CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA

PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA I

28/01/2015

ORDINAMENTO: DM270 E DM509

ORDINAMENTO DELLO STUDENTE: □ DM270 □ DM509

Il sottoscritto ……………………………………….………………., consapevole che le dichiarazioni

mendaci sono punite ai sensi del codice penale e delle leggi speciali in materia,
DICHIARA, SOTTO LA PROPRIA RESPONSABILITA’, DI AVERE SUPERATO GLI ESAMI
DI CHIMICA, ELETTROTECNICA E FISICA I.
FIRMA

…………………………………………
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Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

L’ampiezza della banda proibita del Silicio, con l’aumento della temperatura :
A Aumenta
B Diminuisce
C Rimane inalterata
D Cambia natura
Una regione di semiconduttore caratterizzata da una concentrazione di donori pari a 1015 è
successivamente drogata con 1015 accettori. A temperatura ambiente la concentrazione degli
elettroni in questa regione sarà pari a:
A zero
B 1010
C 1015
D 2 ·1015
Una giunzione pn polarizzata in diretta è attraversata da una corrente di 5 nA in presenza di una
tensione di 500 uV. La potenza, espressa in W, dissipata sulla giunzione è pari a :

P= V I = 5 10-9 * 500 10-6 = 25 10-13 W

Il β di un BJT è definito come:

A IC/IB
B IC/IE
C IE/IB
D IB/IC
La tensione di soglia di un NMOS ad arricchimento indica:
A Il valore minimo di tensione per il quale il dispositivo si accende
B La soglia massima di tensione applicabile al dispositivo
C Il valore minimo di tensione per il quale il dispositivo si spegne
D Il valore minimo del segnale che il dispositivo è in grado di amplificare

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Derivare, adottando il metodo a controllo di carica, l’espressione della corrente di lacune nella
regione N di un diodo. Supporre Wn << Lp.

Wbn

Q p = q ∫ ( pn ( x) − pn 0 )dx
Wn

1
Qp = qWBN ( pn (Wn ) − pn 0 )
2

VD
VT
pn (Wn ) = pn 0 e
2 VD
1 n i VT
Qp = qWBN (e − 1)
2 ND

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2 VD
1 n i VT
Q p = qWBN (e − 1)
2 ND
∂Q Q
= Jp − = 0
∂t τ
2 VD
11 Q n i VT
JP = = qWBN (e − 1)
τ τ 2 ND

2 VD
qDP n i VT
JP = (e − 1)
WBN N D

2
W
τ tr = BN
2Dp
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Per il circuito di figura, utilizzando il grafico fornito, disegnare la retta di carico e individuare il
punto di lavoro (VGSQ, VDSQ, IDSQ) del MOSFET. In quale regione di funzionamento lavora il
transistore?

R1

6,8k

J1 V1
4V

I=0, V=4 VGS=4 V

I= 4/6,8=588 µA, V=0 VDS= 1,65 V
IDS= 350 µA

il punto di lavoro ci
dice che opera in
regione triodo.

inoltre
VDS<VGS-VT

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STUDENTI DM270 e DM509

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3,6·10 J di energia elettrica costano € 0,25. Quanto costa tenere accesa una stufa elettrica della
potenza di 2 kW per un’ora?

2 kW consegnano al carico, in un’ora, 2000 J/s * 3600 s = 7,2 106 J

Il costo è quindi pari € 0,5

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Si consideri il circuito illustrato nella figura sottostante. Il segnale sinusoidale v1 presenta le seguenti
caratteristiche: v1ampiezza = 100mV v1frequenza = 1KHz v1offset = 0
a) Determinare il valore dell’ampiezza della componente AC di Vo usando il modello del diodo per piccolo
segnale;
b) Verificare che l’ipotesi di piccolo segnale sia soddisfatta

Per il diodo si assuma il modello equivalente a caduta costante (Vγ=0.7 V), un fattore di idealità n=1 e una
temperatura di 300K.

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