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CRISTALLOGRAFIA: introduzione
CRISTALLO: un solido nel quale gli atomi siano posizionati con un ordine periodico che si ripete su
distanze atomiche sufficientemente ampie.
Grazie al fatto che esiste un ordine a lungo raggio, gli atomi, all’atto della solidificazione, si sistemano in
“arrangiamenti” tridimensionali ripetitivi, all’interno dei quali ciascun atomo si trova a diretto contatto con gli atomi più
vicini.
Diverse delle proprietà tipiche dei materiali metallici dipendono proprio dalla struttura cristallina del materiale, cioè dal
modo in cui gli atomi si dispongono nello spazio;
CELLA unitaria: unità che ripetuta indefinitamente nelle tre direzioni dello spazio dà origine alla
struttura cristallina.
RETICOLO: sequenza periodica di punti nello spazio che lo riempie senza lasciare dei vuoti
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CRISTALLOGRAFIA: introduzione
Cella Elementare
In un reticolo tridimensionale una posizione è espressa tramite un vettore del tipo:
R = la + mb + nc
I tre vettori elementari a,b,c definiscono gli spigoli di un parallelepipedo detto CELLA ELEMENTARE
B
A
NB: un reticolo di Bravais è formato dai punti con vettore posizione R espresso in formula, dove
a, b, c sono tre vettori indipendenti che non giacciono sullo stesso piano ed l, m, n sono interi.
I vettori che appaiono nella definizione sono detti primitivi perché generano il reticolo
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ESEMPI di insiemi di vettori primitivi
z
Cubico a corpo centrato (b.c.c): si ottiene aggiungendo un
punto al centro del reticolo cubico semplice
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CLASSIFICAZIONE dei reticoli di Bravais
Dal punto di vista della simmetria, il reticolo di Bravais è caratterizzato da operazioni che
mantengono invariata la distanza tra i punti reticolari. Questo insieme di operazioni è conosciuto
come gruppo di simmetria o gruppo spaziale del reticolo di Bravais.
Le operazioni del gruppo di simmetria di un reticolo di Bravais includono tutte le traslazioni (simmetria
traslazionale) lungo i vettori del reticolo (R), rotazioni, riflessioni ed inversioni (“screw” o di rototraslazione ed i
piani “glide” o di riflessione con scorrimento (slittopiani)).
14 modi per disporre gli atomi in modo ordinato secondo la geometria ripetuta nello spazio
7 primitivi (atomi solo ai vertici)
7 non primitivi (atomi anche al centro della cella, o di due o più facce)
14 reticoli di Bravais
I 14 reticoli di Bravais sono raggruppati in 7 diversi sistemi cristallini
Nota: I 7 sistemi cristallini risultano i sette gruppi puntuali distinti che un reticolo può avere
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I 7 sistemi cristallini
a b . b
g
(d) (e)
(a) cubico (b) tetragonale (c) ortorombico (d) monoclino (e) triclino (f) trigonale (g) esagonale
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I 14 reticoli di Bravais
Se si considera il gruppo di simmetria piena del reticolo di Bravais (costituito dalle tutte le operazioni che lo
definiscono) esistono quattordici gruppi spaziali di un reticolo, ci sono cioè, quattordici tipi di reticoli di
Bravais
Cubico (3): il sistema contiene quei reticoli di Bravais il cui gruppo puntuale è proprio il gruppo di
simmetria di un cubo. Esistono tre reticoli di Bravais con gruppi spaziali non equivalenti che hanno tutti
lo stesso gruppo puntuale cubico: il cubico semplice, il cubico a corpo centrato (BCC), il cubico a facce
centrate (FCC).
Tetragonale (2): si può ridurre la simmetria di un cubo allungandolo nella direzione dell'asse z,
ottenendo un prisma con una base quadrata. Il gruppo di simmetria di un tale oggetto è il gruppo
tetragonale (semplice o centrato).
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I 14 reticoli di Bravais
Ortorombico (4): i tre spigoli sono diversi tra loro, ma gli angoli sono tutti retti (semplice, a base
centrata, a facce centrate, a corpo centrato).
Triclino (1):
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I 14 reticoli di Bravais
Trigonale (1): il gruppo puntuale trigonale descrive la simmetria dell'oggetto ottenuto allungando un
cubo nella direzione della diagonale.
Esagonale (1): il gruppo puntuale esagonale è il gruppo di simmetria di un prisma retto a base
quadrata (tetragonale).
I cristalli dei metalli possono essere rivisti come strutture formate dalla sovrapposizione di piani
costituiti da sfere rigide. Questa rappresentazione del reticolo cristallino è chiamata modello a sfere
rigide; il raggio di queste sfere è assunto pari alla semidistanza dei centri degli atomi più spaziati.
Questo allineamento non termina all'interno della singola cella ma prosegue in tutto il cristallo. Le quattro diagonali del
cubo costituiscono le direzioni a maggior densità atomica (impacchettamento) della cella cubica a corpo centrato.
Numero di coordinazione: I punti in un reticolo di Bravais che sono i più vicini ad un dato punto, sono chiamati primi
vicini. A causa della natura periodica del reticolo di Bravais, ogni punto ha lo stesso numero di primi vicini. Questo numero
è perciò una proprietà del reticolo e viene detto numero di coordinazione. (Un cubico semplice ha numero di coordinazione
6, un b.c.c. 8 ed un f.c.c. 12)
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Fattore di compattazione atomica
Esempio: calcolare l’APF per la cella elementare BCC (assumendo gli atomi sferici)
Gli atomi sugli angoli e quello centrale si toccano lungo le diagonali del cubetto; ne deriva che il raggio atomico R è
correlato direttamente alla lunghezza dello spigolo del cubetto a secondo la relazione:
Dato che ci sono 2 atomi per cella elementare BCC, il volume degli atomi nella cella elementare di raggio R è:
æ4 ö
Vatomi = 2ç pR 3 ÷ = 8.373R 3
è3 ø
Il volume della cella elementare è (a è la costante reticolare): Vcella = a 3 = 12.32 R 3
Struttura BCC
Piano (110)
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STRUTTURA cubica a facce centrate (FCC: Face Centered Cubic)
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STRUTTURA cubica a facce centrate (FCC: Face Centered Cubic)
Struttura FCC
• Struttura con APF = 0.74
• Numero di coordinazione 12
• Atomi per cella 4
• Close Packed Direction <110>
• Close Packed Plane (111)
• Sequenza di impilamento
ABCABCABCABC
Il modello a sfere rigide assume un significato particolare per il cristallo cubico a facce centrate, nel
quale gli atomi o sfere assumono il massimo impacchettamento possibile. La figura mostra una cella
unitaria in cui è stato rimosso un atomo da un vertice, evidenziando il piano a maggior
impacchettamento (piano ottaedrico) sul quale gli atomi posseggono la minima spaziatura.
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STRUTTURA cubica a facce centrate (FCC: Face Centered Cubic)
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perchè la struttura FCC è più duttile della BCC
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STRUTTURA esagonale compatta (HCP: Hexagonal Close Packed)
Struttura HCP
• Struttura con APF = 0.74
• Numero di coordinazione 12
• Atomi per cella 6
• 3 Close Packed Directions <1120>
• 1 Close Packed Plane (0001)
• Sequenza di impilamento
ABABABAB
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DIFFERENZA di impilamento tra strutture HCP ed FCC
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Come varia la duttilità in funzione della struttura cristallina
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INDICI di direzione e piani reticolari: indici di Miller
Per individuare, in un materiale cristallino, PIANI e DIREZIONI si ricorre ad indici, ricavati da un sistema
di coordinate a tre assi che coincidono con gli spigoli della cella unitaria (si noti che per alcuni sistemi
(l’esagonale, il romboedrico, il monoclino e il triclino) gli assi non sono ortogonali)
La direzione, in un sistema cristallografico, è definita tramite un vettore. Gli indici di una direzione si
determinano seguendo questa procedura:
1. un vettore della direzione desiderata e di una lunghezza appropriata si posiziona in modo che
passi attraverso l’origine del sistema di coordinate; la traslazione necessaria a portare un vettore qualunque
sull’origine non altera il processo, purché il parallelismo sia mantenuto
2. si determinano le proiezioni del vettore sugli assi, in termini di multipli delle dimensioni della cella
(a, b, c)
3. i tre numeri così ottenuti vengono moltiplicati o divisi per uno stesso numero, in modo da ricavare i
tre valori interi più piccoli
4. i tre indici, così ottenuti, non separati dalla virgola, si includono in parentesi quadre
æ1 ö
P ç ,1,1÷
è2 ø
ire
fin
de
z
da
e
on
zi
y
re
di
o
Esempio: siano a=x,b=y,c=z unitari [122]
x
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INDICI di Miller per le direzioni
Dal momento che si possono avere anche intercette sugli assi negative, gli indici possono assumere anche valori
negativi (indicati da una barretta sopra l’indice). Con questa costruzione:
gli indici [111], indicano una direzione opposta alla [111 ].
Nel sistema cubico, le direzioni più importanti, sono le [100], [110] e [111]
ESEMPIO: gli spigoli della cella cubica sono indicati con <100>
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INDICI di direzione
z
a3
a2
a1
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DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL’INNOVAZIONE
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INDICI di direzione
ESEMPIO: nella notazione [u’ v’ w’ ] consideriamo la direzione a tre indici [100] e calcoliamo la corrispondente a quattro
indici nella notazione [u v t w].
Applicando le formule di conversione si ottiene:
2n n n
u= v=- t=- w=0
3 3 3
2n n n
Quindi: [100] º ( ,- ,- ,0) º [2 1 1 0] con n=3
3 3 3
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INDICI di Miller dei piani reticolari
ESEMPIO: Intercette del piano lungo gli assi x, y, z: 1/2, 1/6, 1/2.
Reciproci: 2, 6, 2.
Più piccoli interi nello stesso rapporto: 1, 3, 1.
Indici del piano: (131).
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INDICI di Miller dei piani reticolari
Con l'uso delle parentesi (hkl) si indica il singolo piano o una serie di piani paralleli tra loro (tutti i piani
tra loro paralleli hanno, infatti, gli stessi indici); le parentesi graffe {...} rappresentano i piani
appartenenti alla stessa famiglia, quelli cioè che sono equivalenti da un punto di vista
cristallografico come ad esempio le facce di un cristallo cubico:
{100} = (100) + (010) + (001) + (100) + (010) + (001)
I piani di una stessa famiglia posseggono la stessa configurazione atomica.
Le famiglie di piani vengono chiamate anche con un nome che dipende dal numero di assi che
intercettano:
(1) la famiglia dei Pinacoidi è costituita da quei piani che intersecano un solo asse e sono paralleli
agli altri due, ad esempio {h00}.
(2) la famiglia dei Prismi comprende quei piani che intersecano due assi e sono paralleli al terzo; es.
se il piano è parallelo all'asse c allora gli indici saranno del tipo {hk0}.
(3) la famiglia delle Piramidi ha degli indici del tipo {hkl} ed i piani che vi appartengono intersecano
tutti e tre gli assi.
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INDICI dei piani reticolari
Anche nei sistemi esagonali si dovrebbe fare in modo che piani equivalenti abbiano gli stessi indici. Il
sistema di Miller-Bravais risolve anche questo problema. Dopo aver trovato il reciproco delle
intercette di un piano con i quattro assi (a1 a2 a3 c) ed averli ridotti ai più piccoli interi, si hanno quattro
indici (hkil); anche in questo caso l’indice i si ricava direttamente da h e k, tramite la relazione:
i=-(h+k),
mentre h, k e l corrispondono a quelli che si trovano nel sistema a tre assi.
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Concetto di isotropia e anisotropia nei metalli
Idealmente un policristallo si comporterà isotropicamente se i suoi cristalli sono orientati in maniera casuale; ciò equivale
ad affermare che, da un punto di vista macroscopico, l'anisotropia di ogni singolo grano viene mediata su un grande
numero di grani orientati in maniera casuale e quindi scompare.
Una disposizione totalmente casuale dei cristalli (grani) è difficile da ottenere, perché i processi di
fabbricazione tendono ad allineare i cristalli del metallo causando una distribuzione non uniforme delle
orientazioni. Il risultato di tutto ciò è quello che va sotto il nome di tessitura o distribuzione preferenziale
delle orientazioni. Siccome molti policristalli hanno delle orientazioni preferenziali, essi tendono ad
essere anisotropi: il grado di anisotropia dipende da quanto sono allineati i cristalli
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DEFORMAZIONE dei reticoli cristallini
Se la sollecitazione (forza esterna applicata) è sufficientemente elevata, gli atomi si spostano talmente tanto
dalla posizione di equilibrio che si può avere uno scorrimento di tutti gli atomi al di sopra di un piano rispetto
a quelli al disotto. Durante tale spostamento ciascun atomo si sposta sufficientemente da occupare il sito
reticolare più prossimo. A livello macroscopico questo corrisponde alla formazione di un gradino, cioè ad
una deformazione di tipo plastico (permanente).
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DEFORMAZIONE dei reticoli cristallini
Il valore teorico della tensione di scorrimento t (cioè il valore della sollecitazione di taglio necessaria
per causare deformazione plastica) si può esprimere tramite:
b
Gb
t= a
2pa
dove G = modulo di elasticità tangenziale
a = distanza interplanare
b = distanza interatomica su ogni piano
Nella realtà dei fatti, Il valore della tensione di scorrimento necessaria a deformare un metallo è di
diversi ordini di grandezza inferiore rispetto a quanto espresso nella formula di cui sopra, grazie
alla presenza di difetti nel reticolo (dislocazioni).
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DEFORMAZIONE dei reticoli cristallini
Gb
t= Dalla formula si osserva che la resistenza teorica di un cristallo è minima quando:
2pa a è massimo e b è minimo.
Entrambe queste condizioni sono soddisfatte per i piani ad elevato impacchettamento, sui quali le distanze
interatomiche (b) sono minori e la distanza fra questi piani (a) è la massima che si ottiene fra piani della
stessa famiglia.
Lo scorrimento, responsabile della deformazione plastica nei cristalli, avviene sui piani ad elevato
impacchettamento e lungo le direzioni in cui è minima la distanza interatomica. Quindi la deformazione
avviene per scorrimenti che avvengono sui cosiddetti sistemi di scorrimento
cfc (FCC)
ccc (BCC)
hcp
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