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Appunti del corso Elettronica Analogica Prof.

Marco Sampietro POLIMI 1



4



INTRODUZIONE AI
GENERATORI DI CORRENTE


4.1 Requisiti di un generatore di corrente
4.2 Generatori di corrente a MOSFET
4.2.1 Dal generatore singolo ai generatori multipli
4.2.2 Generatori di corrente stabilizzati a specchio di corrente
4.2.3 Generatori di corrente con resistenza di degenerazione

4.3 Generatori di corrente a BJT
4.3.1 Generatori di corrente a specchio
4.3.2 Specchi di corrente a BJT ad uscite multiple
4.3.3 Generatori di corrente con resistenza di degenerazione

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4.1 REQUISITI DI UN GENERATORE DI CORRENTE

In base al principio di funzionamento del transistor, sia esso un MOSFET
o un BJT, viene naturale pensare di utilizzarlo quale semplice generatore di
corrente costante laddove richiesto in un circuito. Infatti basta fissare la tensione
tra i due morsetti di commando (V
GS
in un MOSFET o V
BE
in un BJT) per ottenere
al Drain (Collettore) la voluta corrente in base alla rispettiva equazione trans
caratteristica ((3.1) per il BJT, (3.8) per il MOSFET).
Affinch il transistore fornisca la corrente al Drain (Collettore) secondo la predetta
equazione necessario sempre verificare che il transistore operi nella corretta zona
di funzionamento:
- nel caso del MOSFET questo vuol dire che il canale deve essere in pinch-off dal
lato del Drain (il transistore deve essere in saturazione).
- nel caso del BJT questo vuol dire che la giunzione base-collettore deve essere in
inversa o al pi in diretta di poche centinaia di mV (max. 0.5V in diretta).

Nel progetto di un generatore di corrente bisogna anche tenere presente che:

1) il valore della corrente generata deve essere ben definito. Scegliendo
opportunamente i collegamenti con gli altri elementi del circuito, il transistore
deve fornire in modo semplice e preciso proprio il valore di corrente voluto;

2) il valore della corrente generata deve essere stabile e riproducibile. Affinch
ci avvenga, il circuito deve fissare la corrente in modo tale che sia il pi
indipendente possibile dai parametri sensibili dei transistori (|, I
S
, k, V
T
, ecc.),
da loro variazioni con la temperatura o da sostituzione dei componenti. Si pensi
a tal proposito alla produzione automatizzata su larga scala di un circuito ed alla
esigenza che tutti gli esemplari si comportino sostanzialmente allo stesso modo
nonostante che i transistori impiegati, pur dello stesso modello e marca, abbiano
una corrente di saturazione inversa I
S
o un valore di V
T
che differiscono anche
significativamente. Un corretto progetto elettronico deve evidentemente
garantire che le correnti nei generatori siano sostanzialmente le stesse in ogni
esemplare e pari ai valori desiderati;

3) il generatore realizzato deve poter fornire la corrente in ogni situazione di
carico prevista in fase di progetto, senza che il transistore esca mai dalla
regione attiva diretta di funzionamento. Infatti la tensione al Drain (Collettore)
di un generatore di corrente potrebbe variare durante luso perch, nonostante
che la corrente prodotta sia costante, potrebbe variare limpedenza del carico a
cui la corrente viene inviata. Un buon progetto deve quindi prevedere tutte le
condizioni operative in cui il circuito si trover ad operare;
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4) il generatore realizzato deve presentare una resistenza di uscita la pi elevata
possibile in modo da fornire una corrente il pi indipendente possibile dal
valore del carico. Bench idealmente un transistore abbia una impedenza di
Drain (Collettore) infinita e quindi permetta di realizzare generatori di corrente
perfetti, in realt esso ha una r
0
finita. Un buon progetto deve far si che
limpedenza di uscita del generatore sia il pi possibile maggiore del valore di
r
0
del transistore impiegato.


4.2 GENERATORI DI CORRENTE A MOSFET

4.2.1 Dal generatore singolo ai generatori multipli

Il modo pi intuitivo e semplice per sfruttare un transistore come
generatore di corrente quello mostrato nella Fig.4.1: il partitore R
1
,R
2
fissa la
tensione al Gate, e quindi la V
GS
, determinando la corrente di uscita come
( )
2
T GS U
V V k I =
(4.1)

I limiti di tale realizzazione sono tutti intuibili analizzando la (4.1):
- una piccola imprecisione nella V
G
si riflette, a causa della relazione
quadratica, in una grande imprecisione nella I
u
;
- una variazione di k o di V
T
produce una corrispondente variazione di I
u
.

Il grafico della Fig.4.1 visualizza ad esempio la variazione della corrente prodotta
R
2
R
L
+ V
DD
I
u
R
1
V
GS
I
D
v
1
v
1
V
GS
fissa
K
1
(V
GS
-V
T
)
2 I
D1
I
D2
K
2
(V
GS
-V
T
)
2
R
L
I
u


Fig. 4.1 Semplice generatore di corrente utilizzante un MOSFET ideale e, a
destra, visualizzazione dellentit delle variazioni di corrente qualora
variasse il parametro k del transistore.
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(punto di lavoro) al variare di k da un valore k
1
a k
2
, fissata la tensione di comando
V
GS
al valore V
1
. Se un dato processo tecnologico produce una dispersione dei
valori di k in un lotto di produzione del 10%, la corrispondente dispersione delle
correnti nei generatori sar:
( )
k
I
V V
k
I
D
2
T GS
D
= =
c
c
da cui
% 10
k
k
I
I
D
D
=
c
=
c
.
Cio i vari generatori prodotti avranno una dispersione nelle correnti pari alla
dispersione nel parametro k dei transistori utilizzati.

E 4.1 (a) Calcolare la corrente prodotta dal generatore della figura seguente
realizzato con un pMOSFET avente k=4mA/V
2
, V
T
=0.8V e V
A
=.
(b) Modificare i valori di R
1
e R
2
in modo che, senza modificare la
corrente al carico, la potenza dissipata nel partitore resistivo sia solo un
centesimo della massima potenza fornibile al carico.
(c) Calcolare lintervallo di valori che la resistenza del carico R
L
pu
assumere senza compromettere il buon funzionamento del generatore.
(d) Calcolare la variazione della corrente fornita al carico dovuta ad
una variazione del 5% del valore del fattore k del transistore.
(e)Visualizzare tale variazione sulla curva transcaratteristica del
transistore di uscita che fornisce la corrente del generatore
R
1
13kO
R
L
+ 3.3V
I
u
R
2
20kO
R
1
13kO
R
L
+ 3.3V
I
u
R
2
20kO


(a) The voltage divider sets V
G
=+2V. Consequently I
U
=1mA.
(b) The maximum power that can be delivered to the load before the MOSFET
stop functioning properly is P
RL
=1mA x 2.8V=2.8mW. Consequently:
( )
O = = + k 389 100
mW 8 . 2
V 3 . 3
R R
2
2 1

This results in R
1
=153kO and R
2
=236kO.
(c) 0<R
L
<2.8kO.
(d) I
U
=1mA50A

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E 4.2 Riferendosi ancora al generatore di corrente dellesercizio precedente,
calcolare la variazione della corrente fornita al carico dovuta ad una
variazione del 5% del valore della tensione di soglia V
T
..

The spreading of the current values results to be of the order of 16%.

Se in un circuito servissero 2 o pi generatori di corrente per rifornire carichi
differenti, invece di progettarli separatamente conviene accoppiarli il pi possibile
come ad esempio mostrato nella Fig.4.2.
Grazie allunico partitore usato da entrambi i MOSFET si risparmiano componenti
(in un circuito integrato questo vuol dire risparmiare area sul chip, e quindi sui
costi) e soprattutto si risparmia potenza assorbita dalle alimentazioni. Nel caso in
cui siano richieste correnti diverse, baster dimensionare corrispondentemente in
modo diverso le larghezze W dei MOSFET.
R
2
R
L1
+ V
DD
I
u1
R
1
v
1
R
4
R
L2
+ V
DD
I
u2
R
3
v
2
R
2
R
L1
+ V
DD
I
u1
R
1
v
R
L2
I
u2


Fig. 4.2 Semplificazioni possibili nel progetto di generatori multipli di corrente.
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E 4.3 Progettare un generatore di corrente che possa alimentare tre carichi
distinti contemporaneamente prelevando da essi corrente verso
lalimentazione negativa. Si richiede che le tre correnti prodotte siano
diverse tra loro e pari a I
1
=300A, I
2
=150A ed I
3
=75A. Si utilizzino
nMOSFET aventi Cox=150A/V
2
, V
T
=0.8V, una dimensione minima
di 90nm ed una V
A
=.
Il circuito deve essere alimentato tra 0 e +3V e la corrente assorbita da
tutto il circuito non deve essere maggiore del doppio di I
1
.
a) Calcolare il valore di W/L dei tre transistori, il valore delle resistenze
del partitore di gate e i possibili massimi valori di carico nei tre rami.
b) Calcolare la variazione di corrente I
2
quando tutti i transistori
subiscono una variazione di temperatura che porta ad una variazione del
5% del loro valore di k.
c) Stimare il valore della corrente I
3
nel caso in cui il carico ad essa
collegato venga ad assumere, per guasto del carico stesso, il valore di
R=80kO. Commentare questa anomala situazione di funzionamento ed il
suo effetto sugli altri rami del circuito.

Poich i MOSFET reali presentano curve caratteristiche non piatte, come visto nel
3.2.6, la corrente effettivamente inviata ad un carico non dipende solamente da
V
GS
ma anche dal valore della tensione V
DS
, a sua volta dipendente dal carico
applicato.
La Fig.4.3 visualizza questa situazione. Nel caso in cui si usi un tale MOSFET in
un generatore di corrente, la resistenza finita r
0
:
( )
2
T GS
A
0
V V k
V
r

=

diventa la resistenza equivalente Norton del generatore e modifica il valore della
R
2
R
L
+ V
DD
I
u
R
1
V
G
v
u
I=K(V
GS
-V
T
)
2
V
DS
I
U
r
0
r
0
R
L
I
r
0

Fig. 4.3 Generatore di corrente utilizzante un MOSFET reale avente r
0
finita.
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corrente circolante. Con riferimento alla Fig.4.3, la corrente fornita al carico R
L

ora ricavabile risolvendo lequazione di bilancio al nodo di uscita:
( )
L
U DD
0
U
2
T GS
R
V V
r
V
V V k

= +

da cui ottenere la corrente I
U
=(V
DD
-V
U
)/R
L
.

E 4.4 (a) Calcolare la corrente fornita dal generatore utilizzante un MOSFET
con k=4mA/V
2
, V
T
=0.8V e V
A
=10V quando il carico R
L
=4kO.
b) Calcolare la corrente quando invece R
L
=1O.
c) Rappresentare graficamente sulla curva caratteristica le due situazioni
di lavoro appena calcolate, cio i due punti di lavoro.
1.3k
+ 5 V
3.7k
I
u
R
L


(a) I
U
=1.07mA.
(b) I
U
=1.5mA
(c)
1mA
V
DS
I
U
R
0
=10kO
0.7 5
1.5 mA
1.07 mA



A questo punto due sono le domande che ci possiamo porre:
- come rendere il generatore pi stabile alle variazioni di k e/o V
T
?
- come aumentare limpedenza di uscita ad un valore maggiore della r
0
del
MOSFET usato ?
Alla prima domanda iniziamo a dare risposta nel prossimo paragrafo, e ad
entrambe risponderemo nel 4.2.3.

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4.2.2 Generatori di corrente stabilizzati a specchio di corrente

Il difetto dei generatori visti fino ad ora risiede nel fatto che per avere la
corrente voluta si fissa la tensione V
GS
, con ci sottostando ai vincoli della (4.1).
Migliore sarebbe la situazione se riuscissimo a fissare, direttamente o
indirettamente, la corrente. La realizzazione circuitale proposta nella Fig.4.4 va in
questa direzione:
- il ramo di sinistra, grazie al corto circuito tra Gate e Drain, consente tramite la
scelta di R di fissare al valore desiderato la corrente in esso circolante. Per fare ci
basta risolvere lequazione di bilancio di corrente al nodo di Drain:
( )
2
T GS
GS DD
V V k
R
V V
=


- il MOSFET di destra, supposto identico a quello di sinistra, avendo
rigorosamente la stessa VGS riproporr la stessa corrente al suo Drain e quindi al
carico.
Il generatore di corrente cos fatto, chiamato non a caso specchio di corrente,
molto preciso e stabile : se i due MOSFET vengono realizzati sullo stesso chip a
pochissimi micrometri uno dallaltro molto probabile che avranno gli stessi
identici parametri costruttivi e quindi rigorosamente la stessa corrente di Drain.
Poich questultima fissata da una resistenza (tra i componenti elettronici pi
stabili e precisi) il risultato un generatore di corrente di grande qualit.


R
R
L
+ V
DD
I
u

Fig. 4.4 Circuito in cui la corrente fissata nel ramo di sinistra e riproposta nel
ramo di destra (specchio di corrente).
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E 4.5 Si consideri il seguente specchio a MOSFET (V
T
=1V, k=0.5mA/V
2
).
a) Valutare I
1
ed indicare sulle caratteristiche il punto di funzionamento
di T
1
. Verificare che T
1
operi in zona di saturazione.
b) Supponendo che la tensione di soglia di T
2
sia maggiore rispetto al
valore nominale del 5%, valutarne leffetto sul rapporto I
2
/I
1
.

- 10 V
R = 9.3k
R
1
I
2
I
1
T T
2 1


E 4.6 Si analizzi il circuito seguente realizzato con transistori aventi
k=100A/V
2
e V
T
=0.6V. In particolare:
a) calcolare la corrente fornita in uscita al carico
b) calcolare la variazione di questa corrente quando tutti i due transistori
subiscono una variazione del loro valore di k del 50%..
c) Rappresentare sulla curva transcaratteristica del transistore del ramo
di riferimento il suo punto di lavoro e giustificare graficamente la
relativa stabilit del generatore, confrontando questo risultato con quello
che si sarebbe ottenuto con un generatore di corrente di pari
caratteristiche ma con il Gate del Mosfet fissato da un partitore resistivo
R
34kO
R
L
+ 2.5V
I
u
- 2.5V
R
34kO
R
L
+ 2.5V
I
u
- 2.5V



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E 4.7 Progettare un generatore di corrente che fornisca 10A a 2 carichi
resistivi uguali di 50kO, come nella figura seguente, utilizzando
transistori con k=5A/V
2
, V
T
=0.6V e V
A
=30V.
a) calcolare lequivalente Norton del generatore di corrente;
b) calcolare la potenza dissipata nel ramo di riferimento;
c) calcolare la variazione della corrente fornita ai carichi dovuta ad una
variazione del 10% del valore del fattore k di tutti i transistori;
d) calcolare la corrente fornita al carico R
L1
dal generatore quando
R
L1
=10O calcolare le ripercussioni sulla I
1
.
R
R
L1
50kO
I
2
- 1.9 V
I
1
T1
T2
R
L2
50kO
R
R
L1
50kO
I
2
- 1.9 V
I
1
T1
T2
R
L2
50kO




4.2.3 Generatori di corrente con resistenza di degenerazione

Il netto miglioramento introdotto dallarchitettura a specchio rispetto al
semplice partitore resistivo, ottenuto grazie allauto aggiustamento del valore di
partizione che fissa il Gate reso possibile dal cortocircuito tra Gate e Drain, si
basa sullassunto che, affinch la stabilit della corrente del generatore venga
preservata, le variazioni dei parametri siano uguali in tutti i transistori presenti (sia
in quello del ramo di riferimento dello specchio che in quelli di uscita). Bench
questa situazione sia ragionevolmente verificata in un circuito integrato, in cui i
transistori dello specchio possono essere disegnati molto vicini tra di loro (e quindi
avere parametri caratteristici molto simili ed essere sottoposti alle stesse
variazioni termiche), in molti casi richiesto che la stabilit della corrente di uscita
non sia semplicemente dovuta indirettamente ad un meccanismo di adeguamento
della tensione al Gate ma sia assicurata direttamente dallo stesso transistore di
uscita. Inoltre, tutti i generatori di corrente visti fino ad ora soffrono del difetto di
avere una impedenza Norton equivalente direttamente legata alla tensione di Early
del transistore di uscita, spesso di valore basso con pi la tecnologia consente
lunghezza di canale piccole.
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Per venire incontro ad entrambi questi problemi bisogna non fissare
indirettamente la corrente tramite il ramo di riferimento dello specchio ma
direttamente nello stesso transistore di uscita. Per fare ci basta pervenire alla
realizzazione indicata nella Fig.4.5 in cui stata apportata una semplice modifica
allo schema della Fig.4.1 e riportato a sinistra della Fig.4.5 per comodit.
Guardando il ramo di riferimento, dal punto di vista formale si semplicemente
scomposta la resistenza R nella somma di due resistori e ponendone uno sopra (R
1
)
ed uno sotto (R
2
) al transistore stesso. Per assicurare che il ramo specchiato di
destra porti la stessa corrente del ramo di sinistra, si dovr ovviamente riproporre
anche a destra, sotto al transistore, la stessa resistenza R
1
.

Se adesso pensiamo al solo ramo di destra (di cui fissata la tensione al Gate, V
G
,
grazie alla rete di sinistra), la corrente di Drain regolata dal seguente sistema di
equazioni:
( )
D
S
GS G
D
2
T GS
I
R
V V
I V V k
=

=


Esso del tutto analogo a quello introdotto nel paragrafo precedente per il ramo di
riferimento dello specchio assicurando pertanto che anche il transistore di uscita
possa beneficiare localmente di una robustezza alla variazione dei suoi parametri.

Il grande vantaggio ottenuto da questa modifica si ripercuote tuttavia in una minore
dinamica delluscita del generatore di corrente.

Un modo per attenuare questa dipendenza delle prestazioni del circuito da
quelle del particolare componente impiegato di aggiungere la resistenza di
degenerazione (Fig.4.24b). In questo modo si riescono ad ottenere correnti non
R1
+ V
DD
R
L
R2
( )
2
T GS U
V V k I =
R3
+ V
DD
R
L
R4
S
S
U
R
V
I =
R
S
V
G
V
S
(a) (b)

Fig. 4.5 Modifica al circuito della Fig.4.1 consistente nellintroduzione della
resistenza R
S
tra Source e massa-
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solo di qualunque valore compreso tra I
D
=0 ed I
D
=I
DSS
, semplicemente variando il
valore della resistenza R
s
(E4.39-E4.41), ma anche di valore pi stabile rispetto
alle variazioni delle caratteristiche del JFET o ad una sua sostituzione. Inoltre, la
presenza della resistenza di degenerazione fa aumentare la resistenza di uscita dal
valore r
o
al valore (E4.42)
R r R 1 g r R
u o S m o S
= + + ( )( || ) (4.24)
Si noti come essa possa essere aumentata aumentando il valore di R
s
. Poich il
generatore di corrente un dispositivo a due soli terminali, la resistenza R
u
la
stessa vista sia guardando dal Drain che guardando dal Source.


E 4.8 Considerare il generatore utilizzante un MOSFET a canale n ad
arricchimento (k=25mA/V
2
e V
T
=0.5V, r
o
=30kO), come mostrato nella
figura seguente.
100k
+ 3V
R
L
50k
R
S
I
U

a) Dimensionare R
s
per fare scorrere una corrente di 1mA.
b) Calcolare la resistenza di uscita R
u
.
c) Valutare il minimo valore del potenziale del Drain che permette
comunque un buon funzionamento del circuito come generatore di
corrente.

[a) R
s
=300O; b) R
u
=120kO; c) V
d
=+0.5V]


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E 4.9 a) Calcolare la corrente generata dal seguente circuito utilizzante un
PMOSFET con k=4mA/V
2
, V
T
=0.8V e V
A
=.
227k
+ 5V
R
L
273k
I
U
1k

b) Riflettere sul criterio di scelta dei valori delle due resistenze del
partitore.
c) Calcolare la corrente generata qualora il transistore avesse V
A
=10V ed
il carico fosse R
L
=2.73kO oppure R
L
=4O

c) Se R
L
=2.73kO allora I
RL
=1mA; se R
L
=4O allora I
RL
=1.11mA.


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4.3 GENERATORI DI CORRENTE A BJT

Ricordando il principio di funzionamento del transistore e la sua relazione
caratteristica
t
BE
V
V
S C
e I I ~
si sarebbe indotti a realizzare un generatore di corrente a BJT fissando
direttamente la tensione V
BE
per ottenere la desiderata I
C
da mandare su di un
carico R
L
, come nella Fig.4.6.
Questa modalit di collegamento ha per diversi svantaggi:
- la corrente di collettore dipenderebbe direttamente dalla corrente di saturazione
inversa I
S
del BJT, la quale sappiamo essere variabile da esemplare ad
esemplare anche di 2 o 3 ordini di grandezza. Ci non renderebbe possibile n
prevedere con precisione il valore di I
C
n tantomeno confidare che vari circuiti
nominalmente uguali portino effettivamente tutti la stessa corrente;
- data la relazione esponenziale tra V
BE
e I
C
, piccole imprecisioni sulla V
EB

determinerebbero ampie variazioni di I
C
, per cui non si conoscerebbe mai con
precisione leffettiva corrente di Collettore, vale a dire leffettiva corrente di
uscita del generatore di corrente.
Lapplicazione diretta di una tensione tra Base ed Emettitore non pertanto mai
consigliata per fissare in modo preciso e riproducibile la corrente da lui prodotta.
Si usa dire che un BJT non dovrebbe mai essere polarizzato di tensione, cio
avere il suo punto di lavoro vincolato da una tensione V
BE
fissa. Anche dal grafico
della Fig.4.6 si percepisce come, data la ripidit della curva esponenziale, sia
impossibile fissare I
C
ad un valore prestabilito fissando V
BE
.

R
1
+ V
R
L
R
2
R
L
+ V
V
BE
V
BE
0
I
C
I
u
t
BE
V
V
S C
e I I ~
t
EB
V
V
S C
e I I ~


Fig. 4.6 Controllo in tensione di un BJT. Questo tipo di collegamento va
evitato perch non produce una corrente di collettore precisa e
riproducibile.
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Meglio sarebbe progettare il generatore di corrente in modo che sia fissata la
corrente di Base, I
B
, da cui I
C
dipende solo linearmente attraverso |. Questo il
caso del generatore di corrente della Fig.4.7. Per calcolare le correnti e le tensioni
in questo circuito, ed in generale in tutti i circuiti che contengono un BJT,
conviene attenersi alla seguente semplice regola pratica: si suppone a priori che il
dispositivo sia polarizzato in zona attiva diretta e che abbia la giusta
dimensione in modo che, attraversato dalla corrente di progetto, la tensione tra
Base ed Emettitore assuma un valore pari a V
BE
~0.7V. Questa assunzione consente
in genere di ricavare tutte le correnti e le tensioni nel circuito. Alla fine si verifica
che questa assunzione non abbia generato qualche incongruenza (per esempio
verificando che la giunzione base-collettore sia in inversa) e allatto della
realizzazione effettiva del circuito si porr attenzione a scegliere le dimensioni
giuste del transistore.
Purtroppo anche il | del transistore un parametro variabile che dipende
dai processi di fabbricazione (drogaggi di emettitore e di base, dimensioni delle
zone di emettitore e di base, che possono variare da dispositivo a dispositivo dello
stesso tipo) ed anche dalla temperatura (n
i
, V
t
). Nella pratica accade facilmente che
la variabilit di | tra transistori diversi realizzati con lo stesso processo
tecnologico raggiunga anche il 50%.
In un BJT reale, avente una V
A
finita, la corrente di uscita ulteriormente
modificata nel valore della presenza della resistenza finita r
0
tra Collettore ed
Emettitore. Dalla Fig.4.7 immediato vedere che la corrente in uscita dipende dal
carico R
L
secondo la relazione:
+ V
EE
R
L
R
V
EB
~0.7V
I
B
I
C
=|
.
I
B
R
7 . 0 V
I
EE
B

=
+ V
EE
R
L
R
I
B
|
.
I
B
r
0
I
U


Fig. 4.7 Generatore di corrente in cui i collegamenti al BJT fissano la
sua corrente di base e, tramite il suo valore di |, la sua corrente
di collettore. Questo tipo di collegamento sicuramente migliore
del precedente perch la variabilit di | molto minore di
quella di I
S
.
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U
0
L U EE
B
I
r
R I V
I =

+ |


Nonostante che larchitettura della Fig.4.7 sia molto migliore di quella
della Fig.4.6, tuttavia in molte occasioni i generatori cos fatti ancora non
soddisfano le specifiche di precisione, riproducibilit e stabilit richieste nelle
applicazioni. Nel seguito del capitolo saranno illustrate altre soluzioni circuitali
per ottenere generatori di corrente pi precisi e stabili, meno sensibili a variazioni
di | o della temperatuta.

E 4.10 (a) - Calcolare il valore della corrente fornita al carico dal seguente
generatore di corrente, il cui transistore bipolare ha un | nominale pari
a 100 e V
A
=.
R
530k
+ 6V
R
L
3k
I
U

(b) - Calcolare la variazione della corrente di Collettore al variare del
valore del | del transistore dal valore nominale ad un nuovo valore pari
a 150 e ad un nuovo valore pari a 50, equivalenti ad una variazione del
| di 50%.
(c) - Calcolare il massimo valore di | oltre cui il circuito non
funzionerebbe pi come generatore di corrente.

(a) - Supponendo che il transistore funzioni nella zona attiva diretta e che sia
scelto della dimensione giusta, la tensione V
BE
sar pari circa a 0.7V. La corrente
di Base quindi I
B
~5.3V/R=10A e la corrente in uscita dal generatore
I
C
=|I
B
=1mA. Poich il potenziale del morsetto duscita pari a V
u
=3V, la
giunzione Base-Collettore polarizzata inversamente (2.3V) e quindi il BJT
opera effettivamente nella sua corretta zona di funzionamento (in zona attiva
diretta), come ipotizzato allinizio. Si noti come una differente scelta del valore di
V
BE
(ad esempio V
BE
=0.66V o V
BE
=0.72V, come potrebbe in realt verificarsi in
un dispositivo reale) non avrebbe modificato in modo apprezzabile il valore di
corrente in uscita dal generatore.
(b) - In un circuito di questo tipo il valore di I
C
dipende direttamente dal | del
transistore secondo la relazione I
C
=|I
B
. Pertanto la sensibilit di I
C
al variare del
| esprimibile come:
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 17
c
c| |
I
I
I
c
B
c
= =
c c|
|
I
I
c
c
=
Una variazione del 50% del | comporta quindi una analoga variazione del 50% di
I
C
.
(c) - Il transistore entra in saturazione (V
CE
=0.2V) se |>193 (o|/|>+93%),
compromettendo il buon funzionamento del generatore.


E 4.11
Calcolare la corrente fornita al carico (1kO) dal seguente generatore di
corrente utilizzante un BJT con |=200 e V
A
=50V, e disegnare il circuito
equivalente Norton del generatore di corrente.
R
L
1 kO
+ 6 V
R
133k
- 6 V
I
U

Calcolare la corrente fornita ad un carico R
L
di soli 4O.
Calcolare anche lintervallo di valori che pu avere il carico affinch
possa essere collegabile al generatore.

[I(R
L
=1kO)=8.6mA, I(R
L
=4O)=9.92mA, 0<R
L
<1475O]


4.3.1 Generatori di corrente a specchio

Per ottenere un generatore di corrente la cui corrente sia il pi possibile
indipendente dai parametri del transistore usato, bisognerebbe che la corrente
venisse definita tramite un componente stabile, ad esempio una resistenza. Poich
in uscita sempre vantaggioso avere un transistore per sfruttarne limpedenza
elevata di collettore, bisognerebbe che la corrente fosse fissata dalla resistenza
altrove e che il transistore di uscita ne venisse informato. Una architettura con
queste caratteristiche mostrata nella Fig.4.8. Lidea quella di replicare il
transistore di uscita (T2) con un altro identico (T1) avente rigorosamente la stessa
tensione di Base e di Emettitore, cos da assicurarci di avere in entrambi i BJT la
stessa tensione di comando e quindi la stessa corrente. Per fare ci basta
cortocircuitare la base con il collettore di T1. In questo modo viene fissata la
tensione ad un capo del resistore (a circa 0.7V da unalimentazione), essendo
laltro capo gi fissato dal collegamento allaltra alimentazione. La corrente cos
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 18
prodotta in R passer in T1 generando una corrispondente tensione V
BE
che
attiver T2 facendogli portare, nellipotesi di transistori identici, la stessa corrente.
La corrente alluscita di T2 non dipende praticamente pi dal | dei BJT.
Essa continuerebbe a dipendere ancora direttamente dalla I
S
dei due transistori ma
costruendo i due transistori integrati sullo stesso chip e posti a pochi micron uno
dallaltro si verifica sperimentalmente che i valori di I
S
risultano in pratica
coincidenti.
Vediamo in maggior dettaglio il funzionamento del circuito. Chiamiamo
corrente di riferimento, I
rif
, la corrente che viene forzata a scorrere nella resistenza
R e che vale
R
7 . 0 V 2
I
rif

=
Poich, V
BE1
=V
BE2
=V
BE
le correnti di T
1
e T
2
sono legate dalle relazioni:
t
BE
v
v
1 S 1
e I I = e
t
BE
v
v
2 S 2
e I I = (4.11)
dove le correnti di saturazione I
S1
ed I
S2
sono proporzionali alle aree dei due
transistori e V
t
supposta uguale nei due transistori perch alla stessa temperatura.
Se i transistori sono uguali ed isotermi, I
1
=I
2
. Imponendo il bilancio delle correnti,
si trova il legame tra la corrente di riferimento e la corrente del transistore T
2
, che
rappresenta la corrente di uscita del generatore:
| 2 1
I
I I
rif
u 2
+
= =
(4.12)
Il circuito, quindi, ha la caratteristica di riproporre in uscita (specchiare) il valore
della corrente di riferimento. Per questo si soliti chiamare questo tipo di circuito
con il termine Specchio di corrente. La precisione nello specchiamento tanto
R R
L
I
u
- V
T1 T2
I
rif
V
BE1
= V
BE21
I
1
I
1
/| I
2
/|
+ V


Fig. 4.8 Generatore di corrente realizzato con uno specchio di corrente a
bipolari.
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 19
maggiore quanto pi grande il | dei transistori, cio quanto pi la loro corrente
di Base trascurabile.
Eventuali variazioni di | si ripercuotono sul valore di I
u
enormemente ridotte tanto
maggiore il | nominale dei due transistori, secondo la relazione:
2 2
rif
u
1
2
2
1
1
I
I
|

|
|
.
|

\
|
|
+
=
| c
c
da cui si ottiene
|
|
.
|

\
|
| +

|
| c
=
c
2
2
I
I
u
u

Se larea di T
2
fosse doppia di quella di T
1
, ovviamente I
2
=2
.
I
1
e

| 3 1
I
2 I
rif
u
+
=


per cui agendo solo sul rapporto delle aree dei transistori possibile variare la
corrente di T
2
rispetto alla corrente di riferimento entro un buon margine di valori.
Bisogner solo evitare che la corrente in T
2
sia troppo pi grande di quella in T
1

perch a quel punto la somma delle correnti di base pu diventare significativa
rispetto alla I
rif
e modificare conseguentemente la corrente di uscita del generatore
nonch aumentare la sua sensibilit a variazioni dei parametri dei transistori, come
evidenziato in alcuni degli esempi che seguono.


E 4.12 a) Calcolare la corrente I
u
del seguente generatore di corrente a
specchio in cui i transistori sono identici con |=100 e V
A
=.
b) Calcolare la variazione percentuale della corrente di uscita qualora il
valore di | di entrambi i transistori variasse del 100% passando da 100
a 200. Commentare il risultato confrontandolo con quello dellE.4.10.

R
4.3kO
R
L
+ 2.5V
I
u
- 2.5V


(a) La figura seguente mostra i valori delle correnti circolanti nei vari rami del
generatore:
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 20
R R
L
I
u
~0.980 mA
- 2.5V
T1 T2
1mA
V
BE1
= V
BE21
10
+ 2.5V
~0.7V
0.980 mA
10
0.990 mA 0.990 mA

(b) Nel caso di |=200, le correnti sarebbero le seguenti:
R R
L
I
u
~0.990 mA
- 2.5V
T1 T2
1mA
V
BE1
= V
BE21
5
+ 2.5V
~0.7V
0.990 mA
5
0.995 mA 0.995 mA

La variazione della corrente di uscita I
U
solo di 10A rispetto a 980A, cio di
poco pi del 1%, a fronte di una variazione di | del 100% !! Il generatore di
corrente a specchio effettivamente molto stabile.

E 4.13 a) Ricalcolare la corrente al carico del circuito precedente nel caso ora
di un BJT reale con V
A
=8V e con R
L
=1kO.
b) Calcolare il massimo ed il minimo carico applicabile in uscita e le
corrispondenti correnti fornitegli..

Il BJT ha una r0=8kO. Le correnti circolanti sono quindi come in figura
R 1k
- 2.5V
1mA
V
BE1
= V
BE21
9
+ 2.5V
~0.7V
0.900
mA
9
0.900
mA
r
0
r
0
90
A
~1.15V
1.36mA
460
A

b) Con R
L
=0O si ha I
U
=1.525mA; con R
L
=5.18kO si ha I
U
=0.925mA.
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 21
E 4.14 Considerare la stessa architettura circuitale dellesercizio precedente
con la differenza ora che il transistore di uscita ha unarea 100 volte
maggiore del transistore del ramo di riferimento.

R
R
L
+ 2.5V
I
u
- 2.5V
T1 T1x100

a) Nel caso in cui entrambi i transistori abbiano |=100 calcolare il
valore della resistenza R per avere una corrente di uscita di 100mA;
b) Calcolare di quanto varierebbe la corrente di uscita I
u
qualora il | di
entrambi i BJT variasse del 100% passando da 100 a 200. Commentare
il risultato confrontandolo con quello dellesercizio precedente.
[R=2.15kO; I
U
=133mA, AI
U
/I
U
=33%]


E 4.15 Verificare che la modifica introdotta nel circuito seguente aumenta
enormemente la stabilit della corrente in uscita dal generatore.
R
R
L
+ 2.5V
I
u
- 2.5V
T1 T1x100

a) Calcolare il nuovo valore della resistenza R per avere la stessa
corrente di 100mA in uscita dellesercizio precedente
b) Calcolare la variazione indotta dal cambio di | di entrambi i
transistori del 100% passando da 100 a 200 e confrontare il risultato
con quello dellesercizio precedente individuando il motivo di tale
miglioramento.

Il problema rilevato nellesercizio precedente era che una variazione del | dei
transistori comportava una variazione delle correnti di base che si ripercuotevano
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 22
in una variazione della corrente prelevata dal ramo di riferimento dove c la
resistenza R. Questo comportava che la corrente in T1 cambiasse e quindi
cambiasse pure la corrente in T2.
La soluzione proposta qui diminuisce il prelievo di corrente dal ramo di
riferimento, lasciando che tutta la I
rif
venga effettivamente prelevata da T1.
Essendo I
rif
stabilizzata, anche la corrente specchiata in T1x100 sar stabilizzata
e sostanzialmente indipendente da |.
a) Per avere 100mA in uscita, la resistenza dovr essere R~3.6kO.
b) Al variare di | da 100 a 200, la variazione della corrente ora impercettibile e
pu essere ricavata facendo il bilancio di corrente al nodo di collettore di T1:
|

|
|
.
|

\
|
|

+
|
+ =
1 100 I I
I mA 1

da cui I
U
=I
.
100. Si ricava quindi un valore AI
U
/I
U
=0.7% per A|/|=100% !

E 4.16 a) Calcolare la corrente I
u
del seguente specchio di corrente (|=100)
R
4k
T2 T1
R
L
I
u
- 3.3V
T3

b) Calcolare il valore minimo del | dei transistori (supposti per
semplicit tutti uguali), che permetta di avere una differenza tra la
corrente di riferimento e quella specchiata inferiore all1%.

(a) - Per la presenza di T
3
solo 1/| della corrente di Base di T
1
e di T
2
prelevata
dal ramo di ingresso, rendendo ancora pi trascurabili le correnti di Base di T1 e
T2 rispetto a I
rif
. Quindi I
u
=I
rif
=475A.
(b) Poich in questo tipo di generatore di corrente si ha
I
I
u
rif
~
+ 1 2
2
|

basta usare transistori con |>14 per avere una differenza tra le correnti inferiore
all1%.


Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 23
E 4.17 Si consideri il seguente specchio di corrente, detto specchio di Wilson.
R
I I
R
1 2
2 1
T
1
T
T
2
3

Valutare il rapporto I
1
/I
2
in funzione del | dei transistori e determinare
quale corrente tra I
1
e I
2
gioca il ruolo di I
rif
e quale quello di I
u
.


4.3.2 Specchi di corrente a BJT ad uscite multiple

Schemi circuitali impieganti gli specchi di corrente sono anche utilizzati
per fornire la corrente in pi rami di un circuito. Un esempio illustrato nella
Fig.4.9. Laggiunta dei transistori T1, T2 e T3 in parallelo al BJT di riferimento ha
per leffetto di sommare le loro correnti di Base a quelle di T e quindi di
aumentare la differenza tra la corrente I
rif
e quella erogata dai singoli transistori. In
questi casi bisogna quindi ricalcolare il valore della resistenza R da usare nel ramo
di riferimento ogni volta che si aggiunge un ramo di uscita, soprattutto se
questultimo porta una corrente multipla rispetto al riferimento stesso.
Meglio si comporta la sequenza di transistori nello schema della Fig.4.10
costituente un distributore di correnti a specchio, che sia fornisce corrente
dallalto sia assorbe corrente dal basso del carico. La corrente di riferimento che
viene poi specchiata in tutti gli altri rami ora fissata dalla relazione I
rif
=(V
EE
-
2.8)/R.
R
T1
T
R
L1
I
u1
+ V
EE
T2
R
L2
I
u2
T3
R
L3
I
u3


Fig. 4.9 Generatore a specchio ad uscite di corrente multiple.
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 24

E 4.18 Si consideri il sistema di generatori di corrente interallacciati a specchi
multipli della figura seguente.
1 kO
5xT
R
L1
I
u1
+ 3 V
10xT
R
L2
I
u2
T
R
L3
I
u3
R
L4
I
u4
T
10xT
- 3 V
T

a) Calcolare la corrente portata nei 4 rami di uscita del generatore
nellipotesi che tutti i transistori abbiano |=70 e dimensioni reciproche
come indicato nella figura.
b) Calcolare la variazione percentuale della corrente ad ogni uscita
dovuta ad una variazione del 20% del | di tutti i transistori
c) Modificando il circuito in analogia a quanto mostrato nella Fig.4.10
con laggiunta di due transistori al posto del cortocircuito tra Collettore
e Base, aventi entrambi lo stesso beta degli altri transistori, calcolare la
nuova variazione percentuale della corrente di uscita per A|/|=20%
come prima.

R
T1
R
L1
I
u1
+ V
EE
T2
R
L2
I
u2
T3
R
L3
I
u3
T
Ta
R
L4
I
u4
Tb
R
L5
I
u5
T4
T5


Fig. 4.10 Distributore di correnti a specchio utilizzante transistori sia npn che
pnp.
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 25

4.3.3 Generatori di corrente con resistenza di degenerazione

Un altro modo per fissare la corrente circolante in un transistore quella di
proporre la corrente del valore desiderato direttamente al morsetto dellEmettitore.
Sfruttando il fatto che la giunzione Base-Emettitore di un transistore ha sempre
circa 0.7V ai suoi capi (purch progettato con larea giusta), baster aggiungere tra
lEmettitore e lalimentazione una resistenza R
E
, come nel circuito della Fig.4.11.
La partizione di resistenze sul Gate fissa infatti la tensione V
G
da cui consegue il
valore fissato di tensione allEmettitore V
E
=V
G
-0.7. E stata cos fissata la
differenza di potenziale ai capi della resistenza R
E
e quindi la corrente
necessariamente circolante nel BJT, pari a :

E
E
U
R
7 . 0 V
I

~
(4.13)
Questultima sar ora prelevabile dal Collettore cos da averla ad alta impedenza
per il carico come si richiede ad un generatore di corrente.
Lo svantaggio della realizzazione della Fig.4.11b che la dinamica di
uscita viene ridotta, esattamente del valore AV=I
U
.
R
E
. Questo fatto pu avere
ripercussioni importanti nei circuiti a bassissima potenza alimentati a tensioni
molto basse, a volte anche inferiori al Volt. In questi casi non ci si pu permettere
di perdere il centinaio di mV necessari ai capi del carico e quindi si deve
rinunciare ad inserire R
E
.
A parte ci il generatore della Fig.4.11b molto interessante ed usato grazie alla
sua sostanziale insensibilit ai parametri tecnologici quali il | o I
S
. Affinch ci sia
vero bisogna comunque porre attenzione in fase di progetto alla scelta delle
R1
+ V
CC
R
L
R2
t
BE
V
V
S U
e I I ~
R3
+ V
CC
R
L
R4
E
B
U
R
7 . 0 V
I

~
R
E
V
B
V
E
(a) (b)


Fig. 4.11 Modifica di uno scarso generatore di corrente aggiungendo una
resistenza R
E
tra lemettitore e lalimentazione in modo da ottenere un
ottimo generatore di corrente, stabile e preciso.
Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 26
resistenze R3 e R4 del partitore di Gate e fare in modo che la corrente in esse
circolante sia molto maggiore della corrente di Base in modo che V
G
sia
insensibile a variazioni di questultima a sua volta conseguenti a variazioni di |.


E 4.19 a) Calcolare la corrente fornita al carico dal seguente generatore il cui
BJT ha |=400 e V
A
= e le resistenze R1 e R2 sono state scelte per
assorbire dalle alimentazioni circa 1/10 della corrente disponibile in
uscita.
R1
60k
- 5V
R
L
R2
40k
R
E
2.6k
I
U

b) Stimare la variazione di I
U
causata da una variabilit del 3% nel
valore della resistenza R
E
.
c) Calcolare la variazione di I
U
conseguente ad una sostituzione del BJT
con un altro avente |=50.

a) Se I
B
=0, allora V
G
=-3V ed I
U
=500A. Pertanto I
B
=1.25A. Il bilancio di
corrente al nodo di Gate:
k 40
5 V
A 25 . 1
k 60
V 0
G G
+
+ =

fornisce il valore pi corretto di V


G
=-3.035V, da
cui I
U
=487A.
b) - AI /I =3%
c) Se |=50, I
B
=9.7A ed il bilancio al nodo di Gate fornisce V
G
=-3.24V a cui
corrisponde I
U
=408A !La causa da ricercarsi nel valore elevato delle due
resistenze del partitore. Se esse venissero ridotte a 6K e 4K la corrente sarebbe
molto pi stabile ma si consumerebbe enormemente pi potenza.


Appunti del corso Elettronica Analogica Prof. Marco Sampietro POLIMI 27
E 4.20 a) - Calcolare la corrente erogata dal generatore della figura ( V
z
=3.3V,
|=200, V
A
= )
+ 5 V
R
170k
I
U
R
L
R
S
5.2k

b) Calcolare la corrente totale assorbita dallalimentazione e
commentare il risultato alla luce delluso dello zener al posto di un
resistore.
c) Calcolare la variazione di corrente I
U
qualora il BJT venisse
sostituito con uno con |=100.

a) - Il potenziale della Base fissato dal diodo Zener a V
G
=1.7V. Il
potenziale di Emettitore 0.7V sopra e fissa la differenza di potenziale ai
capi di R
s
, e quindi il valore della corrente del transistore a 500A.
b) - 510A. Lo zener permette di mantenere 3.3V ai suoi capi anche con
pochissima corrente applicata, nel nostro caso 10A.
c) - AI
U
~0. Infatti lo zener non varia sostanzialmente la tensione ai suoi
capi pur variando la corrente in esso. Il suo uso al posto del resistore
pertanto permette di realizzare un generatore con corrente I
U
molto pi
stabile alle variazioni di | e che consuma molto meno corrente.

E 4.21 Il seguente specchio di corrente detto specchio Widlar.
Dimostrare, nel caso V
A
=, che il rapporto I
u
/I
rif
circa pari a R
1
/R
2
.
R
T
1
R
1 2
i i
u rif
T
2