Sei sulla pagina 1di 30

I

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

Indice

..................................................................

1Esercizi ad un asterisco
2
1.1Operazionali......................;........... .................... . . . . . .............; 2
1.2 Mosfet ........
4
. . -.....................................~...................................................................,.
1.3 Specchi di corrente ...............................................................................................6
1.4 Bjt.................
.,..... .............
....... .....
.... .............. ......... .....,...,..,....7
.
.
1.5 Giunzioni pn...............................................,........................ ...................... 9
1.6 Modelli a l piccolo segnale.............................,......................................................12
2 Esercizi a due asterischi
B....................................
13
2.1 Mosfet........................................................................................................ ...... 13
2.2 Bjt.... ..............
.............. . . . . . ......... . ... . . . . . . . . . . . ...... 15
2.3 Operazionali...i ...................................... ................................ .................... 16
2.4 Modelli al piccolo segnale ................................................................................;.. 19
3 Esercizi a tre asterischi
.....m...
22
3.1 Bjt................................................................................ .....................,...,....,,. ...... 22
3.2 Stadi amplificatori..................................................................,. . . . . . . . . . . . . . 22
3.3 Mosfet. ...
I.. . ............................ ...........,..........,....................................... 24
3.4 Diodi.....................
.............. . . . . . .........
,.
. 25
.
. . ............... ..

.
.

.. .............. .....

.
.
.

..

.........................

'

.,

. .

..................

I-

.... ...... ..
.
.

....
.

..

.... . . ............
.

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

1 Esercizi ad un asterisco

1.l.a Testo dell'esercizio:


..

. . .. .

-+V
.'
- - . .CC..
.

.: 6

L'amplificatore di figura presenta


una resistenza di ingresso pari a 10
kR. Sapendo che I'amplificatore
operazionale utilizzato si pu
considerare ideale, determinare la
corrente io (in mA), erogata
dall'amplificatore stesso, quando V ,
p a r i a 2 V-

:V, .

Risposta:
Riconosciamo subito che si tratta
della
configurazione invertente,
..i,, ., . ..
;v,:.
1
... . . . . .
. cc..:
quindi conosciamo la resistenza
. . ~
.
..
,. . : . ..:.:.
. .-. .-*.d'ingresso, infatti Ri = RIN= 10 kfl.
-.
Possiamo allora calcolare la corrente
il che passa su RI, tenendo conto del
cortocircuito virtuale tra i due morsetti dell'amplificatore operazionale:
...

'

- V I = R,il

i,=2=&=0.2

m ~ .~aT=orrente'i~
va tutta sulia resistenza R,. perche,

essendo l'amplificatore operazionale ideale, i suoi morsetti non assorbono corrente. Per la
i,=-il =-0.2 mA
LKC al nodo di destra possiamo allora affermare che il+io=O

v,,

r-

R,

'
R3

v,

1.1.b T e s t o
dell'esercizio:
Il circuito di figura
utilizza un
amplificatore
operazionale ideale.
Determinare la
Resistenza di
ingresso RIN.
Dati: R1=lkS2,

Rz=2kn,

R ~ = z ~ .
Risposte:
1) R r ~ = kl R
2) R l N = 2 k n
3) Rl~=3k?2
4) R 1 ~ = 5 k n

Risposta:
Sfruttando i1 cortocircuito virtuale tra i morsetti dell'amplificafore operazionale ideale,
possiamo'affermare che le resistenze R2 e R3 sono in parallelp e possiamo quindi sostituirli
con R,,=R,((R,=lkR
che sara a sua voltain serie con RI. G i n d i R,,=Rl+R,,=2kf2.

,ww.upupa.org

- Esercizi di

Fondamenti di Elettronica

I. 1

:il

u
.v'
. IN.

..
.V
,

:
-

..

R4=R,

.. ..:.. . . ..
. . ..

I .l.C Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, che
utilizza un amplificatore
operazionale ideale,
determinare l'espressione
dell'impedenza d'ingresso a
frequenza infinita ZiN(w)vista
dal generatore VIN.
Dati: Rr=R, R2=3R, R3=2R,

. .

-v

Risposta:

..

R5=R'

Risposte:
1) ZjN(m) = 2 R
2) Z,N(m) = 2 R / 3
3).Z,N(m) = R

Per calcolare l'impedenza


d'ingresso a frequenza infinita
dobbiamo sostituire il condensatore con un cortocircuito e calcolare la resistenza
d'ingresso. In questo caso conviene calcolare la corrente fx e calcolare RINcome rapporto
tra V I Ne Ix.
Calcoliamo la corrente liz che passa per RI ed R2 (la corrente uguale in entrambe le
resistenze perch ,il morsetto non invertente non assorbe corrente) tramite una maglia:

Calcoliamo ora la corrente che passa su R4 sfruttando la maglia "centrale":

Non ci resta che calcolare la corrente che passa per R:i


Ora per ia LKC al nodo di sinistra 1,=112+1,+1,=-

R2
4-

'L

RI
1-+

1.i

3
'u

V
-VlN+R313=03 l -3.

3-2~

* R,,=- v,, = R .

VIN

I,

1.l. d Testo dell'esercizio:


L'amplificatore di figura realizzato
con un amplificatore operazionale che
si pu considerare ideale. Sapendo che
la resistenza R1 pari a 120 kQ e che il
guadagno di tensione pari a 1,
determinare la potenza (in mW)
erogata dall'amplificatore quando VI
paria12V.
Risposta:
Calcoliamo innanzitutto la corrente 11:

1
- V,=-R1I1

-%c

Il=-

"l;

essendo
Rl
I'operazionale ideale non assorbe
corrente, quindi la.corrente I l va tutta
3

v,

12v
.=O. lmA, mentre- . la. tensione
R, 120kR
.. .
.
.
'V,= ~ , = 1 V
2 , esgendo ilguiidag';lo di tensione uguale .a :l,.

su k2;Notiamo quindi che I,-,=-=


- .

~apotenza erogata
. .
e
.
uguale a l prodotto tra loe Va, quiridi . ~ 6 = ~ o l a = ~m1W
m .2

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

1.2 Mosfet

4,

':.vDq;

1.2.a T e s t o dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza A D (in kn) richiesto per avere una tensione V,, a
. ,
riposo pari a 9 V.
:.. . . : RD:, Dati: Rc=lOOkn, V~o=15V,Vr=7V, IDSs=V?pCmW/2L=8mA
.

..

-.

Risposta:
Individuiamo innarizitutto i rnonetti del mosfet (in figura).
Sappiamo che il gate non assorbe corrente, quindi iG = 0,
quindi la tensione su R G uguale a zero, da cui ricaviamo
che il Gate cortocircuitato con il Drain; sar quindi VcD= O
e Vcs= VDS= 9 V.
2

Calcoliamo ora la corrente i ~i,=/,


:

(
1
=0.653mA.v
2
)

Scriviamo ora l'equazione della maglia di uscita (destra) da


cui ricaveremo il valore della resistenza RD:

RD

1.2. b Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare /'intervallo di valori
della tensione di alimentazione VDDper il quale il MOSFET
funziona in zona di saturazione.
Dati: RG=50kn, R D = 2 0 0 n , VT=4.8V, IDs=VT~CoxW/2L=6mA
Risposte
1) VDD 9.8V
2) 4.2V < Vm < 7.4V
3) VDD> 4.8V
4) VDD> 2.8V

Risposta:
Come abbiamo fatto nell'esercizio precedente, individuiamo
innanzitutto i morsetti del mosfet e indichiamoli i n figura.
Ripetendo le osservazioni iniziali dell'esercizio precedente (il
circuito lo stesso) affermiamo che VGS= VDS.
Dobbiamo ora verificare che il rnosfet (a canale n) sia in zona
=VDs)>VT e VDs>VGs-V,
di saturazione, quindi che V(,
La seconda condizione verificata in quanto VGS=VDS
e VT>O.
Scriviamo ora l'equazione della maglia di uscita:

7
-

o i&ognita VGS:dovremo ora esprimere VGr in


otteniamo quindi unaequazionedi 2 0 ~ r a d con
funzione di VDDe poi porre i due risultati VGs(~,Z)
> VT e troveremo cos l'intervallo di valori
corretto per Voo,che risulta essere la terza opzione cio VD,>4.8V., quindi la risposta
-.
-corretta la numero 3.

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

j
..
.V'..
90:.

1.2.c Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, detern~inarei/ valore della resistenza
RD (in kkn) richiesto per avere una tensione V, a riposo pari a 2 2

.:.

v.

Rx Dati: R c = l 00kQ V D D = ~ ~VV


T=
, ~ V/,H = V T ~ ~ C , , W / Z L = ~ ~ A

..

..0.: Risposta:

...

jo

Sappiamo che il gate non assorbe corrente, quindi la tensione


sulla resistenza R G uguale a O, da cui ricaviamo che la
tensione VG5 uguale a Vm. Calcoliamo ora la corrente ID:
2
D

~10.45

Sfruttiamo ora la maglia di uscita per calcolare il valore della


resistenza RD: -V,+

RDID+V,,=

O 3 R,= " D D - " Q - O . Z ~ ~ ~ ,


1,

l .2.d Testo dell'esercizio:

. . .

. .

Risposta:
\

Scriviamo la LKT a-a maglia di uscita: -v,,+R&+v,=o

-r

I,=-

-V
RD

.-.-propriol'equazione-della
. .
. retta
.
di.carico rappresentata-in
.
. figura.
.
. .
..
.
.

- ..
- .
.

..- .

. ..

DS

+-:

questa
RD

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

Dalla pendenza m della retta, che possiamo calcolare semplicemente osservando il


grafico, possiamo ricavare il valore della resistenza RD:

1.3 Specchi di corrente

y-:... CC
e

. .

Q.

-'

i'
,

l-

I
-

"

1.3.a Testo dell'esercizio:


Dato lo specchio di corrente in figura,
supponendo i transistori operanti in
zona attiva diretta, determinare la
corrente di uscita 10 (trascurare l'effetto
Early) .
Dati: R = Ikn, V,,= 8.7 V,
VBE=- 0.7 V, 13 = l 8
Risposte:
1) 10 = 0.6 mA
2) lo = 8.5 mA
i&,. 3) l a = 7.2mA
. ..
4) lo = 8.7 mA
Risposta:
Trattandosi di uno specchio di corrente,
dobbiamo innanzitutto individuare la
corrente IREF; si tratta della corrente che
passa sulla resistenza R. che calcoliamo
utilizzando la maglia di destra:
-Vcc-VBE+ RI,,,=O

Ora, sfruttando la formula per il calcolo della corrente di uscita di uno specchio di corrente
I,=--- IREF- 8 mA =7.2mA;
con bjt, calcoliamo lo:
2
2
la risposta corretta la numero.3.

l+-

l+18

In ogni caso, anche senza fare i conti, potevamo subito affermare che la terza opzione era
corretta; infatti sappiamo che questo specchio d i corrente "riflette" la corrente l R E ~
attenuandola di poco (quindi potevamo scartare la prima opzione) e non amplificandola
(quindi potevamo scartare la seconda e la quarta opzione).

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

1.3.b ~ e s t ode~~esercizio:
Dato lo specchio di corrente in figura,
supponendo i transistori operanti in zona
attiva d,;retta, determinare la corrente di
uscita lo(trascurare l'effetto Early).
Dati: R = IkR,VEE= 4.7 V,
VBE=0.7 V, L? = l 8
Risposte:
1) lo
= 0.6,mA
2) lo = 4.0'mA
3) 1; = 3 . 6 . m ~
4) lo
= 4.9 mA

I
I

Risposta:

Come per 'l'esercizio precedente,


che in
individuia'mo la corrente IREF,
questo caso la corrente che passa per
la resistenza R. Per calcolarla utilizziamo
la maglia d'ingresso:

Quindi sfruttiamo la formula per il calcolo della'corrente di uscita di uno specchio di


,, - 4mA = 3 . 6 , , , ~ ,
i I 7
-i
corrente con bjt e calcoliamo lo: O.
2'
2
quindi-la risposta corretta
..
l+l+B
18
la numero 3.

'

1.4 B j t
V

cc -

1.4.a Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza RC(in kQ) necessario affinch il BJT presenti una
tensione VCEa riposo pari a 15 V (si trascuril'effetto Early).
. VCEsal=O.8VI&=l50
Dati: Re=lOOkQ,Vm=25V,V B E = ~7V,
- . ,_..- . .
Risposta:

Rc

Calcoliamo innanzitutto la corrente di base utilizzando la


maglia d'ingresso:
-Vcc+ RBIB+VBE=O3 IB= v c c - V m = ~ . 2 4 3 m ~ .
RB
Supponiamo il transistor bipolare operante in zona attiva
diretta, quindi calcoliamo la corrente di collettore:

Ora scriviamo l'equazione della maglia di uscita, imponendo


una tensione V ~ = 1 5V, e calcoliamo dunque il valore della
resistenza Rc:
-Vcc+RcIc+Ve=O

* R,=

=0.27k~,
'C

Attenzione! Per supporre il bjt in zona attiva diretta


dobbiamo verificare che la tensione VCEsia maggiore del
valore di saturazione, che in questo caso 0.8 V: ma
l'esercizio chiedeva il valore-di Rc affinch la tensione VCEfosse pari a 15 V, che
evidentemente maggiore di 0.8 V.

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

1.4.b Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della resistenza
Rc (in kR) necessario affinch il B'T'presenti una tensione VCE
a
riposo pari a 5 V (si trascuri l'effetto-Early).
Dati: RI=150kR, Rz=18kQ, Vcc=lOV. VBE=O.~V,
BF=lO0

R,

Risposta:
Cerchiamo d i individuare la corrente IBcalcolando le correnti Il
e 12 che passano per R1 e d R2 e facendone poi la differenza.
Scriviamo la LKT sulla maglia i n basso:

Ora calcoliamo I l sirivendo la LKT partendo da Vcc e passando


per il bjt: -Vcc+R1Il+VBE=O

I,= V c c - V ~ , 62p
R1
Calcoliamo ora le: /,=ll-12=23.1
p A.
Ora sfruttiamo la maglia d i uscita per calcolare Rc:
j

-Vc-+ /?,Ic+
VcE=O => Rc= Vcc-Vc'=2.16kfl.
BF IB

1.4.c Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza Rc (in kn) necessario affinch il BJT presenti una
tensione VCEa riposo pari a 5 V (si trascuri l'effetto Early).
Dati: RB=470kn, VCFIZV, V==0.7V, &=l50

%, Risposta:

1:

Evidentemente per calcolare il valore della resistenza Rc


dovremo utilizzare la maglia di uscita:
"cc- VCE
(Bo+l)J,
facendo attenzione al fatto che la corrente che passa per RC
n o n Ic=BolB bens 1,+801B=(~,+1)1B.
L'unico dato che ci manca per calcolare Rc 6 la corrente di
base le, che andiamo a trovare attraverso la maglia

7.

centrale: RBI,= V,=VcE-

-.-.

. .

-.

I,=V c ~ - V ~ E = 9 . 1 5 p A .

RB

orapossiamo calcolare l?c:Rc= Vcc-Vc~=5,07 kR.


(Bp+l)l,
-.

V,,

...
. I

. .
-.

. . .

'.

- .
. .
.

..
-.

-.

.
.

'

.
.. .

'

.
.

.
.
.

.
..

..
.

. . .

. .

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica


V,

1.4.d T e s t o d e l l ' e s e r c i z i o :
Dato il circuito di figura, supponendo il transistor
operante in zona attiva diretta, determinare la tensione
VCE.

Dati: Rc=3kW, RE=^ kW, VBE=O.7 V, V C C =OV,


~ la= 1 0 M,
8=1 O0
Risposte:
1) VCP= 5 v
21 VCE= 6 V
3) VCE
=2 V
4) V C E = 1 V

id
j

Risposta:
Essendoci stata fornita la corrente di base IB, facile
e
.calcolare la corrente di collettore I,=pI,=lmA
quella d i emettitore I , = ( ~ + l ) l , = l . O l m A .
Ora scriviamo l'equazione della maglia d i uscita e
calcoliamo VE:
-Vcc+RCIc+ V,+ R,I,=O 3
VcE=Vcc-RcIc-REIEz6V .

.:

RE

La risposta corretta la numero 2.

1.5 Giunzioni pn
1.5.a Testo dell'esercizio:
Sia data una barretta di semiconduttore drogato n con concentrazione di atomi donatori
No=4-1015[cm-3].Si determini il rapporto tra la densit di corrente di deriva di elettroni
e quella di lacune derivanti dall'applicazione di una tensione VAalle estremit della
barretta di semiconduttore.
Da ti:
Concentrazione intrinseca: n, = 1.45-10
' [cm-31
Carica dell'eleffrone: q = 1.6.1 0-19 [C]
Mobilit degli elettroni: p,, = 1260 [cmZ/(V s)]
Mobilit delle lacune: pP = 460 IcmZ/(V $1

.r

II

Risposta:
....
.
I I.

Dalla Legge dell'azione di massa ricaviamo che n=N,

e che p = l N,
Ricordiamo poi la formula per calcolare la densit di corrente di deriva: j,,,=qn~,
quindi il rapporto cercato

In-d"n - q n p n
Ip-driR

- 1 :=20,8.1010.
~~

gppp n

1.5.6 Testo dell'esercizio:


La corrente di saturazione inversa di un diodo ideale (15):
1 ) aumenta all'aumentare della temperatura
2) aumenta ,alllaumentare del drogaggio
.
3).aumenta al diminuire dell'area di giunzione 4) aumenta all'aumentare della polarizzazione jnversa
'

'

.-.
i.,:I.

.
. .

.. . .
-.
..

..

...
. . . .\
.

. .. .

..
.' .

.
:

.-

.
. .
.. . .

. .
.

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

10

Risposta:

Scriviamo per esteso la formula per calcolare la corrente d i saturazione inversa:


Scattiamo subito la seconda risposta perch I' diminuisce
all'aumentare del drogaggio, come vediamo dall'espressione. Apparentemente non
sembrerebbe dipendere n dalla temperatura, n dall'area di giunzione, n dalla
polarizzazione inversa, ma in realt sappiamo dalla Relazione di Einstein che
D D, KT
J=-=-~
quindi all'aumentare della temperatura aumentano le diffusivit e
, o
n
9
aumenta quindi la corrente Is. La risposta corretta quindi la numero 1.

f,

1.5.C T e s t o dell'esercizio:
Sia data.una barretta di semicondutore
drogata n in cui la densit di portatori di
carica sia linearmente decrescente nella
direzione x, come mostrato in figura. Si
determini il valore della corrente di diffusione
degli elettroni sapendo che le dimensioni
della barretta di serniconduttore nella
direzione perpendicolare ad x sono 10pm x
1Opm.
Dati:
.
Concentrazione all'origine: n(0) = 1 015[cm-3]
Concentrazione all'estremit della barretta:
b n (xJ = 1012 [cm-3]
x Lunghezza della barretta di semiconduttore:
xl = 1 fpml
[C]
Carica dell'elettrone: 9 = 1.6-10-l9
Coefficiente di diffusione: D, = 35 [cm2/s].

Calcoliamo innanzitutto la densit d i corrente:


/ = A J= 1 0 - ~ c r n ~ 5 5 . 9 L = 5 5p. 9
A.
cm2

quindi la corrente di diffusione:

1.5.d T e s t o d e l l ' e s e r c i z i o :
Si calcoli la resistivit del silicio drogam.con.atomi
donatori con concentrazione ~ ~ = 2 . 1 0 ' ~
. ..
[ ~ m - ~a ltemperatura
,
ambiente.
Da ti:
Concentrazione intrinseca: n; = 1.45-101*[cm-3]
Carica dell'elettrone: q = 1.6.1@l9 [C]
Mobilit degli elettroni: CI, = 1260 [cm2/(V s)]
Mobilit delle lacune: pp = 460 [crnZ/(Vs)]
Risposta:

Ricordiamo innanzitutto la formula per calcolare la resistivit: P='=

~(PP,+~P,)

0-

Essendo ND>>niB sara n=No, non ci resta quindi che calcolare p: p=-=105125[cm-3].
N,
~ & c ~ l i % r ora
n o la resistivita: p=

:.-l-

'

.
. - ..

- .
.

. :
.

...
. .
. .

...-.

~2.50-cm
. _ ; ;. :

~ ( .P. V , + ~ P , )
...
,

.. . -.
.

.
.

_:

.. .

- .

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

..
1.5. e Testo dell'esercizio:
Calcolare la tensione che deve essere applicata ai capi di un diodo a giunzione PN per
produrre, a temperatura ambiente, una corrente inversa pari al 95% della sua corrente di
sa turazione Is.
Da ti:
Fattore di idealit: q = l
Potenziale termico: V ~ = 2 5 m V

Risposta:

Ricordiamo la formula per calcolare l a corrente d i u n diodo, data la tensione ai suoi c a ~ i :


(detta I, la corrente di saturazione) e applichiamola per rispondere alla
lD=ls e '-1
v,
v,
=0.95=eVr--1
*eVr=0.05 V,=V,ln
0.05~-74.9mV
domanda:

1.5. f Testo dell'esercizio:


Una giunzione pn viene drogata nella regione n con N D = 5 - I O f 6 atomi/cm3 atomi di
Fosforo (P). Sapendo che il potenzialedi contatto vale Vo=0.8 V, determinare la
concentrazione di atomi di Boro (NA) nella regione p.
Dati: V ~ = 2 5mV, ni=1 .45.1010
cmJ.
Risposta:

:?.
"0

Ricordiamo una delle pi importanti equazioni della giunzione pn: -=In

v,

la concentrazione di elettroni nella regione n, mentre n, la c o n c e n t r a ~ i o n ' e d e ~stessi


li
nella regione p.
Nella regione n, essendo NDn, risulta n,=N,.
Nella regione p risulta, dalla Legge
n2
dell'azione di massa p = N A e n =L.
P
N,..
NDNA

Dunque possiamo scrivere:


"T

v,

"0

NDNA- --evr

n;

~ ~ =n-:e ~-~ = 3 . 3 l 0 " c m - ' .


N,

1.5.g Testo dell'esercizio:

"

i o'?

10"

1otO

io"

Iom

Ioro

ConcentrazioneTdsle d i impunta [un-?

io"

'

.,e

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

. -.

12

Sia data una barretta di semiconduttore drogata n alle estremit della quale viene
applicata una differenza di potenziale pari a VA= 0.5 V. Si determini la velocit media di
deriva dei portatori maggioritari sapendo che la loro mobilit varia in funzione della
concentrazione di droganti in accordo con il grafico di figura.
Da ti:
Concentrazioni di droganti: No = 3.1016[cm-3]
Lunghezza della barretta di semiconduffore: L = 100 [pml
Risposta:

Innanzitutto dobbiamo capire quale delle due curve guardare: essendo il Boro u n
drogaggio di "tipo p", mentre Arsenico e Fosforo sono un drogaggio d i "tipo n", dobbiamo
scegliere questi ultimi; In corrispondenza del valore 3.1016si ha una mobilit di 1000
cm2/Vs= 0.1 m2/Vs.
Ricordiamo la formula per calcolare la velocit di deriva: Ivdriffl=~,,E;Per calcolare il
0.5'
valore del campo elettrico utilizziamo la nota formula: E=-=V
L 100prn
m2
V
calcoliamo infine la velocit di deriva: I V ~ , . , J = ~ ,
E=O.l-5000-=500-.

vs

=5000- v

m
S

1.6 Modelli al piccolo segnale


C
.

*
4

R0"T

1.6.a Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, che
rappresenta il modello
dinamico equivalente di un
amplificatore a transistore
avente un guadagno di
corrente Bo ai piccoli segnali
pari a 100, determinare il
valore della resistenza Rorn
indicata in figura. Esprimere
tale valore in kn.
Dati: R1=47kn, R2=0.8kR,
Rs=22kO, gg,=40mS.

Risposta:
Osservando la maglia di
sinistra,
ci accorgiamo che essa
-e

composta
di sole resistenze.
....
. - ... tquindi'non pu essere percorsa
da corrente: la corrente i e che
attraversa la resistenza r, uguale a 0, quindi v,=i~r,=O.
Da questo ricaviamo che il generatore pilotato eroga una corrente pari a zero, quindi
come se la rete di .sinistra fosse "scollegata" e la resistenza di uscita pari ad R3, quindi
Rom= R,.

..
j

i
l

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

2 ~ s e r c i za
i due asterischi
I

2.1 Mosfet
:Via,

2.1. a Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della tensione
drain-source Vosa riposo.
Dati: Ri=40kO, R2=40kR, Ri=2200Q, VDD=ISV,V T = ~ V ,
loss= V T ~ ~ I C ~ =
W2/O. L ~ A
Risposta:

~otiamo
subito -che la corrente che passa per Rl uguale a
quella che passa per R2, i n quanto il gate non -assorbe corrente;
calcoliamo allora questa corrente, che chiameremo lR(con
direzione dall'alto verso il basso) sfruttando la maglia pi a

*I

"DD
-0.1875mA:
Ri+R2
A questo punto possiamo calcolare VGSscrivendo la LKT sulla
* V,,=R21,=7.5 V ; Avendo ora
maglia di ingresso: V,-R,I,=O
a disposizione la tensione Vcs possia.mo calcolare la corrente di

sinistra: -V,,+(R,+R2)IR=0

=--

drain lo usando la fprmula: I,=/,


Infine possiamo calcolare la tensione VDssfruttando la magliadi
destra: -VDD+RDID-k
V,=O
v,=v,,~,1,=9.5 V .

2.1. b Testo dell'esercizio:


Il circuito di figura
rappresenta un
transistore MOSFET a
canale n polarizzato in
zona di saturazione,
con relativa
transcaratteristica e
retta di carico statica.
Determinare, da tale
grafico, i valori della
resistenza di source RS
e della tensione di
alimentazione VDD.
Dati: R1=200kn,
Rz=100kn
Risposta:

Scriviamo la LKT sulla


maglia d'ingresso (con
I, abbiamo indicato la corrente che passa per R1 e R;, che t? l a
stessa perch il Gate non,assorbe corrente):
-.
.
1
che & I'&Quazion&della
V
,
~
+
R
,
I , ~ R ,/,=O 3 I,?-V,+- .
-

R,

Rs

~.

retta di carico rappresentata in figura quindi dal:la.pendenza.della retta


.

.. .

. -.
:
..

.-

h.. y. T y,

.-?

'2.

ricavare
.

. .
.l'
., 7.:. .

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

il valore della resistenza Rs: m=

15-5

10

14

= Rs=0.3k.R=300SZm

0.5-3.53
Rs
Calcoliamo ora il valore della corrente IR sfruttando il punto di lavoro che viene indicato in
figura (I'intersezione'tra la transcaratteristica e la retta di carico): I,= lOmA e V,=2 V
e la LKT sulla stessa maglia: V,,+

RsID-R,I,=O

I,= v ~ s + R ~ 1 ~ = 5 0 p A .
R2
Ora scriviamo la LKT sulla maglia di sinistra e troviamo facilmente VDD:
-Vm+IR(R1+R2)=0 J V ~ ~ = / ~ ( R ~ + R ~ ) = ~ ~ V .
=>

2.1. C Testo dell'esercizio:


I
Dato il circuito di figura, determinare l'intervallo di valori della
,j'
,
tensione di alimentazione VDDper il quale il MOSFET funziona in
zona di saturazione.
Dati: Rc=80kn, R~=600f2,V T = ~ . ~ IVD, S ~ = V T ~ H C O X W / ~ L = ~ ~ A
Risposte:
l ) V00 < 6.8V
2) voo> 10.2v
3) 4 . 8 V c Voo< 9.6V

.....-

..

Risposta:
Le condizioni che dobbiamo imporre perch il mosfet funzioni i n
zona d i saturazione sono V,>V,
e V,>VGs-V,.
Calcoliamo innanzitutto la tensione VGStramite la maglia di
sinistra: -V,,+VGS=,O =. V,,=VDD e imponiamo la prima
condizione: V,,>V, * V,,>4.8 V .
Calcoliamo ora VDstramite la maglia d i uscita:
-VDD+/?D/D+VDs=O
* VDs=VDD-/?,ID e imponiamo la seconda
V,-V,
m a noi sappiamo che
condizione: V,=V,,-R,I,>
VGs=V, quindi risulta

. -,

VT>RDI,

( :;)i,~

( )
l--

R D /D55

v,

numero 3.

v,

RD 10,

m a dalla prima condizione


??O

ID5S

I-- v, <O quindi possiamo scrivere

ricaviamo V,,>V,

v,
--lc//---

(,
-/,l:

",,<V,

[{L+~)

v D D c 9 , 6 v quindi la risposta corretta 6 a

R D1
,s

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

.l5

2.2 Bjt

2.2.a Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare .il valore minimo. della
resistenza RC per il quale il BJT funziona in zona di saturazione (si
trascuri I'effetto Early).
Dati: Rs=470kR, Vc~=15V,V6~=-0.7V, VCES~<=-O.~V,
&=l50

Risposta:.

Calcoliamo innanzitutto il valore della corrente le utilizzando la

Vcc+V8~,30.4 A
RB
Calcoliamo ora il valore della resistenza Rc tramite la maglia di
Rc= Vcc+ Vc,
destra: -V,,-V~~+R~I,=O
BFIs
R, Il valore minimo della resistenza Rc per cui il bjt funzioni i n zona
di saturazione quello per cui la tensione VCEassume il valore di
maglia di sinistra: -V,-V,+R,I,=O

=. I,=

sat
kR,
saturazione Vc~sat: Rcmjn=V ~ ~ + V c ~=3,18
BFIB

.!

..V

:.

.:,,

cc:.

2.2. b Testo delf'esercizio:


Dato il circuito di f i g u r i determinare il valore minimo della
resistenza Rc per il quale il BJT funziona in zona di
saturazione (si trascuri I'effetto Early).
Dati: R s = l O O k n , Vcc=25V, VBE=O.7V, Vc~s,t=0.8V, &,=l50
Risposta:

Come per l'esercizio precedente, calcoliamo il valore della


corrente leutilizzando la maglia di sinistra:

Passiamo ora a calcolare il valore della resistenza RC tramite


v c c - VCE
la maglia di destra: -Vcc+RcIc+VcE=O 3 Rc=
BF 1,
Come abbiamo gi detto, il valore minimo della resistenza RC
per cui il bjt funzioni i n zona d i saturazione quello per cui la
tensione VCEassume il valore di saturazione V~Esat:

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

2.3 Operazionali

16

. .

..

2.3.a Testo

.%:
.-

dell' esercizio:
Nell'amplificatore di
figura R1 = R2 = R4 =
100 kf2. Qual il valore
di R3 da utilizzare
per ottenere un
guadagno il pi vicino
possibile a -120?
Risposte:

..v,

1) 8.4 7 kL?

.:i+

'.

2) 8.47 Mf2
3) 84.7 kR
847 n
. .
. . .:4)
.

i
.-.
.

. ..

Risposta:
f

, Nell'operazionale
non entra
-Vl+RIIl=O =. l 1 =
~ '
Rl
corrente quindi Il=12=1,+14; Per calcolare 13 sfruttiamo la maglia centrale:
R
R
R2 V ,
v,
R 2 I2 +R,/,=O =. I,=- 21
-- 21
2--- T- ma RTL= RI,quindi I,=-- da cui
R3
R3
R j R,
R3
v,
VI
ricaviamo anche il valore di 14: I4=l2-I3=l1-1 --f -.
-,.
R~ R3
Calcoliamo innanzitutto la corrente 11:

Possiamo ora calcolare V:,

ma R4 =R2

V,=-Re/,-R212=-R4

quindi il guadagno risulta

-120 e otteniamo

=-l20

R,=--

Rl quindi

poniamolo orauguale a

R4 -847.50

118

quindi la risposta corretta la

numero 4.

2.3.b Testo dell'esercizio:


. .

Dato il circuito di figura, che . ........


utilizza un amplificatore
operazionale ideale, determinare
la funzione di trasferimento
relativa all'ammettenza
d'ingresso Y l vista
~
dal generatore
VINRisposte:

!r
!

. .

www.upipa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

17

Risposta:

Notiamo subito che non c' bisogno di calcolare I'ammettenza d'ingresso per esteso per
rispondere a questa domanda: baster analizzare il circuito ad alta frequenza, calcolare la
conduttanza d'ingresso e vedere quale dei t r e risultati proposti ha come limite per s+m il
valore trovato per GIN (possiamo alternativamente analizzare il circuito a bassa frequenza,
calcolare GIN, e poi sostituire s con O nei tre risultati proposti).
Analizziamo allora il circuito ad alta frequenza: i due condensatori diventano dei
cortocircuiti, e la resistenza d'ingresso evidentemente il parallelo tra Ri e Rz:
l - Rl-tR,
R,,=RIIIR -- R1R2 ; quindi la conduttanzh risulta: GIN=---*
2- R1+R2
RIN RlRi
Ora facciamo il limite per.s+m dei tre valori proposti:

2,

sC2(1+s(R1+R2)C1) %(R1+R2)
lirns-~ ( ~ + S R , C ~ ) ( ~ + S R , C , )/?,+l?,+
=

-R,+R,
R,R,

"G,,

evidenternente.la risposta corretta la numero 2.

--

2.3. C Testo
deII'esercizio:
Nel circuito di figura, che
usa un amplificatore
operazionale ideale,
R = IOkC, C = 10 nF.
Determinare (in Volt) cui si
porta la tensione di uscita
dopo 1 rns, se all'ingresso
applicata una tensione
V, = 1V. Si supponga la
capacit C inizialmente
Risposta:

Calcoliamo innanzitutto la

corrente IRche passa per R (da sinistra verso destra):

-V,+R /,=O

v,

l,=-=O.lmA;
..

R.

essendo I'operazionale ideale, non assorbe corrente, quindi IR


va interamente sul
condensatore; Scriviamo allora l'equazione differenziale che lega
la corrente e la tensione
1,
d",
d",
1,
* v,=-(t-t,);
quindi dopo 1 ms la tensione
del condensatore: C-=ic=/,
a -=C
dt
dt C
O.lrnA
sul condensatore sar V,=
l m S = l O V , ma v. = -vc, quindi dopo u n tempo
10nF
t = l m S sar v,=-1OV.

Varian ti:
L'esercizio si:pu tfovar anche con questo testo:
-Nel
circuito ditfigura, che usa un amplificatore operazionale-idea/e, R = 33 kf2, C = 10 nF.
.
. .. - .Determinare il tempo ti (in ms) richie;to affinche /!uscita si porti ad una tensione di 12 V,
la capacit C inizialmente
. . - se all'ingresso applicata una tendone V, di -2 v . - ~ i s u p p o n g a
.. .
.scarica. .
..
'

. .

..
.

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

Risposta:

I,
v,
-(t-t,)=- -(t-t,)
C
RC
-33 k R 1 0 n F 12V'=~,98m5.
.

Come sappiamo dall'esercizio appena svolto v,=-v,=ricaviamo

(t-to)=-

RC

-Vo=

v,

-2

d a cui

L'esercizio si pu trovare anche con questo testo:


Nel circuito di figura R = 1 kf2, C = 1pF. Qual il valore in modulo dell'amplificazione di
tensione alla frequenza. angolare wodi 120 rad/s?
Risposta:

Essendo uno schema invertente, il guadagno si calcola nel modo seguente:


=C

A v ( j w ) = - -=Z,

1
- j

Calcoliamolo alla frequenza

wRC'

jwRC

2.3.d Testo
d ell'esercizio:

C1

II
II

YHL

Dato il circuito di figura, che


utilizza un amplificatore
operazionale ideale,
determinare la funzione di
trasferimento tra VINe VO.
Risposte:
R, l + s ( R , - R3)Cl
1) R2+R3
l+sR,Cl

'Q
2,

".l

3,

R3

l+sR,C,
~+S(R,+R,)C,

R3
l+sR,C,
R,+R3 l + s ( R , - R , ) C ,

Risposta:
Come per l'esercizio 2.3.d,
non c' bisogno di calcolare la
funzione di trasferimento per esteso: baster analizzare il circuito ad alta frequenza,
calcolare la funzione di trasferimento in quel caso e vedere quale dei tre risultati proposti
ha come limite per s+m il valore trovato.
Analizziamo allora il circuito ad alta frequenza: il condensatore diventa un cortocircuito.
Calcoliamo la corrente 123 sfruttando i l fatto che I'operazionale ideale non assorbe corrente

ai suoi morsetti: -V,N+(R3+R2)123=0

I,=-

; Sfruttando ora i cortocircuito virtuale


R3+R2

R3
'33 ,1''
; sempre per
R1
Rl R 3 + R 2
I'idealita dell'operazionale, la corrente li va tutta sulla resistenza R2 in alto, perch i
morsetti.dell'oOerazionale non assorbono corrente.
Calcoliamo allara la tensione d'uscita Vo, sfruttando ancora il cortocircuito virtuale:
.. . . - . .
V o . :i. R2-,
R3
-. . R.,
R,-R3
V o = - ~ ~ I l + R 2 1 ~ = V h & ( . - ~ + l ) 3 A --=V
--+l
=
P
.- - .
2
3
- v T - ~ ,R
N2 + R I ( ~ : R l
R 2 +R 3
R1.
.
ora f a & i G o ' il.limite
.
.
per sAm
tre
valori
proposti:
.-.
. ..
.
- .
..,.

tra i morsetti calcoliamo la corrente Il: Rlll=R3123

da

. . I

www.upupa.org

- Esercizi di onda menti di Elettronica

evidentemente la risposta corretta la numero 1.

2.4 Modelli al piccolo segnale


2.4.a Testo

'
0
C

dell'esercizio:
Dato il circuito di figura,
che rappresenta il modello
dinamico equivalente di
un amplificatore a
transistore MOS
polarizzato con una
corrente di drain a riposo
di 0.4 mA (a 25"C),
determinare il valore della
resistenza equivalente R,,
indicata in figura (nel
calcolo del g,,, si trascuri
l'effetto di modulazione

della lunghezza di canale).


Da ti: R1=50kQ, ro=I OkR, v ~ = 6 V ,Ioss= V T * ~ C , , W / . L = ~ ~ A .
Risposta:

Innanzitutto calcoiiamo g, con i dati che


2
abbiamo: 9,=-==0.52
IVTI
Per calcolare . R
, poniamo tra i due capi u n
,generatore di tensione V, e calcoliamo la
corrente ,1 che v i passa (vedi figura).
Ci accorgiamo subito che la corrente che
passa per Ri proprio I, e di conseguenza
v,=-R,lx.
Sfruttiamo ora la maglia.pi
. ..
esterna per calcolare io,la corrente che passa per ro:
-V,+loro-V,=O

= Io= v,+& = v x - % l x

ro

Ora, usando la LKC al nodo centrale in alto,

'-0

possiamo scrivere che Ix=g, V,,+I,=-gmR,lx+

Vx-R1lx
ro

I , ( l + 4 m R 1 + ~ ) = 5i
ro

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica


. . . _
. .-

. . . .. . . . . . . : . : . .

.. .

..

. .. .

20

. .. . .

2.4. b Testo

dell'esercizio:
Dato il circuito di figura,
che rappresenta il
modello dinamico
equivalente di un
amplificatore a
transistore bipolare
%po~arizzatocon una
corrente di collettore a
riposo di 2mA (a 25"C),
determinare il valore
della resistenza di
ingresso R,N indicata in

i
I

figura. Esprimere tale valore in kn.

,
r,=2kR.
Dati: R l = l OOkQ, R ~ = l k n Rs=100kR,
Risposta:
'C
Calcoliamo E0 con i dati che ci sono stati forniti: g,=-=80mS

Bo=g,r,=160

"T

Per calcolare R I N poniamo u n generatore di tensione V, e calcoliamo la corrente I, che v i


passa (vedi figura). Chiamata le la corrente che attraversa la resistenza r, e Il la corrente
che passa per Rl (dall'alto verso il basso),.5criviamo la LKC al nodo in alto a sinistra:
l x = l + 1 Ora cerchiamo d i esprimere Il e le in funzione di V,: notiamo subito che
V x =R l l l

v,

Il=-.

R1

, Per quanto riguarda

Otteniamo allora:

/,=ll+/,=-+

notiamo che la corrente che passa per Rz

ed quindi pari a - ( B o + l ) l B e sfruttiamo quindi

uguale alla somma di 1, e g,V,=B,I,


la LKT: -Vx+V,+R,(Bo+l)l,=O

le,

Vx=r,I,+R,(~,+l)l,

v,
Rl

V,
rn+R,(B,+l)

vx

I,=

~,+R,(B,+ 1)'
l
-61.8k R .
l?,,,=-= V,
1
1
I X -L

&
.

2.4. C Testo del/'esercizio:


Dato il circuito di figura, che
rappresenta il modello dinamico
equivale" te di un amplificatore
a transistore bipolare avente un
guadagno di corrente Bo ai
piccoli segnali pari a 200,
determinare il valore della
resistenza di uscita RM indicata
rimere tale valore

Dati: R1=27kCZ, R2=0.8kR,


R3=lOkn ,gm=40mS.
. . ....
.
.

-.
---.fio---.
-.

dati che cisono


stati f o r n i t i ! - r , = - - 5 k ~ .
~.
. -

. ..

9m:..

Calcofiarno innanzitutto r,, c0n.i

...........

~ & E a l c o l a r eR I N poniamo u n generatore di .


.
.

.-

. . ,.

.
.

www.upupa.org

- Esercizi di

ondam menti d i Elettronica

-.

21

tensione V, e calcoliamo la corrente I, che v i passa (vedi figura). Chiamata le la corrente


che attraversa la resistenza ,r cerchiamo d i esprimerla in funzione di V, utilizzando la LKT:
-Vi-l,(r,+

* I,=----rR+Rl ; Chiamata l2la corrente che attraversa R2 (dall'alto

R,)=O

al

basso), calcoliamola sfruttando la LKC al nodo centrale: 1 2 ~ l B + ~ oBO+i


l B V,+/,.
+ l x ~ ~ ~

rn+R1

Vediamo subito che V,=R21,

e ora, sfruttando quanto abbiamo gi trovato, scriviamo:

2.4. d Testo dell'eserciz;~:

::R.2::
,

Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un


amplificatore a transistore MOS polarizzato con una corrente di drain a riposo di 2 mA (a
25"C), determinare il valore della resistenza di ingresso Rir~indicata in figura (nel calcolo
del g m si trascuri l'effetto di modulazione della lunghezza di canale).
Dati: R1=100kQ, R2=1 kQ, R3=1OOkQ, V T = ~ V ,lDss=VT2~C,W/2L=8mA.
Risposta:
Calcoliamo innanzitutto il valore d i g, con i dati a disposizione: 9,=r~;1
Per calcolare la resistenza d'ingresso poniamo u n generatore di tensione V, e calcoliamo
la corrente I, che v i passa (vedi figura).
Chiamate 11 la corrente che passa per Ri (dall'alto verso il basso), 11 quella che passa per
Rz (da sinistra verso destra) e I3quella che passa per R3 (dall'alto verso il basso), possiamo

vx

affermare che: 1x=1,+12=-+12


Rl

e l,=g,V,+l,;

notiamo subito che V, coincide con V,

quindi: 12=g,Vxt13 3 I,=/,-g,Vx;


Cerchiamo ora di esprimere l2i n funzione d i V, e per
questo scopo ci serviamo della maglia pi esterna:

'3

sostituiamo quindi quanto trovato nella prima equazione:

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica

3 Esercizi a tre asterischi


.

3.1 Bjt

3.1. a Testo dell'esercizio:


Dato ilcircuito di figura, determinare ilpunto di lavoro

1i

I=
VCE
, del BJT (si trascuri l'effetto Early).
Dati: Rs=270kQ Rc=l.ZkO, VCC=ZOV,.VBE=O.~V,&=l50

Risposta:

R:'a.

i/lc

I
. .

Come per l'esercizio 1.4.c anche in questo caso


dobbiamo fare attenzione al fatto che la corrente che
passa per Rc non Ic=BolB bens 1,+8,1,=(8,+.1)1B.
Ci conviene allora calcolare la corrente l e e poi trovare Ic
moltiplicandola per BF. Per fare questo sfruttiamo la
3
maglia di sinistra: -Vcc+R,(~F+l)lB+R,I,+V,,=O
IB=
"CC-~BE
=42,8pA =j I,=~oIB=6,4mA.
RC(BF+ V + R ,
Passiamo ora al calcolo di VCE,che risulta estremamente
semplice scrivendo la LKT sulla maglia d'uscita:
*
- V c c + R c ( ~ F - k ~ ) IVcE=O
B+
3 V,,Vcc-R,(~,+1)1,=12.2
V.
=>

. .

3.2 Stadi amplificatori


3.2.a Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, che
rappresenta ilmodello
dinamico equivalente di un
amplificatore a transistore
polarinato con una corrente
di collettore a riposo di 0.4mA
(a 25"C), determinare il
valore del guadagno tensione
Av=VdV,.
D ati: R,=Z kn, R2=0.4kR,
R3=2.7kn, r,=l OkR.

-.

--..

invertente,e che l'amplificazione sia pressbch unitaria.

Risposta:
Notiamo innanzitutto che si
tratta'di uno stadio
amplificatore a base comune
(il segnale entra in emettitore
ed esce in collettore) quindi c i
aspettiamo che non sia
..
.

.
-

. .
.. . -. , .
.. .

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

www.upupa.org

23

1,
con i dati che ci sono stati forniti: f3,=r;g~=rn--=160;

Calcoliamo ora

v,

Trasformiamo il circuito per rendere pi agevoli i calcoli: Sostituiamo con u n g,eneratore


equivalente d i Thvenin la maglia centrale contenente v, R, e R2, come indicato nella
figura.
Req=R,11R,=0.33

kR;

V,=-V

R2

1
=-v

Rg+R,
6
Notiamo che la corrente che passa per R,,,
/E=/B+po/B=(/30+
l ) /.,
Scriviamo allora la LKT sulla maglia di sinistra per
calcolare In: ~Bf,+~e9+(Bo+1)IBR.,=0
3
"e,
Calcoliamo ora la
r,+(Bo+l)R,'
di uscita, sfruttando il fatto che la
corrente che attraversa R3 la corrente di
collettore I,=8,1,:

B O R3
vO=-BoIBR3=
ve9 *
r,+(Bo+
l)R,,
.
BoR,
R2
3 A,=
= 1.1
rn+(B,+l)R,, R-g+R,
Il risultato ottenuto in accordo con le osserva?ioni iniziali: lo stadio amplificatore non
invertente e il guadagno pressoch. unitaria.
,:

3.2.b Testo dell'esercizio:

Dato il circuito di figura, che rappresenta il rnodel6dinarnico equivalente di un


amplificatore a transistore bipolare polarizzato con una corrente di collettore a riposo di
1.2mA (a 25"C), determinare il valore del guadagno di tensione Av=V&.
. . .. ..
Dati: R g = l OkR, R1=22kn, R 2 = l .2kR, R3=22kR; Rr=l OkR, r,=5M.
Risposta:
.
.
Notiamo innanzitu& c h e si tratta d i uno stadio amplificatore ad ernettitore comune
con
.
resistenza d i emettitore (ilsegrjale-entga i n bse ed.esce-incollettore)quindi~ci
aspettiamo che sia invertente e-che 1'amplificaz~ne"siain modulo maggiore-diuno., -

..

..

.
.

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica


.

24

I,
Calcoliamo ora i30 con i dati che ci sono stati forniti: p,=r,g,=r,-=240.
.

......

.:R,

-*

..+ :.
.q .

..

..

..

. . . . . . . . . .

. ,

..

Trasformiamo la maglia di sinistra nel


suo generatore equivalente di
R1
11
Thvenin v,,=-v
=Rl+Rg
16
R,,=Rg((R,=6.875 k R e le due
resistenze R3 e RL nella loro resistenza
equivalente R3(IR,=6.875 k R.
La corrente che passa per RZ
IE=IB+BoIB=(Bo$
l)/,
Calcoliamo ora la corrente le
attraverso la maglia di sinistra:
-vm+(R~+r,)l,+R2(~l)l+

. . .. .-'.

v,

Ig=
Rt,+rn+R2(&+1)
La corrente che passa per R,JJR, quella erogata dal generatore pilotato: Ic=j3,i,;
(R,IIR,)B,
possiamo quindi calcolare la tensione d i uscita: V,=-(R,IIR,)BolB=...

-.

.>.

R,,+I,+R,(B~+

I)

(R,IIR,)Bo
=-3.77
Rt,+r,+R,(Bo$l)
Il guadagno effettivamente negativo e .in modulo maggiore di uno, come ci saremmo
aspettati da uno stadio amplificatore ad emettitore comune con resistenza di emettitore.

quindi anche il guadagno A,=-

3.3 Mosfet
3.3.a Testo de//'esercizio:

Dato il circuito di figura, determinare i valori delle quattro


resistenze che garantiscono il funzionamento del MOSFET
nelle seguenti condizioni: l0=4 mA, Vo=Vd2, V m = V ~ d 4e
che la massima potenza dissipata dal circuito sia 75 mW,
Dati: Vo~=18v, V J = ~ V/, D ~ ~ = V ~ ~ C ~OmA
W/~L=I

'

Risposta:
Possiamo innanzitutto calcolare la tensione VGS,che ci
torner utile pi tardi, in quanto conosciamo I, l ~ s se VT:

( -1

Dalla nota formula I,=/,

ricaviamo che

) sembrerebbe che laequazioneabbia

due soluzioni ma essendo il mosfet a canale n sappiamo che

VGS>VTquindi V,,=V,

l+ E)=6.53 V

Avendo a disposizione le tensioni VDDe VD e la corrente ID,


usiamo la maglia in alto a destra per calcolare RD:
. V,D--VD
- -V,,+
R,lD+ VD=O R,=
=2.25kR.
/D

Calcoliamo ora RSscrivendo la LKT sulla maglia a destra-in basso, della quale conosciamo
-

fB

a;f

4,F

v,

..

'f;
:,

i
I

;
i

i
j

www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica.

25

'

-VD+VDS+RSID=O=$ RS= V"-VOs=l.l~


lc~.
1D
Sfruttiamo ora l'ultimo dato che ci stato fornito, la massima potenza dissipata, per
calcolare la corrente IRche passa per le resistenze Rz e R i (che la stessa perch il gate
non assorbe corrente); Ricordiamoci che la potenza dissipata uguale a quella erogata,
-

Vo, VDSe lo:

Perog

quindi pu essere espressa in questo modo: Perw=V,(I,+lD)

I,=--ID=0.166m~.
"m

Inoltre scrivendo la LKT sulla maglia di sinistra, otteniamo un'ulteriore informazione:

v .

V,,=I,(R,+R,)

R , , + R , = ~ = ~ o ~ ~ R .

IR

Conoscendo ora la corrente IR,possiamo ricavare R, dalla maglia di ingresso:

* R,=

VG,+R,I,-R,lR=O

k R ; Quindi conosciamo anche il valore di

Rslo z66.18

1,
RZ: ~ , = 1 0 8k l 2 - ~ , ~ 4 1 . 8k 2L?.

"I
O'
r

/4

D,/

3.4. a Testo dell'esercizio:


Il circuito di figura, che utilizza un
amplificatore operazionale ideale e
due diodi aventi una tensione di
soglia V7=0.5V, presenta una
transcaratteristica V. = f(VJ che,
considerando solo valori negativi
della tensione d'ingresso, 6
composta da due segmenti,
ciascuno di equazione Vo=mV,+q,
con un punto di spezzamento in
corrispondenza del valore della
tensione d'ingresso Vm.
Determinare:
a) il valore della tensione di
spezzamen to Vm;
b) la pendenza mi del segmento
della transcaratteristica per
VI-=vm;
C) il termine noto ql del segmento
della transcaratteristica per
vi vm;
d) la pendenza m2 del segmento
della transcaratteristica per

v,cv,co

e) il termine noto qt del segmento


della transcaratteristica per

vmcv,<o

Datj: R1=l Okn, R2=4kS2, Rs=2kR, R4=20kR.


Risposta:
Supponiamo inizialmente i due diodi spenti: sostituiamoli con un
circuito .aperto e verifichiamo che le tensioni ai loro capi siano
minori della.tensione di soglia (dobbiamo utilizzare per entrambi
i diodi un.modello.con tensione.di soglia Vr=0.5V come..indicato
in figura)..
. .
. .- .
.
,

. >

.... - . . \
.

. .

..

...
. .

.i

.
. .

.
.

...

.
.

.
..

.
.

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica


-.

V,'.

.V6,:,

:.

. . ...

..

26

e R3 sono in serie con un


Notiamo subito che
circuito aperto, quindi non,vi passa corrente.
Neanche per Rl e fX, passa corrente in quanto
. sono collegate con il morsetto invertente
dell'operazional, nel quale non entra corrente.
Calcoliamo allora VDle V D ~ :
-V,-V',,=O
= V,,=-V,
e poniamola minore
della tensione di soglia: V,,=-Vl<0.5V
3
V,>-0.5 V.
-V,+ V,*= O 3 VD2=Vl e, come per Voi,
impon-iamo che sia minore della tensione di
V.
soglia: V,=V,<0.5
Riassumiamo schematicarnente la situazione,
ricordandoci che dobbiamo considerare solo
valori negativi di VI:
-0.5 V O V 0.5 V

1
:
-

Conosciamo ora il punto di spezzamento, quindi possiamo ri.spondere alla domanda a):
V,,=-0.5
V.
Calcoliamo la transcaratteristica nel caso.% cui entrambi i diodi sono OFF, cio con
-0.5 V-=V,<OV: Essendoci u n cortocircuito virtuale tra i morsetti dell'operazionale e
non passando corrente attraverso le resistenze RI e R4, possiamo affermare che V o = V ,
quindi m , = l , q,=O.
Passiamo ora ad analizzare la situazione in cui V,<-0.5 V , quindi il diodo l ON e il
diodo 2 ancora OFF.
Calcoliamo innanzitutto la corrente 12,
y... . .
I
. .
sfruttando il cortocircuito virtuale tra i morsetti
.
. . .:
dell'operazionale: -V,+R212-0.5 V=O =r

12= Vl+0.5 V

R2

notiamo subito che

Vl+0.5

.R.1
... -.

. .

.* . .

di zero: I,, =-

...

1,;

l+

v,

1
.
.

R2
v,+o.5

e poniamola maggiore

>O 5 V,<-0.5 V;
R2
come gi visto prima il diodo 'l ON quando
V,<-0.5 V.
Scrivendo la LKC sul nodo a sinistra in centro e
ricordando che i morsetti dell'operazionale non
assorbono corrente, possiamo dire che 11=12.
Inoltre per la resistenza R3 non passa coriente
perch in serie con un cortocircuito, quindi
possiamo affermare anche I,=/,=/,
Verifichiamo che la tensione V D sia
~ minore
della tensione di soglia: -V,- R,l,+V,=O
=

RI
14
5 1 =, V,<-0.21
V,=V,+R~~,=V,+-(V,+~.~
v)=-v,+-<V la condizione P verificata
- <
R -,
4
4 2
..
.
- .
-. .
.
.
-. ..
in quanto V,<.~0.:5V.
\
.
.
- ...
alc coliamo la t r a n s c a r a t t e r i s t i ~in~
cai&?icrivendo la LKT
da Va, . ..
passando per ~ , R i e R2 e infine. per il diodo 1: .TVo+(Ri+ Rl+R2)12iv V=O i
3

.
...

...

.
.

. .

. ...
-.

.
.

..

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettron-ica

'

27

V,+0.5 V
VO=(R4+Rl+R 2 )
-0.5V=8.5V1+3.75 quindi m,=8.5, 9,=3.75.
Ri
Notiamo che quando VI=Vm=-0.5V, cio nel punto d i spezzamento, le due.rette si
"attaccano" perfettamente, infatti m,(--0.5 V)+q,=m,(-.0.5 V)+ q,=-0.5 V.
3

3.4. b Testo
d e l l ' esercizio:
:I C
Il circuito di figura, che
. ...
. . . . . ..
.i:utilizza u n amplificatore
operazionale e due
diodi ideali, presenta
una transcaratteristica
Vo = f(V3 composta da
P,
D'
due segmenti, ciascuno
. ..
di equazione Vo=mVI+q,
. .
.. .
.
. .
con un punto di
spezzamento in
..
corrispondenza del
valore della tensione
d'ingresso VmH.
R2.
Determinare:
..
. . .
a) il valore della
tensione di
spezzamento Vm;
b) la pendenza ml del
R;.-'
:.
3 .- segmento della
R i . .. ; .
transcara tteristica
.
.
per VI< VITH;
C) il termine noto q i del
segmento della
transcara tteristica
..
per VI<VITH;
. .
.
... .
.
d) la pendenza m* del
segmento della
transcara tteristica
per VI> Vrr~;
e) il termine noto q2 del segmento della transcaratteristica per Vi>Vm;
Dati: R1=5kR,R2=12kQ R3=2kC2, R r = l Okf2.
..V- .

. . .:

'

.t

'

Risposta:
Essendo i due diodi posti "l'uno di fronte all'altro" improbabile che siano entrambi accesi
o entrambi spenti: ipotizziamo allora che il diodo 1sia acceso mentre sia spento il diodo 2
e andiamo a verificare che I,,>O
e V,<O
(dobbiamo utilizzare un modello di diodo
ideale, cio con tensione di spezzamento uguale a O).
Come vediamo nella figura a pagina seguente. non passa corrente attraverso la resistenza
R1, perch essa si trova in parallelo con u n cortocircuito. Calcoliamo allora la corrente Il
che passa per la resistenza RI,sfruttando il cortocircuito virtuale tra i morsetti
VI
dell'operazionale e scrivendo la LKT sulla maglia d i sinistra: -V,+RIIl=O 3 Il=-.
Rl

v,

~ssebviarnosubito, per la LKT al nodo a sinistra nel centro, che I,,=-I,=- e poniamo
..
R,la.corr6nte 1,20'.-.per verificare per quali valori
..
di VI il diodo sia effettivamente acceso:
.
- .
/ ---.>.o
. V , . *\V'<O
.
- - .
. .
-.
. -. . . .
I .-.
.. .
-:
1Rl
..

.>: .T. ..

-,

:
:

...

> .

.
.. ..

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica


~alcofiamoanche la corrente 13 che
passa per la resistenza R3, sempre
sfruttando il cortocircuito virtuale tra i
morsetti dell'operazionale e scrivendo
la LKT partendo da VI, passando per il
diodo l e finendo con R3:
VI
-Vl+R,I,=O a I,=-.

. . .

....

R3

Infine calcoliamo la corrente l4


sfruttando l a LKT al nodo centrale:
-/~-14-13=o = /4=-(11+1 3 )-- .

:l,4

Possiamo ora calcolare la tensione V D ~ :


VD2=-R,14=R,

poniamola minore di O per scoprire per


quali valori di VI il diodo
effettivamente spento:
V,<O 3 V,<O.

-.

ov

Riassumiamo schematicamente la situazione:


b
Innanzitutto conosciamo il punto.di speizarnento: V,=O
V
........... ON
i .......OFF
.............
Le ipotesi che abbiamo fatto ad ora (diodo 1ON e diodo 2 OFF) D~
OFF j
ON
..................
....................
sono quindi valide solo per Vl<O.
Calcoliamo la tensione di uscita in questo caso, scrivendc la LKT partendo da Vo, passando
per R4, per il diodo 1e infine per V,:
..-.L

Analizziamo ora la situazione in cui Vl>O, quindi il diodo 1 OFF e il diodo 2 ON.
Osserviamo che non passa corrente
attraverso la resistenza i&,perch
VI
essa si trova in parallelo con un
cortocircuito.
Calcoliamo allora la corrente li che
passa per la resistenza Ri,
sfruttando il cortocircuito virtuale tra
i morsetti dell'operazionale e
+
IDZ
Vr>t
scrivendo la LKT sulla maglia d i

5.;

, $.-

..
. -

.- .

..
.

.. .
.

-.

%;t;

-.

. .

., .
. .

.
.
.

. .. .

. .
.:
. .

.
. .
.
. .

v.

. -

..

. . .- .

P.

-.

....

..

. .
. ..

.
.

Rl
Ora, per la LKT al nodo a sinistra nel
VI
centro, si ha che /,=-I,=-.
Rl
Calcoliamo la'tensione Voi per
verificare che sia effettivamente
minore di zero, quindi che il diodo 1
sia spento: . . - R2
V,=R212=-VI<O * Vl>.O.
.

. . .

. . . . . .

.
.

...

v
* l,=>.

sinistra: -V,+R,Il=O

.
.

..

R1

.
.

calcoiiamo
ora I3 scrivendo l'a LKT
.
. . . . .

. .

. -

. .
....

. .. ..

--

www.upupa.org

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica

29

1
partendo da V,, passando per R2 e R3: -VI+R2I2+R3l3=0 * 13=-(VI-R2I2)=R3

' 3 8 3

v,-

d a cui ricaviamo

Per la LKT al nodo centrale in alto abbiamo che: /,,+l2-/,=O


Rl+R2+R3

Rl+R2

V , e poniamo la corrente

lo2

maggiore di zero per

RlR3

verificare che il diodo 2 sia effettivamente acceso =,I

R,+R,+ R ,

V,>O

V,>O.

R1 R 3

Calcoliamo infine la tensione di uscita, scrivendo la LKT partendo da VO,passando per il


R2
diodo 2, per R2 e infine per Vi: -Vo-R,I,.+V,=O 3 V,=-R21,+V,=-Vi+Vi=3.4V,
quindi
R1
m,=3.4, q , = O .
Notiamo che quando V,= V=
,O
V, 'cio nel punto di spezzamento, le due .rette si
"attaccano" perfettamente, infatti ml(O V ) + q l = m 2 ( 0V)+q2=0V.

3.4.C Testo dell'esercizio:

Il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ed un diodo entrambi


considerati ideali, presenta una transcaratteristica V. = f(VJ composta da due segmenti,
ciascuno di equazione Vo=mVi +q, con un punto di spezzamento in corrispondenza del
valore della tensione d'ingresso Vm. Determinare:
a) il valore della tensione di spezzamento Vm;
b) la pendenza mi del segmento della transcaratteristica per Vi ~ V , - I H ;
C) il termine noto ql del segmento della transcaratteristica per V,<Vmi;
d) la pendenza m2 del segmento della transcaratteristica per Vi >Vm;
e) il termine noto ql del segmento della transcaratteristica per V,>Vmi;
Dati: ~ , = l k n ,
R2=8kCl, R3=3kCl, Rd=lkQ R5=4kn.

'

Risposta:
Supponiamo inizialmente il diodo spento, sostituiamolo con un circuito aperto e andiamo a
verificare per quali valori di VI questo effettivamente vero: calcoliamo cio& la tensione V.
ai capi del diodo e andiamo a controllare che sia minore di zero (dobbiamo utilizzare
un
modello di diodo ideale con tensione di soglia uguale a zero).
Possiamo calcolare la corrente 1 1 ~ ~ c passa
he
per le resistenze Ri, R i ed R3 (la corrente che
passa per R3 la stessa che passa per R l e RZ in quandq il morsetto dell'operazionale non
assorbe corrente) scrivendo la LKT
- - partendo da VI epassando per le tre resistenze:

www.upupa.org

",-

- Esercizi di Fondamenti di Elettronica


-v,+(R,+R,+

. ..

P;'

R3)l12,=0

v,

Il2'=
RL+R2+R3 . .
Notiamo subito che la
UP
.. .+.
corrente I5 uguale alla
corrente l4in quanto il
. G..,
morsetto invefiente
.
. ...
dell'operazionale non
k
assorbe corrente.
Calcoliamo allora la
corrente l4 che passa per
R4 scrivendo la LKT
partendo da VI, passando
.
.
per le resistenze Rr e Rz,
per il cortocircuito virtuale e infine per la resistenza R4: - V , S ( R ~ + R ~ ) ~ ~ ~ ~ + R ~ I ~ = O
.+ -. .

/,=v,

R3
(~RliR2i

=>

'

Possiamo ora calcolare VD sfruttando la maglia d i sinistra:


'31R4

diodo quindi OFF quando V,>O. Conosciamo ora il punto di spezzamento: V,,=OV.
alc coliamo la tensione V. in questo caso, scrivendo la LKT sulla maglia (esterna) di destra:
-V,+R515+R,I,=0

V,=V,(R4+R5)

da cui m,=1.25, q,=0.

=-V,

Consideriamo ora il caso in cui V,<O ed il diodo quindi ON.


Osserviamo subito,
*V
I
considerando la maglia
R,
- centrale formata da R2,
dal cortocircuito virtuale
tra i morsetti
dell'operazionale e dal
lo
diodo, che la resistenza R2
W
in parailelo con un
cortocircuito, quindi non
b
attraversata da corrente;
Non passa corrente quindi
neanche per R3 (lo si pu
vedere scrivendo la LKC al
nodo sopra di essa); Da
questo ricaviamo che non
passa corrente neanche per h, in quanto la tensione al nodo "sopra" R3 zero, per il
cortocircuito virtua\e zero anche \a tensione a\ morsetto invertente, che come si vede
collegato direttamente con R4: la tensione ai capi d i Re quindi zero, e d zero anche la
corrente che vi passa.
Da queste osservazioni ricaviamo che la corrente li che passa per Ri va tutta sul diodo e
poi sulla resistenza Rs; Allora calcoliamola, chiamandola Il5, servendoci della maglia d i
VI
sinistra: -V,+R,lls=O
3 1,,=5;
Conbsciarno la corrente I , infatti I,=-Il,=-- e
"0

16
.

.R,

. .

R1

Vl-=O; come avevamo detto prima.


->O
VI
R l .. .
Calcoliarng-. la
tensione.Vo in_._ questo caso, scrivendo la LKT partendo VOe passando per ~
.
...
R5+R1 .
R i e V,: - v ~ ~ { R ~ + R ~ ) ~ ~ ~ + vV,=-V,,=o,-,
+.V,=-4V,
Quindi m,=-4, q , = O .
< -. . .
.
.
...
Rl.
-. .
- . . ..

poniamola maggiore di zero: I,=-

5 , -

'L

..