Indice

Presentazione Prefazione all'edizione italiana Prefazione Prologo

I:.'
:..
XIII XV XVII
- Breve storia
dell'elettronica
1
,
Parte prima Dispositivi a semiconduttore
1 Semiconduttori 1.1 Forze, campi ed energia 1.2 Conduzione nei metalli 1.3 Semi
conduttori intrinseci 1.4 Semiconduttori estrinseci 1.5 Variazioni nelle proprie
t del silicio 1.6 Diffusione 1.7 Semiconduttori a drogaggio graduale 2 Il diodo a
giunzionepn 2.1 La giunzione a circuito aperto 2.2 La giunzione pn polarizzta 2.
3 La caratteristica tensione-corrente 2.4 Dipendenza dalla temperatura della car
atteristica 1-V 2.5 Diodi al germanio 2.6 Il diodo come elemento circuitale 2.7
Modelli per grandi segnali 2.8 Applicazioni elementari del diodo 2.9 Modelli per
piccoli segnali 2.10 Tempi di commutazione del diodo a giunzione 2.11 Diodi Zen
er
17 19 19 23 27 31 36 37 39
43 43 46 48 51 52 52 55 59 65 70 72
,
r

VI Indice
2.12 Diodi Schottky 2.13 Il diodo a giunzione brusca
75 76 85 85 89 93 99 102 107 112 118 122 126 132 134 137
3 Transistori bipolari.a giunzione 3.1 Il generatore ideale controllato in corre
nte 3.2 Il transistore a giunzione 3.3 Il modello di Ebers-Moll del BJT 3.4 Le c
aratteristiche a base comune (common base, CB) 3.5 La configurazione a emettitor
e comune (CE) 3.6 Modi di funzionamento in interdizione e in saturazione 3.7 Mod
elli in continua 3.8 Il BJT come interruttore 3.9 Il BJT come amplificatore 3.10
Il modello per piccoli segnali del BJT 3.11 Il BJT come diodo . 3.12 La coppia
differenziale 3.13 Limiti di funzionamento dei transistori (transistorratings) 4
Transistori a effetto di campo 4.1 Il generatore ideale di corrente controllato
in tensione 4.2 Il transistore a effetto di campo a giunzione 4.3 Caratteristic
he tensione-corrente del JFET 4.4 La caratteristica di trasferimento del JFET 4.
5 Il MESFET 4.6 Il MOSFET ad arricchimento 4.7 Caratteristiche tensione-corrente
del MOSFET ad arricchimento 4.8 Il MOSFET a svuotamento 4.9 Simboli circuitali
dei MOSFET 4.10 Analisi in continua dei FET 4.11 Il MOSFET come resistenza 4.12
Il FET come interruttore 4.13 Il FET come amplificatore 4.14 Modelli per piccoli
segnali dei FET 4.15 Dispositivi CMOS
5 Fabbricazione dei circuiti integrati 5.1 Tecnologia per circuiti integrati mon
olitici (microelettronica) 5.2 I processi planari 5.3 Fabbricazione del transist
ore bipolare 5.4 Fabbricazione dei FET 5.5 Tecnologia CMOS 5.6 Diodi monolitici
5.7 Il contatto metallo-semiconduttore 5.8 Resistenze per circuiti integrati 5.9
Condensatori integrati 5.10 Inc.apsulamento dei circuiti integrati 5.11 Caratte
ristiche dei circuiti integrati 5.12 Layout di circuiti integrati
143 143 145 148 152 153 153 156 160 161 163 166 168 172 174 180 185 185 189 195
202 205 206 208 209 214 216 217 218

Indice
VII
Parte seconda Circuiti e sistemi digitali 6 Circuiti logici (digitali) elementar
i 6.1 Il sistema binario 6.2 Algebra booleana 6.3 Le porte OR-esclusivo, NAND e
NOR 6.4 Caratteristiche delle porte logiche 6.5 L'invertitore NMOS 6.6 Ritardo d
i propagazione dell'invertitore NMOS 6.7 Porte logiche NMOS 6.8 L'invertitore CM
OS 6.9 Porte logiche CMOS 6.10 L'invertitore a BJT 6.11 La porta NAND TTL 2.12 S
tadi di uscita TTL 6.13 Famiglie logiche TTL 6.14 Circuiti logici a emettitori a
ccoppiati (ECL) 6.15 Confronto tra famiglie logiche 7 Circuiti digitali combinat
ori 7.1 Porte standard 7.2 Sommatori binari 7.3 Funzioni aritmetiche 7.4 Compara
tore digitale 7.5 Generatore-controllore di parit. 1.6 Decodificatore-demultiplex
er 7.7 Selettori di dati-multiplexer 7.8 Codificato re . 7.9 Memorie a sola lett
ura (ROM) 7.10 Indirizzamento bidimensionale di una ROM 7.11 Applicazioni delle
ROM 7.12 ROM programmabili (PROM) 7.-13 PROM cancellabili 7.14 Logica a matrice
programmabile 7.15 Matrici logiche programmabili
223 225 225 228 233 239 246 252 255 257 258 262 264 267 271 273 282 285 285 288
295 297 300 301 306 309 314 319 . 322
325 326 328 329
337 337 340 341 345 351 356 361 365
8 Circuiti e sistemi sequenziali 8.1 Memorie a 1 bit 8.2 Propriet circuitali di u
n latch bistabile 8.3 Il FLIP-FLOP SR sincrono 8.4 I FLIP-FLOP di tipo Il(, T, D
8.5 Registri a scorrimento 8.6 Contatori asincroni (ripple) 8.7 Contatori sincr
oni 8.8 Applicazioni dei contatori
~+

VIII
Indice
9 Sistemi a larghissima scala di integrazione 9.1 Registri a scorrimento dinamic
i MOS 9.2 Stadi di registri.a scorrimento non a rapporto 9.3 La logica CMOS domi
no 9.4 Mem.oriead accesso casuale (RAM) 9.5 Celle di memoria lettura-scrittura 9
.6 Celle per RAM bipolari 9.7 Dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD) 9.8 S
trutture CCD 9.9 Logica a iniezione integrata (FL) 9.10 Microprocessori e microe
laboratori
371 372 375 378 380 385 392 396 400 404 410
Parte terza Circuiti e sistemi amplificatori
lO Configurazioni elementari di amplificatori a bassa frequenza 10.1 Forma d'ond
a di un ingresso sinusoidale 10.2 Punto di lavoro del BJT 10.3 Polarizzazione de
l BJT'nei circuiti integrati 10.4 Generatore di corrente di Widlar 10.5 Generato
ri di corrente a tre transistori 10.6 Polarizzazione di BJT nei circuiti a compo
nenti discreti. Analisi 10.7 Polarizzazione del BJT in circuiti a componenti dis
creti. Progetto 10.8 Polarizzazione del FET 10.9 Analisi di circuiti a transisto
ri in condizioni di linearit 10.10 L'amplificatore a emettitore comune 10.11 Inse
guitore di emettitore 10.12 Amplificatore a base comune 10.13 Confronto tta le c
onfigurazioni 10.14 L'amplificatore a emettitore comune con resistenza sull'emet
titore
417
419 420 424 426 430 433 435 440 444 449 450 454 457 458 459 461 466 470 472 475
479 480 486
10.15 Amplificatori ~ FET
10.16 10.17 10.18 10.19 10.20 10.21 10.22 Amplificatori a BJT in cascata Amplifi
catori a transistori composti L'amplificatore differenziale Analisi degli amplif
icatori differenziali Amplificatori differenziali a FET L'amplificatore operazio
nale Applicazioni tipiche degli amplificatori operazionali
11 Risposta in frequenza degli amplificatori 11.1 La risposta in frequenza 11.2
Risposta al gradino di un amplificatore 11.3 Guadagno di corrente in cortocircui
to per la configurazione a emettitore comune 11.4 La funzione "guadagno"
493 493 501 504 507

Indice
IX
11.5 11.6 11.7 11.8 11.9 Il.10 11.11 11.12 11.13
L'amplificatore a emettitore comune alle alte frequenze Il prodotto guadagno-ban
da L'amplificatore a source comune alle alte frequenze Gli inseguitori 'di emett
itore e di source alle alte frequenze Il metodo delle costanti di tempo per la d
eterminazione della risposta in frequenza Risposta in frequenza di pi stadi in ca
scata L'amplificatore cascode (CE-CB) L'amplificatore operazionale alle alte fre
quenze Effetti dei condensatori di accoppiamento e di bypass
510 514 515 517 523 531 538 541 543 551 552 555 559 562 569 573 576 581 589 592
597 599 602 604 608 615 615 618 620 627 631 638 642 643 645 656 663 663 665 671
678 680
12 Amplificatori reazionati 12.1 Classificazionee'rappresentazione degli amplifi
catori 12.2 Il concetto di reazione 12.3 L'amplificatore reazionato ideale 12.4
Propriet degli amplificatori con reazione negativa 12.5 Impedenza negli amplifica
tori reazionati 12.6 Propriet delle varie configurazioni di amplificatori reazion
ati 12.7 Analisi approssimata dell'amplificatore reazionato 12.8 Analisi general
izzata degli amplificatori reazionati 12.9 Approfondimenti sull'impedenza negli
amplificatori reazionati 12.10 Amplificatore a tre stadi in reazione parallelo 1
2.11 Amplificatore a due stadi con reazione parallelo-serie 12.12 Amplificatore
a due stadi con reazione serie-parallelo 12.13 Amplificatore a tre stadi in reaz
ione serie 12.14 Analisi generalizzata di amplificatori reazionati multistadio 1
2.15 Amplificatoricon reazione multipla
13 Stabilit e risposta degli amplificatori reazionati 13.1 Effetti della reazione
sulla banda 13.2 Stabilit 13.3 Criteri di stabilit 13.4 Compensazione 13.5 Rispos
ta in frequenza degli amplificatori reazionati. La funzione di trasferimento a d
ue poli 13.6 Margine di fase dell'amplificatore reazionato con due poli 13.7 Ris
posta dell'amplificatore reazionato con tre poli 13.8. Analisi approssimata degl
i amplificatori reazionati multipolo 13.9 Determinazione approssimata dei poli a
d anello aperto 13.10 Approfondimento sulle tecniche di compensazione
14 Caratteristiche degli amplificatoI;ioperazionali 14.1 Arhitettura degli amplif
icatori operazionali 14.2 Lo stadio ad alto guadagno con carico attivo 14.3 Lo s
tadio differenziale 14.4 Traslazione di livello 14.5 Stadi di uscita

X Indice
14.6 14.7 14.8 14.9 14.10 14.11 14.12 14.13
Tensioni e correnti di sbilanciamento (offset) Misura dei parametri degli amplif
icatori operazionali Risposta in frequenza e compensazione Slew rate Circuiti BI
FET e BIMOS Amplificatori operazionali a tre stadi Altri tipi di amplificatori o
perazionali Amplificatori operazionali a MOS
684 687 692 699 701 702 704 709
Parte quarta Elaborazione di segnali e acquisizione dati
715
15 Generazione ed elaborazione di forme d'onda 15.1 Oscillatori sinusoidali 15.2
L'oscillatore a,sfasamento 15.3 Oscillatore a ponte di Wien 15.4 Schema general
e di un circuito oscillatore 15.5 Oscillatore a quarzo 15.6 Multivibratori 15.7
Comparatori 15.8 Generazione di un'onda quadra da una sinusoide 15.9 Il comparat
ore rigenerativo (trigger di Schmitt) 15.10 Generatori di onda quadra e triangol
are 15.11 Generatori di impulsi 15.12 Il timer integrato 555 15.13 Generatori di
base dei tempi 15.14 Generatori di gradinata 15.15 Modulazione di un'onda quadr
a
16 Condizionamento del segnale e conversione dei dati 16.1 Segnali ed elaborazio
ne dei segnali 16.2 Sistemi di campionamento e tenuta (sample-and-hold) 16.3 Mul
tiplexer e demultiplexer analogici 16.4 Convertitori digitale-analogici (D/A) 16
.5 Convertitori analogico-digitali (AID) 16.6 .Circuiti integratori e derivatori
16.7 Calcolo elettronico analogico 16.8 Filtri attivi RC 16.9 Filtri di Butterw
orth e di Chebyshev 16.10 Celle biquadratiche a singolo amplificatore 16.11 Cell
e biquadratiche con pi AO 16.12 Filtri a condensatori commutati' 16.13 Amplifica~
ori logaritmici ed esponenziali 16.14 Moltiplicatori analogici 16.15 Raddrizzato
ri di precisione
717 717 719 721 724 726 728 734 737 738 742 748 751 753 758 760
769 769 774 776 778 782 788 792 793 797 804 814 817 823 828 831

Indice XI
Parte quinta Elettronica dei grandi segnali 17 Circuiti e sistemi di potenza 17.
1 Conversione da tensione alternata a continua (ac-dc) 17.2 Raddrizzatori 17.3 A
ltri circuiti a doppia semionda 17.4 Filtri capacitivi 17.5 Alimentatori stabili
zzati 17.6 Regolatori monolitici 17.7 Regolatore a commutazione 17.8 Altre topol
ogie dei regola tori a commutazione 17.9 Amplificatori. per grandi segnali 17.10
Distorsione armonica 17.11 Classificazione degli amplificatori 17.12 Rendimento
di un amplificatore in classe A 17.13 Amplificatori push-pull in classe B 17.14
Funzionamento in classe AB 17.15 Amplificatori di potenza a circuito integrato
17.16 Considerazioni per il progetto termico. 17.17 Transistori di potenza a eff
etto di campo (VMOS) Appendici . A Costanti e fattori di conversione B Costrutto
ri di semiconduttori e caratteristiche C Sommario di teoria delle reti
839 841 841 842 848 850 854 857 859 863 868 869 873 874 875 879 879 882 885
di alcuni dispositivi
893 895 911

1
I
Il
Prologo
Breve storia dell'elettronica
Elettronica - per la maggiorparte di noi questa parola richiama alla mente una v
ariet di oggetti,da "chip" e computer a transistori e televisione.Tuttavia, mentr
e concordiamo sugli elementi specificiche costituisconol'elettronica, la sua def
inizione sfuggente. Nei paragrafi seguenti definiamo l'elettronica come viene us
ata in questo libro, non nel senso del dizionario, ma in una maniera che tenta d
i trasmettere lo spirito e gli aspetti caratteristici della disciplina.Abbiamo s
celto la storia come veicoloper fare ci, perch sono gli sforzidegli individuiche h
anno fornito contributi in questo campo che definiscono davvero la disciplina. L
'elettronica, in senso stretto, la scienza e la tecnologia del movimento delle c
ariche in un gas, nel vuoto o in un semiconduttore. da notare Gheil movimento de
lla carica confinata in un metallo non si considera elettronica. Questa stata un
a divisione storica usata agliinizidel ventesimo secolo per separare ilgi fiorent
e campo dell'ingegneria elettrica dal nuovo ed emergente campo dell'ingegneria e
lettronica. A quel tempo l'ingegneria elettrica trattava dispositivi che dipende
vano soltanto dal movimento deglielettroni nei metalli, come i motori, i generat
ori, le lampadine e i sistemi di comunicazionemediante filo (telefono e telegraf
o). Tuttavia, all'avvicinarsidella fine del ventesimo secolo, la divisionestoric
a tra ingegneria elettrica ed elettronica non ha pi la sua funzione originale. Og
gigli ingegneri elettronici che esercitano la professione assolvono diverse funz
ioni (progetto, sviluppo, produzione, ricerca e anche insegnamento) con varie ap
plicazioni. Essi si occupano di sistemi mediante i quali noi possiamo comunicare
l'uno con l'altro in tutto il mondo, tramite i quali si elaborano grandi quanti
t di dati e tramite i quali vengono automatizzati processi industriali altamente
complessi, e degli elementi usati nella realizzazionedi tali sistemi. Il campo d
ell'ingegneria elettrica include anche i dispositivi,circuiti e sistemi usati pe
r la generazione, distribuzione e conversione dell'energia elettrica. Il gruppo
menzionato nella prima delle due precedenti elencazioni possiede la propriet comu
ne della elaborazione dell'informazione; il secondo pu essere visto come elaboraz
ione dell'energia. Questa distinzione tra elaborazione dell'informazione e dell'
energia serve a separare l'elettronica dal resto dell'ingegneria elettrica. Di c
onseguenza, vediamo che la natura della disciplina dell'elettronica comprende le
quattro C - comunicazione, calcolo, controllo e componenti. Il prologo intende
offrire un breve profilo storico dell'elettronica moderna. Il centro dell'attenz
ione focalizzato sugli sviluppie le applicazioni dei dispositivielettronici e
" Il I
Il' I
, .1

2 Prologo
sulla crescita delle industrie derivanti dalla utilizzazione di questi dispositi
vi in circuiti e sistemi reali. Questa storia si divide in due periodi di tempo
principali, cio l'era del tubo a vuoto e l'era del transistore. La prima comprend
e gli sviluppi verificatisi nella prima met del ventesimo secolo e la seconda ini
zia con l'invenzione del transistore nel 1948. La sezione conclusiva contiene un
a breve ipotesi su quello che sar il futuro dell'elettronica. Queste descrizioni
danno un quadro complessivo di riferimento in cui comprendere i particolari argo
menti tecnici trattati nel testo.
Premesse storiche
Le originidell'ingegneria elettronica si basano sulle conquiste da parte di giga
nti della scienzaqualiAmpre, Coulomb,Faraday, Gauss, Henry, Kirchhoff,Maxwelle Oh
m. Il primouso pratico del loro lavoro, nel contesto della elettronica moderna,
fu lo sviluppo dei sistemidi comunicazione.Nel 1837Samuel Morse, professore di B
elle Arti presso l'universit di New York, dimostr la validit del sistema telegrafic
o*. L'importanza della telegrafia elettrica fu l'introduzione di un metodo effic
ace di codifica dell'informazione in segnali elettrici. I punti e le linee del c
odice Morse rappresentarono il primo uso dei segnali digitali (binari). Quasi qu
aranta anni pi tardi, nel 1876, BelI invent il telefono e introdusse un metodo per
codificare l'informazione parlata come segnale elettrico continuo e quindi deci
frare questi segnali a un apparecchio ricevente. L'invenzione del fonografo fatt
a da Edison nel 1877dimostr che i segnali elettrici potevano essere immagazzinati
e successivamenterecuperati. Il disco del fonografo pu essere considerato come l
a prima memoria elettrica a sola lettura (ROM). L'introduzione della comunicazio
ne radio si basa principalmente sul contributo di James Clerk Maxwell,il quale,
nel 1865, codific precedenti ricerche in una teoria consistente dell'elettromagne
tismo, ora conosciuta come equazioni di Maxwell. La spinta in avanti pi important
e fu data dall'intuizione di Maxwell circa l'esistenza di onde elettromagnetiche
che si potevano propagare nello spazio. Ecco un caso in cui la teoria precede l
'esperimento, dal momento che soltanto ventitr anni pi tardi Hertz produsse queste
onde sperimentalmente. Marconi fu il primo a sfruttare le onde hertziane,come e
sse vennero poi chiamate. Nel 1896 Marconi riusc a trasmettere queste onde e rice
verle a due migliadi distanza. Il telegrafo senza filiebbe la sua umile origine
in questi esperimenti. L'era del tubo a vuoto L'era del tubo a vuoto abbraccia l
a prima met del ventesimo secolo; l'elettronica moderna si concretizz tecnologicam
ente in questo periodo. L'origine del termine "elettronica" si pu attribuire a H.
A. Lorentz, il quale, nel 1895,postul l'esistenza di particelle cariche, che egl
i chiam elettroni (impiegando
* Anche se l'invenzione attribuita a Morse, il primo sistema operante molto diff
uso fu sviluppato in Gran Bretagna da William Thornson, in seguito divenuto Lord
Kelvin, e da Sir Charles Wheatstone.

Breve storia dell'elettronica

3
cos di nuovo la parola usata dagli antichi Greci per l'ambra). Due anni pi tardi J
.J. Thompson verific sperimentalmente l'esistenza degli elettroni. In quello stes
so anno Braun costru il primo tubo elettronico, un tubo a raggi catodici (CRT) pr
imitivo.
La scoperta dei tubi a vuoto
Nel 1904 Fleming invent un dispositivo a due elelpenti, il diodo, che egli chiam v
a/vola. Esso consisteva in un filo metallico riscaldato, il filamento, che emett
eva elettroni (l'effetto Edison) ed era posto a breve distanza da una placca met
allica.Tutta quanta la struttura era posta sotto vuoto. Una tensione positiva da
lla placca al catodo (filamento) produceva un passaggio di corrente; mentre, app
licando una tensione negativa,la corrente si riduceva a zero. Questa propriet uni
direzionale della valvolala rendevano utile come rivelatore di segnali senza fil
i (radio). Due anni dopo Pickard us un cristallo di silicio con un "baffo di gatt
o" (un filo appuntito pressato nel silicio)come rivelatore. Questo fu il primo d
iodo a semiconduttore; tuttavia, esso era inaffidabile e fu presto abbandonato.
Cos l'elettronica dei semiconduttori sembrava morire prematuramente nel 1906. L'i
nvenzione dell'audion (triodo) di De Forest nel 1906fu un primo successo nei pri
mi passi dell'elettronica. Infatti, si pu capire facilmente che l'elettronica, co
me la conosciamooggi,non esisterebbe senza l'invenzione del triodo. L'audion di
De Forest consistevain un terzo elettrodo (la griglia) inserito tra la placca e
il catodo della valvola di Fleming. La tensione della griglia controllava il flu
sso delle cariche tra placca e catodo. Un piccolo cambiamento nella tensione del
la griglia causava una variazione maggiore nella tensione della placca e, per qu
esto, l'audion il primo amplificatore. Il triodo stato H primo dispositivo a mos
trare la propriet circuitale, che oggi chiamiamo di generatorecomandato o dipende
nte. Poich manteneva la propriet unidirezionale della valvola, anche H triodo avev
a le propriet di un interruttore controllato. Oggi, in pratica, tutti i circuiti
elettronici utilizzano dispositivicon caratteristiche sia di generatore sia di i
nterruttore comandato.
Applicazioni circuitali iniziali
l,
'I.,
I
~II
!/'
Verso H19H i miglioramenti tecnologici - un vuotomiglioree un catodorivestitodi
ossido- resero l'audion un dispositivoaffidabile, dando Hvia cos all'era dell'ele
ttronica vera e propria *. Le prime applicazioni dei tubi a vuoto furono le comu
nicazioni telefoniche e radio e, nello stesso tempo, nel 1912, negli Stati Uniti
, fu fondato l'lnstitute of Radio Engineers (IRE). Va reso omaggio all'immaginaz
ione e lungimiranza dei primi ingegneri,i quali si resero conto immediatamente d
ell'importanza della radio e formarono la propria associazione professionale. Ne
l 1884 venne fondato l'American Institute of Electrical Engeneers (AlEE), focali
zzato sugli interessi tradizionalidegli ingegneri elettrotecnici. Nel 1963entram
be le associazionisi fusero in una sola organizzazione, l'lnstitute of Electrica
l and Electronic Engeneers (IEEE), un'operazione che rifletteva mezzo secolo di
progressi nella professione. Mediante l'uso dei semplici diodi e triodi disponib
ili, l'ingegnosit dei primi inge* Per coincidenza il Prof. Millman nato nello ste
sso anno.

4 Prologo
gneri port all'invenzione di molti nuovi circuiti. Tra questi sono degni di nota
gli amplificatori in cascata, gli amplificatori a reazione positiva (Armstrong,
1912*), gli oscillatori (De Forest, 1912), l'eterodina (Armstrong, 1917) e i mul
tivibratori (EcclesJordan, 1918). L'oscillatore stato il primo sistema in grado
di generare segnali elettrici utilizzando unicamente dispositivi elettronici. La
crescita del guadagno degli amplificatori sia in cascata sia che a reazione pos
itiva, unitamente alla traslazione di frequenza consentita dall'eterodina, port a
una migliore elaborazione dei segnali e favor la rivelazione di segnali deboli.
I primi multivibratori sono stati i precursori dei moderni FLIP-FLOP e dei gener
atori di clock. Industrie elettroniche
L'amplificatore ebbe quasi subito un'applicazione commerciale nella telefonia a
grande distanza. I progressi nella tecnologia del tubo a vuoto prodotti dalle co
mpagnie telefoniche dettero impulso a una nuova importante industria - la radiod
iffusione commerciale.Nel 1920,a Pittsburgh in Pennsylvania,fu creata la stazion
e KDKA dalla Societ Elettrica Westinghouse. Soltanto quattro anni pi tardi c'erano
cinquecento stazioni negli Stati Uniti e verso il 1926la rete di radiodiffusion
e era una realt. Nello stesso tempo la radiodiffusione entr nel mondo industriale.
Le industrie elettroniche** appartengono a uno o pi dei seguenti gruppi: compone
nti, comunicazioni, controllo e calcolo. Componenti All'inizio,le industrie di c
omponenti nacquero per produrre i vari tipi di dispositivielettronici come pure
gli elementi circuitali passivi (resistenze, condensatori, induttanze, trasforma
tori ecc.). Ingegneri e scienziati di queste organizzazioni raggiunsero progress
i significativi sviluppando dispositivi nuovi e migliori. Questi includevanoil c
atodo a riscaldamento indiretto, i tetrodi e pentodi, ottenuti dal triodo introd
ucendo un quarto e poi un quinto elettrodo, e i tubi a gas come il thyratron. Co
n dispositivinuovi e migliorati furono inventati nuovi circuiti che fornivano si
ntonia a singolo accordo, controllo automatico di guadagno (AGC) e il funzioname
nto come ricevitore multibanda. Comunicazioni I segnali radio sono trasmessi pi c
onvenientemente a frequenze superiori ai 500 kHz. Poich molto spesso la frequenza
dei segnali che rappresentano l'informazione notevolmente al di sotto dei 500 k
Hz, questi segnali devono essere codificatie traslati a frequenze di trasmission
e pi alte mediante un processo chiamato modulazione. I primi sistemi di radiodiff
usione usavano la modulazione di ampiezza (AM). Per migliorare la fedelt e ridurr
e l'effetto dell'interferenza atmosferica, Armstrong*** (1930) concep e svilupp la
modulazione di frequenza (FM). La televisionein bianco e nero inizi nel 1930,bas
andosi sull'iconoscopio di Zwory* Armstrong si laure presso la Columbia Universit
y in quel periodo. ** L'attivit di molte aziende coinvolge pi di una di queste cat
egorie, spesso con consociate o divisioni che si identificano con un gruppo. ***
Le date indicano l'inizio della divulgazione e non necessariamente il pubblico
riconoscimento o il rilascio del brevetto.

Breve storia dell'elettronica

5
kin e ilcinescopio(rispettivamente i primi tubi di telecamera e di riproduzione)
. Verso il 1940negliStati Uniti la televisione era poco usata e la sua diffusion
e venne ritardata dalla secondaguerra mondiale. La televisione a colori arriv int
orno al 1950e durante gli anni sessanta divenne il sistema televisivo dominante.
Le tecniche usate nella radiodiffusione vennero adattate per altre applicazioni
. I sistemitelefonicifurono trasformati in una delle forme pi importanti di comun
icazione elettronica. A loro volta, i circuiti sviluppati per la telefonia elett
ronica furono largamente usati nei sistemi radio ricevitori. Il Radar e il Loran
(apparsi durante la seconda guerra mondiale) utilizzavanole comunicazioni radio
come aiuti alla navigazione sia aerea che marittima. Tutte le innovazionisummen
zionate richiesero l'invenzione di nuovi circuiti.Importanti conquiste comprende
vano l'amplificatore a reazione negativa inventato da Black (1927), illimitatore
FM e il discriminatore FM. Un altro importante sviluppo circuitale fu il genera
tore a dente di sega, che forn la base dei tempi lineare per i primi oscilloscopi
e per i sistemi di deflessione televisivi.Molti dei sistemidi comunicazionepi rec
enti utilizzarono segnali discreti (impulsivi)piuttosto che segnalicontinui. Di
conseguenza,fu sviluppata una variet di circuiti impulsiviper la temporizzazione
e la sincronizzazionenecessarie nella televisione, nel radar ecc. e per la gener
azione di impulsie la modulazione. Inoltre, i nuovi sistemi di comunicazione ope
ravano a frequenze pi alte e si basavano su nuovi dispositivia microonde, come il
klystron,il magnetron e i tubi a onda progressiva (TWT). Calcolatori Sebbene si
ano i transistori e i circuiti integrati ad avere dato impulso allo straordinari
o sviluppo dell'industria dei calcolatori, questi affondano le loro origini nell
'era del tubo a vuoto. C' un grandissimo interesse per le macchine di calcolo da
oltre trecento anni. Nel 1633Schickard descrisse (in una corrispondenza con il s
uo amico Keplero, l'astronomo) un calcolatore meccanico in grado di eseguire l'a
ddizione, la sottrazione, la moltiplicazione e la divisione. Egli progett una ruo
ta con dieci denti dei quali uno era pi lungo degli altri e questa ruota era post
a meccanicamente vicinaa un'altra simile.Dopo che la prima ruota aveva fatto die
ci incrementi angolari, corrispondenti alle dieci cifre, il dente pi grande aggan
ciavala ruota pi vicina e dava luogo a un solo incremento. In altri termini, egli
invent il riporto in aritmetica. Quasi negli stessi anni, Pascal (1642) e Leibni
tz (1671) ebbero idee simili.Tuttavia, il primo tentativoveramente serio per cos
truire un calcolatore meccanicovenne fatto pressappoco duecento anni dopo (1833)
da Babbage,un professore di matematica in Inghilterra. La "macchina analitica",c
ome si chiam il computer di Babbage, conteneva tutti gli elementi di un moderno c
alcolatore digitale. Essa faceva uso di schede perforate inventate trenta anni p
rima da Jacquard, un fabbricante francese di articoli da tappezzeria - per l'ing
resso e l'uscita, conteneva sia la memoria sia l'unit aritmetica ed era una macch
inacon programma memorizzato. Tuttavia, la tecnologia del tempo non era
di fatto in grado di convertire le sue idee in una macchina funzionante *.
Il primo calcolatore funzionante fu elettromeccanico, non elettronico, e venne c
ostruito dagli ingegneri della IBM sotto le direttive del professor Aiken della
Universit di Harvard nel 1930.Venne chiamato il "calcolatore automatico IBM a seq
uenza controllata, Mark l''. Era lungo 17metri e alto 3 ed era piuttosto rozzo.
Tuttavia, venne
* I tentativi di Babbage non furono del tutto vani. Il suo tentativo di realizza
re il calcolatore dette luogo a molti progressi nel funzionamento delle macchine
utensili che ebbero un importante impatto sull'industria manifatturiera nell'In
ghilterra vittoriana.

6 Prologo
usato per fare calcoli per oltre quindici anni. Il primo calcolatore elettronico
fu completato nel 1946 da Eckert e Mauchly presso la Scuola Moore di Ingegneria
Elettrica nell'Universit di Pennsylvania. Esso si chiam ENIAC, un acronimo per in
tegratore numerico e calcolatore elettronico. Veniva usato per il calcolo di tab
elle balistiche per le forze armate e non era un calcolatore per uso generale. C
onteneva 18000 tubi a vuoto, era contenuto in 40 armadi e riempiva una stanza ch
e misurava circa lOmetri per 13.Von Neumann, un consulente di questo progetto, s
ugger che il computer usasse numeri binari e logica booleana e contenesse un prog
ramma memorizzato per le operazioni basilari. Nel 1946 la IBM introdusse sul mer
cato il primo piccolo calcolatore elettronico commerciale,il modello 603. Due an
ni dopo, usc il primo calcolatore digitale per uso generale, l'IBM 604, di cui fu
rono venduti in dodici anni oltre 4000 esemplari. Per questo motivo, il 1948si c
onsidera l'anno di inizio dell'industria del calcolatori (per caso il transistor
e fu inventato in quello stesso anno). In questo periodo, molte istituzioni, inc
luse le Universit di Harvard, Princeton, Pennsylvania, il Massachusetts Institute
of Technology (MIT), il Courant Institute dell'Universit di New York e l'lnstitu
te for Advanced Studies, si occuparono di ricerca nel campo dei calcolatori. Fin
anziati da vari enti governativi,questi ingegneri e scienziati svilupparono i co
ncetti hardware e software che vennero usati successivamente nei calcolatori com
merciali di uso generale. L'IBM 650, considerato il cavallo di battaglia dell'in
dustria, venne introdotto nel 1954. Questa e altre macchine a tubi a vuoto vendu
te da altre compagnie sono conosciute come calcolatoridigitali della prima gener
azione. Durante l'ultima parte dell'era del tubo a vuoto furono sviluppati anche
i calcolatori analogici.Tali macchine, usate per risolvere grandi sistemi di eq
uazioni differenziali, si basano sulla costruzione di circuiti elettronici il cu
i comportamento governato da un insieme di equazioni analoghe a quelle da risolv
ere.L'analizzatore differenziale, sviluppato da Bush al MIT, stato il primo calc
olatore analogico elettromeccanico. Le versioni elettroniche divennero una realt
con l'invenzione degli amplificatori operazionali*.
Controlli Le industrie elettroniche di controlli affondano le loro origini nella
"elettronica industriale", che pu essere definita come "l'uso dei dispositivi el
ettronici nel controllo di macchine (piuttosto che nelle comunicazioni e nei cal
colatori)". I Thyratron, i diodi a gas, i raddrizza tori a vapore di mercurio e
i tubi per alta tensione e alta potenza furono i dispositivi utilizzati. Questi
dispositivi furono usati in circuiti per la conversione (raddrizzamento) da alte
rnata a continua (convertitori ac-dc) ad alta tensione e alta potenza, in conver
titori dc-ac (inverter) e in trasmettitori ad alta tensione. Le applicazioni com
prendevano i controlli di velocit per motori elettrici, i regolatori di tensione,
i riscalda tori a induzione e a radio frequenza e una grande variet di controlli
di processo industriale. In quel periodo fu inoltre introdotto l'uso di calcola
tori (analogici) nei sistemi di controllo.
Analisi e teoria Oltre allo sviluppo industriale si ebbe un importante progresso
in campo analiticoe teorico. Quello che segue un breve cenno alla serie delle c
onquiste fatte. L'analisicircuitale e le tecniche di sintesi furono sviluppate,
in modo notevole, da
* Il termine "amplificatore operazionale" venne coniato da J.R. Ragazzini, un co
llega di Millman alla Columbia University e pi tardi uno dei professori di Grabel
alla New York University.

Breve storia dell'elettronica

7
gruppi appartenenti ai laboratori BelI e al MIT. Bode e Nyquist svilupparono la
teoria dell'amplificatore reazionato e trasformarono il concetto del circuito di
Black in modo di garantirgli rinomanza e largo impiego. Shannon negli Stati Uni
ti e Kotelnikov nell'Unione Sovietica svilupparono indipendentemente la teoria d
ell'informazione, che avrebbe avuto grande impatto sulla trasmissione dati. Essa
trov una particolare applicazione nella tecnica di modulazione impulsivacodifica
ta (PCM) proposta da Reeves. L'uso dell'algebra booleana nell'analisi e progetto
dei circuitidi commutazione fu un altrocontributo di Shannon (1937).In Gran Bre
tagna il concetto di macchina di calcolo universalevenne proposto da Turing, men
tre Wilkessviluppla microprogrammazione. I sistemi a dati campionati, introdotti
da Ragazzini e Zadeh, vennero impiegati in applicazioni di controllo, aprendo la
via ai sistemi di controllo basati sull'uso dei calcolatoridigitali. Lo studio
dei materiali, in particolare l'applicazione della meccanica quantistica ai soli
di,condusse a nuovidispositivie pi tardi all'invenzione del transistore. I trasdu
ttori, dispositivimediante i quali la luce, il suono, la pressione, la temperatu
ra e altre variabilisono convertite in segnali elettrici e viceversa, vennero in
trodotti per benefidare dei vantaggi offerti dall'elettronica. Nuove forme di st
rumentazione (oscilloscopi, voltmetri a valvola ecc.) vennero sviluppati sia per
migliorare grazie all'elettronica le tecniche di misura sia per il collaudo deg
li apparati elettronici stessi. Gli anni '50 furono un decennio di transizione.
Segnarono la fine dello sviluppo di sistemicon tubi a vuoto sofisticati e l'iniz
io dell'era del transistore. Oggi il campo dominato interamente dai dispositivia
semiconduttore, eccezione fatta per le applicazioni ad alta tensione e alta pot
enza. In verit, i tubi a vuoto sono stati praticamente eliminati da tutti i progr
ammi di studio di ingegneria elettronica.
L'era del transistore
L'et dell'elettronica dei semiconduttori inizi nel 1948 con l'invenzione del trans
istore. Tuttavia, questa era ebbe origine dal lavoro svolto in precedenza, tra i
l 1920 e il 1945. Durante questo periodo, lo studio delle propriet elettromagneti
che di semiconduttori e metalli era stato principalmente competenza dei fisici.
Notevoli contributi furono dovuti a Block, Davydov, Lark-Horovitz, Mott, Schottk
y, Slater, Sommerfeld, Van Vleck, Wigner, Wilson e altri nelle universit di tutto
il mondo*. Ci furono anche tentativi di fabbricare dispositivi elettronici a st
ato solido. Lillienthal e Heil, negli anni '30 ricevettero un brevetto ciascuno
per dispositivi di amplificazione allo stato solido che furono i precursori del
transistore a giunzione e di quello a effetto di campo MOS (FET). Tuttavia, ques
ti dispositivi avevano prestazioni poco soddisfacenti; apparentemente non se ne
comprendeva la necessit e, con tutta probabilit, neppure l'inventore poteva spiega
re la teoria alla base del dispositivo. Un maggiore incentivo per lo sviluppo de
i dispositivi allo stato solido non arriv fino al 1945**. I tubi a vuoto avevano
notevoli limiti: si consumava energia anche quando
* Siater e Sommerfeld furono due professori di Millman. ** I diodi a giunzione,
tuttavia, vennero ampiamente usati nelle comunicazioni a microonde durante la se
conda guerra mondiale.
io!

8 Prologo
non venivano usati e i filamenti si bruciavano, rendendo necessaria la sostituzi
one del tubo. M. J. Kelly, allora direttore della ricerca e in seguito president
e dei Laboratori Bell, cap che una rete telefonica pi vasta e affidabile avrebbe r
ichiesto commutatori elettronici piuttosto che elettromeccanici e amplificatori
migliori. Egli form un gruppo di ricerca sui componenti allo stato solido compren
dente fisici teorici e sperimentali, un ingegnere elettronico e un chimico fisic
o, il quale lavorava nel laboratorio insieme agli esperti di metallurgia. La cit
azione seguente tratta dall'autorizzazione al lavoro di questo gruppo: "La ricer
ca compiuta in questo caso ha come scopo quello di ottenere una nuova conoscenza
che possa essere utilizzata nello sviluppo di componenti e di elementi dei sist
emi di comunicazione completamente nuovi e perfezionati". Uno dei pi importanti t
raguardi fu il tentativo di sviluppare un amplificatore allo stato solido in gra
do di eliminare i difetti del tubo a vuoto. Scoperta del transistore bipolare a
giunzione
Nel dicembre del 1947fu realizzato un esperimento nel quale due sonde di filo d'
oro poste l'una vicinoall'altra erano pressate sulla superficie di un cristallo
di germanio. Si osservche la tensione di uscita alla sonda "collettore", rispetto
alla "base" di germanio, era maggioredella tensione di entrata alla sonda "emet
titore". Brattain e Bardeen si resero conto che questo era l'effetto che avevano
sperato di trovare e che era nato* l'amplificatore allo stato solido nella form
a del transistore a punto di contatto**. Le prestazioni dei primi transistori er
ano molto scarse Essi avevano un guadagno e un'ampiezza di banda bassi,erano rum
orosi e le loro caratteristiche variavano molto da dispositivoa dispositivo.Shoc
kley,ilcapo gruppo, cap che le difficoltnascevano dalle punte di contatto. Egli pr
opose il transistore a giunzione e svilupp quasi immediatamente la teoria del suo
funzionamento. I nuovi dispositivi facevano affidamento su portatori di carica
di entrambe le polarit; per questo erano dispositivibipolari. I due portatori era
no i famosi elettroni e altre "particelle strane". L'esistenza di queste partice
lle strane si poteva spiegare soltanto con la meccanica quantistica; inoltre si
comportavano come se avessero carica positiva. Esse vennero chiamate "lacune" po
ich rappresentavano zone nel cristallo in cui mancavano gli elettroni. La teoria
di Shockleyprevedeva che si potevano raggiungere densit di corrente elevate appli
cando piccolipotenziali.Fu subito evidente la possibilit di ottenere importanti d
ispositivi di uso pratico senzafilamenti riscaldati. Le propriet elettriche dei t
ransistori si basavano su un contenuto specifico di impurezze attentamente contr
ollato (nell'ordine di 1 atomo di impurezza per 100 milionidi atomi di germanio)
. Di consegunza, non si potevano fabbricare dispositivi affidabilise non avendo a
disposizione cristalli eccezionalmente puri a cui aggiungere le necessarie impu
rezze. Teal, nei Laboratori Bell (1950), realizz la crescita di monocristallidi g
ermanio aventi un contenuto di impurezze minore di una parte per miliardo. Quest
o risultato port alla fabbricazione dei primi transistori a giunzione accresciuta
a cui, un anno dopo, seguirono i transistori a giunzione di lega. Cos, nel
. L'invenzione fu annunciata
.. l.R.
durante una conferenza stampa il 30 giugno 1948 e fu relegata nelle ultime pagin
e dei pochi giornali che riportano la notizia. Pierce, in seguito direttore dei
primi progetti di comunicazioni via satellite, coni il termine "transistor" come
contrazione di transfer e resistor.

Breve storia dell'elettronica 9

1951,tre anni dopo la scoperta dell'amplificazione in un solido, i transistori v
ennero messi in commercio. L'American Telephone and Telegraph (AT&T)* prese una
decisione importantissima - quella di non tenere segrete queste scoperte. I memb
ri del suo staff tecnico tennero simposiper condividere le loro conoscenze con i
professori (i quali ne resero partecipi i loro studenti) e con ingegneri e scie
nziati di altre aziende. Vennero offerti brevetti a qualsiasi azienda interessat
a alla produzione industriale di transistori. Le aziende che producevano tubi a
vuoto, quali RCA, Raytheon, GeneraI Electric, Westinghousee Western Electric (il
ramo industriale della AT&T), furono le prime a fabbricaretransistori. Altre az
iende esistenti e di nuova formazione che compresero il potenziale di questi dis
positivipresto iniziarono a produrli. Una di queste aziende, la Texas Instrument
s, nel suo nuovo laboratorio per i dispositivia stato solido, a capo del quale e
ra Teal, nel 1954 cominci a produrre transistori di silicio. Il silicio consentiv
a il funzionamento fino a 200C, mentre le variazioni nelle caratteristiche limita
vano i dispositivi di germanio ai 75C. Oggi la maggioranzaschiacciante dei dispos
itivi a semiconduttore fabbricata in silicio. A Bardeen, Brattain e Shockleyfu a
ssegnato il premio Nobel per la fisica nel 1956 per la loro invenzione del trans
istore e per il loro contributo alla comprensione dei semiconduttori. Questo sta
to il primo premio Nobel assegnato per un dispositivo ingegneristicoin quasi cin
quanta anni.
Invenzione del circuito integrato
Nel 1958,poco tempo dopo essere entrato a far parte della Texas Instruments, Kil
by concepl'idea del circuito monolitico, cio l'idea di utilizzare il germanio o il
silicioper costruire un intero circuito. Le resistenze dovevano essere realizza
te con il substrato del semiconduttore oppure diffondendo un semiconduttore in u
n altro. Usando uno strato metallico e il semiconduttore per le armature e uno s
trato di ossido per il dielettrico,Kilbyform i condensatori (prese anche in consi
derazione il condensatore a giunzione).Per dimostrare che la sua idea era realiz
zabile,egli costru un oscillatore e un multivibratoredi germanio, realizzando le
interconnessioni del circuito con un filo d'oro saldatotermicamente. Tuttavia, n
ella divulgazionedel brevetto, egli indic che le connessioni del componente si po
tevano ottenere mediante la deposizione di uno strato conduttore. Kilbyannunci il
suo circuitosolido [in seguito chiamato il circuito integrato(IC)] durante un c
onvegno IRE, nel 1959. All'incircanello stesso periodo, anche Noyce** ebbe l'ide
a del circuito monolitico per fare "pi dispositivisu un solo pezzo di silicio,all
o scopo di realizzare le interconnessionitra i dispositivicome parte del process
o industriale e ridurre in tal modo la dimensione,il peso ecc., come anche il co
sto per elemento attivo". Egli indic in che modo si potevano fabbricare le resist
enze e i condensatori, come si potevano usare giunzionipn per isolare i disposit
ivil'uno dall'altro *** e come si potevano ottenere le
.
I laboratori
Bell sono il ramo di ricerca della AT&T.
t
** Noyce era in quel tempo il direttore della Ricerca e Sviluppo presso la Fairc
hild Semiconductor. Successivamente, fu uno dei fondatori e presidente del consi
glio di amministrazione della Intel. **. Lehovec, direttore della ricerca presso
la Sprague Electric Company, concep indipendentemente idea per la quale gli venn
e concesso un brevetto nel 1959. questa

lO Prologo
interconnessioni tra i componenti del circuito, facendo depositare metallo evapo
rato attraverso aperture praticate in uno strato di ossido. La vera chiave per l
a fabbricazione dei circuiti integrati fu l'introduzione del transistore planare
e la produzione di massa. Il processo planare usava transistori in cui le regio
ni di base e di emettitore erano diffuse nel collettore. I primi transistori dif
fusi vennero sviluppati da Hoerni alla Fairchild (1958). Un p(i.SSO importante p
er una produzione soddisfacente fu la passivazione delle giunzioni per mezzo di
uno strato superficiale di ossido. Le tecniche di fabbricazione usate furono la
litografia e la diffusione, sviluppate in precedenza da Noyce e Moore. La produz
ione di massa consisteva nel realizzare molti "chip", come si definivano colloqu
ialmente i circuiti integrati, su una sola fetta di silicio. Verso il 1961 sia l
a Fairchild sia la Texas Instruments producevano commercialmente circuiti integr
ati, seguite poco tempo dopo da altre aziende.
Le industrie microelettroniche
Oggi,oltre ai singolicircuiti, si possono fabbricare sottosistemi e perfino inte
ri sistemi contenenti migliaiadi componenti su un solo chip di silicio.Il termin
e "microelettronica" designa il progetto e la fabbricazione di questi circuiti i
ntegrati ad alta densit di componenti. Nel 1964 Moore* not che il numero dei compo
nenti su un chip era raddoppiato ogni anno dal 1959,quando venne presentato il t
ransistore planare. Egli predisse giustamente che questo andamento sarebbe conti
nuato. Un grosso chip ha un'area di 3 per 5 mm2soltanto e uno spessore di 0.3 mm
(circa tre volte lo spessore di un capello umano). Verso il 1984tali chip potev
ano contenere pi di 400 000 componenti, corrispondenti. a 30000 componenti per mi
llimetro quadrato. Non facile giustificare tali dati, in particolare perch i circ
uiti integrati vengono prodotti in uno stabilimento industriale e non in condizi
oni di laboratorio. Le seguenti date danno un'indicazione approssimativa dell'au
mento dei componenti per chip:
1951 - componenti discreti;
1960- integrazione su piccola scala (SSI), meno di 100 componenti; 1966- integra
zione su media scala (MSI), da 100 fino a 1000componenti; 1969- integrazione su
larga scala (LSI), da 1000fino a lO000 componenti; 1975- integrazione su larghis
sima scala (VLSI)**, oltre lO000 componenti. Le industrie elettroniche si posson
o dividere in produttrici di chip e utilizzatrici di chip. Le produttrici di cir
cuiti integrati costituiscono il settore pi importante delle industrie di compone
nti, mentre le utilizzatricidi chip sono molto spesso le aziende che producono a
pparecchiature per comunicazioni, di controllo e calcolatori. Dall'invenzione de
i circuiti integrati, molte innovazioni hanno contribuito alla crescita della mi
croelettronica. Parecchie di queste sono descritte nella parte rimanente di ques
to paragrafo.
* Moore era allora direttore della ricerca presso la Fairchild e in seguito fu u
n fondatore e presidente della Intel. ** Intorno al 1984 moltissimi chip VLSI co
ntenevano 100000 o pi componenti.

Breve storia dell'elettronica

11
R transistorea effettodi campo Molto del lavoro che port all'invenzione dei trans
istori bipolari implicavastudi dell'effetto che un campo elettrico applicato ave
va sulla conducibilitdei semiconduttori. Nel 1951,Shockleypropose il transistore
a giunzione a effetto di campo (JFET) ma i primi tentativi di fabbricazione fall
irono per l'impossibilitdi ottenere una superficie stabile. Questa difficoltvenne
superata con l'introduzione del processo planare e della passivazione con ossido
di silicio (SiOz). Nel 1958 venne prodotto il primo JFET da Teszner in Francia.
Le tecniche usate per rendere affidabilii JFET portarono a un dispositivoanche
pi importante,il transistore a effetto campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFE
T). La struttura consiste in un elettrodo metallico (il gate) posto su SiOztra d
ue elettrodi nel semiconduttore (source e drain). La corrente nel "canale" tra s
ource e drain pu esserecontrollata applicando una tensione appropriata tra il gat
e e il semiconduttore. Atallae Kahng (1960),presso i laboratori Bell,riportarono
il primo dispositivosiffatto. Due anni dopo, a Hofstein e Heiman della RCA fu r
iconosciuto un brevetto per il loro sviluppodi MOSFET adatti alla fabbricazione
integrata. Successiviperfezionamenti nel processodi fabbricazionee nel progetto
del dispositivo e lo sviluppo dell'industria dei calcolatorihanno fatto s che i d
ispositivi MOS siano i transistori maggiormente usati. Circuitiintegratidigitali
La crescita dell'industria dei calcolatori dette impulso allo sviluppodi nuovi
circuiti integrati; a loro volta, circuiti integrati di nuova concezione portaro
no a nuove strutture di calcolatori. Due dei maggiori progressi consistettero in
nuove configurazionicircuitali e memorie a semiconduttore. Velocit,consumodi ene
rgia e densit di componenti sono caratteristiche importanti dei circuitiintegrati
digitali. Una prima famiglia logica bipolare era costituita dalla logicaa trans
istori accoppiati, inventata da Buie (1961) della Pacific Semiconductor*, da cui
deriv la logicatransistore-transistore (TTL) standard. Un'importante caratterist
icadellaTTL l'uso dei transistori con emettitori multipli per aumentare la densi
t di componenti.Una linea di prodotti bipolari ad alta velocit, conosciuta come lo
gicaa emettitori accoppiati(ECL), venne introdotta dalla Motorola nel 1962.Chip
bipolari a densitmolto elevata si ottennero utilizzando transistori con collettor
i multipli (1972). Sviluppatasimultaneamente da Hart e Slob della Philips (Oland
a) e da Berger e Wiedmandella IBM (Germania), questa nuova tecnologia chiamata l
ogicaintegrataa
iniezione (FL).
L'uso dei MOSFET fu subito allettante perch si potevano ottenere densit di compone
ntimolto elevate. In origine, una produzione affidabileimpiegava i dispositivi P
MOS - cio i MOSFET il cui funzionamento si basa sul flusso di lacune. Metodi perf
ezionati di fabbricazione portarono all'uso di dispositivi metallo-ossido-semico
nduttore a canale n (NMOS). In questi transistori la conduzione avviene tramite
gli elettroni e ci d come risultato una maggiore velocit di funzionamento. Attualme
nte la tecnologiaNMOS predominante. La struttura metallo-ossido-semiconduttore c
omplementare (CMOS), una configurazione circuitale utilizzante sia dispositivi P
MOS sia NMOS, venne utilizzata per la prima volta negli orologi digitali grazie
al suo consumo di energia estremamente ridotto.Recenti progressi, quali l'uso di
gate di polisilicioe la riduzione delle dimensioni del dispositivo, hanno reso
i circuiti CMOS una delle pi importanti tecnologie
l,
.
La Pacific Semiconductor
fa ora parte della TRW.

f" I

12 Prologo
digitali degli anni '80. Molto probabilmente la tecnologia CMOS avr la meglio su
quella NMOS verso il 1990. proprio nelle memorie a semiconduttore che i MOSFET s
i dimosttano superiori. Le memorie ad accesso casuale (RAM), in grado sia di imm
agazzinare sia di restituire i dati (scrivere e leggere, rispettivamente), venne
ro prima sviluppate usando transistori bipolari e poste in commercio nel 1970. Q
ueste prime RAM immagazzinavano circa 1000 bit d'informazione. Con l'uso della t
ecnologia MOS, nel 1973 erano disponibili RAM a 16000 bit, nel 1978chip a 64000
bit e nel 1982RAM a 288 000 bit. Nel 1986
erano disponibili chip da 1 000 000 di bit. Le memorie a sola lettura (ROM), usa
te per tabelle di ricerca nei calcolatori (per esempio, per memorizzare i valori
di sinx),vennero introdotte la prima volta nel 1967. Sviluppi successivi inclus
ero ROM programmabili (PROM) e PRO M cancellabili (EPROM), in cui si potevano ri
muovere (cancenare) i dati immagazzinatie immagazzinarne altri. Oltre la met dei
circuiti integrati MOS prodotti nel 1970fu usata nella fabbricazione dei calcola
tori.Nel tentativo di standardizzare ilprogetto dei chip pur mantenendo i circui
tibrevettati richiesti dai clienti, parecchi produttori di circuitiintegrati pro
posero la segmentazione dell'architettura del calcolatore nelle sue funzioni cir
cuitali. Questo concetto port al microprocessore,sviluppato per primo da M.E. Hof
f della Intel (1969).Microprocessori a quattro bit vennero introdotti dalla Inte
l (1971), seguiti un anno dopo da un dispositivo a 8 bit. Presto, anche altri co
struttori produssero microprocessori e, verso la fine del 1970,furono disponibil
i unit a 16bit. Lo sviluppo del microprocessoreport al "computer su singolo chip".
A Cochran e Boone della Texas Instruments ottennero un brevetto, registrato nel
1971, per un microcomputer a singolochip, sebbene 1'8048della Intel sia stato i
l primo prodotto disponibile commercialmente. Un altro sviluppo che nasce dalla
tecnologia dei MOS il dispositivoad accoppiamento di carica (CCD). Il CCD, inven
tato da Boyle e Smith presso i laboratori Bell (1970),consiste in un dispositivo
MOS in cui si forma una lunga catena di gate molto vicinil'uno all'altro tra il
drain e il source. Le cariche introdotte nel canale sotto i gate, possono esser
e trasferite da un gate al successivoapplicando tensioni di gate appropriate. Ta
li dispositivisono stati usati per memorie e registri con una RAM da 64 000 bit
fabbricata nel 1977. Recentemente, i CCD hanno trovato applicazione nell'industr
ia delle telecamere, nella elaborazione dell'immagine e nelle comunicazioni.
~
Circuitianalogici Il primo sviluppo importante nei circuiti integrati analogiciv
enne nel 1964quando Widlar, allora appartenente alla Fairchild Semiconductor, sv
ilupp il primo amplificatoreoperazionale(il /-LA709). Da allora l'amplificatore o
perazionale divenutoilcavallodi battaglia nell'elaborazione del segnale analogic
o. Successivamente, sono stati sviluppati altri circuiti e sottosistemi quali mo
ltiplicatori analogici, convertitori digitale-analogico(D/A) e analogico-digital
e (AID) e filtri attivi. La maggior parte diquesti circuitiimpiega transistori b
ipolari, ma dalla fine degli anni '70 sono stati usati anche i dispositivi MOS.
Tecniche di fabbricazione L'aumento della densit di componenti deve molto a color
o i quali migliorarono i processi di fabbricazione. Questi progressi includono l
a crescitaepitassiale (1960),la produzione delle maschere con fascio elettronico
(1969)e l'impiantazioneionica (1971).La larghezzaminima delle geometrie realizz
ate sui chip,

Breve storia dell'elettronica 13

25 ,...m nel 1961, attualmente inferiore a 2 ,...m.Poich l'area diminuisce e la de
nsit aumenta con il quadrato della dimensione lineare, possiamo prevedere che per
la fine di questo decennio i circuiti avra,nno una densit di componenti oltre 60
0 volte superiore a quella dei primi circuiti integrati. Altri contributi per il
progetto e la produzionedi circuiti integrati affidabili, stato lo sviluppo del
progetto assistito dal calcolatore (CAD) e del collaudo automatizzato. I program
mi SPICE e SUPREM, elaborati presso l'Universit della Califomia a Berkeley e pres
so l'Universit di Stanford, rispettivamente, sono due strumenti CAD ampiamente us
ati. Dagli inizi degli anni '60 quando soltanto alcune aziende producevano circu
iti integrati,l'industria si sviluppata incredibilmente. Per esempio, nella Sili
conValley* siformarono24 nuove industrie di microelettronica tra il 1967e il 196
9soltanto. Verso il 1984oltre 100 ditte negli Stati Uniti erano occupate nella p
roduzione di circuiti integrati.
Industrie di comunicazioni e di controlli
Queste industrie hanno gradualmente adottato dispositivi elettronici allo stato
solido. Ora quasitutte le apparecchiature sono transistorizzate, eccetto quelle
che lavorano ad alta tensione o alta potenza. Sono utilizzatisia transistori dis
creti sia circuiti integrati. I componentidiscreti vengono usati soprattutto in
applicazioni a media tensione o nel caso di applicazioni di potenza che includon
o una elettronica di tipo tradizionale "industriale"o di consumo (stadi di uscit
a audio, sistemidi accensione dell'automobile, interruttori di potenza per unit n
astro, alimentatori ecc.). I circuiti integrati sono utilizzatiper moltissime al
tre applicazioni. L'industria delle comunicazioni cambiata drasticamente a causa
della microelettronica.Nel 1970la trasmissione dati costituiva una piccolissima
frazione del volume totale di tutte le comunicazioni.Dal 1980,tuttavia, la trasm
issione digitaleha eguagliato o superato la trasmissione analogica. L'adozione d
iffusa della trasmissione PCM pu essere direttamente attribuita alla microelettro
nica. I sistemi telefonici oggi impieganocircuiti integrati digitali per la comm
utazione e la memoria. Filtri attivi sia per la vocesia per la rivelazionedei to
ni nei sistemi di selezione a multifrequenza sono realizzaticon circuiti integra
ti analogici. Ovviamente, i satelliti per le comunicazioni divenneropossibili ed
economicamente competitivi grazie alla microelettronica. L'introduzionedella co
municazione digitale ha portatd a molte innovazionicircuitali. Alcune di queste
sono modificazioni ingegnose con cui i circuiti tradizionali sono stati adattati
alle nuove tecnologie e usi. Altre sono nuove; tra queste vi sono i filtri a co
ndensatoricommutati e i filtri digitali. Un settore dell'elettronica completamen
te nuovo, chiamato elaborazionedigitaledei segnali, si formato grazie ai circuiti
integrati che hanno reso possibile il "connubio" tra comunicazionie calcolo. Ana
logamente, l'industria dei controlli stata fortemente influenzata dall'introduzi
onedell'elettronica dei semiconduttori. In alcune aree tradizionali, quali i con
trolli di velocitper motori, i raddrizzatori e gli inverter di potenza, il diodo
controllato (SCR), un dispositivobipolare a tre giunzioni, ha sostituito il thyr
atron. All'inizio dell'era del transistore,nel controllo numerico delle macchine
utensili vennero usati piccoli calco.
La Silicon Valley situata a sud della baia di San Francisco nella contea di Sant
a Clara in Califomia.

14 Prologo
latori dedicati. L'automazione dei processi industriali venne resa possibile dai
grandi calcolatori elettronici. L'introduzione dei microprocessori, dei microco
mputer e di altri circuiti integrati digitali ha portato agli strumenti "intelli
genti" e a una variet in continuo aumento di sistemi digitali di controllo. Con l
a microelettronica, i calcolatori sono diventati componenti integranti dei siste
mi di controllo. L'industria dei calcolatori
La conseguenzapi sensazionale della crescita della microelettronica stata la vera
e propria creazione di un'industria completamente nuova - la moderna industria
dei calcolatori. Mentre originariamente il calcolatore elettronico si basava sul
tubo a vuoto, l'impatto della tecnologia a semiconduttore fu sentito immediatam
ente. II primo calcolatore transistorizzato, per applicazionispecifiche,venne re
alizzato da Cray*(1956).II calcolatore 709017094 della IBM (1959) fu il primo ca
lcolatore di uso generale della seconda generazione, cio una macchina transistori
zzata. I circuiti integrati ibridi (molti componenti discreti su di un unico sub
strato) caratterizzarono i calcolatoridella terza generazione (IBM 360 del 1964)
.Nello stesso tempo, anche altri produttori, inclusi Burroughs, Control Data e U
nivac, introdussero medi e grandi calcolatoricontenenti circuiti integrati. Le m
emorie a semiconduttore vennero utilizzate successivamentenelle macchine della t
erza generazione (IBM 370 del 1970). Nel 1965ebbe inizio un'altra rivoluzione ne
ll'industria dei calcolatori, quando la Digital Equipment Corporation present il
suo minicalcolatore PDP8, la prima macchina con un costo inferiore ai 20 000 dol
lari. Da allora, il minicalcolatore ha conquistato un ruolo di primaria importan
za nell'industria, che ha coinvolto molte aziende di tutto il mondo. Negli anni
'80, si sviluppato ed entrata in commercio la quarta generazione di macchine. Qu
esti calcolatori impiegano chip VLSI sia per l'elaborazione sia per la memoria.
Oggi, i calcolatori elettronici sono disponibili in una variet di dimensioni che
vanno dal microprocessore pi semplice ai supercalcolatori in grado di eseguire de
cine di milioni di istruzioni al secondo. Molte innovazioni hanno permesso di ot
tenere velocit pi elevate, una maggiore capacit di calcolo e una elaborazione pi fle
ssibile. Oltre a chip ad alta densit pi rapidi, queste includono l'elaborazione pa
rallela, il pipelining e nuove idee per i compilatori e gli assemblatori. Inoltr
e, l'uso in suddivisione di tempo e il calcolo distribuito hanno avuto un effett
o importante sull'utilizzazione del calcolatore. L'impatto della microelettronic
avenne espresso in modo assai efficace da Noycenel 1977:"Il microcalcolatoredi o
ggi, che costa circa 300dollari, ha una capacit di calcolo maggioredel primo gros
socalcolatore elettronico, l'ENIAC. Esso 20volte pi veloce, ha una memoria pi gran
de, migliaia di volte pi affidabile, consuma la potenza di una lampadina anzich qu
ella di un locomotore, occupa 1/30000 del volume e costa 10000volte meno. dispon
ibile su ordinazione per corrispondenza o presso il vostro negozio di hobbystica
".
* Cray un fondatore della Control Data Corporation in seguito fond la Cray Comput
ers, costruttrice dei pi veloci "super calcolatori" attualmente disponibili.

Breve storia dell'elettronica

15
Il futuro
Durante la maggior parte della vostra vita, vi stato possibile ricevere comunica
zioni televisivein collegamento diretto da ogni parte del mondo o, addirittura d
a milioni di miglia nello spazio. Ci che stupisce non il fatto che questi sono ev
enti quasi quotidiani,ma che essisipossano verificare. un fatto che desta sgomen
to considerare chequalcunoal Centro Spaziale Johnson pu azionare un interruttore
e dare istruzione a un veicolospaziaie lontano un miliardo di chilometri di mett
ere in funzione la sua telecamera,metterla a fuoco e inviare immagini sulla Terr
a (anche alla velocit della luceoccorronocirca due ore per trasmettere l'istruzio
ne e ricevere i segnali). Niente di tutto questo sarebbe possibile senza le conq
uiste dell'elettronica, culminate nei circiti integratidescritti nelle due parti
precedenti. Tuttavia, proprio come questa storia i risultatiraggiunti indicano
la direzione futura dell'elettronica. La capacit di trasmettere immagini televisi
ve da un veicolo spaziale esige che gli apparatidi comunicazione,di calcoloe di
controllo agiscano all'unisono, come una sola entit. evidente che le aree dell'ele
ttronica si stanno fondendo e i sistemi elettronici "intelligenti"che ne risulta
no sono al centro dell'et dell'informazione*. Il connubiotra comunicazionisu larg
a scala e calcolatori a basso costo ha gi iniziato a penetrare quasi in ogni aspe
tto della societ. Oltre alle tradizionali applicazioni industriali,l'efficienzae
la relativa facilit con cui l'informazione pu essere immagazzinata,ricuperata, man
ipolata e trasmessa ha influito su di noi nelle nostre case, nei nostri posti di
lavoro e sui nostri mezzi di comunicazione. L'automazione d'ufficio (sistemi di
elaborazione dei testi, posta elettronica ecc.) sta trasformando il nostro modo
di lavorare e i luoghi in cui operiamo. La gestione dell'energia, il controllo d
egli apparecchi, i sistemi di sicurezza, la televisione via cavo e il "personal
computer" costituisconoalcune applicazioni microelettroniche nelle case. Il sist
ema di controllo computerizzatoBayArea Rapid Transit (BART) della metropolitana
di San Francisco e l'accensioneelettronica, il controllo dell'emissione dei gas
e i sistemi di sicurezza delle automobilisono esempi del forte impatto dell'elet
tronica sui trasporti. La diffusionedell'elettronica aumenter a tal punto che Noy
ce ha predetto che verso la fine di questosecolo l'elettronica sar come il motore
elettrico di oggi: talmente diffuso che nessunogli fa pi caso. Noi crediamo che
le industrie elettroniche continueranno a essere le quattro C: componenti,comuni
cazioni,calcoloe controllo. Sar molto difficile riconoscerle come entit separate p
erch esse si fonderanno sempre pi. Similmente, la distinzione tra dispositivo, cir
cuito e sistema diventer sempre meno netta. Per il prossimo decennio, la tecnolog
ia del silicio dominer l'elettronica. Tuttavia, i risultati delle ricerche sui nu
ovimateriali, in particolare l'arseniuro di gaIIio (GaAs) cominceranno con buona
111
11\
l:
probabilit a giocare un ruolo importante **.
i.1
Il peso che avr la microelettronica in futuro evidente dalle seguenti statistiche
e proiezioniper il mercato dell'elettronica negli Stati Uniti (in miliardi di d
ollari):
.
..

L'era che dagli anni '80 si estende

al ventunesimo
secolo stata chiamata
"l'et dell'informazione",
e non
senza ragioni: pi del 50% della forza lavoro degli USA pu essere classificata come
"operatori dell'informazione".
C' anche l'ipotesi che i materiali fine di questo secolo. organici, come il DNA,
possano trovare impiego nell'elettronica entro la
fll
. ,

16 Prologo
1985 Vendite di sistemi elettronici Vendite di circuiti integrati 215 11
1990 400 35
Queste proiezioni indicano che la creativit e l'ingegnosit degli ingegneri e scien
ziati del passato saranno il trampolino per il talento dell'ingegneria del futur
o. Bibliografia
1. Fiftieth AnniversaryIssue: Electronics,VoI. 53, n. 9, April1980. 2. Fiftieth
AnniversaryIssue: Proceedingsof the IRE, VoI. 50, n. 5, May 1962. 3. Special Iss
ue. "Historical Notes on Important Tubes and Semiconductor Devices", IEEE Trans.
ElectronDevices,voI. ED-23, n. 7, July 1976. 4. C. Weiner. "How the Transistor E
merged", IEEE Spectrum, pp. 24-33, January 1973. 5. T. Forester. The Microelectr
onics Revolution. MIT Press, Cambridge, Mass., 1981. 6. Special Issue: "Microele
ctronics", ScientificAmerican, September 1977. 7. M.F. Wolff."The Genesis of the
Integrated Circuit", IEEE Spectrum, pp. 45-53,August 1976. 8. J.S. Mayo. "Techn
ical Requirements of the Information Age", Bell Labs Record, VoI. 60, n. 55, 198
2. .9. T. Kidder. The Soul of a New Machine. Little, Brown and Company, Boston,
1981.