EL DIODO

SEMICONDUCTOR
¿Qué es el diodo?
• Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa como un
interruptor unidireccional para la corriente.
¿Para que se utiliza?
• Se utiliza para que la corriente fluya en una sola dirección, pero no
permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.
¿Cómo entender el principio de operación?
• Tenemos que conocer la teoría de los semiconductores
SEMICONDUCTORES
 MATERIALES ELÉCTRICOS
CONDUCTORES:
Tiene electrones libres que permiten la circulación de corriente eléctrica.
Alta conductividad (baja resistividad)

AISLANTES:
No hay electrones libres, no permiten circular corriente eléctrica.
Baja conductividad (alta resistividad)
SEMICONDUCTOR
Los semiconductores son elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un conductor y
la de un aislante.
Los materiales semiconductores pueden ser:
• De un solo cristal: Ge y Si
• Compuesto: arseniuro de galio (GaAs), sulfuro de cadmio (CdS), nitruro de galio (GaN) y
fosforo de galio y arsénico (GaAsP), se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos son :
Ge, Si y GaAs.
Los dispositivos electrónicos o circuitos integrados se fabrica con materiales
semiconductores.
ESTRUCTURA ATÓMICA

tetravalente tetravalente
 trivalente pentavalente

El término valencia indica que el potencial requerido para remover cualquier

electrón de la estructura atómica es muy pequeño que el requerido para cualquier
otro electrón en la estructura.
 ESTRUCTURA CRISTALINA

ENLACE COVALENTE
En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo
forman un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes.
Este enlace de átomos, se llama enlace covalente.
 MATERIAL INTRINSECO
El término intrínseco se conoce al semiconductor libre de impurezas (puro)

MATERIAL EXTRINSECO
El semiconductor que ha sido contaminado con otro material (proceso de
dopado) se conoce como material extrínseco.
Hay dos materiales extrínsecos en la fabricación de dispositivos
semiconductores: materiales tipo n y tipo p.
 MATERIAL TIPO
El material tipo n se construye
introduciendo elementos de impureza
que contienen cinco electrones de
valencia (pentavalentes):
el antimonio, el arsénico y el fósforo
• Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como
impurezas donadores.
En un semiconductor impuro, los cuatros enlaces covalentes permanecen, pero el
quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, no está asociado con
cualquier enlace covalente.
Este electrón, está libre para moverse dentro del material tipo n, puesto que el
átomo de impureza ha donado un electrón relativamente “libre” a la estructura.
 MATERIAL TIPO
• El material tipo p se forma dopando un
cristal de germanio o silicio puro con
átomos de impureza que tienen tres
electrones de valencia.
• Los elementos más utilizados para este
propósito son: boro, galio e indio.
• El número de electrones es insuficiente para completar los enlaces covalentes.
• El vacío se llama hueco y se denota con un círculo o un signo positivo, para
indicar la ausencia de un electrón (carga positiva).
• El vacío resultante aceptará con facilidad un electrón libre
• Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman impurezas
aceptadoras.
 MOVIMIENTO DE ELECTRONES Y DE
HUECOS
Si un electrón adquiere suficiente energía para
romper su enlace covalente y llenar el vacío
creado por un hueco, entonces se creará un
vacío o hueco en la banda covalente que cedió
el electrón.

Existe movimiento de huecos hacia la

izquierda y de electrones hacia la derecha.
La dirección del movimiento de huecos es la
de la corriente convencional.
 PORTADORES
MAYORITARIOS Y MINORITARIOS
• En un material tipo n, el número de electrones es mucho mayor al de huecos.
• Los portadores mayoritarios de carga son los electrones y los portadores
minoritarios son los huecos.
En un material tipo p, el número de huecos es mucho mayor al de electrones.
Los portadores mayoritarios de carga son los huecos y los portadores minoritarios
son los electrones

.
 LA UNION PN
Cuando dos materiales semiconductores diferentes se “unen”:
Los electrones y los huecos en la región de la unión (juntura) se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión.

La zona de “empobrecimiento”, es debido a la disminución de portadores libres en la

región.
 Técnicas de fabricación
• Unión difusa
• Unión de crecimiento
• De contacto
• Unión epitaxial
 Símbolo y estructura
ánodo cátodo

Es un dispositivo electrónico de dos capas y una juntura.

Está formado por una capa de material p y una capa de material n
 Tipos de polarización
• Polarización directa (PD): fluye corriente a través del diodo
• Polarización inversa (PI): no fluye corriente por el diodo
Polarización directa
POLARIZACIÓN DIRECTA
(VDD>0 V)

es la corriente que pasa por el diodo y se

debe a los portadores mayoritarios

tiene la dirección de corriente

convencional
Polarización Inversa
 POLARIZACIÓN INVERSA
(VDD<0 V)
• La corriente en condiciones de polarización inversa se llama corriente de
saturación en inversa y está representada por .

:corriente debida a los portadores

minoritarios es muy pequeña 0 mA.
Curva característica del diodo
Curva característica de diodos
Efectos de la temperatura

En la región de polarización en inversa la

corriente de saturación en inversa de un
diodo de silicio se duplica por cada 10°C de
aumento de la temperatura
Variación del voltaje VD por la temperatura

(
𝑉𝐷 ( 𝑇𝑥 ° ) = − 2
𝑚𝑉
°𝑐 )
( 𝑇𝑥 ° − 𝑇𝐴 ° ) +𝑉𝐷 (𝑇𝐴 ° )
 Tipos de diodo
• Rectificador • Fotodiodo
• Zener • Estabilizador
• LED • Túnel
• Varactor
• Detector
• Láser
• PIN
• Schottky