Electreti(curs 12) -sunt mat diel cu polariz perm,obt sub act unor solicitari temice, ectrice.

Clasif:1)termoelectreti 2)fotoelectrti 3)pseudoelectreti 4)electroelectreti 5)magnetoelectreti 1)obt prin act simultana a unui camp de temperature Mecanisme de polariz: a)orientarea sarcinilor electr b)depl ionilor poz si neg c)orientarea dipolilor electrici d)strapungere al interstetului dielarmaturi -daca pred a,b,c=>electreti cu heterosarcina=>Ep scade -daca pred d=>electreti hohsarcina=>Ep creste Sarcina electrica indusa pe armature scade in timp. Q=f(t),Q scade,temp creste.Param care influenteaza sunt: Rezistivitatea si timpul de relaxare(tau) 2)sunt obt prin act simultana a unui flux de lumina+E(camp elec). -sunt fol materiale fotocond,a caror conductibilitate depinde de lumina. Iluminarea distruge instantaneu starea de polarizatie. 3)obt prin bombardament cu particule beta(injectie de e in diel) Materiale folosite:sticla cu Bohr 4)un camp dielectric aplicat unor materiale dielectrice cu polariz spontana 5)camp magnetic aplicat simultan cu camp electric. Mat folosite pt obt lor: -ceara de carnauda-timp de polariz 30 ore(si mai mult) -plexiglas-se polariz la T=150 grd si un timp de 2 ore -ceramice Aplicatii 1)traductoare de vibratii:bazate pe dependenta tensiunii de sarcina de d1 Ex:microfoanele-transf vibratia in semnal electric Avantaje:a)resist interna este foarte mare->se comporta ca un gen de current b)sensibility mare c)dimensiuni reduse si greutate mica d)frecv de raspuns f mare Dezavantaje:a)timp de viata coborat 2)aparate de masura:galvanometer | =>-simplitate constructiva Voltmeter |-rezist int mare,sensib acceptabila 3)masini electrice-motoare -generatoare 4)dozimetre de rad-aparate care masoara rad electrica 5)higrometre-disp care masoara umiditatea

Cristale lichide -mat diel,instare lichida,care prez o ordine moleculara -prez o stareintermediara intr un anume int de temp Cerinte: -deltaT:T2-T1 sa fie ff mare -materialul sa fie transparent in straturi subtiri -anizotropie pronuntata -vascozitate coborata-timp de rasp mare(timpul ce se scurge de la aplicarea campului pana cand ordinea molec se schimba) -rezist mare-impiedica amorsarea unor procese electrochimice Celula de crystal lichid -prop sunt det folosind cellule delimitate placi de sticla: -oxid de staniu:transparent si conductor -placutele sunt etansate pe conductor cu rasina sintetica Clasif: a)mod de obt-1)termotrofe -2)biotrofe 1)-enantiotrofe:procese de incalzire -monotrofe -sunt folosite in optoelectronica si geologie -prop optice sunt dependente de aranjamentul molec care va fi modif Cu aj unor campuri electrice Prop celulei de crystal lichid: -forma:ellipsoid de rotatie -in functie de dif:delta epsilon=eps(parallel)-eps(perp) >0-cristalele lichide cu anizotropie diel pozitiva <0-cristale lichide cu anizotropie negative b)dupa aranjamentul molecular: 1)nematice 2)smetice 3)colesterice (1)toate molec sunt orientate dupa acceasi dir. Centrele de greutate au o distributie aleatoare. Dupa unghiul care il face axa optica cu peretele de separatie avem: a)cristale lichidehomotrofe b)hometrofe c)struct torsionate (a)axele polare sunt paralele cu peretele de separatie -cu cat straturile sunt mai subtiri timpul de raspundere e mai mic (b)axele polare perpend pe peretii de separatie (c)rasucirea axelor polare pana la 270 grade (2)molec sunt ordonate in plane paralele.centrele de greutate sunt coplanare. Avem variantele: -smetic A -smetic B -smetic C -unghiul cu normala l aplan este 0

-axa polara e perp pe planul de separatie (3)axele optice sunt coplanare la fel ca centrele de greutate -pas colesteric-dist cea mai mica dintre 2 plane -efectul tubului electric asupra molec ed crystal lichid se modif aranjamentului olecular; Se aranjeaza a.i. componenta cea mai mare permitivitatii sa coincide cu directia ampului. Dc val campului depaseste o tens de prag,Aranjamentele se schimba

Cristale lichide Efectul campului electric asupra molec de crystal lichid -se modif aranjamentul molecular a)vor avea loc tranzitii-tranzitii homotrop-homeotrop CL-ADP -componenta permitiv cu valoare mare sa se alinieze dupa camp ;K11,K22,K33-coef elastici | Tens de prag(aranjamentul e dat de fortele elastice -timpul ce se scurge din momentul aplicarii campului pana cand molec se reorienteaza:depinde de grosimea peliculei de crystal

Ma>Mr->are loc tranzitia b)tranzitii homeotrop-homotrop CLAND -daca tens de prag: Eps(parallel)< eps(perp) daca are loc tranzitia Ma>=Mr c)tranzitii homotrop tensionathomotropCL-ADP

Ma>Mr-se modif prop optice.. Efecte electrooptice in cristale lichide -se modif aranjamentul si proprietatile optice a)Efectul de camp-datorita campului aplicat 1)modif transparentei

2)efecte de culoare:absorbtia sau reflectia luminii b)Efecte de camp-prezente la cristale lichide cu resist mica -imprastierea luminii polariz (1) CL-cu anizotropie diel posit(ADP)

(2)siimulat prin folosirea subst dicroice care au prop: -molec are forma molec cristalului lichid;un amestec de coloranti se orienteaza dupa molec CL -absorb din lumina alba o componenta,absorbtia fiind dependenta de orientarea molec dioice.

(3)birifrigenta-dedublarea undei radiatii incidente dupa parcurgerea unui strat de material diel(in acest caz CL)

-apar diferente de drum =>dif de faza Itransmis=Iincident sin(patrat)2alfa*sin(patrat) [pi*d*delta(n)/ lamda Delta(n)->diferenta de drum datorat tens aplicate Alfa-unghiul dintre direct luminii si axa optica Celule de afisaj cu cristale lichide -afiseaza secv-cu cele 7 segm afiseaza cifrele0-9

1)7 pelicule conductoare si transparente contactate electric la terminale -n depune o pelicula conductoare si transparenta 2)-peste placuta (1) punem o rama 3)placuta de sticla pe care eset depusa o supr dreptunghiularacontactata la terminalul 0 Avantaje: -putere consumata foarte mica,tens mica -pot fi conectate direct la circuite cu complexitateridicata -unghi de vizibilit mare

-pt minimalizarea afisajelorminimalizarea contactelor B.Materiale mangnetice -sunt materiale care prezinta stari de magnetizare-au o stare caract prin moment magnetic al unit de volum -mat care modifica distributia campului magn unde se afla -deriva din miscarea unor sarcini electrice-miscarea electronilor pe orbita si in jurul axei:-moment magn orbital sau moment magn de spin -moment magn elementar=suma mom orbitale si de spin care poate fi:0 dif 0->paricula are moment magn spontan -starea magn: a)temporara-dispare o data cu disparitia campului b)permanenta-invers Legatura dintre M,B,H: ..

Clasificare: -susceptibilitatea magnetica 88 miu indice r: -diamagn -paramagn -feromagn -anteferomagn -ferimagn

Materiale magnetice 1)Materiale diamagnetice (Cu,Au,Ag,Ge,Si,aliaje) psi inde m(Xm)<0 si miu ince r <1 2)Materiale paramagnetice(Al,Pt,Cr,Mn) (Xm>0)si miu indice r>1 Pentru ambele categorii atomii nu prezinta momente magnetice orbitale. 3)Materiale feromagnetice(Fe,Co,Ni,aliaje) (Xm>>0) si miu inde r >>1 - permeabilitatea deriva din faptul ca particulele prezinta momente magnetice spontane derivate din faptul ca au electroni necompensati in paturile electronice profunde - momentele magnetice elementare ale particulelor se orienteaza dupa aceeasi directie pe domenii limitate iar rezultantele sunt orientate aleator a.i. suma m indice i =0 la Hext=0 - orientarea pe domenii este o consecinta a faptului ca E

schimb>0(componenta a energiei electronilor care sunt in cuplaj in campul atomilor invecinati.) Depinde de distanta interatomica si raza paturii atomice) - Mn are 5 electroni necompensati, dar nu este feromagnetic - pentru aliaje miu r poate ajunge la 10la puterea 6 - pot fi folosite in domeniul de frecvente 10-15 KHz Utilizari -miezuri pentru bobine si transformatoare, pentru masini electrice, generatoare electrice, motoare electrice -generatoare de camp magnetostatic(circuite magnetice cu magneti permanenti(materiale magnetice dure)) -inregistrarea magnetica a informatiei analogice -miezuri de memorie si comutatie circuite de putere -traductoare piezomagnetice materiale la care exista o dependenta reciproca intre marimile magnetice si cele elastice -stabilizatoare fero-rezonante stabilizatoare de tensiune alternativa bazate pe dependenta B=f(H) si fenomenul de rezonanta la f=50 Hz. -amplificatoare magnetice bazate pe dependenta B=f(H). Permeabilitatea magnetica complexa si tangenta unghiului de pierderi Permeabilitatea magnetica complexa reprezinta o marime ce ofera o informatie privind interactiunea dintre materialele magnetice si camp . .. 1)partea reala a permeabilitatii magnetice complexe ofera o informatie referitoare la gradul de magnetizare sau de cate ori creste inductivitatea unei bobine cu miez fata de una fara miez(pentru bobinele cu valori mari si dimensiuni mici) 2)partea imaginara a permeabilitatii magnetice da informatii referitoare la pierderile in materialul magnetic. .. .. Factorul de calitate de material: .. .. Marimi ce caracterizeaza un material magnetic . . Aceste perechi de valori dau informatii pentru utilizarea materialelor magnetice in anumite domenii de frecventa si temperatura. Curba de magnetizare.Marimi ce

caracterizeaza materialele magnetice in diverse regimuri de functionare Dependenta dintre M si H sau B si H(dependenta neliniara) = curba de magnetizare .. .. La H=0 inductie remanenta Br. La B=0 camp magnetic coercitiv Hc. Pentru revenirea la starea initiala se reparcurge ciclul dupa cicluri din ce in ce mai inguste in final demagnetizarea materialului care este necesara in cazurile(se folosesc campuri variabile care scad) -ceasurile mecanice(timpul este dictat de balansier) -tuburile cinescop 1). Permeabilitatea magnetica statica In regimuri statice HaBasunt constante in timp la electromagneti alimentati cu tensiune continua 2).. . Permeabilitatea magnetica diferentiala . .. se folosesc aceste permeabilitati la amplificatoare clasa A de semnal mic 3). Permeabilitatea magnetica initiala Miu indice i panta tangentei dusa la curba de prima mahnetizare in origine se foloseste la realizarea de filtre magnetice(bobine cu miez magnetic) 4). Permeabilitatea magnetica reversibila 5)Permeabilitatea magnetica permanenta . Influenta interfierului asupra caracteristicilor unui circuit magnetic .. . .. .

magnetizare;d)pierderi prin rezonanta magnetica.

Pierderi in materiale feromagnetice: Sunt determinate de procese fizice care au loc in prezenta unor campuri magnetice variabile.Tipuri de pierderi in materiale feromagnetice:a)pierderi prin curenti turbionari;b)pierderi prin histerezis;c)pierderi prin

raza mai mica L~H0;-coeficient giromagnetic.Energia pierduta pentru a)apar datorita curentilor indusi in materialele magnetice strabatute de campuri magnetice variabile;cu cat rezistivitatea este mai mica,pierderile sunt mai mari;evaluarea curentilor prin curenti turbionari se face: 1)la 50 Hz avem relatia Pt(W/kg)= /G * dfBmax;f=frecventa;=rezistivitate ;=densitate;Bmax=inductia magnetica;d=grosimea circuitului magnetic(dimensiunea perpendiculara pe liniile de camp magnetic).f,Bmax si se dau.Daca dscade si creste rezulta pierderile scad rezulta tole magnetice;creste prin alegerea unor materiale de aliere care cresc rezistivitatea. 2)gasirea lui sau tg se aplica pentru frecvente f>50hz;regim static suprapus peste regimul dinamic=(revthX*(1+j)/2)/X*(1+j )/2,x=d/-adancimea de patrundere =/0revf-distanta de la suprafata materialuluila care campul magnetic H scade de e ori. este cu atat mai mare cu cat f este mai mica. In regim de joasa frecventa:x<1 =>

Daca f creste rezulta pierderile scad b)Pierderi prin histerezis:-datorat parcurgerii ciclului de histerezis W=HdB=Aciclu histerezis Phisterezis=f*Aciclu histerezis=f*HdB;Pentru evaluarea Phisterezis trebuie determinate aria cilclului prin metodele urmatoare:1)Prin aproximarea cilcului prin segmente de parabola metoda exacta daca materialele lucreaza pana la saturatie.2)Determinarea experimentala a ciclului de histerezis in conditii reale de functionare;3)Metoda Steinmetz Acicluhisterezis=Bmax unde si n sunt constante de material rezulta neliniaritateintre B si H;Pentru SiFe:1,6<n<2.2;Hc-valoarea campului magnetic coercitiv:pentru Hcmic pierderi mici;c)sunt datorate energiei pierdute/consummate pentru orientarea dupa campul magnetic exterior a momentelor magnetice spontane sub actiunea campului apare o rezistenta datorata fortelor intermagnetice,sunt asemanatoare cu pierderile prin polarizare de la dielectrici; tinde la 0 alinierea se face prin miscarea circulara a varfului vectorului pe niste cercuri cu

la cresterea lui curenti turbionari mici,concentrati maxima de Si mentinerea miscarii giromagnetice reprezinta pierderile prin rezonanta magnetica.Acest fenomen are loc la frecvente mari(sute de MHz)si se pune in evidenta numai daca se minimizeazapierderile de la a),b),c);dscade de 2 ori pelicule feromagneticepe support dielectric;creste de 2 ori ferite; Exemple de materiale feromagnetice: Clasificare dupa valoarea lui Hc:1)materiale magnetice moi :caracterizate prin Hc<80A/M,pierderi prin curenti turbionari mici. 2)Materiale magnetice dure:Hc>4kA/m Clasificare dupa raportul Br/Bmax: Br/Bmax<0.5cilcul de histerezis este inclinat puternic;dif=ct cand Hcreste-inductivitatea bobinelor cu miezuri avand aceasta proprietate este const la variatia lui H->bobine etalon; -0,5<Br/Bmax<0,8 - >aplicatii de putere mare,bobine si transformatoare,cicluri de histerezis puternic inclinate; -Br/Bmax>0,8 - circuite de memorie numerica(informatii binare),cilcu de histerezis dreptunghiular,circuite de comutatie cu el magn,la H=0 punct de stare(-Br)-info 0,(+Br)-info 1. 2)Materiale magnetice dure (cu magneti permanenti): valoarea mare a lui Hc-aria ciclului de histerezis este mare,punctual de stare se plaseaza pe curba de magnetizare,partea din cadranul doi a ciclului de histerezis.utilizari: daca Br/Bmax < 0.4 inregistrarea magnetica a informatiei analogice;daca Br/Bmax>0.4 generatoare de camp magnetostatic. Materiale magnetice moi-clasificare dupa caracteristici magnetice,materiale cu i,max mare,Bsat creste,=ct cand Hcreste; Compozitia chimica: elemente simple FeBsaturatie mare=2.15T;i,maxcreste~10*10; Cristalizeaza in reteaua cubica,scade curenti mari prin curenti turbionari;este folosit drept component al unor aliaje feromagnetice sau in c.c.;folosit ca ecran de protectie a unor componente fata de campuri de frecvente ridicate(campuri perturbatoare);Ni,Co}proprietati inferioare,prezente in aliaje pe baza de Fe,Ni imbunatateste Bsat;i,max relativ mari =10*10dupa directia in care este cea mai mare ->dupa muchia principala a diagonalei in reteaua cubica. Aliaje feromagnetice:FeSi component de baza;prezenta Si duce

alni,alnico(Al+Ni);(Al+Ni+Co) - dure si casante si nu pot fi prelucrate 4.5%,peste aceasta valoare aliajul devine dur si casant;realizat prin turnare sau prin tehnologia pulberilor presate si sintetizate se pot obtine: tabla FeSi prelucrata prin laminare la cald,laminare la rece;proprietatile optime se obtin prin tratament termic;folosita la realizarea de tolefolosite pentru miezuri magnetice pentru bobine si transformatoare 50Hz,joasa frecventa-fmax=(1012)KHz;miezuri magnetice pentru masini electrice-motoare si generatoare(50Hz);relee electromagnetice utilizate in instalatii de automatizare;transformatoare de masura;stabilizatoare ferorezonante; FeSiAl max = 10*10*80 - > %Si creste materialul devine dur si casant;max=80*10*10;folosit la ecrane magnetice cu geometrie simpla sau la circuite magnetice realizate prin tehnologia pulberilor presate si sintetizate;NiFe Permaloy, Concentratia de Ni [35%,90%] consecinta i ,max mare 1,5*10*10 adios de Mr;Bsat mica sub 1T;Hc mic ->aria cilcului de histerezis mica,pierderi mici prin histerezis;mica pierderi mari prin curenti turbionari,pot fi obtinute insa folii subtiri >fmax = zeci kHz;iscade,Bsat creste,Hc creste,creste; Materiale sensibile la socuri si vibratiii-scade max;sensibilitatea este mai mare pentru materialele cu mare;proprietatile magnetice pot fi insa refacute prin tratamente termice.Aceste aliaje pot fi obtinute prin combinarea componentelor de baza(Fe,Ni)cu alte componente in cantitati mici,dar de puritate ridicata(Cu~ct la H variabil,CoBsat mare,Momax mare) Curs 16 Materiale magnetice dure

Exemple de materiale magnetice dure: Oteluri aliate:Fe+C(procente reduse) prt redus,propr slabe;material Vicalloy Fe+1215%Va(vanadium scump);materiale Remendur (3-4)%Va + Fe;aliaje crom nichel;aliaje

prin procese tehnologice;pot fi slefuite cu piese abrasive;cele mai bune prorpietati le are AlNiCo;Bsat(BH)maxcreste;prelu crate prin procese de topire a componentelor si procese de racier rapida in prezenta campului magnetic;aceste aliaje ocupa 40% din aplicatii(daca excludem feritele,raman doar 25%). Stabilitatea magnetilor permanenti: arata modul in care se mentine constant fluxul in intrefier;caderea sta accentuata daca circuitul este supus unor variatii de temperatura;stabilitatea proprietatilor magnetice este dependenta de tehnologia de obtinere,de regimul de functionare si de pozitia punctului de stare; -doua regimuri de functionare:staticin intrefier este ct(A isi pastreaza pozitia);dynamic:variabil(A variaza cyclic modificarea ciclica a intrefierului); daca variatia e mare,lui Aii variaza pozitia pe ciclul de histerezis local a carui inclinatie descries de p ; Aplicatii: dispozitive acusticedifuzoare,microfoane;aparate de masura magnetoelectrice(masurarea curentului sau tensiunii);vitezometre;masini electrice;generatoare sau motoare electrice(la realizarea polimasinilor electrice): dispare infasurarea de excitatie;creste fiabilitatea;platouri de prindere pentru masini unelte;dispozitive electronicegeneratoare de microunde(magnetroane);dispozitive utilizate in marina si aviatie civila; Materiale ferimagnetice(ferrite): compozitie:FeO3 + oxizi metalici(metale Mn,Zn,Li,Ni,Mg,Ba,Sr).Sunt preparate in foarte multe variante cu proprietati diferite datorita materialelor componente.pot fi utilizate la JF IF si FIF.Proprietati: Pierderi foarte mici:ferrite folosite la sute de MHz;rezistente la actiunea agentilor climatici,a acizilor;dure si casante-prelucrate prin slefuire;permeabilitatea relativa<<cea de la materiale feromagnetice>>;permitivitate dielectrica-mare la JF,scade la IF;proprietatile sunt dependente de natura componentilor,de proportiile lor,de parametrii procesului de presintetizare,de dimensiunile granulelor(de macinare) obtinute in acest process. Etapele ce se impun la realizarea unui circuit magnetic:1)alegerea componentilor in raportul dorit;2)omogenizarea elementelor

componente;3)brichetarea:prin presarea in matrice simpla se obtin piese paralelipipediceproces de sintetizare:ardere la temperatura ridicatase obtin brichetele;4)realizarea circuitului magnetic-transformare in pulbere prin process de macinare,amestecare cu plastifianti si lianti(acid stearic,produse pe baza de celuloza);5)formarea miezurilor magnetice:extrudere-pentru miezuri cilindrice(presare prin duze cu sectiunea circulara);presare in matrite la cald sau la rece;6)sintetizare:process de arderese elimina plastifiantul-se obtine circuitul magnetic.Structural-ferite cu structura spinelica(a),cu structura hexagonala(b),cu structura granat. a)denumirea provine de la o structura cristalografica cu forma cubicadenumita spinel.structura chimica FeO3MeO-ionii de oxigenmetalici.O celula elementara 8 molecule 64 de interstitii tetraedice-8 ocupate sau 32 de interstitii octaedrii 16 ocupate; Hc mic suprafata ciclului de histerezis este mica; b)celula de baza are forma unei prisme hexagonale(=120);metale folosite:Ba,Sr ferrite de inalta frecventa sau ferrite cu caracteristici magnetice dure;Hc creste = 20KA/m;avantaje densitate mica;dezavantaje stabilitate proasta;structura clasica:BaO6Fe2O3;formula chimica FeMe3Fe5O3 grupa pamanturilor rare(R) ;inductie Bsat mica (0,15 0.17T);amortizare redusa a miscarilor de spin;magnetizarea se anuleaza si T<Tc(T- temperatura de tranzitie la care materialul devine paramagnetic);utilizari-circuite de microunde:filtre magnetostatice,memorii magnetice. Curs 17 Materiale semiconductoare Rezistivitatea = (1010*10)cm;Clasificare:a)du pa structura chimica:simple din gr 4 :Ge,Si,C ;din gr 5 : P,As,Sb ;din gr 6 :S,Se,Te; Se este un material semiconductor folosit frecvent la realizarea tamburilor la copiatoare. Compusi - -compusi binary AB : A3B9 GaAs,GaP,InSb; A3B6: sulfuri,selenuri ; A4B6 : SiC ,SiG Compusi ternary ABC ; compusi cuaternari ABCD ; compusi oxidici : CuO,ZnO.:folositi pt realizarea unor dispozitive neliniare. b)dupa legatura interatomica: cu legatura interatomica covalenta : gr4,compusi binary; leg interatomica mixta :covalenta + ionica; c)dupa structura cristalografica: cubica(diamant): gr

4,A3B5;hexagonala A2B6; monodinica,ortorombica,policristalin a cu rezultate modeste,sunt mai ieftine. Conductivitate : = 1/ = enn + enp;Mobilitatea n ,p (pt e si goluri);viteza unei particule intr-un camp de 1V/m ;cm/vs;Constanta de difuzie Dn,Dp dependenta de mobilitatea primei relatii Dn = KT/e *n ,Dp = KT/e *np;Banda energetica interzisa e o marime strict corelata cu ,cu cat e mai mare cu atat banda e mai mare);Energia de activare(a impuritatilor donare si acceptoare)[Ev];temperatura de topire Ce 9,37C;Si 1014C; GaA 1442C;Reactivitatea chimica Tehnologia de obtinere a materialelor semiconductoare;Ge surse : minereuri,sunt foarte putin raspandite in scoarta;in subprodusele de la metalurgia neferoasa;in subprodusele de la arderea carbunelui(coxificare);Etape:a)obtine rea GeO2 brut;b)purificare GeO2;c)prin reactie de reducere folosind H2 > Ge,H2O;d)purificarea directa nu da rezultate:se obtine un alt produs,tratare cu HCl rezulta GeCl4;purificarea GeCl4 tratare cu HCl;rectificare cin coloane de distilare,hidroliza GeCl4+H2O rezulta GeO2; GeO2+H2Ge; Si se gaseste in natura din abundenta(27% din scoarta e formata din silicati);Si tehnicB,P,As compusi prin r de reducere sau descompunere tehnica:SiCl4,SiH4(silan),SiHCl3(tri closilan);SiCl4 :agenti reducatori Zn(pt ca e sufficient de activ din punct de vedere chimic),Zn nu reactioneaza cu Si,H2 SiH4 descompunere termica,incalzirea se face prin filamente W,Ta,CrNi,(depunerea se face pe support cald);descarcari electrice support rece;SiHCl3 :Descompunere. Purificarea fizica a materialelor semiconductoare: principiul care sta la baza proceselor de purificare fizica al segregatiei (separatiei) impuritatilor NsNL;Coef de segregatii : K=Ns/NL e o caracteristica a unei anumite impuritati in semiconductor,k<1 scaderea Ttop,k>1 cresterea Ttop.

-din baza saturata

Curs 18.Monocristalizarea materialelor semiconductoare Etape: a)nucleatia:obtinerea unei particule stabile termodinamic 1)specie de atomi omogena:-din baza lichida

2)mai multe specii heterogene-din baza solida

A B-elem sunt la echilibru B C-zona de ech dintre gaz si lichid B D-zona de ech dintre licchid si gaz B-pct triplu -Nucleatia se obt plasandu ne pe faza AB Tranzitia:0 la fi constT1coboara spre T2cobor cu eps(secund) valori deltaT>T2-T1 supraincarcare critica 0 laT1=constP1creste spre P(eps secund)=P2/P1-supraincarcare critica -la mat.+solvent:nucleatia poate fi obt dupa schema:la T0 sol saturata -T1sol suprasat(instabila)(se depune pe peretii incintei)tinde la saturatie -Monocrist-proces de transfer de masa de la lichid la solid,de la gaz la solid in care part se depl catre supraf generatorului, cedand nucleului caldura;gradul de mobilizare depinde de leg interatomice. Metode de monocristalizare: A)din faza lichida: 1)din topitura 2)din solutie 3) B)din faza gazoasa: 4)PVD 5)CVD -metoda Bridgman(pt mat metalice,cea mai simpla) -extragere din topitura(Czochralsky) -metoda gradientului termic -metoda fluxului Starile pastreaza orientarea cristalografica a substratului (4)materialele se evapora;particulele evaporate se condenseaza pe substraturi Temp evaporarii<==temp topire(temp joasaprocesul poate fi controlat) (5)mat ce se depune rezulta dintr o react chimica -temp este ridicata (2)Conditiile pt mat: -temp de topire acceptabila(<2000 grde) -conductivitate termica cat mai mare -vascozitate si toxicitate redusa -sa nu prezinte tranzitii de faza sau sa nu se descomp la temp de topire

(c)-derivata din metoda de masurare a pierderilor dielectrice MASURAREA PARAM MAT CONDUCTOARE 1)tipul de conductivitate(de tip p sau n) 2)masurarea rezistivitatii 3)durata de viata a purtatorilor excedentari 4)densitatea dislocatiilor pe monocristal (1)a)semnul tens electromotoare b)caracteristica I=f(U) a unui contact punctiform (a) -in urma incalzirii se modif molec purt de sarcina -1(+) se pozitiveaza fata de sonda 2 -1(-) fata de 2 contact punctiform intre fir metlaic si semiconductor

(2)-pt a det concentratia de impuritati folosim unele diagrame predeterminate

Metode: a)metoda celor 2 sonde b)metoda celor 4 sonde c)metoda fara contact-pe baza pierderilor dielectrice (a)

-depunerea se face prin procesul de evaporare termica a Ag sau Au -supr esantionului e f bine slefuita -dist dintre sonde e f bine masurata -curentul injectat e suficient de mic pt a nu se incalzi proba Dezavantaje: -cerinta de prelucrare a esantionului -metalizarea partilor laterale (b)

-dispersii mari pt coefde amplif in curent si frecv maxima -metoda prezinta un dezavantaj>prelucrarea esantionului -este suficient de precisa daca se lucreaza la joasa frecv -in practica cea mai folosita este metoda celor 4 sonde deoarece cere procesari minime ale esantionului 3)durata de viata-dupa tipul injectiei: -metoda relaxarii fotoconduct-prin impulsuri de lumina -metoda modulatiei conductibilitprin injectia impulsurilor de lumina

Gc-generator de curent cont Pz-placheta test Df-disp de focalizare O-osciloscoopGsc-gen de sincronizare 4)-apar defecte structurale:punctuale,liniare,spatiale a)datorita prezentei unor atomi suplimentari;nu pot fii puse in evidenta b)datorita unor intreruperi ale planelor atomilor;atomii ordonati in plane paralele Metode prin care se obt concentratie const Ns=const -Ns creste->in scopul obt unor jonctiuni semiconductoare -alierea-proces de impurificare care consta in plasarea pe semicond a unui esantion si trecerea printr-un ciclu termic

Conditii: -materialul de impurificare trebuie sa fie impurificat activ(sa creeze zone de tip n sau p) -k si solubilitatea in faza solida sa fie cat mai mare -solubilit-concentratia max de impuritate ce poate fi obt dintr un semicond solid -coef de dilatare al materialului impurificat si al semiconductorului -temp de topire a materialului<temp de topire a semicond -materialul semicond:supr f bine slefuita si decupata(sa fie eliminata de impuritati) -struct cristalografica cat mai buna Avantaje: -proces f simplu -jonct obt sunt abrupte Dezavantaje:

(2)DIFUZIA-proces de trecere a impuritatii din zone cu concentratie mare spre zone cu impuritati mici -mediu caract prin concentratie mare e in stare gazoasa,iar cel caract prin concentratie mica e in stare solida -aceste impuritati sunt aduse la suprafata semicon printr un gaz neutru -cant de impuritate este evaluata prin presinuea partiala e impuritati -sursele atomilor de impuritate: a)solide b)lichide c)obtinute in urma unor react chimice (a)-temp sursei solide<temp esantionului (b)-BBr3-bromura de bohr (c)-intre agentul de transport si elementul impurificator Ga2O3->H2->Ga+H2O -se desf in 2 etape: a)difuzie din sursa infinita(predifuzie) b)difuzie finita(difuzie propriu-zisa)