Semiconduttore estrinseco

È possibile contaminare intenzionalmente un semiconduttore con atomi estranei in modo

da conferire al materiale una conducibilità opportuna (attraverso l’arricchimento di
portatori di carica liberi di una certa polarità); in tal caso, come si è accennato in
precedenza, il semiconduttore viene detto estrinseco, impuro, o drogato. La procedura
per l’inserimento delle impurità (drogante) viene detta drogaggio.* L’intero sviluppo
dell’elettronica si è basato sulla possibilità di drogare i semiconduttori.

Al solito si fa riferimento al silicio, e si ricorda che è un elemento tetravalente.

Quando il silicio viene drogato con una specie atomica trivalente (principalmente boro, ma
anche gallio e indio), aumenta in modo controllato la concentrazione di lacune (e, in
accordo alla legge dell’azione di massa, decresce quella di elettroni); in tal caso le lacune
sono i portatori maggioritari e gli elettroni i minoritari. Il silicio si dice drogato di tipo P.

Quando il silicio viene drogato con una specie atomica pentavalente (principalmente
arsenico e fosforo, ma anche antimonio), aumenta in modo controllato la concentrazione
di elettroni (e, in accordo alla legge dell’azione di massa, decresce quella di lacune); in tal
caso gli elettroni sono i portatori maggioritari e le lacune i minoritari. Il silicio si dice
drogato di tipo N.

* Spesso il termine “drogaggio” viene usato come sinonimo di “drogante”.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 1

Le impurità devono essere inserite nel reticolo ospite per via sostituzionale, ovvero
devono “sostituire” un atomo di silicio nel suo sito reticolare, affinché possano essere in
grado di adempiere al proprio compito. Questo implica che gli elementi trivalenti e
pentavalenti da adoperare come drogante debbano avere dimensioni comparabili con
quelle del silicio.

L’introduzione del drogante avviene o tramite diffusione termica (processo obsoleto che
sfrutta temperature elevate all’interno di un reattore) o attraverso impiantazione ionica
(processo moderno, molto più accurato, in cui ioni positivi di drogante vengono accelerati
con elevatissime d.d.p. e fatti “impattare” sulla fetta di semiconduttore).

Le concentrazioni di drogante sono comprese nel range 1014÷1020 cm-3; questo significa
che ci sono pochissimi atomi di impurità rispetto a quelli di silicio (5×1022 cm-3); pertanto si
ha una perturbazione trascurabile della struttura reticolare e la struttura a bande non
viene apprezzabilmente modificata.

Una certa regione di silicio può essere drogata sia con elementi trivalenti che
pentavalenti. Se gli elementi trivalenti eccedono i pentavalenti allora il silicio è considerato
di tipo P; se vale il viceversa è considerato di tipo N.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 2

Silicio drogato di tipo N
Si consideri un atomo di arsenico (numero atomico pari a 33) in posizione sostituzionale
nel reticolo cristallino del silicio. La configurazione stabile che si raggiunge è quella in cui
l’arsenico mette a disposizione 4 elettroni di valenza (su 5) per formare legami covalenti
con i 4 atomi di silicio adiacenti; in questo modo si raggiunge l’ottetto. Un elettrone di
valenza non partecipa all’ottetto, e viene chiamato quasi-libero per motivi che saranno
chiariti nel seguito.

L’obiettivo consta nel valutare l’energia necessaria a

liberare questo elettrone, rendendolo disponibile a
prendere parte al trasporto, e quindi alla conduzione di
corrente, per poi paragonare tale energia al bandgap
EG, ovvero a quella minima da eccedere per liberare un
elettrone da un legame covalente.

Viene fatta una stima di prima approssimazione, basata

sull’ipotesi che il bilanciamento della carica tra gli altri
32 elettroni e 32 protoni (su 33) del nucleo renda
l’atomo di arsenico assimilabile a quello di idrogeno (1
elettrone quasi-libero e 1 protone) nel reticolo del silicio.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 3

 Si era trovato che l’energia dell’unico elettrone dell’atomo di idrogeno isolato è pari a

q 4 me
E   2 2  13.6 eV
8 o h

e pertanto l’energia di ionizzazione (energia che bisogna fornire all’elettrone per liberarlo
dall’influenza dell’atomo) è pari a
q 4 me
EI  2 2  13.6 eV
8 o h
Per arrivare all’energia necessaria alla liberazione dell’elettrone quasi-libero, denotata con
EDI, bisogna considerare che l’elettrone non è nel vuoto, ma si trova nel reticolo cristallino
del silicio, per cui al posto della costante dielettrica del vuoto ci vuole quella del silicio, e al
posto della massa dell’elettrone nel vuoto ci vuole la massa efficace.
q 4 mn q 4 mn  o2 me q 4 me  o2 mn q 4 me  o2 mn 1 mn
EDI  2 2  2 2 2  2 2 2  2 2   13.6  
8 S h 8 S h  o me 8 o h  S me 8 o h 11.9 2  o2 me 11.9 2 me

Per completare la valutazione bisognerebbe comprendere quale valore adottare per la

massa efficace mn.

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 1 mn
EDI  13.6  
11.9 2 me
In effetti non sarebbero adatte né l’espressione adottata per la massa efficace cinematica
(mn=0.26ꞏme) né quella per la massa efficace di densità di stato (mn=1.1ꞏme). Alcuni “testi
sacri” usano la prima [Sze, Muller e Kamins, Green, Kittel], alcuni la seconda [Pierret],
alcuni assumono mn/me=1 [Warner e Grung]; in ogni caso questo è poco importante, data
anche l’approssimazione significativa di considerare l’arsenico assimilabile all’idrogeno: si
vuole determinare solo un ordine di grandezza del risultato, e quello che conta in questo
senso è il quadrato del rapporto tra le costanti dielettriche.

EDI  25 meV se si usa la massa efficace cinematica

EDI  100 meV se si usa la massa efficace di densità di stato

Questi valori fanno capire che l’energia necessaria per liberare questo elettrone di
valenza dell’arsenico che non partecipa all’ottetto è molto minore del bandgap, per cui si
può affermare che si tratta di un elettrone che è debolmente legato al nucleo e quindi è
quasi-libero.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 5

Le energie di ionizzazione EDI delle principali specie droganti pentavalenti sono state
determinate sperimentalmente, e i valori ottenuti non sono molto dissimili dalla stima del
primo ordine testé effettuata.

Testo sacro EDI(P) [meV] EDI(As) [meV]

Sze 45 54
Pierret 45 54
Muller e Kamins 44 49

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Si ha che l’interazione con gli atomi vibranti circostanti a T=300 K conferisce sicuramente
all’elettrone quasi-libero energia maggiore di quella minima (decine di meV) necessaria a
portarsi nella banda di conduzione, e cioè a liberarsi. Si dice che il drogante si è attivato.

Questo significa che se nel silicio si introducono in modo controllato 1018 cm-3 atomi di
arsenico, si è certi che a T=300 K ci sono nel reticolo 1018 cm-3 elettroni liberi donati da
questi atomi, che pertanto vengono detti donatori. La conducibilità del materiale, come
menzionato più volte in precedenza, è stata aumentata di una quantità nota.

Il silicio, arricchito di elettroni liberi, risulta drogato

di tipo N. Gli elettroni sono i portatori maggioritari,
le lacune i portatori minoritari.

La struttura reticolare nel suo complesso rimane

elettricamente neutra; per ogni elettrone liberato
è presente uno ione As carico positivamente (c’è
un protone non bilanciato). Tale ione, a differenza
degli elettroni liberi e delle lacune, costituisce una
carica fissa, e pertanto non può prendere parte
alla conduzione.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 7

Nel modello a bande di energia si hanno stati quantici allocabili in banda proibita a una
distanza EDI=EC-ED pari a qualche decina di meV dal limite inferiore della banda di
conduzione, e detta anche energia di attivazione del donatore. Si può ritenere che tutti
questi stati quantici si trovino grossomodo allo stesso livello energetico ED a causa del
fatto che le impurità sono pochissime nel reticolo ospite, per cui esse non interagiscono
tra di loro (non c’è intersezione tra gli orbitali) e quindi non si applica il Principio di
Esclusione.

A T→0 K tutti gli elettroni quasi-liberi sono ancora legati agli atomi di arsenico;
all’aumentare di T sempre più elettroni si liberano; a T=300 K di sicuro sono tutti liberi.

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Con ND si indica la concentrazione di atomi donatori e con ND(+) la concentrazione di ioni.
A T=300 K risulta  
ND   ND
e cioè praticamente tutte le impurità si sono attivate.

È interessante evidenziare che, supponendo di essere sempre a T=300 K, un elettrone può ritornare
nello stato quantico al livello energetico ED; tuttavia vi rimane un tempo infinitamente piccolo rispetto a
quello relativo alla sua permanenza in banda di conduzione, a causa delle vibrazioni reticolari che lo
rendono libero di nuovo (è come se “rimbalzasse” sul livello energetico più basso). Per tale motivo, se
si “fotografa” la situazione ad un certo istante di tempo, l’elettrone viene visualizzato in banda di
conduzione.

In effetti l’arsenico e il fosforo si prestano alla tecnologia basata su silicio non solo perché
hanno dimensioni paragonabili a quelle del silicio, ma anche perché creano stati quantici
nelle immediate prossimità della banda di conduzione, il che provoca una totale
attivazione per effetto delle vibrazioni reticolari a T=300 K.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 9

Silicio drogato di tipo P
Si consideri un atomo di boro (numero atomico pari a 5) in posizione sostituzionale nel
reticolo cristallino del silicio. La configurazione stabile che si raggiunge è quella in cui il
boro mette a disposizione i suoi 3 elettroni di valenza per formare legami covalenti con i 4
atomi di silicio adiacenti. Tuttavia in questo caso l’ottetto non si raggiunge, perché uno dei
legami covalenti è non saturato (pur essendo il sistema nel suo complesso elettricamente
neutro).
In questo caso bastano poche decine di meV perché un elettrone scompaia da un legame
covalente Si-Si nelle immediate prossimità del boro per riapparire nel legame covalente
non saturato, andandolo a soddisfare.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 10

A T=300 K tutti gli atomi di boro presenti nel reticolo si sono attivati, accettando un
elettrone. Dopo questo “salto quantico” si hanno una lacuna e uno ione boro, che
rappresenta una carica fissa negativa. Pertanto nel reticolo si avrà una concentrazione di
lacune addizionali pari a quella degli atomi di boro inseriti. Anche in questo caso la
conducibilità del silicio è stata aumentata di una quantità nota.

Dato che gli elementi trivalenti “accettano” un elettrone proveniente da un legame

covalente Si-Si, essi si dicono accettori.
Il silicio, arricchito di lacune, risulta drogato di tipo P. Le lacune sono i portatori
maggioritari, gli elettroni i portatori minoritari.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 11

Nel modello a bande di energia si hanno stati quantici allocabili in banda proibita a una
distanza ~45 meV dal limite superiore della banda di valenza, data da EAI=EA-EV e detta
anche energia di attivazione dell’accettore. Si può ritenere che tutti questi stati si trovino
grossomodo allo stesso livello energetico EA a causa dello sparuto quantitativo di impurità
rispetto agli atomi del reticolo ospite.

A T→0 K tutti gli stati quantici introdotti dagli accettori sono vuoti; all’aumentare di T
sempre più elettroni sono accettati dalla banda di valenza, con conseguente creazione di
lacune, a T=300 K tutti gli stati quantici sono allocati da elettroni e si è creata una lacuna
per ogni stato quantico.

Con NA si indica la concentrazione di atomi accettori e con NA(-) la concentrazione di ioni.

A T=300 K risulta 
NA  NA
e cioè praticamente tutto il drogante si è attivato.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 12

Si è detto che le concentrazioni di drogante sono molto più elevate della concentrazione
intrinseca dei portatori. Pertanto, in un semiconduttore drogato di tipo N a T=300 K, i
maggioritari sono dati da
n  ND
da cui si evince che la concentrazione di elettroni è stata aumentata in modo controllato.
Se si è all’equilibrio termodinamico, vale la legge dell’azione di massa e i minoritari sono
ni2
np  n 2
i  ND p  n 2
i  p
ND
Questo equivale a dire che
p  ni
ovvero in un semiconduttore drogato si rompono, a parità di temperatura, molti meno
legami covalenti di quanti se ne rompono in un semiconduttore intrinseco.

A fortiori risulta che la concentrazione dei maggioritari è molto maggiore di quella dei
minoritari
n p

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 13

In modo analogo, in un semiconduttore drogato di tipo P a T=300 K, i maggioritari sono
dati da
p  NA
e, se è rispettata la condizione di equilibrio termodinamico, i minoritari sono
ni2
n  ni
NA
Ovviamente
pn

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Livello di Fermi e F(E) nel silicio estrinseco a T=300 K
Il livello di Fermi EF è indicativo del tipo e del livello di drogante in un semiconduttore. Si è
visto che nel silicio intrinseco si trova leggermente al di sotto del centro-banda. Se il silicio
è drogato di tipo N, allora si introduce un notevole quantitativo di elettroni in banda di
conduzione, e quindi è ragionevole pensare che la funzione F(E) trasli verso energie
maggiori e quindi EF si avvicini a EC. Di contro, se il silicio è di tipo P, ci sono meno
elettroni liberi che nel caso intrinseco; pertanto ci si aspetta che EF si sposti verso EV.

1.0
0.9
0.8
NA=1015 cm-3
0.7

banda di conduzione
banda di valenza

0.6 ND=1015 cm-3

F(E)

0.5
0.4 intrinseco

0.3
0.2
0.1
0.0
-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6
E [eV]

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Semiconduttore degenere
In precedenza si è parlato di semiconduttore degenere come sinonimo di semiconduttore
fortemente drogato. Ora si vuole quantificare il “fortemente”.

Considerando un semiconduttore di tipo N, la condizione di semiconduttore degenere è

EC  EF  3kT  0.0776 eV a T=300 K
e la condizione limite è
EC  EF  3kT
Si può ritenere che in corrispondenza del limite valga ancora

 E  EF 
n  NC  exp   C 
 kT 
da cui per il silicio a 300 K
 E  EF 
N D ,crit  NC  exp   C   N C  exp  3  1.4  10 cm
18 -3

 kT 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 16

Considerando un semiconduttore di tipo P, la condizione di semiconduttore degenere è
EF  EV  3kT  0.0776 eV a T=300 K
e la condizione limite è
EF  EV  3kT
Si può ritenere che in corrispondenza del limite valga ancora

 E  EV 
p  NV  exp   F 
 kT 
da cui per il silicio a 300 K
 E  EV 
N A,crit  NV  exp   F   NV  exp  3  5.2  10 cm
17 -3

 kT 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 17

In un semiconduttore degenere gli atomi di impurità all’interno del reticolo ospite sono
talmente tanti che i loro orbitali addizionali iniziano ad interagire.

a) non degenere
b) degenere

Gli orbitali addizionali cambiano forma e gli stati quantici si trovano associati a livelli
energetici diversi, per cui il Principio di Esclusione viene rispettato.

All’aumentare del drogaggio, si crea una vera e propria banda di livelli energetici permessi
nella banda proibita.

Se il drogaggio è tale da rendere il semiconduttore estremamente/marcatamente

degenere, si ha una riduzione del bandgap rispetto al valore EG che si ha in un
semiconduttore non degenere (band-gap narrowing o BGN). Il nuovo valore EGeff è tale
che
EGeff  EG   EG , BGN

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 18

Pertanto il semiconduttore marcatamente degenere si comporta, per certi aspetti, come
un semiconduttore a bandgap ridotto EGeff<EG, la cui concentrazione intrinseca
all’equilibrio termodinamico è maggiore di quella prevista e data da

 EGeff   EG  ΔEG , BGN 

nieff  N C NV exp     N N
C V exp  
 2kT   2kT 
 EG   ΔEG , BGN   ΔEG , BGN 
 N C NV exp    exp    ni exp  
 2kT   2kT   2kT 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 19

In un semiconduttore degenere la legge dell’azione di massa non vale più. Assumiamo
che continui a valere per trovare un risultato grossolanamente valido:
 ΔEG , BGN 
np  nieff
2
 np  ni2 exp  
 kT 
Da tale legge si evince che, se, ad esempio, il semiconduttore è di tipo N ed è noto il
drogaggio (elevatissimo) ND, n sarà pressappoco pari a ND, mentre p risulta amplificato a
causa della restrizione del bandgap:
2
nieff ni2  ΔEG , BGN 
n  ND p  exp  
ND ND  kT 

Nel prosieguo si analizzerà l’influenza di questa riduzione “effettiva” del bandgap sulle prestazioni di un
transistore bipolare a giunzione (bipolar junction transistor o BJT), la cui regione di emettitore è
fortemente drogata, e quindi degenere.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 20

Minoritari in un semiconduttore drogato
Si è visto che in un semiconduttore drogato la concentrazione dei minoritari è minore
della concentrazione intrinseca. Questo può essere spiegato nel modello a bande
facendo riferimento, ad esempio, a un semiconduttore drogato di tipo N.
Supponiamo per semplicità che la generazione della coppia elettrone libero – lacuna sia
diretta (cioè avvenga con una transizione “diretta” dell’elettrone dalla banda di valenza
alla banda di conduzione). Nel semiconduttore gli stati quantici a ridosso di EC sono tutti
allocati da elettroni (fondamentalmente provenienti dagli atomi donatori); di conseguenza,
ci vuole più energia rispetto al bandgap per rompere il legame covalente, il che rende il
processo di generazione meno probabile.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 21

Nomenclatura
 Il pedice “n” indica che si fa riferimento a una regione drogata di tipo N; nn e pn sono
le concentrazioni di elettroni liberi e lacune in una zona di tipo N.
 Il pedice “p” indica che si fa riferimento a una regione drogata di tipo P; np e pp sono
le concentrazioni di elettroni liberi e lacune in una zona di tipo P.
 Il pedice “o” significa che si sta considerando una grandezza nelle condizioni di
equilibrio termodinamico; nno e pno sono le concentrazioni di elettroni liberi e lacune in
una regione drogata di tipo N all’equilibrio termodinamico.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 22

Legge dell’azione di massa ed equazione di neutralità
Assumiamo di essere in un caso del tutto generale in cui nella regione oggetto di analisi ci
sono sia accettori (con concentrazione NA) che donatori (ND), il che è vero, ad esempio,
nell’emettitore e nella base di un BJT. Se NA>ND, allora la regione è considerata di tipo P,
se ND>NA è di tipo N, se ND=NA è compensata. Per il momento non prendiamo posizione
sul tipo di drogaggio.
Nell’ipotesi di essere all’equilibrio termodinamico in un semiconduttore non degenere
localmente neutro a temperature tali che tutto il drogante si è attivato, vogliamo trovare le
concentrazioni dei portatori liberi in funzione del drogante NA, ND e della temperatura T.
Partiamo dalla legge dell’azione di massa e dall’equazione di neutralità:

no po  n 2 ni2 con l’obiettivo di ricavare la

i po 
no concentrazione degli elettroni
po  N D  no  N A

ni2 ni2
 N D  no  N A  no  N A  N D   0  no2   N A  N D  no  ni2  0
no no

 N A  ND 
2
ND  N A   4ni2
no 
2

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 23

po si può poi ottenere attraverso una delle 2 relazioni seguenti:
ni2
po  no  N A  N D po 
no

Se la zona è di tipo N senza accettori

2
N D  N D2  4ni2 N N 
nno   D   D   ni2
2 2  2 
A T=300 K
N D  N D2
nno   ND
2
Se la temperatura reticolare è talmente alta da far sì che la concentrazione intrinseca sia
molto più elevata di quella del drogante, allora

N D  4ni2 4ni2
nno    ni
2 2

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 24

Supponiamo che la regione di semiconduttore sia perfettamente compensata, i.e., abbia
drogaggio netto nullo (NA=ND); allora

 N A  ND 
2
ND  N A   4ni2
no   ni  po
2
Se dal punto di vista delle concentrazioni di portatori il semiconduttore si comporta come
se fosse intrinseco, non è vero che si comporta da intrinseco dal punto di vista del
trasporto (si vedrà che la mobilità è una funzione decrescente del drogaggio totale a
causa delle collisioni con impurità ionizzate).

È bene tenere presente che le approssimazioni di maggioritari coincidenti con il drogante

a temperature sufficientemente alte (nno≈ND o ppo≈NA) valgono se è presente solo (o
quasi) drogante di una determinata polarità. Se il semiconduttore tende ad essere
compensato non si può certo assumere che no≈ND o po≈NA (il prodotto nopo deve
comunque essere pari a ni2).

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 25

 L’approccio considerato vale in modo abbastanza accurato per temperature
sufficientemente alte da poter ritenere che tutto il drogante si sia attivato. Una strategia
più rigorosa per determinare no e po in funzione di NA, ND, T a qualunque temperatura
nelle assunzioni di equilibrio termodinamico, semiconduttore non degenere e neutralità
locale consta nel risolvere l’equazione nell’incognita EF
po  N D    no  N A
 

 E  EV   EC  EF 
NV T   exp   F  N  F '  E   N  T   exp   kT   N A  F  EA  
kT 
D D C
  
 E  EV   1   EC  EF  1
NV T   exp   F  N  1   N  T   exp   kT  N  
kT  
D 
 ED  EF    E A  EF 
C A
  1  exp   
 1  exp  
  kT    kT 
 E  EV  1  EC  EF  1
NV T   exp   F  N   N  T   exp   kT  N 
kT   ED  EF 

 E  EF 
D C A
 1  exp     1  exp  A
 
 kT   kT 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 26

Dipendenza di n da T
Consideriamo un campione di silicio in condizioni di equilibrio termodinamico drogato con
ND=1015 cm-3 e valutiamo la dipendenza della concentrazione dei maggioritari nno dalla
temperatura T nel range 0÷600 K.
nno T   nD T   nV T   N D  T   nV T 
 

nD è la concentrazione di elettroni provenienti dagli

atomi donatori.
nV (=pV=pno) è la concentrazione di elettroni
provenienti dalla rottura dei legami covalenti
(ovvero dalla banda di valenza).

In generale nV<ni, perché, come si è detto, quando

un semiconduttore è drogato si rompono meno
legami covalenti. Per ND=1015 cm-3, nV gioca un
ruolo solo per T>500 K. Per temperature inferiori si
può affermare che
nno T   nD T 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 27

La regione a T≤130 K è denotata in modo illustrativo come freeze-out regime (o regione di
congelamento) ed è caratterizzata dal fatto che nno<ND.
Quando T>130 K si ha che praticamente tutti i donatori hanno ceduto un elettrone libero
al reticolo (quindi non è necessario arrivare a 300 K), per cui
nD T   N D
La regione a temperature comprese tra 130 e 500 K viene detta estrinseca, dato che in
essa la concentrazione dei maggioritari è quasi uguale a quella dei donatori
nno T   N D
Per 500<T≤600 K giocano un ruolo importante
ambo le aliquote, per cui si ha che
nno T   nD T   nV T   N D  nV T 

Intorno ai 540 K risulta

ni T   N D

A T>600 K si ha che nV≈ni»ND per cui

nno T   ni T 
e la regione viene detta intrinseca.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 28

Ricapitolando:
T≤130 K regione di congelamento
130 <T≤500 K regione estrinseca
500<T≤600 K regione intermedia (giocano un ruolo rilevante sia nD=ND che nV)
T>600 K regione intrinseca

Il primo obiettivo è valutare nno nella regione di congelamento.

nno  nD  N D   N D  F '  ED 
 

probabilità che
non siano allocati da
concentrazione di elettroni, i.e., abbiano
stati quantici al ceduto elettroni alla
livello ED banda di conduzione

 E  EF 
exp  D 
 kT   1
F '  ED   1  F  ED  
 E  EF   ED  EF 
1  exp  D  1  exp  
 kT   kT 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 29

 1 1
nno  N D   ND  
 E  EF   E  EC  EC  EF 
1  exp   D  1  exp   D 
 kT   kT 
1 1
 ND   ND 
 E  EF   ED  EC  n  E  ED 
1  exp   C  exp    1  no exp  C 
 kT   kT  NC  kT 

1 1
nno  N D   ND 
n  E  ED  
nno
1  no exp  C  1
NC  kT  NC '

2
nno
nno   N D  0  nno
2
 NC ' nno  NC ' N D  0
NC '

 NC '
2
 NC '  4 NC ' N D N '  N '
2

nno    C   C   NC ' N D
2 2  2 

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 30

Il secondo obiettivo consta nell’effettuare una stima del primo ordine della temperatura T*
per cui il silicio esce dalla regione di congelamento per passare a quella estrinseca.

In modo ‘relativamente’ arbitrario diciamo che si tratta della temperatura per la quale la
concentrazione degli elettroni liberi è pari a 100 volte quella delle impurità non attivate.

La concentrazione di elettroni in banda di conduzione a tale temperatura è

 E  EF 
nno T *  N C T * exp   C 
 kT * 
La concentrazione delle impurità non attivate è data dal prodotto tra gli stati quantici
corrispondenti ai donatori per la probabilità che siano allocati da elettroni (si tratta di
elettroni quasi-liberi ancora “appartenenti” agli atomi di drogante).
N D  F  ED 

 E  EF 
N C T * exp   C   100  N D  F  ED 
 kT * 
Essendo ND basso, è ragionevole pensare che ED-EF>3kT*, tenuto conto (i) della
modesta distanza di ED da EC e (ii) del fatto che T* è nell’intorno di 100 K, per cui 3kT*≈25
meV; pertanto si può adoperare la semplice funzione esponenziale di Boltzmann.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 31

  E  EF   ED  EF 
N C T * exp   C   100  N D  exp   
 kT *   kT * 

N C  T *  EC  EF  EF  ED   EC  ED  N C T *
 exp    exp   
100  N D  kT *   kT *  100  N D
EC  ED N  T * EC  ED
  ln C  T* 
kT * 100  N D N C  T *
k  ln
100  N D
la cui soluzione numerica è pari a circa 130 K.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 32

Il terzo obiettivo consta nel valutare come varia il gap energetico EC-EF nella regione
estrinseca (dove le impurità si sono praticamente tutte attivate) all’aumentare della
temperatura.
 E  EF 
nno  N C T  exp   C   ND
 kT 

 E  EF  ND ND
exp   C     EC  EF   kT ln
 kT  N C T  N C T 

N C T 
EC  EF  kT ln
ND
da cui si vede che in tale regione EF si allontana da EC per T crescente. È abbastanza
ovvio che debba aver luogo questo tipo di effetto perché ci si sta avvicinando alla regione
intrinseca, dove il livello di Fermi deve trovarsi nelle immediate prossimità del centro-
banda.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 33

Si può osservare che il bandgap si restringe all’aumentare di T, e che, come si vede
dall’espressione, all’aumentare di ND l’incremento di EC-EF diviene meno rapido. Questo è
anche fisicamente intuitivo: per un ND più alto si dovranno rompere più legami covalenti
per far tendere il semiconduttore verso la regione intrinseca, il che significa che bisognerà
aumentare di più la temperatura per ottenere lo stesso valore di EC-EF.

livelli di Fermi
(tipo N)

livello di Fermi intrinseco

livelli di Fermi
(tipo P)

Infine l’espressione trovata quantifica un concetto già espresso più volte: se si ragiona a
parità di temperatura, il livello di Fermi si avvicina alla banda di conduzione all’aumentare
di ND.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 34

Il quarto obiettivo consiste nel determinare lo scenario a T=540 K, temperatura alla quale
ni(540 K)=ND=1015 cm-3. Combinando le relazioni
nno  540 K   N D  nV  540 K   N D  pV  540 K   N D  pno  540 K 
nno  540 K   pno  540 K   ni2  540 K   N D2
si ottiene che
N D  N D2  4 N D2 1  5
nno  540 K     N D  1.618  N D
2 2
per cui come fattore moltiplicativo viene proprio il Rapporto Aureo. La concentrazione
degli elettroni liberi generati per rottura dei legami covalenti, coincidente con la
concentrazione delle lacune, è

nV  540 K   pV  540 K   pno  nno  N D  1.618  N D  N D  0.618  N D

e viene minore di ni, che è pari a ND. A temperature più alte nV→ni.

La legge dell’azione di massa fornisce ovviamente lo stesso risultato

ni2  540 K  N D2
nV  540 K   pno    0.618  N D
nno 1.618  N D

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 35

 Esercizio 1
Si consideri un campione di silicio in condizioni di equilibrio termodinamico a T=300 K e
drogato con ND=1015 cm-3. Determinare le concentrazioni nno e pno, nonché il gap
energetico EC-EF tra la banda di conduzione e il livello di Fermi.

Il semiconduttore non è degenere grazie al suo basso drogaggio.

I donatori sono tutti attivati perché T=300 K.
nno  N D  1015 cm-3
ni2
pno   2.1×105 cm-3  ni
ND
e quindi le concentrazioni sono note. Inoltre

 E  EF   EC  EF  ND NC
nno  N C exp   C   exp     EC  E F  kT ln  0.265 eV
 kT   kT  NC ND
che, come previsto, è un valore ben più grande di quello critico (0.0776 eV) per il quale si
ha un semiconduttore degenere.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 36

Esercizio 2
Si consideri un campione di silicio a T=300 K in condizioni di equilibrio termodinamico,
drogato con NA=1016 ed ND=1015 cm-3. Determinare le concentrazioni npo e ppo (il
drogaggio netto è di tipo P), nonché il gap energetico EF-EV tra il livello di Fermi e la
banda di valenza. Considerare EDi=54 meV ed EAi=45 meV.
L’equazione da considerare è la condizione di neutralità:
p po  N D    n po  N A
 

 E  EV   EC  EF 
NV  exp   F   N D  F '  D C
E  N  exp   kT   N A  F  EA 
 kT   
Da questa relazione di uguaglianza si ottimizza la posizione del livello di Fermi EF, che
risulta circa 0.38 eV al di sotto del centro-banda (e quindi EF-EV=0.18 eV). Noto EF si ha
che npo=4.25×103 cm-3 e ppo=8.95×1015 cm-3. Si noti che il prodotto tra npo e ppo è minore
di (1.45×1010)2 per l’incongruenza tra i valori sperimentali delle densità efficaci degli stati e
quello di ni. Si trova inoltre che i donatori sono tutti ionizzati, mentre gli accettori ionizzati
sono 9.95×1015 cm-3 (è come se gli elettroni provenienti dagli stati quantici donatori
fossero andati ad annichilire 1015 cm-3 lacune).

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 37