ELETTRONICA Esercitazione 1

Esercitazione 1: DIODO RETTIFICATORE e DIODO ZENER

Corso di Elettronica Prof. Gian-Franco Dalla Betta

Ing. Francesco Ficorella, Ph.D.

FBK Tel: 0461 - 314443

E-mail: ficorella@fbk.eu


Esempio 1.1: RADDRIZZATORE a DOPPIA SEMIONDA
Il primo passo per poter realizzare un circuito rettificatore AC/DC quello di trasformare la sinusoide
dingresso in unonda avente tensione sempre positiva. Un circuito in grado di fare questo il ponte di diodi
riportato in Figura 1.

Figura 1 - Circuito rettificatore a doppia semionda.
Per capire come funziona questo semplice circuito, occorre anzitutto impostare ampiezza e frequenza del
generatore sinusoidale di ingresso: VAMPL=10, FREQ=50. A questo punto si pu osservare la tensione ai
capi della resistenza di carico RLoad=4kO: tramite una simulazione in transitorio si ottiene landamento
riportato in Figura 2 (final time=60ms).
Rload in gergo si dice flottante ovvero non ha un terminale direttamente collegato a GND. Per poter
visualizzare la tensione differenziale ai capi di RLoad occorre selezionare un apposito marker differenziale
attraverso Markers -> Mark Voltage Differential e posizionare le due sonde sui due terminali di Rload (il cui
segno dipender da come vengono posizionati i marker + e -).
Listato Spice:
RADDRIZZATORE A DOPPIA SEMIONDA

.MODEL Dbreak D

V1 In 0 DC 0 AC 10
+ SIN(0 10 50 0 0)
D1 In Out1p Dbreak
Rload Out1p Out1n 4k
D3 Out1n 0 Dbreak
D2 O Out1p Dbreak
D4 Out1n In Dbreak

.TRAN 200u 20m
.PRINT TRAN V(In) V(Out1p,Out1n)
ELETTRONICA Esercitazione 1

Figura 2 - Simulazione in transitorio del circuito rettificatore ad onda intera.
Durante il semiciclo positivo della sinusoide dingresso i diodi D1 e D3 sono in conduzione mentre D2 e
D4 sono spenti, al contrario durante il semiciclo negativo, sono accesi D2 e D4 e sono spenti D1 e D3.
Questo comportamento pu essere meglio compreso visualizzando landamento delle correnti di ogni diodo
al variare della tensione di ingresso (Figura 3).

Figura 3 - Andamento delle correnti di ciascun diodo e delle tensioni ai capi di Rload.
Allinizio le due uscite Out1p e Out1n sono a massa; non appena Vin inizia ad aumentare (primo semiciclo
positivo), non succede nulla finch ai capi di D1 e D3 non si raggiunge la tensione di accensione del diodo.
A questo punto D1 e D3 vanno in conduzione e Out1p segue Vin. Un discorso analogo vale durante il
semiciclo negativo.
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Esempio 1.2: RADDRIZZATORE STABILIZZATO (con filtro RC)
Una volta raddrizzata la tensione sinusoidale di ingresso tramite il ponte di diodi, necessario filtrare luscita
di questultimo per ridurre le oscillazioni residue. Questo pu essere fatto tramite il circuito di Figura 4, in
cui si semplicemente aggiunto al ponte di diodi un filtro RC avente tempo di scarica determinato dalla
costante di tempo
Load Load
C R = t t 2 .

Figura 4 - Raddrizzatore stabilizzato con filtro RC.
Il risultato della simulazione in transitorio riportato in. Figura 5. Come possibile notare la tensione
duscita presenta unoscillazione residua (ripple) piuttosto contenuta. In pratica, durante il periodo di
conduzione del diodo il condensatore accumula energia, e la cede al carico durante linterdizione del diodo.

Figura 5 - Andamento nel tempo del raddrizzatore stabilizzato con filtro RC a basso t.
Listato Spice:
RADDRIZZATORE STABILIZZATO RC

.MODEL Dbreak D(RS=0.1)

V1 In 0 DC 0 AC 10
+ SIN(0 10 50 0 0)
D1 In Out1p Dbreak
RLoad Out1p Out1n 4k
CLoad Out1p Out1n 25u
D3 Out1n 0 Dbreak
D2 O Out1p Dbreak
D4 Out1n In Dbreak

.TRAN 200u 20m
.PRINT TRAN V(In) V(Out1p,Out1n)

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Per poter calcolare il valore di C
Load
, tale da poter garantire un valore di ripple prefissato, sufficiente
operare delle semplificazioni:
- considerare come punto iniziale della scarica del condensatore listante in cui il generatore eroga la
massima tensione, ovvero 1 4 t T = , dove T i periodo della sinusoide generata ( 1 T f = )
- considerare come punto finale per la scarica del condensatore listante in cui il generatore eroga la
minima tensione, ovvero 3 4 t T =
- considerare LINEARE la scarica del condensatore (approssimazione del primo tratto di
esponenziale), ovvero
t
V
C I
Load
Load
C
A
A
=
- considerare la corrente che scorre sul carico COSTANTE e pari a
| | | |
| |
| | mA
V V
R
V V
R
V
I
Load
Max
Load
Load
R
Load
R
15 . 2
4000
4 . 1 10
2
~
O

=

= =


dove
Max
V lampiezza della sinusoide generata e

V la tensione del ginocchio del diodo

Volendo ottenere un ripple massimo di | | 100 mV si ottiene il seguente valore di
Load
C :
| | uF
V f
I
V
I t
C
Load
C
Load
C
Load
215
2
~
A
=
A
A
=
avendo sostituito i seguenti valori
f
T
T T t
2
1
2 4
1
4
3
= = = A tempo di scarica del condensatore
| | 100 V mV A = tensione di scarica del condensatore
Load
R
Load
C
I I = corrente erogata dal condensatore = corrente dissipata dal carico
Ripetendo la simulazione di Transitorio con tale valore di C
Load
si ottiene landamento riportato in Figura 6.

Figura 6 - Andamento nel tempo del raddrizzatore stabilizzato con filtro RC ad elevato t.
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Esempio 1.3: Raddrizzatore Stabilizzato (con Diodo Zener)
Molto spesso, i circuiti elettronici richiedono uno specifico valore di tensione di alimentazione. Per poter
ottenere quindi una tensione stabile (entro i limiti del ripple che stato calcolato in precedenza), ma
soprattutto di valore noto, nel passato si fatto largo uso di diodi Zener. Tale tipo di diodo, superato un
certo valore di tensione inversa applicata, denominato di Breackdown (BV), in prima approssimazione
presenta una tensione FISSA ai suoi capi, anche al variare della corrente che lo attraversa.
Si modifichi quindi lo schematico dellesercizio precedente, come riportato in Figura 7.


Figura 7 - Schematico del Raddrizzatore Stabilizzato con Diodo Zener
NOTARE BENE: COME INSTANZIARE IL COMPONENTE DIODO ZENER
- Il componente Diodo Zener denominato DbreakZ e si trova nella libreria Breakout.
- Una volta instanziato il diodo Zener D5, selezionarlo con il tasto sinistro del mouse.
- Andare quindi nel men Edit->Model e selezionare Edit Instance Model (text). A questo punto compare
la finestra riportata in Figura 8.
- MODIFICARE il nome del modello da Dbreak a DbreakZ
- INSERIRE i valori BV=4.7 (tensione di Breakdown) e Ibv=5m (corrente alla tensione BV)

Figura 8 - Editino dei parametri del Diodo Zener
Listato Spice:
INSTANZIARE UN DIODO ZENER

.MODEL DbreakZ D(BV=4.7 IBV=5m RS=0.1)

DZ1 N+ N- DbreakZ

Listato Spice:
RADDRIZZATORE STABILIZZATO ZENER

.MODEL Dbreak D(RS=0.1)
.MODEL DbreakZ D(BV=4.7 IBV=5m
+ RS=0.1)

V1 In 0 DC 0 AC 10
+ SIN(0 10 50 0 0)
D1 In Out1p Dbreak
R1 Out1p Out2p 100
RLoad Out2p Out1n 4k
CLoad Out2p Out1n 25u
DZ1 Out1n Out2p DbreakZ
D3 Out1n 0 Dbreak
D2 O Out1p Dbreak
D4 Out1n In Dbreak

.TRAN 200u 20m
.PRINT TRAN V(In) V(Out1p,Out1n)

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Figura 9 - Simulazione di Transitorio del Raddrizzatore Stabilizzato con Diodo Zener
Operando una simulazione di transitorio su pi periodi si ottiene landamento riportato in Figura 9. Si pu
notare come, sebbene il valore basso di CLoad comporterebbe un ripple di quasi 700mV (Esempio 1.1), la
presenza del diodo zener consente di ottenere un ripple pi contenuto (meno di 300mV) ma soprattutto un
valore medio della tensione di uscita pari al valore nominale dello zener stesso, permettendoci di svincolarci
dal valore di tensione in ingresso.

Esempio 1.4: Circuito di clipping (limitatore di tensione)
Si consideri il circuito riportato in Figura 10:

Figura 10 - Limitatore di tensione positiva.
Effettuando una simulazione DC sweep sulla tensione V1 tra -5V e 5V possibile visualizzare leffetto di
limitatore di tensione positiva svolto dal diodo D1, come possibile osservare nella Figura 11.
Listato Spice:
CIRCUITO DI CLIPPING

.MODEL Dbreak D(RS=0.1)

V1 In 0 DC 5
R1 In Out 1Meg
D1 Out 0 Dbreak

.DC V1 -5 5 0.1
.PRINT DC V(In) V(Out)

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Figura 11 - Simulazione DC per visualizzare l'effetto di limitatore di tensione positiva.
Finch la tensione ai capi del diodo non supera la tensione di accensione, il diodo D1 spento (Id=0) e la
tensione duscita, Vout, segue la tensione di ingresso V1. Non appena Vout supera la tensione di accensione
del diodo (V
ON
=450mV), il diodo si accende e si comporta come un generatore di tensione con tensione
V
ON
. Al crescere di V1, il nodo duscita si muove appena e la corrente Id cresce in modo lineare con
pendenza 1/R1 (legge di Ohm).

Esempio 1.5: Simulazione in transitorio del circuito di clipping positivo.
Per poter spostare il punto in cui interviene leffetto limitatore del diodo, sufficiente aggiungere in serie a
D1 un generatore di tensione DC del valore desiderato.
Per poter osservare nel tempo leffetto di limitatore di tensioni positive si disegni il circuito riportato in
Figura 12, in cui viene applicata una tensione sinusoidale in ingresso e si visualizza la tensione duscita
filtrata dal circuito di clipping.

Figura 12 - Circuito per osservare nel tempo l'effetto di clipping di tensioni positive.
Listato Spice:
CIRCUITO DI CLIPPING POSITIVO

.MODEL Dbreak D(RS=0.1)

Vin In 0 DC 0 AC 5 SIN(0 5 1k 0 0)
R1 In Out 1Meg
D1 Out 1 Dbreak
Vmax 1 0 DC 3

.TRAN 50u 1m
.PRINT TRAN V(In) V(Out)

ELETTRONICA Esercitazione 1
Si impostino i parametri del generatore di tensione sinusoidale Vin come riportato in Figura 13:

Figura 13 - Finestra di dialogo per l'impostazione dei parametri di VSIN.
In questo modo viene applicato allingresso un segnale di tensione di tipo sinusoidale avente valor medio
VOFF=0V, ampiezza della semionda pari a VAMPL=5V (10V picco-picco), una frequenza di 1KHz, un
tempo di ritardo TD=0s, un fattore di smorzamento DF=0, ed una fase iniziale PHASE=0.
Il risultato di una simulazione in transitorio (Transient) di durata 5ms con uno step ceiling di 10us,
riportato in Figura 14:

Figura 14 - Andamento nel tempo di Vin e Vout del circuito di clipping positivo riportato in Fig. 9.
Com possibile notare, finch Vout<V
ON
+Vmax=3.45V il diodo non in conduzione e Vout=Vin. Non
appena tale valore viene superato il diodo si accende limitando la tensione duscita.
Esercizi proposti:
A. Considerando il circuito proposto nellesempio 1.1, si utilizzi un segnale di tensione in ingresso
(sempre di tipo sinusoidale) con una frequenza maggiore (ad esempio attraverso un AC Sweep).
Valutare leffetto dei parametri SPICE relativi al comportamento in frequenza del diodo (CJ0 e TT)
sulla tensione duscita.
B. Tracciare la curva caratteristica del Diodo Zener (attraverso un DC Sweep).
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C. Dato il seguente circuito

eseguire una simulazione PARAMETRICA per determinare il miglior valore di R1, al fine di far
funzionare correttamente DZ1 (BV=20, Ibv=10m).

D. Analizzare tramite simulazione TRANSIENT il comportamento del seguente circuito (circuito di
clipping a doppia alimentazione).


Listato Spice:
ESERCIZIO D

.MODEL Dbreak D(RS=0.1)

Vin In 0 DC 0 AC 5 SIN(0 5 1k 0 0)
R1 In Out 1Meg
D1 Out 1 Dbreak
Vmaxp 1 0 DC 3
Vmaxn 0 2 DC 2
D2 2 Out Dbreak
Listato Spice:
ESERCIZIO C

.MODEL DbreakZ D(BV=4.7 IBV=5m RS=0.1)

V1 In 0 DC 10
R1 In Out {res}
R2 Out 0 4k
D1 0 Out DbreakZ

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Appunti di Teoria
Parametri PSPICE del componente DIODO
Nella seguente Tabella 1, sono riportati i parametri PSPICE di LIVELLO 1 (modello analitico attinente alla
FISICA del dispositivo) del componente DIODO.

Diode Parameter Name Default Value Unit
IS Saturation Current 1.E-14 [A]
N Ideality factor (aka emission coefficient) 1
BV (positive number) Breakdown voltage Infinite [V]
IBV (positive number) Breakdown current 1.E-03 [A]
RS Parasitic series resistance 0 [O]
TT Transit Time 0 [s]
CJO Zero-bias junction capacitance 0 [F]
VJ Junction Potential 1 [V]
M Capacitance coefficient 0.5
EG Semiconductor band-gap 1.11 [eV]
XTI Temperature coeff. for the saturation current 3
KF Flicker noise coefficient 0
AF Flicker noise exponent 1
FC Forward-bias capacitance coefficient 0.5
TNOM Nominal operating temperature 27 [C]
Tabella 1 - Parametri PSPICE del componente DIODO
Le grandezze in esso utilizzate hanno quindi un significato ben preciso e sono legate alle equazioni che ne
regolano il comportamento FISICO. Nel caso di componenti reali, ovvero componenti discreti presenti in
commercio, tali grandezze sono estrapolate mediante caratterizzazione sperimentale dei dispositivi. Nel
corso di Elettronica, prenderemo in considerazione soltanto ALCUNI di tali parametri, legati per lo pi al
modello equivalente del diodo visto a lezione e riportato in Figura 15, ovvero R
S
, I
S
, TT e C
J0
.

Figura 15 - Equivalente circuitale del componente DIODO
In particolare, R
S
la resistenza serie del dispositivo mentre I
S
la corrente di saturazione inversa. Per
caratterizzare in prima approssimazione la dinamica del dispositivo, si tiene conto anche della capacit C
Listato Spice:
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL
DIODO REALE

R1 A 1 Rs_value
C1 1 K Cj_value
D1 1 2 D_ideal
V1 2 K DC Vt_value

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legata ai parametri TT (tempo di transito) e C
J0
(capacit di giunzione in assenza di polarizzazione), luno
preponderante nel caso di conduzione diretta, laltro nel caso di inversione di polarizzazione.
Prendendo in esame dispositivi del tipo Zener, occorre specificare anche i parametri BV (tensione di
breakdown) e IBV (corrente circolante nel dispositivo per una tensione inversa ai suoi capi pari a BV).

NOTA: per avvicinare un diodo reale al comportamento di quello ideale, possibile abbassare il valore di
R
s
(=> maggiore pendenza della curva I/V nel tratto a conduzione diretta), oppure abbassare il valore di N
(=> ginocchio del tratto a conduzione diretta sempre pi prossimo ai 0V)
Tali trucchi hanno per scarso interesse, in quanto molto spesso portano soltanto alla generazione di
numerosi errori di convergenza per il simulatore.

Simulazioni PARAMETRICHE e PARAMETRI di MODELLI
E possibile effettuare delle simulazioni parametriche utilizzando come variabile il valore di un parametro
presente allinterno di un modello. Per far ci occorre anzitutto abilitare la simulazione parametrica, poi
immettere il nome del modello e quello del parametro (interno al modello) da utilizzare come variabile,
come riportato nella seguente Figura 16.

Figura 16 - Simulazione Parametrica di un parametro di modello
Nel caso di un diodo, il TIPO del modello da inserire D.
Il NOME del modello invece legato al dispositivo instanziato nel circuito: nellesempio 1.3 per i diodi
rettificatori viene utilizzato un modello di nome Dbreak, mentre per il diodo Zener viene utilizzato un
modello di nome DbreakZ ENTRAMBI sono modelli di TIPO D, ovvero DIODI, ma per ciascuno
dei due sono stati assegnati dei valori differenti dei parametri.
Il NOME del PARAMETRO dipende invece dal TIPO di modello. Nel caso di diodi, si possono utilizzare i
parametri elencati nella Tabella 1.
Scelto il parametro, occorre poi definire il tipo di sweep ed il range di valori in cui farlo variare.


Listato Spice:
SIMULAZIONI PARAMETRICHE CON
PARAMETRI DI MODELLO



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Soluzione parziale dellEsercizio Proposto (A)
Si consideri il circuito di Figura 17, nel quale i due diodi hanno i parametri riportati in Figura 18

Figura 17 - Schematico del circuito per lanalisi dinamica del comportamento del componente DIODO

Figura 18 - Parametri del modello Dbreak utilizzato per D1 e D2
Una prima simulazione AC Sweep porta al risultato di Figura 19.

Figura 19 - Simulazione AC Sweep
Listato Spice:
ESERCIZIO D

.MODEL Dbreak D(RS=0.1 TT=1u)

Vin In 0 DC 1 AC 1
R1 In OutDir 1k
D1 OutDir 0 Dbreak
R2 In OutInv 1k
D2 0 OutInv Dbreak

.AC DEC 10 1k 100g
.PRINT AC V(OutDir) V(OutInv)
ELETTRONICA Esercitazione 1
Occorre far notare come il simulatore, prima di procedere nella simulazione AC Sweep, trovi prima di tutto
il punto di lavoro DC del circuito stesso. Per permettere a D1 di funzionare correttamente in condizione di
polarizzazione DIRETTA e a D2 di funzionare correttamente in condizione di polarizzazione INVERSA,
occorre inserire come valore DC di Vin una tensione superiore a quella di ginocchio della caratteristica del
diodo, ovvero qualcosa nellintorno dei 0.6V o 0.7V: DC=1V ci consente un margine di tranquillit.
Allinterno della sua maglia, una volta fissato il suo stato di conduzione, il DIODO viene quindi a
comportarsi come un CONDENSATORE avente un valore legato ai parametri di modello Cjo e TT.
A questo punto, giocando con delle simulazioni parametriche, si pu notare come il parametro TT vada
ad influenzare il solo comportamento di D2 (per cui risulta legato alla sola conduzione diretta) mentre Cjo
influenza il comportamento di entrambe i diodi. Si pu quindi considerare la simulazione parametrica
impostata con i valori riportati in Figura 20, al fine di considerare leffetto delle variazioni del parametro TT.

Figura 20 - Impostazioni della simulazione di tipo parametrico sul parametro di modello TT
Il risultato di tale simulazione riportato nella seguente Figura 21: come accennato, il comportamento di D2
rimane invariato, mentre D1 presenta una frequenza di taglio molto differente a seconda del valore di TT.

Figura 21 - Risultati della simulazione AC Sweep, parametrizzata rispetto al parametro di modello TT