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Corso di Laboratorio di Elettronica

a.a 2005-2006

PROGETTAZIONE E REALIZZAZIONE DI UN AMPLIFICATORE AUDIO DA 100W

Docente del corso: Studenti: Ing. Carmine Abbate Della Grotta Federico Serapide Emilio

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006

Della Grotta Federico Serapide Emilio

Indice
Introduzione Capitolo 1 Stadio di ingresso
1.1 Caratteristiche stadio di ingresso 1.2 Stadio differenziale 1.3 Circuito di polarizzazione

pag. 4 pag. 5
pag. pag. pag. 5 6 10

Capitolo 2 Stadio Intermedio Capitolo 3 Stadio di potenza


3.1 Principali parametri dello stadio di potenza 3.2 Classi di funzionamento 3.3 Amplificatore in classe AB 3.3.1 Distorsione dincrocio 3.3.2 Tecniche per ridurre la distorsione dincrocio

pag. 12 pag. 13
pag. pag. pag. pag. pag. 13 15 19 20 21

Capitolo 4 Dissipatori termici Capitolo 5 Circuiti Stampati


5.1 Tipologia di circuiti stampati 5.2 Il processo di fabbricazione di un PCB 5.3 La progettazione di un PCB

pag. 26 pag. 29
pag. pag. pag. 29 30 32

Capitolo 6 Progetto e collaudo


6.1 Simulazione Spice 6.2 Dimensionamento del dissipatore 6.3 Dimensionamento dellalimentatore ausiliario 6.4 Dimensionamento del circuito di protezione 6.4.1 Circuito di comando 6.4.2 Protezione DC e Termica 6.5 PCB 6.6 Verifiche sperimentali sul progetto

pag. 35
pag. pag. pag. pag. pag. pag. pag. pag. 35 38 40 42 42 43 45 47

Indice

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Allegati Allegato 1 BC546 Allegato 2 BC556 Allegato 3 TIP 115/117 Allegato 4 MJE15034/MJE 15035 Allegato 5 MJL21193/MJL21194 Allegato 6 Dissipatore per TO220 Allegato 7 Dissipatore con ventola Allegato 8 Isolante elettrico Allegato 9 NTC pag. 51 pag. 55 pag. 59 pag. 65 pag. 71 pag. 76 pag. 77 pag. 79 pag. 80

Indice

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Introduzione
Lamplificatore quel dispositivo elettronico che varia lampiezza del segnale applicato al suo ingresso, al fine di aumentare il valore del segnale medesimo. Si definisce amplificatore ideale quel dispositivo che riproduce esattamente quello che ha ricevuto in entrata. Purtroppo non esiste un amplificatore capace di aumentare un segnale senza modificarlo almeno in minima parte.

In generale i segnali disponibili alle sorgenti risultano essere inadeguati a comandare attuatori, per cui si rende necessaria unamplificazione del segnale. In particolari applicazioni, tra cui applicazioni audio, lamplificazione fornita da un singolo componente attivo (transistor) risulta insufficiente. In questo caso necessario ricorrere ad una configurazione amplificatrice a due o pi stadi disposti in cascata, ovvero connessi in modo che luscita di ciascuno stadio funga da sorgente di segnale per lo stadio successivo.

Stadio di ingresso

Stadio di amplificazione intermedia

Stadio finale o di potenza

Introduzione

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Capitolo 1
Stadio di Ingresso
1.1 Caratteristiche dello stadio di ingresso Le caratteristiche dello stadio di ingresso sono: Impedenza di ingresso: poich i trasduttori forniscono segnali aventi livello di tensione molto piccolo e potenza debolissima, particolare cura deve essere posta nelladattamento di impedenza tra il trasduttore o sorgente audio e lamplificatore. I metodi di adattamento sono: 1. con Rs << Rin e in questo caso il trasferimento di segnale avviene in tensione; 2. con Rs = Rin in questo caso il trasferimento del segnale avviene in potenza dove Rs la resistenza interna del trasduttore o della sorgente audio Rin e la resistenza di ingresso dellamplificatore. Basso rumore: lamplificatore pilota, essendo il primo stadio di una catena amplificatrice, interessato da segnali di ingresso assai deboli e deve introdurre la minima quantit di rumore, in effetti il rumore generato dai primi stadi viene amplificato dai successivi, peggiorando il rapporto segnale/disturbo; inoltre, su segnali molto deboli, facile dar luogo, anche con rumori deboli, a rapporti segnale/disturbo inaccettabili. Bassa distorsione: se lo stadio pilota introduce distorsioni, queste vengono amplificate dallo stadio di potenza, con leffetto di ulteriore peggioramento. Peraltro, dato che le potenze in gioco nello stadio pilota non sono rilevanti, non si richiedono rendimenti elevati, non esistono quindi motivi per avere distorsioni. Risposta in frequenza: normalmente lo stadio pilota viene progettato per una banda passante pi elevata dello stadio di potenza ; in tal modo le frequenze di taglio dellintero sistema dipendono solo da questultimo.

Capitolo 1: Stadio di Ingresso

Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 1.2 Stadio Differenziale

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Lo stadio di ingresso del nostro amplificatore costituito da una struttura differenziale, del tipo riportato in figura 1.1 , e realizzato a livello discreto.

Figura 1.1 - Schema elettrico dello stadio differenziale

I motivi per cui abbiamo scelto questa configurazione come stadio di ingresso sono molteplici. Un primo motivo che molto immune al rumore: una corrente variabile in prossimit del circuito induce nello stesso un certo rumore; se luscita proporzionale alla differenza tra le tensioni di ingresso il rumore si elide. Un altro vantaggio di questa struttura che ci consente di accoppiare il carico senza lutilizzo di capacit, cosa molto utile soprattutto a livello integrato in cui una capacit occupa unarea estesa.
Figura 1.2. Schematizzazione del Differenziale

V+
Ad

Vo

V-

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Facendo uno studio a piccolo segnale dello stadio differenziale si pu facilmente capire come si comporta questo circuito per segnali differenziali. Si pu ricavarne il guadagno differenziale ottenendo:

Ad diff = Rc gm
dove
gm = IC VT

e rappresenta il guadagno di transconduttanza del transistor. Se consideriamo la tensione di uscita Single-ended il guadagno sar esattamente la met:

Ad se =

Rc gm 2

Possiamo anche calcolare quanto vale la resistenza di ingresso:

Ridiff = 2 r = 2

gm

=2

VT
Ic

Notiamo subito che il guadagno limitato dal tipo di transistore attraverso la massima corrente di collettore (gm) e dalla resistenza Rc. Al fine di aumentare questo laumento di gm comporta una diminuzione della resistenza di ingresso mentre laumento della Rc limitato dalla potenza da dissipare e dallescursione massima. Per quanto riguarda lanalisi di segnali di modo comune quali ad esempio il rumore, si determina il guadagno di modo comune, considerando luscita single-ended, come: Acmse = Vo Rc Rc = Vcm re + 2 R 2R

dove R la resistenza interna del generatore di corrente, cio la resistenza di uscita dello specchio. Si nota che si ha un Acm basso se la R alta, cio dipende dalla resistenza di uscita dello specchio. Ecco quindi il vantaggio di utilizzare come polarizzazione uno specchio di corrente ad elevate prestazioni. Se si ha perfetta simmetria dello stadio differenziale (Rc uguali e uguali), per un segnale di modo comune, che lo stesso in entrambi gli ingressi, luscita differenziale sar nulla. Si definisce a questo punto il CMRR (Common Mode Rejection Ratio) come: CMRR = Ad Acm

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Quindi pi alto questo fattore e meglio risponde lamplificatore per segnali differenziali (vengono amplificati molto) e di modo comune (vengono amplificati poco). Nel caso di uscita s.e. questo vale:

CMRR =

Ad = gm R Acm

Nel caso di uscita differenziale questo pu essere notevolmente aumentato per i motivi descritti in precedenza.

Nelle applicazioni in cui luscita deve essere riferita a massa solitamente si preferisce avere due stadi di amplificazione: un primo stadio di pre-amplificazione con uscita differenziale e il secondo stadio finale con uscita single-ended. In questo modo rendendo quanto pi simmetrico possibile il primo stadio si riescono a diminuire i segnali di modo comune e quindi ad evitare che vengano amplificati dagli stadi successivi. Il nostro amplificatore, essendo un finale audio, composto da uno stadio di ingresso differenziale ad uscita single-ended come riportato in figura 1.2.

Figura 1.3 - Stadio di ingresso differenziale

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Dalla figura si notano alcuni particolari non descritti prima:

il filtro passa-basso R1C9 serve a limitare la banda del segnale di ingresso e quindi eliminare
rumori ad alta frequenza;
R1 = 2.2k con si ha una frequenza di taglio superiore di circa 330kHz . C 9 = 220 p

Si dimensiona la resistenza dello specchio R8 in modo da avere una corente di polarizzazione Io


di circa 2mA:
Vled Io VT R8 = ln = 585,6 560 Is Io VT

Si dimensionano le resistenze sul differenziale in modo da avere un guadagno single-ended di


10V/V: Ad se = Rc gm 2 Rc Ic = 10 2VT Rc = 515 560 (valore commerciale)

Inoltre si nota che lingresso differenziale. Il secondo ingresso stato utilizzato per riportare un segnale di retroazione sia statica che dinamica; la retroazione DC necessaria al fine di avere una tensione continua nulla sul carico ed evitare il danneggiamento dellaltoparlante, mentre la retroazione AC, data da C6, riduce la distorsione e linearizza la risposta dellamplificatore nella banda di interesse. Dalla simulazione effettuata in Spice si nota il comportamento dello stadio di ingresso, per segnali differenziali (fig1.2.2) e di modo comune (fig1.2.3), in funzione della frequenza.
10

0 100mHz 1.0Hz V(Q1:c)/ V(V2:+)

10Hz

100Hz

1.0KHz Frequency

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

Figura 1.4 Risposta in frequenza dello stadio di ingresso differenziale

Capitolo 1: Stadio di Ingresso

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In figura 1.4 si nota che il guadagno di centro banda non proprio 10V/V in quanto c il filtro in ingresso che comporta una attenuazione della tensione di base di Q1 rispetto alla tensione di ingresso.
100

50

0 100mHz 1.0Hz 1/V(Q1:c)

10Hz

100Hz

1.0KHz Frequency

10KHz

100KHz

1.0MHz

10MHz

Figura 1.5 - Guadagno di modo comune al variare della frequenza

In figura 1.5 si nota che per le alte frequenze lamplificatore ha problemi per quanto riguarda i segnali di modo comune: si ha un ripido aumento del guadagno. Passando ad uno studio nel dominio di Laplace si deduce che questo dato dalla resistenza dello specchio e dalla sua capacit parassita le quali pongono unazione passa alto. Essendo la banda del nostro amplificatore limitata, questo fatto non comporta problemi.

1.3 Circuito di Polarizzazione

Il circuito di polarizzazione ( Io ) pu essere costituito da uno Specchio di Corrente come riportato in figura. Questo riproduce in uscita una corrente che rispecchia quella di riferimento Iref e quindi si pu regolare questa dimensionando opportunamente la Rref come:

Rref =

Vcc Vbe Iref


Figura 1.6 - Circuito di polarizzazione, Specchio di corrente

Capitolo 1: Stadio di Ingresso

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Il vantaggio di usare come polarizzazione un circuito del genere al posto di una semplice resistenza sta nel fatto che lo specchio pu avere una resistenza di uscita elevata. Nel nostro progetto si scelto un particolare specchio, lo specchio di Widlar, il quale ha una resistenza di uscita molto grossa e, essendo che il punto di funzionamento a riposo fisso,si scelto di polarizzare lo specchio con un Led il quale ha una tensione di polarizzazione fissata a 1,8V. Si pu calcolare il valore della R8 in funzione della VDIODO e della Io come:
Vdiodo Io V ln T R8 = Is Io VT

Figura 1.7 - Circuito di polarizzazione, Specchio di Widlar

Capitolo 1: Stadio di Ingresso

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Capitolo 2
Stadio Intermedio
Lo stadio intermedio costituito dal Bjt Q5 in configurazione ad emettitore comune come riportato in figura 2.1. Questo stadio consente l'adattamento, allo stadio finale, del segnale proveniente dal differenziale. Ha un guadagno pari alla gm del transistore moltiplicata per la relativa resistenza vista sul collettore di Q5. Inoltre Q5 fornisce la corrente necessaria al moltiplicatore di Vbe. Tale circuito necessario per polarizzare i transistori di potenza in modo da eliminare la distorsione di cross-over. La capacit C17 ha il compito di stabilizzare in frequenza il circuito. Facendo unanalisi del sistema, sicuramente vi saranno poli a parte reale positiva che possono portare in oscillazione il sistema. Inserendo una capacit di valore adeguato si va ad inserire un polo dominante che rende stabile il sistema.
Figura 2.1 - Stadio di amplificazione intermedia

Sfruttando il teorema di Miller, cio mettendo la capacit tra ingresso ed uscita di questo stadio, si riesce ad utilizzare una capacit di modesto valore risparmiando quindi sullingombro. Daltrocanto la capacit C17 determina la frequenza di taglio superiore dellamplificatore. La capacit C10 utilizzata per riportare una parte della retroazione AC sullo stadio intermedio stabilizzando quindi la dinamica di questo.

Capitolo 2: Stadio Intermedio

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Capitolo 3
Stadio di potenza
Lo stadio di potenza, o stadio finale inteso come ultimo elemento della catena di amplificazione ha lo scopo di fornire potenza al carico. Questo riceve in ingresso un segnale gi amplificato in tensione, trasferendolo al carico con la stessa ampiezza ma amplificato in corrente.

3.1 Principali parametri dello stadio di potenza


I parametri principali che definiscono i limiti di funzionamento e progetto di uno stadio di potenza sono: Rendimento: per rendimento di un sistema, si intende il rapporto tra la potenza che esso

cede al carico e quella che gli viene introdotta attraverso lalimentazione ed il segnale di comando.

Pout Pcc

Nel caso ideale, la potenza uscente uguale alla somma di quelle entranti ed il rendimento unitario. In pratica questo non possibile, ovvero Pout risulta sempre inferiore a Pcc ed

< 1 . La differenza tra la potenza entrante e quella uscente rappresenta la potenza PD, che si
dissipa allinterno dellamplificatore di potenza. Esistono due ragioni fondamentali per cui questa potenza risulta minima, ovvero il rendimento massimo: 1. quando le potenze in gioco sono elevate, bene che tutta la potenza spesa dia luogo ad effetti utili e non venga dispersa, per ovvie esigenze di risparmio energetico. 2. la potenza non utilizzata si dissipa sotto forma di calore, interessando principalmente i componenti attivi. Laumento della temperatura modifica le caratteristiche di comportamento dei componenti attivi, peggiorando la qualit di lavoro e giungendo a danneggiarli in modo irreparabile, se si supera la massima temperatura di giunzione ( 150C). Inoltre, le elevate temperature di funzionamento, specie se in regime variabile, accorciano notevolmente la vita media dei componenti. In pratica si cerca di salvaguardare i componenti di potenza dato il costo assai elevato in alcuni casi.

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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Tutto ci produce lesigenza di dissipare il calore prodotto dalla potenza non utilizzata, con mezzi aggiuntivi (dissipatori o sistemi di raffreddamento a circolazione di fluido) che aumentano la complessit ed il costo degli apparati di potenza. Condizioni di massimo trasferimento di potenza: il parametro degli amplificatori di

potenza , come ovvio, la potenza trasferita al carico. La condizione ottimale per il trasferimento di potenza tra un amplificatore con resistenza di uscita Ro, ed un attuatore con resistenza generica RL, pu essere ottenuto in due modi: 1. con Ro = RL: condizione generalmente impiegata negli accoppiamenti a trasformatori; oppure altri casi: 2. con Ro << RL: questultima condizione adottata nella maggior parte dei casi e porta allimpiego di amplificatori aventi resistenza di uscita molto bassa. Risposta in frequenza: la risposta in frequenza legata al tipo di attuatore pilotato

dallamplificatore di potenza, ad esempio: 1. i motori richiedono allamplificatore una risposta in frequenza dalla continua sino a frequenze superiori non molto elevate; 2. gli altoparlanti ed in genere i sistemi audio, richiedono una banda di frequenza quantomeno eguale (o pi ampia, specie verso le frequenze alte) a quella del segnale acustico, che varia nellintervallo 16 Hz 20kHz. Linearit: lobbiettivo di portare al massimo il rendimento, comporta lelongazione del

segnale in tutta la zona di lavoro consentita per i componenti attivi che presentano, agli estremi ti tale zona, comportamenti non lineare. Da ci segue che gli amplificatori di potenza sono sede di distorsione di non linearit, la quale introduce la presenza di armoniche di frequenza multipla rispetto a quella del segnale. La distorsione di non linearit ha effetti diversi a seconda dellattuatore che lamplificatore di potenza pilota. Ad esempio: 1. le armoniche di ordine superiore dovute alla distorsione di non linearit, sono causa di surriscaldamento del nucleo ferromagnetico nel caso di motori; 2. nel campo audio, la non linearit pone il problema della qualit del suono, a causa della notevole sensibilit che lorecchio umano ha nei confronti della distorsione di non linearit.

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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3.2 Classi di funzionamento


La divisione degli amplificatori di potenza in base alla classe di funzionamento, legata alla condizione di polarizzazione e lavoro dei componenti attivi che costituiscono gli amplificatori medesimi ed alla tecnica con cui viene ottenuta lamplificazione di potenza. In tal senso, occorre compire una distinzione fondamentale tra due tipi di amplificazione: Funzionamento analogico: questo tipo di amplificatore fruisce in pratica di amplificazioni

ottenibili mediante i componenti attivi a tecnologia unipolare o bipolare, che realizzano lamplificazione attraverso lo spostamento del punto di lavoro lungo la retta di carico allinterno della zona attiva, per effetto di comando del segnale di ingresso. Un componente attivo da luogo a circolazione di corrente di segnale nella maglia duscita dellamplificatore di cui fa parte, in funzione della posizione del punto di lavoro sulla retta di carico. Nel caso di amplificatori a funzionamento analogico, si definisce quindi classe di funzionamento, la condizione di polarizzazione del componente attivo e la conseguente circolazione di corrente nel carico. Le classi di funzionamento analogico sono: A, B, AB, C. Funzionamento Switching: in questo tipo di funzionamento non si fa uso delle

caratteristiche di amplificazione di componenti attivi, ma di un particolare procedimento (PWM: Pulse Width Modulation), che consente di modificare il valor medio di unonda quadra, in base alla modifica del rapporto tra la durata di permanenza allo stato alto e quella dellintero periodo dellonda (duty cycle). I componenti attivi in questo caso funzionano come interruttori (switch) che, per effetto del comando (di bassa potenza) del segnale da amplificare, passano dalla saturazione allinterdizione (e viceversa), controllando potenze di notevole entit. La classe di funzionamento degli amplificatori switching detta classe D. Dopo aver fatto differenza sulla tecnica di amplificazione dei segnali si analizzano brevemente le classi di funzionamenti di cui sopra.
Classe A: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe A, il punto di lavoro viene tenuto,

a riposo, al centro del tratto lineare della retta di carico e, per effetto del segnale di ingresso, si sposta sulla medesima dalla saturazione alla interdizione e viceversa. Nella polarizzazione in classe A, si ha circolazione di corrente di segnale nella maglia duscita in ogni punto della forma donda del segnale dingresso. Si suole dire che langolo di circolazione della corrente di segnale nella
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maglia di uscita 360, intendendo che per tutto il periodo del segnale dingresso, vi corrente di segnale al carico. La classe A, da luogo alla minima distorsione ma ha come svantaggio quello di avere un rendimento molto basso.

Figura 3.1 - BJT polarizzato in classe A con specchio di corrente

Con riferimento alla figura 3.1 in cui si evidenzia il transistore Q1 polarizzato in classe A e il transistore Q2, detto anche specchio di corrente, il quale ha il compito di polarizzare Q1,supponendo un ingresso sinusoidale si ha che:
vout = vin Vbe = vin 0,7V vout = Vout * sen(t )

1 vout 2 2 RL PL = = Pcc (2 * Vcc * Ic0 )

dove: PL la potenza fornita al carico PCC la potenza fornita dallalimentazione IC0 la corrente che circola nel collettore in assenza di segnale di ingresso

Vin = 0 Vout = 0 Ic = Ic0 Pdiss = 2Vcc * Ic0 Ic0 = Vcc


sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha: 1 vout 2 RL = 4 RL Vcc 2

RL

ma dal momento che la tensione di uscita non pu superare la tensione di alimentazione risulta che:

1 25% 4

Classe B: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe B, il punto di lavoro viene tenuto,

a riposo, in corrispondenza dellinterdizione sulla retta di carico. evidente che, se il segnale dingresso impone elongazioni simmetriche nellintorno della condizione di riposo, si ottiene 16

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circolazione di corrente nella maglia di uscita per tutti i segnali che spostano il componente verso la saturazione; per i valori che lo spostano verso linterdizione, non si ha corrente nella maglia di uscita. Si suole dire che langolo di circolazione della corrente di segnale nella maglia duscita 180, intendendo che vi corrente di segnale al carico soltanto per un semiperiodo del segnale dingresso, la circolazione della corrente per gli altri 180 affidata al transistore complementare. La classe B, produce distorsioni inaccettabili, in quanto priva il segnale di una parte dinformazione, che si trova al di sotto dellasse delle ascisse. La classe B offre notevoli vantaggi rispetto alla classe A, in termini di rendimento.

Figura 3.2 - BJT polarizzati in classe B

Con riferimento alla figura 3.2, dove si evidenzia la coppia a simmetria complementare di transistori, supponendo un ingresso sinusoidale si ha che:
vout = vin Vbe = vin 0,7V vout = Vout * sen(t )

=
dove: PL la potenza fornita al carico PCC la potenza fornita dallalimentazione

PL Pcc

Per determinare la potenza fornita dallalimentazione bisogna determinare il valor medio della potenza dellalimentazione. Con riferimento a quella positiva si ha:
Pcc + =
2

1 Vcc 2 1 Vcc Pc(t )dt = VccIc max = 2 RL 0

quindi la potenza totale : 2Vcc 2 Pcc = 2 * Pcc = RL


+

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sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha:

vout 2 RL
4 RL Vcc 2

ma dal momento che la tensione di uscita non pu superare la tensione di alimentazione risulta che il rendimento medio :

=
Volendo calcolare la potenza dissipata si ha:

78,5%

2 Vcc * Vo 1 Vo 2 Pdiss = Pcc PL = RL 2 RL da cui possiamo ricavare il massimo cha vale:

Pcc 2 Vcc Vo 2 = = 0 V 0 = Vcc V0 RL RL sostituendo quanto trovato nella relazione del rendimento si ha che in corrispondenza della massima potenza dissipata questultimo scenda al 50%.
Classe AB: la classe AB una diretta conseguenza della classe B, il componente attivo, anzich

essere polarizzato alla interdizione polarizzato in leggera conduzione, in una condizione intermedia tra quelle relative alle classi A e B rispettivamente. La polarizzazione in classe AB consente di ridurre notevolmente un particolare tipo di distorsione, detta dincrocio o cross-over, che insorge nel funzionamento in classe B pura negli attraversamenti per lo 0. Si osserva che per questa particolare polarizzazione langolo di circolazione della corrente compresa tra 180 e 360 e il rendimento risulta essere intermedio tra quello della classe A e quello della classe B.
Classe C: in un amplificatore polarizzato per funzionare in classe C, il componente viene tenuto, a

riposo, in corrispondenza di una forte interdizione. Se il segnale di ingresso impone elongazioni simmetriche nellintorno della condizione di riposo, si ottiene circolazione di corrente nella maglia di uscita soltanto per i pi elevati tra i valori di segnale che spostano il componente verso la saturazione. Per tutti gli altri livelli di segnale dingresso, non si ha corrente nella maglia di uscita. Langolo di circolazione della corrente di segnale nella maglia di uscita inferiore a 180, in pratica nel carico presente corrente soltanto per una parte di semiperiodo del segnale dingresso. La distorsione introdotta da questa polarizzazione elevatissima, ma malgrado tutto ha un alto rendimento e si presta benissimo a particolari applicazioni nel settore delle alte frequenze. In questo caso il segnale viene recuperato attraverso filtri accordati.

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Classe D: in un amplificatore progettato per funzionare in classe D, i componenti attivi operano

soltanto nelle due condizioni limite di saturazione e di interdizione, ovvero non presentano condizioni di permanenza in zona attiva. Questa particolare configurazione viene usata quando la potenza da fornire al carico molto elevata, evitando ai componenti di dissipare potenze al di sopra dei loro limiti tecnologici

3.3 Amplificatore in classe AB


A valle delle considerazioni sulle classi di funzionamento e quindi alla condizione di polarizzazione del componente attivo si pensato di realizzare lamplificatore di potenza in classe AB. La classe B una condizione di funzionamento che vede il componete condurre per una semionda del segnale dingresso. Questo significa che, per unamplificazione dellintero segnale con dispositivi polarizzati in classe B, necessario impiegare almeno due dispositivi di potenza, affidando a ciascuno di essi una delle due semionde del segnale da amplificare. Limpiego di questa soluzione pone per due problemi: la scomposizione in due semionde del segnale di ingresso e la ricomposizione del segnale di uscita, per avere unonda completa. La disposizione che risolve i due problemi di cui sopra la simmetria complementare, in questo modo non necessario dividere il segnale dingresso e ricomporre il segnale di uscita. Il segnale dingresso viene applicato alle due basi collegate tra di loro , la polarizzazione in classe B di Q1 (NPN) fa s che sia posto in conduzione dalla semionda positiva del segnale dingresso, rimanendo interdetto da quelle negativa e Q2 (PNP) sia posto in conduzione dalla semionda negativa, rimando interdetto da quella positiva. Per ci che riguarda il carico, ciascuno dei due transistor e collegato ad inseguitore e la resistenza RL comune ai due emettitori, dunque il carico percorso dalla corrente di segnale di Q1 durante le semionde positive e da quelle di Q2 durante le negative per cui in un periodo nel suddetto insiste unonda completa di segnale.

Figura 3.3 - BJT polarizzati in classe B

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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3.3.1 Distorsione dincrocio

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Poich nella realizzazione di amplificatori a simmetria complementare in classe B, si deve tener conto delle caratteristiche reali dei transistor, in particolare la caratteristica di ingresso dei BJT presenta una soglia maggiore di 0,6 V; questo significa che se il componente polarizzato in classe B pura, cio VBE = 0,6 V, non si ha circolazione di corrente duscita fino a quando la tensione di ingresso non supera la soglia; questo vale per entrambi i BJT e fa si che, in corrispondenza del passaggio per lo zero del segnale di ingresso, la corrente iB e, di conseguenza, la iC dei BJT, presenta un gradino che d luogo ad una distorsione detta dincrocio (cross-over).
10V

5V

0V

-5V

-10V -10V -8V V(RL:2)

-6V

-4V

-2V

0V V(In)

2V

4V

6V

8V

10V

Figura 3.4 - Caratteristica ingresso - uscita della classe B

Ovviamente la distorsione di iC da luogo ad una corrispondente distorsione della tensione di uscita, vedi figura 3.5
10V

5V

0V

-5V

-10V 0s 0.1ms V(RL:2) 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms Time 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms

Figura 3.5 - Tensione di uscita del classe B

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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3.3.2 Tecniche per ridurre la distorsione dincrocio

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Per porre rimedio a questo tipo di distorsione, occorre polarizzare i transistor oltre la soglia, facendo circolare una debole corrente anche in assenza di segnale: in tal modo il segnale non deve superare la soglia, questa soluzione porta la classe di funzionamento dalla B pura alla AB; il rendimento si riduce, andando a valori compresi tra il 50% e il 78%.

Riduzione di cross-over mediante amplificatore operazionale

La distorsione dincrocio di uno stadio di amplificazione in classe B pu essere notevolmente ridotta utilizzando un amplificatore operazionale ad alto guadagno ed una retroazione negativa, vedi figura 3.3.2.1 Come noto in un amplificatore in classe B vi una soglia di 0,6 V che deve essere superata affinch i transistori iniziano a condurre, ma con questa tecnica tale soglia viene ridotta a:
Vbe A0

dove A0 il guadagno in bassa frequenza ad anello aperto dellamplificatore operazionale. Il suddetto amplificatore viene collegato allo stadio in classe B per mezzo di una resistenza R per limitare la corrente sulle basi dei transistori. Questa tecnica non viene utilizzata spesso a causa dello slew rate delloperazionale che si accentua alle alte frequenze.

Figura 3.6 - Circuito in classe B con amp. op. collegato in retroazione negativa per ridurre la distorsione di incrocio

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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10V

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5V

0V

-5V

-10V -10V -8V V(RL:2)

-6V

-4V

-2V

0V V(Vin:+)

2V

4V

6V

8V

10V

Figura 3.7 - Caratteristica ingresso - uscita della classe B con Amp. Op.

10V

5V

0V

-5V

-10V 0s 0.1ms V(RL:2) 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms Time 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms

Figura 3.8 - Tensione di uscita del classe B con Amp. Op.

Riduzione di cross-over mediante partitore resistivo

Inserendo un partitore resistivo inserito tra le basi dei transistori in modo da regolarne opportunamente il potenziale e riducendo o eliminando la distorsione dincrocio, ma occorre osservare che, durante il funzionamento, laumento della temperatura prodotto nei dispositivi dalla potenza dissipata, genera una variazione della VBE dei BJT stessi, in ragione di 25 mV di diminuzione della soglia ogni 10 gradi di aumenti della temperatura. Questo sistema di polarizzazione non modifica la caduta di tensione ai capi di RBB e questo, causa un aumento indesiderato di iB e, con esso, di iC. Laumento di iB provoca un eccesso di compensazione ed uno spostamento del punto di lavoro, dando luogo a nuovi tipi di
Capitolo 3: Stadio di Potenza

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distorsioni. Inoltre, un aumento di iC, dovuto ad un aumento della temperatura produce un ulteriore aumento di temperatura, che accresce di nuovo la iC e cos via; questa soluzione produce una instabilit termica che pu danneggiare definitivamente i transitori.

Figura 3.9 Polarizzazione mediante partitore resistivo della classe B

Riduzione di cross-over mediante diodi

Il problema della instabilit termica pu essere risolto sostituendo ad RBB un componente che segue le medesime vicende termiche della VBE dei BJT. Tale componente pu essere una resistenza termica, che diminuisce il proprio valore allaumentare della temperatura, ma difficilmente tale componente segue in modo rigoroso la legge di variazione termica delle giunzioni. Il componente che meglio si adatta alle variazione termiche della VBE dei BJT sono i diodi, essendo giunzioni dello stesso tipo dei BJT e seguono la medesima legge di variazione termica, a condizione che vengono disposti in prossimit dei BJT stessi.

Figura 3.10 Polarizzazione mediante diodi della classe B

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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In figura 3.10 si evidenza la coppia di transistori Q1 e Q2 che hanno il solo compito di far fluire nei diodi D1 e D2 una corrente costante in modo da avere sempre la stessa caduta di tensione. Le resistenza RE1 e RE2 hanno il compito di stabilizzare ulteriormente il circuito nei confronti della fuga termica.
10V

5V

0V

-5V -5.0V -4.0V V(RL:2)

-3.0V

-2.0V

-1.0V

0.0V V(Vin:+)

1.0V

2.0V

3.0V

4.0V

5.0V

Figura 3.11 - Caratteristica ingresso - uscita della classe B con polarizzazione a diodi

10V

5V

0V

-5V

-10V 0s 0.1ms V(RL:2) 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms Time 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms

Figura 3.12 Tensione di uscita del classe B con polarizzazione a diodi

Moltiplicatore di VBE

Una soluzione diversa da quella della coppia di diodi e quella che dispone, tra le basi dei BJT di potenza, un transistore nella configurazione circuitale detta a moltiplicatore di VBE, vedi figura 3.13.

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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Figura 3.13 Polarizzazione mediante moltiplicatore di Vbe della classe B

Il circuito di figura da luogo ad una caduta VBB ai capi delle basi dei BJT di potenza che dipende dalla VBE dei suddetti e dalle due resistenze R1 e R2. Infatti, trascurando la corrente di base di Q3 la corrente che attraversa le resistenze in serie la stessa e vale: IR = IR1 = IR 2 = ma allo stesso tempo vale che: IR = VBE R2 VBB R1 + R 2

per cui sostituendo la seconda equazione nella prima equazione si ricava quanto segue: R1 VBB = VBE 1 + R2
Variando opportunamente il rapporto R1 R 2 , possibile far s che VBB divenga almeno uguale a 2VBE e segua le variazione termiche di VBE medesime. Negli schemi pratici, come nel nostro caso, bisogna inserire delle resistenze di basso valore (inferiore allohm) sugli emettitori dei BJT di potenza. In tal caso la caduta di tensione tra le basi dei BJT non esattamente 2VBE, ma deve essere superiore di un valore pari a 2REIE.

Capitolo 3: Stadio di Potenza

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Capitolo 4
Dissipatori Termici
Come noto, ogni componente elettronico o elettrico che sia percorso da corrente elettrica dissipa potenza. Il fenomeno di trasformazione della potenza elettrica in calore definito attraverso la legge di Joule, che si enuncia:

la potenza dissipata in un conduttore di resistenza R, percorso da una corrente I, espressa dal prodotto della resistenza per il quadrato della corrente

Pd = R * I 2
Tale potenza provoca un innalzamento della temperatura delle giunzione che come noto non deve superare il limite superiore Tjmax, che per il silicio compreso tra 120C e 200C, per non danneggiare il componente. Un sistema di dissipazione del calore costituito dal chip di silicio, dal suo contenitore (case) e dal dissipatore (heatsink). La potenza PD dissipata nel chip pu essere schematizzata come un generatore di corrente, le temperature di giunzioni TJ, della base di montaggio del contenitore Tc, del dissipatore Td e dellambiente Ta, vengono a loro volta considerate come delle tensioni. Per tenere conto delle differenze di temperatura fra i vari punti si introducono le resistenze termiche, indicate con il simbolo . Tra la potenza dissipata nella giunzione, la sua temperatura fino ad arrivare alla temperatura ambiente: sussiste la seguente relazione fondamentale:

Tj Ta = Pd (jc + cd + da)
ove: Tj la temperatura di giunzione in C; Ta la temperatura ambiente in C; Pd la potenza dissipata sulla giunzione in W; jc la resistenza termica tra giunzione e case in C/W cd la resistenza termica tra case e dissipatore in C/W da e la resistenza termica tra dissipatore e ambiente in C/W Si pu individuare una analoga con la legge di Ohm per i circuiti elettrici.

(4.1)

Capitolo 4: Dissipatori Termici

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Figura 4.1 - Equivalente termo elettrico

Normalmente in fase di progetto il problema si pone in questi termini: nota la potenza da dissipare Pd, note Tjmax e Ta, nota la resistenza termica, dai fogli tecnici, tra giunzione e case jc relativa ad un certo dispositivo, si deve scegliere il dissipatore adatto affinch la giunzione non superi Tjmax. Dalla equazione (4.1) di cui sopra si ricava il valore massimo che deve presentare jc+cd. La resistenza termica cd dipende dal tipo di contenitore a dalle modalit di montaggio del componente sul dissipatore. Essa varia infatti se fra contenitore e dissipatore si inserisce o meno un foglietto isolante di mica o kapton se si usa grasso termoconduttore al silicone ed altri materiali. comunque in dato noto. A sua volta per ogni tipo di dissipatore viene fornita dal costruttore la da corrispondente. Occorre allora scegliere il dissipatore e il tipo di montaggio pi opportuno affinch la somma jc+cd non risulta superiore al valore massimo ricavato con lequazione (4.1). Normalmente sui fogli tecnici del componente attivo viene fornito un diagramma della riduzione della potenza dissipabile. Esso rappresenta landamento della potenza massima dissipabile nel dispositivo, ovvero senza che venga superata Tjmax, in funzione della temperatura del contenitore.

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Figura 4.2 - Assemblaggio del componente sul dissipatore

Ovviamente pi elevata Tc e minore la potenza dissipabile vedi figura 4.3.

Figura 4.3 - Andamento della potenza dissipabile in funzione della temperatura

Capitolo 4: Dissipatori Termici

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Capitolo 5
Circuiti Stampati
Il PCB, Printed Circuit Board o Circuito Stampato, un sistema di assemblaggio elettronico, basato sul principio del collegamento di componenti tramite delle piste conduttive, collocate su di una basetta isolante. Un'opportuna foratura della basetta consente di inserire i reofori dei componenti, fissandoli tramite saldatura alle piste ed assicurando cos un buon aggancio meccanico ed elettrico. I componenti fondamentali di un circuito stampato sono quindi: La base, una lastra isolante opportunamente forata. Un sistema di lamine sottili di conduttore, nella maggior parte dei casi il rame, incollate alla base. La base costituisce il supporto per le piste conduttive, per i componenti elettronici saldati e per eventuali altri componenti, fissati meccanicamente alla base stessa.

5.1 Tipologie di circuiti stampati

I circuiti stampati possono essere classificati in base alle loro caratteristiche costruttive: una prima differenziazione si hanno le seguenti tipologie: 1. PCB a singola faccia

2. PCB a doppi faccia

3. PCB multistrato

Capitolo 5:Circuiti Stampati

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Il singola faccia ha piste solo su un lato, il laminato impiegato dal costruttore degli stampati infatti materiale isolante con un solo lato di rame; il doppia faccia presenta piste conduttive su entrambi i lati. Entrambi possono essere a fori non metallizzati, ma generalmente sono a fori metallizzati con solo rame, o con rame rivestito di un altro metallo, ad esempio stagno, lega stagno-nichel, o altri ancora. Queste due prime tipologie sono proprie dei circuiti realizzabili anche con poche risorse tecnologiche a disposizione. Per il multistrato il discorso cambia radicalmente: sono infatti dei circuiti stampati che presentano diversi strati di piste conduttive, presenti sia su entrambe le facce del PCB sia all'interno del laminato base. I multistrati si suddividono a loro volta in leggeri e pesanti, a seconda se superano o meno i quattro strati; quando non diversamente specificato, il multistrato realizzato a fori metallizzati. Esistono ovviamente altre classificazioni, ad esempio di tipo qualitativo, prendendo in considerazione i rivestimenti, le tolleranze, le dimensioni dei fori e delle piste, ed altri parametri ancora. In questo lavoro, l'attenzione sar comunque rivolta al doppia faccia, visto che nel caso del progetto dellamplificatore audio si andr a realizzare una scheda di tale tipologia.

5.2 Il processo di fabbricazione di un PCB

La fabbricazione di un circuito stampato ha origine dai laminati, materiali costituiti da una base isolante su cui aderiscono dei fogli di rame elettrolitico puro, su una faccia o su entrambe. Il materiale base composto generalmente da resine sintetiche ottenute per polimerizzazione: se una resina non possiede da sola tutte le propriet elettriche, meccaniche e fisiche richieste, spesso viene addizionata con sostanze opportune, dette cariche, in maniera tale da conferirle le propriet desiderate. Il rame viene prodotto, generalmente, per via elettrolitica: un grosso tamburo ruotante polarizzato negativamente pesca in una soluzione elettrolitica; i fogli di rame cos ottenuti presentano la faccia troppo liscia per aderire al laminato base. Si procede allora ad ossidarlo, oppure a rivestirlo con ottone: entrambi i fenomeni determinano una formazione non uniforme sui cristalli di rame, con un conseguente aumento della rugosit dei fogli. L'adesione del rame al materiale base si ottiene per azione di una pressa di laminazione, tra le 10 e le 20 atmosfere, e riscaldamento, tra i 120 e i 170C, di un pacchetto di tali fogli, disposti opportunamente. Il processo di fabbricazione prende il nome di Print and Etch (stampa e incisione): un processo sottrattivo, in quanto si procede per incisione del rame del laminato base, lasciandolo inalterato nelle zone in cui necessario per i collegamenti elettrici. Una delle fasi pi importanti dopo il taglio del laminato in quadri e la tranciatura dei fori di riferimento per gli attrezzi, la stampa dell'etching resist, una protezione dall'attacco chimico del
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rame. Il telaio serigrafico una maglia fitta di tela di acciaio, nylon o seta, che lascia penetrare la vernice, pressata sul lato superiore, in quello inferiore in cui posto il quadro; la maglia riempita di gelatina sulle zone che non devono ricevere vernice. L'etching resist depositato indurisce per evaporazione di solvente o per polimerizzazione in aria libera, in forno oppure a raggi ultravioletti. Una variante interessante della stampa serigrafica, molto comune nella costruzione di circuiti stampati professionali, l'utilizzo di foto-polimeri come etching resist (Dry film). Tali sostanze depositate sul quadro di rame, dopo un'esposizione opportuna alla luce e sviluppo con soluzioni a base di carbonato di sodio (Soda Solvay), restano a ricoprire solo i conduttori in rame che dovranno rimanere; (tale parte denominata anche Pattern). L'incisione avviene per mezzo di un liquido corrosivo, per il rame, che attacca chimicamente solo le zone non ricoperte da etching-resist. Le zone metalliche alle quali pu aderire la lega di saldatura sono limitate da una vernice permanente, solder resist, che viene applicata con metodo serigrafico e indurita a caldo o a raggi ultravioletti. L'ultima fase di rilievo costituisce la deposizione di un sottile strato di vernice protettiva con lo scopo di mantenere inalterate le caratteristiche di saldabilit del rame evitando la formazione di uno strato di passivazione all'interfaccia rame-aria. Sovente si esegue la foratura su macchine a controllo numerico: molto utilizzato nei casi in cui le piastre hanno una dimensione tale per cui sarebbe onerosa la costruzioni di stampi di tranciatura, per piccole serie e per piastre a base di vetro che provocherebbero l'usura dei punzoni dello stampo. La metallizzazione dei fori una fase peculiare del processo di fabbricazione di un circuito stampato, per questo necessita di alcune fasi preliminari: si procede ad una sensibilizzazione del quadro, dopo la foratura, per immersione in una soluzione di ioni stagno, che si depositano ovunque, ma soprattutto sulle pareti dei fori. La fase successiva, di catalisi, consiste nell'immergere il quadro in una soluzione di cloruro di palladio, che reagendo con gli ioni stannosi, precipita sotto forma di un film metallico sottile. in presenza di questo catalizzatore che si innesca la successiva reazione di riduzione dello ione rame in soluzione in rame metallico Cu (ramatura chimica). Tale strato metallico quello che permette la ramatura galvanica definitiva. I quadri sono collegati elettricamente al polo positivo e immersi in una soluzione di ioni di rame che a contatto con il rame chimico cedono due elettroni diventando atomi di rame, cio rame metallico. Dopo una ramatura galvanica completa dei fori e di tutta la superficie del rame, il processo pi semplice, detto tenting, prevede lo stampo in positivo, lo sviluppo e l'incisione ottenendo cos circuiti stampati a doppi faccia a fori metallizzati con finitura in solo rame. Un processo pi complesso, il panel plating, effettua invece un rivestimento con lega Sn-Pb e successiva incisione delle zone non necessarie: una sua importante variante, detta patter plating, prevede la stampa fotografica del rame che non deve restare sullo stampato, in una fase intermedia della metallizzazione dei fori, e precisamente dopo la
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ramatura chimica. Segue la ramatura galvanica, il rivestimento Sn-Pb e l'incisione. Siccome quest'ultimo processo effettua le metallizzazioni solo sul pattern, lo spessore del rame da incidere minore, con conseguente aumento della velocit e della qualit dell'incisione, nonch un minore esaurimento del liquido d'incisione. Per quanto riguarda il processo di fabbricazione specifico per le schede multistrato, il primo passo consiste nel realizzare i pattern degli strati pi interni mediante stampo e incisione. I diversi strati, compresi i due pi esterni, sono sovrapposti in maniera tale da formare un unico laminato per azione di una pressa di laminazione. Si procede infine alla foratura, alla metallizzazione dei fori e alla incisione delle due facce esterne. La metallizzazione dei fori esegue dunque i collegamenti voluti tra i diversi strati, con l'evidente aumento della densit dei componenti. Si vanno diffondendo altre tecniche di fabbricazione dei circuiti stampati che si basano sui processi additivi: a partire da un laminato base completamente privo di rame si ottiene una deposizione chimica di questo metallo solo nelle zone in cui richiesto. Ci si ottiene o con stampa fotografica o con presenza selettiva del catalizzatore che innescher il processo di ramatura.

5.3 La progettazione di un PCB

Nel processo realizzativo di un PCB la fase pi importante, nonch la prima anche in ordine cronologico, quella della progettazione del circuito che verr riportato sullo stampato: sia che si parta da uno schematico disegnato a mano e poi prototipato su di una breadboard, sia che lo si disegni sin dall'inizio con un CAD elettronico, per poi poter effettuare i test attraverso il computer. La fase di disegno e verifica circuitale riveste la massima importanza, in quanto eventuali correzioni al circuito devono essere svolte in questo ambito. Una volta che il progettista ha portato a termine con successo questa fase, pu avere inizio il cosiddetto postprocessing per poter creare il layout fisico del PCB, anche se gi nel software di progetto possibile iniziare a preparare lo schematico per la creazione del circuito stampato, associando ad ogni componente utilizzato il relativo footprint. Il footprint il blocco base utilizzato per definire il layout, in quanto contiene tutte le informazioni fisiche relative ad un componente, come ad esempio la sua grandezza, il numero dei pin, ed altre ancora. L'operazione da compiere per poter passare dal software di disegno circuitale a quello di progettazione del PCB tipicamente la creazione di una netlist. Si tratta di un file di testo in cui sono riportate tutte le informazioni sullo schematico disegnato, con l'elenco dei componenti a cui associato il relativo footprint e le varie connessioni. Tale netlist verr poi importata nel software di creazione del circuito stampato, e da questo punto ha inizio la fase di definizione del layout fisico della scheda. Dopo aver effettuato delle operazioni
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preliminari, comunque necessarie, come l'impostazione delle dimensioni della scheda che si vuole creare, la scelta della tecnologia realizzativa, l'eventuale associazione dei footprint per quei componenti di cui non stata effettuata precedentemente, se l'importazione della netlist ha avuto esito positivo, il software di progettazione mostra una schermata in cui si hanno tutti i componenti del circuito posti intorno a quello che rappresenta il bordo fisico del PCB. Si passa quindi alla fase di placement dei componenti: uno ad uno, in genere manualmente, vanno collocati all'interno dell'area rappresentante la scheda, secondo i classici criteri di piazzamento dei componenti, come ad esempio il posizionamento in maniera consona per l'operatore, gli eventuali connettori posti in maniera tale da non far passare i cavi sopra la scheda, ed altri accorgimenti ancora, che dipendono fortemente dall'esperienza del disegnatore del circuito, detto masterista, in quanto quello su cui egli sta lavorando , appunto, il master del circuito stampato che si vuole creare. I componenti possono essere ruotati e spostati a piacimento, evitando ovviamente di sovrapporli e di lasciarne nessuno al di fuori dei bordi. Anche in questa fase esistono strumenti software di controllo, che verificano il rispetto di alcune regole basilari di disegno, e altri ancora che, ad esempio, controllano lo spazio libero sulla scheda o altri parametri. Alcuni software particolarmente potenti offrono strumenti di piazzamento automatico, ma in genere vengono scarsamente utilizzati, in quanto possono non rispettare delle particolari scelte progettuali del masterista. comunque possibile piazzare manualmente i componenti pi importanti e bloccarli nella posizione desiderata, lasciando al software l'incarico di sistemare i restanti. Piazzati tutti i componenti, la fase successiva, una delle pi impegnative di tutto il processo, quella di routine delle tracce, detta anche sbroglio. Infatti, se si seleziona un componente qualsiasi sul PCB, verranno evidenziati tutti i collegamenti che lo interessano, sotto forma di linee dritte tra un componente e l'altro, anche sovrapposte ad altri collegamenti tra altri componenti. Le tracce di un PCB, una volta realizzato, non possono per sovrapporsi, in quanto, essendo la scheda bidimensionale, risulterebbero cortocircuitate. per questo che bisogna svolgere la fase di sbroglio: il masterista deve associare a ciascuna connessione tra componenti un percorso conduttivo su di uno dei layer della scheda, senza creare cortocircuiti che renderebbero il PCB inutilizzabile. Risulta evidente come effettuare la fase di sbroglio di un circuito che impiega numerosi componenti pu essere molto impegnativo, e si necessita di tutta l'esperienza del masterista per portare a termine tale fase. Ricordando che possibile anche definire dei parametri particolari, come la larghezza di ciascuna pista e la distanza tra le stesse. Anche per il routing esistono software che svolgono tale compito automaticamente, ma per comprendere appieno la loro complessit basti pensare che i pi potenti vengono venduti a prezzi elevati, sull'ordine delle migliaia di dollari, anche se limitati ad un certo numero di layer. I pi
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potenti, senza limitazioni di layer, sono praticamente inaccessibili al piccolo operatore, proprio a causa del loro costo, che di listino pu raggiungere anche le centinaia di migliaia di dollari. Se nonostante tutto non possibile evitare l'intersezione di due tracce, viene utilizzato un via. Una via , fondamentalmente, un foro praticato nel PCB che permette al rame di transitare da uno strato della scheda all'altro, senza causare cortocircuiti attraverso la metallizzazione.I vias sono definiti dai padstack, alla stessa maniera dei footprint. I padstack sono delle raccolte di informazioni su come un pin si connette fisicamente al PCB: include dati riguardo ciascun layer della scheda, definendo anche la dimensione dell'area di rame intorno a ciascun pin, come la dimensione del foro da praticare sulla scheda. Completata anche la fase di sbroglio, il layout della scheda terminato. Dopo aver effettuato tutti i controlli di routine per assicurarsi che ogni fase sia andata a buon termine, senza aver tralasciato nessun componente fuori dalla scheda o delle tracce che si sovrappongono, ci che rimane da fare generare i file gerber, contenenti tutte le informazioni necessarie per il costruttore del PCB su come tagliare, laminare e forare la scheda. Per ogni suo layer ne viene creato uno: ad esempio un file gerber TOP definir come lavorare il TOP layer del PCB, BOTTOM sar relativo al BOTTOM layer, e cos via. Una volta definiti tutti i file gerber relativi a tutti i layer della scheda, questi dovranno essere passati a chi si occuper della realizzazione fisica della stessa, senza pi possibilit di intervento da parte del progettista del circuito o del masterista del PCB.

Capitolo 5:Circuiti Stampati

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Capitolo 6
Progetto e Collaudo
6.1 Simulazione Spice

In figura 6.1 riportato lo schema elettrico completo dellamplificatore Hi Fi di potenza in classe AB, ove si individuano i tre principali stadi: 1. lo stadio differenziale di ingresso costituito dai transistor Q1 e Q2, polarizzati mediante uno specchio di corrente Q3, la cui tensione di base ottenuta mediante un diodo LED; 2. lo stadio intermedio di amplificazione realizzato mediante un emettitore comune Q5; 3. lo stadio di uscita in classe AB costituito da Q8 e Q 14.

Figura 6.1 - Schema elettrico completo dell'amplificatore audio

La polarizzazione dello stadio di uscita ottenuta mediante il moltiplicatore di Vbe Q4. Come stadio di potenza si scelto una topologia che impiega due transistori di driving (Q6 e Q7), necessari ad abbassare il valore della corrente di pilotaggio dello stadio intermedio. Lamplificatore utilizza una forte retroazione negativa sia statica che dinamica, ottenuta riportando il segnale di

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uscita sullo stadio differenziale (base di Q2). La retroazione in DC necessaria al fine di evitare una tensione continua sul carico nulla ed evitare quindi il danneggiamento dellaltoparlante. La retroazione in AC, che utilizza le capacit C6 e C10, riduce la distorsione e linearizza la risposta dellamplificatore nella banda di interesse. La frequenza di taglio superiore determinata dalla capacit C17 che ha anche il duplice effetto di stabilizzare in frequenza lamplificatore, evitando auto oscillazioni. Il cappio R15-C11, compensa il comportamento della bobina dellaltoparlante alle alte frequenze. 1. Variando la resistenza R25, che in realt un potenziometro multigiro da 2 K, si effettua una regolazione della corrente di riposo nei transistori di potenza. Con una corrente a riposo di circa 70 mA si evidenzia un offset di tensione in uscita pari a -12,5 mV. 2. Mediante tale simulazione si visualizzata la risposta in frequenza dellamplificatore, determinando la frequenza di taglio inferiore e superiore e il guadagno di centro banda per i seguenti valori di C17: 100pF, 470pF, 2,2nF ottenendo i seguenti risultati: Frequenza inferiore [Hz] 100 pF 470 pF 2,2 nF 2,33 2,33 2,29 Frequenza Superiore [kHz] 375,45 184,00 46,40 Amplificazione di centro banda [dB] 26,40 26,40 26,40

Tabella 6.1 - Risultati della simulazione con valori C17 diversi


40

2.2nF

470pF

100pF

20

-20 1.0Hz

10Hz db(V(Out)/ V(In))

100Hz

1.0KHz Frequency

10KHz

100KHz

1.0MHz

Figura 6.2 - Risposta in frequenza dell'amplificatore con valori di C17 riportati in tabella 6.1

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3. Imponendo un segnale sinusoidale di frequenza 1 kHz e ampiezza pari a 1,35 Vpp allingresso dellamplificatore con la capacit C17 pari a 2,2 nF si evidenzia una distorsione armonica di 1,40*10-1%. La potenza sul carico in queste condizioni di 99,7 W ovvio che lamplificatore pu fornire una potenza maggiore al carico, purch si tolleri una distorsione armonica maggiore. 4. Imponendo un segnale di ingresso a 1 V con frequenza 1kHz, sinusoidale, e visualizzando la tensione sul collettore di Q1, si nota che in questo punto la distorsione elevata, figura 6.3, ma viene successivamente eliminata alluscita mediante la retroazione.
34.43V

34.42V

34.41V

34.40V

34.39V 0s V(Q1:c) Time 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms

Figura 6.3 - Tensione sul collettore di Q1

Visualizzando la forma donda sul collettore di Q5, si misura il guadagno di tensione e considerando il valore di gm5, prelevato dal file di uscita si valuta il valore del carico resistivo visto dal collettore di Q5 ottenendo i seguenti risultati: gm5 = 2,37*10-1 Vout (Q5) = 45,20 Vpp Vin (Q5) = 26,13 mV
Av(Q5) = VoutQ5 = 1730 VinQ5 AvQ5 7,3k gm5

Av(Q5) = gm5 * Re quivalente Re quivalente =

5. Visualizzando la corrente di collettore su Q8 si valuta la massima potenza dissipata nelle condizioni di potenza nominale in uscita che assicura la minima distorsione ammissibile. Nelle stesse condizioni si valuta anche la potenza dissipata sul driver Q7.

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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PdissQ8 =

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1 [VeQ8(t ) VcQ8(t )]* IcQ8(t )dt = 24,48W T 1 PdissQ 7 = [VbQ8(t ) VeQ7(t )]* IcQ7(t )dt = 92,82mW T

6. Nelle condizioni di simulazione del punto precedente si valuta la potenza dissipata sulle resistenze R13 e R14. PdissR13 = 1 VR13(t ) * IR13(t )dt = 4,06W T

7. Come ultimo punto della simulazione si valuta il rendimento complessivo dellamplificatore

Pload 98,516W = = 0,626 62,2% Pcc 157,256W

Alcuni di questi valori verranno verificati sperimentalmente con delle prove sul prototipo.

6.2 Dimensionamento del dissipatore

Come noto, a partire dalla massima temperatura di giunzione e dalla resistenza termica tra giunzione e case, reperibili sui data sheets (fogli tecnici) dei singoli componenti, si deve dimensionare il dissipatore in modo che la temperatura di giunzione stessa non superi i valori massimi consentiti. Normalmente il dimensionamento consiste nel determinare la resistenza termica dissipatore-ambiente. Nel nostro caso si agito allinverso, scelto il tipo di dissipatore, Allegato 7, ed il materiale termoconduttore posto tra case e dissipatore si determinata la temperatura di giunzione a cui si porta il dispositivo di potenza quando chiamata a fornire la massima potenza sul carico. Dalla simulazione Spice di cui sopra si ha che un dispositivo di potenza dissipa 24,4W quando sul carico si hanno circa 100W. Pd =24,4W Ta =35 C; jc =0,7C/W cd =0,82C/W con isolante tipo kepton da =0,73C/W

Tj Ta = Pd (jc + cd + da) Tj = Ta + Pd (jc + cd + da)

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Prima di passare ai conti bene fare una considerazione: il circuito di potenza a simmetria complementare utilizzando due BJT di potenza montati sullo stesso dissipatore per cui lequivalente termo-elettrico a cui fare riferimento il seguente:

Figura 6.4 - Equivalente termo - elettrico dei dispositivi di potenza

in cui si evidenzia che i due dispositivi di potenza sono, nellequivalente termo-elettrico, in parallelo.
0,73 + 0,82 C W Tj = 35C + 2 * 24,4W * 2 + 0,7 C = 35C + 72C = 107C W

Considerando che la massima temperatura di giunzione 150C, Allegato 5, il dissipatore scelto garantisce un buon margine di sicurezza del dispositivo dal punto di vista termico. A titolo informativo si determina la temperatura esterna a cui si porta il dissipatore :
Td Ta Td = Pd * da + Ta da Td = 48,8W * 0,73 C + 35C = 84,53C W Pd =

Con una temperatura di giunzione pari a quella calcolata la massima potenza dissipabile quando la temperatura ambiente vale 25C considerando la curva di riduzione riportata sul data sheets, vale: Pd (Tc) = Pd max 1 (Tc Tc0) = 200W 1 jc 0,7 C

(107C 25C ) = 82,85W


W

> 24,48W

Inoltre, se la temperatura di giunzione fosse pari a 150C, condizioni peggiori la potenza dissipata sarebbe nulla.

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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6.3 Dimensionamento dellalimentatore ausiliario

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Lalimentatore ausiliario ha lo scopo di alimentare la ventola del dissipatore e il rel del circuito di protezione.

Figura 6.5 - Schema elettrico dell'alimentatore supplementare

Dai fogli tecnici della ventola e del rel si evince che la prima ha un assorbimento di 160 mA e il secondo ha un assorbimento di 10 mA, pertanto questo alimentatore ausiliario chiamato ad erogare una corrente complessiva pari a 170 mA, entrambi i dispositivi hanno bisogno di una tensione pari a 12 V. Dalle specifiche di progetto di cui sopra, si nota che tra collettore ed emettitore di Q1 dovrebbe esserci una caduta di tensione pari a ben 23 V, rischiando di superare la temperatura massima di giunzione, per questo motivo si inserita in serie al collettore una resistenza R16 che ha lo scopo di abbassare la caduta di tensione ai capi del transistor. Avendo supposto una caduta di tensione sulla resistenza pari ad 8 V se ne determina il valore: R16 = V 8V = = 47 Iload 170mA

mentre la potenza dissipata sulla medesima vale:

(V )2 PdR16 =
R16 pi vicino a quello calcolato.

= 1,36W

Tale resistenza viene scelta con una potenza dissipabile pari a 2W che il valore commerciale In seguito a tale considerazione si determina la potenza dissipata dal transistore :

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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Laboratorio di Elettronica a.a. 2005-2006 PdQ1 = Iload * Vce

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Vin = V + V = 35V 8V = 27V Vce = Vin (Vz + Vbe ) = 27V (12,1 + 0,6)V = 14,3V PdQ1 = 170mA + 14,3V = 2,43W bisogna ora verificare che la potenza dissipata dal transistore non faccia superare la massima temperatura di giunzione:
Tj max = 150C

jc = 2,5C / W ca = 62,5C / W
Tamb = 35C T j = Tamb + Pd ( jc + ca ) = 192,95C

E evidente che la temperatura di giunzione supera il valore massimo consentito pertanto il transistore Q1 necessita di un dissipatore, scegliendo un dissipatore con una resistenza termica tra dissipatore e ambiente pari a 23C/W e resistenza termina tra case e dissipatore pari a 1C/W la temperatura di giunzione scende a: T j = Tamb + Pd ( jc + cd + da ) = 99,4C

valore accettabile rispetto alla massima temperatura di giunzione. Come ultima parametro si determina il valore della resistenza Rz necessaria a polarizzare il transistore e il diodo Zener
IE 0,17 A = = 340 A +1 501 (Vin Vz ) = 44 K Rz = IB IB =

data la bassa corrente in gioco, quindi bassa potenza, tale resistenza viene scelta con una potenza dissipabile pari ad di W e di valore 10K.

Capitolo 6:Progetto e Collaudo

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6.4 Dimensionamento del circuito di protezione

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Si provveduto ad implementare sulla scheda un circuito di protezione il quale offre una protezione DC per il carico, che evita il danneggiamento dello stesso a causa di una componente continua eccessiva, ed una protezione termica che evita il superamento della massima temperatura di giunzione dei BJT di potenza.

6.4.1 Circuito di comando

La prima parte del circuito di protezione quella riportata in figura 6.6 e provvede a generare un segnale di comando del vero circuito che scollega il carico.

Figura 6.6 Circuito di comando delle protezioni

Il filtro in ingresso (R23 C16) serve ad evitare che il circuito intervenga anche per basse frequenze evitando il buon funzionamento dellamplificatore per le stesse:
R 23 = 100k C16 = 10 F

= 1s f = 1Hz

I diodi in antiparallelo D6 e D7 servono ad evitare che sulle basi dei BJT Q12 e Q16 vi sia una tensione negativa o positiva rispettivamente, la quale ne causerebbe la rottura.

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Quando il segnale out ha una componente DC alta Q12 va in conduzione, Vc (potenziale del collettore) di Q12 si abbassa mandando in conduzione Q15 e quindi il segnale off assume un valore alto. Viceversa se out negativo Q16 conduce e il segnale off assume valore sempre alto.

6.4.2 Protezione DC e Termica.

Il relativo circuito riportato in figura 6.7.


Out

Figura 6.7 - Circuito di protezione

Il circuito di protezione prosegue con Q9 e Q10. Quando off alto (>0.6V) Q9 in conduzione, la sua Vce si porta al valore di saturazione di 0.2V e quindi Q10 si spegne non alimentando il rel: e quindi il carico risulta scollegato. Viceversa quando off basso Q9 spento, Q10 acceso ed il carico collegato. Si provveduto anche a ritardare di qualche secondo il collegamento del carico al momento dellaccensione dellamplificatore in modo da evitare il click sullaltoparlante che pu risultare dannoso.

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Questo ritardo dato dalla capacit C2 e dalla resistenza R26:


R 23 = 100k C16 = 47 F

= 4.7 s

La protezione termica realizzata mediante il sensore NTC che varia la sua resistenza in funzione della temperatura con la seguente legge:

RT = R N e

1 1 B T Tn

Se la temperatura aumenta la RNTC diminuisce. Si nota che la variazione di resistenza non lineare quindi un NTC adatto per una protezione ma non per una misura di temperatura. Allaumentare della temperatura, quindi, la tensione sul partitore tra RNTC e la R36 aumenta; quando questa supera la tensione di zener Q11 si accende, Q10 si spegne e il cario si scollega. Il dimensionamento basato sulla temperatura raggiunta dal dissipatore in condizioni di massima potenza, stimata a 90C. Dai dati tecnici dellNTC, a temperatura ambiente, B=4300K e RN=10k. Quindi:
1 1 4300 363 298

R90 = 10 10 e
3

= 750

Come R36 si scelto un trimmer da 10k posto a met: R36=5k. Allora a 90C si ha il partitore riportato in figura_. Si possono determinare le potenze che devono dissipare R36 e lNTC:

I=

35 = 6.1mA 5750

Figura 6.4 - Partitore di protezione termica a 90C

PNTC = R NTC I 2 = 28mW PR 36 = R36 I 2 = 185mW


Sono valori accettabili. 44

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Si determina la Vx in modo da poter scegliere il diodo Zener:

Vx = Vcc
Si scelto un diodo zener da 30V.

R NTC = 30.4V R36 + R NTC

6.5 Il PCB

Di seguito sono riportati i piani del PCB dellamplificatore audio di potenza progettati da noi con il Protel e realizzati presso una ditta esterna. Le dimensioni reali della basetta sono: h 12,6 cm l 16,3 cm 1. Top Layer

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2. Bottom Layer

3. Top Overlay

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6.6 Verifiche sperimentali sul progetto

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Le prove sperimentali sul progetto sono state effettuate su un carico resistivo da 4 100W (Vedi figura 6.6.1) imponendo un segnale sinusoidale in ingresso di 2.48 Vpp e frequenza 1kHz.

Figura 6.9 - Carico resistivo 4 100W

Figura 6.10 - Segnale di ingresso e di uscita analizzati con l'oscilloscopio

Verificando il guadagno in queste condizioni si sono ottenuti approssimativamente i valori calcolati in fese di progettazione: Av = 30.27 V/V ; 29.62dB

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La successiva verifica stata fatta per determinare la banda passante dellintero amplificatore, come da figura 6.6.3

Banda di frequenza 30 25
Guadagno [dB]

20 15 10 5 0 1 10

2.15Hz,23.4dB

65kHz,23.4dB

100

[Hz] 1000

10000

100000

Frequenza (log)

Figura 6.11 - Banda passante dell'amplificatore rilevata sperimantalmente

Lultima verifica stata la determinazione del rendimento nelle condizioni di cui sopra:
1 Vo 2 = 82.56W Po = 2 RL Pcc = 129W

Po = 0.64 Pcc

64%

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Figura 6.12 - Vista complessiva del prototipo dell'amplificatore

Figura 6.13 - Particolare del dissipatore con ventola

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Con riferimento allo schema elettrico di figura 6.1. si elencano i componenti utilizzati nella realizzazione del progetto dellamplificatore audio: Q1, Q2, Q3, Q4, Q9 Q10, Q11, Q12 Q5, Q6 Q7 Q8 Q13 Q14 Q15, Q16 R1, R6 R2, R3, R8 R4 , R18 R5, R7, R10 R9, R11 R12, R17 R13, R14 R15 R16 R19,R24,R29 R20, R21,R23,R26,R27 R22 R25,R30 R28 N 1 Rel 12 V 2 scambi N 2 Portafusibili da stampato N 2 Fusibili 3 A BC546B BC546B MJE15035 MJE15034 MJL21193 TIP112 MJL21194 BC556B 2,2 K W 560 W 220 W 22 K W 1 K W 3,3 K W 0,33 5 W 10 2 W 47 2 W 10k W 100k W 47k W Trimmer 10k 4.7k W C1, C3 C2, C4 C5 C6, C10 C7, C8, C11, C12 C13, C15, C18 C16 C9 C14 C17 4700F 50V elettrolitico 47F 50V elettrolitico 4,7 F 50V elettrolitico 100 F 63V elettrolitico 100 nF 100V poliestere 100 nF 100V poliestere 10 F 100V poliestere 22 pF ceramico 10 pF ceramico 47 pF ceramico D1 D2 D3 D4, D5, D6, D7 D8 Diodo LED verde 1N4148 UF4002 1N4148 Zener 30.1V

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Allegato 1:BC546

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Allegato 1:BC546

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Allegato 1:BC546

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Allegato 1:BC546

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Allegato 2: BC 556

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Allegato 2: BC 556

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Allegato 2: BC 556

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Allegato 2: BC 556

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 3:TIP 115/117

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Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035

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Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035

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Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035

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Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035

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Allegato 4: MJE 15034/MJE 15035

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 5: MJL 21193/MJL 21194

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Allegato 6: Dissipatore per TO 220

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Allegato 7: Dissipatore con ventola

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Allegato 7: Dissipatore con ventola

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Allegato 9: NTC

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Allegato 9: NTC

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Allegato 9: NTC

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Allegato 9: NTC

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Allegato 9: NTC

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Allegato 9: NTC

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