Bande di energia nei cristalli

Fino a questo momento la trattazione ha riguardato atomi isolati nel vuoto. Ora si vuole
esaminare cosa succede quando un atomo fa parte di una struttura reticolare. In
particolare si fa riferimento al silicio.

Si opera supponendo di avere due atomi A e B sufficientemente distanti da poter essere

considerati isolati, e avvicinandoli gradualmente nell’ipotesi di avere una temperatura
T→0 K. Vengono monitorate le energie corrispondenti agli orbitali 3s e 3p (come si è
visto, l’energia del 3p è maggiore di quella del 3s); sia l’atomo A che l’atomo B hanno 2
elettroni nell’orbitale 3s e 2 elettroni nei 3 orbitali 3p. Infatti al tipo 3s corrisponde l’orbitale
(3,0,0) con 2 stati quantici allocati da elettroni, e al 3p corrispondono i 3 orbitali (3,1,-1),
(3,1,0), (3,1,1) con 6 stati quantici (tutti alla stessa energia) di cui solo 2 allocati da
elettroni.

“Leggendo” il grafico delle energie in funzione della distanza da destra verso sinistra, si
vede che ad un certo punto gli atomi saranno talmente vicini che i gusci energetici n=3
interagiranno. Se non succedesse niente, si avrebbero 8 orbitali a 2 a 2 uguali in termini
di forma e di orientazione, e in linea di principio 2 elettroni a stesso spin potrebbero
occupare (essere associati a) 2 orbitali uguali. Invece la natura impone una
degenerazione/differenziazione energetica, uno splitting per il quale 2 orbitali altrimenti
uguali si trasformano in 2 orbitali di forma/energia diversa.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 1

Se si fa riferimento ai 2 orbitali (3,0,0) degli atomi A e B, caratterizzati da stessa distanza
dal nucleo, stessa forma e stessa orientazione, questi cambiano forma (ed energia
associata agli elettroni contenuti) in modo diverso rispetto a quella originaria, per cui,
ragionando didatticamente, è come se si avessero due nuovi orbitali caratterizzati da
terne (3,0α,0) e (3,0β,0). Analogamente, i 6 orbitali (3,1,0), (3,1,-1), (3,1,1) degli atomi A e
B, tutti aventi la stessa forma, a 2 a 2 uguali, si differenziano in termini di forma in 3
orbitali (3,1α,0), (3,1α,-1), (3,1α,1) corrispondenti ad energia più bassa, e 3 orbitali (3,1β,0),
(3,1β,-1), (3,1β,1) associati ad energia più alta.
In questa nuova configurazione, il Principio di Esclusione di Pauli è ancora rispettato. Non
è possibile che 2 elettroni a stesso spin possano occupare orbitali con stessa forma ed
orientazione (non ci possono essere 2 elettroni con le stesse quaterne didattiche). Gli 8
elettroni riempiono gli stati quantici per energie crescenti.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 2

Il discorso si generalizza facilmente al caso di una struttura reticolare composta da N
atomi al diminuire del passo reticolare a. In questa circostanza, i livelli energetici
corrispondenti agli orbitali di tipo 3s e 3p degenerano in modo tale che ce n’è uno diverso
per ogni atomo. Gli elettroni si allocano negli stati quantici per energie crescenti.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 3

Se N è molto elevato, come avviene in un tipico reticolo cristallino, al diminuire del passo
reticolare a si ha che i gruppi di N livelli energetici diventano praticamente 2 bande
continue. Diminuendo ulteriormente a, queste bande si fondono in un’unica banda, che
poi si differenzia ulteriormente in 2 bande, ognuna delle quali caratterizzata da N livelli
energetici e 4×N stati quantici. Per a=5.43 Å, si raggiunge la configurazione realistica del
reticolo cristallino del silicio.
La banda inferiore prende il nome di banda di valenza; in essa i 4×N stati quantici sono
tutti allocati da elettroni. La banda superiore prende il nome di banda di conduzione; in
essa i 4×N stati quantici sono tutti vuoti. L’intervallo intermedio è detto banda proibita (o
bandgap), perché i livelli energetici corrispondenti non presentano stati quantici allocabili
da elettroni, ed ha ampiezza EG.

In effetti si formano delle bande anche per livelli

energetici inferiori, che hanno luogo da tipi di
orbitali più vicini all’atomo, ma queste bande non
sono in alcun modo correlate al meccanismo
della conduzione (gli elettroni corrispondenti sono
fortemente legati ai rispettivi nuclei), per cui esse
non verranno mai prese in considerazione nel
prosieguo.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 4

Rappresentazione schematica 1-D delle bande di energia
Per semplicità, supponiamo che i limiti della banda di
conduzione e di quella di valenza siano invarianti con la
posizione (si vedrà che questo non è vero); in tal caso si ha
una rappresentazione schematica 1-D della struttura a bande.
I gap energetici (in particolare il bandgap) giocano un ruolo
importante nel determinare le proprietà del materiale, mentre i
valori “assoluti” dei livelli energetici non contano.

EC è il livello energetico inferiore della banda di conduzione;

EV è il livello energetico superiore della banda di valenza;
EG=EC-EV è il bandgap;
E0 è il livello energetico del vuoto (i.e., l’energia che un
elettrone deve eccedere per liberarsi dal cristallo);
qχ=E0-EC è detto affinità elettronica del materiale (per il silicio
i valori misurati rientrano nel range 4.05÷4.15 eV).

Se si analizza il comportamento dei semiconduttori attraverso l’osservazione del livello

energetico dei portatori di carica liberi, si dice che si fa riferimento al modello a bande di
energia.

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Elettroni liberi e lacune

La rappresentazione 2-D che evidenzia i legami covalenti tra gli atomi di silicio nel reticolo
cristallino prende il nome di modello a legame covalente.

A temperature T→0 K si ha che gli atomi sono fissi nelle loro posizioni reticolari, e gli
elettroni di valenza sono tutti impegnati nei legami covalenti: ognuno di essi è condiviso in
modo “robusto” tra i 2 atomi di silicio a cui risulta vincolato, e non può prendere parte al
fenomeno della conduzione anche in presenza di un campo elettrico locale E.

In realtà la situazione è più complessa: tutto sembra immoto, ma,

se si potesse monitorare un elettrone, ci si accorgerebbe che esso
non è vincolato a una particolare coppia di atomi, ma piuttosto al
cristallo nel suo complesso; si può pensare che gli elettroni
spariscano da determinati legami covalenti per riapparire in altri,
per cui c’è un flusso netto nullo di portatori di carica. La
situazione, “fotografata” in vari istanti di tempo, appare immutata,
ma l’identità degli elettroni cambia.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 6

A temperature T>0 K si ha che gli atomi vibrano intorno ai siti reticolari e posseggono
un’energia vibrazionale media dell’ordine che va dai pochi meV a T basse fino a molte
decine di meV a T=300 K. Dato che tale energia è distribuita in modo non uniforme, in
alcuni (pochissimi) casi l’interazione dell’atomo vibrante (o di più atomi vibranti) con gli
elettroni impegnati nei legami covalenti può essere sufficiente per liberare un elettrone, e
renderlo idoneo a prendere parte alla conduzione (ad esempio, in presenza di un campo
elettrico). Tale elettrone si dice pertanto libero (non essendo vincolato a un atomo o a una
coppia di atomi) o di conduzione.

L’elettrone lascia dietro di sé un legame covalente non saturato (o rotto). Essendo il

sistema elettricamente neutro prima della liberazione, ed avendo l’elettrone carica uguale
a -q=-1.602×10-19 C, allora il legame covalente non saturato avrà carica positiva pari alla
carica elementare q.

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All’aumentare di T aumenta evidentemente la concentrazione di elettroni liberi nel cristallo
(e parimenti la concentrazione di legami covalenti rotti).
Il modello a bande di energia permette di spiegare a livello “energetico” quello che è stato
visualizzato nel modello a legame covalente. Dire che un elettrone di valenza è
impegnato in un legame covalente equivale a dire che esso è allocato in uno stato
quantico caratterizzato da un livello energetico “basso”, cioè incluso nella banda di
valenza. Il bandgap EG rappresenta l’energia minima oltre la quale un elettrone si può
liberare dal legame. Dire che un elettrone si è liberato equivale a dire che gli è stata
fornita un’energia tale da occupare uno stato quantico nella banda di conduzione.

Da ciò si comprende l’importanza del parametro

EG nel definire le proprietà di un semiconduttore,
e, più in generale, di un materiale.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 8

In realtà la “liberazione” nel silicio è un processo complesso:
 Gli atomi vibranti possono essere descritti come una quasi-particella detta fonone
dotata di energia.
 Le interazioni degli elettroni impegnati nei legami covalenti con gli atomi vibranti
possono essere descritte come urti con i fononi. In tali urti ogni fonone cerca di
conferire ad un elettrone un’energia media dell’ordine di una decina di meV a T=300 K.
 Non basta conferire energia all’elettrone, ma è richiesta anche la variazione di una sua
proprietà, detta impulso del cristallo.
 Tipicamente la transizione non è diretta (banda-banda), ma indiretta: avviene attraverso
stati quantici permessi nel bandgap, detti centri G-R, che derivano da impurità
indesiderate e difetti reticolari (inevitabilmente presenti).

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Sulla base di quanto affermato, dire che a T→0 K i 4×N stati quantici della banda di
valenza sono tutti allocati da elettroni significa che tutti gli elettroni del guscio n=3 sono
impegnati nei legami covalenti. Parimenti dire che i 4×N stati della banda di conduzione
sono tutti vuoti equivale ad affermare che non ci sono elettroni liberi.

Il valore del bandgap EG dipende dal materiale e, per un particolare materiale, dipende
dalla temperatura T (per i semiconduttori di interesse decresce all’aumentare di T).

semiconduttore EG (T→0 K) [eV] EG (T=300 K) [eV]

silicio 1.17 1.12*
germanio 0.74 0.66
arseniuro di gallio 1.52 1.42

* In realtà 1.12 eV è l’approssimazione di 1.124 eV.

Da questo si evince che l’aumento della concentrazione di elettroni liberi (e di legami

covalenti rotti) all’aumentare della temperatura dipende non solo dall’incremento
dell’energia vibrazionale degli atomi, ma anche dalla riduzione dell’energia necessaria a
liberare gli elettroni dai legami.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 10

In condizioni di equilibrio termodinamico, nel silicio intrinseco a T=300 K, come si è
menzionato in precedenza, ci sono 1.45×1010 elettroni liberi (e lo stesso numero di legami
covalenti non saturati) in un cm3 di materiale. La concentrazione di elettroni (e legami
covalenti non saturati) in un semiconduttore intrinseco prende il nome di concentrazione
intrinseca dei portatori di carica liberi e si indica con ni [cm-3]. La concentrazione di
elettroni liberi si indica con n [cm-3], che sta ovviamente per negative. Si noti che
l’arseniuro di gallio, avendo un bandgap maggiore del silicio, presenta un valore minore di
ni, pari a 1.79×106 cm-3; vale il contrario per il germanio che ha un bandgap minore ed
ni=2×1013 cm-3.

Esercizio
Determinare qual è la probabilità di liberazione di un elettrone impegnato in un legame
covalente nel silicio intrinseco a T=300 K all’equilibrio termodinamico.

Isolanti e conduttori
Si osservi che mentre i semiconduttori hanno tipicamente EG~1 eV, gli isolanti “soffrono”
di EG>3 eV, per cui a T=300 K gli elettroni in grado di liberarsi sono in numero
trascurabile, mentre i conduttori possono avere EG dell’ordine delle decine di meV o
anche nullo, per cui a T=300 K di fatto tutti gli elettroni appartenenti al guscio energetico
più esterno degli atomi sono liberi.
Il carbonio è un buon isolante; a T=300 K presenta EG=5.47 eV e n=10 cm-3.
Lo stagno è un buon conduttore; a T=300 K presenta EG=0.1 eV e n=1022 cm-3.

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Cenni ai fenomeni di trasporto
Il fenomeno di trasporto degli elettroni liberi è abbastanza intuitivo. Essi possono
muoversi sotto l’azione di un campo elettrico locale E (nel verso opposto rispetto a quello
del campo, avendo gli elettroni carica negativa) oppure a causa dell’agitazione termica e
della presenza di una concentrazione non uniforme. Nel primo caso si parla di
trascinamento, nel secondo di diffusione, come sarà più chiaro nel prosieguo. Grazie a
tali meccanismi, si ha un flusso netto di elettroni da un punto all’altro del cristallo.

È peraltro presente anche un fenomeno di trasporto meno intuitivo, legato agli elettroni
impegnati nei legami covalenti, ovvero allocati in stati quantici associati a livelli energetici
“bassi” inclusi nella banda di valenza.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 12

Supponiamo sia presente un legame covalente non saturato, che, come si è detto, si è
generato grazie alla liberazione di un elettrone. Tale legame, essendo caratterizzato dalla
presenza di un “buco” avente carica positiva, viene altresì detto lacuna o vacanza.

Può succedere che un elettrone che si trova in un legame covalente vicino scompaia
dalla sua posizione (lasciando così dietro di sé una lacuna) per andare a occupare il
“buco”, “soddisfacendo” il legame inizialmente non saturato.

L’energia richiesta per favorire tale meccanismo è molto più piccola di quella necessaria
per rompere un legame covalente (>EG), perché l’elettrone si sposta tra stati quantici
appartenenti a livelli energetici vicini in banda di valenza.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 13

Quindi si ha un moto di elettroni in banda di valenza (o, ciò che è lo stesso, a livello di
legame covalente), che è diverso, e meno efficiente, di quello degli elettroni liberi (che si
trovano a livelli energetici più “alti” compresi nella banda di conduzione).

Tale meccanismo può essere orientato, ad esempio, da un campo elettrico locale E; in tal
caso gli elettroni occupano successivamente le posizioni libere (soddisfacendo i legami
covalenti non saturati) secondo la direzione e il verso di E. Si ha, pertanto, un flusso non
nullo di portatori di carica e quindi conduzione di corrente.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 14

Piuttosto che descrivere questo fenomeno di trasporto come la sequenza di spostamenti
di più elettroni da una posizione a un’altra in accordo alla meccanica quantistica, è
preferibile riferirsi al moto fittizio della lacuna – rivista come particella della meccanica
classica – che si sposta nel verso opposto rispetto a quello dell’elettrone, e cioè nello
stesso verso del campo elettrico.

Muller e Kamins: «Se si osserva una bolla che si muove in una bottiglia piena d’acqua, in
realtà è l’acqua a muoversi, ma il fenomeno può essere più facilmente descritto facendo
riferimento al moto della bolla».

De Castro: «L’immagine della lacuna in movimento sintetizza un complicato numero di

piccolissimi spostamenti di tanti elettroni diversi a livello di legame covalente».

Le lacune sono pertanto da considerarsi cariche positive libere, e, al pari degli elettroni
liberi, possono prendere parte alla conduzione di corrente. La concentrazione di lacune si
indica con p [cm-3], che sta per positive.

In conclusione, esistono due fenomeni di trasporto, uno associato a elettroni liberi (a livelli
energetici elevati) e uno associato a elettroni impegnati nei legami covalenti (a livelli
energetici bassi), quest’ultimo descritto facendo riferimento a portatori fittizi di carica
positiva detti lacune. In ambo i casi, si può avere un flusso netto di portatori da un punto
all’altro del cristallo in presenza di un campo elettrico locale e/o di una disuniformità di
concentrazione (di elettroni liberi o elettroni impegnati nei legami covalenti).

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 15

Ipotesi e convenzioni

 Si farà tipicamente l’ipotesi di monodimensionalità, in cui le strutture risultano

caratterizzate da simmetria 1-D; le grandezze vettoriali (campo elettrico, velocità,
densità di corrente) avranno le sole componenti lungo x, e i loro moduli dipenderanno
dalla sola variabile spaziale x.
 Le intensità di tali componenti saranno convenzionalmente considerate positive se
dirette nel verso delle x crescenti, negative se dirette nel verso delle x decrescenti.
 Di solito si preferisce fare riferimento alle densità di corrente J [A/µm2] piuttosto che
alle correnti I [A] per “depurare” le espressioni dall’area investita dal flusso di carica;
per semplicità anche le J verranno talvolta denotate come “correnti”.
 Per convenzione la corrente di elettroni ha verso opposto rispetto al flusso dei
portatori, quella di lacune ha lo stesso verso del flusso.

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Energia potenziale e cinetica di elettroni e lacune nel diagramma a bande
Se un elettrone si trova al bordo inferiore della banda di conduzione (come 1), allora esso
è caratterizzato da energia cinetica nulla;* EC si può rivedere come l’energia potenziale di
un elettrone libero (o, equivalentemente, come l’energia totale di un elettrone libero in
quiete). L’elettrone 2 ha, di contro, energia cinetica En-EC, per cui si tratta di un elettrone
che si muove nel reticolo cristallino.

Analogamente, se una lacuna si trova sul bordo superiore della banda di valenza, è
caratterizzata da energia cinetica nulla; se si trova ad energia inferiore Ep, possiede
energia cinetica EV-Ep.

* In realtà si vedrà che questa condizione non può

essere raggiunta, perché non ci sono stati quantici
allocabili da elettroni sul bordo inferiore della banda
di conduzione.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 17

Semiconduttore intrinseco
Sulla base di quanto visto, è chiaro che in un semiconduttore intrinseco vale l’uguaglianza
n  p  ni
Come ripetuto più volte, nel silicio all’equilibrio termodinamico tale quantità è pari a
1.45×1010 cm-3 a T=300 K, che porta alla elevata resistività ρ=2.4×105 Ωꞏcm: il silicio
intrinseco non permette la conduzione di correnti significative.

Ad esempio, se si considera un cm3 di silicio intrinseco e a questo si applica una d.d.p.

pari a 1 V, allora si ha una corrente pari a
1V 1V 1V
I    4 μA
R L 2.4  10 Ω
5

S

Per fortuna, come si è detto in precedenza, i principali materiali semiconduttori godono

della importante peculiarità per cui si può variarne in modo controllato la conducibilità
elettrica attraverso l’introduzione selettiva di specie droganti (impurità).

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 18

In condizioni di regime si trova, dunque, un certo quantitativo (basso) di elettroni liberi.
Tuttavia essi non sono sempre gli stessi; è presente una condizione di equilibrio dinamico
in cui degli elettroni soddisfano un legame covalente rotto, ritornando energeticamente in
banda di valenza (ricombinazione), mentre in parallelo un quantitativo uguale di elettroni
si libera dai legami covalenti per effetto delle vibrazioni reticolari passando in banda di
conduzione (generazione). Pertanto la concentrazione di elettroni è sempre la stessa, ma
l’identità degli elettroni cambia per effetto di queste continue transizioni energetiche.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 19

Ritornando alla configurazione che si ha a T→0 K, sicuramente più comprensibile sulla
base delle competenze raggiunte, si arguisce che in questo caso, essendo tutti gli
elettroni impegnati nei legami covalenti, non sono presenti elettroni liberi, e quindi
fenomeni di conduzione ad essi associati, né lacune che possano permettere un flusso
netto di elettroni impegnati nei legami covalenti da una zona all’altra del cristallo. Questo
significa che il silicio (più in generale il semiconduttore) si comporta da isolante ideale.
Il modello dell’autorimessa (parking station) prospettato da Bonani e coautori (trattori) e
Green (automobili) è illustrativo: non ci può essere movimento (flusso) di veicoli né al
piano superiore (banda di conduzione) semplicemente perché non ci sono veicoli, né al
piano inferiore (banda di valenza) perché tutti gli spazi sono occupati da veicoli.

Ancora sulla banda di valenza, si può citare Yang:«Non è possibile nuotare in una piscina
piena di persone».

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 20

Di contro, quando a temperature maggiori alcuni legami covalenti si rompono, si hanno
sia elettroni liberi sia lacune che possono dar luogo a conduzione secondo i fenomeni di
trasporto accennati in precedenza (su cui si ritornerà nel prosieguo).

Se si riguarda questo meccanismo nel modello dell’autorimessa, si vede che il movimento

di veicoli è possibile sia al piano superiore che a quello inferiore.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 21

Concetto di massa efficace e bandgap diretto e indiretto

Un elettrone libero che si muove in un reticolo cristallino – a differenza di quanto

accadrebbe nel vuoto – è soggetto al potenziale periodico reticolare e agli urti con i fononi
(atomi vibranti). In linea di principio, il moto di tale elettrone dovrebbe essere descritto
facendo ricorso alla meccanica quantistica.

Tuttavia è di gran lunga preferibile fare ricorso a un approccio semi-classico, riadattando

le semplici e maneggevoli leggi della meccanica classica con opportuni parametri di fitting
e approssimazioni.

Per l’elettrone libero nel vuoto vale la relazione di dispersione, che lega l’energia cinetica
alla quantità di moto
1  me v 
2
1 1 p2
Ecin  me v 
2

2 2 me 2 me

Cercheremo di riadattare questa legge al caso di un elettrone libero all’interno del reticolo
cristallino del semiconduttore.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 22

Consideriamo una situazione di riferimento, in cui abbiamo campioni di silicio e arseniuro
di gallio intrinseci all’equilibrio termodinamico (condizioni stazionarie e assenza di
sollecitazioni) a 300 K.

Si vede che i livelli energetici EC ed EV non sono costanti nel materiale, ma in realtà
variano al variare della direzione cristallografica, e, per una certa direzione
cristallografica, variano al variare di una quantità detta impulso del cristallo

p  k
dato dal prodotto tra la costante di Planck ridotta e il numero d’onda k=2π/λ dell’elettrone-
onda (indicativo del numero di oscillazioni per unità di lunghezza). Secondo la legge di de
Broglie, l’impulso del cristallo deve in qualche modo rappresentare la quantità di moto
dell’elettrone-particella.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 23

Di solito si mostrano EC ed EV in funzione di due direzioni cristallografiche ben specifiche,
ovvero [1 0 0] e [1 1 1], perché sono le più importanti dal punto di vista dei fenomeni di
generazione/ricombinazione e trasporto; basti pensare che il bandgap (minima energia da
eccedere per liberare un elettrone da un legame covalente) si presenta proprio in questo
diagramma, essendo dato da

EG  min  EC  p    max  EV  p  

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 24

Osserviamo che
 i materiali come l’arseniuro di gallio dove il minimo di EC e il massimo di EV si
interfacciano per lo stesso impulso vengono detti a bandgap diretto;
 i materiali come il silicio dove questo non avviene vengono detti a bandgap indiretto

Inoltre
 EV ha un massimo per impulso nullo sia per l’arseniuro di gallio che per il silicio;
 EC ha un minimo per impulso nullo per l’arseniuro di gallio e per impulso non nullo
nella direzione [1 0 0] per il silicio;
 gli andamenti di EV ed EC sono parabolici nell’intorno del massimo e del minimo;
 l’energia cinetica di un elettrone libero è nulla quando esso giace sul minimo di EC;
 gli elettroni liberi si allocano in stati quantici in prossimità del minimo di EC, e non
distanti dal bordo.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 25

L’andamento quasi-parabolico degli elettroni, che hanno un’energia cinetica caotica
termica, suggerisce che la relazione di dispersione può essere fatta funzionare anche per
gli elettroni liberi, a patto di ottimizzare una massa di fitting mn, detta massa efficace
cinematica (anche cinetica o dinamica o conduttiva), che non coincide con la massa reale
dell’elettrone me:
2
1 p
Ecin  GaAs   E  min  EC  p   
2 mn  GaAs 
1  p  pc 
2

Ecin  Si   E  min  EC  p   
2 mn  Si 

da cui si arguisce che un elettrone libero nel silicio ha energia cinetica nulla se p  pc .
Si vuole peraltro ribadire che questa condizione non può essere raggiunta, perché non ci sono stati
quantici allocabili da elettroni sul minimo della banda di conduzione.

In queste relazioni, in accordo a de Broglie, p rappresenta la quantità di moto

dell’elettrone-particella libero nel reticolo del GaAs, e p  pc rappresenta la quantità di
moto dell’elettrone-particella libero nel reticolo del Si. Infatti, se tali quantità sono nulle,
anche l’energia cinetica è nulla.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 26

In ambo i casi

d 2E 1 1 1
 mn  
dp 2 mn d 2 E d 2 EC  p 
dp 2 dp 2

da cui si comprende che la massa efficace degli elettroni varia al variare della curvatura di
EC in funzione dell’impulso del cristallo. Se la curvatura è stretta (GaAs), allora la derivata
seconda è elevata e mn è piccola; se la curvatura è larga (Si), allora mn è grande.

mn  Si   mn  GaAs 

Nel silicio tipicamente si adotta mn=0.26ꞏme (in letteratura si possono trovare valori nel
range 0.19÷0.26 per il coefficiente) mentre nell’arseniuro di gallio la costante di
proporzionalità è nel range 0.05÷0.067.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 27

In conclusione, si può affermare che l’elettrone libero nel reticolo cristallino si comporta
come una particella della meccanica classica a patto di sostituire alla sua massa reale me
la massa efficace mn (più grande nel silicio che nell’arseniuro di gallio). Tale massa (che
tiene intrinsecamente conto del potenziale periodico reticolare) ci consentirà di far
funzionare approssimativamente anche la 2a legge di Newton e caratterizzerà anche
l’attitudine di un elettrone libero a muoversi sotto l’azione di un campo elettrico: la mobilità
degli elettroni µn (che tiene conto anche degli urti) risulterà inversamente proporzionale a
mn. Si vedrà che il moto di un elettrone libero nell’arseniuro di gallio (mn bassa) è facilitato
rispetto al silicio (mn elevata).

È possibile dimostrare che le interazioni tra elettroni, lacune, e altre quasi-particelle (come
fotoni e fononi) prevedono che siano rispettate le conservazioni dell’energia (che però
può essere trasformata in energia diversa) e dell’impulso del cristallo.

Nel prosieguo si introdurrà una massa efficace diversa dalla cinematica per descrivere un altro aspetto
della fisica delle particelle. Da questo si arguisce che mn è una sorta di parametro di fitting che cambia
al variare del fenomeno da esaminare.

Microelettronica Vincenzo d’Alessandro Fisica dei semiconduttori 28