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Elettronica I – prova di verifica n.

1 – 16/4/2015

Esercizio n.1
A
Con riferimento al circuito di figura:
1. determinare il punto di lavoro (corrente,tensione) dei diodi D1, R2
D2 nel caso in cui V1=8V. V1 R3
2. rappresentare graficamente la caratteristica di trasferimento
VAB(V1) per 0.5 ≤ V1 ≤ 10V. D2
3. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare le D1
R1
simulazioni relative ai punti precedenti. V2
DATI: R1=1k, R2=1k, R3=1k,V2=1V, D1, D2: (VON=0.7V, B
RS=0, IS=1nA)

VDD

Esercizio R2 RD
Con riferimento al circuito di figura determinare il punto di lavoro
M1
(ID, VGS, VDS) di M1
DATI: VDD=10V, R1=2k,R2=2k, RD=1k,M1: (VTN=1V,
K’N=200A/V2, W=1m, L=1m) R1

Esercizio
Con riferimento al circuito in figura determinare l’intervallo di
valori di RL per cui la porzione di circuito entro il
tratteggio si comporta come un generatore di corrente ideale (IL)
rispetto al carico RL stesso.

DATI: VCC=10V, VBB=5V, RB=1k, Q1: (F=100, VBE,ON = 0.6V)


Soluzione

Il circuito può essere ridisegnato come in figura (destra). La parte


di circuito a monte del tratteggio può essere schematizzata con il
suo equivalente di Thevenin ottenendo la rete semplificata (in
basso a destra) (non calcoliamo Rth poichè non passa corrente).
R1
Vth  VDD  5V
R1  R2
La rete è descritta dal sistema di equazioni

Vth  Rth I G  VGS  VGS  5V (eq. maglia ingresso)



VDD  RD I D  VDS (eq. maglia uscita)
 I  f V , V  (curva IV di M1)
 D DS GS

dove la curva IV di M1 è completamente definita dai due


parametri VTN e KN = K’NW/L = 200A/V2.

Poichè VGS = Vth = 5V > VTN  M1 ON

ID
RD
Ipotizziamo M1 in saturazione (circuito equivalente in figura) Rth D
G M1
VDD
Il sistema di equazioni da risolvere diventa: ID,SAT
Vth IG S

RS
VGS  Vth  5V

 KN
 I D  I D , SAT  VGS - VTN 2  1.6mA
 2
VDS  VDD  RD I D  8.4V  VGS - VTN = 4V  ipotesi OK

Il punto di lavoro di M1 risulta:

 I D  1.6mA

Q1 : VDS  8.4V
V  5V
 GS
Soluzione

I valori di RL per cui il circuito si comporta da generatore ideale di corrente sono i valori per cui Q1
è in zona attiva diretta. Ipotizziamo quindi Q1 in zona attiva, e vediamo per quali valori di RL
l’ipotesi risulta vera. La zona attiva è caratterizzata da

 I L  F I B

VBE  VBE ,ON

VBB  VBE
IB   4.4mA
RB
I L   F I B  440 mA

L’ipotesi risulta vera per quei valori di RL tali

 I B RL  0
<

VCB RL  0
<

La prima disequazione risulta vera per ogni valore di RL (IB non dipende da RL). Dobbiamo
quindi risolvere la seconda:

VCB = VC-VB 0
<

VCC − RL I L
< VCC  VBB  RBIB
VΒΒ − RBIB  RL <  21.4Ω
IL
Elettronica I –6/7/2015

Esercizio

Con riferimento al circuito di figura VDD


RD
CAD
1. verificare che M1 è polarizzato in saturazione e determinare
il punto di lavoro (ID, VDS, VGS). M1 iO
RL
2. determinare i parametri del modello di piccolo segnale di CG RG
M1 (gm, ro, CGS, CGD) CAS RIN

RS ii
RI
VSS

DATI: VDD=20V, VSS=-10V, RG=1M, RD=5k, RS=5k, RI=100k, RL=50,


M1:{K N(KP)=204A/V2, VTN=0.5V, W=1m, L=10m}

NOTA: si dimostrino tutte le equazioni utilizzate a partire dal modello di ampio segnale del transistor

VCC
Esercizio n.2

Con riferimento al circuito in figura, determinare il punto di lavoro (IB, IC, IE, VBE,
Q1
VBC) di Q1 utilizzando il modello di Ebers-Moll.

IEE
DATI: VCC=5V, VEE=-15V, IEE=100A, Q1: (IS=0.1fA, F=0.95, R=0.5).
VEE
Soluzione VDD
RD
In DC le capacità sono circuiti aperti. Identifichiamo correnti e nodi nel
circuito come in figura. D ID
G
Poichè è noto che M1 è polarizzato in saturazione, la rete è descritta dal
sistema di equazioni (IG=0)
RG S ID

0  VGS  RS I D  VSS (eq. maglia ingresso) RS
 * VSS
VDD  RDS I D  VDS (eq. maglia uscita)
 K
 I D  N VGS  VTN 2 (curva IV di M1 in saturazione)
 2
con

VDD
*
 VDD - VSS  30V

 RDS  RD  RS  10k
 W
 K N  K N'  20.4 A/V 2
 L
Sostituendo la prima nella terza si ottiene una equazione di secondo grado nella variabile incognita ID

aI D2  bI D  c  0

con

 RS2 K N
a   255A 1
 2
b  RS K N VSS  VTN   1  1.97

c  K N VSS  VTN   920 μA
2

 2

  b 2  4ac  1.71
 b   7.2mA
ID  
2a 0.5mA
 26.6V  0 soluzione non accettabile
VGS  VTN  I D RS  VSS   VTN  
 7V  0 soluzione possibile
VDS  VDD
*
 I D RDS  25V  VGS  VTN  7V soluzione OK

Il transistor M1 risulta effettivamente polarizzato in saturazione e il punto di lavoro è:

 I D  0.5mA

Q1 : VDS  25V
V  7 V  V  7.5V
 GS TN

Soluzione p.2 CGD


Il modello di piccolo segnale completo è riportato in
G D
figura. I parametri del modello sono funzione del punto CGS ro
gmvgs
di lavoro (ID-VDS); poichè è noto che M1 è polarizzato
in saturazione il modello di piccolo segnale a medie-
basse frequenze è
S
KN
iD  vGS  VTN 2 1  v DS 
2

I parametri del modello sono (=0)

i D
gm   2 K N I D 1  VDS   143 A/V
vGS Q  po int
1
 i 
ro   D   1  VDS  
 v DS  I D
 Q  po int 
Esercizio
VCC
Con riferimento al circuito di figura

1. verificare che Q1 è polarizzato in regione attiva diretta e RB RC CAC


determinare il punto di lavoro (IC,VCE) CAB
RIN
2. determinare i parametri del modello di piccolo segnale Q1 RO
di Q1 (gm, ro, r ,0) CAE
RI vO
3. determinare, nell’intervallo delle medie frequenze
(CAB→∞, CAE→∞), la resistenza di ingresso (RIN), la
vI RE RL
resistenza di uscita (RO) e il guadagno di tensione
AV=vo/vi

DATI: VCC=15V, RB=500k, RE=10k, RC=1k, RI=100, RL=10M, CAC→∞, Q1:{F=47, VBE,ON=0.6V}
Soluzione

In DC le capacità sono circuiti aperti e la rete si riduce come in figura a


destra.

Poichè è noto che Q1 è polatizzato in zona attiva diretta risulta VBE=VBE,ON


e IC=FIB. La rete è descritta dal sistema di equazioni

VCC  RB I B  VBE ,ON  RE I E (eq. maglia ingresso)



VCC  RC  F I B  VCE  RE I E (eq. maglia uscita)
I  I   I (eq. nodo E)
 E B F B

da cui si ottiene

VCC  VBE ,ON


IB   14.7μA
RB  RE 1   F 
I C   F I B  690μA
VCE  VCC  I C RC  I E RE  7.25V
VBC  VBE  VCE  6.65V

 I B  14.7μA  0
  ZONA ATTIVA DIRETTA
VBC   6.65V 0V
>

 I C  690A
Il punto di lavoro è Q:
VCE  7.25V
Soluzione

Il modello di piccolo segnale completo è riportato in figura. I


parametri del modello sono funzione del punto di lavoro (IC-VCE).

Poichè non vengono forniti i dati per calcolare C e C, assumiamo


che siano nulle.

Poichè Q1 è polarizzato in zona attiva diretta, i parametri del modello


di piccolo segnale sono (VA=∞):
  1 1
 
    47 i



  I 
F r0  C   

C 
 
 
v  

V V 

iC IC CE Q  point 


 A CE 
gm    26.7mA/V
v BE VT
Q  po int

 
1 1
 

 i 
  I  o
r   B   

C 
   1.76kΩ
 
 v  

 oV 

gm


BE Q  point 

 T 

o
Soluzione

A medie frequenze le capacità CAB, CAE possono essere considerate corto-circuiti. Il modello di
piccolo segnale della rete è riportato in figura (CAC→∞ può essere considerata un corto-circuito ad
ogni frequenza, mentre le capacità C→0 e C→0 possono essere considerate circuiti-aperti ad ogni
frequenza)

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di ingresso
e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare (figura a sinistra)

vx
RIN   RB // RI ,B RI ,B  r  R*
ix

Per il calcolo di R* colleghiamo un generatore di prova vx direttamente al terminale di Emettitore


come in figura a destra (RE,T=RE//RL≈RE=10k) e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il
generatore deve erogare
v x   0  1ib RE ,T v
  R *  x   0  1RE ,T  480 kΩ
ib  ix ix
RI ,B  r  R *  481 .76 kΩ
RIN  RB // RI ,B  245 .3kΩ

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (vi=0) e colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita (circuito a sinistra)

vx
RO   R E // R*
ix

Per il calcolo di R* colleghiamo il generatore di prova vx direttamente al terminale di Emettitore


come in figura a destra ( r  r  RB // RI  1.86kΩ )
*

ix  ib 1   0  vx r*


 R *
  38.75
v x  ib r
*
ix 1   0
RO  R E // R *  R *  38.75
Per il calcolo dei guadagni facciamo nuovamente riferimento al circuito di piccolo segnale
completo

vo vb ib vo
AV  
vi vi vb ib

v RIN
 b 
 vi RIN  RI
 i 1 RIN (1   0 ) RE ,T
   AV   0.9959
b

 bv R I ,B R IN  R I R I ,B
v (1   0 )ib RE ,T
 o   (1   0 ) RE ,T
 ib ib
Esercizio VDD
RD RO
Con riferimento al circuito di figura: R2 ID CAD
RIN CAG vO
1. dimensionare l’amplificatore (R1, R2, RS, RD)
M1 iO
in modo che: RL
RI R1
 |AV|=vo/vi=9
RS CS
 RIN=130k vI
 ID=1mA, VDS=10V (MOSFET M1 saturazione)

Esercizio n.2

Con riferimento al circuito di figura: VEE

1. determinare il punto di lavoro (IB, IC, IE, VEB, VCB) di Q1. Q1

RB
DATI: VEE=9V, RC=1k, RB=18k, Q1: (F=50, VEB,ON=0.7, VEC,SAT =0.1V ). RC
Soluzione

Dobbiamo usare i dati del problema per scrivere un sistema di equazioni per ottenere i valori dei
componenti richiesti.

Poichè è noto il punto di lavoro (ID-VDS) del transistor possiamo determinare innanzitutto
i parametri di piccolo segnale del transistor stesso, poichè essi influenzano le proprietà di
piccolo segnale dell’intero amplificatore tra cui Av, RIN che sono noti.

Il modello di piccolo segnale a medie-basse frequenze


completo è riportato in figura. Poichè è noto che M1 è
G D
polarizzato in saturazione risulta (=0): ro
gmvgs
KN
iD  vGS  VTN 2 1  v DS 
2
K N  K N' W / L  500 μA/V 2 S

I parametri del circuito di piccolo segnale sono:

i D
gm   2 K N I D 1  V DS   1mA/V
vGS Q  po int
1
 i 
ro   D   1  V DS  
 v DS  I D
 Q  po int 

Le informazioni sul punto di lavoro (ID,VDS) ci permettono inoltre di scrivere le equazioni DC alle
maglie di ingresso e di uscita della rete

V DD  VDS  I D RS  R D  1)

 R1
VG  VDD R  R  VGS  RS I D 2)
 1 2

Il valore di VGS può essere calcolato dalla corrente ID

KN
ID  VGS  VTN 2  VGS  VTN  2 I D  VTN  2 I D  3V
2 KN KN

(la soluzione col segno – non è accettabile poichè risulterebbe VGS<VTN)


Passiamo adesso all’analisi AC e ricaviamo le espressioni di AV e RIN. A medie frequenze le
capacità CAG, CAD, CS possono essere considerate corto-circuiti, mentre le capacità CGS e CGD
possono essere considerate circuiti-aperti. Il modello di piccolo segnale della rete è riportato in
figura (RG=R1//R2).

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali


di ingresso e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

ix
G D

vx RG ro RD RL
gmvgs

vx
RIN   RG  R1 // R2
ix

Per il calcolo del guadagno di tensione facciamo G D vo


riferimento al circuito di piccolo segnale completo
RI
RG gmvgs R*D
R  RD // rO // R L  R D // R L
*
D vi
vo v gs v o S
AV  
vi vi v gs
 v gs RG RIN
  
 vi RG  RI RIN  RI
  AV 
RIN

 g m RD*    g m RD*   g m RD // RL 
 vo   g m v gs RD   g R * RIN  R I
* RIN  RI

 v gs v gs
m D

Le informazioni sul punto di lavoro (ID,VDS), sul guadagno AV e sulla resistenza di ingresso RIN ci
permettono di scrivere un sistema di equazioni che coinvolgono le variabili incognite (R1, R2, RS, RD)

V DD  V DS  I D RS  RD  1)

VG  VDD R1  VGS  RS I D 2)
 R1  R2


 AV 
RIN
RIN  R I
  g m R D* 
RD*  R D // RL 3)

 R1 R2
 R IN  R 1 // R 2  4)
 R1  R2

Le equazioni 1-2 sono relative al punto di lavoro, mentre le 3-4 sono relative al modello AC. Il
sistema di equazioni 1-4 può essere risolto nelle 4 incognite (R1, R2, RS, RD)

AV
dalla 3) AV   g m RD*  RD*   9kΩ RD*  RD // RL  RD  10kΩ
RIN  RI gm

VDD  VDS
dalla 1) RS   RD  10kΩ
ID

R1
dalla 2) VG  VDD  VGS  RS I D  13V
R1  R2

R1 V R2
dalla 4) RIN  R2  R2  RIN DD  300kΩ R1   229.4kΩ
R1  R2 VG VDD
1
VG
VDD

Esercizio
Con riferimento al circuito di figura determinare il punto di lavoro M1
(ID, VGS, VDS) di M1. VIN
DATI: VIN = 2V, VDD=3V, RS=1k, M1: (VTN=1V, K’N=1mA/V2, RS
W=2m, L=1m)
Soluzione
VDD
Identifichiamo correnti e nodi nel circuito come in figura.
D ID
G
La rete è descritta dal sistema di equazioni: M1
VIN S
ID
VIN  VGS  RS I D (eq. maglia ingresso) RS

VDD  VDS  RS I D (eq. maglia uscita)
 I  f V ,V  (curva IV di M1)
 D DS GS

dove la curva IV di M1 è completamente definita dai due parametri VTN e KN=K’NW/L=2mA/V2.

Verifichiamo se M1 è ON oppure OFF. Ipotizziamo M1 OFF (ipotesi più semplice da verificare)


 ID=0

VGS = VIN-RSID = 2V > VTN ipotesi non verificata  M1 è ON (ID>0)

Per stabilire se M1 è in saturazione o triodo dobbiamo confrontare VGS-VTN con VDS

VGS - VTN= VIN - RSID -VTN

VDS = VDD-RSID

VDS-(VGS-VTN) = VDD-VIN+VTN = 2V > 0  M1 è in saturazione

Il sistema da risolvere diventa quindi


V  V  R I (eq. maglia ingresso)
 IN GS S D

VDD  VDS  RS I D (eq. maglia uscita)



I  I  K
VGS  VTN 
2
(curva IV di M1)
 D D , SAT N
2
Sostituendo la prima nella terza si ottiene una equazione di secondo grado nella variabile incognita ID

aI D2  bI D  c  0

con

 RS2 K N
a   10 3 A 1
 2
b  1  RS K N VIN  VTN   3

c  K N VIN  VTN   1mA
2

 2

  b 2  4ac  9  4  2.23

 b   381 μA
ID  
2a  2.6mA

 1.61V  VTN OK  I D  381μA


VGS  VIN  I D RS  
- 0.6V  VTN soluzione non accettabile

VDS  VDD  I D RS  3  381 10 6 10 3  2.62V

Il punto di lavoro di M1 risulta

 I D  381μA

Q1 : VDS  2.62V
V  1.61V
 GS
Elettronica I – prova di verifica n.2 – 20/5/2016

Esercizio
Con riferimento al circuito di figura
1. determinare i parametri del modello di piccolo
segnale di Q1 (gm, ro, r ) VCC
IC
2. determinare, nell’intervallo delle medie frequenze RC RO
(CAB→∞, CAC→∞, CE→∞), la resistenza di R2
CAB vO
ingresso (RIN), la resistenza di uscita (RO), il RIN
guadagno di tensione AV=vo/vi Q1 CAC iO
R1 RL
RI
RE CE
vI

DATI: VCC=11V, IC=1mA (zona attiva), R1=50k, R2=80k, RC=3k, RE=3k, RI=50
, RL=10k, CAB=1F, CAC=10F, CE=100nF, Q1:{F=100, VBE,ON=0.7V}
Soluzione

Il modello di piccolo segnale completo è riportato in figura. I


parametri del modello sono funzione del punto di lavoro (IC-VCE).

La corrente IC è nota dai dati, mentre VCB può essere calcolata


VB  VBE ,ON  RE I C  3.7 V
  F 1
VCE  1VCC  RE  RC I C  5V  VCB  VC  VB  4.3V
 F

VC   I C RC  VCC  8V

Poichè Q1 è polarizzato in zona attiva diretta, i parametri del circuito di piccolo segnale sono (VA=∞):

o    100
F
iC IC
gm    38.6mA/V
v BE VT
Q  po int

  1 1
 
i



  I 
r0  C   

C 
 
 
v  

V V 

CE Q  point 


 A CE 

 
1 1
 

 i 
  I  o
r   B   

C 
   2.59kΩ
 
 v  

 oV 

gm


BE Q  point 

 T 
Soluzione

A medie frequenze le capacità CAB, CAC, CE possono essere considerate corto-circuiti, mentre le
capacità C e C possono essere considerate circuiti-aperti. Il modello di piccolo segnale della rete è
riportato in figura (R*B=R1//R2//r=2.39k).

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di


ingresso e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

ix
B C

vx R*B g v RC RL
m be

vx
RIN   RB*  2.39kΩ
ix

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (vi=0) e colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita

In tale condizione vbe=0 e il generatore gmvbe risulta aperto. La resistenza di uscita è data dal
rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

vx
RO   RC  3kΩ
ix
Per il calcolo dei guadagni facciamo nuovamente
riferimento al circuito di piccolo segnale completo

RC*  RC // RL  2.3kΩ
vo vbe vo
AV  
vi vi vbe

 vbe RB*
v 
RB*  RI
 i
  AV 
RB*
RB  RI
*
 
 g m RC*  87 .25
 vo   g m vbe RC   g R *
*

 vbe vbe
m C

Soluzione p.3

Per il calcolo del limite inferiore di banda assumiamo che, nella banda di interesse, le capacità C e
C abbiano una impedenza talmente grande da poter essere considerati come dei circuiti aperti. In
tale situazione il modello equivalente AC della rete a medie-basse frequenze è
(RB=R1//R2=30.77k)

Stimiamo il limite inferiore di banda (fL) attraverso il metodo delle costanti di tempo in corto-
circuito

1  1 1 1 
fL     
2  RCAB C AB RCAC C AC RCE C E 

dove RCAB, RCAC, RCE sono le resistenze viste da CAB, CAC e CE rispettivamente.

Per il calcolo di RCAB i) assumiamo che, nella banda di interesse, le capacità CAC e CE siano di
valore sufficientemente grande da poter essere sostituiti con dei corto-circuiti; ii) passiviamo il
Elettronica I - 6/6/2016

Esercizio
VDD
Con riferimento al circuito di figura
CAG ID
RIN
4. verificare che M1 sia polarizzato in saturazione M1 RO
CAS
5. determinare i parametri del modello di piccolo RI RG vO
segnale di M1a medie-basse frequenze (gm, ro) RS RL
vI VGG
6. determinare, nell’ intervallo delle medie
frequenze (CAG→∞, CAS→∞), la resistenza di
uscita (RO) e il guadagno di tensione AV=vo/vi.

DATI: VDD=20V, VGG=16V, ID=5mA, RIN = 800k, RS=2k, RI=100, RL=10k,

M1:{K’N(KP) = 400A/V2, W=10m, L=11m, VTN = 1V,  LAMBDA = 0.01V-1}

VCC
Esercizio n.2

Con riferimento al circuito di figura: RC

1. determinare il punto di lavoro (IB, IC, IE, VBE, VBC) di Q1. RB


2. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare la simulazione Q1
relativaal punto precedente.

DATI: VCC=15V, VEE=-15V, IEE=1mA, RC=1k,RB=10k, Q1:


IEE
(F=100, R=5, IS=1nA,VBE,ON=0.7, VBC,ON=0.6, VCE,SAT =0.1V )
VEE
Soluzione

In DC le capacità sono circuiti aperti e la rete si riduce come in figura.

Poichè è già nota la corrente ID, la tensione VDS può essere calcolata
VDD
dall’equazione alla maglia di uscita:

VDS  VDD  I D RS  10 V D ID
G
M1
La tensione VGS può essere calcolata dall’equazione alla maglia di ingresso
(IG=0): RG S ID

VGS  VG  VS  VGG  I D RS  6 V VGG RS

 I D  5mA

Il punto di lavoro completo risulta VGS  6 V
V  10 V
 DS
Poichè risulta VDS=10V ≥ VGS-VTN=5V≥0, M1 si trova effettivamente in saturazione.

Soluzione

Il modello di piccolo segnale a medie-basse


frequenze completo è riportato in figura. I G D
parametri del modello sono funzione del punto di
lavoro trovato al punto precedente; poichè M1 è gmvgs ro
polarizzato in saturazione si ottiene:

KN S
iD  vGS  VTN 2 1  v DS  K N  K N' W / L  363 .6 μA/V 2
2

i D
gm   2 K N I D 1  VDS   2mA/V
vGS Q  po int
1
 i 
ro   D   1  VDS  22kΩ
 v DS  I D
 Q  po int 
Soluzione

A medie frequenze le capacità CAG, CAS possono essere considerate corto-circuiti. Il modello di
piccolo segnale della rete è riportato in figura a sinistra

Il circuito può essere semplificato (figura a destra) osservando che ro si trova sempre in parallelo a RS.

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (vi=0) e colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita (circuito a sinistra)

G D

gmvs gmvs
RI
S D
S
RG R* ix ix
vx
vx
RS //ro

Osserviamo che, poichè vg=0, il generatore gmvgs eroga verso il Drain gmvs.

vx
RO   R S // ro // R *
ix

Per il calcolo di R* colleghiamo il generatore di prova vx direttamente al terminale di Source come


in figura a destra

vx 1
ix  g m vs  g m v x  R *  
ix g m
1
RO  R S // ro //  393
gm
Per il calcolo del guadagno AV facciamo nuovamente riferimento al circuito di piccolo segnale
completo (RS,T=RS//ro//RL=1.54k)

v o v g v gs vo
AV  
vi vi v g v gs

 vg RG
 
 vi RG  RI
 v gs g m RS ,T
 1 RG
v g  v gs  v s  v gs  g m v gs RS ,T    AV 
 v g 1  g m RS ,T RG  RI 1  g m RS ,T
v g v R
 o  m gs S ,T  g m RS ,T
 v gs v gs

RG non è nota direttamente dai dati del problema. Tuttavia è nota RIN, dalla quale possiamo ricavare
RG. Per il calcolo di RIN colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di ingresso e calcoliamo
il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

vx
R IN   RG  RG  800kΩ  A V  0.76
i
x
Elettronica I – prova di verifica n.1 – 12/4/2017

Esercizio n.1
Con riferimento al circuito di figura: D1
A vIN
10 V

1. calcolare il punto di lavoro del diodo (corrente,


vIN R2
tensione) in corrispondenza di vIN=10V.
0.5 ms t
R1
2. rappresentare graficamente la caratteristica di V2
trasferimento VAB(VIN) 0 ≤ VIN ≤ 10V
B

3. supponendo di poter trascurare gli effetti capacitivi, rappresentare graficamente vAB(t) in


corrispondenza di vIN(t) come in figura

4. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare le simulazioni relative ai punti precedenti

DATI: R1=900, R2=10k, V2=2V, D1: (VON=0.5V, RS=100, IS=1nA)

Esercizio n.1 VSS

Con riferimento al circuito di figura determinare il punto di lavoro


VGG RS
(ID, VGS, VDS) di M1.

DATI: VSS=15V, VGG=8.6V, RS=RD=1k,


M1: (VTP=-1V, K’P = 100A/V2, W = 1m, L = 1m) M1

RD

VCC
Esercizio n.2
R2 RC
Con riferimento al circuito di figura, determinare il punto di lavoro
(IB, IC, IE, VBE, VBC) del transistor BJT Q1.
Q1
DATI: VCC = 12V, R1 = 18k, R2 = 36k, RC = 22k RE = 16k,
Q1: (F = 75, VBE,ON = 0.7V)
R1 RE
Soluzione Esercizio n. 1

Identifichiamo correnti e nodi nel circuito come in figura. La rete è descrittta


VSS
dal sistema di equazioni:
VGG RS
VGS  VGG  R S I S eq. maglia di ingresso
 S

VDS  RD  RS I S  VSS eq. maglia di uscita G M1


 I  f V ,V  eq. IV del PMOSFET M1 D
 S GS DS
IS
RD
dove la curva IV di M1 è completamente definita dai due parametri VTP e
KP=K’PW/L=100A/V2.
Vediamo prima di tutto se M1 è ON o OFF. Ipotizziamo M1 OFF (ipotesi semplice da verificare).
IS=0  VGS=-VGG=-8.6V < VTP ipotesi non verificata  M1 è ON
Per vedere se M1 è in triodo o in saturazione calcoliamo la differenza:

VDS  VGS  VTP   VGG  VTP V SS RD I S  7.4V  RD I S VSS


RS
VGG
Ipotizziamo M1 in saturazione (circuito equivalente in figura). S
G

Il circuito è descritto dal sistema di equazioni IS,SAT


D

 IS
VGS  VGG  R S I S RD

VDS  RD  RS I S  VSS
 K
 I S  I S , SAT  P VGS  VTP 2
 2
Sostituendo la prima nella terza si ottiene una equazione di secondo grado nella variabile incognita IS
aI S2  bI S  c  0

con

a  RS2  10 6  2

b  2RS VGG  VTP   1 / K P   39.2 10   V
3


c  VGG  VTP   57.6V
2 2

  b 2  4ac  3.17 10 4

 b    1.7 mA
IS  
2a 33.5mA

  5.9V  0 soluzione possibile


VGS  VTP  VGG  VTP   I S RS  
25.9V  0 soluzione non accettabile

VDS  VSS  I S RS  RD   11.6V  VGS  VTP ipotesi OK

Il punto di lavoro di M1 risulta

 I S  1.7 mA

Q1 : V DS  -11.6 V
V  6.9 V
 GS
Soluzione Esercizio n. 2
R2 RC
Il circuito può essere ridisegnato come in figura (destra).
La parte di circuito a monte del tratteggio può essere
schematizzata con il suo equivalente di Thevenin Q1 VCC
ottenendo la rete semplificata VCC

IC R1 RE
RC
Rth C
B
Q1 VCC
Vth IB E

IE RE

dove

R1
Vth  VCC  4V Rth  R1 // R2  12kΩ
R1  R2

Poichè Vth>VBE,ON è ragionevole ipotizzare il transistor in


zona attiva diretta o saturazione. Partiamo dall’ipotesi di
zona attiva diretta (JBE ON, JBC OFF) come in figura.

La rete è descritta dal sistema di equazioni

Vth  Rth I B  VBE ,ON  RE I E (eq. maglia di ingresso)



VCC  RC  F I B  VCE  RE I E (eq. maglia di uscita)
I  I   I (eq. correnti al nodo E)
 E B F B

da cui si ottiene

Vth  VBE ,ON


IB   2.69μA
Rth  RE 1   F 
I C   F I B  202μA
I E  I B  I C  204.7μA
VCE  VCC  I C RC  I E RE  4.29V
VBC  VBE  VCE  3.26V
 I B  2.69μA  0
  Hp OK
VBC  3.26V  VBC ,ON  0.6V

Il punto di lavoro è

 I B  2.69μA
 I  202μA
 C
Q :  I E  204.7μA
V  4.29V
 CE
VBC  3.26V
Esercizio

Con riferimento al circuito di figura


VDD
1. determinare i parametri del modello di piccolo
RD RO
segnale di M1 (gm, ro ) CG R2 ID CAD
vO
2. determinare, nell’intervallo delle medie frequenze
(CAS→∞, CAD→∞, CG→∞), la resistenza di ingresso M1 iO
RL
(RIN), la resistenza di uscita (RO), il guadagno di
R1
corrente AI=io/ii, il guadagno di tranresistenza AR=vo/ii
CAS RIN

DATI: VDD = 20V, ID = 500A (saturazione), R1 = 1M, R2 = 3M, RD RS ii


RI
= 25k, RS = 5k, RI = 100k, RL=200

M1:{K’N(KP)=25A/V2, VTN = 0.5V, W=10m, L=1m}


Soluzione p.1
CGD
Il modello di piccolo segnale completo è riportato in figura. I G D
parametri del modello sono funzione del punto di lavoro (ID-
VDS); poichè è noto che M1 è polarizzato in saturazione CGS ro
gmvgs
(comunque verificabile dai dati del problema).

KN
iD  vGS  VTN 2 1  vDS  K N  K N' W / L  250 μA/V 2 S
2
la corrente ID è nota dai dati mentre VDS non è necessaria poichè =0. I parametri del modello sono

iD
gm   2 K N I D 1  VDS   0.5mA/V
vGS Q  po int
1
 i 
ro   D   1  VDS  
 v DS  I D
 Q  po int 

Soluzione p.2

A medie frequenze le capacità CAS, CAD, CG vengono considerate corto-circuiti, mentre le


capacità CGS e CGD circuiti-aperti. Il modello di piccolo segnale della rete è riportato in figura

La capacità CG cortocircuita dinamicamente le resistenze R1, R2 e il Gate a massa; possiamo quindi


considerare la rete equivalente a destra dove il generatore gmvgs eroga verso l’alto la corrente gmvs
(vg=0).
Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di
ingresso (figura a sinistra) e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve
erogare (R*D=RD//RL=198)

vx
RIN   RS // RI ,S
ix

Per il calcolo di RI,S poniamo il generatore di prova direttamente al terminale di source (figura a destra)

vx 1
i x  g m v s  g m v x  RI , S  
ix g m
RS
RIN  RS // R I ,S   1.43kΩ
1  g m RS

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (ii=0), colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita (figura a sinistra), e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il
generatore deve erogare
vx
RO   RD // RI , D
ix

Per il calcolo di RI,D poniamo il generatore di prova direttamente al terminale di Drain (figura a
destra) (R*S=RS//RI=4.76k)

vx
v s   g m v s RS*  v s  0  i x   g m v s  0  R I , D  
ix
RO  R D // RI , D  R D  25kΩ

RO
D vo
Per il calcolo dei guadagni facciamo nuovamente riferimento al
circuito di piccolo segnale completo io
gmvs RD
v o i s vo R*D RL
AR   S
ii ii is RI,S
is RIN
 is R *

  *
S

 ii RS  RI ,S RS* RS ii
 AR  * RD*  140  RI

 vo   R * RS  RI ,S
 is D

io v A
AI   o  R  0 .7
ii R L ii RL
Esercizio n.1
VCC
1. Dimensionare l’amplificatore CE (R1, R2, RE1, IC
RE2, RC) in figura in modo che: RC RO
R2
 |AV|=|vo/vi|=5 CAB vO
RIN
 RO=10k Q1 CAC iO
 IC=1mA, VCE=5V (zona attiva) R1 RL
RI
RE2
vI
RE1 CE

DATI: VCC = 25V, RI = 100, RL=100k,


Q1:{F=100, VBE,ON=0.7}

Esercizio n.2
D1
Con riferimento al circuito di figura: A
1. Determinare il punto di lavoro
(corrente,tensione) dei diodi D1, D2 e la d.d.p. V1 R2 R3
VAB.
R1 D2
2. scrivere la netlist SPICE necessaria per V2
effettuare la simulazione relativa al punto
B
precedente.

DATI: R1=1k, R2=10k, R3=10k,V1=15V,V2=10V, D1, D2: (VON=0.6V, RS=0, IS=1nA)


Soluzione

Dobbiamo usare i dati del problema e scrivere un sistema di equazioni per ottenere i valori dei
componenti richiesti.

Poichè è noto il punto di lavoro (IC-VCE) del transistor possiamo determinare innanzitutto i
parametri di piccolo segnale del transistor stesso poichè essi influenzano le proprietà di
piccolo segnale dell’intero amplificatore tra cui Av, RO che sono noti.

Il modello di piccolo segnale completo è riportato in figura.

Poichè non vengono forniti i dati per calcolare C e C,


assumiamo che siano nulle.

Poichè è noto che Q1 è polarizzato in zona attiva diretta, si


ottiene (VA= ∞):

ο    100
F
iC IC
gm    38.6mA/V
v BE VT
Q  po int

 
1 1
i





 I 

r0  C   

C 
 
 
v  

V V 



CE Q  po int   A CE 

  1 1

 i 


 I 
 o
r   B   

C 
   2.59kΩ
 
 v  

 oV 

gm


BE Q  po int 

 T 

o
Procediamo adesso al calcolo simbolico di AV, RIN (necessaria al calcolo di AV) e RO a medie
frequenze che, essendo noti, possono essere legati ai valori da assegnare ai componenti circuitali.

A medie frequenze le capacità CAB, CAC, CE possono essere considerate corto-circuiti. Il modello di
piccolo segnale della rete è riportato in figura (RB=R1//R2)

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di


ingresso e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

RIN 
vx
ix

 RB // RI , B  RB // r  R*  RI , B  r  R*

Il problema diventa quindi il calcolo di R* che può essere risolto ponendo un generatore di prova vx
ai capi di RE2 (R*C=RC//RL)
i x  ib
vx
v x  ie RE 2   0  1ib RE 2   0  1i x RE 2  R *   R E 2  0  1
ix
RI , B  r  R *
RIN  RB // RI , B

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (vi=0) e colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita

La resistenza di uscita è data dal rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

vx
RO   RC // RI ,C
ix

Per il calcolo di RI,C i) poniamo un generatore di prova vx tra C e massa; ii) semplifichiamo, con una
resistenza equivalente R*=(RI//RB)+r, la rete resistiva a monte dell’emettitore (semplificazione
possibile poichè ib resta nella porzione di circuito che contiene il generatore controllato)
ie   0  1ib
vx
v e  ib R *  ie R E 2   0  1ib R E 2  ib  0  i x   0 ib  0  R I ,C  
ix
RO  RC // R I ,C  RC

Infine per il calcolo del guadagno facciamo nuovamente riferimento al circuito di piccolo segnale
completo (R*C=RC//RL)

v o vo vb v o
Av   
v i vi v i vb

 vb R IN
v  R  R    0 RC* 
 i IN I R IN
 
  A   R 
 vo    0 ib RC    0 RC
V
* *
RIN  R I  I ,B 
 vb ib R I , B RI ,B
Le informazioni sul punto di lavoro (IC,VCE), sul guadagno AV, e sulla resistenza di uscita RO ci
permettono di scrivere delle equazioni che coinvolgono le variabili incognite (R1, R2, RE1, RE2, RC)

1) RO  RC
 2) VCC  VCE  I C RC  RE  RE  RE1  RE 2
  F 1

3) VCC I V  V 
 I B  C  R1  R2  CC F  R1  R2  CC F
 R1  R2 F IC 10 I C
 4) VB  VBE ,ON  RE I C
  F 1

5) RIN   g m RC* 
AV   
 RIN  RI  1  g R
m E2 

6) RIN  RB // Ri ,B  R1//R2 // r 1  g m RE 2 

Le equazioni 2-4 sono relative al punto di lavoro, mentre le 1, 5, 6 sono relative al modello AC
discusso in precedenza. L’equazione 3 in particolare è la condizione per rendere il potenziale DC di
baseindipendente dall’esatto valore di F.

Il sistema di equazioni 1-6 può essere risolto nelle 6 incognite (R1, R2, RE1, RE2, RC , RIN).

dalla 1) RC  RO  10kΩ  RC*  RC // RL  9.1k

VCC  VCE
dalla 2) RE   RC  10kΩ  RE1  RE 2
IC

VCC  F R1
dalla 3) R1  R2   250kΩ  VB  VCC
10I C R1  R2

R1
VB  VBE ,ON  R E I C  10.7 V  VCC
R1  R2
dalla 4)
VB
 R1  R1  R2   107 kΩ  R2  143kΩ
VCC

RIN R // RI R1 // R2 //r 1  g m RE 2  // RI
dalla 6)  IN   1
RIN  RI RI RI RI  R1 , R2 ,r

g m RC*
dalla 5) AV   R E 2  1.8kΩ  RE1  8.2kΩ
1  g m RE 2
Elettronica I - 05/03/2018

Esercizio n.1Con riferimento al circuito di figura:


A

3. determinare il punto di lavoro (corrente, tensione) del diodo DZ in DZ


corrispondenza di V1=10V. V1
4. rappresentare graficamente la caratteristica di trasferimento VAB(V1) per R2
-6V ≤ V1 ≤ 15V.
R1
5. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare le simulazioni relative V2
ai punti precedenti.
DATI: R1=1k, R2=1k, V2=3V, DZ: (VON=0V, RS=1k, VZ=3V) B

Esercizio
VDD
Con riferimento al circuito di figura:
RD

1. Determinare il punto di lavoro (ID, VGS, VDS) di M1 nei casi RG


in cui VGG assuma i valori 0V, 2V, 3V, 10V. M1

VGG
DATI: VDD = 3V, RG = 1M, RD = 1k,
M1: (VTN = 1V, K’N = 1mA/V2,W = 2m, L = 1m)

Esercizio n.2

Con riferimento al circuito di figura:

1. determinare il punto di lavoro (IB, IC, IE, VEB, VCB) di Q1 con RL=50.
2. determinare l’intervallo di valori di RL per cui la porzione di circuito
entro il tratteggio si comporta come un generatore di corrente ideale (IL)
rispetto al carico RL stesso.
3. rappresentare graficamente IL(RL) per 10≤RL≤1k.

DATI: VEE = 10V, VBB = 2V, RE = 1k,


Q1: (F = 50, VEB,ON = VEB,SAT = 0.7V, VCB,ON =VCB,SAT = 0.6V )
Soluzione VDD
ID
Identifichiamo correnti e nodi nel circuito come in figura. RD
La rete è descritta dal sistema di equazioni: RG D
G
M1
VGG  RG I G  VGS (eq. maglia di ingresso) IG S
 VGG
VDD  RD I D  VDS (eq. maglia di uscita)
I  f V , V  (curva IV del nMOSFET M1)
 D DS GS

Poichè IG=0  VGS=VGG, ovvero la VGS risulta nota. Il sistema si riduce quindi all’equazione della
maglia di uscita e alla curva IV di M1 che è completamente definita dai due parametri VTN
e KN = K’NW/L = 2mA/V2.

VGG=0

VGS=VGG=0. Poichè VGS≤VTN M1 OFF (circuito equivalente VDD


riportato in figura)  ID=0. Dall’equazione alla maglia di uscita ID
(o dall’analisi del circuito equivalente) ottieniamo quindi RD
VDS=VDD=3V. Il punto di lavoro di M1 è quindi RG D
G
M1
I D  0 VGG IG S

Q1 : VDS  3V
V  0
 GS

VGG=2V

VGS=VGG=2V. Poichè VGS≥VTN M1 ON (ID>0). Per stabilire se M1 è polarizzato in triodo o in


saturazione dobbiamo confrontare VGS-VTN con VDS:

VGS-VTN=1V
VDS=VDD-RDID<VDD=3V

A causa della caduta su RD non possiamo sapere a priori quale sarà la regione di funzionamento. Se
ID fosse molto piccola, ovvero in zona lineare, risulterebbe VDS≈VDD>VGS-VTN contro l’ipotesi
stessa. E’ ragionevole ipotizzare che M1 sia in saturazione oppure in triodo con alta corrente.
Facciamo la prima ipotesi poichè, conoscendo a priori VGS, il conto risulta particolarmente agevole.
VDD
Ipotizziamo quindi M1 saturo (circuito equivalente riportato in
ID
figura) e calcoliamo la corrente di saturazione: RD

VGS  VTN 2
D
2  103  1 RG M1
I D ,SAT  K N   1mA G
ID,SAT
2 2
VGG IG S

Dall’equazione alla maglia di uscita (o dall’analisi del circuito


equivalente) otteniamo

VDS  VDD  RD I D,SAT  3  103 103  2V  VGS  VTN  1V  Hp OK

Il punto di lavoro di M1 è quindi

 I D  I D ,SAT  1mA

Q1 : VDS  1V
V  2 V
 GS

VGG=3V

VGS=VGG=3V. Poichè VGS≥VTN M1 ON (ID>0). Per stabilire se M1 è polarizzato in triodo o in


saturazione dobbiamo confrontare VGS-VTN con VDS:

VGS-VTN=2V
VDS=VDD-RDID<VDD=3V

Seguendo lo stesso ragionamento del caso VGG=2V ipotizziamo M1 in saturazione e calcoliamo la


corrente

I D ,SAT  K N
VGS  VTN 2 
2  10 3  4
 4mA
2 2
Dall’equazione alla maglia di uscita (o dall’analisi del circuito equivalente) otteniamo

VDS  VDD  RD I D,SAT  3  103  4 103  1V  VGS  VTN  2V  Hp non verificata

Poichè M1 è ON e non è in saturazione, è sicuramente in regione triodo. Il sistema di equazioni da


risolvere diventa quindi
VDD  RD I D  VDS (eq. maglia di uscita)

  2
VDS 
I
 D  K V
N  GS -V TN VDS   (curva IV di M1)
  2 

Sostituendo la seconda equazione nella prima, si ottiene una equazione di secondo grado nella
variabile incognita VDS del tipo

2
aVDS  bVDS  c  0

con

 RD K N 10 3  2  10 3
a    1V 1
 2 2
 
b  1  RD K N VGS  VTN    1  10  2  10  2  5
3 3

c  V  3V
 DD



  b 2  4ac  25  12  3.6

 b    4.3V  VGS  VTN  2V  NO


VDS  
2a 0.7V  VGS  VTN  2V  Hp OK

Il punto di lavoro di M1 è quindi

 I D  VDD  VDS  / RD  2.3mA



Q1 : VDS  0.7V
V  3V
 GS

VGG=10V

VGS=VGG=10V. Poichè VGS≥VTN M1 ON (ID>0). Per stabilire se M1 è polarizzato in triodo o in


saturazione dobbiamo confrontare VGS-VTN con VDS:

VGS-VTN=9V
VDS=VDD-RDID<VDD=3V
Poichè risulta VDS<VGS-VTN indipendentemente da ID siamo VDD
sicuramente in regione triodo. Poichè la differenza (VGS-VTN)-VDS è ID
di almeno 6V è ragionevole ipotizzare che M1 sia nella sottoregione RD
lineare (circuito equivalente riportato in figura). D
RG G M1
In tale regione il canale di M1 è modellizzabile come una resistenza RDS
di valore IG S
VGG

1 1
RDS    55.5
K N VGS  VTN  2  10  3  9

e la VDS vale
RDS 55.5
VDS  VDD   0.15V
RDS  RD 55.5  1000

Per vedere se effettivamente M1 è in regione lineare dobbiamo confrontare VDS con (VGS-
VTN)/5=1.8V. Poichè risulta VDS≤(VGS-VTN)/5 l’ipotesi risulta corretta e il punto di lavoro di M1 è

 I D  VDD / RD  RDS   2.8mA



Q1 : VDS  0.15V
V  10 V
 GS
Elettronica I – prova di verifica n.1 – 4/4/2018

Esercizio n.1

Con riferimento al circuito di figura:

1. rappresentare graficamente le caratteristiche di trasferimento


VAB(V1) e ID1(V1) per 0 ≤ V1 ≤ 20V.

2. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare la


simulazione relativa al punto precedente.

DATI: R1=1k, R2=10k, R3=10k,V2=10V, D1, D2: (VON=0.6V, RS=0, IS=1nA)

Esercizio

Con riferimento al circuito di figura, determinare l’intervallo di valori


di RL per cui la porzione di circuito entro il tratteggio si comporta come
un generatore di corrente ideale (IL) rispetto al carico RL stesso.

DATI: VSS=10V, VGG=5V,

M1: (VTP=-1V, K’P=200A/V2, W=1m, L=1m)

VEE

Q1
1. determinare il punto di lavoro (IB, IC, IE, VBE, VBC) di Q1.
2. scrivere la netlist SPICE necessaria per effettuare la simulazione relativaal
punto precedente.
RC
DATI: VEE=9V, VCC=-9V, RC=8.2k, Q1: (F=50, R=1, IS=1nA,VBE,ON=0.8, VCC
VBC,ON=0.7, VCE,SAT =0.1V )
Soluzione

VGS=VG-VS=VGG-VSS=-5V

VGS-VTP=-4V ≤0  M1 ON
VSS
I valori di RL per cui il circuito si comporta da generatore ideale di S
corrente sono i valori per cui M1 è in saturazione. G M1
Ipotizziamo quindi M1 in saturazione (circuito equivalente IS,SAT
D
in figura), e vediamo per quali valori di RL l’ipotesi risulta vera. VGG IS
RL
K N' W
I S ,SAT  VGS  VTP 2  1.6mA
2 L
VDS  I S RL  VSS

Il circuito si comporta da generatore ideale di corrente per

VDS  VGS  VTP  RL 


VGS  VTP   VSS  3.75kΩ
I S ,SAT
Esercizio
Con riferimento al circuito di figura
VDD
1. determinare i parametri del modello di piccolo RD RO
segnale di M1 (gm, ro) R2 ID CAD
RIN CAG vO
2. determinare, nell’intervallo delle medie frequenze
(CAG→∞, CAD→∞, CS→∞), la resistenza di ingresso M1 iO
RL
(RIN), la resistenza di uscita (RO), il guadagno di RI R1
tensione AV=vo/vi, il guadagno di transconduttanza
AG=io/vi e la massima ampiezza (vimax) del segnale di RS CS
vI
ingresso tale che la rete funzioni in modo lineare

DATI: VDD=30V, ID=1mA (saturazione), R1=130k, R2=170k, RD=RS=10k, RI=100, RL=100k,

M1:{K’N(KP) = 417A/V2, VTN =1V, W = L = 10m, LAMBDA = 1/50V-1


Soluzione p.1 CGD
Il modello di piccolo segnale completo è riportato in G D
figura. I parametri del modello sono funzione del CGS
gmvgs ro
punto di lavoro (ID-VDS); la corrente ID è nota dai dati
mentre VDS può essere calcolata dal circuito DC
scrivendo l’equazione alla maglia di uscita:
S
V DS  V DD  ( R D  R S ) I D  10 V

M1 èpolarizzato in saturazione (verificabile dai dati del problema):

KN
iD  vGS  VTN 2 1  vDS  K N  K N' W / L  417 μA/V 2
2

i parametri del circuito equivalente di piccolo segnale risultano:

i D
gm   2 K N I D 1  V DS   1mA/V
vGS Q  po int
1
 i 
ro   D   1  V DS  60 kΩ
 v DS  I D
 Q  po int 
Soluzione p.2

A medie frequenze le capacità CAG, CAD, CS possono essere considerate corto-circuiti, mentre le
capacità CGS e CGD possono essere considerate circuiti-aperti. Il modello di piccolo segnale della
rete è riportato in figura (RG=R1//R2=73.6k).

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di


ingresso e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

ix
G D

vx RG ro RD RL
gmvgs

vx
RIN   RG  73.6kΩ
ix

Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (vi=0) e colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita

In tale condizione vgs=0 e il generatore gmvgs risulta aperto. La resistenza di uscita è data dal
rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve erogare

vx
RO   RD // rO  8.57kΩ
ix
Per il calcolo dei guadagni facciamo nuovamente
G D vo
riferimento al circuito di piccolo segnale completo
RI
R D*  R D // rO // RL  7.9kΩ RG R*D
gmvgs
v o v gs v o vi
AV  
vi vi v gs S

 v gs RG
 
 vi RG  R I
  AV 
RG

 g m R D*    g m RD*  7.9
 v o   g m v gs R D   g R * RG  R I
* RG  RI

 v gs v gs
m D

io v A
AG   o  V  7.9  10 5 A/V
vi RL vi RL
Esercizio n.1
VCC
Con riferimento al circuito di figura
RC RO
1. determinare i parametri del modello di piccolo IC CAC
segnale di Q1 (gm , ro , r) vO

2. determinare, nell’intervallo delle medie frequenze Q1 iO


RL
(CAE→∞, CAC→∞, CB→∞), la resistenza di ingresso RB
(RIN) , la resistenza di uscita (RO) , il guadagno CB
di corrente AI = io/ii , il guadagno di tranresistenza CAE RIN
AR = vo/ii
RE ii
RI
VEE

DATI: VCC=15V, VEE=-10V, IC=500A (zona attiva), RB=420k, RC=10k, RE=10k,


RI = 1M, RL = 100, Q1:{ = 50}

VDD
Esercizio n.2
RD
Con riferimento al circuito di figura: RG

1. determinare il punto di lavoro (ID, VGS, VDS) di M1 M1

DATI: VDD=5V, RG=100k, RD=5k, M1: (VTN=1V, K’N=100A/V2, W=2m, L=1m)


Soluzione p.1.1

Il modello di piccolo segnale completo è riportato in figura. I


parametri del modello sono funzione del punto di lavoro (IC-VCE).

Poichè non vengono forniti i dati per calcolare C e C, assumiamo


che siano nulle.

Q1 è polarizzato in zona attiva diretta (verificare)

I parametri del circuito equivalente di piccolo segnale del


BJT risultano (VA=∞) : iB iC

B C
iC I
    50 gm   C  19.3mA/V FiB
F v BE VT
Q  po int

 
1 1
i
  
 I 

iE
  E
r0  C  

C 
 
 
v  

V V 



CE Q  po int   A CE 

  1 1

 i 


 I 
 o
r   B  

C 
   2.59kΩ
 
 v  

 oV 

gm


BE Q  po int 

 T 

o
Soluzione p.1.2

A medie frequenze le capacità CAE, CAC, CB possono essere considerate corto-circuiti. Il modello di
piccolo segnale della rete è riportato in figura

La capacità CB cortocircuita dinamicamente la resistenza RB e la Base a massa.

Per il calcolo della resistenza di ingresso colleghiamo un generatore di prova vx ai terminali di


ingresso (figura a sinistra) e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il generatore deve
erogare

vx
RIN   RE // RI , E
ix

Per il calcolo di RI,E poniamo il generatore di prova direttamente al terminale di Emettitore (figura a
destra) (R*C=RC//RL=99)

i x  ib 1   0  v r
  R I , E  x    50 .8
v x  ib r ix 1   0
R IN  R E // R I , E  50 Ω
Per il calcolo della resistenza di uscita passiviamo l’ingresso (ii=0), colleghiamo un generatore di
prova vx ai terminali di uscita (figura a sinistra), e calcoliamo il rapporto tra vx e la corrente ix che il
generatore deve erogare

vx
RO   RO // RI ,C
ix

Per il calcolo di RI,C poniamo il generatore di prova direttamente al terminale di Collettore (figura a
destra) (R*E=RE//RI=9.9k)

vx
v e  (1   0 )ib RE*  ib r  ib  0  i x   0 ib  0  RI , E  
ix
RO  RC // RI ,C  RC  10 kΩ
Per il calcolo dei guadagni facciamo nuovamente riferimento al circuito di piccolo segnale
completo

vo ie vo
AR  
ii ii ie

 ie RE*
i  
i RE*  RI ,S RE*
  AV  RC*  96.5
 vo    o ib RC    o RC   R *
* * RE  R I , E
*

 ie ib (1   0 ) (1   0 ) 0 1
C

io v A
AI   o  R  0.965
ii RL ii RL
Soluzione p.2.1
VDD
Identifichiamo correnti e nodi nel circuito come in figura. ID
RD
La rete è descritta dal sistema di equazioni (IG=0) RG
D ID
VDS  VGS (eq. maglia ingresso)
 IG
G M1
VDD  RD I D  VDS (eq. maglia uscita) S

 I  f V ,V  (curva IV di M1)
 D DS GS

dove la curva IV di M1fè completamente definita dai due parametri VTN e KN=K’NW/L=200A/V2.

VDS=VGS>VGS-VTN (VTN>0). Quindi se M1 è ON, M1 è saturo. Detto in altro modo M1 è saturo


oppure è OFF.

VDD
Ipotizziamo quindi M1 saturo (circuito equivalente riportato in figura). Il ID
sistema diventa RD
RG
D
 M1
V  V (eq. maglia ingresso) G ID,SAT
 DS GS IG
S
VDD  RD I D  VDS (eq. maglia uscita)

I  I V  V 2

D , SAT  K N
GS TN
 D (curva IV di M1)
2

Risolvendo il sistema si ottiene una equazione di secondo grado nella variabile incognita
x = VGS-VTN del tipo:
ax 2  bx  c  0

con

 RD K N 5  10 3  2  10  4
 a    0.5V 1
 2 2
b  1
c  V  V  4V
 TN DD


  b 2  4ac  3

 b    2V
x 
2a - 4V
 3V  VTN  Hp OK
VDS  VGS  x  VTN  
- 3V  VTN non accettabile

Il punto di lavoro di M1 è

 I D  VDD  VDS  / RD  400μA



Q1 : VDS  3V
V  3V
 GS

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