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Esercitazioni Ing. Saponara Corso: Autronica (LS Veicoli Terrestri) a.a.

2005/2006

4. Amplificatori lineari a transistors


4.1 Transistor BJT
Analizziamo ora uno stadio per amplificazione dei segnali basato su transistori bipolari BJT (Bipolar Junction Transistor) ed in particolare ne vedremo uno realizzato con BJT di tipo npn di cui riportiamo di seguito struttura fisica e simbolo circuitale. Poich il BJT come altri transistors (MOSFET e JFET) un dispositivo a tre terminali (base, emettitore e collettore) ma, allinterno dei circuiti, viene usato come un quadripolo con una porta di ingresso ed una di uscita allora uno dei tre terminali a comune tra ingresso e uscita: si hanno cos le configurazioni a - emettitore comune o CE, mostrata in figura, (con terminali di ingresso base e emettitore; terminali di uscita collettore ed emettitore), - collettore comune o CC (terminali di ingresso base e collettore; terminali di uscita emettitore e collettore), - base comune o CB (terminali di ingresso emettitore e base; terminali di uscita collettore e base). La configurazione utilizzata per ottenere amplificazione quella ad emettitore comune (CE) che analizzeremo.

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Esercitazioni Ing. Saponara Corso: Autronica (LS Veicoli Terrestri) a.a. 2005/2006 Di seguito si riportano le caratteristiche di ingresso (IB vs VBE, per vari VCE) e di uscita (IC vs VCE, per vari IB) di un possibile transistor BJT. Gli andamenti qualitativi delle curve sono validi in generale per i BJT mentre i valori numerici sono validi per un particolare BJT: In particolare le caratteristiche prese a riferimento valgono per un BJT in applicazioni a bassa potenza: infatti i range possibili di funzionamento riportati nelle figure prevedono in uscita correnti max. di 12 mA e tensioni di 14V ovvero potenze di uscita dellordine delle decine-centinaia di mW. (i.e. con questo particolare BJT un amplificatore audio da diversi W non si pu realizzare) Per lingresso le correnti in gioco sono dellordine delle decine di A. In particolare interessante notare che in uscita, a patto di lavorare nella zona attiva (caratteristiche piatte), c una I corrispondenza lineare tra uscita IC e ingresso IB con un fattore di proporzionalit = C 300 IB Tipicamente i BJT per applicazioni di potenza supportano tensioni e correnti, e quindi potenze, maggiori ma hanno dei guadagni minori di 300, tipicamente dellordine di diverse decine.

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4.2 Amplificatore a BJT in configurazione CE


4.2.1 Schema circuitale
Si consideri lo schema circuitale in figura che riporta un completo sistema sorgente-amplificatoreutilizzatore dove la sorgente del segnale di interesse da amplificare modellizzata con generatore Vs e resistenza di sorgente Rs, utilizzatore modellizzato con resistenza RL e amplificatore costituito da BJT e resistenze R 2 , R1 , RC , R E . Vi inoltre una sorgente di alimentazione Vcc (ottenuta da una batteria o tramite un convertitore AC/DC a partire da una sorgente in alternata) e dei condensatori di blocco C1 e C2. I valori di tensione e corrente nel circuito saranno dati dalla sovrapposizione di una componete costante che determineremo sul circuito di polarizzazione in DC e di una variabile, legata a Vs, che vogliamo amplificare ed inviare allutilizzatore.

4.2.2 Polarizzazione e circuito per variazioni


Studiamo cosa avviene in continua, in assenza di segnale informativo Vs variabile nel tempo, quando agisce solo generatore Vcc. Poich in continua (frequenza nulla) le capacit si comportano come impedenze di valore infinito 1 Z( f ) = = per f = 0 esse si sostituiscono con dei circuiti aperti. Difatti tali capacit sono j 2fC dette di blocco (bloccano la continua) o di disaccoppiamento (disaccoppiano per la continua, ovvero quando agisce generatore di alimentazione Vcc, la sorgente dallamplificatore e dal carico). Pertanto in continua Vo=0 ed il circuito quello riportato a pagina 26 in figura (a) ed in versione semplificata con Thevenin in figura (b). Tale circuito detto circuito di polarizzazione del transistor e fissa il punto di lavoro a riposo, ovvero in assenza di segnale Vs, dellamplificatore. Ovviamente le correnti e tensioni del transistor saranno non nulle ed il transistor assorbe potenza dallalimentazione in continua che poi trasferir al segnale Vs, amplificandolo, per le variazioni. 24

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4.2.3 Rendimenti e classi di amplificazione


In genere tale trasferimento energico avviene con un rendimento =
Po dove Po=Potenza utile Pa lim passata al carico e Palim= Passorbita da alimentazione Vcc . Negli amplificatori lineari (detti in classe A) con carico resistivo, tipo quello che stiamo analizzando, tale rendimento basso: max. teorico del 25%. Tale rendimento pu salire fino al 50% teorico nel caso di amplificatori lineari con carico induttivo. Per ottenere rendimenti maggiori si deve ricorrere ad amplificatori basati sulla tecnica PWM (Pulse Width Modulation) con rendimenti teorici del 100% e reali del 80-90%. Con tali amplificatori detti anche in classe D si paga lo scotto di una minore linearit della risposta (la PWM una modulazione intrinsecamente non lineare).

4.2.4 Zona di funzionamento lineare e saturazione


Da notare che la scelta di Vcc e del punto di polarizzazione determinano anche la dinamica (i.e. massimi valori in ampiezza che si possono avere in tensione o in corrente per il segnale variabile di uscita) al di sopra del quale lamplificatore smette di funzionare in zona lineare. In tal caso in uscita lamplificatore smette di fornire repliche fedeli ed amplificate del segnale di ingresso, e sorgono problemi di saturazione con conseguenti fenomeni di distorsione noti come clipping di cui nella figura (difatti luscita ideale tracciata in giallo non viene fornita perch lamplificatore taglia le parti che eccedono la massima dinamica di uscita e fornisce luscita in rosso).

0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320 340 360

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4.2.5 Polarizzazione di CE con e senza reazione (RE)

Applicando thevenin si ha Vth = Vcc

R2 R R e Rth = R1 // R 2 = 1 2 R1 + R 2 R1 + R 2 Lequazione alla maglia di ingresso, maglia I in figura (b), : Vth = Rth. I B + V BE + R E ( I B + I C ) Rth. I B + V BE + R E I C poich vero che

I B << I C ( I C 300 I B

nel caso di esempio)

Lequazione alla maglia di uscita, maglia II in figura (b), : Vcc = RC I C + VCE + R E ( I B + I C ) RC I C + VCE + R E I C = ( RC + R E ) I C + VCE poich vero che I B << I C ( I C 300 I B nel caso di esempio) Per quanto riguarda lequazione di uscita Vcc = ( RC + R E ) I C + VCE se riportata sulle caratteristiche grafiche di uscita del BJT si avr una retta, detta retta di carico, passante per i punti Vcc (I C = , VCE = 0) e ( I C = 0, VCE = Vcc) ( RC + R E ) Il punto di lavoro in continua, detto anche punto di riposo o punto operativo, dato dallintersezione di tale retta con una delle curva di uscita del BJT, quella fissata da IB sulla maglia di ingresso (vedi figura sottostante per una indicazione qualitativa)

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Esercitazioni Ing. Saponara Corso: Autronica (LS Veicoli Terrestri) a.a. 2005/2006 Analizzando lequazione alla maglia di ingresso si vede che questa, per la presenza di RE dipende non solo da IB ma anche da IC (il quale a sua volta dipende anche da IB come visto nellequazione della maglia di uscita) R2 R R Vcc = 1 2 I B + V BE + R E I C R1 + R 2 R1 + R 2 Si ha dunque che RE introduce una reazione negativa nel circuito delluscita sullingresso, ci come vedremo pi avanti nel richiamare la teoria dei sistemi reazionati d dei benefici in termini di stabilizzazione delle prestazioni dellamplificatore vs. variazione dei parametri dovuti a invecchiamento, variazioni della temperatura, spreading tecnologico nella realizzazione industriale dei dispositivi. Altri vantaggi riguardano la riduzione di disturbi, lallargamento della zona di funzionamento lineare e della banda. La reazione ha anche influenza sulle impedenze di ingresso ed uscita del sistema elettronico. Di contro vedremo che la reazione comporta una diminuizione del guadagno ottenibile. Ritornando al nostro circuito vediamo di risolvere questo problema iterativo (IB dipende da IC in maglia di ingresso il quale a sua volta dipende da IB in maglia di uscita) in due casi diversi
Caso 1) La rete non reazionata RE=0 Caso 2) La rete reazionata RE0 Soluzione Caso 1) La rete non reazionata RE=0 In questo caso in maglia di ingresso potremo scrivere R2 R2 Vcc V BE Vcc 0 .7 R2 R1 R2 R1 + R2 R1 + R 2 Vcc = I B + V BE > I B = R1 R2 R1 R2 R1 + R 2 R1 + R2 R1 + R 2 R1 + R2 infatti da caratteristiche di ingresso del BJT emerge che, se corrente di ingresso IB significativamente non nulla, allora V BE 0.7 . Pertanto fissate Vcc e i valori delle resistenze allora IB nota e riportandola sul grafico di uscita trovo anche IC e VCE

Esempio numerico: Vcc= 5 V C1 = 10 F , C 2 = 10 F R 2 = 360 K, R1 = 360 K, ( RTH = 180 K), RC = 1K, R E = 0 2.5V 0.7V 1.8V allora I B = = 10A 180 K 180 K

Riporto retta di carco su caratteristiche di uscita nei punti ( I C =

Vcc = 1mA, VCE = 0) e ( RC + R E ) ( I C = 0, VCE = Vcc = 5V ) ed ho che punto di lavoro in continua ( I B 10A, I C 3mA, VCE 2V ) La potenza assorbita dallalimentazione vale circa 5V3mA=15 mW

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Soluzione Caso 2) La rete reazionata RE0 e si fa ipotesi (non sempre vera a priori e da verificare a posteriori) che in maglia di ingresso Rth I B << R E I C lequazione alla maglia di R2 Vcc 0.7 Vth V BE R1 + R2 ingresso diventa Vth V BE + R E I C > I C = RE RE In tali condizioni IC nota e riportandola sul grafico di uscita trovo anche IB e VCE

Esempio numerico: Vcc= 14 V R 2 = 40 K, R1 = 160 K, ( RTH = 32 K), RC = 1.7 K, R E = 600 R2 Vcc 0.7 R1 + R2 2.1V allora I C = 3.5mA RE 600

Vcc = 6.1mA, VCE = 0) e ( RC + R E ) ( I C = 0, VCE = Vcc = 14V ) ed ho che punto di lavoro in continua ( I B 10A, I C 3.5mA, VCE 7.5V ) La potenza assorbita dallalimentazione vale circa 14V3.5mA=49 mW Riporto retta di carco su caratteristiche di uscita nei punti ( I C = Ora verifico ipotesi iniziale che Rth I B << R E I C > 32 K 10 A = 320mV << 600 3.5mA = 2100mV C un fattore di rapporto circa 6.6, ovvero ho fatto una ipotesi di approssimazione che mi permette di semplificare i conti ma comporta un errore nei conti di circa il 15%. Pu andare bene per dei conti carta e penna perch raffiner analisi con strumenti di progettazione CAD e poi realizzazione di prototipi.
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4.2.6 Circuito per le variazioni


Studiamo ora cosa avviene a centro banda ovvero, in presenza di segnale informativo Vs variabile nel tempo, e a frequenze per cui il generatore Vcc di continua non agisce (per le variazioni Vcc si cortocircuita) e le capacit si comportano come impedenze di valore molto piccolo tali da poterle considerare anche esse come dei cortocircuiti. In seguito analizzeremo la risposta in frequenza dellamplificatore. Il circuito per le variazioni diventa dunque il seguente

A questo punto v sostituito al transistor (nel nostro caso un BJT di tipo NPN) il suo modello linearizzato per le variazioni che, in una versione semplificata, il seguente

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r che per la trattazione che facciamo coincide con rbe e spesso chiamata hie (resistenza di Input del modello a parametri Hybrid nel circuito in montaggio a common Emitter) e vale circa a temperatura 26mV ambiente pari a circa 2600 nellesempio numerico 1 (Ic era 3 mA) e 2200 Ic nellesempio numerico 2 (Ic era 3.5 mA) il fattore di guadagno del generatore di corrente per le variazioni ic controllato in corrente (corrente di ingresso per le variazioni ib) e vale per il BJT considerato circa 300. Poich in ingresso, per le variazioni, vbe= r ib allora possibile in alternativa fare uno schema in cui nel circuito di uscita si mette un generatore di corrente per le variazioni ic controllato da tensione vbe vbe 300 = g m vbe con g m = = = 0.115 1 nel caso numerico 1 e Infatti ic = ib = r 2600 r 300 = = 0.136 1 nel caso numerico 2. gm = r 2200 Da notare come negli amplificatori i parametri equivalenti per le variazioni sono influenzati dalla scelta del punto di funzionamento (ecco ulteriormente perch importante avere un punto di polarizzazione stabile) Dopo la sostituzione del BJT con il suo modello linearizzato si ottiene il circuito seguente dove R RL R R R B = R1 // R 2 = 1 2 e RC = RC // R L = C R1 + R 2 RC + R L

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4.2.7 Guadagno a centro banda per CE non reazionato (senza RE)

Calcoliamo il guadagno in tensione Richiamiamo i valori numerici del caso 1: R 2 = 360 K, R1 = 360 K, ( R B = 180 K), RC = 1K, R E = 0, R L = 1K( RC = 500), Rs = 50

r = 2600 , = 300 ( g m = 0.115 1 )


Dal circuito semplificato per le variazioni si ha che nella maglia di uscita vo = RC ic = RC g m vbe In ingresso sia ha che RB = 180 K trascurabile nel parallelo con r = 2600 (70 volte pi piccola) e pertanto applicando formula del partitore di tensione alla maglia che ingloba Vs, Rs e r r si ha vbe = vs e pertanto r + Rs r vo = RC g m vbe = RC g m vs > r + Rs
> Av = vo r 2600 = RC g m = 500 0.115 = 56.4 vs r + Rs 2600 + 50

Ovvero a centro banda mi aspetto che lamplificatore inverte il segnale (i.e. introduce un ritardo in fase di 180 gradi) e lo amplifica di 56.4 ovvero di circa 35 dB. Calcoliamo ora il guadagno in corrente io=ic= ib ma siccome RB = 180 K trascurabile nel parallelo con r = 2600 allora ib=is ic= ib il guadagno in corrente vale =300 pari a circa 49.5 dB

4.2.8 Adattamento di impedenza e buffer


Da notare che il guadagno in tensione Av dipende da RC e quindi anche dal carico offerto dallutilizzatore: Se R L >> RC = 1K allora nel parallelo RC = RC // R L RC = 1K e il guadagno dellamplificatore raddoppia e diviene pari a -112,8 (circa 41 dB). Tale guadagno il massimo ottenibile con questo amplificatore. Se R L << RC = 1K allora nel parallelo RC = RC // R L R L e il guadagno dellamplificatore dipende linearmente da R L : e.g. se R L = 100 il guadagno diventa 11.28. Se R L = 8 tipico di altoparlanti audio il sistema invece di amplificare attenua poich il guadagno in tensione diventa circa 0.9. Da qui limportanza nella connessione in cascata di quadripoli delladattamento di impedenza. In particolare per massimizzare il guadagno per segnali in tensione si richiede che limpedenza di uscita del sistema a monte ( RC nellesempio) sia molto minore di quella di ingresso del sistema a valle ( R L nellesempio). Esistono circuiti detti buffer che hanno guadagno in tensione circa unitario (ma guadagno in corrente maggiore di uno e quindi amplificano in potenza) e hanno alta impedenza di ingresso e bassa impedenza di uscita. I buffer vengono interposti tra due sistemi in cascata non adattati per realizzare ladattamento di impedenza . Essi sono realizzabili con amplificatore operazionale in reazione negativa (vedi lezioni successive) o con transistor in montaggio a collettore comune (se BJT) o drain comune (FET). 31

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4.2.9 Guadagno a centro banda per CE reazionato (con RE)


r = 2200, = 300( g m = 0.136 1 )

Richiamiamo i valori numerici del caso 2: R 2 = 40 K, R1 = 160 K, ( R B = 32 K), RC = 1.7 K, R E = 600, R L = 10 K( RC = 1450), Rs = 50

Questa volta lanalisi pi complessa a causa della presenza della resistenza di reazione RE Dal circuito semplificato per le variazioni si ha per la maglia di uscita vo = RC ic = RC ib Calcoliamo ora Rx, la resistenza data dal contributo di r e RE e che finisce in // a RB. Si ha allora Rx = che ma

vb = r ib + RE ie = r ib + RE (ib + gm vbe) = r ib + RE (ib + ib) = ib[r + RE (1+ )]


vb = r + RE (1 + ) = 2200+ 600 (301 ) = 182800 ib

Questa volta la RB di 32 K non trascurabile nel parallelo con una resistenza equivalente di 182800 . Si pu dimostrare che scrivendo un po di equazioni circuitali si arriva a determinare che 1 ib = vs > r R E ( + 1) [ + + 1] [ Rs + R B //[ R E ( + 1) + r ]] RB RB

> ib = vs [
ma allora

1 2200 600 301 + + 1] [50 + 32000 // 182200] 32000 32000

= vs

1 1 = vs 6.7125 27282 183130

vo = RC ib = RC vs

1 r ( + 1 ) RE [ + + 1] [ Rs + R B //[R E ( + 1) + r ]] RB RB vo 1 1450 300 Av = = RC = = 2.375 r R E ( + 1) vs 183130 [ + + 1] [ Rs + R B //[R E ( + 1) + r ]] RB RB

Nello stesso caso numerico ma con RE =0 avrei avuto vo 1 1450 300 Av = = 193 = RC = r vs 2253.5 [ + 1] [ Rs + R B // r ] RB Come annunciato luso della reazione riduce il guadagno, quanto maggiore il valore di RE tanto pi pesa la reazione e si riduce il guadagno. Da notare che se il guadagno intrinseco del transistore elevato allora si pu nella relazione del guadagno dellamplificatore reazionato fare la seguenti approssimazioni che portano a dire che il guadagno non dipende da amplificazione intrinseca del transistor (e quindi non dipende dalle

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Esercitazioni Ing. Saponara Corso: Autronica (LS Veicoli Terrestri) a.a. 2005/2006 variazioni e tolleranze elevate dei parametri dei transistors) ma viene fissato da un rapporto di resistenze e quindi dipende dalle loro tolleranza e variazioni (minori rispetto a quelle dei transistors): 1 1 RC > Av = RC r RE R E ( + 1) [ ] [ Rs + R B //[R E ]] [ + + 1] [ Rs + R B //[R E ( + 1) + r ]] RB RB RB
> Av [ RE ] [ Rs + R B ] RB RC RC RC R RE [ E ] RB RB

Pertanto guadagno e tolleranze dellamplificatore reazionato sono fissabili come desiderato dimensionando opportunamente rapporto tra resistenza di uscita e resistenza di reazione.

4.3 Teoria generale reazione


Lamplificatore a BJT in configurazione CE con reazione data RE un esempio d amplificatore reazionato in cui parte del segnale di uscita dellamplificatore principale (blocco A con guadagno >>1) viene prelevato e riportato in ingresso tramite una rete di reazione (blocco , spesso fatta con elementi passivi e quindi con guadagno <1) a formare insieme al segnale di ingresso leccitazione del blocco A stesso. Come riportato di seguito il sistema reazionato ha un guadagno in modulo pari a 1/ poich <1 allora 1/ maggiore di uno e quindi il sistema reazionato ancora un amplificatore. La sua stabilit e le sue tolleranze dipendono non da quelle del blocco A ma da quelle del blocco (e.g. un rapporto di resistenze nellesempio di prima di amplificatore CE con RE ). Nota: in questo paragrafo il simbolo non si riferisce al guadagno intrinseco in corrente del BJT ma al blocco che costituisce la rete di reazione

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Vs VR

VR = VS + VU VU = A VR VR = VS + A VR VU A = VS 1 A per A < 0 e VU 1 = VS

VU

A >> 1

4.4 Risposta in frequenza di amplificatori


4.4.1 Diagramma di ampiezza e fase di CE
Per quanto riguarda la risposta in frequenza, diagrammi di Bode di ampiezza e fase, degli amplificatori fino ad ora analizzati si ha che si tratta di circuiti con due elementi reattivi, i condensatori di blocco C1 e C2, e quindi due poli. I due elementi reattivi danno anche due zeri nellorigine: infatti per frequenza nulla abbiamo visto sul circuito della polarizzazione che vo=0. Il guadagno a centro banda (con le C cortocircuitate) stato gi calcolato e ad esempio per il caso numerico 1 del CE senza RE abbiamo trovato 56.4 pari circa 35 dB. Quindi il sistema sembra avere un comportamento passa alto. Come visto nelle lezioni precedenti le frequenze dei poli sono legate alle costanti di tempo date dal prodotto di ciascuna capacit C per la resistenza Rvista che la capacit vede nel circuito. Pertanto 1 1 sar f 1 = e f2 = 2 C1 Rvista1 2 C 2 Rvista 2 Nel caso di interesse si trova dalle equazioni del circuito che

Rvista1 = Rs + RB // r = 50 + 180000 // 2600 = 2612 Rvista 2 = RC + RL = 2000


Le capacit valevano entrambe 10 F e pertanto avr due poli distinti ma molto vicini e pari a circa 8 Hz per f2 e pari a 6 Hz per f1 Il diagramma di Bode di ampiezza salir dal valore di - per frequenza nulla con una pendenza di +40 dB/decade (contributo dei due zeri) finch oltre gli 8 Hz si avr un asintoto parallelo ad asse ascisse e di valore +35 dB. 34

Esercitazioni Ing. Saponara Corso: Autronica (LS Veicoli Terrestri) a.a. 2005/2006 Per il diagramma di Bode in fase si partir con un valore in fase nullo (asintoto a +180 gradi dovuto a 2 zeri in origine si compensa con asintoto a -180 dovuto a segno di amplificazione). A partire dai 0.6 Hz fino agli 80 Hz si avr il contributo dei due poli che si esaurisce oltre gli 80 Hz dove si ha uno sfasamento di -180 gradi

Diagramma di Bode di Ampiezza

Diagramma di Bode di Fase

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4.4.2 Limiti in frequenza dei transistor


Nella realizzazione pratica del circuito i diagrammi reali differiscono da quelli riportati perch i transistor (BJT e FET) hanno delle capacit parassite che il modello semplificato per le variazioni da noi utilizzato non considerava. Al crescere della frequenza tali capacit fanno sentire il loro effetto introducendo dei poli per cui il comportamento reale che ci dobbiamo aspettare sar di tipo passa banda con limite inferiore di banda fissato da C1 e C2 e limite superiore fissate dalle C parassite del transistor. Transistor bipolari discreti hanno limiti di funzionamento in frequenza fino alle centinaia di MHz mentre con circuiti integrati a bipolari al silicio (Si) o ancora meglio al silicio-germanio (SiGe) si fanno ricevitori radio con frequenze dei GHz. Per andare a frequenze ancora pi elevate si utilizzano dispositivi MESFET, sono tipo i JFET ma fatti con Arsenuro di Gallio - AsGa invece che silicio.

4.5 Amplificatori a FET (MOSFET o JFET)


4.5.1 BJT vs FET
Considerazioni analoghe a quelle fatte per i BJT possono essere fatte usando transistor ad effetto di campo (FET). Ad esempio per i MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) su cui torneremo nella parte sui circuiti digitali e per i JFET (Junction FET) si hanno, come nel BJT, tre terminali chiamati gate, source e drain e 3 tipi di montaggi: a source comune (CS), a drain comune (CD) e a gate comune (CG) con propriet analoghe ai corrispondenti montaggi con BJT a emettitore comune, a collettore comune e a base comune. I FET sono caratterizzati da avere corrente di ingresso IG pressoch nulla, quindi rispetto a BJT i FET offrono una resistenza di ingresso molto elevata. Come vedremo per i circuit a MOS nella parte digitale limpedenza di ingresso di tipo capacitiva. Mentre i BJT si comportano come generatori di corrente di uscita IC controllati da corrente di ingresso IB i FET si comportano come generatori di corrente di uscita ID controllati da tensione di ingresso VGS. Il guadagno intrinseco offerto dai BJT e le correnti che il transistor in grado di erogare sono tipicamente superiori a quelli offerti dai FET (per dimensioni costruttive comparabili). I BJT rispetto ai FET hanno lo svantaggio di una maggiore dipendenza delle caratteristiche dalla temperatura (con un coefficiente termico positivo) che per applicazioni tipo automotive, dove si hanno range di lavoro per lelettronica da -55 a 125 gradi centigradi un limite importante. Ecco di seguito simbolo, caratteristica di uscita (ID vs VDS, per vari VGS) e la transcaratteristica ingresso-uscita (ID vs VGS) di un possibile MOS a canale n e di un possibile JFET a canale n. Nota che a differenza di MOS e BJT il JFET funziona con tensioni di ingresso VGS negative

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4.5.2 MOSFET (ad arricchimento)

oppure

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4.5.3 JFET

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4.5.4 Esempio di configurazioni circuitali di JFET o MOSFET in montaggio a source comune con reazione tramite resistenza di source

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