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Figura 1
(6)
(17)
(20)
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(16)
(13)
(15)
(3) (7)(10)
Teoria microscopica della conduzione
ele rica(4)
(8)
(19)
(18)
(14)
(9)
(5)(11)
(12)
2.
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
Il primo modello microscopico della conduzione ele rica nei metalli fu proposto da P. Drude nel 1990 e
successivamente precisato negli aspe i statistici da A. Lorentz intorno al 1905.
Tale modello prevede corre amente le leggi di Ohm e la dipendenza della resistivit da quantit microscopiche
quali la velocit quadratica media vrms degli ele roni ed il loro cammino libero medio L. Tu avia, come
vedremo, quando tali quantit vengono interpretate classicamente, il modello non riesce a fornire risultati
corre i sia in relazione ai valori della resistivit dei metalli sia in relazione allandamento della resistivit al
variare della temperatura.
La teoria classica della conduzione, inoltre, non fornisce alcuna informazione sul perch i diversi materiali
possono essere condu ori, semicondu ori ed isolanti.
Una corre a e completa interpretazione delle propriet ele roniche dei solidi pu essere o enuta soltanto
nellambito della teoria quantistica.
(1)
2. La resistenza ele rica del metallo R indipendente dal campo ele rico ed dir amente proporzionale alla
dimensione lineare L del metallo lungo la direzione del campo e alla sua sezione S perpendicolare al campo
ele rico:
R = r L/ A
(2)
r la resistivit del metallo che, a una data temperatura, una costante cara eristica del materiale indipendente
dal valore del campo ele rico E cui so oposto il condu ore.
Utilizzando le leggi di Ohm ed osservando che V = E L, lintensit di corrente ele rica pu essere espressa nel
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modo seguente:
Poich r indipendente dal campo ele rico, questultima equazione richiede che:
la velocit di deriva degli ele roni vD risulta costante e dire amente proporzionale allintensit E del campo ele rico.
Daltra parte un ele rone libero in presenza del campo E risente di una forza che produce unaccelerazione
costante eE/me. Se questa fosse lunica forza agente la velocit di deriva vD dovrebbe aumentare costantemente e
linearmente con il tempo. Pertanto, nel modello microscopico, si assume che lele rone venga accelerato dal
campo per un breve intervallo di tempo e che quindi urti con uno ione del reticolo. La velocit dellele rone dopo
lurto completamente scorrelata dal valore della vD (come vedremo pi avanti, la corre ezza di tale ipotesi
giusticata dal fa o che vD molto pi piccola delle velocit termiche degli ele roni). Lee o complessivo di tali
urti equivalente in media ad una forza resistente proporzionale alla velocit istantanea dellele rone, in grado
di controbilanciare lee o del campo e di garantire una condizione di regime di tipo stazionario.
Consideriamo, dunque, un ele rone scelto a caso e indichiamo con t il tempo medio trascorso dallultima
collisione dellele rone con il reticolo (t coincide con il tempo di volo, cio, con il tempo medio tra due collisioni).
Poich lele rone sogge o ad unaccelerazione a = e E/me, la velocit di deriva pu essere espressa come:
E inoltre evidente che, se vm indica la velocit media degli ele roni, la distanza media percorsa da un ele rone
tra due urti consecutivi :
L = vm t
che sostituita nella (6) perme e di esprimere la resistivit del metallo in funzione di L e vm, cio:
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In accordo alla leggi di Ohm la resistivit del metallo indipendente dal campo ele rico. Le uniche quantit che
nellequazione precedente possono dipendere dal campo sono la velocit media vm e il cammino libero medio L.
Tali quantit meritano dunque unanalisi pi approfondita, al ne di scoprire se esse possano o meno dipendere
dal campo ele rico. Per farlo utile precisare il signicato di tali grandezze nellambito del modello classico, per
passare successivamente alla pi corre a interpretazione quantistica.
Osserviamo che tale velocit di parecchi ordini di grandezza pi grande delle tipiche velocit di deriva,
dellordine di 10-510-4 m/s, cui sono sogge i gli ele roni di un metallo.
Pertanto, in condizioni ordinarie, il valore estremamente piccolo della velocit deriva non altera in alcun modo la
velocit media degli ele roni, il cui valore dunque pu essere considerato indipendente dal campo ele rico
esterno.
Da un punto di vista classico il cammino libero medio L dipende dalle dimensioni degli ioni e dal numero di ioni
per unit di volume nion.
Per ricavare lespressione di L consideriamo un ele rone, le cui dimensioni assumeremo trascurabili, che si
muove con velocit v in una regione in cui sono presenti degli ioni, che assumeremo essere sfere rigide di raggio
r.
Lele rone collider con uno ione se si muove lungo una traie oria la cui distanza dal centro dello ione minore
di r.
Per ricavare il cammino libero medio consideriamo un intervallo di tempo t 1. In tale intervallo lele rone copre
una distanza v t1. Se nel volume cilindrico p r2 v t1 vi uno ione lele rone collider con esso cambiando
direzione di moto (gura 1).
Analogamente in un intervallo di tempo successivo t 2 esso collider con un altro ione se il centro di questultimo
cade in un volume cilindrico p r2 v t2. Pertanto in un intervallo di tempo t = t 1 + t2 + .., lele rone urta con
tu i gli ioni i cui centri si trovano allinterno di un volume p r2 v t. Cos, se il numero di ioni per unit di volume
del condu ore nioni, in un tempo t lele rone ee uer un numero di collisioni pari a nion p r2 v t, percorrendo
una distanza totale v t. Il rapporto tra la distanza totale percorsa dallele rone ed il numero di urti rappresenta il
cammino libero medio:
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Da un punto di vista classico lunica quantit che in tale espressione dipende dalla temperatura vm, che risulta
proporzionale a
con essa.
, di modo che la resistivit cresce con la radice quadrata della temperatura e non linearmente
essendo h la costante di Plank. Poich lele rone connato in una scatola unidimensionale di dimensione L,
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Mentre la funzione donda dellele rone corrispondente allautostato di energia En data da:
Nel caso tridimensionale, anzich un unico numero quantico n, necessario considerare tre numeri quantici,
ciascuno associato ad una delle tre dimensioni.
Lenergia di Fermi dipende dunque dal numero di ele roni per unit di volume.
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Inoltre, utilizzando la distribuzione completa dellenergia degli ele roni (distribuzione di Fermi - Dirac), si trova
che lenergia media degli ele roni a T = 0 :
E importante so olineare che tale energia molto pi grande di quella prevista dalla statistica classica di
Maxwell-Boltzmann. Classicamente, infa i, lenergia media degli ele roni dellordine di kT, pertanto a T = 0 K
essa nulla. Secondo la statistica di Fermi- Dirac, invece, Em diversa da zero anche per T=0 K. Per il rame, ad
esempio, a T = 0 K essa pari a circa 4 eV, e dunque di parecchi ordini di grandezza pi grande dellenergia
termica, pari a circa 0.03 eV, ricavata dalla statistica di M-B a temperature ordinarie (300 K).
f
(E)
=
1
per
E<
EF
f(E)
a temperature pi elevate, alcuni ele roni, come conseguenza delle interazioni con il reticolo, acquistano energia
=
suciente per occupare livelli di energia superiori ad EF. Tu avia, bisogna tenere presente che un ele rone pu
0
muoversi verso uno stato di energia diversa soltanto se se questultimo libero. Daltra parte, poich lenergia del
per
reticolo cristallino dellordine di kT, lenergia che pu acquistare un ele rone grazie alle interazioni con il
E>
reticolo non pu essere pi grande di kT.
E
Possiamo cos concludere che soltanto gli ele roni le cui energie si trovano entro un kT dal livello di fermiF
possono guadagnare energia al crescere della temperatura. Cos, per esempio, a 300 K poich lenergia kT (pari a
circa 0.03 eV) del rame risulta molto pi piccola dellenergia di fermi (pari a 7.04 eV), soltanto una piccola
frazione di ele roni prossimi al livello di fermi potranno muoversi verso stati di energia un po pi elevati
dellenergia di fermi.
La gura 3 riporta il graco del fa ore di Fermi in funzione dellenergia per T > 0 K.
Poich per T > 0 K non vi una ne a distinzione tra livelli occupati e livelli non occupati, necessario modicare
la denizione di energia di Fermi:
lenergia di Fermi a temperatura T lenergia per la quale la probabilit di occupazione (ossia il f
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.
Si denisce inoltre la temperatura di Fermi come:
k TF = EF
Per temperature molto pi piccole di TF lenergia media degli ioni del reticolo (che dellordine di kT) molto
pi piccola di EF, e pertanto la distribuzione di energia degli ele roni dierisce poco da quella corrispondente a T
= 0 K.
In genere per i metalli la temperatura di Fermi molto elevata, cosicch anche a temperature ordinarie la
distribuzione denergia degli ele roni ben approssimata dal fa ore di Fermi corrispondente a T = 0 K.
In gura 4 riportato il graco del fa ore di Fermi in funzione della velocit degli ele roni nel caso
unidimensionale. Considerando il graco,
possiamo denire la velocit di Fermi a T 0 K come il valore uF della velocit che corrisponde a F(E) = .
In altri termini:
Quando al condu ore viene applicato un campo ele rico tu i gli ele roni liberi partecipano alla conduzione.
Essi infa i vengono accelerati dal campo e le loro velocit subiscono un incremento secondo il verso della forza
ele rica applicata.
La gura 4 riportata nella pagina seguente mostra come viene modicato il fa ore di Fermi quando gli ele roni
sono so oposti ad un campo ele rico esterno. Sebbene le velocit di tu i gli ele roni subiscono uno shi verso
valori pi elevati, lee o complessivo del campo equivalente ad uno shi dei soli ele roni che si trovano il
prossimit del livello di Fermi.
Figura 4
Vi sono due problemi da risolvere. In primo luogo, poich uF praticamente indipendente dalla temperatura,
anche la resistivit risulter indipendente dalla temperatura, a meno che la dipende dalla temperatura non
provenga dal cammino libero medio.
Inoltre, abbiamo gi osservato che utilizzando la velocit media degli ele roni ricavata dalla statistica di
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Maxwell-Boltzmann, il valore di resistivit previsto dal modello classico a 300 K risulta sei volte pi grande del
valore misurato. Poich la velocit di Fermi risulta circa 16 volte pi grande di vm a 300 K, il valore della resistivit
calcolato con la formula precedente sarebbe circa 100 volte pi grande di quello misurato.
Entrambi questi problemi possono essere risolti interpretando quantisticamente il cammino libero medio degli
ele roni liberi.
Abbiamo visto che nellequazione classica L = 1/nA, A = p r2 rappresenta larea di uno ione vista dallele rone. Se
per si ee ua il calcolo quantistico, ci si rende conto che unonda ele ronica che a raversa un reticolo
cristallino perfe amente ordinato non subisce alcuno sca ering, con la conseguenza che il cammino libero
dellele rone risulta innito. Lo sca ering si verica soltanto se si considerano le imperfezioni del reticolo, cio le
deviazioni degli ioni reticolari da una congurazione perfe amente ordinata. Le cause pi comuni di tali
deviazioni consistono nelle vibrazioni termiche degli ioni e nelle impurezze.
Tenendo opportunamente conto di tali fa ori, possiamo continuare
ad utilizzare lespressione L = 1/nA, a condizione di interpretare in
modo diverso larea A.
In termini quantistici, gli ioni del reticolo vanno, infa i, considerati
come punti, con dimensioni nulle ma con una sezione durto A = p
r02, dove il raggio r0 proporzionale allampiezza delle vibrazioni
termiche dello ione.
Daltra parte sappiamo che lenergia di un oscillatore armonico
proporzionale al quadrato dellampiezza doscillazione e, dunque, ad
r02. Dunque la sezione durto A risulta proporzionale allenergia E
delloscillatore armonico.
Inoltre, dal principio di equipartizione dellenergia discende che
lenergia media doscillazione degli ioni (che a temperature ordinarie
obbediscono alla statistica di Maxwell-Boltzmann) proporzionale a
kT.
Quindi poich A risulta proporzionale a T, L risulta proporzionale a 1/T e la resistivit calcolata con la formula
(19) risulta proporzionale a T, in perfe o accordo con landamento osservato sperimentalmente.
Larea ecace A pu essere calcolata e risultati forniscono valori di resistivit in accordo con quelli ricavati
sperimentalmente.
La presenza di impurezze nei metalli causa delle deviazioni rispe o alla condizione di perfe a regolarit del
reticolo cristallino. Gli ee i conseguenti sulla resistivit sono quasi indipendenti dalla temperatura.
In generale, la resistivit di un metallo pu essere scri a come la somma di due termini:
Dove rT il contributo dovuto alle vibrazioni termiche del reticolo e ri allo sca ering degli ele roni da parte
delle impurezze.
Quando la temperatura tende a valori molto piccoli il termine rT tende a zero e la resistivit tende ad assumere
il valore costante ri dovuto alle impurezze (gura 6).
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