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DISPOSITIVI ELETTRONICI

Una raccolta delle (o domande e delle relative risposte per la


preparazione allesame orale del corso di Dispositivi Elettronici
del Politecnico di Milano del prof. Andrea Leonardo Lacaita
Milano, zo maggio zo(
z DISPOSITIVI ELETTRONICI
Indice
Struttura elettronica dei semiconduttori
1. Illustrare cosa si intende per solido cristallino, dare alcuni esempi di celle unitarie e stimare, a
partire dal passo reticolare la densit` a atomica del solido.
z. Illustrare il modello atomico di Bohr, ricavando lespressione del raggio medio delle orbite.
Utilizzare questo risultato per stimare il passo atomico del cristallo di Sodio.
. Illustrare lapparente contraddizione tra la II legge della dinamica e la legge di Ohm. Introdurre
il modello a rilassamento per la velocit` a di deriva e la mobilit` a.
. Discutere la conducibilit` a in un conduttore metallico e la sua dipendenza dalla temperatura.
. Illustrare le propriet` a dei semiconduttori del IV gruppo (reticolo, concentrazione intrinseca, sua
dipendenza dalla temperatura, la lacuna).
6. Stimare la conducibilit` a del Silicio/Germanio puro a temperatura ambiente (commentare le-
spressione, quanticare i termini)
. Introdurre il concetto di drogante, illustrare linuenza dei droganti sulla conducibilit` a del
semiconduttore a partire dal modello ad orbitali di legame.
8. Stimare sulla base del modello di Bohr, lenergia di legame dellelettrone del Fosforo, quando
immerso nel reticolo di Silicio.
j. Illustrare la legge di azione di massa, i concetti di maggioritari e minoritari.
1o. Illustrare la dipendenza della mobilit` a dal drogaggio di un semiconduttore.
11. Illustrare la dipendenza della conducibilit` a di un semiconduttore drogato al variare della tem-
peratura distinguendo tra i regimi di freeze-out/conducibilit` a estrinseca/ conducibilit` a intrinseca.
1z. Illustrare, partendo dallesempio della distribuzione di un gas in una colonna isoterma, i risultati
fondamentali della statistica di Boltzmann (distribuzione in energia, rapporto della concentrazione
a due quote, dipendenza dalla temperatura).
Giunzione pn
1. Illustrare le caratteristiche retticanti di una giunzione p-n. Valutare la dierenza di potenziale
allequilibrio e giusticare qualitativamente leetto della polarizzazione sulla estensione della zona
di carica spaziale e sulla caduta di potenziale.
1. Tracciare il prolo di energia potenziale ai morsetti di una giunzione p-n allequilibrio ed in
polarizzazione diretta/inversa e giusticare le dipendenze attese per la espressione della corrente.
1. Ricavare landamento dettagliato di campo elettrico e prolo di potenziale in una giunzione p-n
con drogaggi uniformi polarizzata allequilibrio. Dare le espressioni esplicite del campo elettrico
massimo e della estensione della zona di carica spaziale.
16. Introdurre la corrente di diusione e ricavare la Legge di Fick giusticando il lagame tra
coeciente di diusione e mobilit` a (relazione di Einstein).
1-18. Ricavare lequazione di continuit` a, discutendo le espressioni dei termini di generazione/ricombinazione.
1j. Integrare lequazione di continuit` a per ricavare landamento del prolo di portatori minoritari
iniettati in una zona neutra ai capi di una giunzione p-n polarizzata direttamente.
zo. Ricavare lespressione della corrente totale che attraversa una giunzione p-n in polarizzazione
diretta. Tracciare e giusticare landamento della densit` a di corrente di lacune e di elettroni.
z1. Si consideri una giunzione p-n polarizzata inversamente: ricavare landamento del prolo di
minoritari in una delle zone neutre adiacenti.
zz. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione diretta (capacit` a di
diusione) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo.
DISPOSITIVI ELETTRONICI
z. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in polarizzazione inversa (capacit` a di
svuotamento) e illustrare il corrispondente circuito per piccoli segnali del diodo.
z. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per eetto
Zener, stimarne il campo elettrico critico sulla base di un semplice modello di legame.
z. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fenomeno di breakdown per ionizzazio-
ne ad impatto e stimare il campo critico sulla base di un semplice modello. Discutere la dipendenza
del campo critico dal drogaggio.
z6. Illustrare la formazione delle bande di livelli energetici in un solido cristallino con particolare
riferimento ai solidi degli elementi del IV gruppo della tavola periodica.
z. Illustrare e la statistica di occupazione dei livelli energetici e introdurre la denizione di livello
di Fermi.
z8. Denire le densit` a di stati equivalenti in banda di conduzione e valenza. Illustrarne il legame
con la concentrazione intrinseca ed il gap.
zj. Illustrare landamento del diagramma a bande in una giunzione p-n allequilibrio.
Giunzione metallo-semiconduttore e struttura MOS
o. Denire il potenziale di contatto tra due materiali. Illustrare le condizioni per cui un contatto
metallo-semiconduttore ` e retticante.
1. Illustrare lelettrostatica di una struttura MOS, identicando le cadute di potenziale in condi-
zione di banda piatta.
z-. Struttura MOS: denire le condizioni di svuotamento e forte inversione, ricavare lespressio-
ne della tensione di soglia, illustrare lelettrostatica del sistema in condizioni di svuotamento rica-
vando la densit` a superciale dei portatori liberi allinterfaccia e la sua dipendenza dalla tensione di
controllo.
. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di conduzione in zona ohmica, chia-
rendo le approssimazioni che si compiono.
. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di conduzione in saturazione, chia-
rendo le approssimazioni che si compiono.
6. Transistore MOSFET: chiarire lorigine e la denizione di coeciente di eetto body. Discu-
terne limpatto sulla capacit` a di corrente del transistore.
. Transistore MOSFET: discutere la variazione della corrente di saturazione al variare della pola-
rizzazione di drain. Chiarirne la sica e limpatto sulle prestazioni del componente.
8. Introdurre la fenomenologia della saturazione della velocit` a di deriva nei semiconduttori. De-
nire e valutare lordine di grandezza del campo critico. Illustrare leetto sulla base di un modello a
rilassamento delle grandezze dinamiche delle particelle (quantit` a di moto ed energia).
j. Discutere la dipendenza della frequenza di taglio del MOSFET dalla lunghezza di canale.
o. Illustrare i passi di processo principali di un processo CMOS.
Appendice
Transistore MOS: polarizzazione delle regioni diuse e carica nel canale di conduzione.
Transistore MOS: mobilit` a superciale e velocit` a di saturazione.
Transistore MOS: modello di piccolo segnale.
Struttura elettronica dei semiconduttori
. Illustrare cosa si intende per solido cristallino, dare alcuni
esempi di celle unitarie e stimare, a partire dal passo reticolare
la densit ` a atomica del solido.
I solidi cristallini si dierenziano dai solidi amor per la disposizione ordinata degli atomi. La loro
disposizione prende il nome di reticolo cristallino ed ` e periodico. Esso pu` o essere ricostruito a par-
tire da una cella unitaria tramite opportune traslazioni. La pi ` u piccola cella in grado di ricostruire
il reticolo ` e detta cella primitiva. Gli assi di simmetria della cella vengono detti assi cristallograci.
La struttura del sodio (Na) ` e cubica a corpo centrato (CCC). Per ogni cella unitaria ci sono quindi
1
/8 8 + 1 atomi. La densit` a atomica ` e il numero di atomi per unit` a di volume. Detto a il passo
reticolare, cio` e la lunghezza del lato della cella unitaria, si ha che la densit` a ` e pari a
2
/a
3
.
z. Illustrare il modello atomico di Bohr, ricavando lespressio-
ne del raggio medio delle orbite. Utilizzare questo risultato per
stimare il passo atomico del cristallo di Sodio.
Il modello di Bohr
1
parte dai seguenti postulati:
gli elettroni ruotano attorno al nucleo con orbite circolari,
latomo emette o assorbe energia solo quando gli atomi passano da unorbita allaltra,
le orbite sono quantizzate, cio` e il momento della quantit` a di moto ` e un multiplo intero di .
Sullelettrone agisce una forza di Coulomb espressa dalla relazione 1.
F = K
Zq
2
R
2
(1)
con q carica dellelettrone pari a 1.6 10
19
C, Z numero di cariche nette positive interne allorbita
presa in questione. Si pu` o applicare il II principio della dinamica ed essendo un moto circolare
uniforme ed essendo le orbite quantizzate si pu` o trovare il raggio tramite la relazione z.
F = K
Zq
2
R
2
= ma = m
v
2
R
(mv
2
R)
2
= KZq
2
mR (n)
2
= KZq
2
mR
R =
n
2
Z
R
0
con R
0
=

2
Kq
2
m
0.5

A (z)
Dove R
0
` e costante ed ` e detto raggio di Bohr. Avendo il sodio una congurazione 1s
2
2s
2
2p
6
3s
1
ha
numero quantico pari a ed un solo atomo nellorbita pi ` u esterna ed ` e quindi approssimabile come
atomo idrogenoide. Il raggio del sodio sar` a quindi espresso dalla relazione .
R
Na
=
n
2
Z
R
0
4.5

A ()
j. Illustrare lapparente contraddizione tra la II legge della dina-
mica e la legge di Ohm. Introdurre il modello a rilassamento per
la velocit ` a di deriva e la mobilit ` a.
I conduttori metallici sono caratterizzati dalla presenza di elettroni liberi che se sottoposti ad un
campo elettrico, e quindi ad una dierenza di potenziale, generano un moto ordinato di cariche e
1
Venne proposto nel 1j1 come perfezionamento del celebre modello planetario introdotto da Rutherford pochi anni
prima. Il modello viene analizzato in questa maniera pi ` u semplicistica di quanto lo sia in realt` a.
6 DISPOSITIVI ELETTRONICI
quindi corrente. La tensione ` e proporzionale alla forza applicata mentre la corrente risulta propor-
zionale alla velocit` a delle cariche quindi pare vi sia unapparente contraddizione tra la II legge della
dinamica che lega proporzionalmente la forza allaccelerazione e non alla velocit` a.
V =
B

A
E dl =
B

A
F dl
q
I =

S
J dS =

S
qnv dS
`
E una contraddizione solo apparente in quanto gli elettroni sono sottoposti ad un moto uniforme-
mente accelerato ma con la presenza di urti che ne modicano velocit` a e direzione dei portatori
determinando quindi una velocit` a media detta di deriva (drift). In particolare si pu` o assumere che
la quantit` a di moto si azzera in seguito agli urti dopo un tempo medio
c
.
m

v
drift
= qE
c
v
drift
=
qE
c
m

v
drift
= E ()
=
q
c
m

()
m

` e la massa ecace della particella, essa ` e pari alla massa m


0
dellelettrone nel vuoto solo se, come
dice il nome, ci si trova nel vuoto. Nel caso si analizzi il moto delle particelle in un mezzo materiale
esse mostreranno una massa dierente da quella dellelettrone nel vuoto ed inoltre la massa degli
elettroni sar` a diversa da quella delle lacune. La massa delle particelle dipende solo dal mezzo in cui
sono immerse e non da grandezze siche applicate come ad esempio il campo elettrico.
(. Discutere la conducibilit ` a in un conduttore metallico e la sua
dipendenza dalla temperatura.
Un conduttore metallico ` e caratterizzato da elettroni liberi di vagare e di generare una corrente se
sottoposti ad un campo elettrico. La densit` a di corrente risulta proporzionale al campo elettrico
tramite un coeciente detto conducibilit` a.
J = nqv
drift
= nqE
J = E (6)
= nq ()
Allaumentare della temperatura diminuisce il tempo medio tra un urto e laltro e quindi allaumen-
tare della temperatura diminuisce la conducibilit` a.
. Illustrare le propriet ` a dei semiconduttori del IV gruppo (retico-
lo, concentrazione intrinseca, sua dipendenza dalla temperatu-
ra, la lacuna).
I semiconduttori sono materiali che presentano una conducibilit` a intermedia tra metalli ed isolanti.
A dierenza dei metalli le bande non si sovrappongono tra loro e nel caso del silicio tutti gli elet-
troni sono impegnati nel formare legami. Si deve quindi fornire un energia per liberarli e rendere
il materiale in grado di condurre. Tuttavia nel caso dei semiconduttori gi` a lenergia termica ` e com-
parabile con quella necessaria a rompere i legami. Semiconduttori composti da atomi di una sola
specie sono, ad esempio, il silicio (Si) e il germanio (Ge). Essi formano legami covalenti ibridi di
tipo sp
3
e si dispongono secondo una struttura tetraedrica su base cubica come mostrato in gura 1.
Ogni qual volta un legame viene rotto e si libera un elettrone che passa in banda di conduzione vi ` e
STRUTTURA ELETTRONICA DEI SEMICONDUTTORI
Figura 1: La cella unitaria del cristallo di silicio. Ogni sfera ` e un atomo. Ogni atomo ha quattro
vicini come evidenziato dagli atomi pi ` u scuri. Gli atomi pi ` u scuri compongono la cella primitiva
tratteggiata. Notare come la struttura del silicio sia tetragonale.
Figura z: (a) La rappresentazione bidimensionale della struttura cristallina del Silicio. (b) Quando si
rompe un legame covalente, un elettrone si libera e diventa in grado di condurre corrente elettrica.
Quando si libera crea un vuoto rappresentato dal cerchietto vuoto. (c) La lacuna ` e anchessa in grado
di muoversi e condurre corrente elettrica.
una vacanza detta lacuna e modellizzata come una particella di carica opposta a quella dellelettro-
ne. In un semiconduttore intrinseco la concentrazione di lacune p ` e pari a quella degli elettroni n
ed ` e detta concentrazione intrinseca n
i
ed ` e una grandezza che varia con la temperatura.
n
i
T
3
/2
exp
_

E
gap
2KT
_
(8)
. Stimare la conducibilit ` a del Silicio/Germanio puro a tempera-
tura ambiente (commentare lespressione, quanticare i termini)
La conducibilit` a ha comportamenti in funzione della temperatura molto diversi tra semiconduttori
e metalli. Questo perch e laumento di temperatura comporta una diminuzione del tempo medio di
collisione
c
ma nei semiconduttori viene ampiamente compensato dalla generazione di portatori
allaumentare della temperatura.
8 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Nel caso dei semiconduttori ` e utile modellizzare la corrente come dovuta ai contributi distinti di
elettroni e lacune
z
.
J = E = (
n
+
p
)E = q(n
n
+p
p
)E
Nel caso del silicio a temperatura ambiente abbiamo
_

_
n = p = n
i
= 1.45 10
10
cm
3

n
= 1450cm
2
/Vs

p
= 480cm
2
/Vs

Si
= 4.48 10
6
(cm)
1
(j)
Nel caso del germanio a temperatura ambiente abbiamo
_

_
n = p = n
i
= 2.4 10
13
cm
3

n
= 3900cm
2
/Vs

p
= 1900cm
2
/Vs

Ge
= 22.3 10
3
(cm)
1
(1o)
Le maggiori concentrazioni e mobilit` a del germanio si spiegano a causa della sua maggiore densit` a
e minore energy gap.
E
gap,Si
= 1.22eV E
gap,Ge
= 0.66eV (11)
,. Introdurre il concetto di drogante, illustrare linuenza dei dro-
ganti sulla conducibilit ` a del semiconduttore a partire dal modello
ad orbitali di legame.
Si possono inserire elementi in un semiconduttore intrinseco in posizione sostituzionale per alte-
rarne le propriet` a conduttive senza per` o modicare la struttura del reticolo. Questa procedura ` e
detta drogaggio ed il semiconduttore cos` creato ` e detto estrinseco o, pi ` u comunemente, drogato e
lelemento inserito ` e detto drogante. Se i droganti hanno un maggior numero di elettroni rispetto
allelemento da drogare sono detti donori ed il semiconduttore ` e detto drogato di tipo n, in caso
contrario sono detti accettori ed il semiconduttore ` e detto drogato di tipo p.
La concentrazione di droganti (N
A
o N
D
rispettivamente nel caso di accettori o donori) deve essere
minore di almeno tre ordini di grandezza rispetto alla concentrazione di atomi del semiconduttore
intrinseco per non alterare il suo reticolo ed essere maggiore di almeno tre ordini di grandezza
rispetto alla concentrazione intrinseca per essere considerevoli le modiche apportate alle propriet` a
del semiconduttore.
Nel caso di un semiconduttore drogato di tipo n, il drogaggio implica un considerevole aumento del-
la concentrazione di elettroni ed ` e approssimabile alla concentrazione stessa di droganti in quanto la
concentrazione intrinseca di elettroni ` e trascurabile. Inoltre la concentrazione di lacuna diminuisce
in quanto con un maggior numero di elettroni liberi ` e pi ` u probabile che esse vengano ricombinate.
Per questo motivo in un drogaggio di tipo n gli elettroni vengono detti maggioritari e le lacune mi-
noritari.

Analogo discorso pu` o essere fatto per un drogaggio di tipo p dove sono le lacune ad essere
i portatori maggioritari e gli elettroni quelli minoritari.
Con il drogaggio si ottiene quindi una diversa concentrazione tra elettroni e lacune ed un aumen-
to generale della concentrazione di portatori totali. La conducibilit` a quindi aumenter` a ed inol-
tre, essendo il contributo dei minoritari trascurabile, si potr` a considerare dipendente dalla sola
concentrazione di maggioritari che non ` e altro che la concentrazione dei droganti

.
= q(
n
n +
p
p) =
_
q
n
n = q
n
N
D
drogaggio di tipo n
q
p
p = q
p
N
A
drogaggio di tipo p
(1z)
z
Come analogia basti pensare che ` e pi ` u facile modellizzare il moto di una bolla daria in un liquido che non il moto di
tutte le particelle dacqua che la circondano.

Verr` a chiarito nella domanda j come calcolare la nuova concentrazione di minoritari.

Si pu` o considerare in prima approssimazione una completa ionizzazione dei droganti


STRUTTURA ELETTRONICA DEI SEMICONDUTTORI j
Figura : Rappresentazione bidimensionale di una struttura cristallina di silicio drogato. (a)
Larsenico ` e un donore. (b) Il boro ` e un accettore.
8. Stimare sulla base del modello di Bohr, lenergia di legame
dellelettrone del Fosforo, quando immerso nel reticolo di Silicio.
Dal modello di Bohr

` e possibile determinare lenergia potenziale e cinetica di un atomo di fosforo


immerso in un cristallo di silicio e la sua conseguente energia totale.
E
p
= K
Zq
2
R
(1)
_

_
E
k
=
1
2
mv
2
F = K
Zq
2
R
E
k
=
1
2
K
Zq
2
R
(1)
E
tot
= E
p
+E
k
= K
Zq
2
R
+
1
2
K
Zq
2
R
=
1
2
K
Zq
2
R
(1)
Il fosforo ha numero quantico principale n = 3 e pu` o essere considerato come un atomo idrogenoide
e quindi Z = 1. A partire da queste condizioni pu` o essere calcolato il suo raggio atomico.
R =
n
2
Z
R
0
= 9R
0
= 4.5

A (16)
Il raggio ` e paragonabile al passo atomico del silicio, quindi ` e ragionevole considerare lelettrone
immerso in un dielettrico di costante
Si
=
r

0
.
E
tot
=
1
2
K
Zq
2
R
=
1
2
KZq
2
Z
n
2
R
0
=
Z
2
n
2
_

q
2
2R
0

1
4
Si
_
=
Z
2
n
2

r
R
y
(1)
R
y
=
q
2
8
0
R
0
13.6eV (18)
E
tot
130mev (1j)
Con R
y
che ` e detta costante di Rydberg. Lenergia totale ` e quindi confrontabile allenergia termica
a temperatura ambiente
6
e questo signica che gi` a a temperatura ambiente vi saranno numerosi
portatori liberi

Vedi domanda z.
6
A temperatura T = 300K lenergia termica ` e pari a circa 25, 89meV.

Per una descrizione pi ` u dettagliata del numero di portatori liberi in funzione della temperatura vedere la domanda NON
MI RICORDO
1o DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura : Un elettrone pu` o subire leetto dello scattering da parte di uno ione accettore (a) e da uno
donore (b) in maniera similare anche se gli ioni hanno tipi opposti di carica. Lo stesso fenomeno
vale per le lacune anche se non mostrato in gura.
g. Illustrare la legge di azione di massa, i concetti di maggioritari
e minoritari.
In un semiconduttore
8
, a causa dellagitazione termica, si possono rompere dei legami e creare
delle coppie elettrone-lacuna. Si pu` o quindi denire un tasso di generazione G in funzione della
temperatura.
G(T) = f
1
(T) (zo)
Analogamente si avranno delle ricombinazioni che saranno in funzione della temperatura e del-
la concentrazione di portatori. La dipendenza dalla concentrazione dei portatori ` e dovuta al fat-
to che maggiori sono le coppie elettrone-lacuna e maggiori sono le possibilit` a che avvenga una
ricombinazione. Si pu` o quindi denire un tasso di ricombinazione R.
R(n, p, T) = npf
2
(T) (z1)
Allequilibrio termico i due tassi si equipareranno e considerando che nel caso di un semiconduttore
intrinseco si ha n = p = n
i
si pu` o ricavare la legge di azione di massa. Essa ` e valida non solo per i
semiconduttori intrinseci ma anche per quelli drogati.
j
G(T) = R(n, p, T) f
1
(T) = npf
2
(T) np =
f
2
(T)
f
1
(T)
= f (T) (zz)
n
2
i
= np (z)
o. Illustrare la dipendenza della mobilit ` a dal drogaggio di un
semiconduttore.
Unelettrone pu` o subire delle variazioni nella direzione del suo moto dovute alla presenza di cariche
(positive o negative) come mostrato in gura . La mobilit` a mostra un andamento costante no a
drogaggi con concentrazioni dellordine di 10
15
cm
3
mentre oltre valori dellordine di 10
17
cm
3
presenta una dipendenza proporzionale allinverso della concentrazione di droganti come mostrato
in gura .
8
Vale sia nel caso di semiconduttori intrinseci che drogati.
j
Per una dimostrazione quantitativa e pi ` u esaustiva del prodotto np vedere la risposta alla domanda z8.
STRUTTURA ELETTRONICA DEI SEMICONDUTTORI 11
Figura : La mobilit` a di elettroni e lacune a una temperatura T = 300K.
. Illustrare la dipendenza della conducibilit ` a di un semicon-
duttore drogato al variare della temperatura distinguendo tra i
regimi di freeze-out/conducibilit ` a estrinseca/ conducibilit ` a intrin-
seca.
La conducibilit` a ` e denita come
= q(n
n
+p
p
) (z)
Essa ha due fattori legati alla temperatura: la mobilit` a e la concentrazione di portatori.
Mobilit ` a
La mobilit` a ` e inuenzata dal fenomeno dello scatterig gi` a introdotto nella domanda 1o. Ci sono due
cause principali di scattering nel caso di semiconduttori drogati: la presenza di cariche sse positive
e la presenza di vibrazioni degli atomi del cristallo. L mobilit` a dovuta agli ioni, oltre a presentare
una dipendenza dalla concentrazione di droganti, presenta anche una dipendenza dalla temperatura
in quanto a temperature pi ` u alte si ha una maggiore velocit` a termica ed quindi un minor tempo di
iterazione tra portatori e ioni. Ne consegue che con linnalzamento della temperatura il fenomeno di
scattering introdotto dagli ioni diminuisce.
`
E vericabile che la dipendenza della mobilit` a dovuta
alla presenza di ioni ` e del tipo

dop

T
3
2
N
A
+N
D
(z)
Per quanto riguarda le vibrazioni del reticolo, esse possono essere schematizzate sotto forma di
particelle dette fononi. Con un innalzamento della temperatura vi ` e una maggiore vibrazione degli
atomi del reticolo ed un conseguente maggiore scattering dei portatori. La dipendenza della mobilit` a
dovuta ai fononi ` e del tipo

ph
T

3
2
(z6)
Quando vi ` e pi ` u di una tipologia di scattering la mobilit` a totale ` e determinata dalla somma degli
inversi delle mobilit` a dovute ai singoli fenomeni.
1

=
1

ph
+
1

dop
(z)
1z DISPOSITIVI ELETTRONICI
Concentrazione di portatori
La concentrazione di portatori ` e dovuta alla percentuale di droganti ionizzati e alla concentrazione
intrinseca dei materiali. La concentrazione di droganti ionizzati cresce con la temperatura tendendo
asintoticamente alla concentrazione di droganti e si possono considerare completamente ionizzati
gi` a a temperatura ambiente. La concentrazione intrinseca del materiale cresce invece esponenzial-
mente con la temperatura secondo la statistica di Boltzmann
1o
ma prevale sulla concentrazione di
droganti ionizzati solo ad alte temperature.
z. Illustrare, partendo dallesempio della distribuzione di un gas
in una colonna isoterma, i risultati fondamentali della statistica
di Boltzmann (distribuzione in energia, rapporto della concentra-
zione a due quote, dipendenza dalla temperatura).
La statistica di Boltzmann descrive la distribuzione degli stati energetici di un sistema. La distri-
buzione dei portatori di carica si pu` o ricavare a partire dalle equazioni della termodinamica che
regolano la distribuzione di particelle in una colonna isoterma di gas.
_
dp = nmg dz legge di Stevino
dp = KT dn legge dei gas ideali
(z8)
nmg dz = KT dn
mg
KT
dz =
dn
n

mg
KT
(z
2
z
1
) = ln
_
n(z
2
)
n(z
1
)
_
n(z
2
)
n(z
1
)
= exp
_

mgz
2
mgz
1
KT
_
= exp
_

E
p
(z
2
) E
p
(z
1
)
KT
_
(zj)
La dierenza di concentrazione dipende quindi dallenergia potenziale, che si oppone al moto li-
bero degli elettroni, e dallenergia termica, che invece favorisce una diusione pi ` u omogenea. Lo
stesso risultato pu` o essere ottenuto nel caso di concentrazioni di portatori di carica allinterno di un
semiconduttore.
n
1
= n
2
exp
_
q
V
21
KT
_
(oa)
p
1
= p
2
exp
_
q
V
21
KT
_
(ob)
Le equazioni mostrano che, ssati due punti tali che largomento dellesponenziale risulti positivo,
il rapporto delle concentrazioni diminuisce al crescere della temperatura.
1o
Per una dimostrazione della statistica di Boltzmann applicata alla concentrazione intrinseca vedere la risposta alla
domanda z8.
STRUTTURA ELETTRONICA DEI SEMICONDUTTORI 1
Figura 6: Dipendenza dalla temperatura della mobilit` a degli elettroni nel caso di silicio con
drogaggio di tipo n.
Figura : Variazione della concentrazione di portatori in un semiconduttore di tipo n in funzione
della temperatura.
1 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Giunzione pn
j. Illustrare le caratteristiche retticanti di una giunzione p-
n. Valutare la dierenza di potenziale allequilibrio e giustica-
re qualitativamente leetto della polarizzazione sulla estensione
della zona di carica spaziale e sulla caduta di potenziale.
Si ha una giunzione pn quando in un semiconduttore sono presenti dierenti tipologie di drogaggio.
Se si suppone un blocchetto di silicio con una zona a drogaggio omogeneo di tipo p e la rimanen-
te zona drogata di tipo n, a causa di una diversa concentrazione di portatori, i maggioritari della
zona n, gli elettroni, dionderanno nella zona p e, viceversa, i maggioritari della zona p, le lacune,
dionderanno nella zona n. Entrambi i portatori maggioritari si andranno quindi a ricombinare
con i minoritari della zona nella quale diondono. Questo fenomeno forma una regione detta di
zona svuotata o zona di carica spaziale
11
in quanto, a causa della ricombinazione, la zona si assume
priva di portatori liberi di carica
1z
. La zona svuotata assume carica negativa ssa nella parte p e
carica positiva nella parte n a causa degli atomi droganti ionizzati. Questa distribuzione di cariche
nei pressi della giunzione crea una dierenza di potenziale ed un campo elettrico che si oppone ad
una ulteriore diusione dei maggioritari. La tensione che si viene a creare allequilibrio viene detta
tensione di built in. Una descrizione qualitativa per via graca degli andamenti di carica, campo
elettrico e tensione ` e data dalla gura 8.
Il potenziale di built in si pu` o ricavare tramite la statistica di Boltzmann applicata ad una distribu-
zione non uniforme di carica. Ad esempio, considerando gli elettroni si ha
n
n
n
p
=
N
D
N
A
n
2
i
= exp
_
q
V
n
V
p
KT
_
= exp
_
q
V
BI
KT
_
V
BI
=
KT
q
ln
_

_
N
D
N
A
n
2
i
_

_
(1)
Polarizzando la giunzione esternamente, la tensione applicata ai capi del diodo si riversa senza
perdite sulla zona svuotata, cio` e non ci sar` a caduta di tensione ai capi della zona neutra e la caduta di
tensione sulla zona svuotata ` e pari alla tensione di built in meno la tensione applicata direttamente.
Nel caso la tensione sia applicata in inversa essa si andr` a a sommare alla tensione di built in.
Nel caso di polarizzazione diretta vi ` e uniniezione di portatori che va a compensare la ricombina-
zione dovuta alla diusione. Vi ` e una diminuzione della tensione ai capi della zona svuotata, un
restringimento di questultima ed un passaggio di corrente dalla zona p alla zona n.
Nel caso di polarizzazione in inversa vi ` e uniniezione di lacune in zona n e di elettroni in zona p
che comporta un allargamento della zona svuotata, un aumento della tensione ai suoi capi ed una
corrente molto piccola dalla zona n verso la zona p.
Per le motivazioni dette la giunzione pn funge da dispositivo retticante. Per una dipendenza pi ` u
chiara dellandamento della corrente vedere la domanda 1.
(. Tracciare il prolo di energia potenziale ai morsetti di una
giunzione p-n allequilibrio ed in polarizzazione diretta/inversa e
giusticare le dipendenze attese per la espressione della corren-
te.
Allequilibrio gli elettroni che diondono dalla zona n alla zona p vedono una barriera di energia
potenziale pari a qV
BI
. Secondo la statistica di Boltzmann, solo parte dei maggioritari ha energia
11
Nei testi di lingua inglese si ` e soliti indicarla come depletion zone.
1z
Si ` e soliti assumere nella zona svuotata una ionizzazione completa. DA FORNIRE LE MOTIVAZIONI
16 DISPOSITIVI ELETTRONICI
suciente per diondere. La corrente dovuta alla diusione degli elettroni I
n,di
` e proporzionale
agli elettroni che riescono ad oltrepassare la barriera di energia potenziale. Analogo discorso si pu` o
fare per le lacune.
_

_
I
n,di
N
D
exp
_
q
V
BI
V
D
KT
_
= N
D
exp
_
q
V
BI
KT
_
exp
_
qV
D
KT
_
=
n
2
i
N
A
exp
_
qV
D
KT
_
I
p,di
N
A
exp
_
q
V
BI
V
D
KT
_
= N
A
exp
_
q
V
BI
KT
_
exp
_
qV
D
KT
_
=
n
2
i
N
D
exp
_
qV
D
KT
_
(z)
Gli elettroni che si spostano da p ad n e le lacune che si spostano da n a p, cio` e i minoritari, si spo-
steranno grazie al campo elettrico e quindi la corrente dovuta al campo elettrico sar` a proporzionale
alla concentrazione di minoritari.
_

_
I
n,drift
n
p
=
n
2
i
N
A
I
p,drift
p
n
=
n
2
i
N
D
()
I due contributi dovuti rispettivamente a diusione e campo elettrico hanno versi opposti ed i loro
eetti si compensano allequilibrio. Questo signica che le proporzionalit` a espresse dalle relazioni
z e sono identiche e quindi sommabili. La corrente totale ` e data dalla sovrapposizione dei due
contributi.
_

_
I
n
= I
n,di
I
n,drift

n
2
i
N
A
exp
_
qV
D
KT
_

n
2
i
N
A
=
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
I
p
= I
p,di
I
p,drift

n
2
i
N
D
exp
_
qV
D
KT
_

n
2
i
N
D
=
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
()
Quindi nel caso di tensione diretta il contributo dominante ` e dato dalla corrente di diusione e
cresce al crescere di V
D
esponenzialmente. Nel caso di tensione indiretta invece il contributo della
diusione tender` a ad annullarsi ed il contributo dominante ` e dato dalla corrente di drift che ` e co-
stante rispetto alla tensione applicata. Questo conferma la funzione retticante della giunzione pn
come gi` a esposto nella domanda 1.
. Ricavare landamento dettagliato di campo elettrico e prolo
di potenziale in una giunzione p-n con drogaggi uniformi polariz-
zata allequilibrio. Dare le espressioni esplicite del campo elettri-
co massimo e della estensione della zona di carica spaziale.
Dallequazione di Maxwell si ha
dE(x)
dx
=

Si
(x)

Si
()
dove
Si
indica densit` a di carica, p ed n concentrazione di cariche mobili positive e negative, N
+
D
ed
N

A
concentrazione di cariche sse (droganti ionizzati in seguito alla ricombinazione).
Si supponga di avere una giunzione a gradino. Cio` e si suppone che allinterno della regione svuo-
tata non ci siano portatori liberi e che tutti i droganti siano ionizzati, che allesterno della regione
svuotata la carica sia nulla, che il drogaggio sia uniforme per entrambe le zone p ed n. Sotto queste
condizioni la densit` a di carica nel semiconduttore diventa

s
(x) =
_

_
qN
A
x
p
< x < 0
qN
D
0 < x < x
n
0 altrove
(6)
GIUNZIONE PN 1
Figura 8: (a) Giunzione a gradino; (b) approssimazione di svuotamento; (c) prolo delle cariche
spaziali; (d) campo elettrico; (e) potenziale elettrico; (f) diagramma a bande energetiche.
18 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Risolvendo lequazione di Maxwell con queste approssimazioni si ottiene
E(x) =
_
(x)

Si
dx =
_

qN
A

Si
x +C
1
x
p
x 0
qN
D

Si
x +C
2
0 x x
n
C
3
altrove
Imponendo come condizioni al contorno il campo nullo al di fuori della regione svuotata si ricavano
le costanti di integrazione.
E(x
p
) = E(x
n
) = 0
_

_
C
1
=
qN
A

Si
x
C
2
=
qN
D

Si
x
C
3
= 0
Si pu` o quindi scrivere il campo elettrico lungo x.
E(x) =
_

qN
A

Si
(x +x
p
) x
p
x 0
qN
D

Si
(x x
n
) 0 x x
n
0 altrove
()
Imponendo la continuit` a in x = 0 si ricava il legame tra le lunghezze della regione svuotata ed i
drogaggi.
E(0

) = E(0
+
)
qN
A

Si
x
p
=
qN
D

Si
x
n
N
A
x
p
= N
D
x
n
(8)
Inoltre si nota anche che in zero il campo elettrico ha la massima intensit` a. Essa ` e espressa dalla
relazione j.
E
max
=
qN
A

Si
x
p
=
qN
D

Si
x
n
(j)
Il potenziale, nel caso unidimensionale, ` e denibile come lintegrale del campo elettrico invertito di
segno.
V(x) =
_
E(x) dx =
_

_
C
4
x x
p

qN
A

Si
x(
x
2
+x
p
) +C
5
x
p
x 0
qN
D

Si
x(
x
2
x
n
) +C
6
0 x x
n
C
7
x x
n
Le condizioni al contorno sono il potenziale di riferimento nullo per x x
p
e la dierenza di
potenziale V
BI
ai capi della giunzione
1
.
_

_
V(x
p
) = 0
V(x
n
) = V
BI

_
C
4
= 0
C
5
=
qN
A
2
Si
x
2
p
C
6
= V
BI

qN
D
2
Si
x
2
n
C
7
= 0
1
La scelta di prendere come potenziale di riferimento nullo il potenziale nella zona neutra di tipo p ` e totalmente arbitraria.
GIUNZIONE PN 1j
Si pu` o quindi scrivere il potenziale lungo x.
V(x) =
_

_
0 x x
p
qN
A
2
Si
(x +x
p
)
2
x
p
x 0
V
BI

qN
D
2
Si
(x x
n
)
2
0 x x
n
V
BI
x x
n
(o)
Imponendo la continuit` a in x = 0 si ha lespressione del potenziale di built in in funzione delle
lunghezze della zona svuotata.
V(0

) = V(0
+
)
qN
A
2
Si
x
2
p
= V
BI

qN
D
2
Si
x
2
n
V
BI
=
q
2
Si
_
N
A
x
2
p
+N
D
x
2
n
_
Dalla relazione 8, esprimendo tutto in funzione di x
n
, si ha
V
BI
=
q
2
Si
N
D
(N
D
+N
A
)
N
A
x
2
n
oppure, esprimendo tutto in funzione di x
p
, si ha
V
BI
=
q
2
Si
N
A
(N
D
+N
A
)
N
D
x
2
p
Esse esprimono il potenziale di built in in funzione di una sola delle due regioni svuotate. Tuttavia
sono relazioni poco usate.
V
BI
` e stato ottenuto integrando il campo elettrico lungo il semiconduttore, quindi pu` o essere visto
come larea sottesa alla funzione campo elettrico cambiata di segno. Dato che la funzione campo
elettrico ha forma triangolare V
BI
si pu` o ricavare a partire dal campo elettrico massimo E
max
e dalla
larghezza della regione svuotata W
dep
.
V
BI
=
1
2
E
max
W
dep
(1)
Dalla relazione 8 e da W
dep
= x
n
+x
p
si ha
_

_
x
n
=
N
A
N
A
+N
D
W
dep
x
p
=
N
D
N
A
+N
D
W
dep
(z)
Dalla relazione j e z sostituite nella 1 si ottiene la relazione che esprime la lunghezza della
regione svuotata in funzione del potenziale di built in. Usando le formule di prima si ricava la
larghezza della zona svuotata W.
W
dep
=
_
2
Si
q
N
D
+N
A
N
D
N
A
V
BI
()
Nel caso di una giunzione unilatera la relazione ` e esprimibile come
W
dep
=
_

_
_
2
Si
qN
A
V
BI
N
D
N
A
_
2
Si
qN
D
V
BI
N
A
N
D
()
zo DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura j: Le particelle diondono da un punto a maggiore concentrazione ad un punto a minore
concentrazione.
Polarizzazione generica
Nel caso si sia in presenza di polarizzazione diretta tutte le relazioni esposte in questa domanda
mantengono la loro validit` a a patto di considerare che la tensione ai capi della zona svuotata non ` e
V
BI
ma V
BI
V
D
1
. In particolare tutte le relazioni vengono modicate come segue:
V(x) =
_

_
0 x x
p
qN
A
2
Si
(x +x
p
)
2
x
p
x 0
V
BI
V
D

qN
D
2
Si
(x x
n
)
2
0 x x
n
V
BI
V
D
x x
n
()
V
BI
V
D
=
1
2
E
max
W
dep
(6)
W
dep
=
_
2
Si
q
N
D
+N
A
N
D
N
A
(V
BI
V
D
) ()
W
dep
=
_

_
_
2
Si
qN
A
(V
BI
V
D
) N
D
N
A
_
2
Si
qN
D
(V
BI
V
D
) N
A
N
D
(8)
. Introdurre la corrente di diusione e ricavare la Legge di Fick
giusticando il lagame tra coeciente di diusione e mobilit ` a
(relazione di Einstein).
Come gi` a esposto nelle domande precedenti.
1
, quando ci sono concentrazioni non uniformi di por-
tatori si genera una corrente di diusione dovuta ai portatori che passano da una zona a maggiore
concentrazione a una zona con minore concentrazione. Il moto degli elettroni in assenza di campo
applicato ` e di tipo browniano. Essendo un moto casuale si pu` o assumere che, in un moto unidimen-
sionale lungo x, met` a degli elettroni si muoveranno in una direzione e met` a nellaltra.Detta v
th
la
velocit` a media degli elettroni dovuta alla sola agitazione termica e il cammino percorso nel tempo
medio dopo la quale subisce una ricombinazione , il usso attraverso una supercie perpendicolare
ad x in x = 0 ` e

n
=
1
2
n()v
th

1
2
n()v
th
(j)
1
O analogamente, nel caso di polarizzazione inversa, V
BI
+V
R
.
1
Vedere le domande 1 e 1
GIUNZIONE PN z1
Figura 1o: Un aumento lungo x della concentrazione di portatori produce una corrente di diusione
lungo x positiva nel caso di elettroni (a), ma una corrente di diusione lungo x negativa nel caso di
lacune (b).
Sviluppando in serie di Taylor la concentrazione di portatori attorno al punto x = 0 ed arrestandosi
al primo ordine si ha
_

_
n() = n(0)
dn
dx
+. . .
n() = n(0) +
dn
dx
+. . .
(o)

n
=
1
2
__
n(0)
dn
dx

_
v
th

_
n(0) +
dn
dx

_
v
th
_
=
dn
dx
v
th
D
n
= v
th
(1)

n
= D
n
dn
dx
(z)
Moltiplicando il usso degli elettroni per la carica si ottiene la densit` a di corrente di diusione degli
elettroni lungo x.
J
n,di
(x) = qD
n
dn
dx
()
Analogo discorso pu` o essere fatto per le lacune che presentano caratteristiche del moto identiche
ma una carica dierente in segno.

p
= D
p
dp
dx
()
J
p,di
(x) = qD
p
dp
dx
()
I termini D
p
e D
n
prendono il nome di coecienti di diusione o di diusivit` a. Possono essere
espressi in funzione della mobilit` a tramite le relazioni di Einstein.
_

_
D
n
= v
th
= v
2
th

=

n
m

n
q
dalla denizione di mobilit` a
1
2
m

n
v
2
th
=
1
2
KT v
2
th
=
KT
m

n
nel caso di moto unidimensionale
D
n
=
KT
q

n
(6)
D
n

n
=
D
p

p
=
KT
q
()
zz DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura 11: Il numero di portatori entranti al secondo ` e uguale al numero di portatori uscenti al
secondo pi ` u i portatori persi per la ricombinazione al secondo.
,-8. Ricavare lequazione di continuit ` a, discutendo le espres-
sioni dei termini di generazione/ricombinazione.
Lequazione di continuit` a ` e unequazione dierenziale che rappresenta la legge di conservazione
della carica quando sono contemporaneamente presenti gli eetti di diusione, di deriva, di gene-
razione e di ricombinazione.
Considerando un elemento di volume innitesimo Adx, il tasso totale di incremento degli elettroni
nel tempo pu` o essere scritto come
_

_
n
t
Adx =
J
n
(x)A
q

J
n
(x +dx)A
q
+(G
n
R
n
)Adx
p
t
Adx =
J
p
(x)A
q

J
p
(x +dx)A
q
+(G
p
R
p
)Adx
(8)
Sviluppando in serie di Taylor J
n
(x +dx) e J
p
(x +dx) in x ed arrestandosi al primo ordine si ha
_

_
J
n
(x +dx) = J
n
(x) +
J
n
(x)
x
dx +. . .
J
p
(x +dx) = J
p
(x) +
J
p
(x)
x
dx +. . .
(j)
_

_
n
t
Adx =
J
n
(x)A
q

J
n
(x)A
q

J
n
(x)
qx
Adx +(G
n
R
n
)Adx
p
t
Adx =
J
p
(x)A
q

J
p
(x)A
q

J
p
(x)
qx
Adx +(G
p
R
p
)Adx
_

_
n
t
=
J
n
(x)
qx
+(G
n
R
n
)
p
t
=
J
p
(x)
qx
+(G
p
R
p
)
(6o)
Per quanto riguarda i tessi di generazione e ricombinazione si ha che la ricombinazione ` e proporzio-
nale alla concentrazione di minoritari ed inversamente proporzionale al loro tempo di vita medio.
Nel caso di drogaggio di tipo p
R
n
=
n

n
(61)
GIUNZIONE PN z
Mentre la generazione ` e costante e allequilibrio il tasso di ricombinazione eguaglia quello di gene-
razione.
G
n
=
n
0

n
(6z)
G
n
R
n
=
n n
0

n
(6)
Dove n
0
` e la concentrazione di elettroni allequilibrio, quindi pari a n
2
i
/N
A
. Analogo discorso pu` o
essere fatto per le lacune in zona n.
g. Integrare lequazione di continuit ` a per ricavare landamento
del prolo di portatori minoritari iniettati in una zona neutra ai
capi di una giunzione p-n polarizzata direttamente.
Il generatore inietta elettroni in zona n e lacune in zona p. Tale iniezione tende a diminuire le-
stensione della zona svuotata e la caduta di tensione ai suoi capi. I portatori iniettati attraversano
la giunzione contribuendo ad un aumento della concentrazione dei minoritari mentre il livello dei
maggioritari pu` o considerarsi costante per bassi livelli di iniezione. Questo eetto diminuisce al-
lontanandosi dalla giunzione poich e si creano maggiori occasioni di ricombinazione tra minoritari
e maggioritari. Considerando lequazione di continuit` a espressa dalla relazione 6o in condizioni
stazionarie si ha che i livelli di concentrazione rimangono invariati nel tempo e quindi n/t = 0.
Inoltre in zona neutra il campo elettrico ` e nullo e quindi per gli elettroni in zona p e le lacune in
zona n si pu` o scrivere
_

_
n
t
= D
n
d
2
n
dx
2
+(G
n
R
n
) = 0
p
t
= D
p
d
2
p
dx
2
+(G
p
R
p
) = 0
(6)
_

_
D
n
d
2
n
dx
2
=
n n
0

n
D
p
d
2
p
dx
2
=
p p
0

p
(6)
Essendo n
0
e p
0
invarianti rispetto ad x, si possono riscrivere le equazioni precedenti tenendo conto
che dp

/ dx = dp/ dx e dn

/ dx = dn/ dx con p

= p p
0
e n

= n n
0
. Inoltre si tiene anche conto che
D
n
=

n
L
n
e D
p
=
_

p
L
p
, con L
n
e L
p
lunghezze di diusione.
d
2
n

dx
2
=
n

L
2
n
(66a)
d
2
p

dx
2
=
p

L
2
p
(66b)
La soluzione delle equazioni di secondo grado 66a e 66b ` e di tipo esponenziale.
_

_
n

(x) = C
1
exp
_

x
L
n
_
+C
2
exp
_
x
L
n
_
p

(x) = C
3
exp
_

x
L
p
_
+C
4
exp
_
x
L
p
_ (6)
Che ` e risolvibile imponendo due condizioni al contorno. La prima ` e il valore assunto in x
p
dalla
variazione di elettroni e quello assunto in x
n
dalla variazione di lacune. La seconda suppone la
z DISPOSITIVI ELETTRONICI
variazione di minoritari ai capi del diodo pari a zero.
_

_
n(x
p
) = N
D
exp
_
q
V
BI
V
D
KT
_
= N
D
exp
_
q
V
BI
KT
_
exp
_
qV
D
KT
_
=
n
2
i
N
A
exp
_
qV
D
KT
_
n() = n
0
=
n
2
i
N
A
p(x
n
) = N
A
exp
_
q
V
BI
V
D
KT
_
= N
A
exp
_
q
V
BI
KT
_
exp
_
qV
D
KT
_
=
n
2
i
N
D
exp
_
qV
D
KT
_
p() = p
0
=
n
2
i
N
D
(68)
n

(x
p
) =
n
2
i
N
A
exp
_
qV
D
KT
_
n
0
=
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(6ja)
n

() = 0 (6jb)
p

(x
n
) =
n
2
i
N
D
exp
_
qV
D
KT
_
p
0
=
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(6jc)
p

() = 0 (6jd)
n

(x) = n

(x
p
) exp
_
x +x
p
L
n
_
=
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_
x +x
p
L
n
_
(oa)
p

(x) = p

(x
n
) exp
_
(x x
n
)
L
p
_
=
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_
(x x
n
)
L
p
_
(ob)
Lanalisi n ora svolta ` e stata eettuata nellipotesi di V
D
positiva. In realt` a le stesse equazioni
valgono anche nel caso di V
D
negativa (giunzione polarizzata in inversa). Cambia solo il signicato
da attribuire ai termini p

e n

che non indicheranno pi ` u uniniezione di portatori minoritari ma una


loro estrazione.
Diodo a base corta
Inoltre nellanalisi svolta si ` e supposto che le lunghezze di diusione dei portatori fossero pi ` u lunghe
delle estensioni delle zone neutre, cio` e dette l

p
e l

n
le estensioni delle zone neutre rispettivamente
di tipo p e di tipo n, risulta l

p
> L
n
e l

n
> L
p
. Con il vericarsi di queste ipotesi il diodo ` e detto a base
lunga.
Nel caso risulti l

p < L
n
e l

n
< L
p
il diodo si dir` a a base corta
16
. In questo caso i fenomeni diusivi
avvengono in una regione particolarmente ristretta che non permette pi ` u alle relazioni oa e ob di
essere soluzioni valide delle equazioni 66a e 66b. I proli dei portatori minoritari possono comun-
que essere determinati assumendo che gli eccessi di portatori minoritari ai capi della zona svuotata
determinati dalle relazioni 6ja e 6jc siano ancora valide e che gli eccessi di portatori minoritari si
annullino allinterfaccia.
n

(l

p
) = 0 (1a)
p

(ln) = 0 (1b)
Inoltre le lunghezze di diusione sono talmente grandi da consentire di approssimare le equazioni
66a e 66b.
d
2
n

dx
2
= 0 (za)
d
2
p

dx
2
= 0 (zb)
Sotto tali ipotesi, i proli di iniezione dei minoritari assumono un andamento lineare.
n

(x) = n

(x
p
)
_
1 +
x +x
p
l

p
_
=
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
_
1 +
x +x
p
l

p
_
(a)
16
`
E anche possibile che un lato della giunzione risulti a base corta e laltro a base lunga.
GIUNZIONE PN z
p

(x) = p

(x
n
)
_
1
x x
n
l

n
_
=
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
__
1
x x
n
l

n
_
(b)
zo. Ricavare lespressione della corrente totale che attraversa
una giunzione p-n in polarizzazione diretta. Tracciare e giusti-
care landamento della densit ` a di corrente di lacune e di elettro-
ni.
`
E possibile, a partire dallespressione del prolo di portatori trovata nella 1j, ricavare lespressione
della corrente totale. Nel caso di approssimazione di diodo a base lunga sono valide le relazioni oa
e ob. Considerando nullo il contributo del campo elettrico nelle zone neutre la corrente di elettroni
in zona p e la corrente di lacune in zona n sono
_

_
J
n
(x) = qD
n
dn

(x)
dx
=
qD
n
n
2
i
L
n
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_
x +x
p
L
n
_
x < x
p
J
p
(x) = qD
p
dp

(x)
dx
=
qD
p
n
2
i
L
p
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_

x x
n
L
p
_
x > x
n
()
Tale densit` a, a causa della ricombinazione dei portatori, tende a zero man mano che ci si allonta-
na dalla zona svuotata e risulta avere un valore massimo in modulo, rispettivamente nel caso di
elettroni e lacune, per x = x
p
e x = x
n
.
_

_
J
n
(x
p
) =
qD
n
n
2
i
L
n
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
J
p
(x
n
) =
qD
p
n
2
i
L
p
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
()
Considerando che entrambe le componenti sono conosciute in un intorno di x = 0 la corrente totale
pu` o essere calcolata come somma di queste due componenti
1
.
J
tot
= J
p
+J
n
= J
p
(x
n
) +J
n
(x
p
) =
_

_
qD
p
n
2
i
L
p
N
D
+
qD
n
n
2
i
L
n
N
A
_

_
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(6)
J
sat
=
_

_
qD
p
n
2
i
L
p
N
D
+
qD
n
n
2
i
L
n
N
A
_

_
()
J
tot
= J
sat
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(8)
Considerando che la densit` a di corrente J
tot
deve essere costante in tutto il dispositivo e che i con-
tributi analizzati no ad ora sono dovuti alliniezione di minoritari appare evidente dalla gura 1z
come le rimanenti componenti (quelle dovute ai maggioritari) possano essere determinate.
Il passaggio dalla densit` a di corrente alla corrente ` e immediato se si considera J costante lungo la
sezione del dispositivo.
I = I
sat
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(j)
I
sat
= Aqn
2
i
_
D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A
_
(8o)
1
Il ritenere costante il valore di J
n
(x) e J
p
(x) lungo la zona svuotata si spiega con il fatto che attraversando la zona svuotata
elettroni e lacune non subiscono apprezzabili processi di ricombinazione. Inoltre le lunghezze in gioco in questi calcoli sono
solitamente di almeno un paio di ordini di grandezza superiori a W
d
ep ed ` e quindi lecito approssimare x
p
e x
n
con 0.
z6 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura 1z: (a) La densit` a di corrente totale J
tot
pu` o essere determinata sommando i contributi di
J
n
e J
p
dove entrambe sono note; (b) le altre componenti dovute ai maggioritari possono essere
determinate di conseguenza.
Diodo a base corta
Nel caso di diodo a base corta, dai proli dei portatori iniettati dati dalle relazioni a e b ` e
possibile in maniera analoga a quanto fatto nel caso di diodo a base lunga, ricavare le due densit` a di
corrente di diusione lungo le zone neutre dovute alliniezione di portatori minoritari.
J
n
(x) = j
n
=
qD
n
n
2
i
l

p
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(81a)
J
p
(x) = j
p
=
qD
p
n
2
i
l

n
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(81b)
In questo caso le densit` a di corrente sono costanti lungo lasse x e non si osserva nessuna diminu-
zione man mano che ci si allontana dalla zona svuotata. Da questo si evince che le estensioni delle
zone neutre sono talmente piccole che i portatori iniettati non hanno il tempo di ricombinarsi
18
.
La densit` a di corrente del diodo che uisce nel diodo ` e dunque pari alla somma dei due contributi.
J
tot
= J
p
+J
n
=
_

_
qD
p
n
2
i
l

n
N
D
+
qD
n
n
2
i
l

p
N
A
_

_
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(8z)
J
sat
=
_

_
qD
p
n
2
i
l

n
N
D
+
qD
n
n
2
i
l

p
N
A
_

_
(8)
18
Questo in realt` a non ` e del tutto vero e dipende da quanto siano valide le approssimazioni za e zb delle equazioni
dierenziali 66a e 66b.
GIUNZIONE PN z
J
tot
= J
sat
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(8)
Si noti come le relazioni 8 e 8 siano identiche a meno del termine J
sat
che assume valori diversi
nelle relazioni e 8 a seconda della tipologia di diodo. Analogamente, la corrente che uisce in
un diodo a base corta avr` a la stessa formulazione della j mentre la relazione per la corrente di
saturazione dierir` a dalla relazione 8o calcolata per il diodo a base lunga e sar` a invece pari a
I
sat
= Aqn
2
i
_
D
p
l

n
N
D
+
D
n
l

p
N
A
_
(8)
z. Si consideri una giunzione p-n polarizzata inversamente: ri-
cavare landamento del prolo di minoritari in una delle zone
neutre adiacenti.
Il generatore inietta elettroni in zona p e lacune in zona n. I portatori iniettati si ricombinano coi
maggioritari aumentando lestensione della zona svuotata. La concentrazione di minoritari decresce
esponenzialmente avvicinandosi alla zona svuotata al contrario di quanto avviene nel caso di pola-
rizzazione diretta. Dato che applicare una tensione inversa ` e come applicare una tensione diretta
negativa( V
R
= V
D
), valgono le stesse formule trovate nella 1j e nella zo.
zz. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in pola-
rizzazione diretta (capacit ` a di diusione) e illustrare il corrispon-
dente circuito per piccoli segnali del diodo.
Liniezione di portatori causa, nel caso di polarizzazione diretta, un accumulo di portatori minoritari
ai capi della zona svuotata.
`
E possibile ricavare la carica in iniettata integrando leccesso di portatori
minoritari lungo la zona neutra. Considerando lapprossimazione di diodo a base lunga (nel caso di
diodo a base corta il ragionamento ` e analogo) si ha, rispettivamente per zona neutra n e zona neutra
p
Q

p
= q

x
n
p

(x)dx =
= q

x
n
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_
(x x
n
)
L
p
_
dx =
= q
n
2
i
N
D
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
L
p
Q

n
= q

x
p
n

(x)dx =
= q

x
p
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
exp
_
x +x
p
L
n
_
dx =
= q
n
2
i
N
A
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
L
n
In generale |Q

p
| |Q

n
| e sembrerebbe esserci una violazione del principio di neutralit` a della carica.
In realt` a i maggioritari si dispongono in modo da avere una carica Q

p
in zona p e Q

n
in zona n.
La carica totale che dar` a luogo alla capacit` a di diusione sar` a quindi la somma dei due contributi.
Q

di
= |Q

p
| +|Q

n
| = q
_

_
n
2
i
N
D
L
p
+
n
2
i
N
D
L
n
_

_
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
(86)
z8 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Q

0
= q
_

_
n
2
i
N
D
L
p
+
n
2
i
N
D
L
n
_

_
(8)
Q

di
= Q

0
_
exp
_
qV
D
KT
_
1
_
Q

0
exp
_
qV
D
KT
_
(88)
Dalla quale ` e possibile ricavare la capacit` a di diusione ricordando che CdV = dQ.
C

di
=
dQ

di
dV
D

d
dV
D
Q

0
exp
_
qV
D
KT
_
=
qQ

0
exp
_
qV
D
KT
_
KT
=
qQ

di
KT
La capacit` a di diusione, a dierenza di quella di svuotamento, esiste solo nel caso di polarizzazione
diretta. In questo caso inoltre la capacit` a di svuotamento diventa trascurabile rispetto a quella
di diusione. Il circuito per piccoli segnali viene ottenuto con una resistenza ed una capacit` a in
parallelo tra loro. La resistenza ` e di valore tale da linearizzare la funzione IV del diodo nellintorno
del punto di lavoro. La capacit` a, nel caso di polarizzazione diretta assumer` a il valore della capacit` a
di diusione.
zj. Discutere la risposta capacitiva di una giunzione p-n in pola-
rizzazione inversa (capacit ` a di svuotamento) e illustrare il corri-
spondente circuito per piccoli segnali del diodo.
La giunzione pn mostra sempre un eetto capacitivo
1j
dovuto alleetto degli atomi ionizzati nella
zona svuotata. La carica degli ioni ` e
Q

depl
= qN
D
x
n
= qN
A
x
p
=
_
2q
Si
N
D
N
A
N
D
+N
A
(V
BI
V
D
) (8j)
da cui segue la capacit` a di svuotamento.
C

depl
=
dQ

depl
d(V
D
)
=
_
q
Si
2(V
BI
V
D
)
N
D
N
A
N
D
+N
A
=

Si
W
(jo)
z(. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fe-
nomeno di breakdown per eetto Zener, stimarne il campo elet-
trico critico sulla base di un semplice modello di legame.
Allaumentare della tensione inversa applicata il comportamento del diodo si discosta da quanto
previsto. Infatti raggiunto un certo valore di tensione inversa denominata tensione di rottura o
di break down la corrente tende a crescere in maniera speculare a quanto avviene in diretta. Tale
eetto pu` o essere dovuto a due cause diverse tra loro ma con lo stesso risultato: leetto Zener e
leetto valanga. Il manifestarsi del primo o del secondo fenomeno ` e dovuta alla diversa natura
dei dispositivi, alcuni presenteranno il primo mentre altri il secondo.
`
E da notare che mentre per
diodi normali il fenomeno di break down provoca uneettiva rottura del componente esistono in
commercio diodi appositamente costruiti per sfruttare questo fenomeno, detti diodi Zener.
Leetto Zener si manifesta quando, a causa di un elevato campo elettrico
zo
, si rompono alcuni
legami covalenti generando coppie elettrone-lacuna in grado di contribuire alla conduzione.
Nonostante la caratteristica IV simile dei diodi che sfruttano i due diversi fenomeni, i diodi Ze-
ner sono caratterizzati da una pi ` u bassa tensione di break down e da una sua dipendenza inversa
con la temperatura. Infatti con linnalzamento della temperatura ` e possibile rompere i legami for-
nendo meno energia, il che signica che la tensione necessaria a rompere i legami diminuisce con
linnalzamento della temperatura.
1j
Leetto ` e presente anche nel caso di polarizzazione diretta sebbene trascurabile.
zo
Nellordine di 2 10
7
V/cm.
GIUNZIONE PN zj
Figura 1: Gli stati di energia discreta di un atomo di silicio (a) sono sostituiti dalle bande di energia
di un cristallo di silicio.
z. Fenomeni di breakdown di una giunzione p-n: illustrare il fe-
nomeno di breakdown per ionizzazione ad impatto e stimare il
campo critico sulla base di un semplice modello. Discutere la
dipendenza del campo critico dal drogaggio.
Leetto valanga ` e dovuto allenergia cinetica elevata che acquistano i portatori a causa del campo
elettrico
z1
che ` e suciente, nel caso di urti, a rompere dei legami covalenti generando nuove coppie
elettrone-lacuna. Questi elettroni, a loro volta, acquisteranno unenergia cinetica tale da rompere
altri legami e ripetere il processo con un eetto valanga.
A dierenza dei diodi Zener, quelli a valanga presentano una maggiore tensione di rottura ed una
sua dierente dipendenza dalla temperatura. Infatti con linnalzamento della temperatura si ha
anche un minor tempo intercorrente tra una collisione e laltra, diminuendo quindi lenergia acqui-
stabile tra un urto ed il successivo.
`
E necessario quindi, per compensare la diminuzione del tempo
tra due collisioni, un campo elettrico maggiore e quindi la tensione di rottura aumenta allinnalzarsi
della temperatura a dierenza di quanto avviene per i diodi Zener.
z. Illustrare la formazione delle bande di livelli energetici in
un solido cristallino con particolare riferimento ai solidi degli
elementi del IV gruppo della tavola periodica.
Gli elettroni di un atomo occupano livelli di energia discreti come mostrato in gura 1. Se due
atomi sono molto vicini tra loro (come nel caso di molecole o cristalli) ogni livello di energia viene
sdoppiato in accordo col principio di esclusione di Pauli
zz
che prevede che ogni stato quantico pu` o
essere occupato da non pi ` u che un elettrone nel caso di sistemi elettronici come gli atomi, le molecole
o i cristalli.
Questo caso pu` o essere generalizzato al caso di un grosso numero di atomi vicini tra loro, come nel
caso dei cristalli, dove i livelli di energia discreta vengono rimpiazzati con bande di stati di energia
separate tra loro da gap come mostrato in gura 1. Si pu` o pensare alle bande di energia come ad
un semicontinuo di stati di energia.
Gli elettroni tendono a riempire prima le bande ad energia pi ` u bassa. Nel caso dei semiconduttori,
allo zero assoluto, la banda completamente occupata ad energia pi ` u alta prende il nome di banda
di valenza e lenergia del suo limite superiore ` e solitamente indicata con E
V
, la banda vuota ad
energia meno elevata prende il nome di banda di conduzione e lenergia del suo limite inferiore ` e
z1
Nellordine di 3 10
5
V/cm
zz
Vedere meglio il principio di esclusione di Pauli. In ogni caso per stato quantico si intende qualcosa del tipo tutti i numeri
quantici uguali.
o DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura 1: Diagramma a bande di energia per i semiconduttori (a), gli isolanti (b) e i conduttori (c).
solitamente indicata con E
C
. La dierenza di energia tra le due bande prende il nome di energy gap.
E
gap
= E
C
E
V
(j1)
Gli elettroni in una banda di energia completamente occupata non possono mostrare un velocit` a
netta e quindi essere in grado di condurre cos` come agitando una bottiglia dacqua completamente
piena non si osserva alcun usso dacqua.
`
E ancor pi ` u chiaro che, anche nel caso di una banda
non occupata neanche parzialmente, non ci pu` o essere alcun usso di elettroni. A temperature al
di sopra dello zero assoluto alcuni elettroni riescono a passare dalla banda di valenza a quella di
conduzione. In questo modo entrambe le bande diventano solo parzialmente occupate e quindi in
grado di condurre.
Basandosi sul modello a bande di energia si possono comprendere le dierenze tra semiconduttori,
isolanti e conduttori. Come mostrato in gura 1, sia i semiconduttori che gli isolanti hanno una
banda di conduzione ed una di valenza separate da un energy gap. Nel caso di un semiconduttore
per` o, gi` a a temperatura ambiente, un considerevole numero di elettroni riesce ad avere lenergia
necessaria per passare dalla banda di valenza a quella di conduzione rendendo entrambe le bande
in grado di contribuire alla conduzione. Nel caso degli isolanti, invece, lenergy gap ` e troppo alto per
permettere, se non ad un esiguo numero di elettroni, di passare dalla banda di valenza a quella di
conduzione rendendo di fatto gli isolanti incapaci di condurre corrente elettrica. Un conduttore in-
vece ha un diagramma a bande di energia piuttosto dierente. Esso ha, anche allo zero assoluto, una
banda parzialmente occupata. Questa peculiarit` a rende i conduttori in grado di condurre corrente
anche a bassissime temperature.
Relazione tra diagrammi a bande, tensione applicata e campo elettrico
Quando una tensione ` e applicata ai capi di un semiconduttore, come in gura 1, altera il dia-
gramma a bande. Per denizione, una tensione positiva aumenta lenergia potenziale delle cariche
positive e diminuisce lenergia potenziale di quelle negative. Essendo il diagramma a bande una
rappresentazione dellenergia degli elettroni essi verranno rappresentati con energia minore dove la
tensione ` e maggiore e ad energia maggiore dove la tensione ` e minore. La curvatura dei livelli E
C
ed
E
V
non ` e altro che il campo elettrico nel punto mentre la dierenza di energia tra due punti diversi
lungo x dello stesso livello (E
C
o E
V
) non ` e altro che lenergia potenziale tra i due punti.
z,. Illustrare e la statistica di occupazione dei livelli energetici e
introdurre la denizione di livello di Fermi.
La probabilit` a che un elettrone occupi o meno un dato livello energetico ` e descritta dalla distribu-
zione di Fermi-Dirac.
f (E) =
1
1 +exp
_
EE
F
KT
_ (jz)
Analogamente ` e ricavabile anche la distribuzione riguardante le lacune.
f
h
(E) = 1 f (E) =
1
1 +exp
_
E
F
E
KT
_ (j)
GIUNZIONE PN 1
Figura 1: Diagramma a bande di energia di un semiconduttore sotto una tensione applicata di 0.7V.
E
F
viene detto livello di Fermi ed ` e il valore tale da rendere f (E
F
) = 1/2. La probabilit` a che un elet-
trone abbia una data energia ` e dato dal numero di livelli presenti allenergia data per la distribuzione
di Fermi-Dirac valutata in quellenergia.
In un semiconduttore intrinseco n = p = n
i
e la probabilit` a che ci siano lacune ` e quindi uguale alla
probabilit` a che ci siano elettroni liberi. Denendo N
C
ed N
V
come le densit` a equivalenti di stati
z
, ` e
possibile, eguagliando le probabilit` a che ci siano lacune e elettroni liberi, trovare il livello di Fermi
in un semiconduttore intrinseco E
i
.
N
C
1
1 +exp
_
E
C
E
i
KT
_ = N
V
1
1 +exp
_
E
i
E
V
KT
_ (j)
Assumendo N
C
= N
V
z
, si ricava che il livello di Fermi intrinseco ` e posto esattamente a met` a tra le
due bande di conduzione e valenza.
E
i
=
E
C
+E
V
2
(j)
Nella pratica si lavora con livelli energetici molto diversi da quello di Fermi. Nel caso di energie
distanti pi ` u di 3KT ` e ragionevole approssimare la distribuzione di Fermi-Dirac.
_

_
f (E
C
) exp
_

E
C
E
F
KT
_
f
h
(E
V
) = 1 f (E
V
) exp
_

E
F
E
V
KT
_ (j6)
z
Per chiaricare le densit` a equivalenti di stati vedere la z8
z
Limprecisione che si ottiene nel silicio ` e molto piccola ma lapprossimazione non ` e valida per tutti i materiali.
z DISPOSITIVI ELETTRONICI
_

_
n = N
C
f (E
C
) N
C
exp
_

E
C
E
F
KT
_
p = N
V
f
h
(E
V
) N
V
exp
_

E
F
E
V
KT
_ (j)
Le relazioni j6 e j valgono anche nel caso di semiconduttori drogati non pesantemente (N
A
N
V
e
N
D
N
C
)
z
. A partire dalla j si pu` o ricavare il livello di Fermi nel caso di semiconduttori drogati.
_

_
N
D
= N
C
exp
_

E
C
E
F
KT
_
drogaggio tipo n
N
A
= N
V
exp
_

E
F
E
V
KT
_
drogaggio tipo p
E
F
=
_

_
E
C
KT ln
_
N
C
N
D
_
drogaggio tipo n
E
V
+KT ln
_
N
V
N
A
_
drogaggio tipo p
(j8)
Da queste relazioni si deduce che nel caso di un drogaggio di tipo n il livello di Fermi ` e vicino la
banda di conduzione. Nel caso di un drogaggio di tipo p il livello di Fermi ` e vicino alla banda di
valenza.
z8. Denire le densit ` a di stati equivalenti in banda di conduzione
e valenza. Illustrarne il legame con la concentrazione intrinseca
ed il gap.
La concentrazione di elettroni liberi a una certa energia E > E
F
si ottiene come
dn = g(E)f (E)dE (jj)
n =

E
C
g(E)f (E)dE
=

E
C
g(E)
1
1 +exp
_
EE
F
KT
_ dE

E
C
g(E) exp
_

E E
F
KT
_
dE
=

E
C
g(E) exp
_

E E
C
KT
_
exp
_

E
C
E
F
KT
_
dE
= exp
_

E
C
E
F
KT
_

E
C
g(E) exp
_

E E
C
KT
_
dE
= N
C
f (E
C
) N
C
exp
_

E
C
E
F
KT
_
Da cui viene chiarito cosa siano N
C
e N
V
. La concentrazione viene infatti calcolata come quella di un
sistema equivalente (cio` e tale da fornire gli stessi risultati di concentrazione) con N
C
livelli energetici
tutti ad energia E
C
, nella realt` a infatti i livelli energetici sono inniti e spalmati su inniti livelli
denergia. Per questo motivo N
C
rappresenta la densit` a di stati equivalenti in banda di conduzione.
z
Nel caso di drogaggi pesanti E
C
E
F
o E
F
E
V
risulterebbero minori di 3KT e lapprossimazione della funzione di
Fermi-Dirac fatta nella relazione j6 non ` e pi ` u valida e quindi si devono usare le relazioni jz e j.
GIUNZIONE PN
Analogo calcolo pu` o essere essere fatto per le lacune pervenendo al risultato espresso dalla relazione
j.
Considerando un semiconduttore si pu` o ottenere il legame tra concentrazione energetica, energy gap
e densit` a di stati equivalenti.
n
2
i
= np = N
C
N
V
exp
_

E
C
E
F
KT
_
exp
_

E
F
E
V
KT
_
= N
C
N
V
exp
_

E
C
E
V
KT
_
= N
C
N
V
exp
_

E
gap
KT
_
n
i
=
_
N
C
N
V
exp
_

E
gap
2KT
_
(1oo)
Da cui si evince che la concentrazione intrinseca non dipende dal livello di Fermi (che ` e dipendente
dal drogaggio), ma solo dalle densit` a di stati equivalenti ed energy gap che sono grandezze tipiche
del materiale (non dipendenti dal drogaggio) e dallenergia termica.
zg. Illustrare landamento del diagramma a bande in una giun-
zione p-n allequilibrio.
Per determinare il diagramma a bande di energia per una giunzione pn allequilibrio si inizi col
tracciare il livello di Fermi. Si ricordi che allequilibrio il livello di Fermi ` e unico e costante per tutto
il dispositivo e quindi si disegner` a con una linea orizzontale e sar` a il riferimento preso per tracciare
tutti gli altri livelli.
Le zone neutre non sono aette dai processi dai processi di ricombinazione
z6
ed il loro diagramma
a bande ` e lo stesso di quello di semiconduttori (di tipo p o n a seconda del caso) allequilibrio. Le
distanze E
C
E
F
e E
F
E
V
sono ricavabili dalle relazioni j.
Nella regione di svuotamento, a causa dei processi di ricombinazione a seguito di quelli diusivi
che rendono le concentrazioni di portatori prossime a zero, il livello di Fermi non sar` a in vicinanza
n e di E
V
n e di E
C
. I livelli E
C
e E
V
di zona neutra p e zona neutra n si raccorderanno tramite una
linea curva.
z6
Non si vuol intendere che non siano presenti aatto processi di ricombinazione, che invece son presenti e bilanciati da
quelli di generazione, ma che, a dierenza della zona svuotata, non c` e una ricombinazione a seguito di una diusione di
portatori e che, quindi, non vi ` e una modica della concentrazione di portatori iniziale dierenza di quanto avviene nella
zona svuotata.
DISPOSITIVI ELETTRONICI
Per meglio comprendere la forma della linea curva si noti che la dierenza di energia tra il livello E
C
misurato nella zona neutra di tipo n e quella misurata nella zona p ` e pari a qV
BI
(analogo discorso
per il livello E
V
). La forma del raccordo sar` a quindi analoga alla forma del potenziale lungo la zona
svuotata espresso dalla relazione o ricavata nella domanda 1, cio` e il raccordo ` e di tipo quadratico.
Ricordando che il comportamento degli elettroni in un diagramma a bande ` e come quello di palline
che cadono per eetto della forza di gravit` a e che quello delle lacune ` e analogo al comportamento
di bolle daria in un liquido
z
, ` e facilmente visibile la condizione di equilibrio. Infatti gli elettroni
tendono a cadere dal lato p a quello n per eetto della tensione V
BI
e generano una corrente di
deriva, viceversa tendono anche a diondere da n a p a causa della diversa concentrazione generando
una corrente di diusione. Allequilibrio i due contributi si compensano. Analogo discorso pu` o
essere fatto per le lacune.
z
Vedere la domanda z6 ed inserire il comportamento del diagramma a bande sotto leetto di tensione applicata.
Giunzione metallo-semiconduttore e struttu-
ra MOS
jo. Denire il potenziale di contatto tra due materiali. Illustra-
re le condizioni per cui un contatto metallo-semiconduttore ` e
retticante.
Potenziale di Fermi
Il potenziale di Fermi misura la dierenza di potenziale che si viene a creare unendo un semicon-
duttore drogato con il rispettivo semiconduttore intrinseco. Nello specico indica la dierenza di
potenziale tra il semiconduttore puro e quello drogato. Apartire dalle relazioni oa e ob ` e possibile
ricavare la tensione considerando la regione 2 drogata e la regione 1 intrinseca.

F
=
KT
q
ln
_
n
n
i
_
=
KT
q
ln
_
p
n
i
_
(1o1)
Nel caso di una giunzione pn il potenziale di contatto che si viene a creare tra la giunzione n e quella
p ` e pari alla dierenza tra i potenziali di Fermi delle due regioni.
V
BI
=
_

F,n

F,p
_
=
_

KT
q
ln
_
N
D
n
i
_

KT
q
ln
_
N
A
n
i
__
=
KT
q
ln
_
N
D
N
A
n
i
_
(1oz)
Che ` e un modo diverso di pervenire nuovamente alla relazione ?? gi` a trovata in precedenza. A
partire dalle concentrazioni energetiche in funzione del livello di Fermi espresse dalla relazione j
` e possibile scrivere
n
n
i
=
N
C
exp
_

E
C
E
F
KT
_
N
C
exp
_

E
C
E
i
KT
_
p
n
i
=
N
V
exp
_

E
F
E
V
KT
_
N
V
exp
_

E
i
E
V
KT
_
Introducendo tali espressioni nella relazione 1o1 si ricava il legame tra il potenziale di Fermi ed il
livello di Fermi.

F
=
E
i
E
F
q
(1o)
Eetto fotoelettrico e funzione lavoro
Leetto fotoelettrico
z8
riguarda lassorbimento di energia luminosa da parte degli elettroni di un
metallo e fornisce la relazione tra la quantit` a di energia assorbita e la frequenza incidente . In
particolare, assorbendo unenergia suciente dal fascio di luce incidente, alcuni elettroni vengono
espulsi dal metallo. Misurando lenergia degli elettroni espulsi E
m
si nota che essi sono minori
dellenergia incidente h di un termine q
m
.
E
m
= h q
m
(1o)
Il termine
m
` e dimensionalmente un potenziale ed ` e una costante propria del metallo. La quan-
tit` a q
m
` e detta funzione lavoro e rappresenta lenergia minima necessaria per estrarre un elettrone.
z8
Venne sperimentato da Einstein e dimostr` o chiaramente la natura discreta della luce teorizzata da Plank. Per
approfondimenti vedere http://www.wikipedia.it
6 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura 16: Diagramma a bande di energia di una giunzione metallo-semiconduttore. Laltezza della
barriera di potenziale dipende dai materiali coinvolti nella giunzione. (a) La barriera di potenziale
q
B,n
si oppone al moto degli elettroni dal metallo al n-Si. (b) La barriera di potenziale q
B,p
si
oppone al moto delle lacune dal metallo al p-Si.
Dal punto di vista dei diagrammi a bande essa rappresenta la dierenza di energia tra il livello
energetico del vuoto E
vac
ed il livello di Fermi E
F
zj
.
q
m
= E
vac
E
F
(1o6)
Anit ` a elettronica
Anche per i semiconduttori ` e possibile denire una funzione lavoro q
s
che rappresenta la dieren-
za tra E
vac
e E
F
. Tuttavia nei semiconduttori essa dipender` a dal drogaggio in quanto E
F
non ` e una
costante del semiconduttore ma varia col drogaggio. Inoltre q
s
non rappresenta lenergia minima
per estrarre un elettrone in quanto nei semiconduttori, a dierenza dei metalli, non ci sono elettroni
liberi ad energia E
F
.
La grandezza che indica lenergia necessaria ad estrarre un elettrone libero avente energia cinetica
nulla (cio` e ad energia E
C
) ` e detta anit` a elettronica ed indicata con q
s
. Essa ` e una grandezza
caratteristica del semiconduttore e non varia col drogaggio.
q
s
= E
vac
E
C
(1o)
Ricordando che E
C
E
i
= E
gap
/2 e che
F
= (E
i
E
F
)/q si ha
q
s
= q
s
+
E
gap
2
+q
F
(1o8)
INSERIRE DIAGRAMMI A BANDE, DESCRIZIONE DELLA GIUNZIONE METALLO SEMICON-
DUTTORE, CONDIZIONI PERLE QUALI LAGIUNZIONE METALLOSEMICONDUTTORE
`
E RET-
TIFICANTE
zj
Nei metalli, non essendo presenti lacune, esso rappresenta lenergia media degli elettroni liberi ed ` e allinterno della
banda di conduzione.
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS
Figura 1: Diagramma a bande di energia di una giunzione metallo-semiconduttore. Spiegazio-
ne della caratteristica retticante dei diodi Schottky. La freccia nel pedice delle correnti indica la
direzione del usso di corrente.
j. Illustrare lelettrostatica di una struttura MOS, identicando
le cadute di potenziale in condizione di banda piatta.
Il condensatore MOS ` e realizzato inserendo uno strato di isolante (solitamente un ossido) tra un
materiale semiconduttore detto substrato o body ed indicato con B e un materiale conduttore detto
gate ed indicato con G.
Un condensatore MOS con un substrato p viene detto a canale n o equivalentemente condensa-
tore nMOS. Un condensatore MOS con un substrato n viene detto a canale p o equivalentemente
condensatore pMOS.
Lo spessore dellossido viene indicato con t
ox
, la larghezza del dispositivo con L e laltezza con W.
Potenziale di banda piatta o at band
Cortocircuitando i due terminali del dispositivo si innesca un processo di diusione che determina
le cadute di potenziale mostrate in FIGURA oo1 e nel diagramma a bande in gura 1j.
FIGURA oo1
La giunzione metallo-semiconduttore mostra un potenziale
ms
negativo nel caso di p-Si e positivo
nel caso di n-Si (se considerato con il verso di FIGURA oo1) a causa della regione di svuotamento
che si viene a creare
o
. Essendo il collegamento metallico equipotenziale e non potendo scorrere
corrente a causa dellossido, il potenziale V
ox
ai capi dellossido deve essere pari a
ms
. Nel ca-
so di substrato p-Si verranno quindi indotte cariche positive allinterfaccia substrato-ossido (lato
substrato) e cariche negative allinterfaccia metallo-ossido (lato metallo).
o
Essendo una giunzione metallo-semiconduttore, la regione di svuotamento ` e interamente connata nel semiconduttore.
8 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura 18: Struttura di un condensatore MOS
Figura 1j: (a) Capacitore MOS e (b) il suo diagramma a bande di energia quando non vi ` e una
tensione applicata.
Nel caso si voglia annullare le cariche presenti allinterfaccia substrato-ossido si deve applicare un
potenziale esterno
ms
come mostrato in FIGURA ooz e nel diagramma a bande in gura zo. In
questo caso si ha V
ox
=
ms

ms
= 0.
FIGURA ooz
Nelle strutture reali il potenziale di contatto
ms
non ` e la sola causa a generare un accumulo di
carica allinterfaccia substrato-ossido (lato substrato). Infatti spesso, durante i processi di lavora-
zione, rimangono intrappolate delle cariche di densit` a superciale Q

ox
allinterno dellossido. Esse
inducono una carica di densit` a Q

ox
allinterfaccia substrato-ossido (lato substrato). Il condensatore
MOS, dal punto di vista elettrico, in questo caso ` e equivalente ad un condensatore a facce piane e
parallele con una capacit` a dipendente dal dielettrico interconnesso tra i due piatti. Nel caso in cui
la carica di densit` a superciale Q

ox
sia intrappolata allinterfaccia ossido-substrato (lato ossido) il
diagramma a bande viene modicato come mostrato in gura z1 e la capacit` a per unit` a di supercie
mostrata dallossido ` e espressa dalla relazione 1oj.
C

ox
=

ox
t
ox
(1oj)
Lapplicazione di una tensione V
P
= Q

ox
/C

ox
in aggiunta alla tensione
ms
induce, la carica di den-
sit` a superciale Q

ox
allinterfaccia metallo-ossido (lato metallo) e la carica di densit` a superciale
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS j
Figura zo: Diagramma a bande di energia di un sistema MOS alla condizione di at band.
Figura z1: INSERIRE CAPTION!!
o DISPOSITIVI ELETTRONICI
Q

ox
allinterfaccia ossido-semiconduttore (lato semiconduttore). Questultima carica compenser` a la
carica indotta dalla carica intrappolata nellossido.
La tensione che annulla la carica presente allinterfaccia ossido-substrato (lato substrato), che ga-
rantisce la neutralit` a del semiconduttore, ` e detta tensione o potenziale di banda piatta o di at band.
Tale dicitura appare evidente osservando il diagramma a bande in gura zo. Il potenziale di banda
piatta ` e espresso dalla relazione 11o.
V
FB
=
_

ms
nel caso non ci sia carica intrappolata nellossido

ms

ox
C

ox
nel caso di carica intrappolata allinterfaccia ossido-substrato (lato ossido)
(11o)
jz-jj. Struttura MOS: denire le condizioni di svuotamento e for-
te inversione, ricavare lespressione della tensione di soglia, illu-
strare lelettrostatica del sistema in condizioni di svuotamento ri-
cavando la densit ` a superciale dei portatori liberi allinterfaccia
e la sua dipendenza dalla tensione di controllo.
In base alla dierenza tra tensione applicata e tensione di at band ed alle sue conseguenze sul
potenziale di supercie si possono distinguere principalmente tre regioni di funzionamento del
condensatore MOS: accumulazione, svuotamento ed inversione. La regione di funzionamento in
inversione ` e suddivisibile a sua volta in regione di debole o forte inversione. Nel seguito verranno
analizzate in dettaglio le tre regioni di funzionamento per un condensatore nMOS e poi mostrate
le dierenze nel caso di un condensatore pMOS. Per semplicit` a di esposizione non si considerando
eventuali cariche intrappolate nellossido.
Funzionamento in accumulazione
Applicando una tensione V
GB
< V
FB
, non scorrendo corrente a causa della presenza dellossido,
la giunzione metallo-semiconduttore manterr` a la stessa polarizzazione e le uniche componenti a
poter variare sono V
ox
e
s
. La tensione applicata, minore della tensione di at band, induce un
accumulo di carica ai capi dellossido, negativa allinterfaccia metallo-ossido (lato metallo) e positiva
allinterfaccia ossido-substrato (lato substrato). Per questo motivo V
ox
e
s
risulteranno entrambe
negative.
Laccumulo di carica allinterfaccia ossido-substrato (lato substrato) ` e dato da un accumulo di lacune
e la loro concentrazione in funzione del potenziale di supercie ` e ricavabile tramite la relazione ob
ed espressa dalla 111.
p
s
= N
A
exp
_
q

s
KT
_
(111)
Dalla relazione 111 si intuisce, dato il legame esponenziale che lega la concentrazione di lacune
allinterfaccia p
s
e il potenziale di supercie
s
, che per variazioni molto piccole di
s
si hanno
grosse variazioni di p
s
. Infatti
s
assume valori, nel caso di funzionamento in inversione, intorno
alla centinaia di mV (negative). Per questo motivo
s
` e da ritenersi trascurabile in confronto a V
ox
e
la tensione applicata ` e scrivibile in forma approssimata tramite la relazione 11z.
V
GB
= V
FB
+V
ox
(11z)
La carica accumulata allinterfaccia ossido-substrato (lato substrato) ` e esprimibile tramite la rela-
zione 11. Il segno negativo ` e dovuto alla convenzione con cui viene assunta V
ox
positiva.
Q

acc
= V
ox
C

ox
(11)
In questa regione il comportamento del condensatore MOS ` e analogo a quello di un normale con-
densatore a facce piane e parallele.
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS 1
Figura zz: Un capacitore nMOS polarizzato in accumulazione. (a) Tipologie di cariche presenti. (b)
Diagramma a bande di energia.
Funzionamento in svuotamento
Per tensioni applicate V
GB
> V
FB
si ha un accumulo di carica ai capi dellossido, positiva allinterfac-
cia metallo-ossido (lato metallo) e negativa nel substrato. Per questo motivo V
ox
e
s
risulteranno
entrambe positive.
La carica negativa nel substrato ` e dovuta ad un allontanamento delle lacune che causa una regione
di svuotamento o depletion. Supponendo una ionizzazione completa lungo tutta lestensione della
regione svuotata di estensione W
dep
, il potenziale di supercie
s
, cio` e il potenziale ai capi della
regione svuotata, ` e esprimibile tramite la relazione 11. Essa ` e analoga a quella che lega il potenziale
di built in e lestensione della regione svuotata nel caso di una giunzione unilatera.

s
=
qN
A
W
2
dep
2
Si
(11)
La densit` a di carica per unit` a di supercie ` e espressa dalla relazione 11.
Q

dep
= qN
A
W
dep
=
_
qN
A
2
Si

s
(11)
La relazione che lega la tensione applicata e lestensione della regione svuotata ` e data dalla
V
GB
= V
FB
+
qN
A
W
dep
2
+
qN
A
W
dep
C

ox
(116)
Funzionamento in inversione
Aumentando ulteriormente la tensione V
GB
si ha un aumento dellestensione della regione svuota-
ta. Contemporaneamente si osserva anche un accumulo di elettroni in prossimit` a dellinterfaccia
ossido-substrato (lato substrato) trascurabile nel caso di funzionamento in svuotamento. La concen-
trazione di elettroni allinterfaccia in funzione del potenziale di supercie ` e ricavabile dalla oa ed
espresso dalla 11.
n
s
=
n
2
i
N
A
exp
_
q

s
KT
_
(11)
z DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura z: Un capacitore nMOS polarizzato in svuotamento. (a) Tipologie di cariche presenti. (b)
Diagramma a bande di energia con le frecce che indicano il verso positivo della tensione applicata e
della tensione ai capi dellossido.
Quando la concentrazione di elettroni allinterfaccia raggiunge valori superiori a quelli della con-
centrazione intrinseca del substrato, il materiale pu` o essere considerato drogato di tipo n.
n
s
= n
i

n
2
i
N
A
exp
_
q

s
KT
_
= n
i

s
=
KT
q
ln
_
N
A
n
i
_
=
F
(118)
Si ha quindi che per
s
>
F
il condensatore MOS lavora in regime di inversione. Tuttavia, per
valori di
s
di poco superiori a
F
la carica dovuta alla concentrazione di elettroni allinterfaccia con
densit` a superciale Q

inv
` e ancora trascurabile rispetto alla carica dovuta alla zona svuotata ` e quindi
possibile approssimare la relazione che lega la tensione applicata con il potenziale di supercie
tramite la relazione 11j dove si ` e considerata la densit` a superciale di carica Q

inv
trascurabile.
V
GB
= V
FB
+
s
+
_
qN
A
2
Si

s
C

ox
(11j)
Le due densit` a di carica presenti nel substrato, Q

dep
e Q

inv
, si assumono confrontabili quando la
concentrazione di elettroni in supercie, n
s
, eguaglia la concentrazione di droganti del substrato,
N
A
.
n
s
= N
A

n
2
i
N
A
exp
_
q

s
KT
_
= N
A

s
=
KT
q
ln
_

_
N
2
A
n
2
i
_

s
= 2
KT
q
ln
_
N
A
n
i
_
= 2
F
(1zo)
Nel caso in cui 0 <
s
<
F
si parla di debole inversione mentre, nel caso in cui
s
> 2
F
si parla
di forte inversione. A causa del legame esponenziale che intercorre tra la concentrazione di elettro-
ni allinterfaccia n
s
e il potenziale di supercie
s
, si vericano grossi incrementi di n
s
per piccoli
incrementi di
s
. Si considera quindi, in regime di forte inversione, il potenziale di supercie co-
stante e pari a 2
F
. Per una visione meglio comprensibile delle variazioni della densit` a di carica
superciale del substrato e delle sue componenti ` e utile la FIGURA oo.
FIGURA oo. INSERIRE FIGURA .1 DEL GIUSTOLISI PALUMBO
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS
Figura z: Un capacitore nMOS polarizzato in inversione. (a) Tipologie di cariche presenti. (b)
Diagramma a bande di energia con la freccia che indica il verso positivo della tensione applicata.
Nel caso di forte inversione, la tensione applicata in funzione del potenziale di supercie
s
2
F
` e data dalla relazione 1z1.
V
GB
= V
FB
+2
F
+
_
qN
A
2
Si
2
F
C

ox

inv
C

ox
(1z1)
Tensione di soglia o threshold
Si denisce tensione di soglia o threshold la tensione applicata necessaria alla formazione del canale.
Sotto le ipotesi semplicative di ritenere
s
costante e pari a 2
F
in caso di funzionamento in regime
di forte inversione e di ritenere la densit` a di carica Q

inv
non nulla solo in caso di funzionamento in
regime di forte inversione, si ricava dalla 1z1 la densit` a superciale di carica di canale in funzione
di tensione applicata e potenziale di supercie ed ` e espressa dalla 1zz.
Q

inv
= C

ox
_

_
V
GB

_
V
FB
+2
F
+
_
qN
A
2
Si
2
F
C

ox
_

_
_

_
(1zz)
La relazione 1zz ha senso sico solo nel caso di Q

inv
negativa. Si ha quindi che la tensione minima
applicabile per la formazione del canale, indicata con V
TH0
` e data dalla relazione
V
TH0
= V
FB
+2
F
+
_
qN
A
2
Si
2
F
C

ox
(1z)
Condensatore pMOS
Per il condensatore pMOS valgono gli stessi ragionamenti fatti per il condensatore nMOS avendo
laccortezza di tener conto della complementariet` a del dispositivo. Le regioni di funzionamento
vengono denite in base al potenziale di Fermi che, nel caso di substrato di tipo n, ` e una grandezza
negativa.
Il funzionamento in regime di accumulazione si ha per tensioni applicate V
GB
> V
FB
e corrisponde
ad un accumulo di elettroni allinterfaccia ossido-substrato (lato substrato) da cui si hanno
s
e
V
ox
positive anche se il potenziale di supercie risulta trascurabile rispetto alla tensione ai capi
dellossido.
DA CONTINUARE
DISPOSITIVI ELETTRONICI
Figura z: Diagramma a bande di energia della condizione di threshold. Essa ` e raggiunta quando
n
s
= N
A
o, equivalentemente assumendo N
C
= N
V
, A = B o
s
= 2
F
. Da notare che un potenziale di
supercie positivo corrisponde ad una curvatura verso il basso della banda.
Figura z6: Tensione di soglia teorica vs. concentrazione di droganti del substrato usando la relazione
1z.
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS
Figura z: Diagramma a bande di energia dei due principali tipi di capacitori MOS. Non ` e stata
considerata leventuale carica intrappolata nellossido.
6 DISPOSITIVI ELETTRONICI
j(. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di
conduzione in zona ohmica, chiarendo le approssimazioni che si
compiono.
Si assuma tutta la risposta riferita ad un transistore nMOS, analoghi ragionamenti che portano a
risultati leggermente diversi valgono per il pMOS. Le condizioni per lavorare in regione di triodo o
ohmica sono che V
GS
> V
th
, V
DS
> V
th
che assicurano la formazione del canale. Assumiamo il source
cortocircuitato con il body (V
SB
= 0) per semplicit` a, in caso contrario saranno presente leetto body
che verr` a modellizzato in seguito.
La carica nel canale nel canale ` e
Q

c
(y) = C

ox
[V
G
V
th
V
c
(y)] con
_
V
c
(0) = V
S
V
c
(L) = V
D
(1z)
La concentrazione di elettroni nel canale sar` a genericamente funzione di x e y dato che lungo z si
suppone costante ed integrandola lungo x si ottiene
Q

c
(y) =
x=x
c
(y)

x=x
c
(0)
qn(x, y) dx (1z)
`
E possibile quindi ricavare la corrente.
I
D
= W
x=x
c
(y)

x=x
c
(0)
J
y
(x, y) dx
=
n
W
_

_
x=x
c
(y)

x=x
c
(0)
qn(x, y) dx
_

_
V
c
(y)
y
=
n
WQ

c
(y)
V
c
(y)
y
=
n
W
L
V
c
(L)

V
c
(0)
Q

c
dV
c
(y)
=
n
W
L
V
c
(L)

V
c
(0)
C

ox
[V
G
V
th
V
c
(y)] dV
c
(y)
=
n
W
L
C

ox
_

_
(V
G
V
th
) V
DS

V
2
D
V
2
S
2
_

_
=
n
W
L
C

ox
_
(V
G
V
th
) V
DS

V
DS
(V
D
+V
S
)
2
_
I
D
=
n
C

ox
W
L
_
V
G
S V
th

V
DS
2
_
V
DS
(1z6)
j. Transistore MOSFET: ricavare lespressione della corrente di
conduzione in saturazione, chiarendo le approssimazioni che si
compiono.
Si assuma tutta la risposta riferita ad un transistore nMOS, analoghi ragionamenti che portano a
risultati leggermente diversi valgono per il pMOS. Le condizioni per lavorare in regione di satura-
zione sono che V
GS
> V
th
, V
DS
< V
th
quindi si avr` a canale dalla parte del source ma non si avr` a dal lato
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS
del drain. Assumiamo il source cortocircuitato con il body (V
SB
= 0) per semplicit` a, in caso contrario
saranno presente leetto body che verr` a modellizzato in seguito. Il punto y = L

in cui il canale si
chiude viene detto punto di pinch o. La tensione V
DS
si ripartir` a tra 0 e L

e tra L

e L.
Q

c
(L

) = C

ox
[V
G
V
th
V
c
(L

)] = 0 V
c
(L

) = V
G
V
th
V
c
(L

) V
c
(0) = V
GS
V
th
(1z)
`
E possibile utilizzare lo stesso metodo usato per calcolare la corrente nella regione ohmica avendo
cura di sostituire L con L

e V
DS
con V
GS
V
th
.
I
D
=
n
W
L

ox
_
V
GS
V
th

V
GS
V
th
2
_
(V
GS
V
th
) =
1
2

n
W
L

ox
(V
GS
V
th
)
2
(1z8)
I
D

1
2

n
W
L
C

ox
(V
GS
V
th
)
2
(1zj)
Verranno discussi i dettagli dellapprossimazione L L

nella spiegazione della modulazione del


canale svolta nella domanda .
j. Transistore MOSFET: chiarire lorigine e la denizione di coef-
ciente di eetto body. Discuterne limpatto sulla capacit ` a di
corrente del transistore.
Si assuma tutta la risposta riferita ad un transistore nMOS, analoghi ragionamenti che portano a
risultati leggermente diversi valgono per il pMOS. Se V
SB
> 0, essa si andr` a a porre ai capi della
regione svuotata contribuendo alla carica nel canale Q

n
. Nel caso V
DS
= 0 la carica nel canale sar` a
costante e pari a
Q

c
= C

ox
(V
GS
V
th0
) +C

dep
V
SB
(1o)
Se invece V
S
D > 0 la carica non sar` a pi ` u uniforme ma diminuir` a lungo y. Con V
c
S = V
c
V
S
.
Q

c
(y) = C

ox
_
V
GS
V
th0
V
cS
(y)) +C

dep
(V
SB
+V
cS
(y)
_
= C

ox
_

_
V
GS
V
th0
V
cS
(y)
C

dep
C

ox
(V
SB
+V
cS
(y))
_

_
= C

ox
_

_
V
GS

_
V
th0
+
C

dep
C

ox
V
SB
_

_
1 +
C

dep
C

ox
_

_
V
cS
(y)
_

_
Q

c
(y) = C

ox
(V
GS
V
th
mV
cS
(y)) con
_

_
V
th
= V
th0
+
C

dep
C

ox
V
SB
m = 1 +
C

dep
C

ox
(11)
Corrente in zona ohmica con eetto body
I
D
=
n
WQ

c
(y)
V
cS
(y)
y
=
n
W
L
V
c
(L)

V
c
(0)
Q

c
dV
cS
(y)
=
n
W
L
V
c
(L)

V
c
(0)
C

ox
[V
GS
V
th
mV
cS
(y)] dV
cS
(y)
I
D
=
n
W
L
C

ox
_
V
G
S V
th
m
V
DS
2
_
V
DS
(1z)
8 DISPOSITIVI ELETTRONICI
Corrente in zona di saturazione con eetto body
Q

c
si annulla in corrispondenza del punto di pinch o.
Q

c
(L

) = 0 = C

ox
(V
GS
V
th
mV
cS
(L

)) V
cS
(L

) =
V
GS
V
th
m
I
D
=
n
W
L

ox
_
V
GS
V
th

m
m
V
GS
V
th
2
_
V
GS
V
th
m
=
1
2

n
W
L

ox
(V
GS
V
th
)
2
m
(1)
I
D

1
2

n
W
L
C

ox
(V
GS
V
th
)
2
m
(1)
Verranno discussi i dettagli dellapprossimazione L L

nella spiegazione della modulazione del


canale svolta nella domanda . Leetto body e la modulazione del canale sono due eetti indipen-
denti tra loro.
Determinazione di m
m = 1 +
C

dep
C

ox
= 1 +

Si
W

t
ox

ox
= 1 +t
ox

Si

ox
_
qN
A
4
Si

s
= 1 +
t
ox

ox
_
qN
A

Si
2
s
(1)
j,. Transistore MOSFET: discutere la variazione della corrente di
saturazione al variare della polarizzazione di drain. Chiarirne la
sica e limpatto sulle prestazioni del componente.
La semplicazione L L

usata nella relazione 1zj permette di rappresentare la corrente di drain


in modo semplice ma in realt` a la lunghezza di canale L

diminuisce al crescere della tensione V


DS
e
quindi la corrente I
D
aumenta allaumentare della tensione V
DS
. Tale fenomeno prende il nome di
modulazione della lunghezza di canale. La variazione della corrente I
D
in funzione della tensione
V
DS
pu` o essere evidenziata derivando la relazione 1z8.
I
D
V
DS
=
(1/L

)
V
DS


n
C

ox
W
2
(V
GS
V
TH
)
2
=
(L

)
2
L

V
DS


n
C

ox
W
2
(V
GS
V
TH
)
2
=
L

V
DS
I
D
Espandendo in serie di Taylor la corrente I
D
valutata per V
DS
= V
GS
V
TH
, cio` e quando L

= L, ed
arrestandosi al primo ordine si ha
I
D
= I
D
|
(V
DS
=V
GS
V
TH
)
+
I
D
V
DS

(V
DS
=V
GS
V
TH
)
(V
DS
(V
GS
V
TH
))
Il primo termine ` e espresso correttamente dalla relazione 1zj. Valutando il secondo termine per
V
DS
= V
GS
V
TH
e sostituendolo si ha la relazione 16.
I
D
=
1
2

n
C

ox
W
L
(V
GS
V
th
)
2
(1 +(V
DS
(V
GS
V
TH
))) (16)
con detto coeciente di modulazione di canale e denito dalla relazione 1.
=
L
L V
DS
(1)
Nei casi pratici, la relazione 16 viene spesso sostituita con la relazione 18 che meglio approssima,
rispetto alla relazione 1zj, la corrente di drain.
I
D
=
1
2

n
C

ox
W
L
(V
GS
V
TH
)
2
(1 +V
DS
) (18)
Dal punto di vista sico, il signicato dellinverso del coeciente di modulazione rappresenta, in
un graco I
D
V
DS
, lincrocio di tutti i prolungamenti delle funzioni tracciate al variare di V
GS
nella
regione di saturazione. Il valore di 1/ varia al variare di V
DS
e di L e solitamente oscilla tra i 10 e i
100V.
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS j
j8. Introdurre la fenomenologia della saturazione della velocit ` a
di deriva nei semiconduttori. Denire e valutare lordine di gran-
dezza del campo critico. Illustrare leetto sulla base di un mo-
dello a rilassamento delle grandezze dinamiche delle particelle
(quantit ` a di moto ed energia).
La relazione mostra che la velocit` a cresce linearmente col campo applicato. Nella realt` a si misura
una saturazione della velocit` a di drift attorno a 10
7
cm/s nonostante unulteriore crescita del campo
elettrico applicato. Questo avviene a causa dello scattering dovuto ai fononi ottici
1
. Quando le-
nergia cinetica di un elettrone supera lenergia fononica ottica esso genera un fonone ottico e perde
la sua energia cinetica. Per questo motivo gli elettroni non acquistano velocit` a maggiori di quella di
saturazione. La velocit` a di saturazione in funzione dellenergia fononica ` e data dalla relazione 1j.
1
2
mv
2
sat
= E
opt
v
sat
=
_
2E
opt
m
(1j)
Si pu` o riscrivere la relazione tenendo conto della velocit` a di saturazione tramite la relazione 1o
che corrisponde abbastanza bene ai dati sperimentali.
v
drift
=
_

_
E
1 +E/E
crit
per E E
crit
v
sat
per E E
crit
(1o)
Dalla 1o ` e possibile ricavare la relazione 11 che esprime il campo elettrico critico.
E
crit
=
2v
sat

(11)
jg. Discutere la dipendenza della frequenza di taglio del MOSFET
dalla lunghezza di canale.
Considerando come modello di piccolo segnale la FIGURA oo1, la corrente in ingresso ` e data da
INSERIRE FIGURA oo1 (DESCRIVE IL MODELLO DI PICCOLO SEGNALE: UN GENERATORE
g
m
v
g
s TRA DRAIN E SOURCE E UNA CAPACIT
`
A C
g
s TRA GATE E SOURCE)
i
g
= C
gs
v
gs
(1z)
Mentre la corrente di uscita, cio` e la corrente di drain, ` e data da
i
d
= g
m
v
gs
(1)
La frequenza di taglio f
T
` e denita come la frequenza alla quale si ha un guadagno unitario.

i
d
i
in

=
g
m
v
gs
C
gs
v
gs
=
g
m
2f C
gs
g
m
2f
T
C
gs
= 1
f
T
=
g
m
2C
gs
(1)
Ricordando che la capacit` a tra gate e source ` e C
gs
= C

ox
WL, la frequenza di taglio in funzione della
lunghezza di canale L ` e espressa dalla relazione 1.
f
T
=
g
m
2C

ox
WL
(1)
1
I fononi ottici sono una tipologia di fononi (vibrazioni atomiche modellizzate sotto forma di particelle) ad altissima
energia rispetto ai fononi acustici che sono parzialmente responsabili della variazione della mobilit` a con la temperatura
come visto nella domanda 11.
o DISPOSITIVI ELETTRONICI
(o. Illustrare i passi di processo principali di un processo CMOS.
La realizzazione di dispositivi integrati (diodi, transistori e componenti passivi) si basa sulla tec-
nologia planare. La denominazione deriva dal fatto che lintera lavorazione viene eettuata su sot-
tilissime fette di silicio purissimo
z
dette wafers. I processi di lavorazione verranno analizzati
brevemente nei paragra successivi, dopodich e si analizzer` a sommariamente la realizzazione di un
integrato CMOS attraverso la sequenza di passaggi elementari di lavorazione.
Ossidazione termica
`
E il processo mediante il quale si fa crescere un sottile strato di ossido (da qualche nm a qualche m)
su una supercie di silicio. Essa viene eettuata in forni detti reattori con temperature che vanno
dagli 800C ai 1200C. Vengono eettuate sia ossidazioni a secco facendo reagire il silicio con los-
sigeno, sia ossidazioni in umido facendo reagire il silicio con il vapore acqueo. Lossidazione a secco
viene solitamente usata per la formazione di strati sottili in quanto pi ` u precisa, lossidazione in umi-
do viene invece utilizzata per spessori maggiori di ossido dato che richiede, a parit` a di temperatura,
un minor tempo.
Diusione termica
`
E il processo mediante il quale vengono drogati gli strati di silicio. Essi vengono esposti ai dro-
ganti che per eetto dellenergia termica diondono nel silicio. Lequazione che lega i processi di
diusione ` e la gi` a utilizzata legge di Fick. Una pecca notevole della diusione termica ` e che essa ` e
isotropa

ed ` e quindi la causa principale della formazione delle zone di overlap.


Impiantazione ionica
`
E un ulteriore processo mediante il quale ` e possibile inserire droganti nel silicio. Essa consiste nel
bombardare lo strato di silicio con ioni di droganti che penetrano in profondit` a nello strato secondo
una distribuzione gaussiana ed a dierenza del processo di diusione termica dove i picchi di dro-
gaggio si hanno in prossimit` a della supercie. Inoltre non viene svolta ad alte temperature e quindi
non vengono alterati precedenti drogaggi avvenuti nel materiale

. I pregi dellimpiantazione io-


nica rispetto alla diusione termica sono compensati dal suo maggior costo, tuttavia ` e destinata a
soppiantare denitivamente la diusione termica.
Deposizione di strati sottili
`
E il processo mediante il quale vengono depositati sulla supercie del wafer sottili strati dei pi ` u
svariati materiali. Essi possono essere: ossido di silicio

, nitruro di silicio, metalli (oro, rame,


alluminio, tungsteno, ...), polisilicio (silicio policristallino fortemente drogato) ed altri ancora.
Fotolitograa
`
E il processo che consente di eettuare tutti gli altri processi precedentemente descritti in maniera
selettiva. La fotolitograa avviene mediante due processi distinti: la mascheratura e lattacco.
Inizialmente viene deposto un sottile strato di polimero organico fotosensibile a particolari lunghez-
ze donda. Successivamente esso viene esposto al tipo di radiazione alla quale ` e sensibile in maniera
selettiva attraverso una maschera interposta tra la sorgente di radiazione ed il wafer stesso
6
. Esi-
stono due tipi di polimeri utilizzati: positivi e negativi. Nel caso dei positivi le regioni esposte alla
radiazione diventano maggiormente solubili e pi ` u facilmente rimovibili. Nel caso dei negativi le
regioni esposte alla radiazione diventano insolubili e quindi sono pi ` u facilmente rimovibili le zone
non esposte. I polimeri negativi sono solitamente maggiormente sensibili alla radiazione ma hanno
meno risoluzione e per questo, solitamente, vengono usati polimeri positivi.
z
Vengono usati anche materiali di partenza ma il silicio ` e di gran lunga il pi ` u comunemente usato. In ogni caso i
procedimenti di lavoro per gli altri materiali sono simili.

Cio` e la diusione non avviene lungo una direzione privilegiata ma in egual misura lungo tutte le direzioni.

Tuttavia, a causa delle collisioni con gli ioni, il reticolo cristallino pu` o essere danneggiato e quindi il materiale viene
riscaldato per permettere agli atomi di disporsi a formare nuovamente il reticolo.

La dicitura corretta sarebbe biossido di silicio.


6
Per analogia basti pensare al dipingere mediante luso di stencil.
GIUNZIONE METALLO-SEMICONDUTTORE E STRUTTURA MOS 1
Conclusa la fase di mascheratura, il polimero indebolito viene rimosso esponendo il materiale sot-
tostante ad un possibile attacco. Esso avviene mediante limmersione in acido o mediante un bom-
bardamento con plasma di materie gassose. Viene solitamente usato il bombardamento al plasma
poich e limmersione in acido comporta un attacco isotropo e quindi pi ` u impreciso.
Processo CMOS
ANCORA DA INSERIRE
z DISPOSITIVI ELETTRONICI
Appendice
Transistore MOS: polarizzazione delle regioni diuse e carica nel
canale di conduzione.
nMOS
Una volta polarizzato il sistema MOS in inversione si ha la formazione nel substrato di una regione
svuotata diusa e di un canale di tipo n in prossimit` a della supercie. Tale fenomeno rende il
substrato simile ad una giunzione pn. Applicando una tensione V
c
> 0 alla regione n si ha un
aumento della regione svuotata

.
Dato che la tensione V
G
si suppone costante, la carica totale indotta nel substrato rimane costante.
Quindi ad un aumento dellestensione della regione svuotata corrisponde un restringimento del
canale.
Lapplicazione di una tensione V
S
al terminale di source e di una tensione V
D
al terminale di drain
determina lapplicazione di un potenziale locale V
c
(y) lungo la direzione y di estensione del canale.
Essendo L la lunghezza del canale, cio` e la lunghezza che separa il source dal drain, ed orientato lasse
y dal source verso il drain si hanno le relazioni, si hanno le relazioni
V
c
(0) = V
S
(16a)
V
c
(L) = V
D
(16b)
Allinterno dellintervallo [0, L] il potenziale V
c
(y) assume quindi un valore compreso tra V
S
e V
D
.
Lapplicazione contemporanea delle tensioni V
G
, V
S
e V
D
comporter` a un potenziale variabile lungo
lasse y espresso dalla relazione 1.

s
= 2
F
+V
c
(y) (1)
Riscrivendo la relazione 1z1 tenendo conto del potenziale di supercie variabile lungo y si ha la
relazione 18
V
G
= V
FB
+
s
(y) +
_
qN
A
2
Si

s
(y)
C

ox

inv
(y)
C

ox
V
G
= V
FB
+2
F
+V
c
(y) +
_
qN
A
2
Si
(2
F
+V
c
(y))
C

ox

inv
(y)
C

ox
(18)
Si pu` o semplicare la relazione 18 ipotizzando che la densit` a di carica superciale Q

dep
(y) sia
costante ` e pari al valore calcolato in y = 0, cio` e per V
c
(y) = V
S
. Si ricava quindi la carica nel canale
la cui densit` a superciale ` e espressa dalla
Q

inv
(y) = C

ox
_

_
V
G

_
V
FB
+2
F
+
_
qN
A
2
Si
(2
F
+V
S
)
C

ox
_

_
V
c
(y)
_

_
(1j)
Si noti che per V
S
= 0 il termine tra tonde della relazione 1j corrisponde alla tensione di soglia
V
TH0
di un condensatore MOS espressa dalla relazione 1z.
`
E quindi possibile denire in maniera
analoga una tensione di soglia V
TH
per il transistore MOS ed espressa tramite la relazione 1o.
V
TH
= V
FB
+2
F
+
_
qN
A
2
Si
(2
F
+V
S
)
C

ox
(1o)
La relazione 1o permette di riscrivere la relazione 1j in forma pi ` u semplice. Si noti inoltre che la
carica del canale ` e dovuta ad un accumulo di elettroni e quindi la relazione 1j ha senso sico solo
per valori negativi, in caso contrario ` e da assumere nulla.
Q

inv
=
_
C

ox
(V
G
V
TH
V
c
(y)) per V
G
V
c
(y) > V
TH
0 per V
G
V
c
(y) < V
TH
(11)

Applicare una tensione V


c
positiva signica polarizzare in inversa la giunzione pn che si ` e formata da cui ne dervia
laumento dellestensione della regione svuotata.
DISPOSITIVI ELETTRONICI
pMOS
Valgono gli stessi ragionamenti fatti per il transistore nMOS e che quindi, per sinteticit` a, non
verranno ripetuti. La tensione di soglia di un transistore pMOS ` e data dalla relazione 1z
V
TH
= V
FB
+2
F

_
qN
A
2
Si
(2
F
V
S
)
C

ox
(1z)
La densit` a di carica superciale Q

inv
(y) ` e data dalla relazione . Si noti che la carica di canale ` e
dovuto ad un accumulo di lacune, quindi la carica di canale ` e da assumere positiva o nulla.
Q

inv
=
_
C

ox
(V
G
V
TH
V
c
(y)) per V
G
V
c
(y) < V
TH
0 per V
G
V
c
(y) > V
TH
(1)
Transistore MOS: mobilit ` a superciale e velocit ` a di saturazione.
La mobilit` a usata nei calcoli inerenti il canale che si forma nel substrato dei transistori non ` e la
stessa mobilit` a che si ha in un semplice semiconduttore drogato in quanto si deve tener conto dei
disturbi subiti dai portatori in vicinanza dello stato di ossido. Tali disturbi dipendono fortemente
dalla componente perpendicolare al loro moto del campo elettrico. Il disturbo, dal punto di vista
intuitivo, pu` o essere visto analogamente a quello subito nel caso del moto di un corpo posto su di
una supercie ruvida. Da ci ` o ne deriva che la mobilit` a dei portatori nel canale, detta mobilit` a su-
perciale
s
, ` e minore della mobilit` a misurata allinterno di un semplice cristallo di silicio drogato.
Esiste una relazione empirica che lega la mobilit` a superciale
s
alla componente verticale E
x
del
campo elettrico lungo lasse y di percorrenza dei portatori.

s
=

1 +E
x
(y)
(1)
con fattore di riduzione della mobilit` a e pari a circa 1.5 10
6
cm/V. Solitamente viene usata per
praticit` a un mobilit` a superciale media
s
. Si pu` o quindi riscrivere la relazione 1o che esprime
la velocit` a di saturazione sostituendo con
s
in modo da descrivere la velocit` a di saturazione nel
canale.
v
drift
=
_

s
E
1 +E/E
crit
per E E
crit
v
sat
per E E
crit
(1)
Supponendo un andamento lineare della tensione lungo il canale di lunghezza L, cio` e potendo scri-
vere V
DS
= E L, si riscrive la relazione 1z6 che esprime la corrente di triodo tenendo conto della
1
8
.
I
D
=
_

s
1 +
V
DS
L E
crit
_

_
C

ox
W
L
_
V
GS
V
TH

V
DS
2
_
V
DS
(16)
Il termine tra quadre viene denito come la mobilit` a eettiva
e
che tiene conto sia del campo
elettrico verticale che della velocit` a di saturazione dei portatori.

e
=

s
1 +
V
DS
L E
crit
(1)
Transistore MOS: modello di piccolo segnale.
8
Si dovrebbero rifare un po di conti di integrazione analoghi a quelli fatti per giungere allespressione nale della
relazione 1z6, qui viene scritto solo il risultato nale per sinteticit` a.