Teoria microscopica della conduzione elettrica

Indice


1. Un modello microscopico della conduzione elettrica
1.1 Modello classico della conduzione
1.2 Interpretazione classica di v
m
e di
1.3 Difficolt dellinterpretazione classica


2. Teoria quantistica della conduzione elettrica
2.1 Quantizzazione dellenergia in una buca unidimensionale
2.2 I fermioni ed il principio di esclusione di Pauli.
2.3 Energia di Fermi
2.4 Fattore di Fermi, temperatura di Fermi e velocit di Fermi
2.5 Scattering delle onde elettroniche e interpretazione quantistica della resistivit























Teoria microscopica della conduzione elettrica

Il primo modello microscopico della conduzione elettrica nei metalli fu proposto da P.
Drude nel 1990 e successivamente precisato negli aspetti statistici da A. Lorentz intorno
al 1909.
Tale modello prevede correttamente le leggi di Ohm e la dipendenza della resistivit da
quantit microscopiche quali la velocit quadratica media v
rms
degli elettroni ed il loro
cammino libero medio . Tuttavia, quando tali quantit vengono interpretate
classicamente, il modello non riesce a fornire risultati corretti sia in relazione ai valori
della resistivit dei metalli sia in relazione allandamento della resistivit al variare della
temperatura.
La teoria classica della conduzione, inoltre, non fornisce alcuna informazione sul perch
i diversi materiali possono essere conduttori, semiconduttori ed isolanti.
Una corretta e completa interpretazione delle propriet elettroniche dei solidi pu essere
ottenuta soltanto nellambito della teoria quantistica.


1 Un modello microscopico della conduzione elettrica

Consideriamo un metallo che immaginiamo formato da un reticolo cristallino
tridimensionale. Il metallo occupa un volume V e contiene un numero N di elettroni
liberi di muoversi attraverso il reticolo. In assenza di campo elettrico esterno gli
elettroni liberi si muovono in modo casuale, proprio come le molecole di un gas
allinterno di un recipiente (gas di elettroni liberi), e la corrente elettrica che attraversa il
metallo nulla. In presenza di un campo elettrico, il conduttore attraversato da una
corrente elettrica I.
Da un punto di vista macroscopico, le propriet elettriche di un metallo possono essere
descritte per mezzo delle due leggi di Ohm:
1. lintensit di corrente elettrica proporzionale alla ddp applicata alle estremit del
metallo:

I = V / R o V = R I (1)

2. La resistenza elettrica del metallo R indipendente dal campo elettrico ed
direttamente proporzionale alla dimensione lineare L del metallo lungo la direzione del
campo e alla sua sezione S perpendicolare al campo elettrico:

R = L / A (2)

la resistivit del metallo che, a una data temperatura, una costante caratteristica del
materiale indipendente dal valore del campo elettrico E cui sottoposto il conduttore.

Utilizzando le leggi di Ohm ed osservando che V = E L, lintensit di corrente elettrica
pu essere espressa nel modo seguente:

EA I
1
(3)



1.1 Modello classico della conduzione

Lintensit di corrente elettrica pu essere anche espressa in termini di quantit
microscopiche quali la velocit di deriva v
D
degli elettroni liberi allinterno del metallo
(cio il valor medio della velocit degli elettroni lungo la direzione del campo), il
numero di elettroni liberi n
e
per unit di volume del metallo e la carica elettrica e
dellelettrone. Esprimendo I in funzione di tali quantit si ha:

D e
eAv n I

che confrontata con la (3) fornisce:

D e
ev n
E
(4)

Poich indipendente dal campo elettrico, questultima equazione richiede che:

la velocit di deriva degli elettroni v
D
risulta costante e direttamente proporzionale
allintensit E del campo elettrico.

Daltra parte un elettrone libero in presenza del campo E risente di una forza che
produce unaccelerazione costante eE/m
e
. Se questa fosse lunica forza agente la
velocit di deriva v
D
dovrebbe aumentare costantemente e linearmente con il tempo.
Pertanto, nel modello microscopico, si assume che lelettrone venga accelerato dal
campo per un breve intervallo di tempo e che quindi urti con uno ione del reticolo. La
velocit dellelettrone dopo lurto completamente scorrelata dal valore della v
D
(come
vedremo pi avanti, la correttezza di tale ipotesi giustificata dal fatto che v
D
molto
pi piccola delle velocit termiche degli elettroni). Leffetto complessivo di tali urti
equivalente in media ad una forza resistente proporzionale alla velocit istantanea
dellelettrone, in grado di controbilanciare leffetto del campo e di garantire una
condizione di regime di tipo stazionario.
Consideriamo, dunque, un elettrone scelto a caso e indichiamo con il tempo medio
trascorso dallultima collisione dellelettrone con il reticolo ( coincide con il tempo di
volo, cio, con il tempo medio tra due collisioni). Poich lelettrone soggetto ad
unaccelerazione a = e E/m
e
, la velocit di deriva pu essere espressa come:

e
D
m
eE
v (5)


e usando lequazione (4) possiamo scrivere:

2
e n
m
e
e
(6)

E inoltre evidente che, se v
m
indica la velocit media degli elettroni, la distanza media
percorsa da un elettrone tra due urti consecutivi :

= v
m

che sostituita nella (6) permette di esprimere la resistivit del metallo in funzione di e
v
m
, cio:

2
e n
v m
e
m e
(7)

In accordo alla leggi di Ohm la resistivit del metallo indipendente dal campo
elettrico. Le uniche quantit che nellequazione precedente possono dipendere dal
campo sono la velocit media v
m
e il cammino libero medio . Tali quantit meritano
dunque unanalisi pi approfondita, al fine di scoprire se esse possano o meno
dipendere dal campo elettrico. Per farlo utile precisare il significato di tali grandezze
nellambito del modello classico, per passare successivamente alla pi corretta
interpretazione quantistica.

1.1 Interpretazione classica di v
m
e di

Nellambito della teoria classica della conduzione si assume che gli ioni del reticolo
cristallino e gli elettroni liberi del conduttore siano governati dalla statistica di
Maxwell-Boltzmann. Ci significa che in condizioni di equilibrio alla temperatura
assoluta T sia gli ioni che il gas di elettroni liberi possiedono unenergia cinetica media
pari a 3/2 k T.
Cos, per esempio, a temperature ordinarie (T 300 K) la velocit quadratica media degli
elettroni, che di poco superiore alla loro velocit media, :

s m
kg
K K J
m
kT
v v
e
rms m
/ 10 17 . 1
10 11 . 9
) 300 )( / 10 28 . 1 ( 3 3
5
31
23


Osserviamo che tale velocit di parecchi ordini di grandezza pi grande delle tipiche
velocit di deriva, dellordine di 10
-5
10
-4
m/s, cui sono soggetti gli elettroni di un
metallo.

Pertanto, in condizioni ordinarie, il valore estremamente piccolo della velocit deriva
non altera in alcun modo la velocit media degli elettroni, il cui valore dunque pu
essere considerato indipendente dal campo elettrico esterno.

Da un punto di vista classico il cammino libero medio dipende dalle dimensioni degli
ioni e dal numero di ioni per unit di volume n
ion
.
Per ricavare lespressione di consideriamo un elettrone, le cui dimensioni
assumeremo trascurabili, che si muove con velocit v in una regione in cui sono presenti
degli ioni, che assumeremo essere sfere rigide di raggio r.
Lelettrone collider con uno ione se si muove lungo una traiettoria la cui distanza dal
centro dello ione minore di r.
Per ricavare il cammino libero medio consideriamo un intervallo di tempo t
1
. In tale
intervallo lelettrone copre una distanza v t
1
. Se nel volume cilindrico r
2
v t
1
vi uno
ione lelettrone collider con esso cambiando direzione di moto (figura 1).














Analogamente in un intervallo di tempo successivo t
2
esso collider con un altro ione se
il centro di questultimo cade in un volume cilindrico r
2
v t
2
. Pertanto in un intervallo
di tempo t = t
1
+ t
2
+ .., lelettrone urta con tutti gli ioni i cui centri si trovano
allinterno di un volume r
2
v t. Cos, se il numero di ioni per unit di volume del
conduttore n
ioni
, in un tempo t lelettrone effettuer un numero di collisioni pari a
n
ion
r
2
v t, percorrendo una distanza totale v t. Il rapporto tra la distanza totale percorsa
dallelettrone ed il numero di urti rappresenta il cammino libero medio:

S n vt r n
vt
ion ion
1
2
(8)

Dove S = r
2
la sezione durto di uno ione.
Poich n n
ion
n S dipendono dal campo elettrico E, anche il camino libero medio
risulta indipendente da E.

Riassumendo, dunque, in accordo allinterpretazione classica, poich sia v
m
che non
dipendono dal campo elettrico, la resistivit risulta indipendente dal campo elettrico,
cos come previsto dalle leggi di Ohm.

1.2 Difficolt dellinterpretazione classica

Sebbene la teoria classica della conduzione fornisca una corretta (anche se soltanto
qualitativa) interpretazione delle leggi di Ohm, essa risulta in palese disaccordo con
alcuni fatti sperimentali. Esaminiamo nel dettaglio i principali punti critici della teoria
classica.

a. Dipendenza della resistivit dalla temperatura.
E noto che ha temperature ordinarie la resistivit di un metallo cresce linearmente con
la temperatura. Tale andamento non pu essere riprodotto a partire dalla teoria classica
della conduzione. Infatti, sostituendo lespressione (8) per nella (7), otteniamo:

S v
e n
m n
m
e
e ion
2
(9)

Da un punto di vista classico lunica quantit che in tale espressione dipende dalla
temperatura v
m
, che risulta proporzionale a T , di modo che la resistivit cresce con
la radice quadrata della temperatura e non linearmente con essa.

vt
1
vt
2
vt
3
r

vt = vt
1
+ vt
2
+ vt
3

Figura 1
b. Disaccordo quantitativo con i valori misurati di resistivit

Lequazione (9) consente di calcolare il valore della resistivit dei metalli. Utilizzando i
valori noti delle quantit microscopiche che entrano nella (9) (e la distribuzione di
Maxwell-Boltzmann per v
m
), si trova, ad esempio, che la resistivit calcolata del rame a
300 K circa sei volte pi grande di quella misurata.



2 Teoria quantistica della conduzione elettrica

La teoria classica della conduzione fallisce per diverse ragioni. In primo luogo perch la
natura quantistica degli elettroni non pu essere trascurata. In particolare si deve tener
conto del fatto che gli elettroni non obbediscono, neanche approssimativamente, alla
statistica di Maxwell-Boltzmann ma alla statistica di Fermi- Dirac. Inoltre, le interazioni
tra gli elettroni e gli ioni non sono assimilabili ad un urto tra sferette rigide, in quanto
implicano lo scattering di unonda elettronica con un reticolo cristallino oscillante.
Per introdurre il modello quantistico della conduzione elettrica richiamiamo brevemente
la teoria del gas di elettroni liberi di Fermi.

2.1 Quantizzazione dellenergia in una buca unidimensionale

Per descrivere il comportamento degli elettroni liberi in un metallo,secondo la teoria di
Fermi, opportuno considerare preliminarmente il caso unidimensionale relativo ad un
singolo elettrone confinato in una buca di potenziale a pareti infinite (elettrone in una
scatola).
Secondo la relazione di De Broglie, la lunghezza donda dellelettrone :

p
h
(10)

essendo h la costante di Plank. Poich lelettrone confinato in una scatola
unidimensionale di dimensione L, le lunghezze donda possono assumere soltanto
linsieme discreto di valori:

n
L
n
2
(11)

corrispondente alla condizione di onda stazionaria.
Per la (11) ne risulta la quantizzazione del momento p e, di conseguenza, dellenergia
dellelettrone secondo la relazione:

2
2
2
2
8 2
) (
2 mL
h
n
m
h
m
p
E
n n
n
(12)

Mentre la funzione donda dellelettrone corrispondente allautostato di energia E
n

data da:

L
x n
L
x sin
2
) ( (13)
Nel caso tridimensionale, anzich un unico numero quantico n, necessario considerare
tre numeri quantici, ciascuno associato ad una delle tre dimensioni.

2.2 I fermioni ed il principio di esclusione di Pauli

Il principio di esclusione di Pauli governa la statistica dei fermioni, ossia delle particelle
i cui autovalori di spin possono assumere soltanto valore 1/2 e -1/2 (particelle a spin un
mezzo), come gli elettroni e i nucleoni.
Secondo tale principio:

in un sistema costituito da pi fermioni (ad esempio elettroni) due particelle non
possono trovarsi nello stesso stato quantico, cio non possono assumere lo stesso set di
numeri quantici.

Per esempio, considerando gli elettroni atomici, il principio di esclusione di Pauli
prescrive che lo stato fondamentale pu essere occupato soltanto da due elettroni, uno
con spin up, laltro con spin down. Analogamente, considerando un sistema di
elettroni in una scatola, un dato autovalore E
n
dellenergia pu essere associato soltanto
a due elettroni (con spin opposto).
E evidente che il principio di esclusione di Pauli influenza in modo critico la
distribuzione dellenergia di un sistema di elettroni.

2.3 Energia di fermi

Consideriamo un sistema di N elettroni ( di cui trascuriamo linterazione colombiana) in
una scatola unidimensionale di lunghezza L. Alla temperatura di 0 K gli elettroni
occuperanno il pi basso stato di energia compatibile con il principio di esclusione. In
queste condizioni la distribuzione dellenergia del sistema si pu ottenere ponendo due
elettroni nel stato di energia pi basso E
1
, altri due nello stato caratterizzato dallenergia
E
2
e cos via. Gli N elettroni, dunque, riempiranno i primi N/2 livelli denergia. Cos il
pi elevato livello denergia occupato (da uno o due elettroni a seconda che N sia
dispari o pari) sar quello corrispondente allenergia:

e
N F
m
h
L
N
E E
32
2
2
2
(14)
Tale valore dellenergia chiamato energia di Fermi E
F
.

Nel caso tridimensionale si dimostra che lenergia di Fermi :

e
F
m
h
L
N
E
8
3
2
3 2
3 2
(15)

Lenergia di Fermi dipende dunque dal numero di elettroni per unit di volume.
Inoltre, utilizzando la distribuzione completa dellenergia degli elettroni (distribuzione
di Fermi - Dirac), si trova che lenergia media degli elettroni a T = 0 :

F m
E E
5
3
(16)

E importante sottolineare che tale energia molto pi grande di quella prevista dalla
statistica classica di Maxwell-Boltzmann. Classicamente, infatti, lenergia media degli
elettroni dellordine di kT, pertanto a T = 0 K essa nulla. Secondo la statistica di
Fermi- Dirac, invece, E
m
diversa da zero anche per T=0 K. Per il rame, ad esempio, a
T = 0 K essa pari a circa 4 eV, e dunque di parecchi ordini di grandezza pi grande
dellenergia termica, pari a circa 0.03 eV, ricavata dalla statistica di M-B a temperature
ordinarie (300 K).

2.4 Fattore di Fermi, temperatura di Fermi e velocit di Fermi

Il fattore di fermi rappresenta la probabilit che un autostato dellenergia sia occupato.
A T = 0 K tutti gli stati corrispondenti a energie inferiori ad E
F
sono occupati, mentre
quelli con energia pi alta sono vuoti. Pertanto il fattore di fermi a 0 K (figura 2):




f (E) = 1 per E< E
F

f(E) = 0 per E> E
F





a temperature pi elevate, alcuni elettroni, come conseguenza delle interazioni con il
reticolo, acquistano energia sufficiente per occupare livelli di energia superiori ad E
F
.
Tuttavia, bisogna tenere presente che un elettrone pu muoversi verso uno stato di
energia diversa soltanto se se questultimo libero. Daltra parte, poich lenergia del
reticolo cristallino dellordine di kT, lenergia che pu acquistare un elettrone grazie
alle interazioni con il reticolo non pu essere pi grande di kT.
Possiamo cos concludere che soltanto gli elettroni le cui energie si trovano entro un kT
dal livello di fermi possono guadagnare energia al crescere della temperatura. Cos, per
esempio, a 300 K poich lenergia kT (pari a circa 0.03 eV) del rame risulta molto pi
piccola dellenergia di fermi (pari a 7.04 eV), soltanto una piccola frazione di elettroni
prossimi al livello di fermi potranno muoversi verso stati di energia un po pi elevati
dellenergia di fermi.
La figura riporta il grafico del fattore di Fermi in funzione dellenergia per T > 0 K.

f(E)
1
E
E
F
Figura 2


Poich per T > 0 K non vi una netta distinzione tra livelli occupati e livelli non
occupati, necessario modificare la definizione di energia di Fermi:

lenergia di Fermi a temperatura T lenergia per la quale la probabilit di
occupazione (ossia il fattore di Fermi) pari a .
Si definisce inoltre la temperatura di Fermi come:

k T
F
= E
F
(17)

Per temperature molto pi piccole di T
F
lenergia media degli ioni del reticolo (che
dellordine di kT) molto pi piccola di E
F
, e pertanto la distribuzione di energia degli
elettroni differisce poco da quella corrispondente a T = 0 K.
In genere per i metalli la temperatura di Fermi molto elevata, cosicch anche a
temperature ordinarie la distribuzione denergia degli elettroni ben approssimata dal
fattore di Fermi corrispondente a T = 0 K.

In figura 4 riportato il grafico del fattore di Fermi in funzione della velocit degli
elettroni nel caso unidimensionale. Considerando il grafico, possiamo definire la
velocit di Fermi a T 0 K come:

il valore u
F
della velocit che corrisponde a F(E) = .

In altri termini:

e
F
F
m
E
u
2
(18)

Quando al conduttore viene applicato un campo elettrico tutti gli elettroni liberi
partecipano alla conduzione. Essi infatti vengono accelerati dal campo e le loro velocit
subiscono un incremento secondo il verso della forza elettrica applicata.


Figura 4

La figura 4 mostra come viene modificato il fattore di Fermi quando gli elettroni sono
sottoposti ad un campo elettrico esterno. Sebbene le velocit di tutti gli elettroni
subiscono uno shift verso valori pi elevati, leffetto complessivo del campo
equivalente ad uno shift dei soli elettroni che si trovano il prossimit del livello di
Fermi.


2.5 Scattering delle onde elettroniche

Vediamo adesso come le idee introdotte consentono di superare le difficolt insite nella
teoria classica della conduzione.
Consideriamo a tal fine lequazione (7) per la resistivit, dove al posto di v
m
sostituiamo
u
F


2
e n
u m
e
F e
(19)

Vi sono due problemi da risolvere. In primo luogo, poich u
F
praticamente
indipendente dalla temperatura, anche la resistivit risulter indipendente dalla
temperatura, a meno che la dipende dalla temperatura non provenga dal cammino libero
medio.
Inoltre, abbiamo gi osservato che utilizzando la velocit media degli elettroni ricavata
dalla statistica di Maxwell-Boltzmann, il valore di resistivit previsto dal modello
classico a 300 K risulta sei volte pi grande del valore misurato. Poich la velocit di
Fermi risulta circa 16 volte pi grande di v
m
a 300 K, il valore della resistivit calcolato
con la formula precedente sarebbe circa 100 volte pi grande di quello misurato.
Entrambi questi problemi possono essere risolti interpretando quantisticamente il
cammino libero medio degli elettroni liberi.

Abbiamo visto che nellequazione classica = 1/nA, A = r
2
rappresenta larea di uno
ione vista dallelettrone. Se per si effettua il calcolo quantistico, ci si rende conto che
unonda elettronica che attraversa un reticolo cristallino perfettamente ordinato non
subisce alcuno scattering, con la conseguenza che il cammino libero dellelettrone
risulta infinito. Lo scattering si verifica soltanto se si considerano le imperfezioni del
reticolo, cio le deviazioni degli ioni reticolari da una configurazione perfettamente
ordinata. Le cause pi comuni di tali deviazioni consistono nelle vibrazioni termiche
degli ioni e nelle impurezze.
Tenendo opportunamente conto di tali fattori, possiamo continuare ad utilizzare
lespressione = 1/nA, a condizione di interpretare in modo diverso larea A.
In termini quantistici, gli ioni del reticolo vanno, infatti, considerati come punti, con
dimensioni nulle ma con una sezione durto A = r
0
2
, dove il raggio r
0
proporzionale
allampiezza delle vibrazioni termiche dello
ione
Daltra parte sappiamo che lenergia di un
oscillatore armonico proporzionale al
quadrato dellampiezza doscillazione e,
dunque, ad r
0
2
. Dunque la sezione durto A
risulta proporzionale allenergia E
delloscillatore armonico.
Inoltre, dal principio di equipartizione
dellenergia discende che lenergia media
doscillazione degli ioni (che a temperature
ordinarie obbediscono alla statistica di
Maxwell-Boltzmann) proporzionale a kT.
Quindi poich A risulta proporzionale a T,
risulta proporzionale a 1/T e la resistivit
calcolata con la formula (19) risulta
proporzionale a T, in perfetto accordo con
landamento osservato sperimentalmente.
Larea efficace A pu essere calcolata e risultati forniscono valori di resistivit in
accordo con quelli ricavati sperimentalmente.

La presenza di impurezze nei metalli causa delle deviazioni rispetto alla condizione di
perfetta regolarit del reticolo cristallino. Gli effetti conseguenti sulla resistivit sono
quasi indipendenti dalla temperatura.
In generale, la resistivit di un metallo pu essere scritta come la somma di due termini:


i T
(20)

Dove
T
il contributo dovuto alle vibrazioni termiche del reticolo e
i
allo scattering
degli elettroni da parte delle impurezze.
Quando la temperatura tende a valori molto piccoli il termine
T
tende a zero e la
resistivit tende ad assumere il valore costante
i
dovuto alle impurezze (figura 6).


x
e
-
u
F
Sezione durto A = r
0
2
T

Figura 5













Figura 6.
(a) Andamento della resistivit del potassio puro come funzione della
temperatura;
(b) Effetto di un piccolo ammontare di impurezze sulla resistenza residua
dellargento
(After Dugdale 1977)