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6

AMPLIFICATORI A SINGOLO
TRANSISTORE BJT
6.1
6.2

6.3

6.4
6.5

Polarizzazione dei circuiti con BJT.


Comportamento del BJT su segnale
6.2.1 Relazione transcaratteristica su segnale (caso di VA=)
6.2.2. La resistenza di Base
6.2.3 Transconduttanza di un BJT reale
6.2.4 Circuito equivalente per piccoli segnali
Stadi amplificanti con lEmettitore comune
6.3.1 Guadagno di tensione in regime lineare
6.3.2 Massimo guadagno lineare di tensione
6.3.3 Resistenza di ingresso e di uscita
6.3.4 Errore di linearit
6.3.5 Distorsione armonica
6.3.6 Dinamica di ingresso e di uscita
6.3.7 Effetto della tensione di Early finita
BJT pilotato da segnali di corrente
6.4.1 nnn
Stadi BJT con resistenza sullEmettitore
6.5.1 Calcolo dellamplificazione di tensione
6.5.2 Calcolo della partizione del segnale
6.5.3 Impedenza di ingresso
6.5.4 Distorsione armonica
6.5.5 Effetto sul guadagno della tensione di Early

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

6.1

POLARIZZAZIONE DEI CIRCUITI CON BJT

In analogia a quanto visto per il MOSFET nel Cap.5, anche il BJT pu


essere utilizzato applicando una tensione di comando (tensione tra Base ed
Emettitore) per generare una corrente circolante al suo interno e disponibile in
uscita al Collettore, il cui valore definito dalla sua relazione transcaratteristica
esponenziale:
I c ISe

Vbe
kT / q

(6.1)

Scegliere il punto di lavoro di un BJT in un circuito, ovvero polarizzarlo, significa


mettersi nelle condizioni di massimizzare la variazione della corrente di Collettore
portandosi nel punto di lavoro in cui la pendenza della curva transcaratteristica
massima, compatibilmente con altri vincoli. Lapplicazione di un segnale ad un
circuito va intesa come una variazione dei valori di corrente e di tensione che sono
stati fissati dalla polarizzazione.
Riassumiamo qui i requisiti che devono essere soddisfatti dal circuito di
polarizzazione dei transistori :
1) il punto di lavoro deve essere ben definito. Il circuito deve consentire di fissare
in modo semplice e preciso i valori di correnti e di tensioni di polarizzazione
desiderati.
2) Il punto di lavoro deve essere stabile. Il circuito deve fissare le correnti e le
tensioni in modo che siano il pi indipendenti possibile dai parametri dei
transistori, da loro variazioni con la temperatura o da sostituzione dei
componenti.
3) Il circuito deve consentire lapplicazione di tutta la variazione prevista del
segnale senza che il dispositivo esca dalla regione attiva diretta di
funzionamento ed entri in saturazione o in interdizione.
Oltre alla (6.1), il principio di funzionamento del BJT ci impone di soddisfare
anche la relazione per le correnti:
Ic=Ib
(6.2)
Inoltre, per quanto riguarda il calcolo delle correnti e delle tensioni in un circuito
con BJT, utile attenersi alla seguente semplice regola pratica: si suppone a priori
che il dispositivo sia stato progettato con larea corretta e sia polarizzato in zona
attiva diretta, in modo da assumere che tra Base ed Emettitore ci sia una tensione

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R1

I C IS e
R2

RL

- VCC
Polarizzazione di
tensione

Fig. 6.1

VEB 0.7V

VEB
Vt

IB

0.7 VCC
RB
RB

IC=.IB
RL

- VCC
Polarizzazione di
corrente

Polarizzazione di tensione di un BJT (a sinistra) e di corrente di


Base (a destra).

pari a VBE0.7V. Questa assunzione consente in genere di ricavare tutte le correnti


e le tensioni nel circuito. Alla fine si verifica che questa assunzione non abbia
generato qualche incongruenza e che la tensione tra Base e Collettore mantenga la
giunzione in inversa o al pi in debole diretta, mai maggiore di 0.5V. Allatto della
realizzazione del circuito, bisogner scegliere un transistore con area adeguata a
portare quella corrente.
In base al principio di funzionamento del transistore, si sarebbe indotti a
realizzare un circuito a BJT fissando direttamente la tensione V BE per ottenere la
desiderata IC da mandare su di un carico RL, come ad esempio mostrato nella
Fig.6.1 a sinistra. Ma in questo modo, che chiameremo polarizzazione di tensione:
i) la corrente di collettore (6.1) dipenderebbe direttamente dalla corrente di
saturazione inversa IS del BJT (variabile da esemplare ad esemplare anche di 2
o 3 ordini di grandezza) e non sarebbe possibile n prevedere con precisione il
valore di IC n tantomeno confidare che il circuito porti la stessa corrente
quando il transistore dovesse essere sostituito;
ii) data la relazione esponenziale tra VBE e IC, piccole variazioni di VBE
determinerebbero ampie variazioni di IC, per cui non si conoscerebbe mai con
precisione la effettiva corrente di Collettore.
Per tali motivi la polarizzazione di tensione di un BJT da evitare.
Meglio sarebbe progettare i circuiti in modo che sia fissata la corrente di Base IB,
da cui IC dipende solo linearmente attraverso , come dalla (6.2). Questo il caso
del circuito della Fig.6.1 a destra. Ipotizzando infatti di avere scelto il transistore

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con larea adatta a portare la corrente di polarizzazione prevista, la tensione tra


Base e Emettitore sar praticamente pari a 0.7V e permette di calcolare la corrente
di Base e conseguentemente quella di collettore. Questo tipo di polarizzazione di
corrente di Base quindi sicuramente meglio della precedente. Purtroppo anche il
un parametro sensibile che dipende dai processi di fabbricazione (in particolare
drogaggi di emettitore e di base) ed variabile con la temperatura (ni, Vt). I
costruttori indicano come possibili variazioni di anche del 50% tra lotti diversi,
comunque inferiori alle variazioni di IS visti sopra.
Per fare meglio, come abbiamo visto per i generatori di corrente, bisogna
aggiungere una resistenza tra Emettitore e lalimentazione. In effetti questultimo
schema, che potremmo chiamare polarizzazione con resistenza di
degenerazione, di gran lunga la pi stabile e quindi pi utilizzata. Nel seguito
saranno illustrati alcuni circuiti esemplificativi (E6.3, E6.4) del modo in cui questa
si realizza.
E 6.1

(a) - Calcolare la polarizzazione del seguente circuito, il cui transistore


ha un nominale pari a 100.
+ 6V
R
530k

RL
3k

vu

vin

(b) - Calcolare la variazione della corrente di Collettore al variare di


50% del valore del del transistore.
(c) Calcolare il massimo valore di oltre il quale il transistore
entrerebbe in saturazione?
(a) - Supponendo che il transistore funzioni nella zona attiva diretta, la tensione
VBE pari circa a 0.7V. La corrente di Base quindi I B5.3V/R=10A, e la
corrente di Collettore IC=IB=1mA. Il potenziale del morsetto duscita pari a
Vu=3V. facile verificare che la giunzione Base-Collettore polarizzata
inversamente di 3V-0.7V=2.3V e che quindi il BJT opera effettivamente in zona
attiva, come ipotizzato allinizio. Si noti come una differente scelta del valore di
VBE (ad esempio VBE=0.67V o VBE=0.72V) non avrebbe condotto a valutare una
polarizzazione significativamente diversa.
(b) - In un circuito di questo tipo il valore di I C dipende direttamente dal del
transistore secondo la relazione IC=IB. Pertanto la sensibilit della
polarizzazione al variare del esprimibile come:

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I c
I
IB c

I c

Ic

Una variazione del 50% del comporta quindi una variazione del 50% di IC.
(c) - Il transistore entra in saturazione quando Vu=+0.2V, a cui corrisponde
IC=1.93mA e quindi <193 (/<+93%).

E 6.2

Studiare la polarizzazione del seguente circuito utilizzante un BJT con


=200
+6V
C

IU

R
133k

vin

RL
1 k

-6V

[VB=5.3V, IB=40A, IC=8mA, Vu=+2V]

E 6.3

a)
Studiare la polarizzazione del seguente circuito (=100) e
b)
calcolare la sensibilit della corrente di collettore ad una
variazione del del transistore del 20%.
+ 12 V

vin

R1
10k

RL
4k

vu
R2
2k

RE
650

a) Il calcolo pu essere impostato supponendo dapprima che la corrente di Base


del BJT sia trascurabile rispetto a quella circolante nel partitore costituito da R1
ed R2, in modo che il potenziale del morsetto di Base sia determinato
unicamente dalla partizione resistiva. Alla fine della valutazione della
polarizzazione si verifica lipotesi fatta, eventualmente ripetendo il calcolo con il
nuovo valore di IB.

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Posto IB=0, il potenziale di Base VB+2.0V. Il potenziale di Emettitore quindi


VE=1.3V. La corrente di Emettitore proporzionale alla differenza di potenziale
ai capi di Re (pari a 1.3V) e vale IE=2mA. Trascurando la corrente di Base
(IB=20A), si ha che ICIE=2mA (lerrore che si commette nel valutare IC in
questo caso solo dello 1%). Il potenziale del Collettore V C+4V che
confrontato con il valore alla Base assicura che il BJT operi nella zona corretta di
funzionamento.
Se si ripete il calcolo, tenendo conto del valore della corrente di Base trovata,
IB=20A (che solo il 2% della corrente che fluisce nel partitore R1,R2), la
polarizzazione non varia significativamente rispetto ai valori precedentemente
determinati. Infatti si trova VB=1.966V per cui il potenziale dellEmettitore, e
quindi la corrente nel transistore, varierebbe di meno del 2% rispetto al valore
calcolato in prima approssimazione.
b) La corrente di polarizzazione del dispositivo, pari a I C(VB-0.7V)/Re , risulta
pochissimo dipendente dal valore di . Se /=20%, si ha =120. In questa
situazione il calcolo iterativo porta, con IB=16.7A, a VB=1.972V. La variazione
quindi solo dello 0.3% nonostante il 20% di variazione di ! Si tenga presente
che una variazione di determina una variazione del potenziale VB della base
tanto minore quanto pi la corrente nel partitore grande: il prezzo da pagare
una maggiore dissipazione di potenza nel partitore di polarizzazione del Gate.

E 6.4

Studiare la polarizzazione del seguente circuito utilizzante un BJT con


=200.
+6V

vin

RS
500

R1
27k

vu
R2
93k

RL
1.5k

-6V

Assumendo IB0, VB=3.3V, la corrente nelle resistenze del partitore 100A,


VE=4V, ICIE=4mA e Vu=0V.
Considerando che IB20A (ben il 20% della corrente nel partitore di
polarizzazione) si pu compiere una seconda iterazione e pervenire ad un valore
pi preciso di VB. Si ottiene VB=3.7V, a cui corrispondono IC=3.2mA e
IB=16A. Con una terza iterazione si perviene a VB=3.63V, IC=3.3mA e
IB=16.6A. Poich lo scostamento con literazione precedente piccolo (<4%) ci

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si pu fermare qui a Vu=-1.05V. Il metodo iterativo di calcolo potrebbe essere


ripetuto di nuovo se fosse veramente richiesto un calcolo pi preciso di I C. Si noti
che in questo circuito la valutazione in prima approssimazione della I C (4mA)
abbastanza diversa dal valore ottenuto dopo la prima iterazione (3.2mA). Ci non
sarebbe accaduto se si fosse scelto, ad esempio, R1=2.7k e R2=9.3k.

Modificare il circuito dellesercizio precedente affinch le variazioni


della corrente di polarizzazione nei casi di =50, =100, =200, siano
inferiori all1%

E 6.5

6.2

COMPORTAMENTO DEL BJT SUL SEGNALE

6.2.1

Relazione transcaratteristica su segnale (caso di VA=)

Lanalisi del comportamento di un transistore BJT, quando tra Base ed


Emettitore applicato un segnale di tensione vbe, parte dalla relazione
esponenziale che lega la tensione Emettitore-Base e la corrente di Collettore.
Mettendo in evidenza le grandezze stazionarie, VBE, e le loro variazioni, vbe, si ha
I TOT I 0

q VBE vbe
e kT

IC

q vbe
e kT

(6.3)

Sviluppando in serie lesponenziale si ha


I TOT I C +

IC
IC
I
2
3
v be
v be C 3 v be ... I C i c
2
Vth
2 Vth
6 Vth

(6.4)

dove il primo addendo la sola corrente di polarizzazione del Collettore, IC; nel
Ic

+ VCC

IB+ib

vbe
Vpol
Fig. 6.2

RL
Ic

(+1)(IB+ib)

IC

effettiva corrente
circolante
corrente nella
approx. lineare

IC
____
Vbe2 + Vbe3
2Vth2

g m v be

polarizzazione
vbe

Vbe

VBE

Correnti e tensioni in un circuito a BJT e curva


transcaratteristica con indicati i termini che concorrono a
definire la corrente totale circolante, Ic.

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secondo addendo si riconosce la transconduttanza gm=IC/Vt del BJT e negli altri


addendi compaiono potenze crescenti del rapporto (vbe/Vth)n tra il segnale
applicato e la tensione termica Vth=kT/q. In analogia a quanto fatto con il
MOSFET, si possono fare le seguenti considerazioni:
(a) - Lanalisi del comportamento di un BJT pu essere svolta separando la
polarizzazione dal funzionamento su segnale,:
ITOT=IC + ic

(6.5)

(b) Il segnale ic calcolabile precisamente solo se si sommano tra loro gli infiniti
termini a potenza crescente di vbe che compaiono nella (6.4):
i c g m v be

IC
2 Vth

v be

IC
6 Vth

v be ...

(6.6)

Tuttavia se ci si trova nella condizione di vbe<<2Vth, che chiameremo condizione


di piccolo segnale per il BJT, il termine di 1 grado prevalente rispetto agli altri
e la variazione di corrente ben approssimabile dalla relazione lineare
Ic gm.vbe

(6.7)

Confrontando il valore di transconduttanza del BJT con quello del MOSFET:


gm

BJT

IC
Vth

gm

FET

2 ID
VGS VT

si nota come, a parit di corrente portata dal transistore, la gm del BJT sia
normalmente maggiore di quella del MOSFET grazie al valore pi piccolo del
denominatore Vth (Vth=25mV a T=300K) rispetto alla tensione di overdrive del
MOSFET (Vod di qualche centinaio di mV). Come sempre vale la considerazione
che maggiore la polarizzazione, maggiore la transconduttanza.
(c) - Lerrore che si commette nel considerare la sola variazione lineare ic di
corrente data dalla (6.7) invece della reale variazione contenuta nei termini di
potenza maggiore della (6.6) espresso dalla relazione

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IC

v 2be
2
2 Vth
v be
%

IC
2 Vth
v be
Vth

(6.8)

Confrontando questa espressione con quella per il FET, si nota come la grandezza
di riferimento ora la tensione 2.Vth=50mV, mentre per i MOSFET la tensione
di overdrive, generalmente ben maggiore. Quindi, a pari segnale applicato, la non
linearit del transistore bipolare ben maggiore della non-linearit dei FET.
Questo risultato si sarebbe potuto prevedere a priori considerando che il BJT ha
una caratteristica esponenziale, quindi pi diversa da una retta della dipendenza
quadratica dei FET. Si noti inoltre che nel BJT, a differenza del MOSFET, lerrore
di linearit indipendente dalla polarizzazione.
Nel caso in cui lerrore non sia trascurabile, la (6.8) ci d modo di riscrivere la
(6.7) nella seguente forma sintetica:
(6.9)
i c g m v be 1
molto comoda quando si voglia calcolare il valore della corrente di segnale
circolante in un transistore di un circuito elettronico, evidenziando il raffronto tra
lentit del termine lineare (1) e quella del termine quadratico o superiore ().
(d) - Lescursione del segnale di tensione tra Base ed Emettitore deve essere
comunque tale da far rimanere questa giunzione polarizzata direttamente, cos da
avere uniniezione di carica che sostenga la corrente di Collettore. Inoltre,
nonostante il segnale applicato, la giunzione Base-Collettore deve rimanere
polarizzata inversamente in modo da raccogliere al Collettore i portatori che
diffondono nella Base. Se queste condizioni non sono verificate il transistore entra,
nel primo caso, nella zona di interdizione e, nel secondo caso, nella zona di
saturazione.
6.2.2

La resistenza di base

La Fig.6.3 aiuta a calcolare la resistenza vista guardando nella Base del


transistore quando lEmettitore a massa. Questa impedenza infatti non pu essere
infinita come nel MOSFET a causa della presenza di una corrente di Base finita
necessariamente circolante nel dispositivo. Per calcolare limpedenza, si applica un
segnale di tensione vb e si misura quanta corrente ib deve essere
contemporaneamente fornita al dispositivo. Il rapporto tra queste due grandezze
fornisce la resistenza cercata.
Con riferimento alla Fig.6.3 si imposta il sistema con le seguenti due equazioni :

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10

+ VCC
RL

ib

Ic=ib

vbe
Vpol
Fig. 6.3

(+1)ib

Schema delle correnti e delle tensioni in un transistore bipolare


per il calcolo della resistenza di piccolo segnale vista guardando
dentro la Base.

ic vb g m

ic ib

(6.10)

Risolto, esso fornisce la resistenza vista guardando nella Base, spesso indicata con
r, pari a

6.2.3

vb

ib g m

(6.11)

Transconduttanza di un BJT reale

La relazione transcaratteristica di un BJT reale non pi data dalla (6.1)


ma, come visto nel Cap.3, meglio approssimata dalla seguente espressione:
IC I0 e

qVBE
kT

I0 e

qVBE
kT

VCE
I0 e
VA

qVBE
kT

V
1 CE
VA

(6.12)

Essa si riflette nelle curve caratteristiche non pi orizzontali nella zona attiva
diretta ma pendenti e convergenti nel punto VA. Anche la transconduttanza:

gm

I C

VBE

I0 e

qVBE
kT

V
1 CE
VA

Vth

risente del termine correttivo (1+VCE/VA). La sua espressione:

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Ic

11

VBE2
gm reale

VBE2
gm ideale

VBE1
VBE1

VA

Fig. 6.4

VCE

Confronto delle curve caratteristiche reali con quelle ideali in un


BJT. Si noti come la transconduttanza reale sia maggiore di
quella ideale.

IC
(6.13)
Vth
rimasta formalmente invariata, ma bisogna ricordarsi che IC leffettiva corrente
totale portata dal transistore. Oltre quindi a portare una corrente di polarizzazione
maggiore, un BJT reale ha anche una transconduttanza maggiore di quella di un
BJT ideale. La Fig.6.4 visualizza questa situazione in cui la transconduttanza
rappresentata dallentit del salto da una curva caratteristica alla successiva,
maggiore in un BJT reale a pari VBE perch le curve caratteristiche si aprono a
ventaglio con VA fisso.
Si noti che lintercetta sullasse delle ordinate pari a IC=IB oppure,
equivalentemente, a IC=Ioexp(-VBE/Vth) vale a dire alla corrente che circolerebbe in
un transistore ideale. Grazie a ci immediato calcolare il valore di r0 come:
gm

VA

r0
I0

qVBE
e kT

oppure

r0

VA
IB

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6.2.4

12

Circuito equivalente per piccoli segnali

Il transistore pu essere sostituito, per quanto riguarda il suo


comportamento su piccolo segnale, da un circuito equivalente lineare, chiamato
circuito equivalente per piccoli segnali, come quello della Fig.6.5.
Confrontandoci con il modello del MOSFET, si pu notare la presenza della
resistenza r tra Base ed Emettitore laddove nel MOSFET c la resistenza infinita
tra Gate e Source a causa dellossido isolante. Questa resistenza rende conto del
fatto che i BJT assorbano comunque un segnale di corrente di Base pari a ib=ic/
dal generatore di comando vbe. Il modello mostra anche la resistenza finita duscita
r0, tra Collettore ed Emettitore.

6.3

STADI AMPLIFICANTI CON LEMETTITORE COMUNE

Quale primo esempio di analisi del comportamento su segnale di un


circuito che impiega transistori bipolari, si consideri il circuito della Fig.6.6 di cui
si vuole calcolare la variazione del segnale di uscita quando al potenziale
stazionario della Base sovrapposto un segnale sinusoidale di 4mV. La
polarizzazione del circuito, calcolata in E6.2, fornisce IC=8mA e gm=320mA/V.
6.3.1

Guadagno di tensione in regime lineare

Poich il potenziale dellEmettitore fisso, il segnale applicato, vin, fa variare


direttamente la tensione Veb e determina, nellapprossimazione di comportamento
lineare, una variazione della corrente di Collettore pari a i c=gmveb. Nel nostro
esempio, ic=1280A e, corrispondentemente, la variazione del potenziale Vu pari
a

C
vbe

r = /g m

i D = gmvbe

ro

E
Fig. 6.5

Circuito equivalente per piccoli segnali del BJT.

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13

vu= - gm.RL.veb = - 1.28V


Il guadagno di tensione in regime lineare dello stadio quindi
G=-gm.RL= - 320.
(6.14)
Il segno meno rende conto dello sfasamento di 180 tra la sinusoide dingresso e
quella di uscita: quando vin sale, il comando Veb del BJT si riduce e quindi il
transistore porta globalmente meno corrente. Questo comporta una minore caduta
di tensione sul carico e quindi una discesa di Vu. Quando vin scende avviene il
contrario. Si noti come il guadagno di questo amplificatore a BJT sia molto pi
grande di quello di un analogo stadio a FET, grazie al valore molto pi elevato
della transconduttanza del BJT a pari corrente portata.
6.3.2

Massimo guadagno lineare di tensione

Se ci si chiedesse quale sia il massimo guadagno lineare ottenibile da un


circuito come quello della Fig.6.6 potendone modificare gm e/o RL, si potrebbe
esprimere la transconduttanza mettendo in evidenza la corrente che fluisce nel
transistore:

G gmR L

C
iU

vin

(6.15)

+6V

vin< VT
4mV

IC
V
RL R
Vth
Vth

R1
133k

3.28V
1.28V

vu

2.0V

RL
1 k

0.72V

1.28V

-6V
Fig. 6.6

Circuito amplificatore a BJT ad Emettitore Comune (=200) la cui


risposta in uscita disegnata nellapprossimazione di guadagno
lineare.

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14

CALCOLO DELLIMPEDENZA VISTA IN UN PUNTO


Per calcolare limpedenza vista tra un punto di un circuito e massa (o tra due punti
di un circuito) si procede traducendo in termini operativi la definizione stessa di
impedenza:
- si pu applicare tra i due morsetti un segnale di tensione, vx, e determinare la
corrente ix corrispondentemente assorbita dal circuito, oppure
- si pu forzare un segnale di corrente ix e determinare la tensione vx che si
sviluppa tra i morsetti.
Poich nella valutazione delle impedenze si interessati a segnali, ovvero
alla variazioni delle grandezze stazionarie di polarizzazione, i generatori di
tensione gi presenti nel circuito (tipicamente quelli delle alimentazioni) devono
essere pensati cortocircuitati. Infatti, a fronte di un qualunque segnale forzante, le
tensioni da loro erogate non variano e quindi i punti di connessione dei componenti
con le alimentazioni non registreranno alcuna variazione di potenziale: i generatori
di tensione, sul segnale, si comportano come punti di massa. Viceversa, i
generatori di corrente presenti nel circuito, sul segnale, si comportano come dei
circuiti aperti. Infatti, a fronte di un qualunque segnale forzante, le correnti da loro
erogate non variano e dunque il segnale non pu attraversarli.
Nel calcolare le resistenze si presuppone che i segnali di sonda siano dei
piccoli segnali e che quindi il circuito operi in regime lineare. Pertanto, nei calcoli
sullo schema circuitale si utilizzano per tutti gli elementi non lineari i parametri di
piccolo segnale corrispondenti alla polarizzazione del circuito.

dove VR la caduta di tensione ai capi del resistore di carico. Si vede che la


presenza di un resistore come elemento di carico fa s che il guadagno dello stadio
sia limitato da VR. : per avere un grande guadagno su segnale bisogna polarizzare
con una grande caduta di tensione sulla resistenza di carico RL. Questo si traduce
in una elevata tensione di alimentazione e quindi in un alto consumo di potenza
elettrica. Se si dispone di segnali di ingresso unipolari si pu polarizzare il BJT al
limite della saturazione e quindi ICRL diventa praticamente pari alla tensione
globale di alimentazione dello stadio tolto il piccolo valore di VCEsat, per cui

G max

Va lim
Vth

(6.16)

Nel nostro esempio, Gmax<-12V/25mV=-480. Pi di questo valore non sar


possibile ottenere a meno di aumentare le alimentazioni. Da notare, per confronto
con la (5.24), che il guadagno ottenibile da un amplificatore a BJT a pari

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15

alimentazione e polarizzazione, ben maggiore di quello ottenibile con un


MOSFET.
6.3.3

Resistenza di ingresso e di uscita

Limpedenza di ingresso di uno stadio amplificante determina:


i) la frazione del segnale erogato dal generatore forzante effettivamente disponibile
per comandare lamplificatore e
ii) la potenza che il generatore di tensione deve fornire al circuito.
Nel caso del circuito della Fig.6.6 in cui il generatore di tensione supposto ideale,
non si ha partizione tra vin ed il comando veb. Limpedenza di ingresso
dellamplificatore, pari a
Rin = R1||(/gm) = 625
(6.17)
determina solo lentit della corrente che il generatore di segnale deve
contemporaneamente fornire allamplificatore per effettivamente applicare la
tensione di 4mV, pari a

iin

vin
6.4A
Z in

La potenza massima richiesta al generatore di segnale quindi di circa 26nW. Se il


generatore non riesce a fornire questa potenza non riuscir nemmeno ad applicare i
suoi potenziali 4mV.
6.3.4

Errore di linearit

I valori delle correnti e delle tensioni di segnale appena trovati con


lapprossimazione lineare non sono quelli circolanti realmente nel circuito. Infatti,
della reale variazione di corrente stimolata da vbe
IC
I
2
3
(6.18)
i c g m v be
v be C 3 v be ...
2
2 Vth
6 Vth
abbiamo calcolato, con lapprossimazione lineare, solo il primo addendo, pari a
1.28mA. Il secondo addendo pu anchesso essere calcolato e risulta pari a circa
100A. I termini successivi, quando vbe<2Vth=50mV, possono essere trascurati
perch sicuramente minori del termine di 2 grado (quando vbe>50mV il segnale
verr cos distorto che qualunque analisi carta&penna sarebbe insufficiente e si
ricorre necessariamente ad una simulazione SPICE). Il termine di secondo grado
prima trascurato corrisponde al

v be
8%
2Vth

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vu
+1.28V

16

100 mV

Sinusoide
distorta

Sinusoide ideale

-1.28V

Fig. 6.7

100 mV

Forma donda del segnale di tensione alluscita del circuito della Fig.
6.6.

Questo in termini percentuali lerrore che si commette procedendo con la sola


analisi lineare invece che affrontare il calcolo almeno del termine quadratico.
Si faccia attenzione al fatto che lerrore che si commette non simmetrico: infatti
il termine quadratico della (6.18) sempre positivo e si somma o si sottrae al
termine lineare. Con laiuto della Fig.6.7, il segnale alluscita ha unansa positiva
maggiore rispetto ad una sinusoide ideale (perch la corrente totale Ic reale
maggiore di quella calcolata con il solo termine lineare) ed unansa negativa
minore (perch la corrente totale Ic reale minore di quella calcolata con il solo
termine lineare).
6.3.5

Distorsione armonica

Al fine di calcolare la distorsione della forma donda della Fig.6.7 non


perfettamente sinusoidale applichiamo allingresso della (6.18) un segnale
sinusoidale ad una frequenza prefissata =2f, vin=vbe=Asin(t). Lequazione
diventa:
I
I
i c g m A sin(t ) C 2 A 2 sin 2 (t ) C3 A 3 sin 3 (t ) ...
(6.19)
2Vth
6Vth

IC A 2
1 cos(2t ) I C3 A 3 3 sin(t ) sin(3t ) ...
2
4
2Vth 2
6Vth

Raccogliendo i termini si ottiene :


i c g m A sin(t )

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ic

17

IC A2
I
I A2
I
3
3
g m A C A 3 sin(t ) C

cos(2t ) C3 A 3 sin(3t ) ...


2
3
2

4
4
2Vth 2
6Vth
2Vth 2
6Vth

Nel caso ci si voglia concentrare sulla tensione di uscita, vu=-ic.RL si ottiene:


vu

R L I C A 2
R I
R I A2
R I
3
3
g m R L A L 3C A 3 sin(t ) L 2C
cos( 2t ) L 3C A 3 sin(3t ) ...
2

2
4
2
4
2Vth
6Vth
2Vth
6Vth

(6.20)
Il risultato, visualizzato nella Fig.6.8, mostra come la tensione di uscita presenti:
R I A2
- uno spostamento del valore medio pari a L 2C
; nel nostro esempio
2Vth 2
51.2mV;
- una sinusoide alla stessa frequenza del segnale ed amplificata, ampia nel nostro
esempio (1.28V+4mV)1.28V;
- una cosinusoide di frequenza doppia (armonica) del segnale di ingresso, ampia
R L IC A 2
; nel nostro esempio 51.2mV;
2Vth2 2
- armoniche superiori, la cui 3 nel nostro caso avrebbe ampiezza pari a 4mV,
trascurabile.
Come nel caso del MOSFET, si usa quantificare il segnale spurio della 2
armonica rispetto alla componente lineare indicandola come distorsione di 2
armonica (HD2, 2nd Harmonic Distorsion) :
IC A 2
2Vth2 2
A

(6.21)
HD 2

gmA
4Vth 2
vu

1 armonica
2 armonica
3 armonica

1 armonica
1.28 V

100%

0V
-51 mV

2 armonica
3 armonica
1.28 V

4%

0
f1

Fig. 6.8

0.3%
f2

f3

Visualizzazione delle armoniche presenti alluscita dellamplificatore a


BJT della Fig.6.6 prodotte dalla sua transcaratteristica non lineare.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

18

Molto spesso il valore di distorsione fornito in percentuale. Nel nostro caso


HD2=4% che sta ad indicare che la componente spuria a frequenza doppia del
segnale utile ampia il 4% della sinusoide del segnale. La generazione di una
sinusoide non voluta a frequenza doppia rispetto al segnale forzante leffetto pi
importante della relazione esponenziale del transistore tra la tensione di comando
veb e la corrente ic prodotta in uscita. Si potrebbe quantificare anche lentit della
3 armonica rispetto alla prima, chiamandola HD3, nel nostro caso 0.3%. Se si
sommassero tutte le armoniche e le confrontassero con la forzante si otterrebbe la
THD (Total Harmonic Distortion). Come gi ricordato, esso pu avere
conseguenze importanti nelle prestazioni di un circuito, ad esempio in un
amplificatore musicale con la generazione di armoniche udibili o in un
amplificatore per telecomunicazioni con la generazione di toni che vanno ad
inserirsi in canali adiacenti di trasmissione.
6.3.6

Dinamica di ingresso e di uscita

Per calcolare il massimo segnale applicabile allingresso dellamplificatore


oltre cui il transistore esce dalla sua corretta zona di funzionamento, opportuno
distinguere ed analizzare separatamente segnali positivi e segnali negativi applicati
allingresso.
Nel caso del circuito della Fig.6.6, e con attenzione alla semionda positiva
applicata
allingresso,
immaginiamo
di
aumentarne
lampiezza.
Corrispondentemente luscita Vu scender (vedi Fig.6.9). Il BJT tender a portare
sempre meno corrente e luscita Vu tender a scendere verso lalimentazione
negativa. Il limite sar posto dalla interdizione del BJT, cio dal suo portare
corrente zero. Questo verr raggiunto quando si annulla la tensione di comando del
BJT, Veb, cio quando lingresso raggiunge il valore di circa 0.7V. La Fig.6.9
Ic
5.3V+ 0.7V

vin

+6V
8mA

vu
2V-8V

-6V

Veb

0
700mV

Fig. 6.9

0.7V

Calcolo della dinamica positiva di ingresso del circuito della Fig.6.6.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

19

riporta questa situazione.


Ponendo ora attenzione alla semionda negativa in ingresso ed immaginando di
aumentarne lampiezza, il limite sar posto dallingresso in saturazione del BJT: il
Collettore non potr salire sopra alla Base di pi di 0.5V. Poich in polarizzazione
VB=5.3V e Vu=2V, il massimo spostamento reciproco della Base (in gi) e del
Collettore (in su) uno contro laltro sar quindi di 3.8V. Prendendo come incognita
vb, e conoscendo il guadagno G tra vb e vu, posso pertanto scrivere la seguente
espressione:
v b G v b 3.8V
Da cui si ricava il valore di vb=11.8mV. Questo il massimo segnale negativo
applicabile alla Base del circuito, supposto lineare, oltre il quale il BJT entrerebbe
in saturazione. La Fig.6.10 mostra questa situazione sulla curva transcaratteristica.
Se si volesse essere pi precisi e tener conto della non linearit della risposta del
BJT, la relazione precedente potrebbe essere pi precisamente impostata come:
v b G(1 ) v g 3.8V
la cui soluzione darebbe una dinamica massima del Gate di 10.3mV, valore
inferiore al precedente perch appunto tiene conto anche della risposta non-lineare
del transistore.
Concludendo, poich nel nostro esempio vb coincide con vin, la dinamica di
ingresso del circuito :
10.3mV v in 700mV
a cui corrisponde una dinamica delluscita pari a :
8V Vu 3.8V

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Ic

+6V

11.8mA

5.3V-11.8mV

2V+3.8V

vin

8mA

vu

10.3mV
11.8mV

-6V

0.7V

Fig. 6.10

20

Veb

Calcolo della dinamica negativa di ingresso del circuito della Fig.6.6.

Si noti come, nella parte di dinamica che fa aumentare la corrente portata dal
transistore (semionda negativa in questo esempio), il calcolo gi sufficientemente
preciso considerando la curva transcaratteristica linearizzata. Viceversa, nella parte
di dinamica che fa spegnere il transistore (positiva nel nostro esempio) bisogna
percorrere tutta la curva transcaratteristica reale.
E 6.6

Riferendosi allamplificatore della figura accanto ( =50),


a) calcolare il valore della capacit di disaccoppiamento C per avere un
polo a 1kHz;
+5V
b) calcolare lamplificazione tra vin e vu a
media frequenza.
500
43k
c) calcolare la potenza richiesta al circuito
vu
di comando perch possa erogare una
Rg
tensione sinusoidale di ampiezza 10mV.

d) ricavare il massimo segnale di ingresso v in
C
che assicuri una distorsione HD2 non
superiore al 2%.
e) Calcolare la massima amplificazione ottenibile da questo stadio per
segnali di ingresso unipolari negativi
(a) - IC=5mA e resistenza di base r =/gm=250. Il circuito equivalente della
rete di ingresso quindi
Rg

v in

vb
43k

250

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21

Volendo posizionare il polo a f=1kHz si trova C210nF. Si noti come, dato il


basso valore della resistenza di base dei transistori BJT rispetto al valore
elevatissimo della resistenza di Gate nei FET, la capacit di disaccoppiamento
necessaria sia di valore molto elevato.
(b) - A causa della resistenza Rg finita del generatore di segnale e del basso
valore della resistenza di base del transistore, solo una parte del segnale vin
applicato allingresso del circuito agisce effettivamente tra la Base e
lEmettitore. Il guadagno di tensione a frequenze medio-alte quindi ridotto
dalla partizione di ingresso e vale
v u g m R L

v in
r 43k
R g r 43k

vu
33
v in

(c) Il generatore di segnale deve anche fornire la corrente di Base al BJT oltre
alla corrente nelle resistenze fisiche. Con vin=10mV, iin10mV/750=13.3A.
La potenza di picco del generatore quindi di 133nW, circa 65nW RMS.
(d) Dovr essere vbe=2mV, e quindi vin|max=6mV.
(e) Con segnali di ingresso unipolari negativi luscita dovr salire. Per avere la
massima escursione delluscita, questa pu essere polarizzata a Vu0.2V.
Nellipotesi di trasferimento lineare si ottiene vin|max=145mV. In verit il segnale
di ingresso potr anche essere pi ampio (fino a circa 0.7V), ma ormai luscita
avr raggiunto un valore cos vicino allalimentazione da non avere pi una
variazione leggibile della sua tensione.

E 6.7

Dopo avere polarizzato il circuito della figura


(=100) :
a) Calcolare il guadagno di piccolo segnale
G=vu/vin.
b) Calcolare lerrore di linearit del
guadagno nel caso in cui allingresso
venga applicato un segnale Vin=10mV
c) Calcolare lerrore nel caso in cui
allingresso venga applicato un segnale
Vin=100mV.

+ 3V

R
230 k

vin

Vu

C=

Riflettere sul fatto che la distorsione presente nella corrente di collettore


(generata dalla relazione esponenziale tra vbe ed ic) si manifesta uguale nella
tensione alluscita solo quando il carico lineare, tipicamente una resistenza.
Cosa succede quando anche il carico non lineare, cio in cui la sua relazione
tra ic e vu=vbe non lineare ?

[a: G=-1; b: =0; c: =0]

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

6.3.7

22

Effetto della tensione di Early finita

Lesistenza della resistenza duscita finita, ro, tra Collettore ed Emettitore,


comporta alcune modifiche al funzionamento del circuito rispetto a quanto visto
fino ad ora. In particolare:
1) la polarizzazione viene modificata e la transconduttanza nel nuovo punto di
lavoro cambia. La Fig.6.4 visualizza questo aspetto.
2) la presenza di r0 pone un limite al guadagno di tensione dello stadio. Infatti,
come mostrato nella Fig. 6.11, per il segnale ro in parallelo alla resistenza di
carico esterna RL. Il segnale di corrente i =g .v fluisce quindi in (RL||r ) e
c

be

determina un guadagno di tensione tra ingresso ed uscita pari a

vu
g m R L ro
v be

(6.22)

Quando ro>>RL, come si sempre supposto fino ad ora, si ritrova lespressione del
guadagno G=-gmRL. Ma se si pensasse di aumentare il guadagno aumentando RL,
esso non tenderebbe allinfinito ma si fermerebbe al valore
G max g m r o

VA
Vth

(6.23)

dove VA la tensione di Early del BJT. Questo valore massimo del guadagno
indicato in letteratura con la lettera greca e, una volta fissata la polarizzazione,
dipende solo dal transistore usato.

+6V
C

r0

vin

R1

RL

vu

-6V
Fig. 6.11

Visualizzazione della resistenza r0 nel circuito amplificatore a BJT


reale

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

E 6.8

23

Considerare il seguente circuito che utilizza un transistore bipolare


avente =100 e VA=20V
a) calcolare la polarizzazione del circuito;
b) - calcolarne il guadagno di tensione;
c) calcolare la massima variazione percentuale di oltre la quale il
transistore entrerebbe in saturazione gi per la sola polarizzazione;
+ 6V
RL
1.5k

133k
2k

vin

C=

- 6V

a) Nella figura seguente riportato il grafico (non in scala) della curva


caratteristica del BJT con indicati i valori delle grandezze di interesse per la
nostra polarizzazione (r0=5k). A destra anche riportato il circuito equivalente
utile per il calcolo della tensione di uscita.
IC
4.92 mA
4mA

20V

0.92V
IB =40A

4.6V

VCE

Trovata la ID=4.92mA,
immediato calcolare la corrispondente trans
conduttanza gm=197mA/V.
b) Limpedenza vista dalla base del transistore /gm=508 ed il guadagno
Gtot=-46 dellintero circuito.
c) Il circuito molto sensibile alle variazioni di : poich Vu al massimo pu
scendere fino a circa -5.8V, la corrente IC pu circa raddoppiare fino a 7.8mA e
cos pure (196).

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

E 6.9

24

Riprendere il circuito della Fig.6.6:


a) ricalcolare il guadagno lineare nel caso di VA=50V;
b) - calcolare la dinamica di ingresso del circuito.
+6V
C

r0
R1
133k

vin

vu

RL
1 k

-6V

E 6.11 Si consideri il circuito della Fig.6.6. Si determini la sua resistenza di


ingresso e di uscita, supponendo che il transistore abbia VA=50V.
is
ro
vs

is
133k

R1

1k

Rin = vs / i s

R1

133k

1k

vs

R u = vs / i s

Per valutare la resistenza di ingresso, si pensi di applicare sul nodo dingresso un


segnale di tensione vs e di valutare la corrente, is, corrispondentemente assorbita
dal circuito. Nella figura tutte le alimentazioni sono state sostituite con delle
masse, per sottolineare che sul segnale i punti connessi alle alimentazioni non
subiscono variazioni di potenziale. Guardando la figura, risulta evidente che la
corrente di segnale, is, vede due cammini paralleli verso punti di massa: quello
attraverso la resistenza di polarizzazione R1 e quello attraverso la Base del BJT,
che ha una resistenza dinamica pari a /gm. Quindi la corrente di sonda is e la
variazione di tensione vs sono legati da:

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

is

25

vs
v
s
R1 g m

La resistenza dingresso dunque pari a Rin=vs/is=R1/gm. Allo stesso risultato


si sarebbe giunti se si fosse immaginato di iniettare una corrente sonda i s e se si
fosse misurata la variazione di potenziale vs. In sostanza la presenza di r0 non
vista dalla Base del transistore.
Per valutare la resistenza duscita si pu pensare di applicare un segnale di
tensione vs sul Collettore e di valutare la corrente is assorbita. Le non idealit del
transistore fanno s che, a fronte della variazione di tensione v s, vi sia un
assorbimento di corrente sia attraverso ro che attraverso RL. Poich le due
resistenze hanno la stessa variazione di tensione ai capi, esse sono viste in
parallelo. Quindi la corrente assorbita is=vs/(roR), e la resistenza duscita
Ru=roR. Alluscita quindi la resistenza r0 vista direttamente verso massa.

6.4

BJT PILOTATO DA SEGNALI DI CORRENTE

Il legame esistente tra la variazione della tensione ai capi di una giunzione pn e la


conseguente variazione della corrente non una relazione nella sola direzione tra
tensione (causa) e corrente (effetto). Essa vale anche allinverso. Nel caso del BJT
quindi se si forza una corrente nella Base si ottiene una tensione tra Base ed
Emettitore: la corrente di Base determina un accumulo di carica nella Base che a
sua volta modifica la differenza di potenziale con lEmettitore attivando liniezione
di portatori dallEmettitore nella Base, portatori che poi fluiranno verso il
Collettore. Poich il legame tra la corrente di Base e la corrente di Collettore
quello di una amplificazione netta pari a secondo la relazione
IC=.IB (polarizzazione)

ic=.ib (segnale)

(6.24)

+ Vcc
R1
Generatore

is

Fig. 6.12

RL

VU

Rs

Circuito amplificatore a BJT pilotato da un generatore di corrente di


segnale.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

26

viene naturale pensare di usare il BJT anche in questa modalit. Nel caso della
polarizzazione, tale possibilit gi stata sfruttata pi volte (si vedano ad esempio
gli esercizi E6.1 o E6.2). In questo paragrafo vediamo con degli altri esercizi come
farne buon uso quando si abbia a disposizione un segnale di corrente e lo si voglia
amplificare.
Poich limpedenza di uscita di un generatore di corrente in genere elevata,
laccoppiamento tra sensore ed amplificatore pu essere fatto in DC senza
linterposizione di un disaccoppiatore. Si noti inoltre che, essendo la (6.24) una
relazione lineare, la distorsione armonica alluscita sar sostanzialmente nulla
fintantoch il carico costituito da un componente lineare, come ad esempio una
resistenza.
Anche in questo caso vale la considerazione che se si scelto il transistore delle
dimensioni giuste la tensione risultante tra Base ed Emettitore sar di circa 0.7V e
che essenziale che la giunzione Base-Collettore sia polarizzata in inversa o in
diretta di non pi di 0.5V.
E 6.12 Si consideri il seguente semplice circuito il cui BJT abbia =100
alimentato da un generatore di corrente:
+ 5V

Iin

Vu

RL
1k

a) Calcolare la tensione di uscita nei tre casi in cui la corrente di


ingresso Iin sia Iin=10A, Iin=100A e Iin=1mA
b) Per ognuno dei tre casi fornire il valore del rapporto Ic/Iin tra la
corrente di collettore e la corrente di base.
Quando Iin=10A, nellipotesi che il transistore operi in zona attiva diretta,
IC=1mA e Vu=+1V. Quindi IC/IIN=100.
Quando Iin=100A, se il BJT funzionasse correttamente, si avrebbe I C=10mA.
Questo porterebbe il BJT in saturazione con IC5V/1k=5mA. Quindi IC/IIN50.
Quando Iin=1mA, il BJT sempre in saturazione e quindi I C/IIN5.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

27

E 6.13 Con riferimento al circuito della figura, in cui il BJT ha =400 e curve
caratteristiche ideali (VA=) (Consider the circuit whose BJT has =400
and ideal characteristic curves):
+ 2V

Iin

vu

R4

R1
2 k

C
10 pF

R2
7 k

R3
300

- 1V

a)
Scegliere il valore di R4 affinch Vu=+1.1V quando Iin=0. (Find
R4 in order that Vu=+1.1V when Iin=0)
b)
Tracciare landamento in frequenza della risposta del circuito
(modulo e fase) in un diagramma quotato, indicando il valore del
trasferimento a bassa e ad alta frequenza e delle singolarit. (Draw the
Bode plots of the transfer function as a function of frequency, quoting the
important values)
c)
Calcolare la massima ampiezza di un segnale sinusoidale di
corrente iin applicabile allingresso oltre cui il transistore esce dalla zona
corretta di funzionamento (0.5V diretta tra base-collettore). Svolgere il
calcolo sia per un segnale a bassa frequenza (100Hz) che ad alta
frequenza (1GHz) (Find the maximum amplitude of a sinusoidal input
current iin before the BJT enters saturation. Do the calculation both at
100Hz and 1GHz.)
d)
Paragona la distorsione armonica del circuito pilotato in
corrente con quella che si avrebbe nel seguente circuito pilotato in
tensione. Calcolare HD2 con iin=1A e con vin=10mV e commentare la
differenza. (Compare HD2 of the circuit (iin=1A) with that of the
following circuit driven by a voltage (vin=10mV))
+ 2V

vin

C=
T1

vu

R4

R1
2 k

C
10 pF

R3
300
- 1V

R2
7 k

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

28

E 6.14 Stimare la distorsione di seconda armonica, HD2, di ognuno dei seguenti


circuiti ed indicare quello pi distorcente. Si consideri =100. (Find the
second harmonic distorsion HD2 of the circuits below and select the one
with the highest value. Consider =100)
+ 0.7V
Vin=1mV

C=
T1

10A

vu

+ 0.7V

Iin=400nA

T1

10A

T2

+ 0.7V

C=

- 0.7V

vu

Iin=400nA

C=
T1

10A

T2

- 0.7V

vu
RL
700

- 0.7V

E 6.15 Il seguente amplificatore a transresistenza utilizza un BJT con =100 e


VA=10V (The following circuit uses a BJT with =100 and VA=10V):
+ 3.3V
RL
1 k

R1
260 k

Vout

vin
Iin

C=1nF

a)
Calcolare il valore stazionario delluscita Vout. (Find Vout when no
signal is applied )
b)
Disegnare in un grafico quotato landamento nel tempo della
tensione di uscita, vout(t) quando in ingresso viene applicato un gradino
di corrente come in figura. (Draw the time behavior of the output voltage,
vout(t), when a current signal is applied)
Iin

1A
t
0

20s

c)
Disegnare ora il corrispondente andamento nel tempo della
tensione vin(t) ai capi del generatore Iin(t) di segnale (si consideri la
condizione iniziale Vin(0)=0V). (Draw the time behavior of the input
voltage, vin(t), across the current source (suppose the initial condition
Vin(0)=0V)).

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

6.5

29

STADI BJT CON RESISTENZA SULLEMETTITORE

Gli amplificatori a BJT con lEmettitore comune visti nei paragrafi


precedenti hanno un guadagno G=-gm.R dipendente, attraverso gm, dal particolare
transistore utilizzato. Infatti, fissate le tensioni di alimentazione e le resistenze di
polarizzazione, i valori di IC e gm dipendono dal del transistore, che pu variare
da dispositivo a dispositivo e con la temperatura di parecchie decine di %.
Come gi visto con i MOSFET, anche nei circuiti a BJT laggiunta di una semplice
resistenza RE tra il terminale di Emettitore ed un punto a potenziale fisso (Fig.6.13)
consente di risolvere in parte questo problema e di rendere lamplificazione meno
dipendente da gm. Negli esercizi E6.3 ed E6.4 abbiamo gi avuto modo di
apprezzare i vantaggi di questaggiunta per quanto riguarda la stabilizzazione della
polarizzazione. Ora analizziamone le conseguenze nellamplificazione del segnale
tra lingresso e luscita, consci del fatto che inevitabilmente la tensione di segnale
vin si dovr ripartire tra la giunzione Base-Emettitore e la resistenza aggiunta RE:
v in v eb v RE

e quindi il segnale prodotto sar minore di quello in un circuito ad Emettitore


comune.
6.5.1

Calcolo dellamplificazione di tensione

Lanalisi su piccolo segnale del circuito della Fig.6.13, vale a dire lo studio
delle sole variazioni lineari di corrente e di tensione prodotte dal segnale vin, ci
porta ad impostare il seguente sistema:
VEE

C
+
vin

vb

RE

veb

ve
ic

vu

R1

RL

VCC

Fig. 6.13

Esempio di stadio
sullEmettitore.

amplificatore

BJT

con

resistenza

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

30

v b v e g m i c

ve
R ic
E
Risolto, esso fornisce la corrente di segnale:
gm
1
(6.25)
ic vb
vb
1
1 g m R E
RE
gm
La corrispondente variazione della tensione di uscita determina il guadagno del
circuito (nel nostro caso in cui vin=vb) :

G=

vu
RL
g R

m L
1
v in
1 gmR E
RE
gm

(6.26)

Questo risultato mette in evidenza che se gmRE>>1 (cio se RE>>1/gm), il


guadagno di tensione si semplifica in
R
(6.27)
G L
RE
Il risultato interessante perch mostra come il guadagno possa essere
indipendente dai parametri propri del transistore e dipendere solo dal valore delle
due resistenze RL ed RE, che possono essere scelte con la voluta precisione e che
mantengono stabili nel tempo le loro caratteristiche. Questa stabilit del
guadagno a fronte di variazioni di o altro, ovvia dalla (6.27) non comparendo
nellespressione alcun termine legato al transistore, si mantiene anche nel caso in
cui al denominatore della (6.26) non fosse possibile trascurare laddendo 1. In
questo caso il calcolo della sensibilit del guadagno ad esempio al variare del
porterebbe alla seguente espressione (ottenuta ipotizzando di avere gi calcolato la
variazione della polarizzazione VGS):
G
1
(6.28)

G
(1 g m R E )
Anche in questo caso le prestazioni del circuito sono migliorate rispetto al caso di
RE=0 del fattore (1+gmRE).
Il prezzo pagato per ottenere questo miglioramento in stabilit un minore
guadagno rispetto allo stadio ad Emettitore comune, in ragione del fattore
(1+gmRE). Il guadagno massimo proprio ottenuto con RE=0, cio rinunciando alla
resistenza di degenerazione, in corrispondenza del quale il guadagno ritorna
naturalmente ad essere G=-gm.RL. Il dispregiativo contenuto nel termine

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

31

usualmente impiegato di resistenza di degenerazione per indicare RE rende conto


di questa perdita di amplificazione, ma non fa giustizia del notevole miglioramento
delle prestazioni in termini di stabilit alle variazioni dei parametri del BJT e,
vedremo presto, di linearit, impedenza, banda passante e altro che lintroduzione
di RE comporta !
6.5.2

Calcolo della partizione del segnale tra vbe e la resistenza di


degenerazione di Emettitore

La (6.25) ha la forma di una legge di Ohm dove la corrente di segnale i c


ottenuta semplicemente dividendo il segnale di tensione alla Base, vb, con la serie
di due resistenze (1/gm+RE). E utile capire pi in profondit questa potente
relazione. In alternativa al calcolo analitico appena svolto, per calcolare la corrente
di segnale prodotta nel transistore dal segnale di ingresso vin comodo porsi nel
punto di Emettitore (dove effettivamente scorre la corrente che si vuole calcolare)
e valutare il circuito equivalente Thevenin dello stadio che comanda la resistenza,
come visualizzato nella Fig.6.14. Per fare ci occorre calcolare:
(a) la tensione di segnale a vuoto veq nel punto A. Per fare ci si deve pensare di
valutare il segnale di tensione che si avrebbe nel nodo A qualora il nodo A fosse
scollegato per il segnale dal resto del circuito. Se lEmettitore aperto, qualunque
sia la variazione del potenziale della Base, il segnale di corrente che fluisce nel
transistore nullo. Quindi anche la variazione veb della tensione di comando del
transistore nulla. Ne consegue che la variazione di tensione imposta alla Base si
riporta identica come variazione del potenziale del punto A, ovvero la tensione a
vuoto nel punto A del circuito pari a vin, cio veq=vin.

VEE
RE
C
+
vin

vb

vu

R1

req

1
gm

RL

-VEE

Fig. 6.14

Equivalente
Thevenin

veq= vin

RE
VA

Riduzione del circuito che comanda RE al suo modello equivalente


Thevenin per piccoli segnali.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

32

(b) la resistenza equivalente req vista guardando in A, cio nellEmettitore del


transistore. Per fare ci, con riferimento alla Fig.6.15 a destra si deve pensare di
disattivare il generatore vin, di rimuovere la resistenza RE e di forzare lEmettitore
con un generatore di sonda di tensione vs o di corrente is. Avendo cortocircuitato il
generatore vin, la Base del BJT si trova a massa e la tensione impressa vs si applica
tra i morsetti della Base e dellEmettitore del BJT. Quindi la corrente i s che viene
assorbita dal BJT pari a is=gmveb. Il rapporto tra la tensione di sonda e la corrente
assorbita d la resistenza vista tra il morsetto A e massa. Essa pari, quindi, a

req

vs
1

is g m

(6.29)

In entrambe queste operazioni bisogna immaginare di avere comunque


salvaguardata la polarizzazione che ha tenuto acceso il transistore nel corretto
punto di lavoro e che definisce il valore di gm.
Ricavati gli elementi che compongono il circuito equivalente Thevenin della
Fig.6.14, immediato valutare la corrente che fluisce nella resistenza RE, gi
trovata nella (6.25), :
1
1
RE
gm
E altrettanto immediato calcolare la partizione di vin tra vbe e vRE :
i c v in

vs

is=gmvs
vA= vin
C
+

vin

vb

R1

R1
RL

-VEE

Fig. 6.15

RL

-VEE

Schemi circuitali per il calcolo (a) della tensione a vuoto e (b)


della resistenza equivalente vista guardando nellEmettitore di un
amplificatore a BJT.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

v be v in

1
gm

v R E v in

1
RE
gm

RE

33

(6.30)

1
RE
gm

Se RE>>1/gm, allora vREvin, e la corrente circolante in RE, e quindi nel transistore,


praticamente indipendente dai parametri del BJT.
Valutiamo ora cosa accade nel caso pi comune in cui lamplificatore sia
forzato da un generatore di tensione reale con resistenza serie Rg (Fig.6.16).
La tensione a vuoto tiene conto della partizione del segnale tra il punto di
applicazione di vin e la tensione alla Base, ed data dalla relazione

R1
(6.31)
R1 R g
Quanto alla resistenza equivalente vista da A, in questo caso pi comodo (ma
non obbligatorio) pensare di forzare una corrente di sonda i s e valutare la
corrispondente variazione della tensione al morsetto A. La corrente iniettata
nellEmettitore ed una parte, pari a is/(+1), costituisce la corrente di Base. Quindi
ai capi degli elementi resistivi collegati tra Base e massa (nel caso in figura R1||Rg),
si sviluppa una tensione pari a (R1||Rg)is/(+1). Di conseguenza il valore di req non
pi 1/gm ma
v eq v in

VEE
RE
Rg
+

vin

vb

vu

R1

req

1 R 1 || R g

gm
1

RL

-VEE

Fig. 6.16

Equivalente
Thevenin

v eq v in

R1
R1 R g

RE
VA

Circuito equivalente di un amplificatore a BJT con resistenza di


degenerazione sullEmettitore pilotato da un generatore reale di
segnale.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

req

6.5.3

1 R 1 || R g

gm
1

34

(6.32)

Impedenza di ingresso

Valutiamo ora la variazione della resistenza vista guardando nella Base


quando si utilizza un BJT con la resistenza di degenerazione. Per effettuare il
calcolo ci si pu avvalere del circuito riportato nella Fig.6.17. Si pu pensare di
forzare un segnale di tensione vs e di valutare la corrente is che
corrispondentemente fluisce in Base :

vS v E g m iC

vE
iS iC

R
E

iS iC

(6.33)

Risolvendo il sistema si ottiene la resistenza vista in Base

Rb

vs

( 1)R E

(1 g m R E )
is
gm gm

(6.34)

La resistenza vista guardando nella Base di un BJT quindi pari alla resistenza tra
Base ed Emettitore (/gm=r) in serie alla resistenza di degenerazione RE
aumentata del fattore (+1) del transistore. Questo aumento dellimpedenza vista
in Base, spesso molto pronunciato, uno dei vantaggi di questa configurazione
rispetto al semplice Emettitore comune. Si noti come nella (6.34) laumento di
impedenza rispetto al valore r pari circa al solito fattore (1+gmRE) !

RC

is

vs

Fig. 6.17

ic
ve

ie

RE

Calcolo dellimpedenza vista dalla Base di un BJT con resistenza


di degenerazione sull Emettitore.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

VCC

VCC

VCC

gm

gm

35

1 R E
gm

RL

RL
(a)

RE

VCC

VCC

VCC

RL

RL
Rg

vin

Fig. 6.18

vin

vin
1
gm

(b)

1
gm

Rg
1

g m 1

Quadro riassuntivo delle impedenze viste dalla Base (a) e


dallEmettitore (b) di un BJT al variare dei carichi sugli altri due
morsetti, supponendo ro=.

Si noti come la presenza di una resistenza RL sul collettore non modifichi il sistema
(6.33) e quindi la resistenza vista dalla Base trovata nella (6.34). Questo perch
non c alcun flusso significativo di corrente che dalla Base va verso il Collettore.
Sulla base dei risultati fin qui ottenuti, le trasformazioni impedenziali
operate da un BJT possono essere sintetizzate praticamente cos:
la resistenza vista guardando in Base pari alla resistenza differenziale della
giunzione Base-Emettitore (1/gm) ed alla eventuale resistenza RE posta in
serie allEmettitore, entrambe moltiplicate per il fattore .
la resistenza vista guardando in Emettitore pari ad 1/gm pi la resistenza
posta tra il morsetto di Base e massa divisa per il fattore ;

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36

E 6.16 Si confrontino i due circuiti seguenti (=100, VA=), in cui la


polarizzazione del BJT identica.
a) Calcolare la polarizzazione dei circuiti e confrontare la robustezza a
variazioni di calcolando la variazione di IC quando cambia del 20%
a seguito di una variazione di temperatura.
b) Commentare la scelta del partitore che fissa la tensione di Base per
quanto riguarda le ripercussioni sul guadagno di tensione vu/vin.
c) Proporre modifiche del partitore atte ad aumentare il guadagno del
circuito senza penalizzarne la robustezza ai cambiamenti dei parametri
costruttivi.
+ 6V
RL
1.5k

132k

RL
1.5k

vu

2k

vin

+ 6V

C=

-6V

2k

vin

5.9k

C=
1k

vu
RE
50

- 6.2 V

6.5.4

Distorsione armonica

Come visto in dettaglio nel caso di un MOSFET nel 5.6.4, anche dal punto di
vista della linearit si ha un miglioramento con lintroduzione della resistenza RE.
Questo non solo perch solo una frazione vbe del segnale dingresso viene
effettivamente a pilotare il BJT ma anche per un effetto legato alla architettura
intrinsecamente retroazionata dello stadio. Infatti in un npn ad un aumento di vb,
corrisponder un aumento di vbe che comporter un aumento pi che lineare della
corrente di Collettore. Poich questa scorre in RE, far salire ve di pi di quanto
questo non salga quando il fenomeno descritto linearmente. Questo va a
contrastare liniziale maggiore vbe, riducendola. Pertanto ci aspettiamo che la non
linearit (e quindi la distorsione armonica) venga ridotta dalla presenza di RE di pi
della semplice partizione lineare data dalla (6.30).
Per calcolarla in dettaglio bisogna considerare la risposta esponenziale del
transistore. In pratica ci si limita a considerare i primi termini del suo sviluppo in
serie. Partendo dallequazione (6.6) che fornisce la variazione della corrente di
Collettore a fronte di una variazione vbe, si imposta il seguente sistema:

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IC

2
v in v e g m 2 V 2 v in v e i c

th

ve i
c
R E
Sostituendo la seconda nella prima si ottiene :
IC
2 Vth2

37

(6.35)

I
I
R 2E i c2 R E g m 2 C 2 R E v in 1 i c g m v in C 2 v in2 0
2 Vth
2 Vth

Risolvendo in analogia a quanto fatto nel 5.6.4, si ottiene il fattore di non linearit
pari a:
IC
1
v in2
2
3
2 Vth 1 g m R E
I
v in
1
1

C2

gm
1 g m R E 2 Vth g m 1 g m R E
v in
1 g m R E
Ricordando che gm=IC/Vth, lespressione pu essere riscritta come:
v in

1
gm
1
gm

RE

2 Vth

1 g m R E

o nella forma pi generale :

v be
1

2 Vth 1 g m R E

(6.36)

dove il numeratore contiene vbe, cio la partizione del segnale vin ai capi del
transistore calcolata come se il trasferimento fosse lineare, cio con 1/gm costante.
La (6.36) ci dice che la non linearit minore di un fattore (1+gmRE) di quella che
si avrebbe se si considerasse solo la partizione lineare del segnale allingresso ai
capi del transistore.
In analogia con quanto trovato con la (6.21) nel caso di amplificatore con
lEmettitore a massa, anche ora si pu verificare che la distorsione di 2 armonica
vale

HD 2

(6.37)

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38

E 6.17 Con riferimento al seguente circuito in cui il BJT ha =300 e curve


caratteristiche ideali (VA=) (Consider the circuit whose BJT has =300
and ideal characteristic curves):
+ 3V

2k

Re
150

vin

vu
Rc
1.5k

R
- 3V

a) Scegliere il valore di R affinch Vu=0V. (Find R in order that Vu=0V)


b) Scegliere il valore di C affinch la frequenza del polo del circuito sia
a f=100Hz. (Find C in order to obtain a pole at f=100Hz)
c) Scegliere lampiezza di vin affinch HD2=1%. (Find the amplitude of
vin in order to obtain HD2=1%.)
d) Scegliere la massima ampiezza negativa di vin oltre cui il BJT satura.
(Find the maximum negative amplitude of vin before BJT saturation)
[R=750k]
E 6.18 Si consideri il seguente circuito in cui il BJT ha un =100 ed il MOSFET
una VT=1V e k=CoxW/L=1 mA/V2.
+ 3V
R1
200

Ein

I1

Vout
I2

R2
1 k

- 3V

a) - Calcolare le correnti I1 e I2 quando Ein=0V, Ein=+2V, Ein=-2V


b) - Immaginando di sovrapporre a Ein un piccolo segnale vin, calcolare il
guadagno vout/vin nei tre punti di lavoro precedentemente calcolati.
c) - Valutare ora la dinamica dellescursione di Ein che mantiene in zona
attiva diretta il BJT.

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39

E 6.19 Si consideri il circuito a BJT della figura seguente. A causa di un


aumento della temperatura di 50C, il del transistore aumenta del 25%
(2 per mille per grado) e la tensione Vbe, a corrente di collettore
costante, diminuisce di 100mV (-2mV/C). Valutare le corrispondenti
variazioni di IC e confrontarle con quelle che si avrebbero in un
Emettitore a massa polarizzato con la stessa IC nominale.
+6V
R 1 = 375k

vin

Rc

Re

1k
vu

200

-3V

E 6.20 Si consideri il semplice circuito indicato con (a) nella figura, in cui
immediato verificare che lampiezza del segnale di ingresso, che assicura
un errore di linearit non superiore al 23%, di vin=10mV.
Si pensi ora di voler modificare questo circuito per estendere lintervallo
del segnale di ingresso fino a vin=100mV, mantenendo inalterata la
massima non linearit al 23%.
a)Verificare che, sia la modifica al circuito proposta nella figura (b) che
quella proposta nella figura (c), soddisfino alla richiesta.
b) Qual la scelta migliore?

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+4 V

+4 V
3 3 0k

R L =1 k

3 3 0k

40

vu

vu

R in

vin

vin

R L =1k

2 2 .5k

a )

b )

+4 V
3 0 8k

RL

1k
vu

= 200

vin
1 1 2 .5
c)

Poich il segnale in ingresso al circuito (a) applicato direttamente alla base del
transistore e lemettitore a massa, si ha che vbe=vin=10mV. In base alla (4.12),
lerrore di linearit pari al 23%. Il circuito presenta un guadagno di tensione
G=vu/vin=-80. Le modifiche al circuito atte ad estendere lintervallo del segnale
di ingresso mantenendo inalterato lerrore possono essere le pi varie purch,
sempre, la partizione in ingresso tra il segnale vin e la tensione di comando del
transistore dia vbe=10mV. Entrambi i circuiti proposti verificano questa
condizione per segnali di ingresso vin=100mV.
Infatti, nel circuito della figura (b), la partizione tra le due resistenze Rin=22.5k
e r=2.5k determina una vbe massima di 10mV. La partizione del segnale di
ingresso del fattore 10 comporta naturalmente anche una corrispondente
diminuzione del guadagno, che diventa G=vu/vin=-8.
Anche il circuito della figura (c) soddisfa alle condizioni imposte. La partizione
tra 1/gm=12.5 e R=112.5 consente di avere ancora, al massimo, vbe=10mV.
Anche in questo caso il guadagno dello stadio ridotto di un fattore 10 e vale
quindi -8.
Il vantaggio di questultima configurazione, rispetto a quella della figura (b),
che tutte le propriet del circuito vengono migliorate del fattore 10 perso nel
guadagno. Questo circuito cio riuscito a far tesoro del vincolo di progetto di
estendere la dinamica di ingresso per avere contemporaneamente quei
miglioramenti delle caratteristiche dello stadio determinate dallintroduzione
della resistenza di degenerazione.

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

41

E 6.21 Tracciare il diagramma di Bode del trasferimento vu/vin del seguente


circuito al variare della frequenza. Verificare che la massima
amplificazione si abbia per frequenza maggiori di circa 3kHz. Verificare
che il circuito sia particolarmente insensibile a disturbi a bassa
frequenza (per esempio a 50Hz), presenti sia sulla linea del segnale che
sulla alimentazione positiva.
+5V
C=1 F

R3
380

R 1 =50k

R e = 50

R in

= 100
v in

500
R2

50k

-5V

R c = 300

Dallo studio della polarizzazione si trova 1/g m=2.5 e la resistenza vista


guardando in Emettitore re=[1/gm+(R1R2Rin)/(+1)]=7.5. A bassa
frequenza lo stadio amplifica circa 300/430=0.7, mentre per frequenze
superiori al polo del condensatore 1/[R3(Re+re)C], f=3.1kHz, la impedenza
di questo diventa minore di quella della resistenza R 3 e quindi lamplificazione
tende al valore 300/50=6. Nel diagramma di Bode dellamplificazione dello
stadio c quindi uno zero ed un polo. Lo zero si ha per =1/(R3C). Il risultato
si pu giustificare considerando che la rete R3,C per s=-1/R3C ha impedenza
infinita, e quindi la trasformata di Laplace dellamplificazione dello stadio ZC(s) / Ze(s) ( rapporto delle impedenze sul Collettore e sullEmettitore) si
annulla per s=-1/R3C.

6.5.5

Effetto della tensione di Early

Luso di un transistore reale avente una definita tensione di Early, VA, in


un circuito con resistenza di degenerazione non modifica sostanzialmente la
polarizzazione dello stadio. Infatti, riferendosi per esempio al circuito della
Fig.6.19, poich la tensione di Base fissata dal partitore, anche la tensione di
Emettitore fissata (circa 0.7V sopra). Pertanto viene fissata la corrente in R E.
Essa fluir nel BJT dividendosi tra la componente ideale e quella in r0, per poi
ricomporsi in RL. Ai fini quindi della corrente nelle resistenze esterne, la presenza

Appunti del corso di Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro, POLIMI

42

di r0 ininfluente (essa determina solo una minima variazione della V EB effettiva,


per noi del tutto trascurabile).
Anche il comportamento dellamplificatore su segnale non viene modificato
significativamente rispetto a quanto visto con un transistore ideale. Con
riferimento infatti alla Fig.6.19, i bilanci di corrente di segnale ai due nodi di
Emettitore e di Collettore del circuito permettono di impostare il seguente sistema:
(v v u )
v

( v e v in ) g m e
e

r0
RE

vu
v

RL
RS

da cui ricavare lespressione del guadagno di tensione dellamplificatore:

vu
gm R L

v in

(R R E )
1 g m R E L

r0

(6.38)

Il risultato mostra come, fintanto che RL<r0 il guadagno dellamplificatore rimanga


sostanzialmente invariato rispetto al caso di transistore ideale con VA= e pari a:

vu
gm R L

1 g m R E
v in

VEE
RE

R1
R

vin

r0

C=

vu
RL

R2

VCC

Fig. 6.19

Amplificatore con resistenza di degenerazione sullEmettitore


utilizzante un BJT reale con VA finita .

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43

Se si volesse aumentare il guadagno aumentando RL bisogna fare attenzione. Infatti


dalla (6.38) nel caso di RL>>r0, il guadagno non continua ad aumentare ma
raggiunge il valore limite pari a
Gmax=-gmr0.
Questo il caso ad esempio di quando il carico RL realizzato con un generatore
di corrente.

E 6.22 Progettare un amplificatore a BJT (=100, ro=50k) che soddisfi alle


seguenti specifiche:
- Dinamica di ingresso 0.5V.
- Disaccoppiamento dei segnali con frequenza minore di 20Hz.
- Guadagno di tensione G=-5.
- Resistenza di ingresso >10k..
- Alimentazioni 6V.
Valutare lerrore di linearit che esso presenta in corrispondenza del
segnale pi ampio previsto in ingresso.

E 6.23 Si consideri il seguente generatore di corrente. Sostituendo al BJT il suo


circuito equivalente per piccoli segnali, valutare simbolicamente la
resistenza duscita e confrontare lespressione trovata con la (4.24).
+E
R1
vin

ro

R2
Rs

Procedendo anologamente allesercizio precedente si trova

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R s
R u R s || R b ro 1

Rs Rb

dove

44

R b r R 1 || R 2

Si noti che a differenza di quanto accade per i FET, allaumentare di R s la


resistenza di uscita di un BJT tende al valore finito (+1)ro. Quindi nei
generatori di corrente a bipolari non c vantaggio ad aumentare eccessivamente
il valore di Rs. Questo risultato formalmente determinato dalla presenza della
resistenza r tra Base ed Emettitore. Infatti per r la formula precedente
coinciderebbe con la (4.24). Fisicamente, la differenza tra le prestazioni limite
del BJT e di un FET determinata dallesigenza del BJT di avere una corrente di
Base per poter operare. Questa non idealit del bipolare rappresentata proprio
dalla resistenza r.