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ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A MOSFET

A DRAIN COMUNE (SOURCE FOLLOWER)


(Dati uguali allEsempio di par.8.3.3, Fig.8.61
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)

Calcolare il punto di lavoro del Mosfet M1 di Fig.1, le amplificazioni a media frequenza di tensione Av= vo /vi e di
corrente Ai =il /ii , lamplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di uscita Ro nei punti P1 e P2
indicati. Si trascuri leffetto di modulazione della lunghezza di canale.

VDD = 10 V

I DSS = 0.5 mA
R1
120k K= 0.5 mA/V 2
i in R IN vi ii Ri C IN V th = 1 V
P1
M1
10k CO Ro
+ P2
vin vO
-
R2 RS RL
il
880k 1.1k 1k

Fig.1. Circuito con Mosfet connesso a Drain Comune (Source Follower)

Soluzione:

a schema equivalente completo


Si pu sostituire il Mosfet con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali sia
ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 un passo intermedio, mostrato per facilitare la comprensione
degli sviluppi successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

R IN C IN

10k
+
vin
RGG G D
-
+
+ 105.6k + VDD = 10 V
v GS iD ( v GS ) -
VGG = 8.8 V -
-

S CO
vO

RS RL
1.1k 1k
v GS =VGS + vgs

iD = I D (VGS) + gmvgs

Fig.2. Schema equivalente completo

Nello schema equivalente del Mosfet, la tensione totale gate-source vGS , si considera la somma della tensione continua
del punto di lavoro VGS , pi un termine incrementale ai piccoli segnali vgs . Analogamente, la corrente totale di drain iD
si considera la somma di un termine continuo ID (VGS ), relativo al punto di lavoro e dipendente da VGS , pi un termine
ai piccoli segnali gm vgs .

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005 -1 - Esempio di Amplificatore a Mosfet a drain comune


Il partitore, formato da R1 e R2 ed alimentato da VDD , stato sostituito dal generatore equivalente VGG e dalla
resistenza equivalente RGG . I valori di tali elementi, secondo il teorema di Thvenin, sono dati da

R2 880 103
VGG = VDD = 10 = 8.8 V (1)
R1 + R 2 120 103 + 880 10 3

R1 R 2 120 103 880 103


R GG = R 1 // R 2 = = = 105.6 k (2)
R1 + R 2 120 103 + 880 103
In base al principio della sovrapposizione degli effetti, lo schema equivalente completo si pu scindere in uno schema
equivalente ai grandi segnali, che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del Mosfet, ed
in uno schema equivalente ai piccoli segnali, su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste, che sono
appunto relative al comportamento ai piccoli segnali.
Spesso, e in particolare in questo caso, interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda, cio a frequenze
diverse dalla continua ma non troppo alte. In tale caso, di solito, i condensatori impiegati nello schema hanno valori tali
per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. Perci, se
non specificato diversamente, i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e
corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali.

b studio ai grandi segnali

In base a quanto detto, si osserva che, ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali, la parte di circuito a
monte di CIN , che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN , si pu ritenere scollegata dal resto del
circuito e senza effetti. Essa viene quindi omessa. Per le stesse ragioni, si elimina la parte di circuito a valle di CO , con
la resistenza RL . Lo schema che si ricava mostrato in Fig.3.

RGG IG ID
VG G D VD
+
+ 105.6k + VDD = 10 V
VGS I D (VGS ) -
VGG = 8.8 V -
-
IS S
VS

RS
1.1k

Fig.3. Schema equivalente ai grandi segnali


per la determinazione del punto di lavoro

Si suppone che il Mosfet sia in condizioni di saturazione (forward active).

Si ricorda anzitutto che, in condizioni di saturazione, la corrente ID di drain di un Mosfet a canale n funzione della
tensione tra gate e source VGS e della tensione di soglia (threshold) Vth secondo la relazione
2
C W
ID = n ox (VGS Vth )2 = K (VGS Vth )2 = IDSS VGS 1 (3)
2 L Vth
dove n la mobilit degli elettroni, Cox la capacit per unit di area tra gate e canale dovuta allo strato di ossido, W
la larghezza del canale e L la sua lunghezza. Le diverse forme della (3) definiscono implicitamente K=(n Cox /2)
(W/L) e IDSS =K Vth2 .
Nel caso di questo esercizio, IDSS =0.5 10-3 A, Vth =1 V e quindi K=IDSS /Vth2 =0.5 10-3 /12 =0.5 10-3 A/V2 .

Considerando la maglia che va dal gate del Mosfet al source e comprende il generatore VGG , la resistenza RGG , la
tensione gate-source VGS e la resistenza RS , si pu scrivere

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005 -2 - Esempio di Amplificatore a Mosfet a drain comune


VGG R GGI G VGS R S IS = 0 (4)
e tenendo conto che IG =0 e che
I S = ID (5)
2
V
ID = IDSS GS 1 (6)
Vth
si ha da (4)
2
V
VGG VGS R S IDSS GS 1 = 0 (7)
Vth
Sviluppando lequazione (7), dove VGS incognita, si ottiene
2
R S IDSS VGS (2R S IDSS Vth ) Vth VGS VGG Vth2 + R S IDSS Vth
2
=0 (8)
Ponendo

A = R S IDSS = 1.1 103 0.5 10 3 = 0.55 (9)

( )
B = (2R S IDSS Vth ) Vth = 2 1.1 103 0.5 10 3 1 1 = 0.1 (10)

C = VGG Vth2 + R S IDSS Vth2 = 8.8 12 + 1.1 10 3 0.5 10 3 12 = 8.25 (11)


e sostituendo in (8) si ha
2
A VGS + B VGS + C = 0 (12)
Risolvendo la (12) si ricava
B B 2 4 A C 0.1 0.12 4 0.55 ( 8.25) 3.964
VGS = = =
2A 2 0.55 3.783 (13)

La seconde soluzione, che negativa, viene scartata: con tale valore di VGS infatti il Mosfet sarebbe interdetto. Si
assume quindi VGS =3.964 V. Sostituendo tale valore nella (4) si ricava
VGG VGS 8.8 3.964
IS = ID = = = 4.396 mA (14)
RS 1.1 103
Come si constata dallo schema di Fig.3, si ha
VD = VDD = 10 V (15)

ed essendo IG =0 e quindi VG =VGG , si ha VS =VGG VGS =8.83.964=4.836 V. La tensione drain-source perci


VDS = VD VS = 10 4.836 = 5.164 V (16)
Si conferma cos che il Mosfet si trova in saturazione. Infatti VDS >VGS Vth =3.9641=2.964 V.

c studio ai piccoli segnali

Dallo schema equivalente completo, azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di
alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa, sostituendo i condensatori CIN e CO con corti circuiti e
inserendo tra Gate, Source e Drain lo schema equivalente del Mosfet ai piccoli segnali, si ottiene lo schema equivalente
ai piccoli segnali di Fig.4.

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005 -3 - Esempio di Amplificatore a Mosfet a drain comune


i in ii Ri ig id
R IN vi P1 vg G D vd

+ 10k +
RGG vgs gmvgs
vin -
- 105.6k
is vs Ro
S P2 vO

RS RL
i rs il
1.1k 1k

Fig.4. Schema equivalente ai piccoli segnali

Poich noto il punto di lavoro del Mosfet, ed in particolare sono note la tensione gate-source VGS e la corrente di
drain ID , si pu determinare la transconduttanza gm (che un parametro ai piccoli segnali). Come noto si ha
2 2
gm = 2 K ID = IDSS ID = 0.5 10 3 4.396 10 3 = 2.965 10 3 Siemens (17)
Vth 1

E conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali, sostituendo il circuito connesso in gate con un
generatore equivalente di Thvenin, e riunendo in ununica resistenza equivalente RS =RL le due resistenze RS e RL
che, come mostrato in Fig.4, sono in parallelo tra loro. Si ottiene lo schema equivalente ai piccoli segnali ridotto di
Fig.5.
Dallo schema di Fig.4 la tensione a vuoto vin, che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN , RGG ed il
generatore di tensione vin , vale

R GG 105.6 103
. v in = v in = v in = v in 0.9135 (18)
R IN + R GG 10 103 + 105.6 103
La resistenza equivalente RIN si ottiene nello stesso circuito annullando, cio chiudendo in corto circuito, il generatore
di tensione vin . La RIN quindi data dal parallelo di RIN e di RGG

R IN R GG 10 103 105.6 103


R IN = (R IN // R GG ) = = = 9.135 k (19)
R IN + R GG 10 103 + 105.6 103
Come detto, la resistenza equivalente RS=RL data da

R S RL 1.1 103 1 10 3
R S = R L = (R S // R L ) = = = 524 (20)
R S + R L 1.1 103 + 1 10 3

i'in R'IN ig id
vg G D vd
9.135k +
+ vgs gmvgs
v'in -
-
is vs
S
vO

R'S =R'L
i'l =i s
524

Fig.5. Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005 -4 - Esempio di Amplificatore a Mosfet a drain comune


Nello schema ridotto di Fig.5, ricordando che
i d = i s = g m v gs (21)

ig = 0 (22)

considerando la maglia che comprende gate, source, vin , RIN e RS si pu scrivere


v in R IN ig v gs R S is = 0 (23)
Tenendo conto che, secondo la (22), ig =0, si ha che vg =vin . Inoltre, dalle (21), (22) e (23) si ricava
v in [1 + gmR S ] v gs = 0 (24)

1
v gs = v in (25)
1 + gm R S

e sostituendo nella (21)


gm
id = is = v in (26)
1 + gm R S
Inoltre, dallo schema si ha
gmR S
v o = v S = R Sis = v in (27)
1 + gm R S
Si pu definire unamplificazione di tensione Av =vo /vin , riferita allo schema ridotto di Fig.5, che risulta dalla (27)
vo gmR S
A v = = 1 (28)
v in 1 + gm R S
dove la semplificazione valida solo se gm RS >>1. Nel caso in esame, a causa del basso valore di gm , tale prodotto
non molto elevato e Av risulta abbastanza minore dellunit.
E da notare che, in ogni caso, per la connessione a drain comune lamplificazione di tensione Av positiva e minore
di 1.
Con i dati del caso in esame, dalla (28) si ricava

gmR S 2.965 10 3 524


Av = = = 0.608 (29)
1 + gm R S 1 + 2.965 10 3 524
Volendo definire una resistenza di ingresso in gate del Mosfet a drain comune rg =vg /ig , poich ig =0, per questa
connessione rg =. Analogamente si ha che lamplificazione di corrente, relativa allo schema ridotto e definita come Ai
=il /iin = id /ig risulta infinita.

E interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig.5 lo schema tipico della connessione a drain comune di un
Mosfet, e che la formula (29) che d lamplificazione di tensione, la formula classica riportata in tutte le tabelle.

E necessario ora tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig.4 per calcolare i parametri richiesti, relativi allo
schema completo.

A questo fine opportuno esprimere le variabili dello schema in funzione del segnale di ingresso vin anziche di vin .
Sostituendo nelle (26), (25), (27), (28) lespressione di vin data dalla (18) si ottiene

R GG gm
id = is = v in (30)
R IN + R GG 1 + gmR S

R GG 1
v gs = v in (31)
R IN + R GG 1 + gmR S

R GG g R R GG
v o = v in m S = v in Av (32)
R IN + R GG 1 + gmR S R IN + R GG
inoltre, essendo vi =vg =vin dalla (18) si ricava

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005 -5 - Esempio di Amplificatore a Mosfet a drain comune


R GG
v i = v g = v in (33)
R IN + R GG

Poich vi =vg =vin , lamplificazione di tensione relativa allo schema completo Av =vo /vi risulta uguale alla Av
calcolata prima, con la (29), in relazione allo schema ridotto. Infatti
vo v g R
Av = = o = A v = m S = 0.608 (34)
vi v in 1 + gmR S

Se si fosse voluta calcolare lamplificazione complessiva Avt =vo /vin tra il segnale di ingresso e quello di uscita,
includendo lattenuazione dovuta a RIN , dalla (32) si pu ricavare

vo R GG 105.6 10 3
A vt = = A v = 0.608 = 0.555 (35)
v in R IN + R GG 10 10 3 + 105.6 10 3

Per calcolare lamplificazione di corrente Ai =il /ii ,si osserva che, essendo nulla la corrente ig entrante nel gate, ii data
solo dalla corrente in RGG . Questa corrente, a sua volta, dipende dalla tensione vi =vg . Si pu dunque scrivere, in base
alla (33)
vg 1
ii = irgg = = v in (36)
R GG R IN + R GG

Ancora da Fig.4 si vede che la corrente is =il si ripartisce tra le resistenze RS e RL . Come noto, le relative correnti irs
e il stanno in proporzione inversa alle resistenze (infatti, irs =vo /RS , il =vo /RL e is= (irs +il )). Si pu dunque scrivere
RS
il = is (37)
R S + RL

Dalle (36) e (37), tenendo conto della (30), lamplificazione di corrente relativa allo schema completo risulta
il i i v RS g R
Ai = = l s in = m GG (38)
ii is v in ii R S + R L 1 + gmR S

e introducendo i valori numerici

RS g R 1.1 103 2.965 10 3 105.6 103


Ai = m GG = = 64.22 (39)
R S + R L 1 + gmR S 1.1 103 + 1 103 1 + 2.965 10 3 524

Come si vede, pur essendo nulla la corrente ig entrante nel gate del Mosfet, la corrente ii entrante nello stadio non
nulla, a causa della presenza del partitore e quindi della resistenza RGG .
Si osserva inoltre che, essendo la corrente ii entrante nello stadio uguale alla iin erogata dal generatore vin (Fig.4),
lamplificazione di corrente complessiva Ait =il /iin risulta uguale allamplificazione Ai calcolata rispetto alla corrente
entrante nello stadio.

Lamplificazione di potenza si ricava dalla formule precedenti


Wl v o il v o il
Ap = = = = A v A i = (0.608) (64.22 ) = 39.05 (40)
Wi v i ii v i ii

Per calcolare la resistenza di ingresso Ri nel punto P1 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna, cio il
generatore di tensione vin e la resistenza RIN , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve
ne sono) e di collegare in P1 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione di Fig.6.
Dallo schema, tenendo conto che ig =0, la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta
vx
ix = (41)
R GG

e perci

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vx
Ri = = R GG = 105.6 k (42)
ix

Ri ig id
P1 vg G D vd
+
ix RGG vgs gmvgs
105.6k -
+
vx
- is vs
S vO

RS RL
i rs il
1.1k 1k

Fig.6. Schema per il calcolo dellimpedenza di ingresso Ri .

Per calcolare la resistenza di uscita Ro nel punto P2 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna, che in questo
caso si riduce alla resistenza di carico RL , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti,
cortocircuitando il generatore di segnale vin , e di collegare in P2 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione
di Fig.7.

ii Ri ig id
R IN vi P1 vg G D vd
10k +
RGG vgs gmvgs
105.6k -

is vs Ro
S P2

RS ix
i rs
1.1k +
vx
-

Fig.7. Schema per il calcolo dellimpedenza di uscita Ro

E evidente, dallo schema, che ix =irs ie e che vs =vo =vx . Perci irs =vx /RS .
Per calcolare la corrente is causata dalla vx nel source, si osserva anzitutto che a tale corrente, in base alla (21),
corrisponde una tensione
is
v gs = (43)
gm
Daltra parte, dallo schema si osserva che, essendo nulla ig e avendo annullato il generatore vin , la tensione di gate vg
anchessa nulla. Perci vgs =vg vs =0vs =vs =vx . Dalla (43) si ricava dunque
is = gm v s (44)
Il rapporto rs = vgs /is =1/gm pu essere considerato come resistenza differenziale d isource dello schema di Fig.5.

Dalle relazioni precedenti si ha

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vx 1
ix = irs is = + gm v s = v x + gm (45)
RS RS
La resistenza di uscita Ro per definizione quindi
vx 1 RS
Ro = = = (46)
ix 1 1 + gm R S
+ gm
RS
che il parallelo di RS con rs .
Sostituendo i valori dei parametri si ha

RS 1.1 103
Ro = = = 258.1 (55)
1 + gm R S 1 + 2.965 10 3 1.1 103
Il risultato ottenuto conferma che, anche in questo caso che ha un modesto valore di gm , la connessione a collettore
comune caratterizzata da una bassa resistenza di uscita.
Si pu osservare che, nel caso si fosse dovuto tener conto delleffetto di modulazione della lunghezza di canale, si
sarebbe dovuta definire una corrispondente resistenza ro in parallelo al generatore di corrente comandato gm vgs nello
schema equivalente ai piccoli segnali del Mosfet. Leffetto di tale resistenza normalmente trascurabile nel calcolo dei
parametri considerati in questo esercizio. Per la connessione a drain comune, ci vale anche per il calcolo della
resistenza di uscita Ro .

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