ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A BJT

A COLLETTORE COMUNE (EMITTER FOLLOWER)

(Dati uguali allEsempio di par.8.3.2, Fig.8.55
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)
Calcolare il punto di lavoro del BJT Q1 di Fig.1, le amplificazioni a media frequenza di tensione Av= vo /vi e di
corrente Ai =il /ii , lamplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di uscita Ro nei punti P1 e P2
indicati. Si trascuri leffetto Early.
VCC = 5 V

i in

R IN vi

ii Ri

P1

R1
30k

C IN

Q1

1k

+
vin
-

=100
VBE =0.7 V
CO

R2
20k

P2

RE
1.3k

Ro

vO
il

RL
1k

Fig.1. Circuito con transistor BJT connesso a Collettore Comune (Emitter follower)

Soluzione:
a schema equivalente completo
Si pu sostituire il transistor con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali
sia ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 un passo intermedio, mostrato per facilitare la
comprensione degli sviluppi successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

R IN
+
vin
-

C IN

1k
R BB
+
VBB = 2 V
-

12k

+
v BE
-

+
VCC = 5 V
-

i C ( v BE )
E

CO

RE

vO
RL
1k

1.3k

v BE =VBE + r i b
i C =IB + gmvbe

Fig.2. Schema equivalente completo

Nello schema equivalente del transistore, la tensione totale vBE si considera la somma della tensione continua del punto
di lavoro VBE , funzione come noto della corrente IC , pi un termine incrementale ai piccoli segnali pari al prodotto r

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-1

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

ib . Analogamente, la corrente totale di collettore iC si considera la somma di un termine continuo, relativo al punto di
lavoro, IB , pi un termine ai piccoli segnali gm vbe .
Il partitore, formato da R1 e R2 ed alimentato da VCC , stato sostituito dal generatore equivalente VBB e dalla
resistenza equivalente RBB . I valori di tali elementi sono dati da
VBB = VCC

R2
20 103
= 5
=2 V
R1 + R 2
30 103 + 20 103

R BB = R 1 // R 2 =

(1)

R1 R 2
30 103 20 10 3
=
= 12 k
R 1 + R 2 30 103 + 20 10 3

(2)

In base al principio della sovrapposizione degli effetti, lo schema equivalente completo si pu scindere in uno schema
equivalente ai grandi segnali, che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del BJT, ed in
uno schema equivalente ai piccoli segnali, su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste, che sono
appunto relative al comportamento ai piccoli segnali.
Spesso, e in particolare in questo caso, interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda, cio a frequenze
diverse dalla continua ma non troppo alte. In questo caso, di solito, i condensatori impiegati nello schema hanno valori
tali per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. Perci,
se non specificato diversamente, i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e
corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali.
b studio ai grandi segnali
In base a quanto detto, si osserva che, ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali, la parte di circuito a
monte di CIN , che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN , si pu ritenere scollegata dal resto del
circuito e senza effetti. Essa viene quindi omessa. Lo schema che si ricava mostrato in Fig.3.
R BB
+
VBB =2 V
-

VB B

12k

IB

IC

+
VBE
-

C VC
+
VCC = 5 V
-

IB
IE

RE
1.3k

VBE = 0.7 V

Fig.3. Schema equivalente ai grandi segnali

per la determinazione del punto di lavoro
Si suppone che il BJT sia in condizioni di zona attiva e che la tensione base-emettitore sia di fatto VBE =0.7 V.
Considerando la maglia che va dalla base del BJT allemettitore e comprende il generatore VBB , la resistenza RBB , la
caduta base-emettitore VBE e la resistenza RE , si pu scrivere
VBB R BB IB VBE R E IE = 0
e tenendo conto che

(3)

IC = IB

(4)

IE = I C + IB = ( + 1) )IB

(5)

VBE = 0.7 V

(6)

si ha da (3)
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-2

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

VBB VBE [R BB + ( + 1)R E ] IB = 0

(7)

da cui
IB =

2 0.7
VBB VBE
=
= 9.07 A
3
R BB + ( + 1) R E 12 10 + (100 + 1)1.3 103

(8)

e quindi
I C = IB = 100 9.07 10 6 = 0.907 mA

(9)

IE = ( + 1) IB = (100 + 1) 9.07 10 6 = 0.916 mA

(10)

Note IC e IE , si pu ricavare la tensione VCE . A tal fine si pu scrivere

VC = VCC = 5 V

(11)

VE = R E IE = 1.3 103 0.916 10 3 = 1.191 V

(12)

e perci
VCE = VC VE = 5 1.191 = 3.8 V
Essendo VCE >0.2 V, si conferma che il transistor in zona attiva.

(13)

c studio ai piccoli segnali

Dallo schema equivalente completo, azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di
alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa, sostituendo il condensatore CIN con un corto circuito e
inserendo tra Base, Emettitore e Collettore lo schema equivalente del BJT ai piccoli segnali, si ottiene lo schema
equivalente ai piccoli segnali di Fig.4.

i in

R IN
1k

+
vin
-

vi

ii

Ri

P1
RBB
12k

vb B

ib

ic
+
vbe
-

ie
ve
ire

C vc

gmvbe

P2

RE
1.3k

Ro

vO
il

RL
1k

Fig.4. Schema equivalente ai piccoli segnali

Poich noto il punto di lavoro del BJT, ed in particolare nota la corrente di collettore IC , si pu determinare la
transconduttanza gm (che un parametro ai piccoli segnali). Come noto si ha
IC
0.907 10 3
(14)
=
= 34.88 10 3 Siemens
VT
26 10 3
dove VT la tensione termica (thermal voltage) data da VT =kT/q, con k costante di Boltzmann, T temperatura assoluta
in gradi Kelvin, q carica dellelettrone. Essendo k=1.38066 10-23 J/K, q=1.60218 10-19 Coulomb, e assumendo una
temperatura di 27C e quindi di 300K, si ottiene VT =25.85 mV 26 mV.
gm =

Il valore della resistenza differenziale di base r si ricava dalla nota formula

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Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

r =

100
=
= 2.867 k
gm 34.88 10 3

(15)

E conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali, sostituendo il circuito connesso in base con un
generatore equivalente di Thvenin, e riunendo in ununica resistenza equivalente RE =RL le due resistenze in
parallelo RE e RL , come mostrato in Fig.5.
Dallo schema di Fig.4 la tensione a vuoto vin, che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN , RBB ed il
generatore di tensione vin , vale
v in = v in

R BB
12 103
== v in
= v in 0.923
R IN + R BB
1 103 + 12 103

(16)

La resistenza equivalente RIN si ottiene nello stesso circuito annullando, cio chiudendo in corto circuito, il generatore
di tensione vin . La RIN quindi data dal parallelo di RIN e di RBB
R IN R BB
1 103 12 10 3
=
= 923
R IN + R BB 1 10 3 + 12 103
Come detto, la resistenza equivalente RL data da
R IN = (R IN // R BB ) =

R E = R L = (R E // R L ) =

(17)

1.3 103 1 103

RE RL
=
= 565
R E + R L 1.3 103 + 1 103

i'in

R'IN

vb B

923

+
v'in
-

ib

(18)

ic

+
vbe
ie
ve

i'l =i e

C vc

gmvbe

vO

R'E =R'L
565

Fig.5. Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto

Nello schema ridotto di Fig.5, ricordando che
ic = gm v be

ib =

(19)

ic
g
= m v be

(20)

ie = ic + ib

(21)

e quindi
ie =

+1
+1
ic =
gm v be

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(22)

-4

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

Considerando la maglia che comprende vin , RIN , base, emettitore e RE =RL , si pu scrivere
v in R IN ib v be R Eie = 0

(23)

Tenendo conto delle (20) e (22) si ricava

1

+1
v in gmR IN + 1 +
gmR E v be = 0

(24)

1
+1
1
gmR E
1 + gmR IN +

e sostituendo nella (20) e nella (19)

v be = v in

(25)

ib = v in

gm
1
= v in
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
R IN + r + ( + 1)R E

(26)

ic = v in

gm

= v in
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
R IN + r + ( + 1)R E

(27)

ie = v in

gm ( + 1)
+1
= v in
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
R IN + r + ( + 1)R E

(28)

Inoltre, dallo schema si ha

( + 1)R E
gm ( + 1)R E
= v in
(29)
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
R IN + r + ( + 1)R E
Si pu definire unamplificazione di tensione Av =vo /vin , relativa allo schema ridotto, che risulta dalla (28)
v o = v e = R E ie = v in

vo
( + 1)R E
gm ( + 1)R E
=
=
1
(30)
v in + gm [R IN + ( + 1)R E ] r + R IN + ( + 1)R E
dove la semplificazione valida soprattutto se +1>>(r +RIN )/RE . E da notare che, per la connessione a collettore
comune, lamplificazione di tensione Av positiva e minore ma prossima a 1.
Con i dati del caso in esame, dalla (17) si ricava
A v =

A v =

gm ( + 1)R E
34.88 10 3 (100 + 1) 565
=
= 0.938
+ gm [R IN + ( + 1)R E ] 100 + 34.88 10 3 [923 + (100 + 1) 565]

(31)

Dallesame del circuito e dalle (25) e (29) si vede che la tensione di base vb pu essere espressa da

( + 1) R E
+1

(32)
v b = v be + v e = v be 1 +
gmR E = v be 1 +
r

e dalle (32), (26) e (25) si ricava il rapporto rb = vb /ib , che pu essere considerato come la resistenza di ingresso in base
del BJT a collettore comune. Tenendo conto anche della (15) si ottiene

vb
=
+ ( + 1)R E = [r + ( + 1)R E ] = 2.867 10 3 + (100 + 1) 565 = 59.932 k (33)
ib
gm

Si pu definire inoltre il rapporto Ai =il /iin = ie /iin come lamplificazione di corrente relativa allo schema ridotto di
Fig.5. Dallo schema si vede che il =ie e che iin =ib . Dalle (26) e (28) si ricava quindi
rb =

i
il
= e = ( + 1) = 101
iin ib
Lamplificazione Ai dunque positiva e grande.
A i =

(34)

E interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig.5 lo schema tipico della connessione a emettitore comune con
resistenza di emettitore di un BJT, e che le formule (29), (34), (33) che danno le amplificazioni di corrente e di tensione
e la resistenza di ingresso, sono formule classiche riportate in tutte le tabelle.

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-5

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

E necessario ora tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig.4 per calcolare i parametri richiesti, relativi allo
schema completo.
A questo fine opportuno esprimere le variabili dello schema in funzione del segnale di ingresso vin anziche di vin .
Sostituendo nelle (26), (27), (25), (29) lespressione di vin data dalla (16) si ottiene
ib = v in

R BB
gm
=

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(35)

ic = v in

R BB
gm

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(36)

v be = v in

R BB

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(37)

R BB
gm ( + 1)R E
R BB

= v in
A v

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]
R IN + R BB
inoltre, dalla (32) e dalla (37) si ricava
v o = v in

v b = v in

+ ( + 1) gmR E
R BB

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(38)

(39)

In base allo schema di Fig.4 risulta che vi =vb . Dalle (38) e (39) si ricava quindi lamplificazione di tensione relativa
allo schema completo
vo vo
( + 1)R E
gm ( + 1)R E
=
=
=
vi
v b + ( + 1) gmR E r + ( + 1)R E
e introducendo i valori numerici
Av =

(40)

vo
gm ( + 1)R E
34.88 10 3 (100 + 1) 565
(41)
= 0.952
=
=
+ ( + 1) gmR E 100 + (100 + 1)34.88 10 3 565
vi
Se si fosse voluta calcolare lamplificazione complessiva Avt =vo /vin tra il segnale di ingresso e quello di uscita,
includendo lattenuazione dovuta a RIN , dalla (38) e dalla (31) si pu ricavare
Av =

A vt =

vo
R BB
12 10 3
=
A v =
0.938 = 0.866
v in R IN + R BB
1 103 + 12 103

(42)

Per calcolare lamplificazione di corrente Ai =il /ii si devono ricavare le espressioni di ii e di il in funzione delle
grandezze gi determinate.
Dallo schema di Fig.4 si vede che la corrente ii =iin data dalla somma di ib e della corrente irbb che fluisce in RBB .
Questa corrente, a sua volta, dipende dalla tensione vi =vb . Si pu dunque scrivere, ricordando la definizione di rb data
dalla (33)
ii = irbb + ib =

vb
+ ib = ib b + 1
R BB
R BB

(43)

Ancora da Fig.4 si vede che la corrente ie =il si ripartisce tra le resistenze RE e RL . Come noto, le relative correnti ire
e il stanno in proporzione inversa alle resistenze (infatti, ire =vo /RE , il =vo /RL e ie= (ire +il )). Si pu dunque scrivere
RE
(44)
RE + RL
Dalle (43) e (44), tenendo conto della (34), lamplificazione di corrente relativa allo schema completo risulta
il = ie

Ai =

il
i i i
RE
R BB
= l b e =

A i
ii ie ii ib R E + R L R BB + rb

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(45)

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

e introducendo i valori numerici

Ai =

RE
R BB
1.3 103
12 10 3

A i =

(101) = 9.523
R E + R L R BB + rb
1.3 10 3 + 1 103 12 10 3 + 59.932 103

(46)

Lamplificazione di potenza risulta perci

Ap =

Wl v o il v o il
=
=
= A v A i = (0.952 ) (9.523) = 9.066
Wi
v i ii
v i ii

(47)

Per calcolare la resistenza di ingresso nel punto P1 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna, cio il
generatore di tensione vin e la resistenza RIN , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve
ne sono) e di collegare in P1 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione di Fig.6.

Ri

ix
+
vx
-

P1

vb B

RBB
12k

ib
r

ic
+
vbe
ie

C vc

gmvbe
Ro

ve

RE
1.3k

ire

vO
il

RL
1k

Fig.6. Schema per il calcolo dellimpedenza di ingresso Ri .

Dallo schema, la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta
1
1
v
vx
v
1
1
+ ib = x + b = v x
+ = v x
+
R BB
R BB
rb
R BB rb
R BB r + ( + 1)R E
Poich la resistenza Ri per definizione Ri =vx /ix si ottiene
ix =

R [r + ( + 1)R E ] 12 103 2.867 103 + (100 + 1) 565

vx
= BB
=
= 9.998 k
ix
R BB + r + ( + 1)R E 12 103 + 2.867 103 + (100 + 1) 565
che pari al parallelo di RBB e rb .
Ri =

(48)

(49)

In modo simile, per calcolare la resistenza di uscita nel punto P2 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna,
che in questo caso si riduce alla resistenza di carico RL , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori
indipendenti, cortocircuitando il generatore di segnale vin , e di collegare in P2 un generatore di prova vx . Si ottiene la
configurazione di Fig.7.
E evidente, dallo schema, che ix =ire ie e che ve =vo =vx . Perci ire =vx /RE .
Per calcolare la corrente ie causata dalla vx nellemettitore, si osserva che a tale corrente, in base alle (19), (20), (21),
corrisponde una corrente di base ib =ie /(+1). Daltra parte, come si vede dallo schema, una corrente ib provoca nel
parallelo di RIN e di RBB una tensione vb che vale
v b = ib (R IN // R BB ) = ib

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1
R IN R BB
= ie
R IN
+1
R IN + R BB

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(50)

Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune

R IN

vi

ii

1k

vb B
RBB

ib

ic
+
vbe
-

12k

ie
ve
ire

C vc

gmvbe

P2

Ro
ix

RE
1.3k

+
vx
-

Fig.7. Schema per il calcolo dellimpedenza di uscita Ro

La stessa ib provoca nella resistenza r una caduta
r
+1
La tensione ve provocata da ie risulta quindi dalle (50) e (51)
v be = r ib = ie

(51)

R
r
R + r
v e = v b v be = ie IN + = ie IN
(52)
+1
+ 1 + 1
Il rapporto re = ve /ie =(RIN +r )/(+1) pu essere considerato come resistenza differenziale di emettitore dello schema
di Fig.5. Come si pu constatare, dallemettitore le resistenze connesse in base vengono viste come se fossero ridotte
del fattore 1/(+1).
Dalle relazioni precedenti si ha
1
vx
+1
+1

+ ve
= v x
+
RE
R IN + r
R E R IN + r
La resistenza di uscita Ro per definizione quindi
i x = ire ie =

Ro =

R E (R IN + r )
vx
1
=
=

ix
R

1
+1
IN + r + ( + 1)R E

+
R E R IN + r

(53)

(54)

che il parallelo di RE con re .

Sostituendo i valori dei parametri si ha

R E (R IN + r )
1.3 103 923 + 2.867 103
(55)
=
= 36.472
R IN + r + ( + 1)R E 923 + 2.867 103 + (100 + 1)1.3 10 3
Il risultato ottenuto conferma che la connessione a collettore comune caratterizzata da una bassa resistenza di uscita.
Si pu osservare che, nel caso si fosse dovuto tener conto delleffetto Early, si sarebbe dovuta definire una
corrispondente resistenza ro in parallelo al generatore di corrente comandato gm vbe nello schema equivalente ai piccoli
segnali del BJT. Leffetto di tale resistenza normalmente trascurabile nel calcolo dei parametri considerati in questo
esercizio. Per la connessione a collettore comune, ci vale anche nella determinazione della resistenza di uscita Ro.
Ro =

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Esempio di Amplificatore a BJT a collettore comune