Sei sulla pagina 1di 7

ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A BJT

A BASE COMUNE
(Dati uguali allEsempio di par.8.4.2, Fig.8.69
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)
Calcolare il punto di lavoro del BJT Q1 di Fig.1, la funzione di trasferimento a media frequenza vo /iin , le amplificazioni
di tensione Av=vo /vi e di corrente Ai =il /ii , lamplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di
uscita Ro nei punti P1 e P2 indicati. Si trascuri leffetto Early.

VCC = 5 V

vi
i in

Ri

ii

P1

R IN
10k

RL
2k
P2

il

C IN

Q1

RE
4.3k

Ro
vO

=100
VBE =0.7 V

-V EE = -5 V
Fig.1. Circuito con transistor BJT connesso a Base Comune

Soluzione:
a schema equivalente completo
Si pu sostituire il transistor con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali
sia ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 fatto per facilitare la comprensione degli sviluppi
successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

B
+

C IN

i in

R IN
10k

v BE
-

vO

iC ( v BE )
E

RE
4.3k

VEE
+

RL
2k

+
VCC
-

v BE =VBE + r i b
iC =IB + gmvbe

Fig.2. Schema equivalente completo

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-1

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

Nello schema equivalente del transistore, la tensione totale vBE si considera la somma della tensione continua del punto
di lavoro VBE , funzione come noto della corrente IC , pi un termine incrementale ai piccoli segnali pari al prodotto r
ib . Analogamente, la corrente totale di collettore iC si considera la somma di un termine continuo, relativo al punto di
lavoro, IB , pi un termine ai piccoli segnali gm vbe .
In base al principio della sovrapposizione degli effetti, lo schema equivalente completo si pu scindere in uno schema
equivalente ai grandi segnali, che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del BJT, ed in
uno schema equivalente ai piccoli segnali, su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste, che sono
appunto relative al comportamento ai piccoli segnali.
Spesso, e in particolare in questo caso, interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda, cio a frequenze
diverse dalla continua ma non troppo alte. In questo caso, di solito, i condensatori impiegati nello schema hanno valori
tali per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. Perci,
se non specificato diversamente, i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e
corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali.
b studio ai grandi segnali
In base a quanto detto, si osserva che, ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali, la parte di circuito a
monte di CIN , che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN , si pu ritenere scollegata dal resto del
circuito e senza effetti. Essa viene quindi omessa. Lo schema che si ricava mostrato in Fig.3.

RL
2k

IL
VB B

IB

IC

+
VBE
-

VEE = 5 V
+

VC

vO

IB
IE

RE

+
VCC = 5 V
-

E
VE

4.3k
VBE = 0.7 V
Fig.3. Schema equivalente ai grandi segnali
per la determinazione del punto di lavoro

Si suppone che il BJT sia in condizioni di zona attiva e che la tensione base-emettitore sia di fatto VBE =0.7 V.
Considerando la maglia che va dalla base del BJT allemettitore e comprende RE e il generatore VEE , si pu scrivere
0 VBE R E I E ( VEE ) = 0
da cui, sostituendo i valori

(1)

VEE VBE
5 0.7
=
= 1 mA
RE
4.3 10 3
Poich, con i versi indicati nello schema, IE =IC +IB e IC =IB , si ha
IE =

IC =

100
IE = IE =
1 10 3 = 0.99 mA
+1
100 + 1

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-2

(2)

(3)
Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

Nota la IC , si calcola immediatamente la tensione di collettore VC


VC = VCC R L I C = 5 2 10 3 0.99 10 3 = 3.02 V
(4)
Come si vede dallo schema, la tensione di emettitore VE =VBE =0.7 V.
La tensione tra collettore ed emettitore risulta perci VCE =VC VE =3.02(0.7)=3.72 V. Essendo VCE >0.2 V, si
conferma che il transistor in zona attiva.

c studio ai piccoli segnali


Dallo schema equivalente completo, azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di
alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa, sostituendo il condensatore CIN con un corto circuito e
inserendo tra Base, Emettitore e Collettore lo schema equivalente del BJT ai piccoli segnali, si ottiene lo schema
equivalente ai piccoli segnali di Fig.4.

vb B

ib

ic
+
vbe
-

vi
i in

R IN
10k

ii

Ri

ie
Ve

P1

C vc

gmvbe

P2
RL
2k

Ro
vO

il

RE
4.3k

Fig.4. Schema equivalente ai piccoli segnali

Poich noto il punto di lavoro del BJT, ed in particolare nota la corrente di collettore IC , si pu determinare la
transconduttanza gm (che un parametro ai piccoli segnali). Come noto si ha
IC
0.99 10 3
(5)
=
= 38.077 10 3 Siemens
3
VT
26 10
dove VT la tensione termica (thermal voltage) data da VT =kT/q, con k costante di Boltzmann, T temperatura assoluta
in gradi Kelvin, q carica dellelettrone. Essendo k=1.38066 10-23 J/K, q=1.60218 10-19 Coulomb, e assumendo una
temperatura di 27C e quindi di 300K, si ottiene VT =25.85 mV 26 mV.
Il valore della resistenza differenziale di base r si ricava dalla nota formula
gm =

r =

100
=
= 2.626 k
gm
38.077 10 3

(6)

E conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali, sostituendo il circuito connesso allemettitore con
un generatore equivalente di Thvenin, come mostrato in Fig.5.
Dallo schema di Fig.4 la tensione a vuoto vin, che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN , RE ed il
generatore di corrente iin , vale
v in = i in (R IN // R E ) = i in

R IN R E
10 10 3 4.3 10 3
= i in
= iin 3 10 3
R IN + R E
10 10 3 + 4.3 10 3

(7)

La resistenza equivalente RIN si ottiene nello stesso circuito annullando, cio aprendo, il generatore di corrente iin . La
RIN quindi data dal parallelo di RIN e di RE
Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-3

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

R IN = (R IN // R E ) =

R IN R E
10 10 3 4.3 10 3
=
= 3 k
R IN + R E 10 10 3 + 4.3 10 3

vb B

ib
r

R'IN

i'in

ic
+
vbe
-

C vc

gmvbe

ie

(8)

vO
RL
2k

il

Ve

3k

+
v'in
-

Fig.5. Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto


Nello schema ridotto di Fig.5, ricordando che
ic = gm v be

(12)

ic

(13)

ie = ic + ib

(14)

ib =

e quindi
ie =

+1
+1
ic =
gm v be

(15)

considerando la maglia che comprende base, emettitore, RIN e vin si pu scrivere


0 v be R IN ie v in = 0
Tenendo conto della (15) si ricava

(16)

+1

v in + 1 +
gmR IN v be = 0

(17)

1
+1
gm R IN
1+

e sostituendo nella (12) e nella (15)


v be = v in

ic = v in

ie = v in

(18)

gm
+1
gm R IN
1+

(19)

gm

1 + gm R IN
+1

(20)

Inoltre, dallo schema si ha

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-4

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

gmR L
+1
gm R IN
1+

Si pu definire unamplificazione di tensione Av =vo /vin che risulta dalla (21)


v o = R L id = v in

A v =

vo
=
v in

A v =

RL
100 2 10 3
=
= 0.654
r + ( + 1)R IN
2.626 10 3 + (100 + 1) 3 10 3

(21)

gm R L
RL
gm R L
=
(22)

+1

IN
(
)
r
+

+
1
R
1
+
g
R

IN
m
1+
gm R IN

dove la semplificazione valida soprattutto se >>1. E da notare che, per la connessione a base comune,
lamplificazione di tensione Av positiva.
Con i dati del caso in esame, dalla (17) si ricava

(23)

Dalle (6) e (20) si ha


+1
(24)
r + ( + 1)R IN
e osservando che ve =-vbe , dalla (14) e dalla (20) si ricava il rapporto re =ve /ie , che pu essere considerato come la
resistenza di ingresso in emettitore del BJT a base comune. Si ottiene
i e = v in

ve
r
1
=

(25)
( + 1) gm
ie
Si pu definire inoltre il rapporto Ai =il /iin come lamplificazione di corrente relativa allo schema di Fig.5. Dallo
schema, dalla (15) e dalla (24) si ha
re =

i
il

= c =
= +1
iin
+1
ie
Anche lamplificazione Ai dunque positiva.
Con i dati del caso in esame
A i =

(26)

100
= 0.99
(27)
100 + 1
Il calcolo dellimpedenza di uscita Ro dello schema ridotto si fa supponendo di annullare tutti i generatori indipendenti
(nel nostro caso si sostituisce vin con un corto circuito), di applicare un generatore di tensione vx alluscita (dove si
misura vo ), come mostrato in Fig.6, e di calcolare la corrente ix iniettata
A i =

vb B

ib
r

i'in

ic
+
vbe
ie

R'IN

Ve

vO

C vc

gmvbe

RL
2k

il

ix
+
vx
-

3k

Fig.6. Schema per il calcolo dellimpedenza di uscita Ro


E evidente, dallo schema, che ix =il +ic e che vc =vo =vx . Perci il =vx /RL .
La corrente ic provocata dalla tensione vx applicata al collettore nulla. Infatti, supponendo ad esempio che si abbia
una corrente ic positiva, essa nel nodo di emettitore dovrebbe suddividersi, in ragione inversa alle resistenze RIN e r ,
Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-5

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

tra i rami di emettitore e di base. Nella base si dovrebbe avere dunque una corrente di verso opposto al verso positivo di
ib indicato in figura, e si dovrebbe provocare quindi una caduta vbe = r ib negativa. Ma ic =gm vbe e si supposto che ic
>0 e quindi dovrebbe essere vbe >0, che in disaccordo con quanto trovato. Perci non vi pu essere corrente ic
positiva. In modo simile si dimostra che non si pu avere ic negativa causata da vx .
Si conclude che ix =il +ic =il =vx /RL. Limpedenza di uscita relativa allo schema ridotto di Fig.5 risulta dunque
vx
= RL
(28)
ix
E interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig.5 lo schema tipico della connessione a base comune di un BJT,
e che le formule (23), (26), (25), (28), che danno le amplificazioni di corrente e di tensione e le resistenze di ingresso e
di uscita , sono le formule classiche riportate in tutte le tabelle. Soltanto per la resistenza di uscita Ro si riporta talvolta
una formula che tiene conto della resistenza ro introdotta nello schema equivalente dalleffetto Early. Nel calcolo della
Ro , se la RL abbastanza elevata, linfluenza di ro pu infatti non essere trascurabile.
R o =

E necessario tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig.4 per calcolare i parametri richiesti.
La funzione di trasferimento a media frequenza vo /iin , che ha le dimensioni di una transresistenza e si pu indicare con
Rtr si pu ricavare dalla (7) e dalla (23)
vo
v v
R IN R E
= in o =
A v
iin
i in v in R IN + R E
Inserendo i valori propri del caso in esame
R tr =

(29)

R IN R E
10 10 3 4.3 10 3
(30)
A v =
0.654 = 3 10 3 0.654 = 1.963 10 3 V / A
3
3
R IN + R E
10 10 + 4.3 10
Lamplificazione di tensione Av =vo /vi relativa allo schema completo si calcola mediante le (18) e (23), tenendo conto
che, come si constata dallo schema di Fig.4, vi =ve =vbe
R tr =

vo
r + ( + 1)R IN
v v
v in
= in o =
A v =
A v
vi
v i v in
v be
r
e inserendo i valori numerici
Av =

(31)

r + ( + 1)R IN
2.626 10 3 + (100 + 1) 3 10 3
A v =
0.654 = 116.38 0.654 = 76.12 (32)
r
2.626 10 3
Lamplificazione di corrente Ai =il /ii relativa allo schema completo si calcola osservando anzitutto che, dallo schema di
Fig.4 si ha
Av =

1
i
v
vi
v
v
v
v
( + 1) = v r + ( + 1)R E (33)
i e = i v e e = i + e = i + i = v i
+
i
RE
RE
ve
RE
re
R E re
r
r R E
RE
dove si tenuto conto della (25) e del fatto che vi =ve .
Si ha poi che il =vo /RL . Si ricava perci dalle (33) e (32)
ii =

v
r R E
r R E
v
r R E
il
= o
=
o =
Av
i i R L v i [r + ( + 1)R E ] R L [r + ( + 1)R E ] v i
R L [r + ( + 1)R E ]
e inserendo i valori numerici
Ai =

Ai =
=

r R E
Av =
R L [r + ( + 1)R E ]

2.626 10 3 4.3 10 3

2 10 3 2.626 10 3 + (100 + 1) 4.3 10 3


Lamplificazione di potenza risulta perci

(34)

(35)

] 76.12 = 12.921 10

76.12 = 0.984

vo i
v i
Wl
(36)
=
= o l = A v A i = 76.12 0.984 = 74.90
Wi
v i ii
v i ii
Per calcolare la resistenza di ingresso nel punto P1 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna, cio il
generatore iin e la resistenza RIN , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve ne sono) e di
collegare in P1 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione di Fig.7.
Ap =

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-6

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

vb B

ib
r

vi

ii

Ri

ic
+
vbe
ie

P1

Ve

C vc

gmvbe

vO
RL
2k

il

RE
4.3k

ix
+
vx
-

Fig.7. Schema per il calcolo dellimpedenza di ingresso Ri .

Dallo schema, la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta


1
i
vx
v
v
1
+ 1

ie = x v e e = x + v x
= v x
+
RE
RE
ve
RE
re
r
RE
Poich la resistenza Ri per definizione Ri =vx /ix si ottiene
ix =

(37)

R E r
vx
4.3 10 3 2.626 10 3
=
=
= 25.843
(38)
ix
( + 1) R E + r
(100 + 1) 4.3 10 3 + 2.626 10 3
che pari al parallelo di RE e re .
Per la resistenza di uscita Ro , si pu pensare di connettere il generatore di prova nel punto P2 , dopo aver azzerato, cio
aperto, il generatore iin . Si pu per osservare che lo schema costituito dal generatore di corrente iin e dalle resistenze
RIN e RE perfettamente equivalente, rispetto alla rimanente parte dello schema, al suo equivalente secondo Thvenin
costituito da vin e RIN (Fig.4). Se si annulla iin (cio lo si apre), ci equivale ad annullare vin . (cio a
cortocircuitarlo). Ne consegue che la rappresentazione di Fig.6 vale anche per il calcolo di Ro e d lo stesso risultato,
cio, in base alla (24), Ro=Ro =RL = 2 k .
Ri =

Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2003-2004

-7

Esempio di Amplificatore a BJT a base comune

Potrebbero piacerti anche