Microelettronica

Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica

Vincenzo d’Alessandro
Informazioni generali

Materiale didattico
1) Diapositive presentate a lezione, messe a disposizione in Materiale del corso del
Team dopo ogni lezione
2) S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, John Wiley & Sons, 1981
3) R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison Wesley Longman, 1996
4) F. Bonani, S. Donati Guerrieri, G. Masera, G. Piccinini, Dispositivi e Tecnologie
Elettroniche, CLUT, 2007

Come reperirmi
1) Indirizzo e-mail: vindales@unina.it
2) Numero di telefono: 081-7683509
3) Orario di ricevimento: per appuntamento, da richiedere via email
4) Il ricevimento si terrà o in ufficio oppure sulla piattaforma Microsoft Teams
5) Ufficio: secondo piano dell’Edificio 2, stanza 2.16, Dipartimento di Ingegneria Elettrica
e delle Tecnologie dell’Informazione (DIETI), complesso di via Claudio 21

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Programma
1) Fisica dei semiconduttori
2) Fenomeni di trasporto e generazione-ricombinazione Macroarea 1
3) Giunzione P-N Macroarea 2
4) Transistore bipolare
5) Struttura MOS (1-D) e transistore MOS (2-D) Macroarea 3
6) Tecnologie bipolari avanzate

Modalità d’esame
1) La prova è orale ed è basata su 3 domande, ognuna relativa ad una macroarea
costituente il programma.
2) Il risultato negativo di una prova non inficia la candidatura ad una prova successiva.

Richieste
È gradita la segnalazione via email di errori (anche di battitura!) nelle diapositive.

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Fisica dei semiconduttori
L’attitudine a condurre corrente di un materiale è quantificata dalla conducibilità elettrica
σ [Ω-1ꞏcm-1], ma sovente si fa riferimento alla resistività elettrica ρ [Ωꞏcm], che identifica
l’inattitudine alla conduzione. I conduttori hanno ρ bassa (argento, rame, alluminio hanno
ρ intorno a 10-6, 10-5 Ωꞏcm), gli isolanti hanno ρ alta (il vetro ha ρ=1010, il diamante
ρ=1014, lo zolfo addirittura ρ=1017 Ωꞏcm).

In elettronica c’è necessità di materiali aventi un comportamento non così ben definito,
ma materiali duttili, poliedrici. Questo è dovuto al fatto che i dispositivi elettronici devono
essere in grado di permettere il flusso di corrente in determinate condizioni, inibirlo in
altre, e modularlo quando necessario.

Essi vengono individuati nella vasta gamma di materiali caratterizzati da valori intermedi
di ρ, detti semiconduttori, e sono quelli che si prestano alla fabbricazione tecnologica dei
dispositivi, e che hanno una interessante proprietà: la loro resistività può essere
modificata ad hoc (anche significativamente) in modo controllato.

Si tratta di silicio (Si), germanio (Ge), arseniuro di gallio (GaAs), ecc.

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Semiconduttori semplici e composti
Silicio e germanio sono semiconduttori semplici.
L’arseniuro di gallio, il carburo di silicio (SiC), il nitruro di gallio (GaN), il seleniuro di
cadmio (CdSe) sono semiconduttori composti (da due specie atomiche).

Semiconduttori estrinseci e intrinseci

Un semiconduttore in cui siano state introdotte ad hoc altre specie atomiche (drogante o
impurità) viene detto estrinseco, impuro, o drogato.
Un semiconduttore in cui non siano state introdotte ad hoc altre specie atomiche viene,
per contrapposizione, detto intrinseco, puro, o non drogato.

Il silicio intrinseco soffre di una resistività piuttosto alta: 2.4×105 Ωꞏcm a T=300 K. Questo
è legato al fatto che in un cm3 di materiale sono presenti “solo” 1.45×1010 elettroni liberi e
lacune (portatori mobili di carica positiva) su “ben” 5×1022 atomi. Vedremo che in
elettronica viene adottato silicio estrinseco, drogato con boro (B), arsenico (As), fosforo
(P).
L’arseniuro di gallio intrinseco è persino peggiore: ρ=4×108 Ωꞏcm per la presenza di
1.79×106 elettroni liberi e lacune in un cm3.

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Silicio e germanio
Silicio e germanio appartengono alla IV colonna (IV gruppo) della Tavola Periodica degli
Elementi, i.e., sono specie atomiche tetravalenti.
Presentano 4 elettroni di valenza, cioè disponibili a formare legami covalenti con atomi
adiacenti nel reticolo. Gli elettroni di valenza appartengono al guscio energetico
(corteccia) più esterno dell’atomo, caratterizzato dai livelli energetici più alti. Ogni guscio è
identificato da un certo numero n, detto numero quantico principale (=1, 2, 3, ...).

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 I II III IV V VI

Il numero associato agli elementi è detto numero atomico, e rappresenta il numero di

protoni nel nucleo, o, equivalentemente, il numero di elettroni appartenenti alla “nube
elettronica” che circonda l’atomo. In particolare, il silicio ha 14 elettroni e il germanio 32.
Nel prosieguo si studierà la configurazione elettronica, ovvero il modo in cui sono collocati
questi elettroni e qual è l’energia ad essi associata. Si vedrà, in particolare, che il livello
energetico di un elettrone è identificato da 2 numeri quantici, il numero quantico principale
n e il numero quantico azimutale l (=0, 1, 2, …, n-1).

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Semiconduttori composti
Possono essere ottenuti combinando
 un elemento appartenente alla II colonna (bivalente) ed uno appartenente alla VI
(esavalente), come il seleniuro (VI) di cadmio (II);
 un elemento appartenente alla III colonna (trivalente) ed uno appartenente alla V
(pentavalente), come l’arseniuro (V) di gallio (III);
 due elementi appartenenti alla IV colonna (tetravalenti), come il carburo di silicio.

Infatti in questi materiali ogni atomo raggiunge una condizione stabile (ottetto) in cui sono
presenti 8 elettroni di valenza condivisi con 4 atomi adiacenti nel reticolo.

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Leadership del silicio

 Ricavato dalla silice, estremamente presente in natura (sabbia, quarzo, argilla);

costituisce infatti il 25% della crosta terrestre.
 Attitudine alla formazione di strati superficiali di biossido di silicio (SiO2, altresì detto
ossido per semplicità), che serve per l’introduzione selettiva del drogante, la
realizzazione dell’ossido sottile di gate nei transistori MOS, la protezione dei circuiti.
 Processo standardizzato a resa elevata, anche per diametri notevoli (20 cm) dei
wafer.

Nessun altro materiale semiconduttore gode di queste proprietà.

Il corso è incentrato sul silicio, salvo brevi digressioni.

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Struttura reticolare

I materiali possono essere classificati sulla base dell’ordine reticolare. Un materiale può
essere (mono)cristallino, amorfo, o policristallino.

Un materiale si dice (mono)cristallino quando il reticolo è ottenibile attraverso la

ripetizione/replica di una cella elementare (unitaria, fondamentale) nelle 3 dimensioni.
Un materiale si dice amorfo quando la struttura degli atomi è completamente disordinata,
i.e., in un volume molto ampio non è possibile riconoscere alcuna regolarità.
Si ha una situazione “intermedia” con un materiale policristallino, la cui struttura è
composta da vari grani cristallini, ognuno con una sua propria orientazione reticolare; è
intuitivo che i bordi dei grani sono critici dal punto di vista della conduzione dei portatori di
carica.

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Reticoli cubici

Un reticolo cristallino si dice cubico quando la cella elementare è cubica; questo avviene
sempre nei semiconduttori di interesse.
Il polonio (semi-metallo) è caratterizzato da un reticolo cubico semplice. La sua cella
elementare presenta 8 atomi disposti nei vertici; a prende il nome di costante (passo)
reticolare ed è dell’ordine di qualche Angstrom [1 Å=10-10 m=10-8 cm=10-4 µm].

A rigore la cella cubica semplice è costituita da 1 solo atomo,

perché ognuno degli atomi presenti nei vertici è in comune tra 8
celle.

Il sodio e il tungsteno sono caratterizzati da un reticolo cubico a

corpo centrato. La sua cella elementare presenta 8 atomi disposti
nei vertici e 1 atomo al centro; pertanto essa è costituita da 2 atomi.

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Proseguendo in ordine di complessità crescente, vari materiali
(alluminio, rame, oro, platino) esibiscono un reticolo cubico a facce
centrate. La cella elementare presenta 8 atomi ai vertici, ed 1 al
centro di ognuna delle 6 facce laterali.

Il calcolo del numero di atomi effettivamente appartenenti alla cella

può essere svolto in questo modo: tenendo conto del fatto che ogni
atomo ai vertici è in comune tra 8 celle, e che ogni atomo collocato
al centro delle facce è in comune tra 2 celle, si ha che
8 6
  1 3  4
8 celle 2 celle

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Reticolo cubico del diamante (silicio e germanio)
Il reticolo cristallino di silicio e germanio è convenzionalmente detto del diamante, perché
ha la stessa configurazione del reticolo del diamante (una delle forme del carbonio).
Il reticolo del diamante è ottenibile attraverso un’elaborazione geometrica del reticolo a
facce centrate: si prendono 2 celle elementari (dette #1 e #2) a facce centrate supposte
inizialmente “sovrapposte”, e si trasla la #2 di a/4 lungo x, y, z, mentre la #1 rimane ferma.
Questo implica che se un atomo-vertice della cella #2 è inizialmente situato nell’origine
del sistema di riferimento
 x, y, z    0, 0, 0 
allora dopo la traslazione le coordinate di questo atomo-vertice saranno

 x, y, z   
a a a
, , 
4 4 4
Ciò equivale a dire che la cella #2 è traslata rispetto alla #1 di una quantità pari a
2
a  a2 a2 
2
a2 a2 a2 3
       a
16  16 16  16 16 16 4

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Dopo la traslazione, nella cella #1 (rimasta ferma) struttura tetraedrica
rimangono completamente “inclusi” 4 atomi della #2, di
cui 1 è l’atomo-vertice di cui prima, e 3 sono atomi posti
al centro di facce della #2.

Pertanto, il numero di atomi della cella elementare del

silicio e del germanio è pari a 4 (numero di atomi della
cella #1) + 4 (numero di atomi della #2 rimasti inclusi
nella #1) =8.

Nel silicio, a=5.43 Å (nel germanio, a=5.66 Å); Con questa informazione è possibile
valutare il numero di atomi contenuto in un cm3 di silicio:
numero di atomi in una cella
concentrazione di atomi nel Si  
volume della cella in cm3
8 8  1024
   5  1022 cm -3
 5.43  108  cm3 5.43 cm
3 3 3

come preannunciato.

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Anche se non è semplice da immaginare, nel reticolo cristallino testé descritto ogni atomo
ha 4 atomi adiacenti da cui risulta perfettamente equidistante di
3
a
4
Più precisamente, ogni atomo si trova al centro di un tetraedro (solido a 4 facce) regolare
nei cui vertici si trovano i 4 atomi adiacenti. Questo tetraedro può essere disegnato
rappresentando anzitutto un cubo di lato a/2, considerando un atomo posto al centro
come riferimento, e ponendo 4 atomi nei vertici mostrati in figura. L’atomo al centro ha
ovviamente coordinate
 x, y, z   
a a a
, , 
4 4 4
È facile valutare che questo atomo dista

3
a
4
da ciascuno degli atomi posto ai vertici. Si noti che questa
struttura è evidenziata nella cella del diamante, e che
l’origine del sistema di riferimento è cambiata per
semplicità. le coordinate vanno moltiplicate per a

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Essendo la rappresentazione tetraedrica poco intuitiva, di solito si considera la classica
schematizzazione 2-D, dove si vede che l’atomo centrale (il riferimento) forma legami
covalenti con ciascuno dei 4 atomi adiacenti, raggiungendo in tal modo l’ottetto.

Il legame covalente è molto stabile; un elettrone che

ne fa parte deve pensarsi associato ad una coppia di
atomi piuttosto che a un singolo atomo.

È interessante notare che nel reticolo di un conduttore a T=300 K gli elettroni appartenenti
al guscio energetico più esterno degli atomi non sono vincolati ad appartenere né ad un
atomo singolo né ad una coppia; si dice che sono delocalizzabili, e cioè tutti liberi di
prendere parte alla conduzione (ce ne possono essere >1023 cm-3) in una struttura di ioni
positivi. Questo spiega l’elevata conducibilità elettrica di questa categoria di materiali.

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Reticolo cubico della zincoblenda (arseniuro di gallio)
L’arseniuro di gallio presenta una struttura reticolare detta della zincoblenda; si tratta di
una configurazione simile a quella del diamante, con atomi che però appartengono a due
specie diverse. In questo caso è possibile individuare due celle elementari, di cui

 una (A) si ottiene considerando una cella #1 a facce centrate con solo gallio e una
cella #2 a facce centrate con solo arsenico, e considerando la cella risultante
dall’unione della #1 e della porzione della #2 (4 atomi) che si trova all’interno della #1
dopo una traslazione della #2 in diagonale di √3a/4;
 l’altra (B) – rappresentata in figura – si ottiene considerando la #1 di arsenico, la #2 di
gallio e ripetendo la procedura.

Lo stesso reticolo può essere ottenuto o con una

replica della cella A o con una replica della cella B
nelle tre dimensioni.

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Ogni atomo di gallio si trova al centro di un tetraedro regolare ai cui vertici sono presenti 4
atomi di arsenico, e vale anche il viceversa. Sia l’atomo di gallio (3 elettroni di valenza)
che quello di arsenico (5) raggiungono l’ottetto con gli elettroni condivisi. Anche in questo
caso, peraltro, è più semplice fare riferimento alla schematizzazione 2-D.

È interessante notare che nel legame dove i 2

elettroni messi a disposizione sono solo quelli
dell’arsenico c’è anche una debole componente
ionica dovuta alla quasi-cessione di un elettrone
dall’arsenico al gallio, per cui il gallio diventa un
quasi-ione negativo (Ga-), l’arsenico un quasi-
ione positivo (As+) e si genera un’attrazione
coulombiana tra di essi.

Nell'arseniuro di gallio si ha un passo reticolare a=5.65 Å.

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Indici di Miller

Supponiamo, per semplicità, di considerare un reticolo cubico

a corpo centrato. È chiaro che il cristallo avrà proprietà
diverse a seconda che si consideri il piano ABCD o il piano
ADEF, perché il secondo presenta più atomi. È quindi
importante chiarire a quale piano cristallografico o direzione
cristallografica si fa riferimento.

La procedura comunemente adottata per definire in modo

efficiente piani e direzioni in un cristallo cubico è quella degli
indici di Miller.

Ad esempio, si vuole identificare il piano che passa per

 a, 0, 0  ,  0, 2a, 0  ,  0, 0, 4a 
1. si considera la terna delle intercette con gli assi (a 2a 4a);
2. si divide per il passo reticolare ottenendo una terna
espressa con numeri puri (1 2 4);
3. si considerano i reciproci di tali numeri (1 ½ ¼);
4. si moltiplica per il minimo comune multiplo (4 2 1).

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Non è conveniente fermarsi al passo che consente di ottenere (1 2 4); infatti in questo
caso ci sarebbero problemi nell'identificare piani come x=a. La terna delle intercette con
gli assi è (a ∞ ∞), per cui, dividendo per il passo reticolare, si otterrebbe (1 ∞ ∞) al passo
2 per indicare il piano; tuttavia tale soluzione, facendo uso dell’∞, non è ritenuta né
elegante né pratica.

Di contro, con la procedura completa descritta in precedenza, si ottiene la terna (1 0 0).

Pertanto lo scopo degli ultimi passi è quello di far comparire 0 al posto di ∞ nel caso in cui
il piano non intercetti uno o due assi.

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In conformità a quanto visto, è evidente che il piano y=a debba essere indicato con
(0 1 0), mentre z=a con (0 0 1).

È anche possibile identificare piani che passano per i semiassi negativi; ad esempio il
piano x=-a viene indicato con  1 0 0 .

Per quanto invece riguarda le direzioni cristallografiche, la notazione è molto semplice:

[1 0 0] è la direzione ortogonale al piano (1 0 0),
[1 1 1] è la direzione ortogonale al piano (1 1 1),
e così via.

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Esercizio
Definire il piano indicato in figura in accordo alla tecnica degli indici di Miller.

1. la terna delle intercette con gli assi è (a 3a 2a);

2. dividendo per il passo reticolare, si ottiene la terna di numeri puri (1 3 2);
3. considerando i reciproci di tali numeri (1 ⅓ ½);
4. moltiplicando per il minimo comune multiplo, si ricava (6 2 3).

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