS


= 1.44 V

Con tale valore di VGSQ troviamo:


Rs =
Rd =

VGSQ
= 250
IDQ

VDD VDSQ Rs IDQ


20 10 0.25 6
=
1.4 k
IDQ
6

Il valore della resistenza Rg non `e molto importante. Esso pu`o essere scelto in
modo da ottimizzare il valore della resistenza dingresso dellamplicatore.
Teniamo ora conto del taglio in frequenza posto dalla presenza del condensatore
C. La costante di tempo associata al sistema Rs C:
= Rs C = 250 C
corrispondente ad una frequenza fmin = 1/(2 ).
Se si vuole adoperare lamplicatore a frequenze f maggiori di 40 Hz, dovremo
avere:

226

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

40 >

1
1
=
2
1500C

da cui:
1
16 F
40 1500
Per calcolare i valori dei componenti necessari per polarizzare un FET, `e possibile
alternativamente far uso della caratteristica mutua (IDS VGS ).
Consideriamo ad esempio il caso di un FET per il quale, dalla caratteristica
mutua, si possa desumere che per il valore di IDSQ voluto (10mA) sia VGS = 1V .
Se inoltre si vuole VDSQ = 10V e VDD = 20V , dalle solite equazioni (9.8) e (9.9) si
trova:
Rs = 100
C>

Rd = 900
Uno schema di polarizzazione alternativo `e quello che usa un partitore sul gate,
come mostrato in gura 9.20.
VDD

Rd

R1

Vout

R2

Rs

Figura 9.20: Schema di polarizzazione di un FET che utilizza un partitore per ssare la tensione
del gate. La congurazione `e quella source comune. La capacit`
a C sar`
a scelta di valore abbastanza
grande da costituire un corto alle frequenze di lavoro dellamplicatore

Si supponga di voler far uso di un J-FET a canale n BF256B, la cui caratteristica


di trasferimento `e mostrata in gura 9.21.
Si sia inoltre scelto:
Rs = 1 k , Rd = 3 k , R1 + R2 = 2 M , VDD = 25 V
e ssato VG a +2 V . Dalla maglia dingresso si ha:
VGS = VG Rs ID
dove:
VG =

R2
VDD
R1 + R2

(9.11)

9.7 Amplicatori a FET

227

10
IDS (mA)

5
(0,2mA)

-4

-2

(2V,0)

VGS

Figura 9.21: Retta di carico, sovrapposta alla caratteristica IDS VGS per lamplicatore di
gura 9.20

da cui:
R2 = (R1 + R2 )

VG
= 160 k
VDD

Per cui:
R1 = 2 M R2 = 1840 k
Tracciamo ora sulla caratteristica, la retta di carico data dalla (9.11). Questa
passa per i punti (0, VG /Rs ) e (VG , 0); cio`e, nel nostro caso, per i punti: (0, 2 mA)
e (2V, 0). Le coordinate del punto dintersezione con la caratteristica mutua sono:
IDQ = 3.5 mA
VGSQ = 1.5 V
Si ha poi per la tensione di drain:
VDSQ = VDD (Rd + Rs )IDQ = 25 (3 + 1) 3.5 V = 11 V
Al medesimo risultato si sarebbe potuti arrivare facendo uso delle caratteristiche
di drain (IDS , VDS ) anzich`e di quelle di trasferimento.

9.7

Amplicatori a FET

Il parametro pi`
u importante nel calcolare la risposta di un FET adoperato come
amplicatore `e la transconduttanza gm . Abbiamo gi`a visto (equazione (9.5)) che
essa `e data da:
2
gm =
IDS IDSS
VP
Se ora deniamo:
gm0 = gm (IDS = IDSS ) =

2
IDSS
VP

228

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET




avremo:
gm = gm0
o, alternativamente:


gm = gm0

IDS
IDSS

VGS
1
VP

(9.12)

(9.13)

Vediamo cos` che la transconduttanza aumenta come la radice quadrata di IDS ,


mentre dipende linearmente da VGS e diminuisce al crescere del valore assoluto di
questa.
Facciamo ora uso del modello del FET discusso in precedenza per calcolare il
guadagno in tensione di un amplicatore a FET come quello mostrato in gura 9.22.

VDD
Rd

C1

Vout

C3

Vin

S
Rg

Rs

C2

Figura 9.22: Amplicatore di tensione a FET


Se ammettiamo di potere, alle frequenze di lavoro, assimilare tutti i condensatori
a dei cortocircuiti, lo schema equivalente utile per il calcolo del guadagno in tensione,
denito come il rapporto tra vds e vgs , `e quello di gura 9.23.
Da questo si ottiene:
id = gm vgs + gd vds
vds = Rd id
con:
gd = 1/rd
Ne segue:
vds = Rd gm vgs Rd gd vds
vds (1 + Rd gd ) = Rd gm vgs
ed inne:

9.7 Amplicatori a FET

229

id

G
gm vgs

vgs

rd

vds

Rd

Figura 9.23:

Circuito equivalente adoperato per il calcolo del guadagno in tensione


dellamplicatore a FET di gura 9.22

Av

vds
Rd gm
=
vgs
1 + Rd gd

(9.14)

Essendo poi:
rd + Rd
rd
il guadagno Av pu`o anche essere espresso come:
1 + Rd gd = 1 + Rd /rd =

gm Rd rd
= gm Rd
(9.15)
Rd + rd
dove Rd `e il parallelo di Rd ed rd .
Il circuito duscita pu`o quindi essere schematizzato come un generatore di tensione pari a gm Rd vgs in serie con la resistenza Rd , come mostrato in gura 9.24,
dove abbiamo anche specicato la resistenza di polarizzazione sul gate e leventuale
carico RL .
Av

R*d

vgs

gm R*d vgs

Rg

RL

Figura 9.24:

Circuito equivalente adoperato per il calcolo dellimpedenza duscita


dellamplicatore a FET di gura 9.22

Se ad esempio ammettiamo di far uso di un FET con gm = 2 mS ed una resistenza


di drain Rd = 10 k, avremo un guadagno in tensione di 20.

230

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Calcoliamo ora limpedenza duscita di questo amplicatore. Per farlo usiamo la


denizione:
vout (circuito aperto)
Zout =
iout (corto circuito)


dove:
vout (circuito aperto) =

Rd gm

1 + Rd gd


vgs =
Rd =

gm
vgs
gd

e:
iout (corto circuito) = gm vgs
Ne segue:
Zout =

9.8

1
= rd
gd

Inseguitore di source

Il circuito di gura 9.25, analogo allinseguitore di emettitore, `e un inseguitore di


source.

VDD
id
Ci

C
vout

S
vin

Rg

is

Rs

Figura 9.25: Inseguitore di source


Il guadagno in tensione `e ottenibile facilmente se si ricorda che:
id = is = gm vgs
Essendo poi:
vout = Rs is = Rs gm vgs
e:
vgs = vin vout
si ha:
vout = Rs gm vin Rs gm vout

9.8 Inseguitore di source

231

da cui:
vout (1 + Rs gm ) = Rs gm vin
ed inne:

vout
Rs gm
=
1
(9.16)
vin
1 + Rs gm
poich`e Rs gm 1 (in realt`a questa disuguaglianza non `e sempre vera: se Rs =
1 k e gm = 3mS segue che Rs gm = 3 ed Av = 0.75).
Consideriamo ad esempio un amplicatore che adopera un FET 2N3819, con:
Av

gm = 2mA/V
Rs = 4.7 k
Si trova:

9.4
0.9
10.4
Limpedenza dingresso dellinseguitore di source `e determinata essenzialmente
da Rg , che pu`o esser scelto di valore molto alto (> 20 M). Limpedenza duscita `e
ottenibile dalla denizione:
vout (circuito aperto)
Rout =
iout (circuito chiuso)
Av =

in questa espressione, il numeratore `e:


vout = Av vin =

Rs gm
vin
1 + Rs gm

mentre il denominatore `e semplicemente: gm vin .


Si ha cio`e:
Rs gm
1

(9.17)
Rout =
(1 + Rs gm )gm
gm
Nellesempio fatto, Rout = 1/(2mA/V ) = 500 .
Negli esempi visti, limpedenza dingresso dellamplicatore a FET `e ridotta,
rispetto allimpedenza della giunzione di gate, dalla presenza delle resistenze di polarizzazione. Un fenomeno analogo si incontra nellamplicatore a transistor bipolare, dove, peraltro, limpedenza dingresso intrinseca non `e altrettanto elevata.
Un metodo per ridurre leetto della resistenza di polarizzazione nellinseguitore
di source `e quello noto come bootstrap, di cui un esempio `e quello di gura 9.26.
Prima di esaminarlo quantitativamente, vediamo di capire intuitivamente ci`o che,
in tale circuito, causa laumento dellimpedenza dingresso. La tensione del source,
come sappiamo, insegue quella del gate. La tensione del punto P, se Rs1 `e piccola
rispetto ad Rs2 , insegue anchessa la tensione di gate. La corrente i che attraversa
la resistenza Rg `e pari alla dierenza di potenziale ai suoi capi divisa per Rg . Ora,
la dierenza di potenziale ai capi di Rg , per leetto di inseguimento menzionato,
`e molto piccola: se vg aumenta, cos` fa anche vp ; di conseguenza il rapporto vg /i,
che `e appunto la resistenza vista dal generatore, sar`a grande. Vediamolo ora
quantitativamente. La tensione del punto P `e:
vp =

Rs2
vs
Rs1 + Rs2

232

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

VDD
id
Ci

C
vout

S
Rg

vin

Rs1

is

P
Rs2

Figura 9.26: Inseguitore di source ad alta impedenza dingresso. La resistenza Rg , insieme ad


Rs1 ed Rs2 realizza un circuito bootstrap.

mentre `e:
Rg i = vg vp = vg

Rs2
vs
Rs1 + Rs2

Limpedenza eettiva di Rg `e allora:


Zef f =

vg

vg
=
i

vg
Rg

Rs2
vs
Rs1 +Rs2 Rg

Rg
1

Rs2
vs
Rs1 +Rs2 vg

Sostituiamo ora al rapporto vs /vg la sua espressione data dalla (9.16). Troviamo:


Rs1 + Rs2
Rg
Rg
Zef f =

= Rg
gm
Rs2
Rs1
1

1 1+(RRs2+R
R
+R
)g
s1

s2

s1

s2

Vediamo cos` che se (Rs1 + Rs2 ) Rs1 , si ha:


Zef f Rg

9.9

Amplicatore a FET: struttura generale

Abbiamo nora studiato le caratteristiche dellamplicatore a FET nelle congurazioni source-comune o inseguitore di source. Nel primo caso la resistenza di source
era bypassata dal condensatore, nel secondo non cera alcuna resistenza sul drain
e mancava il condensatore. Esaminiamo ora il caso generale in cui siano presenti sia
Rd che Rs e che nessuna delle due abbia un condensatore in parallelo.

9.9 Amplicatore a FET: struttura generale

233

La struttura `e quindi quella di gura 9.27. Il circuito equivalente utile per il


calcolo del guadagno e delle impedenze duscita e dingresso `e mostrato nella stessa
gura

VDD

Rd

vo1

vo2

Rs

Vi

rd

vgs

Vi

D
id

S
Rs

Rd

vo1

vo2

R'o2

R'o1

Figura 9.27: Struttura generale di un amplicatore a FET. Questo pu`o esser adoperato come
inseguitore di source, prelevando luscita vo2 o come amplicatore prelevando luscita vo1 . In basso `e

mostrato il circuito equivalente adoperato per il calcolo delle caratteristiche dellamplicatore. Ro1

`e limpedenza duscita del circuito quando lo si usi come amplicatore; Ro2
quella dellinseguitore
di source.
vo2 `e luscita nel caso in cui si adoperi il circuito come inseguitore di source;
vo1 quella relativa al caso in cui lo si adoperi come amplicatore common-source.
Abbiamo adoperato, nel circuito equivalente, il generatore dipendente di tensione:
vgs = gm rd vgs in serie con rd .
Dallequazione della maglia duscita otteniamo:
id (Rd + rd + Rs ) = vgs
vgs = vg vs = vi Rs id

234

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Da queste due equazioni segue:


id (Rd + rd + Rs ) = vi Rs id
da cui:
id =

vi
Rd + rd + Rs (1 + )

La tensione in uscita sul drain `e:


vo1 = Rd id =

Rd vi
Rd + rd + Rs (1 + )

(9.18)

La tensione in uscita sul source:


vo2 = Rs id =

Rs vi
Rd + rd + Rs (1 + )

(9.19)

Il guadagno in tensione relativo al primo caso (amplicatore source-comune con


resistenza sul source) `e allora:
Av1 =

vo1
Rd
=
vi
Rd + rd + Rs (1 + )

(9.20)

(dove 1).
Questa pu`o esser riscritta, trascurando 1 rispetto a e sostituendo = gm rd
nella forma:
Av1 =

gm R
gm rd Rd
=
Rd + rd + Rs (1 + )
1 + gm (Rs /Rd )R

dove:
R =

(9.21)

rd Rd
rd + Rd

Se `e gm (Rs /Rd )R 1, questa diventa Av1 = Rd /Rs , cio`e il guadagno viene
a dipendere solo dalle resistenze Rd ed Rs e non dal gm del FET. Ci`o `e analogo a
quel che si trova nel caso di un amplicatore a transistor bipolare con resistenza
sullemettitore.

Calcoliamo ora, per questa congurazione, limpedenza duscita Ro1
. Ricorriamo
alla denizione:
vo1 (circuito aperto)

Ro1
=
io1 (circuito chiuso)
dove vo1 (circuito aperto) `e il segnale di tensione in uscita in assenza di carico (a
parte Rd ), cio`e:
Rd vi
vo1 (circuito aperto) =
Rd + rd + (1 + )Rs
e la corrente in uscita io1 (circuito chiuso) `e ottenibile dal circuito equivalente di
gura, ponendo un corto in parallelo ad Rd . Si ottiene in tal modo:
io1 (circuito chiuso) = id =

vgs
rd + Rs

9.9 Amplicatore a FET: struttura generale

235

con:
vgs = vg vs = vi Rs id
da cui si ottiene poi:
io1 (circuito chiuso) = id |Rd =0 =

vi
rd + Rs (1 + )

Si ha cos` per limpedenza duscita:



= Rd
Ro1

rd + Rs (1 + )
= Rd (rd + Rs (1 + ))
rd + Rd + Rs (1 + )

(9.22)


, calcolata senza
Si vede da questultima espressione che la resistenza duscita Ro1
tener conto di Rd `e:

Ro1 = rd + Rs (1 + )

(9.23)


.
Calcoliamo ora la resistenza duscita Ro2

Ro2
=

dove:
vo2

(circuito aperto)

io2 (circuito chiuso)

vo2 (circuito aperto)


io2 (circuito chiuso)
Rs vi
Rd + rd + (1 + )Rs
vi
= io2 |Rs =0 =
Rd + rd

da cui:

Ro2
=

Rs (Rd + rd )
Rd + rd + (1 + )Rs

(9.24)

Il guadagno in tensione nella congurazione inseguitore di source (con resistenza


sul drain) `e (facendo uso della (9.19)):
Av2 =

vo2
Rs
=
vi
Rd + rd + (1 + )Rs

che per Rd = 0 diventa:


Av2 =

Rs
gm rd Rs

rd + (1 + )Rs
rd + gm rd Rs

Se ad esempio si sceglie:
Rs = 2 k ,

Rd = 1 k ,

rd = 100 k ,

e quindi:
= gm rd = 300
Avremo:


Av2 0.85 , Ro2
290

gm = 3 mS

236

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

9.10

Risposta in frequenza di un amplicatore a


FET

Il guadagno dellamplicatore a FET nella congurazione source-comune (con Rs =


0), calcolato in precedenza:
Av =

Rd rd
gm = gm Rd
Rd + rd

`e indipendente dalla frequenza. Ci`o dipende dal fatto che si sono trascurate le
capacit`a presenti nel circuito. Queste comprendono sia la capacit`a di accoppiamento,
che le capacit`a parassite interne al FET, nonch`e quelle associate ai cavi che collegano
il generatore dei segnali che si vogliono amplicare allamplicatore stesso. Leetto
di tutte queste capacit`a `e quello di ridurre la banda passante e di far s` che essa
assuma laspetto mostrato in gura 9.28, dove `e riportato, in funzione di log(f ), il
rapporto |vout /vin | espresso in decibel.
24.0

Guadagno (dB)
20.0

16.0

12.0

8.0

frequenza (Hz)
4.0 20

100

1K

10K

100K

1M

10M

100M

Figura 9.28: Risposta in frequenza tipica per un amplicatore: guadagno in dB in funzione del
logaritmo della frequenza.

Vogliamo ora esaminare leetto delle varie capacit`a e vedere come esse inuiscano sulla banda passante. Il circuito base, mostrato in gura 9.29, presenta le
seguenti capacit`a:
Co : capacit`a duscita del generatore;
rs : resistenza duscita del generatore;
Cf : capacit`a associata ai cavi di collegamento;
Ca : condensatore daccoppiamento;

9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET

237

Cgs : capacit`a parassita tra gate e source nel FET;


Cgd : capacit`a parassita tra gate e drain nel FET.
Esaminiamo ora in dettaglio leetto di queste capacit`a sulla banda passante,
separatamente per le alte e le basse frequenze.

9.10.1

Risposta alle alte frequenze

VDD

Rd
VDD

Rd
D

Ca

C gd

VOUT
rs

Ca

Vout

S
Vin

Rg

->

Vin

CO

Cf

Rg

Cgs

Vg

Figura 9.29: A sinistra `e mostrato un semplice amplicatore a FET. Ca `e il condensatore


daccoppiamento al generatore. Il diagramma di destra `e il circuito equivalente adoperato per il
calcolo della banda passante dellamplicatore. La capacit`
a Cgd schematizza la capacit`a interna
presente tra gate e drain del FET. Analogamente Cgs schematizza quella presente tra gate e source.

Cominciamo con lesaminare la risposta del circuito ad alta frequenza, dove Ca


pu`o esser assimilata ad un corto-circuito. In tali condizioni, le capacit`a Co , Cf , Cgs
risultano in parallelo, e possono esser sostituite da ununica capacit`a C1 . Il circuito
diventa allora quello di gura 9.30 (a).
La resistenza Rg `e in genere molto grande e pu`o quindi esser trascurata. Sostituiamo inoltre al FET il suo circuito equivalente, costituito da un generatore di
tensione gm Rd vg , in serie con la resistenza Rd rd Rd . Si ottiene cos` lo schema
di gura 9.30 (b).
Facciamo ora lulteriore approssimazione (che vericheremo tra poco) consistente
nel trascurare la caduta ai capi di Rd . Ammettiamo cio`e che sia vout = gm Rd vg . Il
circuito si trasforma allora ulteriormente in quello di gura 9.30 (c)
Applichiamo ora il teorema di Miller, facendo uso dellimpedenza che collega i
terminali duscita vout a quelli dingresso vg . Limpedenza `e quella costituita dalla
serie di Cgd ed Rd :
1 + jRd C
1
+ Rd =
jC
jC
dove abbiamo per brevit`a di scrittura posto C Cgd .
Z =

238

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Rd

(a)

VDD

(b)

Cgd
Vout

rs

Vin

C1

Rg

Vin

Vg

C1

R*d

C1

gmR*d vg

Vg

Cgd

Vg

gm R*d vg

Vout

(c)

Cgd R*d

rs

Vin

rs

Vout

Figura 9.30: Circuiti equivalenti adoperati per il calcolo della banda passante dellamplicatore
a FET nella regione di alte frequenze. (a) il circuito mostrato nella parte destra di gura 9.29 `e
ridisegnato, eliminando la capacit`
a Ca e sostituendo alle due capacit`a C0 , Cf e Cgs il loro parallelo
C1 . (b) ulteriore modica del circuito mostrato in (a), ottenuta eliminando Rg e sostituendo al
FET un generatore di tensione di valore gm Rd vg in serie con Rd = Rd rd . (c) Circuito ottenuto
da quello in (b) ammettendo di poter trascurare la caduta di tensione ai capi di Rd .
Il teorema di Miller d`a il circuito di gura 9.31, dove le impedenze Z1 e Z2 sono
date da:
Z
Z1 =
1K
Z2 =

ZK
1K

con: K = gm Rd .
Il guadagno in tensione `e:
Av =

vg
vout
vout vg
=
= gm Rd
vin
vg vin
vin

Le impedenze Z1 e Z2 sono date da:


Z1 =

Z2 =

1 + jRd C
jC(1 + gm Rd )
(1 + jRd C)gm Rd
1 + gm Rd

(9.25)

9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET

239

rs

Vin

C1

Vg

Z1

Z2

gmR*dvg

Vout

Figura 9.31: Circuito equivalente ottenuto da quello di gura 9.30(c) facendo uso del teorema
di Miller.

Facciamo ancora unapprossimazione (la cui validit`a sar`a vericata); ammettiamo che sia:
1
Rd
C

cio`e: CRd 1.
Con ci`o Z1 diventa:
1
Z1
jC(1 + gm Rd )
Limpedenza del parallelo Z1 C1 `e allora:
Z =

Z1
1
=
1 + jC1Z1
j [C1 + C(1 + gm Rd )]

La relazione tra vg e vin `e quindi:


vg = vin

Z
1
= vin

rs + Z
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]

per cui:
vg
1
=
vin
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]
Facendo uso della (9.25) si ottiene poi:
gm Rd
Av () =
1 + jrs [C1 + C(1 + gm Rd )]
Ponendo Ao = gm Rd (guadagno a centro banda), questa pu`o essere riscritta nella
forma:
Av () =

Ao
1 + jrs [C1 + C(1 + Ao )]

(9.26)

Vediamo cos` che la capacit`a C = Cgd risulta moltiplicata per il fattore 1+Ao , che
`e in genere grande. Ci`o `e conseguenza delleetto Miller. I FET sono normalmente
costruiti in modo che la capacit`a Cgd (indicata in letteratura come Crss ) sia minore
di Cgs (con il simbolo Ciss viene indicata la somma Cgd + Cgs ). Valori tipici di

240

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Crss per i FET sono nel range (1-15) pF mentre per Ciss troviamo valori nel range
(3-70) pF 3 .
Il modulo di Av dipende da come:
Ao
|Av ()| = 
1 + (/U )2

(9.27)

1
rs [C1 + C(1 + Ao )]

(9.28)

con:
U =

Facendo ad esempio uso dei seguenti valori di Cgd , Cgs , rs ed Ao (guadagno a


centro banda):
Cgd = 2 pF
Cgs = 4 pF
rs = 10
Ao = 20
troviamo (ammettendo di poter trascurare C1 ):
U =

1
2.38 109 s1
10 [2 1012 21]

cio`e:

U
= 379 MHz
2
Landamento di |Av | (in dB) in funzione della frequenza f `e mostrato, per un
tipico amplicatore a FET, in gura 9.32.
Il valore di fU per tale amplicatore `e 26 MHz. A tale frequenza il guadagno si
`e ridotto di 3 dB rispetto al valore che esso ha a centro banda.
La frequenza fU (26 MHz nel nostro esempio) denisce il taglio superiore della
banda passante dallamplicatore.
Dalla denizione (9.28) di U segue che, per aumentare la banda passante occorre:
fU =

diminuire Ao ;
diminuire rs ;
diminuire C1 ;
diminuire Cgd .
Vediamo che diminuire questultimo parametro `e particolarmente importante
poich`e esso compare moltiplicato per Ao .
3

Sia Cgd che Cgs dipendono molto dalla dierenza di potenziale VDS e decrescono allaumentare
di questa, per rimanere approssimativamente costanti per valori di VDS maggiori di (10-15) V.

9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET

241

24.0

Guadagno (dB)

20.0

16.0

12.0

8.0

frequenza (Hz)
4.0

10M

1M

26 MHz

100M

200M

Figura 9.32: Andamento di |Av | (in dB) in funzione della frequenza f, nella regione delle alte
frequenze, per un tipico amplicatore a FET
Un aumento del guadagno Ao a frequenze intermedie si accompagna ad una
riduzione della banda passante. Si denisce quindi un fattore di merito dellamplicatore:
F = Ao fU
Cio`e:

Ao
2rs [C1 + (1 + Ao )Cgd ]
A parit`a di F, un aumento di un fattore 10 nel guadagno Ao si accompagna
(allincirca) ad una riduzione di un fattore 10 nella banda passante.
Un esempio delleetto della capacit`a interna al FET tra gate e drain (Cgd ) `e
mostrato in gura 9.33. Si vede chiaramente che, allaumentare di Cgd tra 1 pF e
10 pF la frequenza di taglio superiore scende da 30 MHz a 3.0 MHz.
Verichiamo ora, con un esempio numerico, la validit`a delle approssimazioni
fatte.
La prima delle approssimazioni `e consistita nel trascurare (vedi gura 9.30) la
caduta di potenziale ai capi di Rd rispetto al potenziale del generatore dipendente
gm Rd vg . La seconda nel trascurare la caduta di potenziale ai capi di Rd rispetto a
quella ai capi della capacit`a Cgd .
Ammettiamo che sia:
F =

gm = 2 mS , Rd = 2 k , vg = 0.1 V , C = Cgd = 2 pF , f = 1 MHz


Avremo allora:

gm Rd vg = 0.4 V

La resistenza associata alla capacit`a C sar`a:


Zc =

1
1
=
80 k
C
2f C

242

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

25.0

Guadagno (dB)
20.0

1 pF

15.0
2 pF
4 pF
6 pF

10.0
10 pF
8 pF
5.0

Frequenza (Hz)
0.0

1M

10M

100M

600M

Figura 9.33: Risposta in frequenza dellamplicatore a FET nella zona di alte frequenze,
per valori di Cgd compresi tra 1 pF e 10 pF (indicati in gura). Per il guadagno A0 a frequenze
intermedie si `e scelto un valore di 20. I valori dei componenti utilizzati nella simulazione (eettuata
facendo uso del programma Microcap e della congurazione di gura 9.20) sono: rs =100 ; Rd =5 k;
Rs =5 k; R1 =80 k; R2 =30 k. In parallelo ad Rs `e presente una capacit`a di valore molto grande. Il
FET utilizzato `e il 2N3070, alimentato a 20 V.
Poich`e questa `e molto maggiore di Rd , vediamo che la caduta di potenziale ai capi di
Rd `e trascurabile rispetto a quella ai capi di C (gm Zc vg ), il che giustica la seconda
delle approssimazioni fatte (a maggior ragione se la frequenza fosse pi`
u bassa di
quella scelta). Lapprossimazione verrebbe meno solo a frequenze tali che:
Zc Rd
cio`e:

1
400 MHz
2Rd C
maggiore della frequenza di taglio dellamplicatore.
Per vericare la prima delle approssimazioni calcoliamo la corrente nella serie
C Rd :
vg (gm Rd + 1)
i =
Cvg (gm Rd + 1)
(Rd )2 + 1/( 2 C 2 )
f

La caduta di potenziale ai capi di Rd sar`a allora:


v = Rd i = vg (gm Rd + 1)

Rd
0.05 (gm Rd + 1) vg (gm Rd + 1) vg
1/(C)

mentre la dierenza di potenziale ai capi di C, alla frequenza di 1 Mhz, `e (gm Rd +1)vg .


Vediamo quindi che la dierenza di potenziale ai capi di Rd `e, nel nostro esempio,
solo il 5% di quella ai capi di C.

9.10 Risposta in frequenza di un amplicatore a FET

9.10.2

243

Risposta alle basse frequenze

Ci siamo no a questo momento occupati della risposta dellamplicatore alle alte


frequenze. Vediamo ora di esaminarne il comportamento allaltra estremit`a dello
spettro, a frequenze molto basse. In tale regione si far`a ovviamente sentire leetto
delle capacit`a in serie al segnale, cio`e essenzialmente della capacit`a di accoppiamento
Ca . Poich`e in tale zona di frequenza, limpedenza capacitiva |1/(jCa)| `e grande,
potremo trascurare, rispetto a questa, limpedenza duscita rs del generatore.
Il circuito equivalente che adopereremo per calcolare la risposta in questa zona
di frequenze `e mostrato in gura 9.34.

R*d

Ca
Vin

Vg

gmR*d vg

Rg

Vout

Figura 9.34: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta dellamplicatore a
FET alle basse frequenze.
In tale schema, vg `e dato da:
vg =

Rg
1
vin
1 vin =
Rg + jCa
1 + jR1g Ca

da cui segue:
vout = gm Rd vg =
dove abbiamo posto:

Ao
1+

1
jCa Rg

vin

(9.29)

Ao = gm Rd

Il modulo della funzione di trasferimento |Av | `e quindi:


|Av ()| =

Ao
1 + (L /)2

(9.30)

dove abbiamo posto:


L =

1
Ca Rg

Esso tende a 0 per 0 e si riduce di 3 dB per = L , cio`e per un valore della


frequenza f:
fL =

1
L
=
2
2Ca Rg

(9.31)

244

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Se Rg = 1 M e Ca = 4 nF ; si trova:
fL =

1
2

106 4 109

= 40 Hz

La frequenza fL denisce il limite inferiore della banda passante dellamplicatore. Notiamo ancora che per = L, la (9.29) ci d`a per la quantit`a complessa
Av :
Av =

Ao (1 j)
2

(9.32)

da cui vediamo che alla frequenza fL c`e uno sfasamento di /2 tra vin e vout .

9.10.3

Risposta sullintero spettro di frequenze

Lespressione della risposta globale in frequenza pu`o essere ottenuta combinando


la (9.27) con la (9.30). Si trova:
Av =

Ao
(1 + j/U )(1 jL /)

il cui modulo `e dato da:


Ao

|Av | =
1 + (/U )2 1 + (L /)2

(9.33)

Landamento del guadagno in funzione della frequenza f `e qualitativamente quello


mostrato nella gura 9.35. Il graco superiore si riferisce al modulo del guadagno,
espresso in decibel, quello inferiore allo sfasamento (in gradi). Notiamo che agli
estremi della banda passante, ad esempio per f = fL o f = fU (indicati in gura
dalle linee tratteggiate verticali), il segnale in uscita `e non soltanto attenuato, ma
anche fortemente fuori fase rispetto al valore che esso ha a centro banda.
Se quindi vin ha componenti di Fourier su di una banda di frequenza che si estende
dal centro banda no ad uno degli estremi (quale `e ad esempio il caso di unonda
quadra), vout avr`a componenti di Fourier che, per frequenze prossime allestremit`a
della banda, sono ridotte e sfasate. Ci`o implica che vout sar`a distorto rispetto a vin .

9.11

Verica delle approssimazioni fatte

Nella sezione precedente abbiamo ricavato la risposta in frequenza dellamplicatore


a FET facendo uso di alcune approssimazioni. Ci proponiamo ora di calcolare la
funzione di trasferimento senza fare alcuna approssimazione. Confronteremo poi il
risultato con quello approssimato ottenuto prima.
Il circuito equivalente `e quello di gura 9.36 Questo pu`o esser trasformato in
quello di gura 9.37, dove `e:
Rg
Zg =
1 + sRg Cgs

9.11 Verica delle approssimazioni fatte

245

24.000

Guadagno (dB)
20.000
16.000
12.000
8.000
4.000

20

100

1K

10K

100K

1M

10M

100M

-50.000

Sfasamento (gradi)
-100.000
-150.000
-200.000
-250.000

Frequenza (Hz)
-300.000

20

100

1K

10K

100K

1M

10M

100M

Figura 9.35: Diagrammi di Bode per la risposta in frequenza di un tipico amplicatore a FET
(vedi equazione (9.33))

Facendo uso delle leggi di Kircho, si ottiene, come mostrato in appendice, il


seguente risultato:
vo
Av (s)
=
vs
Rd (sCgd gm )
=
 C (sr (C +C )+1) 1+g R (9.34)

s
a
s
( m d)
gd
a +Cs )
+
(1 + sCgd Rd ) 1 + srs Cs + sCa1Zg + rs (C
Ca Zg
Ca
Questa pu`o esser messa nella forma di un rapporto tra polinomi nella variabile
s. Infatti la Av (s) `e ottenibile dalla (9.34), sostituendo a Zg (s) la sua espressione:
Zg =

Rg
1 + sRg Cgs

Si trova, dopo alcuni semplici passaggi algebrici, che la trasformata di Laplace della
funzione di trasferimento `e data da:
Av (s) =
dove:

A0 s + A1 s2
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
A0 = Rd gm
A1 = Rd Cgd
1
B0 =
Ca Rg

(9.35)

246

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Rd

(a)
rs

vs

rs

Ca

Cs

(b)

VDD

Cgd

Rg

Cgs

D
gmvgs

vs

Vg

Cgd

Ca G

vout
Cs

Rg

Cgs

R*d

vout

(c)
rs

vs

Cgd

Ca G

Cs

R*d

Rg

Cgs

gmR*dvgs

vout

Figura 9.36: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta in frequenza, sullintero
spettro di frequenze, dellamplicatore a FET

i1

vi

rs

Vs

i2

G
Ca

Cs

Cgd

Zg
gmR*dvgs

R*d

vout

Figura 9.37: Circuito equivalente adoperato per il calcolo della risposta in frequenza, sullintero
spettro di frequenze, dellamplicatore a FET. Questo `e stato ottenuto da quello di gura 9.36(c)
sostituendo a Rg e Cgs il loro parallelo Zg .

B1 = 1 + rs

B2 = rs Cs + rs

Ca + Cs Cgs Rd Cgd Cgd Cgd gm Rd


+
+
+
+
Ca Rg
Ca
Ca Rg
Ca
Ca

Cgd Rd Cgs Cgd rs (Ca + Cs )


(Ca + Cs )Cgs
+ Cgd Rd +
+
+
Ca
Ca
Ca

9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione

247

Cgd rs (Ca + Cs )gm Rd rs (Ca + Cs )Cgd Rd


+
Ca
Ca Rg

rs (Ca + Cs )Cgs Cgd Rd


+ Cgd Rd rs Cs
Ca
Il risultato ottenuto con la seguente scelta dei parametri:
B3 =

Rd = 5000 , Cgd = 2pF , Ca = 1nF , rs = 100 , Cgs = 5pF ,


Rg = 100M , gm = 3 103 S , Cs = 2pF
`e confrontato con quello del calcolo approssimato nelle gure 9.38 e 9.39, rispettivamente per la zona delle alte e delle basse frequenze.
Come si vede, il risultato esatto `e praticamente identico a quello approssimato a
basse frequenze, mentre se ne discosta alquanto ad alte frequenze.

G()

100

10

1
100

1.103

1 .104

1 .105

1 .106

1 .107

risultato esatto
risultato approssimato

1 .108

1 .109 1 .1010

Figura 9.38: Confronto tra il risultato del calcolo esatto (equazione (9.35)) e di quello
approssimato (equazione (9.33)), nella zona delle alte frequenze, per la risposta in frequenza
dellamplicatore a FET. I valori dei componenti adoperati sono quelli elencati nel testo.

9.12

Risposta dellamplicatore ad un gradino di


tensione

Come sappiamo, la risposta in frequenza di un generico circuito `e legata alla risposta


ad un gradino. Vediamo allora di calcolare tale risposta, che ci sar`a utile quando ci
occuperemo dellelettronica per rivelatori di particelle nucleari.

248

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

G()

100

10

1
0.1

10

100

.10
13

risultato esatto
risultato approssimato

Figura 9.39: Confronto tra il risultato del calcolo esatto (equazione (9.35)) e di quello approssimato (equazione (9.33)), nella zona delle basse frequenze, per la risposta in frequenza
dellamplicatore a FET. I valori dei componenti adoperati sono quelli elencati nel testo.
La risposta al gradino `e facilmente ottenibile una volta nota la trasformata
di Laplace della funzione di trasferimento. Questa `e stata ottenuta nella sezione
precedente (equazione (9.35)).
La risposta al gradino unitario `e ora data dallantitrasformata di Av (s)/s, cio`e
di:
A0 + A1 s
(9.36)
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
Tale antitrasformata pu`o esser calcolata numericamente facendo uso di programmi standard, quali Mathematica [45]. Con la seguente scelta dei valori dei
componenti:
vo (s) =

Rd = 5 k , Cgd = 2pF , Ca = 1nF , rs = 100 , Cgs = 5pF ,


Rg = 100M , gm = 3 mS , Cs = 2pF
si trova:

A0 = 15. , A1 = 1.0 108 ,


B0 = 10. , B1 = 1.037 , B2 = 1.396 108 , B3 = 7.01 1018

Lantitrasformata ottenuta `e mostrata in gura 9.40, dove essa `e confrontata con il


risultato approssimato ottenuto con il metodo discusso nelle sezioni precedenti. La
curva relativa al calcolo esatto `e quella inferiore.

9.12 Risposta dellamplicatore ad un gradino di tensione

249

Si nota che il segnale in uscita non `e un perfetto gradino, ma ha un tempo di


salita nito.
20

15

10

5 10-8

1 10-7

1.5 10-7

2 10-7

2.5 10-7

3 10-7

Figura 9.40: Risposta dellamplicatore a FET ad un gradino, per tempi inferiori a 0.3 s.
La curva superiore `e quella relativa al calcolo approssimato, quella inferiore al calcolo senza
approssimazioni. La scala dei tempi `e in secondi.

Landamento a tempi lunghi, mostrato in gura 9.41 mostra che la parte piatta
del gradino acquista, dopo lamplicatore, una pendenza nita. Questa `e legata
sostanzialmente alla costante di tempo Rg Ca e pu`o esser ridotta scegliendo un piccolo
valore di Ca .
20

15

10

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

Figura 9.41: Risposta dellamplicatore a FET ad un gradino, per tempi no a 10 ms. La curva
superiore `e quella relativa al calcolo approssimato, quella inferiore al calcolo senza approssimazioni.
La scala dei tempi `e in secondi.

250

9.13

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

I CMOS

In questi ultimi anni hanno avuto una larghissima diusione gli integrati basati sulla
tecnologia CMOS (Complementary MOS). Il loro successo `e dovuto alla ridottissima
supercie occupata su di un chip da strutture basate su tale tecnologia e dal basso
consumo.
Non entreremo nei dettagli costruttivi di tali circuiti, ma ci limiteremo invece
a discutere il loro funzionamento, iniziando dal semplice utilizzo che se ne ha nella
realizzazione di invertitori (porte NOT) nei circuiti logici.
Un CMOS consiste nella combinazione di un PMOS e di un NMOS i cui gates,
uniti insieme, costituiscono il terminale dingresso come mostrato in gura 11.13.
M1 `e un NMOS, M2 un PMOS. Anche i terminali di drain sono uniti insieme e
costituiscono luscita. Inoltre il substrato di ciascuno dei due transistor `e unito al
source corrispondente. Se un segnale positivo superiore alla tensione di soglia Vt
del transistor NMOS `e applicato al gate di questo, esso andr`a in conduzione. Con
tale tensione di gate, M2 sar`a invece interdetto. Avremo quindi per la tensione
duscita Vout =0. Se applichiamo al gate una tensione nulla, il transistor M1 sar`a
interdetto mentre M2 condurr`a. In tali condizioni avremo Vout = Vcc , dove Vcc `e la
tensione di alimentazione. Nellesempio di gura 11.13 la tensione dalimentazione
`e di 5 V, uguale alla tensione applicata al gate dal livello alto del segnale. I segnali
in ingresso ed in uscita da tale circuito, ottenuti facendo uso del programma di
simulazione Microcap, sono mostrati in gura 9.43. Vediamo che luscita `e in eetti
il complemento dellingresso.
5V

M2
Vout
Vin

M1

Figura 9.42: Esempio di invertitore in tecnologia CMOS. La medesima congurazione pu`o esser
adoperata per realizzare un amplicatore a CMOS

Un importante aspetto positivo di tale invertitore `e costituito dal fatto che in


nessuno dei due stati logici i transistor M1 ed M2 assorbono corrente dal generatore.
Infatti, nello stato in cui M1 `e in conduzione, M2 `e interdetto, il che fa s` che

9.13 I CMOS

251

8.0

Vin
6.0

4.0

2.0

0.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.6

0.8

1.0

t (ms)
8.0

Vout
6.0

4.0

2.0

0.0

-2.0

0.0

0.2

0.4
t (ms)

Figura 9.43: Segnali in ingresso (graco superiore) ed in uscita (graco inferiore) per
linvertitore a CMOS di gura 11.13.

il generatore non eroghi corrente. Analogamente, nello stato in cui M2 conduce,


`e interdetto M1, il che nuovamente impedisce il passaggio di corrente nella serie
M1-M2.
Una dissipazione pu`o solo aversi nella fase di commutazione tra i due stati logici.
A ci`o contribuiscono due processi separati. Il primo `e legato alle capacit`a presenti
a valle dellinvertitore, come mostrato in gura 9.44. Queste possono esser le capacit`a dingresso dei circuiti presenti a valle, come possono esser le capacit`a parassite
associate ai collegamenti elettrici. Se ora loutput passa dal livello 0 al livello 1, tali
capacit`a debbono (nellesempio in cui i livelli di tensione siano 0 V e 5 V) caricarsi
a 5 V in un piccolo intervallo di tempo dt. La corrente `e quindi CdV /dt ed `e tanto
maggiore quanto pi`
u rapida la commutazione. Il secondo processo che contribuisce
alla dissipazione di energia `e legato al fatto che nel passaggio dalla fase di conduzione
di M1 (ed interdizione di M2) a quello complementare, i due transistor attraversano
la zona ohmica, in cui entrambi conducono. Nuovamente, in tale fase abbiamo quindi
una dissipazione di energia.
Un indubbio vantaggio che i CMOS presentano quando siano adoperati come
elementi di circuiti logici, `e costituito dal fatto che essi operano tra livelli di tensione
uguali rispettivamente a quelli della massa e dellalimentazione. I livelli di tensione
corrispondenti ai due livelli logici sono quindi molto ben deniti e separati tra loro.

252

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Figura 9.44: Capacit`a presenti alluscita di un invertitore a CMOS

9.13.1

I CMOS come amplicatori

I CMOS possono esser adoperati, oltre che come componenti di circuiti logici, come
amplicatori. La linearit`a che si ottiene non `e tuttavia confrontabile con quella
fornita da amplicatori basati su transistor bipolari o su FET.
Ricordiamo che un FET pu`o esser adoperato oltre che nelle zone di saturazione
ed interdizione, anche in quella ohmica. Nei CMOS che abbiamo esaminato nelle
sezioni precedenti, i MOSFET lavoravano commutando tra la zona dinterdizione
e quella di saturazione. La caratteristica di trasferimento del CMOS, ottenibile
facendo uso dellequazione (9.1) per un NMOS e dellanaloga per un PMOS, cio`e
la relazione tra Vin e Vout (vedi gura 11.13) `e qualitativamente del tipo di quella
riportata in gura 9.45.
M2 in saturazione
5

M1 in saturazione

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

Vout (V)
2

0
0

Vin (V)

Figura 9.45: Caratteristica di trasferimento di un CMOS. Le zone indicate con le lettere a e


corrispondono rispettivamente a: (a) M 2 in saturazione ed M 1 interdetto; (b) M 2 in saturazione
ed M 1 in zona ohmica; (c) entrambi i transistor in zona ohmica; (d) M 2 in zona ohmica ed M 1
in saturazione; (e) M 2 interdetto ed M 1 in saturazione

Esiste, come `e evidente dalle caratteristiche mostrate, una zona intermedia tra

9.14 Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET

253

quelle estreme, in cui entrambi i transistor conducono. Pi`


u in particolare, la zona
centrale della caratteristica (zona (c) in gura 9.45) in cui entrambi i transistor
` in tale zona che il CMOS pu`o esser adoperato come
lavorano in zona ohmica. E
` evidente dalla gura che ad una piccola variazione di Vin corrisponde
amplicatore. E
una variazione molto maggiore di Vout .
La linearit`a di tale amplicatore non `e tuttavia molto buona. Esso trova applicazione in sistemi che non richiedano una grande fedelt`a o che comunque non
possano rinunciare ai vantaggi di basso consumo oerti dal CMOS.
Per far s` che lamplicatore a CMOS lavori nella zona desiderata `e necessario
polarizzare i due MOSFET in modo tale che, in assenza di segnale applicato sia
VG = VD . Ci`o pu`o esser ottenuto introducendo una resistenza di feedback tra
i due terminali di Gate e di Drain, come mostrato in gura 9.46, dove `e stata
introdotta la resistenza R2 da 10 M. La gura 9.47 mostra il modulo (in dB)
del guadagno fornito da tale amplicatore per frequenze comprese tra 100 Hz ed
1 MHz. Il risultato `e stato ottenuto facendo uso della versione demo del programma
di simulazione Microcap.
10

M1

100n

C2

C1
100n
M2

100k

R2
10Meg

Figura 9.46: Amplicatore a CMOS. La resistenza di feedback R2 `e stata introdotta per


stabilire il punto di lavoro con VG =VD .

9.14

Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET

Calcoliamo ora, facendo uso del circuito equivalente mostrato in gura 9.37, la
funzione di trasferimento dellamplicatore a FET.
La corrente attraverso la capacit`a Cs `e pari a i1 i2 , per cui:
vi = (i1 i2 )

1
sCs

(9.37)

254

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

84.

dB(Vout/Vin)
72.

60.

48.

36.

24. 100

1K

10K

100K

1M

Frequenza (Hz)

Figura 9.47: Guadagno in funzione della frequenza dellamplicatore di gura 9.46.


dove:
vi = vs i1 rs

(9.38)

Dalla (9.37) otteniamo:


i1 = i2 + sCs vi
che, sostituita nella (9.38) fornisce:
vi = vs rs i2 srs Cs vi
cio`e:
i2 =

vi
(srs Cs + 1)
rs

(9.39)

La corrente in Zg `e uguale a i2 i3 , per cui:


vgs = (i2 i3 ) Zg

(9.40)

dove `e:
vgs = vi

i2
sCa

i2 = i3 +

vgs
Zg

Dalla (9.40) otteniamo:

(9.41)

9.14 Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET

255

che, sostituita nella (9.41) fornisce:


vgs = vi

i3
vgs

sCa sCa Zg

cio`e:

vgs 1 +

1
sCa Zg


= vi

Dal nodo D abbiamo:


vo = vgs
nonch`e:

i3
sCa

i3
sCgd

(9.42)

(9.43)

vo Rd i3 gm Rd vgs

(9.44)

Calcoliamo ora i3 facendo uso della (9.42) e sostituiamo nella (9.43):




i3
1
= vi vgs 1 +
sCa
sCa Zg


cio`e:
i3 = sCa vi vgs

1
sCa +
Zg


(9.45)

sostituendo poi nella (9.43):




1
Ca
vo = vgs 1 +
+
Cgd sCgd Zg

(9.46)

Sostituendo invece i3 nella (9.44):


vo = gm Rd vgs + Rd sCa vi Rd vgs (sCa + 1/Zg )
da cui:

vo = vgs
e quindi:
vi =

Rd gm

Rd sCa

R
+ d
Zg


+ Rd sCa vi

vo + vgs Rd (gm + sCa + 1/Zg )


Rd sCa

(9.47)

Sostituendo questa nella (9.46), si ottiene poi:




sCgd Zg + sCa Zg + 1
Ca [vo + vgs (gm + sCa + 1/Zg )]
vo = vgs
=

sCgd Zg
Cgd Rd sCa


sCgd Zg + sCa Zg + 1 gm + sCa + 1/Zg
vo

= vgs

sCgd Zg
sCgd
sRd Cgd
da cui con facili passaggi si ottiene:
vo = vgs

Rd (sCgd gm )
1 + sRd Cgd

(9.48)

256

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Dobbiamo ancora esprimere vgs in funzione di vs . Esprimiamo vgs in funzione di


vi e poi vi in funzione di vs .
Riscriviamo a tale scopo le (9.39) e (9.41):
vgs = vi
con:

i2
sCa

vs vi
(1 + srs Cs )
rs rs
vs
vi
= vi
+
(1 + srs Cs )
sCa rs sCa rs
i2 =

vgs
e poi:

vgs = vi

srs Ca + srs Cs + 1
vs

srs Ca
srs Ca

(9.49)

Uguagliando la (9.43) e (9.44) si ottiene:


i3 =

sCgd vgs (1 + gm Rd )
1 + sCgd Rd

(9.50)

Uguagliando la i3 data dalla (9.50) con la (9.45) si ottiene poi:




1
sCgd vgs (1 + gm Rd )
= sCa vi vgs sCa +
1 + sCgd Rd
Zg


1
sCgd (1 + gm Rd )
vgs sCa +
+
= sCa vi
Zg
1 + sCgd Rd

da cui:

e poi:
vgs
[sCa Zg (1 + sCgd Rd ) + (1 + sCgd Rd ) + sCgd Zg (1 + gm Rd )]

sCa Zg (1 + sCgd Rd )
(9.51)
Dalla (9.49) otteniamo:


srs Ca
vs
vi = vgs +
(9.52)
srs Ca 1 + srs (Ca + Cs )

vi =

Uguagliando la (9.51) alla (9.52) si ha poi:




srs Ca
vs
vgs +
=
srs Ca 1 + srs (Ca + Cs )
=

vgs
{sZg Ca (1 + sCgd Rd ) + (1 + sCgd Rd ) + sZg Cgd (1 + gm Rd )}
sCa Zg (1 + sCgd Rd )

da cui:
vgs {

1
srs Ca
Cgd (1 + gm Rd )
1
} =

1 + srs (Ca + Cs )
sCa Zg Ca (1 + sCgd Rd )
vs
=
1 + srs (Ca + Cs )

9.14 Appendice: funzione di trasferimento dellamplicatore a FET

257

Da questa si ottiene:
vgs = vs

sCa Zg (1 + sCgd Rd )

(1 + sCgd Rd ) [s2 Ca2 Zg rs sCa Zg (srs (Ca + Cs ) + 1) (srs (Ca + Cs ) + 1)]


sCgd Zg (srs (Ca + Cs ) + 1) (1 + gm Rd )

Sostituendo questa nella (9.48) si ottiene inne:


vo = vs

[1 + sCgd Rd ]

Rd (sCgd gm )
1
sCa Zg

+ (1 + srs Cs ) +

rs (Ca +Cs )
Ca Zg


+

Cgd [srs (Ca +Cs )+1][1+gm Rd ]


Ca

Che `e la relazione cercata.


Questa pu`o esser messa nella forma del rapporto di due polinomi nella variabile
complessa s. Baster`a sostituire a Zg la sua espressione:
Zg =

Rg
1 + sRg Cgs

Si ottiene in tal modo, dopo alcuni passaggi, che la funzione di trasferimento `e data
da:
s2 Rd Cgd sRd gm
G(s) =
B0 + B1 s + B2 s2 + B3 s3
dove:
1
B0 =
Ca Rg


rs (Ca + Cs ) Cgs Cgd Rd Cgd Cgd

B1 = 1 +
+
+
+
+
gm Rd
Ca Rg
Ca
Ca Rg
Ca
Ca

B2 = rs Cs + rs Cgs

Ca + Cs
Cgd Rd Cgs Cgd rs (Ca + Cs )
+ Cgd Rd +
+
+
Ca
Ca
Ca
(Ca + Cs )
Cgd rs (Ca + Cs )gm Rd
+
+ rs Cgd Rd
Ca
Ca Rg


B3 =

Ca
rs Cgs Cgd Rd

+ Cs
+ Cgd Rd rs Cs
Ca

258

Capitolo 9. Caratteristiche dei FET ed amplicatori a FET

Capitolo 10

Amplicatori dierenziali
10.1

Concetti generali

Lamplicatore dierenziale `e adoperato in un gran numero di casi, dove sia necessario amplicare la dierenza tra due segnali. Una tipica applicazione si incontra
nel caso in cui occorra trasmettere ad una certa distanza, in un ambiente soggetto
a rumore elettronico un segnale di ampiezza ridotta. La linea che trasmette il segnale potr`a prelevare dallambiente del rumore, che allarrivo si trover`a sommato al
segnale.
Ammettiamo di usare, per la trasmissione, due linee e di trasmettere lungo la
prima linea il segnale v e lungo la seconda il suo opposto v. Ammettiamo inoltre
che le due linee siano strettamente accoppiate tra loro in modo da prelevare dallambiente un ugual segnale di rumore vn . Ci`o pu`o esser ottenuto avvolgendo a spirale
una linea sullaltra. In tal caso il segnale allarrivo sar`a v + vn sulla prima linea e
v + vn sulla seconda.
Se ora il circuito che riceve il segnale `e un amplicatore dierenziale, esso amplicher`a la dierenza dei due segnali. Se A `e il guadagno dierenziale, il segnale
alluscita sar`a:
vo = A [(v + vn ) (v + vn )] = 2Av
Leetto del rumore sar`a cos` annullato.
Diamo ora alcune denizioni comunemente adoperate nel caso degli amplicatori
dierenziali, facendo riferimento allo schema di gura 10.1.

V1
V0

V2

Figura 10.1: Schema di un amplicatore dierenziale a due ingressi.


Lamplicatore ha due ingressi v1 e v2 , ed unuscita vo . Sia gli ingressi che luscita
259

260

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

sono riferiti a massa. Chiamiamo segnale dierenza la quantit`


a:
vd = v2 v1

(10.1)

e segnale somma o segnale di ingresso nel modo comune, la quantit`a:


v1 + v2
(10.2)
va =
2
Se ora lingresso 2 `e collegato a massa ed un segnale v1 `e applicato allingresso 1
avremo:
vo = A1 v1
Analogamente, se colleghiamo a massa lingresso 1 ed applichiamo un segnale v2
allingresso 2, avremo:
vo = A2 v2
Per il principio di sovrapposizione, applicando segnali v1 e v2 agli ingressi 1 e 2,
avremo:
vo = A1 v1 + A2 v2
(10.3)
Le equazioni (10.1) e (10.2) forniscono:
vd
2
vd
v2 = va +
2

v1 = va

che, sostituite nella (10.3), danno:


A1 A2
vd
2
Si denisce guadagno nel modo comune la grandezza:
vo = (A1 + A2 )va +

(10.4)

Aa = A1 + A2
Analogamente, si denisce guadagno nel modo dierenziale la grandezza:
Ad =

A1 A2
2

Con tali denizioni la (10.4) diventa:


vo = Aa va + Ad vd

(10.5)

Per quanto detto in precedenza, un buon amplicatore dierenziale deve avere un


buon guadagno per lingresso dierenziale ed un guadagno molto piccolo (idealmente
nullo) per lingresso comune va . Dalla (10.5) abbiamo:


Aa
vo = Ad vd +
va
Ad
Il rapporto = Ad /Aa va sotto il nome di rapporto di reiezione per il modo
comune. Si ha quindi:


1
vo = Ad vd + va

Idealmente dovrebbe essere innito con che avremmo:


vo = Ad vd

10.2 Amplicatore dierenziale: schema base

10.2

261

Amplicatore dierenziale: schema base

La coppia dierenziale mostrata in gura 10.2 `e alla base di qualsiasi amplicatore


dierenziale.
Non sono state indicate le resistenze di polarizzazione delle basi. Ammetteremo
inoltre che i due transistor siano il pi`
u possibile simili, e che essi lavorino in zona
attiva.
VCC
iC1

Q1

Rc
vo1

Rc
vo2

iC2

Q2
v2

v1
iEE

Figura 10.2: Coppia dierenziale.


Notiamo che ora il segnale dierenza `e:
vd v1 v2 = vBE1 vBE2
Inoltre, trascurando la corrente inversa del diodo collettore-base:
iC1 = IE0 evBE1 /VT
iC2 = IE0 evBE2 /VT
dove `e comune ai due transistor, come pure IE0 .
Da queste segue:
iC2
= e(vBE2 vBE1 )/VT = evd /VT
iC1
La presenza del generatore di corrente sulla gamba di emettitore fa si che:
iEE = iE1 + iE2 =
da cui:

iC1 + iC2

iC2
iEE
=1+
= 1 + evd /VT
iC1
iC1

262

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

ed inne:

iEE
1 + evd /VT
iEE
iC2 =
1 + evd /VT
Ricordiamo che VT vale approssimativamente 25 mV.
Se vd VT avremo:
iC1 = iEE
iC1 =

(10.6)
(10.7)

iC2 = 0
Se invece vd `e negativo e |vd | VT abbiamo:
iC1 = 0
iC2 = iEE
Le tensioni alle uscite v01 e vo2 saranno:
vo1 = VCC Rc iC1
vo2 = VCC Rc iC2
Landamento di tali tensioni in funzione di vd , fornito dalle (10.6) e (10.7), `e
schematicamente mostrato in gura 10.3.

vo

-100

-200

-300

-400

-200

vd

200

400

vo1

vo2

Figura 10.3: Tensioni in uscita alla coppia dierenziale.


Notiamo che nelle zone allestrema destra ed allestrema sinistra si hanno valori
costanti per v01 e v02 . Il circuito viene adoperato in tali zone quando si voglia realizzare un circuito logico (logica ECL). La zona pi`
u interessante per la realizzazione
di un amplicatore dierenziale `e quella centrale in cui landamento delle curve `e
approssimativamente lineare.

10.2 Amplicatore dierenziale: schema base

263

Prima di esaminare in dettaglio la risposta, studiamo ora il punto di lavoro.


Poiche abbiamo due transistor, dobbiamo analizzare il punto di lavoro di entrambi, cio`e ssare iC1 , vCE1 , iC2 , vCE2 .
Cominciamo ad esaminare il caso in cui vd = 0, cio`e v1 = v2 . Sostituiamo
inoltre il generatore di corrente con una semplice resistenza collegata ad una tensione
negativa (VEE ) come mostrato in gura 10.4.

VCC

Rc

Rc
Rb
v1

vo1

vo2

Q1
i E1

Rb

Q2

Re

v2

iE2

-VEE

Figura 10.4: Coppia dierenziale di gura 10.2 in cui il generatore di corrente `e stato sostituito
con una resistenza.

Data la (teoricamente) completa simmetria del circuito, possiamo limitarci a


studiarne una met`a. La resistenza Re attraversata dalla corrente iE1 + iE2 = 2iE
andr`a ora sostituita da una resistenza 2Re attraversata da iE . La congurazione `e
quella mostrata in gura 10.5.

VCC
Rc
Rb
v 1=v2=va

v CE

iB
2Re

-VEE

Figura 10.5: Parte sinistra della coppia dierenziale di gura 10.4.

264

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

Lequazione della retta di carico `e data da:


vCE = VCC Rc iC 2Re iE + VEE
= VCC + VEE iC (Rc + 2Re )

(10.8)

La maglia di base fornisce:


va = Rb iB + VBE + iE (2Re ) VEE
dove si `e trascurato il termine hie .
Da questultima equazione si ottiene, con:
iB = iE /(hF E + 1)
ed iE iC :

Rb iE
+ VBE + 2Re iE VEE
va =
1 + hF E


Rb
iC 2Re +
= va VBE + VEE
1 + hF E
iC =

va + VEE VBE
2Re + Rb /(1 + hF E )

(10.9)

Lequazione (10.8) fornisce la retta di carico mentre la (10.9) ci fa vedere come


varia il punto sulla retta di carico al variare di va (vedi gura 10.6).

iC
(VCC+VEE)/(Rc+2RE)
retta di carico nel
modo differenziale

Qmax

Q'
Qmin

retta di carico nel


modo comune

VCC+VEE

vCE

Figura 10.6: Rette di carico per il modo comune (retta a tratto solido, che interseca gli assi) e
per il modo dierenziale, relative allamplicatore dierenziale. Il segmento passante per il punto
Q ed avente maggiore pendenza appartiene alla retta di carico per il modo dierenziale.

Il punto Q `e ottenibile dalla (10.9) ponendo va = 0:


iC (Q) =

VEE VBE
2Re + Rb /(1 + hF E )

I punti indicati con Qmin e Qmax sono ottenibili dalla medesima equazione (10.9)
ponendo va = vamax e va = vamin , sempre mantenendo vd = 0.

10.3 Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale

265

Notiamo che, in tale situazione di perfetta simmetria, vo1 = vo2 .


Esaminiamo ora ci`o che accade se vd `e diverso da zero, e va = 0. Dovremo
ora porre v2 = v1 = vd /2. Essendo ora va = 0, il punto di lavoro sar`a Q, che
corrisponde anche a vd = 0. Vediamo come tale punto si sposti al variare di vd .
Per piccole variazioni (uguali ed opposte) di v1 e v2 , le correnti iE1 e iE2 subiranno
variazioni uguali ed opposte; rester`a per`o costante la loro somma:
iE = iE1 + iE2
Di conseguenza la tensione di emettitore rimarr`a costante. Cambieranno invece
Vce1 e Vce2:
vCE1 = Rc iC1
vCE2 = Rc iC2
Indicando con vCEQ , iCQ i valori di vCE e di iC corrispondenti al punto di lavoro
Q, una generica di tali equazioni pu`o essere scritta nella forma:
vCE vCEQ = Rc (iC iCQ )
Nel graco della gura 10.6 tale relazione `e rappresentata da una retta passante
per il punto Q ed avente pendenza pari a 1/Rc .
Si pu`o vedere anche che, se va fosse stato diverso da zero, ad esempio tale da
portare il punto di lavoro in Q, i valori di vCE ed iC ottenuti variando vd sarebbero
stati quelli situati sul segmento tratteggiato indicato, passante per il punto Q; tale
segmento appartiene ad una retta di pendenza pari a 1/Rc .

10.3

Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale

Lanalisi della risposta dellamplicatore dierenziale a segnali di piccola ampiezza,


nella regione di basse frequenze, dove le capacit`a parassite possono essere trascurate,
pu`o esser eettuata tramite il modello a parametri h semplicato (cio`e trascurando
i parametri hre ed hoe ) con una tecnica simile a quella adoperata nellanalisi del
punto di lavoro.
I segnali applicati ai due ingressi, v1 e v2 , possono essere scritti, come gi`a visto,
in termini dei segnali somma e dierenza va e vd :
v1 = va vd /2
v2 = va + vd /2
Il circuito base-emettitore dellinsieme dei due transistor `e schematizzabile come
indicato in gura 10.7, dove limpedenza presente nel circuito di base, Rb (che tiene
conto delle resistenze di polarizzazione di base e dellimpedenza duscita del generatore) `e stata riessa nel circuito di emettitore. Analoga cosa `e stata fatta per hie ,
che `e stata sostituita da hie /(hf e + 1) = hib .
Il circuito di collettore `e schematizzato in gura 10.8.

266

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

Rb/(hfe+1)
v1=va-vd/2

hib Rb/(hfe+1)

hib

ie1

ie2
Re

v2=va+vd/2

Figura 10.7: Modello a parametri h del circuito base-emettitore della coppia dei due transistor.
vo1

iC1

vo1-vo2

Rc

vo2

Rc

iC2

Figura 10.8: Modello a parametri h del circuito di collettore della coppia dei due transistor.

Notiamo ora che, analogamente a quanto fatto in precedenza, possiamo calcolare


la risposta del sistema facendo uso del principio di sovrapposizione: calcolare cio`e la
risposta in presenza del solo segnale comune va , quella in presenza del solo segnale
dierenza vd ed inne la risposta complessiva ottenibile nel caso generale in cui siano
diversi da zero sia va che vd .
Se vd = 0 avremo v1 = v2 e quindi ie1 = ie2 . In tal caso la parte sinistra e quella
destra del circuito di gura 10.7 risultano identiche e ci si pu`o limitare a studiarne
una met`a. Occorre per`o tener conto del fatto che a ciascuna met`a appartiene una
resistenza 2Re . Il circuito diventa quindi quello di gura 10.9, dove `e:

R
ia
va

2Re

Figura 10.9: Schema della sola parte sinistra del circuito di gura 10.7 nel caso in cui vd = 0.

10.3 Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale

Rb
hf e + 1

R = hib +
da cui segue:
ia =

267

va
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)

Se ora `e diverso da zero vd e nullo va , il circuito diviene quello di gura 10.10.


R

id

id

vd/2

Re

vd/2

Figura 10.10: Schema della sola parte sinistra del circuito di gura 10.7 nel caso in cui va = 0.
Vediamo che ora le correnti nelle due maglie sono uguali e discordi per cui `e nulla
la corrente in Re ed `e di conseguenza uguale a zero la dierenza di potenziale ai suoi
capi. In tali condizioni Re pu`o essere sostituita da un corto circuito.
La met`a sinistra del circuito diviene allora quella di gura 10.11, per cui:
id =

vd /2
hib + Rb /(hf e + 1)

R
id
vd/2

Figura 10.11: Schema della parte sinistra del circuito di gura 10.7.
Nel caso generale, in cui siano diversi da zero sia va che vd , le correnti ie1 ed ie2
saranno date da:
ie1 =

vd /2
va

2Re + hib + Rb /(hf e + 1) hib + Rb /(hf e + 1)

ie2 =

vd /2
va
+
2Re + hib + Rb /(hf e + 1) hib + Rb /(hf e + 1)

268

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

Ammettendo che ic ie , dalla maglia duscita si vede che le tensioni vo1 e vo2
sono:
vo1 = Rc ic1 =

Rc /2
Rc
vd
va
hib + Rb /(hf e + 1)
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)

vo2 = Rc ic2 =

Rc /2
Rc
vd
va
hib + Rb /(hf e + 1)
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)

e quindi:
vo1 vo2 =

Rc
vd
hib + Rb /(hf e + 1)

cio`e vo1 vo2 `e proporzionale al segnale dierenza vd .


Le singole tensioni duscita vo1 e vo2 sono dipendenti linearmente da vd , ma
dipendono anche da va . Si pu`o scrivere:
vo1 = Ad vd Aa va
vo2 = Ad vd Aa va
con:
Ad =
Aa =

Rc /2
hib + Rb /(hf e + 1)

Rc
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)

Possiamo allora denire il rapporto di reiezione per il modo comune (CMRR)


come:
Ad
2Re + hib + Rb /(hf e + 1)
CMRR =
=
Aa
2[hib + Rb /(hf e + 1)]
Se `e 2Re hib + Rb /(hf e + 1), pu`o essere approssimato da:

Re
hib + Rb /(hf e + 1)

Ad esempio se hf e = 100, Rb = 500, Re = 1.5 k, Rc = 200, iCQ


= iEQ =
2.5 mA:
VT
25
= 10
=
hib =
iEQ
2.5
Rb
5
hf e + 1
1500
= 100
15
cio`e 40 dB. I valori di Aa e di Ad in tal caso varranno:
=

Aa =

200
Rc

= 0.067
2 1.5k + 15
3000
Ad =

100
Rc /2
=
= 6.67
15
15

10.3 Analisi della risposta a piccoli segnali dellamplicatore dierenziale

269

Valori tipici di in amplicatori dierenziali commerciali vanno da 80 a 100 dB


(cio`e da 104 a 105 ).
Il valore di pu`o essere considerevolmente aumentato aumentando il valore della
resistenza Re .
Tuttavia allaumentare di Re aumenta la caduta di potenziale ai suoi capi ed aumenta quindi la tensione di emettitore. Tale soluzione non `e quindi raccomandabile.
Si pu`o aumentare molto il valore di utilizzando un circuito in cui Re `e sostituita
da un transistor che funziona in base comune. Il circuito `e indicato in gura 10.12.

VCC

Rc

Rc
Rb
v1

vo1

vo2

Q1

Q2

iE1

iE2

Rb
v2

iC3
Q3
R'e

-VBB

-VEE

Figura 10.12: Schema di un amplicatore dierenziale ad alto .


Il transistor Q3 fornisce la corrente necessaria ed al medesimo tempo presenta
una elevata impedenza vista dagli emettitori dei transistor Q1 , Q2 . Tale impedenza
`e pari ad 1/hob3 , che `e dellordine di 500 k. Con tale modica, il valore di
dellesempio precedente diverrebbe 3.3 104 ( 90 dB).
Come gi`a visto in precedenza quando abbiamo analizzato il punto di lavoro
dellamplicatore dierenziale, la retta di carico per il modo comune (vd = 0, va = 0)
ha pendenza pari a 1/(Rc + 2Re ); quella relativa al modo dierenziale ha pendenza
pari a 1/Rc .
Nel caso attuale, questultima retta di carico rimane invariata mentre, a causa
dellelevato valore della resistenza presente sullemettitore del circuito dierenziale,
la retta di carico relativa al funzionamento nel modo comune diventa quasi orizzontale. Ci`o `e mostrato in gura 10.13, dove i punti Qmin e Qmax sulla retta di carico
per il modo comune corrispondono ai valori minimi consentiti per le dierenze di
potenziale VCE ai capi dei due transistor. Il graco `e quello relativo al transistor
Q1 , ma un graco analogo si potrebbe disegnare per Q2 . Valori molto piccoli di VCE
` immediato vedere che allaumentare
corrispondono alla saturazione del transistor. E

270

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

di VCE1 , essendo ssati VCC e VEE , diminuisce VCE3. Se VCE1 aumenta oltre un certo
limite, VCE3 diviene cos` piccolo che Q3 entra in saturazione.
iC1

Qmin

Qmax

Q1 satura

Q3 satura

0.35

vCE1

Figura 10.13: Retta di carico relativa al modo comune del circuito di gura 10.12.
I punti estremi Qmin e Qmax sulla retta di carico relativa al funzionamento nel
modo comune possono quindi esser ottenuti imponendo che nessuno dei transistor
vada in saturazione. Il transistor non andr`a in saturazione (come si pu`o vedere dalle
equazioni di Ebers-Moll) se:
vCE > VT [2.2 + ln(hF E /hF C )]
Se ad esempio `e hF E = 100 ed hF C = 0.01 si trova che deve essere vCE > 0.3 V .
Ora, il valore di vCE1 `e determinato da va . Abbiamo infatti:
vC1 = VCC Rc ICQ1
vE1 = va Rb IBQ1 0.7
vCE1 = vC1 vE1 = VCC Rc ICQ1 va + Rb

ICQ1
+ 0.7
hF E

ed una analoga equazione `e vera per vCE2 .


La condizione vCE1 > 0.35 V (preso al posto di 0.3 V, per sicurezza), implica:


Rb
ICQ1 + 0.35
va < VCC Rc
hF E
Il limite inferiore su va `e posto dalla condizione che Q3 non saturi. Notiamo che
si ha:
ICQ1
+ 0.7 vCE3 0.7 VBB
va = Rb
hF E
da cui:
ICQ1
+ VBB > 0.35 V
vCE3 = va Rb
hF E
segue:
ICQ1
va > Rb
VBB + 0.35
hF E

10.4 Impedenza dingresso dellamplicatore dierenziale

10.4

271

Impedenza dingresso dellamplicatore differenziale

La resistenza vista dai generatori di tensione v1 e v2 , pu`o essere facilmente calcolata


a partire dal circuito equivalente base-emettitore, che ridisegnamo in gura 10.14.
Rb/(hfe+1)
v1=va-vd/2

hib Rb/(hfe+1)

hib

ie2

ie1
Re

v2=va+vd/2

Figura 10.14: Circuito equivalente base-emettitore.


Poiche in genere Re `e molto maggiore di hib + Rb /(hf e + 1), possiamo trascurare
Re . Limpedenza vista da v1 si pu`o allora ottenere immaginando di cortocircuitare
v2 e di calcolare Ri1 come il rapporto tra v1 ed ib1 , cio`e:


v1
v1 ie1
Rb
=
= 2 hib +
Rin = Ri1 =
(hf e + 1)
ib1
ie1 ib1
hf e + 1
Se ad esempio `e hf e = 99 e IEQ1 = IEQ2 = 1 mA, avremo:
hie = (hf e + 1)hib = (hf e + 1)

VT
= 2500
IEQ

da cui:
Rin = 5 k + 200 Rb
e, con Rb = 50 : Rin = 15 k.
Per ottenere valori pi`
u elevati di Rin `e possibile sostituire il transistor della coppia
con FET, o anche con transistor Darlington.

10.5

Generatore di corrente sullemettitore

Un metodo utilizzato nella pratica per ottenere una corrente Io costante nel ramo
di emettitore dellamplicatore dierenziale, senza utilizzare una resistenza di valore elevato, `e quello di inserire un generatore di corrente del tipo disegnato in
gura 10.15.
Verichiamo che eettivamente Io `e costante.
Dallanalisi della maglia base-emettitore di Q3 segue:
VBE + R3 I3 = VB + VEE
Calcoliamo ora VB , trascurando la corrente di base.
VB = R1 I

(10.10)

272

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali


VCC

Rc

Rc
Rb
v1

Q1

vo1

vo2

iE1

Q2

iE2

Rb
v2

IO

VB

Q3

D1
R3

I3

R1
I

D2
R2
-VEE

Figura 10.15: Schema di un amplicatore dierenziale con corrente costante nel ramo di
emettitore.

Notiamo che la corrente I che uisce in R1 `e la stessa che uisce in D1 , D2 ed


R2 . Inoltre:
VB + VEE = VD + R2 I
dove VD `e la caduta complessiva di potenziale ai capi dei due diodi.
Dalle due ultime equazioni si ottiene:
VB + VEE = VD
Cio`e:
VB (1 +

R2
VB
R1

R2
) = VD VEE
R1

VB = (VD VEE )

R1
R1 + R2

Facendo ora uso della (10.10), si ottiene:


VBE + R3 I3 = VEE

R2
R1
+ VD
R1 + R2
R1 + R2

Se R1 ed R2 sono scelte in modo che:


VD R1
= VBE
R1 + R2

10.6 Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington

273

segue:
I3 = VEE

R2
R3 (R1 + R2 )

Il che ci dice che se VEE `e costante, allora anche I3 `e costante.


Notiamo che se VBE aumentasse a causa di una variazione di temperatura, VD
aumenterebbe percentualmente della stessa quantit`a e quindi la relazione:
VD

R1
= VBE
R1 + R2

continuerebbe ad esser vera. In tal modo il circuito `e quindi stabilizzato contro


eventuali variazioni di temperatura.
Si noti che Io = I3 . Se dierenziamo la (10.7) rispetto a vd = vBE1 vBE2 ,
otteniamo:


diC2
iEE
1
vd /VT

=
2 e
dvd
VT
(1 + evd /VT )
Per vd = 0, cio`e vBE1 = vBE2 , questa fornisce:
gmd

diC2
iEE
Io
=
=
dvd
4VT
4VT

(10.11)

Questa equazione ci dice che per un dato valore di Io , la transconduttanza di


un amplicatore dierenziale `e pari ad un quarto di quella del singolo transistor
(I0 /VT ).
Dalle considerazioni svolte allinizio di questo capitolo segue che lamplicatore
dierenziale e un buon limitatore: quando linput vd = VB1 VB2 supera 4VT
( 100 mV a temperatura ambiente) loutput pu`o aumentare molto poco.
Dalla (10.11) segue poi che il valore di gmd `e proporzionale ad Io .
Si ha inoltre:
vo2 = gmd Rc vd
` poi possibile modicare il guadagno dellamplicatore dierenziale aumentanE
do Io (controllo automatico del guadagno)

10.6

Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington

Abbiamo visto che un tipico transistor Darlington ha un valore di hf e pari allincirca al quadrato dellhf e del singolo transistor e che la sua impedenza dingresso `e
maggiore di quella di un singolo transistor di un fattore 2(hf e + 1).
Unamplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington `e quello indicato
in gura 10.16.
Limpedenza dingresso di ciascuno dei due transistor `e:
RD = 2(hf e + 1)hie = 2(hf e + 1)2 hib
Si pu`o allora facilmente vedere che il circuito equivalente `e quello di gura 10.17:

274

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

VCC

Rc

Rc
Rb

Q1

vo1

vo2

Rb

Q2

v2

v1
iE1

iE2
iC3
Q3
-VBB

R'e
-VEE

Figura 10.16: Schema di un amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington.


Rb/(1+hfe)2

Rb/(1+hfe)2
2hib

2hib
v1

Re=1/hob3

v2

Figura 10.17: Circuito equivalente allamplicatore dierenziale di gura 10.16.


Limpedenza dingresso vista da v1 (o da v2 ) `e, come prima:
Ri = 4(hf e + 1)hie1 = 4(hf e + 1)2 hib1
Ad esempio, se (hf e + 1)=100 ed IEQ1 =1 mA, troviamo:
Ri = 4 104

25
= 1 M
1

Il rapporto di reiezione per il modo comune sar`a:


=

Re
2hib + Rb /(hf e + 1)2

Notiamo che, rispetto al caso in cui si adoperavano dei normali transistor:


hib 2hib

10.6 Amplicatore dierenziale che fa uso di transistor Darlington


Rb
Rb

1 + hf e
(1 + hf e )2

275

276

Capitolo 10. Amplicatori dierenziali

Capitolo 11

Struttura delle principali famiglie


logiche
11.1

Introduzione

I circuiti logici che sono alla base dei computer, dei sistemi di controllo, di codica
e trasmissione dati digitali etc., sono classicabili in un certo numero di famiglie,
ciascuna con proprie caratteristiche, quali i livelli di tensione, la velocit`a di commutazione, le dimensioni del componente elementare, la dissipazione di potenza e, non
ultimo, il costo.
In questa sezione ci occuperemo delle caratteristiche delle principali di queste
famiglie. A titolo illustrativo ci occuperemo della famiglia TTL (Transistor-Transistor
Logic) e del suo precursore (non pi`
u adoperato) DTL (Diode-Transistor-Logic).
Motivi di spazio non ci consentono di trattare altre due famiglie che, in questi
ultimi decenni, hanno avuto una enorme diusione: i circuiti basati sulla logica MOS
(Metal-Oxide-Semiconductor) e CMOS (Complementary MOS), e quelli basati sulla
logica ECL (Emitter-Coupled-Logic). Il notevole successo dei circuiti MOS e CMOS
`e dovuto alla compattezza dei componenti elementari ed al ridotto consumo; quello
dei secondi allelevata velocit`a di commutazione. Ci limiteremo a dare un breve
cenno, alla ne del capitolo, ai circuiti in logica CMOS.
Inizieremo con una breve discussione dei livelli di tensione che caratterizzano gli
stati dei vari circuiti e di quello che `e il margine di errore su tali livelli. Per una
discussione delle caratteristiche costruttive delle famiglie MOS, CMOS ed ECL si
veda le referenze [7] e [25].

11.2

Livelli logici

I livelli di tensione che corrispondono all1 logico ed allo 0 logico sono deniti per
ogni determinata famiglia logica. Ad esempio nella famiglia TTL tali livelli sono
0 V (livello Low=L) e 5 V (livello High=H). Ovviamente le uttuazioni tra
componente e componente ed il rumore che `e sempre presente fanno s` che un livello
H in logica TTL non sia proprio 5 V ed un livello L non sia esattamente 0 V.
Chiameremo VOH il minimo livello di tensione che deve essere presente alluscita
del circuito se si vuole che questo livello sia riconosciuto come H. Analogamente
277

278

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

chiameremo VIH il minimo livello di tensione che deve essere presente allingresso di
un circuito se si vuole che questo sia riconosciuto come H.
` ovvio che un circuito non dovr`a fornire in uscita un livello H di tensione
E
inferiore a quello che esso stesso riconoscerebbe come livello alto in ingresso. Si deve
cio`e avere:
VOH > VIH
Se cos` non fosse, un piccolo disturbo presente (rumore, accoppiamento elettromagnetico con altri componenti presenti etc.) potrebbe far s` che un livello di
tensione H alluscita del circuito non risultasse tale allingresso di un altro circuito
nominalmente identico al primo.
La dierenza:
VOH VIH = NMH
`e nota come il margine derrore (Noise Margin=NM) relativo al livello alto.
Per il livello basso esistono analoghe denizioni. Si denisce il massimo livello di
tensione che pu`o esser presente alluscita di un circuito perche questo sia riconosciuto
come L: VOL , ed il massimo livello di tensione che pu`o esser presente allingresso del
circuito perche esso sia riconosciuto come L: VIL.
Ora dovr`a essere:
VIL > VOL
Il relativo Noise Margin (NM) `e:
NML = VIL VOL
Esempio: circuito NOT (invertitore). Se tale circuito ha in ingresso un livello di
tensione VI < VIL , esso dovr`a fornire in uscita un segnale VO > VOH . Viceversa, se
al suo ingresso `e presente un segnale di tensione VI > VIH , luscita sar`a VO < VOL .
Tale comportamento `e mostrato in gura 11.1.
Notiamo che, in tale diagramma, le zone scure non corrispondono a stati consentiti. Il circuito pu`o solo eettuare transizioni tra gli stati indicati come 1 logico
(in alto a sinistra) e 0 logico (in basso a destra).
Qualora lingresso o luscita del circuito venissero a trovarsi in una delle zone
scure in gura, lo stato del circuito sarebbe indeterminato.
Normalmente, i livelli VIL , VIH , VOL , VOH sono specicati per valori delle correnti
che non eccedano rispettivamente IIL , IIH , IOL , IOH .
La tabella 11.1 mostra valori tipici, forniti dai costruttori, per le famiglie TTL
54L/74L e CMOS 54C/74C.
Famiglia VCC (V)
54L/74L
5
54C/74C
5

VIL, IIL
VIH , IIH
VOL , IOL
0.7V , 0.18mA 2.0V, 10A 0.3V, 2.0mA
0.8V
3.5V
0.4V, 360A

VOH , IOH
2.4V, 100A
2.4V, 100A

Tabella 11.1: Valori tipici dei livelli di tensione per le famiglie TTL 54L/74L e CMOS 54C/74C.

Allinterno delle famiglie TTL, CMOS etc. esistono sottofamiglie con valori
lievemente diversi da questi dei vari parametri.

11.3 Il Fan-Out

279

Vo
1
Logico

0
Logico
0
Logico

1
Logico

VI

Figura 11.1: Livelli di tensione in uscita per un circuito invertitore. Le zone scure corrispondono
a stati non consentiti.

Le caratteristiche della famiglia ECL sono mostrate, insieme a quelle della logica
NIM, che `e uno standard usato nei sistemi di acquisizione e trasmissione dei dati in
esperimenti di sica (in particolare in sica nucleare e subnucleare) nella tabella 11.2.
Famiglia
VOL
ECL
-1.7V
NIM
(-1mA, 1mA)

VOH
VIL
-0.9V
-1.4V
(-14mA,-18mA) (-4mA, 20mA)

VIH
-1.0V
(-12mA,36mA)

Tabella 11.2: Valori tipici dei livelli di tensione e corrente per le famiglie ECL e NIM.

Si noti che la logica ECL ha livelli negativi di tensione, mentre i livelli relativi
alla logica NIM sono di corrente e non di tensione.
Poiche tuttavia `e anche specicata limpedenza dei collegamenti che `e 50 in
logica NIM (e TTL) mentre `e 100 in logica ECL si vede che in logica NIM il livello
logico 1 `e circa -0.8 V mentre il livello logico 0 `e circa 0 V.

11.3

Il Fan-Out

Se luscita di una certa porta logica `e collegata agli ingressi (in parallelo) di pi`
u
porte simili, occorrer`a tener conto della corrente che queste assorbono. Tale corrente
`e infatti erogata dalla porta pilota e, qualora fosse troppo elevata, farebbe uscire la
prima dalla sua zona di funzionamento normale.
Nella gura 11.2 la porta pilota A, con luscita al livello alto, deve erogare una

280

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

corrente IOH pari a 3IIH , dove IIH `e la corrente assorbita da ciascuna delle porte
alimentate dalla prima.

IIH

IOH
A

IIH

IIH

Figura 11.2: Esempio di porta logica la cui uscita `e collegata agli ingressi in parallelo di pi`u
porte simili.

Possiamo schematizzare tale circuito nel modo indicato in gura 11.3.

IOH

IIH
R

Figura 11.3: Schema del circuito di gura 11.2.


Se il numero delle porte collegate aumenta, aumenta la corrente erogata dalla
u aumentare diminuisce la tensione
porta pilota e di conseguenza, se IOH non pu`o pi`
Vout ai capi del carico costituito dal parallelo delle tre resistenze. Come si vede
facilmente dalla gura, si ha:
R
Vout = IOH
N
dove N `e il numero delle porte collegate (tre nellesempio di gura).
Si ha in generale:
NH < |IOH /IIH |
Analogamente, se luscita della porta pilota `e nello stato basso, avremo:
NL < |IOL /IIL|
Normalmente i costruttori quotano il pi`
u piccolo tra i due valori NH , NL . Tale
quantit`a `e nota come il fan-out della porta logica.

11.4 Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)

281

Vedremo nelle prossime sezioni come il fan-out possa esser calcolato in alcuni
semplici circuiti logici e quali siano i fattori che lo limitano nei vari casi.

11.4

Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)

Anche se tali circuiti hanno oramai un interesse puramente storico, `e utile esaminarne il funzionamento poiche da essi sono poi nati i TTL. Un esempio di porta NAND
in logica DTL `e quello mostrato in gura 11.4.

+5V
2.2k

5k

5k
A

DA
DB

B
DC
C

IC

D1

D2

OUT

IB

Q
I1

I2

5k

Stadio
successivo

Figura 11.4: Schema di una porta NAND in logica DTL.


Se almeno uno degli ingressi A, B, C `e basso (< 0.2 V ) il diodo corrispondente
conduce e VP = 0.2 + 0.7 = 0.9 V . Perche i diodi D1 e D2 conducano, occorre che la
tensione ai capi di ciascun diodo sia almeno uguale a 0.7 V e che inoltre la dierenza
di potenziale VBE tra base ed emettitore del transistor sia anchessa uguale a 0.7 V .
In altri termini deve essere: Vp > 2 0.7 + 0.7 = 2.1 V . Quindi, nelle condizioni
esaminate, D1 , D2 sono interdetti. Il transistor, con la base a massa attraverso la
resistenza da 5k, `e anchesso interdetto, quindi Vout = +5 V . Se tutti gli ingressi A,
B, C sono invece alti (+5 V ) i diodi DA , DB , DC saranno interdetti.
In tali condizioni i diodi D1 , D2 condurranno, VP = 2.1 V ed il transistor Q andr`a
in saturazione come ora vericheremo.
Esaminiamo lo stato del transistor, tenendo conto del fatto che, con i diodi dingresso interdetti, la corrente nei diodi D1 , D2 `e uguale alla corrente nella resistenza
da 5 k tra il punto P e lalimentazione:
5 2.1
= 0.58 mA
I1 =
5k
Inoltre:
0.7
I2 =
= 0.14 mA
5k

282

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

Si ha quindi:
IB = 0.58 0.14 mA = 0.44 mA
Se il transistor fosse in saturazione avremmo VCE 0.2 V . Allora dovremmo
avere:
IC
IB >

Verichiamo la consistenza:
IC =

5 0.2
= 2.18 mA
2.2k

2.18
IC
= 4.95
=
IB
0.44
Il transistor sar`a quindi in saturazione se `e:
hF E

IC
= 4.95
IB

Se il nostro transistor ha un hF E min di 30, luscita sar`a:


Vout 0.2 V

(stato LOW )

Vediamo cos` che il circuito si comporta come un NAND.


Valutiamo ora il fan-out.
Se luscita Vout `e bassa, ed essa `e collegata (come in gura) allingresso di uno
stadio identico, la corrente nel diodo dingresso di tale stadio sar`a:
ID =

5 0.9
= 0.82 mA
5k

Che chiamiamo carico standard. Tale corrente si somma a quella che attraversa
il transistor Q2 della porta pilota. Se colleghiamo alluscita del nostro NAND gli
ingressi di N circuiti simili, la corrente che attraversa il transistor diventa:
IC = IC + N 0.82 mA = 2.18 + 0.82 N (mA)
Chiediamoci ora quale sia la corrente massima che pu`o attraversare il transistor
senza che esso esca dalla saturazione. Questa `e:
(IC )max = hF E min IB = 30 0.44 = 13.2 mA
Perche il transistor rimanga in saturazione deve essere: IC < (IC )max , cio`e:
2.18 + 0.82 N < 13.2 mA
da cui:

13.2 2.18
 13
0.82
Quindi il fan-out del nostro circuito `e allincirca 13.
Un metodo che pu`o essere adoperato per aumentare la corrente di collettore nel
transistor (a parit`a di (hF E )min ) e quindi aumentare il fan-out, `e quello di modicare
N<

11.4 Circuiti in logica Diodo-Transistore (DTL)

283

+5V
I1

R1
1.75k

R2
2k

Rc
2.2k

R5
1.75k

P
R4
2k

IB1

A
DA

I'

Q1
D2

OUT

IB2

Q2
DB

C
DC

I'

I'2

R3
5k

Stadio
successivo

Figura 11.5: Schema del circuito di gura 11.4 in cui il diodo D1 `e stato sostituito con un
transistor.

il circuito in modo tale da aumentare la corrente di base in Q2 . Ci`o pu`o esser ottenuto
sostituendo il diodo D1 con un altro transistor, come mostrato in gura 11.5.
Notiamo che, quando i diodi in ingresso sono interdetti, una corrente uisce
nella base di Q1 . Questo transistor sar`a allora in conduzione (zona attiva), poiche
la resistenza R2 fa s` che la tensione di collettore sia maggiore di quella della base.
La giunzione base-collettore `e quindi polarizzata inversamente. Ora la corrente di
base di Q2 `e fornita dallemettitore di Q1 e quindi sar`a alta, essendo grandi i valori
tipici delle correnti di collettore (emettitore) per un transistor che lavori in zona
attiva. Un valore elevato per la corrente di base in Q2 implica un alto valore della
corrente di collettore, anche con un (hF E )min non particolarmente elevato, e quindi
un grande fan-out.
Calcoliamo ora il fan-out, ammettendo che i transistor adoperati abbiano un
(hF E )min = 30, una tensione di soglia V = 0.5 V , un VBE in zona attiva `e  0.7 V
ed un VBE in saturazione di circa 0.8 V .
Se almeno uno degli ingressi `e basso, il diodo corrispondente conduce e VP =0.9 V.
Se inoltre il V del transistor `e 0.5 V, Q1 sar`a interdetto. Infatti, perche esso conduca,
occorre che conducano anche D2 e Q2 e quindi che VP sia superiore a:
VP = 0.5 + 0.7 + 0.5 = 1.7 V
Ne segue che Q2 `e anchesso interdetto e Vout = +5 V.
Se tutti gli ingressi sono alti, i diodi DA , DB , DC saranno interdetti e Q1 potr`a
andare in conduzione (zona attiva). Perche ci`o accada basta che VP si porti ad una
tensione pari a:
VP = (VBE )attiva + VD2 + (VBE2 )sat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 V
Con Q1 in zona attiva e con VP =2.2 V avremo:
IC1 = hF E IB1

284

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche


I1 = IB1 + IC1 = (1 + hF E ) IB1
VCC VP = (5 2.2) V = VR1 + VR2 = R1 (1 + hF E ) IB1 + R2 IB1 =
= 1.75 (1 + hF E ) IB1 + 2.0IB1

e, se hF E = 30, da questa otteniamo:


(5 2.2) V = 2.8 V = 56.25 IB1
da cui:
IB1 = 0.05 mA
Inoltre avremo:

I1 = IE1 = (1 + hF E ) IB1 = 1.543 mA

0.8
0.8
=
= 0.16 mA
R3
5k
Di conseguenza la corrente di base di Q2 sar`a:
I2 =

IB2 = I1 I2 = (1.543 0.16) mA = 1.383 mA


Ricordiamo che nel precedente circuito, IB2 era 0.44 mA.
La corrente di collettore di Q2 , in assenza di carichi, sar`a:
I =

5 0.2
mA = 2.182 mA
2.2k

Notiamo a questo punto che:


I  = 2.182 mA < hF E IB2 = 41.49 mA
cio`e Q2 `e sicuramente in saturazione.
Chiediamoci ora quale sia il carico standard, cio`e la corrente assorbita dallo
stadio dingresso di un circuito simile, quando esso sia collegato alluscita del primo,
con Q2 in saturazione.
La corrente che uisce nelle resistenze R1 ed R2 dello stadio posto a valle `e, in
queste condizioni:
5 0.9
= 1.093 mA
IR12 =
1.75 + 2.0
Questo `e il carico standard.
La massima corrente di collettore possibile perche Q2 rimanga in saturazione
(sempre con hF E = 30) `e:
IC2 = 30 IB2 = 30 1.383 mA = 41.49 mA
Otteniamo quindi per il fan-out:
N=

IC2 I 
41.49 2.182
 35
=
IR12
1.093

Occorre anche notare che, se alluscita del nostro circuito NAND colleghiamo
uno o pi`
u ingressi di altri circuiti dello stesso tipo, la potenza dissipata aumenter`a.

11.5 Circuiti in logica TTL

285

La potenza minima dissipata (anche in assenza di carico) sar`a diversa a seconda


che sia Vout = 0.2 V (livello basso) o Vout = 5 V (livello alto). Se Vout = 0.2 V, la
potenza dissipata nella resistenza Rc e nel transistor Q2 sar`a:
P  = Vcc I  = 5 2.182 = 10.91 mW
Poiche in tale situazione i diodi DA , DB , DC sono interdetti e Q1 conduce, la
potenza dissipata nella parte di circuito che segue il percorso: R1 -R2 -Q1 -D2 -R3 sar`a:
P  = Vcc I1 = 5 1.543 mA = 7.715 mW
per cui la potenza totale dissipata `e:
P (Y = 0) = P  + P  = 18.62 mW
Se Vout = 5 V, entrambi i transistor sono interdetti e quindi, ai ni del calcolo
della potenza, lunica corrente da considerare `e quella che uisce nel ramo R1 R2 ,
poiche ora uno almeno dei diodi dingresso `e in conduzione. Tale corrente `e: IR12 =
1.093 mA, per cui:
P (Y = 1) = Vcc IR12 = 5 1.093 = 5.47 mW

11.5

Circuiti in logica TTL

I circuiti logici del tipo esaminato nora, che utilizzano diodi e transistor, sono
relativamente lenti. Per tale motivo a tale tipo di logica (nota come DTL) `e preferita
quella che utilizza solo transistor, nota come logica TTL.
Esaminiamo le cause della lentezza nella risposta di un circuito DTL, distinguendo la risposta alla transizione livello 0 livello 1, da quella relativa alla transizione
livello 1 livello 0 (con riferimento alluscita).
Esaminiamo il circuito duscita (vedi gura 11.6), dove la tensione duscita `e
quella sul collettore di Q2 .
Il condensatore C nel disegno rappresenta leetto combinato delle capacit`a
dingresso dei circuiti posti a valle e di quelle associate ai collegamenti.
Nel passaggio delluscita dal livello 0 al livello 1, il transistor deve andare in interdizione e la tensione di collettore salire a +Vcc . Ci`o avviene con una costante di tempo Rc C, che `e il tempo di carica del condensatore C attraverso Rc , il che rende lenta
la transizione. Un secondo fattore che contribuisce a rendere lenta tale transizione
deriva dal fatto che il transistor deve passare dalla saturazione allinterdizione. Ci`o
implica che le cariche presenti in base (elettroni e lacune) debbano uire verso massa. La corrente iniziale con cui il processo ha luogo `e VBE /Rb 0.7 V olt/Rb che,
per un valore tipico di Rb di 5 k, vale 0.15 mA. Poiche tale corrente `e piccola il
tempo di svuotamento della base sar`a relativamente lungo.
Esaminiamo ora ci`o che accade nella transizione opposta, cio`e quando lingresso
della porta diventa alto e quindi luscita scende a (0-0.2 V). Tale transizione implica
che il transistor entri in saturazione ed il condensatore si scarichi attraverso di esso.
Ora, il transistor era inizialmente interdetto e, per andare in saturazione dovr`a
passare attraverso una successione di stati che comprendono la zona attiva. Poiche

286

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

Vcc

Rc

Q2

RB

Figura 11.6: Schema relativo alluscita del circuito in logica DTL di gura 11.4.
la corrente di collettore, per un transistor in zona attiva, assume valori elevati, `e
chiaro che il tempo di scarica, e quindi il fronte di discesa associato alla transizione,
sar`a breve.
Un circuito caratterizzato da valori brevi sia del tempo di salita che di quello di
discesa, si ottiene sostituendo tutti i diodi con transistor. Esaminiamo il principio
di funzionamento di un tale circuito, prendendo come esempio un NAND con un
solo ingresso, cio`e un NOT.
Vedremo in seguito come, sostituendo il transistor dingresso con un particolare
tipo di transistor a pi`
u emettitori, sia possibile realizzare delle porte NAND a pi`
u
ingressi.
Esaminiamo, per cominciare, il circuito visto dal lato dellingresso (gura 11.7).
Se linput Vi `e alto (Vi = VCC ) la giunzione base-emettitore di Q1 sar`a polarizzata
inversamente. La tensione in P comincer`a a salire no a che (VBC )1 e (VBE )2 non
abbiano raggiunto circa 0.7 V. In tali condizioni vediamo che il transistor Q1 ha VBE
negativo e VBC positivo, cio`e `e in una situazione in cui le polarizzazione sono opposte
rispetto a quelle che sono caratteristiche di un transistor che lavori in zona attiva
diretta. Ora il transistor Q1 lavora in zona attiva inversa cio`e con i ruoli di emettitore
e collettore scambiati. Un transistor che lavori in modo inverso soddisfa a relazioni
tra correnti di emettitore, collettore e base, analoghe a quelle che conosciamo per la
zona attiva diretta. In particolare sussistono le seguenti relazioni tra le correnti:
IC = (R + 1)IB
(analoga alla IE = (F + 1)IB per un transistor che lavori in zona attiva diretta).
Inoltre:
IE = R IB
Notiamo che in genere `e R F . Inoltre i transistor utilizzati in questo tipo

11.5 Circuiti in logica TTL

287

Vcc

Rc

VO

P
Q1
Vi

Q2
IC

Figura 11.7: Schema relativo ad un circuito NAND in cui siano stati sostituiti tutti i diodi con
transistor (logica TTL) .

di applicazioni hanno valori di R ancora pi`


u piccoli:
R  0.02
per cui, indicando con I la corrente entrante nella base di Q1 , avremo:
IC  I
IE  R I (molto piccolo)
Avendo inoltre fatto lipotesi che VP = (VBC )1 + (VBE )2  1.4 V , si ha:
IC 

1.4 VCC
R

IE  R IC  0.02 I
In altre parole, avremo valori relativamente grandi per le correnti di base e
di collettore in Q1 , mentre la corrente di emettitore sar`a piccola. La corrente di
collettore di Q1 sar`a quindi abbastanza elevata da mandare Q2 in saturazione e
luscita Vo a circa 0.2 V.
Se invece lingresso (emettitore di Q1 ) v`a al livello basso, la giunzione baseemettitore acquista una polarizzazione diretta e la base di Q1 andr`a a 0.2+0.7=0.9 V.
Il collettore di Q1 , unito alla base di Q2 era inizialmente a 0.7 V (nella fase precedente Q2 era saturo). Ne segue che la giunzione base-collettore di Q1 subito dopo la
transizione dellingresso dallo stato alto a quello basso, `e polarizzata inversamente.
Con la giunzione base-emettitore polarizzata direttamente e quella base-collettore
polarizzata inversamente, vediamo che Q1 opera in zona attiva, con unelevata corrente di collettore. Tale corrente scarica rapidamente la base di Q2 , dopo di che tale
transistor va in interdizione.

288

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

In tale fase, la tensione di base di Q2 scende, la dierenza di potenziale VCB1 =


VB1 VC1 aumenta ed inne Q1 entra in saturazione. Alla ne del processo la
corrente di collettore di Q1 sar`a molto piccola, il che implica una VCE di circa 0.2 V,
mentre la base di Q2 sar`a a  0.4 V , il che mantiene Q2 interdetto.
Vediamo che con tale struttura del circuito di ingresso si elimina una delle cause
che erano allorigine del lungo tempo di salita del segnale in uscita nel circuito DTL.
Esaminiamo ora luscita del NOT TTL, per vedere come sia possibile eliminare il
problema della lentezza del tempo di salita del segnale in uscita, legato alla costante
di tempo Rc C.
Ricordiamo che il tempo di scarica della capacit`a C era rapido, grazie alleetto
del transistor Q2 che, durante la transizione, operava in zona attiva. Se vogliamo che
anche il tempo di carica sia breve, dobbiamo far s` che la carica avvenga attraverso
una resistenza di piccolo valore. Ci`o suggerisce di adoperare un emitter-follower,
caratterizzato appunto da una bassa impedenza duscita (ricordiamo che limpedenza duscita di un EF `e allincirca uguale ad Rs /hF E , dove Rs `e limpedenza della
sorgente che alimenta la base dellEF).
Schematicamente dovremmo quindi far uso di un circuito del tipo mostrato in
gura 11.8.

Vcc

Q
Vi

Re

Figura 11.8: Schema di un NOT TTL con un rapido tempo di carica.


Questo circuito ha un rapido tempo di carica (quando Q conduce) ma un lento
tempo di scarica (se Q `e interdetto la scarica avviene attraverso la resistenza Re ,
che `e tipicamente di qualche k).
Per ottenere un rapido tempo di carica ed un altrettanto rapido tempo di scarica,
si pu`o adoperare una combinazione dello stadio duscita del circuito di gura 11.7 e
di quello di gura 11.8, come mostrato in gura 11.9.
Dobbiamo supporre di disporre di due segnali complementari forniti dallo stadio
dingresso.
In altri termini, VI1 `e alto quando VI2 `e basso e viceversa. Se VI1 `e alto Q3

11.5 Circuiti in logica TTL

289

Vcc

VI2

Q4

VI1

Q3
C

Figura 11.9: Circuito con rapidi tempi di carica e di scarica ottenuto dalla combinazioni degli
schemi mostrati nelle gure 11.7 e 11.8.

sar`a in saturazione, mentre contemporaneamente, con VI2 basso Q4 sar`a interdetto.


Ora il condensatore C, supposto inizialmente carico (uscita Vo alta), potr`a scaricarsi
sat
).
attraverso la piccola resistenza oerta dal transistor Q3 saturo (RCE
Se VI1 `e basso e VI2 alto, Q3 sar`a interdetto e Q4 condurr`a. Ora Q4 si comporta
da EF e consente una rapida carica di C attraverso la piccola resistenza duscita
dellEF.
Lo stadio duscita adoperato `e noto come Totem-pole, a causa del suo aspetto
che ricorda i Totem adoperati dagli indiani dAmerica.
La bassa impedenza duscita dellEF Q4 in questo stato logico (uscita alta) fa s`
che luscita possa erogare una notevole corrente con conseguente elevato fan-out.
Notiamo anche che il transistor Q4 , nello stato alto, `e quello che tira su luscita
verso il livello alto. Per tale motivo ci si riferisce a Q4 come un active pull-up.
Analogamente, nello stato basso, il ruolo di tener gi`
u luscita `e svolto dal
transistor Q3 che, per tale motivo, `e indicato come un active pull-down.
Il circuito completo `e mostrato in gura 11.10.
Abbiamo gi`a esaminato il funzionamento dello stadio di ingresso (a sinistra nella
gura). Esaminiamo ora lo stadio intermedio che fornisce le due uscite complementari (quelle che alimentano le basi di Q3 e Q4 ), e lo stadio duscita.
Lo stadio intermedio `e un phase-splitter. Luscita prelevata sul collettore di Q2
e quella prelevata sullemettitore sono sfasate di 180o. Tali uscite forniscono quindi
i segnali di tensione VI1 e VI2 necessari per alimentare Q3 e Q4 .
Se lingresso VI `e basso (0.2 V), il transistor Q1 , come gi`a visto, avr`a la base a

290

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

Vcc

R1 1.6k
R

R3

130

4k
Q4

IB1
VI

Q2

Q1

D
Vout
Q3
CL

R2

1k

Figura 11.10: Schema completo del circuito NOT TTL. Lo stadio dingresso gi`a esaminato `e
quello di sinistra, lo stadio intermedio al centro fornisce le due uscite complementari.
(0.2+0.7=0.9 V) e Q2 sar`a interdetto. Con ci`o la tensione sulla base di Q3 , unita
allemettitore di Q2 sar`a allincirca 0 V e Q3 sar`a interdetto.
Con Q2 interdetto, la sua tensione di collettore sar`a Vcc = 5 V . Poiche il
collettore di Q2 `e unito alla base di Q4 , avremo:
VC2 = VB4 = 5 V
Con tale tensione di base, Q4 sar`a ON (in saturazione o in zona attiva).
Esaminiamo leetto del carico posto a valle sullo stato di Q4 . Se non c`e alcun
carico, la corrente IL nellemettitore di Q4 sar`a molto piccola (giusto la corrente
di perdita) e le due giunzioni: quella base-emettitore di Q4 e quella del diodo D,
saranno al limite della conduzione. Ammettendo che esse valgano entrambe 0.65 V,
troveremo:
Vout = 5 0.65 2 = 3.7 V
Cio`e luscita `e al livello alto.
Se introduciamo un carico, la corrente IL in Q4 ed in D aumenter`a. Tuttavia,
entro un certo range di valori di IL , Q4 rimarr`a in zona attiva ed avremo:
Vout = Vcc

IL
IL
R1 VBE4 vD  5
1.6 k 0.8 0.7
+1
+1

11.5 Circuiti in logica TTL

291

Ulteriori aumenti di IL potranno mandare Q4 in saturazione. A questo punto la


tensione duscita sar`a determinata dalla sola resistenza di 130 :
sat
Vout = Vcc 0.13k IL VCE
0.8 = 5.0 0.13k IL 1.0 =
4

= 4. 0.13k IL
Esaminiamo ora ci`o che accade se lingresso VI `e alto. Come gi`a visto, ora
la giunzione base-emettitore di Q1 `e polarizzata inversamente; la tensione VB1
VC1 + 0.7 V = 1.4 V . La corrente di base di Q1 `e allora:
IB1 =

5 1.4
Vcc 1.4
=
= 0.9 mA
R
4

La corrente di collettore sar`a:


IC1 = (R + 1)IB1  IB1
mentre IE1 sar`a molto piccola.
Tale corrente di collettore di Q1 (che sta funzionando in modo inverso) uisce
verso la base di Q2 , mandandolo in saturazione. Verichiamo in tali condizioni lo
stato di Q4 e Q3 .
Con Q2 in saturazione la corrente di emettitore di Q2 sar`a abbastanza grande
da mandare Q3 in saturazione e Vout 0.2 V . La tensione sulla base di Q4 , uguale
a quella sul collettore di Q2 , sar`a ora:
sat
sat
VB4 = VC2 = VCE
+ VBE
= 0.2 + 0.8 = 1 V
2
3

Perche Q4 conduca occorre che VB4 soddis la condizione:


min
min
sat
+ vD
+ VCE
= 1.4 + 0.2 = 1.6 V
VB4 > VBE
4
4

Poiche VB4 `e solo 1 V, n`e Q4 n`e il diodo conducono.


Se ora lingresso VI torna al livello basso, Q2 andr`a in interdizione e ci`o mander`a
in interdizione Q3 .
Luscita rimarr`a per un breve intervallo di tempo a 0.2 V, poiche la capacit`a
parassita CL deve caricarsi. Nel frattempo per`o Q4 va in saturazione (la tensione
sulla sua base `e salita quando Q2 `e andato in interdizione). Avremo ora:
sat
+ vD + Vout = 0.8 + 0.7 + 0.2 = 1.7 V
VB4 = VBE
4

La corrente di base di Q4 sar`a:


IB4 =

Vcc VB4
5.0 1.7
= 2.06 mA
=
R1
1.6

e quella di collettore:
IC4 =

sat
Vcc VCE
vD Vout
3.9
4
= 30 mA
=
R3
0.13

e quindi:
IC4
30
= 14.6
=
IB4
2.06

292

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

Se scegliamo un transistor con hmin


a in saturazione.
F E > 15 vediamo che Q4 sar`
Fino a che Q4 rimane saturo, la tensione Vout in uscita sale esponenzialmente
verso Vcc , con una piccola costante di tempo:


= CL 0.13 + RCsat4 + Rf
Dove RCsat4 `e la resistenza tra collettore ed emettitore di Q4 quando questo `e in
saturazione ed Rf `e la resistenza diretta del diodo.
Allaumentare di Vout la corrente in Q4 diminuisce, Q4 esce dalla saturazione ed
inne Vout raggiunge uno stato in cui Q4 `e interdetto.
Il valore nale della tensione duscita sar`a:
cutin
cutin
vD
= 5 0.5 0.6 = 3.9 V
Vout = Vcc VBE
4
cutin
cutin
e vD
abbiamo indicato i valori di soglia sotto i quali il transistor
Dove con VBE
4
ed il diodo non conducono.
Il circuito NAND in logica TTL dierisce da quello (NOT) ora descritto per
il transistor dingresso che, nella porta NAND, `e costituito da un transistor a pi`
u
emettitori, come mostrato in gura 11.11.

Figura 11.11: Transistor a pi`u emettitori.


Fisicamente tale transistor ha la struttura mostrata in gura 11.12.

E1

E2

E3

n+

n+

n+

n+

P
n

Figura 11.12: Struttura interna di un transistor a pi`u emettitori.


Nel substrato di materiale n `e impiantato il collettore (n+ ) e, in una struttura
p (cui `e collegata la base) tre strutture (n+ ), corrispondenti ciascuna ad uno dei

11.6 Circuiti in logica CMOS

293

tre emettitori indicati nella gura precedente. Il funzionamento di tale dispositivo


`e identico a quello del singolo transistor.

11.6

Circuiti in logica CMOS

Abbiamo gi`a accennato nel capitolo 9 alla struttura base di un tipico componente
CMOS. Questo, come mostrato in gura 11.13, `e costituito da un NMOS ed un
PMOS, in cui i gates sono uniti insieme a costituire lelettrodo di input, ed i drain
sono anchessi uniti insieme. Nella struttura di gura 11.13, che costituisce un
esempio di invertitore (NOT), quando lingresso `e basso lNMOS `e interdetto mentre
il PMOS conduce. Come si `e visto, in tali condizioni luscita `e alta. Se invece
lingresso `e alto, viene ad essere interdetto il PMOS e conduce lNMOS; con che
luscita `e bassa.
5V

M2
Vout
Vin

M1

Figura 11.13: Esempio di invertitore in tecnologia CMOS.


Il circuito di gura 11.14 utilizza due NMOS e due PMOS per realizzare una
porta NAND a due ingressi.
Il funzionamento di tale porta `e facile da comprendere. Se entrambi gli ingressi
A e B sono alti, i transistor M3 ed M4 conducono, mentre M1 ed M2 saranno
interdetti. Si vede quindi che luscita sar`a bassa. Se A e B sono entrambi bassi,
M4 ed M3 saranno interdetti mentre condurranno M1 ed M2. Loutput sar`a quindi
alto. Se A `e alto e B basso, M1 ed M4 saranno interdetti mentre condurranno M2
ed M3. Loutput sar`a quindi alto. Analogamente, se A `e basso e B alto, M2 ed
` cos`
M3 saranno interdetti mentre condurranno M1 ed M4. Luscita sar`a alta. E
` poi facile trasformare questa in
vericato il funzionamento come porta NAND. E
una porta AND facendola seguire dallinvertitore di gura 11.13.
Il risultato di una simulazione del circuito di gura 11.14 `e mostrato in gura 11.15. Nella simulazione, eettuata facendo uso della versione demo del programma Microcap, si `e applicato allingresso A un segnale rettangolare, di altezza 5 V e
periodo 20s, mentre lingresso B `e stato tenuto al livello logico 1 (+5 V).

294

Capitolo 11. Struttura delle principali famiglie logiche

M1

M2

Output
Input A (5 V, T=20us)

M3

M4
Input B (5 V)

Figura 11.14: Esempio di porta NAND in tecnologia CMOS.

8.0

Input A
6.0

4.0

2.0

0.0

0.0

20.0

40.0

60.0

80.0

100.0

60.0

80.0

100.0

60.0

80.0

100.0

t (s)
8.0

Input B
6.0

4.0

2.0

0.0

20.0

40.0
t (s)

8.0

Output
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0

0.0

20.0

40.0
t (s)

Figura 11.15: Forme donda in ingresso ed in uscita per la porta NAND in tecnologia CMOS di
gura 11.14. Lingresso A `e unonda rettangolare di altezza 5 V e periodo 20 s mentre lingresso
B `e stato tenuto, nella simulazione, ad un livello sso di 5 V. La simulazione `e stata eettuata
facendo uso del programma Microcap

Capitolo 12

Amplicatori operazionali
12.1

Introduzione

Ci occuperemo in questa sezione degli amplicatori operazionali, iniziando con


un breve sommario delle principali caratteristiche di un tipico amplicatore operazionale ideale ed esaminandone alcune semplici applicazioni. Passeremo a discutere
in un secondo tempo i limiti degli amplicatori operazionali reali, quali le correnti e
tensioni di oset, lo slew rate e via dicendo.
Questo tipo di amplicatore si presta ad un gran numero di applicazioni diverse,
che vanno dallamplicazione di segnali di tensione o corrente, alla realizzazione di
integratori/derivatori di precisione, a quella di circuiti oscillanti, di ltri analogici,
di sistemi di trigger e via dicendo. Vari tipi di operazionali, con diverse caratteristiche e prestazioni (impedenza dingresso pi`
u o meno elevata, guadagno pi`
u o meno
grande, banda passante pi`
u o meno ampia etc), sono disponibili in commercio. Di
questi, quello che `e stato per decenni il pi`
u noto `e il A741

12.2

Propriet`
a degli amplicatori operazionali

Con riferimento allo schema indicato in gura 12.1, un amplicatore operazionale ha


due ingressi di segnale, due alimentazioni (nella pi`
u gran parte dei casi una positiva
ed una negativa, ma a volte una positiva ed una massa) ed unuscita. In molti casi
esistono degli ulteriori terminali, adoperati per il controllo delloset.
I due ingressi, noti come ingresso non-invertente ed ingresso invertente, sono
tali che ad essi corrispondano, come vedremo tra un attimo, guadagni uguali ed
opposti. In altre parole, lamplicatore operazionale ha ingressi dierenziali. Le

V+
V0

Figura 12.1: Schema di base di un amplicatore operazionale.


295

296

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

principali caratteristiche di un amplicatore operazionale ideale sono le seguenti:


impedenza dingresso innitamente grande;
ingressi dierenziali;
guadagno nel modo dierenziale innito;
larghezza di banda innita;
sfasamento nullo tra ingresso ed uscita;
guadagno nel modo comune nullo;
impedenza di uscita nulla.
Un amplicatore operazionale reale avr`a caratteristiche che si discosteranno pi`
uo
meno dalle caratteristiche ideali appena descritte. Di tali dierenze ci occuperemo
nel seguito.
Esaminiamo adesso le caratteristiche di un amplicatore tipico. Un circuito che
si incontra frequentemente `e quello mostrato in gura 12.1. Notiamo lingresso
invertente indicato con un segno meno e quello non invertente indicato con un segno
pi`
u.
Se tra i due terminali dingresso applichiamo una dierenza di potenziale, la
tensione al terminale di uscita sar`a, a causa del guadagno innito delloperazionale,
anchessa innita. Da un punto di vista pratico la tensione di uscita non potr`a
superare quella delle alimentazioni. Se, ad esempio, lamplicatore `e alimentato
con tensione positiva di +15 Volt e tensione negativa di -15 Volt, la tensione di
uscita sar`a allincirca uguale a +15 Volt se la tensione applicata al terminale non
invertente `e maggiore di quella applicata al terminale invertente, sar`a -15 Volt nel
caso contrario. Notiamo che sia il terminale invertente che quello non invertente sono
riferiti a massa. Avremo quindi unimpedenza tra terminale invertente e massa, una
tra terminale non invertente e massa ed una tra i due terminali invertente e non
invertente. Ammetteremo che tutte e tre queste impedenze siano innite.

12.2.1

Ingresso dierenziale

Prima di passare ad esaminare alcuni circuiti tipici che fanno uso di A.O., ricordiamo
alcune denizioni relative allamplicatore dierenziale, che ne costituisce lo stadio
dingresso.
Indichiamo con v+ e v le tensioni applicate rispettivamente allingresso non
invertente ed a quello invertente, con vo la tensione duscita, con A+ e con A i
guadagni dellA.O. per segnali applicati rispettivamente allingresso non invertente
ed a quello invertente. Per il principio di sovrapposizione avremo:
v0 = A+ v+ + A v
e, ponendo:
vd = v+ v
1
vc = (v+ + v )
2

(12.1)

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali


cio`e

297

v+ = vc +

vd
2

(12.2)

v = vc

vd
2

(12.3)

questa diventa:

vd
vd
1
vo = A+ vc +
+ A vc
= (A+ + A )vc + (A+ A )vd (12.4)
2
2
2
che, con le denizioni:
Ac = (A+ + A )
1
Ad = (A+ A )
2

(12.5)

vo = Ac vc + Ad vd

(12.7)

(12.6)

pu`o essere scritta come:


La grandezza Ad `e nota come il guadagno nel modo dierenziale, mentre Ac `e il
guadagno nel modo comune. Un buon A.O. dovr`a avere un valore di Ac prossimo a
zero ed un valore di Ad prossimo ad . Normalmente i produttori quotano il valore
del cosiddetto rapporto di reiezione per il modo comune (Common Mode Rejection
Ratio o CMRR), denito da:
= |Ad /Ac |
che deve essere il pi`
u grande possibile.
Dalla (12.7) si ha poi:


1 vc
vo = Ad vd 1 +
vd

(12.8)

Ad esempio, se vc =1 mV, vd = 1 V e =1000, avremo:




1 vc
= 2 Ad vd
vo = Ad vd 1 +
vd
anzich`e semplicemente Ad vd come si vorrebbe da un buon A.O.. Se vogliamo che
ci`o accada, occorre che sia abbastanza pi`
u grande di vc /vd da rendere trascurabile
il secondo termine in parentesi nella (12.8). Nel nostro esempio, dovr`a essere
maggiore di 105 se si vuole che vo dierisca da Ad vd per meno dell1%.

12.3

Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

Gli A.O. hanno numerosissime applicazioni. Queste possono essere divise in due
grandi categorie. Nella prima di queste lA.O. viene adoperato in modo che esso
esca dalla zona lineare e vada in saturazione. Se infatti si applica una piccola
dierenza di potenziale tra ingresso invertente ed ingresso non-invertente, luscita si
porter`a tipicamente a Vcc dove Vcc `e la tensione di alimentazione. Nel realizzare tale
funzione si fa spesso uso di una reazione positiva tra uscita ed ingresso dellA.O..

298

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Fanno parte di questa categoria molti circuiti logici, generatori di onde quadre,
generatori di rampa, circuiti di trigger (Schmitt) etc..
Nel secondo tipo di applicazioni si fa invece uso di una reazione negativa, realizzando un funzionamento lineare dellA.O.. Fanno parte di questa categoria i circuiti
amplicatori (invertenti e non invertenti), i circuiti di somma e di sottrazione, gli
inseguitori di tensione, i convertitori tensione-corrente e corrente-tensione e molti
altri.
Inizieremo nella prossima sezione unanalisi di questultima classe di applicazioni.
Esiste in realt`a una terza classe di applicazioni, in cui il feedback positivo applicato `e quasi esattamente uguale allinverso dellamplicazione delloperazionale
e quindi il guadagno a catena aperta A `e circa uguale ad uno. In tale categoria
rientrano i cosiddetti oscillatori sinusoidali che sono trattati in un capitolo a se.

12.3.1

Amplicatori invertenti e non-invertenti

Abbiamo specicato in precedenza tra le caratteristiche di un A.O. ideale:


impedenza dingresso Ri innita;
guadagno in tensione Av innito;
impedenza duscita Ro nulla.
Esamineremo ora, a titolo di esempio, alcuni amplicatori reazionati che utilizzano
un A.O. e ne studieremo il funzionamento.
Cominceremo con lesaminare la congurazione invertente mostrata in gura 12.2.

R2
R1
Vs

Vout

Figura 12.2: Amplicatore invertente realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi


passivi.

Ammetteremo che Ri , Av ed Ro (vedi gura 12.3) abbiano valori niti; faremo


poi tendere Ri ed Av ad innito ed Ro a zero.
Facendo uso del teorema di Miller, lo schema di gura 12.3 pu`o esser trasformato
in quello di gura 12.4, dove k = vo /vi .
Dallanalisi della maglia duscita di tale circuito troviamo:
vo =

Av vi 
Z
Z  + Ro

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

299

i
R2
i
R1
Vs

Ri -

Vi=V0/Av~0

R0
AvVi

V0

Figura 12.3: Amplicatore invertente: sullo schema sono evidenziati limpedenza di ingresso
(Ri ), limpedenza di uscita (Ro ) ed il guadagno in tensione (Av ) dellamplicatore operazionale.

Vs

R1

R0
Vi

R2/(1-k)

-R2 k/(1-k)

Ri

V0

-Av Vi

Figura 12.4: Circuito equivalente allamplicatore di gura 12.3.


dove:
Z =

R2 k
1k

Si ottiene di qui una relazione tra vo e vi :


vo
Ro Av R2
=
vi
R2 + Ro
Dallanalisi della maglia dingresso si ottiene invece:
vi = vs
dove:
R =

R
R1 + R

Ri R2
Ri (1 k) + R2

(12.9)

300

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

per cui:
R
Ri R2
=
R1 + R
Ri R2 + R1 [R2 + Ri (1 k)]
Dallequazione (12.9) si ottiene allora:
vo vi
Ri (Ro Av R2 )
vo
=
=
vs
vi vs
R1 (Ri + R2 + Ro ) + Ri (R2 + Ro ) + Av R1 Ri
Dividendo ora numeratore e denominatore per Ri , otteniamo poi:
vo
Ro Av R2
=
vs
(R1 /Ri )(Ri + R2 + Ro ) + R2 + Ro + Av R1
che, per Ri che tende ad innito, diventa:
vo
Ro Av R2
=
vs
R1 + R2 + Ro + Av R1
e, per Av che tende ad innito ed R0 che tende a zero:
vo
R2
=
vs
R1

(12.10)

Vediamo da tale relazione che il guadagno dellamplicatore reazionato invertente


`e, nel limite Ri = , R0 = 0 ed |Av | = , uguale al rapporto tra la resistenza
di reazione R2 e quella che collega il generatore di segnali allingresso invertente.
Notiamo che al medesimo risultato si potrebbe arrivare in modo pi`
u semplice,
con le seguenti considerazioni:
1. poich`e Ri = , la corrente che pu`o uire nelloperazionale `e trascurabile,
ammetteremo che essa sia nulla;
2. in presenza della reazione negativa causata dalla resistenza R2 , loperazionale
non satura: cio`e il segnale in uscita ha un valore inferiore a quello dellalimentazione;
3. essendo Av = e vo nito, la relazione: |vi | = |vo /Av | ci dice che la differenza di potenziale tra i terminali dingresso: vi deve essere vicina a zero,
ammetteremo che essa sia nulla.
In denitiva avremo (vedi gura 12.3):
v = vi =

vo
0
Av

e quindi v = 0 (essendo v+ collegato a massa). Si dice che il terminale invertente


`e una massa virtuale, poich`e esso si trova ad un potenziale molto prossimo a quello
tuttavia da tenere ben presente che non esiste alcun collegamento sico
di massa. E
o corto circuito tra terminale invertente e non-invertente.
Vediamo ora come le condizioni esaminate portino facilmente al risultato espresso
dallequazione (12.10). Infatti, per quanto detto, nessuna corrente entra nelloperazionale; ne segue che la corrente che attraversa la resistenza R1 `e uguale a quella
che attraversa R2 . Inoltre si ha v = 0. Ne segue:
vo
vs
=
i =
R1
R2

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

301

da cui:
R2
vo
=
vs
R1

(12.11)

Potrebbe apparire che lipotesi aggiuntiva (Ro = 0) che `e stata necessaria per
dimostrare la relazione (12.10), non giochi pi`
u alcun ruolo. In realt`a ci`o non `e vero.
Se infatti Ro fosse, diciamo, grande rispetto ad R2 (o confrontabile ad essa), allora
la tensione duscita vo sarebbe uguale a quella (vo ) presente alluscita del generatore
dipendente che schematizza luscita dellA.O., diminuita della caduta attraverso Ro .
Con ci`o lequazione ottenuta (12.11) non sarebbe pi`
u vera, ma il rapporto vo /vs
dipenderebbe anche da Ro .
La gura 12.6 mostra i segnali in ingresso ed in uscita da un amplicatore invertente, in cui `e stato scelto un rapporto R2 /R1 pari a 2. Il segnale in ingresso `e una
sinusoide di ampiezza pari ad 1 V. Si vede come il segnale in uscita sia una sinusoide
invertita, di ampiezza doppia.
Impedenza dingresso dellamplicatore invertente
Limpedenza dingresso ri dellamplicatore appena esaminato pu`o esser calcolata facilmente facendo uso dello schema di gura 12.4. Si vede da tale gura che
limpedenza dingresso `e:
ri = R1 +

Ri R2
Ri (1 k) + R2

dove k `e dato dalla relazione (12.9). Si ottiene quindi:


ri = R1 +

Ri (Ro + R2 )
Ri (1 + Av ) + (Ro + R2 )

Questa pu`o essere riscritta come:


ri = R1 +

Ri (Ro + R2 )/(1 + Av )
Ri + (Ro + R2 )/(1 + Av )

che, ponendo:
rf =

R2 + Ro
1 + Av

pu`o essere scritta nella forma pi`


u concisa:
ri = R1 + Ri rf
dove in genere rf `e molto minore di Ri per cui, nel parallelo, questultima pu`o essere
trascurata. Essendo inoltre in genere rf molto piccola, si trova che limpedenza dingresso dellamplicatore invertente esaminato `e con ottima approssimazione uguale
ad R1 .
Ad esempio, per R1 = 100k, R2 = 10k, Ro = 100 ed Av = 105 , troviamo:
rf = 0.1 e quindi ri = R1 = 100k.

302

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Impedenza duscita dellamplicatore


invertente
Per calcolare limpedenza duscita ro dellamplicatore immaginiamo di cortocircuitare i terminali dingresso, ponendo vs = 0, di applicare tra i terminali duscita
una tensione vo e di calcolare la corrente io immessa dal generatore di tensione vo .

R1

i0

R2
R0

Ri

Vi

Av Vi

V0

Figura 12.5:

Schema del circuito utilizzato per il calcolo dellimpedenza di uscita


dellamplicatore invertente.

Deniremo poi impedenza duscita il rapporto vo /io . Lo schema equivalente che


adopereremo `e quello di gura 12.5. Avremo:
io =

vo Av vi
vo
+
Ro
R1 + R2

poich`e Ri R1 . Inoltre `e:


vi = vo

R1
R1 + R2

Sostituendo questequazione nella precedente, si trova:


vo + Av vo R1 /(R1 + R2 )
vo
+
Ro
R1 + R2

io =


cio`e:
vo
ed inne:

1
Av R1
1
+
+
Ro R1 + R2 Ro (R1 + R2 )


= io

io
1
1
Av R1
1
=
=
+
+
ro
vo
R1 + R2
Ro
Ro (R1 + R2 )

per cui per Av si ha:


1
1
=
ro
Ro
ed ro `e praticamente nullo.



Av R1
1+

R1 + R2

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

303

3.60

2.40

Volt

output
input
1.20

0.00

-1.20

-2.40

0.00

100.00

200.00

300.00

400.00

500.00

t (microsecondi)

Figura 12.6: Graco dellandamento temporale della tensione in ingresso (linea tratteggiata)
e della tensione in uscita (linea continua) per un amplicatore invertente con amplicazione in
tensione pari a 2.

R2

R1

v0
Vi

Figura 12.7: Amplicatore non-invertente realizzato con un amplicatore operazionale ed


elementi passivi.

12.3.2

Amplicatore non-invertente

Un amplicatore che fornisce un segnale in uscita in fase con il segnale applicato in


ingresso `e quello mostrato in gura 12.7.
Per calcolare il guadagno in tensione di tale amplicatore ricordiamo che, a causa
della reazione negativa avremo, come prima, v+ = v , ed inoltre vi = v+ per cui:
v = vo
e:
Av =

R1
R1 + R2

vo
vo
R1 + R2
R2
=
=
= 1 +
vi
v
R1
R1

304

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Il guadagno, come si vede, `e indipendente dalle caratteristiche delloperazionale, ma


dipende solo dai valori delle resistenze R1 e R2 . Esso diviene uguale ad 1 se R2 = 0
e R1 = . Si ottiene cos` la congurazione di gura 12.8 nota come inseguitore di
tensione.

v0
Vi

Figura 12.8: Inseguitore di tensione.

Impedenza dingresso dellamplicatore non-invertente


Limpedenza dingresso dellamplicatore nella congurazione esaminata, cio`e limpedenza vista dalla sorgente vs guardando nel terminale non invertente, `e teoricamente innita. Vediamo di esprimerla in termini del guadagno Av , della resistenza
dingresso delloperazionale Ri e dei valori delle resistenze. Chiamando ri la resistenza dellamplicatore completo, avremo per la corrente dingresso nel terminale non
invertente:
vi
vo 1
ii =
=
Ri
Av Ri
dove:


R2
vo = 1 +
vi
R1
per cui:


vi 1
R2
ii = 1 +
R1 Av Ri
ed inne:
vi
Av Ri
=
ri =
ii
1 + R2 /R1
Come si vede, tale impedenza `e estremamente grande. Per Av = 105 , Ri = 1M ed
R2 /R1 = 1 questa vale 50, 000 M.
Impedenza duscita dellamplicatore
non-invertente
Si pu`o facilmente vericare che limpedenza duscita in questa congurazione `e
identica a quella della congurazione invertente. In eetti lo schema equivalente

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

305

adoperato nella sezione 7 (vedi gura 12.5) `e applicabile senza modiche a questa
situazione.

12.3.3

Amplicatore della dierenza di due segnali

Un amplicatore operazionale pu`o facilmente essere adoperato per amplicare la


dierenza tra due segnali di tensione. Un possibile schema `e quello mostrato in
gura 12.9.
R2
R1
v1

v0

R1
V2

R2

Figura 12.9: Amplicatore dierenziale realizzato con un amplicatore operazionale.


Ancora una volta sfruttiamo il fatto che lingresso invertente e quello non- invertente sono in corto-circuito virtuale, cio`e v = v+ . Daltronde, dal partitore
costituito dalle resistenze poste sullingresso non-invertente, otteniamo:
v = v+ = v2

R2
R1 + R2

Poich`e nelloperazionale non entra corrente, le correnti nelle due resistenze superiori
sono uguali, per cui:
v+ vo
v1 v+
=
R1
R2
da queste due equazioni segue poi subito:
vo =

R2
(v2 v1 )
R1

Immaginiamo ad esempio che il segnale allingresso 1 sia una sinusoide di ampiezza


pari ad 1 V e frequenza 6 kHz, e quello allingresso 2 sia un segnale sfasato rispetto
al primo di . In tal caso il segnale in uscita sar`a quello mostrato in gura 12.10,
dove si `e utilizzato lo schema di gura 12.9 con R1 = 1 k e R2 = 2 k.

12.3.4

Amplicatore della somma di due o pi`


u segnali

Un A.O. in congurazione invertente pu`o essere adoperato per ottenere la somma


(cambiata di segno) di pi`
u tensioni applicate agli ingressi, in modo tale che le sorgenti

306

Capitolo 12. Amplicatori operazionali


7.5

output
5.0

V1

V2

2.5

0.0

-2.5

-5.0

0.

100.

200.

300.

400.

500.

t (microsecondi)

Figura 12.10: Graco dellandamento temporale delle tensioni in ingresso ed in uscita allamplicatore operazionale mostrato in gura 12.9.Il graco `e ottenuto per R1 = 1 k e
R2 = 2 k.

i
R

V1

R1
R2

V2

Figura 12.11: Schema del circuito sommatore di due segnali.


risultino peraltro disaccoppiate tra loro. Un circuito che realizza tale funzione `e
quello mostrato in gura 12.11. La relazione che lega la tensione in uscita alle
tensioni v1 , v2 in ingresso `e facilmente ottenibile in base alla considerazione che la
corrente che passa nella resistenza R deve essere uguale alla somma delle correnti
nelle resistenze R1 ed R2 , unitamente al fatto che la tensione al terminale invertente
`e nulla (v = v+ = 0). Si ha cio`e:
i = i1 + i2 =

v1
v2
vo
+
=
R1 R2
R

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali


da cui si ottiene poi:


vo = R

v1
v2
+
R1 R2

307

Se poniamo R = R1 = R2 abbiamo, come detto, la somma cambiata di segno dei


segnali applicati in ingresso. Altrimenti avremo una combinazione lineare di questi,
con coecienti dipendenti dai valori delle tre resistenze.
Lestensione al caso di N sorgenti `e immediata.
Come accennato, nella congurazione esaminata le sorgenti sono sicamente disaccoppiate luna dallaltra, poich`e le estremit`a destre delle resistenze R1 , R2 sono
collegate a massa (cio`e alla massa virtuale del terminale invertente). In altre parole,
la sorgente v1 non interagisce in alcun modo con la sorgente v2 .

12.3.5

Integratore realizzato tramite un operazionale

Un integratore ideale fornisce una tensione in uscita proporzionale allintegrale della


tensione applicata in ingresso:

vout = K
vin dt
(12.12)
In termini della trasformata di Laplace, dovremo avere:
vout =

K
vin
s

(12.13)

Notiamo che il circuito passa-basso di gura 12.12 ha un funzione di trasferimento


data da:
1 1
(12.14)
s + 1

in

1k

10n

out

Figura 12.12: Circuito integratore realizzato con elementi passivi.


che diviene quella di un integratore ideale espresso dallequazione (12.13) per
. Notiamo che in tale limite la funzione di trasferimento tende a zero, a
causa del termine moltiplicativo 1/ .
La congurazione mostrata in gura 12.13 realizza con ottima approssimazione
un integratore ideale. Ci`o pu`o esser visto semplicemente adottando il principio della
massa virtuale.

308

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

i
v

in

out

Figura 12.13: Circuito integratore realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi


passivi.

Infatti, per tale principio, la corrente che scorre nella resistenza R, uguale a
quella che carica il condensatore C, `e data da:
i =

vin
dQ
dvout
=
= C
R
dt
dt

da cui:
vin = RC
e:

dvout
dt

vin dt

1
RC
Si pu`o arrivare al medesimo risultato, senza far uso in modo esplicito del principio
della massa virtuale, ma adoperando il teorema di Miller. Sostituiamo infatti allimpedenza capacitiva Zc presente tra ingresso invertente ed uscita, una impedenza pari
a Zc /(1 + Av ) 1 , posta tra ingresso invertente e massa, ed una pari a Av Zc /(1 + Av ),
posta tra uscita e massa. Si ottiene in tal modo il circuito equivalente mostrato in
gura 12.14, dove `e vout = Av v1 , con v1 la dierenza di potenziale tra ingresso
invertente e massa. Dalla denizione di trasformata dellimpedenza capacitiva segue
che le capacit`a C  e C  indicate in gura valgono:
vout =

C  = C(1 + Av ) ; C  =

C(1 + Av )
Av

La funzione di trasferimento che cos` si ottiene `e:


G(s) =
con:
1

Av / 
s + 1/ 

 = RC(1 + Av )

dove poniamo Av uguale al modulo del guadagno negativo nel caso in esame

(12.15)

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

in

309

2
C'

C"

out

Figura 12.14: Circuito equivalente al circuito integratore di gura 12.13.


Poich`e ora  contiene il grosso termine Av , avremo che il termine 1/  a denominatore della (12.15) sar`a trascurabile e G(s) diventa con ottima approssimazione la
funzione di trasferimento di un integratore ideale:
G(s) =

Av
Av
1 1
=


s
RC(1 + Av )s
RC s

(12.16)

Il motivo per cui il circuito esaminato si comporta come un ottimo integratore pu`o anche esser compreso intuitivamente, partendo dallanalisi del non-perfetto
integratore costituito da un normale R-C passa-basso (vedi gura (12.12)). Ammettiamo che in tale circuito sia applicato in ingresso un segnale di tensione che sia, in
un certo (breve) intervallo di tempo, costante. Luscita sar`a lintegrale dellingresso
se essa `e una rampa crescente linearmente nellintervallo di tempo specicato. Ci`o
richiederebbe per`o che il condensatore fosse caricato con una corrente costante nel
tempo. Infatti solo in tal caso si avrebbe:

1 t
Vout (t)
i dt i t
C 0
Ora, la corrente che carica il condensatore `e quella che attraversa la resistenza R
ed essa `e pari alla dierenza di potenziale ai capi della resistenza divisa per la resistenza stessa. A sua volta, la dierenza di potenziale ai capi della resistenza NON
`e costante, poich`e essa `e la dierenza tra la tensione (costante) applicata in ingresso
e la tensione presente sul condensatore, che sta via via aumentando. Se si vuole che
la corrente che carica il condensatore sia costante occorre che la tensione allaltro estremo della resistenza R sia tenuta costante. A questo ruolo provvede loperazionale,
poich`e lingresso invertente di questo (cio`e quello cui `e collegato lestremo della resistenza) `e tenuto ad un potenziale vicino a zero dalla reazione negativa causata
dal collegamento capacitivo tra luscita e lingresso invertente. Notiamo la strana
congurazione in cui si trova il condensatore, che `e caricato da una corrente che
viene da un punto che `e praticamente a massa !
Il circuito esaminato non `e realistico, poich`e, una volta che la capacit`a C sia
carica, essa non ha modo di scaricarsi. Se quindi il segnale inviato in ingresso `e
unonda rettangolare, il primo impulso sar`a integrato e dar`a in uscita una rampa,
ma subito dopo la tensione in uscita rimarr`a al livello alto anche quando lingresso

310

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

sia tornato a zero. Il successivo impulso trover`a il condensatore ancora carico e


lintegrazione fornir`a unuscita che continuer`a a salire, no a che loperazionale non
sia andato in saturazione.
Per ovviare a questo problema si pone, in parallelo al condensatore, una resistenza, di valore adeguatamente elevato, attraverso la quale il condensatore possa
scaricarsi tra un impulso ed il successivo. Il circuito cos` ottenuto `e mostrato in
gura 12.15(a). Il calcolo della risposta di questo circuito pu`o essere eettuato
facilmente tenendo conto del fatto che lingresso invertente `e una massa virtuale e
ricordando che le correnti nei rami Z1 e Z2 della gura 12.15(b) sono uguali. Si
ottiene quindi per la trasformata del guadagno in gura 12.15(b):
G(s) =

Z2 (s)
Z1 (s)

dove:
Z1 = R
R1 /
R1
=
Z2 (s) =
1 + R1 Cs
s + 1/
con
= R1 C
Si ha quindi:
R1 1/
Z2 (s)
=
Z1 (s)
R s + 1/
Se il segnale applicato in ingresso `e un gradino di tensione:
G(s) =

vin (s) =
avremo:
vout (s) =

1
s

1
1
1 R1
= K
s R s + 1/
s(s + 1/ )

dove si `e posto:
R1

=
R

con = R1 /R. La frazione che moltiplica K pu`o essere espressa come:


K =

s s + 1/
per cui:


vout (s) =

1
1

s s + 1/

R1
=
R

1
1

s s + 1/

la cui antitrasformata `e:


vout (t) =

R1
(1 et/ )
R

con: = R1 C. Sviluppiamo lesponenziale in parentesi in serie di Taylor, ottenendo:






t2
t2
R1
R1 t
t
2 + ...
(12.17)
vout (t) =
1 1 + 2 ... =
R

2
R
2

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

311

Se t il termine quadratico e quelli di ordine superiore in parentesi diventano


trascurabili rispetto a quello lineare, ed otteniamo un integratore ideale:
vout (t) =

R1
t
R

i
R1

i(s)

Z2(s)

i
v

i
Z1(s)

in

v (s)

out

v (s)

in

out

(a)

(b)

Figura 12.15: (a) Circuito integratore realizzato inserendo una resistenza di feedback per
evitare la saturazione; (b) lo stesso circuito integratore in cui sono indicati i simboli per le
impedenze Z1 e Z2 utilizzati per i calcoli nel testo.

Notiamo che il circuito di gura 12.13 si comportava da integratore per segnali di


qualsivoglia frequenza, come segue dalla 12.16. Possiamo vedere che lintroduzione
della resistenza R1 in parallelo al condensatore C, introduce un taglio inferiore sulla
frequenza. In altre parole, il circuito diviene un passa-basso con una frequenza di
taglio 0 = 1/2R1 C. Esso si comporter`a da integratore solo per frequenze 0 .
Possiamo vedere ci`o in due modi diversi. Un primo modo f`a uso dellespressione 12.17. Infatti, dire che possiamo trascurare il termine t2 /2 2 , tradotto nel
dominio delle frequenze, con la corrispondenza:
t

1
0

equivale ad ammettere che sia:


2
1

2
02
ovvero:

0

2

con:
0 =

1
2R1 C

312

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Notiamo che il caso in cui R1 `e assente (gura 12.13) corrisponde a porre R1 =


e quindi 0 = 0. Il circuito si comporta allora da integratore a tutte le frequenze.
Un modo alternativo di arrivare al medesimo risultato `e quello di analizzare il
circuito di gura 12.15 facendo uso del metodo simbolico. Il guadagno, per una
frequenza angolare `e ora:
Z2 ()
G() =
Z1 ()
con:
Z1 () = R
Z2 () =

R1
R1 (1 jR1 C)
=
1 + jR1 C
1 + 2 R12 C 2

da cui:
G() =

R1 1 jR1 C
R 1 + 2 R12 C 2

(12.18)

Il circuito si comporta da integratore se G() `e puramente immaginario, con che


avremo che un segnale di tipo cos(t) applicato in ingresso dar`a luogo ad un segnale
di tipo sin(t) in uscita. Nel nostro caso ci`o richiede che sia:
R1 C 1
ovvero:

1
R1 C
1

= 0
2R1 C
Notiamo che ora la 12.18 diviene:

G() =

R1 1
R1 j
=j
R R1 C
R

Abbiamo cos` un integratore caratterizzato da un fattore moltiplicativo:


K=

R1 1
R

che dipende dal rapporto delle resistenze R1 ed R e decresce inoltre con la frequenza,
ad un rate di 6 dB/ottava.

12.3.6

Derivatore realizzato tramite un operazionale

Il circuito passa-alto mostrato in gura 12.16 si comporta approssimativamente da


derivatore.
Possiamo vericarlo facilmente. La corrente che carica il condensatore C `e:
i =

dq
dv
= C
dt
dt

dove v `e la dierenza di potenziale ai capi del condensatore, data da: v = vi vo .


Si ha quindi:
d
vo
i = C (vi vo ) =
(12.19)
dt
R

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

313

Figura 12.16: Circuito derivatore realizzato con elementi passivi.


come `e immediato vericare.
Da questa si ottiene poi:
vo = RC

dvo
dvi
RC
dt
dt

se ora il secondo dei due termini a secondo membro fosse trascurabile rispetto al
primo, avremmo un derivatore ideale:
vo = RC

dvi
dt

(12.20)

Tuttavia, in un normale circuito passa-alto, il termine dvo /dt non `e necessariamente


trascurabile, e quindi esso non sar`a un derivatore ideale.
Possiamo vedere ci`o facendo uso delle trasformate di Laplace. Un derivatore
ideale deve dare un segnale in uscita proporzionale alla derivata di quello in ingresso:
vo = K

dvi
dt

Prendendo la trasformata di Laplace di entrambi i membri:


vi
vo = Ks

(12.21)

Per il circuito passa-alto di gura 12.16, otteniamo:


vo = vi

R
s
= vi
R + 1/sC
s + 1/

con = RC. Perch`e questa acquisti la forma della (12.21) occorre che 1/ sia molto
maggiore di s. Ci`o richiede che sia molto piccolo. Un modo per realizzare tale
scopo `e quello di usare un operazionale, come mostrato nella gura 12.17.
La risposta di questo circuito, che `e caratterizzato, analogamente allintegratore,
da una reazione negativa dovuta alla presenza di una resistenza tra uscita ed ingresso
invertente, `e calcolabile in modo facile, ricordando la condizione v = v+ = 0
ed il fatto che la corrente che attraversa la capacit`a C deve uguagliare quella che
attraversa la resistenza R:
vo
dvi
=
i = C
dt
R

314

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

C
V

V0
V

Figura 12.17: Derivatore realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi passivi.


da cui si ottiene:
vo = RC

dvi
dt

Cio`e abbiamo un derivatore ideale (o quasi).


Per comprendere il motivo per cui adesso il circuito si comporta da derivatore,
possiamo far uso del teorema di Miller, ottenendo il circuito equivalente mostrato
in gura 12.18, dove `e R = R/(1 + Av ) ed R = RAv /(1 + Av ).

2
R'

R"

Figura 12.18: Circuito equivalente al circuito derivatore di gura 12.17.


Dal circuito equivalente vediamo che ora la maglia dingresso, del tutto simile
a quella di gura 12.17, `e caratterizzata da una costante di tempo R C, con R =
R/(1+Av ), cio`e una costante di tempo molto piccola, che `e giusto quella che occorre
per ottenere un derivatore ideale.
Possiamo comprendere intuitivamente ci`o che ora accade, riandando allequazione
(12.19). Dallanalisi del nuovo circuito vediamo che il termine nellespressione della
corrente, che prima era:
d
C (vi vo )
dt

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

315

ora `e semplicemente:
dvi
dt
poich`e loperazionale mantiene ssa a zero la tensione sullarmatura destra del condensatore. Di conseguenza questo viene ora caricato da una dierenza di potenziale
che `e giusto vi .
Il circuito di gura 12.17 si comporta da derivatore a tutte le frequenze. Se il
segnale applicato `e del tipo:
vi = v sin t
C

luscita sar`a:
v0 = RCv cos t
Lampiezza del segnale in uscita cresce quindi linearmente allaumentare della frequenza angolare . Potr`a quindi accadere che ad alte frequenze loperazionale saturi. Ci`o `e in ultima analisi legato al fatto che il guadagno del generico amplicatore
invertente, come quello di gura 12.15(b), `e dato da:
G(s) =

Z2 (s)
Z1 (s)

dove, per un segnale sinusoidale applicato in ingresso dovremo porre: s = j.


Nel caso specico del circuito di gura 12.17 avremo:
Z1 () =

1
jC

Z2 () = R
e quindi:
|G()| = |RC|
che diverge per grandi valori di .
Per ovviare a questo problema si pu`o porre una resistenza in serie al condensatore, come mostrato in gura 12.19.
Il guadagno diviene ora:
G() =

Z2 ()
R
jRC
=
1 =
Z1 ()
1 + jR1 C
R1 + jC

da cui:
RC
R
R
R1 C

|G()| =
=
=
2
R1
R1 1 + 2 2
1 + (R1 C)
1 + (R1 C)2
che, per tende a:

R
R1
cio`e ad un valore nito. Vediamo quindi che il guadagno tende a R/R1 per ,
` quindi un passa alto,
mentre tende a zero, ad un rate di 6 dB/ottava, per 0. E
la cui frequenza di taglio `e:
|G()|

0 =

1
1
=
2
2R1 C

316

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Vi

R1

V0
V
C

Figura 12.19: Derivatore con amplicatore operazionale dove si `e utilizzato la resistenza R1


per limitare il guadagno ad alta frequenza.

Al medesimo risultato si potrebbe arrivare, lavorando nel dominio temporale


anzich`e in quello delle frequenze, trasformando il circuito di gura con luso del
teorema di Miller ed immaginando di applicare in ingresso un segnale linearmente
crescente nel tempo: vi = t, la cui trasformata di Laplace `e:
vi =

12.3.7

s2

Amplicatore di carica

I segnali generati da un gran numero di dispositivi elettronici (cellule fotoelettriche,


rivelatori di particelle nucleari/subnucleari a semiconduttore, fotomoltiplicatori, diodi etc.) consistono in impulsi di corrente di breve durata. Se indichiamo con i la
corrente media e con dt la sua durata, limpulso di corrente accumula una piccola
carica dQ = i dt sulla capacit`a dingresso del circuito adoperato per amplicarlo
(ed eventualmente trasformarlo in uno di tensione). La capacit`a in questione pu`o
consistere della capacit`a dingresso di uno stadio a transistor e/o di eventuali altre
capacit`a inserite nel circuito amplicatore nonch`e delle capacit`a associate ai cavetti
di collegamento.
opportuno amplicare il segnale di carica dQ in modo tale che il segnale di
E
tensione (o corrente) in uscita non risulti dipendente da tale capacit`a, che potrebbe
variare in diverse applicazioni del dispositivo.
Un sistema in grado di fornire un segnale di tensione in uscita, indipendente
dalla capacit`a eettiva presente in ingresso, `e quello basato sullo schema mostrato
in gura 12.20(a).

 Cin `e la capacit`a eettiva in ingresso, su cui viene accumulata la carica dQ =
i dt = Q in un piccolo intervallo di tempo t. Per ottenere la relazione tra la
carica Q in ingresso e la tensione vo in uscita, facciamo uso del teorema di Miller,
ottenendo lo schema di gura 12.20(b).
La capacit`a dingresso in tale schema `e:
C  = Cin + Cf (1 + A) Cf (1 + A)

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

Cf

i
C in

317

v-

Cin

v0

v 0=-Av- Cf A/(1+A)

Cf (1+A)

(b)

(a)

Figura 12.20: (a) Amplicatore di carica e (b) circuito equivalente allamplicatore di carica
mostrato in (a).

dove A `e il guadagno delloperazionale. Si ha quindi:


v =

Q
Cf (1 + A)

per cui:
vo = A v =

AQ
Q

Cf (1 + A)
Cf

In un normale operazionale senza capacit`a di feedback avremmo avuto:


vin =

Q
Cin

e quindi:
Q
Cin
Vediamo che il guadagno sarebbe quindi stato maggiore, di un fattore A. Paghiamo quindi il prezzo di una notevole diminuzione del guadagno, ma otteniamo il
vantaggio di una indipendenza della risposta dalla capacit`a Cin .
Perch`e il condensatore possa scaricarsi dopo larrivo di un impulso di corrente, in
attesa del successivo, `e opportuno (come nel caso dellintegratore) porre in parallelo
a Cf una resistenza Rf . Il circuito diventa allora quello di gura 12.21(a).
Utilizzando nuovamente il teorema di Miller, otteniamo il circuito equivalente
mostrato in gura 12.21(b) dove:
vout = A

Z =

Rf
1 + sf

e:
f = Rf Cf
Trascurando Cin ed ammettendo che il segnale in ingresso sia schematizzabile con
un gradino di corrente:
i = i0
s

318

Capitolo 12. Amplicatori operazionali


Rf
Cf

i
Cin

i
vv0

Cin

- ZA/(1+A)

Z/(1+A)

(a)

v0 = - Av-

(b)

Figura 12.21: Amplicatore di carica con resistenza di feedback Rf (a) e circuito equivalente
(b).

avremo:

Aio Rf
Z i0

=
=
1+A s
(1 + A)s(1 + sf )
i0 Rf
1
i0 Rf

=
=
s(1 + sf )
s(s + 1/f )

v = A
vo = A

che `e uguale a:


vo = i0 Rf

Da questa si ottiene poi:

1
1

s s + 1/f

v0 = i0 Rf (1 et/f )

con f = Rf Cf

12.3.8

Tensione di riferimento

Si supponga di aver bisogno di un generatore che eroghi corrente, ad una tensione


costante, rigorosamente determinata. Se si adopera una batteria di precisione, che
fornisce una tensione ssa, una volta che questa sia collegata ad un carico, potr`a
non avere pi`
u la medesima tensione. Il circuito di gura 12.22, che adopera un
operazionale, risolve il problema.
Se VR `e la tensione di riferimento fornita dalla batteria, il principio della massa
virtuale ed il fatto che loperazionale non assorbe corrente, ci danno:
vo
VR vo
=
R2
R1 + R2
da cui segue:



R2
vo = VR 1 +
R1
Notiamo che in questo circuito la batteria non eroga alcuna corrente, che `e invece
fornita dalloperazionale.
Un circuito equivalente `e quello di gura 12.23, per il quale valgono le medesime
relazioni.

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

319

R2

R1
i

VR

V0

Figura 12.22: Generatore di tensione di riferimento.

R1

R2

V0
VR

Figura 12.23: Congurazione alternativa per una generatore di tensione utilizzabile anche
come convertitore tensione-corrente.

12.3.9

Convertitori corrente-tensione e tensione-corrente

Un circuito che fornisce un segnale in tensione a partire da uno in corrente `e quello


di gura 12.24.
Il funzionamento di questo circuito si pu`o facilmente comprendere facendo uso del
principio della massa virtuale. Infatti, essendo il terminale invertente eettivamente
a massa, nessuna corrente uisce nella resistenza R. Tutta la corrente erogata dal
generatore uisce in R1 . Si ha quindi:
vo = R1 I
Esaminiamo ora alcuni convertitori tensione-corrente. Il primo esempio `e quello
gi`a esaminato nella sezione precedente e mostrato nella gura 12.23.
Vediamo che la corrente I in R2 `e uguale a quella in R1 che vale:
I =

vin
R1

Questa corrente non dipende dal carico R2 , ma solo da vin e da R1 .

320

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

R1

I
V0
R

Figura 12.24: Convertitore corrente-tensione


Il circuito appena esaminato ha linconveniente che il carico R2 non ha alcuna
delle estremit`a direttamente collegata a massa, il che `e insoddisfacente in molte
applicazioni. Un convertitore tensione-corrente in cui uno dei terminali del carico `e
a massa `e quello di gura 12.25.

VCC
R
V'

R1

Vi

R2

RL

Figura 12.25: Convertitore tensione-corrente con carico a massa.


Notiamo che la tensione al terminale non invertente, determinata da Vcc e dal
partitore R1 R2 , vale:
R2
V+ = Vcc
R1 + R2
e questa `e, per il principio del corto-circuito virtuale allingresso delloperazionale,
uguale a V e quindi alla tensione dellemettitore del transistor (di tipo pnp). Il motivo per cui possiamo anche in questo caso utilizzare il principio del corto-circuito

12.3 Applicazioni lineari degli amplicatori operazionali

321

virtuale, deriva dal fatto che luscita delloperazionale `e separata dallingresso invertente solo dal VBE del transistor. Abbiamo quindi anche in questo caso una reazione
negativa. Che poi il transistor sia in conduzione pu`o esser facilmente compreso. Se
infatti immaginiamo di partire da una situazione in cui esso sia interdetto, avremo
che la tensione V (uguale a V ) sar`a uguale a Vcc mentre la tensione del terminale non invertente `e sicuramente minore di Vcc . La tensione V alluscita dellA.O.
tender`a quindi ad andare a valori molto bassi, il che polarizzer`a direttamente la
giunzione (B-E) del transistor. Una volta che ci`o sia avvenuto, questo comincer`a a
condurre ed innescher`a la reazione negativa tra luscita delloperazionale, a tensione
V = V  VBE e lingresso invertente. In denitiva vediamo che in condizioni di
funzionamento normale `e:
V  = V = V+ = Vcc

R2
R1 + R2

e quindi la corrente in RL , uguale alla corrente nel transistor, cio`e alla corrente nella
resistenza R, sar`a:
Vcc V 
I =
R
Questa corrente non dipende dal carico RL .
Unalternativa, che fa uso di un transistor di tipo npn, `e quella di gura 12.26.
VCC

V
V in

V'
R2

R1

RL

Figura 12.26: Ulteriore esempio di convertitore tensione-corrente con carico a massa.


Anche ora vediamo che se vin > V , la tensione V alluscita delloperazionale
tender`a a salire, ma ci`o mander`a in conduzione il transistor, con VBE 0.6V ,
quindi salir`a anche la tensione V  . Avremo ancora una volta una reazione negativa,
con:
R2
vin = V = V 
R1 + R2

322

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

e quindi la corrente I nel carico RL :


I = V  /RL = vin

R1 + R2
R2 RL

Un esempio di convertitore tensione-corrente che non fa uso di transistor `e inne


quello di gura 12.27.

R1

R2

V in
V1
R4
V2
R3

IL

RL

Figura 12.27: Convertitore tensione-corrente senza luso di transistor


La reazione negativa fa si che sia V = V+ . Inoltre le correnti in R1 ed R2 sono
uguali, per cui si ha:
vin V
V V1
=
R1
R2
da cui si ottiene:
R1 + R2
R2
V1 = V
vin
(12.22)
R1
R1
Daltronde, la corrente nel carico `e:
IL =
e la corrente in R4
I4 =

V+
V
=
RL
RL

V1 V
V
=
R4
R

dove R `e il parallelo di R3 ed RL , per cui:


 
V R3 + RL
V (R3 + RL )
IL (R3 + RL )
=
=
I4 =
R3 RL
RL
R3
R3

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

323

Dalle ultime due equazioni si ottiene una relazione tra IL e V1 :


V1

R3
R3
= V
+ IL (R3 + RL )
R4
R4

Facendo ora uso della (12.22) otteniamo:




R2 R3
R2 R3
R3
vin
= V
+ IL (R3 + RL )
V 1 +
R1 R4
R1 R4
R4
Scegliamo ora i valori delle resistenze in modo che sia:
R4
R2
=
R1
R3

(12.23)

lultima relazione diviene quindi:


V vin = IL (R3 + RL )
dove V = RL IL . Si ottiene inne:
IL =

vin
R3

Quindi la corrente nel carico dipende solo da vin e dalla resistenza R3 . Linteresse di
questo circuito, noto nella letteratura come Howland current source `e solo teorico,
poich`e esso richiederebbe un perfetto bilanciamento delle resistenze R1 , R2 , R3 , R4 ,
espresso dallequazione (12.23). Nella pratica si fa uso dei circuiti con il transistor
alluscita delloperazionale, che abbiamo gi`a discusso.

12.4

Applicazioni non-lineari degli amplicatori


operazionali

Se in un amplicatore operazionale uno degli ingressi (ad esempio quello invertente)


`e collegato a massa ed un segnale `e applicato allaltro, luscita si porter`a a valori
prossimi a +Vcc se il segnale applicato `e positivo , a Vcc se esso `e negativo.
Un amplicatore operazionale pu`o cio`e funzionare da comparatore, eettuando
un confronto tra il segnale applicato allingresso invertente e quello applicato a
quello non invertente (la massa nel nostro esempio). Si dice anche che un A.O.
cos` adoperato funziona come un convertitore analogico-digitale ad 1 bit. Il bit, cio`e
luscita, `e 1 se luscita `e +Vcc e 0 se luscita `e Vcc . In un tipico A.O., la transizione
tra i due livelli delluscita non `e netta, ma avviene con continuit`a mentre lingresso
dierenziale passa per lo zero, come mostrato in gura 12.28. Valori tipici del range
di vi in cui avviene la transizione sono alcuni mV. Esistono degli A.O. progettati
appositamente per essere adoperati come comparatori. Questi sono in genere molto
veloci ed il range di valori della dierenza di potenziale vi in cui avviene la transizione
`e molto piccolo (V invece di mV).
Ci occuperemo in questa sezione e nelle seguenti di quelle applicazioni in cui
lA.O. funziona appunto come comparatore, con leventuale presenza di una reazione
positiva tra uscita ed ingresso. Dispositivi di questo tipo sono utilizzati come comparatori con isteresi (trigger di Schmitt) o come multivibratori (per generare onde
quadre, triangolari, etc.).

324

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Vo

Vcc

Vi

Figura 12.28: Graco della tensione alluscita di un amplicatore operazionale in funzione


della tensione dierenziale applicata tra i due ingressi (funzione di trasferimento dellamplicatore
operazionale).

12.4.1

Comparatore con isteresi

Il circuito di gura 12.29, costituisce un comparatore con isteresi o trigger di Schmitt.

Vi
V0
R2
R1
V

Figura 12.29: Comparatore con isteresi (trigger di Schmitt).


Indichiamo con VOH il livello alto delluscita (quello che si ha per V+ > V ) e
con VOL il livello basso (questi valore saranno vicino a +Vcc e Vcc rispettivamente).
Ammettendo che luscita sia alta avremo, per il principio di sovrapposizione:
V+ =

R1
R2
VOH +
V VRH
R1 + R2
R1 + R2

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

325

Questo sar`a lo stato del circuito se vi < VRH . Se ora vi comincia a salire, luscita
del circuito si porter`a al suo livello inferiore VOL quando vi superer`a VRH . Se vi
continua a salire, vo manterr`a il valore raggiunto VOL In questa nuova situazione V+
varr`a:
R1
R2
VOL +
V VRL
V+ =
R1 + R2
R1 + R2
Se ora vi ricomincia a scendere, luscita del circuito si porter`a al suo livello
superiore solo quando sia: vi < VRL . Vediamo quindi che la transizione VOH
VOL avviene ad un valore della tensione di riferimento pi`
u elevata che non quella
corrispondente alla transizione opposta. Ci`o `e mostrato in gura 12.30. Vediamo
che, partendo da una situazione in cui vi `e minore di VRL e quindi luscita `e alta (vo =
VOH ), aumentando vi , luscita rimane alta, no a che lingresso non abbia superato
VRH . A questo punto luscita `e bassa (vo = VOL ) e rimane bassa allaumentare di
vi . Se torniamo indietro, facendo diminuire vi , luscita rimane bassa no a che vi
non abbia raggiunto il valore VRL . Il punto rappresentativo dello stato del sistema
nel piano vi vo descrive il perimetro del rettangolo mostrato in gura, nel verso
indicato dalle frecce. Il rettangolo in questione rappresenta il ciclo disteresi del
circuito.
Se quindi allingresso del circuito viene applicato un segnale variabile nel tempo,
luscita si porter`a ad un valore basso se lingresso supera la soglia alta VRH , mentre
la transizione opposta potr`a aver luogo solo se il segnale applicato scende al di sotto
della soglia bassa VRL . Un esempio `e quello mostrato in gura 12.31.
V

OH

RL

RH

OL

Figura 12.30: Ciclo disteresi per il trigger di Schmitt. Nel graco `e mostrato il valore assunto
dalla tensione in uscita al variare della tensione Vi applicata allingresso invertente del circuito di
gura 12.29.

In questo esempio, i valori delle resistenze sono R1 = 10k ed R2 = 5k mentre


V=0 e loperazionale `e alimentato a 15V . La tensione in ingresso `e una sinusoide
di frequenza 60 Hz ed ampiezza 10 V . Con tale scelta dei parametri e tenendo
conto del fatto che loperazionale adoperato satura a 12 V , si ha:
VRH = 8 V

VRL = 8 V

326

Capitolo 12. Amplicatori operazionali


p

18.

output

input

12.

6.

0.

Volt
-6.

-12.

0.

8.

16.

24.

32.

40.

t (millisecondi)

Figura 12.31: Risposta del trigger di Schmitt ad unonda sinusoidale di frequenza 60 Hz ed


ampiezza 10 V . Loperazionale `e alimentato a 15 V .

Luscita `e unonda rettangolare di periodo uguale a quello della sinusoide.


Listeresi `e denita dalla dierenza VRH VRL . Essa vale quindi:
VRH VRL =

R1
(VOH VOL )
R1 + R2

Il circuito pu`o esser modicato in modo tale che i due livelli della tensione duscita
` suciente aggiungere al nodo duscita
siano diversi dalle tensioni dalimentazione. E
due diodi Zener contrapposti aventi tensioni Zener tali che sia |VZ + VD | < |VOH | e
|VZ + VD | < |VOL |, come mostrato in gura 12.32.
I livelli di tensione in uscita sono ora:
VOL = (VZ + VD )
VOH = +(VZ + VD )

12.4.2

Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari)

Il dispositivo mostrato in gura 12.33 pu`o essere adoperato per generare onde rettangolari. Esso `e essenzialmente un trigger di Schmitt comandato da un integratore.
Le tensioni di riferimento del comparatore sono:
VRH = VOH

R1
(>0)
R1 + R2

VRL = VOL

R1
(<0)
R1 + R2

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

327

R
Vi
V0
R3
D2

R1
R2

D1

VR

Figura 12.32: Modica del circuito del trigger di Schmitt in cui la tensione in uscita `e denita
utilizzando due diodi Zener.

VV0
C

R2
R1

Figura 12.33: Generatore di onde rettangolari che fa uso di un trigger di Schmitt comandato
da un integratore.

Luscita sar`a alta ntanto che V non abbia raggiunto il valore VRH . In tale
istante (con V = VRH > 0) luscita passa al valore basso VOL (negativo). Ora il
condensatore comincer`a a caricarsi, con costante di tempo = RC verso il valore
asintotico VOL . Se prendiamo come istante zero quello in cui luscita `e passata al
valore basso VOL , landamento di VC = V sar`a:
V = (VRH VOL ) et/ + VOL
Unulteriore commutazione delluscita verso il valore alto avr`a luogo quando V =

328

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

VRL , cio`e, usando lultima equazione scritta, quando:


VRL VOL = (VRH VOL )et/
cio`e:

VRL VOL
= et/
VRH VOL

da cui si ottiene poi:

VRH VOL
VRL VOL
In tale istante avremo V = VRL e vo = VOH . Ora il condensatore comincer`a
nuovamente a caricarsi verso il valore asintotico VOH , con costante di tempo .
Avremo ora:
V = VOH + (VRL VOH )et/
T1 t = ln

La commutazione delluscita verso il valore basso VOL avverr`a per V = VRH . Il


nuovo intervallo di tempo T2 sar`a ora ottenibile dallequazione:
VRH = VOH + (VRL VOH )eT2 /
Si ottiene:

VRL VOH
VRH VOH
Se vogliamo che il segnale in uscita sia unonda quadra, cio`e che sia T1 = T2 , deve
essere:
VRL VOH
VRH VOL
=
VRL VOL
VRH VOH
che `e soddisfatta solo se `e:
VOL = VOH
T2 = ln

con che `e anche:


VRL = VRH
Il periodo dellonda quadra varr`a ora:
T = T1 + T2 = 2 ln

VRL VOH
VRH + VOH
= 2 ln
VRH VOH
VOH VRH

dove `e:
VRH = VOH

R1
R1 + R2

per cui si ha inne:


R1
)
R2
La gura 12.34 mostra landamento temporale del segnale alluscita dellA.O. e di
quello allingresso invertente, per un tipico circuito di questo tipo.
Il generatore di onde quadre appena discusso ha unampiezza che dipende dalla
tensione dalimentazione delloperazionale. Se si vuole unampiezza di tensione in
uscita ssata ad un valore diverso (minore), `e suciente porre in uscita due diodi
Zener contrapposti, come indicato in gura 12.35.
T = 2 ln(1 + 2

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali


12.0

V_

Volts

329

Vout

8.0

4.0

0.0

-4.0

-8.0

-12.0 0.0

t (s)
40.0

80.0

120.0

160.0

200.0

Figura 12.34: Andamento temporale delle tensioni alluscita (Vout ) ed allingresso invertente
delloperazionale (V ) del circuito mostrato in gura 12.33.

VV0

R3
C

R2
VZ
R1

Figura 12.35: Generatore di onde quadre in cui si utilizzano due diodi Zener contrapposti per
rendere lampiezza dellonda quadra indipendente dalla tensione di alimentazione dellamplicatore
operazionale.

Si pu`o vedere che in tal caso il periodo vale:




R1
T = 2 ln 1 + 2
R2

330

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

come nel caso precedente. Il periodo `e cio`e indipendente dallampiezza.


Se poi si vuol modicare il circuito in modo che sia T1 = T2 , `e suciente fare in
modo che la costante di tempo relativa alla salita del segnale sia diversa da quella
relativa alla discesa. Ci`o pu`o esser ottenuto sostituendo la resistenza R con il circuito
mostrato in gura 12.36.
R

D1

R'

D2

Figura 12.36: Circuito di feedback da collegare al circuito di gura 12.33 in sostituzione alla
resistenza R per generare onde rettangolari.
Si vede che quando luscita `e negativa, D1 `e interdetto e D2 conduce. La relativa
costante di tempo ora `e RC ed il relativo semiperiodo `e:


R1

T1 = R C ln 1 + 2
R2
Quando luscita `e positiva, D1 conduce mentre D2 `e interdetto. La costante di
tempo ora `e RC ed il relativo periodo `e:


R1
T2 = RC ln 1 + 2
R2

12.4.3

Multivibratore monostabile

Il multivibratore astabile discusso in precedenza pu`o esser trasformato in uno monostabile se si impedisce al condensatore di caricarsi al valore VRH . Ci`o pu`o essere ottenuto semplicemente ponendo un diodo in parallelo al condensatore, come mostrato
in gura 12.37.
Ora la tensione Vc ai capi del condensatore `e bloccata al valore V della tensione
del diodo in conduzione. Di conseguenza non pu`o pi`
u aversi la commutazione della
tensione in uscita dal livello superiore VOH a quello inferiore VOL . Lo stato stabile del
sistema `e quindi quello in cui V+ > V e quindi VO = VOH > 0. La commutazione
allo stato VOL pu`o aversi solo se si applica allingresso non invertente un segnale
negativo di ampiezza maggiore di VRH V . Ponendo t=0 nellistante in cui avviene
la commutazione, a partire da tale istante il condensatore, carico alla tensione V ,
dovr`a scaricarsi con costante di tempo = RC al valore asintotico VOL . Cio`e:
V = Vc = VOL + (V VOL ) et/
La commutazione VOL VOH avviene quando V = VRL , cio`e:
VRL VOL
= eT /
V VOL

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

331

VD1

C1

V0
R2

D2

V in

R1

R3

Figura 12.37: Multivibratore monostabile.


da cui si pu`o ricavare la durata T dellimpulso (negativo) di tensione alluscita
delloperazionale:
V VOL
T =
VRL VOL
dove:
VRL = VOL

R1
R1 + R2

da cui si ottiene inne per T:




R1
T ln 1 +
R2
La durata dellimpulso generato dipende quindi solo dalle resistenze e dalla costante
di tempo . Per eetto della commutazione la capacit`a C tender`a ora a caricarsi con
legge esponenziale verso la tensione VOH . Quando per`o Vc raggiunge il valore V ,
il diodo D1 entra in conduzione ed il sistema rimane nello stato stabile raggiunto,
no allarrivo di un nuovo impulso negativo. Ovviamente, la forma dellimpulso Vin
`e irrilevante, purch`e la sua ampiezza sia suciente a dar origine alla transizione.
Anche in questo caso lescursione del segnale in uscita pu`o esser limitata, inserendo
due diodi Zener contrapposti, come gi`a visto nel caso dellastabile.

12.4.4

Generatore di onde triangolari

Se si esamina il generatore di onde quadre visto in precedenza, si nota (vedi g 12.34)


che la tensione al terminale invertente aumenta e poi diminuisce con legge esponenziale, con una costante di tempo = RC. Ci`o `e legato al fatto che la corrente
che carica il condensatore non `e costante, essendo limitata dal simultaneo aumento

332

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

i
V

Figura 12.38: Serie di resistenza e condensatore, i simboli indicati sono utilizzati per i calcoli
simbolici descritti nel testo.
della dierenza di potenziale tra i terminali del condensatore e conseguente caduta
di potenziale ai capi della resistenza R.
Con riferimento alla gura 12.38, abbiamo:
Ri = VR
dove con VR abbiamo indicato la dierenza di potenziale ai capi di R.
Segue:
VR
(V VC )
=
R
R
Inoltre `e:

i dt
VC =
C
ne segue che, con VR = V VC , i diminuisce allaumentare di VC . Se volessimo un
VC che aumenta linearmente con il tempo, dovremmo alimentare C con una corrente
costante2 :
i =

i
dt
C
Questa situazione pu`o essere approssimata ragionevolmente bene da un integratore RC realizzato con un operazionale, il quale fornisce al condensatore una corrente
approssimativamente costante. Il circuito `e quello di gura 12.39.
Ammettiamo che la tensione vo alluscita del comparatore sia al suo limite inferiore: vo = (VZ + V ). Ora sullingresso invertente dellintegratore abbiamo un
segnale negativo. Luscita V(t) sar`a una rampa crescente e la tensione al terminale
non invertente del comparatore sar`a:
VC =

V1 = vo

R1
R2
+ V (t)
R1 + R2
R1 + R2

Quando V1 raggiunge la tensione di riferimento VR , il comparatore cambia stato:


vo = +(VZ + V ) e V(t) comincia a decrescere linearmente (vedi gura 12.40).
2

Notiamo che ci`o implica che V non possa pi`


u esser costante, poich`e avremmo: V = VC + VR =
(R + Ct )i con i costante. Ci`
o implicherebbe una dierenza di potenziale crescente linearmente nel
tempo.

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

Integratore
C

Comparatore

VR

333

V0
R3
R1

V(t)

D2
Vs

R2

D1

Figura 12.39: Generatore di un segnale triangolare (dente di sega), luscita del circuito `e
indicata con V(t).

V(t)

Vmax

Vmin

T1

T2

Figura 12.40: Andamento temporale della tensione alluscita del circuito di gura 12.39.
Il massimo della funzione donda triangolare si ha quando V1 = VR , cio`e:
VR = vo

R2
R1
+ Vmax
R1 + R2
R1 + R2

da cui:
Vmax = VR

R1 + R2
R2
+ vo
R1
R1

334

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Analogamente:
Vmin = VR

R1 + R2
R2
vo
R1
R1

Ed inne:
Vmax Vmin = 2vo

R2
R1

e:

R1 + R2
R1
Per VR = 0 la funzione `e simmetrica in ampiezza: Vmax = Vmin . Quindi il valor
medio `e controllabile variando VR e lampiezza variando il rapporto R2 /R1 .
Calcoliamo ora i periodi T1 e T2 indicati in gura 12.40 ammettendo che sia
Vs = 0. Possiamo calcolare T1 dalla relazione:
V = Vmedio = VR

T1 = (Vmax Vmin )/tan


dove tan = dV /dt `e il rate di salita del segnale in uscita, indicheremo anche con
il rate di discesa del segnale. Questo `e dV /dt = I/C = vo /RC. Quindi:
T1 =

Vmax Vmin
2vo R2 /R1
R2
=
= 2 RC
vo /RC
vo /RC
R1

Notiamo che poich`e il rate di discesa del segnale `e uguale a quello di salita (nel caso
considerato in cui Vs = 0) avremo T1 = T2 . Ne segue:
T = T1 + T2 = 4

R2
RC
R1

R1 1
1
=
T
R2 4RC
Notiamo che la frequenza del segnale in uscita `e indipendente da vo .
Se si desiderano tempi di salita e discesa diversi si puo sostituire la resistenza R di
gura 12.39 con la rete di gura 12.36. Un metodo alternativo consiste nellapplicare
un valore di Vs = 0 al terminale non invertente del secondo operazionale del circuito
di gura 12.39. In questo caso il rate di variazione della salita del segnale diventa
pari a (vo + Vs )/RC mentre quello della discesa `e (vo Vs )/RC. Quindi si ha:
f =

T1
vo Vs
=
T2
vo + Vs

(12.24)

Si noti che un valore di Vs = 0 non modica lampiezza del segnale dellonda


triangolare.

12.4.5

Limitatori e retticatori

Un A.O. pu`o esser utilizzato, per realizzare un limitatore. Un esempio `e quello


mostrato in gura 12.41.
Se il diodo `e interdetto il circuito si comporta come un normale amplicatore
invertente e la tensione in uscita sar`a data da:
vo =

R2
vi
R1

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

335

R2
D
R1
Vi

V0

Figura 12.41: Limitatore di tensione.


Il diodo comincer`a a condurre se la dierenza di potenziale ai suoi capi supera V .
Ci`o accade quando la tensione in ingresso vi soddisfa la condizione:
vo
V
vi
=
=
R1
R2
R2
Cio`e:
vi =

R1
V
R2

In altri termini, il diodo potr`a condurre se:


vi

R1
V
R2

In tali condizioni la tensione in uscita sar`a uguale a quella presente sul terminale
invertente (0 V) diminuita del V del diodo:
vo = V
In denitiva avremo in uscita un segnale di tensione pari a V se vi (R1 /R2 )V
ed uguale a vi R2 /R1 se tale condizione non `e soddisfatta.
In gura 12.42 si pu`o vedere il segnale in uscita da un tale circuito (con R1 = R2 )
nel caso in cui il segnale in ingresso sia una sinusoide.
Se si vuol limitare ad un livello diverso dal V del diodo, si pu`o sostituire questo
con la serie di un diodo ed uno Zener, come mostrato in gura 12.43
Ora la corrente nel ramo contenente i diodi pu`o circolare solo nel verso del diodo
D, se la dierenza di potenziale ai capi del ramo in questione supera il valore VZ +V ,
cio`e quando la tensione in uscita vo `e pari a (VZ + V ). Ci`o accade quando `e:
VZ + V
vi
=
R1
R2

336

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

12.
Volts

Input

Output

8.

4.

0.

-4.
t (ms)
-8. 0.

0.40

0.80

1.20

Figura 12.42: Andamento della tensione alluscita (linea tratteggiata) del circuito di
gura 12.41, con R1 = R2 , per una tensione applicata allingresso sinusoidale (linea tratteggiata).

R2
D

D1

R1
V0

Vi

Figura 12.43: Ulteriore esempio di limitatore di tensione con soglia in tensione pari a (VZ +
V ).

Se quindi vi `e negativo e maggiore in modulo del valore:


(VZ + V )R1
R2

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

337

luscita `e bloccata a (VZ + V ). Se vi `e invece maggiore di

(VZ + V )R1
R2

(12.25)

il ramo contenente i diodi sar`a interdetto ed il circuito si comporter`a come un


normale amplicatore invertente, con uscita data da:
vo =

R2
vi
R1

La funzione di trasferimento di tale circuito `e mostrata in gura 12.44, dove abbiamo indicato con V g il V del diodo e con Vmin la tensione di soglia data dallequazione (12.25).
Vo

Vz + Vg

Vmin

Vi

Figura 12.44: Funzione di trasferimento del circuito di gura 12.43.


Un limitatore a due livelli diversi `e ottenibile sostituendo nellultimo circuito
al diodo D un secondo Zener, con polarit`a opposta a quella del primo. Il relativo
circuito, il cui funzionamento `e analogo ai precedenti, `e mostrato in gura 12.45

12.4.6

Rivelatori di picco

In molte applicazioni `e necessario conoscere e memorizzare il valore di picco che


un segnale di tensione ha raggiunto in un certo intervallo di tempo. Ci`o pu`o esser
ottenuto facendo si che il segnale di tensione in questione carichi una capacit`a durante lintervallo di tempo in cui il segnale di tensione continua a salire e sia invece
disconnesso dalla medesima capacit`a negli intervalli di tempo successivi, quando il
segnale di tensione diminuisce.
Un circuito che potrebbe realizzare tale funzione (per segnali dingresso positivi)
`e quello di gura 12.46, costituito da un diodo ed una capacit`a.
Se il diodo `e ideale, esso `e polarizzato direttamente quando la dierenza tra la
tensione in ingresso vi e quella ai capi del condensatore vo rimane superiore al V
del diodo. Se vo ha raggiunto un certo valore Vmax ed ora vi comincia a diminuire, il
diodo viene ad esser polarizzato inversamente e la tensione duscita rimane bloccata

338

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

R2
D2

D1

R1
Vi

V0

Figura 12.45: Limitatore di tensione con due livelli di soglia.


D

Figura 12.46: Rivelatore di picco realizzato con elementi passivi.


al valore Vmax . Uno degli inconvenienti di questo circuito `e costituito dal fatto che
la tensione in uscita non `e uguale a quello in ingresso, ma dierisce da essa del V
del diodo, che oltretutto dipende dalla temperatura. Un circuito che ovvia a tale
inconveniente `e quello di gura 12.47.
Questo `e simile ad un limitatore per segnali positivi (senza la resistenza posta in
parallelo al diodo) e con un condensatore posto tra luscita dellA.O. e massa.
Esaminiamo il funzionamento di tale circuito. Se vi > V = vo = Vc , il segnale
presente al terminale non invertente `e maggiore di quello presente al terminale invertente. In tali condizioni V  tende a salire ed a portarsi eventualmente abbastanza
al di sopra di Vc da mandare il diodo in conduzione. Ora il circuito si comporter`a
da inseguitore di tensione ed il condensatore si porter`a allo stesso potenziale vi
dellingresso.
Quando vi scende al di sotto della tensione presente in uscita Vc , luscita dellA.O.
diventa negativa ed il diodo `e interdetto. Vediamo cos` che il condensatore si carica
no a che la sua tensione non raggiunge il massimo tra tutti i valori del segnale
applicato in ingresso. Per resettare il circuito si dovr`a far uso di un interruttore, ed

12.4 Applicazioni non-lineari degli amplicatori operazionali

339

D
V0

V'

Vi

Figura 12.47: Rivelatore di picco realizzato con un amplicatore operazionale ed elementi


passivi.

a tale scopo si pu`o adoperare un interruttore a JFET o MOSFET posto ai capi del
condensatore, come mostrato in gura 12.48.

D
V'
Vi

V0
C

Figura 12.48: Rivelatore di picco resettabile attraverso linterruttore JFET o MOSFET.


La congurazione del rivelatore di picco appena discussa presenta alcuni inconvenienti. In primo luogo, se il segnale in ingresso `e minore di quello ai capi del
condensatore, loperazionale satura al suo valore negativo. Inoltre, luscita del circuito dovr`a essere accoppiata ad un eventuale carico (ad esempio, il sistema che
dovr`a essere utilizzato per leggere il segnale in tensione presente ai capi del condensatore). Limpedenza nita di tale carico far`a si che il condensatore si scarichi.
Entrambi gli inconvenienti possono essere risolti facendo uso del circuito mostrato
in gura 12.49.
Loperazionale presente in uscita `e un inseguitore di tensione. Ora il condensatore
vede lelevata impedenza dingresso dellinseguitore (che alimenter`a leventuale cari-

340

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

V'

V0

D
R

Vi

D1

Carico

Figura 12.49: Ulteriore esempio di rivelatore di picco, questo circuito permette di non saturare
il primo A.O e di avere una grossa impedenza in serie al condensatore.
co). La costante di tempo di scarica del condensatore diventa ora molto grande ed
il secondo dei problemi menzionati `e in tal modo risolto.
Il diodo D1 inserito tra luscita delloperazionale e massa a sua volta impedisce
che la tensione duscita dellA.O. possa assumere valori negativi inferiori a V e
ci`o risolve il primo dei problemi menzionati.

12.5

Limiti degli amplicatori operazionali

Abbiamo nora ammesso che lA.O. abbia le caratteristiche ideali descritte allinizio
del capitolo. In realt`a un A.O. reale ha caratteristiche che dieriscono da quelle
ideali. Vogliamo ora esaminare alcuni di questi limiti e valutarne le conseguenze.
Pi`
u in particolare, occorre tener conto dei seguenti eetti:
amplicazione non innita;
banda passante nita;
correnti dingresso e dierenza tra le correnti dingresso;
impedenza dingresso nita;
tensione di oset in ingresso;
slew rate;
impedenza duscita non nulla.
Cominciamo ad esaminare le conseguenze dellamplicazione nita dellA.O., con
riferimento allamplicatore invertente di gura 12.50.
Se A non `e innito, non possiamo pi`
u far uso del principio della massa virtuale.
Calcoliamo luscita continuando a considerare innita limpedenza dingresso, e quindi nulla la corrente che entra nel terminale invertente. Lintera corrente uisce cio`e

12.5 Limiti degli amplicatori operazionali

341

i
R2

Vi

R1

V0

Figura 12.50: Amplicatore invertente.


nel ramo R1 R2 . Avremo quindi:
i =

vi V
V vo
=
R1
R2

da cui:
vi
= V
R1

1
1
+
R1 R2

con:
V =
per cui si ottiene:

vo
R2

vo
A



R2
1
vo =
vi
R1 1 + (R1 + R2 )/AR1

Ora teniamo conto del fatto che, se vo `e la tensione in uscita, la frazione di questa
che il partitore R1 R2 riporta in ingresso `e:
=

R1
R1 + R2

a si da il nome di fattore o coeciente di reazione. Lultima relazione si pu`o


allora scrivere:


R2
1
vo =
vi
R1 1 + 1/A
Il guadagno con reazione nel caso concreto di un valore nito di A `e quindi:


1
R2
Avf =
R1 1 + 1/A
che, nel caso di un A innitamente grande ci avrebbe dato il guadagno ideale:
Av =

R2
R1

342

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Il rapporto tra guadagno reale e guadagno ideale `e:


Avf
1
=
Av
1 + 1/A

(12.26)

Per un dato valore di A, il guadagno reale dierir`a tanto pi`


u dal guadagno ideale
quanto maggiore `e il guadagno ideale richiesto, determinato dalla scelta dei componenti R1 ed R2 . Ad esempio, se A=100,000 e chiediamo un guadagno (ideale), cio`e
un rapporto R2 /R1 pari a 1000, avremo per il coeciente di reazione:
=

R1
1
=
= 0.001
R1 + R2
1 + R2 /R1

per cui: 1/(A) = 0.01 ed il rapporto dato dallequazione (12.26) sar`a uguale a
1/1.01=0.99. Se avessimo chiesto un guadagno 10 volte maggiore, cio`e un valore
2
pari a 10,000, sarebbe stato 10 volte pi`
u piccolo, cio`e 0.0001, A
del rapporto R
R1
sarebbe stato pari a 10, ed il rapporto tra guadagno reale ed ideale sarebbe stato
pari a 1/1.1=0.91.
Vediamo in denitiva che leetto del guadagno nito dellA.O. `e tanto maggiore
quanto pi`
u forte si fa la richiesta sul guadagno dellamplicatore invertente. Notiamo
per inciso che la richiesta di un guadagno elevato si traduce in un piccolo fattore di
reazione .
Una situazione analoga si riscontra nel caso dellamplicatore in congurazione
facile vericare, in modo analogo a quello seguito in precedenza,
non-invertente. E
che il guadagno in questione, nel caso di unamplicazione A nita, `e dato da:


R2
1
Avf = 1 +
R1 1 + 1/A
mentre quello ideale sarebbe stato:
Av = 1 +

R2
R1

Il rapporto tra guadagno reale ed ideale `e allora:


1
Avf
=
Av
1 + 1/A
Quindi anche in questo caso lamplicazione dierir`a da quella ideale se `e molto
minore di 1, cio`e se si vuole un guadagno ideale molto grande. Il prodotto A
v`a sotto il nome di guadagno della catena o loop gain. Questo termine deriva dal
fatto che, se un segnale vi `e applicato allingresso di un amplicatore di guadagno
A, il segnale presente in uscita `e Avi e la catena di reazione riporta in ingresso una
frazione di questo, per cui A rappresenta appunto il guadagno complessivo della
catena costituita dallamplicatore pi`
u la rete di reazione. Il guadagno dellamplicatore reazionato sar`a grande se il loop gain `e piccolo. Al guadagno Avf si da
poi il nome di guadagno a catena chiusa. Il guadagno A di un amplicatore indicato dai costruttori `e di regola quello misurato a frequenza molto bassa o in DC.
C`e poi da tener conto della banda passante non innita dellA.O. Il guadagno A

12.5 Limiti degli amplicatori operazionali

343

diminuisce molto al crescere della frequenza. In molti amplicatori, landamento di


A in funzione della frequenza pu`o essere schematizzato come:
A0
1 + sp

A(s) =

dove s = j ed 1/p rappresenta la frequenza alla quale il guadagno si riduce di


un fattore 2 rispetto a quello a basse frequenze. Questa pu`o variare tra 1Mhz e 10
Mhz in un tipico amplicatore. Landamento del modulo di A() in funzione di in
un diagramma di Bode `e caratterizzato da una pendenza negativa di 6 dB/ottava.
Sostituendo questa espressione nella (12.26) troviamo:
Avf (s) =

Av (ideale)
p
1 + 1+s
A0

(12.27)

che a basse frequenze, dove il termine sp 1 diventa:


Avf (DC) =

Av (ideale)
1 + A10

(12.28)

Dividendo la (12.27) per la (12.28) si ha poi:


Avf (s)
1
=
sp
Avf (DC)
1 + 1+A
0
In molte applicazioni `e A0 1 per cui:
Avf (s) =

Avf (DC)
sp
1 + A
0

che, ponendo T uguale al prodotto del guadagno a bassa frequenza A0 per la


larghezza di banda 1/p dellA.O.:
T =

A0
p

pu`o essere riscritta come:


Avf (s) =

Avf (DC)
1 + sT

Si vede da questultima espressione che la larghezza di banda ai 3 dB (cio`e la


frequenza
in corrispondenza alla quale il modulo dellampiezza si `e ridotto di un
fattore 2 rispetto al valore DC) `e:
c = T
Poich`e 1/ `e allincirca uguale al guadagno (ideale) Avf dellamplicatore con
reazione nellipotesi di amplicatore ideale, vediamo da questultima relazione che:
Avf c = T
cio`e che il prodotto del guadagno per la larghezza di banda `e costante.

344

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

Esaminiamo ora il problema delle correnti di bias, delloset di tali correnti e


delloset della tensione dingresso. La corrente detta Input bias current, che verra
indicata in seguito con Ii , `e la corrente di polarizzazione. Essa `e denita come
la media aritmetica delle correnti entranti nei terminali non-invertente (IB2 ) ed
invertente (IB1 ):
IB1 + IB2
Ii =
2
Ad esempio, tale corrente nel caso dellintegrato A741 vale tipicamente 80 nA; nel
caso di A.O. con ingresso a FET essa ha valori dellordine di qualche pA.
La Input oset current (Iio ) `e denita come la dierenza delle correnti entranti
nei due terminali:
Iio = IB1 IB2
Tale parametro vale circa 20 nA nel caso del A741. LInput oset voltage (vos )indica
la dierenza di potenziale da applicare tra i terminali dingresso per azzerare luscita.
Infatti, a causa delle asimmetrie interne allintegrato luscita potr`a andare ad un
valore non nullo con una identica tensione applicata ai due terminali dingresso. Per
il A741 un valore tipico `e 2 mV. Esistono A.O. con valori della vos di pochi V .
Per A.O. con ingresso a FET la vos tipica `e di 5 mV.
Esaminiamo ora leetto che sullamplicatore invertente hanno le correnti dingresso e la tensione di oset. Questi possono essere schematizzati come mostrato in
gura 12.51.

Vos
V1
V0

V2
I B2

I B1

Figura 12.51:

Schematizzazione delle correnti di ingresso nei terminali invertente e


non-invertente (IB1 , IB2 ) e della tensione di oset (vos ) in un amplicatore operazionale.

Nel caso di un amplicatore invertente possiamo calcolare leetto di questi


parametri sulluscita facendo uso del principio di sovrapposizione. Riferiamoci alla
schematizzazione di gura 12.52, avremo:
2
1. senza correnti o tensioni di oset e Vi = 0: Vo = R
V
R1 i

2. con Vos = 0 e IB1 = IB2 = Vi = 0: Vo = (1 +

R2
)Vos
R1

3. con IB1 = 0 e Vos = IB2 = Vi = 0: Vo = R2 IB1

12.5 Limiti degli amplicatori operazionali

Vi

R1

345

I
R2

V os

IB1
V0
IB2
R3

Figura 12.52: Schema dellamplicatore invertente per un amplicatore operazionale nonideale, sono indicate le correnti di ingresso e la tensione di oset.

4. con IB2 = 0 e Vos = IB1 = Vi = 0: Vo = R3 IB2 (1 +

R2
)
R1

Se tutti questi contributi sono presenti:






R2
R2
R2
Vo = Vi + 1 +
Vos + R2 IB1 R3 IB2 1 +
R1
R1
R1
Se scegliamo R3 uguale al parallelo di R1 ed R2 , avremo per i due termini dovuti
alle correnti di oset:


R2
R2 IB1 R3 IB2 1 +
= R2 (IB1 IB2 )
R1
Poich`e la dierenza tra le due correnti `e molto minore di ciascuna singola corrente, si
vede che la scelta fatta riduce in modo sostanziale leetto delle correnti dingresso.
Si vede da ci`o che una buona regola pratica da seguire `e quella di far si che entrambi
i terminali vedano la medesima resistenza. Lerrore dovuto a vos pu`o esser compensato in alcuni A.O. da un apposito circuito di compensazione; in altri casi occorre
applicare una dierenza di potenziale tra gli ingressi, tale da annullare leetto.
Se un ingresso dellA.O. `e accoppiato allo stadio precedente in modo capacitivo,
come nel caso dellamplicatore non invertente di gura 12.53, una resistenza addizionale dovr`a essere inserita tra tale ingresso e massa, per consentire un cammino
alla corrente di polarizzazione.
Lultimo dei limiti degli amplicatori operazionali di cui ci occuperemo `e quello
dello slew-rate. Questo termine si riferisce al fatto che un A.O. pu`o far variare la
tensione in uscita con una rapidit`a limitata.
Se applichiamo allingresso non invertente di un A.O. il cui ingresso invertente
sia collegato a massa, un gradino positivo di tensione, luscita non seguir`a istantaneamente lingresso, ma salir`a con una pendenza non-innita. Ci si riferisce a tale

346

Capitolo 12. Amplicatori operazionali

R2
R1
V0

C
Vi

Rx

Figura 12.53: Amplicatore non-invertente in cui la tensione di ingresso `e accoppiata in modo


capacitivo.

pendenza quando si parla di slew-rate. Tale parametro `e comunemente espresso da:


SR =

V
t

dove V `e la variazione della tensione in uscita, quando in ingresso `e applicata una


tensione a gradino, nellintervallo di tempo t .
Valori tipici dello SR vanno da circa 0.01 V /s a qualche migliaio di V /s. Va
notato che lo SR per transizioni positive pu`o dierire da quello relativo a transizioni
negative.
Il fatto che il segnale in uscita non segua istantaneamente la variazione di quello
in ingresso fa si che, in presenza di feedback negativo, lingresso invertente non
segua quello non-invertente ma nasca una d.d.p. nita tra i due. Tale dierenza di
potenziale altera in modo signicativo il funzionamento del circuito.
Lo SR ha origine nella struttura interna degli A.O. e pi`
u in particolare nelle
capacit`a adoperate per ottenere una buona risposta in frequenza. In molti schemi
di A.O. lescursione totale del segnale di tensione in uscita si presenta ai capi della
capacit`a di compensazione, che ha un valore tipico di 30 pF. Poich`e in genere la
corrente I che carica tale capacit`a `e dellordine di 30 A, avremo:
I = C

dV
dt

da cui si ottiene come ordine di grandezza dello SR in questo tipo di A.O.:


SR =

I
V
dV
=
= 1
dt
C
s

Capitolo 13

Il timer 555
13.1

Introduzione

Abbiamo gi`a incontrato circuiti che generano delle forme donda rettangolari periodiche, quali ad esempio gli oscillatori basati su amplicatori operazionali, i circuiti
bistabili e monostabili, il trigger di Schmitt, etc.. Lintegrato che ora esamineremo `e
in grado di funzionare indierentemente come oscillatore, come trigger di Schmitt o
`
come circuito bistabile. Oltre a queste, esso ha numerosissime altre applicazioni. E
noto con il nome di circuito di temporizzazione (timer) 555. Esamineremo in questa
sezione alcuni esempi di applicazione di tale circuito. La struttura base del 555 `e
quella mostrata in gura 13.1.
8 Vcc
Threshold

Vref

_
Q

AO1

T1

Discharge

+
-

AO2

Out

T2

Trigger

Reset

Figura 13.1: Schema della struttura di base del circuito timer 555.
Lintegrato contiene due comparatori, un ip-op di tipo RS, due transistor, un
buer (inseguitore di tensione) e tre resistenze.
347

348

Capitolo 13. Il timer 555

Le tre resistenze uguali, indicate in gura 13.1 con R, costituiscono un partitore il


quale consente di avere nei punti A e B rispettivamente le tensioni 2/3Vcc ed 1/3Vcc .
Tali tensioni vengono usate come riferimento da due comparatori. Luscita di AO1
`e positiva se al piedino 6 (noto come ingresso di threshold ) `e applicata una tensione
maggiore di 2/3Vcc , negativa nel caso opposto. Luscita di AO2 risulta positiva se al
piedino 2 (noto come ingresso di trigger ) `e applicata un tensione minore di 1/3Vcc ,
negativa nel caso opposto. Le uscite di AO1 e AO2 vanno a pilotare rispettivamente
i piedini di Reset e di Set di un ip-op di tipo RS. Per questo ip-op, segnali di
tensione negativi agli ingressi valgono come un segnale logico 0. Luscita Q del FF `e
collegata al piedino 3 tramite un buer che serve a rendere luscita indipendente dal
carico esterno. Il transistor T1, la cui base `e unita alluscita Q del RS, si comporta
da invertitore: se Q `e alto, esso `e in saturazione e luscita 7 `e bassa. Viceversa,
se Q `e basso T1 `e interdetto. Il transistor T2 pu`o essere adoperato per resettare
il ip-op. Se non si vuole adoperarlo, il piedino 4 va collegato alla tensione alta
(transistor pnp interdetto).
La tabella 13.1 riassume la corrispondenza tra segnali applicati agli ingressi
threshold e trigger del 555 e le uscite. Nella tabella vien detto alto (H) lingresso di threshold se questo supera il suo valore di riferimento, cio`e 2/3 Vcc ; vien detto
alto lingresso di trigger se questo supera il suo valore di riferimento, 1/3 Vcc .
Stato
a
b
c
d

Reset
H
H
H
H

Thres
L
L
H
H

Trig
L
H
L
H

R
L
L
H
H

S Qn+1
H
H
L
Qn
H
L
L

Qn+1
L
Qn
H

outn+1
H
outn
L

dischargen+1
aperto
dischn
massa

Tabella 13.1: Tabella delle verita del timer 555, i simboli utilizzati sono quelli mostrati in
gura 13.1.

Esamineremo ora il modo in cui tale circuito pu`o essere adoperato per realizzare
vari circuiti.

13.1.1

Multivibratore astabile

Uno schema in cui si utilizza il 555 come generatore di segnali rettangolari (astabile)
`e mostrato in gura 13.2. In questo circuito il ruolo fondamentale `e svolto dalle
resistenze R1 ed R2 nonch`e dal condensatore C1 .
Questultimo `e periodicamente caricato tramite le resistenze R1 ed R2 e scaricato
attraverso la resistenza R2 . Il condensatore C2 serve ad eliminare uttuazioni di
tensione nel punto del partitore (vedi gura 13.1) che `e a 2/3Vcc (Vref = piedino 5).
Esaminiamo in dettaglio ci`o che accade. Ammettiamo che il condensatore C1 sia
inizialmente scarico (potenziale del punto P uguale a zero). Luscita del comparatore
AO2 `e quindi inizialmente uguale ad 1 (livello alto) mentre quella del comparatore
AO1 `e inizialmente uguale a 0 (livello basso). Quindi allinizio abbiamo Q = 1 ,
Q = 0 e T1 interdetto (riga (a) della tabella 13.1). Luscita Vout del 555 sar`a alta.

13.1 Introduzione

349

VC C
P'

R1
R2

R ESET

TH R ES

TR IG

Vref

CC

C2

O UT

D ISC H
G ND

C1

Figura 13.2: Multivibratore astabile (generatore di onde rettangolari) realizzato con un timer
555 ed elementi passivi.
Ora il condensatore C comincia a caricarsi verso la tensione Vcc attraverso R1 +R2 ,
con costante di tempo :
1 = C1 (R1 + R2 )
Quando la tensione del punto P raggiunge il valore 1/3Vcc , luscita del comparatore
AO2 va a 0 (S=0) mentre R rimane uguale a zero (riga (b) della tabella 13.1).
Quindi lo stato del ip-op non cambia. Quando la tensione del punto P raggiunge
il valore 2/3Vcc , S rimane 0 mentre ora R va ad 1 (riga (d) della tabella 13.1). Ora
il ip-op cambia stato: Q (e quindi luscita Vout ) diventa basso e Q alto. Con Q
alto, il transistor T1 va in saturazione e VCE = 0. Poich`e lemettitore `e collegato a
massa, avremo che il punto P, che `e collegato al collettore, sar`a ad una tensione
praticamente nulla. Il condensatore C1 comincer`a ora a scaricarsi dal valore di
tensione che aveva raggiunto (2/3Vcc ) verso lo zero, con costante di tempo:
2 = C1 R2
Quando la tensione nel punto P raggiunger`a il valore (1/3Vcc ), il comparatore AO2 ,
collegato allingresso di Set va ad 1 mentre lingresso di Reset rimane uguale a zero
(riga (a) della tabella 13.1). Con ci`o luscita Q del ip-op va a 0, il transistor T1 si
` facile vericare che la durata (T1 ) della fase in cui
interdice ed il ciclo ricomincia. E
luscita `e alta `e pari a: 1 ln 2, mentre quella (T2 ) della fase in cui luscita `e bassa `e
pari a: 2 ln 2. Il periodo `e quindi: T = (1 + 2 ) ln 2, mentre il duty cycle, denito
come:
T1
D.C. =
T1 + T2
`e uguale a:

1
1 + 2

350

Capitolo 13. Il timer 555

Landamento delle tensioni VP e Vout `e quello mostrato in gura 13.3. Vediamo che landamento della tensione VP `e quella tipica della carica e scarica di un
condensatore, mentre Vout `e unonda rettangolare.
12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0
v(P)

80.0

0.0
v(out)

80.0

160.0

240.0

320.0

400.0

t (microsecondi)

12.5

10.0

7.5

5.0

2.5

0.0

160.0

240.0

320.0

400.0

t (microsecondi)

Figura 13.3: Andamento temporale della tensione ai capi del condensatore VP (graco in alto)
e alluscita Vout (graco in basso) del multivibratore astabile di gura 13.2.

Con una semplice modica, quale quella mostrata in gura 13.4, si pu`o ottenere
un multivibratore astabile con duty-cycle variabile. Nellesempio, la serie delle resistenze R1 R2 di gura 13.2 `e sostituita dalla serie R4 R1 , dove R1 `e il ramo
sinistro del potenziometro RP , durante la fase di carica del condensatore C1 , mentre
`e sostituita dalla serie R3 R2 durante la fase di scarica. La carica del condensatore
C1 `e caratterizzata quindi da una costante di tempo:
1 = (R4 + R1 )C1
La scarica avviene invece con una costante di tempo:
2 = (R3 + R2 )C1
Ruotando il potenziometro RP si pu`o quindi modicare il duty-cycle del segnale in
uscita. Si pu`o vericare che, con i valori delle resistenze e delle capacit`a indicati in
gura, la frequenza di oscillazione `e di 100 Hz ed il duty-cycle pu`o esser fatto variare
tra lo 0.1% ed il 99.9%.

13.2 Multivibratore monostabile

351

VC C
10V

.01F
R4

1K

C
R ESET

R3

1K

TH R ES

TR IG

Vref

CC

O UT

D ISC H

D2

D1
Rp

G ND

1000k

R1 R2
C1

10nF

Figura 13.4: Multivibratore astabile con duty-cycle regolabile tramite il potenziometro R1 R2.

13.2

Multivibratore monostabile

Un circuito monostabile (one-shot) pu`o esser ottenuto utilizzando il 555 nella congurazione di gura 13.5.
Ammettiamo infatti che, in condizioni di riposo, sia Vin > 1/3Vcc. Luscita del
comparatore inferiore nel 555 sar`a allora bassa ed S=0. Se ammettiamo inoltre
che C sia scarico, avremo VP = 0 e luscita del comparatore superiore sar`a bassa
(R=0) (riga (b) della tabella 13.1). Con ci`o, lo stato del FF non cambia. Se quindi
inizialmente `e Q = 0, Q = 1, tale stato rimarr`a inalterato e luscita (OUT) del 555
sar`a basso. Se il condensatore C fosse stato carico, con VP > 2/3Vcc , luscita del
comparatore superiore sarebbe stata alta (R=1) e quindi avremmo avuto Q = 1.
Con ci`o, il transistor duscita del 555 sarebbe andato in saturazione, il che avrebbe
riportato VP a zero. Vediamo cos` che lo stato Q = 0, Q = 1 `e uno stato stabile del
sistema.
Se ora inviamo in ingresso un impulso di tensione inferiore ad 1/3Vcc luscita del
comparatore inferiore diverr`a alta ed il FF verr`a ad essere settato (Q = 1, Q = 0,
corrispondenti alla riga (a) della tabella 13.1). Luscita del 555 diverr`a alta. Ora il
transistor duscita del 555 sar`a interdetto ed il condensatore comincer`a a caricarsi

352

Capitolo 13. Il timer 555

Vcc

R
RESET

in

THRES
TRIG

VCC Vref
OUT

C1

out

DISCH
GND

Figura 13.5: Multivibratore monostabile (generatore di impulsi) realizzato con un timer 555
ed elementi passivi.

con costante di tempo = RC. Avremo cio`e:




VP = Vcc 1 et/
Se ora Vin risale no a superare 1/3Vcc luscita del comparatore inferiore passer`a
al livello basso (S=0) ma, poich`e lingresso R del FF `e ancora uguale a 0, lo stato
del FF non cambia. Quando per`o la tensione VP raggiunge il valore 2/3Vcc , luscita
del comparatore superiore passa al livello alto (R=1), il FF commuta ed avremo
Q = 0, Q = 1 (riga d della tabella 13.1). Il condensatore si scarica rapidamente
attraverso il transistor duscita del 555, ora in saturazione.
Vediamo che luscita del 555 rimane alta per il tempo necessario anch`e la
tensione sul condensatore passi dal valore iniziale (VP = 0) al valore 2/3Vcc. La
durata T dellimpulso in uscita `e cio`e data da:


2
Vcc 1 eT / = Vcc
3
cio`e:
T = ln 3 = ln 3 RC
Perch`e il circuito funzioni correttamente occorre che limpulso di trigger sia pi`
u
corto di T .
Forme donda tipiche per questo circuito sono mostrate in gura 13.6. Qui il
graco superiore `e la forma donda applicata in ingresso, quello intermedio luscita
e quello inferiore landamento della tensione VP = Vc .
Unapplicazione tipica di questo circuito `e come pulse stretcher ; esso `e cio`e adoperato per produrre degli impulsi di durata predeterminata, a partire da impulsi di
trigger di breve durata.

13.3 Trigger di Schmitt

353

2.8
2.1
1.4
0.7
0.0

0.0
v(in)

0.3

0.0
v(out)

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

1.2

1.5

1.2

1.5

t(millisecondi)

5.5
4.4
3.3
2.2
1.1
0.0

0.6

0.9

t(millisecondi)

4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.5 0.0

v(c)

0.3

0.6

0.9

t(millisecondi)

Figura 13.6: Andamento temporale della tensione in ingresso (graco superiore), in uscita (graco intermedio) ed ai capi del condensatore (graco inferiore) del circuito multivibratore
monostabile di gura 13.5.

13.3

Trigger di Schmitt

Unulteriore applicazione del 555 `e come circuito di trigger, con soglia relativa alla
transizione delluscita dal livello basso a quello alto, superiore a quella relativa alla
transizione opposta. Esso `e cio`e un Trigger di Schmitt, di cui abbiamo gi`a incontrato
un esempio nella sezione relativa agli amplicatori operazionali. Il funzionamento
del circuito `e estremamente semplice. Se i piedini 2 e 6 del 555 (cio`e gli ingressi
di threshold e di trigger) sono uniti insieme ed adoperati come ingresso Vin , si vede
che se Vin supera i 2/3Vcc si ha S = 0, R = 1, con che Q diviene basso. Se ora
Vin scende sotto 2/3Vcc , lo stato del FF non cambia, poich`e ora sia R che S sono
0. La transizione allo stato complementare (cio`e Q alto) si ha soltanto quando Vin
scende sotto il valore 1/3Vcc . Questo `e il comportamento appunto di un trigger di
Schmitt. Se si desidera che i due livelli di confronto non siano 2/3Vcc ed 1/3Vcc, `e
suciente interporre tra la sorgente del segnale e lingresso del 555 un partitore o un
amplicatore. La gura 13.7 mostra il segnale alluscita di un tale circuito, quando
il segnale applicato in ingresso sia una sinusoide. Nellesempio di gura il segnale
in uscita `e stato invertito (nel circuito di trigger che abbiamo descritto, il segnale
alluscita del 555 va basso quando lingresso supera la soglia alta, e viceversa).

354

Capitolo 13. Il timer 555


12.0

9.0

6.0

3.0

0.0

-3.0

0.0

180.0

360.0

540.0

720.0

900.0

t (microsecondi)

Figura 13.7: Andamento temporale del segnale in uscita da un circuito trigger di Schmitt
sovrapposto al segnale sinusoidale inviato in ingresso.

13.4

Convertitore tensione-frequenza

Nelle applicazioni del 555 che abbiamo discusso il piedino 5 (Vref ) dellintegrato non
veniva utilizzato. Esso era collegato a massa attraverso una capacit`a, che serviva a
mantenere costante la tensione nel punto A (ingresso Vref ; vedasi la gura 13.1). Se
nel circuito astabile di gura 13.2, tale ingresso viene collegato ad una sorgente di
tensione variabile, le tensioni di riferimento dei due comparatori presenti nel 555 non
saranno pi`
u uguali a 2/3Vcc ed 1/3Vcc ma rispettivamente uguali a Vref e 1/2Vref . Di
conseguenza, durante il processo di carica e scarica del condensatore C1 nel circuito
di gura 13.2, la commutazione avverr`a a tempi diversi, legati al valore che nel dato
istante ha Vref .
Un esempio di tale circuito `e mostrato in gura 13.8 dove Vref = Vsin . Tale
circuito pu`o essere adoperato come convertitore tensione-frequenza. Se il segnale
applicato `e ad esempio (come in gura) sinusoidale, avremo in uscita un segnale la
cui frequenza varia in modo sinusoidale. Si noti che in tale circuito varia anche la
durata del segnale in uscita. Se si vuole che il segnale in uscita abbia frequenza
variabile in modo sinusoidale ma durata ssa, sar`a suciente far seguire il circuito
da un monostabile.
In gura 13.9 mostriamo il segnale sinusoidale applicato allingresso Vsin di un
tale circuito, insieme al segnale presente in uscita e, nel graco inferiore, quello
presente alluscita di un monostabile che segue il convertitore tensione-frequenza
(non mostrato in gura 13.8).

13.4 Convertitore tensione-frequenza

355

Vsin

Vcc
R1

RESET

VCC Vref

THRES

R2

TRIG

OUT
DISCH
GND

Figura 13.8: Convertitore tensione frequenza, il segnale di riferimento `e indicato con Vsin .

356

Capitolo 13. Il timer 555

16.0
12.0
8.0
4.0
0.0
-4.0

0.00

0.34

0.68

1.02

1.36

1.70

t (millisecondi)

12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0

0.00

0.34

0.68

1.02

1.36

1.70

t (millisecondi)

Figura 13.9: Graco superiore: andamento temporale del segnale sinusoidale applicato
come Vref sovrapposto al segnale presente in uscita nel circuito di gura 13.8; graco inferiore: andamento temporale del segnale in uscita al circuito monostabile che segue il convertitore
tensione-frequenza.

Capitolo 14

Filtri attivi
14.1

Introduzione

Un ltro `e un dispositivo che trasmette inalterati segnali aventi frequenze entro un


determinato campo (ltri passa-banda) o al di sopra di un valore determinato (ltri
passa-alto) o ancora al di sotto di un valore pressato (ltri passa-basso). Si possono
anche avere ltri che lasciano passare solo segnali aventi frequenze poste al di fuori
di un campo pressato (ltri elimina-banda).
Un ltro pu`o esser realizzato a partire da soli componenti passivi (resistenze,
ormai comune uso
capacit`a o induttanze). In tal caso si parla di ltri passivi. E
adoperare, insieme ad elementi passivi, anche elementi attivi, quali transistor o amplicatori operazionali. Tale scelta ore una maggiore essibilit`a nella realizzazione
di ltri con particolari caratteristiche. Questi sono noti come ltri attivi.
A causa della limitata risposta in frequenza degli operazionali, i ltri attivi sono
adoperati tipicamente a basse frequenze (sopratutto a frequenze audio) no ad un
possibile, facendo uso di amplicatori
massimo di qualche centinaio di kHz. E
operazionali veloci, realizzare ltri attivi che operano no a diversi MHz, ma ragioni
di costo ne limitano luso. Per frequenze elevate si fa quindi uso di ltri passivi.
In questo capitolo esamineremo le caratteristiche dei principali tipi di ltri attivi,
quali ad esempio quelli di Butterworth e di Bessel. Per unanalisi pi`
u approfondita
dellargomento si suggerisce di consultare le referenze citate.
Faremo ampio uso della tecnica delle trasformate di Laplace, e dei concetti connessi con la rappresentazione graca della risposta dei circuiti (diagrammi di Bode
e di Nyquist).
Si sta diondendo in aggiunta, in questi ultimi anni, luso di quelli che sono noti
come ltri digitali. Una trattazione dettagliata di tale tipo di ltri ci porterebbe
ben oltre gli scopi di questo corso.

14.1.1

Caratteristiche di risposta dei ltri

I quattro tipi di ltro cui abbiamo accennato nella sezione precedente dovrebbero
idealmente avere delle funzioni di trasferimento caratterizzate da un andamento
piatto allinterno della banda passante e da una transizione innitamente ripida
verso la banda bloccata. Tale andamento ideale `e schematizzato nella gura 14.1
dove sono mostrati i diagrammi di Bode per il modulo della funzione di trasferimento
357

358

Capitolo 14. Filtri attivi

G() relativi ai quattro tipi di ltri.


(a)

Ga dB( )

(b)

20

Gb dB( )

10

100

20

1.103

10

log()

Gd dB( )

10

100
log()

1 .104

(d)

20

1.103

log()

(c)

Gc dB( )

100

1.103

1 .104

20

10

100

1.103

1 .104

log()

Figura 14.1: Andamento ideale della funzione di trasferimento relativa ai quattro tipi di ltro
descritti. Figura (a): passa-basso, gura (b): passa alto, gura (c): passa-banda, gura (d):
elimina-banda.

La gura (a) si riferisce al caso di un ltro passa-basso, la (b) a quello di un


ltro passa-alto, la (c) ad un ltro passa-banda e la (d) ad uno elimina-banda.
In realt`a nessun ltro reale ha funzioni di trasferimento come quelle mostrate
in gura. I fronti di salita e di discesa hanno nella pratica pendenze che vanno da
6 dB/ottava a qualche decina di dB/ottava. Inoltre landamento allinterno della
banda passante non `e mai piatto, ma esibisce in genere delle oscillazioni (ripple)
pi`
u o meno ampie. Un esempio di curva di risposta reale `e quello mostrato in
gura 14.2 (relativo al caso di un ltro passa-banda).
La banda passante (BW) `e denita come lintervallo di frequenze compreso tra
i punti in cui il modulo del guadagno `e diminuito di 3 dB rispetto al valor medio a
centro banda. Lampiezza del canale di ripple, mostrato in gura, `e espresso in dB
e varia tra qualche frazione di dB e 1.5-2.0 dB. La pendenza dei fronti di salita e di
discesa, come gi`a detto varia tra 6 dB/ottava e qualche decina di dB/ottava.
Il modulo della funzione di trasferimento G(f) (o equivalentemente G()) non
altrettanto importante che lo
`e lunica caratteristica importante di un ltro. E
sfasamento introdotto dal ltro aumenti linearmente allaumentare della frequenza.
Solo in tal modo, infatti, le componenti di diversa frequenza presenti nel segnale
subiranno tutte il medesimo ritardo temporale e nessuno sfasamento relativo.
Consideriamo infatti due componenti di frequenze angolari (1 , 2 ), fasi (1 , 2 )
ed ampiezze (A1 , A2 ):
a1 (t) = A1 cos(1 t + 1 )

14.1 Introduzione

359

|G(f)| dB

ripple
3 dB

banda bloccata

<

banda passante

banda bloccata
>

log(f)
f

cutoff

cutoff

fmax

min

Figura 14.2: Esempio della funzione di trasferimento relativa ad un ltro reale di tipo passabanda. Si notino le oscillazioni ripple nella curva.

a2 (t) = A2 cos(2 t + 2 )
Ammettiamo che allinterno della banda passante sia |G()| costante e sia lo sfasamento introdotto dalla G() dato da:
= k
con k una costante. Le due componenti alluscita del ltro saranno:
a1 (t) = |G| A1 cos(1 t + 1 + k1 )
a2 (t) = |G| A2 cos(2 t + 2 + k2 )
ovvero:

a1 (t) = |G| A1 cos [1 (t + k) + 1 ]


a2 (t) = |G| A2 cos [2 (t + k) + 2 ]

Vediamo che le due componenti hanno in uscita la stessa frequenza che esse avevano in ingresso e la stessa dierenza di fase: = 2 1 . Esse sono entrambe
ritardate temporalmente di una medesima quantit`a k1 . Il segnale risultante dalla
sovrapposizione di un gran numero di componenti di questo tipo non risulter`a quindi
deformato. Esiste un ulteriore tipo di ltro, noto come passa tutto (all-pass lter),
che ha una risposta |G()| indipendente dalla frequenza, ma uno sfasamento che `e
funzione di questa. Tali ltri vengono adoperati per compensare sfasamenti dipendenti dalla frequenza, introdotti da linee di trasmissione quali le linee telefoniche.
I ltri passa-tutto sono anche noti come correttori di fase o equalizzatori di
ritardo.
1

anticipate se k `e negativo.

360

Capitolo 14. Filtri attivi

Come vedremo, `e possibile realizzare ltri che hanno una banda passante sufcientemente piatta, ma non una buona relazione di fase, o anche ltri con una
relazione di fase lineare, ma con un certo ammontare di ripple nella banda passante.
Per un discussione esauriente dei vantaggi e dei limiti dei diversi tipi di ltri
attivi, si suggerisce una lettura del capitolo 5 del libro di Horowitz- Hill [10].

14.2

Generalit`
a sui ltri

Un generico ltro `e caratterizzato da una funzione di trasferimento esprimibile come


rapporto tra due polinomi nella variabile complessa s:
aM sM + aM 1 sM 1 + + a0
sN + bN 1 sN 1 + + b0
dove i coecienti dei polinomi sono reali ed inoltre `e M N.
N `e noto come lordine del ltro.
Se indichiamo con z1 , z2 , zM le radici del polinomio a numeratore e con
p1 , p2 , pN quelle del polinomio a denominatore, e ricordiamo che tali radici sono o
reali o, se complesse, presenti con le complesse coniugate, la funzione di trasferimento
potr`a esser messa nella forma:
G(s) =

aM (s z1 )(s z2 ) (s zM )
(s p1 )(s p2 ) (s pN )
i valori z1 , z2 , zM sono gli zeri della funzione di trasferimento, p1 , p2 , pN
i poli. Nel piano complesso s = j, gli zeri possono esser dovunque, i poli
possono esser presenti solo nel semipiano sinistro ( 0). Se tale condizione non
fosse soddisfatta, il sistema non sarebbe stabile.
Gli zeri debbono corrispondere a frequenze poste nella zona di banda bloccata.
Se vogliamo ottenere la risposta in frequenza del ltro, dobbiamo sostituire alla
variabile s il valore j.
In molti casi possiamo, da un semplice esame della funzione di trasferimento,
capire se il ltro sia un passa-basso, passa-alto, etc. Ad esempio, la funzione di
trasferimento:
as
G(s) = 2
s + 5s + 3
con la sostituzione s = j, ha modulo e fase dati rispettivamente da:
G(s) =

a
|G()| =
(3 2 )2 + 25 2
3 2
5
Vediamo che il modulo di G() per tende a zero come 1/. Si esprime ci`o
dicendo che la G() ha uno zero semplice allinnito. Inoltre, per 0 essa tende
a zero. Cio`e la G() ha uno zero semplice nellorigine. Si tratta in denitiva di un
ltro che taglia ad alta ed a bassa frequenza, cio`e di un ltro passa-banda.
Nellesempio appena fatto, il fatto che |G()| decresca al crescere di come 1/
implica che, nel diagramma di Bode landamento sia di -20 dB per decade (o -6 dB
per ottava).
tan () =

14.2 Generalit`a sui ltri

361

Nel caso generale di un ltro passa-basso, se la decrescita di |G()| v`a come 1/ n ,


essa sar`a caratterizzata nel diagramma di Bode da una pendenza di n 20 dB/decade.
In tal caso il sistema ha n zeri allinnito. In generale il numero degli zeri allinnito,
come si pu`o facilmente vedere, `e dato da N-M. Infatti, per s la G(s) tende ad
aM /sN M .
Pu`o accadere che non vi siano valori niti della frequenza, in corrispondenza
ai quali lattenuazione sia innita. Ci`o accade se nella G(s) tutti gli zeri sono
allinnito, come nel caso di:
G(s) =

sN

aM
+ bN 1 sN 1 + + b0

Si parla allora di un ltro con solo poli (all-pole lter).

14.2.1

Esempi di ltri del primo e del secondo ordine

Conosciamo i pi`
u semplici dei ltri passivi: il circuito RC passa-basso e quello
passa-alto, mostrati in gura 14.3, le cui funzioni di trasferimento, nello spazio delle
frequenze, sono date da:
1
|GLP ()| = 
1 + ( 0 )2
 

LP () = arctan
0
1
1 + ( 0 )2


0
HP () = arctan

|GHP ()| =

con: 0 = 1/RC

R
Vin

Vout

Vin

Vout

Figura 14.3: Esempi di ltri del primo ordine. Il circuito RC di sinistra `e di tipo passa-basso,
mentre quello di destra `e di tipo passa-alto.
Il ltro passa-basso `e caratterizzato da una frequenza
di taglio superiore (fre
quenza alla quale il guadagno si riduce di un fattore 2 rispetto al valore che esso
ha a basse frequenze) pari a f0 = 0 /2. La curva asintotica che descrive |G()|
a frequenze angolari 0 ha inoltre, come `e facile vericare, una pendenza
(negativa) di 6 dB/ottava (20 dB/decade).

362

Capitolo 14. Filtri attivi

Analogamente il ltro passa-alto `e caratterizzato da una frequenza di taglio inferiore f0 = 0 /2. La curva che descrive landamento di |G()| a frequenze angolari
0 ha una pendenza (positiva) di 6 dB/ottava (20 dB/decade). Un ltro passabanda pu`o essere ottenuto mettendo in serie un ltro passa-basso ed uno passa-alto,
come mostrato in gura 14.4.

C1

R
Vin

R1

Vout

Figura 14.4: Esempio di ltro passa-banda ottenuto mettendo in cascata un ltro passa-basso
ed un ltro passa-alto del primo ordine.

Nel progettare un tale ltro occorrer`a naturalmente far si che la frequenza di


taglio fmax della sezione passa-basso sia maggiore della frequenza di taglio fmin
della sezione passa-alto.
Quelli ora descritti sono tutti ltri del primo ordine: la funzione di trasferimento
del ltro passa-basso, scritta in termini della variabile complessa s:
G(s) =

0
s + 0

ha un polo semplice (reale) in s = 0 .


Analogamente, la funzione di trasferimento del ltro passa-alto, scritta in termini
della variabile complessa s `e:
s
G(s) =
s + 0
ed ha uno zero nellorigine ed un polo semplice in s = 0 .
La pendenza di 20 dB/decade nei rispettivi diagrammi di Bode per il modulo
`e in entrambi i casi legata appunto alla presenza di un solo polo. Se si vuole una
transizione pi`
u netta tra la banda passante e la banda bloccata, occorre ricorrere a
ltri di ordine pi`
u elevato.
La forma generale della funzione di trasferimento per un ltro del primo ordine:
G(s) =

a1 s + a0
s + 0

`e caratterizzata da un polo in s = 0 , uno zero in s = a0 /a1 ed un guadagno ad


alte frequenze che tende ad a1 . Vediamo che il denominatore determina la regione di
frequenze di interesse, mentre il numeratore determina il tipo di ltro (passa-basso,
` infatti immediato vedere che se `e a1 = 0, si ha un ltro passapassa alto, etc.). E
basso, se a0 = 0 si ha un ltro passa-alto, se sia a1 che a0 sono diversi da zero, si
ha un ltro passa-banda. Nel piano complesso, questi tre diversi tipi di ltri sono
caratterizzati dalle congurazioni poli-zeri, mostrate in gura 14.5.

14.2 Generalit`a sui ltri

LP

363

HP

jZ

X
Z

X
Z

BP

jZ

O
-a0/a1

jZ

X
Z

Figura 14.5: Diagrammi poli-zeri per i tre semplici ltri del primo ordine discussi: a sinistra,
passa-basso; al centro, passa-alto; a destra, passa-banda.

Notiamo che un ltro (passivo) passa-basso con buone caratteristiche (taglio in


frequenza abbastanza netto) pu`o essere ottenuto utilizzando un circuito LRC come
quello di gura 14.6(a).

L
Vi

R
R

Vi

Vo

(a)

Vo

(b)

Figura 14.6: Esempi di ltri passivi di tipo RLC. (a): ltro passa-basso, (b): ltro passa-banda.
La funzione di trasferimento di questo circuito `e:
G(s) =

s2

1/LC
+ (1/RC)s + 1/LC

(14.1)

Confrontando questa con lequazione tipica di una funzione di trasferimento con due
poli (vedi capitolo 3):
A0 2
(14.2)
G(s) = 2 0 0
s + Q0 s + 02
troviamo la corrispondenza:
0

1
LC

C
Q0 0 RC R
L

Potr`a aversi un picco nella risposta se Q0 > 1/ 2, cio`e:



L
R>
2C

364

Capitolo 14. Filtri attivi

Come visto a pagina (63), il picco diventa tanto pi`


u accentuato quanto pi`
u elevato
`e il valore di Q0 . Landamento tipico della curva di risposta (plot di Bode per il
modulo) `e mostrato in gura 14.7 per il caso Q0 = 1.
|G()|

per Q0=1

|G()|

(dB)

20

10

3
1.10

100

Figura 14.7: Diagramma di Bode del modulo della risposta del ltro RLC descritto nel testo,
nel caso Q0 = 1.
Il massimo si ha per:


2
max

02

1
1
2Q20

cio`e:
2
max
=

1
1

LC 2C 2 R2

In modo analogo, dallanalisi del circuito RCL di gura 14.6(b), ricaviamo la


seguente funzione di trasferimento:
G(s) =

s2

s/RC
+ (1/RC)s + 1/LC

(14.3)

che realizza un ltro passa-banda di ordine 2.


I ltri attivi eliminano alcuni inconvenienti presenti nei ltri passivi:
a) luso di induttanze, che sono ingombranti, ed inoltre risentono dei disturbi
elettromagnetici inevitabilmente presenti;
b) lattenuazione legata allimpedenza del ltro passivo;
c) la dipendenza della risposta dalle impedenze dingresso e duscita degli amplicatori cui il ltro `e accoppiato. Lelevata impedenza dingresso e la bassa
impedenza duscita di un operazionale rende agevole laccoppiamento di pi`
u
ltri diversi. Ci`o `e importante poiche consente di realizzare ltri di ordine pi`
u
elevato (cio`e con un maggior numero di poli nella funzione di trasferimento)
ponendo in cascata pi`
u ltri di ordine inferiore.

14.3 Funzione biquadratica di trasferimento

14.3

365

Funzione biquadratica di trasferimento

Come abbiamo visto, la funzione di trasferimento di un ltro passa-basso LRC ha


la forma (equazione (14.2)):
A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02
del rapporto tra un termine costante ed un polinomio di secondo grado in s. Si
pu`o facilmente vericare che la funzione di trasferimento di un generico ltro del
secondo ordine (passa-alto, passa-basso, passa-banda, elimina-banda) pu`o essere
espressa come il rapporto tra due polinomi di secondo grado in s:
G(s) =

a2 s2 + a1 s + a0
s2 + b1 s + b0

(14.4)

Se infatti i termini a2 ed a1 sono nulli, possiamo facilmente vedere che siamo in


presenza di un ltro passa-basso: al tendere di |s| = ad la |G()| tende a 0.
Se a2 ed a0 sono nulli ed a1 `e diverso da 0, la |G()| tender`a a 0 sia per
che per 0. Abbiamo cio`e un ltro passa-banda.
Se a2 `e lunico coeciente diverso da 0, vediamo che |G()| 0 per 0.
Abbiamo cio`e un ltro passa-alto.
Se inne a1 `e lunico coeciente nullo, vediamo che la |G()| tende a valori niti
per 0 e per . Abbiamo cos` un ltro elimina-banda.
La funzione biquadratica (14.4) `e pi`
u convenientemente scritta nella forma (analoga alla (14.2) relativa al ltro passa-basso):
k2 s2 + k1 (0 /Q0 )s + k0 02
s2 + (0 /Q0 )s + 02

G(s) =

(14.5)

Nel caso dei quattro tipi di ltro descritti in precedenza, questa acquista la forma
indicata nella corrispondente riga della tabella 14.1.
La larghezza di banda (BW) `e denita, per un ltro passa-banda, come lampiezza del campo di frequenze che si estende no a quei valori in corrispondenza a cui
il guadagno si riduce di 3 dB rispetto al valore che esso ha a centro banda. Si pu`o
facilmente vedere che nel caso del ltro passa banda la BW `e data da:
BW =

0
Q0

(14.6)

Per dimostrarlo, partiamo dallespressione della |G()| per il ltro passa-banda:


(0 /Q0 )
|G()| = 2
(0 2 )2 + 2 02 /Q20

(14.7)

che per = 0 vale 1.


Indichiamo con  ed  i due valori
rispettivamente minore e maggiore di 0 ,



nei quali sia: |G( )|=|G( )| = 1/ 2.

Per un generico valore di , la condizione che sia |G()| = 1/ 2 porta a:




02 2

2

2 02
Q20

366

Capitolo 14. Filtri attivi


tipo di ltro

k2

k1

k0

G(s)

passa-basso

02

s2 + Q0 s+02
0

passa-alto

s2

s2 + Q0 s+02

passa-banda

0
s
Q0

s2 + Q0 s+02
0

elimina-banda

s2 +02

s2 + Q0 s+02
0

Tabella 14.1: Funzioni di trasferimento per alcuni tipi di ltri del secondo ordine
cio`e:
02 2 =

0
Q0

dove andr`a scelto il segno (+) se < 0 (cio`e nel caso di ); andr`a invece scelto
il segno (-) nel caso di  .
Nel primo caso lequazione diventa:
2 +

0 
02 = 0
Q0

la cui soluzione (positiva) `e:


0
=
2Q0





1+

4Q20

(14.8)

Nel secondo caso avremo invece lequazione:


2

0 
02 = 0
Q0

la cui soluzione (positiva) `e:


0
=
2Q0




2
1 + 4Q0 + 1

(14.9)

Vediamo che la larghezza di banda, espressa in termini della frequenza angolare,


`e:
0
Q0
Ovviamente la larghezza di banda in termini della frequenza sar`
a:
BW =   =

BW =

0
2Q0

14.3 Funzione biquadratica di trasferimento

367

Vediamo che la larghezza della banda passante non ha ugual valore nella zona a
sinistra ed a destra di 0 . Abbiamo infatti:




0

2
1 + 2Q0 1 + 4Q0
0 =
2Q0
mentre:




0
2
0 =
1 2Q0 1 + 4Q0
2Q0


Ad esempio, per 0 = 1000 rad/s e Q0 = 10 avremo:




1000

1 401 + 20 = 48.75 rad/s


20


1000 
 0 =
1 + 401 20 = 51.25 rad/s
20
Ovviamente, la dierenza tra 0  e  0 diviene tanto minore quanto
maggiore `e il valore di Q0 .
Analogamente, per un ltro elimina-banda, la banda-bloccata `e quella compresa
tra i valori  ed  in corrispondenza ai quali il modulo della funzione di trasferimento `e ridotto di 3 dB rispetto al valore che esso ha a frequenze molto basse o
molto alte. Si pu`o facilmente vedere che, per questo tipo di ltro lampiezza della
banda-bloccata `e data dalla stessa espressione che fornisce la banda passante nel
caso appena esaminato.
0  =

  =

0
Q0

Partiamo infatti dallespressione della G() per tale ltro:


G() =

2 02
0
02 2 + j Q
0

il cui modulo `e:


| 2 02 |
|G()| = 
2
(02 2) +

2 02
Q20

` facile vedere che questo vale 1 sia per 0 che per . Per determinare
E
la larghezza di banda dobbiamo quindi individuarei valori  ed  (con  < 0 <
 ) in corrispondenza ai quali tale modulo vale 1/ 2.
Da tale condizione segue:

2
Q20 02 2 = 2 02
cio`e:


Q0 02 2 = 0
dove v`a scelto il segno (+) se 0 > , quello (-) se 0 < .

368

Capitolo 14. Filtri attivi

Nel primo caso ( =  ) scriveremo quindi:


02 2 = 0 /Q0
nel secondo ( =  ):
02 2 =  0 /Q0
Sottraendo membro a membro queste due equazioni, si ottiene:
02 2 02 + 2 := (  +  ) 0 /Q0
da cui:
  = 0 /Q0
Si vede inoltre con facilit`a, facendo uso delle equazioni scritte, che le espressioni di
ed  sono le stesse (formule (14.8) e (14.9)) gi`a ottenute per il ltro passa-banda.


14.4

Corrispondenze tra tipi diversi di ltri

Sappiamo che un ltro RC passa-basso del primo ordine pu`o esser trasformato nellanalogo passa-alto scambiando la resistenza con la capacit`a. Ci`o pu`o esser facilmente formalizzato come segue. La funzione di trasferimento del ltro passa-basso
`e:
1
G(s) =
(14.10)
1 + s/0
con 0 = RC. Il circuito che si ottiene da questo scambiando R con C ha come
funzione di trasferimento:
s/0
(14.11)
G(s) =
1 + s/0
che `e quella di un ltro passa-alto.
Vediamo che `e possibile trasformare la (14.10) nella (14.11) con la corrispondenza:
0
s
(14.12)

0
s
possibile vericare che ci`o `e vero anche per ltri di ordine pi`
E
u elevato. Ad esempio,
il ltro passa-basso la cui funzione di trasferimento `e mostrata nella prima riga della
tabella data in sezione 14.3 diventa, in seguito allapplicazione della corrispondenza (14.12), il ltro passa-alto la cui funzione di trasferimento `e data dalla seconda
riga della medesima tabella.
Analoghe corrispondenze possono essere adoperate per trasformare un ltro
passa-basso in uno passa-banda o elimina-banda.
Per ulteriori dettagli si suggerisce di consultare la referenza [11].

14.5 Il ripple nei ltri

14.5

369

Il ripple nei ltri

Se in un ltro del secondo ordine `e Q0 > 1/ 2, la curva di risposta (diagramma di


Bode per il modulo) comincia a sviluppare un massimo di cui abbiamo calcolato al
capitolo 3 la posizione max ed il valore:
G(max ) =

A0 Q0
1 1/(4Q20 )

Si denisce ripple la deformazione della curva di risposta in prossimit`a di max e


si denisce larghezza del ripple la quantit`a:
 = |Gmax /A0 | = 

Q0
1

1
4Q20

Si denisce poi lunghezza del canale di ripple la pulsazione c oltre la quale


risulta |G| < |A0 |. Per la denizione delle variabili  ed c si veda la gura 14.8.
Dallequazione (3.18), nel capitolo 3, notiamo che ponendo:
|G|2 = A20


si trova:
c2

02

1
2 2
Q0

cio`e:
c
=
0

1
Q20

Vediamo da questequazione che la lunghezza del canale di ripple dipende da Q0 .


Inoltre:
c2
2
max =
2

indipendentemente dal valore di Q0 (purche sia Q0 > 1/ 2).


Per Q0 = 0.86 troviamo c = 0.800 ed  = 1.06
Per Q0 = 0.96 troviamo c = 0.95
0 ed  = 1.12
Un quadripolo avente Q0 > 1/ 2 viene detto di Chebyshev se il ripple  `e
compreso tra 0.5dB e 3dB (cio`e tra 1.06 e 1.41).

14.6

Conversione di impedenze tramite operazionali

Abbiamo visto come sia possibile realizzare ltri di ordine 2, facendo uso di elementi
passivi R,L,C. In pratica `e poco conveniente far uso di induttanze, a causa del loro
ingombro e sensibilit`a al rumore. Si pu`o invece simulare linduttanza facendo
uso di amplicatori operazionali ed elementi resistivi e capacitivi. Cominceremo col
far vedere che un operazionale pu`o modicare la natura dellimpedenza vista dalla
sorgente del segnale. Consideriamo ad esempio il circuito di gura 14.9:

370

Capitolo 14. Filtri attivi


14.0

| G ( )| (dB)

1.2

-11.6

-24.4

-37.2

log()
-50.0
100K

1M

max

20M

Figura 14.8: Esempio di possibile funzione di trasferimento per un ltro passa-basso del secondo
ordine. La denizione delle quantit`
a c e descritte nel testo `e facilmente deducibile dal graco.

R
i

Vi

+
V0

R
Z

Figura 14.9: Il circuito, basato su operazionale, `e utilizzato per invertire il segno di una
impedenza. La sorgente, applicata allingresso invertente, vede infatti una impedenza pari a Z.
` noto come NIC: Negative Impedance Converter.
E
La corrente i vale:
i =

v+ vo
R

(14.13)

14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali


con:
v+ = v = vo
da cui:
vo = v

371

Z
R+Z

(14.14)

R+Z
R+Z
= vi
Z
Z

e:
vi = vo

Z
R+Z

(14.15)

Dalle (14.13) e (14.14) si ha poi:




vo
Z
vo
i =
1 =
R Z +R
Z +R

(14.16)

Limpedenza vista allingresso delloperazionale `e allora ottenibile dalle (14.15) e (14.16):


Zi =

vi
= Z
i

Vediamo cio`e che loperazionale trasforma limpedenza Z nel suo opposto - Z. Se


Z `e unimpedenza capacitiva: Z = 1/jC, limpedenza trasformata sar`a 1/j(C),
cio`e `e come se la capacit`a fosse diventata negativa. Un circuito come quello analizzato `e designato con il simbolo NIC (Negative Impedance Converter).
Vediamo ora come, facendo uso di questo, possiamo realizzare un circuito che
converte unimpedenza Z nel suo reciproco 1/Z. Questo `e noto come gyrator.
Esaminiamo lesempio di gura 14.10:

Vi

NIC

NIC

Vi
Z

Figura 14.10: Circuito giratore, ottenuto connettendo come in gura due circuiti NIC e tre
resistenze. Esso `e in grado di trasformare unimpedenza Z nel suo reciproco 1/Z, quindi un
condensatore in una induttanza e viceversa.

Poiche ciascun NIC cambia di segno limpedenza che lo segue, possiamo ridisegnare il circuito come mostrato in gura 14.11.

372

Capitolo 14. Filtri attivi

Vi

NIC

-R

V0
Z

Figura 14.11: Circuito giratore, dopo aver ridotto uno dei circuiti NIC.
Limpedenza vista alluscita del primo NIC `e ora:
Z = R +

R2 + ZR
R2
(R + Z)R
= R
=
R+Z R
Z
Z

Poiche il primo NIC cambia ulteriormente il segno di tale impedenza, avremo:


Zin =

R2
Z

e se Z `e una capacit`a, avremo:


Zin =
con:

R2
= jR2 C = jL
1/jC
L = R2 C

Che dimostra quanto asserito. Facendo quindi uso di resistenze, capacit`a ed operazionali possiamo realizzare lequivalente di ltri RLC. Come gi`a accennato, il limite
allutilizzo di tali circuiti `e posto dallo slew-rate degli operazionali, che consiglia, a
frequenze elevate, luso di circuiti passivi. Un circuito di largo uso, che consente
di sostituire uninduttanza con operazionali, `e quello dovuto ad A. Antoniou [6],
mostrato in gura 14.12.
Si pu`o infatti dimostrare che il rapporto tra la tensione applicata v1 e la corrente
i1 `e data da:
v1
= sC4 R1 R3 R4 /R2
Zin =
i1
che `e limpedenza di uninduttanza L, con:
L = C4 R1 R3 R4 /R2
Per dimostrarlo basta tener presente che, a causa del feedback negativo, la differenza di potenziale ai capi di ciascun operazionale `e nulla. Con riferimento alla
gura 14.13 segue che:
v1 = va = ve

14.6 Conversione di impedenze tramite operazionali

i1

R1

373

R2

v1

C4

R3

R4

Figura 14.12: Elegante implementazione del circuito giratore dovuta a A. Antoniou.


Linduttanza vista in ingresso a R1 `e di tipo induttivo.

v02

i1

v1 a

R1

R2

i1

i3

R3

i2

C4
e
i4
i5

R4

v01

Figura 14.13: Circuito del giratore di Antoniou, con ragurati i vettori corrente.
La corrente in R4 :
i5 =

v1
R4

`e uguale a quella in C4 :
i4 = i5 =

v1
R4

La tensione nel punto d:


vd = v1 +

i4
v1
= v1 +
= v01
sC4
sC4 R4

374

Capitolo 14. Filtri attivi

Essendo poi vc = v1 , la corrente in R3 sar`a:


v1
v1 + sC4 R4 v1
vd vc
v1
=
=
i3 =
R3
R3
sC4 R3 R4
La corrente in R2 inoltre uguaglia quella in R3 . Ne segue:
v02 = vb = vc R2 i3 = v1

R2 v1
sC4 R3 R4

La corrente in R1 `e allora:
i1 =

v1 vb
R2
=
v1
R1
sC4 R1 R3 R4

Limpedenza dingresso sar`a quindi:


Zin =

v1
C4 R1 R3 R4
=s
i1
R2

che `e quanto asserito.


Si pu`o poi vedere facilmente che questo circuito si comporta da induttanza anche
se lo si guarda dal lato di R4 , cio`e se si collega a massa lestremo sinistro e si applica
la sorgente di segnale allestremit`a inferiore di R4 .
Un esempio di un ltro passa-basso di ordine 2, in cui linduttanza `e sostituita
da un giratore di Antoniou, `e quello mostrato in gura 14.14.
R7
R6
V0
R1

Vi

R2
R3

R5

C5

C4
R4

Figura 14.14: Filtro passa-basso di ordine 2 ottenuto sostituendo linduttanza con un giratore di
Antoniou. Lutilizzo delle induttanze `e sconsigliato nella pratica, a causa del costo e dellingombro
elevato. Lutilizzo di questo circuito permette di ottenere la stessa risposta di un ltro RLC
utilizzando solamente componenti di tipo R e C oltre ad i componenti attivi.

Qui linduttanza `e sostituita dalla parte di circuito delineata dal rettangolo.


Lamplicatore non invertente posto in alto a sinistra, `e necessario per prelevare il
segnale in uscita senza alterare il funzionamento del circuito. Tale amplicatore ha
un guadagno in tensione dato da: 1 + R7 /R6 .
In modo analogo `e possibile realizzare ltri passa-banda, passa alto, notch etc.

14.7 Filtri di Butterworth

14.7

375

Filtri di Butterworth

Nelle sezioni precedenti abbiamo incontrato ltri caratterizzati da funzioni di trasferimento con un singolo polo (ltri del primo ordine) e con un polo doppio (ltri del
secondo ordine). In generale, il numero dei poli nella funzione di trasferimento determina la rapidit`a dei fronti di discesa (o di salita, nel caso dei ltri passa-alto o
passa-banda) del ltro.
Una classe importante di ltri `e quella di Butterworth. Questi sono caratterizzati
da funzioni di trasferimento il cui modulo quadro, per un ltro passa-basso di ordine
n, `e dato da:
|Gn ()|2 =
[1 +

2n

cio`e:
|Gn ()| =
[1 +

2n

]1/2

Andamenti tipici sono mostrati in gura 14.15, per valori dellordine n variabile tra
1 e 10. Notiamo che tutte le curve hanno la medesima attenuazione di 3 dB per
= 0 . Quando si riporta il guadagno in funzione di /0 si dice che si studia il
suo andamento in funzione della frequenza normalizzata.
Queste curve hanno le seguenti caratteristiche:
|Gn (0)|=1 per tutti gli n;

|Gn (0 )| = 1/ 2 0.707 per tutti gli n (cio`e il guadagno diminuisce di 3 dB


per = 0 );
per 0 il guadagno scende con una pendenza di 6n dB/ottava, per un
ltro di ordine n;
le prime (n-1) derivate del modulo della funzione di trasferimento G() sono
nulle; ci`o implica che la risposta nella banda passante `e massimamente piatta,
cio`e ha un massimo per = 0 e rimane allincirca costante no ad = 0 .
Si pu`o facilmente vericare che un ltro `e di Butterworth se i poli sono ottenibili
dividendo una circonferenza situata nel piano complesso, con centro nellorigine, in
un numero 2n (quindi pari) di punti distribuiti uniformemente.
Ovviamente essi dovranno essere disposti in modo simmetrico rispetto allasse
reale ed inoltre solo quelli situati nel semipiano sinistro potranno rappresentare poli
della funzione G(s). Ad esempio, per n=1 e per n=2 abbiamo le situazioni mostrate
nelle gure 14.16 ed 14.17.
Nel caso n=2 le radici s1 ed s2 (i poli della funzione G(s)) saranno:
s1 = (j 1)
s2 = (j + 1)

376

Capitolo 14. Filtri attivi

Butterworth response

|Gn()|

dB

3
0.1

log(/0)

Figura 14.15: Funzione di trasferimento normalizzata per ltri di Butterworth, per valori
dellordine n compreso tra 1 e 10. La curva inferiore `e quella relativa ad n=1, la superiore ad
n=10. Le curve intermedie sono ottenute per valori di n compresi tra 2 e 9.

Il denominatore della G(s) sar`a:


(s s1 )(s s2 ) = s2 + 2s + 22
Per cui:
G2 (s) =

(1/22 )
1
(1/22)

=
=
s2 + 2s + 22
s/22 + s/ + 1
(s2 /22 ) + 2s/ 2 + 1

La grandezza 0 , distanza delle radici dallorigine, `e data da:


02 = 22
Cio`e:
0 =

= 0 / 2
Introduciamo ora la variabile s , ottenuta da s normalizzandola ad 0 :

s = s/0 = s/ 2

14.7 Filtri di Butterworth

377

j
n=1

Figura 14.16: Rappresentazione dei poli di un ltro di Butterworth del primo ordine. Solamente il polo di sinistra pu`
o rappresentare un polo della funzione di trasferimento G(s), il polinomio
di Butterworth sar`
a quindi del tipo s + 1.

Con ci`o lultima espressione scritta diventa:


G2 (s ) =

1/02

s2 + 2s + 1

Il denominatore di questespressione `e il polinomio di Butterworth di ordine n=2


(B2 (s )).

grado del polinomio(n)


1
2
3
4
5

Bn (s)
s+1
s2 + 1.414s + 1
(s + 1)(s2 + s +1)
(s2 + 0.765s + 1)(s2 + 1.848s + 1)
(s + 1)(s2 + 0.618s + 1)(s2 + 1.618s + 1)

Come gi`a visto, nel caso generale il modulo del polinomio di ordine n vale:

 2n

|Bn (s)| = 1 +
0
Si denisce fattore di smorzamento la met`a del coeciente di s in ciascuno dei
fattori quadratici che compaiono in tali espressioni. Ad esempio, per n=2 il fattore

378

Capitolo 14. Filtri attivi

n=2

Figura 14.17: Rappresentazione dei poli di un ltro di Butterworth del secondo ordine. Solamente i due poli di sinistra possono rappresentare un polo della funzione di trasferimento G(s),
sono inoltre complessi coniugati, quindi il polinomio di Butterworth corrispondente (normalizzato)
`e di tipo s2 + 1.414s + 1.

di smorzamento vale 1.414/2 = 2/2 = 1/ 2 = 0.707. Per n=3 il fattore di


smorzamento `e 0.5; per n=4 si hanno due fattori di smorzamento:
k1 =

0.765
= 0.383
2

1.848
= 0.924
2
Ricordando che si `e posta la corrispondenza s s/0 , le funzioni di trasferimento
per n=1 e per n=2 possono essere scritte nella forma:
k2 =

P1 (s) =
P2 (s) =

1
s/0 + 1
)2

1
+ 2k(s/) + 1

(s/0

con k = 1/ 2.
Un semplice circuito RC, posto sullingresso non invertente di un operazionale
adoperato in congurazione non invertente, come mostrato in gura 14.18, realizza
un ltro di Butterworth di ordine 1.
Infatti abbiamo:
R1
v = vo
R1 + R2

14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine

379

R2
R1
V0

R
i

Vs

Figura 14.18: Semplice circuito che realizza un ltro di Butterworth del primo ordine.
Si ottiene ponendo un circuito RC allingresso di un amplicatore operazionale montato in
congurazione non invertente.

vs
R + 1/sC
vs
1
= Zc i =
sC R + 1/sC
i =

v+
e, poiche `e v+ = v , otteniamo:

vo =
da cui:
G(s) =

vs
R1 + R2
R1 1 + sRC

Avo
1
vo
=
= Avo
vs
1 + sRC
1 + s/0

dove:
Avo =

R1 + R2
R1

`e lamplicazione a bassa frequenza e:


1
RC
Abbiamo quindi un ltro di Butterworth di ordine 1, con una frequenza di taglio
(superiore) pari a 0 = 1/RC. Si pu`o facilmente vedere che da tale ltro passa-basso
si pu`o ottenere un ltro passa-alto invertendo i ruoli di R e C.
Poiche si pu`o ottenere un ltro passa-alto a partire da uno passa-basso scambiando C ed R, `e chiaro che sar`a possibile ottenere un ltro passa-banda a partire
da due ltri di Butterworth. Il primo di questi potrebbe essere un ltro passa-alto
del secondo ordine, con una frequenza di taglio fmin ; il secondo un ltro passa-basso
del medesimo ordine, con una frequenza di taglio fmax > fmin .
0 =

14.8

Filtro di Butterworth del secondo ordine

Un ltro di Butterworth del secondo ordine pu`o esser realizzato facendo uso dello
schema mostrato in gura 14.19. Questo `e noto come schema di Sallen e Key.

380

Capitolo 14. Filtri attivi

R1

R2

U1
OPAMP

+
R3
-

Vi

C1

C2
R4

Vo
-

Figura 14.19: Congurazione circuitale nota come congurazione di Sallen-Key. Questo tipo
di circuito pu`o essere utilizzato, con una opportuna scelta del valore dei componenti passivi, per
realizzare ltri passa-basso di Butterworth del secondo ordine.
Unamplicatore operazionale `e montato in una congurazione non-invertente.
Il segnale presente in uscita `e riportato tra le resistenze R1 ed R2 tramite il condensatore C1 .
Per studiare la risposta di questo circuito, facciamo uso del circuito equivalente
mostrato in gura 14.20, dove `e Vx = V0 /A, con A = 1 + R4 /R3 .

X
A

Iy

Ii
C

V0

Ix
C

Ix
2

Vx

Vo

+
-

Figura 14.20: Circuito equivalente della congurazione di Sallen-key, in cui lamplicatore non
invertente viene sostituito da un amplicatore e da un generatore di tensione V0 con uscita pari a
quella dellamplicatore. Tale circuito equivalente `e utilizzato per calcolare il valore dei componenti
passivi.

Si possono facilmente vericare le seguenti relazioni:


Ix = sC2 Vx = sC2

Iy =

Vy V0
1/sC1

V0
A

V0
(1 + sC2 R2 )
Vy = Vx + R2 Ix =
A


1 + sC2 R2
V0
1 = sC1 [1 A + sC2 R2 ]
= sC1 V0
A
A

14.8 Filtro di Butterworth del secondo ordine

381

Da cui segue:
Ii = Ix + Iy = s

V0
(C2 + C1 C1 A + sC1 C2 R2 ) =
A


V0
sC2 + sC1 (1 A) + s2 C1 C2 R2
A
La tensione dingresso Vi sar`a allora:
=

Vi = R1 Ii + Vy =


V0
sR1 C2 + sR1 C1 (1 A) + s2 R1 R2 C1 C2 + 1 + sC2 R2
A


V0
1 + s2 R1 R2 C1 C2 + s (C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A))
A
La funzione di trasferimento `e quindi:
=

G(s) =

A
V0
=
2
Vi
1 + s R1 R2 C1 C2 + s [C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)]

(14.17)

Confrontando questa con lequazione (14.2) vediamo che:


C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)
0

Q0
R1 R2 C1 C2
02

1
R1 R2 C1 C2

Da queste equazioni segue:

R1 R2 C1 C2
C2 (R1 + R2 ) + R1 C1 (1 A)

Q0 =

Se poniamo R1 = R2 = R e C1 = C2 = C otteniamo:
Q0 =

1
RC
=
2RC + RC(1 A)
3A

(14.18)

0 = 1/RC
Si pu`o quindi scegliere il valore desiderato di Q0 con unopportuna scelta del valore
di A. La G(s) pu`o esser espressa in termini delle variabili R, C ed A, come:
G(s) =

(RC)2 s2

A
+ RC(3 A)s + 1

(14.19)

Il guadagno a basse frequenze `e ovviamente A.


interessante confrontare la risposta ottenuta con quella relativa al ltro LCR.
E
Le due sono uguali se `e:
LC = (R0 C0 )2
RC = (R0 C0 )(3 A)
dove abbiamo indicato con le sottoscritte 0 i componenti relativi al circuito di
gura 14.19, e senza sottoscritte quelli relativi al circuito LCR.

382

Capitolo 14. Filtri attivi

Tali equazioni sono soddisfatte se `e:


C0 = C
C0 R02 = L
R0 (3 A) = R
u possibile ripida la
Una scelta suggerita per il valore di Q0 `e quella che rende il pi`
caduta al di sopra della frequenza di taglio superiore, senza determinare un picco.
Ci`o si ottiene, come visto nel capitolo sulla rappresentazione graca delle funzioni
di trasferimento, per:
1
Q0 =
2
che nel nostro caso, come si vede facendo uso dellequazione (14.18), richiede:
A = 3

2 1.6

Un ltro che soddis tale condizione `e un ltro di Butterworth (del secondo ordine).
Un esempio concreto di ltro di Butterworth si ottiene dal circuito di gura 14.19,
con la seguente scelta dei valori dei componenti:
R1 = R2 = 15k
C1 = C2 = 10nF
R3 = 47k
R4 = 27k

14.9

Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto


tra diversi tipi di ltro

Come accennato in precedenza, i parametri di un ltro che maggiormente interessano


sono:
(a) la piattezza della risposta allinterno della banda passante, e quindi lassenza
di ripple;
(b) la rapidit`a della transizione tra banda passante e banda bloccata, normalmente
espressa in dB/ottava;
(c) la nettezza del ginocchio tra la banda passante e linizio del fronte di transizione;
(d) la linearit`a della risposta in fase, essenziale per non avere distorsioni.

14.9 Filtri di Bessel e di Chebyshev: confronto tra diversi tipi di ltro

383

Il progetto di un ltro `e sempre un compromesso tra queste esigenze, normalmente


in conitto tra loro. Il punto (b) `e essenzialmente determinato dal numero di poli
della funzione di trasferimento.
I tipi di ltro comunemente adoperati sono, oltre a quello di Butterworth, quelli
noti come ltri di Bessel e di Chebyshev.
Ciascuno di questi `e progettato per ottimizzare un parametro dierente tra quelli
elencati sopra. Il grado di ottimizzazione `e poi determinato dal numero di poli e di
zeri della funzione di trasferimento, legati a loro volta alla complessit`a del circuito.
Un determinato tipo di ltro, caratterizzato da una certa funzione di trasferimento
e quindi da una certa risposta in frequenza, pu`o esser realizzato sicamente in molti
modi diversi. Ad esempio, un ltro di Bessel del sesto ordine pu`o esser realizzato in
un gran numero di modi dierenti, che portano per`o a risposte uguali.
Il circuito base di Sallen-Key, adoperato per illustrare il ltro di Butterworth
del secondo ordine, `e alla base di ltri di vario tipo. Il circuito base per un ltro di
ordine 2 `e mostrato in gura 14.19. Se poniamo:
R = R1 = R2
Rf = R4
R = R3
C = C1 = C2
I valori dei componenti per un ltro passa-basso possono essere calcolati attraverso
le relazioni:
k1
R =
Cf0
Rf = R1 k2
dove f0 `e la frequenza di taglio e dove i valori di C e di R1 possono essere scelti
liberamente (ed esempio R1 =10k, C = 0.01F ) mentre le costanti k1 e k2 valgono:
k1 = 0.1251 ; k2 = 0.268 per un f iltro di Bessel
k1 = 0.1592 ; k2 = 0.586 per un f iltro di Butterworth
k1 = 0.1293 ; k2 = 0.842 per un f iltro di Chebyshev
Filtri di ordine pi`
u elevato possono essere ottenuti mettendo in serie pi`
u ltri di
ordine 2, con valori dei componenti passivi ottenibili da relazioni analoghe.
Il ltro di Butterworth, su cui abbiamo concentrato la nostra attenzione, `e quello
che ha la massima piattezza di risposta allinterno della banda passante, ma un
ginocchio meno netto di quello di altri tipi di ltro ed una linearit`a di fase non
brillante. Gli altri tipi di ltro (vedasi per una discussione esauriente il libro di
Horowitz) hanno delle caratteristiche che ottimizzano luno o laltro dei parametri
menzionati, a spese della piattezza di risposta nella banda. Ad esempio, il ltro
di Bessel ha unottima linearit`a di fase, ma un ginocchio meno netto di quello
del ltro di Butterworth. Il ltro di Chebyshev ha un ginocchio ben netto, ma un
discreto ammontare di ripple nella banda passante ed una linearit`a di fase peggiore
di quella del ltro di Butterworth.

384

14.10

Capitolo 14. Filtri attivi

Filtri biquadratici ad amplicatore singolo

Esiste una classe di ltri basati sulluso di un singolo amplicatore operazionale


dove, nel circuito di reazione, `e inserita unopportuna rete RC.
Anche se tali ltri sono limitati nelle prestazioni dalla banda passante e dallo
slew-rate delloperazionale, essi sono molto diusi, a causa della loro semplicit`a
consumo e costo. Sono noti in letteratura come SABs (Single Amplier Biquads).
Per comprendere il funzionamento di tali ltri, esaminiamo il circuito di gura 14.21, in cui una rete passiva RC `e inserita nel circuito di feedback di un amplicatore avente guadagno A (teoricamente innito).

RC

Figura 14.21: Congurazione circuitale relativa al ltro biquadratico. Viene ottenuta inserendo
una opportuna rete RC nel circuito di reazione di un amplicatore operazionale.

Sia t(s) la funzione di trasferimento della rete RC:


t(s) =

va
vb

Questa pu`o, al solito, essere espressa come un rapporto tra polinomi:


t(s) =

N(s)
D(s)

Le radici del polinomio a numeratore, cio`e gli zeri di t(s), possono esser situati in un
qualsivoglia punto del piano complesso s, mentre le radici di D(s), cio`e i poli di t(s)
debbono, per un circuito passivo RC, esser situati sullasse reale negativo ( < 0).
Vediamo ora come, con lintroduzione della rete RC nel circuito di feedback
dellamplicatore, i ruoli dei poli e degli zeri vengano ad essere scambiati, ci`
o che
potr`a dar luogo, come desiderato, a poli complessi coniugati che, con unopportuna
scelta della rete, potranno esser situati nel semipiano sinistro.
Infatti, indicando con A il guadagno dellamplicatore, il guadagno a catena
aperta del sistema amplicatore operazionale-rete passiva `e:
G(s) = At(s) = A

N(s)
D(s)

14.10 Filtri biquadratici ad amplicatore singolo

385

Essendo lamplicatore invertente, il guadagno a catena chiusa `e dato da:


A
1 + At(s)
I poli di questa funzione sono gli zeri del denominatore. Se ora richiediamo che la
t(s) sia realizzata in modo tale che per determinati valori sp di s sia 1 + At(s) = 0,
cio`e:
1
t(sp ) =
A
troviamo, con A :
N(sp )
=0
t(sp ) =
D(sp )
Vediamo cio`e che i poli dellamplicatore con feedback sono gli zeri della funzione
di trasferimento della rete RC.
Se vogliamo che il ltro abbia coppie di poli complessi coniugati dobbiamo quindi partire da una rete RC che abbia coppie di zeri complessi coniugati. Un esempio di rete RC con tale propriet`a `e la rete a T di gura 14.22(a), o anche quella
complementare, mostrata nella parte (b) della medesima gura.
C

ir
a

ir

i1

(b)

(a)

Figura 14.22: Reti RC poste nel circuito di feedback di amplicatori invertenti hanno la caratteristica che i poli relativi alla rete diventano gli zeri della funzione di guadagno dellamplicatore
` quindi necessario scegliere reti RC che abbiano coppie di zeri complessi coniugati, quali
stesso. E
la rete a T in (a) o quella complementare mostrata in (b).

Esaminiamo la funzione di trasferimento della rete (a).


Immaginiamo che il nodo a sia aperto e che nel nodo b sia applicato un segnale
di tensione vb . In tali condizioni, la corrente ir in R3 `e uguale in modulo a quella
che attraversa C2 . Avremo allora:
i = i1 + ir
e, indicando con x il nodo comune alla resistenza R4 ed ai condensatori C1 e C2 :
vx = vb

i1
ir
= va
= R4 i
sC1
sC2

386

Capitolo 14. Filtri attivi

Da questa otteniamo le equazioni:


vb

i1
= R4 (i1 + ir )
sC1

(14.20)

va

ir
= R4 (i1 + ir )
sC2

(14.21)

` inoltre:
E
va = vb R3 ir

(14.22)

da cui:
vb va
R3
Sostituendo questa nelle (14.20) e (14.21), si ottiene:


vb va
1
vb i1 R4 +
= R4
sC1
R3


vb va
1
va R4 i1 = R4 +
sC2
R3
ir =

(14.23)

(14.24)
(14.25)

Ricaviamo ora i1 dalla (14.25) e sostituiamo nella (14.24):




vb va
va
1
i1 =
1+
R4
sC2 R4
R3





va
vb va
1
1
R4
1
vb R4 +
+ R4 +
=
(vb va )
1+
sC1 R4
sC1
sC2 R4
R3
R3
Da questultima equazione si ottiene poi, con facili passaggi, la relazione cercata tra
vb e va :
s2 C1 C2 R3 R4 + s(C1 R4 + C2 R4 ) + 1
va
= 2
vb
s C1 C2 R3 R4 + s[C2 R3 + (C1 + C2 )R4 ] + 1
Dividendo inne numeratore e denominatore per C1 C2 R3 R4 , otteniamo:


1
1
1
2
s
+
s
+
+ C1 C21R3 R4
C1
C2
R3
va




t(s) =
=
1
1
vb
s2 + s
+ 1 1 + 1 +
C1

C2

R3

C1 R4

C1 C2 R3 R4

I poli del ltro attivo avente la rete RC di gura 14.22(a) nel circuito di feedback corrispondono agli zeri del numeratore in tale espressione. Confrontando tale
numeratore con la forma tipica di un ltro di ordine 2:
s2 + s

0
+ 02
Q0

otteniamo la corrispondenza2 :
2`

E opportuno richiamare lattenzione sul fatto che la rete passiva di gura 14.22(a) ha il medesimo valore di 0 = C C1 R R caratteristico del ltro attivo, ma un diverso valore di Q0 . Infatti
1 2 3 4
Q0 `e determinato dal coeciente che moltiplica il termine lineare in s nel denominatore della t(s),
0
= ( C11 + C12 ) R13 + C11R4 .
attraverso la relazione: Q
0

14.10 Filtri biquadratici ad amplicatore singolo

02 =

Q0 =

387

1
C1 C2 R3 R4

R3 C1 C2
1
R4 C1 + C2

I valori delle capacit`a e delle resistenze possono quindi essere scelti, facendo uso
di tali relazioni, in modo da realizzare il tipo di ltro desiderato.
` spesso conveniente, per comodit`a, scegliere due condensatori di uguale capaE
cit`a:
C1 = C2 = C
Con ci`o le espressioni precedenti divengono:
0 =

1
C R3 R4

1
Q0 =
2

R3
R4

Vediamo da tali espressioni che la frequenza angolare 0 `e determinata, oltre che


da C, dal prodotto delle due resistenze, mentre il valore di Q0 , indipendente dalla
capacit`a C, `e determinato dal loro rapporto.
La quantit`a 0 /Q0 , legata alla larghezza di banda, `e poi data da:
2
0
=
Q0
CR3

14.10.1

Implementazione dei diversi tipi di ltri biquad

Nella precedente sezione abbiamo discusso in termini del tutto generali, il problema
della realizzazione di un sistema di ordine 2 che abbia due poli complessi coniugati,
adatti alla costruzione di ltri attivi. Dobbiamo ora discutere il modo in cui il
circuito dovr`a concretamente esser costruito, allo scopo di ottenere, a seconda dei
casi, ltri passa-basso, passa-banda etc.
A seconda del tipo di ltro che vogliamo realizzare, dovremo immettere il segnale
dingresso in un diverso punto del circuito. Nel farlo teniamo presente che il generatore del segnale da ltrare sar`a con molta probabilit`a un generatore di tensione, la
cui impedenza duscita, nel caso di un generatore ideale, `e nulla. Ci`o `e importante,
poiche questo vuol dire che linserimento del generatore in corrispondenza ad uno
dei punti di massa non altera i poli e gli zeri del sistema rispetto a quelli calcolati in
precedenza. In gura 14.23 il punto a della rete passiva di gura 14.22 `e collegato
allingresso invertente delloperazionale (impedenza innita) mentre il punto b `e
collegato alluscita (impedenza quasi nulla). Con ci`o i poli e gli zeri della rete
passiva non vengono alterati. Possiamo quindi, con tale struttura, ottenere un ltro
attivo.
La funzione di trasferimento di tale ltro `e il reciproco di quella del ltro passivo
analizzato. Essa `e data da:

388

Capitolo 14. Filtri attivi


R

v0
+

Figura 14.23: Filtri di tipo diverso dal passa-basso possono essere ottenuti dalle congurazioni
circuitali mostrate in precedenza iniettando il segnale in punti diversi del circuito. In gura il
segnale viene iniettato sullingresso non invertente dellamplicatore operazionale, ottenendo un
ltro passa-banda.

s2 + s
G(s) =

1
C1

s2 + s

1
C2

1
C1

1
R3
1
C2

1
C1 R4

1
R3


+

1
C1 C2 R3 R4

1
C1 C2 R3 R4

Confrontando il denominatore di questa espressione con la funzione quadratica


caratteristica di un ltro di ordine 2:
s2 + s

0
+ 02
Q0

si ha, come sopra:


1
C1 C2 R3 R4


1
1
C1 C2 R3 R4 1
Q0 =
+
R3
C1 C2
02 =

e, ponendo C C1 = C2 :
1
C 2 R3 R4

1 R3
Q0 =
2 R4

02 =

Con i valori di C, R3 ed R4 mostrati in gura 14.24, si trova:


02 = 5.508 107
Q0 = 8.2
0
= 905
Q0

14.10 Filtri biquadratici ad amplicatore singolo

389

R3
270k
C2

C1

out

8.2n
8.2n
R 4 1000

200mV PP

Figura 14.24: Esempio di ltro passa-banda biquadratico con denito il valore dei componenti.
Si ottiene un ltro con picco a 1181 Hz e larghezza di banda di 144 Hz.

Cio`e:

0
= 1181 Hz
2
La funzione di trasferimento acquister`a la forma:
f0 =

G(s) =

s2 + 1.228 105 s + 5.508 107


s2 + 905 s + 5.508 107

Vediamo che si tratta di un ltro passa-banda (con la risposta che tende ad 1 per
s 0 e per s , e con un picco attorno a 1181 Hz). La larghezza di banda `e:
f = 0 /(2Q0 ) = 144 Hz.
Il risultato della simulazione di tale ltro, facendo uso di microcap `e mostrato
in gura 14.25. Da unanalisi dei graci si vede che la fase passa da circa +80o a
80o quando si attraversa il valore f0 , in corrispondenza al quale si ha un picco nel
modulo della risposta.
Un collegamento alternativo, che realizza ancora una volta un ltro passa-banda,
`e quello mostrato in gura 14.26.
Calcoliamo, facendo uso dei simboli per tensioni e correnti indicati nella gura,
la funzione di trasferimento di tale circuito.
Ricordando che `e v = v+ = 0 abbiamo:
vx = vi rii = RiR
dove:
iR = ii i0
Per cui:
vx = Rii Ri0

(14.26)

390

Capitolo 14. Filtri attivi

100.0
50.0
0.0
-50.0
-100.0

45.0

400

1K

Fase (gradi)

Frequenza (Hz)

400
Guadagno (dB)

1K

2K

2.5K

2K

2.5K

2K

2.5K

30.0

15.0

Frequenza (Hz)

150.0
100.0
50.0
0.0

400
1K
Guadagno (scala lineare)
Frequenza (Hz)

Figura 14.25: Risultato della simulazione del ltro reale biquadratico descritto nel testo.
Graco in alto: sfasamento delluscita rispetto allingresso, graco centrale: guadagno espresso
in Decibel, graco in basso: guadagno espresso in scala lineare, il tutto in funzione della frequenza.
R

i2
C

vi

i2

ii

i2

i2-i0
iR=ii-i0

i0

V
0

Figura 14.26: Esempio di congurazione alternativa, in cui il segnale viene iniettato tramite
una resistenza nel punto di congiunzione dei due condensatori in parallelo.

da cui:
i0 = ii

ii
vi
vi
r
+ r = ii (1 + )
R
R
R
R

(14.27)

14.10 Filtri biquadratici ad amplicatore singolo


` poi anche:
E
vx =

391

i2
i2 i0
=
+ v0
sC2
sC1

(14.28)

nonche:
v0 = R3 i2
v0
i2 =
R3

(14.29)
(14.30)

Dalle equazioni (14.26) e (14.28) si ottiene:


i2
= vi rii
sC2

(14.31)

Sostituendo in questa ad i2 lespressione ottenuta dalla (14.30), otteniamo poi:

v0
= vi rii
sC2 R3

(14.32)

Dalle (14.28) e (14.26) si ha poi:


v0 +
cio`e:
v0 +
da cui:


v0 1 +

i0
i2

= Rii Ri0
sC1 sC1

i0
v0
+
= Rii Ri0
sC1 sC1 R3

1
sC1 R3


= Rii i0

1
R+
sC1

Sostituendo in questa, ad i0 lespressione (14.27), si ottiene:









1
1
vi
r
1
v0 1 +
= Rii R +
ii 1 +
+ R+
sC1 R3
sC1
R
sC1 R
dove, come segue dalla (14.32):
ii =

v0
vi
+
r
sC2 R3 r

Si ottiene quindi:
R
Rv0
1 + sC1 R3

= vi +
sC1 R3
r
sC2 R3 r
sRC1 + 1

r vi sRC1 + 1

r v0

1+
1+

+
sC1
R r
sC1
R sC2 R2 r
sRC1 + 1 vi
+
sC1 R
Questa equazione fornisce la relazione cercata tra vi e v0 . Si trova:
v0

G(s) =

v0
s/rC1
= 2
C1 +C2 1
vi
s + 2s C C R +
1

r+R
C1 C2 rRR3

(14.33)

392

Capitolo 14. Filtri attivi

Se le resistenze r ed R sono ottenute dalla divisione di ununica resistenza R4 in


due elementi in parallelo:
R4
R=
1
R4
r=

si ottiene:
s/C1 R4

G(s) =
1
1
4
s + 2s C1 + C2 R13 + C1 C21R3 R4

14.11

Filtri attivi a retroazione multipla

I ltri che abbiamo n qui esaminato fanno uso di una rete RC o CR allingresso non
invertente di un amplicatore e di una ulteriore rete CR o RC allingresso invertente.
In questultima uno degli elementi passivi `e collegato alluscita dellamplicatore,
fornendo in tal modo un feedback.
I ltri a retroazione multipla utilizzano due feedback separati ed un amplicatore
invertente. Un esempio di ltro passa-basso a retroazione multipla `e mostrato in
gura 14.27.
3.3M
R3
C2
47n
1.5M

1.2M

R1
Vi

R2

C1
220n

v0

Figura 14.27: Esempio di congurazione circuitale relativa ad un ltro a retroazione multipla.


Si notino gli elementi R3 e C2 che determinano la retroazione.

Per ottenere la funzione di trasduzione di questo circuito, applichiamo il teorema


di Kircho al nodo indicato con A.
vA
vA
vi vA vo vA
+

= 0
R1
R3
ZC1
R2
Dove si `e fatto uso della condizione v+ = v = 0. Da questa si ottiene:


1
1
1
vo
vi
+
+
+ sC1 =
+
vA
R1 R2 R3
R1 R3

14.12 Filtri notch

393

Applicando la medesima equazione di Kircho al nodo B (ingresso invertente dellA.O.), troviamo:


vA = sC2 R2 vo
Da queste equazioni si trova poi:
vo
vi
=
sC2 R2 vo
R3
R1

1
1
1
+
+
+ sC1
R1 R2 R3

Av =

vo
1
=
vi
R1

Av =

1


[C1 C2 R1 R2 ] s2 + s C11 R11 +

1
R3

sC2 R2 ( R11

1
R2

1
R2

1
)
R3

1
R3

+ s2 C1 C2 R2

1
C1 C2 R2 R3

Dal confronto di questa con la funzione caratteristica del ltro passa-basso:


A0 02
G(s) = 2 0
s + Q0 s + 02
si trova:
0 =
0
1
=
Q0
C1

1
C1 C2 R2 R3

1
1
1
+
+
R1 R2 R3

Da queste si ottiene poi:


1
=
Q0

C2
C1

R2
+
R3

A0 =

R3
+
R2

R2 R3
R1

R3
R1

Vediamo che il guadagno alle basse frequenze `e quello di un amplicatore invertente


realizzato con le sole resistenze R1 ed R3 . La pulsazione di taglio 0 non dipende
invece dalla resistenza R1 .
La gura 14.28 mostra landamento del guadagno di un tale circuito in funzione
della frequenza, con la seguente scelta del valore dei componenti: R1 = 1.5M,
R2 = 1.2M, R3 = 3.3M, C1 = 47nF e per valori di C2 variabili tra 22 nF (curva
1) e 220 nF (curva 11). A tale scelta di valori corrispondono valori di 0 e Q0 che
variano tra gli estremi dati da:
per C1 = 22 nF 0 16 Hz , Q0 0.19
per C1 = 220 nF 0 5 Hz , Q0 0.61

394

Capitolo 14. Filtri attivi


2.0

G(f)
1.6

(1)

1.2

0.8

(11)

0.4

100

10

1K

Frequenza (Hz)

Figura 14.28: Andamento del guadagno del ltro passa-basso a retroazione multipla descritto
nel testo. Le curve sono ottenute variando linearmente il valore di C1 da 22 nF (curva 1) a 220 nF
(curva 11).

Vout
V

C
R/2

2C

Figura 14.29: Congurazione circuitale relativa al ltro notch, ossia un tipo di ltro eliminabanda molto stretto. Questa particolare congurazione, puramente passiva, si basa sul circuito RC
a doppia T.

14.12 Filtri notch

14.12

395

Filtri notch

Spesso `e necessario realizzare dei ltri che eliminino segnale compresi in un intervallo
di frequenze molto stretto. Questi sono noti come ltri notch.
Lidea su cui il pi`
u noto dei ltri di questo tipo `e basata, `e quella del circuito
RC a doppia T, mostrato in gura 14.29.
Si pu`o vedere che questo circuito taglia le frequenze corrispondenti alla risonanza:
f0 =

1
2RC

In corrispondenza a tale frequenza il ramo superiore A-X-B e quello inferiore A-Y-B


introducono sfasamenti uguali ed opposti. Ne segue che in B il segnale risultante
si annulla. Ci`o `e mostrato in gura 14.30. I diagrammi di Bode per il modulo
(graco superiore) e la fase (graco inferiore) della funzione di trasferimento di tale
circuito confermano quanto asserito. Come si vede, il diagramma di Bode per il
modulo ha una brusca caduta (intaglio o notch) alla frequenza di risonanza. In
corrispondenza a tale frequenza la fase subisce unimprovvisa variazione di +.
0.0

-75.0

-150.0

1K

2K
frequenza (Hz)

160.0

-40.0

-240.0

1K

2K
frequenza (Hz)

Figura 14.30: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch passivo descritto nel testo. Graco
in alto: guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della frequenza.

Il circuito mostrato nella gura 14.31 `e una implementazione di tale ltro con
lausilio di un amplicatore operazionale.
La funzione di trasferimento di questo circuito `e:
G(s) =

Av (s2 + 02)
s2 + Q00 s + 02

396

Capitolo 14. Filtri attivi

2C

Vout
Vin

C
R/2

Ra

Rb

Figura 14.31: Implementazione del ltro notch con lausilio di un amplicatore operazionale.
con:
Av = 1 +
0 =
Q0 =

Rb
Ra

1
RC

1
2(2 Av )

Il Q0 del sistema `e determinato dal guadagno Av dellamplicatore. Notiamo che


Av deve essere minore di 2 se si vuole un circuito stabile.
La gura 14.32 mostra un esempio di plot di Bode (modulo e fase) per tale
circuito.
In tale esempio i valori dei componenti sono tali che RC = 1000, Av = 0.5, e
quindi: f0 = 159 Hz e Q0 = 0.333.
Filtri notch sono disponibili in commercio nella forma di moduli pronti alluso,
con frequenze che vanno da 1 Hz a 50 kHz, con profondit`a del notch di circa 60 dB.
Un ltro notch, regolabile su di un intervallo di frequenze pi`
u ampio di quello
del ltro a T, `e quello ([14]) mostrato in gura 14.33.
Per questo circuito la frequenza di risonanza `e:
f0 =

2C 3R1 R2

con:
R1 = R1A + R1B
ed:
R6 = 6(R1 + R2 )
Una tipica funzione di trasferimento di questo circuito `e mostrata in gura 14.34.

14.12 Filtri notch

397

20.0

-30.0

-80.0

100

800
frequenza (Hz)

100.0

-150.0

-400.0

100

800
frequenza (Hz)

Figura 14.32: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch basato su amplicatore operazionale
descritto nel testo. Graco in alto: guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della
frequenza.
R3

Vin

C3

C2

C1
R1A

X1

Vout

R2
PINA

PINC

PINB

Figura 14.33: Esempio di congurazione circuitale che implementa un ltro Notch facente
ricorso ad una rete RC e ad un follower basato su operazionale. Si noti che questo genere di
circuito pu`o essere utilizzato in scale di frequenze molto pi`
u elevate del circuito Notch a doppio T.

398

Capitolo 14. Filtri attivi

0.0

-50.0

-100.0
200K

600K
frequenza (Hz)

100.0

-150.0

-400.0
200K

600K
frequenza (Hz)

Figura 14.34: Diagrammi di Bode relativi al ltro notch descritto nel testo. Graco in alto:
guadagno, graco in basso: sfasamento in funzione della frequenza.

14.13

Filtri a condensatori commutati

Negli ultimi anni hanno avuto larga diusione ltri in cui le resistenze sono sostituite
da condensatori che vengono, con lapplicazione di opportuni impulsi, rapidamente
caricati e scaricati. Questi sono noti come Switched-Capacitor Filters (Filtri a condensatori commutati). Esistono vari motivi per tale scelta. Un primo motivo, di
ordine pratico, `e nel fatto che nella realizzazione di un ltro sotto forma di circuito
integrato `e opportuno limitare luso di resistenze che, oltre ad essere poco precise,
facile invece, come vedremo tra poco,
occupano sul chip uno spazio notevole. E
simulare una resistenza mediante un condensatore commutato.
Un secondo motivo di tale scelta `e nel fatto che un ltro a condensatori commutati pu`o, modicando semplicemente la frequenza degli impulsi di clock che caricano
e scaricano il condensatore, fornire la frequenza di taglio 0 desiderata, senza alcuna
modica degli elementi passivi presenti.
Per capire come un condensatore commutato possa simulare una resistenza, si
consideri il circuito di gura 14.35
Gli interruttori S1 ed S2 (implementati con transistor FET sul chip) sono complementari: quando S1 `e chiuso, S2 `e aperto e viceversa. Con S1 chiuso la tensione (variabile) presente allingresso Vi carica il condensatore C. La carica del
condensatore `e:
q = Vi C
tale carica si accumula nel tempo T/2 durante il quale S1 `e chiuso. Nel successivo

14.13 Filtri a condensatori commutati

399

in

I
S1

out

S2

Vi

Figura 14.35: Congurazione circuitale a condensatori commutati. Gli interruttori sono supposti essere complementari: quando uno `e aperto laltro `e chiuso e viceversa ed il loro comando
avviene tramite un segnale esterno di frequenza nota fc k.
intervallo T/2, S1 `e aperto, S2 chiuso ed il condensatore si scarica. La corrente
media nel tempo T sar`a quindi:
I = I out = I in =

q
Vi C
=
= Vi C fck
T
T

con: fck = 1/T .


La resistenza equivalente vista dalla sorgente Vin `e allora:
R =

1
Vi
=
Cfck
I

Vediamo quindi che R `e una funzione di C e di fck . Fissato C, la resistenza pu`o


esser modicata semplicemente modicando la frequenza fck .
u lunghi di
Notiamo che le variazioni di Vin debbono avvenire in tempi molto pi`
T. Nella pratica, se fmax `e la massima frequenza contenuta in Vin , si sceglie valori
di fck compresi tra 50 e 100 volte fmax .
Un esempio delluso di un condensatore commutato per realizzare un integratore
`e mostrato nella gura 14.36.
Linvertitore D1 ha lo scopo di chiudere S2 quando il segnale di clock apre S1 .
La resistenza associata al condensatore commutato C1 `e, come visto:
R =

1
C1 f

dove f `e la frequenza del clock.


Il segnale in uscita sar`a quindi:
Vout

1
=
RC2

C1
Vin dt = f
C2


Vin dt

Vediamo che la costante che moltiplica lintegrale di Vin dipende dalla frequenza e
dal rapporto delle capacit`
a. Ci`o `e un importante vantaggio rispetto allutilizzo di un

400

Capitolo 14. Filtri attivi


C2

in

I
S1

S2

out

D1
Vout
Clock

Vin

C1

Figura 14.36: Esempio di circuito integratore ottenuto utilizzando una congurazione a condensatore commutato. Linvertitore D1 ha lo scopo di chiudere S2 quando S1 `e aperto. Questo
circuito presenta il vantaggio che la costante di integrazione `e proporzionale alla frequenza del
clock di commutazione, e quindi risulta molto semplice adattare il circuito alle varie esigenze senza
dover cambiare i valori dei componenti passivi.

integratore che utilizza una resistenza ed una capacit`a poiche, mentre non `e facile
realizzare in un integrato un condensatore (o una resistenza) preciso e stabile, `e
molto pi`
u agevole realizzare due capacit`a il cui rapporto lo sia. Il risultato di ci`o
`e che sono disponibili in commercio ltri a condensatori commutati il cui costo `e
molto inferiore a quello di ltri convenzionali.
Un secondo vantaggio dei ltri di questo tipo `e, come accennato, nel fatto che essi
consentono di regolare la frequenza di taglio (quella superiore in ltri passa-basso,
quella inferiore in ltri passa-alto etc), con la semplice modica della frequenza f del
segnale di clock. Infatti, come visto, tale modica equivale a cambiare la resistenza
equivalente R e quindi la costante che moltiplica lintegrale di Vin .
Filtri a condensatori commutati sono disponibili in commercio sia in versioni dedicate, in cui la congurazione (passa-basso, passa-alto, passa-banda etc.) `e ssata,
che in versioni universali, che possono essere adattate a realizzare il ltro che si
desidera aggiungendo esternamente i componenti opportuni.
Un problema che `e presente nei ltri a condensatori commutati `e linuenza del
segnale di clock su quello in uscita. Ammettiamo ad esempio di voler realizzare un
ltro passa-basso, con una frequenza di taglio superiore di 1 kHz e di utilizzare un
ltro a condensatori commutati con una frequenza di clock di 100 kHz. Se il segnale
che si vuol ltrare ha componenti di Fourier nella zona 99-101 kHz, osserveremo
alluscita del ltro un segnale spurio, non attenuato, con frequenze inferiori ad 1 kHz.
A tale fenomeno si da il nome di aliasing.

Capitolo 15

Il feedback negli amplicatori


Il concetto di reazione (o feedback) trova applicazione non solo in elettronica, ma
anche nella modellizzazione di sistemi meccanici e biologici. Per reazione o si intende
genericamente un meccanismo in cui la risposta del sistema ad uno stimolo esterno
viene riutilizzata per modicare o correggere il comportamento del sistema stesso.
Il concetto di feedback trova perci`o applicazione in molte discipline: in biologia,
dal momento che tutti gli esseri viventi adottano meccanismi di questo tipo per
controllare il proprio movimento, o nella meccanica (si pensi ad esempio ai sistemi
di frenamento ABS).
Il feedback in elettronica `e stato usato per la prima volta nel 1928 da Harold
Black, un ingegnere della Western Electric Company, per la realizzazione di amplicatori a guadagno stabile nei ripetitori telefonici. Da allora questa tecnica ha
conosciuto uno sviluppo cos` vasto che oggi `e quasi impossibile progettare un circuito
elettronico che sia privo di qualche forma di feedback.
Il feedback pu`o essere negativo (degenerativo) o positivo (rigenerativo). Il feedback negativo (cui faremo pi`
u frequente riferimento nel corso di questo capitolo)
viene normalmente impiegato nel disegno di amplicatori per ottenere una o pi`
u
delle seguenti propriet`a:
stabilizzazione del guadagno rispetto a variazioni nel valore dei componenti
circuitali (causate ad esempio da variazioni di temperatura);
miglioramento della linearit`a;
riduzione dei disturbi;
ottimizzazione delle impedenze di ingresso e di uscita;
estensione della banda passante.
Tutte le propriet`a elencate sono ottenute a scapito di una riduzione del guadagno.
Si mostrer`a nel seguito che il fattore di riduzione del guadagno `e pari al fattore
di desensibilizzazione del medesimo, allaumento dellimpedenza di ingresso di un
amplicatore di tensione, allestensione della banda passante, etc.
Numerosi esempi di feedback negativo sono gi`a stati esaminati nel corso dei
capitoli precedenti. Tutti i circuiti lineari con amplicatori operazionali utilizzano
un feedback negativo. Unaltra applicazione consiste nelluso di una resistenza RE
401

402

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

sul ramo dellemettitore di un amplicatore a transistor per stabilizzarne il punto


di lavoro, aumentarne limpedenza di ingresso ed estenderne la banda passante.
Sotto particolari condizioni (condizione di Barkhausen) il feedback negativo pu`o
diventare positivo ed avere unampiezza tale da indurre oscillazioni; ma questo sar`a
argomento del prossimo capitolo. In questo limiteremo la nostra attenzione alle
condizioni di stabilit`a degli amplicatori con feedback negativo.

15.1

Struttura generale del feedback

La struttura di un amplicatore con feedback pu`o essere schematizzata come in gura 15.1, dove ognuna delle grandezze indicate con x pu`o rappresentare una tensione
o una corrente. La sua uscita xo `e dunque legata al suo ingresso xi dalla relazione
Segnale dingresso
x
s

Mixer
+

Segnale derrore
x = x x
i

Segnale di feedback
x =x
f

Amplificatore
base

Segnale duscita
x = Ax
o

Carico

Rete di
Feedback

Figura 15.1: Rappresentazione schematica di amplicatore con feedback a singolo loop.


xo = Axi ,

(15.1)

dove A `e il guadagno dellamplicatore a circuito aperto (open-loop gain, che `e


in generale una funzione complessa della frequenza). Luscita viene inviata simultaneamente al carico esterno e alla rete di feedback che restituisce un segnale xf
allingresso dellamplicatore. Detta quantit`a `e legata alluscita xo dal fattore di
feedback ,
(15.2)
xf = xo ,
Il segnale xf viene quindi sottratto al segnale della sorgente xs , che costituisce
lingresso dellamplicatore completo, per produrre il segnale xi , che fornisce invece
lingresso dellamplicatore di base; quindi
xi = xs xf .

(15.3)

Vale la pena di osservare che `e proprio il segno meno nellultima equazione a rendere
il feedback negativo, poiche ha leetto di ridurre lampiezza del segnale fornito
allingresso dellamplicatore base, e che la riduzione `e tanto pi`
u signicativa quanto
maggiore `e lampiezza del segnale di uscita1 .
1

Le considerazioni n qui esposte valgono nellipotesi che il il segnale di input venga trasmesso
alluscita solo attraverso lamplicatore A e non attraverso la rete di feedback e che, al contrario,

15.2 Altre propriet`


a del feedback negativo

403

Il guadagno complessivo Af dellamplicatore pu`o essere ottenuto combinando


le precedenti espressioni; risulta allora
Af =

xo
A
=
xs
1 + A

(15.4)

Perche il feedback sia negativo, occorre che, nel caso in cui il termine A sia reale,
esso sia anche positivo, ovvero che il segnale di feedback xf abbia lo stesso segno
del segnale di sorgente xs , da cui si ottiene una riduzione del segnale xi . Pi`
u in
generale, il feedback `e negativo se il modulo del guadagno complessivo |Af | `e minore
del guadagno a circuito aperto |A|, ci`o che, come risulta dalla (15.4), si verica se il
fattore 1 + A eccede in modulo lunit`a.
Nel caso in cui |A| 1, dallequazione.(15.4) segue che Af  1/, cio`e il
guadagno `e determinato completamente dalla rete di feedback. Siccome questa consiste solitamente di componenti passivi, che possono essere scelti con grande accuratezza, si pu`o ottenere un guadagno accurato, stabile, facilmente predicibile e pressoche indipendente dal guadagno dellamplicatore base (che al contrario dipende
da molti parametri ed `e aetto da incertezze ben maggiori). Un esempio di questa
propriet`a del feedback `e gi`a stata evidenziata nel capitolo 12 a proposito dei circuiti
con amplicatori operazionali, dove il guadagno `e determinato esclusivamente dagli
elementi della rete di feedback.
Le equazioni dalla (15.1) alla (15.3) possono essere ulteriormente combinate per
ottenere la seguente espressione per il segnale di feedback
xf =

A
xs
1 + A

(15.5)

Da qui, come nel caso precedente, nel limite A 1, risulta xf  xs , ovvero il


segnale fornito dal feedback `e una replica del segnale della sorgente. In termini
equivalenti, il segnale xi allingresso dellamplicatore, solitamente noto come segnale di errore, ha ampiezza pressoche nulla. Anche questo risultato riproduce una
caratteristica il principio del corto virtuale tra i terminali di ingresso di un
amplicatore operazionale con feedback negativo gi`a emersa nel capitolo 12.

15.2

Altre propriet`
a del feedback negativo

Analizziamo in maggior dettaglio le propriet`a salienti del feedback negativo, gi`a


elencate nellintroduzione.

15.2.1

Stabilizzazione del guadagno

Abbiamo gi`a visto che, nel limite A 1, il guadagno tende ad essere asintoticamente indipendente dal guadagno A dellamplicatore. Questo risultato pu`o essere
ottenuto analiticamente come segue.
il segnale di feedback venga trasmesso allingresso solo da questultima e non dallamplicatore.
` inoltre implicita lipotesi che il fattore di feedback sia indipendente dalle impedenze della
E
sorgente e del carico.

404

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Assumiamo che lamplicazione a circuito aperto subisca una variazione A;


dierenziando la (15.4), si ottiene
A
(1 + A)2

(15.6)

1 A
Af
=
Af
1 + A A

(15.7)

Af =
da cui, dividendo per la (15.4), risulta

Nel caso di feedback negativo (in cui, come gi`a detto, 1 + A > 1), la variazione
relativa di Af `e quindi minore della variazione relativa di A di un fattore pari a
1 + A (che per questo motivo `e noto come anche come fattore di desensibilizzazione
del guadagno).
Un esempio gi`
a noto
Un amplicatore operazionale in congurazione non-invertente (vedi gura 12.7) fornisce unimplementazione diretta di feedback negativo, ove si identichi il partitore
costituito dalle resistenze R1 ed R2 come ramo di feedback.
La tensione allingresso invertente `e, se si assume impedenza di ingresso innita,
V = R1 /(R1 + R2 )Vo , per cui il fattore di feedback risulta pari a = R1 /(R1 + R2 ).
Per ssare le idee, assumiamo A = 104 e R2 /R1 = 9, cosicche = 0.1. Allora
A 1 e la (15.4) si riduce a
Af 

R2
1
=1+
= 10

R1

(15.8)

che, coincide con la lespressione ottenuta nel capitolo 12, luguaglianza essendo
` facile vedere che anche lipotesi del corto
vericata a meno di una parte in 104 . E
virtuale `e vericata a meno di una parte in 103 , essendo V+ V  1/A.
Per quanto concerne invece la stabilit`a del guadagno, con i parametri in gioco si
pu`o vericare che anche una variazione del 50% dellamplicazione delloperazionale
avrebbe eetti trascurabili sul guadagno complessivo, dal momento che Af /Af 
A/A 1/A = 0.05%.

15.2.2

Risposta in frequenza di un amplicatore

Si consideri un amplicatore la cui risposta sia caratterizzata da una funzione di


trasferimento con un singolo polo, della forma
A(s) =

A0
1 + s/H

(15.9)

dove A0 indica il guadagno a centro-banda ed H la pulsazione di taglio superiore.


Applicando un feedback negativo, con un fattore indipendente dalla frequenza, si
ottiene un guadagno
Af (s) =

A0 /(1 + A0 )
A0f
A(s)
=
=
1 + A(s)
1 + s/[H (1 + A0 )]
1 + s/Hf

(15.10)

15.2 Altre propriet`


a del feedback negativo

405

con A0f = A0 /(1 + A0 ) e Hf = H (1 + A0 ). Confrontando le ultime due


espressioni osserviamo che il guadagno a centro-banda si `e ridotto del solito fattore
1 + A0 e che la pulsazione di taglio `e ora maggiore di quella in assenza di feedback
dello stesso fattore2 . La banda passante si `e pertanto allargata dello stesso fattore,
cosicche il prodotto dellamplicazione a centro-banda e della larghezza della banda
rimane costante; infatti
(15.11)
A0 H = A0f Hf
Leetto del feedback negativo sulla banda passante risulta evidente dalla gura 15.2, dove sono rappresentati i diagrammi di Bode per lampiezza dellamplicazione
in assenza e con la reazione per un amplicatore a singolo polo. A bassa frequenza
( H ) la loro risposta `e costante e scala secondo la (15.10). Nel limite di alta frequenza ( H ) invece entrambe i diagrammi seguono lo stesso andamento
asintotico con una pendenza di 6 dB/ottava.

Figura 15.2: Diagramma di Bode (linea continua) per la funzione di risposta di un amplicatore
in assenza ed in presenza di feedback negativo con fattore di feedback |1 + A0 | = 5 (-14 dB). Per
confronto sono riportati gli andamenti asintotici a bassa ed alta frequenza (linea tratteggiata).

In conclusione, lallargamento della banda passante mediante luso di una reazione


negativa pu`o avvenire a costo di una riduzione del guadagno del medesimo fattore.
Per questo motivo si `e soliti esprimere la bont`a di un amplicatore fornendo il
prodotto del guadagno per la banda passante (gain-bandwidth product).
2

Analoghe considerazioni possono essere svolte nel caso di un amplicatore la cui risposta abbia
uno zero del primo ordine e dunque un taglio a bassa frequenza. Si pu`
o vericare facilmente che in
tal caso la frequenza si riduce dello stesso fattore, estendendo la banda passante in misura analoga.

406

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

15.3

Le topologie di feedback negli amplicatori

In base alla quantit`a da amplicare (tensione o corrente) e sulla forma di uscita


desiderata, gli amplicatori possono essere suddivisi in quattro categorie. Nessuna di
queste ha le caratteristiche degli amplicatori ideali. Tuttavia, come si mostrer`a nel
prossimo paragrafo, lintroduzione di appropriate topologie di feedback a ciascuno di
questi amplicatori pu`o modicarne signicativamente la risposta, cos` da renderne
il comportamento pi`
u aderente a quello di un amplicatore ideale.
Prima di ci`o, ecco una breve rassegna dei quattro tipi fondamentali di amplicatore adoperati nei circuiti elettronici. Le loro caratteristiche sono riassunte nella
tabella 15.1.

Parametro
Ri
Ro
Risposta

Tensione

0
Vo = Av Vs

Tipo di amplicatore
Corrente Transconduttanza
0

Io = Ai Is
IL = GM Vs

Transresistenza
0
0
Vo = RM Is

Tabella 15.1: Caratteristiche ideali dei quattro tipi di amplicatore.

15.3.1

Classicazione degli amplicatori

Amplicatori di tensione
Un amplicatore di tensione amplica una tensione Vi applicata in ingresso e restituisce in uscita una tensione Vo . Esso pu`o essere rappresentato in termini di un circuito
Thevenin-equivalente come in gura 15.3. Se limpedenza di ingresso `e molto mag-

Ro

Rs

+
+
Vs
_

Vi

Ri

A vV i

R L Vo

Figura 15.3: Circuito Thevenin-equivalente di un amplicatore di tensione.


giore di quella di uscita della sorgente, allora Vi  Vs . Inoltre, limpedenza di uscita

15.3 Le topologie di feedback negli amplicatori

407

`e trascurabile rispetto allimpedenza del carico, allora Vo  Av Vi  Av Vs . In tal


caso lamplicatore fornisce un segnale di tensione proporzionale alla tensione in
ingresso, ed il fattore di amplicazione risulta essere indipendente dalle impedenze
della sorgente e del carico. Un amplicatore ideale di tensione deve avere pertanto impedenza di ingresso Ri = ed impedenza di uscita Ro = 0. Il simbolo Av
rappresenta quindi il fattore di amplicazione a circuito aperto.
Una rete di feedback applicata ad un amplicatore di tensione deve campionare
la tensione di uscita Vo e generare una tensione di feedback Vf = Vo . Perche questa
sia sottratta alla tensione del generatore Vs (cos` da implementare la (15.3), i due
poli della rete di feedback devono essere connessi in serie al generatore con il polo
positivo connesso al terminale negativo dellamplicatore base e con quello negativo
al terminale negativo del generatore, come mostrato in gura 15.5a. Per questo
motivo questa congurazione di feedback `e nota come tensione-serie3.
Anche se unanalisi pi`
u dettagliata del guadagno e delle impedenze verr`a condotta nelle prossime sezioni, si pu`o anticipare sin dora che questa congurazione ha
leetto di aumentare limpedenza di ingresso dellamplicatore (come risultato della
connessione in serie della rete di feedback allingresso) e di ridurne limpedenza di
uscita (conseguente alla connessione in parallelo alluscita). Questo, come si evince
dalla tabella 15.1, approssima il comportamento di un amplicatore di tensione a
quello di un amplicatore ideale.
Amplicatori di corrente
Un amplicatore di corrente ideale fornisce in uscita un segnale di corrente Io proporzionale alla corrente che uisce sul ramo di ingresso Ii . Come si vede dallanalisi
del circuito Norton-equivalente mostrato in gura 15.4, lamplicatore ideale deve
avere impedenza di ingresso Ri = 0 ed impedenza di uscita Ro = , anche tutta
la corrente del generatore uisca sul ramo di ingresso (Ii = Is ) e tutta la corrente di
uscita uisca sul carico (IL = Io = Ai Is ).
La topologia di feedback pi`
u appropriata per un amplicatore di corrente `e quella
mostrata in gura 15.5b. Luscita di corrente Io dellamplicatore uisce nella serie
del carico e del ramo di feedback, mentre la corrente del generatore Is viene ripartita
in shunt tra lingresso ed il ramo di feedback (attraverso cui passa la corrente
If = Io ). Sulla base di considerazioni analoghe a quelle del paragrafo precedente, `e
facile vedere che questa congurazione di feedback (detta corrente-parallelo) riduce
limpedenza di ingresso ed aumenta limpedenza di uscita del generatore, ci`o che `e
desiderabile per un amplicatore di corrente (vedi tabella 15.1).
Amplicatori a transconduttanza
Un amplicatore a transconduttanza ideale fornisce un segnale di corrente proporzionale ad una segnale di tensione in ingresso, indipendentemente dalle dimensioni delle impedenze del generatore e del carico. Come nei casi precedenti, esso `e
rappresentato da un circuito Thevenin-equivalente in ingresso (analogo allingresso
3

Le diverse congurazioni di feedback sono solitamente identicate da un nome composto dalla


grandezza prodotta in uscita (tensione o corrente) e dal tipo di connessione (serie o parallelo)
realizzata dal mixer.

408

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Ii

IL
Is

Rs

Ri

Ro

RL

A iI i

Figura 15.4: Circuito Norton-equivalente di un amplicatore di corrente.


dellamplicatore di tensione) e da un circuito Norton-equivalente in uscita (analogo
alluscita dellamplicatore di corrente). In pratica, questo tipo di amplicatore deve
avere impedenza di ingresso molto maggiore della resistenza di uscita del generatore
di tensione (Ri = nel caso ideale) ed impedenza di uscita molto maggiore della
resistenza del carico (Ro = nel caso ideale).
La topologia adottata per questo tipo di amplicatore `e denominata correnteserie ed `e schematizzata in gura 15.5c. Essa consente di campionare luscita di
corrente Io e di collegare la tensione di feedback Vf = Io in serie al generatore
ed `e tale da aumentare sia limpedenza di ingresso che quella di uscita rispetto
allalimentatore base.

Amplicatori a transresistenza
Un amplicatore a transresistenza trasforma un segnale di corrente in ingresso in un
segnale di tensione in uscita. Pertanto, esso pu`o essere rappresentato da un circuito
Norton-equivalente in ingresso (analogo allingresso dellamplicatore di corrente) e
da un circuito Thevenin-equivalente in uscita (analogo alluscita dellamplicatore di
tensione). Sulla base di considerazioni analoghe a quelle svolte nei paragra precedenti, luscita di tensione `e proporzionale alla corrente del generatore ed il fattore di
amplicazione `e indipendente dalle impedenze del generatore e del carico se lamplicatore ha impedenze di ingresso e di uscite trascurabili in confronto a queste ultime
(per un amplicatore ideale si deve avere cio`e Ri = Ro = 0). Un amplicatore a
transresistenza viene reazionato in congurazione tensione-parallelo, come mostrato
schematicamente in gura 15.5d. Luscita Vo viene campionata in shunt dal ramo di
feedback, attraverso il quale uisce una corrente If = Vo derivata dal partitore di
corrente allingresso dellamplicatore, cosicche, con i versi delle correnti ssati nella
gura, risulta Ii = Is If . Le connessioni in parallelo sia allingresso che alluscita
dellamplicatore base hanno leetto di diminuirne le impedenze complessive.

15.4 Eetto del feedback sulle impedenze di un amplicatore

409

Ii

Io

Rs
+

Vs

Amplificatore
di tensione

Vi

_
_

Vf

RL

Is

Vo

Amplificatore
di corrente

Rs

If
Rete di
Feedback

Rete di
Feedback

(a) tensione-serie

(b) corrente-parallelo
Io

Rs
+

Ii

Vs

Vi

_
_

Vf

RL

Amplificatore
a transconduttanza

RL
Is

Rs

Amplificatore
a transresistenza

RL

If

Rete di
Feedback

(c) corrente-serie

Rete di
Feedback

(d) tensione-parallelo

Figura 15.5: Schema delle topologie di feedback per i quattro tipi di amplicatori. Ciascuno
di essi `e identicato dalla grandezza in uscita (tensione o corrente) e dal tipo di connessione (serie
o parallelo) del feedback al generatore.

15.4

Eetto del feedback sulle impedenze di un


amplicatore

15.4.1

Impedenze dingresso

Esaminiamo quantitativamente leetto di ciascuna topologia di feedback sulle impedenze dingresso. Questa determinazione dipende, come `e lecito attendersi, solo dal
tipo di confronto eettuato allingresso, indipendentemente dal fatto che il feedback
sia ottenuto dal campionamento di una tensione o una corrente in uscita.
Feedback tensione-serie
La topologia di gura 15.5a viene implementata dal circuito mostrato in gura 15.6,
dove il blocco dellamplicatore `e stato sostituito dal suo Thevenin equivalente. In
questo circuito Rs `e considerato parte dellamplicatore e sia Av il suo guadagno a
circuito aperto che includa Rs . Limpedenza di ingresso `e denita in tal caso dal
rapporto Rif = Vs /Ii tra la tensione del generatore e la corrente che uisce nel ramo

Vo
_

410

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Ro
+
Vi
-

Vs

Av

Ri

RL

V = V
f

Figura 15.6: Schema di circuito di feedback tensione-serie per il calcolo delle impedenze di
ingresso/uscita.

di ingresso del circuito. Applicando la legge di Kirchho alla maglia di ingresso si


ottiene allora
Vs = Vi + Vf = Ri Ii + Vo
(15.12)
Dalla maglia duscita otteniamo
Vo = Av Vi

RL
= AV Vi
Ro + RL

(15.13)

dove Av rappresenta il guadagno in tensione a circuito aperto ed abbiamo introdotto


il guadagno (in assenza di feedback) AV = Av RL /(Ro + RL ) che tiene conto della
resistenza di carico RL (dunque AV Av per RL ). Combinando la (15.12)
con la (15.13) si ottiene inne
Rif =

Vs
= Ri (1 + AV )
Ii

(15.14)

che risulta aumentata rispetto allimpedenza dingresso dellamplicatore base di un


fattore 1 + AV , che tende ad innito per AV 1.
Feedback corrente-serie
Esaminiamo ora il caso del feedback corrente-serie, il cui schema `e mostrato in
gura 15.7 ed `e ottenuto dalla gura 15.5c per sostituzione dellamplicatore con il
suo circuito equivalente.
Sia Gm = I/Vi la transconduttanza a circuito chiuso (che gi`a include gli eetti
legati alla resistenza duscita del generatore di tensione). Dalla legge di Kirchho
applicata alla maglia duscita troviamo che
Io = Gm Vi

Ro
= GM Vi = GM Ri Ii
Ro + RL

(15.15)

avendo posto GM = Gm Ro /(Ro + RL ) per la transconduttanza dellamplicatore che


tiene conto del carico RL . Combinando lultima espressione ottenuta con la (15.12)
si ha
Vs = Vi + Vf = Ri Ii + Io = Ri Ii + GM Ri Ii = Ri Ii (1 + GM )

(15.16)

15.4 Eetto del feedback sulle impedenze di un amplicatore

G V

+
V

Vs

411

m i

Ro

Ri

i'

RL

V = i
f

Figura 15.7: Circuito equivalente ad un feedback corrente-serie per un amplicatore a


transconduttanza.

da cui

Vs
= Ri (1 + GM )
(15.17)
Ii
Anche in questo caso quindi limpedenza dingresso aumenta per eetto del feedback,
lincremento essendo legato al fattore (1 + GM ).
Rif =

Feedback corrente-parallelo
Il circuito di gura 15.8 implementa la congurazione di feedback corrente-parallelo,
ottenuta sostituendo allamplicatore di corrente di gura 15.5 il suo circuito Nortonequivalente. In maniera analoga ai casi precedenti, non compare limpedenza di
uscita del generatore Rs , essendo questa gi`a inclusa nel computo del guadagno Ai
dellamplicatore a circuito chiuso.

io

+ A i

i i

Ri

i
Ro

i'
RL

Figura 15.8: Congurazione di feedback corrente-parallelo per un amplicatore di corrente.


In questo caso, limpedenza di ingresso `e denita come Rif = Vi /Is . Dalla maglia
dingresso abbiamo
(15.18)
Is = Ii + If = Ii + Io
e dalla maglia duscita:
Ro
AI Ii
(15.19)
Ro + RL
dove AI = Ai Ro (Ro +RL ) `e il guadagno in corrente dellamplicatore che tiene conto
del carico RL (che tende perci`o ad Ai allorche RL 0). Combinando queste due
Io = Ai Ii

412

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

ultime espressioni si ottiene


Is = Ii + AI Ii = Ii (1 + AI )

(15.20)

da cui, tenendo conto che Vi = Ri Ii , segue inne


Rif =

Vi
Ri
=
(1 + AI )Ii
1 + AI

(15.21)

In questo caso limpedenza dingresso `e minore di quella in assenza di feedback del


medesimo fattore (1 + A) che era presente, a fattore moltiplicativo, nei due casi
iniziali.
Feedback tensione-parallelo
Procedendo in maniera analoga ai casi precedenti, si pu`o schematizzare un circuito
di feedback tensione-parallelo come in gura 15.9 Come sopra, si suppone che limpedenza del generatore sia gi`a inclusa nel calcolo del guadagno Rm dellamplicatore
a transresistenza a circuito chiuso e viene pertanto omessa. Limpedenza dingresso

Ro

+
is

Vo

R i
m i

RL

Figura 15.9: Feedback tensione-parallelo per un alimentatore a transresistenza.


`e:

Vi
Ri Ii
=
Is
Is
Le equazioni di maglia risultano essere in questo caso
Rif =

Is = Ii + Vo

(15.22)

(15.23)

per quella di ingresso e


RL
= RM Ii
(15.24)
Ro + RL
per quella di uscita, dove RM = Rm RL /(Ro + RL ) `e il guadagno dellamplicatore
in assenza di feedback ma in presenza del carico esterno. Si ha allora
Vo = Rm Ii

Is = Ii (1 + RM )
da cui discende

(15.25)

Ri Ii
Ri
=
(15.26)
Is
1 + RM
Come nel caso precedente, limpedenza dingresso diminuisce dellidentico fattore
1 + A, A = RM essendo il guadagno dellamplicatore in assenza di reazione.
Rif =

15.4 Eetto del feedback sulle impedenze di un amplicatore

15.4.2

413

Considerazioni generali

Poiche gli ultimi due casi esaminati avevano come caratteristica comune la reazione
in parallelo (cio`e di corrente) nella maglia dingresso, vediamo che `e tale caratteristica a determinare la diminuzione dellimpedenza dingresso.
Abbiamo visto quindi che, se il segnale di feedback viene riportato in ingresso
sotto forma di un segnale di tensione (cio`e in serie) limpedenza dingresso aumenta,
mentre essa diminuisce se il feedback `e parallelo (corrente). Ci`o indipendentemente
dal tipo di campionamento in uscita (tensione o corrente). Ci`o pu`o esser facilmente
compreso se si pensa che, nel caso in cui il feedback (negativo) sia di tensione, questo
far`a si che la tensione ai capi di Ri sia minore della tensione del generatore, che ha
un valore costante Vs . Di conseguenza `e minore la corrente che uisce in Ri e, poiche
tale corrente `e erogata in ultima analisi dal generatore, il rapporto tra tensione e
corrente erogata, cio`e la resistenza dingresso, sar`a maggiore.
Se invece si realizza un feedback (negativo) di corrente, avremo una minor corrente in Ri , il che implica una minore dierenza di potenziale ai capi di Ri . Poiche
ora ci`o avviene ad Is costante, la resistenza dingresso Vi /Is `e minore di quella che
si avrebbe in assenza di feedback.

15.4.3

Impedenze duscita

Ci`o che determina limpedenza di uscita per un amplicatore reazionato `e il tipo di


campionamento in uscita, indipendentemente dal confronto eettuato in ingresso.
Ricordiamo che limpedenza di uscita `e denita dal rapporto tra la tensione a circuito
aperto applicata ai terminali di uscita e la corrente che uisce nel ramo di uscita
con i terminali in corto. Nel caso di un campionamento di tensione, leetto del
feedback `e, come atteso, quello di ridurre la tensione a circuito aperto (rispetto a
quella dellamplicatore non reazionato) della quantit`
a 1 + A, mentre la corrente
a circuito chiuso rimane invariata (infatti a circuito chiuso si annulla la tensione in
uscita ed il feedback `e nullo). Ne risulta pertanto una diminuzione dellimpedenza
di uscita dello stesso fattore. Analogamente, nel caso di campionamento di corrente,
il feedback ha leetto di ridurre la corrente a circuito chiuso mentre non ha alcun
eetto sulla tensione in uscita (a circuito aperto infatti si annullano tanto la corrente
di uscita che quella di feedback). Di conseguenza la resistenza duscita aumenta del
medesimo fattore 1 + A di cui diminuisce la corrente.
Feedback con campionamento di tensione
Consideriamo il feedback tensione-serie di gura 15.6. Per calcolare la resistenza
duscita Rof poniamo Vs = 0, eliminiamo RL ed applichiamo tra i terminali duscita
una dierenza di potenziale Vo . Abbiamo allora
Io =

Vo Av Vi
Vo + Av Vo
=
Ro
Ro

(15.27)

poiche, avendo posto Vs = 0 si ha Vi = Vf = Vo . Ne segue che


Rof =

Vo
Ro
=
Io
1 + Av

(15.28)

414

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

In presenza di un carico RL nito, lespressione dellimpedenza duscita si modica come segue:



Rof
= Rof ||RL =

RR

o L

L
(Ro + RL ) 1 + RoR+R
A
v
L

(15.29)

u
che dalla denizione di AV e posto Ro = Ro ||RL , si pu`o riscrivere in forma pi`
compatta come
Ro

Rof
=
(15.30)
1 + AV
Sulla base delle stesse argomentazioni, si pu`o mostrare che per un feedback
tensione-parallelo limpedenza di uscita assume la forma
Rof =

Ro
1 + Rm

(15.31)


=
Rof

Ro
1 + RM

(15.32)

valida per RL e

in presenza di carico.
Feedback con campionamento di corrente
Consideriamo inne il caso di un feedback corrente-serie, come quello di gura 15.7.
Per calcolare limpedenza duscita, immaginiamo di cortocircuitare Vs , di applicare
tra i terminali duscita una dierenza di potenziale Vo e calcoliamo la corrente Io .
Dallanalisi della maglia duscita otteniamo, per la corrente in Ro ,
I  = Gm Vi Io

(15.33)

Vo = Ro I  = Gm Vi Ro Ro Io

(15.34)

da cui:
mentre per la maglia dingresso, essendo Vs = 0, vale Vi = Io . Si ottiene quindi
Vo = Gm Ro Io Ro Io = Ro Io (1 + Gm )

(15.35)

per cui limpedenza di uscita vale


Rof =

Vo
= Ro (1 + Gm )
Io

(15.36)

Quindi, come previsto, limpedenza duscita con feedback risulta aumentata del
fattore 1 + Gm. In presenza di carico, la (15.36) deve essere modicata sostituendo
GM al guadagno in assenza di carico e Ro a Ro .

15.5 Analisi dei circuiti con feedback


Tipo di feedback
tensione-serie
corrente-serie
tensione-parallelo
corrente-parallelo

Rif
Ri (1 + AV )
Ri (1 + GM )
Ri /(1 + RM )
Ri /(1 + AI )

415
Rof
Ro /(1 + Av )
Ro (1 + Gm )
Ro /(1 + Rm )
Ro (1 + Ai )


Rof
Ro /(1 + AV )
Ro /(1 + GM )
Ro /(1 + RM )
Ro /(1 + AI )

Tabella 15.2: Sommario delle impedenze di ingresso/uscita nei casi esaminati di amplicatori
con reazione.

15.5

Analisi dei circuiti con feedback

15.5.1

Individuazione del tipo di reazione

Per determinare il tipo di reazione pi`


u appropriato ad un amplicatore occorre individuare il tipo di segnale (tensione o corrente) prelevato alluscita dellamplicatore
ed il modo (seriale o parallelo) in cui esso viene confrontato con il segnale in ingresso.
A questo scopo, pu`o essere utile seguire i seguenti criteri generali.
Per identicare il tipo di campionamento, si consideri che, in presenza di un
carico esterno:
- segnale di tensione: si annulla se i terminali di uscita sono cortocircuitati (RL = 0)
mentre rimane invariato se sono aperti (RL );
- segnale di corrente: si annulla se i terminali di di uscita sono aperti mentre rimane
invariato se sono cortocircuitati.
Per quel che concerne invece il modo (serie o parallelo) in cui il segnale di feedback
viene confrontato al segnale in ingresso, si pu`o facilmente intuire che avremo un
confronto di tipo serie se essa viene eettuata in una maglia; avremo invece una
somma di tipo parallelo se essa viene eettuata in un nodo. Per chiarire meglio
questi concetti analizziamo alcuni esempi.
Amplicatore J-FET common-source
Si consideri il circuito di gura 15.10a, che rappresenta un amplicatore a J-FET
a canale n nella congurazione common-source. Se Vgs aumenta, aumenta anche la
corrente nel canale e nelle resistenze Rd ed Rs . Il potenziale del drain diminuisce
mentre aumenta quello del source, il che comporta una diminuzione di Vgs . Abbiamo
quindi un feedback negativo. Vediamo che il campionamento `e di corrente; infatti
il feedback si annulla se Rd diviene innitamente grande (con che si annulla la
corrente). Esso invece continua ad esser presente se Rd viene cortocircuitata.
Il segnale di feedback `e riportato in ingresso sotto forma di una dierenza di
potenziale ai capi di Rs , che viene connessa in serie alla tensione del generatore
nella maglia dingresso (e con segno tale da essere sottratta a Vs ). Si tratta dunque
di un feedback seriale. In denitiva il circuito disegnato `e un esempio di feedback
corrente-serie.

416

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Vcc

Vcc

Rd

D
Vout

Vout
C

S
Vs

Rc

Rs

(a)

Rf

is

(b)

Figura 15.10: Esempio di amplicatori con feedback: (a) J-FET in congurazione commonsource (feedback corrente-serie) e (b) transistor bi-polare in congurazione common-emitter
(feedback tensione-parallelo).

Transistor bi-polare in common-emitter


Consideriamo invece il circuito di gura 15.10b, in cui un transistor bi-polare npn in
congurazione common-emitter viene reazionato dalla resistenza Rf . Cortocircuitando i terminali di uscita si annullerebbe la tensione di collettore Vc (e, conseguentemente, la corrente If nel ramo di feedback). Si tratta quindi un campionamento di
tensione. Inoltre il segnale di feedback `e di corrente, essendo questo derivato dal
nodo di ingresso dellamplicatore (ovvero la base del transistor).
Esaminiamo come ulteriore esempio quello di gura 15.11, in cui un amplicatore con transistor in congurazione common-emitter viene reazionato attraverso lo
stesso circuito mostrato in gura 15.10b. Anche in questo caso la rete di feedback
ritorna un segnale di corrente che viene derivato dal nodo alla base del transistor
(per cui Ib = Is If ). La corrente di feedback, essendo prelevata dal source del
J-FET, si annullerebbe se la resistenza di carico (Rd nel nostro caso) divenisse innitamente grande (con che si annullerebbe la corrente in T2 ). In conclusione la
reazione esaminata `e di tipo corrente-parallelo (current-shunt).

Feedback con amplicatori operazionali


I circuiti di gura 15.12 mostrano inne un esempio di ciascuno dei quattro tipi di
` facile vericare, facendo uso
feedback, nel caso di un amplicatore operazionale. E
dei criteri esposti, che il tipo di feedback presente in ciascun caso `e quello indicato
nella gura.

15.5 Analisi dei circuiti con feedback

417

Vcc

Rc

Rd
Vout
T2

C
T1

is

Rs

Rb

Figura 15.11: Esempio di circuito a due stadi di amplicazione con feedback di tipo correnteparallelo.

15.5.2

Analisi quantitativa del guadagno

Feedback tensione-parallelo
Esaminiamo ora in dettaglio un esempio di circuito con feedback. Consideriamo
il caso di un amplicatore invertente, come quello mostrato in gura 15.13a. in
cui un segnale di tensione `e prelevato in uscita e riportato sullingresso tramite
una resistenza di feedback Rf . La polarit`a del segnale di feedback `e tale che la
corrente ad esso associata sia sottratta alla corrente erogata dal generatore. Si
tratta chiaramente di un feedback tensione-parallelo.
Per semplicare lanalisi di tale circuito, `e opportuno sostituirlo con il circuito
equivalente di gura 15.13b. Qui abbiamo indicato con Vd la dierenza di potenziale ai capi della resistenza dingresso Ri delloperazionale. Il circuito di feedback
potrebbe in realt`a esser pi`
u complicato di quello rappresentato da una singola resistenza. Per descrivere tali situazioni potremo sostituire nel circuito equivalente il
generatore VL con kVL , dove k `e una costante.
Scriviamo ora le equazioni per il circuito disegnato. Dalla maglia di sinistra si
ottiene
Vi + Vd
(15.37)
I1 =
Rs
Vd + VL
I2 =
(15.38)
Rf
Vi + Vd VL + Vd
Vd
+
=
(15.39)
Id = I1 I2 =
Rs
Rf
Ri
Dalla maglia di destra risulta
Ad Vd + Vd
I=
(15.40)
Ro + Rf

418

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Rs

Rs
Rf

Rf

RL

tensione-serie

R1

corrente-serie

Rf

Rf

RL

RL

RL
Rs

Rs

tensione-parallelo

corrente-parallelo

Figura 15.12: Possibili congurazioni di feedback negativo realizzate con un amplicatore


operazionale.

Ro
Ro
VL = Ad Vd Ro I = Ad Vd
Ad Vd
Vd =
Ro + Rf
Ro + Rf


(15.41)
Ro
Ro

= Vd Ad Ad
Ro + Rf
Ro + Rf
Se Ro Rf , il secondo ed il terzo termine in parentesi sono trascurabili rispetto al
primo e si ha
VL  Ad Vd
(15.42)
Dalla (15.39) si ha invece
Vd

1
1
1
+
+
Rs Rf
Ri


=

VL
Vi

Rs Rf

(15.43)

Trascurando il termine 1/Ri rispetto agli altri due termini in parentesi e facendo
uso della (15.42), lultima equazione scritta diventa
VL Rf + Rs VL
Vi
+
=
Ad Rf Rs
Rf
Rs
da cui si ottiene
VL =

(Ad Vi /Rs )Rf s


1 + (Ad /Rf )Rf s

(15.44)

(15.45)

15.5 Analisi dei circuiti con feedback

i = i -i
d

419

Rs

Ro
-

Ri

A v
d

Vi

Rf

(a)
i

Rs

A v
d

(b)
Figura 15.13: (a) Amplicatore invertente realizzato in congurazione tensione-parallelo e (b)
suo circuito equivalente.

avendo posto Rf s Rf ||Rs = Rf Rs /(Rf + Rs ). Nel caso in cui il termine


Rf s
Ad
Rf

(15.46)

che compare a denominatore della (15.45) sia molto maggiore di 1, la (15.45) si


semplica come segue
Rf
(15.47)
VL = Vi
Rs
ovvero la tensione duscita non dipende pi`
u dal parametro Ad .
Il termine (15.46) costituisce il cosiddetto guadagno di maglia (loop gain).
Si pu`o facilmente vericare che esso coincide (a parte il segno) con il guadagno
della catena quando si supponga nulla leccitazione esterna Vi . Infatti, in tal caso il

420

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori


i

Rs
i

Rf

Ro

_
V

Ri

VL

A v
d

Figura 15.14: Circuito equivalente allamplicatore invertente, con Vi = 0 e VL = Ad Vd .


circuito diventa quello della gura 15.14, in cui leccitazione `e costituita da V , mentre
luscita `e, come prima, VL . Nel ramo destro abbiamo fatto uso dellapprossimazione
(15.42). Il guadagno di maglia (loop gain) sar`a ora calcolabile facendo uso delle
seguenti equazioni:
(15.48)
Is = If + Ii
con:
If =

V + Vd
Rf

(15.49)

Vd
Ri
Vd
Is =
Rs
Ii =

(15.50)
(15.51)

da cui
V + Vd Vd
Vd
+
=
Rf
Ri
Rs


e inne
Vd

1
1
1
+
+
Rf
Ri Rs


=

(15.52)
V
Rf

(15.53)

Trascurando 1/Ri rispetto agli altri termini in parentesi e facendo uso della (15.42)
questa diviene


1
V
VL
1
+
(15.54)
=
Ad Rf
Rs
Rf
ed il guadagno di maglia sar`a:
Rf s
VL
= Ad
Ad
Rf
V

(15.55)

essendo = Rf s /Rf il fattore di feedback.


Il termine Ad Rf s /Rs che compare a numeratore della (15.45) costituisce il
guadagno in assenza di feedback. Questo `e calcolabile a partire dal circuito equivalente di gura 15.15. Lassenza del feedback consiste qui nellassenza della sorgente

15.5 Analisi dei circuiti con feedback


i

421

Vi

Rs
i

Rf

Ri

Ro
V

A v
d

Figura 15.15: Circuito equivalente allamplicatore invertente, in assenza della sorgente VL


nel ramo sinistro e della sorgente Vd nel ramo destro.

dipendente VL nel ramo sinistro e nella simultanea assenza della sorgente Vd in serie
con Rf nel ramo destro di gura 15.13b. Il guadagno di questo circuito `e ora
ottenibile dalle equazioni:
Vd =

Rf
Rf s
Vi
Rif  Vi
= Vi
Rs + Rif
Rs + Rf
Rs

(15.56)

dove si `e assunto Ri Rf . Inoltre `e


VL = Ad Vd = Ad

Rf s
Vi
Rs

(15.57)

per cui il guadagno a catena aperta `e


Ao

Rf s
VL
= Ad
Vi
Rs

(15.58)

Facendo ora uso delle equazioni (15.45), (15.55) e (15.58), il guadagno complessivo
pu`o esser messo nella forma
AV =

VL
Ad Rf s /Rs
Ao
=
=
Vi
1 + Ad Rf s /Rf
1 + Ad

(15.59)

Se Ad diviene grande rispetto ad 1, il guadagno AV dellamplicatore con feedback tende a:


Rf
(15.60)
AV
Rs
cio`e diviene indipendente dal guadagno intrinseco Ad dellamplicatore. Questo
conferma che al crescere del guadagno di maglia, il guadagno con feedback diventa
sempre meno sensibile a variazioni di temperatura o a variazioni dei parametri dei
componenti che costituiscono lamplicatore.
Feedback tensione-serie
Analizziamo ora in dettaglio il caso, gi`a discusso in precedenza, di un amplicatore
operazionale in congurazione non-invertente. Si consideri lo schema di gura 15.16a
ed il suo equivalente di gura 15.16b, in cui VL = VL e Vd indica la dierenza di

422

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Ri
+

Rs

Rf

Ro
A v
d

VL

Vi

VL

(a)
Rs
R

Ro

Vi

VL

A v
d

V'L

(b)

Figura 15.16: (a) Amplicatore non-invertente realizzato in congurazione tensione-serie e (b)


suo circuito equivalente.

potenziale ai capi di Ri . Cominciamo col calcolare il guadagno a catena aperta (cio`e


in assenza di feedback), denito da:
 
VL
(15.61)
Ao =
Vi V  =0
L

Possiamo scrivere:

VL
Vi


=
VL =0

VL
Vd


VL =0

Vd
Vi


(15.62)

dove il primo termine a secondo membro pu`o esser ottenuto facendo uso della maglia
di sinistra ed il secondo di quella di destra. Da questultima otteniamo:
VL = Rf I1 Vd

(15.63)

15.5 Analisi dei circuiti con feedback


con:

423

Ad Vd + Vd
Vd
=
(1 + Ad )
Ro + Rf
Ro + Rf

I1 =
da cui:

(15.64)

Vd
(Rf Ad Ro )
Ro + Rf
 
VL
Rf Ad Ro
=
Vd V  =0
Ro + Rf

VL =

(15.65)
(15.66)

Dalla maglia di sinistra otteniamo poi:


 
Vd
Ri
=
Vi V  =0 Rs + Ri + Rf

(15.67)

e quindi:

VL
Vi


=
VL =0

Ri
Rf Ad Ro
Ro + Rf Rs + Ri + Rf

(15.68)

Se ora facciamo lapprossimazione:


Ro Rf

(15.69)

Rf + Rs Ri

(15.70)

si ottiene:
Ao =

Vo
Vi


VL =0

Ad

(15.71)

che costituisce il guadagno in assenza di feedback. Il guadagno di maglia Ad pu`o


esser ottenuto dal circuito equivalente di gura 15.17: Con riferimento ai componenti

Rs
R

Ro

V'L

VL

A v
d

Figura 15.17: Circuito equivalente allamplicatore non-invertente, con Vi = 0.


indicati in gura, otteniamo per il prodotto Ad , denito al solito come:
 


VL
VL Vd
Rf Ad Ro
Ri
Ad
=
=
VL Vi =0
Vd VL
Ro + Rf
Rs + Ri + Rf

(15.72)

424

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

che, nella medesima approssimazione gi`a adottata in precedenza `e uguale a Ad . Il


guadagno con reazione sar`a allora:
Ar =

Ad
VL
Ao
=
=
Vi
1 Ad
1 + Ad

(15.73)

Se nellesempio fatto avessimo avuto un feedback VL = kVL (anziche VL = VL )


avremmo trovato:
Ad
(15.74)
Ar =
1 + kAd
che tende ad 1/k per Ad molto grande.

15.6

Stabilit`
a negli amplicatori con feedback

In un amplicatore la cui congurazione di feedback sia schematizzabile come in


gura 15.1, sia il guadagno a circuito aperto che il fattore di feedback potrebbero
` quanto accade, a titolo di esempio, nel caso di un
essere funzioni della frequenza. E
circuito integratore realizzato con un amplicatore operazionale in congurazione
invertente. Da un lato loperazionale ha, a frequenze relativamente basse, una funzione di trasferimento con un polo del primo ordine in corrispondenza della frequenza
di taglio superiore (esprimibile secondo la (15.9)); dallaltro il ramo di feedback utilizza un parallelo tra una capacit`a ed una resistenza ed anchesso funzione della
frequenza. Pertanto anche il guadagno a circuito chiuso `e una funzione (complessa)
della frequenza esprimibile nella sua forma pi`
u generale dalla
Af (s) =

A(s)
1 + (s)A(s)

(15.75)

Per semplicit`a, limitiamoci a considerare il caso in cui lamplicatore abbia un


guadagno A0 a basse frequenze, con poli e zeri ad alte frequenze. Assumiamo che
anche il fattore di feedback sia costante a basse frequenze. Nello stesso dominio
di frequenze anche il prodotto A diventa una costante esprimibile da una numero
reale, che deve essere positivo perche il feedback sia negativo. Resta da studiare la
condizione di stabilit`a a frequenze maggiori.
A frequenze siche s = j, lequazione precedente si riscrive
Af (j) =

A(j)
1 + (j)A(j)

(15.76)

Rappresentiamo ora il loop gain in termini del suo modulo e della sua fase,
L(j) (j)A(j) = |(j)A(j)|ej()

(15.77)

Ci`o che determina la stabilit`a dellamplicatore reazionato `e allora la variazione del


loop gain con la frequenza. Si consideri infatti la frequenza per cui la fase () = .
A questa frequenza (che indicheremo con ), L `e un numero reale negativo, per
cui il feedback diventer`a positivo. Se il modulo di L(j ) `e minore di 1, lamplicatore rimane stabile. Se invece il modulo di L(j ) `e uguale ad 1, allora, come
segue dalla (15.76), Af (j) diverge. Questo implica che lamplicatore pu`o avere

15.6 Stabilit`
a negli amplicatori con feedback

425

unuscita diversa da zero anche in assenza di ingresso, ci`o che si realizza in presenza
di oscillazioni. Quella appena descritta `e nota come condizione di Barkhausen. Per
cercare di capire come il sistema sia in grado di sostenere unoscillazione, si consideri
il circuito di gura 15.1 con xs = 0. Qualsiasi perturbazione pu`o indurre un segnale
di rumore xi allingresso dellamplicatore, con un ampio spettro di frequenza. Per
le componenti a bassa frequenza, dove A `e costante e positivo, il guadagno dellamplicatore `e minore di 1; lampiezza di queste oscillazioni viene attenuata ad ogni
loop successivo no a smorzarsi. Per la componente a frequenza si ha invece che
xf = (j)A(j)xi = xi

(15.78)

Il segnale di errore rimane allora costante; infatti, al feedback successivo, si ha xi =


xs xf = xf = xi . Questo implica che allingresso e alluscita dellamplicatore c`e
un segnale sinusoidale di frequenza tale da soddisfare la condizione di Barkhausen.
Lo studio delle condizioni di oscillazione verr`a approfondito nel prossimo capitolo.
La verica della stabilit`a di un amplicatore con feedback pu`o seguire un approccio formale mediante luso del plot di Nyquist, un esempio del quale `e mostrato
in gura 15.18, che rappresenta nel piano complesso la variazione del loop gain in
funzione della frequenza. Poiche il modulo di L `e una funzione pari della frequenza,
mentre la fase `e una funzione dispari, il plot di Nyquist `e simmetrico rispetto allasse
reale.
A basse frequenze ( 0), L `e reale e positivo. Per frequenze crescenti, il
modulo di L diminuisce e tende a 0 per , mentre la sua fase aumenta. Il plot
di Nyquist interseca lasse reale negativo alla frequenza . Se il punto di intersezione
giace a destra del punto di coordinate (1, 0), lamplicatore rimane stabile anche in
presenza di feedback positivo; daltra parte, se L(j ) < 1, allora lamplicatore
`e instabile. In maniera equivalente, si pu`o aermare che lamplicatore diventa
instabile se il plot di Nyquist circonda il punto (1, 0).

426

Capitolo 15. Il feedback negli amplicatori

Figura 15.18: Plot di Nyquist per un amplicatore reazionato instabile. Il punto segnato sul
graco alla coordinata (-1,0) rappresenta il polo del primo ordine della funzione di trasferimento
dellamplicatore reazionato (condizione di Barkhausen). La linea `e continua (rispettivamente
tratteggiata) per > 0 (< 0).

Capitolo 16

Oscillatori sinusoidali
16.1

Introduzione

Consideriamo un amplicatore a banda larga (vedi gura 16.1), seguito da un circuito (attivo o passivo) che fornisce in uscita una frazione () del segnale presente
al suo ingresso.

X(t)

Y(t)

Figura 16.1: Amplicatore a banda larga seguito da un circuito (attivo o passivo) che fornisce
in uscita una frazione del segnale presente al suo ingresso.
Avremo alluscita: Y (t) = AX(t). Se il segnale presente allingresso `e sinusoidale, luscita Y (t) sar`a anchessa sinusoidale. Leetto della funzione di trasduzione A `e quello di modicare fase ed ampiezza del segnale presente in ingresso.
Se A `e tale da non modicare, ad una certa frequenza f0 , n`e lampiezza n`e la
fase del segnale presente in ingresso, cio`e se per f = f0 `e A = 1 (reale), allora
potremo pensare di utilizzare Y (t) al posto dellingresso X(t) ed aspettarci che il
sistema mantenga delle oscillazioni (eventualmente smorzate) di frequenza f0 .
Ci`o `e quanto in realt`a avviene. Il circuito descritto dalla funzione di trasferimento
`e il circuito di feedback (o di reazione). La condizione A = 1 `e nota come
condizione di Barkhausen. Essa deve essere vericata ad una sola frequenza.
Il circuito di feedback nel caso generale pu`o esser disegnato come in gura 16.2.
Avremo:
e(t) = X(t) + X (t)
X  (t) = Ae(t) = AX(t) + AX (t)
da cui:
X  (t)(1 A) = AX(t)
X  (t) =

A
X(t)
1 A
427

(16.1)

428

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

X(t)

amplificatore

e(t)

X(t)

X(t)

filtro passa-banda

Figura 16.2: Circuito di feedback nel caso generale.


Se deniamo un guadagno con feedback, Af , come:
Af =
vediamo che:
Af =

X  (t)
X(t)

(16.2)

A
1 A

(16.3)

che va ad innito per A = 1 (reale). Ci`o implica che, con X(t) = 0, il sistema
avr`a un valore nito del segnale in uscita X  (t).
La condizione di Barkhausen dovr`a essere soddisfatta ad una sola frequenza f0
(frequenza di oscillazione) che `e quella che annulla la parte immaginaria di A. La
condizione che A = 1 per f = f0 (che cio`e sia uguale ad 1 la parte reale), viene
poi adoperata per determinare gli altri parametri dellamplicatore e della rete di
reazione.
Esaminiamo pi`
u in dettaglio il circuito con feedback, che `e ridisegnato in gura 16.3.

amplificatore

rumore

filtro passa-banda

Figura 16.3: Il medesimo circuito con feedback di gura 16.2, dove `e stata evidenziata la
sorgente di rumore (in realt`
a interna ai componenti) che innesca le oscillazioni

16.2 Realizzazione di un oscillatore sinusoidale

429

Qui abbiamo indicato esplicitamente un componente nora ignorato, il rumore.


Rumore `e presente in tutti i componenti del circuito, ed esso si estende sullintero
spettro di frequenze. Per evidenziarne la presenza lo attribuiamo ad una sorgente
ttizia, esterna al circuito. Questa `e una schematizzazione che, come si vedr`a nel
capitolo dedicato al rumore, `e spesso adottata.
Lamplicatore, a larga banda, amplica tutte le componenti di Fourier presenti
nel rumore in ingresso, mentre il ltro, a banda molto stretta, consente la trasmissione, nella rete di feedback, di una componente soltanto. Vediamo cos` che solo
questa pu`o, dopo un gran numero di passaggi attraverso la catena amplicatoreltro, acquistare unampiezza apprezzabile. Notiamo che `e solo grazie alla presenza
del rumore che il circuito pu`o oscillare!
Ci si pu`o chiedere se il segnale alla frequenza del ltro, f0 , non nir`a con lesser
amplicato cos` tanto da saturare lamplicatore. Ci`o non avviene grazie al carattere
non lineare di un qualsiasi amplicatore. Ci`o signica che se il segnale allingresso ha ampiezza doppia, loutput non sar`a necessariamente raddoppiato, ma potr`a
eventualmente aumentare solo di una piccola percentuale.
Esamineremo nellappendice A leetto, sui circuiti oscillanti, della caratteristica
non lineare del transistor bipolare a giunzione.

16.2

Realizzazione di un oscillatore sinusoidale

Per realizzare un oscillatore sinusoidale dobbiamo costruire un circuito con retroazione


positiva che, ad una ben determinata frequenza, soddis le due condizioni seguenti:
lo sfasamento complessivo lungo lintera maglia deve essere uguale a zero o 2;
il guadagno in tensione lungo lintera maglia deve valere 1.
Queste due condizioni possono poi esser ottenute in due modi diversi:
a) facendo uso di un amplicatore a larga banda ed una rete passiva di reazione
che abbia una buona selettivit`a, che cio`e realizzi la condizione di Barkhausen
alla frequenza desiderata f0 ;
b) adoperando un elemento (amplicatore o altro) che, alla frequenza f0 , introduca uno sfasamento di /2 seguito da un secondo elemento che, alla stessa
frequenza, introduca uno sfasamento di /2, rispettando la condizione che il
modulo di A sia uguale ad 1.
Ci occuperemo, per cominciare, degli oscillatori sinusoidali del primo tipo. Questi
possono a loro volta essere suddivisi in due classi:
quelli in cui la rete passiva introduce uno sfasamento di ; in tal caso lamplicatore dovr`a essere invertente;
quelli in cui la rete passiva non introduce alcuno sfasamento; in tal caso
lamplicatore dovr`a essere non-invertente.

430

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Va inne notato che la condizione |A| = 1 non sar`a mai rigorosamente soddisfatta da un circuito reale. Anche se essa lo fosse a circuito spento, la variazione
dei parametri sici della rete con la temperatura potrebbe far si che la condizione
non fosse pi`
u soddisfatta a circuito acceso. Se |A| `e minore di uno loscillazione si
estinguer`a rapidamente. Il guadagno a catena aperta |A| v`a quindi scelto maggiore
di uno per evitare che le oscillazioni si smorzino. Una buona regola `e che |A| sia
maggiore di uno di circa il 5%. Tuttavia, perch`e il sistema sia stabile, occorre che se
lampiezza del segnale generato aumenta, il guadagno diminuisca. In altre parole, la
derivata dA/dV0 deve esser negativa e di valore relativamente grande. Ci`o pu`o esser
ottenuto in modo automatico, come accennato in precedenza, se si utilizza come elemento attivo un transistor bipolare, intrinsecamente non-lineare. Alternativamente
si pu`o inserire nel circuito degli elementi non-lineari, quali dei diodi. Leetto della
non-linearit`a `e quello di limitare lescursione delle oscillazioni e riportare il circuito
in zona lineare. Su ci`o torneremo pi`
u avanti.
Una caratteristica importante di un buon oscillatore `e la stabilit`
a in frequenza.
La frequenza di oscillazione potrebbe variare al variare della temperatura, a seguito
dellinvecchiamento dei componenti, etc.. Per una buona stabilit`a in frequenza `e
opportuno che lo sfasamento complessivo, cio`e la fase di A sia, in prossimit`a
della frequenza di risonanza f0 , una funzione rapidamente variabile della frequenza.
Se infatti d/df |f0 `e grande, una piccola deviazione della frequenza da f0 dar`a luogo
ad una grande deviazione dello sfasamento dal valore 0 o 2, necessario per sostenere
loscillazione.
I circuiti che analizzeremo nella prima parte di questo capitolo fanno uso di reti
di reazione costituite da elementi reattivi di tipo resistivo e capacitivo. Oscillatori di
questo tipo possono facilmente coprire il range di frequenze no a diverse decine di
kHz. Analizzeremo successivamente circuiti oscillanti con elementi reattivi di tipo
capacitivo ed induttivo, che coprono frequenze no a qualche MHz. Rientrano in
questa categoria gli schemi classici Colpitts e Hartley. Per frequenze ancora
pi`
u alte (o semplicemente per una migliore stabilit`a in frequenza) si f`a ricorso ad
oscillatori a cristallo. Questi saranno discussi nellultima parte del capitolo.

16.3

Loscillatore a sfasamento

In tale tipo di oscillatore viene adoperato un amplicatore invertente, seguito da tre


celle RC (o RL) in cascata, tali da fornire uno sfasamento complessivo di 180o . La
necessit`a di adoperare tre celle `e dovuta al fatto che lo sfasamento introdotto da
ciascuna cella `e sicuramente inferiore a 90o.
Il circuito appare come in gura 16.4.
Se ammettiamo che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innitamente
grande e quella duscita nulla, il circuito equivalente sar`a quello di gura 16.5, dove
compare il generatore dipendente Av v1 .
Per questo circuito, con le notazioni indicate in gura, abbiamo le seguenti
equazioni:
v1
i =
Z2
v1
v  = (Z1 + Z2 )i = (Z1 + Z2 )
Z2

16.3 Loscillatore a sfasamento

431

-A V

v 1

Figura 16.4: Oscillatore a sfasamento costituito da un amplicatore invertente seguito da tre


celle RC o RL in cascata.

_
V

A V

v 1

V'

V"

i'

i"

Figura 16.5: Circuito equivalente alloscillatore a sfasamento di gura 16.4.


v 
v1
= (Z1 + Z2 ) 2
Z2
Z2


Z1 + Z2
v1
1




v = v + Z1 (i + i ) = (Z1 + Z2 )
+
+
Z1 v1
Z2
Z22
Z2
i =

da cui:


v  = v1 3

v1
Z2


+

Z1
Z2

2
+1

!

Z1
+1
+3
Z2
!
 2
   2 !
 
Z1
Z1
Z1
Z1
v1
v1
+
+3
+1 +
+
Z2
Z2
Z1
Z2
Z2
Z2

v
v1
i =
=
Z2
Z2
iZ1 = i + i + i =

Z1
Z2

Z1
Z2

2

Con riferimento alla gura 16.5, il feedback `e nel nostro caso: =


Calcoliamo v1 :
!
 3
 2
 
Z
Z
Z
1
1
1
v1 = v  + Z1 iZ1 = v1
+5
+6
+1
Z2
Z2
Z2

v1
.
v1

432

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

da cui:
=

1
( ZZ12 )3

5( ZZ12 )2

+ 6( ZZ21 ) + 1

e quindi:
A =

( ZZ12 )3

Av
Z1 2
5( Z2 ) +

6( ZZ12 ) + 1

La condizione: A = 1 (reale) implica:


 3
 2
 
Z1
Z1
Z1
+5
+6
+1
Av =
Z2
Z2
Z2
e che entrambi i membri di tale equazione siano reali (essendo Av reale). Poiche
daltronde Z1 e Z2 sono uno reale e laltro immaginario, ne segue che solo le potenze
dispari di Z1 /Z2 possono contribuire alla parte immaginaria dellespressione. La
condizione di risonanza `e allora:
 
 3
Z1
Z1
+6
= 0
Z2
Z2
che implica:

Z1
Z2

2
= 6

Da questa si ottiene per Av :


 2
Z1
+ 1 = 30 + 1 = 29
Av = 5
Z2
Av = 29
cio`e lamplicatore invertente deve avere un guadagno pari a 29, indipendentemente
dal tipo di elemento reattivo considerato.
Lequazione:
 2
Z1
= 6
Z2
ci da inoltre il valore della frequenza di oscillazione. Se ad esempio `e:
Z1 =

1
jC

Z2 = R
si ha:

da cui:

Z1
Z2

2
=

1
= 6
(RC)2

1
6(RC)2
1
=
6RC

2 =

16.3 Loscillatore a sfasamento

433

Se invece `e:
Z1 = R
1
Z2 =
jC

si ha:

6
RC
Notiamo che oscillatori di questo tipo sono convenienti nche sono trascurabili gli
eetti reattivi dellelemento attivo. Essi vengono pertanto adoperati no a qualche
centinaio di kHz.
Un esempio di oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale
`e quello di gura 16.6.
=

R1

Figura 16.6: Oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale.


Notiamo che lamplicatore, costituito dalloperazionale con la resistenza di feedback R1 e la resistenza dingresso R, ha luscita collegata alla rete CR-CR-CR (la
terza resistenza R `e quella sullingresso invertente delloperazionale, che `e una massa
virtuale).
Il guadagno dellamplicatore indicato dal rettangolo tratteggiato `e: Av =
R1 /R. La condizione |Av | = 29 richiede che sia R1 = 29R. In realt`a, come
gi`a detto, `e bene che tale condizione sia soddisfatta con un qualche margine (e.g. se
R=1k dovr`a essere R1  31k).
Un oscillatore a sfasamento analogo a questo `e indicato nella gura 16.7.
Analizziamo il funzionamento di questo circuito. La condizione di Barkhausen `e
evidentemente: v1 = v2 (a catena aperta).
Procedendo in modo analogo a quello seguito nellanalizzare il caso generale
discusso in precedenza e facendo uso della variabile complessa s, avremo:
v2 = R2 i
v =

v2
i
=
sC
sR2 C

434

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

i'
C

i"'

i"

V"
R1

C
1

V'
i

R2

R1

V
+

Figura 16.7: Oscillatore a sfasamento che utilizza un amplicatore operazionale.


v
v2
=
R1
sR1 R2 C


v2
1


i = i2 + i =
1+
R2
sR1 C



i
v2
1


v = v +
=
2+
sC
sR2 C
sR1 C



v
v2
1
=
i1 =
2+
R1
sR1 R2 C
sR1 C


1
v2
3


+
i = i + i1 =
1 +
R2
sR1 C
(sR1 C)2 )


v2
4
1
i

=
3+
+
v1 = v +
sC
sR2 C
sR1 C (sR1 C)2
imponendo la condizione che questo sia uguale a v2 , otteniamo:


1
1
4
R2 =
+
3+
sC
sR1 C (sR1 C)2
i2 =

Poniamo ora: s = j. La parte immaginaria dellespressione scritta per R2 `e:


3
1

+ 2 3 3
C
R1 C
che si annulla per:
= 0

1
3R1 C

Per tale valore di , R2 vale:


4
= 12R1
2R1 C 2
In pratica si sceglier`a un valore di R2 leggermente pi`
u alto di questo, diciamo
del 5%, se si vuole evitare un rapido smorzamento delle oscillazioni. Lampiezza
di queste sar`a limitata dal fatto che, per eetto del feedback, il dispositivo attivo
uscir`a rapidamente dalla zona lineare.
R2 =

16.4 Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare

16.4

435

Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare

Sappiamo che in un amplicatore a transistor ad emettitore comune luscita `e sfasata di 180o rispetto allingresso. Se quindi inseriamo una rete passiva di feedback
che introduca un ulteriore sfasamento di 180o e dimensioniamo opportunamente
lattenuazione introdotta dalla rete, possiamo realizzare un oscillatore sinusoidale.
Come negli esempi precedenti, la rete passiva potr`a essere ottenuta tramite tre
elementi CR-CR-CR, come mostrato in gura 16.8.
Vcc
Rc

Rb

Re

Ce

Vbb
R'

Figura 16.8: Amplicatore a transistor ad emettitore comune con una rete passiva di feedback
costituita da tre elementi CR.

Notiamo che la resistenza associata al terzo gruppo CR `e costituita dalla resistenza R in serie con il parallelo di Rb ed hie . Ammetteremo che sia Rb hie .
Per esaminare il comportamento di questo circuito, sostituiamo al transistor il suo
modello a parametri h, ottenendo in tal modo il circuito equivalente mostrato in
gura 16.9 (dove abbiamo trascurato hre ed hoe ) e dove R  R + hie .
i

i'

i"

v'

hfe ib

Rc

Rc

i"'

v"

C
R

R1

v"'

C
R

R2

R'

hie

Rb>>hie

Figura 16.9: Circuito equivalente a quello di gura 16.8 ottenuto col modello a parametri h
per il transistor.

436

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Calcoliamo la corrente i a partire da ib , come fatto negli esempi precedenti.


i = ib
v  = (R + hie )ib Rib


1
ib


= ib R +
v = v +
sC
sC


v 
1
iR2 =
= ib 1 +
R
sRC


1


i = i + iR2 = ib + iR2 = ib 2 +
sRC


i
3
R


v = v +
= ib R +
+
sC
sC (sRC)2


1
v
3
= ib R +
+
iR1 =
R
sRC (sRC)2


4
1


i = i + iR1 = ib 3 +
+
sRC (sRC)2


5R
i
R
6

= ib R +
+
+
v = v +
sC
sC (sRC)2 (sRC)3


v
ib R
1
6
5
=
+
1+
iRc =
+
Rc
Rc
sRC (sRC)2 (sRC)3
La corrente nel circuito di collettore `e allora:

= ib

hf e ib = i = i + iRc =
1
5
1
R
6
4
+
+
+
+
+
3+
2
2
2
sRC (sRC)
Rc sRc C Rc R(sC) ) Rc R (sC)3


(16.4)

Lespressione in parentesi quadra deve, come visto in precedenza, essere reale.


Uguagliando a zero la parte immaginaria (cio`e la somma dei termini che contengono potenze dispari di s), otteniamo:
6
1
4
+
+ 3 2
= 0
sR (sRc ) s R Rc C 2
cio`e, ponendo s = j:
6
1
4
= 0
+

2
R Rc Rc R C 2 3
da cui si ottiene dopo qualche passaggio:
2 =

1
(6 + 4 RRc )R2 C 2

La frequenza di risonanza f0 = 0 /(2) sar`a quindi:


f0 =

1

2RC 6 + 4 RRc

(16.5)

16.5 Loscillatore sinusoidale in quadratura

437

dalla (16.4), sostituendo il valore ottenuto per 0 , si ha:




1
R
5
hf e = 3 2 2 2 +

R C 0 Rc Rc RC 2 02
che, con qualche passaggio si riduce a:
hf e = 23 + 29
Ponendo k

R
,
Rc

R
Rc
+4
Rc
R

questa diventa:
hf e = 23 + 29k +

4
k

Da questa possiamo ricavare k:


R
hf e 23
k =
=
+
Rc
58


(

23 hf e 2
4
)
58
29

Dati hf e ed 0 si pu`o ricavare R/Rc da questultima equazione e poi RC dalla (16.5).


Notiamo che, anche il radicando sia positivo occorre che sia:
2

hf e 23
4
>
58
29
cio`e:
hf e > 23 +

464 = 44.6

Se hf e `e minore di tale valore, il circuito non potr`a oscillare.


Un esempio concreto di oscillatore a sfasamento a transistor bipolare `e quello di
gura 16.10.
Notiamo che i due transistor BC107 sono adoperati nella congurazione Darlington, con che limpedenza dingresso `e estremamente elevata.

16.5

Loscillatore sinusoidale in quadratura

La condizione di Barkhausen A = 1 (reale) implica che lo sfasamento complessivo


dellamplicatore con reazione positiva debba essere nullo. Ci`o pu`o esser ottenuto
utilizzando un amplicatore che introduca uno sfasamento di +90o ed una rete di
reazione costituita da un secondo amplicatore che introduca uno sfasamento di
90o (metodo b a pagina 429). Si parla allora di oscillatore in quadratura.
Un sistema basato su tale schema pu`o esser realizzato facendo uso di un integratore invertente seguito da uno non-invertente. Un integratore non-invertente `e
quello mostrato in gura 16.11
La condizione v = v+ fornisce:
1
v2
v1
=
R2
1
R1 + sC1 sC1
R2 + sC1 2

438

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali


Vcc=9 V

470

47k

10n

10n

10n

12k

10k

10k

10

BC107

100

Out

BC107

100

100

Figura 16.10: Oscillatore a sfasamento a transistor bipolare.


C2

R2

V1

V2

R1

C1

Figura 16.11: Circuito integratore non-invertente.


dove la soprascrittasta ad indicare la trasformata di Laplace. Da questa segue:
v2 =

v1 (1 + sC2 R2 )
sC2 R2 (1 + sC1 R1 )

che, per R1 C1 = R2 C2 ci d`a:


v2 =

1
C2 R2

v1
s

che `a appunto la trasformata della risposta di un integratore non-invertente.


Se ora a tale circuito facciamo seguire un integratore invertente, otteniamo il
circuito di gura 16.12 che, come vedremo, si comporta da oscillatore sinusoidale.
Loperazionale A, con le capacit`a C1 , C2 e le resistenze R1 , R2 , costituisce un
integratore non invertente. Questo `e alimentato dallintegratore invertente costituito

16.6 Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali

439

C2

C3
R2

R3

Vo

V1

R1

C1

Figura 16.12: Oscillatore sinusoidale ottenuto con un integratore non-invertente seguito da


uno invertente.

dalloperazionale B con la capacit`a C3 e la resistenza R3 . Poiche la funzione di


trasduzione dellintegratore invertente `e data da:
v1 =

1 v0
C3 R3 s

la funzione di trasduzione della maglia sar`a:


v1 =

1 1 + sC2 R2 1
v1
sC3 R3 1 + sC1 R1 sC2 R2

Ponendo C1 = C2 = C3 = R, R1 = R2 = R3 = R e quindi:
C1 R1 = C2 R2 = C3 R3 = CR
segue:
1
2 C 2 R2

= 1

dove si `e fatto uso della sostituzione s = j. Si ottiene in tal modo per la frequenza
angolare di oscillazione:
1
=
RC
Nella pratica `e necessario che R2 C2 sia maggiore di R1 C1 se si vuole che le
oscillazioni persistano.

16.6

Circuiti limitatori negli oscillatori sinusoidali

In tutti gli esempi visti si `e accennato allopportunit`a che |A| sia leggermente
maggiore di 1, per evitare un rapido smorzamento delle oscillazioni. Ci`o potrebbe
per`o causare una rapida uscita degli amplicatori dalla loro zona lineare, con che le
oscillazioni sarebbero fortemente deformate.

440

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Per ovviare a tale inconveniente `e opportuno inserire nella rete di reazione un


elemento che riporti il sistema in zona lineare.
Ci`o pu`o esser ottenuto in vari modi. Un metodo spesso adoperato `e quello di
sostituire una resistenza (ad esempio, nelloscillatore a sfasamento di gura 16.6, la
resistenza R posta allingresso invertente delloperazionale) con una resistenza che
abbia un coeciente di temperatura positivo (cio`e un sensistore 1 ). In tal modo, se il
guadagno dellamplicatore aumenta, aumenter`a la corrente in R con un conseguente
aumento del valore di questa e diminuzione del guadagno G = R1 /R. Si potrebbe
alternativamente aggiungere in serie ad R una resistenza di piccolo valore ma avente
un coeciente di temperatura positivo.
Unalternativa alluso del sensistore `e quella di inserire una coppia di Zener contrapposti, in serie con una resistenza di valore inferiore ad R1 , in parallelo ad R1 ,
come mostrato in gura 16.13.

D1

D2

R2

R1
R
Vin

Vout

Figura 16.13: Oscillatore sinusoidale con |A| > 1 a cui `e stata aggiunta una coppia di diodi
Zener contrapposti in serie ad una resistenza nella rete di reazione per mantenere il sistema in zona
lineare.

In questo circuito, se vout `e inferiore a vz + v i diodi Zener sono interdetti ed


il guadagno dellamplicatore sar`a uguale a R1 /R. Se vout aumenta oltre vz + v , i
diodi conducono e la resistenza di feedback diviene ora R2 R1 (inferiore quindi ad
R1 ) con che il guadagno diminuisce no a (R2 R1 ) /R.
Un ramo analogo a quello contenente i diodi in gura 16.13 pu`o essere utilizzato,
nel circuito di gura 16.11, in serie con la capacit`a C2 .

16.7

Loscillatore a mezzo ponte di Wien

Questo adopera un amplicatore non-invertente, come indicato in gura 16.14.


Se facciamo lipotesi che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innita e
quella duscita sia nulla, possiamo far uso del circuito equivalente di gura 16.15 per
vericare il funzionamento
1

cio`e una resistenza il cui valore aumenti allaumentare della temperatura e quindi allaumentare
della corrente che lattraversa. Un esempio di sensistore `e una lampadina ad incandescenza

16.7 Loscillatore a mezzo ponte di Wien


C

441
R

Vo

+
C

Figura 16.14: Oscillatore a mezzo ponte di Wien.


R

Av V

Figura 16.15: Circuito equivalente alloscillatore a mezzo ponte di Wien.


Da tale circuito si ottiene facilmente:
v1 = (Av v1 )

Zp
Zp + Zs

dove Zs `e limpedenza-serie e Zp quella parallelo di R e C:


Zp =

R/sC
R + 1/sC

Zs = R + 1/sC
Si ottiene in tal modo:
Av =

(sRC)2 + 3(sRC) + 1
sRC

La parte immaginaria di tale espressione si annulla per:


sRC +
cio`e:

1
= 0
sRC

(sRC)2 = 1

442

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

e quindi, ponendo s = j, per:


=

1
RC

Per tale valore di si ha Av = 3. Questo dovr`a quindi essere il guadagno


dellamplicatore.

16.8

Loscillatore a ponte di Wien

In tale tipo di oscillatore un ponte bilanciato (vedi gura 16.16) viene adoperato
come circuito di feedback.

R1

R2

v'

C
R

}
}

Figura 16.16: Oscillatore a ponte di Wien.


I quattro rami del ponte sono costituiti dalle impedenze R1 , R2 , Z1 , Z2 . Linput
del ponte `e luscita v0 delloperazionale e loutput del ponte tra i nodi 1 e 2 fornisce
linput dierenziale allamplicatore operazionale (vedi gura 16.17). Se il ponte `e
bilanciato, avremo v12 = 0, con un valore nito di v0 . Ci`o richiede che la tensione
nel punto 2, determinata dal partitore R1 R2 , sia uguale a quella nel punto 1,
determinata dal partitore Z1 Z2 , cio`e che sia:
Z1
R1
=
R2
Z2
In denitiva, nel circuito di gura 16.16, se il ponte `e bilanciato, la dierenza
di potenziale tra lingresso invertente e quello non invertente delloperazionale, sar`a
nulla. Ci`o richiede che il feedback negativo introdotto dal ramo R1 R2 bilanci
quello positivo introdotto dal ramo Z1 Z2 . Questultimo `e dato da:
vf
Z2
v1
=
=
=
v0
v0
Z1 + Z2

16.8 Loscillatore a ponte di Wien

443

mentre il primo `e:


1
R2
=
R1 + R2
A
dove con A abbiamo indicato il guadagno dellamplicatore non invertente:
A=1+

Vo

R1
R2

R1

R
2

Z2

R2

Figura 16.17: Circuito equivalente alloscillatore a ponte di Wien di gura 16.16.


Il guadagno dellanello `e A:
A =
cio`e:
A =

R1
Z2
(1 +
)
Z1 + Z2
R2

(16.6)

R1

(1 +
)
2
3 j(1 )
R2

dove: RC. La condizione di Barkhausen: A = 1 (reale) impone che sia:


1 2 = 0
cio`e = RC = 1. Se tale condizione `e soddisfatta, lulteriore vincolo:


1
R1
A = 1 =
1+
3
R2
porta a:
1+
cio`e:

R1
= 3
R2

R1
= 2
R2

` possibile cambiare con continuit`a la frequenza di risonanza cambiando simulE


` possibile poi modicare il range di
taneamente il valore dei due condensatori C. E
frequenza (in modo discontinuo) cambiando i valori delle due resistenze (uguali) R.

444

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Luscita di tale circuito, se montato senza ulteriori precauzioni, potrebbe facilmente saturare al livello alto o a quello basso dellA.O., o esibire instabilit`a nelle
` possibile renderlo stabile, come accennato in precedenza, con lagoscillazioni. E
giunta di opportuni diodi. Un esempio `e quello mostrato in gura 16.18. I due
diodi servono a bypassare la resistenza R3 e quindi a ridurre il guadagno (dato
nellesempio da 1 + (R1 + R3 + f X)/(R2 + (1 f ) X), con f il fattore di regolazione
del potenziometro X) non appena luscita tenda a divenire troppo alta in valore
assoluto.
D1
R2
10k

X
10k

R1

10k

10k

D2

R3

Vout

10n
10k
10n

10k R

C
R

Figura 16.18: Oscillatore a ponte di Wien stabilizzato grazie alla presenza di due diodi in
parallelo con una resistenza R3 .

16.8.1

Poli e zeri di A per loscillatore a ponte di Wien

` interessante analizzare la funzione che descrive il guadagno di maglia A per


E
loscillatore a ponte di Wien. In termini della variabile s, la (16.6), con:
Z1 =

1 + sCR
sC

Z2 =

R
1 + sCR

A=1+

R1
R2

diventa:
A = A
dove = RC.

s2 2

s
+ 3s + 1

(16.7)

16.8 Loscillatore a ponte di Wien

445

Questa descrive un ltro passa-banda di ordine 2. Confrontando il denominatore


con lespressione standard gi`a incontrata nel capitolo 14:
s2 +

0
s + 02
Q0

troviamo la corrispondenza:
0

Q0

1
3

Se poi si vuole che anche il numeratore acquisti la forma standard: s0 /Q0 , `e facile
vedere che il guadagno A deve valere 3. Con tale scelta A acquista la forma
standard del ltro passa banda, con frequenza di centro banda pari ad 0 ed inoltre
essa soddisfa automaticamente la condizione A = 1 per = 0 , come `e immediato
vericare.
Vediamo cosa accade se A = 3. Per un generico valore di A2 e con la corrispondenza tra coecienti gi`a vista, la (16.7) diventa:
A =

s2

As0
+ Q00 s + 02

dove Q0 = 1/3.
Imponiamo la condizione che questa sia uguale ad 1. Troviamo:


1
2
s + s0
A + 02 = 0
Q0
cio`e:
s2 + s0 (3 A) + 02 = 0

(16.8)

Studiamo la variazione degli zeri di questa funzione o, equivalentemente, dei poli


di:
H(s) =

s2

1
+ s0 (3 A) + 02

al variare del guadagno A.


Per A = 0 troviamo:
s1,2 =


0 
3 5
2

cio`e:
s1 = 2.620 ;

s2 = 0.380

Per A = 1:
s1 = s2 = 0
Per A = 5:
s1 = s2 = 0

(16.9)

446

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali


j

A=3

0
A=0
X
-2.62 0

A=1
X

A=0
X
-0.38 0

A=5

X
A=3

Figura 16.19: Posizioni dei poli della funzione H(s) data dalla (16.9), per diversi valori del
guadagno A.

Per A = 3 troviamo, come si `e gi`a visto, s1 = j0 , s2 = +j0 . I poli della


funzione (16.9) sono mostrati in gura 16.19 per i diversi valori di A esaminati.
Si vede come la posizione dei poli cambi al cambiare del guadagno A. Vediamo
anche che la soluzione A = 3 `e quella che fornisce una coppia di poli immaginari
coniugati, cui corrisponde un comportamento oscillante. Per ciascuno degli altri
valori di A esaminati, il comportamento `e smorzato (`e il caso in cui A = 0 o A = 1)
o instabile (per A = 5).
Notiamo inne che lequazione (16.9) `e formalmente identica a quella ottenibile
per un oscillatore armonico smorzato, quale quello che descrive il moto di una massa
m sottoposta ad una forza elastica di richiamo, in presenza di una forza dattrito
proporzionale alla velocit`a. Se infatti k `e la costante elastica e la costante che
descrive lattrito, lequazione del moto sar`a:
m
x + x + kx = 0
La trasformata di Laplace di questa `e:
ms2 X(s) msx(0) mx(0)

+ sX(s) x(0) + kX(s) = 0


dove X(s) `e la trasformata della x(t) e x(0), x(0)

sono la posizione e velocit`a delloggetto al tempo t = 0. Se ammettiamo che sia x(0) = 0 ed indichiamo con v la
velocit`a per t = 0, questa diventa:

2


ms2 + s + k X(s) = 0

esamineremo anche il caso A=0, impossibile con la congurazione adottata per lamplicatore,
1
e sicuramente maggiore di 1
in cui il guadagno A = 1 + R
R2 `

16.8 Loscillatore a ponte di Wien

447

da cui:

mv
+ s + k
ovvero, a meno di una costante moltiplicativa v:
X(s) =

X(s) =

ms2

1
s2 +

s
m

k
m

Questa `e formalmente identica alla (16.9), con la corrispondenza:


3 A


1
km

k
m
Anche in questo caso il moto `e puramente oscillatorio se = 0, che equivale alla
condizione da noi trovata: A = 3.
0

16.8.2

Stabilit`
a in frequenza delloscillatore a ponte di Wien

Le considerazioni che svolgeremo in questa sezione, anche se relative alloscillatore


a ponte di Wien, sono facilmente applicabili ad altri tipi di oscillatori sinusoidali.
Il problema che principalmente inuenza la stabilit`a in frequenza di un oscillatore
sinusoidale `e legato alle capacit`a parassite presenti nei componenti attivi adoperati.
Tali capacit`a sono tipicamente non lineari, il che f`a s` che esse cambino al cambiare
dei parametri ambientali, nonch`e con linvecchiamento dei dispositivi. Come risultato il guadagno dellelemento attivo, la cui fase si vorrebbe uguale a 00 o 1800 pu`o
divenire qualsiasi. Poich`e loscillazione pu`o aversi solo a quella frequenza a cui lo
sfasamento introdotto dalla rete di reazione compensa quello dovuto allelemento
attivo, accadr`a che la frequenza doscillazione cambier`a ed acquister`a quel valore a
cui i due sfasamenti si compensano. Ne segue che la frequenza doscillazione potr`a
cambiare, ad esempio, con la temperatura.
Il problema pu`o esser risolto facendo ricorso ad un blocco di reazione avente
una caratteristica di fase con una forte dipendenza dalla frequenza. In tal modo
infatti, se lo sfasamento introdotto dallelemento attivo cambia ed acquista un valore
, diverso da zero, la rete di reazione render`a possibile loscillazione ad una
nuova frequenza  molto poco diversa da quella iniziale . Ci`o `e possibile poich`e
alla frequenza  , poco diversa da corrisponder`a (per lipotesi fatta di una forte
dipendenza dello sfasamento da ) uno sfasamento abbastanza grande da poter
compensare . Reti passive con la caratteristica richiesta sono quelle basate su
circuiti risonanti RLC, o ancor pi`
u su cristalli piezoelettrici.
Considerazioni simili possono essere svolte relativamente alloscillatore a ponte
di Wien. Anche in questo caso potr`a aversi una buona stabilit`a in frequenza se, ad
una variazione apprezzabile di sfasamento corrisponde una piccola variazione della
frequenza doscillazione.
Si denisce un fattore di stabilit`
a in frequenza Sf come:
Sf =

d
d
d
= f0
= 0
d(f /f0 )
df
d

(16.10)

448

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Un oscillatore avr`a una buona stabilit`a se Sf ha un valore elevato (in modulo).


Consideriamo ad esempio loscillatore a ponte di Wien di gura 16.16, che possiamo ridisegnare schematicamente come mostrato in gura 16.20, dove sono indicati solo gli ingressi (+) e (-) dellamplicatore operazionale, nonch`e luscita v0 del
medesimo.
v0
R1

R
+
C

R2

Figura 16.20: Schematizzazione delloscillatore a ponte di Wien.

Sono indicati solo i


componenti passivi presenti nella rete di feedback e gli ingressi (+) e (-) delloperazionale.

Come si `e visto, la reazione negativa associata al partitore R1 R2 deve, alla


frequenza di risonanza, uguagliare quella positiva + associata alla rete di reazione
C R R C. Questultima `e data da:
1
v+
sCR
=
+ =
= 2 2 2
v0
s C R + 3sCR + 1
sCR + 3 + 1/(sCR)
La frequenza di risonanza `e 0 = 1/RC, per cui, ponendo s = j, lultima espressione diventa:
1

+ =
(16.11)
3 + j 0 0
Questa, alla frequenza di risonanza 0 , fornisce + = 1/3. Perch`e il ponte sia
bilanciato occorre che sia + = = 1/3, cio`e:
R2
1
(16.12)
=
=
R1 + R2
3
Ammettiamo ora che il ponte non sia esattamente bilanciato, cio`e che differisca, anche se poco, da 1/3. Scriveremo:
R2
1 1
(16.13)
=
R1 + R2
3
Ora, la funzione di trasferimento complessiva, tra linput del ponte (cio`e v0 ) e
loutput dierenziale (cio`e v+ v ) `e data da:


1 1

= + = +
(16.14)
3
=

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

449

Lo sfasamento associato a tale funzione di trasferimento dipende, oltre che da ,


dalla frequenza . Per = 0 avremo + = 13 e quindi = 1 . Ci`o implica che il
guadagno dellamplicatore dovr`a essere A = , in modo che sia A = 1.
Lo sfasamento associato a `e ora facilmente ottenibile dalle equazioni (16.11)
e (16.14). Si trova:

= + =

3+j

1
1 1
+ =
3

1
3

3 + j 0


3 + j 0 0
1


=

9 + j ( 3) 0 0


= 
9 + 3j 0 0

Lo sfasamento `e allora:

 




0
0
1 3
1 1

= tan
tan
9
0

3 0

Il fattore di stabilit`a in frequenza `e dato dalla (16.10), cio`e da:




 2 
 2 
3
1
0
1+
1 + 0
9
3
d
=
Sf =
2

2
 2

d (/0)
0
0
1

1 + 3

1
+

9
0

9 0

(16.15)

(16.16)

Landamento di questa funzione di /0 `e mostrato in gura 16.21 per tre diversi


valori dello sbilanciamento del ponte, .
Vediamo che la stabilit`a in frequenza per loscillatore a ponte di Wien `e tanto
maggiore quanto maggiore `e lo sbilanciamento .
Per = 0 , la (16.16)fornisce:
Sf =

2
2
2
(3 ) =
9
3
9

che per = 300 `e uguale a -66.67.


Per questo valore di , e con R1 = 20k, troviamo:
1+
da cui:

R1
3
= 3.030
=
R2
3
R1
= 2.030
R2

e quindi R2 = 9.85 k.

16.9

Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

Per realizzare oscillatori in grado di raggiungere frequenze pi`


u elevate di quelle
ottenibili con i circuiti discussi nora, si ricorre a sistemi che utilizzano elementi

450

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

20

40

60

Sf

80

100

120

140

160

180
0.85

0.9

0.95

=100
=200
=800

1.05

1.1

Figura 16.21: Fattore di stabilit`a per loscillatore a ponte di Wien, dato dalla (16.16), in
funzione del rapporto /0 , calcolato per tre diversi valori dello sbilanciamento .

reattivi di tipo capacitivo ed induttivo. A causa dei limiti imposti dallo slew-rate
degli operazionali, molto spesso questi circuiti adottano, come elementi attivi, dei
transistor bipolari o dei FET.
Questo tipo di oscillatori sono basati sul carattere risonante di un circuito LC,
quale quello mostrato in gura 16.22. Come sappiamo, in un circuito LC, si ha una
periodica trasformazione dellenergia immagazzinata nellinduttanza, sotto forma
di energia magnetica, in energia elettrostatica del condensatore, e viceversa. Tale
oscillazione dellenergia `e analoga a quanto avviene nel caso dellaltalena, in cui
energia potenziale viene periodicamente convertita in energia cinetica e viceversa.
Sia nel caso del circuito LC che nel caso dellaltalena, eetti dissipativi fanno s` che
loscillazione si smorzi. Nel caso dellaltalena `e per`o suciente che una persona dia
periodicamente una leggera spinta, perch`e loscillazione continui. Analogamente,
nel caso del circuito LC `e suciente, come vedremo, che un dispositivo attivo fornisca, in fase con loscillazione, una piccola corrente (o tensione) perch`e si abbia un
oscillazione persistente.
Esaminiamo in dettaglio il circuito di gura. Ammettiamo che vin sia un segnale
sinusoidale del tipo:
vin = A sin t
e calcoliamo vout .

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

451

R
vin
L

vout

Figura 16.22: Circuito oscillante RLC.


Limpedenza del parallelo LC `e data da:
Z =

1
s
ZC ZL
(1/sC) (sL)
=
=
2
ZC + ZL
(1/sC) + sL
C s + 1/LC

Ponendo ora:
02 = 1/LC
questa potr`a esser scritta nella forma3 :
Z(s) =

s
1
2
C s + 02

(16.17)

La forma matematica di tale impedenza pu`o esser confrontata con quella del
ltro passa-banda (tabella(14.1)):
G(s) =

s2 +

0
s
Q0
0
s+
Q0

02

(16.18)

La (16.17) `e ottenibile dalla (16.18) ponendo Q0 , il che implica una larghezza di banda innitamente piccola. Limpedenza Z diviene innitamente grande per
= 0 , mentre acquista valori niti per = 0 .
La relazione tra vin e vout nel circuito di gura `e:
Z
s/ (s2 + 02 )
vout
=
=
vin
R+Z
(s2 + 02 ) + s
dove = RC. Da questa si ottiene:
vout
= 2
vin
s +

+ 02

(16.19)

Questa ha ancora la forma della (16.18), con la corrispondenza:


0
1
1
=

Q0

RC
3

Notiamo che ponendo nella (16.17) s = j `e facile vedere che per 0 limpedenza diviene
1/jC, cio`e di tipo capacitivo. Viceversa, per 0 essa diviene di tipo induttivo: jL

452

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

da cui:
RC
Q0 =
= R
LC

C
L

Vediamo da questa che Q0 , e quindi la larghezza del picco di risonanza (che v`a come
linverso di Q0 ) `e determinato dai valori di R, C ed L. Lespressione ottenuta mostra
che, se si vuole un picco molto stretto occorre, a parit`a dei valori di L e C, scegliere
una resistenza di valore elevato4 .
Esaminiamo un esempio numerico:
L = 0.1 H
C = 10 F
R = 100
Troviamo:
0 =

1
= 106 rad/s
LC

0
= 0.159 MHz
2

Q0 = 100 102 = 1000

f0 =

Questo valore di Q0 corrisponde ad una larghezza di banda data da:


  =

0
= 159 rad/s
Q0

o, in termini della frequenza f :


= f  f  = 25 Hz
Il risultato ottenuto ci d`a unidea della grande selettivit`a in frequenza che un
circuito LC pu`o avere. Nellesempio fatto, tutte le frequenze presenti alluscita del
generatore, situate al di fuori del range f0 saranno fortemente soppresse, quelle
situate in prossimit`a di f0 saranno presenti.
` altrettanto importante esaminare lo sfasamento introdotto dal circuito. DalE
la (16.19), ponendo s = j, troviamo:
2 / 2 + j (02 2 ) /
j/
vout
=
= 2
2
vin
0 2 + j/
(02 2 ) + 2 / 2
da cui otteniamo lo sfasamento :

 2
0 2

Vediamo che lo sfasamento `e nullo alla risonanza ( = 0 ) mentre esso si discosta


sensibilmente da zero appena fuori dalla risonanza. Ad esempio, nel caso numerico
= tan1

Si pu`
o dimostrare che il valore di Q0 `e una misura del numero di oscillazioni che il circuito,
eccitato da un gradino unitario, eettua in un tempo pari a . Per una dimostrazione si veda
lappendice B

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

453

esaminato sopra, con 0 = 106 rad/s e = 1 ms, se dierisce da 0 per appena


159 rad/s (25 Hz), troviamo:
= 17.6o
Unimplementazione di un circuito oscillante che f`a uso di un circuito LC nella
rete di reazione di un amplicatore a transistor `e quella mostrata in gura 16.23.

vcc

L1

C
L2

R1

Cb

vout

R2

Cc

Re

Figura 16.23: Circuito oscillante che adopera un LC nel circuito di collettore di un amplicatore
a transistor bipolare, con feedback sullemettitore.

Alla risonanza il carico eettivamente presente sul collettore, costituito dal parallelo LC, subir`a un notevole aumento. Di conseguenza aumenter`a il guadagno
dellamplicatore, e quindi il segnale sul collettore del medesimo. A causa del feedback sullemettitore (feedback positivo) il segnale alla frequenza di risonanza viene
amplicato ulteriormente. In un gran numero di cicli, un sia pur piccolo segnale
presente (a causa del rumore) nel circuito, viene amplicato in modo apprezzabile.
La non linearit`a dellamplicatore impedisce che leetto mandi in saturazione lamplicatore stesso. I segnali presenti a frequenze diverse da quella di risonanza non
subiscono lamplicazione.
Notiamo che il feedback `e ottenuto prelevando da un punto intermedio dellinduttanza L, una opportuna frazione del segnale presente nel circuito oscillante ed
inviandolo allemettitore attraverso il condensatore daccoppiamento Cc . La tensione di base viene invece mantenuta costante attraverso il partitore R1 -R2 ed il
condensatore Cb . La congurazione indicata `e nota come oscillatore Hartley. In
realt`a questo `e un caso particolare di oscillatore Hartley. Riservandoci di tornare
pi`
u avanti su tale tipo di oscillatore, passeremo ora a svolgere alcune considerazioni
di carattere pi`
u generale sugli oscillatori basati su circuiti LC.

454

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali


+

V0

V0
R0
Z3
V

Z2

i=0
Z1

Figura 16.24: Struttura generale di un oscillatore a tre punti.

16.9.1

Struttura generale di un oscillatore a tre punti

Gli oscillatori sinusoidali che utilizzano circuiti LC rientrano nella categoria generale
degli oscillatori a tre punti del tipo mostrato in gura 16.24.
Qui abbiamo unamplicatore invertente di guadagno A (A < 0) ed una catena
di feedback costituita da tre elementi passivi, inserita tra luscita dellamplicatore e
lingresso invertente e con un nodo intermedio della catena collegato a massa. Lamplicatore potrebbe essere in generale un semplice amplicatore a transistor o FET,
o anche un operazionale. Faremo per il momento lipotesi semplicatrice che limpedenza dingresso dellamplicatore sia innitamente grande, e che innitamente
grande sia anche il carico (non indicato in gura) presente in uscita. Le impedenze
Z1 , Z2 e Z3 possono essere, per il momento, generiche.
Se indichiamo con ZL limpedenza equivalente allinsieme delle tre, vista tra v0
e massa, troviamo:
ZL = Z2 (Z1 + Z3 ) =

Z2 (Z1 + Z3 )
Z1 + Z2 + Z3

avremo:
v0 = v0

ZL
R0 + ZL

e quindi:
Z1
ZL
Z1
= v0
Z1 + Z3
R0 + ZL Z1 + Z3
Da questa, con facili passaggi, si ottiene:
v  = v0

v  = v0

Z1 Z2
(Z1 + Z2 + Z3 ) R0 + Z2 (Z1 + Z3 )

Il fattore di feedback `e dato da:

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

v
Z1 Z2
=

v0
(Z1 + Z2 + Z3 ) R0 + Z2 (Z1 + Z3 )

455

(16.20)

Se le impedenze Zi sono di tipo induttivo o capacitivo, potremo scrivere:


Zi = jXi

(i = 1 . . . 3)

dove Xi = L, se Zi `e uninduttanza, mentre Xi = 1/C se Zi `e una capacit`a.


Con ci`o la (16.20) diviene:
=

X 1 X2
j (X1 + X2 + X3 ) R0 X2 (X1 + X3 )

(16.21)

Da questa otteniamo poi:


A = A

X 1 X2
j (X1 + X2 + X3 ) R0 X2 (X1 + X3 )

(16.22)

Imponiamo ora che A sia reale; ci`o richiede che sia nullo il termine che moltiplica
lunit`a immaginaria nella (16.22), e quindi:
X 1 + X2 + X3 = 0

(16.23)

Con ci`o la (16.22) diviene:


A (0 ) = A

X1
X 1 + X3

(16.24)

dove abbiamo indicato con 0 la frequenza doscillazione. Dalle (16.23) e (16.24)


otteniamo poi:
A (0 ) = A

X1
X2

(16.25)

Poich`e A(0 ) deve esser positivo ed A `e negativo, ne segue che X1 ed X2 debbono avere il medesimo segno, il che implica che i corrispondenti elementi debbono
essere o entrambi di tipo capacitivo o entrambi di tipo induttivo. Segue allora dalla (16.23) che se X1 ed X2 sono di tipo capacitivo, X3 deve essere di tipo induttivo
e viceversa.
Se X1 ed X2 sono di tipo capacitivo ed X3 `e di tipo induttivo, si ha a che fare
con un oscillatore Colpitts. Se X1 ed X2 sono di tipo induttivo ed X3 `e di tipo
capacitivo, si ha a che fare con un oscillatore Hartley. Nel primo caso la (16.23)
porta a:
1
1
+
L = 0
C1 C2
da cui:
2 = 02 =
mentre la (16.25) porta a:

C1 + C2
L (C1 C2 )

(16.26)

456

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

A (0 ) = A

C2
C1

(16.27)

La condizione A = 1 porta allora a:


A =

C1
C2

(16.28)

Nel caso di un oscillatore Hartley, la (16.23) porta a:


L1 + L2

1
= 0
C

da cui:
2 = 02 =

1
C (L1 + L2 )

(16.29)

La condizione A = 1, insieme alla (16.25) implica poi:


L2
(16.30)
L1
Nella pratica, perch`e si abbiano delle oscillazioni persistenti occorre che il guadagno |A| dellamplicatore sia maggiore dei valori indicati dalle (16.28) e (16.30).
Nelle prossime sezioni esamineremo alcuni esempi concreti di oscillatori dei due
tipi ora descritti.
A =

16.9.2

Oscillatori Colpitts

Esaminiamo ora in dettaglio un oscillatore Colpitts che fa uso di un operazionale in


congurazione invertente. Faremo ci`o tenendo anche conto del carico che loscillatore dovr`a alimentare. Il circuito `e quello mostrato in gura 16.25, dove il carico `e
costituito dalla resistenza RL . Una frazione della tensione v0 presente alluscita
delloperazionale `e la tensione vf applicata allingresso dellamplicatore. Il coeciente di feedback (funzione della frequenza ) `e dato dal rapporto vf /v0 . Il procedimento che seguiremo sar`a quello di calcolare () ed imporre poi la condizione
che il prodotto A() sia uguale ad uno.
Per calcolare possiamo far ricorso al circuito equivalente mostrato in gura 16.26, dove `e:
R2
v0 = Avf = vf
R1
Il coeciente di feedback `e facilmente ottenibile dallo schema di gura. Indicando
infatti con Z  limpedenza costituita dal parallelo di C1 ed R1 e con Z il parallelo di
C2 con la serie (Z  -L), `e immediato vericare che si ha:
v0 = v0

Z
Z + RL

(16.31)

come pure:
Z
vf = v0 
Z + jL

(16.32)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

457

R2
R1

Vf

V0
+

RL

V0

C1

C2

Figura 16.25: Oscillatore sinusoidale Colpitts che fa uso di un amplicatore operazionale in


congurazione invertente.

V0

RL
V0

L
Vf

C2
C1

R1

Figura 16.26: Schema equivalente adoperato per calcolare la risposta delloscillatore sinusoidale
di gura 16.25. Si `e tenuto conto del fatto che lestremit`a destra della resistenza R1 nel circuito
iniziale `e una massa virtuale.

dove:
Z =
` poi anche:
E

R1
jR1 C1 + 1

(16.33)

458

Z =

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

1
(jL + Z  ) jC
2

jL + Z  +

1
jC2

(R1 2 LC1 R1 ) + jL
(16.34)
(1 2 LC2 ) + j (R1 (C1 + C2 ) 3 LR1 C1 C2 )

Dalle (16.31) e (16.32) otteniamo:


vf = v0

Z
Z
Z + RL Z  + jL

(16.35)

e quindi:
=

ZZ 
vf
=
v0
ZZ  + jLZ + jLRL + Z  RL

(16.36)

La condizione A = 1 porta allora a:


ZZ  A = ZZ  + jLZ + jLRL + Z  RL

(16.37)

Z (AZ  Z  jL) = RL (Z  + jL)

(16.38)

da cui:

Questa porta poi a:


1
AZ 
1
=


Z
RL (Z + jL) RL

(16.39)

Sostituendo in questa lespressione di Z data dalla (16.33), otteniamo:


(1 2LC2 ) + jR1 ((C1 + C2 ) 2LC1 C2 )
=
R1 (1 2 LC1 ) + jL
AR1
1
=

RL (R1 + jL (1 + jR1 C1 )) RL

(16.40)

Da questa, con facili passaggi, si ottiene poi:







RL 1 2LC2 + R1 1 2 LC1 A +


+j L + R1 RL (C1 + C2 ) 2 R1 RL LC1 C2 = 0

(16.41)

Imponendo ora la condizione che si annulli il coeciente dellunit`a immaginaria


in questultima equazione, otteniamo:
L + R1 RL (C1 + C2 )
R1 RL LC1 C2
Per grandi valori di RL questa pu`o esser approssimata con:
2 =

2 =

C1 + C2
LC1 C2

Imponendo che si annulli la parte reale della (16.41) si trova poi:

(16.42)

(16.43)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

459

AR1 = (RL + R1 ) 2 L (R1 C1 + RL C2 ) =


L + R1 RL (C1 + C2 )
(R1 C1 + RL C2 )
R1 RL C1 C2
Da questa si ottiene poi per il guadagno A:


1
RL + R1 R1 C1 + RL C2
C1 + C2
A =

+
R1
R1
R1 RL C1 C2
C1 C2
= (RL + R1 )

(16.44)

Il guadagno A dellamplicatore, dato da R2 /R1 deve quindi uguagliare questespressione se si vuole che sia soddisfatta la condizione di Barkhausen. In realt`a,
come gi`a accennato in precedenza, `e buona regola che il guadagno abbia un valore
superiore a quello richiesto dalla (16.44).
Sostituendo questa espressione di A nella (16.44), otteniamo:


R2
1
RL + R1 R1 C1 + RL C2
C1 + C2
=
+
+
R1
R1
R1
R1 RL C1 C2
C1 C2

(16.45)

Abbiamo gi`a visto che per grandi valori del carico RL la frequenza angolare di
risonanza, il cui quadrato `e dato dalla (16.42), acquista la forma standard data
dalla (16.43). Possiamo vedere che, in tali condizioni, il vincolo dato dalla (16.45)
acquista una forma molto pi`
u semplice. Dalla (16.45) infatti si ottiene:


1
C1 + C2
R2 = (RL + R1 ) + (R1 C1 + RL C2 )
+
R1 RL C1 C2
C1 C2
da cui segue:


R1
R1 C1 + RL C2
C1 + C2
1
R2
= 1
+
+
RL
RL
RL
R1 RL C1 C2
C1 C2
Da questa, con facili passaggi, si ottiene:
R2
1
1
R1 C1
C2
= 2
+
+
+
RL
RL C2 C1 R1 RL RL C2 C1

(16.46)

Se nel secondo membro di questa espressione possiamo trascurare i termini


contenenti RL a denominatore, otteniamo:
C2
R2
=
RL
C1
Esaminiamo ad esempio il caso in cui sia:

C1 = 0.01F, C2 = 0.1F, L = 100H, R1 = 100k, R2 = 1M,


cui corrisponde una frequenza angolare di oscillazione:

C1 + C2
= 1.049 106 rad/s
=
LC1 C2

(16.47)

RL = 100k

460

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Vediamo che per tale scelta dei valori dei componenti il rapporto C2 /C1 vale 10
ed `e uguale al rapporto R2 /RL .
` anche facile vericare che tali valori dei componenti sono compatibili con la
E
scelta fatta di trascurare alcuni dei termini presenti nella (16.46): in eetti i tre
termini trascurati a secondo termine di tale espressione valgono, nellordine 0.001,
0.01 e 0.1.

16.9.3

Oscillatori Hartley

Esaminiamo ora in dettaglio un oscillatore Hartley che fa uso di un operazionale in


congurazione invertente. Come nel caso dellanalogo oscillatore Colpitts, faremo
ci`o tenendo anche conto del carico che loscillatore dovr`a alimentare. Il circuito
`e quello mostrato in gura 16.27, dove il carico `e costituito dalla resistenza RL .
Una frazione della tensione v0 presente alluscita delloperazionale `e la tensione vf
applicata allingresso dellamplicatore. Il coeciente di feedback (funzione della
frequenza ) `e dato dal rapporto vf /v0 . Il procedimento che seguiremo sar`a quello
di calcolare () ed imporre poi la condizione che il prodotto A() sia uguale ad
uno.

R2
R1

Vf

V0
+

RL

C
V0
L2

L1

Figura 16.27: Oscillatore sinusoidale Hartley che fa uso di un amplicatore operazionale in


congurazione invertente.

Il procedimento che seguiremo `e identico a quello seguito nel caso delloscillatore


Colpitts. Lo schema equivalente adoperato per il calcolo del fattore di feedback `e
mostrato in gura 16.28. Le impedenze Z  e Z sono date da:
jL1 R1
R1 + jL1


1

jL2 jC + Z

Z =

Z =

Z  + jL2 +

1
jC

(16.48)

(16.49)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

461

V0
RL
V0
C
Vf
L2
L1

R1

Figura 16.28: Schema equivalente adoperato per calcolare la risposta delloscillatore sinusoidale
di gura 16.27. Si `e tenuto conto del fatto che lestremit`a destra della resistenza R1 nel circuito
iniziale `e una massa virtuale.

La tensione di feedback vf `e poi data da:


vf =

v0 Z 
1
Z  + jC

(16.50)

v0 =

v0 Z
Z + RL

(16.51)

dove:

Dalle (16.50) e (16.51) si ottiene poi:


vf =

v0 ZZ 

1

Z + jC (RL + Z)

(16.52)

da cui si ottiene :
=

vf
=

v0
Z +

ZZ 

1
(RL + Z)
jC

Imponendo ora la condizione A = 1, si ottiene:


ZZ  A = RL Z  + ZZ  +

Z
RL
+
jC jC

da cui:
jCZ  (A 1) 1
1
=
Z
RL (1 + jCZ )

(16.53)

462

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Il calcolo del medesimo rapporto, eettuato a partire dalle (16.48) e (16.49),


porta a:
1 + jCZ  2 L2 C
1
=
Z
jL2 (1 + jCZ )
Uguagliando queste due espressioni di 1/Z troviamo:
2 L2 C [RL Z  (A 1)] RL = j (RL CZ  + L2 )
Sostituendo in questa lespressione di Z  data dalla (16.48) troviamo, dopo
semplici passaggi:
j 3 [CRL L1 L2 CR1 L1 L2 (A 1)] +
2 [CR1 RL L2 + CR1 RL L1 + L1 L2 ]
j [L1 RL + R1 L2 ]
RL R1 = 0

(16.54)

Imponendo ora che si annulli la parte reale di questa, otteniamo:


2 =

RL R1
1
=
CR1 RL (L1 + L2 ) + L1 L2
C (L1 + L2 ) +

L1 L2
R1 RL

(16.55)

Per C (L1 + L2 ) L1 L2 / (R1 RL ), otteniamo da questa:


2 =

1
C (L1 + L2 )

(16.56)

identica alla (16.29) della precedente sezione.


Imponendo che si annulli la parte immaginaria della (16.54), troviamo poi:
2 CL1 L2 [RL R1 (A 1)] = RL L1 + R1 L2
sostituendo in questa lespressione di 2 data dalla (16.56) e facendo uso dellespressione del guadagno dellamplicatore: A = R2 /R1 troviamo poi:
2CL1 L2 (RL + R1 + R2 ) =

1
L1 L2 (RL + R1 + R2 ) = RL L1 + R1 L2
L1 + L2

da cui segue:
R2 L1 L2 = RL L21 + R1 L22
Se in questa equazione il secondo termine a secondo membro pu`o esser trascurato
rispetto al primo, da questa segue poi:
R2
L1
=
RL
L2

(16.57)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

16.9.4

463

Oscillatori LC a transistor

Esaminiamo ora alcuni esempi di oscillatori LC a transistor, iniziando dalloscillatore Colpitts di gura 16.29. Esaminiamo alcune caratteristiche di questo circuito.
Leetto del condensatore di emettitore Ce `e quello di far s` che lemettitore sia a
massa per il segnale. La tensione oscillante nel circuito LC `e inviata, come segnale
di feedback, alla base del transistor attraverso il condensatore daccoppiamento Cc .
La presenza dellinduttanza Lc sul collettore impedisce che la componente variabile
venga cortocircuitata a massa attraverso lalimentatore. Tale induttanza `e spesso
presente in questo tipo di oscillatori, ed `e nota in gergo come choke.
Vcc

Lc
L

Cc

C1

C2

Rb
Re

Ce

Vbb

Figura 16.29: Oscillatore Colpitts a transistor. Il circuito di polarizzazione di base `e stato


schematizzato tramite la resistenza Rb in serie con un alimentatore Vbb . Linduttanza Lc `e utilizzata
per far s` che il segnale oscillante presente sul collettore non venga cortocircuitato a massa
attraverso lalimentazione Vcc . I condensatori Cc e Ce saranno scelti di valore abbastanza elevato
da poter esser considerati dei corto circuiti.
Il circuito equivalente adoperato per calcolare la frequenza doscillazione `e quello
di gura 16.30. Il transistor `e descritto attraverso i parametri hie ed hf e del modello
a parametri h. I restanti parametri hre ed hoe sono stati trascurati.
Con riferimento alle correnti indicate nel circuito equivalente, avremo:
i1
i

=
=

ic + iL
iL + i2

(16.58)

dove:
ic = hf e ib
da queste si ottiene:
iL = i1 hf e ib

(16.59)

464

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali


i

Rb

ib

ic

hie
i1
hfeib

iL

C1

i2
C2

Figura 16.30: Circuito equivalente adoperato per calcolare la frequenza doscillazione delloscillatore Colpitts a transistor di gura 16.29. La congurazione `e quella di un emettitore comune.
Il segnale presente ai capi del condensatore C2 costituisce il segnale di feedback inviato alla base
del transistor.

Indicando inoltre con v1 la tensione su C1 e con v2 quella su C2 , la (16.59) porta


a:
iL = v1 sC1 hf e ib

(16.60)

i2 = v2 sC2

(16.61)

mentre `e anche:

La corrente iL `e anche esprimibile come:


iL =

v1 v2
sL

(16.62)

da cui:
v1
= sLiL + v2
sL
Dallultima equazione, insieme alla (16.60), otteniamo:

(16.63)

iL = (sLiL + v2 ) sC1 hf e ib

(16.64)



C1
iL 1 + s2 LC1 = (sC1 v2 + hf e ib ) = i2
hf e ib
C2

(16.65)

da cui:

dove si `e fatto uso della (16.61).


Da questa otteniamo:
iL =

i2 (C1 /C2 ) hf e ib
1 + s2 LC1

(16.66)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

465

La (16.58) porta allora a:





C1 /C2
hf e ib
i = iL + i2 = i2 1 +
=

2
1 + s LC1
1 + s2 LC1


C1 /C2
hf e ib

= v2 sC1 1 +
2
1 + s LC1
1 + s2 LC1

(16.67)

La tensione v2 `e uguale a quella vb sulla base. Il rapporto tra i e la corrente che


entra in base ib `e dato da:
i
hie
Rb + hie
=
=
ib
Rb hie
Rb

(16.68)

` anche:
E
vb = hie ib
Sostituendo questa nella (16.67), otteniamo:


C1 /C2
hf e ib

i = = hie ib sC1 1 +
2
1 + s LC1
1 + s2 LC1

(16.69)

da cui:
i = ib



C2
hie sC1 + hie s3 LC12 + hie s C12 + hf e

(16.70)
1 + s2 LC1
Il fattore di feedback pu`o, in questo schema, esser denito in termini di un
rapporto tra correnti: la corrente di feedback i e quella dingresso ib . Otteniamo
allora:



C1
3
h
C
LC
+
s
1
+
s
hf e
ie 1
1
C2
i
=
=
(16.71)
ib
1 + s2 LC1
Il guadagno di maglia pu`o ora essere espresso come il prodotto di per il
guadagno associato al nodo dingresso, dato dal rapporto tra ib ed i. Ponendo
quindi:
A ib /i
e facendo uso della (16.68), otteniamo:
A =

ib
Rb
=
i
Rb + hie

(16.72)

Facciamo ora uso delle (16.71) e (16.72) per ottenere il prodotto A ed imponiamo che questo valga 1. Otteniamo:


1 + s LC1 (Rb + hie ) = Rb hie C1

Ponendo ora s = j, questa fornisce:



C1
s LC1 + s 1 +
Rb hf e
C2
3

(16.73)

466

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali






C1
2
3
Rb hf e
1 LC1 (Rb + hie ) = Rb hie C1 j LC1 j 1 +
C2
La somma dei termini immaginari in questa equazione fornisce:


C1
2 2
Rb hie LC1 = Rb hie C1 1 +
C2

(16.74)

(16.75)

da cui si ottiene facilmente:


2 =

C1 + C2
LC1 C2

(16.76)

La parte reale della (16.74) fornisce poi:




1 2 LC1 (Rb + hie ) = Rb hf e

(16.77)

da cui, sostituendo lespressione fornita dalla (16.76) per 2 segue:


C1
(Rb + hie ) = Rb hf e
C2

(16.78)

Se poi `e Rb hie , si ottiene inne:


hf e =

C1
C2

(16.79)

che `e al solito da intendersi come una disuguaglianza.


Passiamo ora ad esaminare un oscillatore Hartley a transistor, quale quello
mostrato in gura 16.31. Il condensatore C2 sar`a normalmente scelto di valore
sucientemente elevato da poter esser considerato un corto circuito alle frequenze
dinteresse. La resistenza di polarizzazione di base R1 pu`o esser considerata un circuito aperto per il segnale. Inoltre, la resistenza di polarizzazione sul collettore R2
sar`a in genere di valore sucientemente piccolo da poter essere ignorata, con che la
congurazione adottata diviene quella di collettore comune.
Se ignoriamo tutte le resistenze di polarizzazione, lalimentazione ed il condensatore C2 , il circuito si semplica nel modo mostrato in gura 16.32.
Linduttanza L, nellipotesi di uno stretto accoppiamento tra le spire, pu`o esser
assimilata ad un autotrasformatore, come mostrato in gura 16.32. In tale autotrasformatore le spire del primario sono quelle (n1 ) comprese tra i nodi b e c;
quelle del secondario sono tutte le spire dellinduttanza (n1 + n2 ). Possiamo allora
semplicare ulteriormente il circuito, sostituendo allautotrasformatore un normale
trasformatore, come mostrato in gura 16.33. Il trasformatore ha n1 spire primarie
ed n1 + n2 spire secondarie.
Facciamo ora uso del modello a parametri h per descrivere il funzionamento del
transistor, Nella congurazione adottata, di collettore comune, i parametri rilevanti
sono hic ed hf c (trascurando gli altri due parametri hoc ed hrc ). Il circuito diviene
allora quello di gura 16.34.
Adottiamo ora la tecnica discussa nel primo capitolo, di riettere i componenti
connessi al primario del trasformatore nel circuito del secondario. Nel nostro caso,

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

467

Vcc
R2
R1
C2

L2
C1
L1

Figura 16.31: Oscillatore Hartley a transistor. La polarizzazione di base `e fornita dalla rea scelto di valore abbastanza elevato da poter esser considerato
sistenza R1 . Il condensatore C2 andr`
un corto circuito.

C1

.a
n2 b
L
n1 .
c

Figura 16.32: Schema semplicato delloscillatore Hartley a transistor. Sono state omesse le
resistenze di polarizzazione e lalimentazione.

lunico componente connesso al primario `e il generatore di corrente hf c ib . Il circuito


si semplica allora ulteriormente in quello di gura 16.35, dove il suddetto generatore
`e stato moltiplicato per il fattore n1 /(n1 +n2 ) ed inserito nel circuito secondario (cio`e
in parallelo ad L C ed alla resistenza hic .
Lammettenza del parallelo dei tre componenti C, L ed 1/hie `e data da:

468

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

L
C

n1

n1+n2

Figura 16.33: Schema semplicato delloscillatore Hartley a transistor, ottenuto da quello di


gura 16.32 sostituendo linduttanza L con un trasformatore.

hic

ib
L
C

n1

n1+n2

hfc ib

Figura 16.34: Schema equivalente adoperato per il calcolo della frequenza doscillazione delloscillatore Hartley a transistor, ottenuto da quello di gura 16.33. Si `e fatto uso del modello a
parametri h del transistor per la congurazione collettore-comune.

Y = sC +

s2 LChic + sL + hic
1
1
=
+
hic sL
sLhic

(16.80)

Con ci`o la dierenza di potenziale ai loro capi `e:


V =
dove:
I = hf c
La corrente in hic `e quindi:

I
Y

n1
ib
n1 + n2

(16.81)

16.9 Oscillatori utilizzanti circuiti LC: considerazioni introduttive

hic

ib

hfc

469

n1
n1 + n2 b

Figura 16.35: Schema semplicato ottenuto da quello di gura 16.34. Si `e fatto uso del modello
a parametri h del transistor per la congurazione collettore-comune.

ib =

hf c n1 /(n1 + n2 )sL
V
hf c n1 /(n1 + n2 )ib 1
= 2
=
ib
hic
hic
Y
s LChic + sL + hic

(16.82)

Da questa si ottiene poi (per ib = 0):



s LChic + sL 1 hf c
2


n1
+ hic = 0
n1 + n2

(16.83)

Poniamo ora s = j ed imponiamo che si annulli la parte reale della (16.83),


ottenendo:
2 =

1
LC

(16.84)

Imponendo invece che si annulli la parte immaginaria otteniamo:


hf c = 1 +

n2
n1

(16.85)

e, tenendo conto del fatto che `e: hf c = hf e + 1:


hf e =

n2
n1

(16.86)

da intendersi, al solito, come una disuguaglianza.


In gura 16.36 `e mostrato un oscillatore Hartley del tipo appena descritto. I
valori scelti per i componenti sono indicati nella gura e sono tali da fornire una
frequenza doscillazione di 7.12 kHz. La simulazione eettuata facendo uso della
versione DEMO del programma MICROCAP8 porta al risultato mostrato in gura 16.37. Nella gura `e riportato landamento della tensione ai capi del circuito
oscillante LC nei primi 10 ms dallavvio. Si vede come loscillazione parta con
ampiezza molto ridotta, per poi crescere no ad un valore di diversi Volt e quindi
stabilizzarsi. In gura 16.38 `e invece mostrato in dettaglio landamento del segnale
quando questo si `e stabilizzato. Si vede dalla gura che la frequenza doscillazione
`e in eetti allincirca uguale a quella attesa.

470

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

V
1k
220k

2
2N2222

0.04F

2.5mH

2.5mH

0.1F
1

Figura 16.36: Esempio di oscillatore Hartley a transistor. Sono indicati i valori dei componenti
adoperati per eettuare la simulazione con MICROCAP
30.0

Volt

20.0

10.0

0.0

-10.0

-20.0 0.

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

Tempo (ms)

Figura 16.37: Risultato della simulazione del circuito di gura 16.36. La forma donda mostrata
`e quella ai capi del circuito LC, nei primi 10 ms. La simulazione `e stata eettuata facendo uso
della versione DEMO del programma MICROCAP.

16.10

Oscillatori al quarzo

I circuiti oscillanti realizzati utilizzando componenti induttivi o capacitivi, se da un


lato possono raggiungere frequenze relativamente elevate, orono per`o una modesta
stabilit`a in frequenza, legata al fatto che perdite ohmiche nellinduttanza fanno s`
che il massimo Q raggiungibile non superi alcune centinaia.

16.10 Oscillatori al quarzo

471

36.

Volts

24.0

12.0

0.0

-12.0

-24.016.

16.5

17.0

17.5

18.0

Tempo (ms)

Figura 16.38: Risultato della simulazione del circuito di gura 16.36. La forma donda mostrata
`e quella ai capi del circuito LC in regime stazionario (tra 16 e 18 ms). La simulazione `e stata
eettuata facendo uso della versione DEMO del programma MICROCAP.

Valori di Q decisamente pi`


u elevati e di conseguenza stabilit`a in frequenza non ottenibili con circuiti convenzionali, sono raggiungibili facendo uso di cristalli piezoelettrici, tipicamente di quarzo. Questi consentono di ottenere valori di Q che vanno
da alcune decine di migliaia no a quasi 106 , consentendo stabilit`a in frequenza
altrimenti impensabili, e frequenze no a centinaia di Mhz.
La piezoelettricit`a `e quel fenomeno in virt`
u del quale se una lamina, opportunamente tagliata, di cristallo, viene compressa in una certa direzione, si sviluppa al
suo interno una separazione di cariche, e nasce di conseguenza un campo elettrico,
in una direzione perpendicolare a quella di compressione. Leetto opposto `e altres`
presente: se tra due facce opposte di una lamina del cristallo viene applicata una
certa dierenza di potenziale, nascono allinterno della lamina delle intense forze che
possono, a seconda dei casi, cambiarne lo spessore, la larghezza o causare essioni.
Se la dierenza di potenziale `e alternata essa induce nella lamina delle oscillazioni
meccaniche. Essendo le perdite per attriti interni praticamente assenti, se ne ha
che le oscillazioni meccaniche che ne risultano hanno un bassissimo coeciente di
smorzamento. Se poi la frequenza della tensione sinusoidale applicata `e uguale alla
frequenza propria di vibrazione meccanica della lamina, si avr`a una risonanza. Tale
risonanza sar`a caratterizzata da un valore di Q estremamente elevato, a causa del
bassissimo livello delle perdite nel cristallo. La stabilit`a in frequenza, elevatissima,
`e normalmente espressa in parti per milione (ppm).
Il fenomeno della piezoelettricit`a e del suo inverso, furono scoperti da Pierre e
Jacques Curie nel 1880. Trascorsero per`o diversi anni prima che se ne vedessero applicazioni pratiche: tra queste ricorderemo la produzione di segnali sonori monocromatici di alta frequenza, attraverso lutilizzo di lastre di quarzo eccitate da tensioni
sinusoidali. Nel 1917 Paul Langevin invent`o, con lutilizzo di tale strumento, il sonar

472

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

per la rivelazioni di sottomarini. Cristalli piezoelettrici furono utilizzati nelle prime


radio attorno al 1920 e poi dalla Motorola, per la produzione di ricetrasmettitori in
grado di operare in condizioni estreme di temperatura, tra il 1935 ed il 1940.
Pur costituendo il quarzo (SiO2 ) circa il 14% del materiale della crosta terrestre,
non `e frequente trovarlo in forma di cristalli e, anche in tal caso, non sempre sotto forma di cristalli adatti allutilizzo negli oscillatori. Cristalli che posseggono le
caratteristiche volute sono prodotti industrialmente, attraverso processi di crescita
a partire da opportuni semi in apposite autoclavi. Un tipico cristallo si presenta
come mostrato in gura 16.39.
Z

X
Y
Y
X

Figura 16.39: Struttura cristallograca di un tipico quarzo.


Per ottenere lamine adatte ad esser adoperate in oscillatori, il cristallo viene
tagliato secondo opportune direzioni, riferite agli assi cristallograci, come mostrato
in gura 16.40. A seconda della direzione si ottengono cristalli le cui vibrazioni
meccaniche possono essere di tipo essorio, longitudinale, di deformazione superciale o di taglio. Tipici modi di vibrazione sono mostrati nelle gure 16.41
e 16.42.
Ai diversi modi corrispondono poi diversi campi di frequenza. Al modo essorio
corrispondono frequenze comprese tra 0.4 e 100 kHz; al modo longitudinale frequenze
comprese tra 40 kHz e 15 MHz; al modo di taglio frequenze comprese tra 100 kHz
e 125 MHz.
Il taglio di gran lunga pi`
u utilizzato `e quello noto come AT, poich`e `e quello
che ore una minore dipendenza della frequenza di oscillazione dalla temperatura
ed il pi`
u ampio campo di frequenze. Questo taglio `e disponibile, ad esempio, in
cristalli prodotti dalla Cal Crystal Lab. a frequenze che vanno da circa 1 MHz
a 29 MHz nella frequenza fondamentale e no a circa 180 MHz nelle overtone.
Esiste unampia variet`a di produttori di cristalli, come anche di oscillatori basati su
cristalli.
La frequenza della vibrazione fondamentale `e legata allo spessore d della lamina

16.10 Oscillatori al quarzo

473

Figura 16.40: Schema dei diversi modi in cui un cristallo di quarzo pu`o esser tagliato per
ottenere una lamina adatta a realizzare un oscillatore.

Figura 16.41: Modi di vibrazione essorio (sinistra) e longitudinale (destra) di una lamina di
quarzo.

Figura 16.42: Modi di vibrazione di deformazione superciale (sinistra) e di taglio (destra) di


una lamina di quarzo.

prodotta, dalla relazione:


d(mm) =

1660
(kHz)

Ad esempio, per ottenere una frequenza di 1 MHz occorre uno spessore di 1.66 mm.

474

Capitolo 16. Oscillatori sinusoidali

Un cristallo `e progettato per operare nel suo modo fondamentale o in uno dei
modi overtone. I modi overtone sono lanalogo delle armoniche, con la dierenza
che essi non occorrono a multipli interi della frequenza fondamentale, ma a multipli
ch