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Energetica, prof.

Vanoli - Dispense sul


Fotovoltaico - A.A. 2009-2010

25/11/2009

SOLARE FOTOVOLTAICO

Prof. Raffaele VANOLI


DETEC Universit degli studi di Napoli Federico II

A.A. 2009/2010

L'effetto fotovoltaico, la formazione di un differenza di potenziale


elettrico ai capi di una giunzione tra due sottili lastre di materiale semiconduttore (opportunamente trattate) esposta a radiazione luminosa.

Il materiale pi utilizzato attualmente il silicio (Si): un fotone,


interagendo con la struttura cristallina del semiconduttore, pu eccitare
un elettrone della banda di valenza del cristallo, portandolo in una banda
di conduzione.

In particolare se l'energia associata al fotone maggiore dell'ampiezza


della banda, il fotone cede tale energia al cristallo generando una coppia
elettrone-lacuna, che contribuisce alla conduzione elettrica del
semiconduttore.

In presenza di un campo elettrico che separa le cariche della coppia


stessa, esse vengono raccolte mediante due elettrodi

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Ogni elemento chimico caratterizzato da una determinata configurazione


elettronica, ovvero dal numero di elettroni presenti e dal modo in cui gli stessi si
dispongono sugli orbitali (o livelli energetici) intorno al nucleo.
Nel reticolo cristallino di un solido, i livelli energetici costituiscono delle bande
discrete, tra cui normalmente esiste un gap, ovvero un intervallo di valori di
energia non permessa. In funzione del tipo di materiale e delle relative condizioni
fisiche (in particolare, della distanza internucleare), alcune bande possono per
parzialmente sovrapporsi.

Procedendo nel verso delle energie crescenti:


o

la prima banda di energia mediamente non occupata detta di conduzione;

lultima banda di energia mediamente occupata detta di valenza.

Gli elettroni di valenza sono quelli in grado di interagire con altri atomi,
determinando il comportamento chimico-fisico del materiale.
La presenza di una banda di energia non permessa tra quella di valenza e quella
di conduzione (energia di gap) e la sua entit sono alla base della distinzione
tra:
o

conduttori: energia di gap = 0;

semi-conduttori: energia di gap

isolanti: energia di gap

1 eV;

10 eV.

Nei conduttori, la semplice energia cinetica dei moti di agitazione termica (a T >
0 K) sufficiente a far passare degli elettroni nella banda di conduzione, nei
semiconduttori questo fenomeno molto pi raro, negli isolanti pressoch
impossibile.
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Un buon materiale per la conversione fotovoltaica deve avere unenergia di gap


tra 1 ed 1,8 eV: valori inferiori, per alcuni versi vantaggiosi (maggiore efficienza
di utilizzo dellenergia solare e maggiore intensit di corrente prodotta),
comporterebbero valori di tensione troppo bassi.
Il silicio attualmente l elemento pi utilizzato nella conversione fotovoltaica: si
tratta di un semi-conduttore tetra-valente, ovvero con quattro elettroni di valenza.
Se drogato con impurit tri-valenti (ad esempio, inserendo un atomo di boro), si
ottiene un materiale caratterizzato dalla disponibilit ad accettare alcuni
elettroni di valenza, ovvero con delle lacune o accettori: silicio di tipo P.
Se drogato con impurit penta-valenti (ad esempio, inserendo un atomo di
fosforo o arsenico), si ottiene un materiale caratterizzato dalla disponibilit a
cedere alcuni elettroni di valenza, debolmente legati: silicio di tipo N.

Mettendo in contatto due lastre di semiconduttore drogato, rispettivamente di


tipo P ed N, tra i due strati si attiva un flusso elettronico dalla zona N alla zona P
che, raggiunto il punto di equilibrio elettrostatico, determina un eccesso di carica
positiva nella zona N, dovuto agli atomi di fosforo con un elettrone in meno, e un
eccesso di carica negativa nella zona P, dovuto agli elettroni migrati dalla zona
N.
Gli elettroni presenti nel silicio tipo N diffondono infatti per un breve tratto nel
silicio tipo P: il silicio tipo N si carica positivamente, quello di tipo P si carica
negativamente. Si crea inoltre una regione intermedia detta zona di svuotamento
o di carica spaziale. Il risultato un campo elettrico interno al dispositivo, per
unampiezza di pochi micrometri.

+
Densit di cariche
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Illuminando la giunzione P-N dalla parte del silicio tipo N, si generano delle
coppie elettrone-lacuna in entrambe le zone. Il campo elettrico separa gli
elettroni in eccesso generati dallassorbimento della luce dalle rispettive lacune,
spingendoli in direzioni opposte (gli elettroni verso la zona N e le lacune verso la
zona P). Una volta attraversato il campo, gli elettroni liberi non tornano pi
indietro, perch il campo, agendo come un diodo, impedisce loro di invertire la
marcia.
Se si connette la giunzione P-N con un conduttore esterno, nel circuito esterno
si otterr un flusso di elettroni. Fino a quando la cella rimane esposta alla luce,
l'elettricit fluisce con regolarit sotto forma di corrente continua.

+
Densit di cariche
7

Lo spessore dello strato N deve


essere minimo, per garantire il
massimo assorbimento di fotoni
incidenti in vicinanza della giunzione.
Anche lo spessore totale della cella
deve essere limitato, per ridurre le
resistenze ohmiche.
Per il Silicio, normalmente lo
spessore della cella di 0,250,35
mm.

= potenza elettrica netta / potenza incidente


max

teorico

33%, valore netto effettivo

1015%
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Il silicio utilizzato pu essere:


monocristallino (atomi orientati nello stesso verso e legati fra loro nello
stesso modo): il pi costoso ed efficiente;
policristallino (atomi legati in piccoli grani monocristallini orientati
casualmente): meno costoso, ma anche meno efficiente;
amorfo (atomi orientati in modo casuale, come in un liquido): il pi
economico, ma anche quello meno efficiente ed affidabile.

Si distinguono inoltre tre gradi di purezza:


grado elettronico: impurezza = 1/100.000.000
grado solare: impurezza = 1/10.000
metallurgico: impurezza = 1/100

o Per la produzione di celle fotovoltaiche, si usa tipicamente il silicio di grado


solare, che si pu ottenere anche come scarto del silicio elettronico: ha una
purezza adeguata ed un costo decisamente inferiore a quello del silicio
elettronico "puro (10 $/kg contro 100 $/kg).
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Sabbia

Estrazione della silice e


raffinazione
Trasformazione della silice in
silicio
Trasformazione del silicio metallurgico in
silicio per applicazioni fotovoltaiche
Trasformazione in silicio
mono/policristallino
Divisione del lingotto in wafer
Trattamento chimico

Energia
elettrica

Formazione di n-film
Applicazione di contatti elettrici

Applicazione di film antiriflesso


Vetro
Alluminio

Assemblaggio pannelli

Rame
MODULI FOTOVOLTAICI

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o Valori tipici di efficienza della cella:


Materiale

Max. rendim.in lab.

Max rendimento
in campo

Si monocristallino

24

14 17

Si policristallino

18

13 15

Si amorfo

13 \

57

o Lefficienza netta dellintero sistema fotovoltaico ancora inferiore


(10%12%), a causa delle ulteriori perdite esterne.
o Sono allo studio nuovi materiali, diversi dal Si: ad ex., larseniuro di gallio
(GaAs), molto efficiente (25% ca., con pi del 40% come limite teorico) ma
costosissimo, e materiali polimierici (ancora in fase di ricerca)
o La densit di potenza molto bassa: per un rendimento netto
complessivo del 12%, occorrono circa 8 m2 di superficie captante (fino a
16 m 2, per i grandi campi fotovoltaici) per 1 kW di potenza di picco.
11

BOS Impianto Fotovoltaico


o
Inverter: trasforma la corrente continua prodotta dai moduli in corrente
alternata
o
Trasformatore
o
Sistema di rifasamento: garantisce la qualit della potenza in uscita
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Efficienza della cella (%)

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15

10

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

Temperatura della cella (C)


o

Laumento della T tende a ridurre la tensione della cella, ed anche la sua efficienza

Valori troppo bassi o troppo alti di Eg riducono lefficienza:


o V cresce con Eg
o I diminuisce con Eg, cos come la frazione di fotoni con livelli di energia sufficiente alla
formazione della coppia elettrone-lacuna
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Principali perdite di conversione nella cella:

o riflessione: non tutti i fotoni che incidono sulla cella penetrano al suo interno,
dato che in parte vengono riflessi dalla superficie della cella e in parte incidono
sulla griglia metallica dei contatti. Perdite pari circa al 30%;
o fotoni con troppa o poca energia: per rompere il legame tra elettrone e nucleo
necessaria una certa energia, e non tutti i fotoni incidenti possiedono energia
sufficiente; d'altra parte, i fotoni con troppa energia contribuiscono a generare
coppie elettrone-lacuna, ma dissipano in calore l'energia eccedente. Perdite
pari circa al 50%; ;
o ricombinazione: non tutte le coppie elettrone-lacuna generate vengono raccolte
dal campo elettrico di giunzione e inviate al carico esterno, dato che nel
percorso dal punto di generazione verso la giunzione possono incontrare
cariche di segno opposto e quindi ricombinarsi Perdite pari circa al 5%; .

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Ulteriori perdite esterne alla cella:


- perdita nel gruppo di conversione statica (4% - 10%):
Dovuto agli inverter e ai trasformatori
- perdita per ombreggiamento (7%)
- perdita per mismatching (3%):
cio per imperfetto accoppiamento tra i moduli
- perdita lungo le tratte DC (1%):
dovuta alla resistenza offerta dai cavi elettrici, alle perdite per cadute di
tensione sui diodi di blocco ed alle resistenze di contatto sugli interruttori
- perdita per sporcizia, detriti e polveri (1%):
- perdita di efficienza annuale (1% - 2%)

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Normalmente lefficienza del BOS di un sistema fotovoltaico raggiunge valori


compresi tra il 75% e l85%.

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In base allimpiego
o Sistemi isolati (standalone): vengono accoppiati con un accumulatore e,
spesso, con un sistema di integrazione convenzionale (motore diesel,):
case isolate, illuminazione e segnaletica, ricarica batterie auto elettriche,
alimentazione stazioni per telecomunicazioni

o Sistemi collegati in parallelo alla rete elettrica (grid-connected):

sistemi distribuiti: coperture, terrazzi, rivestimenti, integrazione nelle


facciate degli edifici,
campi fotovoltaici

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Costo di produzione

c ue

I
FA

M
Ee

Ee

I/Pe
FA fH

M/Pe
fH

I/Pe = Investimento iniziale 6.0007.000 /kWp (+2030% per accumuli,


nel caso di sistemi stand-alone)
M/Pe = oneri annui di manutenzione

12% dellinvestimento iniziale I

In assenza di agevolazioni , il costo dellenergia elettrica prodotta va da un


minimo di 0,25 /kWh (grandi impianti grid-connected) ad oltre 0,50
/kWh (piccoli impianti stand-alone)

SPB

I
R isp

I
cu e re te E e

35 anni

Necessit di supporti finanziari in conto capitale o energia!


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Pannelli in silicio policristallino

(vita utile 25-30 anni)

Area Pannelli:

100 m2

Radiazione Solare:

1.000 W / m2
100 *1.000 = 100.000 W = 100 kW

Rendimento Pannello:

13 %

Potenza Impianto Pe:

13 kW

Densit di potenza:

7,7 m2 / kW

Ore annue di funzionamento:

1.460 h/anno

Energia Producibile:

18.980 kWh

(perdita di rendimento annuo 1%)

(al primo anno)

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COSTI
Fissi:
investimento iniziale
costo per unit di potenza:
costo totale:
manutenzione straordinaria
sostituzione inverter (8-10 anni):
Annui:
manutenzione ordinaria

c.u. p = 7.000 / kW
c.u. p x Pe = 91.000
10% investimento iniziale

(9.100 )

1% investimento iniziale

(910 / anno)

RICAVI
Conto Energia
Tariffa:

0,41 / kWh

Scambio sul Posto


Costo energia elettrica:

0,175 / kWh

3 kW < Pe < 20 kW
parzialmente integrato

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COSTI
investimento iniziale: 91.000
sostituzione inverter : 9.100
manutenzione ordinaria: 910
TOTALE: 101010
RICAVI
Conto Energia: 0,41*18980=7781 /anno
Scambio sul posto: 0,175*1898=33211 /anno
Totale: 11102
RISULTATI
SPB=101010/11102=9,1 anni
VAN=11102*12,5-101010=37765
IP=37765/101010=0,374
cue=(101010/12,5)/18980=0,426 /kWh
Utile/EE=(11102-101010/12,5)/18980=0,159/kWh
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Scambio sul
posto ()

Cash Flow CE+SP ()


Semplice
Attualizzato

Costi Fissi
Costi
Prod.Annua
()
Annui ()
(kWh)

Conto
Energia ()

- 91 000 -

910

18980

7 781.80 3 321.50 - 80 806.70 - 80 806.70

910

18790

7 703.98 3 288.29 - 70 724.43 - 71 384.02

Anno

910

18600

7 626.16 3 255.07 - 60 753.20 - 62 674.76

910

18411

7 548.35 3 221.86 - 50 893.00 - 54 625.90

910

18221

7 470.53 3 188.64 - 41 143.83 - 47 188.30

910

18031

7 392.71 3 155.43 - 31 505.70 - 40 316.45

910

18031

7 392.71 3 155.43 - 21 867.56 - 33 444.59

910

17841

7 314.89 3 122.21 - 12 340.46 - 27 096.28

910

17651

7 237.07 3 089.00 -

9
10

2 924.39 - 21 232.42

910

17462

7 159.26 3 055.78

6 380.65 - 15 816.81

9 100 -

910

17272

7 081.44 3 022.57

6 474.65 - 15 765.68

11

910

17082

7 003.62 2 989.35

15 557.62 - 11 148.36

12

910

16892

6 925.80 2 956.14

24 529.56 -

6 885.85

13

910

16702

6 847.98 2 922.92

33 390.46 -

2 951.51

14

910

16513

6 770.17 2 889.71

42 140.33

679.38

15

910

16323

6 692.35 2 856.49

50 779.17

4 029.67

16

910

16133

6 614.53 2 823.28

59 306.98

7 120.54

17

910

15943

6 536.71 2 790.06

67 723.75

9 971.59

18

910

15753

6 458.89 2 756.85

76 029.49

12 600.97

19

910

15564

6 381.08 2 723.63

84 224.19

15 025.49

9 100 -

910

15374

6 303.26 2 690.42

83 207.87

14 744.47

20

Cash Flow CE-SP ()


Semplice
Attualizzato

Cash Flow -CE+SP ()


Semplice
Attualizzato

- 84 128.20 - 84 128.20 - 88 588.50 - 88 588.50


- 77 334.22 - 77 778.68 - 86 210.22 - 86 365.80
- 70 618.05 - 71 912.53 - 83 865.15 - 84 317.53
- 63 979.71 - 66 493.66 - 81 553.29 - 82 430.37
- 57 419.18 - 61 488.66 - 79 274.65 - 80 692.00
- 50 936.47 - 56 866.58 - 77 029.23 - 79 091.05
- 44 453.76 - 52 244.50 - 74 783.80 - 77 490.09
- 38 048.87 - 47 976.65 - 72 571.59 - 76 016.00
- 31 721.79 - 44 036.46 - 70 392.60 - 74 659.03
- 25 472.54 - 40 399.34 - 68 246.82 - 73 410.17
- 28 401.10 - 41 992.28 - 75 234.25 - 77 210.87
- 22 307.48 - 38 894.60 - 73 154.90 - 76 153.83
- 16 291.68 - 36 036.53 - 71 108.77 - 75 181.73
- 10 353.69 - 33 400.00 - 69 095.85 - 74 287.97
-

4 493.53 - 30 968.24 - 67 116.14 - 73 466.46

1 288.82 - 28 725.74 - 65 169.65 - 72 711.58

6 993.35 - 26 658.16 - 63 256.38 - 72 018.12

12 620.06 - 24 752.20 - 61 376.32 - 71 381.28

18 168.96 - 22 995.56 - 59 529.47 - 70 796.62

23 640.03 - 21 376.86 - 57 715.84 - 70 260.03

19 933.29 - 22 401.81 - 65 035.43 - 72 283.95

Cash Flow CE+SP+20% ()


Semplice
Attualizzato
- 62 606.70
- 52 524.43
- 42 553.20
- 32 693.00
- 22 943.83
- 13 305.70
-

3 667.56

5 859.54

15 275.61

24 580.65

24 674.65

33 757.62

42 729.56

51 590.46

60 340.33

68 979.17

77 506.98

85 923.75

94 229.49

102 424.19
101 407.87

- 62 606.70
- 53 184.02
- 44 474.76
- 36 425.90
- 28 988.30
- 22 116.45
- 15 244.59
-

8 896.28

3 032.42

2 383.19

2 434.32

7 051.64

11 314.15

15 248.49

18 879.38

22 229.67

25 320.54

28 171.59

30 800.97

33 225.49

32 944.47

22

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25/11/2009

Flusso di Cassa
20.000,00

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

- 20.000,00

- 40.000,00

- 60.000,00

- 80.000,00

- 100.000,00

23

40.000,00

Senza scambio sul posto


20.000,00

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

- 20.000,00

- 40.000,00

- 60.000,00

- 80.000,00

24

12

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25/11/2009

Con contributo in conto capitale del 20%


40.000,00

20.000,00

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

- 20.000,00

- 40.000,00

- 60.000,00

- 80.000,00

25

Vantaggi:
totale assenza di emissioni nocive (verso aria, acqua, suolo), almeno
in fase di esercizio;
la fonte primaria disponibile ovunque, sia pure in modo non
uniforme;
tecnologia relativamente matura ed affidabile.
Inconvenienti:
Costi lontani dalla soglia di competitivit senza incentivazioni;
impatto paesaggistico (per impianti di grandi dimensioni);
occupazione di suolo (densit di potenza 100 W/m2);
Possibili fattori di sviluppo:
miglioramento tecnologico (ad ex.: nuovi materiali);
applicazioni diffuse (piccoli impianti distribuiti);
abbattimento dei costi grazie alla diffusione su larga scala.
26

13