Fondamenti Di STM - 03

CORSO DI SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI - STM
Lezione 03:
le strutture cristalline
materiali: cosa dobbiamo sapere per realizzare un materiale per una specifica applicazione?
SCIENZA E TECNOLOGIA DEI

MATERIALI - E. DI MAIO
le strutture cristalline
2 SCIENZA E TECNOLOGIA
DEI MATERIALI - E. DI MAIO
Le strutture cristalline delle differenti classi di materiali
• nomenclatura
• classificazione
• esercizi
• metodi di caratterizzazione
Gli atomi sono organizzati in modo ripetitivo e regolare
metalli: strutture relativamente semplici
ceramici: grossa varietà di strutture, incluse quelle amorfe (vetri)
polimeri: sono tipicamente semi-cristallini
semiconduttori: “elementari” (Si, Ge, Sn) struttura cubica “a diamante”,
“composti” hanno strutture simili ai ceramici
cella unitaria
Varie “unità strutturali” che

descrivono schematicamente la
struttura cristallina
La più semplice unità strutturale è

la “cella unitaria”
cella unitaria
Geometria di una generica
cella unitaria che illustra i
parametri reticolari
SCIENZA E TECNOLOGIA
I sette sistemi cristallini
Angoli e lunghezze degli assi Geometria della cella unitaria
Cubico a = b = c; α = β = γ = 90°
Tetragonale a = b ≠ c; α = β = γ = 90°
Ortorombico a ≠ b ≠ c; α = β = γ = 90°
Romboedrico a = b = c; α = β = γ ≠ 90°
Esagonale a = b ≠ c; α = β = 90°, γ = 120°
Monoclino a ≠ b ≠ c; α = γ = 90° ≠ β
Triclino a ≠ b ≠ c; α ≠ β ≠ γ ≠ 90°
I quattordici reticoli cristallini di Bravais
Cubico semplice Cubico a corpo centrato Cubico a facce centrate
Tetragonale semplice Tetragonale a corpo centrato
Ortorombico semplice Ort. a corpo centrato Ort. a basi centrate Ort. a facce centrate
Romboedrico Esagonale Monoclino semplice Monoclino a basi centrate Triclino

10
11
12
Dai punti reticolari
Alla struttura
Dai punti reticolari
Alla struttura
14
Posizioni reticolari
Notazioni relative
alle posizioni
reticolari
Traslazioni di
reticolo che
collegano posizioni
strutturalmente
equivalenti delle
varie celle unitarie
15
Direzioni reticolari
I tre numeri interi rappresentano le

posizioni corrispondenti ai 3 numeri
interi più piccoli che la linea intercetta
partendo dall’origine degli assi
Per un sistema cubico, se [u v w] e [u’ v’ w’] sono due direzioni, l’angolo tra esse
compreso può determinarsi così:
D • D ' = D ⋅ D ' cos δ D = ua + vb + wc

dove
D ' = u ' a + v' b + w' c
D • D' uu '+vv'+ ww'

⇒ cos δ = =
D ⋅ D' (u 2
+ v 2 + w2 ⋅ )( u' +v' + w' )
2 2 2
16
Famiglie di direzioni <1 1 1>
17
densità lineare di atomi
Si definisce come densità lineare di atomi lungo una direzione, il numero di

atomi per unità di lunghezza che hanno il centro esattamente sulla linea
Nel caso in cui gli atomi siano equidistanziati in quella direzione vale 1/b, dove b
è la distanza tra due atomi adiacenti lungo una direzione
https://www.youtube.com/watch?v=9Rd8349JwWc
https://www.youtube.com/watch?v=VAP_SozPa8M
https://www.youtube.com/watch?v=aPC8YwHNrL0
18
Piani reticolari
Intercetta a ∞
Indici di Miller (h k l):
Indici di Miller: set di 3 numeri interi 1 1 1
che rappresentano gli inversi delle , , → (2 1 0)
intercette del piano sugli assi 12 1 ∞
cristallografici
Intercetta a b
Intercetta a ½a
19
Indici di Miller – Bravais
Indici di Miller – Bravais, (h k i l)

per il sistema esagonale
Nota: h+k=-i
1 1 1 1
, , , → ( 0 1 1 0)
∞ 1 −1 ∞
20
famiglie di piani
sulla faccia
sulla faccia laterale posteriore
Famiglia di piani {1 0 0} che rappresenta tutte le facce
della cella unitaria nel sistema cubico
{1 0 0}≡ (1 0 0)(
, 0 1 0 )(
, 0 0 1)(
, 1 0 0 )(
, 0 1 0 )(
, 0 0 1)
sulla faccia inferiore
densità planare di atomi
Si definisce come densità planare di atomi lungo un piano, il numero di atomi

per unità di superficie che hanno il centro esattamente sul piano
22
Esempio 3.8
Denominare le posizioni dei punti di un reticolo fcc
Per i vertici: 0 0 0, 1 0 0, 0 1 0, 0 0 1, 1 1 0, 1 0 1, 0 1 1 , 1 1 1
Per le posizioni al centro delle facce: ½ ½ 0, ½ 0 ½, 0 ½ ½, ½ ½ 1, ½ 1 ½, 1 ½ ½
23
Esempio 3.9
Quali punti di reticolo giacciono sulla direzione [1 1 0] nel caso di
celle unitarie fcc e fco (ortorombico a facce centrate)?
000 b
½½0
110
a
[1 1 0]
24
Esempio 3.10
Elencare i membri della famiglia di direzione <1 1 0> nel sistema
cubico
[ ][ ][ ][ ][ ][ ][ ][
〈1 1 0〉 ≡ 1 1 0 , 1 1 0 , 1 1 0 , 1 1 0 , 1 0 1 , 1 0 1 , 1 0 1 , 1 0 1 ]
[0 1 1][
, 0 1 1 ][
, 0 1 1][
, 0 1 1 ],
25
Esempio 3.12
Determinare le intersezioni con gli assi del piano (3 1 1)
1
Asse a → a
3
1
Asse b → b = −b
−1
1
Asse c → c = c
1
Esempio 3.13
Elencare i membri della famiglia di piani {1 1 0} per il sistema cubico
{1 1 0}≡ (1 1 0)(
, 1 1 0 )(
, 1 1 0 )(
, 1 1 0 )(
, 1 0 1)(
, 1 0 1 )(
, 1 0 1)(
, 1 0 1 ),
(0 1 1)(
, 0 1 1 )(
, 0 1 1)(
, 0 1 1 ),
Strutture tipiche dei metalli (puri)
Struttura cubica a corpo centrato
(bcc) body-centered cubic
1 atomo per punto reticolare
2 atomi per cella
Fattore di impaccamento atomico

(frazione di volume della cella
occupata dai due atomi) = 0.68
Reticolo di Bravais: bcc

Atomi/cella unitaria 1 + 8x1/8 = 2
Metalli tipici: α-Fe, V, Cr, Mo e W
27
Struttura cubica a facce
centrate
(fcc) face-centered cubic
1 atomo per punto reticolare
4 atomi per cella
Fattore di impaccamento atomico = 0.74
(è il massimo valore ottenibile con sfere di uguale diametro)
Per questo si chiama anche ccp (cubic close packed)
Reticolo di Bravais: fcc

Atomi/cella unitaria 6x1/2 + 8x1/8 = 4
Metalli tipici: γ-Fe, Al, Ni, Cu, Ag,Pt e Au
28
29
2 1 1
Atomo centrato a , ,
3 3 2
2 1 1 Struttura esagonale
, ,
3 3 2 Atomo centrato
nella cella
altamente impaccata
adiacente
2 atomi per
punti di (hcp) hexagonal close-
reticolo
1/12 di
atomo
packed
1/6 di atomo
2 atomi per punto reticolare
2 atomi per cella
Fattore di impaccamento atomico = 0.74
Reticolo di Bravais: esagonale

Atomi/cella unitaria 1 + 4x1/6 + 4x1/12 = 2
Metalli tipici: Be, Mg, α-Ti, Zn e Zr
30 DEI MATERIALI - E. DI MAIO

Piani (0 0 0 2) sovrapposti
Piani (1 1 1) sovrapposti
fcc hcp
Illustrazione delle differenze tra fcc e hcp
-> ci sono sequenze di sovrapposizione diverse 31

Cella unitaria di α-Uranio
Reticolo di Bravais ortorombico a basi

centrate con due atomi per punto di reticolo
e 4 atomi per cella
32
Esempio 3.2
Calcolare la densità del rame (rCu=0.128nm; MW=63.55uma)
Il rame ha un reticolo fcc
Se l = lunghezza della diagonale di una faccia della cella unitaria,
l = 4rCu atom = 2a
4 4
a= rCu = (0.128) = 0.362 nm
2 2
Densità della cella unitaria:
3
4 atomi 63.55 g ⎛ 10 7
⎞ g
ρ= 3
⋅ ⋅ ⎜⎜ nm ⎟⎟ = 8.89 3
0.362 0.6023 ⋅ 1024 atomi ⎝ cm ⎠ cm
Esempio 3.14
a) calcolare la densità lineare degli atomi lungo la direzione [1 1 1] nel
reticolo bcc del tungsteno
b) … per l’fcc dell’Al
a) r = dw atomo = 2rw = 2 x 0.137 = 0.274 nm
LD = 1/0.274 = 3.65 atomi/nm
b) la diagonale di una faccia è lunghdiag faccia = 2dAl = 4rAl = 2a
4 4
=> a = rAl atomo = 0.143 = 0.404 nm
2 2
lunghezza ripetitiva = diagonale principale = 3a = 3 (0.404) = 0.701 nm
=> LD = 1.43 atomi/nm 34

Esempio 3.15
a) calcolare la densità planare di atomi per il piano (1 1 1) della cella bcc del tungsteno
3a = 4rw atomici
4 4
a= rw atomici = 0.137 = 0.316 nm
3 3
La diagonale di faccia è l = 2a = 2 (0.316) = 0.477 nm

Quindi l’area del piano (1 1 1) internamente alla cella è:
1 1 3
A = bh = (0.447) ⋅ ( 0.447) = 0.0867 nm2
2 2 2
C’è 1/6 di atomo ad ogni vertice

3 × 1/ 6 atomi
= 5.77
=> PD= 0.0867 nm 2
35
Esempio 3.15
a) calcolare la densità planare di atomi per il piano (1 1 1) della cella bcc del tungsteno
l = 2a = 2 (0.404) = 0.572 nm
1 1 3
A = bh = (0.572) ⋅ ( 0.572) = 0.142 nm2
2 2 2
N° atomi = 3 x 1/6 + 3 x ½
2 atomi
=> PD = = 14.1
0.142 nm 2
36
* deformazione plastica dei materiali
37
* deformazione plastica dei materiali
38
Strutture tipiche dei ceramici
Ceramico tipo MX
Struttura tipo CsCl
39
Ceramico tipo MX
Struttura tipo CsCl
Ceramico tipo MX
Struttura tipo CsCl
2 ioni per punto

reticolare
Reticolo di Bravais: cubico semplice

Ioni/cella unitaria 1 Cs+ + 1 Cl-
2 ioni per cella
2 ioni per punto reticolare
41
Ceramico tipo MX
Struttura tipo NaCl
Ceramico tipo MX
Struttura tipo NaCl
Ceramico tipo MX
Struttura tipo NaCl
Ceramico tipo MX
Struttura tipo NaCl
2 ioni per punto
reticolare
Ceramico tipo MX
Struttura tipo NaCl

Ioni/cella unitaria 4 Na+ + 4 Cl-
8 ioni per cella
2 ioni per punto reticolare
Ceramici tipici: MgO, CaO, FeO ed NiO
47
Gli ioni F- sono posizionati ai
vertici di un cubo nelle
posizioni del tipo 1 1 1 Ceramico tipo MX2
4 4 4
struttura tipo CaF2
fluorite

Ioni/cella unitaria 4 Ca+2 + 8 F-1
12 ioni per cella 3 ioni per punto reticolare
Ceramici tipici: UO2, ThO2 e TeO2

Gli ioni Si+4 interni sono
localizzati in posizioni del
tipo 1 1 1
4 4 4
Ceramico tipo MX2
Struttura tipo SiO2
cristobalite

Ioni/cella unitaria 8 Si+4 + 16 O-2
24 ioni per cella 6 ioni per punto reticolare 49
Forma cristallografica Reticolo di Bravais
Punto di
fusione
Cristobalite fcc
Tridimite Esagonale
Quarzo β (quarzo alto) Esagonale
Quarzo α (quarzo basso) Esagonale
50
Cella unitaria
Ceramico tipo M2X3

Vista dall’alto
Struttura tipo Al2O3
corindone
Strato molto impaccato di O2-

con 2/3 dei siti ottaedrici
occupati da Al3+
Cella unitaria (6 strati di O2-)
Reticolo di Bravais: approssimativamente esagonale

(a rigore, romboedrico)
Ioni/cella unitaria 12 Al+3 + 18 O-2
Ceramici tipici: Al2O3, Cr2O3 ed α-Fe2O3 51
Ceramico tipo M’M’’X3
Struttura tipo CaTiO3
perovskite
Ti+4 al centro del cubo
Ca+2 agli angoli
O-2 al centro delle facce
Reticolo di Bravais: cubico semplice

Ioni/cella unitaria 1 Ca+2 + 1 Ti+4 + 3 O-2
5 ioni per cella
Ceramici tipici: CaTiO3 e BaTiO3
52
Ceramico tipo M’M’’2X4
Struttura tipo MgAl2O4
spinello
(ceramico magnetico)
Ossigeno
Posizione ottaedrica Al3+
Posizione tetraedrica Mg+2

Ioni/cella unitaria 8 Mg+2 + 16 Al+3 + 32 O-2
Ceramici tipici: NiAl2O4, ZnAl2O4, ZnFe2O4 e FeFe2O4

Coordinazione
ottaedrica
Caolinite
Coordinazione
tetraedrica (2(OH)4Al2Si2O5)
Reticolo di
Bravais: triclino
54
Fotografia al microscopio a
trasmissione elettronica di
lamelle di argilla
Tale morfologia conferma la
struttura a strati
Cella unitaria della grafite
55
Esempio 3.3
Calcolare il fattore di impaccamento ionico di MgO che ha la stessa struttura di NaCl
a = 2rMg+2 + 2rO-2 = 2 x 0.078 + 2 x 0.132 = 0.420 nm

Vcella = a3 =0.0741 nm3
Ci sono 4 ioni Mg+2 e 4 ioni O-2 per cella

⇒ Volume ionico totale = 4 x 4/3 π r3Mg+2 + 4 x 4/3 π r3O-2 =
= 16/3 π [0.0783 + 0.1323] = 0.0465 nm3
=> IPF = 0.0465/0.0741 = 0.627
56
Esempio 3.16
Calcolare la densità di ioni nella direzione [1 1 1] dell’MgO
La diagonale [1 1 1] intercetta 1 Mg+2 ed 1 O-2
l = lungezza della diagonale [1 1 1] = 3a = 3 x 0.420 = 0.727 nm
La densità lineare ionica è:

1 Mg+2/0.727 = 1.37 Mg+2/nm
E, analogamente:
1 O-2/0.727 = 1.37 O-2/nm
=> Densità Lineare ionica totale = 1.37 Mg+2/nm + 1.37 O-2/nm
57
Esempio 3.17
Calcolare la densità planare di ioni nel piano (1 1 1) per MgO
Ci sono due approcci:

Analogamente la cella può definirsi
Con l’origine della cella sugli anioni
con l’origine su un catione:
Anione Catione
È simile ad un metallo fcc
In ogni caso ci sono 2 ioni per “triangolo” (1 1 1).
1 1 3
Sappiamo che A = bh = (0.594) ⋅ ( 0.594) = 0.153 nm2
2 2 2
=> Densità Planare ionica = 2 ioni/0.153 nm2 = 13.1 ioni (Mg+2 oppure O-2)/nm2 58
Esempio 3.4
Calcolare la densità dell’MgO
a = 0.420 nm => Volumecella = 0.074 nm3
3
[4 ⋅ 24.31 + 4 ⋅16]/ (0.6023 ⋅10 ) ⎛ 10
24 7
nm ⎞ 3
=> ρ= ⋅⎜ ⎜ cm ⎟⎟ = 3 . 61g / cm
0.0741 nm 3 ⎝ ⎠
59
Strutture tipiche dei polimeri
Cella unitaria del PE

Ortorombica
Cella unitaria della forma α della
poli-esametilene-adipammide
(Nylon 66)
Struttura triclina
H O
N C
-δ +δ -δ +δ
H N O C
61
Vista dall’alto
Orientazione
della cella
Vista di lato unitaria
Ripiegature delle catene di PE in cristalli sottili
63
64
Strutture tipiche dei semiconduttori
Atomi interni in posizioni Tipica della configurazione
del tipo 1 1 1
4 4 4 di legame tetraedrico degli
elementi del IV gruppo
2 atomi per punti di

reticolo

Atomi/cella unitaria 4 + 6x1/2 + 8x1/8
8 atomi per cella 2 atomi per punto di reticolo
Semiconduttori tipici: Si, Ge, Sn
65
Semiconduttori composti
Combinazione di atomi con
valenza media +4
2 ioni per punto di
reticolo
III e V oppure II e VI
+3 +5 +2 +6
Zinco -Blenda (ZnS)

Ioni/cella unitaria 4 Zn+2 + 4 S-2
Semiconduttori tipici: GaAs, AlP, InSb (III-V)
ZnS, ZnSe, CdS, HgTe (II-VI)

Esempio 3.6
Calcolare il fattore di impaccamento atomico (APF) per la struttura cubica “a diamante”
A causa della geometria di legame tetraedrica della struttura cubica a diamante, gli atomi si
trovano lungo le direzioni tipo [1 1 1]
⇒ 2rSi =
1 3 8
diagonale principale = a⇒a= rSi
4 4 3
Pertanto: Volumecella = a3 = 4.623· rSi3 = 98.5 rSi3

Il volume degli 8 atomi di Si presenti nella cella è:
Volumeatomi = 8 x 4/3 π rSi3 = 33.5 rSi3
⇒ APF = 33.5/98.5 = 0.340
La struttura risulta, pertanto, molto aperta se paragonata alle strutture altamente impaccate
viste per i metalli (APF = 0.74 per fcc e hcp)
67
Esempio 3.18
Calcolare la densità lineare del Si nella direzione [1 1 1]
Bisogna tener conto che in tale caso gli atomi di Si nella direzione in esame non sono
distanziati uniformemente.
2 atomi sono centrati sulla diagonale principale →
→1/2 atomo a 0 0 0, 1 atomo a ¼ ¼ ¼ e 1/2 atomo a 1 1 1
Se l è la lunghezza della diagonale principale,

1
2rSi = l => l = 8 rSi
4
Dall’Appendice 2 (Shackelford)
l = 8·(0.117 nm) = 0.936 nm
Quindi la densità lineare è
densità lineare = 2 atomi/0.936 nm = 2.14 atomi/nm
68
Esempio 3.19
Calcolare la densità planare degli atomi nel piano (1 1 1) del silicio.
I 4 atomi interni della struttura cubica a diamante non giacciono sul piano (1 1 1). Il risultato
è che gli atomi sono posizionati in modo analogo alla struttura metallica fcc. Quindi,
analogamente al caso del Problema 3.15 ci sono 2 atomi nel triangolo equilatero di lato
pari a 2a
Dal Problema 3.6-1 e dall’Appendice 2 (Shackelford):

8
a= (0.177 ) → 2a = 0.764 nm
3
1 1 3
=> A = bh = (0.764) ⋅ ( 0.764) = 0.253 nm2
2 2 2
E la densità planare è:
Densità planare = 2 atomi/0.253 nm2 = 7.91 atomi/nm2
69
Esempio 3.7
Usando i dati delle Appendici 1 e 2 (Shackelford), calcolare la densità del Si
Dal Problema 3.6

Volumecella = 98.5 rSi3 = 98.5 (0.117)3 = 0.158 nm3
3
8 atomi 28.09 g 7
⎛ 10 ⎞ g
=> ρ = 3
⋅ ⋅ ⎜⎜ nm ⎟⎟ = 2.36 3
0.158 nm 0.6023 ⋅ 1024 atomi ⎝ cm ⎠ cm
Diffrazione di Raggi - X

interferenza distruttuva
interferenza costruttuva
72
73
Diffrazione di Raggi - X Vetro
Raggi incidenti
Raggi X Luce visibile Microonde
Radiazione g UV IR Onde radio
74
Lunghezza d’onda (nm)
Per avere interferenza costruttiva
=>
Condizione necessaria ma non
sufficiente per la diffrazione
Per i sistemi cubici: Per i sistemi esagonali:

a a
d hkl = d hkl = 2
2
h +k +l 2 2 4 2 ⎛ a ⎞
(h + hk + k )+ l ⎜⎜ 2 ⎟⎟
2 2
3 ⎝c ⎠
75
La legge di Bragg definisce le condizioni di diffrazione per celle unitarie
PRIMITIVE (cubica semplice e tetragonale semplice)
Le strutture non primitive non seguono la legge di Bragg
Leggi di riflessione della diffrazione dei raggi X per le strutture

metalliche più comuni
Struttura cristallina Non c’è diffrazione C’è diffrazione

quando: quando:
Cubica a corpo centrato h + k + l = numero dispari h + k + l = numero pari
bcc
Cubica a facce centrate h, k, l differenti (sia pari che dispari) h, k, l tutti pari o tutti dispari
fcc
Esagonale compatta h + 2k = 3n Tutti gli altri casi

hcp l dispari
(n è intero)
⇒ bcc → sono piani di diffrazione {1 1 0}, {2 0 0}, {2 1 1}, {2 2 0}, {3 1 0}

⇒ fcc → sono piani di diffrazione {1 1 1}, {2 0 0}, {2 2 0}
76
Camera di Laue
camera di diffrazione a singolo cristallo
Schema dell’esperimento
77
https://www.youtube.com/watch?v=suVNYD1nCm4
Figura di diffrazione di un cristallo
singolo di MgO
Ogni punto sulla lastra rappresenta la
diffrazione del fascio di raggi-X dal
piano cristallino
78
Diffrattometro per polveri
Schema dell’esperimento
79
Figura di diffrazione per polvere di alluminio
Ogni picco rappresenta la diffrazione del fascio di raggi-X ad opera
di un insieme di piani cristallini (h k l) nelle particelle di polvere
80
Esempio
i risultati di un esperimento di diffrazione ai raggi X con diffrattrometro a polveri, usando una sorgente
con λ = 1.5418 Å mostrano picchi in corrispondenza dei seguenti angoli:
determinare la struttura cristallina, gli indici dei piani che producono il picco e i parametri reticolari del
materiale.
81
Esempio
i risultati di un esperimento di diffrazione ai raggi X con diffrattrometro a polveri, usando una sorgente
con λ = 1.5418 Å mostrano picchi in corrispondenza dei seguenti angoli:
picco 2θ
1 44.48
2 51.83
3 76.35
4 92.90
5 98.40
6 121.87
7 144.54
8 155.51
determinare la struttura cristallina, gli indici dei piani che producono il picco e i parametri reticolari del
materiale.
82
prima si determina, a partire dagli angoli 2θ, il valore di sen2θ per ogni picco. poi si divide per il
numero più piccolo:
picco 2θ sen2θ sen2θ/0.143 h2+k2+l2 (h k l)

1 44.48 0.143 1 3 (111)
2 51.83 0.191 1.34 4 (200)
3 76.35 0.382 2.67 8 (220)
4 92.90 0.525 3.67 11 (331)
5 98.40 0.573 4.01 12 (222)
6 121.87 0.764 5.34 16 (400)
7 144.54 0.907 6.34 19 (331)
8 155.51 0.955 6.68 21 (421)
a
dhkl =
h2 + k2 + l 2
λ2 sin 2 θ
2
= 2 2 2
4a h + k + l
83
si può infine usare i valori di 2θ per ognuno dei picchi e calcolare la distanza interplanare e quindi il
parametro reticolare.
λ 1.5418 A!
d400 = = = 0.8817 A!
2sin θ 2sin 60.935
a = d400 h 2 + k 2 + l 2 = 0.8817 A! 4 = 3.53A!
è una fcc e a=3.53Å -> Nichel
84
free software
85
sommario
• cella unitaria
• 7 sistemi cristallini
• 14 reticoli di Bravais
• posizioni, direzioni e piani reticolari
• densità lineari e planari
• bcc, fcc, hcp; α-Fe, γ-Fe, Al, Mg, NaCl, CsCl, SiO2, Si
• densità planare e lineare di atomi
• legge di Bragg

Fondamenti Di STM - 03

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Fondamenti Di STM - 03

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CORSO DI SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI - STM

SCIENZA E TECNOLOGIA DEI

Varie “unità strutturali” che

La più semplice unità strutturale è

Angoli e lunghezze degli assi Geometria della cella unitaria

Esagonale a = b ≠ c; α = β = 90°, γ = 120°

Cubico semplice Cubico a corpo centrato Cubico a facce centrate

Tetragonale semplice Tetragonale a corpo centrato

Romboedrico Esagonale Monoclino semplice Monoclino a basi centrate Triclino

I tre numeri interi rappresentano le

D • D ' = D ⋅ D ' cos δ D = ua + vb + wc

D • D' uu '+vv'+ ww'

Si definisce come densità lineare di atomi lungo una direzione, il numero di

Indici di Miller – Bravais, (h k i l)

sulla faccia inferiore

Si definisce come densità planare di atomi lungo un piano, il numero di atomi

Per le posizioni al centro delle facce: ½ ½ 0, ½ 0 ½, 0 ½ ½, ½ ½ 1, ½ 1 ½, 1 ½ ½

1 atomo per punto reticolare

2 atomi per cella

Fattore di impaccamento atomico

Reticolo di Bravais: bcc

4 atomi per cella

Fattore di impaccamento atomico = 0.74

(è il massimo valore ottenibile con sfere di uguale diametro)

Per questo si chiama anche ccp (cubic close packed)

Reticolo di Bravais: fcc

2 atomi per cella

Fattore di impaccamento atomico = 0.74

Reticolo di Bravais: esagonale

30 DEI MATERIALI - E. DI MAIO

Illustrazione delle differenze tra fcc e hcp

-> ci sono sequenze di sovrapposizione diverse 31

Reticolo di Bravais ortorombico a basi

Il rame ha un reticolo fcc

Se l = lunghezza della diagonale di una faccia della cella unitaria,

Densità della cella unitaria:

a) r = dw atomo = 2rw = 2 x 0.137 = 0.274 nm

LD = 1/0.274 = 3.65 atomi/nm

b) la diagonale di una faccia è lunghdiag faccia = 2dAl = 4rAl = 2a

lunghezza ripetitiva = diagonale principale = 3a = 3 (0.404) = 0.701 nm

=> LD = 1.43 atomi/nm 34

La diagonale di faccia è l = 2a = 2 (0.316) = 0.477 nm

C’è 1/6 di atomo ad ogni vertice

b) … per l’fcc dell’Al

2 ioni per punto

Reticolo di Bravais: cubico semplice

Reticolo di Bravais: fcc

Reticolo di Bravais: fcc

48 DEI MATERIALI - E. DI MAIO

Reticolo di Bravais: fcc

Quarzo β (quarzo alto) Esagonale

Quarzo α (quarzo basso) Esagonale

Ceramico tipo M2X3

Strato molto impaccato di O2-

Cella unitaria (6 strati di O2-)

Reticolo di Bravais: approssimativamente esagonale

Ti+4 al centro del cubo

Ca+2 agli angoli

O-2 al centro delle facce

Reticolo di Bravais: cubico semplice

Reticolo di Bravais: fcc

53 DEI MATERIALI - E. DI MAIO

Cella unitaria della grafite