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Alcuni esercizi su circuiti che impiegano BJT

(A.A. 2015-2016, V1.1)

Esercizio 1
VCC = 15V
Determinare i punti di riposo dei transistori presenti
nei tre schemi di seguito riportati considerando
dapprima =100 e in secondo luogo =200.
Comparare i risultati ottenuti nei tre circuiti in termini
di stabilit del punto di riposo.
Dopo avere verificato se i transistori sono polarizzati
in zona attiva, calcolare lamplificazione di tensione
per piccolo segnale Av = vo / vi , nonch le impedenze
di ingresso e di uscita viste alle porte vi e vo .
Si trascurino le resistenze dinamiche duscita dei
transistori e la reattanza dei condensatori alla
frequenza del segnale di ingresso.

RC
2,7k

R1
470k
C1

Q1
vo

vi

VCC = 15V

VCC = 15V

RC
5k

C2

RC
5k

R1
100k

C2

C2

C1
C1

RB
470k

Q1
Q1

vo

vi

Esercizio 2

vi

vo
R2
56k

RE
5k

V + = 12V

Determinare i punti di riposo dei transistori presenti

nello schema a lato riportato considerando =200.

V + = 12V

RC
10k

Q2
Q1

R1
22k

RE
1.5k

-2E=18V

Esercizio 3
R3
10k

Determinare lespressione dellamplificazione

di tensione A(j)=vo(j)/vi(j) del circuito di
figura,
tracciandone
landamento
nei
diagrammi asintotici di Bode.
Per il transistore si assuma un =100 e si
trascuri la sua resistenza duscita ro. Inoltre si
considerino trascurabili le reattanze dei
condensatori C1 e C3, ma non quella del
condensatore C2.

R1
500k

C2
100nF

R4
100

C3

C1
Q1
vo

vi

R2
39k

RE
500

Esercizio 4
Nel circuito di figura si supponga di usare un
transistore al silicio Q1 con =100 e si trascuri la sua
resistenza dinamica duscita ro.
In
tali
ipotesi
determinare
lespressione
dellamplificazione di tensione A(j)=vo(j)/vi(j) del
circuito, tracciandone landamento nei diagrammi
asintotici di Bode.
Si calcoli inoltre lampiezza del segnale duscita vo
quando in ingresso presente un segnale vi = 20mV
con frequenza pari a 10Hz, 500Hz o 10kHz.
Nello studio dinamico si consideri trascurabile la
reattanza del condensatore C1, ma non quella del
condensatore C2.

E=18V

R1
500k

C2
100nF

R3
10 k

C1
Q1
R2
39k

vi

RL
10k

RE
500

vo

Esercizio 5
Determinare lamplificazione di
tensione AV = vo /vi per il circuito di
figura.
Q1 un transistore in silicio con
= 100, mentre Q2 un MOSFET
ad arricchimento con K = 2 mA/V2
e VT = 2V.
Si
consideri
trascurabile
la
reattanza dei condensatori alla
frequenza del segnale di ingresso.

E = 6V

R1
300k

R4
1k

R3
3k

C1
Q1
vi

R2
100k

Q2

C2
vo

-3Esercizio 6

E = 15V

Determinare i punti di riposo dei due transistori e

lamplificazione di tensione per piccolo segnale
Av = vo / vi del circuito di figura, considerando =200
per il BJT, mentre per lNMOS sia VT = 2V e
Kn = 3mA/V2. Si trascurino inoltre le resistenze
dinamiche duscita di entrambi i transistori e la
reattanza dei condensatori alla frequenza del
segnale di ingresso.

R1
220k

R4
1k
C2

C3
Q2
vo

R2
150k
C1
Q1
vi

R3
100k