Appunti Di Elettronica

Antonio DAmore Sergio Degli Innocenti
APPUNTI DI ELETTRONICA Dispositivi e circuiti lineari
INDICE
Capitolo I - Concetti base sui segnali elettrici
1.1) Introduzione 1.2) Segnali e informazione 1.3) Elaborazione del segnale 1.4) Le applicazioni di potenza 1 3 4 8
Capitolo II - I sistemi lineari

2.1) Studio dei sistemi nel dominio del tempo 2.2) I modi 2.2.1 - Modi aperiodici 2.2.2 - Modi pseudoperiodici 2.3) Risposta libera e risposta forzata 2.3.1 - Risposta libera 2.3.2 - Risposta forzata 2.4) Regimi canonici 2.4.1 - Regime impulsivo 2.4.2 - Regime indiciale 2.4.3 - Relazioni tra risposta impulsiva e modi 2.5) Integrale e trasformata di Fourier 2.6) La Trasformata di Laplace 2.7) Studio di un sistema nel dominio della variabile s. 2.9) Esempi di diagrammi di Bode 9 10 11 12 15 15 16 17 18 20 21 22 24 28 39
Capitolo III - Dispositivi passivi

3.1) Generalit 3.2) Resistori 3.3) Condensatori 3.4) Induttori 3.5) Area di funzionamento sicuro (SOA) 50 50 54 55 58
Capitolo IV - I semiconduttori
4.1) La conduzione nei solidi 4.2) Il modello a bande denergia 4.3) I semiconduttori drogati o estrinseci 4.4) Conduzione e diffusione 4.5) Effetto Hall 61 63 68 72 74
Capitolo V - I diodi
5.1) La giunzione p-n Polarizzazione inversa Polarizzazione diretta 5.2) I diodi 5.3) Gli impieghi circuitali dei diodi. a) Modelli dei diodi b) Il circuito OR c) Il circuito tosatore d) Circuiti raddrizzatori a singola semionda 5.4) La retta di carico 5.5) Modelli di dispositivi non lineari 5.6) I diodi Zener 5.7) Il diodo tunnel. 76 82 84 87 95 95 100 103 106 112 117 123 129
Capitolo VI - I dispositivi elettronici attivi. Transistori ad effetto di campo

6.1) Generalit 6.1.1 - Panoramica storica: i tubi a vuoto. 6.2) Il transistore ad effetto di campo a giunzione (JFET) 6.3) Il transistore MOS 6.3.1 - MOS ad arricchimento 6.3.2 - MOS a svuotamento 6.3.3 - Simboli dei MOS 6.4) Circuito equivalente di JFET e MOS 131 137 139 146 146 151 153 155
Capitolo VII - Il transistore bipolare a giunzione

7.1) Il transistore a giunzione (BJT) 1) Zona attiva 2) Zona di saturazione 3) Zona di interdizione 7.1.1 - Cenni costruttivi 7.2) I modelli dei transistori bipolari a giunzione ed i circuiti di amplificazione 7.3) Modelli per ampio segnale. 7.3.1 - Variazioni con la temperatura 7.4) Modelli per piccoli segnali 156 166 167 167 167 169 171 173 178
Capitolo VIII - I transistori BJT. La polarizzazione

8.1) I circuiti di polarizzazione 8.2) Stabilit della corrente di collettore 8.3) La polarizzazione a specchio di corrente. 184 196 202
II
Capitolo IX - I transitori BJT. Gli stadi amplificatori elementari

9.1) Calcolo dellamplificazione di uno stadio elementare 9.2) Linseguitore di emettitore 9.3) Lamplificatore a base comune 9.4) Impedenza di ingresso e di uscita degli amplificatori 9.5) Campo dimpiego Tensione massima di collettore Corrente massima di collettore Massima potenza dissipabile 9.6) Considerazioni conclusive 205 209 212 214 218 219 220 220 221
Capitolo X - I transitori BJT. Comportamento in frequenza

10.1) La risposta in frequenza 10.2) Risposta in frequenza dellamplificatore invertente 10.1.1 - Il guadagno di corrente in cortocircuito dellamplificatore invertente Esempio 10.1.2 - Il guadagno di tensione a bassa frequenza 10.1.3 - Il guadagno di tensione in alta frequenza dellamplificatore invertente 10.3) Risposta in frequenza dellinseguitore di emettitore 225 228 228 231 318 234 235
Capitolo XI - Gli amplificatori a FET

11.1) La polarizzazione nei FET 11.1.2 - Circuito di polarizzazione dei FET a quattro resistenze 11.2) Gli stadi amplificatori elementari 11.3) Comportamento alle alte frequenze degli amplificatori a FET 247 249 252 257
Capitolo XII - Gli amplificatori pluristadio

12.1) Gli amplificatori 12.1.1- Amplificatore di tensione 12.1.2 - Amplificatore di transconduttanza 12.1.3 - Amplificatore di corrente 12.1.4 - Amplificatore di transresistenza 12.2) Caratteristiche di un amplificatore reale 12.3) La controreazione 261 263 264 265 265 266 274
Capitolo XIII - Lamplificatore operazionale

13.1) L'amplificatore operazionale 13.2) Configurazioni base dell'amplificatore operazionale a) Amplificatore non invertente b) Linseguitore di tensione (Voltage follower) 280 281 281 288
III
c) Lamplificatore di transresistenza d) Lamplificatore invertente e) Lamplificatore di transconduttanza f) Lamplificatore di corrente 13.3) Il sommatore analogico 13.4) Lamplificatore differenziale 13.5) Amplificatori non lineari
290 291 299 301 302 303 305
Capitolo XIV - Lamplificatore operazionale reale

14.1) Considerazioni introduttive 14.2) Guadagno differenziale e guadagno di modo comune 14.3) Tensioni e correnti di offset e derive 14.4) Circuito equivalente dellamplificatore operazionale reale 14.5) Risposta in frequenza e stabilita 308 308 312 313 319
Capitolo XV - La stabilita dei sistemi controreazionati. Gli

15.1) La stabilita degli amplificatori controreazionati 15.2) Gli oscillatori sinusoidali 15.3) Oscillatori di bassa frequenza 15.4) Gli oscillatori a quarzo
oscillatori
329 335 338 340
Capitolo XVI - Alimentatori e convertitori

16.1) Gli alimentatori 16.1.1) I rettificatori 16.1.2) I moltiplicatori di tensione 16.1.3) Il filtro 16.2) Gli alimentatori stabilizzati 16.3) Alimentatori stabilizzati a commutazione 16.3) Convertitori in corrente continua accoppiati a trasformatore 343 343 349 350 353 356 362
Capitolo XVII - Amplificatori per ampi segnali

17.1) Gli amplificatori per ampi segnali a) Rendimento degli amplificatori in classe A b) Amplificatori in controfase in classe B e AB 17.2) Cenni sul progetto termico di un circuito 365 370 371 375
APPENDICE A: I quadripoli
a.1) Quadripoli e generatori comandati a.2) Matrici rappresentative di un quadripolo a.3) Connessioni parallelo, serie, cascata IV 379 381 382
Capitolo 1 CONCETTI BASE SUI SEGNALI ELETTRICI

1.1) Introduzione Lelettronica quella disciplina che si occupa dei dispositivi e dei circuiti utilizzati per lelaborazione dei segnali elettrici. Per la precisione, poich i segnali si possono presentare in due forme diverse, analogica e digitale, si dovrebbe parlare di unelettronica per applicazioni analogiche e di una per applicazioni digitali, cui si aggiunge quella detta elettronica di potenza, quando, oltre ad elaborare uninformazione, il sistema elettronico deve anche gestire un livello di potenza non trascurabile in modo da pilotare adeguatamente un carico. Esempi di questultimo tipo di applicazione sono lalimentazione controllata di un motore elettrico o la sonorizzazione di ambienti nella quale il livello di potenza necessario sempre abbastanza consistente. Un segnale si dice di tipo analogico quando la grandezza che lo rappresenta varia nel tempo in modo continuo; quando cio rappresentabile da una funzione continua S S( t ) (Fig. 1.1).
S
segnale analogico
figura 1.1
Il segnale cio, allinterno di un determinato intervallo, detto dinamica del segnale, pu assumere infiniti valori. Si parla invece di segnale digitale quando ci si trova in presenza di una grandezza in grado di assumere solo due valori, indicati rispettivamente con h (high) e l (low) (Figura 1.2) Il grande vantaggio di un segnale digitale rispetto ad uno analogico risiede nel fatto che mentre in un segnale analogico un rumore indesiderato altera linformazione in modo irreparabile, indipendentemente dallampiezza del rumore, in un segnale digitale il rumore, purch non superi un determinato livello, che anche quantitativamente si intuisce essere pari a h l /2 , non rende inutilizzabile linformazione, permettendo sempre di riconoscere il livello alto da quello basso.
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1
S segnale digitale h
l t
figura 1.2
Per poter usare le tecniche digitali tuttavia necessario eseguire una conversione del segnale analogico in forma digitale, mediante le operazioni di campionamento e quantizzazione. Con campionamento si intende loperazione mediante la quale ad intervalli periodici si preleva il valore istantaneo del segnale. Si capisce pertanto che un segnale digitalizzato un segnale discretizzato nel tempo. La quantizzazione consiste poi nel suddividere la dinamica del segnale in un certo numero di intervalli, tanto maggiore quanto maggiore la precisione che si vuole ottenere. A questi intervalli viene poi associato un numero via via crescente e tutti i segnali che cadono nello stesso intervallo vengono associati a tale numero (Figura 1.3).
1 0 -1
3/2 p p/2
t
- p/2
- 3/2 p
figura 1.3
Lampiezza dellintervallo, indicata con p, prende il nome di passo di quantizzazione, ed ovvio che loperazione descritta introduce un errore nel segnale risultante, di distribuzione probabilistica uniforme e di valore massimo pari a p/2.
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1 Il numero risultante, che in sostanza altro non che una misura approssimata del segnale s(t) in ben determinati istanti di tempo, pu poi venire espresso in numerazione binaria e ciascun bit pu venire rappresentato con un segnale digitale del tipo descritto poco pi sopra. Ci si rende conto allora che un sistema digitale, nella maggior parte dei casi, elabora uninformazione numerica che rappresenta un segnale analogico discretizzato nel tempo e nellampiezza. Esiste un capitolo dellelettronica che sta a cavallo tra i due mondi e che prende in considerazione i sistemi in cui i due tipi di segnali, analogico e digitale, convivono; quello dei dispositivi di conversione (campionamento e quantizzazione) da analogico a digitale (A/D) e ovviamente dei dispositivi di conversione inversa da digitale ad analogico (D/A). 1.2) Segnali e informazione Ogni segnale, qualsiasi sia il suo tipo, viene utilizzato per trasmettere informazione. ovvio tuttavia che linformazione associata alla variazione del segnale, in quanto una grandezza costante nel tempo non possiede alcun contenuto informativo. Per apprezzare le variazioni di un segnale daltra parte necessario paragonarlo ad un riferimento, che viene appunto detto livello di riferimento. In alcuni casi il livello di riferimento importante per la completezza dellinformazione, mentre in altri non lo . Ad esempio un segnale acustico (variazione della pressione dellaria p attorno al valore medio della pressione ambiente pm) trasmette uninformazione che legata alla pressione ambientale, in quanto lorecchio non in grado lorecchio non in grado di rilevare questo dato. Il valore della nota percepita dipende solo dal periodo T mentre la sua intensit determinata dallampiezza picco-picco A. Il valor medio della pressione ambientale non ha alcuna importanza e non si ha alcuna perdita di informazione se la sinusoide della figura 1.4 venisse riferita ad un valore pi alto o pi basso. Lorecchio infatti, come si accennato, non in grado di avvertire variazioni di pressione al di sotto di una certa frequenza e quindi nemmeno quantit costanti quali il valor medio della pressione ambiente. Un suono di periodo T e ampiezza A viene percepito allo stesso modo a livello del mare e in alta montagna. Se quindi si volesse trasmettere linformazione acustica sotto forma di segnale elettrico ottenuto da un opportuno trasduttore sensibile alla pressione, sufficiente trasmettere la sola variazione, in quanto il livello di riferimento non ha alcuna importanza. Si consideri invece il caso in cui si voglia trasmettere linformazione della temperatura presente in un ambiente. Un trasduttore che permette di convertire una temperatura in un segnale elettrico , ad esempio, un filo di platino la cui resistenza varia con la temperatura. Se allora questa resistenza viene alimentata con un generatore a tensione costante, la corrente che la percorre sar funzione unicamente della temperatura. Per conoscere la temperatura non sufficiente conoscere le variazioni della corrente nel tempo, ma necessario conoscere anche il valore di corrente associato ad una temperatura ben precisa. La misura cio acquista significato solamente quando il riferimento sia fissato. ovvio che il riferimento potrebbe essere lo zero della scala Celsius, o lo zero assoluto (Kelvin) o qualsiasi altra temperatura, ma esso devessere conosciuto. 3
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1
livello di riferimento
T
figura 1.4
La possibilit di utilizzare riferimenti diversi, anche quando il riferimento indispensabile alla completezza dellinformazione, pu essere sfruttata nei circuiti elettronici in modo da far funzionare i dispositivi elettronici al meglio delle loro possibilit. La maggior parte dei dispositivi elettronici infatti si comporta bene solamente in una porzione relativamente modesta delle loro caratteristiche. Esiste cio per ciascun dispositivo una dinamica massima entro la quale il suo comportamento si pu ritenere accettabile. opportuno allora che il segnale da trattare sia spostato di livello in modo che la sua dinamica cada allinterno della dinamica del dispositivo. Tuttavia in tal modo il dispositivo elabora le variazioni del segnale rispetto ad un riferimento arbitrario e se il riferimento necessario alla completezza dellinformazione sar necessario conoscere lo spostamento cui stato sottoposto il segnale, in modo da poter ricostruire linformazione completa. 1.3) Elaborazione del segnale A seconda che il segnale con cui si ha a che fare sia di tipo digitale o analogico, le operazioni che su di esso vengono eseguite sono di tipo diverso. Si gi detto che un segnale digitale un segnale che pu assumere solamente due valori (h e l). Risulta pertanto abbastanza naturale considerare tale segnale come una grandezza booleana ed operare su di esso con gli operatori tipici dellalgebra booleana, di cui un insieme completo rappresentato dai tre operatori AND, OR e NOT (detti anche prodotto logico, somma logica e negazione). Di tali operatori verr data una definizione formale in altra sede. sufficiente in questo momento dire che tramite questi tre operatori, che proprio per questo motivo formano un insieme completo, si pu condurre su un segnale digitale qualsiasi elaborazione, per quanto complessa essa sia. tuttavia opportuno far notare che esistono due modi per associare i livelli h e l alle costanti logiche 1 e 0. La prima in cui al livello h corrisponde la costante logica 1 e al livello l
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1 la costante logica 0 prende il nome di logica positiva. La seconda in cui ad h corrisponde lo 0 ed a l 1, viene chiamata logica negativa. Nel caso di segnali analogici lelaborazione fondamentale prende il nome di amplificazione. In tal caso, a partire da un segnale dingresso I si ottiene un segnale di uscita U ad esso legato da un opportuno legame funzionale U f I
Un sistema che realizza tale operazione viene detto amplificatore e pu venire schematizzato come illustrato in figura 1.5
Z eq Ve
Ii Vi AMPLIFICATORE
Iu
Vu
ZL
Figura 1.5
Un generatore di segnale, rappresentabile attraverso il suo modello equivalente secondo Thevenin con un generatore Ve e un impedenza Zeq, fornisce la grandezza di ingresso (Vi e Ii) allamplificatore, che dopo averla elaborata, rende disponibile la grandezza di uscita e la applica al carico rappresentato con limpedenza ZL. Lamplificatore realizza il legame funzionale tra le grandezze di ingresso (Vi e Ii) e quelle di uscita (Vu e Iu). A seconda di quali sono le grandezze di interesse si possono avere quattro tipi di amplificatore:
Amplificatore di tensione di corrente di transresistenza di transconduttanza
Ingresso Vi Ii Ii Vi
Uscita Vu Iu Vu Iu
Le ragioni di questa classificazione appariranno pi chiare nel seguito. 5
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1 Quando il legame tra uscita ed ingresso lineare si parla di amplificatore lineare che realizza il pi comune caso di amplificazione. Il caso pi semplice si ha quando luscita proporzionale allingresso U k.I (Figura 1.6).
figura 1.6
Non questa tuttavia la sola forma funzionale che d luogo ad unamplificazione lineare. Si ha sempre un amplificatore lineare anche nel caso in cui U k. I cos t (Figura 1.7)
figura 1.7
In questo caso il circuito amplificatore opera anche uno spostamento del livello di riferimento del segnale di uscita rispetto a quello di ingresso.
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1 Tuttavia per realizzare un legame lineare tra ingresso e uscita non affatto necessario, come negli esempi precedenti che luscita sia funzione solamente del valore istantaneo dellingresso, ma essa pu essere anche funzione del tempo, cio della storia passata dellingresso. Un esempio tipico si ha con lintegratore in cui U o con il derivatore in cui U k. dI t dt k. I t .dt
in quanto integrale e derivata sono, come noto, operatori lineari. Poich poi per un operatore lineare vale il principio di sovrapposizione degli effetti, un amplificatore lineare anche un amplificatore dotato di n ingressi I1, I2, ............ In in cui luscita sia la combinazione lineare degli ingressi, cio quello in cui luscita possa essere considerata come somma delle diverse uscite che si ottengono in corrispondenza alle singole cause I1, I2, ... In applicate una alla volta U
n i 1
a iIi
Si parla in tal caso di sommatore analogico In definitiva si potr parlare di amplificatore lineare tutte le volte che il legame ingresso uscita espresso da una relazione del tipo:
n i 0
ai
di U dt i
m i 0
bi
diI dt i
Esistono ovviamente anche amplificatori non lineari. Un esempio tipico quello del moltiplicatore analogico, utilizzato nella realizzazione dei modulatori, in cui luscita proporzionale al prodotto dei segnali di ingresso, in cui cio: U o ancora lamplificatore in cui U k. I1 I2 k. I1 . I 2
Nella categoria degli amplificatori non lineari notevole diffusione trovano gli amplificatori logaritmici in cui U k. log I
Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1 e gli antilogartmici che compiono loperazione inversa. 1.4) Le applicazioni di potenza Come si gi accennato, lelettronica viene utilizzata non solo per compiere elaborazioni sul contenuto informativo di un segnale, ma anche nel campo dellelaborazione dellenergia. Si parla allora di elettronica di potenza, che opera nellambito delle trasformazioni e delle conversioni energetiche. Quale esempio si pu citare la trasformazione dellenergia elettrica dalla forma alternata, con cui viene distribuita dalle societ produttrici, alla forma continua con cui vengono in pratica alimentati tutti gli apparati elettronici destinati allelaborazione dei segnali. ovvio che anche la trasformazione opposta rientra nelle applicazioni elettriche di potenza. Quale altro esempio si pu citare il caso in cui sia necessario controllare degli attuatori, convertendo lenergia elettrica in energia meccanica o termica. Questo problema si presenta molto frequentemente nel campo del controllo dei processi, nel controllo di macchine utensili, ed in generale in tutto quel settore che va sotto il nome di automazione industriale. Da questi semplici esempi si evince che il problema non si riduce in questi casi alla semplice elaborazione di uninformazione, ma nelloperazione coinvolta una potenza pi o meno rilevante che deve venir adeguatamente modulata per ottenere i voluti effetti. bene rilevare che spesso, come nel caso della generazione e della distribuzione dellenergia elettrica, necessario controllare potenze notevolissime. In conclusione quindi lelettronica trova impiego nei settori pi disparati. Una classificazione, che non ha alcuna pretesa di completezza, ma che si limita a cogliere i campi di impiego pi immediatamente evidenti, permette di citare i seguenti settori: 1) Telecomunicazioni con trasmissione a distanza di informazioni. Tale trasmissione pu essere effettuata sia per via irradiata, che con tecniche telefoniche in cui lelettronica viene utilizzata sia per lelaborazione di un segnale fonico, sia per gestire la comunicazione in modo da stabilire un collegamento tra due o pi utenti. Sempre nel campo delle telecomunicazioni rientrano le applicazioni di radionavigazione e la telematica. 2) Informatica. Lenorme sviluppo di questo settore rende pressoch impossibile fornire un elenco, sia pur parziale, di applicazioni, esistenti o in fieri. Si pu tuttavia affermare che lelaborazione dei segnali in tale settore esclusivamente di tipo digitale. 3) Controlli. Tale termine va inteso nel senso pi estensivo possibile includendo in esso sia le applicazioni di tipo industriale, che quelle di tipo diverso, tra le quali, a titolo di esempio, si pu citare il controllo di veicoli (controllo di assetto, di motori, delle funzioni dinamiche) o il controllo ambientale (climatizzazione). 4) Consumer nel quale rientrano ad esempio tutte le apparecchiature elettroniche, i giochi elettronici, la gestione dellinformazione, ecc.
I sistemi lineari Capitolo I1
Capitolo 2 SISTEMI LINEARI
2.1) Studio dei sistemi nel dominio del tempo La relazione che lega ingresso e uscita in un sistema fisico di solito espressa tramite unequazione differenziale. Limitandosi per semplicit a sistemi lineari stazionari, cio a quelli per i quali vale il principio di sovrapposizione degli effetti e la propriet di spostamento nel tempo degli effetti con la causa, lequazione differenziale unequazione differenziale lineare a coefficienti costanti:
n i 0
ai .
diy dt i
m i 0
bi .
dix dt i
[2.1]
avendo indicato con x = x(t) e y = y(t) rispettivamente ingresso e uscita del sistema. Lequazione introdotta non tiene conto di eventuali elementi di ritardo presenti (limitazione scarsamente influente per le considerazioni che verranno fatte nel seguito). I coefficienti ai e bi sono elementi reali e m n. Nel dominio della frequenza questultima ipotesi, generalmente verificata per i sistemi fisici, corrisponde a dire che il sistema non un passa-alto,. Quanto di solito si vuole ottenere calcolare landamento di y(t) quando allistante t0 venga applicato un ingresso x(t). Dalla teoria delle equazioni differenziali, ci pu esser fatto se allistante t0 sono conosciute le condizioni iniziali cio il valore della y e delle sue derivate fino alla (n-1)esima. Nel seguito, per ragioni di semplicit, si supporr che t0=0. La soluzione viene allora individuata sommando un integrale particolare della [2.1] corrispondente alla x(t) applicata e lintegrale generale dellequazione omogenea associata:
n i 0
diy dt i
[2.2]
e particolarizzando tale somma in modo che rispetti le condizioni iniziali assegnate. Tutto ci corrisponde a dire che la risposta di un sistema non dipende univocamente dallingresso applicato, ma determinata anche dalle condizioni iniziali che in sostanza riassumono la storia passata del sistema per quanto pu avere influenza sullevoluzione futura.
I sistemi lineari Capitolo I1 Un particolare insieme di condizioni iniziali quello in cui luscita, se non si applica alcun segnale di ingresso, nulla assieme a tutte le sue derivate. In tali condizioni si dice che il sistema a riposo. Si possono definire a questo punto per il sistema due diverse evoluzioni: 1) levoluzione libera che si ha quando lingresso nullo e sono non nulle le condizioni iniziali; 2) levoluzione forzata quando lingresso diverso da zero e sono viceversa nulle le condizioni iniziali. La risposta del sistema nelle condizioni pi generali (ingresso e condizioni iniziali non nulli) pu allora essere ottenuta per sovrapposizione degli effetti come somma di evoluzione libera ed evoluzione forzata. Da quanto detto discende che levoluzione libera coincide con lintegrale generale della [2.2] particolarizzato in corrispondenza alle condizioni iniziali assegnate, mentre levoluzione forzata quellintegrale particolare della [2.1] quando le condizioni iniziali sono nulle. Molto spesso tuttavia, specialmente nel caso di circuiti in cui come ingresso si abbia un segnale sinusoidale, la risposta complessiva viene considerata somma di un termine permanente, che nel caso citato ancora una sinusoide della stessa frequenza dellingresso e di ampiezza e fase calcolabili semplicemente in funzione dei parametri del sistema, e di un termine transitorio. Tale separazione tuttavia possibile in modo semplice solo per ingressi di forma particolare, mentre nei casi pi generali pu divenire di notevole complessit e dar luogo ad una certa serie di delicati problemi. 2.2) I modi Nellimpostazione data lintegrale della [2.2] gioca un ruolo fondamentale. Particolarizzandolo per le condizioni iniziali assegnate fornisce la risposta libera; tuttavia con opportune operazioni fornisce anche la risposta forzata. Si consideri lequazione caratteristica ricavata dalla [2.2]
n i 0
ai . pi
di grado n se a n 0 . Si supponga che tale equazione abbia r radici distinte, che essendo i coefficienti reali, sono reali o a coppie complesse coniugate. Se inoltre si indica con i la molteplicit della radice i-esima, si ha:
r i 1 i
Indicando con pi le r radici distinte, gli n termini:
10

i 1, 2 ,....,r k 0 ,1,....,
t k . e pi .t
[2.3]
costituiscono un sistema fondamentale, cio un insieme di n integrali particolari indipendenti della [2.2]. Lintegrale generale pu allora essere espresso come combinazione lineare di questi n integrali particolari. I termini [2.3] sono detti modi della risposta o modi del sistema. 2.2.1 - Modi aperiodici Si dicono modi aperiodici quelli corrispondenti alle radici reali, cio quando pi assume un valore reale i. Essi hanno pertanto la forma: t k .e Nel caso k=0 si ha: e i .t ed in funzione del tempo landamento quello riportato in figura 2.1.
e
i
i .t
t
i
=0
figura 2.1
Ponendo
1
i
si ottiene:
t
dove la costante i viene detta costante di tempo ed la sottotangente della corrispondente funzione esponenziale (Figura 2.2).
11
figura 2.2
Nel caso in cui i 0 dopo un intervallo i la funzione si riduce a 1/e (circa 0,37) del valore iniziale. In prima approssimazione dopo un intervallo di tempo pari a circa tre volte la costante di tempo si pu ritenere che la funzione si sia annullata. La costante di tempo fornisce delle indicazioni dirette e intuitive sulla velocit di variazione della funzione considerata. Nel caso di k 0 (molteplicit della radice 1) il modo per t crescente tende allinfinito se i 0 o a 0 per i 0; per t=0 parte dallorigine; per i 0 monotona crescente, mentre prima crescente e poi decrescente per 0 (derivata nulla in t k / i ). La forma della curva dipende evidentemente sia i da k che da i . Ad ogni radice multipla corrispondono tanti modi quant la molteplicit. 2.2.2 - Modi pseudoperiodici Quando le radici si presentano in coppie complesse coniugate pi
i
j.
pi
j.
si in presenza di modi che vengono detti pseudoperiodici, si hanno cio i modi t k .e

i
j.
.t
t k .e
i .t
. cos
.t
j.sin
.t
12
t k .e
j.
.t
t k .e
i .t
. cos
.t
j.sin
.t
Per la linearit dei legami in gioco, nel sistema fondamentale degli integrali possibile sostituire i due integrali appena scritti con i due integrali seguenti, ottenuti come combinazione lineare dei precedenti. t k .e
i .t
.sin
.t [2.4]
t .e che hanno il vantaggio di essere reali. Con k=0 tali integrali diventano e e
i .t
. cos
.t
i .t
.sin
i i
.t .t
i .t
. cos
cio degli andamenti rispettivamente sinusoidali e cosinusoidali il cui inviluppo la funzione esponenziale e i .t . Si ha cio una forma pseudoperiodica, contenuta entro due esponenziali, di ampiezza crescente, costante o decrescente a seconda che i sia superiore, uguale o minore di 0. I relativi andamenti sono illustrati in figura 2.3
pi t
e pi t
i
<0 t
i=0
e pi t
i
> 0 t
figura 2.3
13
I sistemi lineari Capitolo I1 Anche in questo caso pu essere conveniente definire nuove quantit. Ad esempio si pu scrivere:
t
.sin
2. .t Ti
mettendo in evidenza il periodo Ti del fattore sinusoidale e la costante di tempo di quello esponenziale. Una coppia di costanti molto usate nello studio dei sistemi sono:
ni 2 1 2 i
e
i i 2 i 2 i
dette rispettivamente pulsazione naturale e coefficiente di smorzamento. Poich per ipotesi i reale e diverso da zero i compreso tra -1 e 1 (estremi esclusi) e vale zero quando i vale 0, cio quando le due radici sono immaginarie pure. Esso caratterizza ovviamente il tipo dellinviluppo della funzione (costante per i = 0, decrescente per i > 0, crescente per i < 0). ni rappresenta la pulsazione dellandamento sinusoidale che si ha con coefficiente di smorzamento i = 0. immediato ricavare le relazioni inverse:
i i
. .
ni
ni
Quando la molteplicit delle radici maggiore di 1, con k cio 0, valgono le stesse considerazioni fatte per i modi aperiodici, quando queste siano estese agli inviluppi delle funzioni sinusoidali e cosinusoidali. Si noti infine che i modi, soluzione dellequazione differenziale omogenea [2.4], vanno combinate linearmente. Indicando con Ai e Bi i coefficienti di tale combinazione i termini possono venire sostituiti da: M i .t k .e con Mi A2 i 14 B2 i
i .t
sin
.t
I sistemi lineari Capitolo I1 Bi Ai
arctg
La caratteristica pi interessante dei modi quella di tendere o meno a zero quando t tende allinfinito. Il comportamento determinato dalla parte reale della radice e si pu affermare che: Condizione necessaria e sufficiente perch un modo tenda a zero per t che tende allinfinito che la parte reale R(pi) della radice dellequazione caratteristica da cui determinato sia negativa. Deve cio essere soddisfatta la condizione R pi 2.3) Risposta libera e risposta forzata 0
2.3.1 - Risposta libera La risposta libera data dallintegrale generale della [2.2] ed esprimibile come combinazione lineare degli integrali particolari che costituiscono il sistema fondamentale. Si pu cio dire che la risposta libera y l t : yl t
r
i 1
i 1 k 0
A ik .t k .e p i .t
Quando le radici sono tutte semplici la precedente relazione si riduce a: yl t

n i 1
A i .e p i .t
Pu talvolta essere utile separare i modi aperiodici da quelli pseudoperiodici. Indicando con n il numero delle radici reali e con v le coppie complesse coniugate si ottiene allora: yl t
u
i 1
i 1 k 0
A ik .t k .e
i .t
i 1
i 1 k 0
M ik .t k .e
i .t
.sin
.t
ik
che nel caso di radici di molteplicit 1 si riduce a: yl t

u i 1
A i .e
i .t
v i 1
M i .e
i .t
.sin
.t
15
I sistemi lineari Capitolo I1 del tutto ovvio che la risposta libera puo essere espressa in funzione delle costanti di tempo per i modi aperiodici e del fattore di smorzamento e della pulsazione naturale per quelli pseudoperiodici. yl t
n i 1 t
A i .e
v i 1
M i .e
i.
ni
.sin 1
2 i
ni
.t
Da queste espressioni generali si ottiene qualsiasi soluzione particolare assegnando il valore delle n costanti che compaiono in ciascuna di esse. Tali valori vanno calcolati in modo da soddisfare le n condizioni iniziali. Vale la pena di osservare che lintera operazione, anche se concettualmente perfettamente definita, pu in molti casi diventare difficile e laboriosa. Al variare delle condizioni iniziali la risposta libera pu modificarsi notevolmente in quanto si modificano i coefficienti della combinazione lineare dei modi e quindi il peso di questi ultimi. 2.3.2 - Risposta forzata Il metodo pi usato per il calcolo della risposta forzata quello del nucleo risolvente o funzione di Green. Detto t
m i 1
bi .
dix dt i
la risposta forzata corrispondente allingresso x(t) data dal seguente integrale di convoluzione: yf t
t 0
qt
.d
t 0
. t
.d
le cui due forme si possono ottenere luna dallaltra per sostituzione di variabile. q(t) detto nucleo risolvente e coincide con la risposta libera a partire dalle condizioni iniziali y0 dy dt .........
t 0
dn 2y dt n 2 1 an
0
t 0
dn 1y dt n 1
t 0
In alcuni casi conviene scindere la risposta forzata in due termini detti rispettivamente termine permanente e termine transitorio. Ci deriva dal fatto che per alcuni segnali di ingresso esiste un integrale particolare della [2.1] che ha la stessa forma del segnale di
16
I sistemi lineari Capitolo I1 ingresso e la risposta forzata pu essere espressa come somma di un termine di questo tipo e dellintegrale dellomogenea. In particolare i segnali esponenziali godono di tale propriet in quanto le operazioni di derivazione lasciano la loro forma inalterata. Se xt la [2.1] pu essere soddisfatta da y t e z.t
A.e z.t , dove

m
i 0 n i 0
bi . zi a i . zi
com immediato verificare. Stante la linearit del sistema, se lingresso una combinazione lineare di esponenziali, nella risposta ci sar un termine combinazione lineare degli stessi esponenziali. Poich in queste considerazioni non si poi fatta alcuna ipotesi su quali siano i coefficienti della combinazione lineare, questi possono essere anche complessi ed allora le considerazioni precedenti si possono estendere anche ai segnali sinusoidali e pi in generale periodici. Questo termine della risposta che corrisponde in modo diretto allingresso viene detto termine permanente yp(t) della risposta; la parte rimanente il termine transitorio yt(t), ancora combinazione lineare dei modi fondamentali, come la risposta libera. Come detto, la risposta del sistema a partire da condizioni iniziali nulle si ottiene come somma di risposta libera e forzata. yt yl t yf t
Pertanto, per quanto detto, la risposta pu essere costruita a partire dalla conoscenza dei modi, anche se nella maggior parte dei casi le operazioni coinvolte non sono n semplici n rapide. 2.4) Regimi canonici Si e visto al paragrafo precedente che la risposta ad un ingresso qualsiasi pu essere calcolata tramite il nucleo risultante, che a sua volta puo essere considerato come unevoluzione libera del sistema a partire da un ben preciso insieme di condizioni iniziali. Oltre a questo regime di evoluzione libera esistono altri regimi le cui risposte permettono il calcolo delluscita che corrisponde ad un particolare segnale di ingresso. Tali regimi prendono il nome di regimi canonici.
17
2.4.1 - Regime impulsivo Si consideri la funzione t, (figura 2.4) tale che:
t,
0 1
per per
t t
2 2
(t, )
__ 1
t
2 2
figura 2.4
La funzione t t0, ovviamente la stessa funzione centrata su t0 anzich sullorigine. Si consideri ora una funzione f(t) continua in t0. Si pu allora scrivere: lim f t . t
0
t 0 , .dt
lim f t . t 0
0
t , .dt
f t0
Indicando con osservando che
il lim t,
0
, detto impulso unitario o impulso di Dirac, ed
lim
0
t , .dt
t .dt 1
si ha allora: f t. t t 0 .dt f t . t0 t .dt f t0
18
I sistemi lineari Capitolo I1 Si consideri ora un sistema le cui condizioni iniziali siano tutte nulle e si applichi al suo ingresso un impulso unitario. La risposta che se ne ricava prende il nome di risposta impulsiva e viene di solito indicata con w(t). Si consideri ora un generico segnale di ingresso x(t). Tale segnale pu venir rappresentato con lapprossimazione rettangolare di figura 2.5.
x(t)
i.
figura 2.5
I vari rettangoli dellapprossimazione possono venir espressi con: t , . .x con i.
La risposta del sistema, per la sovrapposizione degli effetti, esprimibile come somma delle risposte ai singoli segnali rettangolari. Indicando con w(t, ) la risposta al segnale rettangolare unitario di durata , applicato nellorigine, si ha, per sovrapposizione e spostamento: wt e la risposta complessiva wt , .x . , . .x
19
I sistemi lineari Capitolo I1 Tuttavia per t< , le w(t- ) sono nulle e quindi, ricordando che =i. , la sommatoria pu essere limitata superiormente al valore di i che corrisponde a t. Passando al limite per che tende a 0, si ottiene in definitiva: yt
t
wt
.x
.d
Infine con un cambiamento di variabili yt

0
.x t
.d
Una possibile interpretazione che la risposta in un determinato istante determinata dalla somma di tutti i valori assunti dallingresso negli istanti precedenti (t- ) pesati tuttavia da una funzione ponderatrice w( ) che dipende dal tempo t trascorso. Questa funzione, esprimibile con wt lim w t ,
0
viene detta risposta impulsiva del sistema. Se anzich considerare levoluzione del sistema da si suppone che il segnale di ingresso sia applicato in un istante t0 che per comodit pu esser fatto coincidere con lorigine dei tempi, allora la risposta altro non e se non levoluzione forzata del sistema e vale: yf t
t 0
wt
.x
.d
t 0
.x t
.d
Si richiama tuttavia nuovamente sul fatto che tale espressione fornisce solo levoluzione forzata a partire da condizioni iniziali nulle. 2.4.2 - Regime indiciale Un diverso regime canonico si ha quando il segnale di ingresso del sistema la funzione a gradino unitario cio una funzione nulla per t<0 e unitaria per t>0. La corrispondente risposta del sistema prende il nome di risposta indiciale. La funzione a gradino ha una discontinuit nellorigine e pu essere vista come il limite per che tende a zero della famiglia di funzioni trapezie della figura 2.6. Poich la derivata di tale funzione altro non se non t, si pu allora giustificare su un piano intuitivo che la derivata del gradino unitario limpulso unitario. Se questo vero allora anche vero che, in base alla linearit del sistema, la risposta impulsiva la derivata della risposta indiciale.
20
- __ 2
__ 2
figura 2.6
Sulla base di tali affermazioni gradino unitario e risposta indiciale, indicate rispettivamente con e w 1 t permettono di ricavare in altra forma le formule di 1 t composizione per il calcolo della risposta del sistema al segnale x(t): yt
t
.x 1 .d
0
.x 1 t
.d
Valgono per il regime indiciale considerazioni analoghe a quelle del regime impulsivo. Il discorso poi potrebbe venir generalizzato considerando i regimi canonici che si riferiscono a segnali di ingresso ottenuti con successive integrazioni dellimpulso (segnale a rampa, a parabola, ecc.) o con successive derivazioni. 2.4.3 - Relazioni tra risposta impulsiva e modi Alcune considerazioni, relativamente semplici, che tuttavia non si ritiene utile riportare in questa sede, permettono di affermare che: la risposta impulsiva per t>0 esprimibile come una combinazione lineare di modi, allo stesso modo in cui la risposta libera e il nucleo risolvente sono combinazione lineare di modi. La risposta impulsiva pu quindi essere interpretata come una particolare risposta libera a partire da opportune condizioni iniziali. possibile dimostrare che limpulso eccita tutti i modi e quindi che la risposta impulsiva li contiene tutti con coefficienti (pesi) diversi da zero se i due polinomi
n i 0
a i . pi
m i 0
b i . pi
21
I sistemi lineari Capitolo I1 derivati dal primo e dal secondo membro dellequazione differenziale del sistema, non hanno fattori comuni. In tal caso si pu affermare che la risposta impulsiva caratterizza in modo completo il sistema, cos come lo caratterizza lequazione differenziale. 2.5) Integrale e trasformata di Fourier noto che la funzione f(t), periodica di periodo T, cio tale che: f t T f t
pu venir sviluppata in una serie di funzioni armoniche, detta serie di Fourier. Nella sua forma esponenziale la serie data da: f t con 2 T e cn 1 T c n .e jn
t
T 2 T 2
f t .e
jn t
.dt .
Si consideri ora una funzione f(t) continua, ma non periodica. Preso un intervallo T, centrato sullorigine, si definisca la seguente funzione, tale che: fT t f t per T 2 t T 2
e che negli altri punti risulti periodica di periodo T. Si pu allora dire che la fT sviluppabile un serie di Fourier: fT t c n .e jn
t
e poich nellintervallo T la fT coincide con la f, i coefficienti c n possono essere calcolati come: cn Pertanto: 1 T
T 2 T 2
f t .e
jn t
.dt
22

T 2
fT t Si definisca ora la variabile
1 jn t .e . f t .e T T
2
jn t
.dt
n . Risulta quindi che:

n n 1 n
e la relazione precedente si scrive fT t 1 . 2 n ej

nt
. f t .e
T 2
T 2
nt
.dt
Facendo tendere T allinfinito n infinitesimo e quindi si pu formalmente scrivere, poich fT(t) tende a coincidere con f(t) sullintero intervallo di definizione, che f t fT t 1 . e j t .d . f t .e 2
j t
.dt
Si pu dimostrare, che, soddisfatte alcune condizioni, che qui non si ritiene utile riportare e per le quali si rimanda a qualche trattazione pi accurata dellargomento, lintegrale precedente, detto integrale di Fourier, esiste. Il risultato raggiunto suscettibile di una interpretazione estremamente interessante. Si indichi con il nome trasformata di Fourier la funzione F 1 2 . f t .e
j t
.dt
Loperazione appena definita identifica una corrispondenza tra lo spazio delle funzioni del tempo f(t) e lo spazio delle loro trasformate F( ) (funzioni della frequenza o meglio della pulsazione). Si pu dimostrare che tale corrispondenza biunivoca. Se cio due funzioni f1(t) e f2(t) ammettono la stessa trasformata F( ), allora f1(t) = f2(t). Si definisce trasformata inversa di Fourier o antitrasformata loperazione: f t 1 2 . F .e j t .d
che permette di ritornare al dominio del tempo. Il significato pi interessante risiede nel fatto che la trasformata di Fourier permette di estendere alle funzioni non periodiche le considerazioni che si potevano trarre dallespressione in serie di Fourier di una funzione periodica.
23
I sistemi lineari Capitolo I1 Si ricordi che lespansione in serie permette di affermare che una qualsiasi funzione periodica pu essere considerata la somma di termini armonici (sinusoidali e cosinusoidali) di periodo uguale o sottomultiplo intero del periodo T della f(t). In sostanza la f(t) pu essere rappresentata da quello che viene chiamato uno spettro di righe a distanza luna dallaltra. La trasformata di Fourier permette di estendere il medesimo concetto anche alle funzioni non periodiche. Ovviamente la somma della serie diviene un integrale e , cosa pi interessante, lo spettro che rappresenta la funzione in esame, non pi uno spettro di righe, ma uno spettro continuo in cui compaiono tutte le frequenze e non solamente quelle multiple di una frequenza fondamentale . 2.6) La Trasformata di Laplace Una delle condizioni citate per lesistenza della trasformata di Fourier di una funzione f(t) che esista, cio sia finito, lintegrale f t .dt [2.5]
ovvio pertanto che non tutte le funzioni sono trasformabili secondo Fourier; anzi la classe delle funzioni trasformabili piuttosto ristretta. Tale limitazione pu venir superata con lintroduzione della trasformata di Laplace. Quanto segue non ha nessuna pretesa di rigore formale, ma deve venir unicamente inteso allintroduzione dei concetti indispensabili a utilizzare gli strumenti matematici presentati e a capirne il significato. Data una funzione f(t) definita sullintero asse reale , si consideri la funzione f t , coincidente con la f(t) nellintervallo 0, e nulla sul semiasse negativo ,0 . Ci non significa ancora che la funzione f soddisfi la [2.5] tuttavia, se f viene moltiplicata per un opportuno esponenziale e t , con reale e positivo, allora lintegrale f t .e
t 0
f t .e
pu essere reso finito. In queste condizioni la trasformata di Fourier f t .e esiste. Indicando con la variabile s s j
t
.e
j t
.dt
0
f t .e
.t.dt
24
I sistemi lineari Capitolo I1 quella che viene chiamata frequenza complessa, si ottiene una nuova trasformazione tra il dominio della variabile t e quello della variabile s, che gode di molte delle propriet della trasformata di Fourier e ha unespressione formale molto simile. Fs
0
f t .e
s.t
.dt
Essa prende il nome di trasformata di Laplace. Anche lantitrasformata ha una struttura formale simile a quella della trasformata di Fourier f t
0
F s .e s.t .ds
interessante mettere in luce una propriet della trasformata di Laplace, peraltro comune con la trasformata di Fourier. Si consideri una funzione f(t), continua e derivabile, e si supponga di volerne trasformare secondo Laplace la sua derivata. Si ottiene L df dt df .e dt
s. t
.dt
0
s.t
.df
Ricordando che lintegrale per parti u.dv ponendo u e

s. t
u.v
v.du
e dv = df si ottiene: L df dt e
s. t
.f t
t 0
s f t .e
0
s.t
.dt
Si ha cioe: L df dt s.F s f 0
dove con f 0 si indicato il valore iniziale della f(t) immediatamente dopo t=0. Poich il ragionamento pu venir condotto per via iterativa, si ha ancora: L d2f dt 2 s 2 .F s s.f 0 df dt
t 0
25
I sistemi lineari Capitolo I1 e cos via. Si intuisce pertanto che il reale valore del metodo di trasformazione risiede anche nel fatto che la F(s) rimane la stessa per la f(t) e tutte le sue successive derivate e quindi non necessario eseguire ogni volta il materiale calcolo della trasformata. In tabella [2.1] sono riportate le trasformazioni di alcune delle funzioni pi comuni.
TABELLA 2.1
Fs f t .e
0 s. t
.dt
f t 0
per t 0 per t 0
1)
2) 3) 4)
a s 1 s a s2 s
2 2
a
e at sin .t cos .t
C. cos con
C A2 B
s
2
5) 6) 7) 8)
A.s B 2 s2
s a
2 2
.t
2
arctg
B A
e at sin t e at .cos t tn t
s a 2 s a
n! sn 1 1 9) 2 s 10) 11)
1 s a 1 s a
n 1!
.t n 1 .e
at
t .e
at
26
12) s.f (s) f 0 13) s 2 .f s

f s 14) s s.f 0 f t dt
0
t
df dt
t 0
df dt d2f dt 2
f ( t )dt f t a .1 t a con 1 t gradino
15) e as .f s 16) Somma delle trasformate di termini individuali s.sin .cos 17) 2 2 s 18) 19) 20) 21) s2 s e
2 s 2
unitario
Somma dei termini

sin .t sinh cosh f t t t 0 per t
s
2
s
s
1 e s
1 e s2
=1
f t 1
per
per
t t
t>
t
=0
s 2
per
22) 23) 24) 25) 26) 27)
f t 0
s
per per per
t>
t t t 2 2
1 1 e s s2
s s a s s a
2
f t
1 t per t 0 per t
at
1 at .e t. 1
at .e 2
at
1 s a .s b s s a .s b
e at a b a. e at b. e a b
bt
bt
27
I sistemi lineari Capitolo I1 1 s a s b s s a.s b s s a

2
28) 29) 30) 31) 32) 33) 34) 35) 36)
at
bt
.1
a b
a b .t
at
b2 1 s
a b. a b .t.e bt a.e 2 a b a e at . cos b.t .sinb.t b c.b .e

at
s a.s b.s c s a.s b.s c 1 s. s a 1 s a . s2 1 s

2 2 2 2
a c .e bt b a .e a b.b c.c a
at
ct
a. b c .e 1 .1 e a a 2
2
b. c a .e bt c a b .e a b.b c.c a
at
ct
at
.sin t cos t
. sin t
t cos t
s2
2 2
t .sin t 2
infine interessante notare che se le funzioni del tempo di cui si considerano le trasformate sono nulle fino a t=0 e se ne pu dare la trasformata secondo Fourier, tale trasformata coincide con quella di Laplace calcolata per s = j . Si dir studio nel dominio della variabile quello che fa riferimento al comportamento delle funzioni in corrispondenza dellasse immaginario del piano complesso. In sostanza si potr studiare il comportamento frequenziale, con un estrema semplicit, senza verificare caso per caso le condizioni di trasformabilit secondo Fourier. questo un punto molto interessante, poich molto frequente il caso in cui non necessario ritornare nel dominio del tempo. Nella maggior parte dei casi infatti la caratterizzazione di un dispositivo molto pi significativa quando se ne conosca il comportamento alle varie frequenze, cio quando se ne conoscono le caratteristiche filtranti, che non quando se ne conosca il comportamento nel dominio di t. 2.7) Studio di un sistema nel dominio della variabile s. Si riprenda in considerazione lequazione differenziale [2.1]. Per ottenere lequazione corrispondente in s sufficiente applicare la trasformazione di Laplace ad ambo i membri dellequazione. Si gi visto in precedenza che la trasformata della derivata i-esima di una funzione f (t) data da
28
I sistemi lineari Capitolo I1 d if dt i

i 1 k 0
s i .F s
sk .
di 1 kf dt i 1 k
t 0
Se si considerano funzioni f (t) (nel caso specifico sia il termine forzante x (t) che la corrispondente risposta y ) nulle per t < 0 allora lespressione precedente si semplifica L d if dt i s i .F s
cio nel dominio della variabile s loperazione di derivazione corrispondente ad una semplice moltiplicazione per s. Daltra parte supporre che le x (t) e le y (t) siano nulle fino a t = 0 (assieme alle loro derivate) corrisponde a studiare il sistema solo per quanto riguarda la sua risposta forzata. Ecco quindi che la trasformazione di Laplace diviene un conveniente metodo di studio per la risposta forzata dei sistemi lineari stazionari. Nelle ipotesi fatte loperazione di trasformazione secondo Laplace porta dallequazione differenziale [2.1] alla relazione Ys.
n i 0
a i .s i
Xs.
m i 0
b i .s i
Da una relazione differenziale cio si passa tramite la trasformata di Laplace ad unespressione polinomiale nella variabile s. Si pu a questo punto scrivere:
m
Ys
X s . i n0
i 0
b i .s i a i .s i
La funzione razionale della variabile complessa s data dal rapporto:

m i 0 n i 0
b i .s i a i .s
i
Ws
prende il nome di funzione di trasferimento e permette di calcolare facilmente la trasformata Y(s) delluscita una volta che sia conosciuta la trasformata X(s) dellingresso (termine forzante). Si ricordi che nel dominio del tempo, la stessa operazione era di complessit ben maggiore, in quanto obbligava al calcolo di un integrale di convoluzione, cio di un integrale del tipo:
29

t 0
yt
wt
.x
.d
La trasformazione di Laplace pertanto riduce il calcolo di un integrale di convoluzione al calcolo di un semplice prodotto. Un interessante osservazione deriva dal calcolo della trasformata della risposta quando lingresso un impulso (t). La trasformata dellimpulso , per le propriet dellimpulso gi viste in precedenza: t .e st .dt
0
st
t 0
La risposta allimpulso unitario, detta risposta impulsiva, pertanto: Ys 1.W s Ws
e coincide con la funzione di trasferimento. Senza entrare nelle problematiche della trasformazione inversa di Laplace, che esulano dagli scopi che questa trattazione, necessariamente approssimata e abbreviata, si pone conveniente fissare lattenzione sui metodi di rappresentazione delle funzioni della variabile s. Una di queste, di notevole importanza, quella ottenuta in relazione a quelli che vengono chiamati i poli pi e gli zeri zi della funzione W (s). Si gi visto che la W (s) una funzione razionale della variabile complessa s = a + j
m
Ws
i 0 n i 0
b i .s i a i .s
i
[2.6]
dove numeratore e denominatore sono polinomi a coefficienti reali della variabile complessa s. I poli pi = ai + j i vengono definiti come le r radici distinte del denominatore, di molteplicit i. Si vede immediatamente che i poli di W (s) coincidono con le radici dellequazione polinomiale associata allequazione omogenea del sistema
n i 0
bi
diy dt i
e pertanto individuano i modi del sistema. ' Gli zeri z i j. 'i sono invece le r radici distinte del numeratore di molteplicit 'i . i Pertanto la W (s) pu essere scritta nella forma
30

r'
Ws
k'
i 1 r i 1
s s
zi pi
' i
bm . an Pu essere conveniente tenere separati i fattori corrispondenti a zeri e poli reali da quelli relativi a zeri e poli complessi coniugati. Anzi conveniente anche evidenziare un eventuale polo di molteplicit nellorigine ed un eventuale zero di molteplicit sempre nellorigine. Si ottiene, indicando con u e 2v e rispettivamente u e 2v il numero dei poli reali, di quelli complessi coniugati, degli zeri reali e di quelli complessi coniugati e supponendo che leventuale polo e zero nellorigine siano quelli di indice zero nella produttoria precedente, si ottiene: con k '
u'
Ws
k'
i 1
s
u i 2
' i
' i
v' i 1
s
v i 1
' 2 i
'2 i 2
' i
'
2 i
Infine tale espressione pu essere modificata utilizzando, in luogo delle costanti 1 le costanti di tempo i per le radici reali e il coefficiente di smorzamento pulsazione naturale
ni
i i
i,
e la
per quelle complesse coniugate. Si ottiene

u' i 2
1 s.
u i 2
' i
' i
v' i 1
1 2
v i 1
' i
Ws
k s
' ni
s s
ni
' i
' 2 ni
'
1 s.
1 2
2 2 ni
[2.7]
dove K legato a K dalla relazione

u ' i ' i
i
v' i 1 v i 1
k'
i 2 u' i 2
' 2 ni 2 ni
' i
' i
e prende il nome di guadagno a regime. Per confronto con la relazione precedente si pu altres constatare che K il rapporto tra i coefficienti b e a relativi alle potenze di s di ordine pi basso.
31
I sistemi lineari Capitolo I1 2.8) Rappresentazione delle funzioni in Si gi accennato al fatto che le trasformate di Laplace di una funzione, calcolate per s = j , coincidono, quando sia soddisfatto un certo numero di condizioni, con le trasformate di Fourier delle stesse funzioni. Conviene allora prendere in considerazione in che modo possano essere rappresentate le funzioni complesse di variabile reale W (j ). Si noti che la W (j ) individuata per ciascun da una coppia di grandezze, che possono essere sia la parte reale R(j ) e la parte immaginaria I (j ) della W (j ), sia il I j W j R2 j I 2 j e la fase j modulo M j arctg : R j W j R j jI j M j .e j
j
Una rappresentazione molto usata per la sua immediatezza e praticit quella mediante i diagrammi logaritmici di Bode. In essi in funzione del logaritmo della pulsazione sono riportati il logaritmo del modulo e la fase di W. Il diagramma del modulo pertanto un diagramma doppiamente logaritmico, mentre il diagramma di fase ha una scala logaritmica unicamente sulle ascisse, e in ordinata la scala risulta lineare. I moduli sono normalmente misurati in decibel (dB). Si definisce misura in decibel di una grandezza G la quantit: G dB 20.log10 G R
dove R un opportuno riferimento. Per la scala delle ascisse (w) i logaritmi pi usati sono il logaritmo decimale, e in questo caso si parla di decadi, intendendo in tal modo che due frequenze che siano in rapporto 10 tra di loro hanno distanza sullasse delle ascisse sempre uguali, indipendentemente dal loro valore assoluto; oppure si utilizza il logaritmo in base 2 e in tal caso si parla di ottave, intendendo con questo un intervallo di frequenze i cui estremi rappresentano due frequenze in rapporto 2 tra di loro. Il ricorso ad una rappresentazione logaritmica legato a due considerazioni. Come prima cosa si pu osservare che il ricorso ad una scala logaritmica permette di rappresentare grandezze che possono avere variazioni di notevole ampiezza in quanto il logaritmo contrae i valori elevati ed espande quelli bassi. In secondo luogo molto spesso necessario eseguire il prodotto di 2 o pi funzioni. Siano F1 e F2 due funzioni della variabile F1 La funzione F M1 . e j
1
F2
M2 . e j
F1 . F2 vale
32
F F1 .F2
M1 .M 2 .e j
Quando per il modulo si usa una rappresentazione logaritmica si ha log F log M 1 .M 2 log M 1 log M 2
e quindi la legge di composizione dei moduli diviene identica a quella utilizzata per le fasi cio una somma. Infine lutilizzo di scale logaritmiche permette di dare una rappresentazione molto comoda della W (j ), quando questa sia espressa in forma fattorizzata, come illustrato nella relazione [2.7]. Questa rappresentazione prende il nome di rappresentazione asintotica. Si riprenda in considerazione la [2.7], questa comprende, al numeratore come al denominatore, solamente fattori del tipo K j 1 j T 1 2 j
n
j
2 n
con
M (dB)
20 16 12 8 4 0 -4 -8 -12 -16 -20
20.log k
/2
/4
=0
- /4
- /2
figura 2.7
33
I sistemi lineari Capitolo I1 Pertanto il tracciamento della W (j ) sulla scala logaritmica pu venir ridotto a: 1) Tracciamento delle curve corrispondenti ai singoli fattori; 2) Composizione delle singole curve sommando i termini del numeratore e sottraendo quelli del denominatore. Per la costante K il diagramma di Bode di modulo una retta orizzontale di ordinata 20.log10 K, mentre la fase 0 in quanto K reale (Figura 2.7) Per il fattore monomio j si ha: M 20.log M 20.log e quindi i grafici di modulo
e , poich la scala logaritmica, anche lascissa x e pari al log e fase sono quelli illustrati in figura 2.8.
M (dB)
25 20 15 10 5 0 -5 -10 -15 -20 -25
/2
/4
- /4
- /2
figura 2.8
34
I sistemi lineari Capitolo I1 La pendenza della curva del modulo di 20 dB / decade, mentre la fase pari a 90, in quanto il termine immaginario puro. Se la scala delle ascisse fosse espressa in ottave, la pendenza del modulo sarebbe di circa 6 dB / ottava. Per il fattore binomio si ha 20.log M 20.log 1
2
T2
arctg T Il diagramma del modulo presenta due asintoti, le cui equazioni si determinano facilmente trascurando T rispetto a 1 o 1 rispetto a T . Nel primo caso si ottiene che: 20.log M Nel secondo 20. log M 20. log T 20. log 20. log T 20.log 1 0
La prima relazione in funzione del log , rappresenta una retta coincidente con lasse delle ascisse, la seconda una retta inclinata di 20 dB / decade che interseca lasse delle ascisse nel punto log cio per log T
1 . A questa frequenza la differenza tra andamento asintotico e reale pari a T 20. log 1 1 3dB
mentre gi una decade sopra o sotto la frequenza di rottura la differenza si riduce a 0,04 dB, quantit che pu essere ritenuta trascurabile. Per quanto riguarda la fase essa, con le stesse approssimazioni, vale 0, cio coincide con lasse delle ascisse per 1/ T. Una buona approssimazione dellandamento reale si ha connettendo con una retta i punti dei due asintoti che si trovano rispettivamente una decade sotto e una decade sopra la frequenza 1/T (Figura 2.9) Lo scostamento massimo tra andamento asintotico e reale in questo caso non supera gli 0,1 radianti in corrispondenza alle due frequenze 1/10 T e 10/T
35

M (dB)
20 15 10 8 5 0 -5 -10 -15 -20 -25
1/T
/2
/4
- /4
- /2
figura 2.9
Infine prendendo in considerazione il fattore trinomio
1 2
j
n
2 2 n
2 i i 2 i 2 i
2 i
si ottiene che: 20. log M 2 arctg 1 relazioni in cui figurano i due parametri
n 2 2 n
20. log
2 2 n
4. 2 .
2 2 n
36
I sistemi lineari Capitolo I1 Anche in questo caso nel diagramma del modulo possono essere messi in evidenza due 0 lasintoto coincide con lasse delle ascisse, mentre quando si pu asintoti. Per trascurare lunit nel termine 1
2 2 n
cio per
si ha:
20. log M 2. 20. log
20. log
che in funzione di log rappresenta una retta inclinata di 40 dB / decade (12 dB / ottava) che interseca lasse delle ascisse nel punto n. C da notare landamento reale del modulo in questo caso dipende da e lo scostamento tra andamento reale e asintotico pu essere anche molto elevato in quanto al tendere di a zero tale scostamento tende allinfinito.
figura 2.10
37
I sistemi lineari Capitolo I1 Anche la fase presenta due asintoti, ambedue orizzontali, il primo coincide con lasse a seconda che sia maggiore o minore di zero. Il delle ascisse e laltro di ordinata pari a raccordo tra questi due asintoti dipende tuttavia da . Nella figura 2.10 sono riportati gli scostamenti dellandamento reale del modulo dal diagramma asintotico e landamento della fase in funzione del valore di . 2.9) Esempi di diagrammi di Bode Esempio 1 Si consideri il circuito in figura 2.11
R vi i C vu
figura 2.11
Lequazione differenziale che stabilisce il legame tra tensione dingresso vi e corrente i
vi t Derivando dv i dt e trasformando s.Vi s
R.i t
1 i t .dt C0
R.
di dt
1 .i C
s.R.I s
1 .I s C
38
I sistemi lineari Capitolo I1 si ottiene: Is Ricordando ora che: Vu t e trasformando Vu s si ottiene infine: Vu s 1 s.Vi s . s.C 1 s.R C 1 Vi s . C 1 s.R C Vi s 1 s.C.R 1 Is s.C s.Vi s 1 s.R C 1 i t .dt C0
t
In definitiva la funzione di trasferimento : Vu s Vi s e presenta un polo per s 1 1 sCR
1 reale. RC Per quanto visto nellintroduzione ai diagrammi di Bode il diagramma di modulo avr 1 1 un punto di rottura alla pulsazione con T RC , mentre la fase sar nulla fino T i 1 alla pulsazione 1/10 RC e assumer un valore pari a /2 in ritardo per (figura 10. R. C 2.12). La caratteristica frequenziale quindi quella di un filtro passa-basso intendendo con tale dizione un sistema che trasmette in uscita, in pratica senza attenuazione, tutti i segnali la cui frequenza sia inferiore ad una particolare frequenza detta frequenza di taglio. Nel nostro caso 1 la frequenza di taglio ft . Da quanto visto per i diagrammi di Bode, in 2 RC corrispondenza alla frequenza di taglio lattenuazione di 3 dB. In altre parole un segnale alla frequenza f t viene ridotto in uscita a 0,707 volte la sua ampiezza in ingresso.
39
M (dB)
20 dB/dec
1/10RC
1/RC
10/RC
/4
/2
figura 2.12
Esempio 2 Un circuito molto simile a quello preso in esame quello di figura 2.13 che si ottiene scambiando tra loro resistenza e capacit.
C vi i R vu
figura 2.13
Ragionando analogamente a quanto gi fatto si ottiene che: Vu s Vi s R R 1 sC sCR 1 sCR CR s 1 sCR
40
I sistemi lineari Capitolo I1 Come si vede in questo caso la funzione di trasferimento possiede uno zero nellorigine 1 . Il diagramma di Bode di modulo e fase si potr ottenere come e un polo reale in s CR composizione (additiva) dei diagrammi relativi ai termini j , 1 j RC e del termine costante CR. Si ottengono i diagrammi di figura 2.14
M (dB)
j
20 dB/dec RC j RC
/2
/4
1/10RC
1/RC
10/RC
figura 2.14
La caratteristica quella di un filtro passa-alto cio di un sistema che trasferisce in uscita pressoch inalterati tutti i segnali la cui frequenza sia superiore alla frequenza di taglio 1 fT . Anche in questo caso lattenuazione in corrispondenza a fT pari a 3 dB. 2 RC Per quanto riguarda la fase il termine costante non d alcun contributo avendo fase costantemente nulla, quello j introduce uno sfasamento in anticipo pari a /2, quello 1 j RC si comporta come nel caso precedente. Esempio 3 Anche reti pi complesse possono essere facilmente analizzate nel loro comportamento in frequenza. Si consideri ad esempio la rete di figura 2.15. La relativa funzione di trasferimento :
Vu Vi R2
R2 1 .R 1 sC 1 R1 SC
R2
R1 1 sCR 1
R2
R 2 1 sCR 1 R 1 R 2 sCR 1 R 2
41
I sistemi lineari Capitolo I1 R2 1 sCR 1 . R 1 R 2 1 sC R 1R 2 R1 R 2
vi
R1
R2
vu
figura 2.15
Indicando con T1
R 1 . C e T2 Vu Vi
R 1 // R 2 .C si ha: con T2 T1 1 e un polo reale in T1
R1
R2 1 s. T1 . R 2 1 s. T2
La funzione cos determinata possiede uno zero reale in s s
1 R2 . Il guadagno K e il diagramma di Bode del modulo e della fase T2 R1 R 2 pertanto quello riportato in figura 2.16.
M (dB)
20 log K
figura 2.16
42
I sistemi lineari Capitolo I1 1 . 2 T2 A differenza della rete circuitale presa in esame precedentemente questa tuttavia non blocca la tensione continua, cosa evidente dal fatto che in parallelo al condensatore posta una resistenza. Lattenuazione massima dei segnali alle basse frequenze determinata dal valore di K, cio dai valori prescelti per R1 e R2. Sotto un altro punto di vista si potrebbe dire che lattenuazione dipende dalla distanza tra i due punti di rottura. La caratteristica ancora quella di un filtro passa alto con frequenza di taglio f t Esempio 4 Unulteriore rete di un certo interesse quella illustrata nella figura 2.17
R1 R2 C
figura 2.17
vi
vu
La funzione di trasferimento che si ricava : Vu Vi R2 R1 R2 1 sC 1 sCR 2 1 sC R 1 R 2 1 sT1 1 sT2
1 sC
con T1
T2
Anche in questo caso la funzione di trasferimento presenta uno zero per s polo per s
1 . In questo caso tuttavia il valore del polo (reale) inferiore a quello dello T2 zero e pertanto i diagrammi di Bode di modulo e fase sono quelli riportati in figura 2.18. Il comportamento quello tipico di un filtro passa basso, ma lattenuazione limitata a R 2 / R 1 R 2 o se si vuole legata alla distanza tra le due frequenze di rottura. Il valore dellattenuazione pu essere determinato come: lim Vu j Vi j R2 R1 R 2
1 e un T1
43
M (dB)
4 2
figura 2.18
Esempio 5 - a 2.19). conveniente infine prendere in considerazione la seguente struttura circuitale (figura
vi
vc
figura 2.19
La corrente circolante : Is Vi s R sL 1 sC sC Vi s s LC sRC 1

2
44
I sistemi lineari Capitolo I1 Se si volesse studiare come varia la tensione ai capi del condensatore in funzione della 1 del frequenza del segnale v i t applicato, dal prodotto di I s per la reattanza capacitiva sC condensatore si ottiene: Vc s Vi s 1 sC . 2 sC s LC sRC 1 1
s LC sRC 1
questa una funzione di trasferimento che presenta ovviamente due poli che si possono calcolare risolvendo lequazione s2 LC sRC 1 0 Per valori di R opportuni i due poli diventano complessi coniugati. Pi precisamente per L R 2 ci si trova in tale condizione. Si possono in tal caso calcolare la pulsazione naturale C e il coefficiente di smorzamento
n 2 i 2 i i 2 i 2 i
Nel caso particolare in cui R s1 j 1 LC
0 i due poli diventano immaginari puri e pari a: j s2 j 1 LC j
La frequenza naturale diviene allora pari a e il coefficiente di smorzamento si annulla. Da quanto visto in precedenza il diagramma di Bode presenta un asintoto verticale in corrispondenza a n mentre per frequenze inferiori tende a coincidere con lasse delle ascisse. Infatti:
j
lim
Vc s Vi s
lim
1 LC j RC 1
Per frequenze superiori a (Figura 2.20 )
la curva di risposta cala con una pendenza di 40 dB/decade
45
M(dB)
figura 2.20
Per valori di R compresi tra 0 e 2 negativa. Via via che R tende a 2
L , lo smorzamento tende a -1 e n tende ad i . La curva C di risposta conserva le caratteristiche appena viste, ma la il picco di risonanza in corrispondenza a n per la curva del modulo tende ad appiattirsi, mentre la transizione tra il valore 0 e il valore - della curva di fase diviene via via pi graduale, facendosi sentire per circa una decade sotto e una decade sopra la pulsazione naturale. L Quando R diviene maggiore di 2 i due poli diventano reali e distinti e il C comportamento diventa quello di un usuale filtro passa basso con due poli. Esempio 5 - b Analoghe considerazioni si possono fare quando la tensione di uscita viene prelevata ai capi dellinduttore. In questo caso la funzione di trasferimento VL s Vi s s 2 LC s 2 LC sRC 1
L i due poli sono complessi coniugati a parte reale C
Si hanno in tal caso due zeri nellorigine e due poli con le stesse caratteristiche gi prese in considerazione.
46
I sistemi lineari Capitolo I1 La risposta in frequenza diventa quella di un filtro passa alto, con un picco di risonanza, quando i poli sono complessi coniugati, tanto pi elevato quanto minore il valore del coefficiente di smorzamento. Esempio 5 - c Se infine la tensione di uscita viene prelevata ai capi del resistore, come illustrato nella si ottiene: VR s Vi s sRC s LC sRC 1
2
Si ha in tal caso uno zero nellorigine e due poli che in funzione del valore di R possono essere complessi coniugati, reali coincidenti o reali distinti. La risposta in frequenza assume le caratteristiche di quello che viene detto filtro passa banda, intendendo con ci il comportamento di un sistema in cui lattenuazione cresce via via che ci si allontani da una frequenza detta di centro banda. I vari tipi di risposta assumeranno andamenti diversi a seconda di poli puramente immaginari (figura 2.21)
M (dB)
20 dB/decade
-20 db/decade
figura 2.21
oppure di poli complessi coniugati (figura 2.22)
M (dB)
figura 2.22
47
I sistemi lineari Capitolo I1 con un picco di risonanza meno pronunciato via via che il coefficiente di smorzamento aumenta. Infine quando i poli diventano reali, coincidenti o distinti si avranno andamenti asintotici del tipo indicato in figura 2.23
M (dB)
p1
p2
figura 2.23
in cui lampiezza del pianerottolo orizzontale dipende dalla distanza dei due poli -p1 e -p2. In tutti questi casi la fase passa da un valore pari a + /2 ad uno pari a - /2, in maniera dipendente dal coefficiente di smorzamento nel caso di poli complessi coniugati, mentre nel caso di poli reali essa pu venir determinata con le consuete regole di composizione.
M (dB) B
f f
Ti Ts
3 dB
= frequenza di taglio inferiore = frequenza di taglio superiore VM
VM = valore massimo (valore in banda)
0,707 VM
f Ti
figura 2.24
f Ts
Nel caso di sistemi passa banda si definiscono due frequenze di taglio, una inferiore e laltra superiore. Sono esse le frequenze alle quali lattenuazione del segnale di -3 dB (0,707 volte il segnale di centro banda) (figura 2.24) Si definisce infine banda passante B la differenza fTs - fTi.
48
Esempio 6 Cos come esistono i filtri passa banda, cosi esistono anche gli elimina banda di cui un esempio riportato nella figura 2.25
R C
vi (t)
vu(t)
figura 2.25
Vu s Vi s
s 2 LC 1 s 2 LC sRC 1
Si vede immediatamente che il filtro in questione ha due zeri puramente immaginari e due poli. A seconda della loro posizione relativa essi determinano una risposta del tipo riportato in figura 2.26 con un picco di attenuazione pi o meno pronunciato. Per frequenze che tendono a 0 o rispettivamente allinfinito la funzione di trasferimento assume modulo unitario.
M (dB) 1 LC
figura 2.26
49
Dispositivi passivi Capitolo 3
Capitolo 3 DISPOSITIVI PASSIVI

3.1) Generalit Fino a questo momento i componenti presentati nei vari circuiti presi in considerazione sono sempre stati considerati come elementi ideali. Ad esempio un resistore sempre stato considerato un elemento dotato unicamente di resistenza, un condensatore una pura capacit e un induttore una pura induttanza. In sostanza quindi tutti i componenti passivi presi in considerazione fino ad ora presentavano una sola delle caratteristiche elettriche dei componenti passivi reali. Dal punto di vista dei fenomeni energetici coinvolti, si sempre considerato che in un resistore lenergia fosse associata alla dissipazione termica, nel condensatore fosse associata al campo elettrico e nellinduttore al campo magnetico. Nella realt non si riesce mai ad avere componenti perfetti, in cui lenergia sia associata ad uno solo di questi fenomeni energetici. Nella realt infatti qualsiasi componente presenta delle anomalie che alterano il comportamento rispetto a quello ideale. necessario quindi rappresentare il componente, nella maggior parte dei casi, con modelli pi sofisticati che tengono conto di queste anomalie. In un componente reale uno dei tre fenomeni energetici dominante, ma anche gli altri due sono presenti e possono essere visti come fenomeni parassiti indesiderati, che ne disturbano il comportamento. Tutto ci fa intuire che esistono per ciascun componente dei limiti di funzionamento, oltre i quali il comportamento degenera in modo tale da impedirne limpiego. 3.2) Resistori Si sa che, dato un conduttore a sezione costante S di lunghezza l, la sua resistenza : R l S
dove la resistivit, parametro tipico del materiale usato, assegnato in ohm.metro o in ohm.cm. Tuttavia con la circolazione di corrente nel conduttore, rimane associato a questo anche un campo magnetico e quindi unenergia, in particolare se per realizzare il resistore il conduttore stato avvolto su un supporto, realizzando in tal modo un solenoide. presente pertanto anche un effetto induttivo. Al variare della frequenza quindi non detto che il componente si comporti sempre come un resistore, ma viceversa e certo che a frequenze elevate prender il sopravvento la componente induttiva. Inoltre la tensione presente ai capi di un resistore, quando questo percorso da corrente, d luogo ad un campo elettrico. Ecco quindi che nel nostro dispositivo reale vi anche una componente capacitiva, indesiderata ma presente. Un possibile modello che tenga conto di tutte e tre le componenti, rappresentandole con elementi ideali, quello indicato in figura 3.1
50
Lp
Cp
figura 3.1
dove con Lp e Cp sono state indicate rispettivamente linduttanza e la capacit parassita. ovvio che il modello introdotto, soprattutto per quanto riguarda la capacit, valido solo in prima approssimazione. Nella realt la capacit distribuita lungo lintero corpo del resistore, mentre nel modello stata presa in considerazione una capacit concentrata. altrettanto ovvio, anche ad un esame superficiale ed assolutamente qualitativo, che il comportamento del resistore dipendente dalla frequenza. Se ad esempio leffetto del condensatore fosse sensibile si potrebbe avere un andamento con la frequenza del tipo indicato in figura 3.2
R( ) Rnom
figura 3.2
Il resistore reale pu quindi essere considerato rappresentabile con un elemento ideale solo fino a una certa frequenza, che dipende dalla costante di tempo RC. In altri casi potrebbe essere determinante leffetto induttivo, ma il discorso del tutto analogo. In generale per valori resistivi elevati si presenta gi a frequenze relativamente basse un polo dovuto alla capacit parassita. Prevale pertanto leffetto capacitivo, e leffetto si risente a partire da frequenze che si trovano a qualche decina di MHz.
51
Dispositivi passivi Capitolo 3 In altri casi, in particolare per resistori di basso valore, per i quali leffetto del polo capacitivo si sposta verso frequenze molto elevate, si risente prima delleffetto induttivo e il grafico di R / R no min ale assume un andamento crescente al di sopra di certe frequenze. Obiettivo dei costruttori di componenti ovviamente quello di ridurre al minimo gli effetti degli elementi parassiti. Elementi resistivi di comune impiego sono: 1) Resistori fissi; 2) Resistori variabili (reostati e potenziometri); 3) Trasduttori resistivi (celle di carico, strain gauge, misuratori di pressione). Reostati e potenziometri sono ambedue resistori variabili, realizzati tramite un contatto strisciante sul corpo del resistore, tuttavia il loro inserimento nel circuito diverso. Nel caso del reostato, il resistore inserito in serie tra generatore e carico, secondo quanto illustrato nella figura 3.3
Rv
R L(carico)
Rv
figura 3.3
con il compito di permettere la variazione della corrente I che circola. I V
Rv
RL
Nel caso del potenziometro linserzione quello della figura 3.4 e il suo scopo di variare la tensione applicata al carico.
52
V
a.Rv
Rv RL Vu
figura 3.4
Indicando con a. R v la frazione della R v inserita tra lestremit bassa del resistore variabile e il cursore, si ha: aR v R L aR v R L .V con a 1 Vu aR v R L 1 a Rv aR v R L Per R L la relazione precedente diviene: Vu aR v .V Rv a. V
Per ottenere un legame sufficientemente lineare tra frazione inserita e tensione duscita opportuno che R L sia molto maggiore di R v (figura 3.5).
Vu V
= L
R 'L
" RL
R " < R' L L
1
figura 3.5
53
Dispositivi passivi Capitolo 3 Le resistenze appena viste sono variabili in funzione di unazione meccanica, ad esempio con la rotazione di un asse che trascina il cursore. Se il dispositivo realizzato di buona qualit esso pu allora venir utilizzato per misurare, ottenendo in uscita una tensione, langolo di rotazione dellasse. Si ottenuto in tal caso un trasduttore, cio un dispositivo che a partire da una grandezza fisica (nel caso specifico una rotazione rispetto un riferimento) sia in grado di fornire in uscita una grandezza fisica diversa ad essa proporzionale (in questo caso una tensione). Trasduttori basati su resistenze sono ad esempio quelli in cui la variazione della resistenza viene provocata dallapplicazione di una forza o di una pressione, come le citate celle di carico, i sensori di pressione, ecc. Sempre resistenze variabili, ma per effetto di agenti diversi che non quelli meccanici, sono i termistori, i fotoresistori e i varistori. Nei termistori la resistenza varia in maniera piuttosto cospicua con la temperatura, diminuendo allaumentare di questultima. Analogamente nei fotoresistori la resistenza varia in funzione dellenergia incidente, cio dellilluminazione. In ambedue i casi tuttavia il legame tra causa agente ed effetto non un legame di proporzionalit. Infine i varistori sono bipoli di tipo resistivo, la cui resistenza funzione della tensione applicata. Per essi vale la seguente relazione V e quindi i varistori sono elementi non lineari. 3.3) Condensatori E noto che due conduttori piani di superficie S e paralleli separati da un dielettrico di costante formano quello che viene chiamato un condensatore, in cui esiste proporzionalit tra la differenza di potenziale V tra i due conduttori (armature) e la carica elettrica Q accumulata nel sistema tramite un coefficiente C detto capacit. C Se d la distanza tra le armature C Q V S d R V .I
Se il dielettrico il vuoto, la costante dielettrica quella del vuoto, cio 0 = 8,86 pF/m, mentre se il dielettrico diverso si ha una costante dielettrica che dipende dal materiale, ma comunque maggiore di 0. Tuttavia non esistono dielettrici perfetti e quindi si avranno delle correnti di perdita, di cui si potr tener conto in un modello del condensatore tramite un elemento resistivo posto in parallelo al condensatore stesso. Inoltre i collegamenti saranno dotati di una resistenza e da uninduttanza proprie Un possibile modello abbastanza semplice, che trascura la parte induttiva quello di figura 3.6
54
Rs
Rp
figura 3.6
Rp e Rs sono gli elementi resistivi introdotti per tener conto dellenergia che si dissipa rispettivamente nel dielettrico e nei conduttori. Non questo il solo modello possibile; per esso tuttavia il comportamento in frequenza , secondo Bode, quello di figura 3.7
M (dB)
figura 3.7
dove con M viene indicato il modulo dellimpedenza. Fino ad una certa frequenza il modulo diminuisce, come ci si aspetta di 20 dB/decade, poi comincia a prevalere leffetto resistivo, con valori del modulo dellordine dellohm o del decimo di ohm. Quando leffetto induttivo non sia trascurabile pu capitare che il condensatore abbia una frequenza di risonanza propria al di sopra della quale il comportamento induttivo prevale. 3.4) Induttori Un induttore viene realizzato avvolgendo un conduttore su un supporto cilindrico. Il fenomeno dominante in questo caso il campo magnetico associato al passaggio di corrente, ma ci si rende conto che anche in questo caso esiste sia un fenomeno dissipativo legato alla
55
Dispositivi passivi Capitolo 3 resistenza propria del conduttore, sia una capacit parassita, rappresentabile in prima approssimazione con un condensatore in parallelo. Si sa che in un induttore di V L dt e se lavvolgimento formato da n spire di area S e la lunghezza dellavvolgimento l, linduttanza L e S L n2. . l con permeabilit magnetica del materiale su cui stato avvolto il filo. Nel caso del vuoto = = 1,256 H/m.
Alcuni materiali, detti ferromagnetici, hanno una permeabilit molto maggiore di quella del vuoto e permettono quindi a parit di spire di ottenere valori induttivi notevolmente pi alti. Disgraziatamente questi materiali, sottoposti a campi magnetici variabili danno luogo a delle perdite, cio dissipano energia. Di questo fenomeno necessario tener conto nel modello dellinduttore tramite una resistenza equivalente, tenendo anche presente che tali perdite aumentano al crescere della frequenza, e che la permeabilit di molti materiali varia al variare del campo magnetico. In sostanza se si volesse descrivere con precisione un induttore reale con nucleo ferromagnetico, si dovrebbe tener conto che le perdite crescono con la frequenza (in genere con il quadrato di questultima), e che il dispositivo non affatto lineare in quanto V Li di dt
Oltre certi valori di campo poi, tutti i materiali ferromagnetici saturano. La loro permeabilit differenziale diviene in pratica pari a quella del vuoto (figura 3.8)
tg = tg =
H
figura 3.8
56
Dispositivi passivi Capitolo 3 abbastanza evidente che in questa situazione molti sono i possibili modelli di un induttore reale, pi o meno soddisfacenti. Uno di essi quello illustrato in figura 3.9 (modello poco aderente alla realt in caso di nucleo ferromagnetico, in quanto lineare)
Rp
Cp
figura 3.9
con L elemento dominante, Rp resistenza che tiene conto delle varie perdite e Cp capacit concentrata rappresentativa delle capacit distribuite dellinduttore reale. Anche in questo caso al di sopra di una certa frequenza leffetto capacitivo e quello resistivo dovuto alle perdite possono prendere il sopravvento. inoltre necessario, nel caso idi nuclei ferromagnetici, porre una certa attenzione alla corrente circolante nellinduttore per evitare fenomeni di saturazione. Siamo quindi in presenza di un elemento che presenta una notevole discrepanza da quello ideale. Si preferisce in questo caso, introdurre un coefficiente di qualit Q che possa tener conto di quanto loggetto reale si avvicina a quello ideale. Esso definito come rapporto tra la potenza accumulata nel campo magnetico (potenza reattiva PR) e quella dissipata (potenza attiva PA). Il coefficiente di qualit, detto fattore di merito, ovviamente funzione della frequenza e vale: Q PR PA
Trascurando la capacit parassita e rappresentando le perdite con una resistenza parassita serie RS (figura 3.10)
Rs ( )
figura 3.10
si ottiene: 57
Dispositivi passivi Capitolo 3 L
Rs
Si ha un pertanto un numeratore che cresce al crescere di , ma anche il denominatore, che tiene conto delle perdite cresce con . Si puo di solito individuare un intorno di valori in cui il fattore di merito relativamente alto, mentre per frequenze inferiori e superiori va rapidamente decadendo e rende il componente poco usabile a tali frequenze. Se si usasse un modello con resistenza di perdita in parallelo (figura 3.11)
R p( )
figura 3.11
si otterrebbe: Q Rp L
che tuttavia porterebbe, come devessere, a conclusioni analoghe. In sostanza tutti i discorsi fatti per i componenti passivi presi in considerazione portano a dire che gli oggetti reali vengono approssimati con dei modelli, la cui validit tuttavia ristretta ad un campo di frequenza limitato. Ogni volta quindi che un modello di componente verr utilizzato sar necessario aver ben chiaro qual il campo di frequenza in cui esso pu ritenersi valido, per evitare di commettere grossolani errori. 3.5) Area di funzionamento sicuro (SOA) Oltre allintervallo di frequenza entro cui un componente pu operare correttamente, esistono poi altri limiti che delimitano il corretto impiego, superando i quali loggetto in questione non ha pi un comportamento corretto o addirittura si danneggia. Si definisce quindi larea di funzionamento sicuro (safe operating area SOA). In essa si descrivono, ad esempio nel piano corrente-tensione (figura 3.12), le linee di confine oltre le quali il componente non pu pi essere utilizzato. Ad esempio un resistore limitato dalla massima dissipazione Pmax V.I
che determina sul piano V,I uniperbole. In scala logaritmica liperbole si trasforma nella retta inclinata a 45. Nella zona tratteggiata di figura 3.12 il resistore potrebbe distruggersi. Altri 58
Dispositivi passivi Capitolo 3 limiti possono essere un valore massimo di corrente, che determina il danneggiamento per elettromigrazione, e quello di tensione, superando il quale si pu avere il danneggiamento per scarica. Questi tre limiti determinano la SOA entro la quale deve venir mantenuto il campo operativo del componente.
I I max
1
SOA
Pd max (25 C)
Vmax
figura 3.12
Il diagramma della SOA tuttavia viene assegnato ad una ben precisa temperatura. Allaumentare della temperatura ambiente la potenza massima dissipabile diminuisce. Per riportarsi ad altre temperature di funzionamento vengono allora assegnate le curve di derating il cui aspetto quello riportato nella figura 3.13
Pd
P0
TR
figura 3.13
Tmax
Ta
in cui viene assegnata la massima potenza disponibile in funzione della temperatura.
59
Dispositivi passivi Capitolo 3 Poich ogni oggetto fisico avr una massima temperatura di funzionamento Tmax, a tale temperatura la potenza dissipata dovra essere necessariamente nulla. Vi poi una massima potenza dissipabile, caratteristica del dispositivo, che si pu ritenere costante fino ad una certa temperatura di riferimento TR. Per temperature superiori a TR la potenza decresce linearmente fino a ridursi a zero in corrispondenza a Tmax. Vi sono infine dei coefficienti, chiamati coefficienti ambientali, che permettono di valutare in che modo i parametri, che in prima approssimazioni vengono ritenuti delle costanti, variano in funzione di una qualche caratteristica ambientale. In tabella 3.1 vengono riportati alcuni di tali coefficienti.
Tabella 3.1
Coefficienti ambientali
Coefficiente di temperatura T: RT R0 1
T
T0
dove T la temperatura di lavoro e T0 quella di riferimento
Coefficiente di tensione v: RV R0 1
v
V0
dove V la tensione di lavoro e V0 quella di riferimento.
Coefficiente di invecchiamento : Rt R0 1 t t0 dove t e il tempo trascorso dallistante t0 in cui si e iniziata losservazione e nel quale il valore del resistore era R0.
60
I semiconduttori Capitolo 4
Capitolo 4 SEMICONDUTTORI
4.1) La conduzione nei solidi Oltre ai materiali che si possono definire buoni conduttori e rispettivamente isolanti, esistono materiali le cui caratteristiche si situano in posizione intermedia tra quelle delle due categorie precedenti e che permettono di realizzare dispositivi in grado di controllare il flusso di cariche cio la corrente che li attraversa. Si parla in tal caso di semiconduttori. I materiali semiconduttori pi noti sono il Germanio (Ge), il Silicio (Si) e lArseniuro di Gallio (GaAs). Non considerando dispositivi particolari, il Germanio stato il primo materiale usato in modo organico per la costruzione di dispositivi elettronici. Oggi la maggior parte dei dispositivi elettronici impiega il Silicio. LArseniuro di Gallio il capostipite di una classe di semiconduttori, detti III - V dalla colonna di appartenenza dei singoli elementi costituenti alla tabella periodica degli elementi. Sui semiconduttori III-V si basano dispositivi ultra veloci e tutti quei dispositivi destinati agli impieghi di tipo ottico-elettronico, come i LED o i laser a semiconduttore impiegati per la trasmissione dei segnali in fibra ottica. I semiconduttori sono comunque una categoria molto vasta di materiali, alcuni noti e sporadicamente usati in elettronica prima o indipendentemente dallo sviluppo dei transistori (esempio fotoresistenze al Solfuro di Cadmio, termistori, ecc.), alcuni di sviluppo molto recente, come ad esempio i semiconduttori II - VI, usati fra laltro per la rivelazione di radiazione infrarossa. In generale i dispositivi a semiconduttore usati in elettronica (almeno quelli di cui ci si occupera) sono ottenuti da materiali con struttura monocristallina. Per la comprensione dei principi di funzionamento dei dispositivi elettronici quindi essenziale partire da uno studio dei fenomeni che si verificano nella materia in struttura monocristallina. Un semplice modello atomico quello che descrive latomo composto da una parte centrale, detta nucleo, attorno alla quale vi un guscio di elettroni orbitanti. Gli elettroni tuttavia non possono assumere qualsiasi livello energetico, ma occupano solo ben determinati livelli discreti di energia, individuati da quelli che vengono chiamati numeri quantici. Per ogni livello, detto orbitale, possono trovare collocazione unicamente due elettroni, che differiscono unicamente per lo spin1. Fornendo energia al sistema, o prelevandone, gli elettroni possono spostarsi su stati di energia diversi. Con energia fornita dallesterno gli elettroni si spostano su stati superiori pi esterni mentre quando si portano su stati pi interni si ha una diminuzione di energia che viene emessa per radiazione. Se lenergia fornita dallesterno supera un determinato valere, lelettrone pu divenire libero, ionizzando latomo. In questo caso lelettrone, che pu muoversi liberamente, diviene un portatore di carica, mentre quando latomo non stato
1 Spin il nome comunemente dato al numero quantico magnetico di spin che viene indicato con M e che S
pu assumere i valori
1/ 2 a seconda del senso di rotazione.
61
I semiconduttori Capitolo 4 ancora ionizzato, pur contenendo un certo numero di cariche completamente neutro e non in grado di cedere alcuna di queste sue cariche in modo da contribuire alla conduzione. In un sistema nel quale gli atomi possono essere considerati isolati, quando cio la loro distanza talmente grande da rendere nulla linterazione tra i singoli atomi, la situazione energetica dei singoli elettroni pu essere almeno qualitativamente descritta dal diagramma in figura 4.1 intendendo con energia 0 lenergia dellelettrone libero, cio sganciato dal nucleo atomico e libero di muoversi. In un reticolo cristallino tuttavia, lipotesi di atomo isolato viene a cadere e a causa dellinterazione tra atomi vicini entra in gioco il principio di esclusione di Pauli secondo il quale due elettroni con lo stesso spin non possono pi stare sullo stesso livello energetico e si distribuiscono quindi su livelli distinti. A causa del grande numero di elettroni in un cristallo gli elettroni si distribuiscono praticamente in bande di energia. Le bande di energia, entro le quali si trovano i livelli energetici permessi, originatesi al ridursi della distanza interatomica, come avviene nel caso di un reticolo cristallino, possono rimanere distinte, separate da una banda vietata, che non contiene livelli permessi, oppure possono risultare parzialmente sovrapposte.
energia potenziale dell'elettrone (eV) 0
atomo
atomo
figura 4.1
In termini molto semplificati il diagramma energetico assume la struttura della figura 4.2, cio una struttura periodica in cui un elettrone che appartiene ad uno stato interno dellatomo non pu spostarsi dallatomo stesso, rimanendovi vincolato, a meno che il suo livello energetico non venga consistentemente alterato, cedendo ad esso unaliquota di energia non trascurabile. Se si considerano gli elettroni che appartengono a stati energetici dei gusci pi esterni, si vede che essi in realt possono trovarsi entro i due limiti Eu ed El della banda energetica in cui, per effetto dellinterazione, si sono trasformati i livelli energetici relativi agli atoni isolati. Se quindi un elettrone possiede unenergia tale da ricadere in tale banda in realt esso libero di muoversi allinterno del reticolo cristallino. In realt quindi lelettrone appartiene al 62
I semiconduttori Capitolo 4 reticolo pi che al singolo atomo. Si noti che un elettrone con energia superiore o uguale a Ei addirittura libero di muoversi al di fuori del reticolo.
energia potenziale
Eu El
elettrone vincolato
Ei
cristallo
figura 4.2
Questa rappresentazione, che bene precisare essere molto grossolana, pu gi giustificare il fatto che materiali solidi, di tipo metallico, hanno una certa quantit di elettroni che non sono legati ai singoli atomi, ma sono liberi di spostarsi, quasi fossero un gas allinterno del reticolo cristallino, rendendo il materiale conduttore. Il fatto che i livelli energetici ai bordi siano pi elevati che non allinterno giustifica anche il fatto che gli elettroni rimangono confinati allinterno del materiale. Nei materiali isolanti, cio nei cattivi conduttori, gli stati energetici che non appartengono al singolo atomo esistono, ma non sono popolati da elettroni o lo sono in maniera talmente scarsa da rendere il fenomeno della conduzione trascurabile. 4.2) Il modello a bande denergia Si visto al paragrafo precedente che se gli atomi vengono considerati isolati, gli stati quantici in cui gli elettroni possono mantenersi sono precisi e ben definiti per ciascun atomo (figura 4.3)
E Ec
per il silicio E G = 1.12 eV conduzione
stato 2p stato 2s
E G = Ec - Ev
Ev
valenza
d (distanza interatomica) 5.43 A figura 4.3
63
I semiconduttori Capitolo 4 Si ricordi che per ciascun livello in un atomo isolato possono risiedere al pi due elettroni. Quando due atomi vengono avvicinati, iniziano ad interagire tra loro e per rispettare il principio di esclusione di Pauli, che vieta che nello stesso stato ci possano essere pi di due elettroni, ciascuno stato si suddivide in due. Poich poi in un reticolo cristallino gli atomi che interagiscono sono in numero estremamente elevato, si pu concludere che ciascuno stato si trasforma in una banda energetica. Nel grafico della figura 4.3 illustrato, in maniera qualitativa, il caso del silicio in cui i quattro elettroni dello strato pi esterno realizzano un legame covalente con gli atomi adiacenti. Siano ora gli stati 2p e 2s rispettivamente i livelli energetici di elettroni di conduzione e di elettroni di valenza. Con il diminuire della distanza interatomica i due livelli energetici si separano in bande, com illustrato nella figura 4.3. Ad una distanza di 5,43 , che la distanza interatomica in un cristallo di silicio, i due livelli degenerano in due bande di energia permessa, separate da una banda proibita di ampiezza pari a 1,12 eV. Nella banda inferiore, detta banda di valenza, tutti i livelli disponibili risultano occupati da elettroni, che risultano vincolati e non possono contribuire quindi alla conducibilit elettrica del materiale. Nella banda superiore che si dice di conduzione, i livelli permessi sono liberi e possono venire occupati da elettroni in grado di trasportare una corrente elettrica. Un elettrone, per potersi muovere e quindi contribuire al trasporto di corrente, deve quindi prima passare dalla banda di valenza, dove vincolato, a quella di conduzione. In altri casi, ad esempio nella grafite, materiale tetravalente come il silicio, il reticolo cristallino ha una dimensione tale da portare le bande a toccarsi. In tal caso sufficiente un modestissimo apporto energetico per trasferire un elettrone dallo stato energetico di valenza a quello di conduzione. In generale si possono distinguere tre situazioni (figura 4.4), che danno origine a tre categorie di materiali: La banda di conduzione e quella di valenza sono separate da un intervallo di energia EG - energia della banda vietata o gap - di parecchi elettronvolt. Il materiale in questione allora un isolante, perch in condizioni normali di temperatura e a meno di forti sollecitazioni elettriche gli elettroni non possono passare in banda di conduzione e quindi il materiale sostanzialmente non conduce. questo il caso, ad esempio, dei comuni materiali isolanti usati nella microelettronica, come il biossido di silicio (SiO2) in cui la banda vietata di circa 8 eV o il nitruro di silicio (Si3N4) con un gap di circa 4 eV. La banda di conduzione e quella di valenza sono parzialmente sovrapposte. In questo caso basta un piccolo campo elettrico applicato perch gli elettroni acquisiscano unenergia addizionale sufficiente a liberarli portandoli nella banda di conduzione. Un tale materiale un conduttore. Questa e la situazione tipica dei metalli. La banda di conduzione e quella di valenza sono separate da un intervallo di energia piccolo, dellordine di 1 eV. In questo caso il materiale un semiconduttore. Ad esempio a 0 K nel Ge la banda proibita di 0,785 eV e di 1,21 eV nel Si. A basse temperature i semiconduttori si comportano da isolanti, almeno per campi elettrici applicati che non siano in grado di portare gli elettroni dalla banda di valenza a quella di conduzione. Tuttavia allaumentare della temperatura una certa quantit di elettroni acquista energia 64
I semiconduttori Capitolo 4 sufficiente per passare nella banda di conduzione, con un processo detto di generazione. Gli elettroni che sono passati nella banda di conduzione lasciano poi dei livelli liberi nella banda di valenza. La mancanza di elettroni nella banda di valenza si dice lacuna. Sia gli elettroni nella banda di conduzione che le lacune nella banda di valenza possono contribuire alla conduzione di corrente elettrica.
banda di conduzione
elettroni liberi EG 1 eV = lacune
EG 6 eV =
banda proibita banda di valenza
banda di conduzione
banda di valenza
figura 4.4
Per intendere meglio cosa significhi lacuna, necessario ricordare che lequilibrio che stato descritto un equilibrio di tipo dinamico. Gli elettroni presenti nella banda di conduzione ad una determinata temperatura sono in media in quantit costante, ma ci non significa che lo siano istante per istante. In altre parole pu accadere che un elettrone passi in un certo istante in banda di conduzione e dopo essersi spostato sotto lazione di un campo elettrico, ricada nella banda di valenza andando ad occupare una lacuna secondo il fenomeno della ricombinazione. In sostanza quindi come se la lacuna si fosse spostata in direzione opposta al movimento dellelettrone. Poich alla lacuna associata una carica elettrica positiva pari alla carica dellelettrone, il fenomeno partecipa alla conduzione elettrica del materiale. Si pu allora parlare di due portatori di carica, elettroni e lacune, di segno opposto, che, muovendosi in direzioni opposte, sono responsabili delle correnti allinterno del semiconduttore. Un semiconduttore in cui le lacune nella banda di valenza sono in numero uguale agli elettroni in banda di conduzione si dice intrinseco. Esistono dei metodi (drogaggio), per far s che la conducibilit di un semiconduttore sia dovuta prevalentemente portatori di carica di un solo tipo. Semiconduttori di questo genere si dicono estrinseci. opportuno notare che poich lenergia della banda proibita dipende dalla distanza interatomica, EG dipende dalla temperatura. A 0 K EG per il silicio vale 1,21 eV mentre a 300 K, (temperatura ambiente) si riduce a 1,12 eV. Lentit della corrente dipende del numero di elettroni nella banda di conduzione e di lacune in quella di valenza. Riferendosi ad esempio alla banda di conduzione, si pu dimostrare che il numero di stati possibili in cui un elettrone pu trovarsi funzione dellenergia con un legame di tipo radice quadrata. Non tutti gli stati tuttavia sono possibili e lo stesso discorso vale anche per le lacune nella banda di valenza 65
I semiconduttori Capitolo 4 Il numero di possibili stati occupabili da portatori di carica in banda di conduzione e in quella di valenza riportato nel grafico (a) di N(E) della figura 4.5. Tuttavia, come si detto, non affatto assicurato che questi stati siano popolati.
E - EF
N(E)
Ec EF
0 0,5 1 F(E) (1 - F(E)) . N(E) F(E) . N(E)
Ev
(a)
(b)
figura 4.5
(c)
La distribuzione degli elettroni nei livelli permessi si ricava dalla statistica quantistica ed descritta dalla funzione di Fermi - Dirac che definisce la probabilit f(E) di occupazione da parte di un elettrone del livello di energia E, come riportato in figura 4.5 (b). f E 1 1 e
E EF kT
dove k la costante di Bolzmann in eV/K, T la temperatura assoluta in K e EF il livello di energia di Fermi, che rappresenta il livello di energia in cui la probabilit di occupazione pari a 0,5. f(E) quindi funzione della temperatura e a 0 K degenera nel grafico di figura 4.6
E - EF
0,5
F (E)
figura 4.6
66
I semiconduttori Capitolo 4 Ci sta ad indicare che tutti gli elettroni si trovano ad unenergia inferiore a EF; il livello di Fermi quindi definibile anche come il limite superiore dellenergia che un elettrone pu possedere allo zero assoluto. Negli isolanti e nei semiconduttori il livello di Fermi cade nella banda vietata, mentre nei metalli cade in una banda permessa. Si pu dimostrare che in un semiconduttore intrinseco il livello di Fermi EF cade allincirca a met della banda vietata. Al crescere della temperatura la forma diviene sempre meno spigolosa. Prendendo in considerazione una temperatura superiore allo zero Kelvin, landamento sar del tipo riportato in figura 4.7
E-E
E* 1 E 0,5 F(E)
figura 4.7
Si consideri ora un semiconduttore, per il quale EF si trova in posizione intermedia tra la banda di valenza e quella di conduzione. Presa in considerazione lenergiaE , estremo superiore della banda di valenza, si pu notare che non tutta la popolazione elettronica presente in tale banda e vi sono quindi stati liberi che vengono occupati da lacune, mentre in corrispondenza a E*, limite inferiore della banda di conduzione non si ha un valore nullo, ma vi una certa disponibilit di elettroni. Con riferimento alla banda di valenza, si noti poi che, se f(E) rappresenta la distribuzione degli elettroni, la curva complementare 1 - f(E) d, in funzione della temperatura, la probabilit di trovare lacune con energia inferiore a EF. Componendo le informazioni relative agli stati possibili che possono venir popolati e la probabilit che lo siano in funzione della temperatura, si ottiene il grafico della figura 4.5 c che indica in sostanza la densit di elettroni e lacune utilizzabili come portatori di carica per sostenere una corrente. In un semiconduttore intrinseco la densit di elettroni n e lacune p uguale e pari a ni, funzione della temperatura. Si pu allora scrivere che: n. p n2 i
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I semiconduttori Capitolo 4 4.3) I semiconduttori drogati o estrinseci Per aumentare la conducibilit di un semiconduttore necessario aumentare la popolazione dei portatori. Tale risultato pu venir conseguito contaminando il cristallo con delle impurit, dette droganti, i cui atomi si comportano da impurit sostituzionali, occupando il posto di un atomo del materiale base nel reticolo cristallino. Fissando lattenzione su materiali semiconduttori tetravalenti, quali il germanio e il silicio, le impurit comunemente usate sono materiali pentavalenti, quali il fosforo (P), larsenico (As) e lantimonio (Sb) o materiali trivalenti quali il boro (B), lindio (In) o lalluminio (Al). La quantit di drogante sempre molto moderata, dellordine di un atomo di drogante ogni 108 atomi di materiale base. I semiconduttori drogati con materiali pentavalenti prendono il nome di semiconduttori di tipo n, mentre quelli drogati con materiali trivalenti vengono chiamati semiconduttori di tipo p. Fissando lattenzione sui semiconduttori di tipo n, ci si pu rendere conto, sia pure in maniera intuitiva, che dei cinque elettroni di valenza del materiale drogante solo quattro partecipano ad un legame covalente, e quindi ad un legame forte, con gli atomi circostanti. Il quinto elettrone, legato unicamente allatomo di impurit, pu essere reso libero con un modesto apporto di energia, diventando pertanto un portatore di carica. Allelettrone liberato rimane associato uno ione positivo, bloccato nel reticolo cristallino. In modo analogo, quando il drogante un materiale trivalente, limpurit che si inserisce nel reticolo cristallino tende a catturare un elettrone dagli atomi circostanti, diventando uno ione negativo e generando una lacuna. In altre parole i livelli energetici introdotti dai droganti nel modello a bande di energia non subiscono gli effetti del principio di esclusione di Pauli. Nel silicio n, come illustrato nella figura 4.8, si ha lintroduzione di un livello in pi che cade nella banda vietata del semiconduttore intrinseco ed prossimo al limite inferiore della banda di conduzione di questultimo (basta unenergia molto piccola ceduta allelettrone che si trova su tale livello energetico perch passi in banda di conduzione).
reticolo cristallino
Intrinseco
Ec EG Ev
Intrinseco
En EF
EFn EF
As
e-
figura 4.8
In modo analogo il drogaggio di tipo p introduce nella banda vietata del semiconduttore intrinseco, un livello energetico prossimo allestremo superiore della banda di valenza. Il materiale tuttavia ha una concentrazione di impurit estremamente bassa e quindi pu essere considerato ancora come materiale praticamente puro. Inoltre alle temperature normali 68
I semiconduttori Capitolo 4 il drogante pu essere considerato totalmente ionizzato. Anzi anche a temperature abbondantemente inferiori allo zero Celsius, questa ipotesi pu essere considerata completamente soddisfatta. Poich il numero di elettroni in banda di conduzione aumentato, e quindi aumentata la probabilit di occupazione di un determinato livello di energia, evidente che il livello di Fermi del materiale drogato EFn si spostato rispetto a quello EF del materiale intrinseco nella direzione della banda di conduzione (figura 4.9). Lentit di tale spostamento data da: EF E Fn EF kT ln N ni
dove N la concentrazione dellimpurit, k la costante di Boltzman, T la temperatura assoluta e ni la concentrazione dei portatori di carica nel semiconduttore intrinseco. Il doppio segno che compare nellespressione deriva dal fatto che un discorso perfettamente analogo si pu fare con drogaggi effettuati con materiali trivalenti, nel qual caso lo spostamento del livello di Fermi avviene nella direzione della banda di valenza. I materiali drogati pentavalenti che rendono il semiconduttore di tipo n vengono detti donatori, quelli trivalenti, che lo rendono di tipo p vengono detti accettori.
n Ec E Fi EF EF E
F
EF
figura 4.9
opportuno inoltre far notare che nellespressione precedente, che permette di valutare EF, con N si intende la concentrazione netta di impurit, cio la differenza tra numero di donatori e di accettori; non quindi assolutamente necessario che il drogaggio sia effettuato con un materiale di un unico tipo per ottenere un semiconduttore di tipo p o di tipo n. Se il drogaggio molto elevato, 1019 o pi, il semiconduttore diviene degenere, cio praticamente un conduttore, e il livello di Fermi taglia una delle bande permesse. In questo caso lipotesi di completa ionizzazione del drogante pu non essere pi accettabile. In un materiale drogato le concentrazioni n di elettroni e p di lacune sono legate, in equilibrio termico, allo spostamento del livello di Fermi dalle relazioni conosciute sotto il nome di equazioni di Schockley
69
EF kT EF kT
n e quindi
n i .e
ni . e
n. p
n2 i
Si vede pertanto che al crescere di n diminuisce p e viceversa, ma il loro prodotto sempre pari al quadrato di ni del semiconduttore intrinseco per il quale p=n ovvio che la concentrazione ni dipende dalla temperatura; il legame tra concentrazione nel semiconduttore intrinseco e temperatura del tipo n i2 K1e
K2 kT
con K1 e K2 opportune costanti, k costante di Boltzman e T temperatura assoluta. Si tenga ora presente che in un materiale drogato, per il quale si possa ritenere valida lipotesi di completa ionizzazione del drogante deve valere che n p ND NA
avendo indicato con ND e NA le concentrazioni di donatori e accettori e con n e p le concentrazioni dei portatori di carica elettroni e lacune. Lespressione evidente in quanto ND e NA rappresentano le cariche legate al reticolo cristallino, n e p le cariche libere, ma ovviamente il materiale nel suo complesso deve rimanere elettricamente neutro. Dal sistema delle due equazioni n. p n p si pu facilmente ricavare che: ND n ni NA ND 2
1 2
n2 i ND NA
ni
n i2
NA
1 2
ND p ni
ni
NA
ND 2 70
n i2
NA
I semiconduttori Capitolo 4 Landamento di p/ni e n/ni riportato nella figura 4.10 in funzione di (ND - NA)/ni
semiconduttore p
12 10 8
semiconduttore n
p ni
6 4 2
n ni (ND- N )/ni A 2 4 6 8 10
-10
-8
-6
-4
-2
figura 4.10
Queste curve indicano che se ND ni NA 0
cio se il materiale un materiale di tipo n, allora n p. In questo caso allora gli elettroni costituiscono i portatori di maggioranza, le lacune quelli di minoranza. Se invece ND ni NA 0
cio in un materiale di tipo p, sono le lacune che costituiscono la popolazione maggioritaria dei portatori, mentre gli elettroni diventano minoritari. Inoltre le due relazioni trovate permettono di dire se (ND - NA)/ni >> 0, allora: n ND e di conseguenza 0 allora: e di conseguenza n n i2 NA p n i2 ND
mentre quando (ND - NA)/ni p NA
Si consideri ora la concentrazione di elettroni in un semiconduttore intrinseco e in uno drogato n e come tale concentrazione vari con la temperatura. Un discorso perfettamente analogo si pu fare per le lacune in un materiale drogato p. Alle basse temperature, nella zona che detta di congelamento e si estende dallo 0 K fino a circa -90 C 70 C, lenergia termica non sufficiente a ionizzare i donatori in un 71
I semiconduttori Capitolo 4 numero significativo. Di conseguenza il materiale si comporta quasi come il semiconduttore intrinseco. A partire dal limite superiore di tale zona, la ionizzazione dei donatori aumenta rapidamente e con un modesto incremento di temperatura questi ultimi risultano tutti ionizzati. La concentrazione n dei portatori maggioritari diviene pari a ND e molto maggiore di ni. Tale situazione si conserva fino a qualche centinaio di gradi centigradi, quando ni prende di nuovo il sopravvento e il semiconduttore riprende un comportamento simile a quello di un semiconduttore intrinseco. Questa zona individuata nella figura 4.11 dal pianerottolo pressoch orizzontale della curva (b). Il comportamento in questa zona dettato dalle impurit e pu essere controllato dosandole opportunamente. proprio questa zona che viene sfruttata per la realizzazione di dispositivi in grado di modulare la corrente.
n (concentrazione di elettroni)
(b) ni semiconduttore intrinseco T ( K) figura 4.11
4.4) Conduzione e diffusione Quando un materiale in cui siano presenti dei portatori liberi di carica viene sottoposto ad un campo elettrico si determina uno spostamento di questi portatori e si origina una corrente. Considerando un semiconduttore, con portatori di ambedue i tipi, di densit rispettivamente n e p, le densit di corrente relative a ciascun tipo di portatore sono: Jp q . p.
p
Jn
q . n.
dove q la carica dellelettrone, e p e n sono due coefficienti proporzionali allintensit del campo elettrico che hanno le dimensioni di una velocit:
p p
.E 72
.E
p e n descrivono quindi lattitudine dei portatori a spostarsi sotto lazione di un campo elettrico e per tale motivo prendono il nome di mobilit rispettivamente di lacune e di elettroni. La mobilit, in generale diversa per gli elettroni e le lacune, definita come il rapporto tra la velocit assunta dalle particelle e il campo elettrico. La mobilit decresce allaumentare della temperatura e del drogaggio. Poich campo elettrico e potenziale sono tra loro, come noto, legati, si pu concludere che la densit di corrente, e quindi la corrente che circola in un conduttore, ai cui estremi sia stata applicata una differenza di potenziale, proporzionale a tale differenza di potenziale. In termini macroscopici si ottenuta la legge di Ohm, relazione fondamentale per le correnti cosiddette di conduzione. Nei semiconduttori tuttavia presente anche un altro fenomeno. Tale fenomeno, detto diffusione, non legato al valore delle cariche n allintensit del campo elettrico, ma alla loro distribuzione spaziale ed derivato dalla teoria dei gas. Sostanzialmente tale teoria afferma che se vi sono due comparti, in uno dei quali vi un maggior numero di molecole di gas che non nel secondo, si verifica un loro spostamento verso il comparto maggiormente vuoto, finche non viene raggiunta una condizione di equilibrio. interessante notare che quanto appena affermato, sia pure in maniera assolutamente qualitativa, non coinvolge in alcun modo la nozione di carica ed quindi assolutamente slegato dal fatto che le particelle prese in considerazione siano o no portatrici di una carica elettrica. Si pu allora pensare che nel semiconduttore esistono delle zone in cui, per drogaggio non uniforme, la quantit di portatori risulta punto per punto differente, dando luogo ad un gradiente di concentrazione. In questo caso per diffusione si genera una corrente dipendente dal gradiente, detta corrente di diffusione. Facendo lipotesi che questo gradiente sia presente solo lungo un asse, indicato con x, le densit di corrente di diffusione sono:
Jn
q. D n .
dn dx
Jp
q. Dp .
dp dx
dove le quantit Dn e Dp prendono il nome di costanti di diffusione ed hanno unespressione del tipo: D kT . q (relazione di Einstein)
Questa corrente tende a pareggiare il gradiente, ma se questo viene in qualche modo mantenuto si ha un nuovo contributo permanente alla corrente totale. In definitiva per un semiconduttore si pu scrivere la seguente equazione di trasporto della carica elettrica. J q. n.
n
p.
.E
q. D n .
n x
Dp .
p x
(4.1)
Il primo termine del secondo membro rappresenta la corrente di conduzione, come somma delle due componenti, di elettroni e lacune, il secondo membro la corrente di diffusione. La diffusione avviene in senso opposto al gradiente di concentrazione, cio dalla 73
I semiconduttori Capitolo 4 concentrazione maggiore verso la concentrazione minore. Questo spiega i segni che compaiono nellespressione della densita di corrente. In assenza di campi elettrici la corrente si riduce alla sola componente diffusiva, in assenza di gradienti di concentrazione alla sola componente conduttiva. Nel caso in cui il semiconduttore sia di tipo p o di tipo n la corrente di conduzione si riduce poi praticamente a quella dei soli portatori di maggioranza. Dallespressione della corrente di conduzione J q. n.
n
p.
.E
.E
si definisce la conducibilit del materiale. Il drogaggio di un semiconduttore altera la conducibilit, che, note le mobilit, pu essere calcolata dalle espressioni delle concentrazioni dei portatori. opportuno notare come il valore della mobilit sia molto diverso nei diversi semiconduttori usati in elettronica. In particolare laltissima mobilit degli elettroni nellArseniuro di Gallio giustifica limpiego di questo materiale per la costruzione di dispositivi ultra veloci. 4.5) Effetto Hall Questo effetto dimostra lesistenza nei semiconduttori di una conducibilit di tipo p e di tipo n, consente di misurare la mobilita dei portatori e costituisce il fenomeno su cui si basa il funzionamento delle magnetoresistenze e dei generatori di Hall, componenti impiegati come sensori di campi magnetici. Si consideri una lastrina di materiale semiconduttore (figura 4.12), percorsa da una corrente I e sottoposta a un campo magnetico B.
d
figura 4.12
I portatori di carica che si muovono entro il materiale con velocit v subiscono la forza di Lorentz data da F q. v B dove q la carica (con segno) della particella. [4.2]
74
I semiconduttori Capitolo 4 Per effetto della forza F sia le particelle positive (lacune), che quelle negative (elettroni) si addensano dallo stesso lato della piastrina. Infatti, se la corrente dovuta a lacune, leq. [4.2] si scrive: F q. v B dove q e v sono prese con il segno positivo. Se la corrente dovuta a elettroni la [4.2] diventa, poich la velocit delle particelle in questo caso ha verso opposto a quello della corrente I. F q. v B
La forza che agisce sia sugli elettroni che sulle lacune ha la stessa direzione, quindi spinge le particelle dei due tipi dallo stesso lato della piastrina. Se la conduzione dovuta prevalentemente a elettroni, un lato della piastrina si carica quindi negativamente, mentre se dovuta a lacune lo stesso lato si carica positivamente. A un certo punto si arriva a una situazione di equilibrio in cui la tensione Vh prodotta impedisce laccumulo di ulteriori cariche. In questa situazione il campo elettrico prodotto dalle cariche accumulate esercita una forza che bilancia la forza di Lorentz.
E. q
Vh .q d
q . v. B
[4.3]
Ricordando che la velocit dei portatori legata alla densit di corrente J da: J I w. d n. q. v .v [4.4]
dove con si e indicata la densit di carica e n il numero di portatori per unit di volume. Ricavando v dalla 4.4 e sostituendola nella 4.3 si ha: Vh d e quindi Vh B. I w. v. B I. B w . d.
Dal segno di Vh si ricava il tipo di semiconduttore. Dal suo valore, noti B, I e w si ricava e dalla = nq la densit dei portatori di carica. Inoltre, misurando con altri metodi la conducibilit = , si ottiene la mobilit .
75
I diodi Capitolo 5
Capitolo 5 I DIODI
5.1) La giunzione p-n Si consideri una barretta di materiale semiconduttore drogata ad esempio p, in cui esista un gradiente non nullo nella concentrazione dei portatori di carica (nel caso esaminato lacune) (figura 5.1)
p2
V1
aumento della concentrazione
figura 5.1
V2
Le lacune, in concentrazione variabile da punto a punto, secondo quanto si e visto al capitolo precedente diffondono verso le zone a gradiente pi basso. Considerata lequazione 4.1 di trasporto, imponendo che non vi sia nessuna eccitazione, cio che Jp sia nulla si ottiene: q.
p
. p. E
q. D p .
dp dx
e tenendo presente che E dx = dV con alcuni semplici passaggi si ottiene che: dV avendo indicato con VT la quantit Dp VT . dp p
kT . q p Integrando lungo la barretta tra i due estremi di concentrazione p1 e p2 si ottiene:
76
I diodi Capitolo 5
p2 p1
V2
V1
VT .
dp p
VT . ln
p1 p2
Tra il punto 2 e il punto 1 (figura 5.1) si stabilisce pertanto un potenziale interno proporzionale al logaritmo del rapporto delle concentrazioni nei due punti. Volendo esaminare tale fatto in modo qualitativo il discorso potrebbe venir fatto nella maniera seguente. Il gradiente presente nella concentrazione fa si che i portatori diffondano nella zona a minor concentrazione. Tuttavia questa migrazione di portatori lascia sul posto gli ioni delle impurit che sono legati al reticolo cristallino e quindi in tale zona essi non risultano pi elettricamente neutralizzati dalle cariche libere. Si genera in tal modo un campo elettrico che genera una componente di trasporto per conduzione che si contrappone alla corrente di diffusione. Si stabilisce in definitiva un equilibrio dinamico che annulla la corrente totale. La conclusione interessante che allinterno del nostro materiale, ogni volta che la concentrazione non uniforme, si stabilisce un potenziale che tende a ribilanciare la corrente di diffusione con una componente di trascinamento uguale e contraria. Ci si ponga ora lobiettivo di massimizzare tale potenziale, cio di massimizzare il gradiente della concentrazione. Una tecnica possibile quella di affacciare due zone di materiale, una di semiconduttore di tipo p e laltro di tipo n. Si viene a creare in tal modo una struttura che prende il nome di giunzione p-n. In generale si deve parlare di giunzione tutte le volte che si mettono a contatto due materiali per certe caratteristiche diversi. Ad esempio giunzione anche linterconnessione tra un metallo, in cui i portatori di carica sono elettroni e un semiconduttore. Le caratteristiche di comportamento di una giunzione di tal genere differiscono a seconda di come la giunzione stessa realizzata. In qualche caso si vuole che la giunzione non abbia in pratica effetto sulla conduzione totale, se non quello di una resistenza di tipo ohmico, in altri se ne sfruttano le particolari caratteristiche con degli scopi ben precisi, come ad esempio nei diodi Schottky. Ritornando alla giunzione p-n, nel semiconduttore di tipo p i portatori di carica sono lacune e il loro movimento lascia scoperti degli ioni accettori carichi negativamente, in quello di tipo n i portatori sono elettroni e gli ioni donatori sono carichi positivamente. Si ricordi poi che gli ioni di impurit sono vincolati al reticolo cristallino. Si supponga inoltre che in ciascuno dei due materiali non esista alcun gradiente di concentrazione, che gli ioni siano uniformemente distribuiti nel materiale e che per la neutralit di carica essi siano esattamente controbilanciati dai portatori liberi. Mettendo ora a contatto i due materiali si verifica la situazione illustrata in figura 5.2. In corrispondenza allascissa 0, cio in corrispondenza alla superficie della giunzione, ci si trova di fronte ad un gradiente della concentrazione dei portatori di carica estremamente elevato. Idealmente con uno spostamento infinitesimo, nella realt con uno spostamento molto piccolo, si passa da una concentrazione p di lacune ad una concentrazione n di elettroni. In questa situazione si viene ad avere una rilevante corrente di diffusione, di lacune dal lato p verso il lato n, di elettroni dal lato n verso il lato p, per i motivi che sono stati descritti in precedenza. I portatori maggioritari di ciascun lato della giunzione si spostano nellaltro semiconduttore, dove sono portatori minoritari e in tale situazione ricombinandosi con i portatori maggioritari lasciano scoperte le cariche fisse delle impurit, dando luogo a quella che detta zona di svuotamento o zona di carica spaziale.
77
I diodi Capitolo 5
semiconduttore p
--------+ + + + + + + +
semiconduttore n
+ + + + + + + + + + + + + + + + ---------
lacune
ioni accettori
zona svuotata
elettroni ioni donatori
-W
+W
X n
figura 5.2
Queste cariche fisse danno luogo ad un campo elettrico e quindi ad una differenza di potenziale nella zona di giunzione, che contrasta il fenomeno di diffusione. Leffetto complessivo quello di realizzare nel momento del contatto una zona svuotata per effetto delle correnti di diffusione, dopodich il sistema rimane in equilibrio. Ovviamente per agitazione termica, o per qualsiasi altro motivo, nella zona di carica spaziale si possono generare delle coppie elettrone - lacuna, ma, a causa del potenziale presente, queste cariche migrano verso la zona n o la zona p lasciando in pratica la zona di svuotamento priva di portatori di carica. Conoscendo il drogaggio, e quindi la densit della carica fissa, possibile risalire al campo elettrico e alla differenza di potenziale, detto potenziale di contatto, prodotta dalle cariche rimaste scoperte. La barriera di potenziale, che impedisce lulteriore diffusione di cariche maggioritarie, non si oppone invece al passaggio delle cariche minoritarie, che circolano liberamente, abbassando la barriera e quindi permettendo unulteriore diffusione di cariche maggioritarie: si ha quindi un equilibrio dinamico tra corrente di diffusione dei portatori maggioritari e corrente di conduzione, sollecitata dal campo elettrico, dei portatori minoritari. Rappresentando schematicamente quanto descritto, si ha, in condizioni di equilibrio, la situazione illustrata in figura 5.3.
portatori lacune
zona svotata
portatori elettroni
figura 5.3
78
I diodi Capitolo 5 Nella zona di giunzione la distribuzione di carica ha qualitativamente un andamento del tipo illustrato in figura 5.4, dovuta agli accettori negativi nella zona p e ai donatori positivi nella zona n, che si trovano immediatamente ai lati della giunzione. La zona di carica spaziale ha dimensioni dellordine del decimo di micron e allesterno di essa le cariche positive e negative sono in pratica in equilibrio punto per punto.
lacune
elettroni
x
-W p Wn
figura 5.4
Integrando lungo lasse x la precedente distribuzione della densit di carica (divisa per la costante dielettrica) si ottiene il campo elettrico, il cui andamento sar pertanto, sempre in maniera qualitativa, quello indicato in figura 5.5.
E
lacune elettroni
x
- Wp Wn
figura 5.5
Come si vede landamento di questo campo elettrico si oppone alla corrente di diffusione. Integrando ancora una volta si ottiene landamento del potenziale. La differenza di potenziale agli estremi della zona di svuotamento, indicata con Vo, deve ovviamente essere pari al potenziale dovuto al gradiente della concentrazione ed il suo andamento quello indicato in figura 5.6.
79
I diodi Capitolo 5
V
p lacune
n elettroni
X V0
figura 5.6
Si crea quella che viene detta barriera di potenziale, che si oppone ad ogni ulteriore spostamento di portatori maggioritari da ciascuna zona a quella opposta. Lequilibrio raggiunto tuttavia non statico, bens dinamico. abbastanza ovvio che, fissando ad esempio lattenzione sul semiconduttore n, vi possano essere in esso degli elettroni in banda di conduzione dotati di unenergia sufficiente a raggiungere la zona p superando la barriera di potenziale, mentre allaltro lato della giunzione gli elettroni minoritari della zona p sono favoriti dal campo elettrico a passare nella zona n. Analogo discorso pu essere ovviamente fatto per le lacune, maggioritarie nella zona p e minoritarie nella n. Da quanto visto si ha quindi: V0 VT ln p1 p2
con p1 concentrazione delle lacune nella zona p e p2 concentrazione delle lacune in zona n. n2 i Poich p1 N A e p 2 ND V0 VT .ln NA .ND n2 i
Se si chiude il circuito ovviamente non circola corrente. Nel modello a bande di energia la situazione quella illustrata nella figura 5.7, in cui la creazione della giunzione fa s che i livelli di Fermi di zona p e zona n vengono a coincidere. In caso contrario si avrebbe un passaggio di elettroni dalla zona in cui il livello pi alto a quella in cui pi basso.
80
I diodi Capitolo 5
p Ec Ev EF EF
n Ec Ev
p EF
giunzione
zone p e n separate
figura 5.7
zone p e n unite
Riportando sul medesimo grafico anche gli andamenti della densit di elettroni e di lacune utilizzabili come portatori di carica, la situazione risulta quella di figura 5.8
elettroni
Ec EG EF qV0 Ev lacune
figura 5.8
dove con qV0 si indicato il salto energetico dovuto alla barriera di potenziale V0, con EC ed EV i valori limite della banda di conduzione e di valenza e con EF il livello di Fermi.
81
I diodi Capitolo 5 Come si vede dalla figura 5.8, solo alcune delle cariche maggioritarie sono in grado di superare la barriera di potenziale, possedendo sufficiente energia. I portatori minoritari sono invece favoriti nel passaggio. Si visto daltra parte poco pi sopra che il potenziale di contatto vale: V0 dove VT VT .ln NA .ND n2 i
kT (k = costante di Boltzman, T temperatura assoluta e q carica dellelettrone) q detta equivalente in tensione della temperatura e a temperatura ambiente (300 K) vale circa 26 mV. Si pu ora pensare di alterare il potenziale di contatto mediante lapplicazione di una tensione esterna come indicato nella figura 5.9; ovviamente esistono due possibili situazioni, dette di polarizzazione inversa, quando la tensione applicata dallesterno va ad aumentare la barriera di potenziale V0, mentre quando questa viene diminuita si parla di polarizzazione diretta.
VD VD
polarizzazione inversa figura 5.9
polarizzazione diretta
Poich applicare una tensione V dallesterno significa alterare della quantit qV lenergia della particella di carica q, ovvio che tale operazione va ad alterare i flussi di cariche minoritarie e maggioritarie nella giunzione. Si vanno ci a modificare le concentrazioni dei portatori ai margini della giunzione, rendendo evidente che tali concentrazioni sono funzione della tensione applicata. Polarizzazione inversa Nel caso di polarizzazione inversa la barriera di potenziale risulta aumentata e la situazione nel diagramma a bande risulta quella di figura 5.10.
82
I diodi Capitolo 5
EG Ec
EF
Ev
q.(V0 + V)
figura 5.10
A causa della polarizzazione esterna i livelli di Fermi della zona p e n non sono pi allineati. aumentato il salto energetico e, se la tensione V sufficientemente elevata, la corrente dei portatori maggioritari in pratica si annulla. Rimane, come illustrato, la sola corrente dovuta ai portatori minoritari, che tuttavia assai modesta poich la loro concentrazione molto bassa e permette di considerare in pratica il circuito come un circuito aperto. bene tuttavia ricordare che tale concentrazione dipende da ni che a sua volta dipende dalla temperatura in maniera esponenziale. Ad esempio nel silicio la corrente inversa, molto modesta alla temperatura ambiente, cresce rapidamente raddoppiando ogni 10 11 C di incremento di questultima. Oltre agli effetti descritti, landamento della polarizzazione inversa fa aumentare la larghezza della zona di svuotamento. Ci fa s che nuove cariche, bloccate nel reticolo cristallino rimangano scoperte; di conseguenza alla giunzione rimane associato anche un comportamento capacitivo caratterizzato da una capacit di transizione, data da: C dQ dV
con dQ variazione della carica spaziale dovuta alla variazione dV della tensione applicata.
83
I diodi Capitolo 5
Polarizzazione diretta Polarizzando invece la giunzione in senso diretto, in modo da diminuire la barriera di potenziale, la zona svuotata si restringe ed in relazione al diagramma a bande si ottiene landamento di figura 5.11. Si vede che nel caso preso in esame un grande numero di portatori maggioritari di ciascuna zona della barretta di semiconduttore si trova si trova ad energie tali da riuscire a superare la barriera di potenziale.
Ec E
F
Ev
q.(V0 - V)
figura 5.11
Un buon numero di portatori maggioritari di ciascuna zona viene pertanto iniettato nella zona opposta ed ivi diffonde. Si ha un vistoso incremento della corrente per il cui calcolo necessario osservare che nella barretta semiconduttrice la corrente rimane sezione per sezione costante per il principio di continuit, ma a seconda della sezione variano le sue componenti, siano esse di conduzione o di diffusione, dovute a elettroni o a lacune. I portatori maggioritari di una zona vengono, infatti, iniettati nella zona opposta, dove sono minoritari, ma in eccesso rispetto alle condizioni dequilibrio. In tale zona essi diffondono ricombinandosi via via con i portatori maggioritari e dando origine lungo lasse x ad un profilo di concentrazione di tipo esponenziale. La situazione descritta illustrata in figura 5.12.
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I diodi Capitolo 5
J lacune elettroni J pp J nn
P
J np elettroni diffusi -Wp +Wn J pn
lacune diffuse
figura 5.12
Lontano dalla giunzione la corrente in pratica determinata totalmente da lacune al lato p e da elettroni al lato n. Con Jpp e Jnn sono state indicate le rispettive densit di corrente. Via via che ci si avvicina alla giunzione si incontrano le componenti diffuse di portatori minoritari Jnp e Jpn che vanno aumentando quanto pi si prossimi alla zona di svuotamento. Il calcolo delle densit di corrente dovute ai portatori maggioritari non dei pi semplici in quanto esse sono costituite in parte da corrente di conduzione, in parte da corrente di diffusione, con una distribuzione tra i due tipi variabile da sezione a sezione. Se tuttavia si pu considerare nulla la ricombinazione nella zona di svuotamento, e lipotesi ragionevole vista la limitata lunghezza di tale zona, si pu affermare che la densit di corrente maggioritaria ad un lato della giunzione coincide con la densit di corrente minoritaria allaltro lato. Ponendosi allora in x = Wn, la densit di corrente sar la somma delle due componenti. J nn w n e J pn w n
Il primo termine, di difficile calcolo, tuttavia valutabile sulla base delle precedenti considerazioni, poich: J nn w n J np wp
Pertanto la densit di corrente totale si conosce non appena siano conosciuti i soli termini di diffusione dei portatori minoritari ai lati della giunzione. Ma Jn q. D n . n x e Jp q. D p . p x
85
I diodi Capitolo 5 e quindi sufficiente conoscere le concentrazioni di elettroni e lacune agli estremi della zona di svuotamento. Si ricordi ora che in un semiconduttore drogato la concentrazione di portatori, per le equazioni di Schottky, sono, in condizioni di equilibrio, del tipo: n ni .e
EF kT
ni .e
EF kT
Dividendo per q numeratore e denominatore dellespressione allesponente si ha: n ni . e

VF VT
Indicando allora con np0 la concentrazione di elettroni in zona p a ridosso della giunzione e in condizioni di equilibrio, senza alcuna tensione applicata, la variazione di concentrazione in presenza di una tensione V sar:
VF V VT VF VT V VT
np
n p0
ni . e
ni . e
V VT
n p0 . e 1
n p0
= n p0 . e
Per la linearit dei legami tra concentrazione e densit di corrente, e di conseguenza anche con la corrente, si potr quindi dire: I Is . e
V VT
dove Is la corrente di saturazione inversa e rappresenta in pratica il valore cui si stabilizza la corrente per tensioni V < 0 sufficientemente ampie. La Is perci altro non se non la corrente in polarizzazione inversa dovuta ai soli portatori minoritari, che come si gi detto, alle normali temperature sempre molto modesta. Riassumendo, la giunzione p-n si comporta pertanto come un dispositivo che in polarizzazione inversa e in pratica un circuito aperto, mentre in polarizzazione diretta viene percorsa da una corrente che sale esponenzialmente con la tensione applicata. Alla giunzione polarizzata direttamente rimane tuttavia associato anche un effetto capacitivo, dovuto alla variazione con la tensione della carica immagazzinata nelle cosiddette falde di diffusione, cio la carica costituita dai portatori di maggioranza iniettati nella zona di polarit opposta. Essi, infatti, determinano delle concentrazioni di portatori minoritari in eccesso rispetto allequilibrio nelle due zone di semiconduttore a ridosso della giunzione, che vanno diminuendo esponenzialmente via via che ci si allontana dalla giunzione. Se la tensione applicata dallesterno varia, varia anche la carica in eccesso e si ha un effetto di tipo
86
I diodi Capitolo 5 capacitivo, di cui si pu tener conto tramite una capacit detta capacit di diffusione, che in polarizzazione diretta nettamente prevalente rispetto quella di transizione. Dal comportamento descritto si intuisce che per rappresentare una giunzione in polarizzazione inversa tramite un modello si deve ricorrere ad un generatore di corrente Is, in quanto la corrente circolante indipendente dalla tensione applicata e che in parallelo a tale generatore deve venir posto un condensatore di capacit pari alla capacit di transizione. Il modello di una giunzione polarizzata direttamente invece dato da un bipolo non lineare, con legame tensione-corrente esponenziale, in parallelo al quale si deve inserire la capacit di diffusione. C infine da osservare che se la tensione inversa applicata sale oltre un certo limite, intervengono fenomeni di scarica. Se, infatti, il campo elettrico, che si sviluppa lungo la zona di carica spaziale, particolarmente elevato si ha il fenomeno della moltiplicazione a valanga. Se, infatti, si genera nella zona di carica spaziale una coppia elettrone-lacuna, i portatori, accelerati dal campo elettrico, potrebbero acquisire unenergia tale da generare altre coppie elettrone-lacuna per collisione con il reticolo cristallino. Si ha cio un fenomeno di moltiplicazione dei portatori con un brusco innalzamento della corrente. Esiste anche un secondo fenomeno, detto scarica Zener, in presenza di concentrazioni di droganti particolarmente elevate, che tuttavia nei suoi effetti macroscopici risulta molto simile a quelli della scarica a valanga. In polarizzazione inversa quindi una giunzione p-n ha la caratteristica tensione-corrente di figura 5.13
I
VBR
V I
figura 5.13
dove VBR detta tensione di scarica o tensione di breakdown. Sebbene in talune applicazioni tale zona di scarica venga utilizzata, nelle normali applicazioni in polarizzazione inversa necessario tenersi lontani dalla zona di breakdown. 5.2) I diodi La giunzione p-n presa in esame al paragrafo precedente pu essere utilizzata per realizzare dispositivi complessi, ma anche nella sua pi semplice espressione pu trovare applicazione come elemento circuitale. Ci si trova in tal modo di fronte ad un elemento con due morsetti, un bipolo cio, detto diodo, in cui i due materiali semiconduttori p ed n possono
87
I diodi Capitolo 5 venir connessi ad un circuito esterno attraverso contatti ohmici applicati alle estremita della barretta. Questo elemento viene utilizzato come elemento non lineare, in quanto la sua caratteristica tensione-corrente nettamente diversa a seconda della polarizzazione della giunzione; in pratica il diodo conduce o meno a seconda del verso della tensione applicata. Un tale dispositivo pu essere utilizzato ad esempio per compiti di rettificazione o per rivelare segnali a valore medio nullo in cui linformazione sia contenuta nellinviluppo. In ambedue i casi a partire da un segnale a valore medio nullo, sfruttando il fatto che il diodo conduce solo quando polarizzato direttamente, si ottiene un segnale pulsante ma a valore medio non nullo. I diodi tuttavia possono essere usati anche per altri scopi. Con semiconduttori allArseniuro di Gallio o comunque con composti del Gallio, quando il diodo viene polarizzato direttamente, il passaggio degli elettroni dalla banda di conduzione a quella di valenza avviene con un unica transizione e con lemissione di un fotone nella banda dellinfrarosso o della luce visibile. In questo caso linteresse non risiede nella funzione rettificatrice, bens nella possibilit emissive del diodo che lo rendono una sorgente economica ed affidabile di radiazione luminosa o infrarossa. Ancora, polarizzando un diodo inversamente, si ha a disposizione qualcosa che si comporta come un condensatore e il cui valore di capacita puo venir modificato in funzione della tensione applicata ai morsetti. Si ha quindi un condensatore controllato in tensione che trova larga applicazione in tutti gli apparati di radiocomunicazione. In polarizzazione inversa la zona di giunzione poi notevolmente sensibile a tutte quelle sorgenti di energia che possono generare coppie elettrone-lacuna. Pertanto il diodo in polarizzazione inversa potrebbe venir utilizzato per realizzare rilevatori di forme di energia incidente, come ad esempio fotoni, che tuttavia devono possedere delle energie ben precise per essere catturabili. Si parla in tal caso di fotorivelatori o di fotodiodi e sistemandone un gran numero in forma lineare o in una struttura a matrice si possono realizzare sensori lineari o bidimensionali per scopi di esplorazione di immagini, come nelle applicazioni tipo telefax o per le videocamere. Ancora, sfruttando il fatto che la corrente di perdita dipende fortemente dalla temperatura, si possono realizzare sensori di temperatura. Si vede pertanto che, sfruttando le diverse caratteristiche presenti nelle varie zone di funzionamento, il diodo pu venir utilizzato per molti scopi. Si riprenda ora la caratteristica del diodo (figura 5.14) riscontrata in precedenza e la si associ al relativo simbolo comunemente usato per identificarlo.
I
I anodo
polarizzazione inversa -VBR V polarizzazione diretta

V
V
catodo
figura 5.14
88
I diodi Capitolo 5 Con la convenzione indicata, cio considerando positiva la corrente entrante a uno dei due elettrodi, detto anodo, e indicando con il simbolo, analogo a quello di una freccia, il senso di circolazione delle correnti positive, quando la giunzione polarizzata direttamente, la caratteristica tensione-corrente quella riportata nel primo quadrante del grafico di figura 5.14. Laltro elettrodo prende il nome di catodo del diodo. Con tali convenzioni, quando la tensione applicata tale da rendere lanodo positivo rispetto al catodo, vi passaggio di corrente, con un andamento esponenziale che passa per lorigine. In polarizzazione negativa invece la corrente e praticamente nulla in quanto e data dalla sola corrente inversa di saturazione, che nella scala adottata per le correnti dirette e alle normali temperature di esercizio di solito non rappresentabile essendo di qualche nanoampere o picoampere a seconda del materiale usato. Qualche altra caratteristica pu dipendere dal materiale, come ad esempio la tensione di soglia (o di accensione) del diodo (V ), cio la tensione diretta alla quale la corrente inizia a essere sensibile e a crescere rapidamente con la tensione. Aumentando considerevolmente la polarizzazione inversa, si entra nella zona di scarica, a valanga o Zener, in cui la corrente torna a salire bruscamente. In un diodo reale tuttavia necessario tener conto di alcuni limiti. Considerando ad esempio la zona di polarizzazione diretta, la corrente sale rapidamente in modo pressoch esponenziale. Tuttavia superato un certo valore la corrente I, che scorre nel diodo, non pi limitata della leggi della giunzione, bens dalla resistenza serie di quella parte di semiconduttore che non partecipa alla zona di giunzione e che pu essere considerata una resistenza puramente ohmica. A questa poi si sommano le resistenze dei contatti e dei reofori di collegamento. Pertanto la caratteristica del diodo al di sopra di certi valori di corrente tende a diventare rettilinea anzich avere un andamento esponenziale. Anche nella zona di breakdown la caratteristica pressoch rettilinea. In ambedue le zone, poich vi circolazione di corrente, con una tensione ai capi del diodo non nulla, vi una certa dissipazione di potenza. Si ha pertanto un riscaldamento che, quando fosse eccessivo, potrebbe portare alla distruzione del dispositivo. Esiste di conseguenza un limite sulla massima potenza dissipabile. Fissando lattenzione sui diodi al silicio, si pu affermare che la tensione di soglia di circa 0,6 V. La tensione di scarica e la dissipazione massima dipendono invece dalla sua realizzazione. Per quanto riguarda la tensione inversa massima (VBR) questa pu andare da qualche volt o qualche decina di volt, per i diodi che vengono utilizzati proprio in questa zona e che prendono il nome di diodi Zener, a valori che raggiungono e superano abbondantemente il migliaio di volt. In termini approssimati si pu affermare che quanto maggiore il livello di drogaggio del semiconduttore e tanto minore la tensione di breakdown. Per rilevare la caratteristica del diodo si pu ricorrere al circuito di figura 5.15 in cui la resistenza R ha il duplice scopo di limitare la corrente nel circuito e permettere la misura della corrente attraverso la caduta ai capi della resistenza stessa.
VR I= V V R
R Va
Va = tensione variabile
figura 5.15
89
I diodi Capitolo 5
Un diodo viene caratterizzato dal costruttore attraverso tutta una seria di parametri che compaiono sui fogli caratteristici di cui riportato un esempio in figura 5.16.
figura 5.16 (a)

90
I diodi Capitolo 5
figura 5.16 (b)
91
I diodi Capitolo 5 Fra questi parametri particolare importanza hanno la corrente inversa di saturazione Is (dellordine di 10-12 10-14 A), la resistenza diretta RS (dellordine di qualche decina di Ohm per diodi per piccoli segnali e di valore via via decrescente man mano che la corrente diretta massima del diodo aumenta), la capacit di transizione a tensione nulla CT, la tensione diretta VF a diversi valori di corrente e la tensione di breakdown VBR. Un particolare interessante assume poi il tempo di ripristino inverso cio il tempo necessario, quando si passa dalla polarizzazione diretta a quella inversa, per rimuovere le due falde di portatori minoritari ai due lati della giunzione. Tale tempo determina le caratteristiche dinamiche del diodo. Vi poi tutta una serie di parametri ausiliari, quali ad esempio i limiti massimi da non superare, di evidente significato. appena il caso di far notare che il comportamento del diodo influenzato dalla temperatura. Allaumentare di questultima diminuisce la tensione di soglia, che nel campo di temperatura previsto sar compresa tra circa 0,8 V alla temperatura minima e 0,5 V alla temperatura massima. Il coefficiente di temperatura di circa -2 mV/C. Allo stesso modo la corrente inversa di saturazione aumenta in modo esponenziale con la temperatura, raddoppiando circa ogni 10 11 C di incremento di questultima. Passando ad esempio da 25 C alla massima temperatura di 175 C si avr:
175 25 10
I s 175 C
I s 25 C .2
I s 25 C .215
La corrente inversa di saturazione raggiunge pertanto valori niente affatto trascurabili, anche se a temperatura ambiente molto piccola. Infatti, riferendosi ai dati della figura 5.16, si ha: Is 175 C 100.10 9.32768nA 3,3mA
Riprendendo in esame la caratteristica voltamperometrica del diodo, la zona di comune impiego determinata da tutta una serie di fenomeni. Vi un limite di corrente massima, dovuto a fenomeni di elettromigrazione o a riscaldamenti intensi della giunzione per effetto di addensamento di corrente su piccole superfici, dovuti alla non perfetta omogeneit del materiale. Vi un limite di potenza massima dissipata necessario ad assicurare che il diodo non si riscaldi eccessivamente e che sulla caratteristica individuato dai due rami di iperbole riportati in tratteggio nella figura 5.17. Vi un limite di massima tensione inversa, necessaria a garantire che durante il funzionamento ci si tenga sufficientemente distanti dalla tensione di breakdown (figura 5.17)
92
I diodi Capitolo 5
I max
P max
VBR VR max
Pmax
figura 5.17
Per la massima potenza dissipabile ovviamente esiste una curva di derating, di cui un esempio riportato in figura 5.18 e che ha lo stesso andamento e lo stesso significato di quella gi vista in precedenza per i resistori.
Pd
P nominale
25
T max
Ta
figura 5.18
Un fatto da tenere poi in evidenza risiede nella constatazione che le capacit parassite delle giunzioni limitano limpiego dei diodi alle alte frequenze. Si prenda ad esempio in considerazione il circuito di figura 5.19, realizzato utilizzando un LED, cio un diodo emettitore di luce, e un fotodiodo, cio un diodo polarizzato inversamente in cui tuttavia un fotone incidente in grado di generare una o pi coppie elettrone - lacuna nella zona di giunzione.
93
I diodi Capitolo 5
R1
R2
+
vi
LED
vu
Vcc
figura 5.19
Un circuito di questo genere pu servire ad esempio per trasferire uninformazione dal lato emittente al lato ricevente del circuito, assicurando tuttavia un isolamento galvanico tra le due parti del circuito. O ancora il circuito pu essere utilizzato per rivelare quando un corpo opaco si interpone tra LED e fotodiodo. Se il generatore Vi un generatore variabile di tensione, che indicheremo con v(t), la corrente che circola nel LED : it vt R1 VF
essendo VF la caduta diretta ai capi del diodo. Se tuttavia v(t) molto maggiore di VF, si pu dire che in prima approssimazione: it vt R1
Di conseguenza lemissione del LED legata al segnale dingresso Vi. Al lato ricevente, la corrente dovuta alle coppie elettrone-lacuna generata dai fotoni incidenti legata allemissione del LED. Di conseguenza la caduta ai capi di R2, tanto maggiore quanto maggiore lemissione del LED, legata essa stessa alla tensione Vi. Raccogliendo quindi la tensione Vu si trasferita linformazione legata alle variazioni di Vi al lato ricevente del circuito.
vi
t vu
t
figura 5.20
Se si suppone che lingresso sia unonda quadra la forma donda che si ottiene in uscita, quando la frequenza sufficientemente alta, tuttavia quella di figura 5.20. 94
I diodi Capitolo 5 Come si vede i fronti di salita e di discesa risultano arrotondati. A parte altri fenomeni, che in questa sede non il caso di prendere in esame, questo fatto dovuto alla presenza delle capacit di transizione e di diffusione dei due diodi ed in una certa misura alle capacit parassite dei cablaggi e dagli altri componenti. In prima approssimazione per rappresentare la situazione reale si dovrebbero inserire in parallelo ai due diodi due condensatori, che danno luogo ad unattenuazione delle alte frequenze contenute nel segnale, determinando in tal modo larrotondamento dei fronti. 5.3) Gli impieghi circuitali dei diodi. a) Modelli dei diodi Si gi visto in precedenza che la caratteristica di un diodo sostanzialmente rappresentabile da un esponenziale nella zona di conduzione, coincide in pratica con lasse delle ascisse nella zona di interdizione, mentre nella zona di scarica a valanga o Zener la caratteristica assume un andamento subverticale e il diodo pu essere considerato come un generatore quasi ideale di tensione. Dallesame della caratteristica si evince che il diodo un componente altamente non lineare e quindi difficilmente utilizzabile direttamente nel progetto di circuiti se prima non si mettono a punto degli adeguati modelli, facilmente manipolabili, che ne descrivano il funzionamento.
-V BR
valanga o zener
interdizione
conduzione
figura 5.21
In generale, in presenza di dispositivi complessi, per fare delle valutazioni numeriche su tali dispositivi necessario disporre di metodi di semplificazione delle loro caratteristiche, ottenendo in tal modo dei modelli che evidenziano solo alcune, ma non tutte le propriet del dispositivo stesso, considerando ad esempio gli elementi caratterizzanti il comportamento in una sola delle possibili zone di funzionamento. bene rendersi conto che il modello sempre unapprossimazione della realt ed spesso molto limitativo rispetto alla realt. Pertanto un modello pu essere impiegato unicamente nel campo di utilizzo per cui stato determinato. Esistono dei limiti di impiego, superati i quali il modello non pi valido.
95
I diodi Capitolo 5 Per quanto riguarda il diodo e prendendo in considerazione la sua caratteristica statica, (in sostanza la sua caratteristica voltamperometrica ottenuta come successione di stati di equilibrio stazionari) un primo modello che si pu mettere a punto un modello matematico.
VD
ID
Is. e
VT
VD
I s .e
VT
[5.1]
kT q Si ha quindi unespressione matematica che approssima con sufficiente precisione landamento della caratteristica del diodo, con lesclusione della zona di scarica. Tale espressione indica che la corrente che scorre nel diodo ID, in funzione della tensione VD applicata ai suoi capi, sostanzialmente unesponenziale. Se tuttavia si fosse interessati a rappresentare la sola zona di conduzione, per correnti sufficientemente elevate rispetto a Is, in una zona cioe dove lunit pu essere trascurata con VT
V
rispetto a e VT , il modello pu venir ulteriormente semplificato nellespressione che compare allestrema destra della [5.1]. Questo modello ovviamente rappresenta il funzionamento del diodo con una certa approssimazione. Ad esempio non atto a descrivere il funzionamento nella zona di scarica. Parametri caratteristici di questo modello sono Is e , dove Is la corrente di saturazione inversa, mentre un parametro di valore compreso tra 1 e 2 legato al tipo di giunzione e alla densit di corrente allinterno del diodo. VT invece non dipende dal diodo e non quindi un parametro caratteristico del modello. Un modello matematico risulta utile quando per via numerica si vuole calcolare il funzionamento del dispositivo dopo averlo inserito in un determinato circuito. Molto spesso tuttavia risultano pi utili e comodi quelli che vengono chiamati modelli circuitali. Tra questi il modello pi semplice approssima la caratteristica nei tratti di polarizzazione diretta ed inversa con due tratti di retta. Questo modello prende il nome di diodo ideale, intendendo con questa dizione un diodo che in polarizzazione inversa risulta completamente interdetto, facendo pertanto si che non circoli alcuna corrente, mentre in polarizzazione diretta appare come un cortocircuito. La relativa caratteristica quella indicata in figura 5.22.
ID
VD
figura 5.22
96
I diodi Capitolo 5 Questo modello molto grossolano in quanto, soprattutto nella zona di conduzione si discosta notevolmente dal comportamento reale. Si possono mettere a punto modelli migliori. Si prenda in esame a tale scopo la zona di interdizione, dilatando la scala delle correnti (figura 5.23).
ID
VD
figura 5.23
Si vede in tal caso che nella zona di interdizione la corrente non nulla, ma pari alla corrente di saturazione inversa, anzi in un diodo reale questa corrente cresce leggermente al crescere della tensione inversa. Per rappresentare questo comportamento con un modello si pu ricorrere ad un generatore di corrente pari a Is (figura 5.24-a)
Is
Is
(a)
figura 5.24
(b)
Se poi si volesse anche tener conto della variazione della corrente inversa con la tensione inversa sarebbe necessario collocare unopportuna resistenza in parallelo al generatore (figura 5.24-b). Il primo modello rappresenta il comportamento reale con una caratteristica orizzontale distante dallasse delle ascisse -Is. Il valore scelto per Is potrebbe essere il valor medio della corrente Is reale nella zona di interdizione. 97
I diodi Capitolo 5 Nel secondo modello i due parametri Is e R possono essere scelti nel modo indicato in figura 5.25.
ID 1 R = tg VD Is
figura 5.25
Nella zona di conduzione il modello pu venir poi migliorato ad esempio linearizzando a tratti la caratteristica reale (figura 5.26), tenendo conto che, affinch il diodo conduca in maniera apprezzabile, necessario che ai capi sia applicata una tensione minima V .
ID
VD
figura 5.26
Circuitalmente questo comportamento corrisponde ad una opportuna interconnessione in serie di un diodo ideale e di una sorgente di tensione continua pari a V .(figura 5.27)
98
I diodi Capitolo 5
VD
V
figura 5.27
Un circuito cos realizzato tale che per far passare il diodo ideale in conduzione necessario applicare una tensione VD pari alla tensione di soglia V . Il comportamento quindi molto pi simile al comportamento di un diodo reale. Anche questo modello, per quanto gi utilizzabile in molti casi, non per sufficientemente preciso. Per tener conto della resistenza interna di un diodo reale la caratteristica potrebbe essere approssimata sempre con due tratti di retta come illustrato in figura 5.28-a
I VD
V (a)
V (b)
figura 5.28
In questo caso lapprossimazione va fatta applicazione per applicazione. Conoscendo qual il tratto della caratteristica reale interessata dalla specifica applicazione, le due rette vengono scelte in modo da minimizzare lo scostamento tra modello e realt. In termini circuitali la caratteristica linearizzata appena introdotta pu venir realizzata da un modello in cui si trovano in connessione serie una generatore di tensione, un diodo ideale e un resistore (figura 5.28-b). Tale resistore tiene conto proprio della pendenza della caratteristica, cio dal fatto che al crescere della corrente che circola nel diodo, cresce la caduta ai suoi capi. In particolare R 1 tg
come gi visto nellanalisi fatta nel tratto di interdizione. 99
I diodi Capitolo 5 Valori normali per i diodi al silicio sono V = 0,5 V ed R = 5 50 b) Il circuito OR Si analizzer ora come questi modelli siano utilizzati. Si consideri a tale scopo il circuito in figura 5.29, formato da due diodi uniti sul catodo e da una resistenza. .
D1 D V
Vu V2 R
figura 5.29
Si vuole trovare quanto valga la tensione Vu in funzione delle due tensioni V1 e V2 di ingresso. Per risolvere il circuito, che contiene elementi indubbiamente non lineari, necessario fare delle ipotesi, o meglio dei tentativi e poi verificare se tali ipotesi siano valide, secondo una procedura che non utilizzabile solo nei circuiti a diodi, ma ha una validit del tutto generale. Nel caso specifico necessario valutare quale diodo in conduzione e quale in interdizione. Stabilito quindi in prima istanza quale sia il diodo in conduzione, ad esso viene sostituito il modello con il quale si deciso di rappresentarlo, mentre per il diodo in interdizione si pu utilizzare un circuito aperto. A questo punto si risolve il circuito cos ottenuto e si verifica lipotesi di partenza, cioe se nei diodi supposti in conduzione la corrente scorre dallanodo al catodo e se ai capi di ciascun diodo interdetto la polarizzazione inversa. Nella scelta delle ipotesi di partenza ovviamente il colpo docchio e lesperienza aiutano moltissimo. Se le ipotesi non sono verificate necessario modificare le ipotesi e ricominciare il processo danalisi. Si supponga ora per semplicit che le due tensioni di ingresso possano assumere solo 2 valori, pari a 0 e +V Volt. Lingresso potr assumere allora solo quattro configurazioni possibili. O ambedue le tensioni sono 0, o una di esse vale +V e laltra e nulla o ambedue assumono il valore +V. Quando ambedue gli ingressi sono nulli ragionevole pensare che poich nel circuito non inserito alcun generatore, non circoli alcuna corrente. I due diodi D1 e D2 sono pertanto interdetti.
100
I diodi Capitolo 5 Se V1 = +V e V2 = 0 si pu ragionevolmente pensare che, poich non vi alcun generatore di tensione negativa, non sia possibile che il catodo di D2 possa trovarsi a un potenziale inferiore allanodo. Pertanto si pu ipotizzare D2 interdetto. Inoltre, essendo lanodo di D1 alla tensione +V mentre il suo catodo riportato al potenziale di riferimento. tramite la resistenza R, ragionevole pensare che D1 sia conduttore. Utilizzando come modello il diodo ideale, il circuito si riduce allora a quello di figura 5.30.
+V 0V
V = +V u
figura 5.30
+V.
A causa della simmetria del circuito la stessa situazione si verifica quando V1 = 0 e V2 =
Quando infine sia V1 che V2 sono pari a +V ragionevole supporre che ambedue i diodi siano conduttori. Pertanto, sempre assumendo come modello il diodo ideale si ha ancora Vu = +V. Tutti i casi possibili sono riassunti in tabella 5.1
V2 0 0 +V +V
tabella 5.1
Vu 0 +V +V +V
0 +V 0 +V
necessario a questo punto verificare se i risultati raggiunti sono congruenti con le ipotesi fatte. Riferendosi alla situazione di figura 5.30 si vede immediatamente che su R V circola una corrente I che coincide con quella che circola su D1 (Kirchoff). Tale corrente R ha il verso delle correnti di conduzione e quindi lipotesi D1 conduttore congruente. 101
I diodi Capitolo 5 Analogamente la presenza di una tensione +V sul catodo di D2 e 0 sullanodo, conferma che D2 interdetto. Ragionamenti analoghi permettono di confermare la validit di tutte le conclusioni della tabella 5.1. Ci si trova di fronte pertanto ad un circuito la cui uscita diversa da zero se e solamente se o luno o laltro o entrambi gli ingressi sono diversi da zero. Per questo motivo il circuito detto circuito OR e trova importanti applicazioni in elettronica digitale. Sebbene il modello utilizzato, quello del diodo ideale, permetta di individuare il funzionamento del circuito tuttavia troppo semplice per mettere in luce altre caratteristiche del circuito reale.
+V 0V
Vu
figura 5.31
Nella realt la tensione di uscita Vu non sar mai pari a +V a causa della caduta ai capi del diodo quando circola una corrente. Se si fosse pertanto interessati a valutare questo aspetto necessario utilizzare un modello di diodo pi complesso. Se ad esempio si utilizzasse il modello realizzato con diodo ideale e batteria, la situazione di figura 5.30 si trasformerebbe in quella di figura 5.31 e la tensione di uscita Vu diverrebbe pari a +V -V , pi vicina alla realt di quanto non fosse quella ottenuta con il modello precedente. Risulta allora evidente che se pi circuiti di questo tipo vengono connessi in cascata, la tensione duscita tende a ridursi stadio per stadio, rendendo in pratica impossibile porre pi di 2 o 3 stadi di questo tipo in cascata. Se si volessero infine ottenere informazioni sempre pi raffinate sul comportamento del circuito OR sarebbe necessario utilizzare modelli sempre pi complessi. Nellambito dei modelli presi in considerazione, la situazione di figura 5.30 corrisponderebbe allora al circuito di figura 5.32, che utilizza sia per la zona di conduzione che per quella di interdizione i modelli pi complessi tra quelli fin qui introdotti.
102
I diodi Capitolo 5
V R' Is +V R Vu
R"
figura 5.32
c) Il circuito tosatore Si consideri il circuito di figura 5.33 e si voglia determinare la tensione di uscita vu in funzione di quella di ingresso ve.
ve
Vp
vu
figura 5.33
Utilizzando il modello del diodo ideale immediato osservare che finch la tensione in ingresso non raggiunge il valore Vp, il diodo rimane interdetto. Non circola quindi alcuna corrente, su R non si ha alcuna caduta e di conseguenza vu = ve. Quando tuttavia la tensione di ingresso (e di uscita) raggiunge il valore Vp, il diodo passa in conduzione e nel modello considerato diviene un cortocircuito. La tensione di uscita pertanto diventa uguale a Vp e ulteriori aumenti di ve non sono in grado di modificarla facendo semplicemente aumentare la corrente che circola su R. La caratteristica tensione duscita - tensione dingresso quindi quella riportata in figura 5.34 e nel tratto orizzontale di v e Vp . questa caratteristica la corrente I, che circola su R, vale I R
103
I diodi Capitolo 5 Questo circuito viene chiamato circuito tosatore e pu venir impiegato per limitare al valore massimo Vp lampiezza di un certo segnale, ad esempio per scopi di protezione di un circuito pi a valle.
vu
Vp
Vp
figura 5.34
ve
Il modello utilizzato tuttavia, come si gi visto in precedenza, troppo semplice per dare informazioni diverse da quelle pi grossolane. Se si utilizzasse ad esempio il modello, appena pi complicato, di figura 5.35, ci si accorgerebbe che il circuito non tosa alla tensione Vp ma alla tensione Vp + V .
ve
V Vp
vu
figura 5.35
ovvio che il nuovo comportamento individuato differisce notevolmente dal precedente solo se Vp e V sono dello stesso ordine di grandezza. Se invece Vp fosse molto maggiore di V i due comportamenti individuati tenderebbero a coincidere.
104
I diodi Capitolo 5
V ve Rd Vp vu
figura 5.36
Se infine venisse utilizzato il modello che tiene conto della resistenza interna del diodo (figura 5.36) ci si accorgerebbe che superata la tensione di ingresso Vp + V , la tensione non rimane bloccata ad un ben preciso valore, ma cresce con ve, sia pure lentamente. La caratteristica di trasferimento risulta quella di figura 5.37 ed quella che pi somiglia a quella del circuito reale.
Vp + V
Vp + V
figura 5.37
ve
Se si vuole calcolare esattamente il funzionamento del circuito nella zona di tensioni superiori a Vp + V , si pu utilizzare il principio di sovrapposizione degli effetti. ben vero che il circuito reale certamente non lineare e quindi escluderebbe luso di tale principio.
105
I diodi Capitolo 5 Tuttavia il modello che si sta utilizzando un modello linearizzato, che nella zona di interesse riduce il circuito a quello illustrato in figura 5.36. Poich: vu ve . Rd R Rd
quando ve e diversa da zero e sono invece nulle V e Vp, mentre vu Vp V . R R Rd
quando nulla ve e sono presenti Vp e V , per sovrapposizione degli effetti si ottiene: vu ve. Rd R Rd Vp V . R R Rd
Questa relazione mostra che se Rd > 0, come avviene sempre in un diodo reale, la tensione vu cresce con ve. Le informazioni ricavate sono in questo caso pi dettagliate che non nei casi precedenti. tuttavia opportuno notare che, essendo ricorsi a un modello linearizzato, esse sono state ottenute senza particolari difficolt, malgrado che il circuito di partenza reale fosse fortemente non lineare. d) Circuiti raddrizzatori a singola semionda Il diodo semiconduttore trova largo impiego nei circuiti di raddrizzamento cio in quei circuiti che permettono di convertire una tensione alternata, cio periodica sinusoidale a valor medio nullo, in cui una tensione continua, che la forma usualmente impiegata per lalimentazione delle apparecchiature elettroniche. Il circuito pi semplice quello riportato in figura 5.38, dove R schematizza un possibile utilizzatore, ve la tensione alternata in ingresso, e si vuole individuare la forma della vu.
ve
vu
figura 5.38
106
I diodi Capitolo 5 Utilizzando come modello il diodo ideale, non difficile intuire che il esso passer in conduzione solamente durante le semionde positive della tensione di ingresso. Si ottengono cio per la ve e la vu le forme donda di figura 5.39.
ve
figura 5.39
Si pu notare che il valor medio della tensione di uscita non pi zero, o, in altre parole, che e presente una componente continua. Se tuttavia si utilizza il modello che tiene conto della tensione di soglia V e si osserva, espandendo la scala della tensione Ve, cosa avviene nel passaggio da interdizione a conduzione ci si trova di fronte alla situazione di figura 5.40. Il diodo cio non passa in conduzione nei punti di zero della tensione Ve, ma solo quando questultima ha raggiunto il valore V .
vu , v e
figura 5.40
Si sa, da quanto visto in precedenza, che il diodo, una volta passato in conduzione, pu venir rappresentato con un generatore di tensione continua V che si oppone alla tensione applicata. In uscita pertanto, durante la conduzione si avr una tensione: 107
I diodi Capitolo 5 vu ve V
Il risultato ottenuto ovviamente pi aderente alla realt che non nel caso precedente in quanto il diodo simulato con maggior cura. Tuttavia luso delluno o dellaltro modello dipende dal tipo di applicazione. Se ad esempio si dovesse raddrizzare una tensione, quale quella della rete di distribuzione, di 220 V, il trascurare lesistenza della V che di circa 0.6 V, non d luogo ad un sensibile errore. Diverso invece il caso in cui la tensione da raddrizzare fosse di basso valore, ad esempio di 5 V, per il quale luso del modello diodo ideale introdurrebbe un errore dellordine del 10%. Se poi si volesse analizzare il circuito con ancora maggiore precisione sarebbe necessario ricorrere al modello che tiene conto anche della resistenza interna Rd del diodo. In tal caso le forme donda di ingresso e uscita, sovrapposte per evidenziarne le caratteristiche sarebbero quelle di figura 5.41.
ve , vu
figura 5.41
Anche in questo caso lespressione di Vu nel periodo di conduzione del diodo pu essere ottenuta per sovrapposizione degli effetti. Si ha: vu ve . R R Rd V. R R Rd ve V . R R Rd
Un esempio di utilizzo di un circuito del tipo visto si pu avere nella realizzazione di un carica batterie, secondo lo schema di figura 5.42.
108
I diodi Capitolo 5
i R Ve VB
figura 5.42
Il circuito consiste di un generatore di tensione alternata, normalmente ottenuta dalla rete tramite un trasformatore, di un diodo e di una resistenza il cui scopo apparir chiaro poco pi avanti. Il carico dato dalla batteria VB. Utilizzando per il diodo il modello che tiene conto della V , la forma donda della corrente sar quella illustrata in figura 5.43.
ve , i
i
V B+V
figura 5.43
Il valore di corrente che fluisce nella batteria durante lintervallo di tempo di conduzione del diodo sar, in prima approssimazione: it ve V R VB
e pertanto la resistenza R pu venir utilizzata per regolare il valore massimo della corrente di carica.
109
I diodi Capitolo 5 In questo esempio la tensione raddrizzata e la corrente che fluisce nel carico sono ambedue grandezze pulsanti che solo in determinati intervalli di tempo assumono valori diversi da zero. Nella fattispecie la batteria stessa che dal segnale pulsante ottiene una quantit a valor medio non nullo, utile alla carica. Molto spesso tuttavia la forma pulsante non adatta agli scopi che ci si propone ed necessario ricavare tensioni o correnti il pi possibili costanti. In tal caso il circuito pu venir modificato, inserendo una capacit in parallelo al carico (figura 5.44).
id
Ve
Vu
figura 5.44
Supponendo di lavorare con una tensione di ingresso sinusoidale landamento della tensione di ingresso e di uscita riportata in figura 5.45, supponendo di iniziare losservazione in un istante in cui tensione di ingresso e uscita sono ambedue nulle. Inizialmente il condensatore si carica attraverso il diodo e la tensione di uscita segue la tensione di ingresso fino a che la ve non raggiunge il suo valor massimo. Si noti tuttavia che la vu non raggiunge il valore di picco della ve a causa delle resistenze interne del generatore e del diodo.
ve , vu
vu
t ve
figura 5.45
Quando per la ve tende a diminuire, avendo superato il picco positivo, il diodo si interdice poich la tensione immagazzinata nel condensatore si trova ancora al valore di picco. La capacit allora si scarica sulla resistenza R con un esponenziale di costante di tempo RC. 110
I diodi Capitolo 5 Questa situazione si mantiene finch la tensione di ingresso non supera nuovamente quella ai capi del condensatore, dopo di che il ciclo si ripete (figura 5.45). Si ha pertanto in uscita una forma donda di tensione dotata di una certa ondulazione, che sar tuttavia tanto minore quanto maggiore sar il valore di C. La corrente che circola nel diodo data da impulsi di corrente durante il periodo di conduzione del diodo, come illustrato nella figura 5.46. Tali impulsi di corrente servono a ricostituire la carica che durante linterdizione del diodo scaricata sul carico R. Poich il periodo di conduzione tanto minore quanto maggiore C, lampiezza di tali impulsi direttamente correlata con il valore di C. Quanto esposto fa ovviamente riferimento ad un ben particolare modello del diodo, tuttavia anche considerando altri modelli i risultati non sarebbero molto diversi, come il lettore pu agevolmente verificare, se non per quanto riguarda la forma donda della corrente. Se, infatti, si considerasse ad esempio il modello di diodo dotato di resistenza interna nulla, landamento della corrente non sarebbe giustificabile e la corrente circolante nel diodo si sarebbe dovuta rappresentare con un impulso di durata infinitesima ed ampiezza infinita allistante in cui il diodo passa in conduzione.
vu t i ve
id t
figura 5.46
Il circuito descritto pu servire, come si detto, per realizzare degli alimentatori per le pi svariate apparecchiature. Un altro suo uso tuttavia quello di voltmetro di cresta, in quanto in grado di rilevare il valore di picco di una tensione periodica com evidente dallesame fatto del suo funzionamento. Ci si rende tuttavia conto come lutilizzo di modelli, che non siano il diodo ideale, permettono di individuare con maggiore facilit tutte le cause di errore, cio tutte le cause che fanno s che il valore della Vu non coincida con quello di picco di Ve.
111
I diodi Capitolo 5 5.4) La retta di carico Il metodo della retta di carico permette di calcolare per via grafica il punto di lavoro di un diodo; permette cio di calcolare in che punto della sua caratteristica voltamperometrica il diodo si porti quando viene alimentato da un generatore di tensione Va che abbia una resistenza interna R. Il metodo della retta di carico ha tuttavia validit generale e torna particolarmente utile ogni volta che si abbia a che fare con dispositivi non lineari. Si consideri in circuito di figura 5.47
Id
Id
Va
Vd
Vd
V = Va - R . I d d
figura 5.47
caratteristica
Il diodo, dispositivo elettronico non lineare, sia descritto attraverso la sua caratteristica voltamperometrica, e sia connesso ad un circuito esterno rappresentato attraverso il suo equivalente di Thevenin. Ci non fa perdere di generalit, in quanto qualsiasi circuito pu essere sostituito per Thevenin da un generatore di tensione Va in serie con una resistenza R. Si ricordi che Va la tensione che nel circuito reale si legge a vuoto tra i morsetti di uscita, mentre R la resistenza che si vede tra gli stessi morsetti quando tutti i generatori di tensione del circuito siano stati sostituiti con un cortocircuito e quelli di corrente con un circuito aperto. Connettendo questi due elementi circuitali dovr ovviamente accadere che la tensione VD e la corrente ID del circuito esterno siano uguali a quelle del diodo. Ora se semplice ottenere una relazione analitica tra VD e ID per la parte lineare del circuito, ottenendo che Vd Va R. I d
la cosa non altrettanto semplice per il diodo in cui il legame esponenziale ed soprattutto abbastanza difficile risolvere le relazioni in VD e ID per ottenere il punto di lavoro del circuito. La soluzione pu essere ottenuta per via grafica, riportando sul piano della caratteristica del diodo, la curva caratteristica del circuito esterno, che in questo caso una retta passante per i due punti V = Va, I = 0 e V = 0, I = Va/R, con coefficiente angolare -1/R (figura 5.48). 112
I diodi Capitolo 5
Va R V d = V a - R.I d Id
Vd
Va
figura 5.48
Ovviamente la soluzione cercata si trova allintersezione delle due curve. Questo metodo prescinde dai modelli utilizzati per rappresentare il dispositivo non lineare ma richiede una precisa conoscenza della caratteristica voltamperometrica. Da tutte le considerazioni ed i circuiti visti fino ad ora si pu dedurre che, se in un circuito raddrizzatore la tensione di ingresso notevolmente inferiore alla tensione di soglia, in uscita non si avr alcun segnale. Tale ipotesi viene confermata dallosservazione sperimentale. Si consideri tuttavia il circuito di figura 5.49. Mediante la tensione ausiliaria +V, variabile, possibile sommare al segnale Ve alternato una tensione continua in modo da portare la giunzione a lavorare oltre la tensione di soglia. In questo caso anche un segnale di ampiezza molto ridotta viene trasferito in uscita. Tramite la tensione ausiliaria V si polarizzata la giunzione in modo da portarla a lavorare oltre la tensione di soglia e in questo caso anche un segnale di ampiezza molto ridotta viene trasferito in uscita.
+V
10 k
470 nF
Ve
1k
1k
Vu
figura 5.49
Il segnale di ingresso e il segnale di uscita, almeno per quanto riguarda la componente variabile nel tempo, sono perfettamente identici, a differenza di quanto accadeva in tutti i precedenti circuiti, che lavoravano con segnali relativamente ampi e introducevano delle sensibili deformazioni alla forma donda a causa della non linearit del dispositivo diodo.
113
I diodi Capitolo 5 opportuno allora introdurre il concetto di circuito equivalente per piccoli segnali, in contrapposizione con quelli visti finora destinati a lavorare con segnali di ampiezza notevole. Il circuito di figura 5.49 pu venir rappresentato come in figura 5.50, inserendo un generatore di tensione continua di polarizzazione Vp.
I
Vp R
v e(t) Vp
vu
Id
Vd
Vp
figura 5.50
Retta di carico e punto di lavoro in continua del diodo sono riportati sul diagramma voltamperometrico relativo, intendendo con punto di lavoro in continua il punto individuato dalla tensione VD e della corrente ID del diodo quando presente il solo generatore di polarizzazione Vp. Se ora a Vp si somma il segnale ve(t) di piccola ampiezza, tale segnale far spostare il punto di lavoro secondo quanto schematizzato nella figura 5.51.
I
i(t) Vp R
Vp
V
ve(t)
figura 5.51
La pendenza della retta di carico, infatti, non si modifica in quanto il carico sempre R; quello che varia la tensione totale applicata al diodo che varier sinusoidalmente tra Vp + ve(t) e Vp - ve(t). Tutto ci pu essere tenuto in considerazione supponendo che la retta di carico si sposti parallelamente a se stessa, muovendosi sinusoidalmente nellintorno del valore Vp . 114
I diodi Capitolo 5 Di conseguenza il punto di lavoro si sposta lungo la caratteristica del diodo facendo variare la corrente circolante. Con metodi grafici o per via di calcolo si pu ottenere punto per punto la corrispondenza tra tensione di ingresso e corrente di uscita, che ovviamente non sinusoidale perch la caratteristica del diodo non rettilinea. Tuttavia possibile ottenere un modello circuitale che permette di compiere tale operazione in maniera molto semplice, ottenendo appunto il modello circuitale per piccoli segnali del diodo. Si osservi che se il segnale di ingresso ve(t) sufficientemente piccolo, il tratto su cui si sposta il punto di lavoro sulla caratteristica pu venir approssimato senza grossi errori con un tratto rettilineo. Si pu cio linearizzare la caratteristica del diodo nellintorno del punto di lavoro confondendo la caratteristica con la sua tangente in tale punto (punto di lavoro in continua, detto anche di riposo). In sostanza per una variazione di segnale sufficientemente piccola attorno al punto di riposo, alla caratteristica non lineare del diodo pu essere sostituita una sua approssimazione lineare. Come modello circuitale del diodo si pu in tal caso considerare un generatore di tensione Vg e una resistenza R come illustrato in figura 5.52 ovvio che i parametri di tale modello dipendono dal punto di riposo; essi cio variano in funzione della polarizzazione.
I
Vp R R = 1/tg
Vp
figura 5.52
Le considerazioni fatte permettono tuttavia di affermare che a piccoli segnali il diodo pu essere visto come un dispositivo lineare, facilitando notevolmente il calcolo del legame ingresso-uscita in circuiti che contengano tali dispositivi. La resistenza R, detta resistenza differenziale, pu venir calcolata come derivata della Vd rispetto a Id. Indicando cioe con rd, tale resistenza, rd vd id
Ricordando che nella zona di conduzione si ha con buona approssimazione:
115
I diodi Capitolo 5
vd VT
id si ottiene pertanto id vd e quindi rd che alla temperatura ambiente di 25 C, vale: rd Is .e VT

vd VT
Is.e
(1)
id VT
con
VT
kT q
VT id
26.10 3 . id
La resistenza differenziale dipende quindi dalla corrente nel punto di riposo ed inversamente proporzionale a id. Le conclusioni cui si pervenuti permettono allora di giustificare il funzionamento del circuito di figura 5.50. A piccoli segnali, infatti, il circuito equivalente quello di figura 5.53. rd
ve (t)
figura 5.53
Quando il diodo polarizzato molto prossimo allorigine (bassi valori di ID) la resistenza rd grande e il segnale cade tutto su rd. Man mano che si fa salire ID, la resistenza differenziale rd diminuisce fino a diventare trascurabile rispetto R. Un circuito del tipo descritto pu venir utilizzato come porta analogica, cio come un circuito in grado di trasferire su R il segnale ve(t) in funzione di una tensione di comando Vp, che nel caso specifico puo assumere addirittura valori negativi quando si vuole assicurare linterdizione del diodo.
(1) se, operando a normali temperature, v e superiore a qualche diecina di millivolt d
116
I diodi Capitolo 5 Riassumendo, per utilizzare il modello per piccoli segnali, necessario: 1) Individuare il punto di lavoro in continua. 2) Nel punto di lavoro valutare i parametri del modello a piccoli segnali. 3) disegnare il circuito equivalente linearizzato che corrisponde, a piccoli segnali, al circuito di partenza. 4) Calcolare, eventualmente per sovrapposizione degli effetti, le variazioni del segnale duscita in funzione di quelle del segnale dingresso. 5.5) Modelli di dispositivi non lineari Nel paragrafo precedente sono stati introdotti alcuni modelli che possono venir utilizzati per studiare il comportamento del diodo, dispositivo fortemente non lineare; tale studio non sarebbe facilmente affrontabile in maniera diversa. Il discorso ovviamente estendibile a tutti i dispositivi non lineari, quali sono gran parte dei dispositivi elettronici. Quando si utilizza un dispositivo non lineare un metodo per determinare il suo punto di lavoro , come si visto, quello della retta di carico. Esso viene individuato dallintersezione sul piano V-I della caratteristica non lineare del dispositivo utilizzato con la retta che rappresenta la parte lineare del circuito, che secondo Thevenin pu sempre essere rappresentata con un generatore di tensione VA in serie con una resistenza R (figura 5.54)
I
VA R R I VA 0
VA
figura 5.54
Questo metodo permette non solo di determinare il punto di lavoro, ma anche le sue variazioni, se variano le condizioni di impiego. Tuttavia questo metodo ipotizza che la caratteristica V-I sia conosciuta, o attraverso misure o perch fornita dal costruttore; ci non sempre vero, anche perch prendendo diversi esemplari dello stesso componente ci possono essere ampie tolleranze sulle sue caratteristiche. Un altro metodo potrebbe essere quello del modello matematico, che ad esempio nel caso del diodo ci dice che:
vd
id con
Is . e
VT
vd
I s .e
VT
117
I diodi Capitolo 5 kT q
VT
Il modello matematico cerca di approssimare al meglio la caratteristica del dispositivo, e permette, almeno in via ipotetica, di determinare il punto di lavoro per via di calcolo. Un modello matematico viene caratterizzato da un certo numero di parametri, che nel caso del diodo sono la corrente di saturazione ed il parametro . VT viceversa non un parametro del dispositivo particolare in quanto dipende unicamente dalla costante di Boltzmann, dalla temperatura e dalla carica dellelettrone. Ancora, per determinare il punto di lavoro si possono utilizzare modelli circuitali, che cercano di approssimare la caratteristica in regioni parziali, ma sufficientemente estese e che devono essere considerati modelli per ampi segnali i quali tengono conto, per quanto possibile, delle caratteristiche non lineari del dispositivo. Esistono poi i modelli per piccoli segnali che linearizzano la caratteristica nellintorno del punto di lavoro e permettono, quando i segnali siano sufficientemente ridotti, di sostituire al dispositivo un circuito equivalente lineare. bene tuttavia ricordare che tali modelli risultano validi solo se si realizzano le condizioni rispetto alle quali il modello stesso stato ricavato. Nel caso del diodo, ad esempio, il modello a piccoli segnali ricavato valido solo se il punto di lavoro stato individuato con sufficiente precisione e lampiezza del segnale applicato tale che il segmento di esponenziale interessato pu essere approssimato con un tratto rettilineo senza commettere errori eccessivi. Prendendo in esame i modelli circuitali per ampi segnali che si conoscono, cio quello del diodo ideale, quello che tiene conto della tensione di soglia e quello che oltre alla tensione di soglia considera anche linclinazione della caratteristica reale, si possono trarre alcune conclusioni. In primo luogo conveniente che le approssimazioni ottenute siano lineari a tratti; inoltre i parametri del modello, in particolare per quelli pi sofisticati, dipendono dalla dinamica che si prende in considerazione. Se poi si prende in considerazione, ad esempio, il modello che tiene conto della tensione di soglia, si pu fare unaltra considerazione.
Vp
figura 5.55
Il generatore di tensione Vp, di figura 5.55, che modellizza la tensione di soglia un certo qual modo un falso generatore, in quanto per la presenza di un diodo ideale, pu essere percorso da corrente in un solo verso. Ci significa che esso non in grado di fornire energia al circuito esterno, ma tale energia dovr unicamente essere dissipata allinterno del diodo reale, dando luogo ad un innalzamento della temperatura.
118
I diodi Capitolo 5 Comunque sia, i modelli per ampi segnali tendono a rappresentare la caratteristica del dispositivo in zone molto ampie, che comprendono anche i punti di rottura che nel modello rappresentano punti di non linearit. Per i diodi tuttavia, ed in generale per tutti i dispositivi elettronici, le caratteristiche variano con la temperatura e quindi con la temperatura varieranno anche i parametri del modello. In un diodo, ad esempio, al variare della temperatura, la tensione ai suoi capi a corrente costante varia diminuendo di circa 2 2,5 mV per ogni grado centigrado di innalzamento della temperatura stessa. Anche nel modello, quindi, Vp deve variare della stessa quantit. Se si prendono invece in considerazione i modelli per piccoli segnali, cio quelli che si possono utilizzare quando si interessati ad una zona particolarmente ridotta della caratteristica, il discorso pu essere diverso. In questo caso non si vuol sfruttare la caratteristica non lineare del dispositivo, ma utilizzarlo come componente lineare, anche se, in effetti, non lo . In questo caso si linearizza la caratteristica nellintorno del punto di lavoro sostituendola con la tangente nel punto di lavoro stesso. Nel caso del diodo, il comportamento analogo a quello di una resistenza il cui valore rd VT id
in serie con un generatore di tensione Vp, individuato dallintersezione con lasse delle ascisse della tangente alla caratteristica nel punto di lavoro. Poich tuttavia linteresse si incentra sul comportamento del dispositivo nellimmediato intorno del punto di lavoro, il comportamento pu venir studiato prescindendo da questultimo; con il principio di sovrapposizione degli effetti si potr porre Vp = 0 e studiare il comportamento del circuito solo in relazione alle variazioni del segnale di ingresso, nelle quali linformazione contenuta. Il modello a piccoli segnali del diodo si riduce in tal caso alla sola rd. E bene far osservare tuttavia che questo modello sar una resistenza solamente se le frequenze in gioco sono sufficientemente basse da far si che i fenomeni reattivi siano trascurabili. In altre parole il modello una pura resistenza solo se le frequenze del segnale sono tali che tensione ai capi del diodo e la corrente che lo percorre sono in fase tra loro. A frequenze pi elevate tra queste due grandezze compare uno sfasamento. Di questo fatto si pu tener conto inserendo una capacit (anchessa differenziale) in parallelo alla rd (figura 5.56)
rd
Cd
figura 5.56
119
I diodi Capitolo 5 Questa capacit data dalla somma della capacit di diffusione e della capacit di transizione della giunzione ed ovviamente dipende dal punto di lavoro, come si gi visto nellanalisi della giunzione p-n. Nel caso dei diodi questa capacit normalmente trascurabile, in quanto in condizioni di lavoro normali la rd sufficientemente bassa da rendere trascurabile leffetto di Cd, tranne che per le frequenze pi elevate. Se, infatti, si calcola limpedenza complessiva si ottiene che essa vale: rd . 1 1 srd C d
e in termini di diagramma di Bode si ottiene il comportamento in frequenza illustrato in figura 5.57.

M
1/Cd rd figura 5.57
Utilizzano per rd e Cd valori ragionevoli, cio approssimativamente una diecina di ohm e qualche picofarad, si vede che la frequenza di taglio si ha per pulsazioni dellordine di 109 1010 rad/s, cio per frequenze dellordine del centinaio di MHz o superiori. Pertanto a meno che la capacit differenziale del diodo non debba espressamente essere sfruttata in particolari circuiti, la si potr ignorare completamente. Esempio A titolo di esempio di quanto fin qui discusso si prenda ora in considerazione il circuito di figura 5.58 per il quale si possa dire che il segnale alternato di ingresso sufficientemente piccolo da interessare un tratto pressoch lineare della caratteristica del diodo. Le due capacit C di grande valore hanno lunico scopo di bloccare la continua, mentre alla frequenza del segnale vA offrono unimpedenza trascurabile. Si vuole calcolare la relazione che intercorre tra la tensione di uscita vu e quella di ingresso vA.
120
I diodi Capitolo 5
Vp R2 R1 C C
R R 1 2 = 100 = 2.2 k
R3 = 2.2 k
vA
R3
R4
vu
R4 = 100 T =2
o = 25 C
figura 5.58
Vp = 10 V
Per quanto detto, la prima operazione da fare quella di determinare il punto di lavoro del diodo. Poich per tale punto di lavoro necessario considerare le condizioni in continua, cio statiche, i due condensatori rappresentano due circuiti aperti e il circuito si riduce a quello di figura 5.59-a.
Vp = 10 V R2
2.2 k
Vp = 10 V R2
2.2 k
2.2 k
R3
V R3
0.6 V
2.2 k
riferimento comune
(a)
figura 5.59
(b)
Utilizzando per il diodo il modello realizzato con un diodo ideale e un generatore V = 0,6 V che rappresenta la tensione di soglia, il circuito si modifica ancora in quello di figura 5.59-b La corrente che circola nel diodo allora facilmente calcolabile e vale: Id Vp R2 V R3 10 0, 6 4 , 4.103 2 ,14 mA
121
I diodi Capitolo 5 Determinata la Id, si pu costruire il circuito equivalente a piccoli segnali, e pertanto, con un segnale di ingresso variabile nel tempo, di frequenza tale che i due condensatori possano essere pensati come dei cortocircuiti, si ottiene il circuito di figura 5.60.
R1 R2 Vp
rd
vA
R3
R4
vu
figura 5.60
Poich ci che interessa sono le variazioni della vu in funzione delle variazioni di vA, per il principio di sovrapposizione degli effetti il generatore Vp pu essere posto a zero, senza alterare in alcun modo la soluzione per la parte variabile dei segnali. Daltra parte, se si osserva appena con un po dattenzione il circuito reale, ci si accorge che il condensatore introdotto tra Vp e luscita blocca tale tensione. Il circuito si riduce pertanto a quello di figura 5.61
R1 v
rd
R2
R3
R4
vu
figura 5.61
La parte sulla sinistra della linea tratteggiata pu essere sostituita, secondo Thevenin dal generatore equivalente (figura 5.62-a) in cui ve vA . 2 , 2.103 2 , 2.103 100 100. 2, 2.10 3 100 2 , 2.103 0, 96 v A
Re
96
mentre la parte sulla destra si pu ridurre, eseguendo il parallelo di R3 e R4 (figura 5.62-b).
122
I diodi Capitolo 5
Re
rd 96
ve
(a)
figura 5.62
(b)
Infine il valore di rd si pu calcolare dalla relazione che stata trovata in precedenza: rd VT id 2. 26.10 2 ,14.10
3 3
24
poich la temperatura pari a 25 C. In sostanza si ottiene il circuito di figura 5.63 e quindi: vu 96 . ve 96 24 96 0, 44. v e 0, 44. 0, 96. v A 0, 42. v A
96
24
ve
96
vu
figura 5.63
5.6) I diodi Zener Si gi visto in precedenza che quando la polarizzazione inversa di un diodo viene aumentata, ad un certo momento si entra nella zona di scarica, dove si ha leffetto Zener o la scarica a valanga.
123
I diodi Capitolo 5 Alcuni diodi sono costruiti appositamente per lavorare in tale zona e per presentare una tensione di breakdown sufficientemente precisa da poter fungere da riferimento di tensione. Tali diodi prendono il nome di diodi Zener e il loro simbolo quello illustrato in figura 5.64.
figura 5.64
Prendendo in considerazione la caratteristica nella zona di scarica (figura 5.65) si pu osservare che essa quasi, ma non esattamente, verticale. Pertanto il modello pi grossolano di un diodo Zener semplicemente un generatore di tensione Vz, cio un generatore la cui tensione indipendente dalla corrente che circola al suo interno. Ci corrisponde ad approssimare la caratteristica reale con un tratto verticale.
Vz
figura 5.65
Un modello pi realistico, come facile verificare, quello che inserisce in serie al generatore di tensione una resistenza R che tenga conto della pendenza della caratteristica reale. Nei normali diodi Zener R dellordine dellohm. I parametri che i costruttori normalmente forniscono per i loro prodotti sono: 1) la tensione di Zener Vz e la sua tolleranza; 2) la corrente minima di Zener per evitare di andare a lavorare nella zona di ginocchio della caratteristica che una zona di passaggio tra zona di interdizione e zona di scarica; 3) le variazioni di Vz con la temperatura; 4) la massima potenza dissipabile; 5) la resistenza differenziale R nella zona di scarica. Particolare importanza va attribuita alla potenza massima dissipabile. Infatti, nella zona di scarica la tensione ai capi del diodo abbastanza elevata, senzaltro molto superiore a 124
I diodi Capitolo 5 quella che si ha in conduzione diretta. Pertanto anche piccoli valori di corrente fanno rapidamente salire la potenza che si dissipa e si deve quindi aver cura i non superare nelle condizioni di lavoro il limite massimo previsto. Le applicazioni dei Zener sono molteplici. Ad esempio essi possono venir utilizzati in circuiti tosatori (o limitatori) evitando luso di generatori di riferimento (figura 5.66).
Vu
Vz Vu
Ve
Vz
Ve
figura 5.66
Il funzionamento intuitivo. La pendenza rispetto allorizzontale nei tratti di limitazione determinata rispettivamente dalla resistenza della zona Zener per quanto riguarda il primo quadrante e dalla resistenza diretta del diodo nel terzo. Il circuito illustrato in figura 5.66 pu essere utilizzato, come anche dice il suo nome, per limitare lampiezza massima della tensione applicata ad un circuito a valle, ad esempio a scopi di protezione. Unaltra applicazione quella come regolatore di tensione. In tal caso lo schema applicativo quello di figura 5.67.
IA
R Iz
Iu
VA
RL
Vu
figura 5.67
La tensione di alimentazione VA in questo caso una tensione unidirezionale, ma il suo valore non costante nel tempo. Il diodo Zener viene in tal caso utilizzato in modo che le variazioni di VA non si ripercuotano alluscita, in modo da ottenere ai capi del carico RL una 125
I diodi Capitolo 5 tensione Vu il pi possibile costante. Anzi, il circuito tale che anche eventuali variazioni di RL non hanno, entro certi limiti, effetto su Vu. Se, infatti, la tensione VA sufficientemente grande da portare il diodo a lavorare nella zona di scarica, ai capi di questultimo si localizza la tensione VZ. Nella resistenza R circola in tal caso una corrente pari a: IA VA Vz
Una parte di questa corrente circoler sul carico RL, ed esattamente la frazione Vz/RL, mentre la rimanente parte Iz circoler sul diodo Zener. Se la tensione VA aumenta, cresce la IA, ma la Iu rimane in pratica costante, in quanto costante rimane Vz. Ci significa che cresce la Iz. Cresce quindi la dissipazione nello Zener, ma la tensione duscita Vu = VZ non si sposta, almeno finch il diodo rimane nella zona di scarica. Un regolatore che lavori nel modo descritto prende il nome di regolatore in parallelo o regolatore shunt. La tensione di uscita tuttavia non rimane perfettamente costante in quanto la caratteristica del diodo Zener nella zona di scarica non perfettamente verticale. Se quindi si vuole conoscere in qualche modo la Vu vari in funzione delle variazioni della VA si pu ricorrere al circuito equivalente per piccoli segnali. Esempio Per approfondire il discorso su questi regolatori si pu fare riferimento al circuito di figura 5.68.
R Iz
IL
. V = 8 . 10 volt A R = 220 Vz = 5 volt RL= 500 . .
VA
Vz
RL
figura 5.68
Si vuole verificare che il circuito regoli veramente, qual la potenza dissipata dal diodo Zener, ed inoltre si vuole trovare il coefficiente di regolazione, cio il rapporto tra le variazioni della tensione di uscita e le corrispondenti variazioni della tensione dingresso, supponendo che la resistenza dinamica nella zona di scarica sia di 3 .
126
I diodi Capitolo 5 Per rispondere al primo quesito necessario verificare che la Iz non scenda mai al di sotto del valore minimo assegnato dal costruttore. Ora il minimo valore di I pu essere calcolato come: I e quindi: I 8 5 13, 6 mA 220 VA R Vz per VA 8 volt Vz 5 volt
Questa corrente la somma di IL e Iz. Di conseguenza Iz sar minima quando IL massima, cio quando RL = 500 . Si ottiene: IL
max
5 500
10 mA
Iz
min
13, 6 10 3, 6 mA
Allo stesso risultato si poteva pervenire con il metodo della retta di carico, sostituendo allinsieme circuitale formato dal generatore VA e dai resistori R e RL il generatore equivalente secondo Thevenin Ve e Re, con: Ve VA . RL Re R. R L R RL
RL
Tali quantit, variabili evidentemente con VA e RL, vanno calcolate in corrispondenza della situazione pi pericolosa, cio per VA = 8 V e RL = 500. Si ottiene in tal caso che: Ve 5, 55 volt Re 150
La corrispondente retta di carico interseca sul piano V-I la caratteristica del diodo Zener V = Vz = 5 V nel punto di coordinate: V 5 volt Iz 3, 6 mA
Se il diodo, utilizzato a 3,6 mA, si trova gi sufficientemente al di l del ginocchio della caratteristica, il circuito funziona correttamente. In modo del tutto analogo si pu trovare la massima corrente che pu scorrere nel diodo. Essa sar raggiunta quando VA = 10 V e . In tali condizioni: RL I e quindi la massima dissipazione : 127 Iz 10 5 220 22 , 7 mA
I diodi Capitolo 5 Pd 5. 22, 7 113, 5 mW
Qualunque diodo Zener in grado di dissipare tale potenza. Infine per valutare il coefficiente di regolazione opportuno fare riferimento al circuito equivalente per piccoli segnali. Eliminando le componenti continue, che in questo caso non interessano, cio utilizzando il principio di sovrapposizione degli effetti, il circuito equivalente per piccoli segnali risulta quello di figura 5.69.
R
ve
RL
vu
figura 5.69
dove con ve si indicata la componente variabile della tensione di ingresso. Indicando con: R' rd . R L rd R L
il parallelo di resistenza differenziale del diodo e resistenza di carico, si ottiene: vu ve . R' R' R
Ovviamente il massimo valore del rapporto vu/ve, corrispondente alla minima regolazione si ha quando R massima, cio quando R L . In queste condizioni: vu ve rd 3 223 0, 013
rd
Una variazione della ve si ripercuote in uscita in misura di poco superiore alluno per cento. Poich VA pu variare tra 8 e 10 V, la massima variazione delluscita : vu 10 8 .0,013 26 mV
128
I diodi Capitolo 5 Il coefficiente di regolazione viene solitamente espresso in decibel. Nel caso che si sta esaminando: vu ve 20. log 0,013
dB
38 dB
5.7) Il diodo tunnel. I diodi tunnel sono particolari diodi ottenuti con materiale ad altissimo drogaggio, attorno a 1019 1020 atomi per centimetro cubo. Si puo dimostrare che in un diodo al crescere del drogaggio cambia la caratteristica tensione-corrente e passa da quella gia vista per il diodo normale ad una caratteristica che presenta una forte conduzione sia in polarizzazione diretta che in polarizzazione inversa. Il fatto piu interessante tuttavia si riscontra nel quadrante di polarizzazione diretta in cui il diodo tunnel presenta un tratto abbastanza esteso a resistenza differenziale negativa, per poi tornare a coincidere con la caratteristica de3l diodo normale ad elevati valori di tensione diretta. Landamento tensione-corrente di un diodo tunnel e riportato in maniera qualitativa in figura 5.70.
I
figura 5.70
Il diodo tunnel e stato impiegato per molti anni come commutatore ad elevata velocita o come elemento attivo in oscillatori ad altissima frequenza. Oggi le sue prestazioni sono superate da altri dispositivi piu moderni, tuttavia la sua importanza culturale e notevole in quanto costituisce il primo componente di una classe di dispositivi basati su effetti strettamente quantistici. La figura 5.71 da ragione in maniera qualitativa del funzionamento del diodo tunnel. 129
I diodi Capitolo 5 A causa dellelevato drogaggio il livello di Fermi taglia la banda di valenza in zona p e quella di conduzione in zona n. Oltre a cio lestensione della zona di carica spaziale e molto sottile. Leffetto tunnel, che e specifico della meccanica quantistica, cioe non trova spiegazione in termini di fisica classica, si manifesta con il passaggio di elettroni attraverso una barriera di potenziale anche se le particelle non possiedono energia sufficiente per il superamento di tale barriera
spessore della zona di svuotamento
Ec Ev EF
stati liberi
EG
polarizzazione inversa
stati pieni
figura 5.71
In altre parole lelettrone possiede anche al di la della barriera di potenziale una probabilita di presenza, tanto piu alta quanto piu la barriera e sottile. Lelettrone conserva lo stesso livello energetico nel passaggio e quindi il fenomeno puo verificarsi se stati occupati su un lato della barriera di potenziale vengono a trovarsi affacciati a stati liberi sullaltro lato. Con riferimento alla figura 5.71, che mostra un modello di banda di un diodo tunnel in equilibrio termico, si vede che il livello di Fermi taglia, come si e detto, la banda di valenza in zona p e quella di conduzione in zona n. In assenza di polarizzazione applicata i livelli che si corrispondono da una o dallaltra parte della barriera di potenziale sono o liberi od occupati. Quindi, come del resto e ovvio, in assenza di polarizzazione non circola corrente.. Se si fornisce una polarizzazione, le bande in zona p e quelle in zona n si sfalsano e saia in polarizzazione diretta che in polarizzazione inversa vengono a trovarsi affacciati livelli occupati e livelli liberi. E quindi possibile il passaggio di elettroni per effetto tunnel. Si osservi che nel caso di polarizzazione diretta si arriva ad un massimo di corrente quando tutti i livelli che stanno sotto il livello di Fermi in zona n si trovano affacciati a quelli che stanno al di sopra del livello di Fermi in zona p. Al crescere della polarizzazione diretta lestensione delle zone affacciate si riduce fino ad annullarsi e il diodo tunnel riprende il comportamento di un diodo normale.
130
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6
I TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO

6.1) Generalit Oltre ai diodi, presi in considerazione nel capitolo precedente, esistono in campo elettronico altri dispositivi, detti attivi, che permettono di controllare con grande efficacia una corrente. Questi dispositivi vengono utilizzati per lelaborazione di segnali, siano essi logici e in altre parole capaci di assumere due stati soltanto, o analogici, cio variabili con continuit, oppure vengono impiegati per regolare flussi di potenza elettrica, elaborando cio dellenergia. Per realizzare elaborazioni di tipo logico necessario avere a disposizione dispositivi che si comportino come interruttori comandati da segnali elettrici, di dimensioni il pi ridotte, molto veloci e che dissipino la minor quantit possibile di energia. Le piccole dimensioni sono rese indispensabili dal fatto che le elaborazioni logiche richiedono in genere un gran numero di dispositivi elementari; la tecnologia dei circuiti integrati a larga scala permette al giorno doggi di posizionare su ununica superficie di qualche mm2, di solito di silicio, qualche milione di elementi e risponde pertanto abbastanza bene a questa esigenza. Daltra parte questa elevata densit di impaccamento su volumi ridottissimi pone grossi problemi nello smaltimento del calore prodotto per dissipazione di potenza. Di conseguenza le cose andranno tanto meglio quanto minore sar la potenza dissipata dal singolo dispositivo, sia nel circuito di comando sia in quello di controllo. opportuno rimarcare che normalmente lesigenza di basse dissipazioni contrasta con quella di alta velocit. Allaumentare della velocit e a parit di altre caratteristiche la potenza dissipata aumenta. Di solito tra queste due caratteristiche si sceglie un giusto compromesso in base alle esigenze da soddisfare. In campo logico il componente ideale quindi un interruttore, comandato ad esempio in tensione, che potrebbe venir rappresentato come in figura 6.1.
Capitolo 6 DISPOSITIVI ELETTRONICI ATTIVI
Iu
ingresso
Vu
uscita
figura 6.1
questa una rappresentazione assolutamente ideale in quanto in nessuna condizione di funzionamento viene dissipata potenza n nel circuito di ingresso, n in quello di uscita.
131
Iu
V alta Vbassa Vu
figura 6.2
La tensione V quella che comanda linterruttore; in altre parole il suo valore, superiore o inferiore ad una determinata soglia, stabilisce se linterruttore chiuso o aperto. Se linterruttore si chiude quando la tensione V alta si parla allora di logica positiva, nel funzionamento opposto di logica negativa. La caratteristica voltamperometrica di questo dispositivo ideale , riferendosi alla logica positiva, quella di figura 6.2. Nelle applicazioni analogiche il dispositivo descritto non sufficiente, poich in questo caso necessario regolare la corrente con continuit in funzione di un segnale elettrico di comando. Inoltre per facilitare lanalisi e la sintesi dei relativi circuiti, ma soprattutto per soddisfare alle esigenze per cui il circuito viene costruito, opportuno che il legame tra grandezza di comando e grandezza comandata sia lineare. Questo aspetto apparir pi chiaro nel seguito.
I = gm i V VA - Vu V
A
Vi
Vu = R . gm. V i
figura 6.3
Poich il dispositivo che si sta considerando deve regolare la corrente nel circuito di uscita, abbastanza intuibile che non sar lui a fornire la potenza a questo circuito, ma semplicemente regoler in funzione del segnale di comando la potenza che da una fonte esterna viene trasferita allutilizzatore. Pertanto chiamare questi dispositivi attivi sotto certi aspetti improprio. 132
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Con un dispositivo che funzioni nel modo descritto si pu ottenere amplificazione. Per esaminare come ci sia possibile si pu far riferimento al circuito di figura 6.3. Come si detto il dispositivo attivo funziona come un regolatore di corrente in funzione di un segnale di ingresso Vi. Esso pu quindi venir rappresentato da un generatore di corrente, in cui per la corrente non costante, ma proporzionale attraverso un opportuno coefficiente gm al segnale Vi. Si parla allora di un generatore comandato e il coefficiente gm prende il nome di transconduttanza, in quanto ha le dimensioni di una conduttanza, cio di un rapporto tra corrente e tensione, ma queste grandezze non riguardano lo stesso circuito; la tensione infatti riguarda il circuito di comando, mentre la corrente quella che circola nel circuito duscita. Si deve pertanto parlare di una conduttanza di trasferimento. Se si valuta la tensione presente in uscita si ottiene: Vu g m . Vi . R k . Vi
e quindi si in presenza di un amplificatore di tensione. abbastanza ragionevole poi pensare che, se il dispositivo attivo viene comandato in tensione, la corrente nel circuito di comando vada mantenuta piccola per quanto possibile. In altre parole bene che la potenza assorbita dal circuito di comando sia minima. Generalizzando si pu affermare che un dispositivo che controlla una corrente utilizzando come comando una tensione dovrebbe avere nel caso ideale unimpedenza di ingresso infinita. Si potrebbero tuttavia avere dispositivi in cui la corrente di uscita controllata a sua volta da una corrente. In questo caso, il generatore comandato legato alla grandezza di comando da una relazione del tipo: I h. I i
dove Ii la grandezza di comando e I la grandezza comandata. Ovviamente h in questo caso una grandezza adimensionale e prende il nome di guadagno di corrente. Utilizzando un dispositivo di questo tipo in un circuito, che per il resto sia identico al precedente si ottiene: Vu R. h. I i k '. I i
Il circuito ancora un amplificatore, che prende il nome di amplificatore di transresistenza, in quanto il rapporto tra grandezza di uscita e quella di ingresso ha le dimensioni di una resistenza. Affinch la potenza assorbita dal circuito di ingresso sia nulla necessario che la tensione presente ai morsetti di ingresso sia nulla, cio che sia nulla limpedenza di ingresso. Ovviamente tali caratteristiche sono quelle di un dispositivo ideale. Dispositivi del tipo descritto possono venir rappresentati sul piano V-I da una famiglia di rette orizzontali, ciascuna identificata da un ben preciso valore della grandezza di comando, come mostrato in figura 6.4.
133
Vi o I i
VA
figura 6.4
Nellipotesi che il dispositivo sia lineare, a uguali variazioni della grandezza di comando corrispondono uguali distanze tra le rette relative. Si noti che, riferendosi allo schema circuitale in cui lalimentazione esterna (nellipotesi cio che lenergia venga fornita da un generatore esterno e il dispositivo non abbia alcuna sorgente di energia interna), in corrispondenza a determinati valori della grandezza di comando il dispositivo si interdice e la corrente nel circuito di uscita si annulla. Non possibile che tale corrente si inverta poich questo significherebbe fornire energia al generatore VA anzich prelevarne. Un bilancio energetico del circuito di figura 6.3 porta alle seguenti conclusioni. La potenza fornita la carico non viene fornita dal dispositivo attivo, ma viene prelevata dalla sorgente di alimentazione VA. Si ha quindi una corrente I che circola nel senso indicato in figura. Ai capi del dispositivo attivo tuttavia presente una tensione pari a VA-Vu come indicato, orientata in senso opposto a I. Il dispositivo quindi un utilizzatore in cui si dissipa una potenza: PD VA Vu .I
Anche sul carico ovviamente viene dissipata una potenza: PR Vu . I
e anche tale potenza dovr essere fornita dal generatore di alimentazione VA. Quindi indicando la potenza fornita dallalimentazione con PA, si ha:
134
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 PA PD PR VA . I
Questo bilancio vale ovviamente in maniera istantanea, in quanto istante per istante potrebbe cambiare I. Nei casi di dispositivi non ideali sarebbe necessario mettere in bilancio le potenze presenti nel circuito di comando; nel caso ideale esse sono invece nulle. Ritornando al circuito di figura 6.3 si pu osservare che, oltre al vincolo gi citato per il quale la corrente I non pu invertire il suo verso, esiste anche il vincolo secondo il quale la caduta ai capi del dispositivo non pu invertire il suo segno. La zona di funzionamento quindi limitata al primo quadrante. Questa considerazione porta tuttavia ad unulteriore osservazione. Si supponga che la tensione di comando sia un segnale a valore medio nullo. ovvio a questo punto che quando Vi assume valori negativi, essa non pu venir amplificata in quanto si esce dalla zona di funzionamento appena definita. Ci avviene tutte le volte che la dinamica del segnale tale da far uscire il dispositivo attivo dalla zona di funzionamento corretto. Per ovviare a tale inconveniente si pu pensare di sommare al segnale, ad esempio a valor medio nullo, una componente continua in modo da spostare il punto di lavoro in maniera tale che la dinamica del segnale sia contenuta tutta nel primo quadrante. Se linformazione che il segnale reca con se contenuta tutta nelle variazioni, come nel caso di un segnale acustico, questa operazione non d luogo ad alcun inconveniente, limitandosi a spostare il livello di riferimento, che non d alcun contributo informativo. In caso contrario, come ad esempio per un segnale di temperatura, necessario conoscere lentit dello spostamento introdotto o procedere a posteriori ad unoperazione di taratura. Con piccole modifiche il circuito di figura 6.3 pu venir trasformato in quello di un amplificatore invertente (figura 6.5). La tensione duscita viene in questo caso prelevata ai capi del dispositivo attivo e la relazione ingresso-uscita diventa: Vu VA R . g m . Vi
R Vu V
A
Vi I = gm i V
figura 6.5
135
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Si vede immediatamente che un aumento della tensione di ingresso determina una diminuzione della tensione duscita ed e da questo fatto che deriva la dizione di invertente. Nella realt i dispositivi elettronici a disposizione non sono quelli descritti, assolutamente ideali. Un dispositivo elettronico reale si comporta come quelli ideali solo su un tratto limitato delle sue caratteristiche, cio solo in intervalli limitati delle tensioni e dalle correnti presenti ai sui morsetti. Inoltre la sua caratteristica elettrica non in genere lineare; tuttavia per piccoli segnali essa di solito linearizzabile nellintorno del punto di lavoro, con considerazioni analoghe a quelle viste per il diodo. Lampiezza della zona in cui questa approssimazione accettabile prende il nome di dinamica del dispositivo, mentre la zona in cui la caratteristica del dispositivo reale si avvicina a quella del dispositivo ideale la possibile zona dimpiego, detta zona di lavoro. A ciascun dispositivo reale resta quindi associata una zona di lavoro e una dinamica. Si noti che questultima non una definizione assoluta, ma dipende dal punto di lavoro e dallapprossimazione che si vuole conseguire con il modello linearizzato. Sotto questo punto di vista allora per piccolo segnale si intende un segnale di ampiezza sufficientemente piccola da interessare una porzione della caratteristica linearizzabile con la precisione richiesta. Questa ricerca di linearizzazione determinata, oltre che dalla necessit di distorcere il segnale il meno possibile, allo scopo di poter applicare il principio di sovrapposizione degli effetti nello studio dei circuiti. Quindi anche la dizione piccolo segnale identifica un concetto relativo ed legata allapplicazione particolare che si sta studiando. Un dispositivo che debba servire sia per applicazioni di tipo logico che analogiche dovr quindi soddisfare un certo numero di esigenze. Riprendendo il piano delle caratteristiche V-I, su cui riportata anche la retta di carico del circuito esterno, rappresentabile con il suo equivalente di Thevenin si ha la figura 6.6.
I
Vi = Von
Vi o I i = cost
Vi = Voff
VA
figura 6.6
Per applicazioni analogiche si vorrebbe che il dispositivo si comportasse come un generatore di corrente pilotato da una tensione o da una corrente di ingresso. Le caratteristiche 136
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 pertanto dovrebbero essere orizzontali, parallele allasse delle tensioni, ed equamente distanziate in funzione della grandezza di comando. Per le applicazioni logiche invece si richiede che il dispositivo si comporti come un interruttore ideale, con una caratteristica che nello stato OFF coincida con lasse delle ascisse e in quello ON con quello dello delle ordinate. Le caratteristiche globali di un dispositivo che soddisfi ambedue le esigenze saranno rappresentate allora da una famiglia di rette orizzontali, che quando giungono in corrispondenza dellasse delle ordinate confluiscono tutte in ununica retta verticale. Per realizzare allora la caratteristica dellinterruttore aperto sar sufficiente applicare allingresso il comando Vi (o Ii) che porti il punto di lavoro sulla caratteristica orizzontale che coincide con lasse delle ascisse. Per realizzare la caratteristica dellinterruttore ON sufficiente che la grandezza di comando sia opportuna, in modo da portare il dispositivo a lavorare in corrispondenza della caratteristica che coincide con lasse delle ordinate. Ad esempio, se si considera un dispositivo pilotato in tensione, sufficiente che Vi = VON perch il punto di lavoro coincida con lintersezione della retta di carico con lasse delle ordinate. 6.1.1 - Panoramica storica: i tubi a vuoto. I primi dispositivi elettronici, che approssimavano il comportamento di un elemento ideale, sono state le valvole termoioniche o tubi a vuoto. Il pi semplice di questi il diodo termoionico, illustrato in figura 6.7, realizzato con unampolla di vetro, in cui realizzato un vuoto spinto, al cui interno esiste un primo elettrodo, il catodo, riscaldato tramite un filamento resistivo. Ha in tal modo luogo il fenomeno dellemissione termoionica, per cui dal catodo vengono emessi elettroni dotati di una certa energia cinetica. In prossimita del catodo si forma pertanto una nube elettronica e il campo elettrico che si genera e tale da stabilire un equilibrio dinamico tra gli elettroni emessi e quelli che ricadono nel catodo stesso. Se ad un secondo elettrodo, detto anodo, presente nella stessa ampolla, viene applicata una tensione positiva, il campo elettrico che si forma accelera gli elettroni in direzione dellanodo, che li raccoglie, dando luogo ad una corrente nel circuito esterno.
anodo
catodo
figura 6.7
ovvio che polarizzando negativamente lanodo tale corrente viene a cessare in quanto il campo elettrico tende a comprimere la nube elettronica a ridosso del catodo. Si ha quindi un dispositivo che permette solo il passaggio unidirezionale della corrente e cio un diodo il cui comportamento e simile a quello del diodo semiconduttore.
137
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Se ora tra anodo e catodo si interpongono uno o pi elettrodi, che non impediscono il flusso di elettroni, essendo realizzati in forma di griglia, e si polarizzano opportunamente questi elettrodi con delle tensioni esterne, si pu modificare la distribuzione interna del campo elettrico, regolando in tal modo il flusso di corrente. Nasce in tal modo tutta una famiglia di componenti, che a seconda del numero di griglie assumono diversi nomi.
triodo
tetrodo
figura 6.8
pentodo
Si va dal triodo, con una sola griglia, al tetrodo con due, al pentodo con tre, e cos via via allenneodo (figura 6.8). Le caratteristiche V-I, di cui si riportano alcuni esempi in figura 6.9-a e 6.9-b, variano da dispositivo a dispositivo. Come si vede (figura 6.9-a) i triodi rappresentano abbastanza male un generatore di corrente, in quanto la corrente che scorre tra anodo e catodo dipende in modo rilevante dalla tensione applicata tra questi due elettrodi.
a) triodo figura 6.9
b) pentodo
Unapprossimazione gi molto migliore si ha con i tetrodi o con i pentodi, che, con linterposizione di una griglia ausiliaria posta in prossimita dellanodo, detta griglia 138
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 soppressore, polarizzata negativamente rispetto a questultimo, eliminano anche il fenomeno dellemissione elettronica secondaria da parte dellanodo causata allenergia cinetica posseduta dagli elettroni incidenti. 6.2) Il transistore ad effetto di campo a giunzione (JFET) Il transistore ad effetto di campo a giunzione (JFET, Junction Field Effect Transistor) quello che sotto certi aspetti pi si avvicina al dispositivo ideale preso in considerazione nel paragrafo precedente (6.1). Il suo principio di funzionamento pu essere descritto con un modello fisico, che tuttavia non corrisponde affatto con la realizzazione tecnologica del dispositivo, ma serve unicamente a capire, sia pure in maniera intuitiva, i fenomeni coinvolti. Si consideri una barretta di materiale semiconduttore, drogato ad esempio n (figura 6.10), alle cui estremit, tramite unapposita metallizzazione siano applicati due elettrodi che consentono il collegamento ad un circuito esterno, che nel caso in esame semplicemente un generatore di tensione continua VDS.
VGS + n p+ p+ gate
2b
ID
source
gate VDS +
figura 6.10
drain
I due elettrodi assumono dei nomi ben precisi, malgrado non ci sia alcun motivo di differenziarli tra loro, stante la perfetta simmetria del sistema descritto. Per la precisione, lelettrodo da cui entrano nella barretta, che prende il nome di canale, i portatori di maggioranza (elettroni) viene chiamato sorgente (source), mentre laltro elettrodo viene detto collettore (drain). I portatori maggioritari permetteranno lo stabilirsi di una corrente tra source e drain che dipender dalla resistenza della barretta. Per controllare lintensit di questa corrente si ricava tutto intorno al canale una zona fortemente drogata p, con diffusione di impurit trivalenti. Questa zona viene chiamata gate e a questa zona, sempre mediante metallizzazione viene collegato un terzo elettrodo. Polarizzando opportunamente la zona di gate possibile modificare le caratteristiche del canale e controllare la corrente che fluisce nel circuito. ovvio che tra gate e canale si realizzata una giunzione p-n, che giustifica il nome assegnato al dispositivo. Per evitare che su questa giunzioni circoli corrente, durante il funzionamento la polarizzazione del gate sar tale da portare tale giunzione nella zona di interdizione, com illustrato nella figura 6.10.
139
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Il generatore di tensione continua VGS utilizzato per questa polarizzazione viene riferito al source, poich la zona pi critica per quanto riguarda la polarizzazione del gate si ha nel punto che si trova alla minima distanza dal source stesso. Non bisogna, infatti, dimenticare che la tensione VDS si distribuisce nel materiale lungo il percorso source - drain, facendo s che via via che ci si allontana dal source la tensione vada aumentando favorendo le condizioni di interdizione della giunzione. Da quanto visto in precedenza per i diodi si ha che in corrispondenza della giunzione polarizzata inversamente si formi una regione svuotata dai portatori maggioritari e che tale regione si estenda nel materiale quanto meno il materiale drogato. Quindi poich la zona di gate fortemente drogata, si pu ritenere in prima approssimazione che la regione di svuotamento si estenda in pratica solo nella zona di canale. Di conseguenza la zona di svuotamento non partecipa alla conduzione, non possedendo portatori maggioritari e laumento della polarizzazione inversa del gate riduce la sezione utile del canale e ne fa aumentare la resistenza complessiva. Si ottenuta in tal modo una resistenza variabile in funzione di VGS che permette di controllare con una tensione la corrente che circola tra source e drain. Quanto detto tuttavia corrisponde abbastanza fedelmente alla realt solo se le varie regioni del canale hanno la stessa tensione rispetto allelettrodo di controllo, cio per tensioni VDS prossime allo zero. Se invece VDS abbastanza alta la regione di svuotamento cambia forma, modificandosi via via che si procede da source a drain, in quanto varia la polarizzazione della giunzione. Quello che tuttavia si pu gi concludere che se si continua ad aumentare la polarizzazione inversa del gate, ad un certo momento il canale viene totalmente svuotato.
Id
Vgs = 0 V' gs V" gs V

figura 6.11
V" < V' < Vgs gs gs
Allora quando: VGS Vp
la corrente ID si annulla. Il valore Vp cui questo fenomeno ha luogo viene detto tensione di pinch off, caratteristica propria di quel particolare transistore e si puo trovare tra i dati
140
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 caratteristici che il costruttore assegna. In termini di caratteristica voltamperometrica si ottengono le curve di figura 6.11. Per VGS Vp il canale si strozza e la caratteristica viene a coincidere con lasse delle ascisse. Si ricordi tuttavia che il comportamento descritto valido solo se la VDS sufficientemente piccola. Quando invece la tensione VDS non tale da poter ritenere la zona di canale praticamente equipotenziale, la zona di svuotamento modifica la sua forma assumendo landamento illustrato in figura 6.12. Il diametro utile del canale, cio, si restringe man mano che si procede da source a drain.
gate ID source gate drain
figura 6.12
Infatti, la tensione VDS si distribuisce lungo il canale, facendo s che le zone pi vicine al drain si trovino a potenziale pi alto rispetto a quelle vicine a source. Pertanto la polarizzazione inversa e lampiezza della zona di svuotamento crescono al crescere di x. Mantenendo costante la tensione VGS e facendo crescere la VDS si giunge nella situazione in cui il canale si strozza. Si raggiunta cio una situazione di pinch off e tale fatto avviene ad una tensione pari alla tensione di pinch off individuata a bassi valori di VDS. Tenendo presente che la chiusura del canale si ha in corrispondenza allestremit del gate pi vicina al drain, trascurando la caduta di tensione che si ha nel semiconduttore della zona di drain che non fa parte del canale, si trova che la differenza di potenziale tra gate e canale allestremit pi vicina al drain : VGS VDS
Poich tale differenza di potenziale in corrispondenza alla chiusura del canale pari a Vp, si ottiene infine: VDS VGS Vp
In questa situazione il canale si strozza e ogni ulteriore aumento di VDS lascia praticamente inalterata la ID, come si pu facilmente verificare per via sperimentale. Non altrettanto facile giustificare n formalmente n intuitivamente questo comportamento. In via di grossolana approssimazione si pu dire che nella realt il canale non si strozza completamente, poich in tale situazione la ID dovrebbe annullarsi. In realt nella zona strozzata la densit di corrente aumenta moltissimo e aumenta in maniera considerevole anche la caduta di tensione.
141
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 La maggior parte della VDS cade cio in corrispondenza allo strozzamento e si viene quindi a creare un campo elettrico estremamente elevato, poiche la lunghezza della zona interessata estremamente ridotta. I portatori maggioritari, nel caso in esame elettroni, vengono fortemente accelerati. Inoltre la mobilit degli elettroni stessi, come anche osservazioni sperimentali confermano, in condizioni di campo elettrico elevato non rimane costante, ma tende a diminuire. In prima approssimazione si pu affermare che il prodotto tra mobilit e campo elettrico tende a rimanere costante. In regioni di questo tipo la legge di Ohm perde la sua validit, cio non sono pi applicabili i normali modelli cui si abituati a fare riferimento; in sostanza si pu affermare che ogni incremento di VDS al di l della tensione che determina lo strozzamento del canale, va ad influire in pratica solo sulla regione di strozzamento, lasciando immutata la situazione nelle altre parti costituenti il dispositivo, in cui la legge di Ohm conserva la sua validit. Poich in queste zone le condizioni rimangono sostanzialmente inalterate al variare di VDS, la corrente circolante non ne sara modificata e per ragioni di continuit ci dovr avvenire anche nella regione strozzata. Tutte queste considerazioni permettono allora di giungere a giustificare, sia pure in maniera qualitativa, le curve caratteristiche di figura 6.13.
ID
inizio dello strozzamento del canale
pinch off VGS = 0
VGS = -1 V
VGS = -2 V
VDS
figura 6.13
Da quanto esposto dovrebbe inoltre risultare evidente che, via via che aumenta la polarizzazione inversa del gate, diminuisce la tensione del punto in cui il pinch off ha luogo. tuttavia necessario tener conto che continuando a incrementare la VDS la differenza di potenziale sulla giunzione p-n nella zona di strozzamento aumenta. Si giunge in tal modo alle condizioni di scarica a valanga, e la caratteristica si impenna in maniera pressoch verticale. La tensione VDS cui il breakdown ha luogo, sul piano VDS - ID, diminuisce al crescere del valore assoluto di VGS, come illustrato nella figura 6.13. In analogia a quanto gi visto per i diodi, sulle caratteristiche di un dispositivo reale JFET possono essere individuate diverse zone di funzionamento. In una prima zona, per valori bassi di VDS il dispositivo si comporta come una resistenza funzione della tensione di comando tra gate e source VGS. Nella zona immediatamente
142
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 successiva il comportamento approssima quello di un generatore di corrente pilotato dalla VGS.
CURVE CARATTERISTICHE DI UN JFET
figura 6.14
Vi infine una terza zona che quella di interdizione cio quella che viene raggiunta quando la tensione VGS supera la tensione di pinch off nella quale il dispositivo interdetto e non circola alcuna corrente. Infine vi la zona di breakdown che di solito, anche se il fenomeno non distruttivo, non viene impiegata nelle normali applicazioni. In figura 6.14 sono riportate le curve caratteristiche di un JFET reale. Le regioni utili per le applicazioni analogiche sono quelle in cui il JFET si comporta come un generatore di corrente pilotato, nelle quali il suo comportamento molto vicino a quello dei dispositivi ideali visti al paragrafo precedente. Le regioni utili per le applicazioni logiche sono evidentemente la regione di interdizione, in cui il JFET si comporta quasi come un interruttore ideale aperto, e la regione 143
Questa curva pu essere identificata dai sui estremi. Uno dei punti, quello che corrisponde allinterdizione del dispositivo, ha coordinate [Vp ( tensione di pinch off), 0], mentre laltro estremo ha coordinate [0, IDSS] dove con IDSS si indicata la corrente drain source con gate cortocircuitato (shorted) con il source e quindi con VGS = 0.
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 di comportamento resistivo, in cui, pur scostandosi dalla caratteristica di interruttore ideale chiuso, che un cortocircuito, presenta un valore resistivo molto basso. La zona di comportamento resistivo viene chiamata proprio zona resistiva, quella che approssima un generatore di corrente zona di saturazione, e vi sono poi, come gi detto la zona di interdizione e quella di breakdown. Si prenda ora in considerazione la zona di saturazione. Ponendosi in condizioni di VDS = cost = V*DS ha un notevole interesse esaminare il legame tra ID e VGS. Con operazioni grafiche molto semplici si pu costruire, come mostrato nella parte sinistra della figura 6.15, la curva I DS f VGS Vds cos t .
ID
I V
DSS GS1
GS2
GS3
VGS
Vp
GS3
GS2
V* DS
VDS
figura 6.15
Landamento della caratteristica quadratico, e questa condizione, deducibile per via teorica, confermata dallosservazione sperimentale. Si ha cio: ID VGS I DSS . 1 Vp
2
Il legame tra grandezza di comando e grandezza comandata non quindi lineare, come sarebbe desiderabile. Se quindi il dispositivo dovesse venir usato come elemento lineare le escursioni lungo la caratteristica I D f VGS dovrebbero venir limitate ad un arco di curva tale da poter essere approssimato da una retta senza eccessivi errori. Il dispositivo cio potr venir considerato lineare solo a piccoli segnali.
144
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Riassumendo, e dando delle relazioni valide anche per i JFET a canale p, si ha: 1) per |VGS| > |Vp| si in zona di interdizione; 2) per |VGS| < |Vp| e |VDS| < |VGS - Vp| si lavora nella zona resistiva; 3) per |VGS| < |Vp | e |VDS| > |VGS - Vp| il canale si strozza, si entra nella zona di saturazione e la corrente diventa in pratica indipendente da VDS. Il JFET si comporta come un generatore di corrente comandato dalla tensione VGS. Inoltre se nella zona di saturazione si indica con: I DSS I D VGS 0
si pu con buona approssimazione affermare che: ID VGS I DSS . 1 Vp

2
Ora nelle applicazioni lineari, come si anche visto nella discussione fatta riguardo i dispositivi ideali, un dato di notevole interesse la transconduttanza, cio il rapporto tra corrente duscita e tensione dingresso del dispositivo. Considerando tuttavia che si far riferimento a modelli linearizzati per piccoli segnali, tale transconduttanza dovr venir intesa come un parametro differenziale gm Si ottiene pertanto: gm ID VGS 2 I DSS VGS 1 Vp Vp ID VGS
che permette di concludere che la transconduttanza per piccoli segnali dipende dal punto di lavoro. Per un dispositivo di questo tipo inoltre opportuno che lingresso si comporti come un circuito aperto in modo da minimizzare la potenza dissipata nel relativo circuito. Nella realt questa condizione abbastanza ben approssimata. Infatti, il circuito di ingresso una giunzione p-n polarizzata inversamente e quindi lunica corrente circolante quella inversa di saturazione IS della giunzione, che com noto, alle normali temperature di esercizio molto piccola. I simboli grafici utilizzati per i JFET sono quelli di figura 6.16. appena necessario osservare che un JFET a canale p si ottiene da un materiale semiconduttore drogato p anzich n e realizzando una giunzione con un diffusione n+. Il
145
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 comportamento del tutto analogo a quello del JFET a canale n e valgono tutte le condizioni fatte purch si rovescino tutti i versi di tensione e corrente.
JFET a canale n
JFET a canale p
figura 6.16
Si noti che il simbolo utilizzato autoesplicativo, in quanto rappresentando la giunzione gate - canale in pratica con il simbolo del diodo, permette immediatamente di riconoscere il tipo di materiale utilizzato per realizzare il canale stesso. Si noti la circonferenza che racchiude il JFET. Con tale simbolo si intende che il dispositivo racchiuso a scopo di protezione in un contenitore individuale metallico o plastico. Quali osservazioni conclusive si pu far notare quanto segue: 1) il nome transistore a giunzione a effetto di campo giustificato dal funzionamento del dispositivo. infatti il campo elettrico esistente tra canale e gate che modula lo spessore della zona di carica spaziale e controlla quindi la corrente nel circuito source - drain. 2) il JFET non in pratica usato come dispositivo logico, per tutta una serie di problemi che crea, mentre in campo analogico utilizzato in diverse applicazioni, tra le quali una delle pi diffuse nella realizzazione di stadi amplificatori ad elevatissima impedenza dingresso. 6.3) Il transistore MOS Esiste un secondo tipo di transistore ad effetto di campo in cui la corrente che fluisce nel canale controllata da una tensione applicata allelettrodo gate di controllo; il transistore MOS (Metal Oxide Semiconductor) o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). I MOS si possono suddividere in due categorie: i MOS ad arricchimento (enhancement) e quelli a svuotamento (depletion), di cui sar studiato nel presente paragrafo, sia pure in modo qualitativo, il principio di funzionamento. 6.3.1 - MOS ad arricchimento La struttura fisica, con riferimento ad un MOS a canale n, illustrata in figura 6.17. Esistono ovviamente anche i MOS a canale p, dal funzionamento duale, in cui i portatori maggioritari di carica sono lacune anzich elettroni. Su un substrato di silicio drogato p vengono ricavate, per diffusione o per impiantazione ionica, due zone fortemente drogate (n+), che realizzano le zone di source e drain, in analogia con quanto gi visto per il JFET. A questo punto, con opportuni procedimenti termici, a secco o in atmosfera di vapore, al di sopra del substrato viene formato uno strato di biossido di silicio SiO2 che presenta ottime caratteristiche dielettriche. In questo strato isolante, per
146
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 attacco chimico, vengono ricavate delle aperture e sulle zone di drain e source viene realizzata una metallizzazione. Anche il substrato (bulk) viene reso accessibile con un opportuno contatto, che tuttavia nella figura non stato esplicitamente messo in evidenza.
source gate drain
metallo
SiO2
n+
SiO 2
n+
SiO 2
Substrato p
MOS a canale n ad arricchimento (enhancement mode)

figura 6.17
Infine, in unapertura ricavata nellossido, che tuttavia non viene completamente rimosso, viene formato lelettrodo di gate (G), che rimane in tal modo completamente isolato dal punto di vista elettrico dal corpo del dispositivo. Si ha cura di rendere estremamente sottile (50 100 ) lo strato di ossido tra gate e substrato. Le dimensioni di un MOS sono normalmente molto piccole; la dimensione del canale nelle applicazioni di tipo logico, cio la zona tra source e drain, ha una lunghezza dellordine del micron o inferiore. Nelle applicazioni di potenza o comunque di tipo analogico le dimensioni possono essere notevolmente superiori. Lo scopo quello di controllare una corrente tra source e drain controllandola con una tensione applicata tra gate e source. Si ricordi che il dispositivo presenta una perfetta simmetria; pertanto come source si considera la zona in cui entrano nel canale i portatori maggioritari, e che nel caso in questione si parla di MOS a canale n e quindi i portatori maggioritari sono elettroni. Le polarizzazioni applicate al dispositivo sono ragionevolmente quelle applicate nella figura 6.18.
+
VDS
+ S SiO2
n+
VGS
G
metallo
D SiO 2
n+
SiO 2
Substrato p
figura 6.18
147
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 Si noti che il substrato viene portato al potenziale minimo presente nel circuito in modo da polarizzare inversamente le giunzioni eventualmente presenti nel dispositivo, come ad esempio le giunzioni tra substrato e le zone di source e drain. Nelle condizioni dellesempio che si sta trattando il substrato di conseguenza portato alla tensione del source. Al gate viene invece applicata una tensione VGS. Si supponga che inizialmente VGS sia nulla. In queste condizioni non pu circolare alcuna corrente nel circuito source drain, in quanto vi sono due giunzioni contrapposte, una p-n e laltra n-p che impediscono il flusso dei portatori maggioritari. Al limite anche invertendo il verso della VDS il dispositivo rimane interdetto e per tale motivo viene detto normalmente off. Circoler solamente una piccolissima corrente di perdita dovuta ai portatori minoritari, che agli effetti pratici pu essere considerata nulla. Questa condizione di interdizione si mantiene anche se la VGS viene aumentata finch non si raggiunge una opportuna tensione di soglia VT. Se infatti la VGS maggiore di zero e sufficientemente elevata, il campo elettrico che si forma tra gate e substrato richiama nel substrato in corrispondenza del gate delle cariche negative (elettroni). Questi portatori minoritari sono sia quelli presenti nel substrato, sia quelli richiamati dalla zona di source e drain. In sostanza questi portatori minoritari si accumulano in corrispondenza al gate alla superficie di interfaccia tra il substrato e lo strato isolante di ossido. A causa del campo elettrico, si ha quindi in corrispondenza al gate unelevata concentrazione di elettroni che cambia il tipo di comportamento della zona interessata. Questa zona cio si comporta come se anzich essere in un semiconduttore drogato p si avesse a che fare con un semiconduttore n. Di conseguenza possibile, a causa della formazione di un canale n, il passaggio di corrente tra source e drain e per questo motivo il transistore viene anche chiamato transistore a canale indotto. Tutto questo tuttavia avviene se VDS prossima allo zero in quanto in queste condizioni il campo elettrico si pu ritenere costante lungo tutto il canale. Quando, si fa aumentare la VGS, le dimensioni del canale aumentano e diminuisce la resistenza drain - source. La caratteristica VDS - ID sono del tipo di quelle illustrate in figura 6.19.
Id
Vgs V' gs V" gs Vgs = VT

figura 6.19
V < V" < V' < Vgs gs gs T V

DS
0 V
Il comportamento quindi di tipo resistivo e perfettamente analogo a quello dei JFET. Se la tensione VGS inferiore alla tensione di soglia VT, il dispositivo risulta interdetto. Quando si aumenta la VDS questa tensione si distribuisce lungo il canale tra drain e source. Pertanto via via che si procede da source verso il drain, la differenza di potenziale tra canale e
148
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 gate andr diminuendo e andr quindi diminuendo il campo elettrico. Il canale quindi diminuisce di sezione procedendo verso il drain. Se si continua ad aumentare VDS, quando VDS VGS VT
il canale si strozza e, in modo analogo a quanto accade nel JFET, a partire da questo punto la corrente di drain rimane praticamente costante allaumentare della VDS stessa. Si noti che le caratteristiche sono fortemente influenzate dalla tensione di soglia VT (tensione di threshold), che non va assolutamente confusa con la VT = kT/q introdotta a suo tempo nello studio della giunzione p-n.
ID
VGS
VGS = VT
VDS
figura 6.20
Questa tensione di soglia non determinata da costanti fisiche quali la costante di Boltzman e la carica dellelettrone, ma dipende piuttosto dalla geometria e da come il transistore realizzato; in sostanza dipende dal processo tecnologico di fabbricazione ed ha valori che nei primi MOS prodotti si ritrova sui 5 6 V mentre oggi si pu ritenere nellintorno del volt. Le caratteristiche complete hanno laspetto illustrato in figura 6.20. Come si gi accennato, esistono i MOS dal comportamento duale, a canale p, per i quali tutte le considerazioni fatte mantengono la loro validit quando si scambino i versi di tensioni e correnti. Ovviamente in tal caso i portatori maggioritari sono lacune e non elettroni. I MOS a canale p sono stati i primi ad essere realizzati in quanto tecnologicamente erano pi semplici da costruire. Rispetto a quelli a canale n presentano una mobilit dei portatori inferiore, quasi un terzo di quella degli elettroni. Questo fatto fa s che, a parit di corrente controllata, le dimensioni di un MOS a canale p siano superiori a quelle di un MOS a canale n in quanto la resistivit del materiale a parit di condizioni pi elevata. Attualmente hanno preso il sopravvento i MOS a canale n, mentre luso di quelli p si ristretto quasi esclusivamente ai circuiti a simmetria complementare, in cui ciascun MOS a canale p lavora in coppia con un MOS a canale n. Nella figura 6.21-a e b sono riportate le caratteristiche statiche reali di un MOS a canale n.
149
(a)
figura 6.21
(b)
Si vedono immediatamente le due zone di funzionamento; nella prima il MOS si comporta come una resistenza, nella seconda come un generatore di corrente pilotato dalla tensione VGS. Se tuttavia la VGS inferiore alla tensione di soglia VT, il dispositivo rimane interdetto e ci si trova nella zona di interdizione. Nella zona generatore si potrebbe osservare con un ingrandimento dellimmagine che le caratteristiche non sono perfettamente orizzontali. Il dispositivo quindi non si comporta come un generatore di corrente ideale, ma in particolare per alti valori di VGS la caratteristica in una certa misura inclinata rispetto allorizzontale. Inoltre immediatamente visibile che il legame tra VGS e ID (a VDS costante) non lineare, ma molto bene approssimabile con una relazione quadratica del tipo: ID C0 W . VGS 2L VT . 1
2
VDS
dove il termine VDS tiene conto dellinclinazione delle caratteristiche, con:
mobilit dei portatori di carica; C0 W L capacit per unit di superficie nella zona di gate; larghezza del canale; lunghezza del canale.
Il rapporto W/L detto rapporto daspetto. Poich il coefficiente molto piccolo, in prima approssimazione il termine (1 + VDS) pu venir trascurato e quindi la caratteristica effettivamente quadratica e dipende solo da VGS. Il coefficiente: 150
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 C0W 2L dipende dalla capacit, inversamente proporzionale allo spessore dellossido nella zona di gate, e dal rapporto daspetto. Il coefficiente moltiplicativo dipende quindi dalla tecnologia impiegata, per quanto riguarda C0, e dalle scelte progettuali per quanto riguarda il rapporto W/L. Per alte correnti il rapporto daspetto dovr essere alto, mentre per ottenere dimensioni minime sia W che L saranno portate verso i valori inferiori consentiti dalla tecnologia impiegata. Si riduce tuttavia in tal modo la ID che potr circolare nel MOS. Il fattore 1 VDS
tiene conto, come detto, del fatto che le caratteristiche non sono orizzontali. ha ovviamente le dimensioni del reciproco di una tensione e i suoi valori sono di circa 1/30 1/40 V-1 . Rimarchevole il fatto che il gate perfettamente isolato dal canale dello strato di ossido e quindi si comporta in continua come un circuito aperto. Nel comportamento ad alta frequenza si comporter invece come una capacit. Valori tipici per limpedenza di ingresso sono resistenze maggiori di 1012 ohm e capacit dellordine di qualche picofarad. 6.3.2 - MOS a svuotamento Oltre ai MOS ad arricchimento ne esiste una seconda categoria, quella sei MOS a svuotamento. In questo caso il canale gi preformato, da cui il nome di MOS a canale preformato che viene anche dato a questi dispositivi. Tra le due regioni n+ di drain e source viene creata unulteriore regione drogata debolmente n, che permette il passaggio dei portatori maggioritari (elettroni) tra source e drain. La struttura illustrata nella figura 6.22.
VDS
+ S SiO2
n+
VGS
G
metallo
D SiO 2
n+
SiO 2 semiconduttore n Substrato p
figura 6.22
151
Applicando una polarizzazione negativa al gate, il campo elettrico che si forma tra gate e substrato tender a svuotare il canale stesso e la resistenza di canale aumenter e per tensioni VDS 0 si avr il solito comportamento resistivo. Quando la VDS cresce, a VGS costante, il campo elettrico lungo il canale non sar pi uniforme e quando in prossimit del drain si raggiunge la tensione di pinch off il canale si strozza; da questo momento in poi la corrente di drain diventa pressoch indipendente dalla tensione drain - source VDS. Si raggiunta la zona di funzionamento rappresentabile con un generatore di corrente. Si in presenza di un dispositivo normalmente ON, che in assenza di polarizzazione di gate si trova in condizione di conduzione, in contrapposizione con i MOS ad arricchimento che sono normalmente OFF. Nella figura 6.23 sono riportate le caratteristiche reali di un MOS a svuotamento, in cui sono individuabili le solite tre regioni di funzionamento; la regione di comportamento resistivo, quella di comportamento simile ad un generatore di corrente e quella di interdizione.
nulla.
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 abbastanza evidente che circoler corrente anche quando la tensione di gate VGS
figura 6.23
figura 6.24. Anche questa caratteristica ha un andamento quadratico e lespressione matematica della f(VGS) molto simile a quella gi vista per i MOS ad arricchimento. I campi di utilizzo dei MOS sono quelli dellelettronica logica LSI (integrazione a larghissima scala), delle applicazioni di potenza soprattutto come interruttore, di cui una buona approssimazione, mentre come amplificatore analogico usato prevalentemente nei circuiti integrati analogici a larga scala. La prima applicazione giustificata dal fatto che il MOS il dispositivo pi piccolo che oggi si riesca a produrre. Permette quindi impaccamenti molto spinti in volumi ridotti,
Si pu notare tuttavia che lo stesso dispositivo pu venir utilizzato anche come dispositivo ad arricchimento quando il gate viene polarizzato positivamente rispetto al source. In questo caso il canale si arricchisce e la corrente di drain aumenta rispetto alle condizioni di polarizzazione nulle. La transcaratteristica I D f VGS VDS cos t assume laspetto illustrato in
152
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 aggiungendo a ci il pregio di funzionare ad elevate velocit con ridotte dissipazioni di potenza.
ID
svuotamento arricchimento
interdizione
V GS
figura 6.24
Come interruttore permette con una certa facilita di controllare delle potenze considerevoli nel circuito di drain, utilizzando potenze molto ridotte nel circuito di gate che ha, come si visto, unimpedenza elevatissima. Ovviamente la struttura deve essere tale da poter sopportare le correnti di lavoro, che possono arrivare al centinaio di ampere e le tensioni in gioco che anchesse possono raggiungere qualche centinaio di volt. Come amplificatore analogico invece poco utilizzato, tranne che come elemento integrato, anche perch pu facilmente danneggiarsi. Infatti, a causa dellaltissimo isolamento del gate e della bassa capacit tra gate e canale, per induzione elettrica potrebbero facilmente stabilirsi tra gate e canale elevate tensioni. Poich lo strato di ossido, come si detto, estremamente sottile, esso potrebbe facilmente perforarsi determinando la distruzione del dispositivo. Caratteristiche desiderabili nelluso come interruttore sono una bassa resistenza RDS source - drain in conduzione e una bassa corrente IDSS nello stato OFF. Nelle applicazioni digitali una delle caratteristiche pi considerevoli lalta velocit. Questa velocit aumenta quanto pi la R DS ON piccola e quanto minore la capacit di ingresso. inoltre desiderabile avere una tensione di soglia VT la pi piccola possibile in modo da poter utilizzare sorgenti di alimentazione di valore molto ridotto, fatto che gioca un ruolo positivo anche sulla dissipazione totale di potenza. 6.3.3 - Simboli dei MOS I simboli utilizzati per i transistori MOS a svuotamento, anche se non esiste una vera e propria normalizzazione nel campo, sono quelli di figura 6.25.
canale n
canale p
MOS a svuotamento (depletion mode)

figura 6.25
153
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 La freccia, che indica il senso convenzionale della corrente, permette di individuare se si tratta di un dispositivo a canale p o di un dispositivo a canale n. La sbarra verticale, di elevato spessore, rappresenta il canale e sta a indicare, proprio in virt del suo spessore, che si ha a che fare con un canale preformato. Per i MOS a rinforzo il simbolo analogo, con lunica differenza che il canale rappresentato da una linea tratteggiata volendo indicare con ci che il canale si forma solo quando al gate stata applicata unadeguata tensione di polarizzazione. In figura 6.26 viene riportato il simbolo di un MOS a canale n. Quello dei MOS a canale p perfettamente identico tranne per il verso della freccia in corrispondenza al source.
D G
figura 6.26
Esistono anche altri simboli alternativi per i MOS, dei quali si riportano alcuni esempi nella figura 6.27-a,-b,-c,-d ed -e.
MOS ad arricchimento a canale n e' evidenziato il collegamento del substrato al source
(a) (b) (c) (d) (e)
MOS ad arricchimento a canale p
MOS a canale n (arricchimento o svuotamento) Esiste ovviamente l'analogo simbolo per il canale p
MOS a canale p o n ad arricchimento
MOS a canale p o n a svuotamento
figura 6.27
154
I dispositivi elettronici attivi Transistori ad effetto di campo Capitolo 6 6.4) Circuito equivalente di JFET e MOS Il circuito equivalente di un transistore a effetto di campo, sia esso di tipo JFET che MOS, che lavori nella zona generatore di corrente quello di figura 6.28. ovvio che si tratta di un modello per piccoli segnali. Lingresso in corrispondenza al gate modellizzato con una pura capacit in quanto in questa zona di lavoro sia il JFET che il MOS presentano resistenze elevatissime, che in prima approssimazione possono essere considerate infinite. rd la resistenza dinamica della caratteristica VDS - ID in corrispondenza del punto di lavoro e tiene conto del fatto che la corrente di drain non si mantiene costante al crescere della VDS, ma sale lievemente. Essa ha comunque valori molto elevati e in certi casi, che dipendono dallapplicazione, potr venir trascurata. Infine gm la transconduttanza del dispositivo, che pu venir ricavata dalla caratteristica ID = f(VGS), una volta che si conosca il punto di lavoro, tracciando la tangente alla caratteristica stessa. Anche gm quindi un parametro differenziale come rd.
Vi
gm i V
rd
S
figura 6.28
155
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7
Capitolo 7 IL TRANSISTORE BIPOLARE A GIUNZIONE

7.1) Il transistore a giunzione (BJT) Il transistore a giunzione BJT (Bipolar Junction Transistor) prende il suo nome dal fatto che viene realizzato utilizzando due giunzioni p-n e che nel dispositivo la conduzione e determinata, anzich dalle sole cariche maggioritarie, come nei JFET o nei MOS, anche dalle cariche minoritarie delle diverse regioni semiconduttrici con cui il dispositivo formato. Un transistore bipolare a giunzione viene ricavato formando in un cristallo semiconduttore tre zone drogate p e n, alternativamente disposte in modo da formare due giunzioni. Si possono quindi realizzare due tipi di transistori, com illustrato nella figura 7.1, in cui lalternanza n-p-n oppure p-n-p. Da ci prendono il nome i transistor stessi che vengono appunto chiamati transistori npn o pnp. Nel simbolo grafico, anchesso riportato in figura, la freccia che identifica lanodo e il catodo del diodo formato da una di queste due giunzioni, permette di identificare il tipo di transistore con cui si ha a che fare.
base C emettitore B
collettore
E base C emettitore B
collettore
figura 7.1
Il comportamento dei due dispositivi duale; tutto quanto si pu dire per uno di essi rimane valido anche per laltro tipo, purch si inverta il verso delle tensioni e delle correnti e si tenga presente che nei semiconduttori di tipo n i portatori maggioritari sono gli elettroni, mentre in quelli di tipo p sono le lacune. Le tre regioni di cui un transistore a giunzione composto vengono individuate con opportuni nomi; le due regioni esterne vengono chiamate rispettivamente emettitore e collettore, quella intermedia base. Anche in questo caso non sembra esserci alcun motivo per chiamare in modo diverso il collettore e lemettitore in quanto il dispositivo, cos come descritto, appare perfettamente simmetrico. In realt la regione di emettitore e quella di collettore sono differenti sia per geometria che per livello di drogaggio. Lemettitore quindi non pu essere scambiato con il collettore, in quanto il comportamento del dispositivo subirebbe delle drastiche alterazioni.
156
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 Come in tutti i dispositivi elettronici, anche nel transistore il fine da raggiungere quello di regolare la corrente in un circuito esterno. Questa corrente verr fatta fluire tra emettitore e collettore e sar regolata agendo sullelettrodo di base. Vi saranno pertanto due metallizzazioni, una sullemettitore e laltra sul collettore, che permetteranno il collegamento al circuito esterno, e una metallizzazione sulla base per il collegamento con il circuito ci controllo. Si supponga in prima istanza che gli elettrodi del transistore siano stati lasciati aperti e quindi in esso non circoli alcuna corrente. La situazione nel transistore sar allora quella di figura 7.2. Fissando lattenzione sulla densit dei portatori minoritari nelle varie regioni del transistore, in quanto, come si vedr, la conduzione nella zona di base proprio affidata ai portatori minoritari, si pu affermare quanto segue. Poich le zone di emettitore e di collettore sono fortemente drogate, mentre la base lo poco, un numero rilevante di elettroni viene diffuso da emettitore e collettore nella regione di base, dove, giova ricordarlo, sono portatori di minoranza.
potenziale Vo = potenziale di contatto
Vo
n p n
densita' dei portatori minoritari
--------------+++++++++ n p ++++++++++ n
figura 7.2
Un numero minore di lacune, in quanto la base meno drogata, verr diffuso da questultima verso emettitore e collettore. Infatti la diffusione proporzionale al gradiente della densit dei portatori di carica. Di conseguenza la concentrazione dei portatori minoritari sar molto maggiore nella regione di base rispetto a quella nelle zone di emettitore e collettore. Si consideri tuttavia che ogni elettrone che diffonde da emettitore o collettore nella zona di base lascia una carica positiva scoperta e che tale carica non pu venir neutralizzata dallesterno in quanto il transistore per le ipotesi fatte isolato. Analogamente ogni lacuna che dalla zona di base diffonde verso emettitore e collettore lascia scoperta una carica negativa. Si crea in tal modo una differenza di potenziale ai capi della giunzione, tale da 157
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 opporsi alla diffusione, fino a quando non si raggiunge lequilibrio dinamico che rende costante il numero di portatori minoritari in ciascuna regione. Questo potenziale prende il nome di potenziale di contatto ed dellordine di qualche centinaio di millivolt. Si supponga ora che il transistore venga polarizzato come illustrato nella figura 7.3
VCE > V BE E C
n + VBE VCE +
p B
figura 7.3
In queste condizioni la giunzione base-emettitore risulta polarizzata direttamente in quanto la tensione applicata tende ad abbassare la barriera di potenziale della giunzione stessa. Poiche invece la tensione VCE maggiore di VBE e quindi la tensione VCB maggiore di zero, la giunzione base-collettore risulta polarizzata inversamente e la barriera di potenziale ai suoi estremi aumenta. La concentrazione dei portatori minoritari e dei potenziali nelle varie regioni si modifica. Per quanto riguarda le differenze di potenziale, come si detto, quella alla giunzione di emettitore si riduce e quella alla giunzione di collettore aumenta rispetto alla condizione di equilibrio a elettrodi aperti, rappresentata nella figura 7.4 da una linea tratteggiata.
concentrazione
++ ++++++ + + + + + +++++++++++++++++ + + + + + +
p -- -- - -- ---- -- -- -- --- -- -- -- -- ------ -- -- -- -- -- -- ------ -- -- -- -- -- -- -- -- -----------
+ +++++++++++++ + + ++++ ++++ + ++++++++++++++++ + + +++++ + +++
potenziale
figura 7.4
158
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 Pertanto alla giunzione di emettitore un maggior numero di elettroni possiedono unenergia sufficiente a superare la barriera di potenziale come daltra parte si era gia visto anche nello studio della giunzione p-n. Si ha in base uniniezione di un numero molto maggiore di portatori minoritari (elettroni), la cui densit in corrispondenza alla giunzione quindi aumenta ed aumenta quanto pi VBE elevata. Al lato collettore invece, la polarizzazione inversa e quindi la barriera di potenziale risulta aumentata. Si ricordi tuttavia che la barriera di potenziale, che impedisce il passaggio ai portatori maggioritari che non abbiano sufficiente energia, favorisce il passaggio dei portatori minoritari. Nella zona di base e di collettore le concentrazioni dei portatori minoritari a ridosso della giunzione pertanto diminuiscono e tendono a zero. Si vede quindi che nella zona di base si forma un gradiente di concentrazione dei portatori minoritari. Di conseguenza nella base si genera una corrente di diffusione proporzionale a tale gradiente. Come illustrato nella figura 7.4 la pendenza della concentrazione, cio il suo gradiente, non costante, ma va diminuendo procedendo da emettitore a collettore. Nella zona di base si ha infatti il fenomeno della ricombinazione tra gli elettroni (portatori minoritari) e le lacune (portatori maggioritari). C una certa probabilit che un elettrone vada a colmare una lacuna, e tale probabilit sempre maggiore a zero. La ricombinazione determina il profilo curvilineo dellandamento della densita. Per mantenere la neutralit tuttavia la lacuna che si ricombina deve venir rimpiazzata da una carica positiva entrante dallelettrodo di base. La probabilit di ricombinazione dellelettrone dipende da: 1) il livello di drogaggio della base. Quanto maggiore il drogaggio, tanto maggiore sar il numero di lacune in base e di conseguenza tanto pi probabile sar che un elettrone si annulli con una lacuna nel suo tragitto da emettitore a collettore; 2) dallo spessore della base, cio dalla lunghezza del tragitto che lelettrone fa per passare dalla giunzione di emettitore a quella di collettore. Per far s che la massima parte dei portatori iniettati da emettitore in base (cio della corrente di emettitore) sia catturata dal collettore necessario realizzare basi poco drogate e molto sottili. Comunque sia tuttavia evidente che ci si trova in presenza di un dispositivo in grado di controllare una corrente. Se infatti si varia la VBE, varia la concentrazione dei portatori minoritari in corrispondenza alla giunzione di emettitore. Al lato collettore invece tutti i portatori minoritari vengono accelerati nella zona di collettore e quindi in corrispondenza alla giunzione base-collettore la concentrazione rimane costante. In definitiva si pu affermare che la VBE controlla il gradiente della concentrazione e di conseguenza la corrente. Poich tuttavia tutti i portatori minoritari che giungono alla giunzione di collettore passano poi nella zona di collettore stessa, ci sta ad indicare che la corrente di collettore indipendente dalla VCE. Si ha cio il fenomeno di saturazione per il quale la Ic viene a dipendere solo da VBE, purch la VCE sia sufficientemente elevata e comunque superiore alla VBE. La zona di lavoro cos individuata prende il nome di zona o regione attiva. Se tuttavia si esaminano le cose con un po di attenzione ci si accorge che ci sono alcuni aspetti che fino a questo momento sono stati trascurati. Valutando i vari contributi alle
159
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 correnti nelle varie regioni che compongono il transistore ci si trova di fronte alla situazione illustrata in figura 7.5.
IE I EBO
IC
ricombinazione
ICBO IB
VBE
+
V CE
>
V BE
V CE
figura 7.5
La polarizzazione diretta della base d luogo ad una corrente IE di elettroni che si diffondono nella regione di base e viene poi in pratica tutta drenata verso il collettore. Tuttavia una piccola parte dei portatori si ricombina nella regione di base e si ha un piccolo contributo alla corrente di base dovuto proprio a questa ricombinazione. C inoltre da tenere presente che la giunzione base-collettore polarizzata inversamente e quindi oltre alla corrente di elettroni che dalla base passano nel collettore, c un contributo ICBO, che la corrente inversa di saturazione del diodo base-collettore, dato da lacune (cariche minoritarie nella zona di collettore) che da collettore passano nella base. Il simbolo ICBO sta proprio ad indicare la corrente che circola tra collettore e base a emettitore aperto (open) cio quando IE = 0. Anche alla giunzione di emettitore la corrente di elettroni non lunica esistente, in quanto esiste anche una corrente di lacune che da base si dirige verso lemettitore stesso. Daltra parte ci lo si poteva intuire anche dal diagramma delle concentrazioni, nel quale si vede che nella zona di emettitore la densit delle lacune non costante a causa della diffusione delle lacune che entrano in tale zona dalla base. Questa corrente ovviamente non interessa in alcun modo la zona di collettore, ma rappresenta un ulteriore contributo alla corrente di base. Si pu quindi eseguire un bilancio delle correnti nel transistore. Indicando con la frazione della corrente di IE di elettroni che raggiunge il collettore si pu scrivere che: IC .I E I CBO . IE
Poich la ICBO alle normali temperature sempre molto piccola, nella maggior parte dei casi pu venir trascurata. Il valore di , sicuramente inferiore allunit, nella realt assume valori compresi tra 0,9 e 0,99 o pi.
160
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 IC IE
0.9
7.1
Considerando poi il transistore come un nodo in cui confluiscono le tre correnti IE, IC e IB con versi adottati come positivi per le correnti si pu scrivere: IE Pertanto dalla relazione (7.1) si ottiene: IC IB IC I CBO I B IC
e con semplici manipolazioni si ricava infine: IC Definendo infine IB I CBO 1
si ottiene: IC .I B 1 .I CBO 7.2
Il parametro e detto guadagno di corrente del transistore, considerando come variabile indipendente IB e variabile controllata IC e con i normali valori di dei transistori reali assume valori compresi tra 10 e 400500. Si vede pertanto che e che quando IB 1 >> ICBO la relazione (7.2) pu ridursi con ottima approssimazione a: IC . IB
Esiste cio una proporzionalit diretta tra corrente di base e corrente di collettore; pertanto con una piccola corrente di base si pu controllare una corrente molto maggiore nel circuito di collettore. tuttavia interessante notare che quando la corrente di base si annulla, quella di collettore non va mai a zero. A circuito di base aperto (IB = 0) in quello di collettore circola una corrente, detta di perdita o di dispersione, pari a: I CEO 1 .I CBO
Come si vede, questa corrente molto maggiore della corrente inversa di saturazione ICBO del diodo base-collettore ed tanto maggiore quanto maggiore il guadagno di corrente.
161
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 In condizioni operative normali, alle quali la ICBO dellordine del nanoampere o della decina di nanoampere, la ICEO risulta comunque una quantit trascurabile rispetto alla corrente di collettore con cui normalmente si opera. La ICBO tuttavia dipende in maniera esponenziale dalla temperatura e quindi alle temperature pi elevate la ICEO pu diventare non pi trascurabile e rendere la corrente totale di collettore non pi efficacemente controllabile mediante IB. Il guadagno di corrente tecnologicamente molto difficile da controllare. Infatti anche se ha valori abbastanza precisi, ottenuti drogando con accuratezza il semiconduttore e controllando con estrema precisione le dimensioni della zona di base, esso avr pur sempre una certa tolleranza. Inoltre molto prossimo a 1 e quindi le sue variazioni, anche molto piccole, danno luogo a variazioni molto ampie di . Ad esempio con un = 0,98 si ottiene = 49. Se subisse una variazione percentuale di circa luno per cento, assumendo un valore da 0,97 fino a 0,99 i corrispondenti valori di sarebbero approssimativamente compresi tra 32 e 99. Quindi transistori costruiti con lo stesso processo tecnologico hanno valori di molto diversi tra loro e il rapporto tra valore massimo e valore minimo pu raggiungere anche un valore pari a 4. Le caratteristiche VCE - IC, parametrate da VBE, assumono in base a quanto detto laspetto di figura 7.6. Si ancora in presenza di un generatore di corrente pilotato dalla tensione VBE. Ovviamente se VBE scende al di sotto della tensione di soglia del diodo base-emettitore il transistore risulta interdetto. necessario a questo punto precisare quale sia il legame tra la VBE e la IC. Ponendosi allora a VCE = costante e variando la VBE si osserva che:
IC VCE > V BE
VBE = cost.
V CE
figura 7.6
IE
IS . e
VBE VT
come daltronde ci si poteva aspettare, dato che il diodo base-emettitore risulta polarizzato direttamente e questa polarizzazione sufficiente per trascurare lunit nellespressione I IS . e
V VT
162
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 che fornisce la corrente della giunzione p-n. In pi nei transistori il processo tecnologico fa si 1. Quindi che IE I S .e
VBE VT
IC
IB
da cui si vede che il legame tra la tensione VBE e le correnti IE, IB e IC , che differiscono tra loro unicamente per un fattore di scala, un legame esponenziale. Per amore di precisione necessario notare che e non sono in effetti delle costanti. In particolare dipende dal valore di IC, assumendo un valore massimo in corrispondenza ad un ben preciso valore I C e diminuendo via via che ci si scosta in ambedue i versi da esso. Tuttavia in prima approssimazione questi due parametri possono essere ritenuti costanti. Il legame tra grandezza di comando (VBE) e grandezza comandata quindi fortemente non lineare e questo fatto risulta particolarmente scomodo, sia in campo applicativo a causa delle distorsioni introdotte, sia quando per via di calcolo si volessero valutare le prestazioni di un circuito. Si preferisce allora utilizzare come grandezza di controllo non la tensione VBE, ma la corrente IB , che legata in modo pressoch lineare alla IE ed alla IC. In sostanza si preferisce vedere il transistore come un dispositivo pilotato in corrente. La parametrazione delle caratteristiche viene allora fatta per IB = cost. e non per VBE = cost.
IB
IC VCE
figura 7.7
interessante a questo punto esaminare cosa accade quando si esce dalla zona attiva portando la VCE a valori uguali o inferiori alla VBE. In questa situazione, se la VCE sufficientemente bassa, anche la giunzione base-collettore passa in polarizzazione diretta. Si consideri allora un transistore che lavori con una corrente di base costante IB, come illustrato nella figura 7.7 Si vuole valutare qual la corrente IC nel circuito collettore-emettitore al variare della VCE. Quando VCE scende a valori inferiori a VBE, ci si pu rifare al modello del transistore illustrato in figura 7.8 Le due giunzioni infatti, come gi stato fatto notare in precedenza, possono essere viste come due diodi contrapposti. Le tensioni ai capi della giunzione base-emettitore sar circa di 0,6 0,7 V, pari cio alla caduta diretta di un diodo in conduzione. Se la VCE viene resa sufficientemente bassa anche la giunzione base-collettore risulta polarizzata direttamente.
163
IC
C
I DE
B
VCE I DE
figura 7.8
VBE
E
Tuttavia il modello ora introdotto non sufficientemente approssimato in quanto, applicato alla zona attiva, porterebbe a concludere che in tale zona la corrente di collettore dovrebbe essere nulla, mentre le analisi precedentemente condotte hanno permesso di dire che in zona attiva IC .I E
Per completare il modello sar quindi necessario inserire tra collettore e base un generatore di corrente comandato di valore IDE, avendo indicato con IDE la corrente che scorre nel diodo di emettitore, che tiene conto di quello che viene chiamato effetto transistore. Utilizzando ora questo modello quando la giunzione base-collettore passa in polarizzazione diretta e il relativo diodo passa in conduzione, si rende evidente che la corrente costante di base IB si suddivide in una corrente che circola nel diodo di emettitore e una certa aliquota che circola sul diodo di collettore. La corrente di collettore allora diminuisce, in quanto alla corrente richiamata dal generatore IE si somma con verso opposto questa aliquota di corrente fornita dalla base. Quindi sul piano delle caratteristiche di collettore la corrente di collettore IC deve diminuire a pari corrente di base IB. Se poi si considera la struttura simmetrica del transistore, una corrente diretta sulla giunzione di collettore richiamer, per effetto transistore, una corrente alla giunzione di emettitore, cos come la corrente IDE alla giunzione di emettitore richiama una IDE a quella di collettore. Il circuito equivalente completo sar allora quello di figura 7.9 In questo modello IDC la corrente che scorre nel diodo di collettore e si sono differenziati i coefficienti dei due generatori comandati, indicando con F (forward; diretto) quello gi ben conosciuto e con R (reverse; inverso) quello ora introdotto. Questi due coefficienti, a causa di come viene realizzato il transistore sono usualmente molto diversi tra di loro con F >> R. A maggior ragione, quindi, la corrente di collettore deve diminuire e man mano che la VCE diminuisce, cresce la IDC e quindi cala la IC.
164
IC I DC
F
I DE VCE
IB I DC
I DE
figura 7.9
Riassumendo, al calare di VCE una porzione sempre maggiore della IB circola sul diodo di collettore. Diminuisce quindi la corrente richiamata dal generatore FIDE e cresce quella R IDC di verso opposto. Le caratteristiche allora assumono laspetto di figura 7.10. IC
= cost.
V CE
figura 7.10
Tutte le caratteristiche confluiscono su ununica caratteristica che converge verso lorigine del piano coordinato. La tensione cui tale fenomeno avviene quella in cui la giunzione di collettore si polarizza direttamente. Poich la VBE di circa 0,6 0,7 V, mentre la soglia di conduzione del diodo di collettore si situa sui 0,5 0,6 V, il fenomeno descritto si presenta quando VCE = 0,1 0,2 V. Questa tensione viene detta tensione di saturazione e la zona di funzionamento appena analizzata viene detta zona di saturazione. Il modello del transistore che stato messo a punto prende il nome di modello di Ebers-Moll e pu essere utilizzato per calcolare il punto di lavoro di un transistore inserito in un circuito in quanto un modello per ampi segnali.
165
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 In figura 7.11 sono riportate le caratteristiche reali di un transistore a giunzione e come si vede nelle caratteristiche si usa come parametro la corrente di base. Si pu notare che esse non sono parallele allasse delle ascisse e quindi il transistore a giunzione si comporta solo approssimativamente come un generatore di corrente in zona attiva.
figura 7.11
Se poi si ingrandisce la scala di rappresentazione per quanto riguarda la corrente di collettore, si potrebbe vedere che quando IB = 0 il transistore non risulta completamente interdetto, ma circola quella piccola corrente di collettore che e gia stata indicata precedentemente con ICEO. Per questo motivo si pu affermare che il comportamento del transistore a giunzione, quando venga usato come interruttore, nello stato di interdizione abbastanza distante dal comportamento di un interruttore ideale. Riassumendo si possono identificare facilmente le diverse regioni di funzionamento 1) Zona attiva VBE > 0 IB > 0 VCE > VBE
il transistore si comporta approssimativamente come un generatore di corrente comandato dalla corrente IB e delle due giunzioni quella di emettitore polarizzata direttamente, quella di collettore inversamente.
166
2) Zona di saturazione VBE > 0 IB > 0 VCE < VBE
In questa zona la corrente di collettore scende rapidamente al diminuire di VCE e il transistore si comporta quasi come un generatore di tensione dellordine di 0,1 0,2 V e con unimpedenza interna molto bassa, che a seconda del transistore va da qualche decimo di ohm a qualche decina di ohm. In questa zona ambedue le giunzioni risultano polarizzate I . direttamente. ovvio che in questa regione il rapporto C IB 3) Zona di interdizione VBE 0 Ic ICEO
Ambedue le giunzioni risultano polarizzate inversamente Esiste in verit una quarta zona, quella di breakdown, che viene raggiunta facendo salire la tensione VCE in modo da portare la giunzione di collettore a funzionare nella zona di scarica a valanga. Le caratteristiche del transistore allora, quando VCE supera determinati limiti, si impennano diventando in pratica verticali. bene evitare di entrare in questa regione in quanto il transistore potrebbe danneggiarsi o per eccessiva corrente o per eccessiva dissipazione. possibile poi identificare una ulteriore regione di funzionamento detta zona inversa, che si raggiunge quando la giunzione di emettitore polarizzata inversamente e quella di collettore direttamente. Non necessaria molta immaginazione per rendersi conto che questa condizione si raggiunge quando il transistore viene utilizzato scambiando tra loro le funzioni dellemettitore e del collettore. Poich la struttura simmetrica il dispositivo continua a funzionare come in zona attiva, ma con un guadagno R anzich F. I livelli di drogaggio delle varie zone e le geometrie scelte in fase di progetto fanno s che R non superi, nella migliore delle ipotesi il valore 0,2. Di conseguenza: 0.2 0.8 0.25
In conclusione, pur essendo possibile far lavorare il transistore nella zona inversa, le sue caratteristiche sono nettamente diverse da quelle della regione attiva propriamente detta. 7.1.1 - Cenni costruttivi I primi transistori prodotti, detti a lega, vennero realizzati fondendo localmente due semiconduttori di tipo p e n in modo da ottenere una struttura del tipo illustrato nella figura 7.12.
167
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 Come si vede la struttura ottenuta fortemente asimmetrica. La zona di collettore, oltre che per il diverso livello di drogaggio, differisce da quella di emettitore anche per dimensioni, in modo da riuscire a raccogliere quanti pi elettroni possibile tra quelli iniettati in base dallemettitore. Questa dissimmetria d in certo qual modo ragione della differenza tra F e R.
B
figura 7.12
Un transistore moderno, ad esempio di tipo npn, viene invece realizzato a partire da un substrato di silicio di tipo p. Al di sopra di questo substrato viene realizzata una zona di collettore drogata n, poi una drogata p, utilizzata per la base, ed infine una nuova regione n, lemettitore (figura 7.13). Si pu notare che nella struttura verticale cos creata, la zona di base molto sottile. Le due zone p+, fortemente drogate p, servono ad isolare il transistore da altri transistori adiacenti realizzati a partire dal medesimo substrato. Infatti essendo collegate al substrato ed essendo il substrato connesso alla tensione pi negativa presente nel circuito, le giunzioni presenti ai loro margini risultano polarizzate inversamente.
metallo C B E n p+ base collettore emettitore n p substrato p p+ B C
figura 7.13
168
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 7.2) I modelli dei transistori bipolari a giunzione ed i circuiti di amplificazione A illustrazione di quanto esposto al paragrafo precedente si supponga di avere un transistore bipolare npn, inserito in un circuito formato da un generatore di tensione e da una resistenza R, come illustrato in figura 7.14.
IC IB
figura 7.14
Da quando si gi visto si sa che per regolare la corrente di collettore cio la corrente che scorre nella resistenza di carico R, si pu agire sulla corrente di base IB, che si supporr variabile. Volendo studiare il comportamento del circuito sul piano delle caratteristiche IC - VCE, necessario tracciare la retta di carico che caratterizza il comportamento del circuito esterno. Questa retta, come si sa, passa per i punti di coordinate VA, 0 e 0, VA/R (figura 7.15).
IC
140 VA R P2 120 100 80 60 P1 40 20 0 figura 7.15 VA A A A A A A A A
V CE
Il punto di lavoro, cio il punto le cui coordinate rappresentano la tensione presente ai capi del transistore e la corrente che vi fluisce dipende ovviamente dal valore di IB.
169
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 Ad esempio, con una corrente di base di 40 A, il punto di lavoro sar P1. Accrescendo la corrente di base, ad esempio ad 80 A il punto di lavoro si sposter in P2, mentre portando IB a zero il transistore si interdice e il punto di lavoro viene a coincidere con il punto VA dellasse delle ascisse, se si trascura la ICEO. Finch si rimane nella zona attiva, cio in quella zona in cui il dispositivo si comporta come un generatore di corrente, ogni variazione di IB determina lo spostamento del punto di lavoro sulla retta di carico. Tuttavia aumentando oltre un certo limite la IB si entra nella zona di saturazione, quando la VCE assume valori molto ridotti, dellordine di 0,1 0,2 V, e anche la giunzione di collettore passa in polarizzazione diretta. Un fenomeno interessante risiede nel fatto che, poich in zona di saturazione tutte le caratteristiche convergono in ununica curva, una volta che si sia entrati in questa zona ogni ulteriore aumento della corrente di base lascia praticamente inalterata la corrente di collettore. In altre parole in zona di saturazione il punto di lavoro non dipende dalla corrente di base e quindi variazioni di questultima non provocano alcun suo spostamento. Questo comportamento pu venir utilizzato per accorgersi quando si entrati in saturazione, verificando che il rapporto IC / IB molto minore di quello che si ha in zona attiva, indicato in precedenza con . Tornando ad esaminare le caratteristiche di un transistore reale gi stato fatto notare che in zona attiva la rappresentazione come generatore di corrente solo una grossolana similitudine con il vero comportamento. Le caratteristiche reali infatti sono inclinate e non orizzontali. Questo comportamento dovuto al fatto che allaumentare della VCE, aumenta la polarizzazione inversa della giunzione di collettore. Di conseguenza aumenta lo spessore della zona di svuotamento relativa e questo aumento di spessore avviene prevalentemente nella zona di base che meno drogata. Poich ci provoca una diminuzione dello spessore della base, diminuisce la ricombinazione dei portatori minoritari iniettati dallemettitore e di conseguenza aumenta IC. Se le caratteristiche IC - VCE fossero osservate su una scala opportuna e i tratti suborizzontali venissero prolungati, si vedrebbe immediatamente che essi convergono in un punto, identificato da una tensione detta tensione di Early, mentre laumento di IC con VCE prende il nome di effetto Early (figura 7.16).
VEarly
figura 7.16
Ritornando alle caratteristiche IC - VCE e alla retta di carico, rimane il quesito di come possa controllare il valore di IB, che utilizzata come grandezza di comando. Si gi visto
170
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 che la caratteristica in ingresso IB = f (VBE) una caratteristica esponenziale, tale che quando si giunti nellintorno di 0,5 0,6 V per la VBE, variazioni anche piccole di questultima possono dar luogo a variazioni notevoli della IB. Non quindi agevole pensare di variare la IB agendo sulla VBE, ma preferibile pensare di pilotare il transistore con un generatore di corrente, di cui una buona approssimazione quella ottenibile con un generatore di tensione e un resistore tali che la relazione di figura 7.17 sia sufficientemente approssimata:
VBE
IB =
V - VBE R
V R
figura 7.17
quando cio alle correnti di lavoro la VBE trascurabile rispetto a V. Ci in prima approssimazione raggiunto se V > 5 10 VBE. Dopo queste considerazioni permane tuttavia il fatto che per analizzare i circuiti in cui i transistori vengono inseriti necessario dotarsi di opportuni modelli, sia a grandi segnali, che permettono di individuare il punto di lavoro nel circuito di utilizzo, sia a piccoli segnali per individuare le relazioni che intercorrono tra le variazioni della grandezza di comando nellintorno del punto di lavoro e le variazioni corrispondenti delluscita. In un primo momento converr fissare lattenzione sui modelli per ampio segnale. 7.3) Modelli per ampio segnale. Prendendo in considerazione il circuito di ingresso, cio il circuito base-emettitore, in polarizzazione diretta, un modello efficace quello di un diodo, in quanto la giunzione baseemettitore in polarizzazione diretta e in sostanza un diodo. Si gi visto il modello linearizzato a tratti del diodo. Pertanto si ottiene il modello di figura 7.18. realizzato con un generatore V di tensione (tensione di soglia) mentre rb tiene conto del fatto che al crescere della corrente cresce, sia pur di poco la tensione ai capi del diodo. necessario tuttavia far notare che rb ha sempre valori molto modesti e in molti casi pu venir trascurata.
171
B rb
B E E
figura 7.18
Si supponga ora di considerare un transistore saturato. Il modello dellingresso rimane quello descritto, mentre anche al lato collettore si ha una giunzione polarizzata direttamente; tra collettore ed emettitore si ha quasi un corto circuito e la tensione VCE praticamente costante e molto bassa. Un ideale modello allora quello di figura 7.19, in cui la resistenza ron molto piccola, nellordine di qualche ohm, e per le normali applicazioni pu venir trascurata.
B rb V ron Vsat
C V V sat 0,6 V 0,01- 0.02 V
figura 7.19
Per la regione attiva, dove il transistore si comporta come un generatore di corrente, il modello ovviamente dovr essere diverso. Per quanto riguarda lingresso il modello sempre lo stesso, mentre per la porta duscita esso dovr venir realizzato con un generatore di corrente comandato IB, dove un parametro che pu essere ritenuto costante e i cui valori tipici sono compresi tra 40 e 200 (figura 7.20).
C IB rb V IB
E B C
rc
figura 7.20
172
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 La resistenza differenziale rc tiene conto del fatto che al crescere della VCE cresce lievemente la IC. In molte applicazioni tuttavia sia rb che rc possono venir trascurate, la prima per il suo basso valore, essendo la resistenza differenziale di un diodo polarizzato direttamente, la seconda essendo la resistenza differenziale del tratto suborizzontale della caratteristica di collettore e quindi di valore molto elevato. Lingresso allora si riduce ad un generatore di tensione costante VBE (0,6 0,7 V), mentre al lato uscita si ha il solo generatore comandato IB. 7.3.1 - Variazioni con la temperatura Come tutti i dispositivi semiconduttori anche i transistori bipolari risentono della temperatura e le loro caratteristiche si modificano al variare di questultima. interessante vedere come questo fatto giochi nei confronti dei modelli per ampi segnali. Si prenda un transistore opportunamente polarizzato in un certo punto di lavoro con due generatori ideali di tensione (figura 7.21).
IC
VCE VBE
figura 7.21
Il punto di lavoro identificato dalle sue coordinate VCE, IC. Se la temperatura varia, si pu osservare che al suo crescere cresce la corrente IC, pur rimanendo inalterate le altre quantit. La corrente IC pu essere riportata al suo valore nominale agendo sulla VBE, diminuendola. Per ottenere leffetto voluto necessario diminuire la VBE di circa 2 2,5 mV per ogni grado di incremento della temperatura. questo lo stesso valore individuato per i diodi al silicio, come daltronde era logico aspettarsi dato che la corrente di collettore dipende da quella di emettitore, e questultima sostanzialmente quella di un diodo in polarizzazione diretta. Se tuttavia si esegue anche una misura della corrente di base ci si accorge che, a IC costante, la IB dopo lincremento di temperatura diminuita. In altre parole cresciuto il , e tale incremento circa dell1% per grado centigrado. Quindi: 1) per mantenere la IE costante, VBE deve diminuire di circa 2 2,5 mV/C; 2) per IC = costante cresce di circa l1% per C;
173
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 3) la corrente ICBO cresce raddoppiando ogni circa 10 C di aumento della temperatura. Questo fatto lo si era gi visto in precedenza, quando si era parlato della dipendenza della temperatura dalla corrente di saturazione dei diodi. Queste tre cause concorrono tutte a far aumentare la IC al crescere della temperatura, tuttavia alle basse temperature la prima la pi rilevante. Il fatto pi importante che le tre cause non si compensano mutuamente, ma agiscono nella stessa direzione tendendo a far aumentare la IC allaumentare della temperatura. Esempio Si prenda in considerazione la configurazione di un amplificatore invertente realizzato con un dispositivo ideale, in modo da individuare come un transistore a giunzione possa essere utilizzato per realizzare questo amplificatore invertente (figura 7.22).
R.I
Va
Vi I = gm i V Vu = Va - R.g m .V
figura 7.22
Nel caso ideale la tensione di uscita Vu una funzione lineare della Vi ed una funzione invertente in quanto al crescere di Vi diminuisce la Vu. La caratteristica di trasferimento, cio la curva che lega Vu alla Vi, quindi rappresentabile, come illustrato nella figura che segue, con una retta che interseca lasse delle ordinate nel punto Va, quello delle ascisse nel punto Va / ( R gm) (figura 7.23).
Vu Va
A=-g .R
m
A Vi g .R
m
Va
figura 7.23
174
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 Il coefficiente angolare di tale retta, pari a - R gm prende il nome di amplificazione di tensione ed pari alla variazione della tensione duscita per una variazione della tensione di ingresso unitaria. Le considerazioni fatte evidentemente valgono solo per Vi 0, in quanto per Vi < 0 si otterrebbe dalla relazione precedente una Vu > Va cosa palesemente impossibile per ragioni fisiche. Si ricordi infatti che i generatori con cui si rappresentano i dispositivi attivi sono falsi generatori e non possono fornire energia al circuito. Se quindi la Vi dovesse assumere valori di ambedue i segni il circuito non potrebbe funzionare. Per ovviare a questo inconveniente si sposta il punto di lavoro al centro della caratteristica, sommando cio al segnale Vi unopportuna tensione maggiore di zero, in modo che il segnale totale di ingresso non diventi mai negativo. Con un transistore bipolare tutto ci pu venir realizzato con il circuito mostrato in figura 7.24.
R Va Rb Vb Vu
figura 7.24
Il generatore di corrente continua e la resistenza Rb inseriti nel circuito di base servono proprio a polarizzare il transistore, facendo s che il suo punto di lavoro vada a cadere circa a met della caratteristica di trasferimento. A questa polarizzazione fissa verr poi sovrapposto il segnale utile che potr assumere ambedue i segni, come il caso, ad esempio, di un segnale sinusoidale. Con riferimento alle caratteristiche del transistore (nel funzionamento in zona attiva) la situazione, rappresentata con la retta di carico quella di figura 7.25. La tensione di uscita Vu quella che si raccoglie ai capi del transistore e quindi coincide con la VCE. La polarizzazione pi conveniente ovviamente quella che posiziona il punto di lavoro circa a met della retta di carico. Con riferimento alla figura 7.25 questa situazione raggiunta quando in base viene fornita la corrente Ip. Al variare poi del segnale utile il punto di lavoro si sposter lungo la retta di carico in quanto varier IB. Appare evidente che la corrente di ingresso IB non dovr mai annullarsi, in quanto il transistore si interdirebbe, n superare il valore Ib max se si vuole un corretto funzionamento.
175
IC
Va R I = cost
B
I B = I max B
IB = I p IB = 0 VCE
Va
figura 7.25
La scelta di un punto di lavoro che situato verso il centro della retta di carico quella che permette di ottenere la massima dinamica per il segnale duscita Vu. Se nel circuito si rappresenta anche la parte variabile del segnale di ingresso, esso risulter modificato secondo lo schema di figura 7.26.
R V a RB vi VB figura 7.26 Vu
In base a tale circuito e utilizzando i circuiti equivalenti ad ampi segnali visti in precedenza, si pu calcolare la polarizzazione del transistore e valutare poi lamplificazione dello stadio. Per il calcolo della polarizzazione al transistore pu venir sostituito il suo modello per ampi segnali (figura 7.27). Si ricava immediatamente che: IB VB VBE e IC . VB VBE
Rb
Rb
Poich si vuole che nel punto di lavoro VCE = Va / 2 e si sa che: VCE Va R. I C
176
V R
BE
= 0,6 - 0,7 V C B
R IC Va
I V
BE
VB
figura 7.27
Si ottiene in definitiva che: R CI C Va 2 . R. VB Rb VBE
Quindi una volta che siano assegnati i valori di R, e VB possibile calcolare la Rb necessaria. Se ad esempio si avesse Va = 10 V, R = 1 k , VB = 10 V, utilizzando pertanto per lalimentazione di collettore e la polarizzazione la stessa sorgente di tensione, e il guadagno di corrente fosse uguale a 100, valore del tutto ragionevole, si otterrebbe: 5V 100.10 3 . 10 0,6 V Rb
che risolta rispetto Rb fornisce per questultima il valore di 188 k . Questo modo di operare tuttavia presenta linconveniente che il calcolo fortemente influenzato dal valore di , che com gi stato fatto notare, conosciuto con una precisione molto scarsa. La posizione del punto di lavoro potrebbe quindi differire notevolmente da esemplare ad esemplare di circuito realizzato. Inoltre dipendente dalla temperatura e quindi il punto di lavoro cos calcolato si sposterebbe al variare di questultima. Tenendo conto solo della prima causa e supponendo che il possa variare tra 50 e 150 (rapporto 3 tra valore minimo e massimo) il punto di lavoro nelle condizioni estreme avrebbe le seguenti coordinate: PL PL 50 150 VCE VCE 7,5V, I C 2,5V, I C 2,5mA 7,5mA
mentre le condizioni normali sono: 177
PL
100
VCE
5V, I C
5mA
Si tenga presente che nella realt il rapporto tra il valore massimo di e il suo valore minimo, pu essere superiore a 3 e quindi la situazione reale potrebbe essere ancora peggiore. 7.4) - Modelli per piccoli segnali Esistono altri metodi per polarizzare il transistore in maniera adeguata. Essi tuttavia verranno presi in considerazione in seguito. Supponendo allora che il metodo adottato sia valido, si veda ora di valutare lamplificazione dello stadio. Per ottenere questo risultato necessario rifarsi ad un modello del transistore per piccoli segnali, cio un modello linearizzato messo a punto con alcune considerazioni abbastanza semplici.
ID
V
figura 7.28
VD
Cos come ad ampi segnali il diodo stato approssimato con la caratteristica illustrata in figura 7.28 , allo stesso modo a piccoli segnali pu essere rappresentato con una semplice resistenza differenziale, ricavata dalla retta tangente nel punto di lavoro. I costruttori indicano tale resistenza con il nome hie. tuttavia abbastanza comune trovare in letteratura tale parametro indicato con r . Alla porta di uscita il transistore pu ancora essere rappresentato con un generatore di corrente, in parallelo al quale vi una resistenza che tiene conto del fatto che le caratteristiche non sono perfettamente orizzontali. Tale resistenza tuttavia ha un valore notevolmente elevato e nella maggior parte dei casi pu venir trascurata. Si ottiene pertanto il circuito equivalente di figura 7.29. Il generatore di corrente viene di solito caratterizzato attraverso una transconduttanza gm anzich attraverso , considerando quale grandezza di comando la tensione v che presente ai capi di r . Daltra parte il modello lineare e tra v e iB vi proporzionalit.
178
IB I c = g mv
r E
figura 7.29
rc
Si ha allora: v e si ricava pertanto che: iC iB gm . r r .iB iC gm . v gm . r .i B
Questo parametro, rapporto tra la variazione della corrente di collettore e la corrispondente variazione della corrente di base viene indicato dai costruttori con il nome hfe, ma molto spesso in letteratura viene anche indicato come o. Se il parametro del modello ad ampi segnali fosse costante con la corrente di collettore, cio se il rapporto IC IB fosse costante per qualsiasi IC, allora si potrebbe affermare che
O
Infatti eseguendo due misure di IC e IB a due diversi valori di corrente si avrebbe I C1 . I B1 I C2 . I B2
e di conseguenza per differenza tra queste due relazioni si ricaverebbe che:
179
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 iC iB IC2 I B2 I C1 I B1 . I B 2 I B1 I B 2 I B1
Si tuttavia gi accennato al fatto che non costante al variare di IC, ma ha un andamento a campana. Il parametro o, parametro a piccoli segnali, varia quindi con IC e con il punto di lavoro. Numericamente e o non differiscono di molto, ma concettualmente sono due cose diverse. Riassumendo si ha: gm . r
Ora gm rappresenta la variazione della corrente di collettore al variare della tensione VBE nellintorno del punto di lavoro (per tensione VCE = cost., ipotesi ben realizzata nel caso di piccoli segnali e ipotizzando un generatore ideale di corrente). Pertanto: gm Ora si ha che IC e quindi: gm Infine poich . IS VBE .e T VT
V
iC VBE
.I E
. IS . e VT
VBE
IC VT
g m . r si ricava che: r
O
VT IC
La transconduttanza gm del transistore non dipende quindi dal transistore, ma unicamente dal punto di lavoro, cio da come il transistore polarizzato, e dalla temperatura. r invece dipende dal tipo di transistore, essendo proporzionale a o. Ritornando allamplificatore invertente e sostituendo al transistore il suo modello a piccoli segnali si ottiene il circuito equivalente di figura 7.30. dove tutti i generatori di tensione in continua sono stati posti a zero. Si sta cercando infatti di determinare in che modo le variazioni vu della tensione di uscita Vu dipendono dalle variazioni vi della tensione di ingresso Vi. Poich il modello adottato lineare si pu utilizzare il principio di sovrapposizione degli effetti. 180
Rb gmv vi v r R vu
figura 7.30
Si vede immediatamente che, tenendo conto dei versi di tensione e corrente, vu e che v Pertanto vu Il termine A gm. r .R
O
R. g m . v r
vi .
r r
Rb
gm .
Rb
. R. v i
Rb
Rb
.R
il coefficiente di amplificazione del circuito che si sta studiando. Si vede immediatamente che lamplificazione tanto maggiore quanto maggiore R e quanto minore Rb. Con i valori utilizzati nel calcolo della polarizzazione, che portano a una corrente di collettore di 5 mA, con Rb = 188 k , R = 1 k si ottiene gm e poich VT 26 mV si ottiene IC VT
181
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 5mA 26 mV A V
gm Supponendo che
o
0, 19
che:
sia dello stesso ordine di grandezza di , cio pari a 100, si ha poi 1 0,19
r In definitiva quindi: A 0,19.
100.
526
526 .10 3 3 526 188.10
0, 53
Si pu pertanto concludere che, nella configurazione adottata lo stadio ha un guadagno inferiore allunit. Se tuttavia la connessione del generatore di segnale fosse eseguita come mostrato nello schema di figura 7.31.
Rb C
Va Vu
vi
figura 7.31
in cui il condensatore C ha come unico scopo quello di blocco per la continua, allora nel circuito equivalente a piccoli segnali, la resistenza Rb verrebbe a trovarsi in parallelo a r . Si avrebbe quindi che v = vi e quindi vu g m . R. v i 0, 19.103 . v i 190. v i
Lamplificazione dello stadio in queste condizioni sarebbe allora pari a 190. Se si volesse conoscere la tensione totale presente in uscita, determinata dal punto di lavoro pi le variazioni, sarebbe necessario sommare i due contributi. Si ottiene in tal caso
182
Il transistore bipolare a giunzione Capitolo 7 r
Vu
Va
I CO . R g m .
Rb
. R. v i
avendo indicato con ICO la corrente nel punto di lavoro.
183
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8
Capitolo 8 TRANSISTORI BJT. LA POLARIZZAZIONE
8.1) I circuiti di polarizzazione A questo punto potrebbe sembrare che luso del modello per ampi segnali, utilizzato per determinare il punto di lavoro, e di quello a piccoli segnali per il calcolo dellamplificazione, permettano di risolvere completamente il problema dellanalisi del circuito. Giova tuttavia molto incerto. Pertanto il punto di lavoro non pu essere ricordare che il valore di conosciuto con sufficiente precisione ed anche i parametri del modello a piccoli segnali risultano quindi incerti. Si consideri invece il circuito di figura 8.1.
IC
RC VA VBE VB R
E
figura 8.1
immediato scrivere che: IE VB VBE IC
RE
Con valori di sufficientemente elevati, come in qualsiasi transistore normalmente avviene, lapprossimazione I E I C accettabile. In questo modo la corrente di collettore rimane fissata con sufficiente precisione indipendentemente da quanto vale purch le variazioni possibili della VBE siano trascurabili rispetto VB. Ora la VBE da un transistore allaltro pu variare al massimo di un decimo di volt e, come si sa gi, pu variare per effetto della temperatura, con un coefficiente di temperatura di 2 2,5 mV / C. Per rendere queste variazioni trascurabili sufficiente che VB sia dellordine di 1 1,5 V. Il circuito considerato tuttavia richiederebbe luso di unapposita sorgente di alimentazione VB.
184
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 La realizzazione pratica di questo circuito permette di evitare luso di questulteriore batteria, ricavando la tensione VB direttamente a partire da VA, con un partitore di tensione come illustrato nella figura 8.2.
VB VA R2 RC VB Vu RB
R1
Vi
RE
figura 8.2
Questo partitore equivale per Thevenin ad un generatore VB in serie con una resistenza equivalente RB, con VB VA . R1 R1 R 2 RB R1 . R 2 R1 R 2
ovvio che la tensione Vi presente sulla base del transistore in questo caso non coincide con VB, in quanto su RB si ha una caduta di tensione RB IB, con IB corrente di base. In questipotesi semplice calcolare il punto di lavoro del transistore. Si ha, infatti, che: VA R1 R1 R 2 RE
IE
Vi
RE
VBE
VB
RE
VBE
IC
VCE
VA
R C .I C
R E . IE
Se ad esempio i valori circuitali fossero: R1 RC 3, 3k R2 15k RE 1k
185
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 VA si otterrebbe RB 15.10 3 . 3, 3.103 15.10 3 3, 3.10 3 3, 3.103 V 15.10 3 3, 3.103 2 , 7 0, 7 A 1.103 2, 7 k 15V VBE 0, 7 V
VB
15.
2, 7 V
IE
IC
2 mA
VCE
15V 6. 6V 2 V
6, 4 V
Il transistore lavora dunque in zona attiva in quanto la caduta ai suoi capi di 6,4 V. Se inoltre si suppone che il valore nominale di sia pari a 100, valore del tutto ragionevole, si ottiene per la corrente di base IB un valore dellordine dei 20 A, che su RB d luogo ad una caduta pari a: R B .I B 2 , 7.103 . 20.10 6 A 54 mV
Anche in presenza di forti variazioni di questa caduta rimane comunque trascurabile rispetto a VB, che stata calcolata in 2,7 V. Le ipotesi di partenza sono quindi verificate. Nel caso in cui non si volesse accettare questapprossimazione o essa non fosse verificata, il calcolo diviene pi complesso, ma permette di evidenziare alcune interessanti caratteristiche del circuito di polarizzazione proposto. A tale scopo opportuno riprendere in considerazione il legame che intercorre tra IB e IC. Si visto che IC IE I CBO I B IC IE
avendo indicato con ICBO la corrente inversa di saturazione della giunzione base - collettore. Quando questa componente non viene trascurata si ha allora che IB Ricordando ora che: IC I CBO IC IC . 1 1 I CBO
186
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 1 da cui IB si ottiene di conseguenza IC .I B 1 .I CBO IC 1 . I CBO 1
Si vede che alla corrente di collettore concorre una componente pari a ( + 1) ICBO, che nei transistori a guadagno elevato pu essere una frazione non trascurabile; ci tanto pi vero quanto pi la temperatura elevata, in quanto la ICBO raddoppia ogni 10 C di incremento della temperatura. A base aperta (IB = 0) circola quindi fra emettitore e collettore una corrente pari a IC 1 .I CBO
che altro non se non la corrente ICEO definita precedentemente. opportuno notare che questa corrente contribuisce a determinare il punto di lavoro e quando non trascurabile rispetto IB fa s che il punto di lavoro stesso si sposti al variare della temperatura. Tornando ora al circuito di polarizzazione a partitore e considerando la maglia di uscita, si pu scrivere che, poich IE = IC + IB VA VCE R E .I B RE R C .I C
Sul piano delle caratteristiche di collettore IC = f (VCE) questa relazione rappresenta una retta, quando si trascuri il termine RE IB rispetto a RE IC. Essa interseca lasse delle ascisse nel punto VCE = VA, quello delle ordinate per IC = VA / (RE + RC) ed ha un coefficiente angolare pari a -1 / (RE + RC). Si gi visto che nel circuito di base il partitore pu essere sostituito per Thevenin da un generatore VB VA . R 1 / R 1 R 2 in serie con una resistenza R B R 1 .R 2 / R 1 R 2 . Considerando la maglia di ingresso si ha allora: VB R B .I B VBE R E . IB IC
Ricavando IC da questultima equazione e sostituendola nella precedente si ottiene infine la relazione tra IB e VCE. Il luogo dei punti VCE = f (IB) cos ricavato detto curva di polarizzazione e tale curva, riportata sul piano IC - VCE determina con la sua intersezione con la retta di carico il punto di lavoro. 187
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Esempio A titolo di esempio si consideri un transistore, di cui sono riportate nella figura 8.3 le caratteristiche di collettore e il circuito di utilizzo, con VA = 22,5 V, RC = 5,6 k , RE = 1 k , R2 = 90 k , R1 = 10 k e con un valore nominale di pari a 55.
(a) (b)
140 A
IC
100 A IB 9k IB + I C
0,65 V
IC
5,6 k
+
3,4 mA 22,5 V
60 A
VCE 1k
curva di polarizzazione
2,25 V
20 A 22,5 V
V CE
retta di carico
figura 8.3
Dal circuito di base, si ottiene secondo Thevenin: VB 22 , 5. 10 100 2 , 25V RB 10. 90 100 9k
La retta di carico, corrispondente ad una resistenza totale di 6,6 k disegnata sulle caratteristiche. Esprimendo le resistenze in k e le correnti in mA, dalla maglia di collettore si ricava 22,5 6,6.I C IB VCE 8.1
mentre da quella di base si ha, con una VBE = 0,65 V 2 , 25 10. I B I C 0, 65 Eliminando IC da queste due relazioni, si ottiene lequazione della curva di polarizzazione VCE 65. I B 11, 9
188
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 I valori di VCE per IB uguale rispettivamente a 20 A, 40 A e 60 A sono riportati sulle caratteristiche (figura 8.3 - b). Lintersezione della retta di carico con la curva di polarizzazione fornisce i valori VCE 13, 6 V IC 1, 4 mA
mentre dallequazione della curva di polarizzazione si ottiene IB 26 A
La soluzione pu essere ovviamente ottenuta per via numerica risolvendo rispetto a VCE e IB il sistema che si ottiene sostituendo nella (8.1) a IC la quantit IB, con pari al valore nominale. Si ottiene il sistema di equazioni: VCE 6, 6.55. I B I B 22 , 5
VCE risolvendo il quale si ricava: VCE 13, 5V IB
65. I B
11, 9
24 , 7 A
IC
.IB
55. I B
1, 36 mA
Un aspetto interessante tuttavia risiede nel fatto che variazioni anche considerevoli di spostano relativamente di poco il punto di lavoro. Si consideri, infatti, che assuma il valore 100. Il sistema di equazioni diventa allora: VCE VCE 661. I B 65. I B 22 , 5 11, 9
che risolto d come risultati VCE 12 , 8 V
IB
14 , 6 A
IC
1, 46 mA
Come si vede, lunica quantit che considerevolmente cambiata IB, mentre VCE e IC, che determinano il punto di lavoro sono variate di poco. Il sistema di polarizzazione a partitore sembra dunque autostabilizzante rispetto alle variazioni parametriche. interessante allora valutare come tale circuito si comporti rispetto alle varie cause che tendono a far variare la IC, spostando il punto di lavoro. Queste cause sono:
189
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 1) la variazione della ICBO con la temperatura; 2) le variazioni con la temperatura della VBE; 3) le variazioni di con la temperatura o dovute alla dispersione della caratteristica passando da un transistore allaltro. Di queste cause la seconda al limite potrebbe essere trascurata in quanto il coefficiente di temperatura di 2 2,5 V/C, anche in presenza di variazioni di temperatura di una certa ampiezza, d luogo a variazioni di VBE sicuramente trascurabili rispetto VB. Nella figura 8.4 riportata la transcaratteristica di un transistore (al germanio) per VCE = cost. e per temperatura ambiente pari a 25 C.
6 5 4
IC 3 (mA)
2 1 0 50 100 150 200 250
VBE(mV)
figura 8.4
Come noto questa curva si sposta verso sinistra di 2,5 mV / C (per IC = cost) al crescere della temperatura. Se si combina la: VB R B .I B VBE R E . IB IC
relativa alla maglia del circuito di base con la: IC .I B 1 .I CBO
si ricava, ottenendo IB dalla seconda equazione e sostituendola nella prima: VBE VB RB RE . 1 .I CBO RB RE. 1 .I C 8 .2
Sul piano della transcaratteristica la relazione trovata rappresenta la retta di carico, com illustrato nella figura 8.5
190
IC T >T
2 1
T1
transcaratteristica
C2
retta di carico di pendenza
I C1
0 V' 1 VB
figura 8.5
V' 2
Lintersezione con lasse delle ascisse si ha ad una tensione VB V1' RB RE . 1 .I CBO RB R E .I CBO
V1' dove:
Se ora la temperatura aumentasse passando dal valore T1 a T2, anche la ICBO aumenterebbe passando ad un valore ICBO > ICBO. Pertanto linterazione si avrebbe alla tensione VB V2' , con V2' RB R E .I 'CBO
Lintersezione con lasse delle ascisse quindi funzione della temperatura e aumenta allaumentare della temperatura. Daltra parte la pendenza della retta di carico : RB RE. 1
e quindi tale pendenza (desumibile da | |) aumenta allaumentare della temperatura in quanto aumenta , che comunque molto maggiore dellunit. La transcaratteristica del transistore invece si sposta verso sinistra allaumentare della temperatura. Si vede allora immediatamente che alla temperatura T2 la corrente IC2 di collettore superiore a quella IC1 che si ha alla temperatura iniziale. 191
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Poich ICBO, VBE e sono funzione della temperatura, la IC dellequazione (8-2) anchessa funzione della temperatura. Se si deriva lespressione della IC che si pu ricavare dellequazione (8-2) rispetto ICBO, VBE e rispettivamente, si ottengono quelli che vengono chiamati fattori di stabilit del circuito di polarizzazione preso in esame, che descrivono in quale modo IC dipende da questi tre parametri. Si consideri allora la quantit S IC IC
I CBO
I CBO
evidente che quanto maggiore S tanto maggiore linstabilit termica del circuito. Dellequazione (8.2) si ottiene: 1 S 1. 1 RB RE RB RE
Da questa relazione si pu osservare che S compreso tra un valore pari a 1 per valori RB / RE prossimi a 0 ed un valore pari a 1 + quando RB / RE tende allinfinito. Inoltre se 1 + >> RB / RE si ha S 1 Se quindi VBE e RB RE
sono costanti si pu scrivere che: IC IC S. I CBO IC I CBO IC R B I CBO . R E IC
Normalmente RB / RE > 1 e quindi il secondo termine quello prevalente. Poich I C I E il denominatore di tale termine altro non se non la caduta di tensione ai capi di RE e il suo valore pu venir scelto dal progettista. Derivando poi lespressione di IC rispetto VBE si ottiene
S'
IC VBE RB e RE
IC VBE
RB
RE.
RE 1
RB RE
Se ancora
>> 1 si ottiene:
192
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 S' e di conseguenza IC IC S'. VBE IC VBE R E . IC 1 RE
Anche in questo caso, come nel caso precedente, il fattore dominante nella stabilizzazione del punto di lavoro la caduta di tensione ai capi della resistenza RE. Tanto maggiore questa caduta, tanto minore la variazione percentuale della corrente di collettore dovuta a VBE e ICBO. Se infine si deriva rispetto a si ottiene: S" Ora IC IC IC
. VB V ' VBE RB RE. 1
(8.3)
dove in base alla relazione gi trovata in precedenza V' RB RE . 1 .I CBO RB R E .I CBO
La tensione V pu essere ritenuta indipendente da . Pertanto derivando rispetto a , dopo qualche passaggio si ottiene S" Si ricava perci che IC dove S". I C .S . . 1 IC I C .S . 1
la variazione di , pari a 2 1. Non chiaro quindi se nellespressione di S si debba usare per il valore 1, quello 2 o il valore medio tra di essi. Questa incertezza pu essere superata se per il calcolo di S anzich la derivata si usano le differenze finite:
193
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 S" IC I C2 I C1

2 1
Riprendendo lequazione (8.3) si pu ottenere: IC2 I C1 e sottraendo ununit ad ambo i membri I C2 I C1 oppure S" Dove S2 il fattore di stabilit S IC IC I C1 .S 2 1 1. 2 per =
2.
2 1
RB RB
RE. RE.
1 2
1 1
2 1
1.
RB RE RB RE. 2
I C1
IC
I CBO
Se si suppone che S2 sia piccolo in modo che sia valida lapprossimazione S2 dallultima espressione trovata per S, con IC RB . RE >> 1 si ottiene infine: RB . RE
2 1 2
RB , RE
I C1
1
2
Per ottenere una buona stabilizzazione al variare di si deve quindi mantenere piccolo il rapporto RB / RE. Inoltre per unassegnata dispersione del valore di (ad esempio con 2 / 1 = 3) il circuito utilizzante un transistore avente un elevato sar pi stabile di quello usante un transistore con piccolo. Tornando alla polarizzazione a partitore si supponga di avere a disposizione un transistore che a 25 C abbia un guadagno di corrente compreso tra 36 e 90. Si supponga inoltre che leffetto di ICBO a 25 C sia trascurabile. Si vogliono determinare i valori di RE, R1 e R2, sapendo che RC = 4 k , VA = 20 V e volendo che il punto di lavoro sia VCE = 10 V, IC = 2 mA. Quale ulteriore dato di progetto si voglia che la IC rimanga compresa tra 1,75 e 2,25 mA quando varia tra 36 e 90. Dal circuito di collettore si ricava: RC RE VA VCE 10 2 5k
IC
194
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Si ricava di conseguenza che RE = 1 k . Dalleq. (8.4) si pu ricavare il valore di S2. Poich IC 2,25 1,75 mA 0,5mA
I C1
1, 75ma
36
90
54
si ha: 0,5 54 1,75.S 2 36. 90 1 = 90 nellespressione di
e quindi S2 = 17,3. Sostituendo questo valore, che si ha in corrispondenza a IC S si ricava che: I CBO 17,3. 91 R B 91. R B 1
Il valore di RB rimane quindi determinato in 20,1 k . Dalla (8.2), con IC = 1,75 mA, = 36, RB = 20,1 k , RE = 1 k , VBE =0,65 V e ICBO = 0, si ricava VB VBE RB R E. 1 .I C 0,65 20,1 37 .1,75 3,43V 36
Ricordando poi che: VB VA . R1 R1 R 2 RB R1 . R 2 R1 R 2
e risolvendo rispetto R1 e R2 si ottiene infine: R2 RB. VA VB 20,1. 20 117 k 3, 43
195
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 R1 R 2 . VB VA VB 117. 3, 43 20 3, 43 24 , 2 k
8.2) Stabilit della corrente di collettore I fattori di stabilit S, S e S definiti in precedenza come S IC S' IC VBE S" IC
I CBO
sono stati ricavati come derivazioni parziali rispetto una delle tre variabili di interesse e mantenendo costanti le altre due. Se si desidera valutare la variazione totale della corrente di collettore entro un certo campo di temperatura necessario calcolare il differenziale totale della IC si ha cio IC IC . I CBO IC . VBE VBE IC . S. I CBO S'. VBE S". f I CBO , VBE ,
I CBO
I fattori di stabilit possono tutti essere espressi in funzione del parametro M 1 RB R E. 1
che nel caso in cui
>> 1 pu essere approssimato con: M 1 1 RB 1 . RE
Si noti che se RE >> RB, M tende a 1. Sostituendo le espressioni dei fattori di stabilit nellespressione del differenziale totale, si ricava: I C1 IC 1 R B M 1 . I CBO . RE I C1 M 1 . VBE I C1 .R E 1 RB M2. . RE 1.
dove Mi il valore calcolato per M in corrispondenza a = i. crescono mentre VBE / IC1 Poich al crescere della temperatura ICBO / IC1 e diminuisce, i tre contributi hanno lo stesso segno e tendono a far variare la IC nella medesima direzione. 196
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Esempio 1 A chiarificazione di quanto detto si prendano in considerazione due transistori, uno al silicio e uno al germanio. ben vero che al giorno doggi parlare di transistori al germanio pu sembrare anacronistico, ma lesempio comunque utile e pu fornire lo spunto per qualche osservazione interessante. Per il campo di temperature di utilizzo, che per il transistore al silicio si pu ritenere compreso tra 65 C e 175 C, i dati principali siano: TABELLA 8.1 T ( C) -65 25 175 ICBO (nA) 1,95.10-3 1 33.103 25 55 100 VBE (V) 0,78 0,60 0,225
mentre per il transistore al germanio il cui campo di impiego si pu ritenere compreso tra 65 C e + 75 C i dati corrispondenti siano: TABELLA 8.2 T ( C) -65 25 75 ICBO ( A) 1,95.10-3 1 32 20 55 90 VBE (V) 0,38 0,20 0,10
Come si vede la corrente inversa di saturazione della giunzione di collettore molto minore nel transistore al silicio che non in quello al germanio. Si supponga che i due transistori siano polarizzati con il circuito a partitore con RE = 4,7 k , RB = (R1 R2) / ( R1 + R2) = 7,75 k , RB / RE = 1,65. La tensione di alimentazione e la resistenza di carico siano tali da avere a 25 C una corrente IC pari a 1,5 mA. Si vuol valutare di quanto varia IC quando la temperatura varia dallestremo inferiore allestremo superiore del campo di temperatura consentito, sia per il transistore al silicio che per quello al germanio. 197
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Alla temperatura ambiente si ha: M1 1 1 RB . 1 RE 1 1, 65 1 55 0, 97 1
Per quanto riguarda il transistore al silicio, a 175 C vicino allunit di M1. Allora a 175 C
I C 175 0 C I C1 1 1,65 . 33.10 1,5.10
6 3
= 100 e quindi M2 ancora pi
0,6 0,225 1,5.4,7
1 1,65 .
100 55 100.55
0,0582 0,0532 0,0217
La variazione percentuale della corrente di collettore allora del 13,31 % e quindi I C1 175 0 C 0,199mA
Alla temperatura di 65 C per lo stesso transistore si ha M2 e ricalcolando si ottiene I C2 65 0 C I C1 2,65.10 9 1,5.10 3 0,78 0,60 1,5.4,7 2,65. 25 55 .0,94 25.55 1 1, 65 1 25 0, 94
La variazione percentuale del 7,89 % e quindi I C2 65 0 C 0,118mA
La variazione totale della corrente di collettore sullintero campo di temperatura pertanto: IC I C1 I C2 317 A
Operando analogamente per il transistore al germanio, per sul campo di temperatura compreso tra 65 C e + 75 C, si ottiene:
198

I C1 75 0 C 0.131mA I C2 65 0 C 0,159 mA IC I C1 I C2 290 A
Si vede immediatamente che in rapporto alla temperatura il transistore al germanio ha un comportamento peggiore di quello al silicio. Infatti, la IC approssimativamente identica nei due casi, ma il campo di temperatura per il germanio considerevolmente pi ristretto. Inoltre, poich la variazione della corrente di collettore sullintero campo di temperatura poco pi del 10% i transistori potrebbero essere utilizzati a temperature superiori a 175 C e 75 C rispettivamente. Risulta inoltre evidente dalle varie espressioni dei fattori di stabilit che conveniente avere elevati valori normali di e bassi valori del rapporto RB / RE. I risultati raggiunti sono indipendenti dal valore della resistenza di carico RC. Il suo valore pu evidentemente essere utilizzato per valutare la massima variazione di corrente accettabile a partire dalla massima variazione ammessa per la tensione del punto di lavoro. Se poi si fissa lattenzione sul circuito in cui RC = 0 e luscita prelevata sullemettitore anzich sul collettore, cioe sul circuito detto inseguitore di tensione illustrato in figura 8.6, e supponendo RB = 0, cio alimentando in base con un generatore di tensione ideale, si ottiene: IC IC IE IE I CBO I C1 VBE R E . I C1
vi VB
VA
RE
vu
figura 8.6
Per valori di R B 0 i vari contributi sono superiori. Pertanto quanto maggiore RB e tanto minore sar lestremo superiore del campo di temperatura entro cui il circuito pu venir utilizzato. Esempio 2 Quale ultimo esempio si voglia progettare la rete di polarizzazione di un transistore per un campo di temperatura compreso tra 25 C e 65 C in modo che:
199
IC IC sapendo che: VBE
0, 15
650 50 mV VA 20 V
250 C
150
600
con I C
min
1mA a a
e 250 C 650 C
250 C
150 1200
max
I CBO 25 0 C I CBO 65 0 C
50 nA 3 A
Per il calcolo si ipotizzi che ICBO, VBE e provochino la stessa variazione percentuale di IC (5%). Si determini poi il rapporto RB / RE usando la relazione che fornisce la IC / IC per effetto della . 1 RB M2. . RE 1.
Supponendo che M 2 1 (ragionevole supposizione in quanto , e al crescere di M tende a 1) si ha: 1 da cui RB RE 7 , 56 R B 1200 150 . R E 1200.150 0,05
il massimo valore di
200
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 Con questo valore del rapporto il valore di M in corrispondenza al 1 1 RB 1 . RE 1 7 , 56 1 150 0, 95 minimo :
che avvalora lipotesi fatta. A questo punto dalla componente dovuta alla ICBO si pu calcolare la IC1 1 e pertanto si ricava I C1 0, 515mA RB I . CBO RE I C1 8,56. 3.10 I C1
6
0,05
Si scelga allora IC1 = 0,6 mA. In base alla componente dovuta alla sola VBE si pu determinare la IC1 RE. Poich la variazione di temperatura e pari a 400 C VBE = 2,5 mV/C 40 C = 100 mV. Inoltre poich a 25 C vi unincertezza di 50 mV sul valore di VBE si sommer al valore precedentemente trovato un ulteriore contributo di 100 mV. Pertanto: VBE Posto allora 0, 2 R E . I C1 si ottiene, tenendo conto che IC1 = 0,6 mA RE 6, 65k 0, 05 200 mV
Inoltre poich RB / RE = 7,56 si ricava che RB 7 , 56. 6, 65 50 k
Per determinare il valore delle resistenze del partitore R1 e R2 ora necessario determinare VB. Considerando i dati a 25 C e utilizzando un medio = (150 + 600) / 2 = 375, dalla
201
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 VB si ottiene VB e infine, risolvendo le equazioni VB VA . R1 R1 R 2 0, 6.50 0, 65 4 375 4 , 73V R B .I B VBE IB I C .R E
RB si ottiene che R1 = 66 k e R2 = 211 k
R1 . R 2 R1 R 2
8.3) La polarizzazione a specchio di corrente. Si consideri lo schema di figura 8.7a:
VCC I R al carico I C2 VCE2 T2 B I B2 I B1 T1 VCE1 I C1
V CC
I C1 I C1 rb VCE1
VBE2 VBE1
(a)
(b)
figura 8.7
(c)
Esso ha lo scopo di mantenere la corrente IC1 a un valore costante e il transistore T2 collegato in modo da funzionare come un diodo (Figura 8.7b). Il funzionamento si basa sul fatto che i due transistori, realizzati nellambito dello stesso processo produttivo, hanno caratteristiche identiche e che il valore della resistenza R accurato entro i limiti imposti dallo stesso processo. Essendo i due transistori uguali, quando si trascuri leffetto Early e le correnti di perdita ICBO, si pu scrivere che:
202
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 I C1 Si ottiene pertanto che: I C1 IC 2 e

VBE1 VBE2 VT F
. I ES . e
VBE1 VT
IC2
. I ES . e
VBE2 VT
Daltra parte, considerando la maglia che comprende ambedue le giunzioni baseemettitore si ottiene: VBE1 VBE 2 VBE
e quindi IC1 = IC2 = IC e IB1 = IB2 = IB. La corrente IR, detta corrente di riferimento, si ricava facilmente e vale: IR VCC VBE
mentre dallequilibrio delle correnti nel nodo B si ottiene: I C 2I B I R Poich

1
si ha in definitiva IC . IR . VCC VBE
Si vede da tale risultato che la corrente I C I R costante se sufficientemente ampio. Ad esempio, al variare di tra 100 e 500 la IC varia solamente dell1,6 % circa. ovvio che in un corretto funzionamento del circuito, T1 lavora in zona attiva. La resistenza di uscita del generatore di corrente cos ottenuto (figura 8.7c) quella che si pu determinare dalle caratteristiche di collettore ed e determinata dalla pendenza di tali caratteristiche. Ricordando che le caratteristiche di collettore convergono tutte su un punto dellasse delle ascisse VA che definisce la tensione di Early, si pu scrivere con buona approssimazione che la resistenza duscita vale: ro VA IC
Le ipotesi iniziali fatte, cio che le caratteristiche di collettore siano perfettamente orizzontali coincide con il dire cheVA e ro . Una conseguenza del fatto che leffetto Early non possa essere trascurato quella di rendere il rapporto IC1/IC2 diverso dallunit.
203
I transistori BJT.La polarizzazione Capitolo 8 I valori di VCE1 e VCE2 (figura 8.7a) possano differire tra di loro anche sensibilmente. VCE 2 VBE 2 0, 7 V ., mentre in un corretto funzionamento VCE1 compreso tra 1 V e la massima tensione di collettore ammessa per il transistore in questione. Al crescere di VCE1 anche la IC1 cresce secondo un fattore pari a: 1 VCE1 VA
Poich VCE 2 0, 7 V VA . la corrente I C 2 IC e di conseguenza si ha IC1/IC2 > 1 e per grandi valori di VCE1 tale differenza pu raggiungere e superare il 20%.
Esempio Si voglia determinare il valore della resistenza R di figura 8.7a in modo da avere una corrente IC = 5 mA. Assumendo VBE = 0,7 V, = 200, VCC = 15 V e VA . si ottiene: 200 15 0, 7 . 2 200 R 2 , 83k
IC e quindi
5.10 3 A
R Se il valore di
diminuisse a 100 si avrebbe: IC 100 15 0, 7 . 102 2, 83.10 3 4 , 95mA
con una variazione percentuale della corrente di collettore pari a: IC % 5 4,95 .10 2 5 1%
204
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9
I TRANSITORI BJT. Gli stadi amplificatori elementari

9.1) Calcolo dellamplificazione di uno stadio elementare. Lintroduzione del circuito di polarizzazione a partitore, illustrata al capitolo precedente, ha modificato la struttura dello stadio amplificatore fin qui preso in considerazione. In particolare linserzione della resistenza RE sullemettitore, su cui circola lintera corrente di collettore, ha un effetto non solo sul punto di lavoro, che risulta notevolmente pi stabile, ma anche sullamplificazione a piccoli segnali. Per calcolare il valore dellamplificazione dello stadio sarebbe quindi necessario disegnare il nuovo circuito equivalente per piccoli segnali e ricalcolare le nuove equazioni relative a tale circuito. Nel caso in esame si pu tuttavia seguire in prima istanza un ragionamento approssimato, che fornisce per risultati ragionevolmente esatti. Si riprenda allora in esame lo stadio amplificatore (figura 9.1), in cui stato evidenziato anche il generatore di segnale
Capitolo 9
R2 C
Rc
vi
R1
vi
vu RE
figura 9.1
La capacit C inserita tra generatore e base del transistore ha come unica funzione quella di blocco per la continua, in modo da poter trasferire sulla base il segnale vi senza alterare i livelli di tensione che stabiliscono il punto di lavoro. Si supporr pertanto che alle frequenze del segnale limpedenza del condensatore C sia tale da poterlo considerare un cortocircuito. In base al transistore (figura 9.2) si ha quindi una tensione pari alla somma della VE di polarizzazione e di vi = vi. Poich quello che interessa la relazione tra le variazioni della tensione di base e quelle della tensione duscita vu, e poich i modelli sono modelli linearizzati, tutte le componenti continue possono essere poste a zero, sfruttando il principio di sovrapposizione degli effetti.
205
RB VB
figura 9.2
RE
Di conseguenza le variazioni della tensione di emettitore ve sono uguali a vi. Si ricava ie ve RE iC
La tensione duscita vu pertanto si pu calcolare come: vu RC .iC RC . ve RE RC . vi RE
Lamplificatore , come gi si sa, invertente e il suo guadagno , in prima approssimazione, determinato dal rapporto tra resistenza di collettore e di emettitore. Qualora si volesse determinare in modo pi formale il fattore di amplificazione, il circuito a piccoli segnali assume la forma di figura 9.3.
iB
r vi RB
gm v Rc RE vu
figura 9.3
206
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 La prima osservazione evidente che emerge da questo circuito che, quando il generatore vi un generatore di tensione, la resistenza equivalente del partitore di base RB non ha alcun effetto sullamplificazione. Dalla maglia del circuito di ingresso si pu scrivere: v da cui si ricava che: v .1 RE . r 1 r RE. vi vi R E . g m .v iB vi RE . r .g m .v r v
v Infine dalla maglia di uscita si ha: vu e quindi: A vu vi RC. r R C .g m .v
vi .
R C .g m .
r RE
.v i
g m .r RE
RC
RE
Osservando ora che normalmente: r . VT IC 1 .R E R E .I C 1 0, 5V 1V 26.10 3 V . IC
in quanto con una normale polarizzazione R E . I E RE. 1 0,5V 1V . IC
Quindi r pu venir trascurato e se
>> 1 allora A RC RE
207
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Esempio Passando allesame di un caso reale si prenda lultimo esempio di calcolo della polarizzazione fatto in precedenza (paragrafo 8.2: esempio 2). Si era trovato che: R2 con
min
211k
R1
66 k
RE
6, 65k
IC
0, 6 mA
150
VA
20V
S tot
IC IC
0, 15
in un campo di temperatura compreso tra 25 e 65 C. Per polarizzare il transistore in modo che il punto di lavoro si trovi circa al centro della retta di carico, devessere verificato che poich I C I E RC si ottiene: RC 10 k 6.65 .I C 10 V
In queste condizioni, la valutazione approssimata del guadagno fornisce il valore di amplificazione A mentre la sua valutazione esatta : A Poich: r si ottiene: A 1.10 3. 150 6,5.10 997,5.10 3
3
RC RE
1 6,65
1,6
10.10 3.
150 6,65.10 3.151
VT IC
150.
26.10 3 0, 6.10 3
6, 5k
1,49
208
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Come si vede il calcolo approssimato fornisce un valore molto prossimo a quello che si ottiene con il calcolo esatto. evidente tuttavia che il valore di amplificazione realizzato non per niente soddisfacente. Dallespressione: A RC r R E. 1
si vede daltra parte che al diminuire di RE il guadagno cresce. Si pu pensare allora di porre in parallelo a RE un condensatore C, che alle frequenze del segnale vi sia praticamente un cortocircuito. Tale posizione permette di giustificare il nome che si da a un amplificatore del tipo descritto, cioe quello di amplificatore a emettitore comune. Il terminale di emettitore infatti viene adottato come riferimento per la componente alternata del segnale di ingresso e di quello di uscita. In questo modo: A e quindi lamplificazione diviene: A IC .R C VT 0,6ma .10 4 ohm 26 mV 230 RC . r gm . RC
Per quanto riguarda i segnali continui e quindi la polarizzazione leffetto del condensatore nullo e di conseguenza la stabilit del punto di lavoro assicurata secondo le specifiche. 9.2) Linseguitore di emettitore. Un altro circuito su cui conviene fissare lattenzione linseguitore di emettitore, cui si e gi accennato in precedenza e il cui schema riportato in figura 9.4. La relativa connessione circuitale prende anche il nome di amplificatore a collettore comune, in quanto per quanto riguarda la componente alternata del segnale, sia di ingresso che di uscita, il riferimento si trova al collettore.
R2 C
vi
R1
RE
vu
figura 9.4
209
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Per quanto riguarda la polarizzazione il calcolo viene condotto secondo gli stessi criteri gi presi in esame per lamplificatore invertente. Il circuito per piccoli segnali assume invece la forma di figura 9.5
iB
C i c = gmv
v vi
vu
figura 9.5
Come si gi visto nel caso dellamplificatore invertente, dalla maglia di ingresso si pu ricavare che: v vi . r r RE 1
Considerando invece la maglia di uscita si ottiene: vU RR .iE RE . iC RE . 1 . iC
1 vU RE. 1. r
.g m .r 1
RE.
.v i
RE. 1 .v i r RE. 1
Poich normalmente, come gi stato fatto notare, r << RE ( +1), si ha in definitiva vu RE. 1. 1 .v i vi
RE.
Il circuito ha quindi un guadagno pressoch unitario e riproduce in uscita la tensione vi di ingresso. da questa sua caratteristica che prende il nome di inseguitore. Altro fatto interessante risiede nella constatazione che il guadagno unitario largamente indipendente dal valore di RE e .
210
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Un circuito di questo tipo viene utilizzato di solito come amplificatore separatore tra ingresso e uscita. In altre parole, utilizzando una modesta potenza nel circuito di ingresso, si pu controllare, a parit di tensione, una potenza notevolmente pi elevata nel circuito di uscita. Per fornire infatti al carico RE la potenza vi2 / RE solo una modesta frazione di tale potenza viene fornita dal generatore di ingresso vi, mentre la maggior parte viene prelevata dallalimentazione. Si pertanto in presenza di un amplificatore di corrente ( la tensione di uscita infatti e in pratica uguale a quella di ingresso, mentre la corrente e molto maggiore). Lamplificazione di corrente, definita come il rapporto tra la corrente iE che circola nel carico RE e la corrente iB del circuito di base, si pu calcolare, osservando che nel nodo E iE e che Quindi Ai v iE iB iB . r (dal circuito equivalente) iB gm . v
Se tuttavia la corrente di uscita, anziche essere presa coincidente con la corrente ie, venisse considerata positiva quando entrante al morsetto E, come normalmente avviene, lamplificazione di corrente assumerebbe la forma: Ai iE iB 1
Esempio Si consideri un inseguitore con RE = 1 k , VA = 10 V VCE = 5 V, VCE si ricava: IE Di conseguenza IC VA RE VCE 5 1.103 5mA VA RE .IE = 100. Poich
211
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 gm r vu vi IC VT gm 5.10 3 26.10 3 100 0,192 0.192 A / V 192 0,995 , si otterrebbe:
RE. 1 r RE. 1
10 3 .101 521 101.10 3
Se a parit di corrente di collettore e di , RE venisse diminuita a 100 A vu vi 101.102 521 101.102 0, 951
9.3) Lamplificatore a base comune. Si parla di amplificatore a base comune quando il riferimento per i segnali di ingresso e di uscita viene assunto sul terminale di base. La configurazione circuitale di un amplificatore a base comune e quella illustrata, come circuito di principio, in fig. 9.6.
vi
vu RE R1 CB VA
figura 9.6
RC R2
La polarizzazione e il punto di lavoro vengono ancora calcolati con gli usuali metodi illustrati al capitolo 8. La capacita C ha ancora il compito di separare le tensioni continue dovute alla polarizzazione dalle componenti alternate vi del segnale. La capacita CB, che alle frequenze di segnale deve presentare unimpedenza trascurabile rispetto a R1, consente di considerare il terminale di base come riferimento per ingresso e uscita.
212
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Se il segnale vi viene fornito da un generatore di resistenza interna Rs, il circuito equivalente a piccoli segnali diviene quello illustrato in figura 9.7. RE, questultima resistenza puo venir Si vede immediatamente che se Rs completamente trascurata. In caso contrario al circuito formato da vi, Rs e RE puo venir sostituito per Thevenin un generatore equivalente di tensione V'i in serie con una resistenza R 'S con RE R E RS v 'i v i R 'S RS R E R E RS
ii
g mv E i C
RS RE vi
iC
RC
vU
B Ri
figura 9.7
RO
' RO
Trascurando RE dalla maglia di ingresso si ricava: v r .i i vi RS v gm.v
Da tali relazioni con alcuni passaggi si ottiene: v vi . RS r r gm.r .RS
Daltra parte dalla maglia di uscita si ha: vu RC .iC gm . v . R C in quella che
Sostituendo pertanto lespressione precedentemente trovata per v fornisce il valore di v u si ricava infine:
213
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 AV vu vi gm.RC. Rs r r gm . r . RS 1 RS 1
R C.
.R S
O O
r
O
.R C
In prima approssimazione, quando lamplificazione di tensione e:
e sufficientemente grande, si puo affermare che RC RS
AV
9.4) Impedenza di ingresso e di uscita degli amplificatori Si definisce impedenza di ingresso di un amplificatore il rapporto tra la tensione applicata allingresso stesso e la corrente che vi circola. Facendo quindi riferimento ad un amplificatore invertente con polarizzazione a partitore, il circuito di ingresso nel modello linearizzato illustrato in figura 9.8.
ii
vi
RB
figura 9.8
dove RB la resistenza equivalente del partitore dingresso. Si ottiene quindi che limpedenza di ingresso Ri vale: Ri vi ii RB.r RB r
noto che r / g m . Con valori ragionevoli di e IC si vede che r sempre dellordine di qualche k ed di solito molto minore di RB. La precedente relazione pu allora essere approssimata con 214
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Ri r
Nel caso dellinseguitore di emettitore si ottiene invece, considerando il circuito di ingresso di figura 9.9 ii e quindi Ri vi ii r 1 A r RE. 1 1 r RE. 1 r RE. 1 vi . 1 A r
ii r vi RE vu
figura 9.9
Poich lamplificazione A sempre molto prossima allunit si vede che per Ri si ottiene un valore molto maggiore di r . Limpedenza di ingresso di uno stadio inseguitore quindi molto alta. Non bisogna tuttavia dimenticare che in parallelo a Ri vi la resistenza RB del partitore di polarizzazione. In definitiva: R 'i R B.Ri RB Ri
In molti casi si verifica che RB << Ri e quindi la precedente relazione diviene in via approssimata Ri RB
Infine per lamplificatore a base comune si ricava dal circuito equivalente (figura 9.7) che limpedenza di ingresso vale, avendo indicato con vin = -v la tensione di ingresso tra i morsetti E e B:
215
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 v in Pertanto: Ri v in ii r

O
r . ii
g m .v
r .i i
r .g m .v in
r .i i
.v in
1 gm
In maniera del tutto analoga si definisce limpedenza duscita come il rapporto tra una tensione ve applicata in uscita e la corrispondente corrente assorbita dalluscita. Considerando allora la maglia di uscita dellamplificatore invertente (figura 9.10), in cui si tenuto in conto anche della resistenza rC, che tiene conto del fatto che le caratteristiche di collettore di un transistore in zona attiva non sono perfettamente orizzontali, si vede che, poich il generatore di corrente indipendente da vu : Ru vu iu R c . rc R c rc
iu
gm i v
rc
Rc
vu
figura 9.10
e se RC << rC allora Ru Rc
Limpedenza duscita dellinseguitore di emettitore si pu determinare per la via pi semplice considerando il generatore equivalente secondo Thevenin. Rappresentando lo stadio come in figura 9.11 si vede che la resistenza Ru, impedenza di uscita dello stadio inseguitore, calcolabile come rapporto tra la tensione vu a vuoto fornita dallo stadio stesso e la corrente iCC che circola quando luscita viene chiusa in corto circuito.
216

Ru
vu
figura 9.11
Con riferimento al modello per piccoli segnali si ha allora che RE. 1 r R E. 1
vu
A.v i
con A
mentre la corrente di cortocircuito, che si ottiene ponendo RE = 0, vale 1 r 1 g m .r .v i r 1
i cc Si ricava pertanto
iB
g m .v i
vi .
gm
.v i
Ru
vu i cc
r .R E RE.
r 1 r 1 1
.R E RE
La resistenza duscita quindi determinata dal parallelo di RE e di una resistenza pari a r 1 Con i valori usuali questa resistenza di valore molto piccolo. Lo stadio inseguitore di emettitore ha quindi una bassa impedenza di uscita. Se tuttavia il generatore che pilota la base del transistore non fosse un generatore di tensione ideale, ma presentasse unimpedenza interna Rg, facile vedere che 1 .R E 1 Rg
Rg
1 .R E
i cc
.v i
217
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 e quindi Rg Ru Rg r 1 r 1 .RE RE
e pertanto limpedenza di uscita determinata dal parallelo di RE e di una resistenza il cui valore Rg 1 Limpedenza duscita dellinseguitore di emettitore dipende quindi dallimpedenza interna del generatore di segnale. comune tuttavia che Rg 1 e quindi Ru Se poi R g r e 1 Rg 1 r r RE r
si ottiene infine Ru r 1 gm
Infine per quanto riguarda lamplificatore a base comune e immediato osservare che limpedenza di uscita RO tende allinfinito, mentre tenendo conto anche del carico di collettore (R 'O ) essa coincide con RC . 9.5) Campo dimpiego Tutte le considerazioni condotte fino a questo momento, in particolare quelle fatte in relazione alla scelta del punto di lavoro, sono state svolte con riferimento alle caratteristiche volt-amperometriche di collettore dei transistori, ma senza imporre alcun vincolo alla posizione del punto di lavoro sul piano IC - VCE. viceversa ovvio che esistono dei limiti insuperabili nello stabilire il valore di corrente e di tensione del punto di lavoro, determinati dal fatto che si ha a che fare con dispositivi reali e non con dispositivi ideali. Con riferimento alle caratteristiche di collettore esistono diversi vincoli.
218
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Tensione massima di collettore Un primo limite si ha sulla tensione massima di collettore - emettitore. Aumentando, infatti, questa tensione, aumenta la polarizzazione inversa collettore - base e quando la tensione supera un determinato limite la giunzione passa nella regione di scarica. La tensione di scarica della giunzione collettore - base indicata dal simbolo BVCBO. Landamento voltamperometrica della caratteristica IC - VCE presenta anchessa una regione di scarica, come illustrato nella figura 9.12.
I
P max I
Cmax
SOA
V
CE
VCEmax
figura 9.12
BVCE0
A causa di motivi, che non si ritiene utile approfondire in questa sede, linizio della scarica si ha a tensioni che differiscono in funzione delle differenti condizioni in cui pu trovarsi la giunzione base - emettitore. Tutte le caratteristiche di scarica tuttavia confluiscono su ununica caratteristica verticale che individua la tensione di breakdown collettore emettitore BVCEO. Inoltre allaumentare della VCE la zona di svuotamento della giunzione di collettore aumenta di spessore e si estende praticamente tutta nella zona di base, che e debolmente drogata. Poich questultima estremamente sottile, la zona di svuotamento pu giungere fino alla giunzione di emettitore dando luogo al fenomeno detto punch-through (perforazione). In tal caso si ha un improvviso e notevolissimo aumento della corrente di emettitore, in quanto la barriera di potenziale della giunzione base - emettitore si abbassa. Il fenomeno in pratica sempre distruttivo. Una di queste due cause impone quindi di limitare il valore massimo di VCE per ragioni di sicurezza.
219
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Corrente massima di collettore Esiste poi un limite di corrente massima determinato dallarea della giunzione e dai conduttori che collegano il dispositivo semiconduttore ai piedini dellinvolucro. In particolare nei transistori destinati ad operare con alte correnti di collettore e di realizzazione non troppo recente si pu poi verificare il fenomeno detto di breakdown secondario. Esso ha luogo quando, a causa della disomogeneit del materiale, in presenza di alte correnti si hanno densit di corrente molto elevate in piccole aree. Si pu addirittura giungere a microfusioni del materiale con una degradazione progressiva delle caratteristiche del dispositivo. Massima potenza dissipabile Infine esiste anche un limite alla massima potenza dissipata (Pmax) allinterno del dispositivo, determinato dal fatto che le giunzioni non devono superare una temperatura Tj,max specificata dal costruttore. Si noti che la temperatura di giunzione quella alla quale si stabilisce un equilibrio tra potenza dissipata e potenza trasmessa allambiente. Supponendo, in prima approssimazione, com ragionevole nellintervallo di temperature di interesse, che il calore trasmesso allambiente sia proporzionale secondo un coefficiente KT al salto di temperatura tra giunzione e ambiente, si ha che: Pmax 25 C T j max 25 .K T
Il reciproco di KT detto resistenza termica, che viene espressa in C / W. In generale la conoscenza di KT permette di calcolare la massima potenza dissipabile a qualsiasi temperatura, dalla relazione Pmax T La potenza dissipata in un transistore PD VCE . I C VBE . I B Tj T .K T
Considerando tuttavia che in zona attiva VCE > VBE e che IC >> IB, con buona approssimazione si pu dire che PD VCE . I C
Sul piano delle caratteristiche di collettore questa relazione rappresenta uniperbole che ha per asintoti gli assi coordinati. Larea tratteggiata della figura precedente quindi unarea interdetta, mentre quella rimanente costituisce la cosiddetta SOA (Safe Operating Area) al cui interno il punto di lavoro pu venir scelto in piena sicurezza.
220
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 9.6) Considerazioni conclusive. Oltre le configurazioni base prese in considerazione ai paragrafi precedenti, esistono ovviamente altre strutture circuitali, normalmente piu complesse di quelle viste. A titolo di pura elencazione si possono citare gli amplificatori a coppia differenziale (figura 9.13 (a)), gli amplificatori cascode (figura 9.13 (b)), quelli logaritmici e antilogaritmici, i convertitori tensione-corrente e corrente-tensione ecc. Si rimanda per lapprofondimento di tali argomenti a testi specializzati, dove possono essere reperite tutte le informazioni necessarie.
circuiti di principio Vcc Vcc
Vu Vu Vi1 Vi2 Vi
(a)
figura 9.13
(b)
Ha sicuramente maggior interesse tentare di introdurre una classificazione degli stadi amplificatori, mettendone in luce le caratteristiche essenziali.
vi
vu
vi
vu
vi
vu
emettitore comune
collettore comune
figura 9.14
base comune
Nei paragrafi precedenti si e accennato al fatto che gli stadi elementari presi in esame vengono molto spesso chiamati amplificatore a emettitore comune, a collettore comune e a base comune. Questa denominazione discende dal fatto che, essendo il transistore un dispositivo dotato di tre elettrodi, uno di essi dovra necessariamente essere in comune tra la porta di ingresso e quella di uscita, come e illustrato in figura 9.14
221
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 La semplice osservazione dei circuiti equivalenti a piccolo segnale delle tre connessioni circuitali citate permette di individuare, sia pure solo qualitativamente, le principali caratteristiche di questi amplificatori, riportate riassuntivamente nella tabella 9.1 Ce da osservare che le relazioni trovate nel corso di tali analisi sono approssimate, in quanto nei modelli a piccoli segnali che sono stati utilizzati per ricavarle sono state apportate alcune semplificazioni rispetto alla realta. TABELLA 9.1 Emettitore comune Amplificazione di corrente Amplificazione di tensione Impedenza di ingresso Impedenza di uscita buona buona media alta
Collettore comune buona 1 alta bassa
Base comune 1 buona bassa alta
In particolare si e sempre ritenuto che la resistenza differenziale di collettore fosse talmente elevata da poter essere considerata un circuito aperto; cio come si sa, coincide con il ritenere le caratteristiche VCE-IC perfettamente orizzontali in zona attiva. Si e inoltre trascurata la resistenza propria del materiale di base rb, cioe la resistenza del semiconduttore che forma la base e non partecipa al funzionamento del dispositivo se non con funzioni di puro conduttore. TABELLA 9.2 Quantita Emettitore comune Emettitore comune con resistenza di emettitore
O
Collettore comune
Base comune
Ai Ri Av RO R 'O
h fe h ie r
O
1 1 .R E r
O
1 1
Ai
O O
1 1 gm
RC Rs
r
O
1 .R E 1 .R E Ri r
O
r
O
. RC Rs r
.RC Rs Ri
O
Rs Rs 1
RC Rs Ri
RC
RC
R E . RO RE RO
RC
222
I transistori BJT. Gli stadi amplificatori elementari Capitolo 9 Infine non si sono prese in considerazione le resistenze proprie dei reofori, che tuttavia sono effettivamente trascurabili. TABELLA 9.3 Quantita Emettitore comune Emettitore comune con resistenza di emettitore
rc r rB
O . rc Rc R E
Collettore comune
Base comune
Ai Ri
rc
. rc Rc
. RL Rc
rc
1 .rc RE
O O
Rc RL
rB r
hie
R E . rc O 1 R c rc R c R E
rB r
R 'E
rB r R 1 O L Rc
Av RO R 'O
O RL R s rB r
RL
O
Rs
rb
RE 1
RL Rc
1 R 'E O R s Ri
RL
O
Rs
Ri 1
RL Rc
rc
RL rc R c
rc 1
OR E R s rB r
RE
rc
Rs
O
rB r 1
rc 1
ORs R s rB r
RO Rc
R E RO
RO Rc
Si ritiene pertanto opportuno riassumere in tabella 9.2 le relazioni fin qui ricavate con i modelli semplificati, riportando in tabella 9.3 le relazioni esatte (dove con RL si e indicato il parallelo di Rc e rc e con R 'E il parallelo di RE e rc). Si lascia al lettore il compito di verificare le relazioni riportate in tali tabelle per lamplificazione di corrente Ai.
223
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10
I TRANSITORI BJT.
Capitolo 10 COMPORTAMENTO IN FREQUENZA
10.1) La risposta in frequenza. Si prenda in esame un generico stadio amplificatore polarizzato a partitore, come quello illustrato nella figura 10.1
R2 Ci
Rc
V vu
vi
R1
RE
figura 10.1
Si visto nei capitoli precedenti che lamplificazione di tale stadio A gm.RC
Se tuttavia si applicano al circuito segnali di diversa frequenza e si riporta su un diagramma landamento di |A| in funzione della frequenza si ottiene un andamento del tipo illustrato in figura 10.2.
|A| dB
3 db
fi
figura 10.2
fS
log f
224
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 La risposta in frequenza quella tipica di un sistema passa-banda e possono venir individuate due frequenze di taglio, la frequenza di taglio inferiore fi e quella superiore fs. Si supponga ora che in ingresso allamplificatore venga fornito un segnale vt V1 .sin
1
V2 .sin
tale che, ad esempio, 1 / 2 = f1 cada verso il centro della banda e 2 / 2 = f2 cada al di sotto di fi o al di sopra di fs. Queste due frequenze verrebbero amplificate differentemente dando luogo ad una deformazione del segnale duscita detta distorsione dampiezza. Se poi si fissa lattenzione sullo sfasamento, cui i segnali vengono sottoposti, ci si accorge che tale sfasamento pari a 180 (lamplificatore invertente) solo se la frequenza almeno una decade superiore a fi e una decade inferiore a fs. Le due componenti di pulsazione 1 e 2 del segnale v(t) vengono quindi sfasate differentemente e anche nel caso di amplificazione circa uguale in modulo, la loro somma in uscita d luogo ad una forma donda diversa da quella che si ha in ingresso. Si ha in questo caso quella che viene chiamata distorsione di fase. Pi esattamente, indicando con 1 e 2 lo sfasamento delle due componenti, si ha: vu t A V1 .sin t
1
t
1 1
V2 .sin V2 .sin
t
2 2
A V1 .sin
Si vede che se:

i
k.
con
0.1. 2 ,....
poich sin t k. sin t. cos k. 1k .sin t
la forma donda non subisce distorsione, ma risulta semplicemente in fase o in opposizione di fase con lingresso per valori pari o dispari di k. Ancora, se
1 1 2 2
tr
cio quando lo sfasamento proporzionale alla pulsazione, si ha: vu t A V1sin

1
tr
V2 sin
tr
225
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 e la forma donda delluscita proporzionale secondo il coefficiente A a quella dingresso e risulta semplicemente ritardata della quantit tr. In tutti gli altri casi si ha distorsione di fase. Nella figura 10.3 riportato un esempio di distorsione di ampiezza e di distorsione di fase. Le ragioni del taglio a bassa frequenza sono facilmente identificabili. Lespressione dellamplificazione A = - gm RC stata ricavata nellipotesi che le due capacit Ci e CE potessero essere considerate dei cortocircuiti. Ci tuttavia valido solo quando la reattanza capacitiva, in modulo pari a 1 / C, trascurabile rispetto a RE nel caso di CE e allimpedenza di ingresso dello stadio per quanto riguarda Ci.
vu(t)
2 1,5 1 0,5 0 -0,5 -1 -1,5 -2 60 120 180 240 300 360 420 480
vi (t) = sin t + sin 2 t v (t) = sin t + 0,75 sin t2 u v (t)= sin t + sin (2 - 30) t u
figura 10.3
Meno evidente il motivo per cui esiste un taglio ad alta frequenza. I modelli utilizzati fino a questo momento non danno ragione del fenomeno e pertanto non sono adeguati. necessario quindi realizzare modelli pi accurati che siano in grado di descrivere il comportamento del transistore anche alle frequenze pi elevate. necessario ricordare a questo punto che nella discussione relativa alle giunzioni p-n era stato messo in luce come a ciascuna giunzione rimanevano associate due capacit, la capacit di transizione CT per le giunzioni polarizzate inversamente e quella CD, capacit di diffusione, per le giunzioni in polarizzazione diretta. La prima era dovuta al fatto che, allaumentare della polarizzazione inversa, aumenta lo spessore della zona svuotata (zona di carica spaziale), nella quale gli ioni accettori e donatori bloccati al reticolo cristallino rimangono scoperti poiche in tale zona non vi sono portatori maggioritari di carica. La capacita CT quindi analoga a quella di un condensatore piano di superficie A, con A area della giunzione, con spessore del dielettrico pari allo spessore w della zona svuotata CT A w Farad
Quando invece si ha a che fare con una giunzione in polarizzazione diretta, i portatori maggioritari, ad esempio le lacune per il lato p, diffondono nel lato n. Pertanto nel materiale n a ridosso della giunzione si ha una concentrazione di lacune (portatori minoritari) maggiore di quella che si ha normalmente in condizioni di polarizzazione nulla. Questa densit in eccesso 226
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 pu venir considerata come una carica accumulata a ridosso della giunzione e il suo valore viene a dipendere dallentit della polarizzazione diretta. Per una certa variazione V della polarizzazione si ha una variazione Q della carica. Si pu pertanto definire una capacit come CD Q V
Poich tuttavia la Q = f(V) non una legge lineare, conviene passare al limite. Si ha CD dQ dV
V V
Come si vede la capacit di diffusione una quantit variabile con la tensione di polarizzazione, la cui espressione pu essere derivata dalle leggi della giunzione e vale CD . I DQ VT rd
dove il tempo medio di vita dei portatori minoritari in eccesso. La costante = rd CD viene chiamata costante di tempo di diffusione. Valori tipici per le due capacit sono dellordine del picofarad per CT e della decina di picofarad per CD. Un modello completo per piccoli segnali di un transistore a giunzione, che lavori in regione attiva, quindi quello illustrato in figura 10.4.
rb
C
g mv
rc
E
fig. 10.4
dove con c stata indicata la capacit di diffusione della giunzione base emettitore, che polarizzata direttamente, mentre con c e indicata la capacit di transizione della giunzione base collettore, polarizzata inversamente. Nel modello presentato sono inserite anche le due resistenze rb e rc, che tuttavia normalmente possono venir trascurate. La prima, rb, rappresenta la cosiddetta resistenza della zona amorfa di base, in sostanza la resistenza ohmica del materiale di base che non partecipa alla giunzione e la resistenza delle connessioni. 227
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 La seconda, rc, , come si gi visto, la resistenza che tiene conto delleffetto Early per il quale le caratteristiche di collettore non sono perfettamente orizzontali. 10.2) Risposta in frequenza dellamplificatore invertente Utilizzando il modello appena introdotto per valutare il comportamento dello stadio amplificatore di figura 10.1 si ottiene il circuito equivalente a piccoli segnali illustrato in figura 10.5, ovviamente quando si trascurino rb e rc. La relazione che lega la vu alla vi certamente non facile da determinare sulla base di questo circuito, anche se il problema non certamente inaffrontabile.
Ci
C v
i
g v
m
RC RE
figura 10.5
vu
CE
Si pu tuttavia osservare che i vari elementi reattivi introdotti, cio i condensatori, non fanno sentire il loro effetto contemporaneamente. Alle frequenze pi basse assumono importanza i condensatori CI e CE, mentre C e C possono essere considerati dei circuiti aperti. In un campo di frequenze intermedio CI e CE potranno essere considerate dei cortocircuiti, mentre C e C avranno ancora effetti trascurabili. Infine alle frequenze pi alte assumono importanza C e C , mentre CI e CE si comporteranno a maggior ragione come dei cortocircuiti. Si potr quindi studiare il comportamento dello stadio alle diverse frequenze, utilizzando modelli semplificati, ottenuti dal modello generale eliminando da esso gli elementi il cui effetto trascurabile. 10.2.1 - Il guadagno di corrente in cortocircuito dellamplificatore invertente Si consideri, con riferimento al modello appena introdotto, un amplificatore al cui ingresso sia applicato un generatore di corrente iB e la cui uscita sia chiusa in corto circuito (figura 10.6).
228
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 1 s.C ib v r 1 s.C i ic g v

m
iu
figura 10.6
Si ha: iB v 1 r s.C i v 1 r s.C s.C
e iu Si ricava che: gm sC s.C C

o
g m .v
v gm
s.C
iu iB
1 s
C gm C (10.1)
1 r
1 s.r C
La relazione appena trovata suscettibile della seguente interpretazione. Quando s=j =0, cio a frequenza nulla, il rapporto trovato pari a iu iB ic iB
o
e rappresenta quindi il guadagno di corrente del transistore. La (10.1) rappresenta quindi il valore di in funzione della frequenza con di corrente in continua. 1 s s
o
guadagno
1 1
z
1 s
229
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 Esempio A titolo di esempio si consideri un transistore per il quale gm 0. 05 A/V r 2 k C 19 , 5 pF C 0, 5 pF
Si vuole valutare a quale frequenza fT il guadagno di corrente (fT) = 1. Si ha

o
gm . r
100 1
gm C
0, 05 5.10 13
12
1011
rad / sec rad / sec
r C
1 2.10 .20.10
3
2,5.10 7
Il relativo diagramma di Bode riportato nella figura 10.7 e si pu ricavare che lattraversamento dellasse delle ascisse, in corrispondenza al quale = 1, si ha per:
T
2 , 5.109
rad / sec
fT
1 . 2
395
MHz
Il valore ottenuto utilizzando i diagrammi asintotici di Bode, pu essere considerato e z sono notevolmente distanti. notevolmente preciso poich
(dB)
40 30 20 10
2,5.10 9 2,5.107
10 11
log
-10 -20 -30 -40 -32 dB
figura 10.7
evidente che per realizzare un amplificatore con un guadagno di corrente superiore allunit si deve lavorare a frequenze minori di fT. Per questo campo di frequenze si pu scrivere allora che:
230
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 s

o
1 s
e questa approssimazione equivale a dire che i trascurabile rispetto a iu (i << gm v ). Si pu allora utilizzare questultima relazione per ricavare unespressione analitica per fT. j
T o 2
1 che per >> d

T o
fT
.f
Ricordando lespressione di f si ottiene infine fT 2 .r C

o
gm 2 C C
Il parametro fT, detto frequenza di transizione, dipende, come tutti gli altri parametri, dalle condizioni operative. In pratica dipende dalla corrente nel punto di lavoro. Osservando lespressione di fT = 0 f se ne pu dare unulteriore interpretazione. Essa rappresenta il prodotto del guadagno di corrente di corrente per la larghezza di banda in cortocircuito. In altre parole, assegnato un determinato transistore, si pu aumentare il limite superiore di frequenza di utilizzo sacrificando il guadagno di corrente. Questo risultato non un risultato particolare del guadagno di corrente del transistore a giunzione. Per tutti i sistemi a polo singolo, con elevato guadagno, la frequenza alla quale il guadagno diviene unitario data dal prodotto del guadagno a frequenza nulla e della frequenza di taglio (-3 dB) del guadagno stesso. 10.2.2 - Il guadagno di tensione a bassa frequenza Trascurando in bassa frequenza leffetto di C e C si ottiene il circuito equivalente di figura 10.8 Indicando con ZE il parallelo di CE e RE RE s. C E RE RE 1 s. C E . R E
ZE
1 s. C E
e con Zs la reattanza capacitiva di Ci
231
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 ZS si pu scrivere iC gm .v vu R C . iC 1 s. C i
iB Ci vi v RE
figura 10.8
ic r gm v CE Rc vu
e inoltre v e quindi iC Dalla maglia di ingresso si ricava vi ZS r .i B iB iB g m .v .Z E (10.2) g m . r .i B

o
r .iB
.i B
v r .i B
g m .v .Z E
Sostituendo in questultima equazione la v = r i si ottiene v iB r 1

o
.Z E
Zi
Si vede pertanto che limpedenza dingresso dello stadio non costante ma varia dal valore r + (1 + ) R a frequenza nulla al valore r quando , frequenza alla quale Z E 0. Combinando tra loro le equazioni i = g v e (10.2) e risolvendo per v /v si ottiene:
232
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 AV vu vi ZS r

o
.R C 1
.Z E
1 s.C i 1
.R C
o
RE 1 s.C E .R E
AV
.R C r
1 s.C i .r
RE 1 . r 1 s.C E .R E
Normalmente si fa s che = R C sia molto maggiore di = C r e quindi la precedente espressione pu essere approssimata, per valori i pulsazione superiore a 1/R C , con: AV A V0 1 1 s. C i . r 1 A V0 . sC i . r 1 s. C i . r
avendo indicato con A V 0
RC gm . Rc . r Si ha pertanto una funzione di trasferimento con uno zero nellorigine e un polo pari a 1/ C i . r . Il relativo diagramma di Bode illustrato in figura 10.9. Si vede pertanto che pulsazioni inferiori a 1 / C r il guadagno dello stadio diminuisce rispetto a quello A , che il guadagno che lo stadio presenta quando gli effetti di tutte le capacit sono trascurabili.
o
Av(dB) A vo
1 C .r i
log
figura 10.9
Come si sa la frequenza di taglio, cio la frequenza in corrispondenza della quale il guadagno di 3 dB inferiore a A
233
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 fi 1 2 . Ci . r
e come si vede determinata, approssimativamente parlando, dalla capacit di ingresso CI e dal valore dellimpedenza di ingresso che si ha alle frequenze intermedie. 10.1.3 - Il guadagno di tensione in alta frequenza dellamplificatore invertente Alle frequenze pi elevate si possono eliminare dal circuito equivalente completo la capacit dingresso C e limpedenza formata dalla resistenza R e dal condensatore C , in quanto i due condensatori possono essere considerati dei cortocircuiti. Si ottiene allora il circuito equivalente della figura 10.10, in cui la resistenza R rappresenta la resistenza interna del generatore di segnale. Dallequilibrio delle correnti in B si ricava vi v RS s.C . v u v s.C .v 1 .v r 0
B
RS vi v C r
g mv
RC
vu
E
figura 10.10
e quindi vi RS mentre da quello in C si ha: gm . v vu RC v 1 s. C vu 0 v . 1 RS 1 r s.C s.C s.C .v u
cio
234
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 v . gm s.C s.C 1 RC 0
Eliminando da queste due equazioni v e ricavando il rapporto v /v si ottiene: RS 1 s. R .C RC r 1 s. C gm s 2 .R .R C .C .C 10.3
As
vu vi
R 1 g m .R C .C
R C .C
dove R data dal parallelo di r e R . Cio R RS . r RS r
Si noti che la quantit che compare al numeratore, pari a: RS RC r
altro non se non il guadagno dello stadio alle frequenze intermedie, quando leffetto di tutte le capacit trascurabile e il circuito si riduce a quello gi studiato ai precedenti paragrafi. In particolare, se R = 0 si ottiene RC r gm . RC
Lespressione del guadagno A(s) quindi del tipo 1 s. 1 1 a 1 .s a 2 .s 2 s z1 A0 1 a 1 .s a 2 .s 2 1
As
A0
avendo indicato con A il guadagno a centro banda. Usando ragionevoli valori per le varie quantit, come ad esempio gm.r 100 C 0, 5 pF C 19 , 5 pF
RS
300
RC
600
gm
0, 05
A/V
2000
si ottiene che a 1 9 , 43.10 9 e a 2 1, 53.10 18 . La funzione di trasferimento ha due poli e uno zero e avr quindi le caratteristiche di un passa basso, la cui frequenza di taglio determinata dalla posizione reciproca di poli e zeri.
235
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 In generale tuttavia, quando in una funzione di trasferimento la frequenza, alla quale un polo fa sentire i suoi effetti, molto minore di quella degli altri poli e zeri, allora tale polo viene chiamato polo dominante e la frequenza di taglio si pu considerare con buona approssimazione determinata solo da questo polo. Si consideri ora la funzione As 1 1 p1 1 p2 A0 s s .1 p1 p2 1 . p1 . p 2 A0 1 a 1 .s a 2 .s 2
con a1
a2
Se p1 << p2 allora: a1 cio p1 1 a1 p2 a1 a2 1 p1 a2 1 p1 . p 2 a1 p2
Nel caso che si sta esaminando, se p1 un polo dominante, si ottiene: p1

11
1 a1
10,6.10 7
p2
a1 a2
6,16.10 9
inoltre Z1 = 10 e quindi lipotesi di polo dominante ben giustificata. Si ottiene allora che la frequenza di taglio superiore dellamplificatore : fS 1 p1 2 17 ,1 MHz
In generale si pu affermare che: 1 1 fS . 2 R .C R . 1 g m .R C .C 1 . 2 R .C che nel caso in cui Rs = 0 diviene: C
R C .C
1 1 R .g m .R C .C
236
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 fS 1 2. . R C . C
La situazione secondo la quale uno dei poli e dominante abbastanza comune negli stadi amplificatori. In tal caso, se p1 il polo dominante unapprossimazione della risposta in frequenza : As A0 s 1 p1 A0 1 a 1 .s A0 1 s. 1 2 fS
Un circuito equivalente semplificato che ha una funzione di trasferimento di questo tipo si pu ottenere applicando il teorema di Miller. Si consideri unarbitraria configurazione circuitale con N nodi distinti e siano V1, V2, ... VN le tensioni ai nodi. Si pu sempre supporre che VN = 0, scegliendo il nodo N come nodo di riferimento, senza perdere in alcun modo di generalit.
I1 Z' I2
2 Z = 4
1
I1 Z' 1-K
1 3
2
2
I2 Z = Z'.K K-1
(a)
figura 10.11
(b)
Due nodi (ad esempio i nodi 1 e 2 della figura 10.11a) siano interconnessi con unimpedenza Z e si supponga di conoscere il rapporto K V2 V1
Si pu facilmente dimostrare che la corrente I1 che dal nodo 1 raggiunge il nodo 2 attraverso Z pu essere ottenuta sconnettendo Z e inserendo unimpedenza Z1 (fig. 10.11 b)pari a Z1 tra il nodo 1 e quello N di riferimento. Infatti Z' 1 K
237
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 I1 V1 V2 Z' V1 K. V1 Z' V1 Z' 1 k V1 Z1
Nelle due condizioni, quindi, la corrente I1 che circola nel nodo 1 la stessa. In modo del tutto simile si ottiene Z2 Z' 1 1 K k. Z' K 1
Poich le due reti (quelle di figura 10.11a e 10.11b) sono rette dalle stesse equazioni di nodo, tali reti sono equivalenti. Per mezzo del teorema di Miller, appena dimostrato, possibile trasformare il circuito equivalente dellamplificatore invertente. Se la corrente in C trascurabile, si ha che: K gm.RC
Il circuito pu allora venir trasformato secondo Miller in quello di figura 10.12.
RS vi r C C (1+gmRC ) RC C 1+gmRC g RC
m
g mv
figura 10.12
Si ricordi tuttavia che questa trasformazione valida solo per frequenze inferiori a fT. Il circuito ottenuto ha due costanti di tempo indipendenti, una associata alla capacit di ingresso CM C C . 1 g m .R C
detta capacit di Miller, e laltra legata alla capacit di uscita C . 1 g m .R C g m .R C C
se il guadagno dello stadio (gm Rc) abbastanza superiore allunit. La costante di tempo dellingresso :
238
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 R . CM quella delluscita RC.C La prima di queste due costanti di tempo coincide con i primi due termini del coefficiente di s della 10.3, la seconda con il terzo termine dello stesso coefficiente. Normalmente R .CM R C .C con R r . RS r RS
e quindi leffetto della costante di tempo nel circuito di uscita pu venir trascurato. tuttavia necessario far notare che nel circuito equivalente ottenuto, detto modello ibrido a unilateralizzato, non vi alcun percorso tra ingresso e uscita (nella realt e presente il condensatore C ). Di conseguenza questo modello non pu essere utilizzato per il calcolo dellimpedenza duscita ad alta frequenza, mentre si rivela adatto per la valutazione dellimpedenza dingresso. 10.3) Risposta in frequenza dellinseguitore di emettitore Per linseguitore di emettitore si possono fare considerazioni analoghe a quelle condotte per lo stadio invertente. Alle basse frequenze, lunico elemento da prendere in considerazione la capacit di ingresso Ci, in quanto il circuito equivalente quello di figura 10.13. iB Ci r iE RE vu gmv
vi
figura 10.13
In modo analogo a quanto gi visto si ha: v r . iB r. vi r vu 1 s. C i
239
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 Ricordando ora che vu g m .v i B .R E
dopo alcune manipolazioni algebriche si ottiene As vu s vi s

O
1 s.C i
1 .R E
O
1 .R E
Si visto che r + ( inseguitore e
+ 1) RE rappresenta limpedenza di ingresso dello stadio 1 .R E 1 .R E O
A0
il guadagno alle frequenze alle quali siano trascurabili gli effetti di tutte le capacit. Indicando con Ri limpedenza dingresso si ottiene pertanto: As A0 . 1 sC i R i 1 A0. sC i R i 1 sC i R i
La funzione di trasferimento ha quindi uno zero nellorigine e un polo in 1/Ci Ri. La risposta in frequenza, facilmente tracciabile con luso dei diagrammi di Bode, ancora del tipo passa alto con una frequenza di taglio fi 1 2 CiR i 2 .r 1
O
1 .R E .C i
B
r vi v1 C gmv
E
iL RE CL vu
C
Zi ZBC figura 10.14 Z' u Zu
240
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 Alle alte frequenze, dove la capacit di accoppiamento Ci pu essere considerata un corto circuito e dove invece bisogna tenere in considerazione gli effetti di C e C il circuito equivalente dellinseguitore di emettitore quello di figura 10.14. Poich, come si gi visto in precedenza, linseguitore di emettitore ha una bassa impedenza di uscita, esso viene spesso usato per pilotare carichi che abbiano una componente capacitiva C non trascurabile. Tuttavia per il momento essa non verr presa in considerazione. Per il nodo B si pu scrivere: v1 mentre per il nodo E si ha: v1 Z vu. 1 Z 1 RE g m . v1 vu 1 RS s.C 1 Z vu . 1 Z v RS
avendo indicato con Z il parallelo di r e C Z r 1 s. C . r
Eliminando v e risolvendo rispetto a v / v si ottiene: C .r 1 .R E 1 O . 1 .R E 1 a 1 .s a 2 .s 2 O 1 s.
As con a1
RS
r . R E R S .C RS r 1 O .R E
RS. r RS r
1 1
.R E .C
O
.R E
a2
R E .R S .r .C .C RS r 1
O
.R E
La funzione di trasferimento ha quindi uno zero e 2 poli. Lo zero Z pu essere ricalcolato osservando che se v = 0 (uscita cortocircuitata) in R non circola alcuna corrente e quindi la corrente in Z uguale ed opposta a g v . 1 s.r .C .v r e quindi il valore dello zero Z e: 241 g m .v
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 Z1 Con gm 0.1 A/V r 1 k C 19, 5 pF C 0, 5 pF C .r

O
gm C
RE si ottiene: a1 0, 566.10
9
1, 5
RS
0, 6
a2
0, 0573.10
18
z1
5, 12.10 9
Supponendo ancora valide le considerazioni sul polo dominante si ottiene: p1 1 a1 1, 77.109 p2 a1 a2 9, 87.109
Il rapporto p / p = 5,58 non particolarmente elevato e nemmeno quello z / p . La soluzione trovata non quindi particolarmente accurata. Tuttavia in prima approssimazione si pu dire che la frequenza di taglio si ha per: fS 1 . p1 2 1, 77.109 2 281 MHz
Il calcolo esatto fornirebbe un valore di fS pari a 339 MHz. Ricordando che: fT gm 2 .C C 796 MHz
si vede che fS, p1, p2 e z1 sono dello stesso ordine di grandezza di fT e questa la frequenza entro cui si pu ritenere valido il circuito equivalente utilizzato. I risultati non sono particolarmente accurati. Tuttavia riescono a mettere in evidenza che linseguitore di emettitore ha un limite superiore di frequenza nettamente pi alto di quello dellamplificatore invertente. Con gli stessi valori circuitali, infatti, un amplificatore invertente avrebbe una frequenza di taglio superiore pari a 4,37 MHz. Limpedenza di uscita dello stadio pu essere ottenuta dal circuito equivalente secondo Thevenin. La tensione di uscita a vuoto vu A s .v i
mentre con luscita cortocircuitata la corrente di uscita vale:
242
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 1 .v i . RS 1 s 1 s C .r 1 O R S .r . C C RS r
I SC
I1
Si ricava pertanto immediatamente che: Z 'u vu I SC R E . RS RE r /1 RS

O
. 1 s.r .R S . C
O
C / RS a 2 .s
2
r /1
. 1 a 1 .s
Z'u . R E ., cio che limpedenza Zu data dal parallelo di Zu e Z'u R E RE, e che quandoR E , Zu = Zu. Con alcune manipolazioni si ottiene in definitiva che: Si osservi poi che Z u Zu R S .r 1 s.r .R S . C . 1 O 1 s.r .C / 1 C / RS
O
. 1 s.R S .C
e infine riconoscendo che il termine RS . r 1 O altro non se non limpedenza duscita Ru che si ha quando tutti gli effetti capacitivi sono trascurabili, si ricava in definitiva che s 1 z1 Zu R u . s s 1 .1 p1 p2 Con i valori dellesempio precedente si ottiene: z1 1, 33.108 p1 3, 33.109 p2 5,17.10 9
Tracciando il diagramma di Bode dellimpedenza duscita (figura 10.15) si nota che nellintervallo di frequenza tra |z1| e |p1| essa cresce, con il comportamento analogo a quello di uninduttanza. Se quindi linseguitore pilotasse un carico capacitivo, in questambito di frequenze il comportamento potrebbe essere simile a quello di un circuito risonante. Ci si pu evitare facendo s che la componente resistiva di Zu dia luogo ad uno smorzamento sufficiente.
243
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10
|Z| dB
396
15,8
1,33.10
3,33.10
5,17.10
log
figura 10.15
Osservando infine il circuito equivalente dellinseguitore di emettitore alle alte frequenze si nota immediatamente che limpedenza di ingresso Zi data dal parallelo di C e ZBC. Di conseguenza: C gm O. RE . 1 s. r . C 1 s. 1 2 . fT O .RE . 1 1 s. 2 .f 1 s. 1
T
Z BC
1 s. Zi s
O
.R E . 1 s.
.R E .C
s2.
.R E .
C
T
con le ipotesi che 0 >> 1, 0 RE >> r e T = gm / C . Se si volesse anche tener conto della resistenza distribuita della base si otterrebbe che: 1 s. Zi s
O
1
T
rB .C .R E .C
s2. s2.
rB .C
T
.R E . 1 s.
.R E .
C
T
Con i valori dellesempio precedente e rB = 50
si ottiene:
244
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 1 Zi s 150 s .1 4,44 .10 9 s 45.10 9 s 6,33.10 9
s 1 .1 1,05.10 7
il cui diagramma di Bode quello di figura 10.16. Limpedenza dingresso scende rapidamente a partire da frequenze che stanno ben al di sotto della frequenza superiore di taglio fs dello stadio. Nel caso particolare, considerando che fS 300 MHz , si trova che a tale frequenza Zi < 1 k . In base alleffetto Miller, la capacit riportata allingresso : C . 1 A0 e poich A0 molto vicino allunit, la capacit riportata allingresso molto piccola e viene a trovarsi in parallelo a C .
|Z |
1,05.10
4,44.10
6,33.10
log
figura 10.16
In confronto a quella dello stadio invertitore, pari a C C . 1 A0
la capacit di ingresso dello stadio inseguitore molto minore e in pratica non offre un carico capacitivo ad un eventuale stadio che si trovi a monte. Nellesempio che si sta trattando A0 r
O
1 .R E 1 .R E O 245
0,993
I transistori BJT. Comportamento in frequenza Capitolo 10 e la capacit riportata in ingresso vale CM 19,5. 1 0,993 0,136 pF
La capacit totale di ingresso quindi pari a Ci CM C 0,136 0, 5 0, 636 pF
Lo stesso transistore nella configurazione amplificatore invertente con un carico di collettore di 1,5 k , ha un guadagno A0 gm . RC 0,1.1500 150
Quindi la capacit riportata in ingresso : CM e la capacit totale dingresso : Ci 19 , 5 75, 5 95 pF 151. 0, 5 75, 5 pF
246
Gli amplificatori a FET Capitolo 11
GLI AMPLIFICATORI A FET

11.1) La polarizzazione nei FET Anche per i FET si rendono necessarie tecniche di polarizzazione simili a quelle usate per i transistori a giunzione allo scopo di stabilizzare il punto di lavoro. Nei circuiti a MOSFET la rete di polarizzazione tende a ridurre le deviazioni di questultimo dovute alla dispersione della tensione di soglia VT e della transconduttanza gm, mentre nei JFET il punto di lavoro viene stabilizzato in relazione alle variazioni della tensione di pinch-off Vp e della corrente di saturazione IDSS. Un metodo di polarizzazione, che si presta particolarmente alla polarizzazione dei dispositivi realizzati con tecnica integrata e viene daltra parte utilizzato, come si e gia visto, anche nel caso di transistori bipolari quello che prende il nome di generatore di corrente o specchio di corrente. Nel caso invece di realizzazioni a componenti discreti si preferisce di solito ricorrere a partitori resistivi. 11.1.1 - Polarizzazione a specchio di corrente per transistori ad effetto di campo Il circuito 11.1 rappresenta uno specchio di corrente a transistori MOS. La tecnica impiegata si rivela particolarmente adatta nelle realizzazioni integrate in quanto per un buon funzionamento richiesto che i due transistori abbiano caratteristiche il pi possibile uguali. La corrente di riferimento IR = ID2 determinata da VDD, R e dal transistore ad arricchimento T2. A causa del collegamento tra il drain di T2 ed i gate di T2 e T1 si ha: VGS1 VGS2 VDS2
Capitolo 11
V DD al carico IR= I
D2
I D1
VDS1 VGS2 VGS1 figura 11.1
Poich il processo di fabbricazione dei due transistori lo stesso, la tensione di soglia VT e il coefficiente k della relazione
247
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 ID k. W . VGS L VT

2
sono gli stessi per i due MOS e pertanto se essi hanno lo stesso fattore di forma W/L, le due correnti di drain ID1 e ID2 sono uguali. Esaminando la relazione precedente si vede tuttavia che fissati i valori di VT e k, diversificando i due transistori nel fattore di forma W/L si pu fare in modo che ID1 e IR siano diverse. W L W L
I D1 IR
Anche per i transistori MOS si possono fare considerazioni analoghe a quelle fatte per i transistori BJT a causa delleffetto Early. Infatti, anche in questo caso le caratteristiche di drain non sono perfettamente orizzontali a causa della modulazione della lunghezza del canale La resistenza R molto spesso viene realizzata con un MOS a canale n a svuotamento, o con un MOS a canale p ad arricchimento. Esempio Si voglia determinare, per il circuito di figura 11.2, la corrente ID1 quando VDD = 6 V e R = 20 k . In figura 11.3 sono riportate le caratteristiche di drain dei transistori utilizzati
ID( A)
6
300 250 200 150 100 50 1 2 3 4 5 6

5,5
5 4,5 4 3,5 3 V =2V

GS
VDS(V)
figura 11.2
Sul piano VDS - ID stata disegnata la curva a tratteggio, lungo dei punti VDS2 = VGS2. Questa curva, intersecata con la retta di carico VD = 6 V, R = 20 k fornisce il punto di lavoro di T2, nel quale ID2 = IR = 90 A. 248
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Nellipotesi che i due transistori siano identici, tenendo conto che Vgs2 = Vgs1, si ottiene allora che anche ID1 = 90 A. 11.1.2 - Circuito di polarizzazione dei FET a quattro resistenze Nei circuiti a componenti discreti di cui generalmente si conoscono i valori minimi e massimi ammissibili per IDSS e Vp nonch le correzioni da apportare per tener conto delle variazioni di temperatura, si preferisce polarizzare il dispositivo in analogia a quanto gi visto per i transistori bipolari, come illustrato in figura 11.3.
V DD
R 1
RD
ID
V DS RS
R2
figura 11.3
Si fissi allora lattenzione su un JFET, ad esempio a canale n (o su un MOSFET a svuotamento), le cui caratteristiche siano quelle riportate in figura 11.4.
ID
pendenza = -
1 RG
B A
figura 11.4
I D1 I D2
VGG
Le due curve a tratto continuo si riferiscano ai casi estremi possibili per dispersione dei parametri o in corrispondenza alla temperatura massima e minima desercizio.
249
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Il circuito di polarizzazione di figura 11.3 pu venir sostituito con il suo equivalente secondo Thevenin, come illustrato in figura 11.5, caratterizzato dalla tensione VGG e dalla resistenza RG.
V DD RD ID VDS
G
I GSS R
GG
=V
R2 R1 + R2
DD
VGG
RS
R1 R 2 R1+ R2
figura 11.5
Considerando allora la maglia dingresso si ha:
VGS da cui ID
VGG
I D . RS
VGG RS
VGS RS
Questa relazione rappresenta la retta di carico sul piano ID - VGS (figura 11.4) e certamente si avr in tal caso: I D1 ID I D2
Poich la pendenza di questa retta pari a - 1/RS, se si vuole che la corrente ID rimanga compresa tra due prefissati valori I D1 e I D2 , rimane fissato il valore di RS. Lintercetta della retta di carico sullasse delle ascisse corrisponde al valore di VGG. Questi risultati sono tuttavia validi solo quando si supponga che la corrente di gate IG sia nulla. In realt nel circuito di gate scorre una corrente di saturazione inversa IGSS. Si possono minimizzarne gli effetti scegliendo per RG un valore elevato, ma tale che la caduta RG IGSS sia trascurabile rispetto VGG. opportuno tuttavia che RGG sia la pi elevata possibile, sia per ridurre gli effetti di carico sugli eventuali stadi a monte, sia per ridurre la corrente che attraversa R1 e R2.
250
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Esempio Per il circuito di figura 11.3 si voglia una corrente ID compresa tra 5 mA e 6 mA con una VDS 8,5 V . La tensione dalimentazione sia pari a 28 V e la resistenza equivalente del generatore di polarizzazione sia R G 100 k . Le caratteristiche siano quelle illustrate in figura 11.6
ID
25 20 15 10 5
B A
-3 -2 -1
V GG
1 2 3
V GS
figura 11.6
Dopo aver individuato su tali caratteristiche i due punti P1 e P2 corrispondenti ai valori limite desiderati, si pu tracciare la retta che passa per essi. Questa retta interseca lasse delle ascisse nel punto che corrisponde ad una tensione di 3 V. Rimane pertanto fissato che VGG = 3 V. La pendenza di tale retta, che interseca lasse delle ordinate nel punto ID = 4 mA : 1 RS 4 0 .10 0 3
da cui si ricava quindi che RS = 0,75 k . Supponendo di scegliere per RG il minimo valore ammissibile (100 k ), possono venir calcolati i valori di R1 e R2. VDD VGG 28 3
R1
RG .
100.10 3 .
933k
R2
R 1.
VGG VDD VGG
933.
3 112 k 28 3
251
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Il valore della resistenza di drain RD si ottiene osservando che la VDS minima quando massima la ID. Pertanto: VDD VDS RS .I D R D .I D
RD
28 8, 5 0, 75. 6 6
2 , 5k
11.2) Gli stadi amplificatori elementari Si gi visto al capitolo 6 che la transconduttanza di un JFET vale: I DSS .1 Vp VGS Vp
gm
mentre quella di un MOSFET, ottenuta derivando la ID con k . C0 ., vale: 2 gm 2.k. W . VGS L VT k. W . VGS L VT
2
Si ricordi tuttavia che per un JFET a canale n Vp e VGS sono ambedue negative mentre IDSS positiva, mentre per quelli a canale p Vp e Vgs sono positive, mentre IDSS negativa. Inoltre |Vgs| < |Vp|. Pertanto VGS / Vp una quantit positiva minore dellunit, mentre IDSS / Vp una quantit negativa. Pertanto la transconduttanza gm sempre positiva. Ricordando poi che: ID I DSS . 1 VGS Vp
2
per un JFET la transconduttanza diviene
252
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 gm g mo . ID I DSS
dove gm0 la transconduttanza valutata per VGS = 0 e ID = IDSS. Con ragionamenti analoghi la transconduttanza di un MOSFET pu essere messa nella forma: gm 2. k . W . ID L
La conduttanza duscita, che tiene conto della non perfetta orizzontalit delle caratteristiche, dovuta alleffetto di modulazione della lunghezza del canale, : g DS e per un MOSFET per il quale ID k. W . VGS L VT . 1
2
1 rDS
ID VDS
.VDS
vale: g DS .k. W . VGS L VT

2
.I D .VDS
Tale relazione pu venir utilizzata anche per i JFET e pertanto la resistenza equivalente duscita data da: rDS 1 . VDS .I D
Molto spesso tale resistenza viene valutata per VDS = 0, in quanto nelle normali condizioni dimpiego VDS di pochi volt e il termine VDS trascurabile rispetto allunit. Il circuito equivalente di un FET assume quindi la forma riportata in figura 11.7, in cui sia gm che rd dipendono dal punto di lavoro..
253
g mvGS
rd
S
figura 11.7
La transconduttanza di un FET risulta minore di quella di un BJT che lavora con la stessa corrente di collettore. Inoltre la resistenza duscita rd non particolarmente elevata, essendo dellordine della decina di kiloohm per i MOS e del centinaio di kiloohm per i JFET. Pertanto, a differenza di quanto accade nei BJT, nella maggior parte dei casi non pu venir trascurata. In tal caso spesso conveniente modificare la forma del circuito equivalente, come illustrato in figura 11.8 con = gm rd. Si noti che in ambedue i modelli il circuito di gate rimane un circuito aperto, per cui non ha molto senso considerare nellanalisi circuitale la resistenza dingresso Ri e lamplificazione di corrente Ai. Ci si rende anche conto che, viste le caratteristiche dei dispositivi utilizzati, non ha molto senso nemmeno la configurazione a gate comune.
vGS
v GS
S
figura 11.8
Il circuito cui si pu fare riferimento allora quello di figura 11.9a mentre in figura 11.9b riportato il relativo circuito equivalente. Se luscita viene prelevata al drain si ha allora un amplificatore a source comune con resistenza sul source; se RS = 0 si ha uno stadio a source comune. Se invece luscita prelevata sul source si ha uno stadio a drain comune con resistenza sul drain o meno a seconda che RD sia diversa o uguale a zero.
254
rD RD v o1 v o2 RS G S RS v o2 vGS
D ID RD v o1
vi
vi
R'o2 (a) figura 11.9 (b)
R'o1
Considerando allora la maglia di drain si ottiene: RD .iD rD . i D . v GS RS . i D 0
mentre la tensione tra gate e source vale: v GS Da queste due relazioni si ricava: iD vi Rs .iD
rD
RD
.R S
Le due tensioni di uscita V01 e V02 valgono allora: v 01 i D .R D .R D RD 1 .R S 1 .v i
rD
.R S
v 02
i D .R S
rD
RD
.R S
.v i
vale:
Pertanto il guadagno di tensione dello stadio a source comune con resistenza di source AV .R D RD 1 255
rD
.R S
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Limpedenza di uscita pu venir ricavata come rapporto tra la tensione a vuoto e la corrente di cortocircuito. Questultima pari alla corrente iD quando RD = 0. Pertanto dalla precedente relazione ricavata per la ID si ottiene: i CC In definitiva la resistenza di uscita : v o1 i cc R D . rD R S . 1 R D rD R S . 1
rD
.R S
R ' o1
La resistenza di uscita R01 si puo considerare pertanto data dal parallelo della resistenza di carico di drain RD e di R o1 rD RS. 1 rD . 1 g m .R S
In modo assolutamente analogo si ricava la resistenza di uscita quando questultima viene prelevata tra source e massa. Si ottiene, calcolando la corrente di cortocircuito con RS = 0: R 'o2 v o2 i cc R S . rD R D R D rD 1 .R S
che ancora puo venir interpretata come il parallelo della resistenza RS e di R o2 che per RD 1 rD
>> 1 e RD << rD, ipotesi normalmente verificata, si riduce a: 1 gm
R o2
Ponendo, nelle relazioni precedenti di AV, R01 e R01, a zero il valore di RS si ottengono le corrispondenti quantit per lamplificatore a source comune.
256
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Av .RD rD R D gm . R D RD 1 rD
R 'o1
rD . R D rD R D rD
R o1
Se invece si pone a zero la resistenza RD e si preleva luscita sul source si ottiene la configurazione a drain comune o inseguitore di source. Procedendo analogamente per quanto fatto per lamplificatore a source comune si ricava: Av v o2 vi rD rD .R S 1 .R S
R o2 Per
R 'o 2
R S || R o1
>>1 e RS >> 1 / gm si possono approssimare le precedenti relazioni con: Av 1 R o2 1 gm R ' o2 1 gm
Risulta evidente lanalogia con le espressioni trovate per gli analoghi amplificatori realizzati con BJT. Questultimo risultato, daltra parte, era largamente prevedibile alla luce della somiglianza tra i modelli del transistore a giunzione e quelli dei FET. 11.3) Comportamento alle alte frequenze degli amplificatori a FET Alle alte frequenze necessario per i JFET e i MOSFET tener conto degli effetti capacitivi associati vuoi alle giunzioni in polarizzazione inversa dei FET, vuoi alla capacit formata dallo strato di dielettrico dalla regione metallica di gate e dal semiconduttore. Questi effetti possono essere modellizzati con lintroduzione di tre capacit; la CGS, capacit gate-source, la CGD, capacit gate-drain e quella drain-source CDS. Il circuito equivalente per uno stadio a source comune diviene allora quello della figura 11.10.
257

C GD
G RS vGS CGS
g vGS
m
C DS
rD
RD
vo
figura 11.10
I valori delle tre capacit sono normalmente di qualche picofarad. Dallesame del circuito equivalente si ottiene, dallequilibrio delle correnti nei nodi G e D, in termini di trasformata di Laplace. vS RS 1 RS
v GS .
s.C GS
s.C GD
s.C GD .v o
v GS . g m
s.C GD
vo .
1 RL
s.C GS
s.C DS
avendo indicato con RL il parallelo di RD e rD. Risolvendo il sistema di equazioni e indicando con AV0 la quantita -gm.RL si ricava: C GD gm A vo 1 a 1 . s a 2 . s2 1 s.
Av con a1 R S .C GS a2
vo vS
R S . 1 g m .R L
R L .C GD
R L .C DS
R S .R L . C GS .C GD
C GS .C DS
C DS .C GD , rD = 80
Supponendo, ad esempio, che CGS = 3 pF, CGD = 1 pF, CDS = 1,5 pF, RS = 300 e RD = 20 K , valori del tutto realistici, si ottiene: a1 73. 9 n sec a2 34. 2 n sec 2
258
Gli amplificatori a FET Capitolo 11 Ci si trova pertanto nelle condizioni di polo dominante, come gi stato illustrato nellanalisi dei circuiti BJT, e quindi si pu scrivere che: p1 1 a1 13, 5.106 rad / sec p2 a1 a2 1, 71.109 rad / sec
Si ha inoltre uno zero per Z = gm / CGD = 2 . 109 rad /sec. p1 quindi un polo dominante e la funzione di trasferimento pu venir approssimata con una funzione a singolo polo in cui la frequenza di taglio vale: f tH 1 2 . a1 2.15 MHz
La soluzione trovata si discosta da quella esatta per meno del 1%. Utilizzando il teorema di Miller, con k = gm RL = Avo, si pu ricavare il circuito unilateralizzato di figura 11.11. Si vede immediatamente che la capacit CGD, pur essendo dello stesso ordine di grandezza di CGS e CDS quella che produce i maggiori effetti in quanto viene riportata in ingresso moltiplicata per un fattore approssimativamente pari al guadagno a centro banda dello stadio.
RS
C GS
CGD (1 + gm RL ) C DS gm RL RL
vS
g m v GS
CGD 1 + gm RL
figura 11.11
Per quanto riguarda limpedenza di ingresso essa prevalentemente capacitiva con una capacit di ingresso pari a Ci C GS C GD . 1 g m .R L
Si lascia al lettore il compito di determinare limpedenza di uscita, che comprende sia un termine resisitivo che capacitivo. Per quanto riguarda lamplificatore a drain comune (inseguitore di source) il modello a piccoli segnali quello della figura 11.12. Si pu notare che tale modello coincide quasi perfettamente con quello dellinseguitore di emettitore realizzato con BJT quando si ponga r , CGD C , CGS C , R L rD || R S R E . Lunica differenza risiede nella presenza di CDS, cui deve essere sommata leventuale capacit di carico. 259
RS G
C GS
R L = rD || Rs
vS
C GD
g m vS
C DS
rD
Rs
vo
D
figura 11.12
Con queste posizioni possono essere riutilizzati i risultati gi ottenuti per linseguitore di emettitore. Si ottiene C A VO . 1 s. GS gm Av 1 a 1 .s a 2 .s 2 con a1 R S . C GD RS R L 1 gm .R L R L . C DS 1 gm . R L C GS .C DS
a2
R S .R L . C GD .C GS 1 g m .R L
C GD .C DS
La frequenza di taglio superiore f tH f tH
1 / 2 .a 1 , per gm RL >> 1 e RL > RS diviene: 1 1 C GS gm
2 . R S .C GD
C DS
Per quanto riguarda limpedenza di ingresso Zi (s) e quella di uscita ZO (s) si ha: 1 g m .R L . 1 s.R L . C DS C GS / 1 g m .R L 1 || s.C GD s.C GS . 1 s.R L .C DS 1 . gm 1 s.R S . C GD g m . 1 s. C GS
Zi s
Zo s
C GS . 1 s.C GD .R S gm
260
Amplificatori Capitolo 12
Capitolo 12 GLI AMPLIFICATORI PLURISTADIO

12.1) Gli amplificatori Nei paragrafi precedenti sono stati presi in considerazione alcuni amplificatori elementari realizzati con un unico elemento attivo. Nella realt un amplificatore ottenuto molto spesso interconnettendo tra loro diversi stadi del tipo preso in esame per ottenere le volute caratteristiche di guadagno, banda passante, impedenza dingresso e di uscita. Da adesso in avanti, pertanto, non ci si occuper pi di come sono realizzati internamente i singoli stadi, ma si fisser lattenzione sulle caratteristiche globali di un amplificatore. Come amplificatore si pu intendere un circuito che riceve un segnale di ingresso E e lo elabora fornendo in uscita un segnale U. U f (E) Generalmente, anche se non necessariamente, f una funzione lineare. Di solito, poi, la potenza disponibile alluscita molto maggiore di quella presente allingresso.
Va Ia Zg V Ii
Iu Vu ZL
Vi
figura 12.1
Al limite la condizione ideale sarebbe raggiunta se la potenza di ingresso fosse nulla. immediato allora convincersi che la potenza fornita dallamplificatore al carico ZL deve venir prelevata da qualche sorgente; pi specificatamente essa prelevata dallalimentazione di servizio Va. Da questa alimentazione viene prelevata una corrente Ia e della potenza Pa Va . I a
una parte viene fornita poi al carico ZL, mentre una parte pi o meno grande si dissipa allinterno dellamplificatore sotto forma di calore. Il rapporto
261
Amplificatori Capitolo 12 PL Pa dove con PL si indicata la potenza fornita al carico, viene detto rendimento dellamplificatore e come in tutte le macchine che trasformano energia non mai unitario e pu essere anzi considerevolmente inferiore allunit. Un modello dellamplificatore, nellipotesi di unilateralit, supponendo cio che le grandezze di uscita dipendano da quelle dingresso, ma non sia vero il viceversa, pu essere ottenuto secondo lo schema della figura 12.2.
amplificatore reale
Iu ZL
Vi
Vu
modello
Ii Zu Iu
Vi
Zi
A Vi
Vu
ZL
figura 12.2
A maggiore chiarimento, unilateralit sta ad indicare che una qualsiasi variazione delle grandezze presenti in ingresso d luogo ad una corrispondente variazione delluscita. Al contrario, qualsiasi variazione delle condizioni di lavoro delluscita, ad esempio una variazione dellimpedenza di carico ZL, che d luogo ad una variazione sia di Vu che di Iu, non ha alcun effetto sulle grandezze dingresso. La maggior parte degli amplificatori elettronici, soprattutto quando sono realizzati a pi stadi, soddisfano abbastanza bene questa condizione. Il funzionamento dellamplificatore reale, visto dalle porte dingresso e di uscita, pu essere raffigurato con un modello, che permette poi di studiare il comportamento dellamplificatore quando esso viene inserito in un sistema pi complesso. Per quanto riguarda la porta dingresso un buon modello pu essere ottenuto ricorrendo ad unimpedenza Zi che fornisce il legame tra tensione di ingresso e corrente circolante. Per la porta duscita il modello pu essere ricavato ricorrendo al teorema di Thevenin, sostituendo luscita dellamplificatore con un generatore di tensione comandato dalle grandezze in ingresso, in serie con unimpedenza equivalente Zu, che limpedenza che si vede dai morsetti di uscita. Il modello cos ottenuto rappresenta, nellipotesi di linearit e di unilateralit, il funzionamento dellamplificatore visto dalle porte e pu venir utilizzato quando si voglia analizzare come si comporta lamplificatore quando viene inserito in un sistema piu complesso.
262
Amplificatori Capitolo 12 Il generatore di segnale dingresso pu essere sia un generatore di tensione che di corrente. La variabile indipendente, cio la grandezza da amplificare, pu cio essere in una di queste due forme. In modo analogo, la grandezza da prelevare alluscita, cio la variabile dipendente, pu essere sia una tensione che una corrente. Si possono quindi avere quattro tipi di amplificatore. 12.1.1- Amplificatore di tensione Il primo tipo un amplificatore di tensione (figura 12.3), per il quale sia la grandezza di ingresso che quella di uscita sono due tensioni. In tal caso il legame che si vorrebbe ottenere tra tensione dingresso Ve e tensione duscita Vu : Vu A v . Ve
AMPLIFICATORE DI TENSIONE Vu = A v Ve
Ii Iu
ZG
Zu
Ve
Vi
Zi
A Vi
Vu
ZL
V = V u e
Zi ZG+ Zi
. Av.
ZL ZL+ Zu o o e Zu 0
Vu = A v Ve
se
Zi
figura 12.3
Se tuttavia si utilizza il modello di amplificatore, che stato appena introdotto, per calcolare quale sia leffettivo legame tra Ve e Vu, ci si accorge che la relazione ideale tra queste due grandezze viene realizzata solo se limpedenza dingresso dellamplificatore tende allinfinito, in quanto qualsiasi generatore di segnale ha unimpedenza interna ZG che per quanto piccola non mai nulla, e del pari solo se limpedenza duscita Zu tende a zero. Poich tali condizioni non si realizzano mai, lamplificatore reale fornisce unamplificazione che dipende sia dallimpedenza interna del generatore di segnale che dal valore del carico, a differenza di quello ideale in cui queste due quantit non hanno alcunimportanza. Si pu quindi concludere quindi che quanto maggiore limpedenza dingresso di un amplificatore di tensione rispetto allimpedenza ZG del generatore e quanto minore la sua impedenza duscita Zu in rapporto al carico, tanto pi il suo comportamento si avviciner a quello di un amplificatore ideale.
263
Amplificatori Capitolo 12 interessante notare che nelle condizioni ideali, cio con Zi e Zu = 0, la potenza nel circuito dingresso nulla, mentre quella erogata dal generatore comandato al lato uscita si dissipa tutta nel carico ZL. 12.1.2 - Amplificatore di transconduttanza Nel caso in cui la variabile dingresso sia una tensione e quella di uscita sia una corrente, ci si trova in presenza di quello che viene chiamato amplificatore di transconduttanza.
AMPLIFICATORE DI TRANSCONDUTTANZA I u = G mVe

Ii Iu
ZG
Ve
Vi
Zi
GmV i Zu
Vu
ZL
V = V u e
Zi ZG+ Zi
. G m.
Zu ZL+ Zu o o e Zu o o
I u = G mVe
se
Zi
figura 12.4
opportuno in questo caso ricorrere ad un modello dellamplificatore, che fa riferimento per quanto riguarda il lato uscita al teorema di Norton e che quindi usa anzich un generatore di tensione comandato, un generatore di corrente comandato GmVi (figura 12.4).Lamplificazione Gm ha ovviamente, in tal caso, le dimensioni di una conduttanza. La trasformazione Thevenin-Norton banale e si d per acquisita. Anche in questo caso si vede tuttavia che la relazione ideale che lega lingresso e luscita Iu G m . Ve
viene raggiunta solo a patto che Zi e Zu . Un amplificatore di transconduttanza quindi opera correttamente se limpedenza del generatore di segnale ZG trascurabile rispetto allimpedenza di ingresso dellamplificatore Zi, e se limpedenza di carico ZL molto minore dellimpedenza Zu. Solo in queste condizioni, infatti, si pu ritenere, sia pure in via approssimata, che la corrente di uscita sia proporzionale alla tensione di ingresso indipendentemente da come la tensione di ingresso viene fornita e dalla situazione di carico.
264
Amplificatori Capitolo 12 12.1.3 - Amplificatore di corrente
AMPLIFICATORE DI CORRENTE I u = Ai I e
Ii Iu
Ie
ZG
Vi
Zi
Ai I i
Zu
Vu
ZL
= I e
ZG ZG+ Zi
. Ai .
Zu ZL+ Zu e Zu oo
I u = Ai I e
se
Zi
figura 12.5
Unulteriore possibilit si ha con lamplificatore di corrente (figura12.5), in cui le grandezze di interesse sia allingresso che alluscita sono correnti. Considerazioni analoghe a quelle fatte nei casi precedenti portano a concludere che un amplificatore di corrente approssima il caso ideale solo se limpedenza di ingresso dellamplificatore pu essere considerata trascurabile rispetto limpedenza interna del generatore di segnale e se la sua impedenza duscita molto maggiore dellimpedenza di carico. 12.1.4 - Amplificatore di transresistenza
AMPLIFICATORE DI TRANSRESISTENZA Vu = R mI e
Ii Iu
Zu Zi
Ie
ZG
Vi
Rm I i
Vu
ZL
V = I u
ZG . R m. e Z + Z G i
ZL Z L+ Z u e Zu
Vu = R mI e
se
Zi
figura 12.6
265
Amplificatori Capitolo 12 Si ha infine lamplificatore di transresistenza per il quale la variabile di ingresso una corrente e quella duscita una tensione (figura 12.6). ovvio che in questo caso lamplificazione Rm ha le dimensioni di una resistenza essendo il rapporto tra una tensione e una corrente. Lamplificatore reale approssimer nel suo comportamento quello ideale se le impedenze di ingresso e di uscita saranno ambedue trascurabili rispettivamente rispetto a quella ZG del generatore di segnale e quella ZL di carico. 12.2) Caratteristiche di un amplificatore reale. Stabilito che si possono avere quattro tipi fondamentali di amplificatore, conveniente a questo punto esaminare quali siano le principali caratteristiche di un amplificatore reale su cui conviene puntare lattenzione, quando se ne debba scegliere uno per una particolare applicazione. Esse possono essere elencate come segue: a) Tipo di amplificazione e di impedenze di ingresso e di uscita Lesame di queste caratteristiche permette di stabilire con quale tipo di amplificazione tra i quattro possibili si ha a che fare e quanto questamplificatore approssimer nel suo comportamento quello di un amplificatore reale. b) Dinamica di ingresso La dinamica di ingresso indica lintervallo di ampiezza del segnale di ingresso entro il quale lamplificatore pu essere considerato ancora un dispositivo lineare, tale cio che il legame tra segnale di ingresso e di uscita sia un legame di proporzionalit. Per un dispositivo reale ci verificato solo su un intervallo di ampiezze limitato, uscendo dal quale intervengono fenomeni di saturazione o di interdizione. c) Massima potenza di uscita Questo dato legato a come lamplificatore realizzato. opportuno ricordare che la potenza fornita al carico in pratica prelevata totalmente dallalimentazione, ma una certa aliquota di potenza si dissipa allinterno dellamplificatore stesso. Questa potenza si traduce in calore, che fa salire la temperatura dei componenti in maniera tanto pi marcata quanto minore la conducibilit termica verso il mondo esterno. Per non pregiudicare la vita dei componenti e per garantire una sufficiente affidabilit allapparecchiatura necessario quindi limitare la potenza dissipata e di conseguenza limitare la massima potenza in uscita. questo un dato caratteristico di ciascun amplificatore, di notevole importanza in relazione allutilizzazione particolare d) Banda passante questo un parametro estremamente importante. Si gi visto nei paragrafi precedenti che i vari stadi, che formano un amplificatore, hanno una risposta in frequenza sicuramente limitata verso le alte frequenze a causa delle caratteristiche intrinseche dei dispositivi attivi e possono avere delle limitazioni sulla risposta anche alle basse frequenze, se laccoppiamento tra stadio e stadio realizzato tramite condensatori o se in parallelo alla resistenza di emettitore della polarizzazione a partitore viene connessa una capacit. facilmente intuibile che in un amplificatore formato da pi stadi, ciascuno con banda passante limitata, la banda passante totale sar inferiore a quella del singolo stadio.
266
Amplificatori Capitolo 12 Con riferimento al diagramma di Bode di un amplificatore, riportato in figura 12.7, si definisce banda passante lintervallo di frequenza compreso tra la frequenza di taglio inferiore fi e quella superiore fs.
A dB A0
3 dB
fi
B
figura 12.7
fs
log
opportuno tuttavia far notare che esistono anche altre definizioni di banda passante; usuale, infatti, parlare di banda a -6 dB intendendo con questo lintervallo di frequenza compreso tra i punti che si trovano 6 dB sotto il guadagno di centro banda A0. Allo stesso modo si definisce la banda a -1 dB. Le due frequenze di taglio vanno tuttavia considerate in modo diverso. La frequenza fi, infatti, determinata da scelte progettuali e puo venir spostata verso il basso semplicemente aumentando il valore di capacit dei condensatori utilizzati o addirittura si pu portarla a coincidere con lo zero, accoppiando i vari stadi in continua ed eliminando le capacita di bypass di emettitore. La frequenza di taglio superiore invece determinata dalle capacit parassite dei dispositivi attivi e dipende quindi dai componenti utilizzati. Con transistori bipolari a giunzione si possono realizzare amplificatori il cui estremo superiore di banda pu giungere a qualche Ghz. Se si volesse superare questo limite di frequenza necessario utilizzare transistori ad effetto di campo di tecnologia particolare, che come materiale semiconduttore utilizzano anzich il silicio larseniuro di gallio, in cui la mobilit dei portatori maggioritari superiore, o altri materiali analoghi. In tal caso si pu giungere a frequenze superiori di taglio di qualche decina di Ghz. Per andare ancora pi in alto si usano dispositivi completamente diversi, cui non si ritiene opportuno in questa sede accennare. e) Slew rate Lo slew rate indica la massima velocit di variazione della tensione in uscita, misurata in volt/microsecondo o V/ sec. Se, infatti, si applica allingresso di un amplificatore un gradino di tensione ideale, tale cio che la transizione tra i due valori di tensione avvenga in un tempo nullo (condizione ovviamente ideale e impossibile fisicamente.- figura 12.8), si osserva che in uscita il gradino risulta deformato nel senso che la transizione tra i due livelli di tensione avviene in un tempo che per quanto piccolo non mai nullo (figura 12.9). 267
t
figura 12.8
necessario ricordare che la trasformata di Laplace di un gradino di ampiezza unitaria 1/s. Ci significa che il contenuto spettrale di un gradino contiene tutte le frequenze, e ciascuna riga spettrale ha unampiezza inversamente proporzionale alla frequenza.
Vu
t
figura 12.9
Lamplificatore tuttavia ha una banda passante superiormente limitata e quindi nel segnale duscita le frequenze pi alte risultano attenuate. La risposta quindi, come facilmente intuibile, viene rallentata.
268
Amplificatori Capitolo 12 In prima approssimazione si pu supporre che lamplificatore reale possa venir rappresentato con un amplificatore ideale senza limitazioni superiori di banda in serie con un filtro RC passa basso (figura 12.10).
R Amplificatore C
figura 12.10
Luscita di questo sistema quando lingresso un gradino ha ovviamente un andamento esponenziale, come facile verificare utilizzando le trasformate di Laplace. Si definisce tempo di salita tr il tempo necessario affinch la grandezza di uscita passi dal 10% al 90% del suo valore massimo, come illustrato nella figura 12.11.
v
90 %
10 %
tr
figura 12.11
Questo tempo di salita ovviamente legato alla frequenza superiore di taglio dellamplificatore e nel caso di sistemi a singolo polo si pu dire che: tr 0, 35 fs
Tutte queste considerazioni tuttavia valgono fino a che lamplificatore pu essere considerato un dispositivo lineare, cio fino a che non si supera con lampiezza del gradino la dinamica di ingresso. Se invece si continua a far crescere lampiezza dellingresso intervengono ad un certo punto fenomeni di non linearit che limitano la massima velocit con cui la tensione di uscita pu variare, e tale limitazione non e piu legata alla banda passante. 269
Amplificatori Capitolo 12 In sostanza, finch il funzionamento dellamplificatore lineare un aumento dellingresso determina un aumento delluscita, cresce la pendenza del tratto di transizione tra i due livelli del gradino e il tempo di salita rimane costante. Quando intervengono fenomeni di non linearit la pendenza del tratto di raccordo diventa costante e indipendente dallampiezza del segnale di ingresso e tale pendenza rappresenta lo slew-rate. f) Rumore In alcuni tipi di amplificatore assume particolare importanza il rumore che lamplificatore stesso genera. necessario, infatti, tener conto che allingresso dellamplificatore perviene dallesterno un segnale, che certamente affetto da una certa quantit di rumore. Lamplificatore, non essendo in grado di distinguere tra segnale utile e rumore, amplificher allo stesso modo ambedue ed in pi sovrapporr un rumore proprio generato internamente. In effetti, qualsiasi componente, come ad esempio una semplice resistenza, sede di un rumore di natura termica (rumore termico). Infatti, in tutti i materiali, che si trovino a temperature superiori allo zero Kelvin, vi unagitazione termica dei portatori liberi di carica, che fa si che agli estremi del componente si localizzi una tensione, a valor medio nullo, ma istante per istante diversa da zero. Dato quindi un resistore R, se si misura con uno strumento a valore efficace la tensione di rumore presente ai suoi capi, si pu verificare che: e2 n K. T. R. B
con en valore efficace della tensione di rumore, K costante di Boltzman, T temperatura assoluta in gradi Kelvin, R valore della resistenza e B banda passante dello strumento utilizzato per la misura. La resistenza genera cio un rumore il cui valore quadratico, o se vogliamo la cui potenza, uniformemente distribuita alle diverse frequenze. Pi sar larga la banda passante e maggiore sar il rumore raccolto. Un rumore di queste caratteristiche viene detto rumore bianco. Allinterno di un amplificatore vi sono sempre numerose resistenze ciascuna delle quali una sorgente di rumore. Anche i dispositivi attivi generano rumore, che ha tuttavia caratteristiche diverse. La potenza di rumore, in questo caso, anzich essere uniformemente distribuita alle diverse frequenze, grande alle basse frequenze e va via via diminuendo allaumentare della frequenza, stabilizzandosi ad un valore minimo una volta che sia superata una determinata frequenza limite. La funzione densit di potenza, Dp, quindi del tipo illustrato in figura 12.12. abbastanza ovvio che interessa poter avere degli amplificatori con il minimo rumore, proprio in modo da non peggiorare in uscita il rapporto segnale-rumore presente al suo ingresso. A tale scopo appare evidente che, poich in ambedue i rumori, che sono stati presi in considerazione, la tensione efficace di rumore aumenta allaumentare della banda passante, opportuno che la banda dellamplificatore sia quella strettamente necessaria alla particolare applicazione.
270
Dp
f
figura 12.12
a) Offset e derive Queste due caratteristiche riguardano essenzialmente gli amplificatori per grandezze continue, cio quegli amplificatori che non hanno una banda inferiormente limitata. Questi amplificatori sono quindi in grado di amplificare grandezze che variano anche molto lentamente. Di conseguenza la loro struttura tale che anche qualsiasi spostamento del punto di lavoro di uno stadio, per qualsiasi causa avvenga, provoca una variazione della grandezza di uscita, indistinguibile dalle variazioni dovute al segnale di ingresso. Si consideri, infatti, un amplificatore per grandezze continue cui sia applicato un determinato segnale di ingresso Vi in corrispondenza al quale sia presente in uscita la tensione Vu (figura 12.13).
vi
>
figura 12.13
vu
Si supponga ora che, a Vi costante, allinterno dellamplificatore il punto di lavoro di uno stadio si sposti, a causa ad esempio di una variazione di temperatura (che come si sa ha un notevole effetto sulle caratteristiche dei dispositivi semiconduttori) o ancora per effetto del semplice invecchiamento dei componenti. Poich lamplificatore per segnali continui, tale variazione, per quanto lenta sia, viene trasmessa in uscita, modificando il valore di Vu. Dalla semplice osservazione di Vu non si tuttavia in grado di dire se la variazione stata determinata da una modifica di Vi o da qualche altra causa. 271
Vu
v nu
vne
figura 12.14
Ve
necessario allora far si che le variazioni di Vu, dovute a cause interne allamplificatore, siano talmente piccole rispetto al pi piccolo segnale che si deve amplificare da poter essere considerate trascurabili. Si consideri ora la caratteristica di trasferimento di un amplificatore per tensioni continue. Se lamplificatore lineare la caratteristica di trasferimento una retta (figura 12.14). Non tuttavia affatto detto che la retta debba passare per lorigine degli assi. Questa retta, che rappresenta la caratteristica nominale dellamplificatore, pu venir identificata assegnando le coordinate di un suo punto, ad esempio P, e la sua pendenza (figura 12.14). Le coordinate vne e vnu prendono il nome rispettivamente di tensione nominale di ingresso e tensione nominale di uscita, mentre la pendenza della retta il coefficiente di amplificazione A. A vu ve
Lamplificatore per grandezze continue pu quindi essere visto come un circuito che trasforma variazioni del segnale di ingresso attorno al valore di riferimento Vne in variazioni proporzionali secondo il coefficiente A della tensione di uscita attorno al livello di riferimento Vnu. Se ora si prendono in considerazione n amplificatori nominalmente identici, oppure si verificano le caratteristiche dello stesso amplificatore man mano che il tempo passa, ci si accorge che le caratteristiche di trasferimento che si ottengono non coincidono con quelle fin qui prese in esame. Sia allora la caratteristica riportata a tratto e punto in figura 12.15 una di queste. Applicando pertanto a questamplificatore la tensione nominale vne si ottiene ovviamente in uscita una tensione diversa da vnu. La differenza vu v nu v u off
prende il nome di offset (fuori zero) in uscita. 272
Vu
offset di uscita vuu vu
offset di ingresso
vue
figura 12.15
ve
Vi
Se si vuole riportare luscita al suo valore nominale necessario agire sul segnale di ingresso portandolo al valore ve. La differenza ve v ne v e off
prende il nome di offset in ingresso. Offset in ingresso e offset in uscita sono legati tra loro dal coefficiente di amplificazione dellamplificatore, come immediato osservare dalla figura 12.15, porzione ingrandita della figura 12.14. v u off A. v e off
Assegnare quindi loffset di ingresso o quello di uscita la stessa cosa. Normalmente si preferisce riportare gli offset allingresso per confrontarli con il minimo segnale di ingresso che si vuole poter amplificare e che deve risultare molto maggiore delloffset stesso. Il costruttore dellamplificatore specifica qual il massimo offset con cui si pu avere a che fare scegliendo a caso un amplificatore nel complesso della produzione. La caratteristica di un amplificatore pu tuttavia differire da quella ideale (o nominale) non solo per le inevitabili tolleranze dei componenti che si hanno in produzione, ma anche perch esse dipendono da un certo numero di parametri, quali la temperatura, la tensione di alimentazione, linvecchiamento dei componenti e cos via. Le variazioni degli offset dovute a questi paramentri vengono dette derive. Si hanno pertanto derive in funzione della temperatura, derive in funzione della tensione di alimentazione, derive in funzione dellinvecchiamento e cos via. Offset e derive limitano la sensibilit dellamplificatore in quanto limitano il minimo valore del segnale di ingresso che pu essere discriminato da questi fenomeni. Si pu tuttavia notare che le derive sono un fenomeno peggiore degli offset. Gli offset, infatti, sono in qualche maniera compensabili, sommando ad esempio in ingresso o in uscita unopportuna tensione continua, determinabile con una taratura iniziale. Le derive invece non 273
Amplificatori Capitolo 12 sono compensabili in quanto dipendono da parametri difficilmente osservabili e controllabili. Unica misura che si pu pensare di adottare quella di ripetere frequentemente loperazione di taratura. 12.3) La controreazione Nei paragrafi precedenti stato pi volte messo in luce come i dispositivi elettronici attivi siano poco precisi e non garantiscano affatto una ripetibilit delle prestazioni. Questo fatto si riflette su tutte le strutture che con i dispositivi attivi vengono realizzate, impedendo di fatto che possa venir realizzato, ad esempio, un amplificatore le cui caratteristiche siano stabilite entro tolleranze molto strette. Si ricorre allora al principio della controreazione o reazione negativa secondo la quale luscita dellamplificatore viene confrontata con luscita desiderata e leventuale differenza, che rappresenta lerrore, viene riportata allingresso e utilizzata per correggere lerrore stesso. Si supponga di voler realizzare una certa caratteristica di trasferimento tra una grandezza E (tensione o corrente che sia) e unuscita che sia pari a U = k E.
+ -
E-E'
Amplificatore A
E'
1/k
figura 12.16
Se il segnale in uscita viene allora diviso per la costante k si dovrebbe ottenere E, ma in presenza di un errore si ottiene invece il valore E. La differenza E - E rappresenta allora lerrore che pu essere utilizzato per ottenere luscita secondo lo schema di figura 12.16. La condizione ideale da raggiungere quella in cui lerrore = E - E si annulla Poich un errore positivo significa che luscita troppo piccola rispetto a quella desiderata, mentre un errore negativo indica che luscita troppo grande rispetto a quella desiderata, risulta evidente che per ottenere gli effetti voluti lamplificatore deve avere un guadagno positivo. Inoltre per ridurre, per quanto possibile, lerrore, si intuisce che poich luscita finita, il guadagno dellamplificatore devessere il pi grande possibile; nel caso ideale infinito, in modo che con uscita U = k E lerrore sia nullo, in quanto anche vero che: U A e
A
lim
274
Amplificatori Capitolo 12 In sostanza la controreazione si riduce a riportare in ingresso unopportuna frazione delluscita sottraendola allingresso stesso e ad elaborare tale differenza con un amplificatore di sufficiente guadagno. altres evidente che poich, fisicamente, amplificatori di guadagno infinito non esistono, lerrore sar piccolo quanto si vuole, ma mai nullo. Con riferimento alla figura precedente si pu scrivere che: U A. A. E E ' A. E U k
Risolvendo rispetto a U si ottiene allora: 1 A .U k A.E cioe' U E A A 1 k k 1
k A
che rappresenta lamplificazione complessiva del sistema controreazionato. Se A sufficientemente grande da poter dire che: 1 allora U E k k A
che proprio quanto si voleva ottenere. evidente che la relazione ottenuta approssimata, ma lerrore che si commette tanto minore quanto pi il rapporto A/k grande.
-E
A k
1/k
figura 12.17
Il rapporto A/k viene chiamato amplificazione di anello, in quanto rappresenta, a meno del segno, lamplificazione che si otterrebbe tagliando lanello di reazione in un qualsiasi punto, inserendo in corrispondenza al taglio un segnale e valutando quanto si ottiene allaltro capo del taglio (figura 12.17). 275
Amplificatori Capitolo 12 Il rapporto A/k viene usualmente identificato con il simbolo T. Il fatto che il guadagno di anello sia negativo sta ad indicare che la reazione realizzata negativa. facilmente intuibile che si pu realizzare anche una reazione positiva, quando il guadagno danello maggiore di zero. Come la reazione negativa tende a minimizzare lerrore, cos la reazione positiva tende ad aumentarlo. Una condizione interessante risiede tuttavia nel fatto che il guadagno complessivo del sistema, pari a U E k
in pratica indipendente dal guadagno A dellamplificatore, purch A sia sufficientemente grande, ma dipende unicamente dalla precisione con cui viene realizzato il blocco 1/k. Il coefficiente 1/k molto spesso viene identificato con il simbolo (da non confondersi con il guadagno di corrente dei transistori a giunzione). Riassumendo, lamplificazione con controreazione data da: AR K 1 1 T
e quanto maggiore T tanto maggiore la precisione ottenuta rispetto alla funzione desiderata Ad k
Esempio Si supponga di voler ottenere un guadagno k=10. Operando senza controreazione e supponendo che gli amplificatori abbiano unimprecisione massima del 10% si sarebbero ottenuti sistemi il cui guadagno risulta compreso tra 9,9 e 10,1. Se invece si ricorre alla controreazione e si utilizzano amplificatori il cui guadagno nominale sia pari a 104, il guadagno del sistema complessivo sar compreso tra: AR
min
10 1 1 9000 10
1 1 0,0111
9 ,989
e AR
max
10 1 1 11000 10
1 1 0, 0091
9 , 99
276
Amplificatori Capitolo 12 Pu sembrare a prima vista che quanto esposto sia un puro gioco di parole in quanto la precisione viene pur sempre a dipendere dalla precisione del blocco 1/k. necessario tuttavia tener presente che gli elementi maggiormente imprecisi sono quelli attivi e quindi il guadagno dellamplificatore che non pu venir assicurato con la necessaria precisione, mentre il blocco 1/k, che il pi delle volte pu venir realizzato con puri componenti passivi, pu facilmente raggiungere la precisione richiesta. Ulteriore vantaggio della controreazione risiede nel fatto che la distorsione si riduce con laumentare del guadagno di anello. Gli elementi attivi utilizzati negli amplificatori non sono, infatti, elementi perfettamente lineari e vengono in prima approssimazione considerati tali solo a piccoli segnali. Pertanto lamplificazione nella realt varia al variare del segnale di ingresso. Poich tuttavia la controreazione tende a rendere lamplificazione del sistema complessivo largamente indipendente dallamplificatore utilizzato, purch il suo guadagno sia sufficientemente elevato, le distorsioni introdotte dal blocco amplificatore avranno uninfluenza molto meno marcata sulluscita rispetto al caso in cui la controreazione non viene utilizzata. La riduzione dellordine di 1/T. Infine la controreazione allarga la banda passante, sempre per gli stessi motivi. Quando, infatti, lamplificatore, per effetto dei poli e degli zeri agli estremi della banda, presenta una riduzione dellamplificazione A, se lamplificazione danello T rimane sufficientemente elevata, il guadagno del sistema in pratica non ne risente. Poich la frequenza di taglio si ha quando lamplificazione si riduce rispetto a quella nominale di 3 dB, cio quando lamplificatore : 1 A no min ale 2 il taglio nel sistema reazionato, la cui amplificazione : Ak k 1 1 T
si avr quando il valore del guadagno di anello si avvicina allunit. In sostanza la controreazione tende a migliorare in maniera anche considerevole tutte quelle prestazioni che risultano fortemente influenzate da variazioni di amplificazione. sufficiente per ottenere questi miglioramenti che A>>k; I risultati saranno tanto migliori quanto pi A elevata. Ulteriore vantaggio della reazione negativa che le impedenze di ingresso e di uscita del sistema reazionato si avvicinano al valore ideale. Un amplificatore di tensione, ad esempio, dovrebbe avere unimpedenza di ingresso la pi alta possibile e unimpedenza di uscita che per quanto possibile sia prossima a zero. La prima delle due condizioni si rende necessaria per impedire che la tensione di ingresso si ripartisca tra impedenza interna del generatore di segnale e impedenza di ingresso dellamplificatore, la seconda per impedire la ripartizione della tensione di uscita tra impedenza interna dellamplificatore e carico. Ora la controreazione tende a far s che il valore delluscita sia esattamente quello comandato dallingresso, indipendentemente dalla situazione di carico. Nel caso dellamplificatore di tensione, si ottiene pertanto che:
277
Z ing
Zi . 1 T
Z out
Zu 1 T
dove con Zi e Zu si sono indicate rispettivamente le impedenze di ingresso e di uscita dellamplificatore non reazionato e con Zing e Zout le analoghe grandezze dellamplificatore reazionato. Si vede immediatamente che al crescere del guadagno di anello limpedenza Zing tende allinfinito, mentre quella Zout tende a zero. Le relazioni appena introdotte possono essere ricavate con alcune semplici operazioni, valutando come si comporta lamplificatore reazionato alle porte di ingresso e di uscita in relazione al comportamento del medesimo amplificatore non reazionato. Se, infatti, la tensione Ve venisse applicata allingresso dellamplificatore non reazionato, la corrente assorbita allingresso sarebbe: Ii Ve Zi
Nellamplificatore reazionato invece la situazione dellingresso si pu schematizzazione come in figura 12.18, avendo indicato con VR la frazione della tensione di uscita sottratta dal segnale Ve in ingresso.
I' i
vR
ve
Zi
figura 12.18
La corrente di ingresso sar quindi: I 'i Ora VR 1 Vu k 1 k . . Ve k 1 k A 278 Ve . 1 1 1 T Ve Zi VR
Amplificatori Capitolo 12 e quindi 1 1 Zi
Ve . 1 I 'i
1 T
Ve .
1 T Zi
Limpedenza vista dal generatore di segnale pertanto: Z ing Ve ' I1 Zi . 1 T
Limpedenza di uscita dellamplificatore controreazionato pu poi essere valutata come rapporto tra la tensione a vuoto e la corrente di cortocircuito. La tensione a vuoto : Vu Ve . 1 1 T k Ve . k. T 1 T Ve . A 1 T
mentre la corrente di cortocircuito : A. Ve Zu 1 .Vu k
I cc
e tenendo conto che in corto circuito Vu = 0 si ha infine I cc In definitiva Zout Vu I cc Zu 1 T Ve .A Zu
Analoghe considerazioni portano ad affermare che per un amplificatore di corrente: Z ing Zi 1 T Z out Zu . 1 T
e analoghe espressioni si possono ottenere per lamplificatore di transconduttanza e di transresistenza. Qualsiasi sia tuttavia il tipo di amplificatore si pu verificare che limpiego della controreazione tende ad avvicinare le impedenze dingresso e duscita a quelle del caso ideale.
279
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13
LAMPLIFICATORE OPERAZIONALE
13.1) L'amplificatore operazionale Nella maggior parte delle applicazioni di elettronica analogica il blocco di amplificazione A della struttura reazionata viene realizzata con dispositivi realizzati il piu' delle volte in tecnica integrata, detti amplificatori operazionali. Un amplificatore operazionale e' un dispositivo lineare ad alto guadagno che viene utilizzato in unione a componenti esterni per ottenere la desiderata caratteristica di trasferimento. Esso e' normalmente dotato di due ingressi denominati rispettivamente ingresso invertente e ingresso non invertente, intendendo con questo che i segnali presentati all'ingresso invertente si presentano all'uscita ruotati di fase di 180 mentre quelli che sono applicati all'ingresso non invertente escono in fase. I due morsetti di ingresso dell'amplificatore operazionale sono ambedue separati dal livello di riferimento delle tensioni, da quella cioe' che comunemente viene chiamata massa. La risposta di frequenza, la rotazione di fase dei segnali e la caratteristica di trasferimento del sistema complessivo formato da amplificatore operazionale e componenti esterni sono determinate proprio da questi ultimi, che vengono inseriti sia sulle linee di ingresso che in reazione. In termini ideali un amplificatore operazionale, rappresentato dal simbolo di figura 13.1, e' un amplificatore di tensione per grandezze continue con un guadagno estremamente elevato; nel caso ideale addirittura si considera che un amplificatore operazionale abbia un guadagno che tende all'infinito. L'amplificatore operazionale reale ha invece un guadagno compreso normalmente tra 103 e 106.
Capitolo 13
+ V i Vp Vn
figura 13.1
Vu
La tensione Vi viene normalmente applicata tra i due ingressi e si puo' quindi affermare, con riferimento al livello di tensione di massa, che l'operazionale amplifica la differenza delle tensioni applicate ai morsetti di ingresso. Se, infatti, si indica con A l'amplificazione cui ciascun segnale viene sottoposto si ha, tenendo conto della rotazione di fase introdotta dall'ingresso invertente e avendo indicato con Vn la tensione applicata a quest'ultimo e con Vp quella applicata all'ingresso non invertente
280
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Vu A.Vp A.Vn A. Vp Vn A.Vi
E' pertanto piu' opportuno parlare di amplificatore differenziale Ad anziche semplicemente di amplificatore e la relazione che lega la tensione di uscita a quella di ingresso, cui si fara' d'ora in avanti riferimento, e' pertanto: Vu A d .Vi
E' opportuno infine richiamare l'attenzione sul fatto che il valore di Ad e' largamente variabile tra un esemplare e l'altro dello stesso tipo di amplificatore. Il costruttore di solito garantisce solamente un valore minimo di amplificazione. Anche per lo studio dell'amplificatore operazionale e' necessario far riferimento ad un modello, in quanto l'effettiva realizzazione circuitale puo' utilizzare fino ad un centinaio di elementi attivi, di solito transistori bipolari a giunzione. Il modello cui si fa riferimento e' simile a quello di tutti gli amplificatori di tensione introdotto ai capitoli precedenti. Alle basse frequenze, cioe' alle frequenze alle quali tutti i fenomeni reattivi sono trascurabili, il modello assumera' la forma di figura 13.2, mentre alle frequenze piu' elevate le due resistenze ri e ro di ingresso e di uscita vanno ovviamente sostituite con impedenze in modo da tener conto anche dei fenomeni reattivi.
Ii Vi
+ ri -
ro A d Vi
Vu = A d .Vi
figura 13.2
In corrispondenza ai morsetti di ingresso, ambedue separati come si e' detto dal riferimento comune, sono riportati i due segni + e - per identificare qual'e' il morsetto invertente e quale quello non invertente; in sostanza si indica in tal modo qual'e' il segno della tensione di ingresso che comanda il generatore del circuito d'uscita. 13.2) Configurazioni base dell'amplificatore operazionale. a) Amplificatore non invertente. Indicando con Ve la tensione di ingresso di un amplificatore e con Vu la corrispondente tensione di uscita, in un amplificatore non invertente il legame tra queste due grandezze e' dato da:
281
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Vu k.Ve
con k numero reale positivo. Una struttura che fa uso di un amplificatore operazionale, della controreazione e che presenta un legame ingresso uscita di questo tipo e' quella illustrata in figura 13.3, nella quale la tensione di uscita, dopo essere stata applicata al partitore formato dalle resistenze R1 e R2, con rapporto di ripartizione 1/k, viene confrontata con la tensione Ve, applicandola all'ingresso invertente dell'amplificatore.
Ve
Vi R2
Vu
VR
figura 13.3
R1
Si vede immediatamente che Vi Ve VR
Sostituendo l'amplificatore operazionale con il suo circuito equivalente, si ricava il circuito di figure 13.4.
+ Vi ri Ve
ro A d Vi R2
Vu
VR
R1
figura 13.4
Dall'esame di tale circuito si ricava immediatamente che: Ve Vi VR
282
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 si ha: Tenendo poi presente che, trascurando in prima approssimazione la caduta ai capi di ro, Vi Vu Ad
e che, se ri >>R1 e R2, si puo' ragionevolmente affermare che VR Vu k con k R1 R2 R1
Si ottiene allora, sostituendo le ultime due espressioni nella precedente e risolvendo rispetto Vu Vu Ve . k . 1 1 k Ad
L'espressione ricavata e' quella ben conosciuta per lamplificatore reazionato. Se il guadagno di anello e' sufficientemente elevato, come e' lecito aspettarsi in quanto il guadagno Ad di un amplificatore operazionale e' sempre molto elevato, si ottiene in via approssimata che: Vu k.Ve R2 R1 R1 .Ve
L'amplificazione dipende quindi solo dalle due resistenze inserite nell'anello di reazione; dipende cioe' solo da parametri passivi che possono essere conosciuti con precisione anche notevole. Non ha invece alcuna importanza il valore dell'amplificazione Ad, a patto che essa sia sufficientemente elevata. Si prenda ora in considerazione la caratteristica di trasferimento di un amplificatore operazionale (figura 13.5), cioe' l'andamento della tensione di uscita in funzione delle tensione di ingresso.
Vu
Vu max
Vi
Vu min
figura 13.5
283
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Si vede che il legame lineare tra tensione di uscita e tensione di ingresso si estende su una dinamica di ingresso molto limitata in quanto il guadagno dell'amplificatore e' molto elevato e al di sopra di un valore massimo di tensione di uscita, prossimo di solito alla tensione di alimentazione, normalmente bilanciata, interviene il fenomeno della saturazione. L'intervallo di utilizzo dell'amplificatore risulta allora limitato all'intervallo di tensioni di uscita compreso tra Vu min e Vu max. Le corrispondenti tensioni di ingresso, nella zona di funzionamento lineare, sono allora molto piccole. Se ad esempio si avessero: Vu
min
10 V
Vu
max
10 V
Ad
105
che sono valori del tutto ragionevoli per un amplificatore operazionale, le corrispondenti tensioni di ingresso si troverebbero comprese nellintervallo tra -100 V e +100 V. Facendo riferimento ad un caso ideale in cui si ipotizza che il guadagno Ad tenda all'infinito, si puo' pensare allora che, finche' l'amplificatore operazionale lavora in zona lineare, la tensione di ingresso sia nulla. Alla luce di queste considerazioni si puo' riprendere in esame il circuito equivalente dell'amplificatore operazionale (figura 13.2). Con un guadagno molto elevato, al limite tendente all'infinito, si ha: Vi Vu Ad 0
ma, se la tensione Vi e' nulla, purche' ri non sia a sua volta nulla, la corrente di ingresso Ii Vi ri 0
anche se la resistenza di ingresso e' di piccolo valore. Unica ipotesi importante e' che il guadagno Ad sia molto elevato. Le considerazioni appena fatte permettono di introdurre il concetto di cortocircuito virtuale, Poiche' Vi 0 i due terminali di ingresso appaiono come se fossero cortocircuitati, tuttavia con guadagni Ad molto elevati anche la corrente Ii e' molto piccola, e nel caso di un amplificatore operazionale ideale di guadagno infinito e' nulla. In altre parole la porta di ingresso si comporta per quanto riguarda la tensione come un cortocircuito, mentre per quanto riguarda la corrente essa si comporta come un circuito aperto. La relativa caratteristica volt-amperometrica coincide con l'origine degli assi. Ovviamente il cortocircuito virtuale e' una pura concettualizzazione, tuttavia risulta di indubbia utilita' in quanto permette di semplificare notevolmente l'analisi circuitale degli amplificatori operazionali. A titolo di esempio si riprenda in considerazione l'amplificatore non invertente di cui si e' gia' trovata in precedenza l'espressione del guadagno. Dal concetto di cortocircuito virtuale si sa che: Vi Si ricava quindi che: 0 Ii 0
284
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 VR R1 . Vu R1 R 2 VR e di
D'altra parte, utilizzando l'ipotesi di cortocircuito virtuale si ottiene che Ve conseguenza: Vu R1 . Ve R1 R 2
Si e' ritrovata quindi la stessa relazione che era gia' stata ricavata in precedenza, ma in questo caso ci si rende immediatamente conto che la resistenza di ingresso ri ha una scarsa influenza sul risultato ( nel caso di un amplificatore operazionale ideale di guadagno infinito il valore di ri, purche' non nullo, non avrebbe assolutamente alcuna importanza). Il modo di procedere che sfrutta il concetto di cortocircuito virtuale e che e' stato presentato nell'esempio appena svolto, puo' venir impiegato con qualsiasi configurazione circuitale, rendendo piu' semplice e piu' spedita l'analisi del circuito. Si prendano ora in esame le impedenze di ingresso e di uscita dellamplificatore in configurazione non invertente. Dallesame del circuito riportato in figura 13.6
k= Ii Vi Z ing Ve R1 + R 2 R1 I I1 R2 Z out V
+ ri -
ro A d Vi
I2
R1
figura 13.6
limpedenza di ingresso e data da: Z ing Ve Ii
Dalle considerazioni appena fatte in relazione al cortocircuito virtuale si sa che Ii 0 e quindi si puo immediatamente concludere che limpedenza di ingresso sara alta e nel caso di amplificatore ideale tendera allinfinito. Quando lamplificazione differenziale Ad e finita si ha che:
285
Vi
Vu Ad
Ii
Vi ri
Vi A d .ri
Sostituendo al posto di Vu la sua espressione in funzione di Ve e ricordando che nel caso di amplificazione Ad finita Vu k. Ve 1 1 T
con T amplificazione di anello pari a Ad/k, si ottiene: Ii k.Ve k 1 .A d .ri Ad Ve Ad 1 .ri k
Si ottiene in definitiva che limpedenza di ingresso vale: Z ing Ve Ii ri . 1 Ad k ri . 1 T
Quanto maggiore e il guadagno di anello e tanto maggiore e limpedenza di ingresso. Tenendo presente che in un amplificatore operazionale il guadagno Ad e molto elevato non e difficile rendersi conto che limpedenza di ingresso di un amplificatore in configurazione non invertente e comunque molto alta. A titolo di esempio si supponga di voler realizzare un amplificatore di guadagno k=10 e di usare un amplificatore operazionale la cui amplificazione differenziale si pari a 105. Il guadagno di anello sara allora: T Ad k 10 4
Un valore ragionevole per la resistenza ri di ingresso di un amplificatore operazionale di medie caratteristiche e dellordine del centinaio di kiloohm. Si ottiene allora che: Zing 10 5. 1 10 4 10 9
E questa unimpedenza di ingresso elevatissima, che rende non piu trascurabili le resistenze di isolamento dei cablaggi. Per quanto riguarda limpedenza di uscita, sempre con riferimento al circuito equivalente di figura 13.6, essa puo venir calcolata ponendo a zero Ve, inserendo in uscita un generatore di tensione V e valutando la corrente I che circola sul morsetto di uscita in queste condizioni. Si ha in tal caso:
286
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Zout V I
Per lequilibrio delle correnti nel nodo di uscita si ottiene: I I1 I 2
avendo indicato con I1 la corrente che si chiude attraverso le resistenze R1 e R2 e con I2 quella che entra dal morsetto di uscita dellamplificatore. Ora I1
'
' 1
V R2
dove R1 e il parallelo di R1 e ri. La componente I2 puo venir calcolata scrivendo lequazione di maglia lungo il percorso che comprende r0 e il generatore di tensione Ad.Vi. I2 Osservando ora che : Vi si ricava in definitiva: V A d .V. r0
' R1 ' R1 R 2 ' V.R 1 ' R1 R 2
V A d .Vi r0
V.
1 T' r0
Se ri e molto maggiore di R1 T e praticamente uguale a T e comunque anche T ha un elevato valore in quanto Ad e molto grande. Se poi r0 1 T'
' R1 R 2
come normalmente avviene in qualsiasi amplificatore operazionale in quanto r0 e relativamente piccola, si puo concludere che I I2 e si ottiene in definitiva che: Zout V I r0 1 T' 1 T r0
287
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Il valore tipico di r0 per un amplificatore operazionale di medie caratteristiche e dellordine della cinquantina di ohm. Nelle stesse condizioni dellesempio precedente e cioe con k = 10 e Ad = 105 si ottiene: Z out 50 1 10 4 5.10
3
Limpedenza di uscita cioe e di 5 milliohm, cosa che permette di affermare che lamplificatore non invertente si comporta in uscita come un generatore di tensione, rendendo in tal modo non piu trascurabili le resistenze parassite dei collegamenti. I risultati raggiunti permettono di affermare che la tensione di uscita e di conseguenza lamplificazione sono indipendenti dalle condizioni di carico, ma naturalmente questo non significa che in uscita si possa prelevare qualsiasi corrente. Ciascun amplificatore infatti puo erogare, rimanendo in zona di funzionamento lineare, una corrente massima e non di piu. Se questo limite viene superato si esce dalla zona lineare di funzionamento e tutte le condiderazioni fatte fino a questo momento perdono di validita. b) Linseguitore di tensione (Voltage follower) Una particolare importanza assume lamplificatore non invertente in cui R1 tenda allinfinito, cioe al circuito aperto, come e illustrato nella figura 13.7.
Ve R2
figura 13.7
Vu
Questo circuito assume il nome di inseguitore di tensione o voltage follower in quanto lamplificazione complessiva e
R1
lim
R1 R 2 R1
e quindi Vu = Ve. Il medesimo risultato si sarebbe potuto raggiungere ponendo R2 = 0. In effetti il voltage follower viene normalmente realizzato utilizzando ambedue i provvedimenti secondo lo schema di figura 13.8.
288
Ve
Vi
Vu
figura 13.8
E facile verificare, anche attraverso il principio del cortocircuito virtuale, che il guadagno di questo stadio e unitario, ricordando infatti che, finche lamplificatore lavora in linearita, Vi =0 e che sullimpedenza Zi non circola corrente e quindi non circola corrente nemmeno nel loop di reazione, si puo immediatamente concludere che Ve = Vu. Linseguitore di tensione e particolarmente utile quando un generatore di impedenza interna ZG e tensione a vuoto Ve debba venir connesso ad un carico ZL, in modo che la tensione che si sviluppa ai capi di ZL sia il piu possibile uguale a Ve. Dallesame della connessione descritta e riportata in figura 13.9 si vede che la cosa e realizzabile solo se ZL e molto maggiore di ZG. ZG
Ve
ZL
figura 13.9
Avviene molto spesso nella pratica che un trasduttore (ad esempio di posizione, di temperatura o di altro tipo) si comporti come un generatore la cui impedenza interna e dello stesso ordine di grandezza o addirittura superiore a quella del carico cui deve venir applicata la tensione da esso prodotta. E ovvio che una connessione diretta tra trasduttore e utilizzatore darebbe luogo ad errori di entita inaccettabile, che oltre tutto verrebbero a dipendere dal valore dellimpedenza di carico. Tutta la corrente di carico dovrebbe inoltre essere fornita dal trasduttore stesso. Si puo allora pensare di inserire tra carico e trasduttore un inseguitore di tensione. Lelevatissima impedenza di ingresso di questultimo, pari a: Z ing Zi . 1 A d
fa si che il trsduttore lavori in condizioni che in pratica sono quelle di circuito aperto, mentre limpedenza di uscita, pari a
289
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Zout r0 1 Ad
e lo stesso guadagno dello stadio pari a 1 (con un errore dellordine di 1/Ad) garantisce che al carico risulti applicata proprio la tensione Ve. In piu la corrente che fluisce nel carico viene fornita dallamplificatore; la potenza necessaria cioe non deriva piu dal generatore di segnale, ma viene prelevata dallalimentazione. c) Lamplificatore di transresistenza. Per amplificatore di transresistenza si intende un amplificatore che riceve come segnale di ingresso una corremte Ie e fornisce in uscita una tensione Vu tale che: Vu k.I e
La realizzazione circuitale ottenuta con lutilizzo di un amplificatore operazionale e quella di figura 13.10.
+ Vi ri -
ro A d Vi
Vu
Ii A IZ Z
Ie figura 13.10
Per poter eseguire la reazione negativa e evidentemente necessario trasdurre la tensione di uscita in una corrente ad essa proporzionale in modo da poterla sottrarre alla corrente Ie di ingresso. Tale operazione si realizza molto semplicemente con lutilizzo dellimpedenza Z connessa tra uscita e ingresso invertente poiche: V Z.I
Dallequilibrio delle correnti secondo Kirchoff nel nodo A si ottiene che: Ie IZ Ii 0
290
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Tenendo presente lipotesi di cortocircuito virtuale, per la quale Ii = 0 si ottiene che la corrente Ie = - IZ e poiche anche Vi per la stessa ipotesi e nulla si ha in definitiva: IZ Vu Z e di conseguenza Vu Z.Ie
Per quanto riguarda limpedenza di ingresso si puo osservare che sempre in base allipotesi di cortocircuito virtuale la tensione del punto A e sempre nulla qualsiasi sia la corrente Ie. Questo comportamento viene identificato dicendo che A e una massa virtuale e porta alla conclusione che limpedenza di ingresso e nulla. Volendo determinare questa impedenza con maggior precisione si puo osservare che la tensione nel punto A e pari a Vi e che Vi =Vu/Ad. Pertanto Zing Vi Ie Vu A d .I e Vu A d .I Z Z Ad
Si riconferma una volta di piu che la reazione negativa tende a far avvicinare le caratteristiche del sistema reale a quelle di un amplificatore ideale. d) Lamplificatore invertente. Una semplice modificazione circuitale dellamplificatore di transconduttanza, in cui al generatore di corrente Ie di ingresso sia sostituito un generatore reale formato da un generatore di tensione Ve in serie con unimpedenza Z1, secondo lo schema riportato in figura 13.11, permette di ottenere un amplificatore di tensione invertente.
+ ri -
ro A d Vi
Vu
Z1 Ve
Z2
figura 13.11
Da quanto si e appena visto al paragrafo precedente si sa infatti che: Vu ma poiche A e una massa virtuale Z 2 .I e
291
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Ie e in definitiva Vu Z2 .Ve Z1 Ve Z1
Lamplificatore che si ottiene e quindi un amplificatore di tensione invertente, ma non presenta caratteristiche ottimali, che lo rendono simile ad un amplificatore ideale. Ci si rende infatti immediatamente conto che la sua impedenza di ingresso, anziche essere elevatissima (nel caso ideale infinita) e pari a Z1. Pertanto lamplificazione di uno stadio invertitore realizzato nel modo descritto risente dellimpedenza interna del generatore di segnale Ve. Poiche i generatori di tensione reali hanno sempre unimpedenza interna ZG non nulla, a differenza da quanto e stato ipotizzato nel circuito di figura 13.11, leffettiva amplificazione sara: Vu Z2 .Ve Z1 Z G
Fino a questo momento si tuttavia sempre supposto, sia pure implicitamente, che tutte le impedenze Z che comparivano nei vari circuiti fossero delle semplici resistenze. Tuttavia tale ipotesi non e affatto necessaria e, infatti, le relazioni trovate in precedenza non sono affatto condizionate dal supporre che le impedenze siano puramente resistive. Ci significa che unopportuna scelta di Z1 e Z2 permette di realizzare qualsiasi funzione di trasferimento. Si prenda allora in considerazione un amplificatore nella configurazione invertente in cui limpedenza Z1 sia una semplice resistenza R1, mentre quella Z2 sia formata dal parallelo di una resistenza R2 e un condensatore C, come illustrato in figura 13.12.
+ ri -
ro A d Vi
Vu
R1
R2
Ve
figura 13.12
In tal caso poiche Z1 = R1 e
292
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 R2 s.C R 2 s.C R2 1 s.C.R 2
Z2 si ottiene: Vu Ve
R2 1 . R 1 1 s.C.R 2
La funzione di trasferimento ha quindi un polo in p 1 C.R 2
e il diagramma di Bode del suo modulo e riportato in figura 13.13

dB
20 log
R2 R1
1 C.R 2
figura 13.13
log
Il sistema si comporta quindi come un filtro passabasso con frequenza di taglio pari a: f 1 2 .R.C
Se ad esempio si avesse R1 = 1 k , R2 = 100 k e C = 1 nF, si otterrebbe un guadagno pari a 40 dB e una frequenza di taglio di circa 1,6 kHz. Guadagno e frequenza di taglio possono essere modificati indipendentemente agendo su R2, R1 e C. Si possono ovviamente ottenere tipi di filtro diversi; ad esempio la struttura circuitale di figura 13.14
293
+ ri -
ro A dVi
Vu
R1
R2
Ve
figura 13.14
realizza la funzione di trasferimento Vu Ve s.C.R 2 1 s.C.R 1
che possiede uno zero nellorigine e un polo in p 1 C.R 1
mentre il guadagno per s vale R2/R1. Il diagramma di Bode del modulo di tale funzione di trasferimento e riportato in figura 13.15 e mette in luce che il comportamento del sistema e quello di un filtro passa alto con frequenza di taglio pari a: f 1 2 .C.R 1
Si intuisce, e si lascia al lettore lo sviluppo analitico, che scegliendo opportunamente Z1 e Z2, cioe posizionando opportunamente poli e zeri della funzione di trasferimento, si possa ottenere qualsiasi tipo di comportamento in frequenza. Si possono cioe realizzare filtri passa basso, passa alto, passa banda e elimina banda. E tuttavia necessario osservare che le due impedenze prese in considerazione introducono una uno zero nellorigine e un polo ad una determinata frequenza, laltra un semplice polo. Le funzioni di trasferimento realizzabili quindi, pur essendo di qualsiasi tipo, dovranno necessariamente essere semplici. In particolare la pendenza dei tratti inclinati non superera i 20 dB/decade e in molte applicazioni si rendono spesso necessarie pendenze superiori, ottenibili con funzioni di trasferimento di una certa complessita e facendo riferimento a poli complesso-coniugati anziche reali.
294

dB
20 log
R2 R1
1 C.R 1
figura 13.15
log
Dallelettrotecnica si sa che in reti realizzate solo con resistenze e capacita non si possono avere poli complesso-coniugati. Sarebbe quindi necessario utilizzare anche induttanze, che si preferiscono evitare per tutti i motivi che sono gia stati piu volte espressi. Fortunatamente poli complesso-coniugati possono venir realizzati con reti attive, cioe con reti che contengano solo resistenze e capacita, ma in piu utilizzino anche componenti attivi quali gli amplificatori operazionali. Si possono pertanto realizzare filtri di qualsiasi tipo e con qualsisi pendenza dei fianchi, ricorrendo eventualmente a reti quadripolari per realizzare le impedenze di ingresso e di reazione dellamplificatore operazionale, anziche bipolari quali quelle fino a questo momento prese in considerazione. La relativa struttura circuitale e riportata in figura 13.16.
Zr Ir
Ve
Zi
A Ii
Vu +
figura 13.16
Ricorrendo al concetto di massa virtuale e facile dimostrare che anche in tal caso Vu Zr .Ve Zi
295
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 quando con Z si siano indicate le transimpedenze dei due quadripoli, cioe il rapporto tra la loro tensione di ingresso e la corrente che si ricava in corrispondenza in uscita. Nel nodo A infatti si ha: Ii Ir ma I i Ve Zi Ir Vu Zr
Sono infine degni di considerazione due particolari circuiti; lintegratore e il derivatore. Si supponga di realizzare un circuito in cui Z1 una semplice resistenza, mentre Z2 realizzata con un condensatore di capacit C, come illustrato in figura 13.17. C Ve R
Vu
figura 13.17
Si sa che la tensione ai capi di un condensatore in funzione della corrente data da Vc 1 . i.dt C 0

t
V0
dove V0 la tensione ai capi del condensatore allistante iniziale (t=0). Ma, sempre per le stesse considerazioni gi fatte in precedenza e che ormai dovrebbero essere familiari, la corrente I fornita al condensatore I Ve R
e poich lingresso invertente una massa virtuale si ha che Vc Si ricava allora che Vu 1 . Ve .dt R.C 0
t
Vu
V0
La tensione di uscita cio, a meno della tensione V0, proporzionale secondo il coefficiente 1/RC allintegrale della tensione di ingresso.
296
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Alle medesime conclusioni si pu giungere ancora pi rapidamente utilizzando la trasformata di Laplace e supponendo che le condizioni iniziali siano VC = 0, come normalmente avviene. In termini di trasformate, la funzione di trasferimento dellamplificatore invertente Vu s Ma Z1 s R e Z2 s Z2 s .Ve s Z1 s
1 . Si ottiene perci s.C Vu s 1 1 . .Ve s R.C s
Si ricordi ora che moltiplicare per 1/s nel dominio della variabile s coincide con lintegrare nel dominio del tempo. Quindi antitrasformando si ottiene Vu 1 . Ve .dt R .C 0
t
Un circuito integratore si pu realizzare anche utilizzando per Z2 una semplice resistenza R e per Z1 un induttanza L. In tal caso, poich Z1 = s L si sarebbe ottenuto Vu s R 1 . .Ve s L s
Si ancora quindi in presenza di un circuito integratore in cui la costante di proporzionalit data dal rapporto R/L. Normalmente gli integratori vengono sempre realizzati utilizzando delle capacit in quanto gli induttori, per tutta una serie di motivi sono molto pi scomodi da impiegare. Un induttore reale, infatti, oltre ad essere di dimensioni notevolmente maggiori a quelle di un condensatore e ad essere difficilmente realizzabile con la richiesta precisione, si accompagna anche a elementi parassiti resistivi e capacitivi che allontanano il suo reale funzionamento da quello di un induttore ideale. Scambiando tra loro resistenza e capacit, come nel circuito illustrato in figura 13.18 si ottiene un circuito derivatore, cio un circuito in cui Vu Infatti Ie e C. dVe dt k. dVe dt
297
Vu
R. I e
R . C.
dVe dt
R C Vu
figura 13.18
Ve
Operando in termini di trasformata di Laplace Zi 1 s. C Z2 Z1 Z2 R
Vu s
R.C.s.Ve s
ma moltiplicare per s nel dominio di s equivale a derivare nel dominio del tempo. Perci Vu R .C. dVe t dt
ovvio che anche in questo caso un derivatore pu essere realizzato utilizzando per Z1 una semplice resistenza R e per Z2 uninduttanza L. In questo caso Vu L dVe . R dt
opportuno osservare che il circuito derivatore ha una diffusione molto minore di quello integratore. La risposta di frequenza di un derivatore, infatti, avendo uno zero nellorigine, del tipo mostrato in figura 13.19.
298
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 A dB
log CR
figura 13.19
Ora i segnali con cui si ha normalmente a che fare sono sempre a banda limitata, mentre i rumori, inevitabilmente presenti, hanno uno spettro, che nel caso del rumore bianco uniforme. Il derivatore quindi tende ad esaltare le componenti ad alta frequenza del rumore, peggiorando in uscita il rapporto segnale/disturbo. e) Lamplificatore di transconduttanza Si gi visto in precedenza che lamplificatore di transconduttanza quello in cui la relazione ingresso-uscita Iu k . Ve
Un amplificatore di questo tipo pu venir realizzato osservando che per sottrarre alla tensione di ingresso Ve un segnale che sia proporzionale alla corrente di uscita, secondo il principio della controreazione, necessario convertire la corrente Iu in una tensione ad essa proporzionale. Tale operazione pu venir facilmente realizzata facendo circolare la Iu su unapposita resistenza. Lo schema circuitale che cos si realizza e che fa uso di un amplificatore operazionale quello di figura 13.20 dove con ZL si indicato il carico cui la corrente Iu deve venir fornita.
Ve Vi Iu ZL VR
figura 13.20
299
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Secondo il principio del cortocircuito virtuale sullingresso invertente dellamplificatore operazionale non circola corrente e di conseguenza VR Poich anche Vi = 0 Ve e quindi Iu Ve R VR R. I u R. I u
Finch lamplificatore operazionale opera come un dispositivo lineare la corrente di uscita indipendente dal carico ZL ed proporzionale alla tensione di ingresso Ve, come si desiderava. Lamplificatore quindi si comporta come un generatore comandato ideale di corrente ed ha quindi unimpedenza duscita molto elevata, che, nellambito delle approssimazioni introdotte utilizzando il concetto di cortocircuito virtuale, tende allinfinito. Anche limpedenza dingresso, nellambito delle stesse approssimazioni, tende allinfinito, in quanto la corrente di ingresso nulla, qualsiasi sia Ve. Un circuito che funziona secondo gli stessi principi quello di polarizzazione a partitore del transistore (figura 13.21)
IC RB I B V B VE IE RE
figura 13.21
In questo caso la resistenza RE viene utilizzata per convertire la corrente di emettitore IE e di conseguenza la IC, ad essa proporzionale attraverso il coefficiente , in una tensione VE. Questa tensione viene poi sottratta a VB attuando quindi una reazione negativa tra corrente di uscita IC e tensione di ingresso VB. Come nel circuito realizzato con lamplificatore operazionale, la corrente di uscita IC tende a divenire indipendente dal valore del carico e dellamplificazione del sistema. ovvio che in questo caso la relazione ingresso uscita non pi quella ottenuta per lamplificatore di transconduttanza realizzato con un amplificatore operazionale. Non pi,
300
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 infatti, possibile utilizzare il concetto di cortocircuito virtuale in quanto n la tensione, n la corrente di ingresso sono nulle, e soprattutto perch il guadagno dellelemento amplificatore non talmente alto da poter essere considerato con buona approssimazione infinito. Tuttavia gli effetti sono analoghi e le variazioni della corrente di collettore risultano notevolmente ridotte rispetto a quelle che si avrebbero in assenza di controreazione. f) Lamplificatore di corrente In un amplificatore di corrente la relazione ingresso uscita e Iu k.Ie
Una realizzazione circuitale, che usi un amplificatore operazionale, necessita di un partitore di corrente in rapporto 1/k e lo schema relativo quello di figura 13.22
Iu
A
IR Ie R2
ZL R1
figura 13.22
Da questo schema si rileva che il punto A una massa virtuale. Quindi Ie ed essendo nulla la tensione del punto A IR Di conseguenza Iu R1 R1 R2 . Ie R1 .I u R1 R 2 IR 0
La corrente di uscita quindi proporzionale a quella di ingresso e non dipende n dallimpedenza di carico ZL n dalle caratteristiche dellamplificatore operazionale. Limpedenza di uscita quindi molto alta (nelle ipotesi di amplificatore operazionale ideale tende allinfinito) in quanto la corrente Iu non viene in alcun modo alterata quando varia ZL.
301
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Anche limpedenza di ingresso quella di un amplificatore di corrente ideale. La tensione al punto A sempre nulla, qualsiasi sia la corrente Ie, poich il punto A una massa virtuale. Limpedenza di ingresso di conseguenza nulla. opportuno rilevare che gli ultimi due tipi di amplificatore illustrati, quello di transconduttanza e quello di corrente, hanno ambedue gli estremi del carico fuori massa, e in alcune applicazioni pratiche questo fatto pu costituire un problema. Esistono tuttavia delle realizzazioni modificate, che non verranno prese in esame, ma che si possono facilmente reperire su qualsiasi manuale applicativo degli amplificatori operazionali, che permettono di superare tale inconveniente. 13.3) Il sommatore analogico. Malgrado che le caratteritiche dellamplificatore invertente non siano ottimali quale amplificatore di tensione, da esso viene derivato un certo numero di interessanti applicazioni, una delle quali e il sommatore analogico. Con tale nome viene indicato un amplificatore dotato di n ingressi alluscita del quale si raccoglie le tensione Vu
n i 1
a i .Vi
dove con Vi si e indicata la generica tensione di ingresso . Si tratta cioe di un amplificatore la cui uscita e una combinazione lineare secondo i coefficienti ai delle tensioni di ingresso. La realizzazione circuitale e riportata in figura 13.23. Come gia si sa dallamplificatore di transconduttanza Vu ma dallequilibrio delle correnti nel nodo B Ie I1 I2 ..... I n Z.I e
+ V1 V2 Vn
Z1 Z2
Ie B
Vu
Z
Zn
figura 13.23
e poiche tale punto e una massa virtuale
302
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Ie In definitiva si ricava che: Vu

n i 1
V1 Z1
V2 Z2
....
V3 Z3
Z .Vi Zi
Il circuito sommatore e estremamente semplice e viene utilizzato tutte le volte in cui sia necessario eseguire la somma pesata di diverse grandezze di ingresso. 13.4) Lamplificatore differenziale. Si consideri la seguente configurazione circuitale (figura 13.24):
Vin
R1
R2
Vout Vin
-
R3
R4
figura 13.24
La tensione di uscita Vout si puo ricavare a partire dalle due tensioni di ingresso Vin e Vin per sovrapposizione degli effetti, ponendo di volta in volta a zero una delle due tensioni di ingresso e calcolando il contributo alla tensione di uscita dovuto allaltra tensione. Utilizzando il concetto di cortocircuito virtuale e considerando il contributo dovuta a Vin e ricordando inoltre che limpedenza di ingresso dellamplificatore non invertente tende allinfinito, si ricava: Vout mentre il contributo dovuto a Vin e: Vout Poiche Vout Vout Vin . R4 R3 Vin . R2 R R4 . 3 R1 R 2 R4
Vout e imponendo che R1 = R3 e R2 = R4 si ottiene:
303
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 Vout R4 . Vin R3 Vin
Si e pertanto ottenuto un amplificatore che amplifica la differenza dei segnali di ingresso e che per questo motivo viene detto amplificatore differenziale. Il coefficiente R4/R3 viene detto amplificazione differenziale. Si noti che se ai due ingressi venisse applicato lo stesso segnale, applicando cioe quello che viene chiamato segnale di modo comune, luscita sarebbe sempre nulla. Lamplificazione di un segnale di modo comune, detta appunto amplificazione di modo comune, e quindi sempre nulla. In un amplificatore reale tuttavia lamplificazione di modo comune, per tutta una serie di motivi che verranno presi in considerazione nel seguito, non e mai nulla; indicando pertanto con Ad lamplificazione differenziale e con Acm quella di modo comune, si definisce reiezione di modo comune e si indica con la sigla CMR il rapporto CMR Ad A cm
mentre con rapporto di reiezione di modo comune (CMRR) si intende la sua misura in decibel. CMRR 20.log10 Ad A cm
Nel caso ideale ovviamente sia il CMR che il CMRR tendono allinfinito. E necessario rilevare che la struttura circuitale presa in considerazione, di assoluta semplicita, presenta tuttavia delle notevoli carenze rispetto alle caratteristiche di un amplificatore differenziale ideale. In primo luogo le impedenze di ingresso sono abbastanza basse e diverse tra di loro. Quella vista dallingresso non invertente e, infatti, approssimativamente pari a R1 + R2, mentre quella vista dallingresso invertente e R3 = R1. Affinche il guadagno differenziale sia quello che e stato ricavato in precedenza e quindi necessario che le impedenze interne delle sorgenti di segnale siano molto basse e al limite nulle. Quando poi queste impedenze non fossero uguali tra di loro il CMR ne risulterebbe compromesso. Vi e inoltre la necessita di una scelta molto accurata delle resistenze del circuito pena una degradazione molto rapida del CMR stesso. Luscita di modo comune e, infatti (ponendo Vin Vin Vin ): V0 cm Vin . R2 R R4 . 3 R1 R 2 R4 R4 R3
Supponendo che una delle resistenze, ad esempio R2, differisca dalle altre tre delluno per mille, si ottiene ponendo R2 = 0,999 R, con R valore delle rimanenti resistenze: V0 cm Vin . 0,9994998 1 0,0005Vin
304
Lamplificatore Operazionale Capitolo 13 con un CMRR pari a 66 dB, che non e certo un valore soddisfacente. 13.5) Amplificatori non lineari Partendo sempre dallamplificatore di transresistenza, si possono realizzare anche amplificatori il cui legame in ingresso/uscita sia non lineare. Un caso tipico quello dellamplificatore logaritmico in cui Vu k 1 .log k 2 . Ve
Si noti che k2 deve avere le dimensioni del reciproco di una tensione in quanto loperatore logaritmico opera su numeri reali puri. Di conseguenza k1 dovr avere le dimensioni di una tensione. Per realizzare un amplificatore di questo tipo sar necessario ricorrere a qualche elemento circuitale in cui il legame tra tensione e corrente sia di tipo logaritmico. Ora la giunzione pn proprio un elemento di questo tipo. Infatti, in un diodo la caduta diretta legata alla corrente da una relazione del tipo:
VD
ID
IS . e
. VT
Se tuttavia il diodo sufficientemente conduttore non si commette un grosso errore ponendo ID e quindi VD .VT . ln ID IS IS .e
VD . VT
che proprio il legame logaritmico cercato. Realizzando allora la configurazione circuitale di figura 13.25, si ottiene che Vu . VT .ln Ie Is . VT .ln Ve R. I S
Si quindi ottenuto un amplificatore logaritmico in cui le due costanti k1 e k2 valgono: k1 . VT k2 1 R. I S
la prima con le dimensioni di una tensione, la seconda con le dimensioni del reciproco di una tensione, come si voleva.
305
D Ve R Ie
figura 13.25
Vu
Lamplificatore logaritmico reale non cos semplice, in quanto nella realizzazione ipotizzata i due coefficienti k1 e k2 dipenderebbero in modo molto marcato dalla temperatura, in modo particolare il coefficiente k2 poich IS ha una dipendenza esponenziale dalla temperatura stessa. Si utilizzano normalmente dei circuiti di compensazione che rendono la struttura notevolmente pi complessa, ma il principio di funzionamento quello descritto. Il circuito messo a punto pu tuttavia funzionare solo per tensioni di ingresso positive, in quanto solo tali tensioni portano in conduzione il diodo. Questa tuttavia non una limitazione in quanto la funzione logaritmo definita positiva. Un amplificatore logaritmico pu venir utilizzato come compressore di dinamica, permettendo di elaborare segnali in cui il rapporto tra valore massimo e minimo sia molto elevato. Quando anzich il segnale se ne considera il logaritmo, il rapporto tra valore massimo e minimo diventa molto minore. Un esempio tipico di utilizzazione di amplificatori logaritmici si ha nella realizzazione di strumenti che effettuino la misura direttamente in decibel. Come negli esempi visti in precedenza, scambiando tra loro diodo e resistenza si possono realizzare amplificatori di tipo antilogaritmico o esponenziale. interessante notare che utilizzando amplificatori di tipo logaritmico e antilogaritmico e un semplice sommatore analogico, si in grado di realizzare un circuito moltiplicatore, cio un circuito in cui luscita proporzionale al prodotto delle tensioni di ingresso (figura 13.26) La tensione di uscita sar, tenendo prese4nte che nel caso dellamplificatore 1 1 1 ' e che ln k 2 .V1 ln k 2 .V2 ln k 2 .V1 .V2 antilogaritmico k 1 R .I S e k '2 2 k2 k1 .VT Vu 1 ln k 2 .V1 .V2 .e 2 k2 k 2 .V1 .V2
306
V1
Amplificatore logaritmico
k 1 ln k 2V1 +
k 1 (ln k 2V1 + k 1 k 2 ) ln V 2
V2
Amplificatore logaritmico
k 1 ln k 2V2
Ve Amplificatore antilogaritmico
figura 13.26
Vu = k 1 e
k 2 Ve
307
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14
LAMPLIFICATORE OPERAZIONALE REALE

14.1) Considerazioni introduttive. In tutte le considerazioni condotte fino a questo momento riguardanti gli amplificatori operazionali si e sempre supposto che essi fossero degli elementi ideali. E necessario tuttavia prendere in considerazione cosa accade quando alcune ipotesi di idealita vengono a cadere. Si consideri a tale scopo un amplificatore operazionale (figura 14.1) e si prenda in esame come questo viene eccitato in ingresso.
Capitolo14
+ Vi V1 V2
figura 14.1
Vu
In precedenza, in pratica in tutti i casi presi in esame, si e considerata come porta di ingresso dellamplificatore operazionale la tensione Vi, cioe la tensione presente tra ingresso non invertente e ingresso invertente. Nella realta' in qualsiasi sistema che elabori segnali elettrici, e in particolare nellamplificatore in esame, tutte le tensioni vengono riferite ad un livello comune, detto livello di riferimento o massa, che convenzionalmente viene posto a 0 volt. In assenza di tale riferimento comune non vi potrebbe essere nessun scambio di informazione tra apparecchiature diverse e addirittura nella stessa apparecchiatura non vi potrebbe essere alcuna trasmissione di informazione tra ingresso ed uscita. Indicando allora con V1 e V2 le tensioni tra i due ingressi non invertente e invertente e il riferimento comune, si puo scrivere che: Vi V1 V2
Ci si rende conto cioe che lamplificatore operazionale, cosi come e stato introdotto, e esso stesso un dispositivo differenziale. 14.2) Guadagno differenziale e guadagno di modo comune. Quanto esposto al paragrafo precedente puo essere piu convenientemente rappresentato osservando che:
308
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 V1 V1 2 V2 V1 2 V2
V1
V2
V1
V1
V2
Il circuito di figura 14.1 puo allora essere sostituito da quello di figura 14.2, che agli effetti esterni e ovviamente equivalente.
V1 -V2 2
G1
G2
V2 -V1 2 V u
G3
V1 +V2 2
figura 14.2
Si noti che il segnale fornito dal generatore G3 viene applicato ad ambedue gli ingressi; in altre parole e un segnale comune ai due ingressi dellamplificatore operazionale. Per tale motivo il generatore G3 viene detto generatore di modo comune e il segnale del generatore G3 viene chiamato tensione o segnale di modo comune e indicato con il simbolo Vc. Il segnale V1 V2 viene invece chiamato tensione o segnale di modo differenziale e indicato con il simbolo Vd. Lamplificatore differenziale puo quindi, sulla base delle definizioni appena introdotte, essere rappresentato dalla configurazione circuitale di figura 14.3, in cui sono stati evidenziati i due generatori di modo differenziale e quello di modo comune.
Vd 2 Vc
Vd 2
Vu
figura 14.3
309
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 Poiche vale il principio di sovrapposizione degli effetti, in quanto lamplificatore operazionale e un elemento lineare, si puo affermare che: Vu A 1 .V1 A 2 .V2
Luscita cioe e una combinazione lineare secondo i due coefficienti A1 e A2 delle tensioni di ingresso V1 e V2. Tenendo ora presente che: V1 si ottiene in definitiva: Vu Vd . A1 2 A2 Vc . A 1 A2 Vd 2 Vc e V2 Vd 2 Vc
Indicando con Ad il coefficiente del termine differenziale e con Ac quello delleccitazione di modo comune si ha: Vu con Ad A1 2 A2 e Ac A1 A2 A d .Vd A c .Vc
Si ricordi ora che A1 altro non e se non lamplificazione tra ingresso non invertente e uscita, cosi come A2 e quella tra ingresso invertente e uscita. A1 Vu V1 A2
V2 0
Vu V2
V1 0
Le due amplificazioni sono ovviamente di segno opposto e quindi lamplificazione differenziale sara pari alla semisomma dei loro valori assoluti, mentre lamplificazione di modo comune e data dalla differenza tra il valore assoluto di A1 e il valore assoluto di A2. Se si suppone, come avviene nella realta, che A1 sia in valore assoluto molto prossimo al valore assoluto di A2, si deduce che lamplificazione di modo comune assume valori molto piccoli, mentre quella differenziale e dello stesso ordine di grandezza di A1 e A2. Elaborando lespressione precedentemente ricavata per Vu si ottiene: Vu A d .Vd A c .Vc A d .Vd . 1 A c Vc . A d Vd
Si vede pertanto che luscita di un amplificatore operazionale reale sara tanto piu prossima a quella di in amplificatore operazionale ideale quanto minore e il termine 310
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 A c Vc . A d Vd rispetto allunita. A parita di rapporto tra leccitazione di modo comune ed eccitazione differenziale, tale termine sara tanto minore quanto maggiore e il rapporto CMR Ad Ac
che prende il nome di reiezione di modo comune (common mode rejection). In un amplificatore operazionale reale, in cui amplificazione da ingresso non invertente e amplificazione da ingresso invertente coincidono, si ha che lamplificazione differenziale coincide con A1, quella di modo comune e nulla e il rapporto di reiezione di modo comune tende allinfinito. La misura in decibel della reiezione di modo comune prende il nome di rapporto di reiezione di modo comune (common mode rejection ratio) e viene indicata con: CMRR dB 20 log Ad Ac
Un amplificatore operazionale reale ha un CMRR dellordine di 70 80 dB. Cio significa che in un amplificatore operazionale reale lamplificazione differenziale e da 3000 a 10000 volte maggiore di quella di modo comune. In esecuzioni particolarmente curate, come in quelli che vengono chiamati amplificatori per strumentazione (instrumentation amplifiers) il CMRR puo raggiungere i 120 130 dB. Anche con i valori minimi citati tuttavia si puo ritenere che un amplificatore operazionale reale si comporti in pratica come quello ideale. Gli errori introdotti dal fatto che il CMR non e infinito sono nella maggior parte delle applicazioni talmente piccoli da poter essere ritenuti trascurabili. E necessario tuttavia far notare che al crescere della frequenza il CMRR peggiora e pertanto nelle applicazioni che si spingono ad alte frequenze il contributo del modo comune non puo piu essere ignorato. In questo caso il circuito equivalente dellamplificatore dovra essere quello di figura 14.4, in modo da tener conto del contributo del modo comune.
+ Vi V1 V2 ri -
A c Vc
ro
A d Vi
Vu
Vc =
V1 + V2 2
figura 14.4
311
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 14.3) Tensioni e correnti di offset e derive. Negli amplificatori operazionali assume unimportanza maggiore che non il CMR finito in fenomeno degli offset e delle derive. Si considerino, infatti, le caratteristiche di trasferimento ideale ( a tratto continuo) e reale (a tratteggio) di un amplificatore operazionale (figura 14.5). Si ricordi che nel tratto di comportamento lineare la pendenza della caratteristica e molto elevata (104 105). Ponendo a zero la tensione di ingresso Vi in un amplificatore reale, cioe ponendo V1 = V2 = 0, si osserva che la tensione di uscita e diversa da zero e addirittura in un gran numero di casi coincide con Vu max o Vu min.
Vu
Vu max
Voff
Vi
V u min figura 14.5
Tale comportamento e dovuto al fatto che a causa delle tolleranze di fabbricazione la caratteristica di trasferimento si trova spostata rispetto a quella ideale, come e illustrato nella curva a tratteggio di figura 14.5. Per ottenere unuscita nulla la tensione differenziale di ingresso dovra venir portata al valore Voff, che viene detta tensione di offset di ingresso. Pertanto il modello di un amplificatore operazionale reale, per tener conto di questo fenomeno dovra essere quello di figura 14.6 dove con Vo si e indicata la tensione di offset.
IB1 I B2
Vo 2
Vo 2
Vu
figura 14.6
312
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 E inoltre necessario notare che quando allingresso vengono presentate le due tensioni Vo/2 e Vo/2 su ciascuno dei due terminali circola una corrente IB, indicate in figura rispettivamente con IB1 e IB2 in quanto nessun amplificatore operazionale reale presenta unimpedenza di ingresso infinita. Stante la simmetria dellamplificatore operazionale ci si potrebbe aspettare che queste due correnti siano uguali; nella realta cio non avviene. Si possono allora scomporre queste due correnti, in modo analogo a quanto gia fatto per le tensioni, in un termine comune e in un termine differenziale. I B1 con Io I B1 I B2 IB I B1 2 I B2 IB Io 2 I B2 IB Io 2
Il termine Io prende il nome di offset di corrente di ingresso, mentre IB viene chiamata corrente di polarizzazione di ingresso. E evidente che in un amplificatore ideale, in cui nessuna corrente deve circolare in ingresso, la corrente di offset e quella di polarizzazione devono essere nulle. La tensione di offset, la corrente di offset e quella di polarizzazione dipendono dalle tolleranze di fabbricazione dellamplificatore operazionale e quindi tra i dati caratteristici vengono assegnate come valori massimi. In particolare, per quanto riguarda le grandezze di offset, non se ne conoscera nemmeno il segno. Tutte le valutazioni delle conseguenze dovute alla non idealita dellamplificatore saranno quindi valutazioni, nella terminologia usuale, del caso peggiore. Ce inoltre da tener presente che tutte le grandezze prese in considerazione sono fortemente influenzate dalla temperatura, dalla tensione di alimentazione e dallinvecchiamento dei componenti e danno quindi luogo a quelle che vengono chiamate derive. Offset e derive sono fattori limitanti limpiego di un amplificatore in continua, quale e un amplificatore operazionale, in quanto non e possibile distinguere se una variazione delluscita sia dovuta ad uneffettiva variazione dellingresso o piuttosto ad una tensione di offset o a una deriva. Si e gia osservato in precedenza che gli offset sono compensabili con unopportuna taratura, mentre tale operazione non e possibile con le derive che variano nel tempo in funzione di un certo numero di parametri. Si noti infine che e sempre conveniente riportare offset e derive allingresso dellamplificatore in modo da poterli confrontare con il piu piccolo segnale che si desidera amplificare. 14.4) Circuito equivalente dellamplificatore operazionale reale. Sulla base delle considerazioni condotte ai paragrafi precedenti appare evidente che il circuito equivalente adottato per lamplificatore operazionale ideale non e piu sufficiente quando si debba tener conto delle caratteristiche di quello reale. Una possibile configurazione circuitale che tenga conto anche della tensione di offset e quella di figura 14.7.
313
Ii Vi Vo
ri +
ro A d Vi
Vu
figura 14.7
Ci si rende immediatamente conto che tale circuito ha un comportamento che corrisponde esattamente a quello dellamplificatore reale. Utilizzando, infatti, come grandezza di comando Vi la tensione che si sviluppa ai capi della resistenza ri, con una tensione differenziale di ingresso nulla si ha in uscita Vu A d .Vo
come esattamente si ha nellamplificatore reale. Inoltre applicando allingresso una tensione differenziale pari a Vo la tensione di uscita si annulla. Volendo tener conto anche della corrente di offset, importante in quanto circolando sulla resistenza interna dei generatori di segnale da' luogo ad una caduta che si somma algebricamente al segnale utile, e necessario modificare ulteriormente il circuito equivalente. Si noti che, anche quando si supponga che i due generatori di segnale V1 e V2 siano perfettamente uguali, si puo ugualmente generare un errore se le due correnti IB1 e IB2 sono diverse. Ponendo, infatti, V1 = V2 = 0 e detta R la resistenza interna dei due generatori, per effetto delle correnti di IB1 e IB2 allingresso dellamplificatore si presenta una tensione differenziale pari, in valore assoluto, a R. I B1 I B2 . Il circuito equivalente allora va modificato come illustrato in figura 14.8.
+ IB + I /2 o Vi r
i
ro A dV i
Vu
IB - Io /2
Vo
figura 14.8
314
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 tale circuito in sostanza tiene conto che per poter funzionare correttamente lamplificatore ha bisogno di una corrente che circoli sugli ingressi. Questa osservazione e molto importante in quanto se non si lasciano scorrere queste correnti, lasciando ad esempio aperti i due ingressi, lamplificatore cessa di funzionare. Infatti, tali correnti vanno in tal caso a caricare le capacita parassite che sono inevitabilmente associate agli ingressi e fanno si che luscita dellamplificatore si porti in una delle due condizioni di saturazione. Lordine di grandezza della tensione e delle correnti di offset per un amplificatore operazionale e: Vo = 10-6 10-3 V Io = 10-14 10-6 A IB = 10-14 10-6 A
Per la tensione di offset i valori inferiori si riscontrano negli amplificatori di precisione, mentre possono arrivare a qualche millivolt per quelli di impiego generale. Le correnti di offset e di polarizzazione assumono invece valori particolarmente bassi in quegli amplificatori operazionali il cui stadio di ingresso e realizzato con transistori ad effetto di campo, mentre per quelli realizzati con transistori bipolari a giunzione e dellordine del microampere. E interessante tuttavia notare che mentre il campo di variazione entro cui i valori di corrente possono essere compresi e uguale per Io e IB, per un dato amplificatore operazionale Io e di solito di un ordine di grandezza inferiore a IB. A scopo esemplificativo si riprenda ora in esame linseguitore di tensione in cui tuttavia lingresso non invertente sia accoppiato al generatore di segnale tramite un condensatore C con lo scopo di bloccare la continua, come illustrato in figura 14.8. Se si osserva come si comporta in un caso reale tale circuito si vede che in esso la tensione di uscita, inizialmente a componente continua nulla, tende a derivare con un certa velocita fino a raggiungere il valore di saturazione Vu min.
Ve
~
figura 14.9
Vu
Per giustificare tale comportamento si mettano in evidenza le correnti di ingresso IB1 e IB2 (figura 14.10). Si vede immediatamente che la corrente IB1 carica la capacita C in modo da rendere negativo lingresso non invertente rispetto al riferimento comune. Questa tensione, poiche lamplificatore guadagna 1, viene riportata in uscita.
315
IB2 I B1
Ve
~
figura 14.10
Vu
Poiche Vu = Vc o poiche I B1 C. dV dt
misurando sperimentalmente la dVu/dt si puo valutare IB1. Valori medi di dVu/dt sono 2 V/sec quando la capacita C sia di 100 nF; pertanto I B1 C. dVu dt 10 7 .2 0,2 A
valore del tutto ragionevole per un amplificatore operazionale di impiego generale. Si consideri ora il circuito equivalente completo (figura 14.11) di un amplificatore operazionale nella configurazione non invertente allo scopo di valutare gli effetti di tensione e correnti di offset.
R3 IB + Io /2 Vi
+ r
i
ro A dV i
Ve
Vu
IB - I /2 o
Vo
R1
R2
figura 14.11
316
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 Con R3 e stata indicata la resistenza interna del generatore di segnale Ve. Per calcolare leffetto degli offset si puo utilizzare il principio di sovrapposizione degli effetti in quanto il sistema e lineare. Posta quindi Ve = 0, si prenderanno in esame le altre cause una alla volta, sommandone poi gli effetti in uscita. Prendendo quindi dapprima in considerazione il contributo dovuto a Vo e aprendo di conseguenza i due generatori di corrente, il circuito si riduce a quello di figura 14.12.
R3 Vi
+ r
i
ro A dV i
Vu
Vo
R1
R2
figura 14.12
Si vede facilmente che per determinare la Vi la posizione del generatore Vo non ha alcunimportanza. In altre parole tale generatore si puo considerare posto a monte di R3 e ci si trova quindi in presenza di un normale amplificatore non invertente, per il quale VU1 R1 R1 R2 .Vo
Volendo calcolare il contributo dato dal generatore di corrente IB + Io/2 si puo osservare che per la conversione Norton Thevenin, riportata in figura 14.13, si ha:
VU 2
IB
I o / 2 .R 3 .
R1
R1
R2
317
R3
R3
IB + Io /2
V = - R 3 .( IB+ Io /2 )
figura 14.13
Il contributo alluscita dovuto al generatore IB2 =IB Io/2 puo venir calcolato osservando che poiche lamplificatore lavora in zona lineare su ri non circola corrente per lipotesi di cortocircuito virtuale e sempre per la medesima ipotesi lingresso invertente si trova a potenziale nullo anche sulla resistenza R1 non circola corrente. Di conseguenza lintera corrente IB2 circola su R2 e pertanto: VU 3 R 2. IB Io / 2
La tensione duscita dovuta a tutti gli offset e data dalla somma di questi tre contributi VUoff R1 V0 R1 R1 R2 IB Io R R2 .R 3 . 1 2 R1 R1 R2 Io . R2 2 IB Io .R 2 2 R 3. R1 R2
Vo .
R1
R2
IB. R 2
R 3.
R1
R1
Si sono in tal modo messi in luce tre contributi dovuti rispettivamente alla tensione doffset, alla corrente IB di polarizzazione e a quella Io di offset. Le tre quantita tuttavia sono conosciute solo nei loro valori massimi e anzi, per quanto riguarda Vo e Io, non se ne conosce nemmeno il segno. Di conseguenza, quando si vuol valutare quanto accade nella peggior condizione di funzionamento possibile, e' necessario sommare i valori assoluti dei tre contributi. Per minimizzare la tensione di offset di uscita si puo allora pensare di minimizzare i coefficienti relativi a ciascun contributo. Non e certamente possibile pensare di modificare il coefficiente di Vo, in quanto il rapporto (R1 + R2)/R1 e il desiderato guadagno di tensione dellamplificatore. Giocando allora sul parametro R3 e prendendo in considerazione il coefficiente di IB, si vede che ponendo: R3 R 1 .R 2 R1 R 2
cioe scegliendo per R3 un valore pari a quello del parallelo di R1 e R2, il fattore moltiplicativo di IB si annulla. La tensione totale di offset in uscita si riduce a:
318
VUoff
Vo .
R1
R1
R2
R 2 .I 0
Per ridurre ulteriormente tale tensione si puo pensare di ridurre al minimo il valore di R2, aggiustando poi il guadagno agendo su R1.Non e tuttavia possibile scendere eccessivamente con il valore di R2; se, infatti, esso e troppo basso lamplificatore operazionale risulta troppo caricato. Esso cioe dovrebbe fornire una corrente alla serie di R1 e R2 superiore a quelle che sono le sue possibilita. Tutte le considerazioni fatte per gli offset valgono anche per le derive, che come si e accennato piu sopra, sono molto piu pericolose degli offset stessi. Gli offset, infatti, sono compensabili e molti amplificatori operazionali prevedono opportuni morsetti di ingresso che permettono di eseguire tale operazione sommando in qualche stadio dellamplificatore operazionale unopportuna tensione in modo da azzerare luscita quando il segnale di ingresso e nullo. Per le derive cio non e possibile in quanto esse variano in funzione di un certo numero di parametri e non sono prevedibili a priori. Tuttavia, poiche le deve possono essere trattate in modo formalmente identico agli offset, i provvedimenti individuati, cioe utilizzare un resistore R3 di valore pari a quello del parallelo di R1 e R2 e nel contempo minimizzare per quanto possibile R2, giocano un ruolo favorevole anche nei confronti delle derive. 14.5) Risposta in frequenza e stabilita. Unulteriore caratteristica secondo la quale un amplificatore operazionale reale differisce da uno ideale e la banda passante. Tutte le considerazioni che sono state fatte fino a questo momento non hanno fatto alcun riferimento alla banda passante dellamplificatore operazionale, ma esso, anche se non presenta una frequenza di taglio inferiore, in quanto puo trattare segnali continui, ha sicuramente una frequenza di taglio superiore, al di sopra delle quale le sue caratteristiche, e in modo particolare lamplificazione Ad, decadono rapidamente. Una domanda che allora ci si puo legittimamente porre e: in che modo la limitazione superiore di frequenza influisce sulle caratteristiche del sistema reazionato in cui lamplificatore operazionale viene inserito? In altre parole ha interesse individuare fino a che frequenza sono validi i risultati ottenuti fino a questo momento. Il legame ingresso-uscita di un amplificatore operazionale, che fino a questo momento si e supposto essere Vu = Ad.Vi, e tale solo se la frequenza del segnale di ingresso e sufficientemente bassa. In realta il diagramma di Bode dellamplificazione differenziale ha in funzione della frequenza un andamento che qualitativamente e riportato in figura 14.14. Si vede che la funzione di trasferimento presenta un certo numero di poli, ciascuno dei quali introduce un punto di rottura nellandamento del diagramma di modulo. Un amplificatore operazionale e di solito realizzato con tre stadi e il diagramma di figura 14.14 rappresenta proprio una funzione di trasferimento dotata di tre poli, i cui effetti si sentono alle pulsazione p1, p2 e p3 rispettivamente. Si nota che lamplificazione una volta che si sia superata la pulsazione p1 diminuisce rapidamente. In sede di progetto si ha cura di mantenere i tre poli sufficientemente separati.
319

Ad Ad0
dB
p1
p2
p3
log
figura 14.14
Si ricordi tuttavia che i poli non hanno un effetto solamente sullampiezza dellamplificazione, ma anche sulla sua fase. Essi cioe introducono ciascuno uno sfasamento in ritardo di valore pari a /2 tra la grandezza di uscita e quella di ingresso e che lo sfasamento inizia a farsi sentire in maniera apprezzabile gia una decade piu sotto della pulsazione pi. In quasi tutti gli amplificatori e usuale rendere uno dei tre poli dominante, facendo si che i suoi effetti si risentano gia a frequenze molto basse, in modo che gli effetti dei rimanenti poli si facciano sentire solo quando lamplificazione Ad e diventata inferiore allunita. Tale provvedimento viene preso per assicurare la stabilita del sistema reazionato in cui lamplificatore operazionale viene inserito. Questo aspetto verra preso in considerazione piu avanti.
A d dB
A do
20 dB/decade
T h
log
Ad log
figura 14.15
320
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 Il diagramma di Bode di Ad, nel tratto in cui il guadagno e superiore allunita, ha pertanto landamento di figura 14.15. La pulsazione T, in cui il modulo dellamplificazione diviene unitario, viene detta pulsazione di transizione. Poiche nellintervallo h T la pendenza della curva di modulo e di 20 dB/decade, cioe lamplificazione diminuisce di 10 volte quando la pulsazione aumenta di 10 volte, esiste una proporzionalita inversa tra amplificazione e frequenza. In definitiva si puo scrivere che:
T
A d0 .
In tutto questo tratto quindi il prodotto banda-guadagno e costante. Il valore di T e purtroppo imposto dalla tecnologia impiegata nella realizzazione dellamplificatore operazionale ed e dellordine del Megahertz. Poiche il guadagno di un amplificatore reale e compreso tra 105 e 106 la pulsazione h sara compresa tra 6,28 e 62,8 radianti/secondo, cioe la frequenza di taglio dellamplificatore operazionale sara compresa tra 1 e 10 Hz. Per quanto riguarda la fase essa comincia a essere diversa da zero a frequenze comprese tra 0,1 Hz e 1 Hz, raggiunge i -45 in h, mentre assume il suo valor massimo, pari a -90 a frequenze comprese tra i 10 e i 100 Hz. La funzione di trasferimento di un amplificatore operazionale ha quindi, in prima approssimazione, le caratteristiche di un passabasso con un singolo polo e puo venir espressa da: Ad s A d0 1 s. 1
h
Si prenda ora in considerazione lamplificatore di tensione non invertente, per il quale si era trovato che: Vu Ve . R1 R1 R2
Si vuole ricalcolarne il guadagno, tenendo tuttavia presente che lamplificazione e ora funzione della frequenza. Si ricordi che per tale amplificatore, e in generale per tutti gli amplificatori controreazionati Vu Ve . 1 1 T k Ve . k 1 k Ad
con k = (R1 +R2)/R1 e T amplificazione di anello pari a Ad/k. Sostituendo ad Ad la sua espressione in funzione della frequenza si ottiene: T Ad k A d0 . k 1 1 s
h
T0 ..
1 1
s
h
321
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 dove con T0 si e indicata la quantita Ad0/k. Si ricava pertanto che: A Vu Ve k 1 T0 1 s
h
che con alcune semplici manipolazioni puo essere messo nella forma: A k 1 1 1 T0 . s T0 h.1 1
La funzione di trasferimento dellamplificatore di tensione non invertente presenta quindi un polo in - h.(1+T0) e quindi la sua frequenza di taglio e:
t h
1 T0
Se ad esempio si avesse a che fare con un amplificatore operazionale di guadagno 106, con fh = 1 Hz e con esso venisse realizzato un amplificatore non invertente di guadagno pari a 10, la banda passante ottenuta, poiche non vi e alcun taglio alle basse frequenze, sarebbe: B ft 1Hz.10 6 / 10 10 5 Hz
Il comportamento quindi e quello illustrato nel diagramma di Bode di figura 14.16.
A do R2 R1 Vu Ve T A = 1+ R2 R1 fT fh ft
f
figura 14.16
Poiche in tutte le situazioni di interesse T0 >> 1 la relazione appena trovata si puo semplificare in:
322

t h
.T0
A0 k
/k
Le considerazioni fatte possono essere facilmente estese allamplificatore di tensione invertente. Si riconsideri a tale scopo la connessione circuitale dellamplificatore invertente (figura 14.17).
+ Vi -
Vu
R1
R2
Ve figura 14.17
che:
Poiche Vu = Ad.Vi e per il principio di sovrapposizione degli effetti si puo scrivere R2 R1
Vi
Ve .
R2
R1
Vu .
R2
R1
il sistema reazionato puo essere schematizzato come illustrato in figura 14.18.
K'
+ -
Ad
Vu
k=
R 1 + R2 R1 R2 R 1 + R2
figura 14.18
1/k
k' = -
323
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 Poiche la parte racchiusa nel tratteggio e funzionalmente identica allamplificatore non invertente, mentre k e un puro coefficiente di proporzionalita, si puo concludere che la larghezza di banda dellamplificatore di tensione invertente e identica a quella dellamplificatore non invertente a parita di k. Il guadagno e invece inferiore; se Ad e sufficientemente elevata, per lamplificatore non invertente il guadagno e pari a (R2 + R1)/R1, mentre quello dellamplificatore invertente e k.k = - R2/R1.
A
do
T 1+ R2 R1
Ao
f
h
A f
t
fT
figura 14.19
La situazione e illustrata nel diagramma di Bode di figura 14.19. La differenza di comportamento tra amplificatore invertente e non invertente e tanto piu marcata quanto piu il guadagno del sistema e basso. Si consideri ad esempio un inseguitore di tensione per il quale il guadagno k=1. Supponendo sempre di utilizzare un amplificatore operazionale con guadagno pari a 106 e frequenza di taglio a catena aperta fh = 1 Hz, la banda passante dellinseguitore sara: ft fT k fT 1MHz
mentre lamplificatore invertente di guadagno 1, per il quale R2 = R1 avra una banda passante pari a: k R1 R1 R2 2 ft fT k 500kHz
In definitiva si puo affermare che la risposta in frequenza di un amplificatore realizzato con limpiego di operazionali dipende dalla frequenza fT di transizione delloperazionale stesso e dal guadagno danello. Le conclusioni raggiunte sono tuttavia valide solo quando si operi a piccoli segnali, mentre la situazione cambia radicalmente in condizione di segnali ampi. Le caratteristiche di risposta in frequenza sono in tal caso condizionate piu dallo slew rate (velocita di salita) della tensione di uscita che dalla frequenza di transizione. Si definisce velocita di salita la massima velocita con cui la tensione di uscita puo variare.
324
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 SR dVu dt
max
Valori usuali per lo slew rate di un amplificatore operazionale di medie caratteristiche si situano tra 0,5 e 1 V/ sec. E inoltre necessario notare che se lamplificatore operazionale lavora in modalita invertente lo slew rate sulla transizione positiva e quello sulla transizione negativa sono uguali. Quando invece si opera in modalita non invertente, la variazione di modo comune degli ingressi rende necessario prendere in considerazione un certo numero di capacita parassite che rendono asimmetrici i due slew rate. Queste capacita inoltre sono responsabili anche di un effetto di secondordine che produce una discontinuita sul fronte di salita della tensione di uscita. Il tipico andamento della tensione di uscita in presenza di ampi segnali e riportato in maniera qualitativa in figura 14.20.
V
ingresso uscita
t
figura 14.20
Non e molto comune che tra i dati caratteristici dellamplificatore operazionale compaiano ambedue i valori dello slew rate. In tal caso il valore riportato deve venir inteso come valor medio. Il limite rispetto al quale il comportamento dinamico dellamplificatore viene caratterizzato dallo slew rate anziche dalla frequenza di transizione si puo stabilire in prima approssimazione in corrispondenza ad una variazione delle tensione di uscita pari a: Vu 0,16. k .SR fT
dove Sr e lo slew rate, k il guadagno danello e fT la frequenza di transizione. Leffetto dello slew rate limitato e quello di distorcere il segnale di uscita quando esso varia troppo rapidamente. Si consideri ad esempio un segnale sinusoidale vt Vm .sin 2 .f .t
La sua velocita di variazione, ottenuta derivando rispetto a t, e: 325
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 dv dt 2 .f .Vm . cos 2 .f .t
che ha il suo massimo in 2 .f.t. Per prevenire la distorsione e necessario che tale velocita sia inferiore allo slew rate, cioe che: f .Vm SR 2
Se si eccede tale valore la forma donda viene distorta e tende a divenire unonda triangolare, la cui pendenza dei fianchi e determinata dal valore dello slew rate relativo alle due transizioni della tensione di uscita. Lespressione appena trovata evidenzia che esiste una relazione tra frequenza e ampiezza. Se si vuole operare ad alte frequenze lampiezza del segnale deve essere opportunamente contenuta. Si consideri a titolo di esempio un amplificatore operazionale il cui slew rate sia pari a 0,5 V/ sec e si esamini quale sia il suo comportamento in corrispondenza alla frequenza di transizione, supposta di 1 MHz. Si ottiene in tal caso che Vm = 80 mV. Risulta allora evidente perche la frequenza di transizione sia anche chiamata larghezza di banda a piccoli segnali. Se si eccede il limite calcolato la forma donda verra seriamente distorta, tanto piu quanto maggiore e lampiezza del segnale. Se invece si vuole ottenere dallo stesso amplificatore la massima potenza di uscita, supponendo che la massima ampiezza del segnale di uscita sia di 10 V, allora la massima frequenza del segnale dovra venir limitata a: f SR 2 .10 0,5.10 6 2 .10 8kHz
La frequenza cosi determinata viene detta, per ovvi motivi, larghezza di banda a piena potenza (full power bandwidth FPB). In generale FPB SR 2 .Vmax
Per riuscire a capire perche lo slew rate abbia un valore limitato si puo far riferimento al circuito di figura 14.21, che puo essere considerato rappresentativo della maggior parte degli amplificatori operazionali, realizzati, come si e gia detto, con tre stadi in cascata. Di solito lo stadio di ingresso e un amplificatore di transconduttanza (ingresso in tensione e uscita in corrente) in cui la corrente di uscita Io1 e approssimativamente proporzionale alla tensione differenziale di ingresso Vp Vn secondo il parametro transconduttanza gm1. I 01 g m1 . Vp Vn
326
Cc Vn
g m1
Io1 Vo
Vp Vi
a 2 >>1
amplificatore operazionale
a 1 =1
Io1
Io1(sat) (Vp -V ) n -Io1(sat)
figura 14.21
Come si e tuttavia indicato sulla caratteristica di trasferimento riportata nella medesima figura, quando lo stadio di ingresso dellamplificatore viene sovrapilotato la corrente di uscita si satura al valore Io1(sat) raggiungendo le condizioni operative conosciute sotto il nome di ampi segnali. Tale saturazione causa la limitazione dello slew rate in quanto la capacita Cc inizia a caricarsi o a scaricarsi a corrente costante. Indicando con Vo2 la tensione di uscita del secondo stadio, la sua derivata sara: dVo 2 dt SR I o1 sat Cc
La capacita Cc presente nel secondo stadio e quella necessaria a introdurre il polo dominante necessario a far si che la risposta in frequenza dellamplificatore operazionale decresca con una pendenza non superiore a 20 dB/decade finche il guadagno non sia diventato inferiore allunita. Sempre con riferimento alla figura 14.21, osservando che a3 =1, si ottiene che: Vo Vo 2 1 . I o1 t .dt Cc 0
t
1 . g m1 . Vp Cc 0
Vn .dt
dove con Vo 2 si e indicata la tensione di uscita del secondo stadio. Considerando pertanto una tensione differenziale pari a: Vp Vn Vi .sin t
327
Lamplificatore Operazionale reale Capitolo 14 si ottiene: Vo Di conseguenza A Vp Vo Vn g m1 2 .f .C c 1 .g m1 .Vi . cos t .C c g m1 .sin .C c t 2
Ricordando ora che in un amplificatore operazionale il prodotto banda-guadagno A .f e costante e pari a fT, si ottiene: fT g m1 2 .C c
e infine eliminando Cc dallespressione dello slew rate che e stata trovata in precedenza si ottiene finalmente: SR I o1 sat .2 .f T g m1
Questespressione fornisce un legame tra comportamento a piccoli e a larghi segnali e indica che lo slew rate puo essere aumentato attraverso tre provvedimenti, cioe o aumentando il valore della frequenza di transizione fT, o aumentando la corrente di saturazione Io1(sat) del primo stadio o diminuendo gm1. Lunico provvedimento che tuttavia puo essere lasciato alla libera scelta dellutilizzatore dell0operazionale e quello di usare amplificatori con fT elevata. Esistono, infatti, amplificatori per i quali in sede di progetto e di fabbricazione si rinuncia a rendere dominante il polo dovuto a Cc. Si parla allora di amplificatori non compensati internamente e per assicurare la stabilita del sistema nei vari utilizzi e necessario ricorrere a tecniche di compensazione che fanno uso di componenti esterni allamplificatore stesso, tenendo presente che lobiettivo da raggiungere e quello della massimizzazione di fT. La Io1(sat) viene invece stabilita in sede di progetto dellamplificatore operazionale. Esiste per la verita qualche raro caso di amplificatore operazionale programmabile, in cui, tramite unopportuna corrente Iset, si puo fissare dallesterno il punto di lavoro del dispositivo, fissando sia Io1(sat) che la transconduttanza. In fase di progetto si puo anche pensare di migliorare lo slew rate realizzando il primo stadio con transistori a effetto di campo. Si diminuisce in tal modo la transconduttanza, in quanto i transistori a effetto di campo hanno un valore di transconduttanza che e di uno o due ordini di grandezza inferiore a quello dei transistori bipolari.
328
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15
LA STABILITA DEI SISTEMI CONTROREAZIONATI. GLI OSCILLATORI

15.1) La stabilita degli amplificatori controreazionati. Si consideri un qualsiasi sistema controreazionato, quali quelli presi in considerazione al capitolo 12, schematizzabile come appare in figura 15.1.
Capitolo 15
+ U/K
Amplificatore A(s)
1/k
figura 15.1
Si e gia visto che qualora lamplificazione A(s) sia una semplice costante e sia sufficientemente grande, tale che U E k 1 1 T k con T A k
In sostanza, quando al segnale dingresso viene sottratta una frazione del segnale duscita, se il guadagno danello e sufficientemente elevato, il legame tra ingresso e uscita non dipende piu da A(s), ma semplicemente dalla caratteristica di trasferimento del blocco di reazione. Nellesaminare tuttavia le caratteristiche della risposta in frequenza di un qualsiasi amplificatore si e visto che al di sopra di una certa frequenza, detta frequenza di taglio lamplificazione diminuisce, e ovviamente anche il blocco A(s) ha un comportamento di questo genere. Ad esempio nel trattare gli amplificatori operazionali si e messo in luce che, essendo tali amplificatori realizzati di solito con tre stadi in cascata, la loro funzione di trasferimento presenta tre poli.
329
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 Giova ricordare che i poli fanno sentire il loro effetto non solo sul modulo della funzione di trasferimento, ma introducono anche uno sfasamento tra segnale dingresso e segnale duscita pari a /2 radianti per ciascun polo. Puo allora accadere che, se la funzione di trasferimento dellamplificatore contiene 2 o piu poli, ad una determinata frequenza il segnale duscita risulti sfasato di radianti rispetto quello dingresso. Per la precisione, volendo inquadrare il discorso in termini assolutamente generali, sarebbe necessario osservare che anche il blocco in reazione potrebbe contenere nella sua funzione di trasferimento zeri e poli, quando anziche essere un puro coefficiente di proporzionalita, fosse un sistema che presenta nella risposta in frequenza caratteristiche non uniformi. In termini qualitativi cio allora significa che la frazione del segnale duscita che viene riportata in ingresso, anziche venir sottratta a questultimo, vi viene sommata, in quanto uno sfasamento di radianti coincide con il prodotto per il coefficiente 1. In queste condizioni in segnale derrore , che la reazione dovrebbe ridurre, tende invece ad aumentare, facendo aumentare a sua volta U e cosi via. Ha quindi luogo un processo rigenerativo ed e facilmente intuibile che, se il guadagno danello e sufficientemente alto, luscita diverga tendendo allinfinito. Si dice allora che il sistema e divenuto instabile. In tali condizioni esso non e piu controllabile poiche e facile accorgersi che luscita diverge indipendentemente dallampiezza del segnale E applicato allingresso. Nella realta, quando luscita diventa eccessivamente ampia, entrano in gioco le inevitabili non linearita dei componenti che limitano il valor massimo delluscita stessa. Il sistema tuttavia rimane incontrollabile e non corrisponde piu a quanto si voleva nelle intenzioni realizzare. Si supponga ora, con riferimento alla figura 15.2, che il segnale dingresso sia una tensione sinusoidale dampiezza Vi e la cui pulsazione sia proprio quella per la quale T introduce uno sfasamento pari a . Cio significa che al punto P sara presente un segnale perfettamente in fase con quello applicato allingresso + dello stesso sommatore. Se poi il modulo di T in queste condizioni e pari a 1, le due tensioni anche della medesima ampiezza istante per istante.
S1
+ -
A(s)
S2
P
1/k
figura 15.2
330
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 E pensabile allora pensare di aprire linterruttore S1 e chiudere linterruttore S2 senza che il funzionamento del sistema venga in alcun modo perturbato, in quanto allingresso dellamplificatore A(s) sara sempre presente lo stesso segnale sinusoidale dampiezza Vi. con Il sistema e quindi diventato un oscillatore permanente di pulsazione unampiezza del segnale duscita pari a Vu A ( ) .Vi inferiore allunita,
Se invece il modulo del guadagno danello T fosse alla frequenza
le medesime operazioni porterebbero ad una diminuzione della tensione duscita Vu, che con il trascorrere del tempo tenderebbe ad annullarsi. E intuitivo che la velocita con cui la tensione duscita tende a zero e tanto maggiore quanto piu il modulo del guadagno danello e inferiore allunita. Se al contrario T fosse maggiore dellunita le operazioni descritte porterebbero ad un incremento della tensione duscita, che a sua volta porterebbe ad un aumento dellampiezza del segnale presente in P, facendo si che luscita diverga, tendendo rapidamente allinfinito. Sulla base delle considerazioni fatte per valutare la stabilita del sistema utilizzando i diagrammi di Bode e necessario: Valutare il guadagno danello T(s) e tracciarne i diagrammi di Bode di modulo e fase. Individuare la frequenza f alla quale lo sfasamento introdotto dal guadagno danello riporta il segnale di reazione in fase con quello dingresso. E necessario cioe individuare la frequenza alla quale lo sfasamento del segnale di reazione e nullo rispetto a quello dingresso. Valutare il modulo di T a tale frequenza. Se il modulo e inferiore a 1 il sistema e stabile. Si dice margine di guadagno la misura in dB di T alla frequenza f . Poiche il guadagno danello per un sistema stabile e inferiore allunita e pertanto la sua misura in dB e negativa il margine appena definito rappresenta in pratica di quanti dB si puo aumentare T prima di portare il sistema la margine di stabilita. Esso misura in sostanza la distanza del sistema in esame dallinstabilita. Il criterio esposto, che da buoni risultati nellanalisi di circuiti impieganti amplificatori operazionali controreazionati, permette tuttavia di condurre lanalisi di stabilita anche in una forma duale, che anzi e quella che viene piu comunemente impiegata. In tal caso anziche cercare la frequenza alla quale il sistema introduce una rotazione di fase tale da riportare il segnale di reazione in fase con quello dingresso, sindividua invece quella frequenza alla quale il guadagno danello e pari a 1. Questa ricerca e particolarmente semplice in quanto e individuata nel diagramma di Bode di modulo dallintersezione di T con lasse delle ascisse (0 dB). In corrispondenza a questa frequenza si valuta poi lo
331
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 sfasamento, verificando che esso non sia ancora pari a radianti. In tal caso il sistema e stabile. Si definisce margine di fase la differenza tra e la fase reale. In un sistema reale tuttavia non e sufficiente verificare che esso sia stabile; e necessario anche verificare che il margine di guadagno (o di fase) assicuri la stabilita anche in presenza di una determinata tolleranza dei componenti. Ce inoltre da notare che un certo margine di guadagno o di fase assicura che la risposta in presenza di segnali che variano bruscamente, o come si suol dire la risposta ai transitori, sia esente da oscillazioni spurie o che queste oscillazioni, quando presenti, si smorzino rapidamente. Si consideri a titolo desempio un amplificatore operazionale per il quale, come si e gia piu volte detto, la funzione di trasferimento presenta tre poli. Si supponga che il guadagno danello abbia in continua un valore pari a 30 dB e i tre poli siano situati 100 , p 3 1000 . rispettivamente in p1 10 , p 2
dB
40 30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -45 -90 -135 -180 -225 margine di fase 10 100 1000
To
figura 15.3
Dalle regole di tracciamento dei diagrammi di Bode si ottengono facilmente i diagrammi asintotici di modulo e fase (figura 15.3). Secondo i criteri di stabilita che sono stati appena introdotti si osserva che il sistema e stabile. Infatti in corrispondenza ad un guadagno unitario la fase complessiva e data dai 180 gradi iniziali dovuti alla reazione negativa piu un contributo dovuto ai poli del sistema, che dal diagramma di fase di figura 15.3 e senza alcun dubbio inferiore a 180 . Rimane quindi un margine di fase che approssimativamente puo essere valutato in 20 25 , che assicura la stabilita dellamplificatore controreazionato. Se tuttavia si aumenta il guadagno danello, spostando cioe verso lalto il diagramma di modulo, il margine di fase si va via via riducendo in quanto lintersezione del diagramma di modulo con lasse delle ascisse si sposta verso frequenze piu elevate. Ad un certo punto il margine di fase si annulla e il sistema diventa instabile.
332
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 Si ricordi daltra parte che in un sistema reazionato si desidera che T sia il piu grande possibile, in modo che al denominatore della funzione di trasferimento il termine 1/T sia trascurabile rispetto allunita. Si vuole inoltre che il margine di stabilita sia piuttosto consistente in modo da evitare fenomeni oscillatori che si smorzano lentamente in corrispondenza a transitori rapidi del segnale dingresso, ad esempio in corrispondenza a segnali dingresso a gradino. In effetti la risposta in frequenza dellamplificatore, in corrispondenza alla frequenza di taglio, assume un andamento, che in funzione del margine di fase, puo essere uno di quelli illustrati in figura 15.4.
dB
log
figura 15.4
Tale risposta, come si e gia visto in precedenza, altro non e se non quella di un sistema con due poli complesso-coniugati in corrispondenza a vari valori del fattore di smorzamento. Con un margine di fase dellordine dei 60 la risposta e del tipo 2, con un piccolissimo incremento del guadagno rispetto a quello in banda in corrispondenza della pulsazione naturale. Con un margine di fase di 45 invece lincremento passa a 3 dB e se il margine si riduce ulteriormente questo incremento aumenta tendendo allinfinito via via che il margine di fase tende a zero. A questo comportamento nel dominio della frequenza si accompagna un analogo comportamento nel dominio del tempo. Si supponga infatti di applicare in ingresso un segnale a gradino di tipo ideale, cioe un segnale a gradino con tempo di salita nullo. Il contenuto spettrale di un segnale di questo tipo occupa lintero asse delle frequenze, con unampiezza che e inversamente proporzionale alla frequenza (la trasformata di Laplace di un gradino e 1/s). Lamplificatore tuttavia ha una banda limitata e quindi nel segnale duscita le componenti di frequenza piu elevata vengono attenuate, dando pertanto luogo ad un segnale con un tempo di salita non nullo. Tuttavia in presenza di un margine di fase ridotto le componenti, la cui frequenza si trova in prossimita della pulsazione naturale, risultano
333
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 esaltate rispetto a quelle in banda e saranno quindi nettamente individuabili nella forma donda presente in uscita. Pertanto in presenza di un gradino allingresso, luscita dellamplificatore assumera in funzione del margine di fase uno degli andamenti illustrati in figura 15.5, passando da un andamento asintotico e quindi smorzato, ad una risposta dotata di un picco, detto di sovraelongazione, per passare poi ad una risposta oscillatoria sempre meno smorzata man mano che il margine di fase si riduce. E evidente osservando questi andamenti che non conviene avere ne un margine di fase troppo elevato, che aumenta in modo eccessivo il tempo di salita, ne troppo piccolo in quanto si avrebbe una risposta oscillatoria lentamente smorzata e che quindi impiegherebbe troppo tempo a portarsi in condizioni prossime a quelle di regime.
U
risposta ideale
t figura 15.5
Pertanto se un amplificatore non e stabile o se il suo margine di stabilita non e tale da ottenere unuscita di caratteristiche prestabilite, e necessario prendere dei provvedimenti introducendo nellanello di reazione delle opportune reti, realizzate anche con componenti di tipo reattivo, che modifichino landamento del modulo e dalla fase di T. Questa operazione,, detta compensazione, puo agire sia sullamplificazione Ad del blocco in catena diretta, sia sul blocco di reazione. Operando su questultimo tuttavia si alterano anche le caratteristiche del sistema complessivo, in quanto il comportamento totale di un sistema controreazionato e determinato, quando il guadagno danello e sufficientemente elevato, in pratica solo dalle caratteristiche del blocco di reazione. Esistono moltissime tecniche di compensazione; la piu semplice e lunica che verra presa in esame in questa sede e quella detta a polo dominante. Essa consiste in pratica nellintrodurre in Ad un polo i cui effetti si sentano ad una frequenza tanto bassa che quando gli altri poli dellamplificatore fanno sentire il loro effetto il guadagno danello T si e gia ridotto al di sotto dellunita. Poiche ogni polo introduce uno sfasamento di 90 , quando T 1 lo sfasamento sara sicuramente inferiore a 180 e la stabilita dellamplificatore sara assicurata. Questo tipo di compensazione e quella che abitualmente viene adottato negli amplificatori operazionali compensati internamente.
334
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 Poiche e necessario assicurare la stabilita dellamplificatore qualsiasi sia T = Ad/k e quindi anche con k =1, landamento di Ad in funzione della frequenza sara quello di figura 15.6. Si osservi che se i poli propri dellamplificatore si trovano abbastanza al di sopra di T il margine di fase e pari a 90 . La stabilita ovviamente e assicurata solo nel caso in cui il blocco di reazione non incorpori elementi reattivi, cioe quando la sua funzione di trasferimento e una pura costante di proporzionalita indipendente dalla frequenza. In caso contrario e necessario verificare lamplificazione di anello e verificare con il criterio di Bode se vi e un sufficiente margine di stabilita.
Ad
polo dominante
20 dB/decade
log
poli naturali
figura 15.6
Esistono, come e gia stato fatto notare al capitolo precedente, anche amplificatori operazionali privi di compensazione interna a polo dominante. Sono in tal caso presenti degli opportuni terminali che permettono di eseguire la compensazione collegando reti circuitali esterne realizzate con resistenze e condensatori il cui valore viene calcolato applicazione per applicazione. Questi amplificatori sono certamente piu scomodi da utilizzare, ma hanno il vantaggio di permettere tecniche di compensazione diverse da quella a polo dominante, ottenendo in tal modo unottimizzazione delle prestazioni caso per caso. 15.2) Gli oscillatori sinusoidali. Molto spesso ci si trova nella necessita di generare segnali con forma donda sinusoidale. Si puo pensare allora di sfruttare il fenomeno dellinstabilita di un amplificatore per conseguire tale risultato. Si e gia visto infatti che se il guadagno di anello e pari a 1 e lo sfasamento totale e nullo o multiplo di 360 il sistema diventa instabile e in uscita si ha un segnale periodico di
335
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 frequenza pari a quella cui le due condizioni enunciate si verificano, anche quando il segnale di ingresso e nullo. La condizione enunciata tuttavia e puramente teorica in quanto e fisicamente impossibile avere un sistema con un guadagno danello esattamente pari a 1 e non e soprattutto ipotizzabile che tale guadagno possa mantenersi a tale valore quando ad esempio varino tensione di alimentazione, temperatura o altri parametri. Con un guadagno inferiore allunita loscillazione si smorza e quindi per realizzare un oscillatore si dovra far ricorso ad un amplificatore in reazione positiva con un guadagno di anello T 1 . Tuttavia si sa da quanto preso precedentemente in esame che luscita in tal caso diverge crescendo esponenzialmente nel tempo. Tale aumento dellampiezza dovrebbe, almeno nelle ipotesi in cui ci si e messi, essere illimitato; nella realta, non appena entra in gioco una qualche non linearita dellamplificatore (un esempio molto appariscente e la saturazione delluscita) il guadagno danello tende a diminuire stabilizzando lampiezza delluscita quando il modulo di T raggiunge il valore unitario. Poiche tuttavia il modulo di T ha inizialmente un valore superiore allunita loscillazione si innesca con facilita senza che vi sia alcun bisogno di un segnale di lancio. E sufficiente infatti la sola presenza di rumore, che e bene ricordare ha un contenuto spettrale che contiene tutte le frequenze, per dar luogo al fenomeno rigenerativo che porta lamplificatore in oscillazione. Le condizioni da rispettare per realizzare un sistema in oscillazione stabile prendono il nome di criterio di Barkhausen e sono Lo sfasamento totale dellanello di reazione deve essere 0 Il guadagno danello T devessere unitario La frequenza di oscillazione sara allora quella per cui lo sfasamento e nullo. Nella pratica si fa si che a tale frequenza il guadagno danello sia leggermente superiore allunita consentendo in tal modo che loscillazione inneschi a causa del rumore presente allingresso dellamplificatore. Lampiezza delloscillazione poi crescera fino a che le non linearita inevitabilmente presenti non avranno ridotto il valore di T a 1. Oltre alla facilita di innesco e alla stabilita delle condizioni di oscillazione, in un oscillatore reale hanno interesse la precisione della frequenza generata, la sua stabilita nel tempo e costanza in ampiezza delluscita. Precisione e stabilita di frequenza vengono a dipendere dalla ripidita della curva di fase della rete di reazione e da quanto siano costanti le sue caratteristiche sia nel tempo che in relazione alla variazione dei parametri ambientali. Si tenga ora presente che lo sfasamento introdotto dal guadagno danello e determinato da due contributi; lo sfasamento introdotto dallamplificatore e quello introdotto dalla rete di reazione. Indicando con oa e 0 r queste due componenti, la frequenza di oscillazione f o e quella alla quale
oa or
336
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 , come tutte le altre caratteristiche degli elementi attivi, puo venir conosciuta solo con precisione relativamente modesta e dipende da un gran numero di parametri. Se quindi e limprecisione di oa , per mantenere piccola limprecisione su f o e necessario che la
oa
caratteristica di 0 r in funzione della frequenza sia molto ripida nellintorno di f o , come e illustrato in figura 15.7.
r
or
f f f
figura 15.7
In questa situazione la rete di reazione e in grado di compensare le rotazioni di fase introdotte dallamplificatore con uno spostamento di frequenza tanto minore quanto piu la sua caratteristica di fase e ripida. E altresi evidente che la stabilita di frequenza delloscillatore e determinata, nelle condizioni citate, dalla stabilita della curva di fase della rete di reazione, in relazione alla temperatura, allinvecchiamento, alla variazione della tensione di alimentazione, ecc. Le caratteristiche di precisione e di stabilita dellampiezza del segnale di uscita dipendono invece dalla non linearita che limita il guadagno danello a 1. Le reti circuitali inserite nella catena di reazione, alla luce delle caratteristiche appena enunciate, sono ovviamente reti selettive. In particolare per realizzare oscillatori di bassa frequenza, cioe per oscillatori che debbano operare in un campo di frequenza che come limite superiore ha il megahertz, si utilizzano reti selettive realizzate con resistenze e condensatori. A frequenze superiori al megahertz, fino a diverse centinaia di megahertz, si usano reti risonanti LC con un fattore di merito Q il piu possibile elevato. Un fattore di merito elevato infatti rende il picco di risonanza molto stretto e rende la curva di fase molto ripida. A frequenze ancora superiori le reti a costanti concentrate non sono piu adatte allo scopo. I parametri parassiti fanno infatti si che il comportamento dei componenti reali si allontani sempre di piu da quello del componente ideale da realizzare. Si utilizzano allora reti risonanti a costanti distribuite realizzate con linee di trasmissione o cavita risonanti. Infine per ottenere unelevata precisione nella frequenza di oscillazione e nel contempo assicurare unelevatissima stabilita alla stessa si puo ricorrere ai quarzi piezoelettrici, che presentano caratteristiche di fase estremamente ripide.
337
15.3) Oscillatori di bassa frequenza. Alle basse frequenze una delle reti di reazione maggiormente usate e quella che prende il nome di ponte di Wien. Lo schema del relativo oscillatore e quello riportato in figura 15.8. E abbastanza semplice dimostrare che alla frequenza fo 1 2 RC
la tensione riportata allingresso non invertente dellamplificatore operazionale e in fase con la Vu e che lattenuazione introdotta dalla rete di reazione e pari a 1/3.
R1 Vu
C C R
figura 15.8
Per soddisfare il criterio di Barkhausen lamplificatore dovra allora avere un guadagno superiore a 3, cioe dovra essere rispettata la condizione R2 2R 1
Uneffettiva realizzazione di un oscillatore a ponte di Wien potrebbe essere quella illustrata in figura 15.9. Con i valori riportati nella figura stessa la frequenza di oscillazione e: fo 1 Hz 1kHz 2 .10 .158.10 3
9
Trascurando il ramo in cui si trovano inseriti la resistenza da 200 k contrapposti si trova che il guadagno e pari a:
e i due diodi
338
21 3,1 10
che e lievemente superiore al valore 3 necessario ad assicurare linnesco delloscillazione. Quando la tensione di uscita supera un certo valore che si puo situare nellintorno degli 0,5 06 V, tensione di soglia dei diodi, questi entrano in conduzione inserendo in parallelo al resistore da 21 k quello da 200 k (cui per la verita si trova in serie anche la resistenza diretta del diodo). Lamplificazione allora diminuisce stabilizzando lampiezza delluscita.
21 k 200 k 10 k
Vu
1 nF
158 k
1 nF
158 k
figura 15.9
Lo schema di unulteriore circuito, quello delloscillatore detto a sfasamento, e riportato in figura 15.10.
R2 R1 = R Vu
C R R
figura 15.10
339
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 Si puo facilmente verificare che alla frequenza fo 1 2 . 6 .RC
lo sfasamento introdotto dalle tre resistenze R e dai tre condensatori C e pari a 180 . Per realizzare la reazione positiva ottenendo in tal modo un oscillatore e allora necessario riportare la tensione di reazione al morsetto invertente dellamplificatore operazionale. Alla frequenza f o lattenuazione introdotta dalla rete di reazione e pari a 1/29 e quindi devessere soddisfatta la condizione R2 15.4) Gli oscillatori a quarzo. Per completare i brevissimi cenni dedicati agli oscillatori sinusoidali conviene spendere qualche parola sulle caratteristiche dei quarzi piezoelettrici. Essi sono realizzati a partire da una lastrina di quarzo ricavata tagliando opportunamente un cristallo; depositando poi sulle due facce opposte uno strato metallico e collegando su ciascuno di questi un conduttore in modo da ricavarne due reofori per la connessione in circuito si ottiene il componenti che poi viene utilizzato negli oscillatori. Il simbolo con cui il quarzo viene rappresentato negli schemi e riportato in figura 15.11. I quarzi presentano il fenomeno della piezoelettricita; quando tra i due elettrodi viene applicata una differenza di potenziale, quando cioe il cristallo viene sottoposto ad un campo elettrico, esso subisce una deformazione meccanica. Inversamente, quando il cristallo viene deformato meccanicamente, ai suoi elettrodi si puo raccogliere una tensione. 29 R 1
figura 15.11
Come ogni altro sistema meccanico, anche il cristallo di quarzo, quando viene lasciato libero dopo esser stato sottoposto a deformazione, ha una sua propria frequenza di oscillazione, funzione delle sue dimensioni e del modo in cui e stato tagliato. Il sistema complessivo, cristallo ed elettrodi, si comporta allora come un dispositivo elettromeccanico che presenta una sua propria frequenza di risonanza; di particolare importanza vi e pero il fatto che il relativo fattore di merito e estremamente elevato e quindi la risonanza presenta un picco molto aguzzo e stretto. Lordine di grandezza del fattore di merito di un cristallo di
340
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 quarzo e dellordine della decina di migliaia, contro un valore di qualche centinaio, che, nella migliore delle ipotesi, si puo riscontrare in un normale circuito risonante LC. In aggiunta a tutte queste caratteristiche vi e poi il fatto che il quarzo puo venir tagliato con elevatissima precisione e quindi con altrettanta precisione puo venir stabilita la sua frequenza di risonanza. Le caratteristiche elettriche di un cristallo di quarzo possono venir rappresentate dal circuito equivalente di figura 15.12.
L C R C'
figura 15.12
Landamento della reattanza di un circuito di tal tipo e rappresentabile come illustrato in figura 15.13.
reattanza induttiva
fs
fp
reattanza capacitiva
figura 15.13
341
La stabilita dei sistemi controreazionati Gli oscillatori Capitolo 15 Si possono cioe individuare due frequenze, fs e fp, nella prima delle quali la reattanza si annulla, mentre nella seconda tende allinfinito. In fs pertanto il cristallo di quarzo si comporta come un circuito risonante serie, mentre in fp ha le caratteristiche di un circuito risonante parallelo. In effetti, come appare anche nel circuito equivalente di figura 15.11, e necessario tener conto delle perdite (con lintroduzione nel circuito equivalente della resistenza R). Tali perdite tuttavia sono di entita ridottissima. L e C tengono conto delle caratteristiche meccaniche del quarzo, C della capacita delle placchette. Le due frequenze di risonanza, serie e parallelo, sono determinate da L e C per quanto riguarda fs, mentre per fp contano il valore dellinduttanza e della serie di C e C. In questultimo caso si ha quindi a che fare con una capacita equivalente pari a C eq C.C' C C'
La capacita C tuttavia e molto maggiore di C (C 100.C) e quindi il valore di Ceq e molto prossimo a C. In definitiva fp e sempre maggiore di fs, ma e molto prossima a questultima. Di conseguenza nellintervallo di frequenza compreso tra fs e fp, dove il quarzo presenta un comportamento induttivo, la fase passa da 0 a 90 con uno spostamento di frequenza estremamente ridotto. In altre parole la caratteristica di fase e molto ripida e permette di ottenere, quando il quarzo e utilizzato come elemento risonante in un oscillatore sinusoidale, una stabilita di frequenza molto elevata. Ordine di grandezza per la precisione e la stabilita di frequenza di un quarzo da 1 MHz, per il quale non sia stata prevista alcuna particolare precauzione, quale ad esempio la termostatizzazione, e di una parte su 106.
342
Alimentatori e convertitori Capitolo 16
ALIMENTATORI E CONVERTITORI.
16.1) Gli alimentatori. La gran parte dei circuiti elettronici richiede una sorgente dalimentazione in corrente continua. Poiche' l'energia elettrica viene distribuita in forma alternata, quando non si vuole ricorrere ad un'alimentazione a batteria, possibili solo nei circuiti a bassa potenza, e' necessario ricorrere a circuiti di conversione da alternata a continua ed e' spesso necessario far uso di sistemi di regolazione che permettono di stabilizzare l'ampiezza della tensione continua che si ottiene. Un alimentatore pertanto puo' essere visto come la cascata di un certo numero di stadi, ciascuno dei quali assolve una specifica funzione, come illustrato in figura 16.1.
Capitolo 16
AC
Trasformatore
Rettificatore
Filtro
Regolatore
DC
fig.16.1
Lo stadio trasformatore, che in alcuni casi puo' mancare, e' utilizzato per portare il livello della tensione alternata al valore piu' opportuno in relazione agli scopi che ci si propone. Se ad esempio la distribuzione c.a. fosse a 220 V e la tensione c.c. da produrre fosse di 5 V, sarebbe opportuno che l'ampiezza dell'alternata fosse ridotta dai 220 V originari a tensioni dell'ordine dei 7 10 V. Lo stadio rettificatore converte la tensione alternata sinusoidale in una tensione unidirezionale pulsante. Lo stadio di filtro elimina, per quanto possibile, le componenti alternate dalla tensione pulsante presente in uscita dal rettificatore. Infine lo stadio regolatore serve a rendere la tensione continua d'uscita indipendente dalle variazioni del carico e della tensione alternata dingresso. Nel seguito non verra' preso in considerazione lo stadio trasformatore, che di solito viene realizzato con un trasformatore statico con un opportuno rapporto spire. 16.1.1) I rettificatori. a) Rettificatore a semionda. Qualsiasi dispositivo atto a convertire una tensione sinusoidale (e quindi a valor medio nullo) in un tensione unidirezionale a valor medio non nullo viene detto rettificatore. Per assolvere questa funzione si prestano particolarmente bene i diodi semiconduttori.
343
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Il circuito base del rettificatore a singola semionda e' illustrato in figura 16.2.
v
ingresso a.c.
vi
RL
figura 16.2
Il funzionamento e' intuitivo, ma e' ovvio che per un corretto funzionamento il valore di picco della tensione dingresso v i Vm .sin ( t ) , pari a Vm, deve essere maggiore della tensione di soglia V del diodo. Se tale ipotesi e' realizzata e se la Vm e' abbastanza superiore a V non si commettera' un grande errore se nelle considerazioni che seguiranno si considerera' nulla la tensione di soglia del diodo. Detta allora Rf la resistenza diretta del diodo e trascurando la corrente inversa, si puo' scrivere, avendo indicato con t: i i I m sin 0 Im Il valor medio della corrente e: I cc 1 . i.d 2 0
2
0 2 Vm Rf RL
1 . I m .sin .d 2 0
Im
e quindi il valor medio della tensione di uscita e dato da: Vcc R L .I cc RL. Im
' Se si volesse tuttavia misurare la tensione media Vcc ai capi del diodo, sarebbe necessario tener conto che Rf non e' costante, ma in polarizzazione inversa tende, in prima approssimazione, all'infinito. Pertanto:
' cc
1 . 2
R f .I m .sin .d
0
Vm .sin .d
. I m .R f
Vm
344
. I m .R f
Im R f
RL
Im R L
La tensione media ai capi del diodo e' quindi uguale e opposta a quella ai capi del carico. Se anziche' sul valor medio si fissa l'attenzione sul valor efficace della corrente, si ottiene: I eff e tenendo presente che per I eff 1 . i2d 2 0
2 1 2
2 i = 0 si ottiene in definitiva:
1 2
1 . I 2 .sin 2 .d m 2 0
1 1 . I 2 . 1 cos 2 .d m 2 0 2
1 2
Im 2
Conseguentemente il valore efficace della tensione di uscita e': Veff R L . I eff RL. Im 2
Si definisce regolazione la variazione della tensione di uscita in funzione della corrente di carico. Esprimendo la regolazione R in percentuale si ha: R e tenendo presente che: I cc si ha: Vm e poiche' Vcc RL R f .I cc Im 1 . RL Vm Rf Vcc
I cc 0
Vcc
Vcc
R L . I cc si ottiene in definitiva: Vcc Vm R f . I cc
A tale relazione corrisponde il circuito equivalente di figura 16.3. 345
Rf I cc
V=
Vm
RL
Vcc
figura 16.3
In altre parole il rettificatore si comporta come un generatore equivalente la cui tensione a vuoto e' Vm/ e la cui resistenza interna e' pari a Rf. E' facile dimostrare che se il generatore di tensione alternata avesse una resistenza interna Rs, le conclusioni sarebbero le medesime, ma che in tal caso la resistenza interna del generatore equivalente sarebbe: Rs Rf
Con riferimento ai valori medi in continua il rettificatore si comporta quindi come un circuito lineare di cui puo' essere dato un modello equivalente secondo Thevevin. b) Il rettificatore ad onda piena. In figura 16.4 e' riportato il circuito del rettificatore ad onda piena. E' intuitivo osservare che durante il primo semiperiodo della tensione alternata di ingresso conduce uno dei due diodi mentre nella seconda semionda conduce l'altro dando luogo alle due correnti i1 e i2 che si sommano nel carico. Si ottiene quindi che: I cc 2I m I eff Im 2 Vcc 2. I m . R L
dove Vm e' ancora il valore di picco della tensione alternata di ingresso e Im=Vm/(Rf+RL). Si noti che il valor medio continuo dell'uscita e' il doppio rispetto a quello del rettificatore a singola semionda. Operando analogamente a quanto gia' fatto in precedenza e' immediato ricavare che: Vcc 2 Vm R f . I cc
Il modello di Thevenin e' quindi ancora valido, con l'unica osservazione che la tensione a vuoto raddoppia.
346
Im t i1 i
Vm Vac Vm RL Vo i2 i Im I cc i Im t
figura 16.4
Per i due rettificatori presi in considerazione puo' essere interessante valutare quale sia l'effetto della tensione di soglia V . Ci si riferisca allora al circuito equivalente di fig. 16.5 Ci si rende immediatamente conto che la corrente i e' diversa da zero per un intervallo di tempo inferiore al semiperiodo.
1
arcsin
V Vm
vi , i
2 1
Rf i
diodo ideale
Vm
i
vi
RL
vo t
1 2
figura 16.5
347
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 La corrente media del rettificatore a singola semionda diviene allora Vm 2 2 V Rf RL
I cc
Rf
RL
cos
mentre quella del rettificatore ad onda piena e': 2 Vm cos Rf RL 2 V Rf RL
I cc
c) Tensione inversa di picco. Durante il funzionamento di ciascun rettificatore ogni diodo e' soggetto ad una tensione inversa massima che viene detta tensione inversa di picco. E' evidente che nel rettificatore a singola semionda la tensione inversa di picco coincide con Vm, mentre nel rettificatore ad onda piena la tensione inversa di picco e' pari a 2Vm. A quest'ultima conclusione si puo' giungere indipendentemente dalla natura del carico, che puo' essere puramente resistivo, come pure presentare componenti reattive che anzi sono presenti a scopo di filtraggio. Si puo' pertanto concludere che in un raddrizzatore ad onda piena la tensione inversa di picco e' pari al doppio del valore di picco della tensione sinusoidale di ingresso, indipendentemente dal carico presente e quindi indipendentemente dal filtro usato. La stessa cosa non si puo' invece dire per il raddrizzatore a singola semionda in cui la tensione inversa di picco viene a dipendera dal tipo di carico presente. d) Il rettificatore a ponte. Un secondo arrangiamento circuitale che permette di ottenere un rettificatore ad onda piena senza ricorrere a trasformatori il cui secondario sia dotato di presa centrale e' il rettificatore a ponte (o a ponte di Graetz), il cui schema e' riportato in figura 16.6. In tale figura sono indicati con tratto ingrossato i diodi in conduzione e il percorso della corrente durante la semionda positiva della forma d'onda di ingresso. Nel secondo semiperiodo la tensione fornita dal trasformatore assume la polarita' opposta; pertanto si interdicono i diodi D2 e D4 e passano in conduzione D1 e D3 facendo si' che la corrente nel carico circoli sempre nella medesima direzione. I principali vantaggi del rettificatore a ponte risiedono nel fatto che la corrente negli avvolgimenti del trasformatore rimane in pratica sinusoidale, permettendo di usare trasformatori di minori dimensioni, che non e' richiesta una presa centrale al secondario e soprattutto che la tensione inversa di picco e' pari al valor massimo della tensione sinusoidale di ingresso.
348
Vac
D1
D2
D4
D3 RL Vo
figura 16.6
16.1.2) I moltiplicatori di tensione. In figura 16.7 e' riportato lo schema di un circuito duplicatore di tensione in grado di fornire una tensione Vo di uscita approssimativamente di valore doppio del valore di picco Vm della tensione sinusoidale di ingresso. Il principio di funzionamento si basa sul fatto che i condensatori sono in grado di accumulare energia durante il periodo di conduzione del relativo diodo e di restituirla durante il periodo di interdizione. I due condensatori pertanto si caricano alla tensione Vm nelle due semionde della tensione di ingresso. Nei confronti del carico essi sono tuttavia connessi in serie e quindi a quest'ultimo e' applicata una tensione pari a 2Vm.
Vac
C C
RL
Vo
figura 16.7
Ovviamente queste considerazioni sono valide solamente se durante il periodo di interdizione del relativo diodo ciascun condensatore non si scarica eccessivamente; in altre parole il circuito funziona correttamente solo se la costante di tempo RL.C e' notevolmente maggiore del semiperiodo T/2 della tensione sinusoidale applicata. Sullo stesso principio di funzionamento si possono realizzare triplicatori, quadruplicatori e in generale moltiplicatori di tensione per n, di cui un esempio e' riportato in figura 16.8.
349
Vcc Vac
figura 16.8
Si lascia a cura del lettore l'analisi qualitativa del funzionamento. 16.1.3) Il filtro. Il piu' comune metodo di filtraggio della tensione in uscita dal rettificatore consiste nel porre in parallelo al carico un'opportuna capacita'. Durante il periodo di conduzione del diodo la capacita' si carica alla tensione Vm, accumulando una certa quantita' di energia, che viene restituita al carico quando il diodo si interdice. Si definisce ondulazione (ripple) lo scostamento della tensione ai capi del carico rispetto al valor medio in continua.
vf
i ingresso a.c. vi
i1
ic
RL
vo
figura 16.9
Si prenda ad esempio in esame il rettificatore a semionda (figura 16.9). In presenza di una resistenza di carico infinita la capacita' C si carica durante il primo semiperiodo della tensione alternata di ingresso al valore di picco Vm di quest'ultima.
vo vm vi
t
2vm vi - v o
figura 16.10
350
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Pertanto nei semiperiodi successivi, e con l'ipotesi che gli elementi circuitali siano ideali in modo che la carica presente su C non possa disperdersi, poiche' la tensione V ai capi del diodo e': V vi V0 Vm sin t Vm
Si vede immediatamente che il diodo rimane permanentemente interdetto. La situazione e' quella illustrata a tratto continuo nel diagramma di figura 16.10 Se invece il carico RL e' finito durante l'interdizione del diodo la capacita' C si scarica su RL e gli andamenti di tensione e corrente sono quelli illustrati in figura 16.11. Si intuisce con facilita' che quanto piu' lentamente si scarica C, cioe' quanto piu' grande e' la costante di tempo C.RL, e tanto minore sara' il periodo di conduzione del diodo. v,i id
interdizione conduzione
vo
ripple
figura 16.11
Se la tensione applicata e' Vm sin corrente i sara' data da I j
t durante il periodo di conduzione del diodo la V j Z j
con Z(j ) impedenza del parallelo dato da RL e C. Di conseguenza: I j La corrente sara' allora: It con I m sin t V j . 1 j CR L RL
351
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Im Vm 1 R2 L

2
C2
arctg CR L
Quando I(t) = 0 si ha l'interdizione del diodo in t1. Il passaggio in conduzione del diodo nel punto t2 si puo' ottenere per via grafica determinando l'intersezione del tratto di scarica esponenziale che parte in t1 con la curva Vm sin t del periodo seguente. Si vede allora che l'uso di grandi capacita' di filtro fa evidentemente diminuire l'ondulazione e il periodo di conduzione del diodo, ma fa nel contempo aumentare il picco di corrente che circola sul diodo durante il periodo di conduzione. Di conseguenza l'uso di capacita' come elementi di filtraggio impone un'oculata scelta del diodo per evitare che possa essere superata la massima corrente di picco sopportabile dal diodo stesso anche quando il limite di corrente media e' pienamente rispettato. Il filtro capacitivo puo' evidentemente essere utilizzato anche con il rettificatore ad onda piena. A parita' di valori circuitali il ripple risulta considerevolmente ridotto, in quanto il periodo di interdizione del diodo viene in tal caso pressocche dimezzato. Gli andamenti di tensioni e correnti sono riportati in figura 16.12. Si supponga ora che la capacita' di filtro sia molto elevata in modo da poter dire che t1 sia in pratica coincidente con /2 e che il tratto di scarica esponenziale possa essere ragionevolmente approssimato con una retta.
V
Vr
vo
Vr /2
Vm t1 T1 T2
figura 16.12
Vm t2
Vcc
In queste ipotesi al tempo t1 vo = Vm. Indicando con Vr l'ondulazione totale si ottiene che Vcc = Vm - Vr/2. Indicando ora con T2 l'intervallo di tempo durante il quale in diodo e' interdetto e supponendo che la corrente Icc fornita al carico si possa ritenere approssimativamente costante (ipotesi equivalente a porre Vr << Vm), la carica che viene rimossa dal condensatore C e' pari a Icc.T2 e quindi Vr I cc . T2 C
352
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Si noti inoltre che quanto maggiore e' C e tanto piu' T2 tende al semiperiodo T/2 della sinusoide di ingresso. Quindi si puo' scrivere in via approssimata che: Vr I cc .T 2.C I cc 2.f .C I cc 4. f . C
dove f e' la frequenza della tensione alternata di ingresso. Di conseguenza Vcc Vm
e quindi per l'alimentatore descritto si puo' utilizzare un modello equivalente secondo Thevenin con tensione a vuoto pari a Vm e resistenza interna R0 = 1/(4.f.C). L'aumento della capacita' di filtro gioca quindi un ruolo favorevole sia sull'ondulazione residua che sulla stabilita' della tensione di uscita al variare della corrente di carico. Alle alte correnti tuttavia il filtro capacitivo presenta una stabilita' della tensione troppo scarsa e consente un ripple troppo elevato. Considerazioni del tutto simili a quelle fatte per il rettificatore ad onda piena possono venir fatte per quello a semionda e portano a concludere che quest'ultimo ha una stabilita' dimezzata e un'ondulazione doppia rispetto a quello ad onda piena. Filtri piu' efficienti possono venir realizzati utilizzando piu' di un elemento reattivo, come viene illustrato in figura 16.13.
L R
dal rettificatore
al carico
L1
R1 C
L2
R2
dal rettificatore
al carico
figura 16.13
Il primo viene detto filtro ad ingresso capacitivo, il secondo ad ingresso induttivo. Le resistenze presenti nel circuito rappresentano la componente ohmica delle rispettive induttanze. Queste ultime vanno scelte in modo da presentare un'impedenza elevata alla frequenza f della tensione alternata di ingresso. 16.2) Gli alimentatori stabilizzati. Allo scopo di migliorare le caratteristiche di regolazione e di ondulazione degli alimentatori si ricorre agli alimentatori stabilizzati. Un alimentatore stabilizzato ideale e' un circuito che fornisce una tensione di uscita continua V0 indipendente dalla corrente di carico, dalle variazioni della tensione di linea e 353
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 dalla temperatura. Infatti, i rettificatori fin qui presi in considerazione sono influenzati anche dalla temperatura in quanto con le sue variazioni variano le caratteristiche dei dispositivi semiconduttori usati. Un circuito che approssima con il suo comportamento quello di un alimentatore regolato ideale e' il regolatore parallelo realizzato con un diodo Zener e gia' preso in considerazione in precedenza. Lo svantaggio di un tal tipo di regolatore tuttavia risiede nel fatto che lo Zener deve essere in grado di sopportare una corrente superiore alla corrente massima di carico e che quindi in tutte le condizioni di funzionamento la dissipazione del circuito non sara' affatto trascurabile. Una realizzazione migliore si puo' ottenere ricorrendo al circuito controreazionato di figura 16.14.
Q1 transistore serie
ro
amplificatore differenziale
Vdc
alimentazione non regolata
, Vo
R1 Vo RL
Carico
Vr
tensione di riferimento
Vo
R2
rete di reazione figura 16.14
Da un esame anche superficiale si nota che una frazione della tensione di uscita, ricavata tramite il partitore realizzato con le resistenze R1 e R2, viene confrontata con una tensione di ' riferimento VR. Il segnale differenza V0 , ricavato con l'uso di un amplificatore differenziale di guadagno Av, pilota il transistore serie Q1 e regola la corrente fornita al carico. Poiche' Q1 lavora come inseguitore di emettitore il suo guadagno di tensione e' approssimativamente unitario (V0' V0 ) e poiche' V0' si ottiene che: V0 VR Av 1 Av R2 R1 R 2 A v V0 R2 R1 R 2 VR V0
354
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Se si sceglie Av in modo che A v R2 >>1 allora R1 R 2 V0 VR R 2 R1 R2
C'e' da osservare che lo svantaggio di un tale tipo di regolatore risiede nel fatto che Vo dev'essere di almeno un paio di volt inferiore alla minima tensione Vdc fornita dal rettificatore nelle piu' critiche condizioni di funzionamento. Un vantaggio viceversa si ha osservando che l'uscita Vo puo' essere facilmente modificata semplicemente cambiando il rapporto R2+R1/R2. Si osservi inoltre che il compito di Q1 e' unicamente quello di amplificare in corrente, poiche quella disponibile all'uscita dell'amplificatore differenziale non e' di solito sufficiente ad alimentare il carico RL. Per qualsiasi corrente di carico IL>0 una frazione della potenza fornita dall'alimentatore non regolato, pari a Vin V0 .I L
viene dissipata sul transistore serie Q1. Il circuito di regolazione proposto e' tuttavia un circuito reale e non ideale; pertanto la tensione di uscita Vo dipende da quella di ingresso Vdc, dalla corrente di carico IL e dalla temperatura T. V0 V0 . Vcc Vcc R0 . IL V0 . T Sv . Vcc T R 0 . I L ST . T
con i tre parametri Sv, Ro e ST definiti come Sv V0 Vcc R0

IL , T 0
V0 IL
ST
Vcc , T 0
V0 T
Vcc , I L 0
Il parametro Sv prende il nome di fattore di regolazione di ingresso (o di linea), Ro e' la resistenza di uscita mentre ST e' detto coefficiente di temperatura. Si noti che la variazione Vdc puo' essere causata sia da un'effettiva variazione della tensione alternata di ingresso che dall'ondulazione presente all'uscita dell'alimentatore non regolato a causa di un insufficiente filtraggio. Il regolatore del tipo appena descritto puo' venir realizzato in forma monolitica, aggiungendo alla struttura di un amplificatore operazionale il transistore serie, il riferimento di tensione, realizzato con un diodo Zener, e le due resistenze R1 e R2. La connessione circuitale base di un tal tipo di componente e' riportata in figura 16.15. Il condensatore C1 e' utilizzato per eliminare gli effetti induttivi dovuti a linee di collegamento verso l'alimentatore non regolato di notevole lunghezza, mentre C2 migliora le caratteristiche della risposta ai transienti.
355
Regolatore monolitico
Vin
(ceramico) (tipicamente 0,33 F)
C
(tantalio) >1 F
Vo
figura 16.15
Il regolatore descritto viene realizzato per un'ampia gamma di tensioni di uscita di cui i valori standard sono 5, 6, 8, 12, 15, 18 e 24 V. Per un corretto funzionamento essi richiedono una tensione minima tra ingresso e uscita dell'ordine dei 2 V, sono protetti internamente contro il cortocircuito e il sovrariscaldamento e i coefficienti di regolazione sono tipicamente
Sv
3.10
R0
30 m
ST
1 mV / C
Per maggiori dettagli si rimanda il lettore ai fogli caratteristici e alle note tecniche applicative forniti dai costruttori. 16.3) Alimentatori stabilizzati a commutazione. Il regolatore serie preso in considerazione al paragrafo precedente, pur fornendo ottime prestazioni per quanto riguarda la stabilita' della tensione di uscita e l'ondulazione residua, presenta tuttavia tre notevoli inconvenienti. 1) La tensione di ingresso deve sempre essere maggiore di quella di uscita e quindi, come e' gia' stato fatto osservare, quanto maggiore e' tale differenza tanto maggiore sara' la dissipazione sul transistore serie a parita' di corrente di carico. La regolazione serie e' quindi per sua natura non troppo efficiente. Se ad esempio la tensione di ingresso fosse di 10 V e la tensione di uscita dovesse essere 5 V il rendimento sarebbe il 50%, ma scenderebbe ad un modestissimo 25% quando a parita' di tensione di uscita quella di ingresso salisse a 20 V. 2) Per mantenere alta l'efficienza i circuiti che richiedono diversi valori di tensione di alimentazione, come ad esempio 15 V per l'alimentazione di amplificatori operazionali e + 5 V per l'alimentazione di una parte digitale, richiederebbero per ciascuna di queste tensioni un rettificatore e una sezione di filtro con un aggravio dei costi, che molto spesso risulta inaccettabile.
356
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 3) Vi sono situazioni, ad esempio quando l'alimentazione viene fornita da una batteria, nelle quali per conseguire l'obiettivo esposto al punto precedente, sarebbe necessario ricorrere a sistemi di conversione in corrente continua per ottenere tutte le tensioni necessarie. Tutti questi inconvenienti possono essere evitati ricorrendo ai regolatori a commutazione (switching) la cui struttura di principio e' riportata in figura 16.16.
Vin
ingresso non regolato
Vref
Regolatore di riferimento
onda triangolare v
amplificatore di errore vm
PWM
vA A
vB B
uscita regolata
Vo
modulatore di durata di impulsi
RL
R2
R1
figura 16.16
Come si puo' notare si ha ancora a che fare con un sistema controreazionato in tensione in cui una frazione della tensione di uscita, pari a V0 R1 R1 R 2
viene confrontata con una tensione continua di riferimento Vref fissa.

V vm
0 T 2T t
vm v
+ v
o
v
Vo
-V
T1 T2
vo
-Vo figura 16.17
357
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 L'errore viene messo a confronto con una tensione triangolare v tramite un comparatore, come riportato in figura 16.17. Si ottiene in uscita, come si vede nella stessa figura, una forma d'onda rettangolare in cui la durata degli impulsi di uscita e' funzione della tensione di errore vm. Il circuito descritto prende il nome di modulatore di durata di una portante impulsiva. Piu' esattamente si ottiene un'onda rettangolare vo il cui duty cycle (rapporto pieno-vuoto) varia linearmente con vm. L'onda triangolare, infatti, puo' venir rappresentata come: vt 4V .t T 2V 4V .t T per T 4 T 4 t T 4 t 3T 4
vt
per
Considerata allora l'intersezione della tensione vm di ingresso (modulante) con l'onda triangolare v si ottiene: T T T1 .v m T2 2 V v m . 4V 4V e quindi la durata dell'impulso prodotto e': T2 T1 T 2 T . vm 2V
lineare con vm, ovviamente con -V vm V. Questa forma d'onda viene utilizzata per comandare un interruttore di potenza e la relativa forma d'onda d'uscita viene filtrata dalla combinazione LC, in modo che al carico risulti applicata la sola componente continua dell'onda rettangolare. Se il guadagno dell'amplificatore di errore e' sufficientemente elevato si puo' ritenere valida l'ipotesi di cortocircuito virtuale tra i suoi due ingressi. Di conseguenza Vref e quindi V0 Vref 1 R2 R1 V0 . R1 R1 R 2
La tensione di uscita pertanto e' indipendente sia dal valore della tensione di alimentazione che dalle variazioni della corrente ci carico, ma viene a dipendere unicamente dalla costanza della tensione di riferimento Vref. E' ovvio tuttavia che anche in questo caso dev'essere soddisfatta la condizione Vin>V0. Il vantaggio principale di questo modo di operare, che a prima vista potrebbe sembrare piuttosto complesso, e' che utilizzando quale interruttore di potenza un transistore commutato tra interdizione e saturazione si puo' ridurre considerevolmente la dissipazione totale del regolatore. Nelle due condizioni operative, infatti, o e' molto piccola la corrente circolante
358
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 (nello stato di interdizione si riduce alla corrente di perdita del transistore) o e' molto piccola la tensione che cade ai capi dell'interruttore (nello stato di saturazione coincide con la tensione Vces di saturazione del transistore, pari a pochi decimi di volt). Per la verita' vi e' anche una certa aliquota di potenza che si dissipa durante i transitori di commutazione, ma se la frequenza non e' eccessivamente elevata e la frequenza di transizione FT del transistore e' alta rispetto alla frequenza del segnale, la dissipazione in transitorio puo' in prima approssimazione venir trascurata. L'effettiva realizzazione dell'interruttore di potenza e' riportata in figura 16.18 e utilizza oltre al transistore (normalmente un transistore composito in connessione Darlington) anche un diodo.
Vin A vA B vB D C RL L IL Vo 0 < V0 < V in
B vB
vo C RL
PWM
PWM
A vA
figura 16.18
Quando l'interruttore viene chiuso il diodo risulta polarizzato inversamente dalla tensione Vin e la corrente di carico IL, circolante sull'induttanza L, viene sostenuta dalla Vin stessa. Considerando l'interruttore ideale in tale fase VB = Vin. Quando viceversa l'interruttore viene aperto, per effetto dell'induttanza la corrente IL tende a rimanere costante e il circuito si richiude attraverso il diodo. Trascurando la caduta sul diodo VB = 0. La tensione VB e' pertanto un'onda rettangolare con periodo T e duty cycle con un'ampiezza compresa tra 0 e Vin. Il circuito appena descritto prende il nome di "flyback converter". In commercio si trovano dispositivi che integrano in un unico elemento un certo numero di transistori e il diodo in modo da realizzare interruttori di elevato rendimento, come e' illustrato nella parte destra di figura 16.18. Si lascia al lettore l'esame del funzionamento del dispositivo illustrato in tale parte della figura, facendo tuttavia notare che l'arrangiamento circuitale adottato, oltre a presentare buone caratteristiche di commutazione, e' anche in grado di minimizzare la potenza che si rende necessaria al terminale di comando affinche' l'interruttore sia correttamente pilotato. Indicando ora con IL la variazione della corrente che circola sull'induttanza L durante l'intervallo di tempo di conduzione dell'interruttore e assumendo che essa sia piccola rispetto a IL in modo da avere una bassa ondulazione della tensione di uscita V0 e ricordando che
359
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 Vin V0 L. dI L dt L. IL t
si puo' valutare in via approssimata il valore dell'induttanza necessario ad ottenere il voluto filtraggio. L Vin IL V0 .
Con queste ipotesi la corrente di carico IL e' approssimativamente pari a quella che circola nell'interruttore serie e quindi la corrente massima che l'alimentatore a commutazione puo' fornire e' pressocche' uguale alla massima corrente di collettore del transistore utilizzato. La capacita' C e' utilizzata per ridurre ulteriormente l'ondulazione di V0 e va scelta in modo tale che 2 LC T
Per i regolatori a commutazione esistono anche altre topologie che non quella presa in esame. Ad esempio una che supera il vincolo che la tensione di uscita sia dello stesso segno di quella di ingresso e in valore assoluto minore e' quella illustrata in figura 16.19.
IL Vin L D Vo > 0 Vo > Vin C RL
PWM
figura 16.19
Nell'ipotesi che V0 sia maggiore di Vin, durante l'intervallo il diodo D e' interdetto. Di conseguenza il loop di reazione e' aperto e la capacita' C si scarica sul carico RL. Se la costante di tempo C.RL e' scelta in modo da essere notevolmente maggiore di , la variazione di V0 e' piccola e al limite trascurabile. Durante lo stesso intervallo di tempo la tensione ai capi dell'induttanza L vale Vin e quindi Vin L. dI L dt
Ne consegue che nell'intervallo di tempo dt la corrente che circola nell'induttanza L aumenta della quantita' dI L Vin . dt L
360
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 che integrata permette di dire che nell'intervallo la corrente IL aumenta della quantita': IL Vin . L
D + Vin Vo < 0
PWM
IL
figura 16.20
Si consideri ora l'intervallo di tempo T- durante il quale l'interruttore e' aperto. Indicando con t0 l'istante iniziale di tale intervallo e considerando che in un induttore la corrente non puo' presentare discontinuita', cioe' che I L (t 0 ) I L (t 0 )
si deduce che il circuito deve chiudersi attraverso il diodo D e che la corrente IL va a caricare la capacita' C. In condizioni di regime la tensione ai capi di C all'istante T dovra' essere uguale a quella presente all'istante t = 0. Allo stesso modo anche la corrente che circola sull'induttanza L nell'intervallo Tdovra' diminuire della stessa quantita' (Vin. )/L di cui era cresciuta durante l'intervallo . Pertanto il valore istantaneo della tensione di uscita v0 pari a v0 Vin L. dI L dt
sara' maggiore di Vin in quanto dIL/dt e' minore di zero, confermando l'ipotesi iniziale. Infine per ottenere una tensione di uscita negativa a partire da una Vin positiva (o viceversa) si puo' ricorrere alla struttura circuitale di figura 16.20. Con considerazioni analoghe a quelle appena condotte e' facile verificare, sia pure in maniera qualitativa, il funzionamento del circuito.
361
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 16.3) Convertitori in corrente continua accoppiati a trasformatore.

PWM1
vA1
1/n
D1
B vB
L Vo C RL
SW1
PWM
A vA
Vin SW
Vp1
+
Vs1 V s2 D2
Vp2
PWM2
vA2
figura 16.21
Quando la tensione di uscita Vo deve essere notevolmente maggiore o minore della tensione di ingresso Vin la struttura piu' conveniente e' quella che fa ricorso ad un accoppiamento a trasformatore con presa centrale, secondo lo schema di principio di figura 16.21.
V in
1 v
Q
A1
vA1
Q3 Q1 SW1
Oscillatore
V osc
Q Flip - Flop Q
PWM
vA
vQ
A2
v A2
Q2 Q4 SW2 2
V in
V osc (a) vA (b) v
(c)
vQ
(d)
vA1 (e)
v A2 (f)
figura 16.21
Si ha in tal caso l'ulteriore vantaggio che semplicemente invertendo la connessione dei diodi nel circuito secondario si puo' avere una tensione di uscita dello stesso segno o di segno opposto rispetto a quella di ingresso.
362
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 I due interruttori SW1 e SW2 sono controllati dalle forme d'onda va1 e va2 ricavate dal modulatore principale PWM secondo l'arrangiamento circuitale di figure 16.22, in cui sono riportate anche le principali forme d'onda di interesse. Come si puo' vedere i due interruttori SW1 e SW2 vengono chiusi per un uguale intervallo di tempo, ma quando uno di essi e' chiuso l'altro e' aperto e viceversa. In pratica quindi ciascuno di essi lavora ad una frequenza che e' la meta' di quella fornita dal modulatore PWM. Le forme d'onda presenti nei vari punti di interesse sono riportate in figura 16.22. Dalla curva (d) si vede che la tensione primaria del trasformatore e' data da: -Vin quando SW1 e' chiuso e SW2 e' aperto vp1=vp2 = Vin quando SW1 e' aperto e SW2 e' chiuso 0 quando SW1 e SW2 sono ambedue aperti
vA (a) SW1 chiuso SW2 aperto (b)
vA1
vA2
SW1 aperto SW2 chiuso (c)
vp1= v p2
(d)
vB (e) figura 16.22
Tale tensione viene riportata al secondario, moltiplicata per un fattore K (maggiore o minore dell'unita') dovuto al rapporto di trasformazione, rendendo disponibili le tensioni Vs1 e Vs2, che raddrizzate dai diodi D1 e D2 applicano al carico la tensione VB il cui andamento e
363
Alimentatori e convertitori Capitolo 16 riportato in figura 16.21 (e). Il filtro LC provvede poi ad estrarre la componente continua Vo che viene applicata al carico RL e corrisponde al valore medio di VB. Esistono ovviamente anche altre configurazioni circuitali che non quella presa in esame. In particolare, quando si usano per realizzare il trasformatore materiali magnetici a ciclo disteresi rettangolare, e' abbastanza semplice realizzare convertitori autoscillanti con rendimento di conversione notevolmente elevato. Per maggiori dettagli tuttavia si rimanda a testi specialistici su tale argomento.
364
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17
AMPLIFICATORI PER AMPI SEGNALI.

17.1) Gli amplificatori per ampi segnali. Si consideri il semplice amplificatore della figura 17.1. Si indichi con ic il valore istantaneo della corrente di collettore, con ic' le variazioni di tale corrente rispetto al valore Ic nel punto di lavoro. Analogo significato abbiano le grandezze IB, iB e iB'. Si supponga inoltre che le caratteristiche di collettore siano tra loro equidistanti per uguali variazioni della corrente di base, cioe' che il dispositivo possa essere effettivamente considerato lineare. Vcc R iB vc
+
Capitolo 17
ic
vi
VBB
figura 17.1
Applicando in queste ipotesi un segnale Ib' di tipo sinusoidale, la tensione ai capi del carico e la corrente che vi circola saranno anch'esse sinusoidali e la potenza duscita sara': P Vceff . I ceff
2 R L . I ceff
dove con Vceff e Iceff si sono indicati i valori efficaci di vc' e ic'. Tenendo presente che : I ceff e che : Vceff Vm 2 Vmax Vmin 2. 2 Im 2 I max I min 2. 2
365
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 si ottiene che la potenza trasferita al carico e: P Vm .I m 2 RL. I2 m 2
2 Vm 2.R L
Vmax
Vmin . I max 8
I min
E' tuttavia necessario notare che i dispositivi attivi con cui si ha a che fare non sono affatto lineari, contrariamente a quanto e' stato ipotizzato. L'ipotesi di linearita' e' accettabile solamente quando iB' e' piccola rispetto a IB, cioe' quando la caratteristica del dispositivo puo' essere sostituita con la retta tangente ad essa nel punto di lavoro. Quando invece i segnali sono di notevole ampiezza, l'ipotesi non e' piu' accettabile e il segnale di uscita viene deformato subendo quella che e chiamata distorsione di non linearita'. Tale fenomeno e' illustrato in figura 17.2 in cui l'andamento a tratto continuo rappresenta un'uscita ottenuta in condizioni di piccolo segnale (compreso tra i punti A e B sulla retta di carico), mentre quella punteggiata e' l'uscita in corrispondenza ai segnali di grande ampiezza (compresi tra i punti C e D), quando in particolare si va ad interessare regioni della caratteristica prossime alla zona di interdizione o a quella di saturazione.
V c Vc
interdizione
A punto di lavoro
zona attiva B
D saturazione Ic t
figura 17.2
Per rendersi conto dell'effettivo significato della distorsione di non linearita' si supponga si supponga che il legame tra i ,b e i ,c anziche' essere lineare ( i ,b = G. i ,c ) sia descrivibile da una relazione di tipo quadratico, che altro non e' se non lo sviluppo in serie della relazione i ,c = f( i ,b ) troncato al secondo termine. Si abbia cioe' i 'c G1 . i 'B G 2 . i 'B
2
con G1 e G2 costanti. Se ora iB' = IBM.cos t si ottiene:
366
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 i 'c Ricordando che: cos2 t 1 2 1 cos 2 t 2 G1 . I BM .cos t G 2 . I 2 .cos2 t BM
si ottiene che il valore istantaneo della corrente di collettore e': ic in cui B0 G 2 . I2 BM 2 B1 G 2 . I BM B2 G 2 . I2 BM 2 Ic

' ic
Ic
B0
B1 .cos t B2 .cos 2 t
In uscita pertanto oltre a un termine costante e un termine proporzionale al segnale di ingresso a pulsazione e' presente anche una seconda armonica a pulsazione doppia 2 . Una distorsione non lineare di tipo parabolico introduce quindi in uscita una componente di seconda armonica che non e' presente nel segnale di ingresso ed inoltre altera il valore medio della corrente di uscita. Quest'ultima osservazione permette di affermare che in qualche misura la caratteristica non lineare introduce una rettificazione del segnale sinusoidale di ingresso. La definizione dei coefficienti B0, B1 e B2 fa tuttavia riferimento ai coefficienti G1 e G2 dello sviluppo in serie di potenze della caratteristica del dispositivo nell'intorno del punto di lavoro. Osservando tuttavia che per t t t 0 2 ic ic ic I max Ic I min
e sostituendo questi valori nell'espressione di ic si ottiene: I max Ic B0 B1 B2 B2 I c I c B0 B2 I min I c B0 B1
Il sistema di queste tre equazioni risolto rispetto alle incognite B0, B1 e B2 permette di affermare che: B1 I max 2 I min B0 B2 I max I min 4 2. I c
Si definisce distorsione di seconda armonica il rapporto
367
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 D2 B2 B1
Se poi il segnale di ingresso anziche contenere la sola componente di frequenza , fosse formato dalla somma di due componenti sinusoidali di frequenza 1 e 2 rispettivamente, in presenza di una caratteristica parabolica in uscita sarebbero presenti componenti di frequenza 1, 2, 2 1 , 2 2 , 1 2 e 1 2 . Queste ultime due componenti di frequenza pari alla somma e alla differenza<delle frequenze presenti in ingresso prendono il nome di componenti di intermodulazione e la rispettiva distorsione e' detta distorsione di intermodulazione. Il termine quadratico della corrente di uscita e' in questo caso G 2 . I 2 1 .cos2 m
2
t I 2 2 .cos2 m
t 2. I m1 . I m2 .cos
t.cos
Della quantita' in parentesi i primi due termini possono essere ridotti, come e' gia' stato fatto vedere, nella somma di una quantita' costante e di una quantita' cosinusoidale di pulsazione doppia. Per il terzo termine e' immediato osservare che cos
1
t. cos
cos
.t 2
cos
.t
Se tuttavia la non linearita della caratteristica e molto marcata, non e sufficiente arrestare lo sviluppo in serie della corrente di collettore ic al secondo termine. Si ottiene allora che: ic G 1 .i B G 2 .i 2 B G 3 .i 3 B G 4 .i 4 .... B
e se in ingresso si ha una forma donda rappresentabile con una semplice funzione cosinusoidale in uscita si avra: ic Ic Bo B1 . cos t B 2 . cos 2 t B 3 . cos 3 t ....
Alla distorsione di non linearita contribuiscono anche termini di seconda, terza, ., iesima armonica. I coefficienti Bi possono venire determinati con una procedura analoga a quella utilizzata nel caso della distorsione di seconda armonica. Si definisce distorsione di i-esima armonica la quantita: Di Bi B1
Alla frequenza della fondamentale nel carico si dissipa una potenza pari a: P1 B2 i .R L 2
368
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 In presenza di distorsione non trascurabile la potenza totale dissipata nel carico e invece: P
2 B1 2
B2 2 2
2 B3 2
...
1 D2 2
D2 3
.... .P1
Si definisce allora distorsione armonica totale la quantita: D e pertanto: P 1 D 2 .P1 D2 2

2 D 3 ....
E tuttavia bene far osservare che tassi di distorsione armonica anche notevolmente elevati producono modesti incrementi della potenza totale trasferita al carico. Se infatti D fosse ad esempio pari al 10% si otterrebbe: P 1 0,01 .P1
In sostanza un tasso di distorsione armonica totale pari al 10% porta ad un incremento della potenza fornita al carico di solo un 1%. E infine opportuno far notare che nel campo delle applicazioni audio il tasso di distorsione armonica totale non e una buona misura del disagio ingenerato nellascoltatore. Infatti il fastidio che la distorsione genera e tanto maggiore quanto piu e elevato lordine dellarmonica ed e senzaltro superiore per le armoniche dispari rispetto a quelle pari, a parita di tutte le altre condizioni. Gli amplificatori per ampi segnali vengono classificati in base alle condizioni di funzionamento a riposo. Si parla in tal caso di: 1) Classe A. Si dice che un amplificatore opera in classe A quando punto di lavoro e segnale di ingresso sono tali che nello stadio di uscita circola sempre corrente. In pratica un amplificatore in classe A fa lavorare i dispositivi attivi dello stadio di uscita su un tratto lineare della loro caratteristica. 2) Classe B (figura 17.3). Si parla di amplificatori in classe B quando il punto di lavoro e spostato verso lestremita della caratteristica che corrisponde allinterdizione. In tal modo la potenza dissipata a riposo, cioe in assenza di segnale di ingresso, e molto piccola. In questo condizioni tuttavia quando il segnale di ingresso fosse un segnale sinusoidale si avra amplificazione solamente per meta del periodo T, mentre per laltra meta lamplificatore rimarra interdetto. 3) Classe AB. Si parla di amplificatori in classe AB quando le condizioni di lavoro sono intermedie tra quelle della classe A e quelle della classe B. Vi
369
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 sara pertanto un intervallo di tempo maggiore di zero, ma minore di T/2, durante il quale i dispositivi dello stadio di uscita rimarranno interdetti. 4) Classe C. In questultimo caso il punto di lavoro viene scelto in modo da mantenere lamplificatore interdetto per un tempo superiore a T/2. Gli amplificatori in classe C vengono in pratica usati esclusivamente nelle applicazioni a radiofrequenza.
iC
iC
V cc
ic
caratteristica di trasferimento Im
uscita
iB 0
L
vi
IB
iB iB
eccitazione
figura 17.3
a) Rendimento degli amplificatori in classe A. Lattitudine di un amplificatore a convertire una potenza continua assorbita dallalimentatore in una potenza alternata fornita al carico e detta rendimento di conversione o rendimento teorico. Tale rendimento in termini percentuali e dato da: Potenza fornita al carico .100 Potenza assorbita dall' a lim entazione In generale il rendimento di un amplificatore e dato da: 1 2 .B1 .R L 2 .100 Vcc . I c B 0 e se le componenti distorsive sono trascurabili Vm .I m .100 2.Vcc .I c
370
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 con Vm e Im valori di picco delle grandezze sinusoidali di uscita. Si noti tuttavia che il rendimento cosi definito differisce da quello effettivo in quanto si trascura la potenza che si dissipa nel circuito di base. Se ora si prende in considerazione un amplificatore che lavora in classe A si possono individuare due casi limite. Se lamplificatore opera a piccoli segnali la potenza di uscita e molto ridotta. Al contrario la potenza assorbita dallalimentatore e sempre pari a Vcc.Ic in quanto dipende esclusivamente dal punto di lavoro. Il rendimento in tale situazione e pertanto molto modesto e la maggior parte della potenza si dissipa nello stadio di uscita sotto forma di calore. In condizioni di massimo segnale di ingresso, se il punto di lavoro e stato scelto in modo da cadere in posizione centrale sulla retta di carico, Si puo dire almeno in via di prima approssimazione, che: Im Ic Vm Vcc 2
Di conseguenza, nella migliore delle ipotesi il rendimento di un amplificatore in classe A sara: Vcc .I c .100 4.Vcc .I c 25%
Il rendimento della classe A anche nella piu favorevole condizione di funzionamento rimarra comunque estremamente basso. La scelta della classe A non appare quindi la piu opportuna quando le potenze da trasferire al carico sono elevate. b) Amplificatori in controfase in classe B e AB Quando in uno stadio ad emettitore comune la corrente di polarizzazione e nulla, anche la corrente di riposo Ic = 0. Analoghe considerazioni si possono fare anche per linseguitore di emettitore. Lutilizzo di una di queste due configurazioni presenta tuttavia la difficolta che esse introducono tassi di distorsione estremamente elevati, in quanto si ha amplificazione unicamente per meta del ciclo. Tale difficolta puo venir superata combinando due amplificatori in classe B secondo la configurazione, che prende il nome di amplificatore in controfase in classe B a simmetria complementare, illustrata in figura 17.4 Il circuito di figura 17.4 (a) utilizza una struttura complementare a inseguitore di emettitore, quello di figura 17.4 (b) una configurazione a emettitore comune. Il funzionamento e in ambedue i casi intuitivo. Durante la semionda positiva del segnale di ingresso conduce Q1, mentre Q2 e interdetto, mentre durante la semionda negativa e Q2 lelemento che conduce mentre Q1 e interdetto. Sul carico le correnti si sommano in opposizione di fase, dando luogo ad unonde sinusoidale piena, come desiderato.
371
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17

Vcc Q1 vi Q2 i1 i2 -Vcc (a)
figura 17.4
Vcc Q2 v o vi iL Q1 -Vcc (b) i1 i2 iL vo
I principali vantaggi che si ricavano risiedono nel fatto che il rendimento aumenta notevolmente, consentendo di gestire maggiori potenze sul carico, e soprattutto che in assenza di segnale di ingresso la potenza dissipata e trascurabile.. Come svantaggi si possono citare la maggior distorsione che non quella di un amplificatore in classe A e la necessita di avere alimentazioni molto ben regolate. Indicando ancora con Vm e Im i valori di picco di tensione e corrente nel carico, la potenza di uscita e: P Vm .I m 2
Se invece si considera la potenza assorbita dallalimentazione, poiche in ciascun semiperiodo il valore medio della corrente e I cc I m / , si ottiene: Pa 2. I m .Vcc
Pertanto il rendimento dello stadio controfase a simmetria complementare e: P .100 Pa Vm .100 4 Vcc .
Quando la tensione di alimentazione Vcc e moto maggiore della tensione Vces di saturazione dei transistori usati, si puo porre Vm Vcc e quindi: 4 .100 78%
Il rendimento pertanto e oltre tre volte superiore a quello di uno stadio amplificatore in classe A. Si noti che in un amplificatore in classe B la dissipazione di collettore e al limite nulla in assenza di segnale di ingresso e va via via aumentando al crescere di questultimo. Da un altro punto di vista si puo dire che in uno stadio in classe A il valore medio della corrente di
372
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 alimentazione e costante, mentre in uno stadio in classe B aumenta allaumentare del segnale di ingresso. E evidente pertanto il motivo per cui la sorgente di alimentazione di un amplificatore in classe B deve presentare caratteristiche di regolazione superiori a quelle di un alimentatore di un amplificatore in classe A La potenza dissipata nei transistori dellamplificatore e data dalla differenza tra la potenza assorbita dallalimentazione e quella resa al carico. Indicando con Pc la potenza totale dissipata nei transistori, si ottiene: Pc Pa P 2 Vcc .Vm . RL
2 Vm 2.R L
In assenza di segnale di ingresso la potenza dissipata e nulla e cresce allaumentare di Vm, raggiungendo un massimo quando: dPc dVm cioe quando Vm 2.Vcc / . Pertanto: Pc max
2 2.Vcc 2
2.Vcc .R L
Vm RL
.R L Vcc e vale:
Daltra parte la massima potenza fornita al carico si ha per Vm Pmax e quindi Pc max 4
2 2 Vcc 2.R L
Pmax
0,4Pmax
In un amplificatore in classe A che abbia la medesima potenza di uscita Pmax, la potenza assorbita dallalimentazione, con un rendimento del 25%, sarebbe pari a: Pa Pmax 0,25 4.Pmax
e in assenza di segnale di ingresso tale potenza dovrebbe venire dissipata totalmente nei transistori dello stadio finale. E evidente pertanto la superiorita degli stadi in classe B rispetto a quelli in classe A. Il miglioramento ottenuto dal punto di vista della dissipazione si paga tuttavia con una maggior distorsione.
373
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 Si consideri infatti, a titolo di esempio, lo stadio complementare a inseguitore di emettitore e si supponga che la caratteristica di trasferimento non sia lineare. Nel caso in cui Q1 e Q2 abbiano le medesime caratteristiche anche le correnti i1 e i2 saranno identiche e sfasate di 180 . Come e gia stato visto i1 puo essere espressa come la somma di funzioni armoniche i1 e di conseguenza i1 Ic B0 B1 . cos t Ic Ora poiche iL i1 i 2 2. B1 . cos t B 3 . cos 3 t .... B0 B 2 . cos 2 t B1 . cos t B 2 . cos 2 t B 3 . cos 3 t .... .... Ic B0 B1 . cos t B 2 . cos 2 t B 3 . cos 3 t ....
si ottiene in definitiva che, almeno finche i due transistori sono di identiche caratteristiche, lo stadio e affetto solamente da distorsione di armonica dispari, in quanto le componenti di armonica pari si annullano vicendevolmente. A questo aspetto positivo degli stadi a simmetria complementare in classe B si sovrappone tuttavia una sorgente di distorsione ben piu rilevante, dovuta alla non linearita delle caratteristiche di ingresso dei due transistori.
i B1
Q V
1
vB2
V Q
2
vB1
i B2 0
vB
figura 17.5
La giunzione base-emettitore di un transistore al silicio non passa infatti apprezzabilmente in conduzione finche non viene superata la tensione di soglia V 0,5V e
374
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 comunque la corrente di base ha un andamento esponenziale in funzione della tensione VB. Le condizioni operative del circuito di ingresso sono allora quelle illustrate in figure 17.5 Si vede immediatamente che la corrente di uscita e affetta da una notevole distorsione di armonica dispari (evidenziata dalla simmetria delle due semionde) detta distorsione di crossover. Per minimizzare tale distorsione si puo ricorrere ad unopportuna polarizzazione che faccia circolare nei transistori dello stadio una piccola corrente anche in assenza di segnale di ingresso. Si sposta cioe il funzionamento dello stadio verso la classe A, ottenendo la modalita operativa che in precedenza e stata indicata come classe AB. Un buon compromesso e quello che polarizza ciascun transistore nellintorno del valore V . In tal modo la distorsione viene notevolmente ridotta, ma diminuisce il rendimento ed aumenta la potenza dissipata sotto forma di calore nello stadio a parita di potenza fornita al carico. 17.2) Cenni sul progetto termico di un circuito. La discussione appena fatta al paragrafo precedente ha messo in luce che in un amplificatore di potenza laliquota di potenza che si dissipa nei dispositivi attivi non e affatto trascurabile, al contrario di quanto avviene negli amplificatori per piccoli segnali. Tutti i dispositivi semiconduttori hanno una temperatura massima di funzionamento, e in particolare quando si abbia a che fare con transistori BJT, nei quali la dissipazione avviene in corrispondenza alle giunzioni, i costruttori assegnano una temperatura massima di giunzione Tjmax che dipende essenzialmente dal livello di drogaggio e dalle caratteristiche tecnologiche del dispositivo stesso. Quando tale temperatura viene superata il dispositivo cessa di funzionare correttamente e molto spesso subisce delle alterazioni che il piu delle volte sono di natura irreversibile e di carattere catastrofico. A titolo di orientamento sullentita della temperatura massima di giunzione si puo dire che in un transistore al silicio essa puo essere compresa tra i 150 e i 200 250 C. Il calore generato internamente al dispositivo deve quindi venire asportato per evitare che la temperatura massima di giunzione venga superata. Allequilibrio si stabilisce tra giunzione e involucro del transistore un gradiente di temperatura e il salto termico viene ad essere proporzionale alla potenza dissipata. Indicando con Tj la temperatura di giunzione e con Tc quella dellinvolucro (case), si ha: Tj Tc = PD.Rtjc con Pd potenza dissipata espressa in watt, Tj e Tc le temperature di giunzione e involucro espresse in gradi centigradi e Rtjc coefficiente di proporzionalita, che prende il nome di resistenza termica giunzione-involucro. La dizione resistenza termica deriva dal fatto che e immediato stabilire unanalogia tra la relazione appena scritta e quella che descrive la legge di Ohm, quando al salto di temperatura si faccia corrispondere la caduta ai capi di un resistore e alla potenza dissipata si faccia corrispondere la corrente che circola sullo stesso resistore. Le resistenze termiche vengono espresse in C/W e il loro valore puo essere compreso tra 0,1 per i transistori di elevata potenza fino a circa 100 per transistori di bassa potenza. Si sa tuttavia che tra i dati forniti dal costruttore compare anche la massima potenza dissipabile. Tale dato tuttavia e assegnato in corrispondenza ad una ben precisa temperatura ambiente, che convenzionalmente e stata fissata in 25 C. E pertanto ovvio che 375
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 allaumentare della temperatura ambiente la massima potenza dissipabile dovra diminuire, per evitare che allinterno del dispositivo si superi la massima temperatura ammissibile. Viene pertanto fornita anche la curva di derating dalla quale si puo dedurre la riduzione della potenza dissipabile. Un esempio di curva di derating e riportato in figura 17.6
% 100 80 60 40 20 T 25 50 75 100 125 150 175
figura 17.6
In ascissa compare la temperatura dellinvolucro del dispositivo, mentre in ordinata e riportata la frazione della potenza massima che puo venire dissipata a tale temperatura senza correre il rischio di danneggiare il dispositivo. Da tale curva e desumibile anche la massima temperatura di giunzione che e ovviamente quella in cui la potenza trasferibile allambiente e nulla. In tali condizioni infatti il gradiente interno di temperatura e nullo e la temperatura di giunzione coincide con quella dellinvolucro. Con riferimento alla figura 17.6 la massima temperatura di giunzione e di 200 C ed e individuata dallintersezione della curva di derating con lasse delle ascisse. Si noti poi che dalla curva di derating e desumibile anche la resistenza termica Rtjc, quando si conosca la massima potenza PD corrispondente alla percentuale del 100%. Se ad esempio si avesse un dispositivo in cui Pdmax = 42 W, si otterrebbe che : Rtjc PD max T 175 42 4 C
Per asportare il calore prodotto e tuttavia necessario che tra involucro e ambiente si stabilisca uno scambio termico. Non e quindi sufficiente prendere in considerazione la sola resistenza termica tra giunzione e involucro, ma e necessario valutare anche la resistenza termica tra involucro e ambiente, la cui capacita termica puo essere considerata infinita e quindi si puo ritenere a temperatura costante Ta. Per facilitare lo scambio termico verso lambiente si ricorre molto spesso a dissipatori di calore, cioe a strutture realizzate con materiali a buona conduzione termica, generalmente metalli, che facilitino la trasmissione del calore verso lambiente sia per conduzione che per convezione e per irraggiamento. Molto spesso per diminuire la resistenza termica del dissipatore si ricorre alla ventilazione forzata e in alcuni casi addirittura al raffreddamento con liquidi refrigeranti.
376
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 Tenendo conto di tutti questi fattori lanalogo elettrico del circuito termico di un dispositivo sara del tipo illustrato in figura 17.7
Tj
R tjc Tc PD R tcd Td R tda Ta
T jc
T cd
T da
figura 17.7
dove con Rtjc si e indicata la resistenza termica giunzione - involucro, con Rtcd la resistenza termica involucro - dissipatore e con Rtda quella dissipatore - ambiente. Tj, Tc e Td sono rispettivamente le temperature di giunzione, involucro e dissipatore. Si ricava immediatamente che: Tj = Tjc + Tcd + Tda + Ta cioe: Tj = PD.(Rtjc + Rtcd + Rtda) + Ta Questa semplice relazione permette di valutare quale debba essere la massima resistenza termica di un dissipatore una volta che si conoscano Tjmax, Ta, Rtjc, Rtcd (resistenza del giunto termico tra involucro del dispositivo e dissipatore) e sia stata valutata la potenza PD che si dissipa. Si consideri ad esempio il transistore la cui curva di derating sia quella di figura 17.xx, supponendo che esso dissipi una potenza pari a 20 W. La temperatura ambiente sia di 35 C, la resistenza termica e, come si e visto di 4 C/W e la resistenza termica Rtcd sia di 0,7 C/W. Dalla curva di derating si deduce poi che la massima temperatura di giunzione e 200 C. Con questi dati si ottiene: Tjmax = 200 C = 20 W . (4 C/W + 0,7 C/W + Rtda C/W) + 35 C da cui si ricava che la massima resistenza termica del dissipatore e
377
Amplificatori per ampi segnali Capitolo 17 Rtda = 3,55 C/W Un radiatore con queste caratteristiche termiche puo essere scelto tra i radiatori normalmente in commercio come unita pronte alluso o puo in alternativa venire appositamente progettato per la specifica applicazione.
378
I quadripoli Appendice
I QUADRIPOLI.
a.1) Quadripoli e generatori comandati. Lutilizzo di bipoli passivi e la loro interconnessione portano ad introdurre in maniera del tutto naturale i quadripoli (o doppi bipoli). In generale un quadripolo puo venire schematizzato come in figura a.1. I versi delle grandezze dingresso e duscita vengono di solito convenzionalmente assunti come positivi secondo quanto indicato in figura a.1 (b).
I2
Appendice
bipolo
I1
ingresso
uscita
V1
Quadripolo
V2
quadripolo
(a)
figura a.1
(b)
I quadripoli passivi, realizzati unicamente con componenti passivi, danno luogo ad unattenuazione della potenza duscita rispetto a quella dingresso, come daltra parte e evidente nel caso di figura a.1 (a). I quadripoli attivi viceversa contengono anche generatori, normalmente comandati, dove con tale termine sintendono generatori che forniscono in uscita grandezze proporzionali, attraverso un opportuno fattore di comando, ad una delle grandezze dingresso.
(a) I1 (b) I
V1
kV1
V2
kI 1
k amplificazione di tensione
I1 (c)
k amplificazione di corrente
(d) I2
R I
m 1
V2
V1
Gm I1
R m transresistenza
G transconduttanza m
Figura a.2
379
I quadripoli Appendice In figura a.2 (a) sono riportati lo schema e le relazioni che caratterizzano un generatore di tensione comandato di tensione. Sono ovviamente possibili anche tutte le altre combinazioni, riportate rispettivamente in figura a.2 (b), (c), (d), di generatore di corrente comandato in corrente, di generatore di tensione comandato in corrente e di generatore di corrente comandato in tensione. Il fattore di comando assume rispettivamente il nome e il significato damplificazione di tensione, di corrente, di transresistenza e di transconduttanza. Ovviamente il prefisso trans sta ad indicare che la grandezza in questione e una grandezza di trasferimento ingresso-uscita. I generatori dipendenti reali si ottengono da quelli ideali tendo conto della loro resistenza dingresso e duscita. In figura a.3 e riportato un generatore di tensione reale comandato in tensione collegato ad un generatore di segnale in ingresso e ad un carico in uscita. Lamplificazione tra la tensione Es fornita dal generatore di segnale in ingresso e la tensione duscita dipende in tal caso dal carico RL collegato alla porta duscita e dalla resistenza interna Rs del generatore di segnale.
Rs
R2
Es
V1
R1
kV1
V2
RL
figura a.3
Lamplificazione globale, facilmente ricavabile, e: Av V2 Es R1 RL .k. R1 R s R L R 2
Nellespressione sindividua il prodotto di tre termini, uno determinato dallingresso, uno dal fattore damplificazione del generatore comandato e uno determinato dalluscita. In generale, note le impedenze dingresso e duscita e il coefficiente damplificazione del quadripolo, si e in grado di valutare le funzioni che legano tensioni e correnti. La funzione complessiva risulta dal prodotto di tre funzioni semplici. In termini di schema a blocchi il circuito di figura a.3 puo venire rappresentato come illustrato in figura a.4, in cui ogni singola funzione e rappresentata da un quadripolo e il quadripolo risultante e ottenuto con la cosiddetta connessione in cascata dei singoli quadripoli. Quella illustrata e una situazione tipica in ambito elettronico, quando le desiderate caratteristiche ingresso-uscita non sono ottenibili con un singolo stadio e vengono realizzate con la connessione in cascata di piu stadi.
380
Es
R1 R 1 + Rs
R L+ R2
RL
Figura a.4
I quadripoli oltre che in cascata possono essere connessi in tutta una varieta daltri modi. Prime tuttavia di descrivere le varie connessioni e opportuno vedere come i quadripoli possono venire caratterizzati. Si consideri pertanto nuovamente il quadripolo di figura a.1 (b). Esso puo venire caratterizzato dal legame tra le correnti e le tensioni alle porte dingresso e duscita. Secondo le grandezze scelte come variabili indipendenti e dipendenti, tale legame viene espresso da due equazioni, individuate da volta in volta da una diversa matrice. Se, ad esempio, si assumessero come variabili indipendenti le tensioni, le equazioni del quadripolo sarebbero: I1 I2 y 11 .V1 y 21 .V1 y 12 .V2 y 22 .V2
a.2) Matrici rappresentative di un quadripolo.
e si dira che il quadripolo e stato caratterizzato dalla matrice dammettenze o matrice y. Se viceversa si fossero scelte come variabili indipendenti le correnti, la matrice caratteristica sarebbe stata la matrice z o matrice delle impedenze. La matrice delle impedenze e ovviamente la matrice inversa di quella delle ammettenze. Altre matrici sono la matrice ibrida (variabili dipendenti V1, I2) la sua inversa o antiibrida, la catena (variabili dipendenti V2, I2) e la catena inversa. Ciascuna matrice e evidentemente ricavabile da ciascuna delle altre. Si riprenda ora in esame la matrice y; i suoi parametri vengono detti di cortocircuito in quanto sono definiti e possono venire misurati in condizioni di cortocircuito, come risulta dalle seguenti espressioni: y 11 I1 V1 I2 V1 y 12
V2 0
I1 V2 I2 V2
V1 0
y 21
y 22
V2 0
V1 0
Si osservi che le definizioni appena date corrispondono a condizioni effettive di misura. Cio significa che per misurare ad esempio la y21 e necessario porre in cortocircuito la porta 381
I quadripoli Appendice duscita. E tuttavia opportuno far notare che la definizione dei parametri del quadripolo e le condizioni di misura in cortocircuito sono relative al segnale. Di conseguenza la caratterizzazione per segnali variabili nel tempo realizzera la condizione di cortocircuito chiudendo luscita o lingresso su un condensatore di valore tale da poter essere considerato alla frequenza di misura dimpedenza trascurabile. Gli elementi delle matrici rappresentative risultanti da una procedura di misura si presentano come numeri complessi dipendenti dalla frequenza e possono venire rappresentati in grafici che ne forniscono la parte reale e la parte immaginaria. Spesso e possibile a partire da una particolare struttura circuitale calcolare sulla base dei valori dei singoli componenti le espressioni dei parametri della matrice nella forma di rapporto di polinomi della variabile complessa s. a.3) Connessioni parallelo, serie, cascata. In figura a.5 e illustrata la connessione in parallelo sulla porta duscita di due quadripoli. Si vede immediatamente che tale connessione impone luguaglianza delle tensioni duscita, mentre le rispettive correnti vengono sommate. V2 I2 V2' I '2
" V2
I" 2
, I1 , V1
, I2
I2 , V2
'
I" 1 I" 2
V2 " V2
" V1
"
figura a.5
La connessione in parallelo sia della porta dingresso che di quella duscita da origine ad un quadripolo la cui matrice caratteristica e ottenuta come somma delle matrici dei due quadripoli di partenza. In figura a.6 e riportata invece la connessione serie sulla porta duscita di due quadripoli.
382
, I1 , V1 , I2 I2 , V2
'
I" 1 I" 2
V2 V" 2
" V1
"
figura a.6
Si vede immediatamente che la connessione serie impone luguaglianza delle correnti duscita, mentre le tensioni si sommano. I2 V2 I '2 V2' I "2
" V2
La connessione serie sia della porta dentrata che di quella duscita da origine ad un quadripolo caratterizzata da una matrice dimpedenze costituita dalla somma delle matrici dimpedenze dei due quadripoli di partenza. Questi due semplici esempi fanno intuire che per descrivere il quadripolo risultante da una qualsivoglia connessione e opportuno scegliere di volta in volta la descrizione matriciale piu idonea a seconda della connessione. Unaltra connessione possibile e quella in cascata. In figura a.7 e illustrata tale connessione per due quadripoli, in cui la porta duscita del primo viene connessa a quella dingresso del secondo.
, I1 , V1 , I2 I" 2
I" 1 , V2 " V1
'
"
V" 2
figura a.7
Tale connessione e caratterizzata dalle relazioni:
383
I quadripoli Appendice V2' I '2 V1"

" I1
A titolo desempio di quanto illustrato si veda di calcolare la matrice dammettenze di un generatore di tensione reale comandato in tensione (figura a.8). Imponendo la condizione di cortocircuito, rispettivamente in ingresso e in uscita, si ottiene: y 11 1 R1 k R2 y 12 0 1 R2
y 21
y 22
I1
R2
I2
V1
R1
k.V1
V2
figura a.8
Il circuito viene pertanto rappresentato dalle seguenti relazioni: I1 1 .V1 R1 k .V1 R2 1 .V2 R2
I2
Si rappresenti ora il medesimo circuito con un generatore di corrente comandato in tensione. Si ricordi che tale obiettivo puo venire raggiunto applicando la trasformazione Thevenin-Norton ottenendo il circuito di figure a.9)
384
I quadripoli Appendice I1 I2
V1
R1
k.V1 R2
R2
V2
figura a.9
E facile verificare che tale circuito si comporta esattamente come quello precedente, cioe fornisce ai morsetti duscita la stessa tensione a vuoto e presenta la stessa impedenza duscita. E immediato rendersi conto che il circuito presenta la stessa matrice dammettenze. In particolare
I2
y =
21
I2 V1
V2 = 0
=-
k R2
k.V 1 R2
R2
I2
y22 =
I2 V2
V1 = 0
=-
1 R2
R2
V2
E infine interessante vedere come, data la matrice dammettenze si puo individuare il circuito equivalente che la rappresenta. Linterpretazione della prima equazione e immediata. Per quanto riguarda la seconda si osserva che essa e costituita da una somma di due termini. Pertanto la corrente I2 dovra entrare in un nodo da cui si dipartono due rami percorsi dalle correnti definite dai due addendi del secondo membro della seconda equazione. Il primo di questi dipende da una tensione diversa da quella presente al morsetto su cui entra la I2 e dovra quindi essere rappresentato da un generatore di corrente comandato dalla tensione V1, mentre il secondo, proporzionale alla tensione V2 viene realizzato da una semplice resistenza V2.
385

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Antonio DAmore Sergio Degli Innocenti

APPUNTI DI ELETTRONICA Dispositivi e circuiti lineari

Capitolo II - I sistemi lineari

Capitolo III - Dispositivi passivi

Capitolo VI - I dispositivi elettronici attivi. Transistori ad effetto di campo

Capitolo VII - Il transistore bipolare a giunzione

Capitolo VIII - I transistori BJT. La polarizzazione

Capitolo IX - I transitori BJT. Gli stadi amplificatori elementari

Capitolo X - I transitori BJT. Comportamento in frequenza

Capitolo XI - Gli amplificatori a FET

Capitolo XII - Gli amplificatori pluristadio

Capitolo XIII - Lamplificatore operazionale

290 291 299 301 302 303 305

Capitolo XIV - Lamplificatore operazionale reale

Capitolo XV - La stabilita dei sistemi controreazionati. Gli

329 335 338 340

Capitolo XVI - Alimentatori e convertitori

Capitolo XVII - Amplificatori per ampi segnali

Capitolo 1 CONCETTI BASE SUI SEGNALI ELETTRICI

Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1

Concetti base sui segnali elettrici Capitolo 1

Amplificatore di tensione di corrente di transresistenza di transconduttanza

Le ragioni di questa classificazione appariranno pi chiare nel seguito. 5

I sistemi lineari Capitolo I1

Capitolo 2 SISTEMI LINEARI

Indicando con pi le r radici distinte, gli n termini:

I sistemi lineari Capitolo I1

I sistemi lineari Capitolo I1

si in presenza di modi che vengono detti pseudoperiodici, si hanno cio i modi t k .e

I sistemi lineari Capitolo I1

I sistemi lineari Capitolo I1 Bi Ai

Quando le radici sono tutte semplici la precedente relazione si riduce a: yl t

che nel caso di radici di molteplicit 1 si riduce a: yl t

A.e z.t , dove

I sistemi lineari Capitolo I1

2.4.1 - Regime impulsivo Si consideri la funzione t, (figura 2.4) tale che:

Indicando con osservando che

, detto impulso unitario o impulso di Dirac, ed

si ha allora: f t. t t 0 .dt f t . t0 t .dt f t0

I vari rettangoli dellapprossimazione possono venir espressi con: t , . .x con i.

Infine con un cambiamento di variabili yt

I sistemi lineari Capitolo I1

I sistemi lineari Capitolo I1

fT t Si definisca ora la variabile

n . Risulta quindi che:

e la relazione precedente si scrive fT t 1 . 2 n ej

Ricordando che lintegrale per parti u.dv ponendo u e

I sistemi lineari Capitolo I1

12) s.f (s) f 0 13) s 2 .f s

Somma dei termini

22) 23) 24) 25) 26) 27)

per per per

I sistemi lineari Capitolo I1 1 s a s b s s a.s b s s a

28) 29) 30) 31) 32) 33) 34) 35) 36)

a b. a b .t.e bt a.e 2 a b a e at . cos b.t .sinb.t b c.b .e

s a.s b.s c s a.s b.s c 1 s. s a 1 s a . s2 1 s

I sistemi lineari Capitolo I1 d if dt i

La funzione razionale della variabile complessa s data dal rapporto:

I sistemi lineari Capitolo I1

La risposta allimpulso unitario, detta risposta impulsiva, pertanto: Ys 1.W s Ws

I sistemi lineari Capitolo I1

per quelle complesse coniugate. Si ottiene

dove K legato a K dalla relazione