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Esercizi di Elettronica Applicata

Claudio Sansoè, Alessio Di Cataldo, Amedeo D’Adduzio

16 giugno 2011

Indice

1 Specchi di corrente

2

1.1 Esercizio 1 - Specchio di corrente

2

1.2 Esercizio 2 - Specchio di corrente con resistenza

 

3

2 Amplificatore operazionale

5

2.1 Amplificatore di corrente

.

.

.

.

.

.

.

5

2.2 Amplificatore di potenza in classe B

 

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

9

3 Amplificatori non lineari

10

3.1

Raddrizzatore a doppia semionda (a diodo ideale) .

.

.

.

.

.

.

.

.

10

4 Utilizzo amplificatori fuori linearità

 

12

4.1 Generatore d’onda quadra

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

.

12

4.2 Generatore d’onda triangolare a frequenza variabile

 

15

4.3 Generatore d’onda triangolare con variazione di valor medio

 

19

4.4 Oscillatore sinusoidale a ponte di Wien

 

22

1

Capitolo 1

Specchi di corrente

1.1 Esercizio 1 - Specchio di corrente

In uno specchio di corrente a transistori NMOS la corrente imposta sul lato debole vale 10 μA. I parametri tecnologici di entrambi i MOS sono: μ n Cox = 0, 1 μA/V 2 ; V tn = 0, 5 V. Il transistor M 1 posto sul lato debole dello specchio ha dimensioni W 1=1 μm, L1=1 μm;. Se l’altro transistor M 2 ha L2=0, 5 μm, quanto deve valere W 2 affinchè la corrente specchiata sia 30 μA? SOLUZIONE: Per prima cosa disegnamo un classico specchio di corrente a nMOS ricordando che il lato sinistro è detto lato debole dello specchio.

I I R O M1 M2 Figura 1.1: Specchio di corrente a nMOS
I
I
R
O
M1
M2
Figura 1.1: Specchio di corrente a nMOS

M 1 è polarizzato in saturazione di canale, in quanto V GS = V DS . Il circuito funzionerà correttamente se anche M 2 viene fatto lavorare nella stessa zona, quindi si avrà:

I D = k n (V GS V tn ) 2 (1 + λV DS )

K n =

1

2 μnCox W n

L

n

2

Per semplificare la trattazione ignoriamo l’effetto della channel lenght modula- tion (λ) del MOS.

I R = I D 1 = K n1 (V GS 1 V tn1 ) 2

I O = I D 2 = K n2 (V GS 2 V tn2 ) 2

I

O

K n2

(V GS 2

V tn2 ) 2

I

R

=

K n1

(V GS 1 V tn1 ) 2

Ma V GS 1 = V GS 2 e dalle specifiche del problema V tn1 = V tn2 quindi si avrà:

 

I

O

K

n2

= W 2

L

2

I

R

=

k

n1

W 1 L 1

 

30

μA

 

W 2

1 μm

10

μA =

1 μm

·

0.5 μm

W 2 = 1, 5 μm

1.2 Esercizio 2 - Specchio di corrente con resi- stenza

Uno specchio di corrente a transistori nMOS è costituito da due transistori

uguali, aventi i seguenti paramentri tecnologici: μ n Cox = 0, 1 μA/V 2 ; V tn = 1 V;

W = 2 μm, L = 1 μm. Se i source dei due MOS sono a 0 V e il lato debole dello

specchio è collegato ad una V AL = +12 V tramite unra resistenza R = 5 kΩ SOLUZIONE: Per prima cosa disegnamo un classico specchio di corrente a nMOS ricordando che il lato sinistro, detto lato debole dello specchio, è collegato all’alimentazione mediante la resistenza R.

V AL

R I I R O M1 M2
R
I
I
R
O
M1
M2

Figura 1.2: Specchio di corrente a nMOS con V AL ed R

3

Scriviamo le equazioni alla maglia del lato debole:

V AL = I R · R + V DS 1

V DS 1 = V GS 1 = V GS 2

V AL = I R · R + V GS 1

Mi scrivo l’equazione di I R tralasciando l’effetto della channel lenght modulation

I R

= K n (V GS 1 V tn ) 2

V AL = R · K n (V GS 1 V tn ) 2 + V GS 1

Nella formula l’unica incognita è V GS 1 quindi risolviamo semplicemente l’equa- zione di secondo grado e otteniamo due vaolri per la nostra incognita:

V GS 1 = 2V 0, 1 V

NONACCET T ABILE

Ora avendo V GS 1 = V GS 2 ci possiamo ricavare il valore di I O :

I O =

V AL V GS 2

12 V 2 V

 

=

R

5 kΩ

 

4

= 2 mA

Capitolo 2

Amplificatore operazionale

2.1 Amplificatore di corrente

Progettare un amplificatore di corrente usando un amplificatore operazionale tale che I u = 10I e , su carico Zu di cui siano disponibili entrambi i terminali. La dinamica d’ingresso sia ±1mA. Dimensionare le resistenze di reazione consi- derando che l’amplificatore sia alimentato a ±15 V e abbia i seguenti parametri di offset: V off = 3 mV, Ioff = 50 nA, Ib = 200 nA. Quali sono il massimo e il minimo valore di Zu ammissibili?

+15V + i out − −15V Z u i i 1 2 R 1 I
+15V
+
i out
−15V
Z u
i
i
1
2
R 1
I in
R 2

Figura 2.1: Amplificatore di corrente

La corrente del generatore non può scorrere sul morsetto negativo dell’am- plificatore operazionale, se quest’ultimo viene considerato ideale si avrà infatti:

i + = i =0

5

Avremo quindi:

V R1 = R 1 I in = V R2 = R 2 i 2

i 2 = R 1

R

2

I

in

i out = i 2 + I in = 1+ R R 2 )I in

1

1+

R

1

R

2

= 10

R

1

R

2

= 9

R 1 = 9R 2

Ora dobbiamo considerare gli offset di tensione V off e corrente I off . Tensione di offset V off :

V off

+ i out − Z u R 1 i i 1 2 V R off
+
i out
Z u
R 1
i
i
1
2
V
R
off

2

Figura 2.2: Amplificatore di corrente con V off

Dato che su R 1 non scorre corrente e dato che V + = V si avrà che:

V R 2 = V off

Ora è molto semplice calcolarsi il valore della corrente i u dovuta all’effetto

di V off :

i u | V off = I 2 = V off

R

2

Correnti di offset:

Facendo riferimento alla figura 2.3 dobbiamo calcolarci il valore di i u | I b I off

2

V + = V = 0

6

rd R1 Z u R2 Figura 2.3: Studio delle correnti di offset ( I b
rd R1 Z u R2 Figura 2.3: Studio delle correnti di offset ( I b
rd
rd

R1

Z u

rd R1 Z u R2 Figura 2.3: Studio delle correnti di offset ( I b −

R2

Figura 2.3: Studio delle correnti di offset (I b I off )

2

R d è una resistenza molto grande quindi su R 1 non scorre corrente per cui si avrà:

i u | I b I off

2

=0

Facendo riferimento alla figura 2.4 dobbiamo calcolarci il valore di i u | I b + I off

2

V R1 = I b + I off

2

)R 1 = V R 2

V R2 = R 2 i 2

i 2 = I b + I off

2

R 1

R

2

i u | I b + I off

2

= I b + I off 1+

2

2

R

1

R

Sovrapposizione degli effetti. A questo punto è sufficiente sovrapporre i tre contributi calcolati precedente- mente per determinare la corrente I out :

I out = 1+ R

R 2 I in V off

1

R

2

+ I b + I off 1+

2

2

R

1

R

Ovviametne non è possibile modificare il contributo 1+ R R 2 quindi per minimizzare il contributo degli offset deco scegliere una R 2 molto grande per fare in modo che V off 0.

R

2

1

7

rd Ib+Ioff/2 Zu i1 i2 R2 Figura 2.4: Studio delle correnti di offset (I b
rd
Ib+Ioff/2
Zu
i1
i2
R2
Figura 2.4: Studio delle correnti di offset (I b + I off )
2
V off
1
<< 1+ R R 2 I in
R 2
1
V off
1
<
R 2
10 1+ R R 2 I in
V off
< 1 mA ⇒ 3 mV <
1 mA
⇒ R 2 >
3 mA mV = 3Ω
R 2
R
1
2

Per non uscire dalla dinamica di tensione d’uscita dell’amplificatore opera- zionale si deve avere: V out,max = 13V

R 2 · 11 mA + Z u,max · 10 mA < 13V

Scelgo R 2 = 1 kΩ

Z u,max · 10 mA < 2 V

Quindi avremo:

Z u,max <

2V mA = 200 Ω

10

R 2 = 1 kΩ

R 1 = 100 Ω

Z u = [0 ÷ 200] Ω

8

2.2

Amplificatore di potenza in classe B

Un amplificatore di potenza in classe B è alimentato con alimentazione simme- trica a V AL = ±10 V. Il segnale d’uscita è sinusoidale, di ampiezza pari a 5 Vpp. In queste condizioni qual è il rendimento dell’amplificatore?

+V AL

T 1 I L T 2 V s R L
T
1
I L
T 2
V s
R L

V AL

Figura 2.5: Amplificatore di potenza in classe B

L’amplificatore di potenza in classe B mette insieme i pregi dei due stadi con un punto di funzionamento a riposo pari a 0V.

η =

η =

P L

P AL

P L = V p I p

2

P AL = V AL I p

π

· 2

P

L

V p I p

π

V p

π

=

·

=

P

AL

2

2V AL I p

V

AL

4

Con i dati in nostro possesso, V pp = 5V V p = 2.5Ve V AL = 10 V, avremo:

η = 19, 6%

Il rendimento massimo che si può avere con un amplificatore in classe B è invece η MAX = 78%, e si avrà quando il segnale sinusoidale ha ampiezza pari alla tensione di alimentazione.

9

Capitolo 3

Amplificatori non lineari

3.1 Raddrizzatore a doppia semionda (a diodo ideale)

Disegnare lo schema di un raddrizzatore a doppia semionda a diodo ideale e dimensionare i componenti passivi per avere V u = 2|V i|.

V i

V 1 R 2 R 3 R 4 D 1 D 2 − + R
V 1
R 2
R 3
R 4
D 1
D 2
+
R
1
+

R 5

V u

Figura 3.1: Schema del raddrizzatore a doppia semionda.

V u = V 1 R 4

R

3

V i R 4

R

5

V 1 = V i R 2

R

1

10

Quando:

Si ha:

Quando

Si ha:

V u = V i R 2

R

4

R 1 R 3

V i R 4

R

5

=

V i R 2

R

4

R 1 R 3

V i < 0 V 1 =0

R 4

R 5

V u = V i R R 4

5

=2 =R 4 = 2R 5

V i > 0 V 1

=0

V u = V i R 2

R

4

R 1 R 3

R 4

R

5

R 2 R 4 R 1 R 3

R 4 = 2

R

5

R 4

R

5

R 2 R 4 R 1 R 3

=4 R 2

R

R

1

2

R

1

=

=

4; R 4 =1

R

3

1; R 4 =4

R

3

Scelta

numero 1 : R 2 = 4; R 4 = 1

R

1

R

3

Non è una scelta del tutto insensata, per quanto raramente usata, infatti si ot-

timizzano gli offset pur riducendo la dinamica del sistema. Se serve un sistema preciso, estramamente insensibile a tensioni e correnti di offset conviene usare questa scelta. In questo modo si amplificano in misura minore le componenti di offset del secondo amplificatore operazionale.

Scelta

Questa scelta serve a massimizzae la dinamica di ingresso. Il motivo è molto semplice data ad esempio una V al = ±15 V e V i = 10 V, imponendo 4 come gua- dagno del primo amplificatore si sforerebbe la dinamica di ingresso del secondo stadio. Scegliamo quindi:

numero 2 : R 2 = 4; R 4 =1

R

1

R

3

R 2 = R 1 = 10 kΩ

R 3 = 11 kΩ

R 4 = 4R 3 = 44 kΩ

R 5 = 22 kΩ

11

Capitolo 4

Utilizzo amplificatori fuori linearità

4.1 Generatore d’onda quadra

Disegnare lo schema di un generatore di onda quadre. Ricavare la frequenza di oscillazione. Selezionare un insieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottene- re f osc = 2 kHz, supponendo di utilizzare un amplificatore operazionale con alimentazione simmetrica pari a ±15 V.

R 2 −V al − + R 1 +V al R VC C
R 2
−V al
+
R 1
+V al
R
VC
C

Figura 4.1: Schema circuitale di un generatore d’onda quadra.

12

V V OH V OH V S 1 T 1 = T 2 V S
V
V OH
V OH
V
S 1
T 1 = T
2
V
S 2
V OL
V OL

t

Figura 4.2: Andamento delle tensioni V C e V u rispettivamente in arancione e rosso

V C (t)=(V IN V FIN )e

t τ + V FIN

Quindi si avrà:

t

V C (t)=(V S 2 V OH )e RC + V OH con τ = R eq C = RC Dopo un semiperiodo T 1 = T si sarà raggiunta, a partire da V S 1 , la ten- sione V S 2 poichè il condensatore si sarà caricato a sufficienza da provocare la commutazione di stato:

2

V S 1 = (V S 2 V OH )e

2RC + V OH

T

1

e

2RC T 1 =

V S 1 V OH V S 2 V OH

T 1 = RCln V S 1

V S 2 V OH

V

OH

Passando dal semiperiodo al periodo si ha:

T

= 2RCln V S 1

V S 2 V OH

V

OH

Usando la proprietà del logaritmo avremo:

T

= 2RCln V S 2

V S 1 V OH

V

OH

Dal comparatore di soglia invertente con isteresi ricavo le due tensioni di soglia V S 1 eV S 2 :

13

Avremo quindi:

V S 1 = V OH

V S 2 = V OL

R 1

R 1 + R 2

R 1 R 1 + R 2

V OH V S 1 = V OH 1

V OH V S 2 = V OH 1+

Si avrà quindi che il periodo vale:

R

1

R 2 = V OH

R 1 +

R

2

R 1 + R 2

R R 1 +

1

R 2 = V OH 2R 1 + R 2 R 1 + R 2

T

= 2RCln 2R 1 + R 2

R

2

Per avere una frequenza di oscillazione f osc = 2 kHz bisogna avere un periodo di T = f = 500 μs , si avrà quindi:

1

500 μs=2RCln 2R 1 + R 2

R 2

Scelgo C = 10 nF e R = 10 kΩ

500

μs

200

μs

=

ln 2R 1 + R 2

R

2

e 2, 5 =1+ 2R R 1

2

e 2, 5 1

= R 1

R 2

2

1

R

R 2 = 5, 6

Scegliamo le resistenze tra la serie E12: R 1 = 12 kΩ e R 1 = 2, 2 kΩ Ovviamente la frequenza di oscillazione non potrà essere precisissima a causa della tolleranza delle resistenze.

14

4.2

Generatore d’onda triangolare a frequenza variabile

Disegnare lo schema di un generatore d’onda triangolare. Spiegarne il funzionamento e ricavare la frequenza di uscita.

Utilizzando degli amplificatori operazionali rail to rail alimentati a ±15 V, se- lezionare un insieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottenere f osc = 1 kHz, ampiezza dell’onda triangolare pari a 10 Vpp e valor medio pari a

2 V.

Modificare il circuito per ottenere frequenza di uscita variabile tra 100 Hz e

1 kHz.

C

V c V T − + R
V c
V T
+
R

R 2

R 1 + −
R 1
+

V a

Figura 4.3: Schema di un generatore d’onda triangolare.

Nello schema in figura 4.3 il condensatore si carica linearmente:

V c =

I

C

t

+ V c (0)

si avrà quindi un andamento di carica del condensatore come riportato in figura 4.4. L’amplificatore operazionale è di tipo non invertente, quindi suppongo di partire con un valore basso di tensione. Ricavo il valore delle tensioni di soglia ricordando quelle del comparatore di soglia non invertente con isteresi:

V S 2 = V S 1

V

OH

RC

T 1

T 1 =

V S 1 V S 2

R

1

V

OH

R

2

V S 1 V S 2 = (V OH V OL ) R 1

R

2

T 1 = V OH V OL R 1

V

OH

R

2

RC

15

RC

V T , V a V OH V OH V S 1 T 1 =
V T , V a
V OH
V OH
V
S 1
T 1 = T
2
V
S 2
V OL
V OL

t

Figura 4.4: Andamento delle tensioni V C e V a rispettivamente in rosso e arancione

Se V OH = V OL avremo quindi:

T 1 = 2RC

R

1

R

2

T = 4RC R 1

R

2

f =

1 1

R 2

=

T

4RC

R

1

Per realizzare un’onda triangolare che abbia ampiezza pari a 10 Vpp e valor medio pari a 2 V si dovrà avere:

V S 1 V S 2 = 10 V

V S 1 + V S 2

2

= 2V

V S 2 = 10 V + V S 1

10 V + 2V S 1 =4V

V S 1 = 3V

V S 2 = 7V

Ricordiamo nuovamente che la tensione di soglia per un comparatore di soglia non invertente con isteresi vale:

V S 2 = V R

R 1 + R 2 V OL R 1

R

2

R

2

Ma noi abbiamo V R =0V e V OL = V OH dove V OH 12 V per cui avremo:

V S 2 = 12 V

R 1 7 V = 12 V

R

2

16

R 1

R

2

R

1

R

2

=

7

12

7

R 1 = 12 R 2

Per cui dalla serie E12 scelgo le resistenze:

R 1 = 68 kΩ

f 0 =

1

12

4RC 7

R 2 = 120 kΩ

C =

1

3

Rf 0 7

Scelgiamo R = 100 kΩ e ricordimao che f 0 = 1 kHz è data, per cui avremo:

C = 4, 3 nF

Ora modifichiamo il circuito come riportato in figura 4.5 per avere una frequenza d’uscita variabile tra 100 Hz e 1 kHz

C

R 2 V c V T − R 1 + + V a − R
R
2
V
c
V
T
R
1
+
+
V
a
R
P
1
Vedi ingrandimento
in figura 4.6
R
3

Figura 4.5: Schema di un generatore d’onda triangolare a frequenza variabile.

V x = V OH

R 3 + xP 1 R 3 + xP 1 xP 1 + P 1

Il punto segnalato in verde in figura 4.5 è un punto ad alta impedenza, avremo quindi bisogno di un equivalente:

V eq = V x

in x = 0 avremo:

R eq = (xP 1 + R 3 ) (1 x)P 1

17

xP 1 V x R 3
xP 1
V
x
R
3

(1 x)P 1

V OH

Figura 4.6: Ingrandimento del potenziometro.

f

min

f

max

10 = 1 + P 1

R

3

=

V x = V OH

R 3

R 3 + P 1

V

min

V

max

V

R 3

1

OH

R 3 + P 1

10 =

V

OH

10 = 1 + P 1 + R 3

R

3

P 1 + R 3 = 10R 3

P 1 = 9R 3

Scegliendo i valori all’interno della serie E12 avremo quindi:

P 1 = 10 kΩ

18

R 3 = 1 kΩ

4.3

Generatore d’onda triangolare con variazio- ne di valor medio

Progettare un generatore d’onda triangolare date le seguenti specifiche:

Frequenza d’uscita: regolabile tra 500 Hz e 2, 5 kHz Ampiezza onda triangolare: 10 Vpp Valor medio onda triangolare: regolabile tra 5V e +5V Tensione d’alimentazione: ±15 V Utilizzare amplificatori operazionali di tipo rail-to-rail

C

V c V T − + −V AL R
V c
V T
+
−V AL
R
di tipo rail-to-rail C V c V T − + −V AL R R 2 R

R 2

R 1 + −
R 1
+
+ V AL
+ V AL
+ V AL

+V AL

+ V AL

V a

P 1

R 3

R 5 R 4 P 2
R 5
R 4
P 2

Figura 4.7: Schema di un generatore d’onda triangolare a frequenza variabile e variazione valor medio.

V S 2 V S 1 = 10 V

V S 2 =5V

Ricordando che la tensione di soglia per un comparatore di soglia non inver- tente vale:

V S 2 = V OL R 1

R

2

Suppondendo di avere una V OH = V OL 12 V :

5 V = 12 V

19

R 1

R 2

R 1 =

5

12 R 2

Scelgo le resistenze tra quelle della serie E12:

R 1 = 4, 7 kΩ;

R 2 = 12 kΩ

Ricordiamo che la frequenza come l’esercizione precedente vale:

f =

1

R

2

4RC

R

1

f =

1

12

4RC 5

Scelgo un valore per la resistenza R = 100KΩ e mi calcolo il valore del condensatore:

C = 5 3 100 kΩ · 500 Hz = 12 nF

Facendo riferimento alla figura 4.6 possiamo calcolarci i valori dei parametri del potenziometro:

1

V x = V OH

R 3 + xP 1 R 3 + xP 1 xP 1 + P 1

Mi metto in x = 0 in modo da avere la minima V x e di conseguenza la minima frequenza.

R 3

= 1

5

P 1 + R 3

Avremo che a denominatore R 3 << P 1

quindi posso trascurare R 3

P 1

R 3

= 5

Scelgo all’interno della serie E12 due valori appropiati per il potenziometro e per la resistenza.

P 1 = 10 kΩ

R 3 = 2 kΩ

Per variare il valore medio dell’onda triangolare tra 5V e 5V considero il secondo amplificatore operazionale ridisegnato per comodità in figura 4.8

20

V AL

R 2 R 1 + V T − R 5 R 4 +V AL P
R 2
R 1
+
V T
R 5
R 4
+V AL
P 2

V a

Figura 4.8: Particolare del secondo operazionale di un generatore d’onda triangolare a variazione di valor medio.

Poichè la tensione V T è simmetrica [5V ÷ +5V ]

R 5 = R 4

Tenendo conto di questa semplificazioen ridisegnamo il potenziometro:

V AL R 4 P 2 2
V AL
R 4
P 2
2

V REFmax

Figura 4.9: Ingrandimento del secondo potenziometro usato per variare il valor medio.

Dal comparatore di soglia non invertente ricordiamo che il valor medio tra le due soglie vale:

V S 1 + V S 2

2

= V REF 1+ R R 2

1

V REFmax R 1

2

R

= 5V

21

V REFmax = 13V

V AL ·

P 2 2 P 2 + R 4 2
P
2
2
P
2
+ R 4
2

= V REFmax

Svolgendo i calcoli si ottiente P 2 =8R 4 , possiamo quindi scegliere dalla serie E12 i valori di resistenza e potenziometro:

P 2 = 10 kΩ,

R 4 = 1, 2 kΩ

4.4 Oscillatore sinusoidale a ponte di Wien

Disegnare lo schema di un oscillatore sinusoidale a ponte di Wien. Ricavare le condizioni per l’oscillazione e la frequenza di oscillazione. Selezionare un in- sieme opportuno di valori dei componenti passivi per ottenere f osc = 1 kHz. Spiegare quali accorgimenti circuitali si utilizzano per ottenere le condizioni di Barkhausen.

R 2

− V u R 1 + R Z 1 C V f R C
V
u
R
1
+
R
Z
1
C
V
f
R
C

Z 2

Figura 4.10: Schema di un oscillatore sinusoidale a ponte di Wien.

V u = 1+ R 2

R

1

f R C Z 2 Figura 4.10: Schema di un oscillatore sinusoidale a ponte di Wien.

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V f

Dove V f vale:

V f =

Z 2 =

Z 2 Z 2 + Z 1

R 1 + sCR

Z 1 = R +

1

= sCR + 1

sC

sC

V f =

V f = V u

= B =

V f

V u

R

V f = V f = V u = B = V f V u R

1+

1+ sCR R sCR + sCR +1 sC

V u

sCR 1+ s 2 R 2 C 2 + 3sRC

jwRC

1 w 2 R 2 C 2 + 3jwRC

Ricordando le condizioni di Barkhausen:

+ A B
+
A
B

Se esiste una frequenza tale per cui:

|AB| = 1;

AB = 0

Allora se in ingresso ho una sinusoide, questa si mantiene in uscita. In realtà siccome il sistema non è lineare si avrà sempre un pò di ditorsione in uscita. Affinchè AB = 1 si deve avere B = V u appartenente ai reali.

V

f

w 0 =

w 2

1

RC

R 2 C 2 = 1

f 0 =

1

2πRC

B(w 0 )=

1

jw 0 RC 3jw 0 RC = 3

A · B = 1 A =3

1+

R 2

R 1

=3

R 2 = 2R 1

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Per cui dalla serie E12 scelgo:

R 1 = 33 kΩ;

R 2 = 68 kΩ;

Scelgo C = 15 nF e ricavo il valore di R:

R =

1

2πCf 0

= 106 kΩ 100 kΩ

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