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Fondamenti di Elettronica: test, prima parte Dato un transistor ad effetto di campo (MOSFET) a canale n del tipo a svuotamento, polarizzato

in zona di saturazione, una riduzione della tensione VGS causa: un aumento della carica libera nel canale una riduzione della corrente di drain 2 La formula I d= IDSS ( 1-VGS /VT ) Poich VT negativo, allora se VS G (>0) si riduce Idcresce. Aumentanto la corrente di drain diminuisce la carica libera del canale. In un transistor MOSFET in saturazione, all'aumentare della tensione VDS, la corrente di drain: Rimane costante Dipende dalla tensione di soglia Aumenta Diminuisce Dalla formula di I Din saturazione si vede che questa dipende direttamente da Vds Dato un transistor bipolare (BJT) di tipo npn polarizzato in zona attiva diretta, un aumento della tensione VCE causa: un aumento della componente di ricombinazione della corrente di base un aumento della corrente di collettore Perch dalle formuline aumentando V CEaumenta Ro. Aumentando Ro la corrente preferir fluire per Ic (vedi schema ai piccoli segnali). In una giunzione pn, aumentando il drogaggio dei semiconduttori, cosa succede al campo elettrico massimo alla giunzione? Rimane invariato Diminuisce Aumenta Dipende dal tipo di drogante In una giunzione pn, con regioni "p" ed "n" debolmente drogate, quale tipo di breakdown avverra' in forte polarizzazione inversa? Zener e Valanga Valanga Zener Dipende dal tipo di drogante [con scarso drogaggio, il diodo e' un normale diodo, se lo polarizzi fortemente in inversa lo arrostisci] Per avere un diodo con breakdown di tipo Zener, bisogna costruire una giunzione pn con regioni "p" ed "n": non drogate fortemente drogate ugualmente drogate debolmente drogate 3 Drogando un semiconduttore con ND atomi donori per cm e 3 NA atomi accettori per cm , sapendo che ND > NA, quale sar la 3 concentrazione per cm delle lacune? NA - ND (no)ND - NA 2 ni / (ND-NA) NA 3 Drogando un semiconduttore con NA atomi accettori per cm e 3 ND atomi donori per cm , sapendo che NA=ND, quale sar la 3 concentrazione per cm dei portatori liberi di tipo lacuna? NA + N D 2 ni / (ND+NA) NA ni 2 La formula e' n i / (ND- NA ) ma aggiungendo lo stesso numero di atomi donori e accettori questi si annullano Un semiconduttore viene drogato con atomi di Fosforo (P) con una 16 -3 concentrazione ND=510 atomi/cm e con atomi di Boro (B) con 15 una concentrazione NA=810 atomi. Determinare la concentrazione di Lacune p nel semiconduttore.

DATI: T=25C, ni=1.4510 cm .. 3 -3 p=510 cm 10 -3 p=1.4510 cm 3 -3 p=4.210 cm 4 -3 p=2,610 cm 2 La formula ni / (ND ): svolgendo i conti si ottiene p=5.005 -NA Un transistor bipolare (BJT) di tipo pnp pu essere polarizzato nella regione attiva diretta quando: le tensioni vBE e vCB sono entrambe < 0 le tensioni vCE e vCB sono entrambe > 0 la tensione vCB > 0 mentre la tensione vCE < 0 la tensione vBE > 0 mentre la tensione vCE < 0 Si sa che la giunzione BE deve essere in diretta, BC in inversa. Poich in base c' il polo negativo (pnp la base in centro) allora BE deve essere < 0 e BC>0 Un transistor bipolare con la giunzione Base-Emettitore (EBJ) e la giunzione Base-Collettore (CBJ) polarizzate in inversa, in che regime sta operando? Zona di interdizione Zona di saturazione Zona attiva diretta Zona attiva inversa Se entrambe sono in inversa (spente) facile ricordarsi che l'intero BJT risulta spento (interdetto)

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valido ai piccoli segnali.

R1 = 1.2 kOhm, R2 = 12 kOhm R1 = 12 kOhm, R2 = 120 kOhm R1 = 12 kOhm, R2 = 1.2 kOhm Nel circuto di figura R1 = 10 kOhm, R2 = 22 kOhm. Qual' il valore dell'amplificazione di tensione?

Source comune senza resistenza di source Gate comune Source comune con resistenza di source Drain comune Dato l'amplificatore mostrato in figura, determinare la configurazione del transistore Q2 nel circuito dinamico equivalente valido ai piccoli segnali.

AV = -2.2 Nell'amplificatore di figura, R1 = 10 kOhm. Quale deve essere il valore di R2 per ottenere un guadagno di tensione pari a 10?

Emettitore comune senza resistenza di emettitore Base comune Emettitore comune con resistenza di emettitore Collettore comune Un amplificatore elettronico deve avere per lo meno una delle seguenti caratteristiche: amplificazione di potenza amplificazione di corrente resistenza di ingresso elevatissima amplificazione di tensione Un transistore bipolare, per essere usato al meglio come amplificatore, deve essere polarizzato: nella zona attiva nella zona di saturazione nella zona di interdizione nella zona attiva inversa Nell'amplificatore di figura, il guadagno di tensione pari a -10. La resistenza di ingresso vale 12 kOhm. Qual' il valore delle resistenze R1 e R2?

9 MOhm 9 kOhm 90 kOhm 900 kOhm + In una giunzione p n (drogaggio della regione p molto maggiore che nella regione n), in polarizzazione diretta, nella regione n, lontano dalla giunzione, la corrente dovuta a: elettroni e lacune (NO) lacune iniettate dalla regione p a elettroni che verranno iniettati nella regione p elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate In una giunzione pn, per avere la regione di carica spaziale che si estende maggiormente nella regione "n" bisogna che: che la regione n sia meno drogata della regione p La regione di carica spaziale si estende dove c' MENO drogante In un transistor bipolare con drogaggio di base (NB) e di emettitore (NE) uguali, sara' caratterizzato da: Un guadagno ad emettitore comune ,b, basso Un guadagno ad emettitore comune ,b, elevato Un marcato effetto Early Un effetto Early trascurabile

R1 = 120 kOhm, R2 = 1.2 MOhm

Determinare la zona di funzionamento per il transistore npn riportato in figura. Dati: VA=3V, VB=4V,VC=3V.

quanto riportato in figura, si determini l'andamento temporale della tensione di uscita (NOTA: i disegni non sono in scala). Dati: ViM=15V, VR=-10V.

Saturazione Interdizione Attiva inversa Attiva diretta Vb>Va ==> giunzione BE in diretta (la base e' p l'emettitore n, vuole appunto che Vb>Ve) Vb>Vc ==> giunzione BC in diretta (come prima) Il BJT funziona in saturazione: giunzione giunzione BE BC Funzionamento off on on off off on off on spento (interd.) saturazione attiva diretta attiva inversa

Determinare la zona di funzionamento per il transistore pnp riportato in figura. Dati: VA=13V, VB=12V,VC=9V.

C) B) D) A) In un transistor MOSFET a canale n funzionante in zona lineare, aumentando la tensione di gate, la resistivita' di canale : Dipende dalla tensione di soglia Aumenta Diminuisce (come mai?) Rimane costante Dalla formuluzza di I Dvediamo che aumentando VGS, IDaumenta, quindi la resistivit diminuita Disporre i seguenti stadi elementari in ordine di resistenza di ingresso decrescente (i.e. da quello che presenta la massima a quello che presenta la minima resistenza di ingresso) 1. Collettore comune 2. Emettitore comune senza resistenza di emettitore 3. Base comune Nell'amplificatore di figura R1 = 12 kOhm, R2 = 24 kOhm, Vcc = 12 V. Qual' la massima ampiezza (VImax) del segnale VI amplificabile senza distorsione?

(NO)Attiva diretta Interdizione Saturazione Attiva inversa L'emettitore e' quello con la freccia! La base e' ad una tensione minore del collettore (Vb<Va) quindi BC e' in diretta (visto che il pnp vuole che la base (n) sia a meno del collettore (p). La base e' ad una tens ione maggiore dell'emettitore (Vb>Vc) quindi BE e' in inversa. In un transistor bipolare, per avere un guadagno di corrente ad emettitore comune (b) elevato, bisogna avere: Base larga e basso drogaggio di emettitore VImax = 4 Base stretta e basso drogaggio di emettitore In figura riportata la transcaratteristica di un amplificatore Base larga e drogaggio di emettitore elevato (disegno non in scala). Quanto vale il guadagno di tensione ai Base stretta e drogaggio di emettitore elevato piccoli segnali sapendo che l'amplificatore polarizzato con una La base deve essere stretta e il drogaggio deve essere: E > B > C tensione continua in ingresso pari a 3.8mV? Un transistor MOS ad arricchimento a canale n caratterizzato da: un substrato (bulk) drogato p una regione di drain drogata p una regione di source drogata n una regione di source drogata p molto debolmente Nei MOS a canale n, Source e Drain sono N mentre Bulk=p Sia dato il circuito di figura che impiega un diodo ideale. Sapendo che la tensione d'ingresso vi un'onda triangolare in accordo con

Dati: VMAX=10V, VMIN=2V,V2=4mV, V1=3mV.

AV = 8000 AV = 10000 AV = 0 AV = 2500

Difficolt: * Dato il circuito di figura, determinare il valore della resistenza RC (in kOhm) necessario affinch il BJT presenti una tensione vCE a riposo pari a 15 V (si trascuri l'effetto Early). Dati: RB=100kOhm, VCC=25V, VBE=0.7V, VCEsat=0.8V, bF=150

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali RC (in kOhm) = 0.27 Essendo Vce = 15 V > VceSAT sono in zona attiva quindi Vcc = ib * b0 * RC + Vce Vcc = ib * Rb + Vbe da cui ricavo ib = 0.243 mA, ic = 36.45 mA e Rc = (Vcc - Vce)/ic = 274.35 ohm Difficolt: * Dato il circuito di figura, determinare l'intervallo di valori della tensione di alimentazioneVDD per il quale il MOSFET funziona in zona di saturazione. 2 Dati: RG=50kohm, RD=200ohm, VT=4.8V, IDSS=VT mCoxW/2L=6mA

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali RD (in kOhm) = 0.29 Abbiamo Vgs = V DD = 15 V siamo quindi (dalla tabella) in saturazione, troviamo la corrente di drain 2 Id = IDSS ( 1 - VGS/ VT ) =10.45 mA visto che VDD = Id * RD+ VDS RD= (VDD - VDS ) / ID = 0.287 kOhm Difficolt: * Dato il circuito di figura, supponendo il transistor operante in zona attiva diretta, determinare la potenza erogata dal generatore di corrente IB. Dati: RC=5kW, VBE=0.7 V, VCC=10V, IB= 10 mA, b=100

4.2V < VDD < 7.4V VDD > 2.8V VDD < 9.8V VDD > 4.8V Per Rg non passa corrente, quindi Vgs=Vds Le condizioni sono Vgs >Vt e Vds>Vgs-Vt, questa, essendo Vt>0 e' sempre verificata e' quindi sufficiente sia Vgs=Vds > Vt Per esclusione scelgo Vdd>4.8 Difficolt: * Dato il circuito di figura, determinare il valore della resistenza RD (in kOhm) richiesto per avere una tensione VDS a riposo pari a 12 V. Dati: RG=100kOhm, VDD=15V, VT=7V, IDSS=VT2mCoxW/2L=8mA

PIB = 100 mW PIB = 7mW PIB = 1 mW PIB = 70 mW E' molto semplice. Il generatore eroga 10mA e ai suoi capi ci sono Vbe=0.7V La potenza erogata sar allora P=I*V = 7 mW Difficolt: * La corrente di saturazione inversa di un diodo ideale (IS): (NO) aumenta all'aumentare della polarizzazione inversa aumenta all'aumentare della temperatura (NO) aumenta all'aumentare del drogaggio aumenta al diminuire dell'area di giunzione [La formula 2 Is = Aqni ( Dp /LpNd + Dn /LnNa )] dove il termine ni dipende direttamente dalla temperatura... Difficolt: * Calcolare la tensione che deve essere applicata ai capi di un diodo a giunzione PN per produrre, a temperatura ambiente, una corrente inversa pari al 95% della sua corrente di saturazione IS. Dati: Fattore di idealit: h=1 Potenziale termico: VT=25mV Inserire il valore utilizzando il punto come separatore dei decimali ed utilizzando una cifra decimale. Vd (in mV) = -74.9

Difficolt: * Dato il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ideale, determinare l'espressione dell'impedenza d'ingresso a frequenza infinita ZIN() vista dal generatore VIN. DATI: R1=R, R2=3R, R3=2R, R4=R, R5=R

di semiconduttore nella direzione perpendicolare ad x sono 10mm x 10mm. Dati: 15 -3 Concentrazione all'origine: n(0) = 110 [cm ] 12 -3 Concentrazione all'estremit della barretta: n(x1) = 110 [cm ] Lunghezza della barretta di semiconduttore: x1 = 1 [mm] -19 Carica dell'elettrone: q = 1.610 [C] 2 Coefficiente di diffusione: Dn = 35 [cm /s]

(NO) b) ZIN() = 2R c) ZIN() = R (NO) a) ZIN() = 2R/3 Cominciamo dicendo che Rin= Vi / Ii dove Ii la corrente che esce dal generatore di ingresso. Ii la somma di 3 contributi: il ramo che va verso il non invertente, il ramo di R3 e il ramo di R4. =I+ + I3 + I4 I+=Vi / (R1+R2) I3=Vi/R3 inoltre so che V+ = Vi * R2 / (R1+R2) = VQuindi ai capi di R4 cade Vi-V+= Vi / 4 I4= Vi/4R4 Ottengo allora Ii = Vin / R da questa ottengo Rin = R Difficolt: * Il circuito di figura utilizza un amplificatore operazionale ideale. Determinare la Resistenza di ingresso Rin.

Rin = R3 Rin = R3+R4 Rin = R3+R1 Rin = R3 // R4 Ovvero, che resistenza c' tra Vin e massa? C' proprio la serie tra R3 e R4 Difficolt: * Sia data una barretta di semiconduttore drogata n in cui la densit di portatori di carica sia linearmente decrescente nella direzione x, come mostrato in figura. Si determini il valore della corrente di diffusione degli elettroni sapendo che le dimensioni della barretta

Inserire il valore utilizzando il punto come separatore dei decimali ed utilizzando una cifra decimale |Idiff| (in mA) = -0.6 La formula per la densit di corrente in presenza di un gradiente di drogaggio e': Jdiff = q * Dn * dn(x)/dx Dove Dn il coefficiente di diffusione, q la carica dell'elettrone e dn/dx la variazione di drogaggio Da J la corrente si trova moltiplicando per l'area della sezione della barretta, quindi: Idiff = q*Dn * (n1-n0)/x1 * A = (tengo tutto in cm, la lunghezza viene 0.1 cm... poi moltiplico per 10 per passare ai milliampere) = 0.55944 mA Difficolt: * Sia data una barretta di semiconduttore drogato n con 15 -3 concentrazione di atomi donatori ND=410 [cm ]. Si determini il rapporto tra la densit di corrente di deriva di elettroni e quella di lacune derivanti dall'applicazione di una tensione VA alle estremit della barretta di semiconduttore. Dati: 10 -3 Concentrazione intrinseca: ni = 1.4510 [cm ] -19 Carica dell'elettrone: q = 1.610 [C] 2 Mobilit degli elettroni: mn = 1260 [cm /(V s)] 2 Mobilit delle lacune: mp = 460 [cm /(V s)] 10 Inserire il valore normalizzato a 10 ed utilizzando una cifra decimale. Si ricordi di utilizzare il punto come separatore dei decimali. Jndrift/Jpdrift = 20.8 Ci sono qui alcune formule da ricordare: Conducibilit = sigma = q * numero di portatori * mobilit Campo elettrico = E = V / lunghezza Jdrift = sigma * E quindi Jndrift = q * Nd * mn * V / lunghezza Jpdrift = q * ni * mp * V / lunghezza 2 Abbiamo Nd elettroni e Ni /Nd lacune (portatori minoritari) 2 Jn / Jp = (Nd * mn) / ( (ni / Nd) * mp) = 20.84 E 10 Difficolt: * Sia data una barretta di semiconduttore drogata n alle estremit della quale viene applicata una differenza di potenziale pari a VA = 0.5 V. Si determini la velocit media di deriva dei portatori maggioritari sapendo che la loro mobilit varia in funzione della concentrazione di droganti in accordo con il grafico di figura. Dati: -3 Concentrazioni di droganti: ND = 3 E 16 [cm ] Lunghezza della barretta di semiconduttore: L = 100 [m]

Inserire il valore utilizzando il punto come separatore dei decimali ed utilizzando una cifra decimale |vdrift| (in m/s) = 500 Altra formula da ricordare:

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale Req (in kOhm) = 318.2 Temibili esercizi con le resistenze equivalenti. Cominciamo dicendo che Req =Veq /Ieq Dobbiamo allora cercare Veq in funzione di Ieq, ogni suo termine conterr Ieq, tutto si semplificher e noi risolveremo l'esercizio felici e contenti... Mettiamo un generatore di tensione Veq ai capi dei morsetti dove calcolare Req, da li uscir Ieq, scegliamo un verso, facciamo che la corrente vada verso destra (e li metteremo il capo positivo di Veq). Chiamiamo anche VY la tensione che cade sul generatore di corrente, mettiamo il pi verso l'alto). Chiamiamo IOla corrente che passa su R 0 (dall'alto verso il basso)... Scelti i versi, possiamo scrivere le equazioni delle 2 maglie e del nodo in alto... 1. Veq - V Y - IeRq* 1 0= .2 Iegq+vm=s* O .3 I O * r O - V Y 0= Abiamo 2 inceogt I O e V Y ech devon e:irspa .1 I O Ieq= - gm* v SG (dal 2nda) .2 (Iegqm+R* 1 r) 0 =V Y (dal 3a) .3 Veq - (Iegqm+*R 1 )r 0 - IeRq* 1 0= VeIqR=* e I + q * r g m + e I R * q * r 1 0 1 0 ReVq=/I 1 + r 0 + g Rm * 1 *r 0 e qutoes uaqnto . = 3189.5 ohm Difficolt: ** Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un amplificatore a transistore bipolare polarizzato con una corrente di collettore a riposo di 2mA (a 25C), determinare il valore della resistenza di ingresso RIN indicata in figura. Esprimere tale valore in kOhm. Dati: R1=100kOhm, R2=1kOhm, R3=100kOhm, rp=2kOhm.

Veq=Ieq*Rpi + (Ieq+gm*Vpi)*R2 Devo far comparire in ogni termine Ieq (in modo che poi si semplifichi) Vpi = Ieq*Rpi sostituendo ottengo Req=Veq/Ieq = Rpi + (1+gmRpi)R2 =163 Kohm RIN= Req // R1 = 61.98 Kohm Difficolt: ** Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un amplificatore a transistore MOS polarizzato con una corrente di drain a riposo di 2 mA (a 25C), determinare il valore della resistenza di ingresso RIN indicata in figura (nel calcolo del gm si trascuri l'effetto di modulazione della lunghezza di canale). Dati: R1=100kOhm, R2=1kOhm, R3=100kOhm, VT=3V, IDSS=VT2mCoxW/2L=8mA.

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale RIN (in Ohm) = Difficolt: ** Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un amplificatore a transistore bipolare avente un guadagno di corrente b0 ai piccoli segnali pari a 200, determinare il valore della resistenza di uscita ROUT indicata in figura. Esprimere tale valore in Ohm. Dati: R1=27kOhm, R2=0.8kOhm, R3=10kOhm, gm=40mS.

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale RIN (in kOhm)= 61.98 Trovo innanzi tutto, sapendo Ic, e sapendo che VT a 25 25mV mi trovo gm=Ic/VT = 0.08 Vedo che la resistenza RIN pari al parallelo tra R 1 e la resistenza che vedo alla destra di R1. Riduco il problema a calcolare questa resistenza Req. Suppongo che in Rpi passi una corrente Ieq e che ai capi di Req ci sia una tensione Veq. Allora Req=Veq/Ieq

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale ROUT (in Ohm)= 132.8 Consideriamo come al solito un generatore Veq applicato ai morsetti di Rout, con la corrente che esce verso l'alto... Abbiamo Ieq = I1 (sulle resistenze R1 e Rpi) + I2 (sulla resistenza R2) + I3 (sulla resistenza R3 verso massa). I1=Veq / (R1+Rpi) I2=Veq / R2 I3=-gm*Vpi Vpi a sua volta uguale a -I1*Rpi (che possiamo calcolare = 5000 ohm) Ieq = Veq / (R1+R2) + Veq / R2 + Veq*gmVpi/(R1+Rpi) per ottenere Req dividiamo per Veq e facciamo il reciproco... Difficolt: ** Dato il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ideale, determinare la funzione di trasferimento relativa all'ammettenza d'ingresso YIN vista dal generatore VIN.

Difficolt: ** Dato il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ideale, determinare la funzione di trasferimento tra VIN e VO.

a) c) b) (chiss perch!) Difficolt: ** Nel circuito di figura, che usa un amplificatore operazionale ideale, R = 33 kW, C = 10 nF. Determinare il tempo tr (in ms) richiesto affinch l'uscita si porti ad una tensione di 12 V, se all'ingresso applicata una tensione vI di -2 V. Si supponga la capacit C inizialmente scarica.

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali tr (in ms) = 1.98 ms Vediamo che la Vo = alla Vc Sappiamo (o dovremmo sapere) che per il condensatore Ic=C dV/dt in questo caso, essendo l'operazionale ideale abbiamo Ic= Vi/R Da cui Vc = integrale ( - Vi / RC ) dt poich tutto costante mi trovo Vc = Vo = - Vi / RC t da cui t= Vo/Vi * RC = 1.98 ms Difficolt: ** Nel circuito di figura, che usa un amplificatore operazionale ideale, R = 10 kOhm, C = 10 nF. Determinare il valore (in Volt) cui si porta la tensione di uscita dopo 1 ms, se all'ingresso applicata una tensione vI di 1 V. Si supponga la capacit C inizialmente scarica.

(NO) b) c) a) Un barbatrucco interessante questo: studio il circuito a frequenza zero, ovvero s=jw=0 a frequenza zero il condensatore un circuito aperto, quindi nel ramo di sopra non passa corrente e mi trovo Vo = V- = V+ = Vin * R2 / (R2+R3) quindi la funzione di trasferimento R2 / (R2+R3) se s =0 quindi la possibilit a) Difficolt: ** Il circuito di figura rappresenta un transistore MOSFET a canale n polarizzato in zona di saturazione, con relativa transcaratteristica e retta di carico statica. Determinare, da tale grafico, i valori della resistenza di source RS e della tensione di alimentazione VDD. Dati: R1=200kOhm, R2=100kOhm

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali vO(1 ms) (in V) = -10 Allo stesso modo dell'esercizio precedente.

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale RS (in Ohm) = 300 VDD (in V) = 15 V Difficolt: ** Dato il circuito di figura, determinare il valore minimo della resistenza RC per il quale il BJT funziona in zona di saturazione (si trascuri l'effetto Early). Dati: RB=470kOhm, VCC=15V, VBE=-0.7V, VCEsat=-0.5V, bF=150

4.8 V < VDD < 9.6V (NO) VDD > 10.2V VDD < 6.8V Su Rg non passa corrente e quindi non cade tensione. Abbiamo allora che Vgs = Vdd Le condizioni della saturazione, da schemino, sono Vgs>Vt e Vds>Vgs-Vt Abbiamo allora Vdd>4.8 e Vds>Vdd-Vt cioe' Vdd<Vds-Vt Gia' per esclusione visto che deve essere Vdd>4.8 posso scegliere Vdd compreso in [4.8-9.6] Difficolt: ** Dato il circuito di figura, determinare il valore della tensione drainsource VDS a riposo. Dati: R1=40kOhm, R2=40kOhm, RD=2200Ohm, VDD=15V, VT=5V, IDSS=VT2mCoxW/2L=10mA

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali RCmin(in kOhm)= Difficolt: ** Dato il circuito di figura, determinare il valore minimo della resistenza RC per il quale il BJT funziona in zona di saturazione (si trascuri l'effetto Early). Dati: RB=100kOhm, VCC=25V, VBE=0.7V, VCEsat=0.8V, bF=150

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale RCmin(in Ohm)= 663.9 al limite posso ancora considerare ic= b*Ib Difficolt: ** Dato il circuito di figura, determinare l'intervallo di valori della tensione di alimentazione VDD per il quale il MOSFET funziona in zona di saturazione. Dati: RG=80kW, RD=600W, VT=4.8V, IDSS=VT2mCoxW/2L=8mA

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con due cifre decimali VDS (in V) = 9.5 Passo al circuito equivalente dove elimino R1 e R2 e le sostituisco con una Req collegata alla base e ad un generatore equivalente Veq: Veq (effetto di Vdd) = Vdd*R2/ (R2+R1) = 7.5 V = Vgs Req = (metto a massa Vdd) = R1//R2 = 20 kOhm Allora ipotizzo la saturazione (per la quale deve essere Vds > Vgs Vt = 2.5V) 2 Id = IDSS + (1-VGS/ VT) = 2.5 mA e allora Vdd = Id * Rd + Vds da cui Vds = 9.5 V essendo questo maggiore di 2.5 siamo effettivamente in saturazione e la soluzione e' corretta Difficolt: ** Dato il circuito di figura, determinare il valore della resistenza RC, sapendo che la corrente di collettore a riposo IC vale 2mA (si trascuri l'effetto Early). Si esprima tale valore in kOhm. Dati: RB=270kOhm, VCC=20V, VBE=0.7V, bF=150

-R2/R1 ( 1 + R2/R3 + R4/R3) = -1 ( 1+1+ 330k /R3) = -80 78=330k/R3 R3=330k/78 Difficolt: *** Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un amplificatore a transistore bipolare polarizzato con una corrente di collettore a riposo di 0.4mA (a 25C), determinare il valore del guadagno di tensione Av=V o/Vg. Dati: Rg=2kW, R2=0.4kW, R3=2.7kW, rp=10kW.

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con una cifra decimale RC (in kOhm)= 7.8 Supponiamo di essere in zona attiva: ic = 2mA = b * Ib Vdd = (Ic+Ib)*Rc + Ib*Rb + VBE da cui RC= (Vdd - Ib*Rb - Vbe) / (Ic+Ib) = 7.79 kOhm Difficolt: ** Nell'amplificatore di figura R1 = R2 = R4 = 100 kOhm. Qual' il valore di R3 da utilizzare per ottenere un guadagno il pi vicino possibile a -120?

8.47 MOhm 8.47 kOhm 84.7 kOhm 847 Ohm La formula da usare e' V o= - R2/ R1 (1 + R4/R3 + R4/R2 ) quindi: -1 (2+ 100k/ R3) = -120 100k/r3=118 R3=100k/118 Difficolt: ** Nell'amplificatore di figura R1 = R2 = R4 = 330 kW. Qual' il valore di R3 da utilizzare per ottenere un guadagno il pi vicino possibile a 80?

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire il valore numerico con una cifra decimale Av = Difficolt: *** Il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale e due diodi ideali, presenta una transcaratteristica Vo = f(Vi) composta da due segmenti, ciascuno di equazione Vo=mVi+q, con un punto di spezzamento in corrispondenza del valore della tensione d'ingresso ViTH. Determinare: a) il valore della tensione di spezzamento ViTH; b) la pendenza m1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; c) il termine noto q1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; d) la pendenza m2 del segmento della transcaratteristica per Vi > ViTH; e) il termine noto q2 del segmento della transcaratteristica per Vi > ViTH; Dati: R1=5kW, R2=12kW, R3=2kW, R4=10kW.

418 W 4.18 kW 41.8 kW 41.8 W

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con due cifre decimali ViTH (in V) = m1 = q1 (in V) = m2 = q2 (in V) = Difficolt: *** Il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ideale

e due diodi aventi una tensione di soglia Vg=0.5V, presenta una transcaratteristica Vo = f(Vi) che, considerando solo valori negativi della tensione d'ingresso, composta da due segmenti, ciascuno di equazione Vo=mVi+q, con un punto di spezzamento in corrispondenza del valore della tensione d'ingresso ViTH. Determinare: a) il valore della tensione di spezzamento ViTH; b) la pendenza m1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; c) il termine noto q1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; d) la pendenza m2 del segmento della transcaratteristica per ViTH < Vi < 0 e) il termine noto q2 del segmento della transcaratteristica per ViTH < Vi < 0 Dati: R1=10kW, R2=4kW, R3=2kW, R4=20kW.

m1 = -4 q1 (in V) = 0 m2 = -1.24 q2 (in V) = 0 Difficolt: *** Dato il circuito di figura, determinare i valori delle quattro resistenze che garantiscono il funzionamento del MOSFET nelle seguenti condizioni: ID=4 mA, VD=VDD/2, VDS=VDD/4 e che la massima potenza dissipata dal circuito sia 75 mW. Dati: VDD=18V, VT=4V, IDSS=VT2mCoxW/2L=10mA

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con due cifre decimali ViTH (in V) = -0.5 m1 = 8.5 q1 (in V) = 3.75 m2 = 1 q2 (in V) = 0 Difficolt: *** Il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ed un diodo entrambi considerati ideali, presenta una transcaratteristica Vo = f(Vi) composta da due segmenti, ciascuno di equazione Vo=mVi+q, con un punto di spezzamento in corrispondenza del valore della tensione d'ingresso ViTH. Determinare: a) il valore della tensione di spezzamento ViTH; b) la pendenza m1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; c) il termine noto q1 del segmento della transcaratteristica per Vi < ViTH; d) la pendenza m2 del segmento della transcaratteristica per Vi > ViTH; e) il termine noto q2 del segmento della transcaratteristica per Vi > ViTH; Dati: R1=1kW, R2=8kW, R3=3kW, R4=1kW, R5=4kW.

. Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con due cifre decimali RD(in kW) = 2.25 RS(in kW) = 1.13 R1(in kW) = 66.18 R2(in kW) = 41.82 Ai capi di Rd abbiamo V DD e VDe la corrente ID , trovo quindi RD= 9 / ID= 1125 ohm. So tutto anche per trovare RS = 4.5 / ID= 2250 ohm. So anche che nel ramo di sinistra, passa per R1+R2 una corrente I1=Vdd/R1+R2 Posso scrivere l'equazione della potenza: 2 2 P = I1 (R1+R2)+ID (Rd+Rs)+VDS *ID conosco tutto tranne la I1, me la ricavo, e trovo che R1+R2=108000 ohm A questo punto mi trovo dall'equazione (per i MOS in saturazione) della ID , il valore della VGS ... che risulta = 6.53 V. Ora so che il nodo tra R1 e R2, sar a potenziale Vgs+Vs (la tensione del morsetto source=4.5 V), mi ricavo , conoscendo I1 il valore di R1=66178.7 ohm e, sottraendo da 108000, anche il valore di R2=41821,2 ohm. Difficolt: *** Dato il circuito di figura, determinare il punto di lavoro I C, VCE del BJT (si trascuri l'effetto Early). Dati: RB=270kOhm, RC=1.8kOhm, VCC=15V, VBE=0.7V, bF=150

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con due cifre decimali ViTH (in V) = 0

Utilizzare il punto come separatore dei decimali ed inserire i valori numerici con una cifra decimale IC (in mA)= 4 VCE (in V)= 7.8 Le 2 equazioni delle maglie sono Vcc = Rc (b+1) Ib + Ib Rb + Vbe da cui ricavo Ib=0.03 mA e Ic=b * Ib = 4 mA e Vcc = (b+1) Ib Rc + Vce Da cui ricavo Vce = 7.8 V