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I Rivelatori a Diamante

Cieri Davide A.A. 2011-2012

Indice
1 Introduzione 2 Propriet` del diamante a 3 Crescita del diamante 3.1 Metodo ad alta pressione ed alta temperatura 3.2 Metodi di crescita a bassa pressione . . . . . . 3.2.1 Metodo del lamento caldo . . . . . . . 3.2.2 Combustion Flame Deposition . . . . . 3.2.3 Plasma Jet Deposition . . . . . . . . . 3.2.4 Deposizione assistita da plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 5 6 7 7 8 8 8

4 Panoramica sul funzionamento dei rivelatori al diamante 10 4.1 Meccanismo base di rivelazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 4.2 Produzione di coppie elettrone-lacuna . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 5 Rivelatori a diamante 5.1 Calorimetri . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Rivelatori a microstrip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3 Rivelatori a pixel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.4 Il rivelatore a pixel al diamante per CMS . . . . . . . . . . . . . 5.5 I sensori a pixel per ATLAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5.1 Risultati preliminari su un tracciatore a pixel ATLAS/1 5.6 Risultati del pixel tracker ATLAS/3 in un fascio di prova . . . . 6 Conclusioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 13 14 15 16 16 17 18 20

Introduzione

In sica delle alte energie da diversi decenni il materiale ad essere maggiormente utilizzato, per via delle sue notevoli propriet` elettriche e meccania che, per la costruzione di fotorivelatori ` il silicio. Tuttavia i diversi limiti che e questo materiale presenta, soprattutto nellutilizzo in ambienti ostili, come nei grandi esperimenti agli accelleratori di particelle dove si lavora ad altissime temperature, stanno stingendo verso la ricerca di un nuovo materiale per la costruzione di rivelatori. Sicuramente tra i vari mezzi che sono stati proposti per lutilizzo in queste condizioni estreme, il diamante sintetico, e in particolare quello monocristallino SCD (Single Crystal Diamond ) ` senzaltro il pi` promettente. e u Infatti le sue molte propriet`, come lestrema robustezza, lalto punto di fusione a e la bassa reattivit` chimica, lo rendono idoneo ad essere usato negli ambienti pi` a u ostili senza incorrere in danneggiamenti. Inoltre, grazie alla sua ampia band gap, ` particolarmente adatto ad operare anche ad alte temperature e in presenza della e luce visibile. Possiede inoltre unelevata risoluzione dosimetrica, fondamentale in presenza di fasci incidenti di piccole dimensioni. Il campo dapplicazione maggiormente promettente per il diamante ` nella coe struzione dei rivelatori di vertice, dove la sua grande resistenza alla radiazione, e diverse altre sue propriet`, ne fanno unalternativa importante alla tecnologia ata tualmente pi` aermata basata sul silicio. Per poter pensare dutilizzare il diamante u in questo tipo di rivelatori, ` necessario ottenere, a costi ragionevoli, lastre sottili e di diamante delle dimensioni di qualche centimetro. Fortunatamente oggi ` possie bile, grazie ai risultati ottenuti dallo sviluppo della tecnica del deposizione chimica da vapore (CVD), la quale nonostante sia conosciuta gi` dagli anni 50 solo negli a ultimi tempi ` stata ben approfondita. Utilizzando questo metodo ` possibile creae e re dei wafers di diamante simili ai familiari wafers di silicio usati nellindustria dellelettronica. In questa tesina verrano presentate le propriet` principali del diamante sintetico, a i meccanismi di crescita, i principali rivelatori di particelle a diamante e inne alcuni test eettuati dai gruppi di ATLAS e RD42.

Propriet` del diamante a

Il diamante ` costituito da atomi di carbonio disposti in un reticolo tetraedico che e viene detto cubico a facce centrate. Gli atomi di carbonio sono ibridizzati sp3 , per cui ognuno di essi forma quattro legami covalenti con i quattro atomi vicini, che si trovano a una distanza media di 1.54 , circa met` di quella fra gli atomi A a di silicio. Il diamante quindi presenta una struttura estramemente pi` compatta u che gli conferisci una serie di propriet` chimiche, termiche e meccaniche utili in a

Figura 1: Modello della struttura cristallina del diamante molte applicazioni. Le principali propriet` del diamante sono riassunte nella tabella a seguente dove vengono confrontate anche con le propriet` del silicio e del germanio. a Propriet` a Diamante Silicio N Atomico Z 6 14 Peso Atomico A 12.01 28.09 Densit` (g/cm3 ) a 3.52 2.33 ) Distanza fra gli atomi (A 1.54 2.35 Energia di coesione (eV/atomo) 7.37 4.63 Punto di fusione ( C) 4100 1420 Conducibilit` termica T a 20 1.27 (W cm1 K1 ) Coe. di diusione per 47 28 elettroni De (cm2 s1 ) Coe. di diusione per 31 13 lacune Dh (cm2 s1 ) Costante dielettrica 5.70 11.9 Band gap (eV) 5.5 1.12 Energia per coppia 13 3.6 elettrone-lacuna (eV) Densit` di portatori a < 103 10.5 1010 intrinseci ni (cm3 ) Resistivit` e ( cm) a > 1013 2.3 105 Tensione di rottura (V cm1) 107 3 103 Germanio 32 72.60 5.33 2.45 3.85 935 0.653 90 45 16 0.665 3.0 2.4 1013 47 103

Il diamante possiede una serie di propriet` siche che derivano principalmente a dalla rigidit` del suo lattice, e dalla massa relativamente piccola dellatomo di cara bonio. Riassumiamo brevemente queste propriet` prima di discutere in modo pi` a u dettagliato quelle pi` rilevanti per luso dei diamanti nei rivelatori di particelle. u Il diamante viene tipicamente citato come la sostanza pi` dura conosciuta, e u denisce quindi uno degli estremi della scala empirica di durezza di Moh. Ci` o comporta che i rivelatori a diamante non possono essere scalti facilmente e questo ` un netto vantaggio. La durezza ` una conseguenza della rigidit` del lattice di e e a diamante che inoltre incide anche su altre propriet` siche in diversi altri modi. Per a 3

esempio, dalla combinazione con gli atomi di carbonio risulta che il diamante ha la temperatura di Debye pi` alta di ogni altro materiale (2230 K). A temperatura u ambiente il diamante ` un conduttore termico considerevolmente migliore sia del e rame che dellalluminio. Poich` la dipendenza dalla temperatura del meccanismo di e conduzione termica ` dierente da quello di conduzione elettrica, il diamante non e mantiene i suoi vantaggi ad altissime temperature, ma nelle regioni di temperatura vicino a quella ambientale, ovvero per potenziali applicazioni, il diamante ha la pi` alta conducibilit` termica di ogni altro materiale conosciuto. Riette lestrema u a stabilit` del diamante anche il suo punto di fusione a 4363 K, pi` alto di qualsiasi a u altra sostanza. Le propriet` elettriche sono determinate in larga parte dalla sua bandgap di 5.45 a eV, che ` tanto pi` grande delle tipiche energie termiche a temperatura ambiente che e u il materiale puro o intrinseco ha una resisitivit` in un intervallo di 1013 1016 a cm, rendolo in termini elettronici un isolatore, sebbene venga considerato spesso un semiconduttore per via della sua somiglianza ai semiconduttori pi` convenzionali u come il silicio o il germanio. Come con questi materiali, ` possibile dopare il diae mante intruducendo del boro, ottenendo cos` un diamante di tipo p. Al contrario, i tentativi di generare un diamante di tipo n, dopandolo col fosforo, hanno incontrato diverse dicolt`, perci` non sembra possibile creare un transistor bipolare basato a o sul diamante. Fortunatamente, per`, per le applicazioni nei rivelatori di particelle o non ` necessario dopare il diamante, per via della sua alta resistivit`. e a Probabilmente la propriet` pi` nota del diamante ` lalto valore del suo indice di a u e rifrazione (n = 2.419 alla lunghezza donda delle linee D del sodio) che ` responsabile e della sua bellezza come gemma. Solo pochi altri materiali trasparenti, per esempio il rutile, un forma cristallina del diossido di titanio, ha un indice pi` alto. Lalto indice u del diamante deriva dalla sua alta polarizzabilit` elettrica alle frequenze ottiche. a Il diamante naturale, prodotto da processi geologici, ` stato di certo oggetto di e intenso interesse per lumanit` per diversi secoli. Con lo sviluppo della tecnologia a diagnostica, ` emersa anche una classicazione del diamante naturale. Sebbene i e rivelatori al diamante siano fatti con diamanti articiali, una breve descrizione di questa classicazione ` comunque appropriata: e Il Tipo 1a contiene circa lo 0.1% di azoto in piccoli aggregati. Assorbe la luce UV e infrarossa. La sua conducibilit` termica ` circa di 9 W cm1 K1 a tempea e ` ratura ambiente. E il tipo pi` comune di diamante in natura, rappresentando u circa il 98% del totale. Il Tipo 1b contiene atomi dazoto paramegnetico come parte del lattice. Le sue propriet` sono simili a quelle del tipo 1a, ba rappresenta solo l1% del a diamante naturale. I diamanti di Tipo 2a sono essenzialmente privi di azoto, e conseguentemente trasmettono la luce UV in modo assai migliore dei diamanti del tipo 1. I diamanti di Tipo 2b sono anchessi privi dazoto, sono molto rari in natura e contengono boro, che gli conferisce un coloro bluastro; sono quindi semiconduttori di tipo p con una conducibilt` elettrica pi` di 13 ordini di grandezza a u maggiore del diamante di tipo 1. 4

` Figura 2: Il diamante blu Wittelsbach ` il diamante pi` prezioso al mondo. E stato e u venduto allasta nel 2007 da Christies a Londra per la cifra record di 16,4 milioni di sterline, equivalenti a 24,3 milioni di dollari (e a 18,7 milioni di euro) al gioielliere britannico Laurence Gra.

Crescita del diamante

A dispetto della forza del suo lattice, il diamante non `, sorprendemente, la forma e stabile del carbonio a temperature e pressioni standard. Questo perch` la forma e 2 dibridazione sp che troviamo nella grate ` associata ad una maggiore energia di e formazione di legame, compensata in certa misura da una minore densit`. La chiara a conseguenza ` che la grate ` pi` stabile a temperature minori del punto di fusione e e u a pressioni normali, ma sotto pressioni estremamente alte (maggiori di 2 GPa) la grande densit` del diamante lo rende la forma stabile. Queste propriet` sono ben a a osservabili nel diagramma delle fasi del Carbonio (Fig. 3).

Figura 3: Diagramma delle fasi del carbonio Il diamante naturale, tuttavia, in natura ` molto raro e spesso presenta propriet`, e a 5

forme e dimensioni dicilmente adatte alla realizzazione di dispositivi. Per questo, negli ultimi decenni, sono state sviluppate diverse tecniche di produzione di diamanti articiali con le propriet` desiderate. a I diamanti possono essere prodotti sia cercando di riprodurre le condizioni in cui vengono prodotti in natura (alte pressioni e alte temperature), sia con metodi a bassa pressione. Nei metodi ad alta pressione e temperatura, la crescita avviene nella regione del diagramma delle fasi del carbonio in cui il diamante ` la forma e stabile, viceversa nei metodi a bassa pressione siamo nella regione di stabilit` della a grate, e il diamante ` in una situazione metastabile. Dal punto di vista termodinae questa tecnica sono stati realizzati diamanti puri monocristallini del peso fino ad un carato mico, quindi, il diamante a dimensioni di qualche millimetro cubo [Weldake90], ma con costi temperatura e pressione standard dovrebbe lentamente (0.2 grammi) e dalle trasformarsi incos elevati da Tuttavia questa trasformazione in natura non avviene, e di grate. rendere preferibili i diamanti naturali. I diamanti HPHT industriali sono conseguenza il soprattutto utilizzati per applicazioni meccaniche (polverela diamante da utilizzare in diamante naturale esiste, poich` di barriare potenziale da superare e utensili da taglio, diamante ` una forma del cos prodotti hanno un ` molto elevata. Perci` ilper polveri abrasive, ecc.) in quanto i diamanti carbonio cineticamente stabile e o e notevole livello di impurezze che non li rende adatti alla realizzazione di microsistemi. ma termodinamicamente instabile.

a) Fig. 2.3 Diagramma delle fasi del carbonio con le diverse tecniche di produzione del Figura 4: Diagramma delle fasi del carbonio diamante le diverse tecniche di produzione con del diamante

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3.1

Metodo ad alta pressione ed alta temperatura

Per sintetizzare un diamante ` necessario riprodurre le condizioni in cui avviene e la formazione in natura, ovvero negli strati pi` profondi della crosta terrestre a u temperature di migliaia di Kelvin e pressioni dellordine dei 101 0 Pa. Intorno agli anni 50 venne sviluppata la tecnica HPHT, High Pressure High Temperature, in cui il diamante viene cristallizzato a partire dal carbonio alla pres6

2.3.2 temperatura di a bassa pressione sione di 50-100 kPa e allaMetodi di crescita 1800-2300 K. Con questa tecnica sono stati realizzati diamanti puri monocristallinibassa peso no a portato ad ottimi risultati dalle sintesi del Lintroduzione dei metodi a del pressione ha un carato (0.2 g) e nella dimensioni di qualchediamantema con costi talmente elevati da rendere addirittura pi` ormai il mm3 , artificiale [Derianguin68], [Derianguin73], [Jiang93]; al punto che u convenienti i diamanti naturali. I diamanti prodotti con questa tecnica, inoltre, condiamante artificiale prodotto con tali metodi presenta propriet confrontabili con quelle del tengono un notevole livello di impurezze e perci` non sono adatti alla realizzazione o diamante naturale. Nei metodi di crescita a bassa pressione il diamante viene depositato di microsistemi.
con la tecnica detta di deposizione chimica dalla fase vapore (Chemical Vapour Deposition

3.2

CVD). In particolare, il carbonio si forma a Metodi di ocrescita a bassa pressione partire da composti precursori (CH4) in fase

Nei metodi di crescita a bassa pressione il diamante viene depositato con la tecnica molecole che lo contengono. Lenergia pu essere fornita per riscaldamento o con della deposizione chimica dalla fase vapore (Chemical Vapour Deposition, CVD). radiofrequenza, e luso In particolare il carbonio viene formato di una tecnica piuttosto che diprecursori (CH4 )la scelta delle partendo da composti unaltra, cos come in miscele e delle energia in vapore, differenzia le le molecole. oggi in fase gassosa o di vapore, fornendo fasi gassosa o modo da scindere varie tecnologie Questauso per la crescita del diamante CVD. energia pu` essere fornita tramite riscaldamento o radiofrequenza. Luso di una o tecnica, piuttosto che unaltra, cos` come la scelta delle miscele o delle fasi gassose o vapre, dierenzia le2.3.2.1 tecnologie in uso per caldo varie Metodo del filamento la cresita del diamante. 3.2.1 Metodo del lamento caldo
Nel metodo del filamento caldo (Hot Filament Chemical Vapour Deposition o HFCVD), il cui schema generale riportato in Fig. 2.3 lenergia necessaria alla deposizione del

gassosa o di vapore. Fornendo energia il carbonio viene liberato mediante la scissione delle

Nel metodo del lamento caldo (Hot Filament Chemical Vapour Deposition,tungsteno) posto a diamante fornita da un filamento di metallo caldo (generalmente di HFCVD) lenergia necessaria allamillimetro dal substrato (di silicioviene fornitadove un lamento deposizione del diamante o molibdeno) da avr luogo la deposizione qualche di metallo caldo (tipicamente tungsteno) posto a quelche millimetro dal substrato del diamante [Matsumoto82]. In particolare, il filamento viene riscaldato elettricamente (di silicio o molibdeno) su cui avr` luogo la deposizione. Il lamento viene riscaldato a fino circa 2000 , mentre la camera di avviene la deposizione tenuta no a una temperatura di a circa 2000 C, mentrela camera dove deposizione viene tenuta a circa a circa 700-1000 . Il 700 che uiscegas che fluiscedella camera consiste in una miscelamiscela di gas 1000 C. Il allinterno allinterno della camera composto da una di metano (circa l1%metano (circa 1% in volume) e idrogeno, diluita in azoto. pressione della camera del volume) e didrogeno, diluita in azoto. La La pressione della camera viene mantenuta nellintervallo 1-10 10 kPa. kPa. mantenuta nellintervallo 1
gas input substrato (Mo, Si) filamento in W fornace supporto

termocoppia gas output

Fig. 2.3 Schema di un apparato di deposizione a filamento caldo.

Figura 5: Schema di un apparato di deposizione a lamento caldo Questo metodo ` uno dei pi` semplici ed economici, e per questo ` molto diue u e so. Permette unelevata essibilit` nelle forme e dimensioni dei lm che si possono a depositare. Il rate di deposizione ` dellordine di 0.1-1 m/h. Tuttavia questa tece nologia presenta diverse problematiche, come lelevata concentrazione di impurezze nel materiale prodotto e l bassa stabilit` del processo di deposizione. a
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dellordine di 0.1 1 m/h. I maggiori problemi di questo metodo sono lelevata deposizione.
3.2.2 Combustion Flame Deposition

concentrazione di impurezze del materiale prodotto e la bassa stabilit del processo d

2.3.2.2 Combustion Flame Deposition

In questo metodo di crescita lenergia necessaria viene fornita dalla combustione La (tipicamente acetilene). Il (CFD) deve il suo nome un apposito di un idrocarburoCombustion Flame Depositionsubstrato ` montato su al fatto che lenergia necessaria e portacampioni perviene esposto direttamentefornita da una efiamma generata acqua. e la crescita del diamante alla amma rareddato ad dalla combustione di un Questa tecnologia ` piuttosto semplice e permette di raggiungere elevate velocit` e a idrocarburo (tipicamente acetilene) [Wolsen88]. Il substrato di crescita, montato su un di crescita (no a 50 m/h); tuttavia la qualit` del diamante ottenuta ` inferiore a a e apposito portacampioni, viene esposto direttamente della deposizione quella che si ottiene col metodo HFCVD e imparagonabile a quellaalla fiamma e raffreddato ad acqua assistita da plasma. In ogni caso, anche i diamanti ricavati da tale metodo presenano come illustrato in Fig. 2.4. buone propriet` meccaniche e termiche. a

INNER FLAME

ACETYLENE FEATHER

OUTER FLAME

WATER COOLING

OUTER FLAME

Figura 6: Schema di un apparato per la combustion ame deposition

Fig 2.4 Schema di un apparato per la combustion flame deposition.

Questo metodo piuttosto semplice e permette di raggiungere elevate velocit di crescita Plasma Jet Deposition (fino a 50 m/h); tuttavia, la qualit del diamante ottenuto inferiore a quella che s Questa tecnica utilizza un plasma per fornire lenergia necessaria alla crescita del raggiunge col posto del filamento caldo in termini di purezza un amdiamante. Il substrato vienemetodo alluscita di una sorgente di plasma, in e imparagonabile a quella biente sottovuoto ad una pressione di circaassistita da gas utilizzativedremo tra poco. Tuttavia, anche ottenuta con la deposizione 10 kPa. I plasma, che sono tipicamente idrocarburi con laggiunta di idrogeno. Lutilizzo di ossigeno pu` migliorare la quao diamanti ottenuti con tale metodo presentano buone propriet meccaniche e termiche, che lit` dei lm prodotti. Questo metodo ha un elevato rate di crescita (no a 100 m) a e la qualit` dei lm ` superiore ai lm ottenuti rivestimentosoprattutto per lavorazioni meccaniche. a li rendono adatti, ad esempio, per il per CFD, di strumenti per quanto e ` riguarda le propriet` ottiche. E dicile per` con questo metodo ottenere superci a o 2 superiori a 1 cm .
3.2.3 3.2.4 Deposizione assistita da plasma

La deposizione di diamante assistita da plasma (Microwave Plasma Enhanced Che- ` possibile ottenere i lm mical Vapor deposition, MPECVD) ` la tecnica con cui35 e e di diamante pi` puri e perci` ` la pi` interessante per la creazione di microsistemi, u oe u anche se non ` adatta alla produzione di superci estese (>100 cm2 ) e non piane. e Anche in questo caso viene utilizzato un plasma per fornire lenergia richiesta allattivazione della deposizione chimica dalla fase vapore e in genere si utilizzano plasmi attivati con microonde. Un tipico apparato MPECVD ` costituito da una e camera a vuoto dotata di ingresso controllato dei gas. Allinterno ` presente un e 8

alluscita di una sorgente di plasma, in un ambiente sotto vuoto (circa 10 kPa). I ga

utilizzati sono tipicamente idrocarburi con laggiunta di idrogeno. Lutilizzo di ossigen deposizione di diamante per PJD riportato in Fig. 2.5.

pu migliorare la qualit dei film prodotti. Lo schema generale di alcuni sistemi per l

Gas Inlet

Gas Inlet

DC Supply

RF Supply

Substrate

Gas Inlet

Substrate

Cavity

Microwave

Substrate

Figura 7: Schema di alcuni sistemi per la deposizione di diamante per Plasma Jet Deposition La PJD presenta un elevato rate di crescita (fino a 100 m/h) e la qualit dei film

Fig. 2.5 Schema di alcuni sistemi per la deposizione di diamante per Plasma Jet Deposition.

portacampioni superiore aviene posizionato il substrato di silicio o di deposition, (di sul quale quella dei film ottenuti per combustion flame diamante soprattutto per quant scarsa qualit` elettronica e corrisponde allapparato utilizzato presso i Laboratori del diamante di a come lHPHT) sul quale crescer` rispettivamente a Fig. 2.6 riguarda le propriet ottiche; difficile per ottenere superfici Dipartimento per aree superior omogenee policristallino o monocristallino. Ingegneria Meccanica dellUniversit di Roma Tor Vergata [Balestrino92] [Verona99]. ad 1 cm2.
SUBSTRATE TEMPERATURE

2.3.2.4 Deposizione assistita da plasma


FLOW POWER GAS IN QUARTZ WINDOW

OPTICAL PYROMETER

CONTROLLERS La MICROWAVE deposizione di diamante assistita da plasma (Microwave Plasma Enhanced Chemica

Vapor Deposition o MPECVD [Balestrino93], [Bachmann97] permette di ottenere film d QUARTZ TUBE
2.45 GHZ

MICROWAVE elevata GENERATOR ed quindi particolarmente interessante per la produzione di microsistem purezza

anche se non adatta alla produzione di superfici estese ( > 100 cm2) e non piane. I
SAMPLE
TO PUMP PLUNGER

principio di funzionamento si basa sullutilizzo di un plasma per fornire lenergia richiest

PRESSURE allattivazione della deposizione chimica dalla fase vapore e in genere si utilizzano plasm CONTROL

Fig. 2.6 Schema dellapparato utilizzato a MHz o 2.45 GHz. Un tipico reattore per la crescita d attivati con microonde a 915Tor Vergata per la deposizione di film di diamante CVD. Figura 8: Schema di un apparato MPECVD per la deposizione di lm di diamante. diamante CVD assistita da plasma sia per diamante mono che policristalino riportato i

Successivamente vengono immesse nella camera delle microonde per mezzo di una guida donda, le quali cedono energia agli elettroni del plasma che, a loro volto, la - 36 cedono, mediante collisioni, al gas precursore riscaldandolo. Le reazioni chimiche che vengono innescate dal riscaldamento portano alla formazione, fra gli altri composti, di carbonio, che viene cos` depositato sul substrato di silicio o diamante, dando luogo alla crescita del lm di diamante. Nel policristallo i grani cristallini crescono no a formare un lm continuo. Al procedere della crescita, alcuni cristalli vengono sommersi da altri, cosidetti dominanti e i grani crescono sempre pi` grandi. Il risultato ` quindi una struttura u e colonnare.
Fig.2.7 Apparato di deposizione del diamante monocristallino di Tor Vergata

Il sistema costituito da una camera da vuoto dotata di ingresso controllato dei gas. Allinterno presente un portacampioni sul quale viene appoggiato il substrato di silicio o di diamante (di scarsa qualit elettronica come il tipo HPHT) sul quale crescer

chimiche che vengono innescate dal riscaldamento portano alla formazione, fra gli altri composti, di carbonio, che viene cos depositato sul substrato di silicio o diamante, dando luogo alla crescita del film di diamante.

Fig. 2.8 Sezione di un film di diamante policristallino visto al SEM.

Figura 9: Sezione di un lm di diamante policristallino visto al SEM.


Nel policristallo i grani cristallini crescono fino a formare un film continuo. Al procedere

Panoramica sul funzionamento dei altri, cosiddetti dominanti ed i grani della crescita, alcuni cristalli vengono sommersi da rivelatori al diamante crescono sempre pi grandi. Il risultato, mostrato in Fig. 2.8, una struttura colonnare
evidenziabile al microscopio elettronico a scansione (SEM).

Lo scopo principale di un rivelatore al diamante ` quello pi rivelare in Fig. 2.9. singole, e La crescita del diamante mostrata in di dettaglio particelle La deposizione del sebbene possano essere utilizzzati comincia per una prima fase lintensit` di vari tipi ildi a semiconduttore anche con monitorare detta di nucleazione in cui materiale si radiazioni attraverso misure di conducibilit` indotta. a forma in grani cristallini separati (fase a) con 3 gradi di libert per la crescita, lungo X e Y La deposizione denergia da parte di particelle cariche che attraversano la materia ` di chiave importanza nel piano del substrato eogni tipolasse normale aldi particelle. Il rate i grani e per loperativit` di lungo Z, di rivelatore substrato; successivamente a tendono a crescere ricoprendo una sempre pi vasta area del substrato (fase b). denergia persa per unit` di lunghezza percorsa decresce rapidamente allaumentare a Nel momento in cui non raggiunge allincirca il 95% della libert disponibili si della velocit` della particella no a che un nucleo entra in contatto con un altro, i gradi divelocit` a a della luce. Tali particelle vengono quindi chiamate lungo Z, faseminimamente nella fase detta di particelle c) ed entriamo ionizriducono ad uno solo (crescita solo zanti, comunamente abbreviato con MIP,la superficieunenergia viene ricoperta uniformemente e si ha la coalescenza nella quale e hanno del substrato relativistica allincirca di 3.2 volte la loro massa. Ulterioriun film continuo di materialeproducono procedere della crescita dello incrementi di velocit` (fase d). Al un lento (logaa formazione di ritmico) incremento in energia persa, ed ` conveniente e convenzionale considerare e spessore depositato il film presenta grani di dimensioni via via maggiori e si forma la tipica la risposta a una MIP come indicativo delle caratteristiche di un rivelatore. Vediamo ora pi` dettagliatamente il modo in cui un segnale elettrico viene u struttura colonnare di fig 2.8. Allaumentare delle dimensioni dei grani diminuiscono i generato quando una bordi grano e questo in genere comporta migliori propriet elettriche e ottiche dei ionizzazione ` prodotta allinterno di un rivelatore a stato e dispositivi realizzati. solido.

4.1

Meccanismo base di rivelazione

Nei rivelatori a stato solido il meccanismo con cui il transito di una particella carica viene percepito ` la generazione di un segnale elettrico in un circuito esterno. Alle e energie con cui si ha a che fare agli accelleratori, una particella carica, ad esempio - 38 un pione, pu` attraversare un sottile strato (poche centinaia di m) di diamante o o di altri materiali senza perdere pi` di una piccola frazione della sua energia cinetica u iniziale. Tuttavia, esso lascia dietro di se una scia di atomi eccitati e ionizzati e, nel caso di un semiconduttore, coppie elettrone-lacuna. Se viene applicato un campo elettrico, gli elettroni e le lacune si allontano fra loro , e possono successivamente essere intrappolati nel materiale o in alcuni casi arrivare no ai bordi. Il segnale nel circuito esterno ` generato semplicemente dal e movimento di carica allinterno del rivelatore, ed ` importante notare che non ` e e richiesto che la carica indotta raggiunga i bordi dove sono situati gli elettrodi. La grandezza del segnale ottenuto pu` essere calcolata con diversi metodi, dalla pi` o u

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semplice applicazione della conservazione dellenergia in caso di campo uniforme, no a metodi pi` sosticati applicabili a una congurazione di campo arbitraria. u 1286 R J Tapper

Figure 2. Generation of a signal in a diamond detector.

Figura 10: Generazionevelocity produce a elettrico in un rivelatore al diamante. it is convenient and di un segnale slow (logarithmic) increase in energy loss, and of Se le cariche +q e q percorrono separatamente unaoperation of x in undetectors with reference to We will describe the basic principles of distanza diamond campo incident MIPs, and di consider a number of mantenere il campo elettrico E, il lavoro fatto dalla fonte thenalimentazione per other types of particle, such as neutrons, for which diamond detectors la been used. uniforme ` qxE. Se il rivelatore ` spesso l ehavedierenza di potenziale applicata ` e e e Before returning to describe the information that these various types of radiation have given V il campo elettrico sar`about diamond detectors, we consider in more detail the specic way in which an electrical a V signal is generated when ionization is produced within a solid-state detector. (1) E= l 5.1. Basic come qx V . Per a e il lavoro potra essere riscritto detection mechanism fornire questa quantit` denergia l al rivelatore una corrente transiente passa nel circuito,beenlintegraleover the years. di many of these, e developed temporale In Particle detectors of many types have questa corrente, ovvero la carica the category uisce Q, ` data dividendo per V : detectors belong, the e including totale che of solid-state detector to which diamond
mechanism by which the transit of a charged particle through the detector is sensed is the generation of an Q = qx signal in an external circuit. At the energies with which we are electrical (2) chiey concerned, a charged particle, such as a pion, is able to pass through a thin (few l hundred m) layer of diamond or other material without losing more than a small fraction of Questa semplice formula its initial kinetic energy. However, it leaves behind it a trail of excited and ionized atoms and, implica che la carica che uisce nel circuito esterno equivale in the case ridotta in proporzione alla frazione di spessore di alla carica generata originalmenteof a semiconductor, electronhole pairs. rivelatore che lelettrone e la In the absence of anad attraversare prima dessereelectrons and holes, which are lacuna riescono externally applied electric eld, the catturati. both able to move within the diamond lattice, would normally recombine quickly. However, if Se entrambi riescono a raggiungere i bordi del materiale allora x = l e la carica che a eld is applied, the electrons and holes move away from one another, and may subsequently uisce allinterno del circuito ` pinned or trapped in the material ornelsome cases travel as far as the boundaries (see e become uguale alla carica generata in rivelatore. gure 2). The signal in the external circuit is generated merely by the movement of charge within the detector, and it is important to realize require that the induced 4.2 Produzione di coppie elettrone-lacuna arethat it does notsize of the signal obtained charges reach the boundary where the electrodes situated. The may In buona approssimazione si be calculatedin ogni materiale ranging from a simple contribuitrova che by several methods, ogni processo che energy conservation argument applicable to a uniform eld situation, to more sophisticated methods applicable to an arbitrary sce alla perdita denergia,eld conguration. creazione di coppie, ha la stessa dipendenza quindi anche la dalla densit` e dalla velocit` della particella. move apart aunapprossimazione accetta- E the work done a a charges +q and q Perci` ` distance x in a uniform electric eld oe If by the power source maintaining the eld is qxE. If the proporzionale bile assumere che il numero di coppie elettrone-lacuna generate sia width of the gap is l and the applied V potential difference is V importante is E and the work cui le alla perdita denergia. Ci` ` particolarmentethe electric eld per i=calorimetri, incan be written as qxV / l. oe l In order to deliver this amount of energy to the detector a transient current passes around the particelle incedinti vengono fermate e la loro energia totale viene stimata misurando circuit, and the time integral of this current, i.e. the total charge which ows, say Q, is given la quantit` totale di carica dividing by nel rivelatore. Il rapporto dierisce nei vari sea by liberata V : miconduttori, riettendo la facilit` con cui le coppie possono essere generate, ovvero a qx Q= . in altre parole lenergia di gap di banda. l In buona approssimazione la formazione This very simple formula means that ma in ogni semiconduttore, di ogni coppia elettrone-lacuna, non solo nel diamantethe charge which ows around the external circuit is conventional to consider the response to a MIP as indicative of the characteristics of a detector.

richiede circa tre volte lenergia di bandgap.

11

Il rate totale denergia persa viene dato con buona precisione dalla ben nota formula di Bethe-Bloch dE dx =k Z 1 1 ln A 2 2 2mc2 2 Tmax I2 2 2 (3)

Figura 11: Potere di arresto per i muoni positivi nel rame. Sebbene questa formula dia un accurato valore dellenergia media persa, il processo ` essenzialmente casuale, ed ` caratterizzato da una distribuzione continua e e di valori che non vengono dati da questa teoria. La forma della distribuzione ` e particolarmente importante quando il valore medio ha una bassa probabilit` e ce a una probabilit` signicativa che il segnale cada sotto la soglia di rivelazione. Per a un rivelatore sucientemente spesso la distribuzione dovrebbe essere simile a una gaussiana, ma per rivelatori pi` sottili una trattazione che individui correttamente u le code ad alta energia della distribuzione. Il modello maggiormente utilizzato per la distribuzione denergia perduta ` doe vuto a Landau ed ` basato su un numero di semplici assunzioni che portano ad una e espressione nella forma di un integrale nel piano complesso: () = 1 2i
c+i

exp[s(ln s + s)]ds
ci

(4)

dove ` un parametro adimensionale proporzionale allenergia persa. Un formula e pi` conveniente che approssima questa ` stata trovata da Moyal u e () = exp[( + e )/2] 2 (5)

qui = R(E Ep ) dove E ` lenergia persa, Ep lenergia persa pi` probabile e R ` e u e una costante caratteristica del mezzo. 12

Rivelatori a diamante

I rivelatori tipicamente usati hanno la froma di un foglio sottile di diamante CVD con elettrodi metallici sulla supercie. Apparati simili sono fatti anche col silicio, sebbene in questo caso viene tipicamente dopato il materiale per creare un diodo a giunzione e polarizzato inversamente per ridurre la corrente di dispersione e il rumore di fondo. Nel caso del diamante invece questo stratagemma non ` necessario per via e dellalt` resistivit` intrinseca del materiale non dopato. Viene normalmente assunto a a che ogni azione di correzione ai contatti ` una complicazione indesiderata, e che e sarebbe auspicabile creare contatti puramente ohmici tra gli elettrodi e il substrato. Esistono diverse possibilit` per creare questi contatti ohmici. a Alcuni autori pensano che la formazione di uno strato intermediario tra il substrato di diamante e lelettrodo ` essenziale per la formazione di contatti ohmici. e Questo strato intermediario ` prodotto tramite la ricottura di uno strato di titanio e evaporato sul diamante in crescita. I contatti ohmici possono inoltre essere fatti di alluminio evaporato, ma solo se la supercie sia stata precedentemente spruzzata con ioni di argon. Tuttavia alcuni autori sostengno che questo processo produca una supercie danneggiata di grate e carbonio amorfo. Un altro metodo prevede che un iniziale deposizione di titanio sul supercie del diamante sia seguita da uno strato protettivo doro spesso 400 m. La metallizzazione richiede che la supercie del diamante sia estramemente pulita per raggiungere risultati soddisfacenti. Lacido cromico (un agente ossidante potente) ` usato per rimuovere tracce di grate dalla supercie dopo il processo e di assottiggliamento con una procedura che implica il lavaggio con una soluzione ammoniaca e acidi diluiti. Un secondo processo usa solventi organici per rimuovere tracce di grasso. Inne un plasma di ossigeno incisore viene usato per la preparazione della supercie. Dopo questa procedura il diamante viene metallizzato tramite evaporazione per produrre uno strato di 50 nm di cromo e di 300 nm doro. La geometria dellelettrodo viene prodotta tramite incisione. Dapprima lo strato metallico viene rivestito col photoresist, cotto, esposto allo stampo del pattern, pulito e inne ricotto a 580 nellazoto cos` che il cromo posso reagire chimicamente col diamonte per produrre il carburo.

5.1

Calorimetri

Per luso in varie forme di rivelatori di particelle, le geometrie degli elettrodi impiegati rientra in tre categorie: pads di grande supercie, microstrips e pixels. Il primo tipo di elettrodo viene usato quando informazioni precise sulla posizione non sono richieste, quindi il caso dei calorimetri. Un esempio di un prototipo di calorimetro viene fornito dallesperimento RD42 del CERN. Questo rivelatore ` il primo esempio di un rivelatore al diamante CVD e per alte energie che si trova in letteratura. RD42 ha usato pads di 3 cm2 divisi in rettangoli di 31 cm2 alternati verticalmente e orizzontalmente. Questa sottodivisione fornisce informazioni approssimate sulla posizione laterale dello sciame che ha prodotto il segnale. Il calorimetro a diamante di RD42 ` un calorimetro a sampling e

13

in cui la maggior parte della prodizione delle particelle e della perdita denergia ha luogo in un mezzo passivo che ` situato tra le lastre (in questo caso piastre spese se 3.5 mm di tungsteno) alternate col mezzo attivo (500 m di diamante CVD). Lapparato ` stato testato ai laboratori giapponesi KEK con un fascio delettroni il e cui impulsi ` stato scelto nellintervallo 0.5-5 GeV/c. I singoli contatori sono stati e calibrati rimovendo il tungsteno e osservondo un fascio di MIP, e la risposta del calorimetro ` stata riportata in termini della risposta di un singolo rivelatore piano e a una MIP. A un calorimetro simile a strati di silicio ` stato inoltre testato per avere e un raronto. Entrambi i calorimetri hanno dato risposte strettamente simili in termini di segnali MIP a tutti i fasci dimpulso usati, e la risoluzione energetica di entrambi i calorimetri ` stata trovato molto simile. e In conclusione ` stato dimostrato che il calorimetro a sampling diamante-tungsteno e lavora correttamente e ha una risoluzione energetica in accordo con quanto aspettato.

5.2

Rivelatori a microstrip

La forma pi` sviluppata per i rivelatore di particelle al diamante ` quella a microu e strip. I rivelatori a microstrip con altri substrati, in particolare il silicio, sono tra i pi` comuni rivelatori nei moderni esperimenti di sica delle particelle. Il passo u delle strips rappresenta un compromesso tra lobiettivo di aumentare la risoluzione spaziale dellapparato, che migliora no ad un certo punto avvicinando le strips, e il costo del sistema di lettura e la dicolt` di fare connessioni elettroniche (proa babilmente con cavi), i quali aumentano avvicinando le strips. Se, come accade normalmente nel caso dei rivelatori a microstrip, il passo delle strisce ` pi` piccolo e u dello spessore del rivelatore, il segnale viene distribuito lungo un gruppo di strip adiacenti. Utilizzando il baricentro di questo gruppo, ` possibile aumentare la risoe luzione spaziale che la singola strip fornisce. Tuttavia le uttuazioni statistiche nella

14

produzione di coppie elettrone-lacuna nel mezzo (in questo caso nel diamante) e nella separazione di queste prima di essere catturate indicano che la ricostruzione della posizione del baricentro pu` essere soggetta a errori casuali signicativi. Bisogna o inoltre notare che il carico computazionale coinvolto nel calcolo del baricentro pu` o non essere accettato nelle prime fasi della riduzioni di dati (trigger) sebbene possa essere accettabile nellanalisi nale di eventi selezionati. Risultati del 2000 hanno trovato che le microstrip al diamante lunghe 25m distanti fra loro 25m hanno una risoluzione spaziale di 10-11m.

5.3

Rivelatori a pixel

Poich` un rivelatore a microstrip non da alcuna indicazione sula posizione della trace cia nella direzione delle strip, per stabilire entrambe le coordinate ` necessario usare e due o pi` rivelatori di a strip molto vicini con le strip non parallele. Linterseziou ne delle strip attive per un dato evento identica entrambe le coordinate nel piano del rivelatore nel caso in cui c` solo una singola traccia. Se invece diverse traccie e attraversono lapparato le intersezioni oltre alla vera posizione delle tracce, includono inoltre un numero di altri punti che non corrispondono a tracce reali. Questo problema di ambiguit` ` molto comune in sica delle particelle, essendo condiviso ae anche da altri tipi di rivelatori, come ad esempio le camere a li e i dispositivi a bre scintillanti. Sebbene laggiunta di ulteriori piani pu` essere usata per risolo vere questambiguit` in principio, nel caso di eventi complicati con moltre tracce a la computazione richiesta pu` diventare proibitiva, specialmente se linformazione ` o e richiesta per un trigger, che deve prendere una decisone rapidamente su ogni candidato evento. Negli esperimenti a LHC ci si aspetta unalta molteplicit` di tracce a cariche, ed ` inoltre probabile che diversi eventi si sovrappongano lun laltro. e Il miglior modo per risolvere questo problema ` di usare un rivelatore a pixel, in e cui elettrodi a forma di piccoli piastrelle sostituiscono le strip. Il primo rivelatore a pixel al diamante ` stato testato nellagosto del 1996 nellambito dellesperimento e RD42. Consisteva in quadrato di 16 16 pixel con un passo di 150m in entrambe le direzioni. Lapparato ` stato testato nello stesso modo del rivelatore a microstrip, e (u vt ), in the diamond plane with precision silicio. utilizzando unt,telescopio di rivelatori aastrip al of about 1 m [6]. All detector
planes were parallel to each other and only events with single tracks were used.
Silicon Strip Reference Detectors Silicon Strip Reference Detectors Diamond Tracker

Particle Track 180 mm


Fig. 1. Schematic view of the silicon beam telescope used for characterization of diamond strip sensors. Schema del telescopio di rivelatori al silicio utilizzato

Figura 12: per la The dei transparent analysis method was used dellesperimento RD42. caratterizzazione2-stripsensori al diamante nellambito to measure the sum of
charge signals, Q = ql + qr , on the strips closest to the left and to the right of the particle track. It was shown that for the 50 m pitch most charges are collected by two strips, left and right of the intersection point [7]. In the following the distributions of 2-strip transparent signals will be shown in units of the 15 equivalence noise charge, ENC , on one strip. The equivalent noise charge was measured using pedestal subtracted and common mode corrected raw values from strips far away (> 1 mm) from the particle intersection. For the sensors measured here the equivalent noise charge corresponds to ENC = (11010) e. The ratio signal-to-noise, s = Q/ ENC , is dimensionless and independent of the

5.4

Il rivelatore a pixel al diamante per CMS

Uno dei primi sensori a pixel al diamante fu metallizzato con un pixel pattern per CMS. La supercie venne lappata prima della metallizzazione e ha una rugosit` a inferiore ai 0.3m. Le celle sono state fatte di Cr-Au, metallizato sulla supercie del diamante con una grandezza di 100 m 100 m. Dopo la ricottura il cromo forma un carburo col diamante e crea un contatto ohmico col substrato. Il cromo ` e stato coperto con loro per evitare ossidazione e preparare un interfaccia conduttiva. I pixel sono stati poi coperti con uno strato passivo dello spessore di 0.2 m. La litograa ha restituito celle uniformi e pulite su unarea di 2.1 mm 2.9 mm. Lo strato passivo ha un of 0.2 di circa wasm in diametro distanziato in1.3 Diamond Pixel Sens buco m and 20 necessary for the bumpmodo regolare bonding steps which followed. da ogni centro del pixel. ATLAS Allinterno del bucoFigure poste perle dindio attaccate ai contatti doro del pixel. diamond pixel sen sono 1 shows the result of this process. Three types of The sharp lithography gave uniform and I grandi cerchi (diametro 80 m) cells over an sono residui della deposizione intorno allindio area of prepared with groups in clean pixel corresponding to the three dellindio. La supercie del diamante tra ipassivation ` stata coperta con uno strato 2.1 mm 2.9 mm. The pixel non e layer had electronics they were prototyping. passivo. Ci` preservaalalta of about ~a20 m in diameter offset in o hole resistivit` fra le celle insita in un dispotivo al diamante.
a regular pattern from each pixel center.

1.3.1 Diamond Pixel Sensors ATLAS/1 Readout

Figure 2 shows a photo of the pixel sensor, which was prepare ATLAS/1 chip pattern. The ATL (Marebo) is a prototype, which was in the radiation-hard DMILL [4] pr The detector featured double alignment and bump-bond positio end of each pixel. The sensor had 3.8 mm 5.8 mm and 12 columns b of pixel cells. The pixel pi 50 m by 433.4 m, the metalliza made of layers of Cr-Ni-Au. A p layer was used with holes at the b Figure 1: Four pixel cells of a CMS positions. Figura 13: Quattro celle di unpixel sensor.diamantethe CMS. Vicieno al centroi dei sensore al Close to di center diamond pixel sono visibili delle of the dindio che formeranno il contatto elettrico tra il sensore perle pixel cells indium pearls are visible e il chip di lettura. which will form the electrical contact between the sensor and the readout chip.

Inside the hole indium pearls were attached the gold contact of the pixel 5.5 I sensori atopixel per ATLAS cell. The large circles (diameter 80 m) around the indium Tre tipi di sensori abond were residues preparati nellambito del progetto ATLAS pixel sono stati of the vapour deposition corrispondenti a tre of the indium. The diamond surface between tipi diversi di elettronica. In tabelle riportiamo le principali the pixels was caratteristiche di questi tre rivelatori. not covered with the passivation layer. This preserved the high resistivity between pixel cells inherent in a Dimensioni Area substrato might otherwise have Metallo diamond device, which Metallizzazione Passivazione Pixel di diamante [elemento] [S` /No] bump-bonding been compromised if a poorer insulator were Figure 2: Photograph of the A 2 [mpresent. ] [m2 ] diamond sample with C ATLAS/1 50433.4 process was developed at PSI [3]. The S` Cr-Ni-Au Sn/Pb This 38005800 metallization and passivation lay ATLAS/3 50536 40008000 Ti-W In first bump-bonding attempts yielded anNo ATLAS-FE/B 50400 1000010000 Ti-W of 35% asNo In The first bump-bonding trials of t indium formation success rate were performed by Tronics [5], us determined by visual scan. Further solder. In this process the gold is m developments have made this process more the solder connects to the nickel l reliable and additional tests are planned. bump-bonding yield of the first att 16 low, which we attribute to the di the Sn/Pb to flow into the hole

5.5.1

Risultati preliminari su un tracciatore a pixel ATLAS/1

e sensor.located in one singleof pixel on the were In this version column the edge of the sensor. be adjusted asof pixel threshold could In this version electronics the threshold to test the 0 e. That encouraged us could be adjusted as low as 1000 e. That encouraged us to test the a beam at CERN.
sensor in a beam at CERN.

Un sensore a diamante ATLAS/1 ` stato testato con un fascio di pioni a 50 GeV/c e nel fascio di ATLAS al CERN nel Settembre del 1998. La grandezza del signale di un rivelatore al diamante pu` essere aumentata di circa un fattore 1.6 esponendo il o diamante a <1 kRad di radiazioni ionizzanti. Questo eetto viene detto pumping ed ` inteso come una trappola che viene riempita dai portatori di carica in eccesso. e La resistenza alla radiazione del chip permette il pumping del diamante. in the pumped state (open histogram) and for ectronics. Forty pixels at the edge In gura 14 a comparison la charge observed in colpito sor were not contaminated by this viene mostrata theposizione del pixel the pixelin unit` del passo del in the pumped state (open mm. readout electronics. Forty pixels at the della posizione della strip in histogram) and for sulla diagonale indicano edge tracker (solid grey histogram). Gli eventi pixel in funzione nd readout properly. All of these comparison of not contaminated ted in the sensor werecolumn registrati this pixel trackerthe charge observed in the pixel dal telescopio. one single gli hits on the by dal nella posizione predetta tracker (solid grey histogram). residue and readout properly. All of these

TBEAM RESULTS 2 TESTBEAM RESULTS

2.1 Preliminary eliminary results results on on ATLAS/1 pixel tracker LAS/1 pixel tracker An ATLAS/1 diamond sensor bump-bonded

AS/1 to a rad-hard Marebo chip was tested in a diamond sensor bump-bonded ard 50 GeV/c pion beam in the ATLAS beam Marebo chip was tested in a telescope [8] at CERN in September 1998. pion The ATLAS telescope has eight reference beam in the ATLAS beam [8] at CERN inand four y) each 1998. spatial planes (four x September with a resolution has eight reference AS telescope better than 5 m. The signal each with a spatial ur x and four y) size of a diamond detector may Figure 5: Correlation observed between be increased by about a factor of 1.6 by the reference telescope hit position and better than the diamond to <1 14: of ionizing exposing 5 m. Figura kRad Correlazione osservata tra la posizione dellevento nel telescopio di pixel hit position for the ATLAS/1 pixel al size of a diamond detectore may and radiation. This effect is called pumping referenza la poizione Figure 5: Correlation observed between dellevento nel rivelatore a pixel ATLAS/1 detector. is about a factor of 1.6 by sed by understood to be trap filling by excess the reference telescope hit position and charge carriers. The radiation hardness of he diamond to <1 kRad of ionizing viene mostrata la carica osservata dal pixel tracker confrontata con In gura 15 the chip allowed pumping of this diamond. pixel hit position for the ATLAS/1 pixel 90 This effect is 5 we show the pixel and In Figure called pumping hit position quellaby excess small stesso diamante utilizzato montato in strip. osservata dallo detector. 80 ood along thetrap filling to be direction measured by the 70 pixel dimension in units of the pixel pitch rriers. The radiation hardness of 60 versus the lowed pumping strip position in mm. The 90 50 of this diamond. diagonal entries indicate hits recorded by the e 5 we show the the position position for the 40 pixel tracker at pixel hit predicted 80 30 direction measuredthe telescope. The final charge tracks by by the small 70 20 alignment constants pixel pitch ension in units of the are presently being determined. However from the initial hit 60 10 he strip position in mm. The distribution it was determined that the 0 0 5000 10000 15000 20000 ntries indicate hits recorded by thefor this 50 signal [e] detector was at the edge of the beam 40 er at the position predicted for the test. Figure 6: Comparison of the charge One of acks by thethe features of using diamond as a 30 telescope. The final observed in the pixel tracker (solid grey sensor material constants are is that it can be recycled. In 20 presently being histogram) in the test beam with that this case, the diamond material that we used seen in the same diamond when it was d. However tracker was previously tested as a 10 from the initial hit as a pixel instrumented as a strip tracker in May n itstrip tracker. As such we that data on the 0 was determined have the 01997 (open histogram). 5000 10000 15000 20000 signal [e] charge distribution beam for this as at the edge of thewe expect from the pixel
detector. Figure 6 shows the single strip data of the features of using tested as a strip tracker sensor when it was diamond as a Figura 15: Confronto
entries
entries

Marebo chip was operating of the charge Figure 6: Comparison at a threshold of he fra la caricathe pixel trackerpixel tracker (in grigio) nel fascio observed in osservata nel (solid grey terial is that it can be recycled. In di test e quella osservata nello stesso the test beam with`that utilizzato come strip histogram) in diamante quando e stato the diamond material that we used seen in the same diamond when it was tracker (rosso). tracker was previously tested as a instrumented as a strip tracker in May ker. As such we have data on the 1997 (openATLAS hanno conluso che il chip 1 stava lavorando Da questi plot i ricercatori di histogram). tribution we expect from the pixel a una soglia di 2000From this plot we conclude that the elettroni. shows the single strip data of the Marebo chip was operating at a threshold of en it was tested as a strip tracker 5

From this plot we conclude that the

17

60

Number per 200 ENC

This is further evidence that a high bu bonding yield has been achieved. Fur study of the hit distribution in columns 4 6 indicate that these electronic channels 2.2 Test beam results on a lower threshold. These columns ATLAS/3 pixel tracker excluded for this study. In addition there The ATLAS/3 pixel tracker was tested in a reduction in the number of hits seen on 50 GeV pion beam at CERN in April of 1998. "right'' half of the tracker when compare the "left'' half, indicating 5.6 Risultati delThe standard used to provide four x and y un fascio di pro- that the device pixel [9] was RD42ATLAS/3 in tracker silicon reference telescope at the edge of the beam. measurements of the track, each with 2 m va In this test beam we were hesitant precision. The resulting track extrapolations expose the tracker to sufficient ioni onto stato testato con un fascio better Il pixel tracker ATLAS/3 e the plane of the diamond weredi pioni da 50 GeV al fully pump the detector since radiation to CERN than 3 risultanti dimension, significantly readout chip was nellAprile del 1998. Le tracciem in each estrapolate sul piano del diamante avevanonot implemented i better than the resolution expected from the radiation hard technology and could h una risoluzione migliorepixel 3m inWe collected 200,000signicativamente maggiore di di tracker. ogni direzione, tracks at been damaged. Figure 8 summarises quanto aspettato. Sono normal collezionate 200,000 tracce con unincidenza normale situation. state incidence to the diamond surface and understanding of the have studied rispetto alla supercie del diamantethe `pixel hit distribution,distribuzione dei pixel e e stata studiata la charge deposition and spatial correlations 100 colpiti, della deposizione di carica e della correlazione external tra il pixel tracker e between the pixel tracker and the spaziale il telescopio esterno di referenza. reference telescope. Figure il numero number of hits found In gura 16 viene mostrato 7 shows thedi hits osservati per pixel durante il test. per pixel during this test. 75
Rows

~2000 electrons. Analysis of the full data set is in progress.

50

40

25

5000

10000

20

Charge (electrons

15000

Figure 8: Comparison of the char observed in the pixel tracker (dark gr histogram) in the April 1998 test bea 0 with that seen in the same diamon 0 2.5 5 7.5 10 when it was instrumented as a str Columns tracker in May 1997 (light gr Figure 7: Number of hits per pixel seen histogram). The open histogram is Figura 16: Numero di hitsin April 1998 test beam.col fascio di prova nellAprile del based on the observed (lig per pixel osservati prediction, 1998. grey) charge and the fact that th The size of the boxes is proportional to the diamond La grandezza delle celle ` proporzionale al numero di tracce sopra la soglia was not pumped in the 199 e in ogni number of tracks above threshold in each test. pixel cell. The most questo graco `of striking feature e che eventi di particella pixel. La pi` interessante caratteristica di u Figure 7 is that charged particle hits have The solid light grey histogram is the sin carica sono stati registrati in quasi tutte le celle. the pixel cells. been recorded in almost all of strip charge observed in this diam

Ulteriori studi della distribuzione nelle colonne 4 e 6 indica che i canali delettronica hanno una soglia basssa, e perci` questo colonne sono state escluse dallanalisi. o Inoltre c` una riduzione nel numero di eventi osservati sulla parte destra del rie velatore se confrontati con quella sinistra, indicando che lapparato si trovava sul limite del fascio. Poich` il chip di lettura non ` stato implementato con una tecnologia di resie e stenza alla radiazione, il tracciatore non ` stato esposto a una suciente radiazione e ionizzante per il pumping. Ci` si pu` facilmente osservare in gura 17, dove la carica o o osservata dal pixel tracker senza pulling viene confrontata con la carica osservata dallo stesso diamante quando ` stato utilizzato in uno strip tracker con un passo di e 50 m. Da questanalisi ` stato concluso che stavano lavorando a una soglia di 3500 e e. Delle 200,000 tracce del fascio di prova registrate, il calcolo daccettanza del trigger predice che 66,000 di loro avrebbero dovuto attraversare il diamante. Escludendo le colonne 4 e 6 sono state osservati 49,000 eventi. Data una soglia di 3500 18

Number per 200 ENC

telescope [9] was used to provide four x and y measurements of the track, each with 2 m precision. The resulting track extrapolations onto the plane of the diamond were better than 3 m in each dimension, significantly better than the resolution expected from the pixel tracker. We collected 200,000 tracks at normal incidence to the diamond surface and have studied the pixel hit distribution, charge deposition and spatial correlations between the pixel tracker and the external reference telescope. Figure 7 shows the number of hits found per pixel during this test.
Rows

at the edge of the beam. In this test beam we were hesitant to expose the tracker to sufficient ionising radiation to fully pump the detector since the readout chip was not implemented in a radiation hard technology and could have been damaged. Figure 8 summarises our understanding of the situation.
100

75

60

50

40

25

5000

10000

20

Charge (electrons)

15000

Figure 8: Comparison of the charge

silicon reference telescope measu material when based on thestrip tracker with prediction, it was a observed (light small pixel dimension. We observe 50 m grey) charge and the strip that the is all pitch. The single fact charge The size of the boxes is proportional to the diamond wasto unpumped ci that is diamante not pumped intrackersias we relevant our pixel the 1998 aspettano resolution of 14.8 m, consistent elettroni e ricordando 12,500 eventi. number of tracks above threshold in each che il test. strip pitch divided by the squa pixel cell. TheNe sono stati feature of expect, and see, no significant quanto aspettato. most striking osservati 12,000, consistentemente con sharing of Figure 7 is that charged particle hits have cluster charge between neighbouring pixels. The solid light grey histogram is the singletwelve. The resolution along the d In all of the pixel cells. Thisstrip charge taken with the tracker fully been recorded in almost gura 18 viene mostrata la dierenza tra la posizione delle tracce misurate dal data was observed in this diamond ` the large pixel dimension (536 m rivelatore a pixel dopo lallineamentothe la predizione del is the E stata osservata a top-hat distribu pumped. Thus, e open histogram silicio. is, as expected, una risoluzione spaziale di 14.8 m, consistente con il 40% - our strip diviso per half maximum of abo single strip data scaled down by passo delle full width at la radice quadrata di 20.prediction for the signal expected from this pi` lungo dei pixel tails beyond the La risoluzione lungo la direzione del lato u We find minimal sample in the un-pumped state. The actual indicating that (536 m), `, come aspettato, una gaussiana con una larghezza a met` altezza di very few of the hi e a charge observed in the pixel detector is by the pixel tracker are unrela circa 500 m. Sono state trovate piccole code oltre il picco principale che indicano overlaid (in dark grey). We conclude that we charged tracks measured in the te che alcuni eventi registrati operating the tracker with acorrelati alle tracce cariche were dal pixel tracker non sono 3500 e 6 misurate nel telescopio. threshold. 2.3 Preliminary resul
in April 1998 test beam.

Figura 17: Confronto fra laobserved in the pixel tracker pixerl tracker (istogramma rosso) carica osservata nel (dark grey histogram) in the April 1998 test beam 0 e ci` 5 o che ha osservato lo stesso that seen in in modalit` strip (verde). Listogramma a with diamante the same diamond 0 2.5 7.5 10 when sulla carica osservata strip fatto che il diamante non it was instrumented as a e il Columns bianco ` una predizione, basata e tracker in May 1997 (light grey ` stato sottoposto a pumping. e of hits per pixel seen Figure 7: Number histogram). The open histogram is a

ATLAS FE/C pixel tra


Number per 7 microns
10.89 400 Constant Mean Sigma / 7 291.8 -0.5027E-03 0.1480E-01 9.678 0.4028E-03 0.3720E-03

300

200

In Nov 1998 a diamond sen bonded to a FE/C readout chip wa the ATLAS beam telescope in a 5 beam at CERN. Figure 10 shows the telescope h in mm versus the pixel hit posit direction of the small pixel dim units of the pixel pitch.

100

0 -0.2

-0.1

Small pixel resolution (mm)

0.1

0.2

Figura 18: La risoluzione spaziale del prototipo in rivelatore a pixel ATLAS/3 lungo pixel detector prototype di the y (short y pixel) view.
Of the 200,000 test beam tracks recorded the trigger acceptance calculation predicts 19 66,000 of them should have passed through the diamond tracker. Excluding columns 4 and 6 we should have seen 49,000 hits. Given a threshold of 3500 electrons and the

Figure 9: The position resolution of the

Figure 10: Correlation observed

Conclusioni

In conclusione abbiamo visto che, grazie al lavoro dei gruppi di ATLAS e RD42, il diamante sintetico CVD ` una buona alternativa al silicio per la costruzione di rivee latori. La sua ottima resistenza alle radiazioni lo rende lideale per essere utilizzato per costruire rivelatori di tracciatura, che devono essere posti nel punto di collisione dei fasci degli esperimenti dalte energie, come ad esempio LHC. Lostacolo principale al giorno doggi lo si riscontra nellelevato costo di questa tecnologia e la dicolt` dei metodi di generazione. Per questi motivi al momento a il silicio rimane ancora il materiale preferito per applicazioni di sica delle particelle, sebbene, nei futuri anni, il continuo aumento dellenergie degli accellaratori incrementer` il rischio di danni da radiazioni ai rivelatori e il diamante emerger` a a inevitabilmente tra i possibili materiali.

Riferimenti bibliograci
[1] [2] [3] R. J. Tapper; Diamond detectors in particle physics, H.H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, 2000 ATLAS and RD42 collaboration, CVD DIAMOND PIXEL DETECTORS FOR LHC EXPERIMENTS, 2000 I. Ciangaglioni, Rivelatori in diamante sintetico poli e monocristallino per radiazioni e particelle ionizzanti, Universit` degli studi di Roma III, 2008 a

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