Prof.

FROLDI Cesare
Istituto Omnicomprensivo
«Vallescrivia»
Dip. Tecnico (elettronica )
La conduzione elettrica nei semiconduttori 2
La conduzione elettrica nei semiconduttori 3
La conduzione elettrica nei semiconduttori 4
• Semiconduttori composti da una singola specie di atomi,
quali il silicio (𝑆𝑖) e il germanio 𝐺𝑒 , si trovano nella IV
colonna.
• Semiconduttori composti che sono formati da due o più
elementi: per esempio l’arseniuro di gallio (𝐺𝑎𝐴𝑠) è un
composto III – V, combinazione del gallio (𝐺𝑎) della III
colonna e dell’arsenico (𝐴𝑠) della V colonna.
• Numerosi semiconduttori composti hanno proprietà
elettriche e ottiche che sono assenti nel silicio. Questi
semiconduttori, specialmente l’arseniuro di gallio (𝐺𝑎𝐴𝑠),
sono impiegati soprattutto in applicazioni nel campo delle
microonde e dell’optoelettronica.
La conduzione elettrica nei semiconduttori 5
La conduzione elettrica nei semiconduttori 6
 Ciascun atomo possiede quattro elettroni nell’orbita
più esterna, elettroni che esso condivide con i quattro
atomi adiacenti.
 Le coppie di elettroni sono legati da un legame detto
legame covalente.
 A basse temperature, gli elettroni sono vincolati al loro
reticolo tetraedrico, di conseguenza non sono
disponibili per la conduzione
 Ad alte temperature le vibrazioni termiche possono
spezzare i legami covalenti; quando un legame si
rompe nasce un elettrone libero che può contribuire
alla conduzione.
La conduzione elettrica nei semiconduttori 7
La conduzione elettrica nei semiconduttori 8
La figura illustra la situazione in cui, rompendosi il legame
covalente, per esempio per un aumento della temperatura, un
elettrone di valenza diventa un elettrone libero.
Nel legame covalente viene a mancare un elettrone; questo
spazio vuoto lasciato dall’elettrone assume una carica positiva
e prende il nome di lacuna.
La lacuna, sotto l’azione di un campo elettrico applicato, si
muove in verso opposto a quello dell’elettrone.
Nello studio dei materiali semiconduttori è di fondamentale
importanza il concetto di bande di energia.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 9

La conduzione elettrica nei semiconduttori 10
▪ L’ampiezza della banda proibita 𝐸𝑔 è il parametro più importante nella
fisica dei semiconduttori
𝟐
(𝟒,𝟕𝟑 · 𝟏𝟎−𝟒) · 𝑻
𝑬𝒈 𝑻 = 𝟏, 𝟏𝟕 − Per il Si
(𝑻+𝟔𝟑𝟔)
𝟐
(𝟓,𝟒 · 𝟏𝟎−𝟒) · 𝑻
𝑬𝒈 𝑻 = 𝟏, 𝟓𝟐 − per GaAs
(𝑻+𝟐𝟎𝟒)

▪ 𝐸𝐶 rappresenta l’estremo inferiore della banda di conduzione e

corrisponde all’energia potenziale di un elettrone, cioè all’energia di un
elettrone di conduzione quando è a riposo.
▪ L’energia cinetica di un elettrone si misura al di sopra di 𝐸𝐶
▪ 𝐸𝑉 rappresenta l’estremo superiore banda di valenza e corrisponde
all’energia potenziale di una lacuna.
▪ L’energia cinetica di una lacuna si misura al di sotto di 𝐸𝑉 .

La conduzione elettrica nei semiconduttori 11

Per il silicio e l’arseniuro di gallio la banda proibita alla temperatura di 300 °K
assume i seguenti valori:
𝑬𝒈 𝑻 = 𝟏. 𝟏𝟐 eV Per il Si

𝑬𝒈 𝑻 = 𝟏. 𝟒𝟐 eV Per GaAs

1 eV è l’energia che occorre per spostare un elettrone (𝑞 = −1.6 · 10−19 𝐶) da

un punto ad un altro dello spazio fra i quali esiste una differenza di potenziale
di 1 V.
1 eV = −𝟏. 𝟔 · 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑱

La conduzione elettrica nei semiconduttori 12

In un semiconduttore intrinseco il numero di elettroni per unità di volume nella
banda di conduzione è uguale al numero delle lacune per unità di volume nella
banda di valenza.

n = p = 𝒏𝒊
Dove 𝑛𝑖 è rappresenta la concentrazione dei portatori intrinseci.
Pertanto si avrà che

n · p = 𝒏𝟐𝒊
Quest’ultima espressione è detta legge di azione di massa e vale in condizioni di
equilibrio termodinamico sia per i semiconduttori intrinseci che per i
semiconduttori estrinseci.
𝒏𝒊 = 𝟏. 𝟒𝟓 · 𝟏𝟎𝟏𝟎 𝒄𝒎−𝟑 per il silicio
𝒏𝒊 = 𝟏. 𝟕𝟗 · 𝟏𝟎𝟔 𝒄𝒎−𝟑 per l’arseniuro di gallio

La conduzione elettrica nei semiconduttori 13

Un modo per alterare le proprietà elettriche di un semiconduttore, è
quello di inserire nel cristallo un certo numero di “impurezze”, ovvero
atomi di diverso tipo.
In questo modo possiamo pensare di aumentare il numero di elettroni
liberi in cristallo o, viceversa, fare in modo che si creino più lacune.
La pratica di aggiungere altre sostanze al semiconduttore è detta
drogaggio. Esso può essere di tipo n se aumentiamo il numero degli
elettroni, oppure di tipo p se stiamo mettendo più lacune.

Il silicio è un elemento del IV gruppo,

tetravalente, cioè mette in comune per i
suoi legami covalenti, i suoi 4 elettroni
più esterni.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 14

Nel cristallo di silicio, mettiamo
degli atomi pentavalenti, ad esempio
quelli del fosforo (oppure arsenico o
antimonio). In questo modo,
quattro dei cinque elettroni di
valenza del fosforo andranno a
legarsi con altrettanti atomi di
silicio, e rimarrà un elettrone che
l’energia termica renderà facilmente
libero.

Il numero di atomi droganti inserito

nel cristallo varia da 1013 a 1020
atomi per centimetro cubo, mentre
gli atomi di silicio sono 1022/cm3.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 15

La figura mostra che un atomo di silicio è
rimpiazzato da un atomo di fosforo che presenta
cinque elettroni di valenza.
L’atomo di fosforo forma legami covalenti con i
quattro atomi di silicio adiacenti, il quinto elettrone
diventa un elettrone di conduzione, che è donato alla
banda di conduzione.
L’aggiunta di portatori di carica negativa rende il
semiconduttore di tipo n, e l’atomo di fosforo è detto
atomo donatore.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 16

In un semiconduttore di tipo n la concentrazione degli elettroni n è uguale al
numero di atomi donatori di fosforo 𝑁𝐷
n = 𝑵𝑫
Per la legge di azione di massa avremo
𝒏𝟐𝒊
𝒑𝒏 =
𝒏𝒏
Dove 𝒑𝒏 rappresentano le lacune nel semiconduttore di tipo n ed 𝒏𝒏 gli
elettroni. All’aumentare del numero di elettroni in zona n si ha una
diminuzione delle lacune.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 17

ESEMPIO
Supponiamo che un pezzo di silicio è drogato con una concentrazione di
atomi di Fosforo 𝑁𝐷 = 1016 𝑐𝑚−3 .
Quanto vale la concentrazione dei portatori a temperatura ambiente
T = 300 °K ?
Soluzione
n = 𝑁𝐷 = 1016 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖2 (1.45·1010 )2
𝑝𝑛 = = = 2.1 · 104 𝑐𝑚−3
𝑛𝑛 1016

La conduzione elettrica nei semiconduttori 18

 Per creare una lacuna, invece,
utilizziamo un atomo trivalente del
III gruppo, come il boro, l’alluminio
o il gallio.

In questo caso 3 elettroni

formeranno legami covalenti col
silicio ma rimane un “posto” vuoto,
una lacuna.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 19

La figura mostra che un atomo di silicio è
rimpiazzato da un atomo di boro che presenta tre
elettroni di valenza.
L’atomo di boro forma tre legami covalenti con gli
atomi di silicio adiacenti rimanendo una lacuna. In
questo caso un ulteriore elettrone viene accettato per
formare i quattro legami covalenti attorno all’atomo
di boro.
L’aggiunta di portatori di carica positiva rende il
semiconduttore di tipo p, e l’atomo di boro è detto
atomo accettore.
La conduzione elettrica nei semiconduttori 20
In un semiconduttore di tipo P la concentrazione delle lacune p è uguale al
numero di atomi accettori di boro 𝑁𝐴
P = 𝑵𝑨
Per la legge di azione di massa avremo
𝒏𝟐𝒊
𝒏𝒑 =
𝒑𝒑
Dove 𝒏𝒑 rappresentano gli elettroni nel semiconduttore di tipo p e 𝒑𝒑 le
lacune . All’aumentare del numero di lacune in zona p si ha una
diminuzione degli elettroni.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 21

ESEMPIO
Supponiamo che un pezzo di silicio è drogato con una concentrazione di
atomi di Boro 𝑁𝐴 = 1016 𝑐𝑚−3 .
Quanto vale la concentrazione dei portatori a temperatura ambiente
T = 300 °K ?
Soluzione
p = 𝑁𝐴 = 1016 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖2 (1.45·1010 )2
𝑛𝑝 = = = 2.1 · 104 𝑐𝑚−3
𝑝𝑝 1016

La conduzione elettrica nei semiconduttori 22

In assenza di campo elettrico l’energia cinetica degli elettroni di
conduzione in un semiconduttore vale:
𝟏 𝟑
· 𝒎𝒏 · 𝒗𝟐𝒕𝒉 = · k · T
𝟐 𝟐
k · T = 26 meV = 4.11 · 10−21 𝐽 per T =300°K

Gli elettroni possiedono un energia cinetica che dipende dalla temperatura.

Questi ultimi all’interno del semiconduttore si muovono in modo casuale,
Random.
La velocità istantanea di ciascun elettrone 𝑣𝑡ℎ ≠ 0,
ma la velocità media, netta, è nulla.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 23

Applicando un campo elettrico al semiconduttore, per esempio per mezzo di
una batteria, il campo elettrico orienterà il moto
degli elettroni fornendo loro una certa direzione.
In quale direzione si muoveranno gli elettroni?
Supponiamo di applicare il polo positivo della
batteria a destra del conduttore e il polo negativo
A sinistra.
Gli elettroni, attratti dal polo positivo della batteria, si
muoveranno da sinistra verso destra, dando origine,
per convenzione, a una corrente che si muove in verso
opposto, da destra verso sinistra, concorde con la
direzione del campo elettrico.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 24

Se nell’esempio precedente avessimo considerato le
lacune, queste ultime attratte dal polo negativo della
batteria, si muoveranno da destra verso sinistra,
dando origine a una corrente che si muove in verso
concorde, da destra verso sinistra.
Si può notare che la corrente, per entrambi i
portatori di carica, elettroni e lacune, assume la
medesima direzione.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 25

In presenza di un campo elettrico, ogni elettrone subisce una forza F,
pari a F = - q · ε, che determina uno spostamento netto non nullo.
Discorso analogo vale per le lacune, che, a differenza degli elettroni, vengono
accelerate nello stesso verso del campo elettrico.
Entrambi i portatori di carica saranno soggetti a una componente della
velocità, detta velocità di trascinamento.
𝒗𝒏 = - µ𝒏 · ε µ𝑛 è detta mobilità dell’elettrone e si misura in 𝑐𝑚2 /V · s
𝒗𝒑 = µ𝒑 · ε µ𝑝 è detta mobilità delle lacune e si misura in 𝑐𝑚2 /V · s
La mobilità è un parametro importante per il fenomeno del trasporto
delle cariche, poiché descrive quanto intensamente il moto dell’elettrone
e della lacuna siano influenzati da un campo elettrico.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 26

Si consideri la seguente barra di semiconduttore di lunghezza L, sezione
trasversale di area A e concentrazione di elettroni n, e si supponga di
applicare un campo elettrico ε.

Si può ricavare la densità di corrente degli elettroni 𝐽𝑛 che fluisce nella

barra e in modo analogo la densità di corrente delle lacune 𝐽𝑝

La conduzione elettrica nei semiconduttori 27

La densità di corrente degli elettroni è data da:
𝑰𝒏
𝑱𝒏 = = - q · n · 𝒗𝒏 = q · n · µ𝒏 · ε
𝑨
Analogamente per le lacune si ha:
𝑰𝒑
𝑱𝒑 = = q · p · 𝒗𝒑 = q · p · µ𝒑 · ε
𝑨
La corrente totale è data dalla somma delle due correnti
𝑱𝒕𝒐𝒕 = 𝑱𝒏 + 𝑱𝒑 = (q · n · µ𝒏 + q · p · µ𝒑 ) · ε
La quantità tra parentesi è nota come conducibilità
σ = (q · n · µ𝒏 + q · p · µ𝒑 )
La resistività è data dal reciproco della conducibilità
𝟏 𝟏
ρ= =
𝝈 𝒒 ·(𝒏 · µ𝒏 +𝒑 · µ𝒑 )
La conduzione elettrica nei semiconduttori 28
Oltre alla corrente di trascinamento vista in precedenza, dovuta alla
presenza di un campo elettrico applicato, vi può essere un’altra
importante componente di corrente se esiste nel materiale
semiconduttore una variazione spaziale della concentrazione dei
portatori.
In tal caso i portatori tendono a muoversi dalla regione di alta
concentrazione verso la regione di concentrazione inferiore: questa
corrente è detta corrente di diffusione.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 29

La conduzione elettrica nei semiconduttori 30
Per gli elettroni la corrente di diffusione è data da:
𝒅𝒏
𝑱𝒏 = q · 𝑫𝒏 ·
𝒅𝒙
𝑘 ·𝑇 −19 dn
Dove 𝐷𝑛 = ( ) · µ𝑛 è detta diffusività, 𝑞 = −1.6 · 10 𝐶, è il
𝑞 dx
gradiente di concentrazione degli elettroni.
Analogamente, per le lacune, la corrente di diffusione vale:
𝒅𝒑
𝑱𝒑 = - q · 𝑫𝒑 ·
𝒅𝒙
𝑘 ·𝑇 d𝑝
Dove 𝐷𝑝 = ( ) · µ𝑝 è detta diffusività, 𝑞 = +1.6 · 10−19 𝐶, è il
𝑞 dx
gradiente di concentrazione delle lacune.
.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 31

Se, oltre al gradiente di concentrazione è presente un campo
elettrico si verifica un flusso di corrente sia per trascinamento
che per diffusione.
In ogni punto la densità di corrente totale è la somma della
componente di trascinamento e di quella di diffusione.
𝒅𝒏
𝑱𝒏 = q · µ 𝒏 · n · ε + q · 𝑫𝒏 ·
𝒅𝒙
𝒅𝒑
𝑱𝒑 = q · µ𝒑 · p · ε - q · 𝑫𝒑 ·
𝒅𝒙
La somma delle due ci fornisce la corrente di conduzione totale
𝑱𝒕𝒐𝒕 = 𝑱𝒏 + 𝑱𝒑

La conduzione elettrica nei semiconduttori 32

La conduzione elettrica nei semiconduttori 33
 Nella regione di tipo p vi è un’alta concentrazione di lacune ed essendo P = 𝑵𝑨 ,
questa regione risulta essere in equilibrio, complessivamente neutra.
 Nella regione di tipo n vi è un’alta concentrazione di elettroni ed essendo n =
𝑵𝑫 , questa regione risulta essere in equilibrio, complessivamente neutra.
 Quando le due regioni, p ed n, vengono unite, a causa del forte gradiente delle
concentrazioni dei portatori, che si verifica alla giunzione, provoca la diffusione
dei portatori.
 Durante la diffusione le lacune diffondono dalla zona p verso la zona n e
viceversa gli elettroni diffondono dalla n verso la zona p.
 Le lacune, cariche maggioritarie, che abbandonano la zona p, diventano
minoritarie nella zona n e si ricombinato con gli elettroni, cariche
maggioritarie nella zona n, e lasciano, in prossimità della giunzione, ioni
accettori negativi 𝑁𝐴− non compensati.
 Gli elettroni, cariche maggioritarie, che abbandonano la zona n, diventano
minoritarie nella zona p e si ricombinato con le lacune, cariche maggioritarie
nella zona p, e lasciano, in prossimità della giunzione, ioni donatori positivi
𝑁𝐷+ non compensati.
La conduzione elettrica nei semiconduttori 34
La conduzione elettrica nei semiconduttori 35
 Pertanto si viene a create in prossimità della giunzione una regione di carica spaziale (o
zona di svuotamento)
 Nella regione di carica spaziale si genera un campo elettrico interno diretto dalla carica
positiva verso la carica negativa.
 Il moto dei portatori di carica, dovuto al campo elettrico interno, è di verso opposto al
verso della corrente di diffusione, per entrambi i portatori di carica.

 All’equilibrio termodinamico, cioè la condizione in assenza di qualunque sollecitazione

esterna, il flusso netto della corrente attraverso la giunzione deve essere nullo. Quindi
per ciascun tipo di portatore, la corrente dovuta al campo elettrico deve cancellare
esattamente la corrente di diffusione dovuta al gradiente della concentrazione.
𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽𝑛 = q · µ𝑛 · n · ε + q · 𝐷𝑛 · 𝑑𝑥 = 0 ; 𝐽𝑝 = q · µ𝑝 · p · ε - q · 𝐷𝑝 · 𝑑𝑥 = 0

La conduzione elettrica nei semiconduttori 36

La conduzione elettrica nei semiconduttori 37
Fino ad ora abbiamo trattato la giunzione p – n all’equilibrio
termodinamico, ovvero senza polarizzazione esterna.

Vediamo cosa accade polarizzando la giunzione p – n per

mezzo di una sorgente esterna (giunzione fuori equilibrio).

La conduzione elettrica nei semiconduttori 38

La conduzione elettrica nei semiconduttori 39
La giunzione viene polarizzata direttamente collegando il morsetto
positivo della batteria 𝑉𝐹 al lato p della giunzione, e il morsetto negativo
della batteria 𝑉𝐹 al lato n della giunzione.
La batteria genera un campo elettrico esterno diretto dal morsetto
positivo al morsetto negativo.
Questo campo elettrico esterno si oppone al campo elettrico interno della
giunzione, che ha direzione opposta.
Questo fa in modo che il potenziale elettrostatico della giunzione
diminuisce di una quantità pari a 𝑉𝐹 , per cui avremo che il potenziale
elettrostatico è pari a 𝑉0 − 𝑉𝐹 .
Per effetto di questa riduzione del potenziale elettrostatico, le cariche
maggioritarie riescono a diffondere da una zona all’altra per cui si ha un
passaggio di corrente elettrica dovuto alle cariche maggioritarie.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 40

La conduzione elettrica nei semiconduttori 41
La giunzione viene polarizzata inversamente collegando il morsetto
positivo della batteria 𝑉𝑅 al lato n della giunzione, e il morsetto negativo
della batteria 𝑉𝑅 al lato p della giunzione.
La batteria genera un campo elettrico esterno diretto dal morsetto
positivo al morsetto negativo.
Questo campo elettrico esterno si oppone al campo elettrico interno della
giunzione, che ha direzione opposta.
Questo fa in modo che il potenziale elettrostatico della giunzione
aumenta di una quantità pari a 𝑉𝑅 , per cui avremo che il potenziale
elettrostatico è pari a 𝑉0 + 𝑉𝑅 .
Per effetto di questo aumento del potenziale elettrostatico, le cariche
maggioritarie non riescono a diffondere da una zona all’altra per cui non
si ha un passaggio di corrente elettrica.
In realtà si ha una debolissima corrente dovuta alle cariche minoritarie,
che spinte dal campo elettrico, riescono ad andare da una zona all’altra.
Questa corrente prende il nome di corrente di saturazione inversa 𝐼S
La conduzione elettrica nei semiconduttori
42
Le celle solari, o celle fotovoltaiche, basano il loro funzionamento sul campo
elettrico che si instaura naturalmente all’interno di una giunzione p – n.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 43

Il fotone incide sulla giunzione p - n con un energia pari a:
𝒄
𝑬𝒇𝒐𝒕𝒐𝒏𝒆 = 𝒉 · 𝝂 = 𝒉 ·
𝝀
ℎ(costante di Plank) = 6.63 · 10−34 𝐽 · 𝑠 ; ν = frequenza del
fotone in Hz.
• Se 𝑬𝒇𝒐𝒕𝒐𝒏𝒆 < 𝑬𝒈
L’energia ceduta va ad aumentare l’agitazione termica degli
atomi.
• Se 𝑬𝒇𝒐𝒕𝒐𝒏𝒆 > 𝑬𝒈
L’energia ceduta, oltre che aumentare l’energia termica degli
atomi, rompe il legame covalente generando un elettrone
libero, creando così una coppia elettrone – lacuna.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 44

 Se la coppia elettrone – lacuna viene prodotta all’interno
della regione di carica spaziale dove è presente il campo
elettrico interno naturale, l’elettrone e la lacuna si
muovono, sotto l’azione del campo elettrico,
rispettivamente verso il catodo gli elettroni e verso l’anodo
le lacune.
 Se anodo e catodo sono collegati elettricamente ad un
carico esterno, il moto degli elettroni e delle lacune
prodotte costituisce una corrente che attraversa la cella dal
catodo all’ anodo e si richiude sul carico cedendo al carico
una potenza elettrica P.
 La cella fotovoltaica realizza la conversione diretta
dell’energia radiante in energia elettrica.
La conduzione elettrica nei semiconduttori 45
La conduzione elettrica nei semiconduttori 46
La conduzione elettrica nei semiconduttori 47
La conduzione elettrica nei semiconduttori 48
La conduzione elettrica nei semiconduttori 49
La conduzione elettrica nei semiconduttori 50
Consideriamo una giunzione p-n e polarizziamola direttamente, in modo tale da
abbattere la barriera di potenziale e permettere il passaggio della corrente. In
questo modo, alla giunzione, avremo una ricombinazione fra elettroni e lacune.
Questo fenomeno sarà accompagnato da una emissione di energia, in quanto
l’elettrone appartenente alla banda di conduzione (e quindi di energia più alta)
andrà ad occupare un “posto vuoto” nella banda di valenza, che si trova ad un
livello energetico più basso.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 51

 Nei diodi detti LED (Light Emitting Diode), questa energia è liberata sotto forma
di fotoni i quali, a seconda del materiale utilizzato (e quindi del rispettivo energy
gap) possono avere una lunghezza d’onda appartenente allo spettro del visibile.

E = hc/l

La conduzione elettrica nei semiconduttori 52

L'esatta scelta dei semiconduttori determina la lunghezza d'onda dell'emissione di
picco dei fotoni (il colore), l'efficienza nella conversione elettro-ottica e quindi
l'intensità luminosa in uscita.
Materiale Colore
AlGaAs rosso ed infrarosso 0,05

GaAlP verde
0,04

GaAsP rosso, arancione,

giallo 0,03

InGaN blu-verde
i
0,02

GaP rosso, giallo, verde

0,01

InGaAlP rosso-arancione, 0,00

giallo
1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9
Diamante ultravioletto v
(Carbonio)

La conduzione elettrica nei semiconduttori 53

1) durata media di 50.000 ore
2) assenza di costi della manutenzione
3) elevato rendimento
4) facilità di realizzazione delle fibre ottiche in plastica
5) flessibilità dell'installazione dei punti luce
6) possibilità di un forte effetto spot
7) funzionamento in sicurezza, perché a bassa tensione (tra i 3 ed i 24 Vdc)
8) mancanza di problemi nell'accensione a freddo (fino a -40 °C)
9) insensibilità alle vibrazioni e all'umidità
10) assenza di mercurio
11) durata non influenzata dalla frequenza dell'accensione e dello spegnimento.

La conduzione elettrica nei semiconduttori 54

I semiconduttori sono l’elemento cardine nella costruzione
dei componenti che fanno parte dell’Hardware di un
Computer, come ad esempio le memorie e i microprocessori.
Per capire meglio come avviene la fase di realizzazione di un
microprocessore, a partire dal silicio, si rimanda al seguente
link che mostra un breve video, della durata di 5 minuti.

https://www.youtube.com/watch?v=H779loIIllo

La conduzione elettrica nei semiconduttori 55

[Uno non deve lavorare sui semiconduttori, sono un pasticcio, chi
sa se addirittura esistono i semiconduttori ]
Wolfgang Pauli, 1931

GRAZIE PER L’ATTENZIONE

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