Lezione 2

Cenni di fisica dei

semiconduttori
Materiali dell’elettronica dello stato solido

• I materiali elettronici si suddividono in 3 categorie:

– Isolanti r > 105 W cm
– Semiconduttori 10-3 < r < 105 W cm
– Conduttori r < 10-3 W cm
• I semiconduttori elementari sono formati da atomi di un solo tipo,
generalmente silicio.
• I semiconduttori composti sono formati dalla combinazione di elementi
della III e della V colonna o della II e della VI.
• Il germanio era utilizzato in molti dei semiconduttori più vecchi.
• Il silicio ha rapidamente sostituito il germanio grazie alla sua maggiore
ampiezza di banda proibita, al basso costo, e alla semplicità con cui può
essere ossidato per formare maschere isolanti di diossido di silicio.
 Materiali semiconduttori
Banda Proibita
Semiconduttori
EG (eV)
Carbonio (diamante) 5.47
Silicio 1.12
Germanio 0.66
Stagno 0.082
Arseniuro di gallio 1.42
Nitruro di gallio 3.49
Fosfuro di indio 1.35
Nitruro di boro 7.50
Carburo di silicio 3.26
Seleniuro di cadmio 1.70
 Il silicio
• Il silicio è un elemento molto comune
in natura. In effetti è il secondo
elemento per concentrazione (circa il
27% nella crosta terrestre)
• Viene definito semimetallo o
semiconduttore perchè le sue
proprietà possono approssimare
quelle di un buon conduttore elettrico,
ma anche quelle di un quasi isolante
 Il silicio
• L'uso del silicio nell’ elettronica richiede
una purezza più elevata di quella fornita
dal silicio di grado metallurgico. Si Si Si
• Storicamente sono stati sperimentati un elettroni nucleo
numero di metodi diversi per produrre condivisi
silicio ad alta purezza detto silicio
Si Si Si
cristallino. elettrone
• Nel silicio cristallino di grado elettronico,
ogni atomo di silicio si lega ai prossimi
vicini in una struttura tetraedrica Si Si Si
mettendo in condivisione 4 orbitali che
formano legami di covalenti
 Il movimento degli elettroni

Si Si Si Si

Si Si Si Si

• A temperatura diversa dallo zero assoluto alcuni elettroni possono rompere I legami
covalenti diventando cosi’ elettroni liberi. Il posto lasciato libero nel legame può essere
preso da un altro elettrone che precedentemente saturava un legame covalente differente
 Concentrazione intrinseca dei portatori
La densità dei portatori in un semiconduttore è funzione della temperatura e
delle proprietà del materiale:

æ EG ö
n = BT exp ç -
2
i
3
÷
è kT ø
• EG = ampiezza di banda proibita del semiconduttore (elettronvolt)
• k = Costante di Boltzmann, 8.62 x 10-5 eV/K, 1.38 x10-23 J/K;
• T = temperatura assoluta (in kelvin)
• B = parametro caratteristico del materiale, 1.08 x 1031 K-3 cm-6 per Si

L’ampiezza della banda proibita è la minima energia necessaria per liberare un

elettrone rompendo un legame covalente.
Concentrazione intrinseca dei portatori

æ E ö
ni2 = BT 3 exp ç - G ÷
è kT ø

• La densità degli elettroni è n (elettroni/cm3) e ni per

un materiale intrinseco n = ni.

• Un materiale è intrinseco se non contiene impurità.

• ni ≈ 1010 cm-3 per il silicio

 Concentrazione intrinseca del silicio
- Quando si rompe un legame covalente
rimane una lacuna.
- Una lacuna si muove quando la vacanza è
riempita da un elettrone di un legame rotto
nelle vicinanze (corrente di lacune).
- La concentrazione di lacune si indica con p.
- Per il silicio intrinseco, n = ni = p.
- Legge dell’azione di massa: pn = ni2.

Il prodotto pn indicato precedentemente è valido solo quando un semiconduttore è in

equilibrio termodinamico (senza l’applicazione di una tensione esterna).
 Concentrazione intrinseca
• A temperatura ambiente nel silicio la quantità di elettroni liberi,
n (e quindi lacune, p) che ritroviamo in un centimetro cubo di
silicio viene denominata concentrazione intrinseca, ni, ed è pari
a:
𝑛! = 𝑛 = 𝑝 = 1.5 ' 10"# 𝑐𝑚$%
• Pur essendoci elettroni e lacune a disposizione per il fluire di
una corrente, esso è assai inferiore ad esempio a quello che si
ottiene in un metallo. Il silicio quindi, nella sua forma
cristallina perfetta, non è in grado di condurre corrente
elettrica con efficacia e si comporta come un isolante.
 I portatori di carica
- Nei semiconduttori abbiamo quindi due tipologie di
portatori di carica elettrica:
• Elettrone: carica negativa
o Lacuna: carica positiva (perchè è “mancanza di
elettrone)
- Entrambi i portatori possono dar luogo a corrente
elettrica sotto l’azione di un campo elettrico: si parlerà
di corrente di elettroni e corrente di lacune
 Corrente di deriva
Campo elettrico Campo elettrico

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Sotto l’azione di un campo elettrico gli elettroni liberi possono muoversi dando
origine alla corrente elettrica, le lacune si muovono ma in direzione opposta.
j = Qv [(C/cm3)(cm/s) = A/cm2]
Mobilità
Per piccoli campi, la velocità di deriva risulta:
vn = - µnE e vp = - µpE
dove
vn e vp = velocità di elettroni e lacune [cm/s]
µn e µp = mobilità di elettroni e lacune [cm2/Vs]

La mobilità delle lacune è minore di quella degli

elettroni in quanto la corrente di lacune è il risultato
di molteplici rotture di legami covalenti, mentre gli
elettroni si possono muovere liberamente nel
cristallo.

Per campi elevati, la velocità dei portatori

satura e pone un limite alla risposta in
frequenza dei dispositivi allo stato solido
 Resistività del silicio intrinseco
Data la deriva di corrente e la mobilità, possiamo calcolare la resistività:
jndrift = Qnvn = (-qn)(- µnE) = qn µnE
jpdrift = Qpvp = (-qp)(- µpE) = qp µpE
jTdrift = jn + jp = q(n µn + p µp)E = sE
In questo modo si definisce la conducibilità elettrica:

s = q(n µn + p µp) [W -1cm-1]

La resistività r è il reciproco della conducibilità:
r = 1/s [W cm]
 Struttura a bande del silicio intrinseco
• Le leggi della meccanica quantistica ci dicono
che in una struttura reticolare periodica si elettroni liberi
definiscono degli stati energetici possibili. banda
di
• Nel silicio si identificano 3 bande: la banda di conduzione
conduzione in cui si trovano elettroni liberi Ec
(come nei metalli), la banda di valenza (in cui banda
risiedono elettroni vincolati al reticolo) ed una proibita 1.1 eV
banda energetica proibita (band-gap) che Ev
separa la banda di conduzione da quella di banda
valenza di
elettroni vincolati
• La distanza tra banda di conduzione è banda di valenza
valenza è pari a 1.1 elettronvolt (eV)
Struttura a bande del silicio intrinseco

L’elettrone che fa parte di un legame L’energia termica rompe i legami

covalente si trova in uno stato di covalenti e fa muovere gli elettroni
bassa energia nella banda di valenza. nella banda si conduzione
 Drogaggio (doping) del silicio
• Per quanto detto fino ad ora, per rendere possibile la
conduzione di corrente elettrica nel silicio, bisogna trovare il
modo di aumentare, artificialmente, la quantità di elettroni
(o lacune), all’interno del reticolo cristallino
• Tale operazione però non deve modificare le altre proprietà
fisiche del materiale stesso.
• Questa operazione, che si effettua in ogni tipo di materiale
semiconduttore, prende il nome di drogaggio (doping)
 Drogaggio di tipo n (elettroni)
• Supponiamo di essere in grado di sostituire
qualche atomo di silicio nel reticolo un un
atomo di fosforo (pentavalente) Si Si Si
elettrone
• 4 dei 5 elettroni di valenza del fosforo In
eccesso
satureranno I legami con gli atomi di silicio
vicini, il quarto quindi invece è già libero di
muoversi
Si P Si

• Questa operazione può essere fatta

aumentando la concentrazione di elettroni
liberi fino a circa 1020 cm-3 ovvero 10 ordini di Si Si Si
grandezza maggiore della concentrazione
intrinseca
 Drogaggio di tipo p (lacune)
• Supponiamo adesso di essere in grado di
sostituire qualche atomo di silicio nel
reticolo un un atomo di boro (trivalente)
Si Si Si
• 3 elettroni di valenza del boro satureranno I lacuna
In
legami con gli atomi di silicio vicini, un eccesso
legame non sarà saturato, dando origine ad
una lacuna
Si B Si
• Anche questa operazione può essere fatta
aumentando la concentrazione di lacune
liberi fino a circa 1020 cm-3 ovvero 10 ordini Si Si Si
di grandezza maggiore della
concentrazione intrinseca
 Legge di azione di massa
• Con l’operazione di drogaggio è quindi possibile variare la concentrazione di
elettroni e lacune fino a 10 ordini di grandezza (da 1010 a 1020)
• Allo stesso modo quindi varierà la conducibilità elettrica
• Questa enorme flessibilità di passare da isolante a conduttore ha contribuito
all’esplosione dell’elettronica dal 1957 (anno della scoperta del transistor) ad oggi
• Anche a valle di operazioni “artificiali” come il drogaggio, le concentrazioni di
elettroni e lacune sono legate alla concentrazione intrinseca dalla legge di azione
di massa:
𝑛!& = 𝑛 ' 𝑝
• La legge di azione di massa ci ricorda che se ci sono tanti elettroni liberi, le lacune
libere saranno poche e viceversa:
 Struttura a bande del silicio estrinseco
tipo n
Gli atomi donatori hanno elettroni liberi
con energia ED. Dato che ED è vicino a EC,
(circa 0.045 eV per il fosforo), è semplice
per gli elettroni in un materiale di tipo n
spostarsi nella banda di conduzione.
tipo p
Gli atomi degli accettori hanno dei legami
covalenti aperti con energia EA. Dato che EA è
prossimo a EV, (circa 0.044 eV per il boro), è
semplice per gli elettroni nella banda di
valenza andare a completare i legami covalenti
 Lingotti e fette (wafer)

Il silicio di grado elettronico viene I lingotti vengon tagliati per realizzare le

realizzato sotto forma di lingotti (ingots) fette (wafers) su cui vengono realizzati I
dipositivi (transistor, diodi) e I circuiti
 Corrente nei semiconduttori
• Per quanto detto fino ad ora, abbiamo scoperto che è
possibile “drogare” un semiconduttore e di conseguenza
assegnare ad esso una data conducibilità elettrica.
• In questa maniera, all’applicazione di un campo elettrico (o
di una differenza di potenziale) scorrerà una corrente
legata al campo dalla legge di Ohm
• In realte, in un semiconduttore, oltre alla componente
ohmica, esiste una differente tipologia di corrente (sia di
elettroni che di lacune.
 La corrente di diffusione
• Supponiamo che in un semiconduttore esista una
regione in cui la concentrazione N1 di elettroni
N1 N2
sia molto maggiore che altrove (N2).
• L’agitazione termica muove caoticamente tutti gli regione regione
elettroni nello spazio ad a
• Nella regione di separazione tra le due regioni alta densità bassa densità
avremo N1/2 elettroni provenienti da sinistra e di elettroni di elettroni
N2/2 provenienti da destra.
• Dal momento che N1>N2, si avrà un flusso netto
di elettroni da sinistra a destra, ovvero una
corrente di elettroni diversa da zero
• Tale corrente prende il nome di corrente di
diffusione
 Regioni a drogaggio variabile
• Nella realtà la concentrazione di
elettroni (o lacune) dovuta ai
procedimenti di drogaggio non è
n(x)
brusca come nell’esempio precedente direzione del
ma variabile secondo delle opportune flusso di elettroni

relazioni matematiche.
• Ricordiamo inoltre che, per verso convenzionale
della corrente Jndiff
definizione, il verso della corrente è
opposto alla direzione del flusso di
elettroni mentre risulta concorde a
quello delle lacune x
 Ricapitolando
• I semiconduttori, opportunamente drogati, presentano una
conducibilità elettrica proporzionale alla quantità di elettroni
liberi o lacune libere
• Realizzare regioni di semiconduttore a drogagio variabile
nello spazio, consente la nascita di un diverso tipo di corrente
detta di diffusione proporzionale al gradiente della
concentrazione di elettroni (o lacune) nello spazio. Ovvero
più brusco è il gradiente, maggiore sarà la corrente di
diffusione
 un po’ di formule
• Conducibilità dovuta alla presenza di elettroni 𝜎( = 𝑞𝜇( 𝑛
• Conducibilità dovuta alla presenza di lacune 𝜎' = 𝑞𝜇' 𝑝

dove q è la carica dell’elettrone (µn, µp)) è dettà mobilità e n è

la concentrazione di elettroni liberi e p è la concentrazione di
lacune libere.
• La corrente ohmica totale è data da

𝐽)*) = 𝐽( + 𝐽' = 𝜎( + 𝜎' 𝐸 = 𝑞𝜇( 𝑛 + 𝑞𝜇' 𝑝 𝐸

 ancora formule (le ultime..)
• La corrente di diffusione di elettroni

𝑑𝑛
𝐽(,,!-- = 𝑞𝐷(
𝑑𝑥
• E quella di lacune

𝑑𝑝
𝐽',,!-- = −𝑞𝐷'
𝑑𝑥

Dp e Dn vengono dette costanti di diffusione degli elettroni e delle

lacune
n(x)
E
elettroni che
+ si sono allontanati per
+
effetto della diffusione
+
+

atomi donatori che hanno

perso un elettrone