I.

CAPITOLO I INTRODUZIONE ALLA FISICA DEI MATERIALI SEMICONDUTTORI

1.1 - Richiami di fisica atomica. LElettronica studia i dispositivi, i circuiti ed i sistemi nei quali la presenza ed il movimento degli elettroni gioca un ruolo fondamentale. Allo scopo di comprendere alcuni dei fenomeni su cui basato il funzionamento dei dispositivi elettronici, quali lemissione di elettroni dalla materia e la conduzione elettronica nei metalli e nei semiconduttori, necessario richiamare alcuni concetti di fisica atomica. Il primo modello dellatomo fu proposto nel 1911 da Ernest Rutherford, il quale ipotizz che latomo pi semplice, quello dellidrogeno, elettricamente neutro, fosse formato da un nucleo carico positivamente (protone), dove concentrata la quasi totalit della massa dellatomo, attorno al quale ruotasse in unorbita circolare un elettrone carico negativamente. Con riferimento alla meccanica classica, la stabilit del modello ipotizzato per latomo di idrogeno si poteva ottenere dallequilibrio di due forze eguali e contrarie: la forza di attrazione coulombiana tra lelettrone (carica e) ed il nucleo (carica +e), esattamente equilibrata dalla forza centrifuga dellelettrone ruotante attorno al nucleo. Indicando con e la carica dellelettrone e quindi anche quella del nucleo, con o la costante dielettrica del vuoto, con me la massa dellelettrone e con v la sua velocit, dallequilibrio delle due forze si ottiene:
e2 4 o r 2

(1.a)

(forza di attraz. coulomb.) =

me v 2 r

(forza centrif .)

In questo modello, coerentemente con quanto ipotizzato, lenergia totale dellelettrone ET data dalla somma della sua energia cinetica (1/2 me v 2) e della sua energia potenziale. Questultima data dal valore del potenziale sferico indotto a distanza r dalla carica del nucleo +e, moltiplicata per la carica dellelettrone, avendo preso come riferimento del potenziale un valore nullo quando lelettrone a distanza infinita dal proprio nucleo. In tal caso si ha:
E pot = e 4 o r ( e ) = e2 4 o r

(1.b)

(Novembre 2005)

I.2

Pertanto lenergia totale dellelettrone vale:

1 e2 me v 2 2 4 o r

ET =

Utilizzando lespressione di v

ricavabile dalla equazione (1.a) e sostituendola nella

precedente, si ottiene lenergia totale dellelettrone in funzione del raggio dellorbita circolare dellelettrone per latomo di idrogeno secondo il modello di Rutherford:
ET = e2 8 o r

(1.c)

La

rappresentazione

grafica

di

questa

E r ET EP

relazione riportata in figura; in tratteggio riportato landamento dellenergia potenziale in funzione del raggio dellorbita; questultima fornisce anche il raggio dellorbita pi esterna che pu occupare un elettrone nel caso in cui tutta la sua energia totale eguaglia la sua energia potenziale (noto anche come imbuto di energia potenziale, ottenibile con la rotazione del diagramma di figura attorno allasse delle ordinate). Il modello di Rutherford contraddice per uno dei risultati della legge fondamentale dellelettromagnetismo, che stabilisce che una carica in moto circolare irradia energia ad una frequenza correlata alla lunghezza dellorbita circolare. Se per lelettrone irradia energia, la perde a scapito della sua energia totale, che quindi diminuisce. Si riduce di conseguenza il raggio dellorbita, comportando una variazione della frequenza della radiazione emessa: cos procedendo, lelettrone finirebbe per cadere sul proprio nucleo. Al contrario, gli esperimenti eseguiti in laboratorio osservando le righe delle radiazioni emesse da un gas rarefatto di soli atomi di idrogeno eccitati da una scarica elettrica, dicono che le righe di emissione sono sempre alla stessa frequenza (o lunghezza donda si ricordi che f = c velocit della luce).

I.3

Questa osservazione fu recepita da Niels Bohr nel 1913, che ipotizz per il modello dellatomo di idrogeno proposto da Rutherford i ben noti tre postulati: a) che l'elettrone si possa muovere in orbite circolari di raggi ben precisi, alle quali vengono associati valori discreti di energia; quando lelettrone si trova in una di queste orbite, non irradia. I valori di energia permessi prendono il nome di livelli energetici o stati stazionari (si osservi che spesso nella materia trattata, come anche in vari testi sull'argomento, si parla di livello di un atomo al posto della dizione pi corretta di livello di energia di un elettrone dell'atomo). b) che l'elettrone possa irradiare (od assorbire) energia soltanto nella transizione da un'orbita ad un'altra, cio passando da uno stato energetico pi alto (pi basso) ad uno pi basso (pi alto). La frequenza della radiazione emessa legata alla differenza di energia degli stati energetici E2 ed E1 interessati dalla transizione (con E2 maggiore di E1), dalla relazione:
f = E 2 E1 h

(1.d)

avendo indicato con h la costante di Planck (6,62 10-34 J sec, oppure 3,48 10-15 eV sec). c) che i raggi delle orbite degli stati stazionari debbano soddisfare la condizione che il momento della quantit di moto dellelettrone sia un multiplo intero di h/2, cio
mev r = nh , 2

(1.e)

con n = 1,2,3

Con questi postulati possibile ricavare i raggi delle varie orbite e le energie relative per l'elettrone dell'atomo di idrogeno; i valori di energia cos ottenuti vengono indicati, come sopra si detto, con il nome di livelli energetici o stati energetici. Elevando al quadrato entrambi i membri della (1.e) e sostituendovi lespressione di v 2 ricavabile dalla (1.a), si ottiene linsieme discreto dei raggi delle orbite circolari permesse allelettrone dellatomo di idrogeno:
n2 h2 o me e 2

(1.f)

rn =

Per ricavare linsieme discreto dei valori delle energie totali dellelettrone sufficiente sostituire lespressione appena trovata nella (1.c). Si ha cos:

I.4

(1.g)

En =

me e 4
2 8 n2 h2 0

Dando allintero

i valori

1, 2, 3...., si ottengono i vari valori dellenergia totale

dellelettrone dellatomo di idrogeno, cio linsieme discreto degli stati energetici permessi. Da questi valori, possibile prevedere teoricamente tutti i salti Em - En consentiti e quindi i valori delle frequenze delle radiazioni emesse, ricavabili dalla (1.d) ed osservabili in laboratorio eccitando un insieme di atomi di idrogeno; tale verifica sperimentale ha giustificato i postulati di Bohr. Normalmente lelettrone tende ad occupare lo stato energetico a valore di energia pi basso, anche chiamato stato fondamentale; nel caso dellatomo di idrogeno ci corrisponde alla coppia di valori delle (1.f) e (1.g) per n = 1, che forniscono rispettivamente E1 = - 13,58eV ed r1 = 0,529 . Allorch si fornisce allelettrone energia dallesterno, questo va ad occupare stati energetici a valori di energia pi alti e con orbite di raggio crescente, diventando cos sempre pi lascamente legato al proprio nucleo. Viene definito potenziale di ionizzazione lenergia che necessario impartire allelettrone affinch esso si stacchi dal proprio nucleo. Poich in realt nella trattazione che segue saremo interessati soprattutto alle differenze di energia tra i vari livelli energetici occupabili dagli elettroni, normalmente si pone eguale a 0 lenergia del livello pi basso e cio quello dello stato fondamentale. I metodi utilizzati per far variare lenergia degli elettroni di un atomo comprendono le collisioni con altre particelle (trasferimento di energia cinetica), gli urti con le pareti del contenitore e linterazione con fotoni (quanti elementari di energia luminosa hf ), che pu dar luogo o allassorbimento di fotoni con conseguente eccitazione degli elettroni o alla emissione di radiazione da parte degli elettroni con diseccitazione degli stessi. Esercizio: Determinare i valori dei raggi delle orbite per n=1, 2, 3, i corrispondenti valori delle energie totali dellelettrone dellatomo di idrogeno e le frequenze delle transizioni E3 E2, E3 E1, E2 E1. Esercizio: Calcolare la lunghezza donda in micron delle radiazioni emesse nelle transizioni tra E2 ed E1 con valori pari a 1, 1,5 e 2 eV.

I.5

1.2 - Dai livelli energetici alle bande di energia. La teoria di Bohr, che si utilizzata per ricavare i raggi delle varie orbite e le energie relative per lelettrone nellatomo di idrogeno, non in grado di spiegare i fenomeni riguardanti atomi con pi di un elettrone. Tale problema viene affrontato con l'ausilio della meccanica quantistica che, oltre a confermare i risultati ottenuti con il modello atomico di Bohr per l'idrogeno, in grado di fornire i livelli energetici per sistemi pi complessi. Un risultato fondamentale della meccanica quantistica afferma che quando si costituisce un sistema formato da due atomi identici (ad esempio una molecola biatomica), per ogni livello energetico dell'atomo isolato si vengono a creare due livelli del sistema complessivo, le cui energie sono prossime a quelle del livello dell'atomo isolato; la separazione fra le energie dei due livelli cresce con il diminuire della distanza fra i due atomi. Per chiarire questo fenomeno, consideriamo una situazione analoga presa in prestito dallanalisi delle reti elettriche: se supponiamo di avvicinare ad un circuito risonante "LC" senza perdite, in assenza quindi di dissipazioni di energia e caratterizzato da una frequenza di risonanza f0 (vedi fig. 1), un secondo circuito identico al primo, creando cos un coefficiente di mutua induzione M fra le due bobine, vediamo che il sistema presenta due frequenze di risonanza ( f1 ed f2 ), una un p pi alta ed una un p pi bassa del valore originario f0. L'analogia fra i due casi tra le frequenze di oscillazione del sistema dei due risuonatori ed i valori di energia dei livelli occupati da elettroni nel sistema formato dai due atomi. Se estendiamo il ragionamento fatto a sistemi con pi atomi, possibile intuire che nel caso dei solidi, dove il numero di atomi che si influenzano reciprocamente grandissimo e dato che il numero di stati energetici uguale alla somma degli stati degli atomi singoli, ogni

L C L C

L C

risuonatore elementare: f0 = 1 / 2(LC)

1/2

2 risuonatori elementari accoppiati: f1 = f0 / (1 k)1/2 f2 = f0 / (1 + k)1/2 dove Fig. 1 M=kL con 0 k 1

I.6

livello degli atomi (supposti tutti identici) costituenti il sistema dar luogo ad un numero cos grande di livelli di energia molto vicini tra loro ed a quello originario da poter considerare praticamente continuo l'insieme di tali livelli; un insieme di questo tipo prende il nome di banda di energia. In un solido omogeneo, perfettamente regolare, senza impurit e costituito da un proprio reticolo cristallino (struttura che ripete infinite volte la struttura di una cella elementare), si indica con il nome di banda di valenza l'ultima banda occupata dagli elettroni; la successiva banda, la banda di conduzione, normalmente vuota. Prende il nome di banda interdetta, cos definita perch "proibita" agli elettroni, l'insieme dei valori di energia compresi tra l'estremo inferiore della banda di conduzione (EC) e l'estremo superiore della banda di valenza (EV). Per chiarire quanto definito, in fig. 2 viene indicata una rappresentazione tipica delle bande di energia per un solido, avendo riportato nellasse x delle ascisse una banda di conduzione qualsiasi direzione del reticolo cristallino e nellasse E delle ordinate lenergia totale degli elettroni. Gli elettroni degli atomi che costituiscono un solido, sono distribuiti nelle bande permesse, riempiendo in esse gli stati energetici ad energia pi bassa (quindi gli stati disponibili nella banda di valenza); in accordo al principio di esclusione di Pauli, un qualsiasi stato non pu essere occupato nello stesso istante da pi di un elettrone. Per i nostri scopi possiamo classificare i materiali solidi in tre gruppi, conduttori, isolanti e semiconduttori, a seconda della dislocazione relativa tra le bande di valenza e di conduzione. In fig. 3 vengono rappresentate nei tre casi le distribuzioni delle bande suddette. In fig. 3.a) indicato il caso dei conduttori, per i quali la banda di conduzione parzialmente sovrapposta a quella di valenza. E' noto che il processo di conduzione elettrica in un solido consiste in un moto di elettroni orientato nella direzione in cui viene applicato un campo elettrico dallesterno. In termini di energia ci significa che un materiale pu condurre se gli elettroni della banda di valenza possono, acquistando energia dal campo, occupare degli stati energetici liberi. Nei conduttori, data la sovrapposizione delle bande, gli elettroni di valenza, anche sotto l'azione di un debole campo elettrico, hanno la possibilit di occupare Fig. 2

EC
banda interdetta

EV
banda di valenza

I.7

un gran numero di stati liberi della banda di conduzione e quindi in tali materiali il fenomeno della conduzione non solo possibile, ma richiede dall'esterno una quantit minima di energia. Molto differente la situazione degli isolanti: in questo caso, come indicato schematicamente in fig. 3.b), gli elettroni di valenza, fortemente legati al loro nucleo, riempiono totalmente la banda di valenza e non possono occupare, a causa del valore notevole della banda interdetta, gli stati liberi della banda di conduzione, tranne che non venga loro impartita dall'esterno una energia molto elevata (ad esempio, nel caso della rottura degli isolanti). Quindi in condizioni normali nei materiali isolanti il processo di conduzione impossibile.

E EC

EV EC EV x
Conduttore a)

EG

EC EV EG

x
Isolante b) Fig. 3 Semiconduttore c)

Il caso intermedio rappresentato dai materiali semiconduttori, che hanno la distribuzione delle bande del tipo indicato in fig. 3.c), con valori della banda interdetta EG (detta anche banda proibita in quanto impedita agli elettroni, dato che non vi sono stati energetici occupabili), pari ad EC - EV, dell'ordine dell'elettron-volt (si ricordi che 1 eV = 1,6x10-19 Joule l'energia che un elettrone acquista attraversando una zona con una differenza di potenziale accelerante di 1 Volt). Gli elementi semiconduttori sono in genere appartenenti al IV gruppo del sistema periodico ed i legami covalenti fra atomi vicini sono modestamente forti; anche composti III-V hanno comportamento simile, come il GaAs (arseniuro di gallio) o il InP (fosfuro di indio). A temperatura maggiore dello zero assoluto, l'agitazione termica degli atomi pu produrre la rottura di qualche legame; ci corrisponde, dal punto di vista energetico, alla

I.8

cessione di una quantit di energia pari o maggiore di EG a qualche elettrone che si trovi nella banda di valenza che, cos, "salta" nella banda di conduzione. A tale fenomeno essenzialmente legato il processo di conduzione nei materiali semiconduttori; in essi quindi la conducibilit, come vedremo in seguito, viene fortemente influenzata dalla temperatura e, in generale, dall'assorbimento di energia di qualsiasi tipo dall'esterno. Poich laltezza della banda interdetta dipende dalla distanza interatomica, che intuitivamente varia con la temperatura, ne consegue che anche la EG funzione di T e diminuisce al crescere di T. Esprimendo la temperatura T in gradi Kelvin, per i tre semiconduttori pi comuni, germanio, silicio ed arseniuro di gallio, si ha rispettivamente:
E G ( T ) = 0 ,785 3 ,7 x 10 4 T E G ( T ) = 1 ,17 E G ( T ) = 1 , 52 4 ,73 x 10 4 T T + 636 5 , 4 x 10 4 T T + 204
2 2

per il Ge per il Si per il GaAs

1.3 - I semiconduttori intrinseci e la concentrazione intrinseca. Abbiamo visto che, quando l'altezza EC - EV della banda "proibita" (banda

compresa tra i livelli EC ed EV nel diagramma di energia degli elettroni di fig. 4) non troppo grande rispetto al termine kT (*), un certo numero di elettroni verr a trovarsi nella banda di conduzione, avendo ricevuto dall'agitazione termica l'energia necessaria a compiere il salto. Questi elettroni, promossi nella banda di conduzione, possono adesso muoversi (acquistare cio energia cinetica) sotto l'azione di un campo elettrico; il materiale presenter dunque una certa conduttivit elettrica, intermedia fra quella elevata di un conduttore metallico e quella quasi nulla di un buon
(*)

EC

EV

x
Fig. 4

La costante di Boltzmann k vale 1,38 x 10-23 J/ pari ad 8,6 x 10 -5 eV/ il termine kT, K K; che a temperatura ambiente vale 0,026 eV, d una misura dell'energia di agitazione termica.

I.9

isolante. Dal processo che responsabile della presenza di questi elettroni, si desume che la conduttivit di un materiale semiconduttore sar funzione della temperatura. I materiali semiconduttori pi comuni, come gi detto, sono rappresentati dal germanio, dal silicio e dallarseniuro di gallio, per i quali EC - EV 0,67 eV, 1,11 eV e 1,43 eV a temperatura ambiente. In realt la conduzione della corrente elettrica nei semiconduttori non dovuta solamente agli elettroni presenti nella banda di conduzione. Ognuno di essi, infatti, ha lasciato libero un "posto" (un livello energetico) nella banda di valenza, che in tal modo non risulta pi completamente occupata. E' possibile quindi agli elettroni dei livelli inferiori della banda di valenza, occupare questi stati resi liberi, acquistando l'energia necessaria (infinitesima) sotto l'azione del campo elettrico applicato. Questa conduzione, dovuta al moto degli elettroni (cariche negative) nella banda di valenza, pu considerarsi dovuta al moto dei "posti liberi", assimilati a cariche positive mobili. Il concetto di lacuna mobile cos introdotto, dotata di una carica +e e massa dell'ordine di quella dell'elettrone, utilissimo e universalmente adottato. Il concetto pu essere chiarito intuitivamente pensando al moto di una bolla di aria entro un liquido: quando la bolla sale verso Ia superficie, in realt il liquido che scende attorno ad essa; tuttavia pi facile considerare la bolla che sale come una specie di massecola negativa che tende verso la posizione di minima energia potenziale (la superficie del liquido) ed analogamente verso il livello EV per la lacuna. Nel caso finora considerato di un cristallo semiconduttore perfettamente puro ed omogeneo, privo cio di elementi estranei (semiconduttore intrinseco), il numero delle cariche "n" (elettroni) sempre eguale al numero delle cariche "p" (lacune), dato che per ogni elettrone che si rende libero nella banda di conduzione per effetto della temperatura, si sar creata una lacuna in banda di valenza, cio queste cariche vengono create a coppie. Un primo passo nello studio dei materiali semiconduttori consiste nel determinare, per data temperatura T, quanti elettroni (eguali ad altrettante lacune e quindi n = p) vi saranno per unit di volume del semiconduttore. E' chiaro che il problema di natura statistica: in condizioni di equilibrio si avranno continuamente rotture e ricostituzioni di legami covalenti, con conseguente bilanciamento dei due processi di generazione e di ricombinazione di coppie lacuna-elettrone; si tratta di determinare dei valori medi. Il problema della distribuzione degli elettroni fra i livelli energetici esistenti nei solidi risolto dalla statistica di Fermi-Dirac, il cui risultato, per quanto riguarda questa trattazione, rappresentato dalla funzione di distribuzione di Fermi-Dirac: vale rispettivamente

I . 10

(2.a)

F( E ) =

1
( E E F ) 1 + e kT

che un livello avente energia E sia occupato da un elettrone alla temperatura T. Si vede subito che F(EF) = 1/2 ; e quindi il livello di Fermi EF si pu definire come quel livello di energia che ha il 50% di probabilit di essere occupato da un elettrone. La funzione F(E), rappresentata nella fig. 5 per quattro valori diversi della temperatura T, antisimmetrica rispetto al punto (EF , 0,5) come si pu verificare immediatamente. Esercizio:

Determinare i valori di E per cui F(E) vale 0,1 e 0,9 rispettivamente; si esprima E - EF in unit kT per i due casi. (E - EF = 2,2 kT)

Supponendo noto, per il momento, il valore di EF, e data la temperatura, sar determinata F(E). Per ottenere il numero effettivo di elettroni per cm3, presenti in media nell'intorno di una certa ordinata (energia) nel diagramma delle bande (fig. 4), occorre moltiplicare il numero di livelli energetici (per cm3) esistenti nell'intorno di quella energia per la funzione F(E); ci in base alla definizione di probabilit. Le densit dei livelli nell'intorno di EC e di EV, indicate con NC ed NV (cm-3) sono date per il germanio e per il silicio nella tabella I; esse sono funzioni della temperatura, e risultano proporzionali a T3/2. Indicando con n e p le concentrazioni per cm3 di elettroni liberi e di lacune libere, si avr per un semiconduttore intrinseco, in base a quanto detto: (2.b) n = NC F(EC) = p = NV [1 - F(EV)]

dato che la probabilit di avere una lacuna a un certo livello pari alla probabilit che il livello non sia occupato. In realt, i valori di NC e di NV assunti nel ricavare la (2.b) rappresentano dei valori medi e la trattazione seguita molto approssimata, se non errata, poich non si tenuto conto, tra laltro, del principio di Pauli.

Questa funzione d la probabilit (0

1)

F(E) 1
T2 T3 To = 0 K T1

0,5
To< T1< T2< T3

0 EF
Fig. 5

I . 11

Un procedimento, pi soddisfacente dal punto di vista matematico, per arrivare allo stesso risultato deve tener conto che la funzione densit dei livelli energetici N(E) una funzione dellenergia E e pertanto la concentrazione di elettroni complessivamente presenti nella banda di conduzione si ottiene attraverso lintegrazione, estesa a tutta laltezza della banda stessa, del prodotto della funzione N(E) per la funzione di Fermi F(E); cio si ha:

n=

N ( E ) F ( E ) dE
E top EC

avendo indicato con Etop il valore massimo di energia della banda di conduzione. La funzione N(E) nella banda di conduzione data da AC (E EC) , dove AC una costante che vale 4 (2mc)3/2/h3. Potendosi assumere che normalmente nei semiconduttori intrinseci E EF >> kT, la F(E) si pu approssimare in:
( E E F ) kT
1/2

F( E ) = e

Quindi si ha:

n = AC

E top

(E EC )1 / 2 e

( E EF ) kT dE

EC

Sommando e sottraendo nellesponente della F(E) la quantit EC e mettendo in evidenza la quantit (kT)3/2, si ottiene:
n = AC (kT )

EC

Introducendo una nuova variabile definita come (E - EC)/kT = x, lintegrale diventa:

n = AC (kT )
( EC EF ) kT

3/2

x' 0

x 1 / 2 e x dx

con lestremo x che si pu assumere , dato che Etop - EC >> kT ; in questo caso il valore dellintegrale noto e pari a 2 . Lespressione trovata identica alla (2.b) se si assume per NC il valore AC ( kT ) 3 / 2

2.

3/2

Etop

E Ec kT

1/ 2

( E EC ) ( E E ) C F kT e kT d

E EC kT

I . 12

Prima di procedere oltre si noti che, analogamente a quanto sopra visto nel caso in cui E EF >> kT , possibile ottenere una espressione semplificata della F(E) valida quando si ha EF E >> kT :
F( E ) = 1 e

( E E F ) kT

Ci risulta immediatamente dallo sviluppo in serie della funzione F(E) (binomio di Newton troncato). La (2.b) d, con queste approssimazioni:

(3)

NC e

( EC EF ) kT

= NV e

( EF EV ) kT

= ni

dato che nel semiconduttore intrinseco

n = p = ni , avendo indicato con questultimo

simbolo la concentrazione di elettroni o delle lacune nel semiconduttore intrinseco; di conseguenza si trova immediatamente che la concentrazione intrinseca ni vale:

n i = NC NV e

EG 2 kT

Inoltre dalle (3) si ricava facilmente la posizione del livello di Fermi nel semiconduttore intrinseco, che vale:
EF = EC + EV N kT + ln V = E i 2 2 NC

(4)

Nella (4) si indicato con Ei il livello di Fermi per un semiconduttore intrinseco; esso al centro della banda interdetta se NC = NV. Poich NC ed NV sono dello stesso ordine di grandezza, in pratica Ei dista da (EC + EV)/2 di una quantit molto piccola, dellordine di kT/2 (a temperatura ambiente, kT = 0,026 eV, mentre EC - EV 1,1eV per il silicio). Ci giustifica, fra laltro, le approssimazioni fatte sopra per F(E) in vicinanza di EC ed EV. In sintesi, noto il materiale semiconduttore e la temperatura T a cui esso si trova, si conosce la concentrazione intrinseca ni. Esercizio: Con i valori di NC ed NV dati nella tabella I, calcolare il numero dei portatori liberi intrinseci ni = n = p per il silicio a temperatura ambiente.

I . 13

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si+ e-

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 6

Fig.7

Il fenomeno della creazione di portatori mobili in un cristallo si pu descrivere da un altro punto di vista, riferendosi alla struttura del reticolo cristallino, che per il silicio quella del sistema cubico a facce centrate. La fig. 6 d una rappresentazione piana del reticolo per il caso del silicio puro. I quattro elettroni di valenza di ciascun atomo di silicio formano legami covalenti con elettroni di altri quattro atomi; in queste condizioni tutti gli elettroni sono legati ai rispettivi atomi e non si hanno portatori mobili che possano condurre corrente elettrica. La fig. 7 rappresenta il caso in cui si creata una coppia elettrone-lacuna con la rottura di un legame: il posto lasciato libero dallelettrone (adesso mobile) pu venir preso da un elettrone di un atomo confinante praticamente senza spesa di energia: la lacuna, anche in questa rappresentazione, equivalente a una carica positiva mobile. Occorre a questo punto sottolineare che, a temperatura ambiente, i valori delle concentrazioni intrinseche (cio n = p = ni ) sia nel silicio (circa 1010 cm-3), sia nel germanio (circa 1013 cm-3), sia ancora nellarseniuro di gallio (circa 107 cm-3) sono di molti ordini di grandezza inferiori alle concentrazioni di elettroni liberi nei metalli ( circa 1022 cm-3) e pertanto intuibile che la conducibilit dei semiconduttori intrinseci risulti molto bassa.

1.4 - I semiconduttori drogati e le concentrazioni maggioritarie e minoritarie. Un metodo molto efficace per aumentare la concentrazione di cariche mobili nei semiconduttori consiste nell'introduzione di alcune particolari impurit nel reticolo cristallino

I . 14

del materiale semiconduttore. Consideriamo il caso (fig. 8) di una impurit costituita da un atomo di un elemento che abbia cinque elettroni di valenza (appartenente quindi al V gruppo del sistema periodico, ad esempio: fosforo), inserito sostituzionalmente nella struttura cubica del silicio. Quattro elettroni di questo atomo impurit saturano altrettanti legami covalenti con il silicio, mentre il quinto elettrone non pu costituire legame covalente con nessuno degli atorni confinanti, tutti tetravalenti: esso risulta perci molto meno legato allatomo di fosforo cui apparteneva. Mentre per staccare un elettrone da un'atomo di silicio occorre unenergia di 1,1 eV (EC - EV della trattazione precedente), per liberare lelettrone in piu del fosforo baster molto meno, circa 0,05 eV. Ci dar luogo ad un portatore libero di muoversi (lelettrone) di tipo n che potr partecipare alla conduzione; latomo di fosforo, privato del quinto elettrone, cio ionizzato, invece una carica immobile (anche detta carica fissa) perch legata al reticolo cristallino. In un semiconduttore che contenga impurit di questo tipo (atomi donatori), a temperatura ambiente si ha un eccesso di portatori (mobili) negativi, e si dice che il semiconduttore di tipo n. I portatori maggiormente presenti, in questo caso elettroni, vengono chiamati portatori maggioritari e la loro concentrazione indicata con nn, mentre la concentrazione della carica mobile maggioritaria -qnn ; le lacune vengono chiamate portatori minoritari e la loro concentrazione indicata con pn. Analogamente la concentrazione della carica mobile minoritaria sar data da qpn. Quindi il pedice applicato alle concentrazioni identifica il tipo di semiconduttore. Fig. 9 Fig. 8

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

I . 15

La fig. 9 rappresenta il caso dellinserimento di un atomo impurit costituito da un elemento appartenente al III gruppo (trivalente, ad esempio: boro) situato sostituzionalmente nel reticolo cristallino del silicio. Con una spesa totale di energia molto bassa, ancora dellordine di 0,05 eV, possibile strappare un elettrone da uno dei legami silicio-silicio e utilizzarlo per completare il legame mancante dellatomo di boro, ricostituendo cos attorno ad esso la simmetria del reticolo. Adesso latomo di boro (ionizzato) una carica fissa negativa e la mancanza di un elettrone venutasi a creare nel reticolo del silicio genera una lacuna mobile, disponibile per il processo di conduzione. Un semiconduttore ricco di impurit di questo tipo (atomi accettori) mostra a temperatura ambiente, un eccesso di portatori (mobili) positivi e si chiama semiconduttore di tipo p. Analogamente a quanto visto sopra, i portatori maggiormente presenti, in questo caso lacune, vengono chiamati portatori maggioritari e la loro concentrazione viene indicata con pp, mentre la concentrazione della carica maggioritaria mobile sar qpp; in questo tipo di semiconduttori gli elettroni vengono chiamati portatori minoritari e la loro concentrazione viene indicata con np, mentre concentrazioni identifica il tipo di semiconduttore. Nella rappresentazione del silicio a mezzo delle bande di energia, la presenza delle impurit (che sono in percentuale minima rispetto agli atomi costituenti il reticolo, dellordine di 1 per ogni milione di atomi di silicio) determina la creazione di livelli energetici localizzati spazialmente che cadono entro la banda proibita del semiconduttore. Precisamente, per quanto si detto sopra, i livelli donatori (ED in fig. 10.a), generati dalla presenza nel reticolo di elementi del V gruppo, si troveranno molto vicini (circa 0,05 eV al di sotto) al margine inferiore della banda di conduzione EC, mentre i livelli accettori (EA in fig. 10.b), generati dalla presenza di elementi del III gruppo, si troveranno circa 0,05 eV al di sopra del margine superiore della banda di valenza EV. E' facile prevedere che a temperature non troppo basse, la maggior parte degli elettroni degli atomi donatori ricever la concentrazione della carica minoritaria mobile sar -qnp. Anche qui il pedice applicato alle

E EC ED Ei EV
0,05 eV

E EC Ei EA EV

0,05 eV

x
a) Fig. 10 b)

I . 16

dalla agitazione termica l'energia necessaria per portarsi nella banda di conduzione: similmente, la maggior parte degli atomi accettori catturer elettroni, cio ceder lacune alla banda di valenza. Leffetto del drogaggio (presenza di impurit) sulla distribuzione dellenergia degli elettroni consiste nello spostare, per il semiconduttore drogato, la posizione del livello di Fermi EF, che non coincider pi con il valore intrinseco Ei. La posizione del livello si avviciner a EC o a EV a seconda che prevalga l'effetto degli atomi donatori o degli atomi accettori. Per vedere ci, richiamiamo le espressioni date dalle (3) ed utilizziamo le formule approssimate per la funzione di Fermi F(E); si ha:

(5)

n = NC e

( EC EF ) kT

p = NV e

( EF EV ) kT

Dato che le funzioni che forniscono la distribuzione della densit degli stati energetici nelle bande di conduzione e di valenza non variano con il drogaggio, il metodo utilizzato per arrivare alle (5) resta comunque valido. Ma poich il drogaggio altera le concentrazioni n e p, lunica quantit che varia con il drogaggio non pu che essere la posizione del livello di Fermi EF. Si noti altres che, facendo il prodotto membro a membro delle (5), si ottiene:

(6)

pn = NC NV e

( EC EV ) kT

= n i2 T 3 e

EG kT

Si osservi che, per un semiconduttore drogato, p sar in generale diverso da n; ma la (6) mostra che il prodotto delle due concentrazioni rimane costante al variare della concentrazione delle impurit e pari al quadrato della concentrazione intrinseca; cio il prodotto pn dipende soltanto dal materiale e dalla temperatura. Questa una relazione fondamentale (costanza del prodotto pn in equilibrio, anche detta legge di azione di massa) cui nel seguito si far pi volte riferimento. E appena il caso di sottolineare che la variazione dominante di ni2 con T attraverso la funzione esponenziale piuttosto che attraverso T 3.

1.5 - La legge di azione di massa. La costanza del prodotto pn in condizioni di equilibrio in un semiconduttore drogato pu essere dimostrata per altra via. Riassumendo gli effetti dovuti alla presenza di impurit nei materiali semiconduttori, si pu affermare che:

I . 17

- Il piccolo numero di cariche libere presenti in un cm di semiconduttore intrinseco porta alla necessit di considerare la possibilit di introdurre piccole concentrazioni di impurit che siano in grado di modificare drasticamente la disponibilit di portatori liberi nei semiconduttori (nel silicio ni vale circa 10 cm , vi sono circa 10 atomi di silicio in un cm , la concentrazione di impurit introdotte normalmente di 1 per 10 di atomi di silicio, il numero di elettroni liberi nel semiconduttore drogato sar dellordine di 10 cm dato che ogni atomo donatore genera un elettrone libero). - I due tipi di impurit esaminati sono normalmente costituiti sia da atomi di elementi del V gruppo e vengono indicati come impurit donori, dato che danno luogo ad elettroni liberi, gi a temperatura ambiente, nella misura di 1 elettrone per ogni atomo donatore, sia da atomi accettori che generano lacune nella stessa misura e che sono costituiti da elementi del III gruppo. La presenza di portatori liberi nei semiconduttori in condizioni di equilibrio dovuta a due effetti: a) creazione di coppie elettrone-lacuna per effetto della generazione termica; b) ionizzazione di impurit immesse allinterno del reticolo cristallino. Sappiamo inoltre che, anche se i due effetti sono sempre presenti, il processo a) richiede, affinch avvenga, una quantit di energia maggiore di quella richiesta normalmente dal processo b). Immaginiamo inoltre di essere in condizioni di equilibrio termico definito come segue: 1) La temperatura uniforme in ogni punto del cristallo semiconduttore e non varia nel tempo (regime stazionario). 2) Non vi sono campi elettrici, o magnetici, o radiazioni elettromagnetiche che dallesterno influenzano il cristallo. 3) Il moto di elettroni e lacune presenti completamente casuale e le concentrazioni di questi sono costanti e determinate statisticamente. Si consideri a questo punto un semiconduttore di tipo n (analogo procedimento si potrebbe fare partendo da un semiconduttore di tipo p) drogato sia con impurit del V gruppo, la cui concentrazione indichiamo con ND, sia con impurit del III gruppo, la cui concentrazione indichiamo con NA, ma con ND > NA, cio in questo caso prevale il drogaggio di tipo n. Supponiamo poi di essere a temperatura ambiente e che a questa temperatura tutte le impurit siano ionizzate. Osserviamo, come chiarito in fig. 11, che una parte di
-3 16 3 6 10 -3 22

I . 18

elettroni derivanti dalle impurit ND (in numero pari ad NA) impegner gli NA stati energetici disponibili. I rimanenti elettroni saranno pari a ND - NA. Per effetto della generazione termica vi sar inoltre una creazione di coppie elettrone-lacuna la cui concentrazione indichiamo con nth. Quindi le concentrazioni dei portatori saranno: (7) nn = ND - NA + nth e pn = nth

Il processo di generazione termica il processo con cui un elettrone passa dalla banda di valenza alla banda di conduzione, mentre il processo di ricombinazione il processo inverso, in quanto lelettrone libero, nel suo moto del tutto casuale, pu trovarsi in prossimit di una lacuna e pu occupare questo legame: in questo caso scompare una coppia elettrone-lacuna. In condizioni di equilibrio termico i due processi si devono bilanciare, cio la rapidit di creazione di coppie deve essere pari alla rapidit di scomparsa: tante coppie si generano nellunit di tempo per effetto della generazione termica ed altrettante scompaiono nellunit di tempo per effetto della ricombinazione. Se cos non fosse, la concentrazione degli elettroni liberi n aumenterebbe sempre o diminuirebbe sempre ed il sistema non sarebbe mai in equilibrio (n e p costanti nel tempo, ad una data temperatura, anche se vi sar un continuo ricambio fra i portatori presenti). La generazione termica, indicata con Gth (cm-3 sec-1), determinata dallentit dellenergia termica disponibile e dalla energia richiesta per la creazione di una coppia elettrone-lacuna, pari a EG = EC EV. Quindi Gth una funzione di T e di EG e non dipende dalle concentrazioni delle cariche libere presenti, n dalla concentrazione delle impurit droganti. La ricombinazione R (cm-3 sec-1) dipende invece da quanto frequentemente un elettrone della banda di conduzione incontra una lacuna della banda di valenza. La velocit con cui le coppie elettrone-lacuna si ricombinano sar proporzionale alle concentrazioni p ed n; tanto pi numerosi sono gli elettroni liberi, tanto pi velocemente una lacuna incontrer un elettrone. La funzione di ricombinazione R anche funzione di EG e di T, che determina la velocit con cui si muovono i portatori liberi. Quindi potremo porre: Fig. 11

E EC ED Ei EA EV

I . 19

R = r nn pn ove r una funzione di EG e di T. Poich in equilibrio, come si detto sopra, deve essere Gth = R, segue che nel nostro caso Gth = r nn pn , e pertanto si ha:
nn pn = G th r

Il secondo termine soltanto funzione di EG e di T e quindi si dimostrato che in uno stesso semiconduttore, per esempio silicio, in condizioni di equilibrio e sempre alla stessa temperatura T, il prodotto delle concentrazioni degli elettroni e delle lacune costante e non dipende dallentit dei drogaggi. In particolare il valore della costante deve valere anche nel caso in cui il semiconduttore non sia drogato, cio sia intrinseco. Pertanto si ha:
G th r
= n i p i = n i2

(8)

Sostituendo questo valore di Gth /r nella precedente, si ottiene la relazione gi chiamata "legge di azione di massa": (9) nn pn = ni2

Utilizzando per la concentrazione minoritaria pn l'espressione ni2/nn, e sostituendo questa nelle (7), si ha:
nn = ND NA + n i2 nn pn = n i2 nn

Risolvendo la prima per nn, si ottiene:

ND N A 2

nn =

(N D

NA

)2

+ n i2

quindi se ND - NA molto maggiore di 2ni, le concentrazioni di elettroni e lacune per un semiconduttore di tipo n valgono:

I . 20

(10)

nn = ND - NA

pn =

(N D

n i2
NA

Ovviamente, se si fosse avuto NA > ND le concentrazioni dei portatori liberi per un semiconduttore in questo caso di tipo p sarebbero state:
n i2
ND

(11)

pp = NA ND

np =

(N A

Si ricordi che questo risultato stato ottenuto partendo dallipotesi che tutte le impurit immesse nel reticolo fossero ionizzate. La legge di azione di massa, espressa dalla (9), esprime la propriet che al crescere del drogaggio ND cresce la concentrazione dei portatori maggioritari e diminuisce quella dei portatori minoritari. Esprime altres la propriet che un semiconduttore, inizialmente di tipo p con un drogaggio NA, pu essere convertito in un semiconduttore di tipo n aggiungendo una concentrazione di ND maggiore di quella NA. Un caso molto interessante si ha allorch nel semiconduttore si verifichi la condizione NA = ND ; in tal caso il semiconduttore si dice compensato e dal punto di vista delle concentrazioni dei portatori liberi identico ad un semiconduttore intrinseco.

1.6 - Nuove espressioni di n e di p in funzione di ni, Ei ed EF. Il risultato espresso dalla legge di azione di massa (9) permette di esprimere sia p che n in funzione di ni, di Ei e di EF. Infatti si ha:

(12)

n np n= = ni i = ni p p

NC NV e NV e

( EC EV ) 2 kT

( EF EV ) kT

= ni e

( E F E i ) kT

dove si fatto uso della definizione di Ei data dalla formula (4). Analogamente si ricava per la concentrazione delle lacune: (13)
p = ni e
( E i EF ) kT

I . 21

In un semiconduttore di tipo n l'eccesso di elettroni fornito dagli atomi donatori porta a una diminuzione del numero delle lacune rispetto al caso intrinseco, in base alla (9); avendosi n > ni e, per la (12), EF > Ei. Viceversa avviene nel caso di drogaggio di tipo "p". Esercizio: Per un semiconduttore drogato con 1017 atomi di impurit per cm3 calcolare la distanza media tra due impurit.
-3

(d = 2,16 x 10 cm =216 )

-6

Indichiamo con NA ed ND le concentrazioni (cm ) delle impurit accettori e donatori. Per i drogaggi che si usano nella maggior parte dei dispostivi a semiconduttore, EF, pur discostandosi da Ei, resta relativamente lontano dai margini della zona proibita (e anche dai livelli accettori e donatori, EA ed ED); d'altra parte solo in questo caso valgono gli sviluppi precedenti, dato che per F(E) abbiamo usato le espressioni approssimate. Allora il numero di atomi donatori ionizzati sar dato da:

N D [1 F ( E D )] = N D 1 e

( E D E F ) kT

ND

Il numero degli atomi accettori ionizzati sar:

N A [F ( E A )] = N A 1 e

( E F E A ) kT

NA

Praticamente, sia gli atomi donatori sia quelli accettori saranno completamente ionizzati. Se sono presenti soltanto atomi donatori, con concentrazione ND>>ni come di solito avviene, la concentrazione n degli elettroni disponibili praticamente dato da ND; nel caso di drogaggio con soli atomi accettori, se NA>>ni , invece p = NA. Il caso di drogaggio simultaneo p ed n , cio presenza di NA ed ND nello stesso semiconduttore, merita particolare attenzione, come gi detto. Se ND > NA , il semiconduttore risulta del tipo n , con concentrazione di elettroni data approssimativamente da ND NA. Ci perch gli atomi accettori, ionizzandosi, impegnano NA elettroni che quindi non risultano disponibili per la conduzione ( pi probabile che un atomo accettore impegni un elettrone libero anzich estrarne uno della banda di valenza). Analogamente nel caso NA > ND le lacune effettivamente disponibili per la conduzione sono p = NA ND. Come si gi accennato, i risultati fin qui ottenuti valgono per le concentrazioni di impurit normalmente impiegate.

I . 22

Al crescere del drogaggio, il livello EF si discosta da Ei tendendo verso uno dei margini della zona proibita; quando EF dista da EA o da ED di una quantit paragonabile o minore di kT , luso delle formule approssimate non pi giustificato e la trattazione si complica. In pratica ci si verifica per drogaggi NA o ND superiori a 1019 cm-3; un semiconduttore cos fortemente drogato si chiama degenere. Per il seguito ci limiteremo sempre, tranne in casi particolari che saranno evidenziati, allanalisi di dispositivi che utilizzano semiconduttori non degeneri. E bene rendersi conto a questo punto che anche in questo caso il drogaggio percentuale molto piccolo: una concentrazione di 10
3 3 19

atomi di

impurit per cm corrisponde per il silicio (densit 2,33 g/cm , peso atomico 28) a una concentrazione relativa di:
10 19 6 x 10 23 2 x 10 4 28 : 2 ,33

cio a una purezza del 99,98% in volume. Esercizio: Per silicio drogato. con 1016 atomi di boro per cm3, determinare la posizione del livello di Fermi a temperatura ambiente (27 e a 100 C) C. (27 : EF = Ei - 0,351 eV ; C 100 : EF = Ei - 0,285 eV). C

(Coulomb/cm3) totale deve essere nulla, come ben noto dallelettrostatica. Nel calcolare questa densit bisogna tener conto di tutte le cariche, sia fisse che mobili. Cio deve essere: (14) da cui: p n = NA ND In generale nellespressione della neutralit della carica totale, dovrebbe farsi riferimento, per quanto riguarda la concentrazione delle cariche fisse, a quella percentuale di impurit che alla data temperatura risultino ionizzate; cio lespressione esatta che tiene conto di una ionizzazione parziale : (15) con: p n = NA- ND+ = q (p n + ND NA) = 0

Qualunque sia il tipo (p o n) di semiconduttore, in equilibrio la densit di carica

I . 23

N A = N A [F (E A )] = N A

( E A E F ) 1 + e kT

+ N D = N D [1 F (E D )] = N D

( E F E D ) 1 + e kT

dato che, in un semiconduttore di tipo n, la probabilit di trovare un elettrone libero data dalla probabilit di non trovare il livello ED occupato dallelettrone. Una volta noti i valori di EA e di ED ed i drogaggi NA ed ND, sostituendo le espressioni di NA e di ND nella (15) e richiamando le (5), si ottiene un set di 3 equazioni con le quali possibile ricavare le concentrazioni dei portatori n e p e la posizione del livello di Fermi a qualsiasi temperatura. Ripetiamo, le formule valgono finch NA ed ND non sono troppo elevati (< 1019 cm-3). La fig. 12 mostra landamento in
+

n ( x 10 2 ND 1

16

cm )

-3

ni T (K) 0 300
Fig. 12

funzione della temperatura del numero di elettroni mobili per cm3 in un campione di silicio drogato con 1,2 x 1016 atomi donatori

600

per cm3. In un vasto campo di temperatura la concentrazione nn costante ed pari a ND. A temperature molto basse la percentuale di atomi donatori ionizzati diminuisce, riducendo il valore di nn ; a temperature elevate ni (funzione rapidamente crescente di T ) diventa dello stesso ordine o maggiore di ND e il semiconduttore tende a ridiventare intrinseco. Esercizio: Esprimere le concentrazioni maggioritarie e minoritarie in funzione del drogaggio, quando non si possono trascurare le concentrazioni minoritarie rispetto a quelle maggioritarie.

nn pp

1 = ND N A + 2 1 = NA ND + 2

(N D (N A

NA ND

+ 4 n i2 + 4 n i2

; ;

pn = np =

n i2 nn n i2 pp

I . 24

E
5 2 5 2

6 1 4 3
a) Fig. 13 1.7 - Conduzione nei semiconduttori.

6 1 4 3
b)

In una barretta di semiconduttore, intrinseco o drogato, con una concentrazione di cariche uniforme, le cariche libere si muovono di moto disordinato per effetto dellagitazione termica subendo di tanto in tanto delle collisioni con gli atomi e gli ioni del reticolo. In media il moto dovuto allagitazione termica non produce un netto spostamento di cariche attraverso una generica sezione in un intervallo di tempo misurabile macroscopicamente. Se alla barretta considerata viene applicata una differenza di potenziale tra due estremit opposte, il campo elettrico cos generato aggiunge una componente ordinata al movimento disordinato delle cariche mobili, che acquistano in queste condizioni una velocit media nella direzione del campo elettrico. Questa velocit media prende il nome di velocit di scorrimento (drift), anche chiamata velocit di deriva. In fig. 13 vengono rappresentate in modo schematico le traiettorie di un elettrone in un semiconduttore in assenza (fig. 13.a) ed in presenza (fig. 13.b) di campo elettrico applicato. Come si vede dalla figura, le traiettorie, che in assenza di campo elettrico sono rettilinee, si incurvano allorch sullelettrone agisce la forza dovuta al campo elettrico applicato. In questo caso nellintervallo di tempo tra collisioni successive lelettrone viene accelerato, cedendo ad ogni impatto lenergia acquistata dal campo al reticolo che si riscalda; il trasferimento di energia cinetica provoca un aumento delle ampiezze delle vibrazioni degli atomi. Il valore medio dei percorsi compiuti tra due collisioni successive viene indicato col nome di cammino libero medio. Per determinare in modo semplice la velocit media di scorrimento v, possibile fare il seguente ragionamento: il valore della velocit di una carica mobile nellistante generico t scelto nellintervallo di tempo fra collisioni successive vale:

I . 25

(16)

v(t) = v(0) + at

dove v(0) la velocit iniziale subito dopo la collisione ed a laccelerazione. Assumendo che la direzione in cui parte l'elettrone sia indipendente dal campo applicato, e quindi orientata in modo del tutto casuale entro langolo solido 4, possiamo ritenere che v(0) sia in media eguale a zero. Esprimendo nella (16) laccelerazione a in funzione della forza agente sulla carica mobile, si ottiene per la velocit media di scorrimento lequazione (17) v = q E tc / (2m*)

ove si indicato con tc il tempo libero medio tra collisioni successive e con m* la massa effettiva della carica (*). Sperimentalmente si visto che per campi elettrici non eccessivamente elevati (< 2 kV/cm per il silicio) la velocit media direttamente proporzionale al campo E. Il fattore di proporzionalit viene indicato con , [cm2 / volt sec] e prende il nome di mobilit che resta definita come la velocit media di scorrimento che una carica mobile assume sotto un campo elettrico unitario. Per campi elettrici molto intensi i risultati sperimentali mostrano un effetto di saturazione della velocit v in funzione di E e ci comporta una dipendenza di lespressione: (18) = q tc / (2m*)

Si osservi per che una trattazione rigorosa fatta in base alla meccanica quantistica d per la mobilit un'espressione simile a quella ricavata ma senza il coefficiente 2 a denominatore. Le collisioni che le cariche libere subiscono in un semiconduttore sono di due tipi: le collisioni con gli atomi del reticolo e quelle con le cariche fisse (atomi di impurit ionizzati); questi due fenomeni influenzano fortemente il tempo libero medio tc e quindi la mobilit. Le

(*)

La massa effettiva o efficace m* (in genere leggermente minore della massa dellelettrone libero) quella quantit che sostituisce nei cristalli la massa della carica nel vuoto per tener conto degli effetti della presenza del reticolo sulla accelerazione della carica stessa. La meccanica quantistica mostra che m* dipende dalla struttura delle bande di energia. Per gli scopi della materia trattata si tenga presente che m* differente per elettroni e lacune e ci spiega la differenza tra i valori di NC ed NV che dipendono anche da m*.

da

E; trascurando questa ipotesi, dalla definizione di

e dalla (17), si ottiene per la mobilit

I . 26

Fig. 14 analisi teoriche e gli studi sperimentali effettuati mostrano una dipendenza della mobilit dalla concentrazione delle impurit e dalla temperatura. Con riferimento alle collisioni con il reticolo, queste aumentano di frequenza con laumentare di T e pertanto la mobilit per queste collisioni diminuisce al crescere di T con la legge T - n con n che varia tra 1,5 e 2,5. Lo scattering dovuto invece alle collisioni con le impurit ionizzate decresce con T in quanto allaumentare di T cresce la velocit di agitazione degli elettroni e le traiettorie vengono influenzate meno dalla presenza del campo sferico che nasce attorno alle impurit ionizzate; in questo caso la mobilit cresce con T. La mobilit anche influenzata dalla presenza di difetti reticolari o dalla presenza di impurit non desiderate nel senso che la mobilit si riduce. Se pi effetti agiscono simultaneamente sul movimento degli elettroni o delle lacune, la mobilit complessiva di questi si compone come le resistenze in parallelo, cio: 1/ = 1/ + 1/ +

tot

I . 27

I risultati relativi allinfluenza della variazione della concentrazione delle impurit droganti (la concentrazione totale CT) sulla mobilit degli elettroni e delle lacune nel silicio a temperatura ambiente vengono riportati nei diagrammi di fig. 14, ove si nota che le mobilit, per entrambi i portatori e per data temperatura, decrescono sempre all'aumentare di CT. Si osservi che sull'asse delle ascisse riportata la concentrazione totale CT = ND + NA delle impurit presenti nel semiconduttore, dato che la traiettoria di una carica mobile che passi in prossimit di un atomo ionizzato viene modificata sia nel caso di ioni positivi che negativi. Ci deve far riflettere sul fatto che le mobilit di un semiconduttore parzialmente compensato possano risultare nettamente inferiori a quelle di un semiconduttore non compensato con eguale concentrazione netta di cariche libere. Esercizio: Determinare per il silicio intrinseco il tempo libero medio degli elettroni e delle lacune a temperatura ambiente (si supponga me* = m*lac = m ). (0,815 10
-12

sec ; 0,28110

-12

sec)

1.8 Corrente di drift o di deriva. Esaminiamo adesso il processo di conduzione (che analogo a quello che avviene nei conduttori) entro una barretta di semiconduttore omogeneo di tipo n, alla quale venga applicata una differenza di potenziale tra due estremit opposte (fig. 15). Si prevede intuitivamente che la conducibilit elettrica macroscopica del semiconduttore sar funzione della concentrazione delle cariche libere e della loro mobilit. Per trovare tale relazione consideriamo un parallelepipedo elementare della barretta in esame (fig. 16), percorso dalla densit di corrente J (A/cm2) quando il campo elettrico applicato E nella direzione dell'asse x. Consideriamo due sezioni A e B di area S distanti di una quantit numericamente pari alla velocit media di scorrimento degli elettroni v. Se la concentrazione degli elettroni n, osserviamo che, a regime, nellelemento di volume compreso tra le sezioni A e B il numero di elettroni non cambia, se entro il volume considerato non vi sono

E
n A J e e v S
Fig. 15 Fig. 16

B J

I . 28

fenomeni di generazione o di ricombinazione di cariche. Il meccanismo della conduzione comporta che un elettrone che attraversa la sezione A venga rimpiazzato da un elettrone entrante dalla sezione B . Quindi entro il volume considerato vi sono S n v elettroni; dato che tutti gli elettroni si muovono nella direzione x con una velocit media di scorrimento pari a v , ogni secondo tutti quelli presenti vengono rimpiazzati da nuovi elettroni in pari numero. Pertanto in un secondo attraverso la sezione A transitano S n v elettroni e la densit di corrente J con i versi indicati in figura e con q > 0 vale: Jn = - n q v

Analogamente per le lacune, si ha: (20) Jp = q p

In generale, in presenza di ambedue i tipi di portatori mobili, la densit di corrente totale di scorrimento sar data dalla somma dei due contributi e cio:

mentre, nel caso del semiconduttore intrinseco, essendo p = n = ni, : (23) Esercizio: = q ni ( + )

Calcolare la velocit di scorrimento degli elettroni corrispondente a una densit di corrente 1 mA per cm2, rispettivamente per alluminio e per silicio intrinseco a temperatura ambiente. (3,47 10-8 cm/sec; 3,18 105 cm/sec)

(22)

di Ohm per i conduttori massicci J =

da cui la conducibilit

[S/cm] per un semiconduttore drogato, per confronto con la legge

E,

vale: +n )

=q(p

(21)

J = Jn + Jp = q E( n

(19)

Essendo v = -

, si ottiene: Jn = q n

+p

I . 29

Come stato discusso nel paragrafo precedente, la concentrazione ni cresce fortemente con la temperatura e quindi, dato che le mobilit variano relativamente poco con T, la conducibilit dei semiconduttori intrinseci aumenta al crescere della temperatura. Per contro si osservi che per un semiconduttore drogato, per esempio di tipo n, in relazione al diagramma di fig. 12, la conducibilit nella parte piatta della curva n = n(T) diminuisce, dato che in questo campo si fa risentire leffetto della riduzione della mobilit con la temperatura; in questa regione il semiconduttore drogato si comporta alla stessa stregua dei materiali conduttori. Esercizio: Calcolare le concentrazioni di elettroni e lacune, la resistivit e la posizione del livello di Fermi in un cristallo di silicio contenente 1,11016 atomi di boro per cm3 e 91015 atomi di fosforo per cm3 per T = 300 K (1,05 x 105 cm-3; 2 x 1015 cm-3; 10,4 cm; Ei - 0,307 Ev ) Esercizio: Calcolare la proporzione in peso di fosforo (peso atomico 31) che deve essere aggiunta ad un cristallo di silicio perch la sua resistivit a temperatura atomi di gallio per cm3, qual la resistivit del cristallo? E di tipo p o n ? ambiente sia di 200 cm . Se il cristallo viene ulteriormente drogato con 1014

1.9 Corrente di diffusione.

Si

esaminato dovuto

il

processo

conduzione

allapplicazione

campo elettrico e le relazioni tra la densit di corrente di scorrimento ed il campo in funzione delle caratteristiche del semiconduttore. In tali materiali, per, oltre a questo tipo di corrente, esiste un secondo tipo di meccanismo atto a dare origine ad una corrente di diversa natura, che, dal processo che la genera, prende il nome di corrente di diffusione. Si definisce corrente di diffusione quella dovuta al

di del

e e e e e e

e e e e e eee e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e e

e e e

x
Fig. 17

I . 30

flusso complessivo, per unit di superficie, di elettroni e lacune libere che si muovono a caso da una regione ad alta concentrazione ad una a bassa concentrazione. E lo stesso processo che avviene in un recipiente pieno di gas con pressioni inizialmente differenti; in esso le molecole si muovono in modo da stabilire una pressione uniforme in tutto il recipiente. Occorre osservare che il moto di diffusione delle cariche libere tende a portare il cristallo da una situazione di disuniformit o di non equilibrio ad una situazione di uniformit o di equilibrio; il suo studio molto importante perch tale processo gioca un ruolo fondamentale nel funzionamento dei diodi e dei transistori. Consideriamo il caso di una barretta di semiconduttore di tipo n con una concentrazione di elettroni mobili dipendente dalla sola coordinata x (vedi fig. 17). Se scegliamo una superficie di riferimento ortogonale ad x, si pu intuitivamente prevedere che il flusso Fn di elettroni attraverso la superficie sar proporzionale al gradiente della concentrazione e diretto in senso opposto a detto gradiente; ci si traduce nell'equazione:
Fn = D n dn dx

(24)

mentre il flusso Fp delle lacune sar dato da: (25)

Fp = D p dp dx

In queste relazioni il flusso F, rappresentando il numero di portatori liberi che attraversano una sezione unitaria in un secondo, espresso in cm-2 sec-1; la costante di proporzionalit D [cm2 sec-1], che prende il nome di diffusivit o costante di diffusione, legata alla mobilit dalle relazioni di Einstein, che qui non dimostriamo:

(26)

Dn =

n kT
q

Dp =

p kT
q

Lesistenza di tali relazioni consente di poter utilizzare i diagrammi di fig. 14 ricavati a temperatura ambiente, per rappresentare D in funzione della concentrazione totale delle impurit alla stessa temperatura.

I . 31

semiconduttore di tipo p lunga

l = 25 mm e di sezione 1 x 1 mm2 a

temperatura ambiente si apprezzata una corrente di 1 A. Determinare: a) la mobilit e la diffusivit degli elettroni; b) la concentrazione degli atomi droganti. (275 cm2 V-1 sec-1; 7 cm2/sec; 1,2 x 1018 cm-3) Dai flussi di cariche semplice ricavare le componenti della densit di corrente di diffusione per i due tipi di cariche, dato che J = q F; adottando i versi convenzionali si ha:
J n = q Dn dn dx dp dx

(27)

(28)

J p = q D p

In conclusione opportuno sottolineare che si ha corrente di diffusione in presenza di una variazione spaziale di concentrazione di cariche mobili. Perch si abbia un regime di corrente di diffusione necessario, quindi, che si venga a mantenere con opportuni procedimenti, di cui si dir in seguito, un gradiente di concentrazione.

1.10 - Condizioni di non equilibrio. Finora si considerato il caso di un semiconduttore in condizioni di equilibrio. Con ci si intende che tutte le grandezze considerate non sono funzioni del tempo, e che non vi alcuna sollecitazione esterna, come luce, flusso di calore, ecc. In realt il fenomeno della conduzione dovuta al campo elettrico applicato dallesterno implica condizioni di non equilibrio. Le conclusioni ricavate precedentemente valgono solo se le correnti di scorrimento e di diffusione non sono tali da modificare le concentrazioni dei portatori liberi calcolate in condizioni di equilibrio. E' di interesse fondamentale per il funzionamento dei dispositivi a semiconduttore lo studio delle situazioni di non equilibrio, in cui le concentrazioni n e p non soddisfano la relazione (9); cio si ha un eccesso o un difetto di portatori mobili. Vi sono diversi modi di iniettare portatori in eccesso in una regione di semiconduttore; allo scopo di definire i parametri fondamentali usati nello studio delle condizioni di non equilibrio, conveniente

Esercizio:

Applicando una differenza di potenziale di 10

V ad una barretta di

I . 32

considerare il caso della generazione di coppie elettroni-lacune per effetto fotoelettrico. Riferendoci al diagramma fotoelettrico
(*)

E EC EF h EV

delle

bande

di

energia

per

un

semiconduttore, ad esempio di tipo n (fig. 18), leffetto corrisponde alla cessione, da parte di un fotone incidente (cui viene associata dalla teoria di Planck una quantit di energia pari ad h ), ad un elettrone della banda di valenza, dellenergia necessaria per portarlo nella banda di conduzione. Ci richiede che la frequenza della luce incidente sia

> (EC - EV) / h . In seguito alla sparizione del fotone

incidente si viene cos a creare una coppia elettronelacuna (cio p ed n) in eccesso rispetto al valore di equilibrio (pn = ni2) .

Se abbiamo un certo flusso di fotoni incidenti, si pu venire a creare un numero notevole di portatori in eccesso. Le lacune in eccesso saranno eguali in numero agli elettroni In un semiconduttore di tipo n per cui ND >> ni , anche nn >> pn , dove il pedice si riferisce al tipo di semiconduttore. Per esempio, se si ha ND = 1016 cm-3 , per un cristallo di silicio si avr approssimativamente nn = 1016 cm-3 e pn = 2 x 104 cm-3. Se in un certo istante si hanno 108 coppie elettrone-lacuna per cm3 in eccesso dovute a generazione fotoelettrica, sia n che p saranno aumentate di questo valore. Percentualmente, per, mentre si avuto un drastico aumento delle cariche minoritarie (da 104 circa a 108 cm-3), il numero delle cariche maggioritarie rimasto pressoch invariato: 1016 + 108 1016 cm-3. Questa situazione, in cui la variazione percentuale di concentrazione notevole solo per le cariche minoritarie, si definisce iniezione a basso livello; lo studio di essa molto semplificato rispetto al caso generale. Per studiare la dinamica della concentrazione delle cariche minoritarie, vediamo di scrivere, per un semiconduttore di tipo n, un bilancio tra la creazione e la scomparsa di coppie elettrone-lacuna, e la variazione nel tempo della concentrazione dei portatori minoritari pn = pn(t), inizialmente nel caso in cui essa non dipenda dalla posizione; una tale situazione si pu realizzare illuminando il semiconduttore in modo tale che lassorbimento in eccesso: n= p.

(*)

Leffetto fotoelettrico si distingue in effetto fotoelettrico interno, che quello appena descritto ed effetto fotoelettrico esterno, che si ha allorch il fotone ha energia sufficiente a liberare un elettrone dal materiale sul quale il fotone incide.

x
Fig. 18

I . 33

dei fotoni incidenti sia uniforme entro tutto il volume del semiconduttore. Si pu quindi scrivere:
dpn = GL + Gth R dt

dove GL indica la velocit di generazione [ cm-3 sec-1] dovuta al flusso luminoso incidente, Gth la velocit di generazione termica ed R la velocit di ricombinazione delle coppie elettrone-lacuna. Possiamo definire una velocit di ricombinazione effettiva U: U = R Gth (in equilibrio GL = 0 ed U = 0 , cio tante coppie vengono create dallagitazione termica quante se ne ricombinano nella unit di tempo). Il bilancio diventa allora:
dpn = GL U dt

(29)

La funzione U rappresenta la tendenza del sistema a ritornare in condizioni di equilibrio ed logico pensare che dipenda dalla differenza fra la concentrazione pn(t) ed il suo valore di equilibrio pno = ni2 / nn . Si assumer da ora in poi che U sia proporzionale a pn pno ; ci giustificato dal fatto che i risultati cos trovati corrispondono al caso reale. Il coefficiente di proporzionalit tra U e pn - pno ha le dimensioni di sec-1 ed il suo inverso viene definito, per motivi che si esamineranno nel seguito, come vita media delle cariche minoritarie. In conseguenza la (29) assume la forma
p pno dpn = GL n dt p

(30)

Se GL non varia nel tempo, si raggiunger un regime stazionario (che non una situazione di equilibrio) per cui dpn / dt = 0 ; la (30) d allora per la concentrazione finale pL il valore: (31) pL = pno + GL p

I . 34

Se, una volta raggiunto questo regime, si elimina bruscamente lilluminazione, cio si rende GL = 0 , la concentrazione varier nel tempo in modo da soddisfare lequazione differenziale (32)
p pno dpn = n dt p

La soluzione completa di questa equazione, con la condizione iniziale pn = pL per t = 0, data da: (33)
p n = pno (pno pL )e
t

Si avr quindi un decremento esponenziale verso il valore di equilibrio, con costante di tempo data da p. Esercizio: Una barretta di silicio di tipo n illuminata uniformemente. La vita media delle lacune 1 sec e la resistivit alloscuro 10 cm . Lilluminazione provoca la creazione di 1022 coppie elettrone-lacuna per cm3 e per secondo. Determinare la resistivit sotto illuminazione. ( Per studiare il caso pi generale in cui pn una funzione, oltre che del tempo, anche delle coordinate spaziali, utile richiamare alcune considerazioni elementari di continuit. Ci limitiamo al caso della dipendenza da una sola coordinata spaziale, che sceglieremo come asse x . Come si visto = 0,33 cm)

Fp1

precedentemente, se p varia con x si avr un flusso di lacune Fp dovuto alla diffusione. Consideriamo (fig. 19) un volumetto infinitesimo di semiconduttore di tipo n di generazione e ricombinazione, potremo scrivere il bilancio per la concentrazione delle lacune nel suo interno:
S x pn t = S F p1 F p 2

sezione S e di spessore

x; prescindendo dai termini di

x
Fig. 19

Fp2

I . 35

dato che la differenza fra le lacune entranti e quelle uscenti si ritrova in una variazione delle

pn t

= S

Cio si ha l'equazione di continuit:

pn t Fp x

(34)

Se sono presenti i termini GL ed U, se cio consideriamo che entro il volumetto S x siano presenti sia la generazione di coppie elettrone-lacuna per effetto luminoso sia la ricombinazione, il bilancio completo si pu quindi scrivere:
p n (t ) t Fp x p n p no

(35)

+ GL

Se il semiconduttore in esame non fa parte di un circuito elettrico attivo, cio se non sono presenti generatori di tensione o di corrente esterni, non vi sar corrente elettrica risultante in nessuna sezione di esso; quindi la presenza di un flusso di lacune Fp implica la presenza di un flusso di elettroni Fn di valore eguale, in modo da annullare la densit di corrente totale data da: J = q (Fp Fn) = 0 I due flussi sono determinati dalla diffusione e dal campo elettrico precedentemente, assumono la forma:
Fp = Dp Fn = D n p n x n n x +p n

e, come visto

(36) (37)

pn

E nn

Pu sembrare strano lavere considerato il campo elettrico per un semiconduttore isolato; ma E dovuto proprio ai fenomeni di diffusione che stiamo considerando, se si

lacune contenute nel volumetto. Al limite per x

0, si ha:
Fp x

I . 36

viene a creare un sia pur minimo squilibrio fra le due densit di cariche (positive e negative) complessive. Dato che i due flussi devono essere eguali, si ha:
F p Fn = E p p n + n n n D p

p n x

+ Dn

n n x

=0

e per il campo elettrico E si ottiene: (38)

pn n Dn n x x = p pn + n n n Dp

In quest'ultima espressione le diffusivit Dp e Dn non sono troppo discoste fra loro

n

sono praticamente eguali (esattamente eguali allequilibrio per la condizione di neutralit della carica spaziale, espressa dalla (14)); invece pn sicuramente trascurabile in confronto ad nn. La (38) si pu quindi approssimare:

Sostituendo l'espressione trovata per

pn x

Fp =

Dp +

n nn

Dn

In questa relazione il secondo termine entro la parentesi quadra trascurabile rispetto al primo per la presenza del fattore pn / nn che molto minore dellunit; in conclusione, la (36) si pu scrivere con ottima approssimazione:
Fp = D p pn x

(39)

Tale espressione ci dice che il flusso delle cariche minoritarie determinato, praticamente, soltanto dalla diffusione. Questo risultato (che non valido per Fn, come si vede facilmente) di grande importanza per lo studio del funzionamento dei dispositivi a

numericamente e cos pure

p;

i gradienti di concentrazione ( pn)/( x) e ( nn)/( x)

pn Dp Dn x

n nn

nella (36), si ha:

p pn

(D p

I . 37

semiconduttore e risulta verificato anche nel caso di passaggio di corrente, cio quando il semiconduttore fa parte di un circuito elettrico attivo. Sostituendo la (39) nella (35), il bilancio completo risulta espresso dalla seguente equazione differenziale in pn(x,t) :

(40)

pn t

= Dp

2 pn x2

+GL

p n p no

Tale equazione, in cui GL rappresenta il termine forzante, particolarmente utile nellanalisi teorica dei diodi e dei transistori, ed chiamata equazione della diffusione; in essa vengono correlate le variazioni temporali della concentrazione alle variazioni spaziali della stessa. Nel caso stazionario o a regime, in cui GL non dipende da t, la concentrazione di regime pn (funzione di x soltanto) rappresentata dalla soluzione dellequazione differenziale del 2 ordine, lineare, ed a coefficienti costanti:
2 pn x2 p n p no

(41)

Dp

+GL

=0

Come noto, la soluzione completa una combinazione lineare di una soluzione particolare della (41) e della soluzione dellequazione omogenea associata:
2 pn x2 pn

Dp

=0

che vale:

pn = A e

x Lp

+B e

x Lp

ove si posto:
Lp = D p

I . 38

Nella soluzione completa, le costanti A e B dovranno al determinarsi contorno del in base alle la Il condizioni diffusione problema; minoritarie.

luce

grandezza Lp [cm] si chiama lunghezza di delle cariche significato di Lp e dei concetti discussi finora si chiarisce meglio considerando due esempi. Supponiamo in un primo caso di avere una barretta di semiconduttore illuminata in modo tale che si possa considerare GL costante in funzione della coordinata x e del tempo t. Ci significa che il semiconduttore deve essere praticamente trasparente alla radiazione considerata. Supponiamo inoltre che la velocit di ricombinazione (proporzionale a pn pno) risulti incrementata in corrispondenza di una (sola) superficie della barretta, che prenderemo come piano x = 0 (vedi fig. 20). A distanza grande da questa superficie, si prevede intuitivamente che la concentrazione pn non dipender pi dalla x ed assumer il valore pL = pno + GL p del caso uniforme considerato allinizio. Sulla superficie x = 0, laumentata velocit di ricombinazione ha come risultato una minore concentrazione delle cariche minoritarie. Di conseguenza si viene a creare un gradiente di concentrazione che per diffusione d luogo ad un flusso di lacune vale la (39) con le condizioni al contorno:
p n x
x =0
(*)

pn

pn(0)

G L p

pno

x
Fig. 20

verso la superficie x = 0 . A regime raggiunto,

(42)

Fp

x =0

= Dp

= S p [ p n ( 0 ) p no

per x = 0

(*)

La presenza del termine Fp implica come si detto la presenza di un flusso Fn di valore eguale, per la condizione J = 0 .

(43)

p n ( ) = p L = p no + G L

per x =

I . 39

Nella prima condizione Sp [pn(o) pno] rappresenta il numero di lacune che si ricombinano alla superficie per unit di tempo e per cm ; Sp ha le dimensioni di cm/sec e si chiama velocit di ricombinazione di superficie; pn(0) indica il valore della concentrazione per x = 0 . La soluzione della (39) con queste condizioni al contorno :
Sp L p n (x ) = pL (pL pno ) e p Dp Sp + Lp x
2

(44)

ed ha landamento illustrato in fig. 20. Esercizio: Dimostrare che la (44) la soluzione della (41) con le condizioni al contorno (42) e (43).

Un altro caso importante quello in cui il semiconduttore non trasparente alla radiazione incidente, che viene quindi assorbita in uno spessore molto piccolo a partire dalla superficie illuminata. Supponiamo che venga illuminata soltanto la superficie x = 0, come in fig. 21; a regime allinterno del semiconduttore vale la (41) senza il termine GL:
2 pn x
2

luce

(45)

Dp

p n p no

=0

0 pn pLo

Le condizioni al contorno per questo caso sono: pn(0) = pLO pn( ) = pno per x = 0 per x =

in cui pLO dipende dal flusso luminoso incidente. Anche in questo caso il gradiente di concentrazione determina un flusso di lacune;

pno Lp
Fig. 21

I . 40

le cariche minoritarie in eccesso create alla superficie diffondono verso l'interno del semiconduttore. La soluzione della (45) con le condizioni al contorno sopra scritte risulta data da:
x Lp

(46)

p n = pno (p no pLo ) e

ed rappresentata in fig. 21. Si noti che il parametro L p = parametro

p

D p

corrisponde al

della (32): la legge con cui la concentrazione p tende al valore finale nei due

casi, rispettivamente in funzione del tempo e dello spazio, dello stesso tipo.

Esercizio:

Nel caso illustrato nella fig. 21, esprimere pLO in funzione del flusso luminoso incidente, I (watt/cm2), per il caso di iniezione a basso livello. Si assuma che ogni fotone incidente produca una coppia elettrone-lacuna e che la luce sia monocromatica di lunghezza d'onda . ( p Lo = p no +
Lp I Dp hC

Abbiamo considerato finora variazioni in funzione del tempo e di una sola variabile spaziale. L'estensione di quanto sopra al caso generale in cui le grandezze studiate dipendono da tre coordinate spaziali immediata: basta riscrivere in forma vettoriale le principali relazioni. Per esempio, il flusso dovuto alla diffusione sar per le lacune:
F
p

= D p p

e lequazione di continuit (34) varr:

p t = F

Cos, lequazione della diffusione per il caso generale

p t p po

= D p 2 p + GL

I . 41

1.11 Determinazione del tempo di vita media delle cariche minoritarie . Le considerazioni precedenti hanno mostrato che il parametro
(*)

determinante per

lo studio dei fenomeni di non-equilibrio. opportuno cercare di vedere quali parametri determinano a loro volta , ossia studiare il fenomeno della ricombinazione delle cariche minoritarie. Per trattare questo processo ci riferiamo ad un semiconduttore di tipo p, in cui le cariche minoritarie sono elettroni; ci al solo scopo di evitare di dover considerare una carica positiva fittizia, e ragionare sullelettrone che unentit pi facilmente visualizzabile. Ci si chiede: se in qualche modo viene a crearsi un eccesso di elettroni rispetto alla condizione di equilibrio, dopo quanto tempo essi si saranno ricombinati? Il meccanismo pi semplice per il ritorno allequilibrio consiste nella ricombinazione diretta: un elettrone pu incontrare una lacuna e ricadere direttamente nella banda di valenza cedendo lenergia (EC - EV) sotto forma termica o di radiazione. Questo fenomeno per estremamente poco probabile per motivi che hanno a che fare con la struttura dettagliata delle bande di energia, nel germanio e nel silicio. La causa principale della ricombinazione, in questi materiali, la presenza di livelli intermedi nella banda proibita, chiamati centri di ricombinazione o trappole. Questi livelli localizzati di energia ET (fig. 22) sono creati da imperfezioni nel reticolo cristallino, o da impurit. Un elettrone che passi in vicinanza di una trappola verr catturato e successivamente scender ancora dal livello ET della trappola nella banda di valenza. E questo il processo che limita la vita delle cariche minoritarie; chiaro che essa risulter tanto minore quanto maggiore sar la concentrazione dei centri di ricombinazione NT [cm-3]. Il fenomeno si pu schematizzare considerando gli elettroni come puntiformi e che si muovono liberamente con una velocit vth (dovuta all'agitazione termica) finch non incontrano un centro di ricombinazione. Per semplificare le cose al massimo, supponiamo che gli (np - npo) elettroni in eccesso contenuti in un cm3 si muovano tutti insieme con velocit vth (fig. 23). Fig. 22

EC ET EF EV

(*)

Nel testo si fatto riferimento alle lacune, ma identiche considerazioni valgono per un semiconduttore di tipo p, in cui il parametro essenziale n , tempo di vita media degli elettroni (cariche minoritarie).

I . 42

Nell'attraversare uno spessore infinitesimo x, si ricombineranno gli elettroni che colpiscono i centri di ricombinazione. Sia np il numero di questi elettroni. Considerando i centri di ricombinazione come dei bersagli di area trasversale
(*)

vth

, la

probabilit che un elettrone venga catturato entro lo spessore x data dal rapporto tra le aree occupate dai bersagli e la superficie totale. Cio si ha:
area occupata dai centri N T superficie totale

np - npo

N T x S S

x
Fig. 23

dove S la superficie (perpendicolare a vth) dellelemento di volume considerato. Avremo quindi:

n p n p n po = N T x

Questi np elettroni si sono ricombinati nellintervallo tempo t = x / vth ; quindi nellunit di tempo si avr:
np t np x v th = n p n po v th N T

Per definizione, np / t la velocit di ricombinazione U; ricordando la posizione fatta riguardo ad U a proposito della (29), per confronto si ottiene per il tempo di vita media

n l espressione: n = (vth NT )-1

In realt avremmo dovuto considerare solo quei centri di ricombinazione che non erano gi occupati da elettroni, cio NT [1 - F(ET)]. Risulta per che i centri di ricombinazione pi efficaci sono quelli per i quali ET prossimo al centro della banda proibita,
(*)

rappresenta larea formata dalla proiezione del contorno dellostacolo (centro di

ricombinazione) su un piano perpendicolare alla direzione del moto dell'elettrone incidente.

I . 43

ET = (EC + EV)/2 ; in un semiconduttore di tipo p a temperatura ambiente (vedi fig. 22), F(ET) trascurabile. Inoltre, lo stesso risultato si sarebbe ottenuto considerando i centri come puntiformi e gli elettroni dotati di sezione trasversa n. Concludendo, poich identica trattazione si potrebbe fare per il caso delle lacune in un semiconduttore di tipo n, i tempi di vita media delle cariche minoritarie nei due casi sono date da: per il semiconduttore di tipo n per il semiconduttore di tipo p

p = (vth NT p)-1 n = (vth NT n)-1

3 kT / m = 10 cm/sec a temperatura ambiente. Le
7

La velocit vth dellordine di

-15 2 sezioni durto (in inglese "cross sections) p e n sono dell'ordine di 10 cm .

Esercizio:

Per un semiconduttore di tipo n in cui p = 10-6 sec, si calcoli la concentrazione dei centri di ricombinazione. Si assuma p = 5 x 10-15 cm2.

1.12 Caratterizzazione dei materiali semiconduttori. Con il termine caratterizzazione si intende quellinsieme di misure che servono per identificare un dato materiale e conoscerne le caratteristiche. Nel caso dei semiconduttori abbiamo gi trovato delle relazioni (espressione della conducibilit, grafico della dipendenza della mobilit in funzione della concentrazione totale delle impurit) che ci aiutano in questo processo di identificazione; pu rimanere per qualche ambiguit per quanto riguarda il tipo di portatore libero che maggiormente presente nel semiconduttore. Non infatti possibile, con i mezzi sinora a nostra disposizione, conoscere a priori se il semiconduttore sia di tipo
p

=qn

e numericamente queste due espressioni possono dar luogo allo stesso risultato.

p o sia di tipo n, dato che l'espressione della conducibilit nei due casi

=qp

I . 44

1.12 a Leffetto Hall. Allo scopo di identificare il tipo di semiconduttore, si utilizza il metodo basato sullimpiego delleffetto Hall, che fornisce direttamente attraverso una misura sperimentale sia il tipo di portatore sia la concentrazione netta dei portatori della corrente. Supponiamo inizialmente di disporre di una barretta di semiconduttore in cui sia presente un solo tipo di portatore (n o p), immersa in un campo di induzione B (Wb/cm ) con i versi delle coordinate spaziali (x, y e z) indicati nella fig. 24. Supponiamo inoltre che in conseguenza della tensione applicata dallesterno V scorra nella barretta una corrente I. La forza di Lorentz che agisce sui portatori della corrente, siano essi elettroni o lacune, diretta verso il semiasse negativo delle y e vale : Fy = q vp B ovvero Fy = - q vn B a seconda che i portatori della corrente siano lacune o elettroni. E facile osservare che, sia che si tratti di elettroni, sia che si tratti di lacune, i portatori mobili vengono sempre deflessi verso il basso in quanto cambiano di segno sia la carica sia la direzione della velocit.
2

L vn W y vp

VA I +

z a

V
Fig. 24

I . 45

Allorquando le cariche libere vengono deflesse verso il basso, la superficie superiore della barretta si carica positivamente (nel caso di drogaggio ND) o negativamente (nel caso di drogaggio NA) per effetto degli ioni fissi non pi compensati da una eguale densit di cariche mobili presenti. Si forma cos un doppio strato di cariche, che d origine ad un campo elettrico ortogonale alla faccia superiore della barretta; a regime, la forza dovuta a questo campo elettrico e la forza di Lorentz, entrambi agenti sulle cariche mobili, si devono bilanciare. A questo campo elettrico corrisponde una differenza di potenziale VH, detta tensione di Hall, misurabile tra le due facce della barretta con il voltmetro VA
.

Con il riferimento

indicato nella fig. 24, il valore positivo o negativo da esso indicato fornisce linformazione desiderata, nel senso che se la barretta di tipo p, VH sar positiva, se di tipo n, VH sar negativa. Se tra le dimensioni della barretta verificata la disuguaglianza W << a , il campo elettrico di Hall, EH , potr considerarsi uniforme e diretto lungo y, di modulo pari a:
= VH W

EH

Se i portatori sono elettroni, l'equilibrio tra le due forze fornisce:

VH q W =qvnB

e da questa si ha:
vn = VH W B

Daltronde, utilizzando lespressione della densit di corrente trasportata per scorrimento dagli elettroni, si ha:
Jn =q nvn = I aW

Sostituendo in questultima lespressione della vn ricavata dalla precedente, si ottiene:

q n VH W B = I aW

I . 46

da cui la concentrazione di elettroni liberi risulta:

n= IB q a VH

Da misure di resistenza elettrica offerta dalla barretta:

R=

L V L = = I aW aW

e conoscendo le dimensioni geometriche della barretta, si risale alla conducibilit e da questa alla mobilit data da

n =

qn

A formule analoghe si perviene se la barretta avesse avuto, come portatori, soltanto lacune. Viene definito anche coefficiente di Hall o fattore di Hall la quantit
RH = 1 qn RH = 1 qp

ovvero

rispettivamente nei due casi. La determinazione della tensione di Hall nel caso del semiconduttore intrinseco pi complessa e per la sua analisi si rimanda alla letteratura specializzata. Possiamo solo prevedere che in questo caso, dato che la tensione di Hall proporzionale alla differenza delle mobilit dei due tipi di portatori, il segno di VH eguale a quello della barretta di tipo "n" per la maggiore mobilit degli elettroni rispetto a quella delle lacune.

1.12 b Il metodo delle 4 punte. I materiali semiconduttori sui quali serve effettuare le misure di resistivit si presentano normalmente sotto forma di fette, ottenute per taglio di lingotti di vari pollici di diametro (oggi siamo arrivati a circa 12 pollici) e successiva lucidatura delle facce. Per misurare la resistivit delle fette di semiconduttore si utilizza il metodo delle 4 punte (vedi fig. 25).

I . 47

Tale metodo consiste nel creare un campo di corrente allinterno della fetta facendo circolare una corrente I costante e nota attraverso le due punte esterne e misurando la differenza di potenziale V che si localizza fra le due punte interne. La distanza s tra le punte deve essere eguale; in tale ipotesi si possono verificare 3 casi: Fig. 25 1) Se W < s resistivit vale: (semiconduttore sottile) la
p n

V s s s

VW
I

ln 2 4 , 532

VW I

2) Se W > s (semiconduttore spesso), si ha

2sV I

3) Nel caso che W sia paragonabile ad s, si ha:

= 4 , 532

VW F I

avendo definito con F una funzione correttiva che ha landamento indicato in fig. 26 al variare del rapporto W/s.

F 1 0,9 0,8 0,7 0,6 1

Fig. 26

W/s