ARGOMENTO 1

STRUTTURE CRISTALLINE

 Gli atomi si dispongono in maniera ordinata lungo tutto il materiale

 Le proprietà dei solidi dipendono dalla struttura cristallina
 Una rete immaginaria di linee, con atomi all’intersezione delle linee, che rappresentano la
disposizione degli atomi, è detto reticolo spaziale
 Esistono 14 tipi di reticoli. Ma i più comuni sono:
o CONFIGURAIZONE CUBICA A CORPO CENTRATO (CCC):
 8 ∙ (1/8 dell’atomo) atomi sono posizionati ai vertici di ogni cella e
1 atomo posizionato al centro della cella  quindi gli atomi
appartenenti alla singola cella sono 2
 Ogni atomo ha 8 atomi vicini, quindi il suo numero di
coordinazione è 8
 Gli atomi a contatto fra loro, sono gli atomi della diagonale del
4𝑅
cuboquindi la costante reticolare vale: 𝑎 =
√3
 Possiamo definire il fattore di impacchettamento atomico FCA𝐹𝐶𝐴 =
𝑉𝑂𝐿𝑈𝑀𝐸 𝐴𝑇𝑂𝑀𝐼 𝑁𝐸𝐿𝐿𝐴 𝐶𝐸𝐿𝐿𝐴 4𝑅/√3
= = 0,68
𝑉𝑂𝐿𝑈𝑀𝐸 𝐶𝐸𝐿𝐿𝐴 𝑎3
o CONFIGURAZIONE CUBICA A FACCE CENTRATE (CFC):
 8 atomi ∙ (1/8 dell’atomo) sono posizionati ai vertici della cella, e 6 atomi ∙
(1/2 dell’atomo) sono posizionati ognuno al centro di ogni singola faccia
del reticoloquindi il totale degli atomi appartenenti alla singola cella è di
4
 Il fattore di impacchettamento atomico è FCA=0,74
 Ogni atomo ha 12 atomi vicini, quindi il suo numero di coordinazione è 12
 Gli atomi a contatto fra loro sono gli atomi delle diagonali delle facce del cubola
costante reticolare vale 𝑎 = 4𝑅/√2
o CONFIGURAZIONE ESAGONALE COMPATTA (EC):
 12 atomi ∙ (1/6 dell’atomo) agli angoli di un prisma esagonale, 2 atomi ∙ (1/2
dell’atomo) sulla faccia superiore ed inferiore e 3 atomi all’interno tra la faccia
superiore ed inferiorequindi il numero di atomi che appartengono al singolo cubo è 6
 Il numero di impacchettamento è FCA=0,74
Ogni atomo ha 12 atomi vicini, quindi il suo numero di coordinazione è 12
 Alcuni materiali possono presentare più di una struttura cristallina in condizioni di
temperatura e pressione differenti Polimorfismo
PIANI E DIREZIONI CRISTALLOGRAFICHE
 E` importante definire piani e direzioni cristallografiche per determinare le proprietà del
materiale
 Per identificare un piano o una direzione si utilizzano 3 indici:
o Per definire una direzione nel cristallo, uso una terna di numeri non separati da virgole tra
parentesi quadre. Congiungendo l’origine con un punto del reticolo che si trova in quella
 direzione, posso definire gli indici come le proiezioni di questo vettore posizione sugli assi
cartesiani.
 Direzioni con indici diversi ma con la stessa densità lineare fanno tutti parte della stessa
famiglia di direzioni.
o Per definire un piano nel cristallo, vengono utilizzati gli indici di Miller e rappresentano i
reciproci delle intersezioni del piano con gli assi della cella
 Piani con indici diversi ma con la stessa densità planare fanno tutti parte della stessa
famiglia di piani.
SOLIDIFICAZIONE

 Il metallo fuso può essere colato in uno stampo per determinare forma e caratteristiche volute
 Il processo di solidificazione, dallo stato liquido allo stato solido, avviene quando la temperatura
del metallo va sotto la temperatura di solidificazione.
 Il processo di solidificazione è caratterizzato da due fasi:
- Nucleazione: fase in cui gli atomi si aggregano, formando un solido stabile
- Crescita: i solidi stabili crescono formando cosi i cristalli (grani). I vari cristalli si uniranno
formando i bordi di grano.
 La nucleazione può essere di due tipi:
o NUCLEAZIONE OMOGENEA
 Il metallo stesso fornirà gli atomi per formare un solido stabile
 Questo può avvenire solo se la il metallo viene sottoraffreddato abbondantemente,
infatti se la temperatura si riduce al di sotto della temperatura di solidificazioni gli
atomi rallenteranno il loro moto andando ad unirsi tra loro formando cosi un solido
 Il solido sarà stabile è verrà chiamato nucleo quando raggiungerà una dimensione di
raggio critico. Se il solido non raggiungerà questa dimensione si discioglierà e prenderà
il nome di embrione
 Il processo di solidificazione è regolamentato da due tipi di energia:
- Energia libera di volume: legata al volume della particella solida che si sta creando; è
negativa poiché viene rilasciata durante la trasformazione da liquido a solido
- Energia libera di superficie: legata alla superficie della particella che si crea
all’interfaccia solido-liquido; è positiva perché è un energia che viene assorbita durante
la trasformazione da liquido a solido
La solidificazione avviene quando la differenza di queste e due energie è negativa:

 Osservando l’andamento dell’energia totale libera in funzione r, possiamo notare che

avremo un andamento iniziale crescente fino
ad un valore di raggio detto raggio critico, e
poi scenderà:
Possiamo osservare come la nucleazione è
favorita dal sottoraffreddamento:
aumentando il sottoraffreddamento si riduce
sia l’energia libera di nucleazione che il raggio
critico.
 o NUCLEAZIONE ETEROGENIA
 La presenza di impurità (o le superficie del contenitore che contiene il metallo) nel
metallo permette di ridurre l’energia libera totale, e quindi facilitare la nucleazione
 L’energia libera necessaria per formare nuclei stabili sarà minore per una nucleazione
eterogenea che per una omogenea
 Una volta che il solido raggiunge la dimensione critica, questo crescerà andando a formare dei
grani. I vari grani si orienteranno in maniera diversa, per questo una volta che si uniranno
formeranno i bordi di grano.
Possiamo definire:
- Materiali monocristallini: unico cristallo (grano) si estende per tutto il materiale
- Materiali policristallini: costituti da un insieme di grani che si uniscono tra loro con
orientazioni diversela maggior parte dei materiali sono policristallini
DIFETTI CRISTALLINI

 Nessun reticolo è perfetto, presenta sempre dei difetti

 Questi difetti possono essere stati causati da: solidificazione, deformazioni plastiche, ecc..
 I difetti influenzano le proprietà dei materiali.
 I difetti possono essere di diversi tipi:
o DIFETTI PUNTIALI/ZERO DIMENSIONE
 Esistono due tipi di difetti puntuali:
 Vacanze, cioè la mancanza di un atomo dalla sua posizione reticolare
𝐸
𝑁𝑣 = 𝑁𝐴𝑇𝑂𝑀𝐼 ∙ 𝑒 (−𝑘∙𝑇)
 Possiamo osservare come il numero di vacanze aumenti esponenzialmente con
la temperaturaaumento dell’energia vibrazionale delle molecole

 Interstiziale (o autointerstiziale): quando un atomo del reticolo è posizionato in uno

spazio vuoto che normalmente non viene
occupato. Questo difetto provoca una grande
distorsione del reticolo poiché, il raggio
dell’atomo posizionato nello spazio vuoto sarà
maggiore dello spazio stesso
 I difetti puntuali posso essere caratterizzati anche
dalla presenza di atomi differenti da quelli del
reticolo.
 L’aggiunta di una soluzione solida permette la
formazione di una soluzione solida. Il più semplice
esempio di soluzione solida è la lega, dove possiamo distinguere un solvente (atomi che
si trovano in maggior quantitàatomi ospitanti) e un soluto (atomi che si trovano in
minor quantitàatomi di impurezza)
 Gli atomi di impurezza si possono andare a posizione in diversi modi nel reticolo, quindi
possiamo definire 2 tipi di difetti:
 Difetti di impurezza sostituzionali: gli atomi di impurezza sostituiscono un
atomo del reticolo (nella sua posizione reticolare). Questo tipo di difetto
avviene:
 1. La dimensione atomica dell’atomo di impurezza è equiparabile alla dimensione
del raggio dell’atomo ospitante
2. L’elettronegatività dei due atomi deve essere simile
3. Entrambi gli atomi devono avere la stessa struttura cristallina
4. Valenza

 Difetti di impurezza interstiziali: avviene quando l’atomo di

impurezza si posizione negli spazi vuoti del reticolo. E` facile intuire che
per quando difetto, l’atomo di impurezza deve avere raggio atomico
molto più piccolo rispetto a quello ospitante.

o DIFETTI LINEARI/MONODIMENSIONALI
 I difetti lineari sono caratterizzati da dislocazioni: successione di atomi che non
si trovano nella loro posizione reticolare
 Questo tipo di difetto può avvenire dopo un sforzo subito dal materiale, che
provoca lo slittamento di due piani cristallini.
 Esistono 2 tipi di dislocazione:
 Dislocazione a spigolo: a seguito di un sforzo di taglio, un piano si è spostato
di una distanza interatomica definendo cosi un semi piano aggiuntivo
Possiamo osservare che dall’altra parte del
reticolo, questo piano non trova una
corrispondenza con gli altri atomi.
Possiamo definire l’asse (o linea) di
dislocazione come l’intersezione tra il piano
di scorrimento della dislocazione ed il semi
piano aggiunto.
Possiamo osservare come questo tipo di
dislocazioni provochi una distorsione del reticolo, infatti avremo un sforzo a
compressione sui piani adiacenti al semipiano aggiuntivo e uno sforzo di
trazione sui piani sottostanti al semipiano aggiuntivo:
 Una dislocazione è caratterizzata da due grandezze: la linea di (o asse) di
dislocazione e il vettore di Burgers 𝑏⃗. Il vettore di Burgers definisce verso,
lunghezza e direzione della dislocazione, nel caso di una dislocazione a spigolo, il
vettore di Burgers è perpendicolare alla linea di dislocazione:

 Dislocazioni a vite: quando uno sforzo di taglio produce una torsione, e i

piani si avvolgono lungo l’asse di dislocazione a forma di spirale. Si formano
due gradini che individuano lo spostamento degli atomi:

In questo caso il vettore di Burgers è parallelo all’asse di dislocazione:

 Dislocazioni miste: sia a spigolo che a vite. Il

vettore di Burgers rimane costante: parallelo sul
tratto della dislocazione a vite e perpendicolare
a quello del tratto della dislocazione a spigolo
 o DIFETTI SUPERFICIALI/ DUE DIMENSIONI
 Sono difetti che interessano l’intera superficie di un cristallo che rappresenta
una discontinuità del reticolo
 La superficie esterna stessa rappresenta un difetto poiché gli atomi che la
compongono hanno più energia rispetto a quelli interni. Questa energia
superficiale agevola la diffusione.
 I bordi di grano (che formano la superficie, osservabili al microscopio)
costituiscono un difetto, perché la densità atomica è minore rispetto al reticolo
interno perciò in prossimità del bordo gli atomi avranno energia
maggiorefavorisce il processo di diffusione
Questa energia è funzione dell’angolo di disallineamento che si forma tra i vari
granise l’angolo è piccolo il bordo può essere descritto come una dislocazione

ARGOMENTO 2
DIFFUSIONE
 Gli atomi si possono muovere nel reticolo attraverso i fenomeni di diffusione
 La Diffusione, è il principio con cui si crea un flusso di materia e quindi uno spostamento delle
atomi, da zone in cui la concentrazione è maggiore a zone in cui è minore, in modo da formare
una distribuzione finale omogenea.
 Affiche avvenga un processo di diffusione, bisogna fornire energia al sistema (aumentando la
temperatura). Così facendo gli atomi aumento la loro energia vibrazionale e riescono a passare
da un sito reticolare ad un altro.
 Possiamo affermare che il processo di diffusione dipende da:
- l’atomo che si sposta deve avere una posizione reticolare o interstiziale adiacente vuota
- l’atomo deve avere energia necessaria per rompere i legami e per permettere la distorsione
del reticolo
 La diffusione può essere di due tipi:
 Diffusione interstiziale: l’atomo si sposta da una
posizione interstiziale ad una adiacente vuota
 Diffusione per vacanze o sostituzionale: gli atomi si
spostano da una posizione reticolare per occupare una
vacanza. Questo ci permette di affermare che in
questo tipo di diffusione intervengono due tipi di
energia: l’energia di attivazione della diffusione, cioè
quella per spostare l’atomo da una vacanza all’altra; e
poi l’energia necessaria per formare una vacanza.
 Nella maggior parte delle leghe è facile intuire che, la
diffusione interstiziale è più rapida rispetto a quella per
vacanze/sostituzionale poiché gli atomi da spostare hanno
raggio minore quindi un energia di attivazione per
spostare l’atomo è minore.
 Il coefficiente di diffusione la velocità con cui diffonde una specie (soluto) attraverso un
metallo (solvente) ad una determinata temperaturadipende dall’energia di attivazione per
spostare un atomo (Q), dalla temperatura (T) e dalla coppia di diffusione:
𝑄
𝐷 = 𝐷0 ∙ 𝑒 (−𝑅∙𝑇)
ATTENZIONE:
- D0 (costante di diffusione) e Q (energia di attivazione) NON DIPENDONO DALLA
TEMPERATURA, ma solo dalla coppia di diffusione
- La diffusione è favorita in reticoli con minore compattazione atomica minore (come CCC)
rispetto ai reticoli con fattore di compattazione maggiore (come CFC)
 Maggiore è il coefficiente di diffusione di un atomo rispetto ad un altro, maggiore sarà la
velocita con cui si mescolano l’uno con l’atro.
Per questo possiamo definire la velocità di diffusione (o
flusso di diffusione), cioè con quanta rapidità un
determinata massa, quindi atomi, viene traferita:
𝑀 𝑘𝑔 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑖
𝐽= [ 𝑜 ]
𝐴𝑡 𝑚2 𝑠 𝑚2 𝑠
(Massa/numero di atomi M che si diffonde
perpendicolarmente ad una superficie di aria A in un
determinato tempo t)
 In base a come questo flusso/velocita varia nel tempo
possiamo definire due tipi di diffusione:
 Diffusione stazionaria: la velocita di diffusione
rimane costante nel tempo.
Per la diffusione stazionaria vale la prima legge di
Fick:
∆𝐶 𝑘𝑔 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑖
𝐽 = −𝐷 [ 𝑜 ]
∆𝑥 𝑚3 𝑚3
Dove: il gradiente di diffusione (dc/dx) è minore di zero poiché il flusso va dalla zona più
concentrata alla zona meno concentrata
 Diffusione non stazionaria: Nella realtà la condizione stazionaria, quasi sempre non
avviene. Il flusso di diffusione attraverso una superficie varia nel tempoil gradiente di
concentrazione non e` lo per tutti i punti della superficie:
 La seconda legge di Fick, in determinate condizione vale:

ARGOMENTO 3
PROPRIETA MECCANICHE

 Le proprietà meccaniche rappresentano la capacita di un materiale di resistere o meno a

sollecitazione e forze esterne
 Le prove meccaniche sono necessarie per determinare le proprietà meccaniche di un materiale
 Ogni volta che ad un materiale viene sottoposto ad una sollecitazione o forza esterna si
deforma. Esistono 2 tipi di deformazione:
 Deformazione elastica: se il carico applicato viene portato a zero, il materiale non presenta
deformazioni permanenti
 Deformazione plastica: se il carico applicato viene portato a zero, il materiale presenta
deformazioni permanenti
 La curva sforzo-deformazione della prova di trazione è la più significativa per definire le
proprietà di un materiale. Per non tenere conto della geometria del provino sotto esame,
definiamo:
𝐹
𝑠𝑓𝑜𝑟𝑧𝑜 𝑛𝑜𝑚𝑖𝑛𝑎𝑙𝑒: 𝛿 =
𝐴0
∆𝑙 𝑙 − 𝑙0
𝑑𝑒𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎𝑖𝑧𝑜𝑛𝑒 𝑛𝑜𝑚𝑖𝑛𝑎𝑙𝑒: 𝜖 = =
𝑙0 𝑙0
 Dal grafico sforzo-deformazione della prova di trazione possiamo determinare:
 ZONA ELASTICA
Per carichi bassi il metallo si comporta elasticamente, cioè se il carico viene riportato a zero
non si ottengono deformazioni permanenti. La curva infatti segue un andamento lineare
rappresentato dalla legge di Hooke:
𝛿 =𝐸∙𝜖

Dove E è il modulo di elasticità (o di Young) rappresenta la pendenza della curva.

Dal punto di vista atomico, il modulo elastico
rappresenta la resistenza che gli atomi del materiale
oppongono alla sollecitazione, per non rompere i
legami:

Durante la prova avremo un allungamento lungo la direzione su cui

viene applicata la forza, e un ristringimento della sezione lungo la
direzione perpendicolare alla forza applicata. La deformazione, in
campo elastico, della sezione può essere calcolata dalla legge di
Poisson:
𝜖𝑥 𝜖𝑦 𝑑𝑒𝑓. 𝑙𝑎𝑡𝑒𝑟𝑎𝑙𝑒
𝑣 = − = − (− )
𝜖𝑧 𝜖𝑧 𝑑𝑒𝑓. 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑𝑖𝑛𝑎𝑙𝑒

 ZONA PLASTICA
Dopo un certo valore di sforzo, il materiale inizia a deformarsi plasticamente. Quindi se una
volta azzerato il carico, il materiale presenterà delle deformazioni permanenti.
Il valore dello sforzo in cui si ha il passaggio da zona elastica a zona plastica prende il nome
di sforzo di snervamento (limite di snervamento). Questo valore è il più delle volta difficile
da determinare, allora per convenzione si assume come limite di snervamento, il valore che
comporta una deformazione del 0,2% (𝜖 = 0,002):
Dopo lo snervamento, il carico per continuare la deformazione plastica cresce fino ad un
valore massimo. Il punto in cui, lo sforzo raggiunge il valore massimo prende il nome di
resistenza a rottura δR .
Prima di questo punto le deformazioni sono ripartite lungo la lunghezza del provino, in
corrispondenza di questo valore si inizierà ad osserva un restringimento della
sezionequesto fenomeno prende il nome di strizione, e la frattura del provino avvera
proprio nel punto in cui si avrà il restringimento della sezione.

Altre informazioni posso essere ricavate dalla curva sforzo-deformazione della prova di
trazione:
o Possiamo definire la deformazione a frattura come:

o La duttilità di una materiale, cioè il grado di deformazione plastica che può

sostenere un materiale senza rompersi. Può essere espressa come la percentuale di
riduzione della sezione:
𝐴0 − 𝐴𝑓
𝑍% = ∙ 100
𝐴0
Un materiale che presenta scarsa o inesistente deformazione estatica viene definito
fragile:
 o La resilienza è la capacita di un materiale di assorbire energia se sottoposto a
deformazione elastica, che viene liberata in fase di scarico. L’indice di resilienza può
essere calcolato:
𝛿𝑆2
𝐼𝐸 =
2∙𝐸
o L’area sottesa dalla curva tensione deformazione rappresenta l’energia assorbita
dal provino prima di giungere a rottura ed è indice della tenacità del materiale:

L’indice di tenacia di un materiale può essere calcolata come:

𝐼𝑇 = 𝛿𝑀𝐴𝑋 ∙ 𝜀𝑓

SFORZO E DEFORMAZIONI REALI

 La formula dello sforzo reale tiene conto solo della sezione iniziale, e non tiene conto quindi
dell’avvento della strizione
 In alcuni casi è importante definire una curva sforzo-deformazione reale. Dove lo sforzo reale
viene definito come:
𝐹
𝛿𝑟 = 𝑑𝑜𝑣𝑒 𝐴𝑖 𝑒` 𝑙𝑎 𝑠𝑒𝑧𝑖𝑜𝑛𝑒 𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑎𝑛𝑒𝑎 𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑠𝑡𝑟𝑖𝑧𝑖𝑜𝑛𝑒
𝐴𝑖
E deformazione reale:
𝑙𝑖
𝜀𝑟 = ln ( ) 𝑑𝑜𝑣𝑒 𝑙𝑖 𝑒` 𝑙𝑎 𝑙𝑢𝑛𝑔ℎ𝑒𝑧𝑧𝑎 𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑎𝑛𝑒𝑎 𝑎𝑙𝑙𝑎 𝑠𝑡𝑟𝑖𝑧𝑖𝑜𝑛𝑒
𝑙0
 Quando durante la deformazione non il volume rimane costante, deformazione nominale e
sforzo nominale sono legate a quelle reali:
𝛿𝑟 = 𝛿𝑛 (1 + 𝜀𝑛 )
𝜖𝑟 = ln(1 + 𝜀𝑛 )
 La legge che lega deformazione reale e sforzo reale è la legge di Hollomon:
𝛿𝑟 = 𝐾𝜀𝑟𝑛
Dove K e n sono costanti e dipendono dalla lega del materiale sotto esame.
n (coefficiente di incrudimento) rappresenta la deformazione reale nel punto di strizione,
quindi è un indice di duttilità del materiale
 n può essere ricavato:
𝛿
ln ( 𝐾𝑟 )
𝑛=
ln(𝜀𝑟 )

DISLOCAZIONI E DEFORMAZIONE PLASTICA

 Come già sappiamo, le dislocazioni si possono muovere quando sul materiale agiste un
sollecitazione.
 Un dislocazione muovendosi può incontrare un ostacolo o altre dislocazione, questa per
aggirare l’ostacolo produrrà una seconda dislocazionequesto produce un processo a catena
 Più il numero di dislocazioni aumenta, più il loro moto si rallenterà. Di conseguenza la
sollecitazione necessaria a deformare il materiale (e quindi a far muovere le dislocazioni) deve
essere maggiore
 ll moto delle dislocazioni è favorito lungo quelle direzioni cristallografiche in cui gli atomi sono
più vicini tra loro, dette direzioni compatteallora per la configurazione CCC e CFC avrò
moltissime direzione ad alto compattamento atomico. Esempio: per una CCC la direzione della
diagonale del cubo è una direzione compatta; per CFC una direzione compatta è la direzione
della diagonale di una faccia del cubo.
 E` facile intuire che aumentando il numero di dislocazione si aumenta la resistenza del
materiale. Possiamo definire alcuni meccanismi di indurimento:
 RIDUZIONE DELLA DIMENSIONE DEL GRANO
Per un bordo cristallino spesso, le dislocazioni non riescono a passare e quindi non si
incontrano tra loro (per produrne poi altre). Allora riducendo la dimensione del grano in un
materiale policristallino si aumenta la resistenza del materiale
 ALLIGAZIONE PER SOLUZIONE SOLIDA
In presenza di atomi di impurezza nel reticolo, sappiamo che questi produrranno delle
deformazioni nel reticolo (difetti di impurezza sostituzionali o interstiziali).
Le dislocazioni già presenti nel reticolo, interagiscono con le tensioni provocate dagli atomi
di impurezza, non permettendo il moto delle dislocazioni (quindi ci vorrà sollecitazione
maggiore per farle muovere).