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Il transistor

dispositivo a semiconduttore con almeno 3 elettrodi che sfrutta le propriet della giunzione p-n. inventato da Bardeen, Brattain and Shockley, ai Bell Laboratories, nel 1948 Premio Nobel nel 1956 strutture diverse per diverse applicazioni estrema miniaturizzazione sviluppo di nuove applicazioni (memorie ad alta densit, computer veloci, computer sempre + piccoli pu essere schematizzato come un regolatore o generatore di corrente o di tensione pu svolgere sia la funzione di switch (commutatore o interruttore) che quella di amplificatore esistono strutture diverse elaborate per diverse applicazioni si possono individuare 2 grandi categorie di transistor in base al verso di scorrimento della corrente rispetto alla giunzione: transistor bipolari a giunzione (BJT) corrente perpendicolare alla giunzione transistor ad effetto di campo (JFET o MOSFET) corrente parallela alla giunzione

Transistor Bipolare a giunzione (BJT)

p n
emettitore (drogaggio elevato)

n p

p n
collettore (drogaggio intermedio)

base (drogaggio basso) spessore stretto

due diverse configurazioni: pnp oppure npn base = elettrodo di controllo (switch) piccola variazione della corrente di base rapido cambiamento nellapparato

Il verso della corrente (convenzionalmente la direzione dei portatori di carica positivi) indicato dalla freccia nel terminale dellemettitore. Simboli convenzionali per i BJT C B C

IC
B

IB

IC

IB
E npn

IE
E pnp

IE

due giunzioni p-n che condividono uno strato di semiconduttore intermedio drogato due diodi contrapposti: emettitore- base base - collettore E n
+ + + +

B
- - + - - + - - + - - +

C n

EB

BC

in assenza di polarizzazione esterna


campo elettrico

EB

BC

EB

BC

distribuzione della carica elettrica

potenziale elettrico

se polarizziamo direttamente (forward) la giunzione emettitore-base gli elettroni (le lacune) che sono portatori maggioritari, passano nella base dove diventano portatori minoritari. npn pnp qui la polarizzazione inversa (reverse) della giunzione base-collettore trascina gli elettroni (le lacune) che sono minoritari, verso il collettore, dove sono nuovamente portatori maggioritari e rappresentano la componente prevalente della corrente di collettore. a causa dello spessore sottile della base gli elettroni (le lacune) non si ricombinano con le lacune (gli elettroni) della base e raggiungono laltra giunzione, cio il collettore. A questo punto il campo elettrico dovuto alla polarizzazione inversa accelera gli elettroni (le lacune) nella regione di collettore. questo significa che la corrente di collettore sar poco diversa da quella di emettitore e si avr IB = IE - IC la corrente di base IB rimpiazza le lacune (gli elettroni) della base che si sono ricombinati con gli elettroni (le lacune) dallemettitore e rappresenta un frazione piccola della corrente di emettitore.

Possiamo descrivere il comportamento del transistor (consideriamo per esempio un npn) anche da un altro punto di vista la corrente che attraversa la giunzione EB costituita quasi esclusivamente da elettroni che dallemettitore arrivano nella base. Le lacune che fanno il percorso inverso sono poche perch lemettitore molto pi drogato della base. gli elettroni nella base hanno una bassa probabilit di ricombinarsi con le lacune perch la loro lunghezza di diffusione maggiore dello spessore della base. se indichiamo con (1- ) la probabilit di cattura di un elettrone da parte di una lacuna nella base ( con 1) un elettrone ha una probabilit ~1 di raggiungere la giunzione BC e di attraversarla, essendo un portatore minoritario. quando un elettrone viene catturato da una lacuna della base, la batteria che alimenta la base provvede a rimpiazzare la carica libera perduta tramite la corrente di base. Poich la ricombinazione ha una probabilit di (1- ), anche la corrente di base si potr scrivere come

IB ~ (1- ) IE

corrente di collettore: IC ( la corrente che scorre effettivamente nel transistor) due contributi: 1 - elettroni che, immessi dallemettitore nella base, riescono a passare nel circuito di collettore : IC ~ IE 2 corrente inversa del diodo BC, Io, dovuta alla polarizzazione inversa

IC = IC+ Io = IE + Io IB + IC = IE IC = Io + IE = Io + IB + IC /(1- ) = del transistor ~ 10 102 IC = [ /(1- )] IB + [1/(1- )] Io

ATTENZIONE!!! Io molto piccolo ma moltiplicato per un fattore ~ ~ 10 102 Io I = I + con la temperatura I aumenta molto [1/(1- )] I non pu essere sempre trascurato.
C B o B

In conclusione: quando il transistor in zona attiva (giunzione BE diretta; giunzione BC inversa)

IC = IB IE=IC+IB = IC + IC/ IC :
- pu variare molto da un transistor allaltro anche se i transistor sono nominalmente uguali; - varia con il punto di lavoro, cio con le tensioni applicate al transistor - varia con la temperatura

Il parametro viene indicato con il simbolo hFE (se ci si riferisce a grandezze variabili si usano pedici minuscoli hfe ) e rappresenta il guadagno in corrente del transistor.

Caratteristiche di uscita del transistor


descrivono la dipendenza della corrente di collettore dalla differenza di potenziale tra collettore ed emettitore VCE famiglia di curve corrispondenti a diversi valori della IB

3 regioni distinte: a) zona attiva b) zona di saturazione c) zona di interdizione

a) zona attiva: rette quasi orizzontali. IB e IC approx proporzionali. BJT utilizzato come amplificatore b) zona di interdizione: IC=0. VBE << V diodo BE polarizzato invers. ATTENZIONE: diodo BC inverso. c) zona di saturazione: IC << IB; in questa zona VCE ~ 00.2 V e le giunzioni sono entrambe polarizzate direttamente Se diodo BC diretto c uno scambio dei ruoli tra E e C d) zona attiva inversa IE = RIB dove R << definito per il transistor in zona attiva diretta
polarizzazione delle due giunzioni: Base Emettitore Base - Collettore BE inversa BC inversa cutoff BE diretta BC inversa attiva diretta

BE

BE inversa BC diretta attiva inversa

BE diretta BC diretta saturazione

BC

transistor in zona attiva (VBE >V , VC>VB): amplificatore di corrente piccola corrente iniettata in base controlla una corrente molto maggiore che, in un transistor npn, attraversa il transistor nel verso C-B-E
in zona attiva la giunzione BE polarizzata direttamente VBE ~ 0.6 V ~V nel circuito della figura: VBE =VB-RbIB Supponiamo che VB = 2V e Rb = 28 k IB =[ (2 - 0.6)/28]mA = 0.05 mA Se hFE = = 100 IC = 5 mA e IE = 5.05 mA Se VCE = 10 V, RC =1 k la tensione sul collettore configurazione ad emettitore comune

Vo

Vo = VCE IC RC=10 -5 = 5V Aggiungiamo in serie a VB una tensione variabile (<VB), per es. sinusoidale di ampiezza 0.5 V. Le variazioni corrispondenti saranno: IB1 = (2.5 -0.6)/28 mA = 0.068 mA IC1 =6.8 mA, Vo1 = (10-6.8) V = 3.2 V IB2 = (2.0 -0.6)/28 mA = 0.032 mA IC2 =3.2 mA, Vo2 = (10-3.2) V = 6.8 V cio Vo = 3.6 V =3.6 Vi = 0.5 (-0.5) = 1V il guadagno in tensione |GV| = | Vo/ Vi|

transistor in saturazione giunzioni BE e BC polarizzate direttamente V C ~ VE ~ V se VCE ~ 0 anche Vo ~ 0 Vo

transistor interdetto giunzioni BE e BC polarizzate inversamente : VBE <V la corrente nel circuito quasi nulla no caduta potenziale ai capi di RC e quindi Vo = VCE

configurazione ad emettitore comune

circuiti digitali il transistor viene fatto lavorare nello stato di interdizione (Vo ~VC) e di saturazione (Vo ~ 0V) associati allo stato logico 1 e 0 rispettivamente.

RIASSUMENDO: un transistor pu essere adoperato come elemento di un circuito logico facendolo lavorare nello stato di saturazione (VCE = 0) o di interdizione. come amplificatore in 3 diverse configurazioni: - a emettitore comune amplificatore di tensione (invertente) con buon guadagno anche in I - a base comune amplificatore di tensione (non invertente) con basso guadagno in I - a collettore comune elevato guadagno in corrente ma nessun guadagno in tensione

Infine: perch le curve caratteristiche nella zona attiva non sono rette orizzontali ma sono inclinate? zona attiva : BE polarizzata direttamente la frazione di elettroni che dallemettitore passa nel collettore, dopo avere attraversato la base ( ~ 1, poich la base poco drogata ed stretta) = /(1 ) molto grande. Riducendo ulteriormente la larghezza della base, la probabilit che un elettrone venga catturato da una lacuna nella base, (1- ), diminuir ulteriormente, aumenter e cos . Aumentando la polarizzazione inversa della giunzione BC si allarga la zona di svuotamento del diodo BC e diminuisce la larghezza effettiva della base. Cio diminuisce la probabilit che un elettrone venga catturato nella base (1- ) diminuisce aumenta e aumenta se passa da 0.995 a 0.996 (+ 1), non sono orizzontali ma inclinate varia da 199 a 249 (+ 25 %) In conclusione: per IB costante il guadagno del transistor aumenta aumentando VCE le rette

Analogia idraulica per il transistor

Transistor ad effetto di campo

Junction Field Effect Transistor (JFET) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Dispositivi a semiconduttore a 3 terminali di facile fabbricazione e meno ingombranti dei BJT densit di componenti > 100000 MOSFET/chip possono svolgere la funzione di resistenza o condensatore (collegamento opportuno) si possono progettare sistemi elettronici interamente composti da MOSFET utilizzo nei VLSI si pu interpretare il FET come uno switch elettronico che pu trovarsi in uno stato on oppure off sotto questo aspetto il FET corrisponde ad un singolo bit, cio ad una unit binaria di informazione

impiego di un campo elettrico per controllare la corrente che scorre nel dispositivo cristallo di semiconduttore drogato p o n (canale o body) la corrente - dovuta solo ai portatori maggioritari - scorre tra due terminali: sorgente (source) e pozzo (drain) sul terzo elettrodo (gate) viene applicato un campo elettrico (potenziale) che modifica la conducibilit del canale e quindi la corrente

Junction Field Effect Transistor (JFET)


barretta di SC a debole drogaggio n - impianto di due zone fortemente drogate p+ n+ elettrodi metallici : Gate = elettrodo di controllo canale p Source tra questi due elettrodi scorre la corrente (parallela alla giunzione) Source Drain Drain modulata da un opportuno potenziale sul n+ gate. NB : Esiste anche il JFET a canale p con limpianto di due zone a drogaggio n+ Gate

p+

Source Gate

canale n
p+

Drain

Che succede se aumentiamo il modulo di VGS (<0) con VDS =0? La zona di svuotamento nel canale si allarga e per un certo valore di VGS = VP il canale si chiude completamente,

cio non ci sono pi cariche libere disponibili.

G S D
Si dice che il canale strozzato e il valore di VGS per cui ci avviene detto tensione di pinchoff VP.

La tensione di pinchoff pari alla ddp tra il gate ed il punto P dove il canale si chiude completamente.

E possibile ottenere lo stesso effetto di strozzamento del canale anche se VGS =0 luogo dei punti di pinchoff VGS =0 VDS VGS =0 Aumentando VDS la ddp tra gate e canale aumenta in modo asimmetrico, con un G valore maggiore verso il D zona di svuotamento deformata. S VP D

Continuando ad aumentare VDS si raggiunge lo strozzamento. VGS =0 Il punto P si trova ad un potenziale tale per cui VGP = VP = tensione di pinchoff. G Poich VGS =0, VSP = VGP = VP, mentre VDP 0 S quindi VDS = |VP| |VP| si pu definire come il valore minimo di VDS che, per VGS =0, causa il pinchoff. Per VDS >|VP|, IDS rimane costante (=IDSS = corrente di saturazione). Se VGS 0,il pinchoff si verifica per valori di VDS inferiori.

VDS

Aumentando VDS si osserva che la ddp tra il punto P e il source rimane uguale a VP mentre si origina una ddp tra drain e P pari a VDS -|VP|, grazie alla quale gli elettroni che raggiungono il punto P proseguono verso il drain. La ddp per cui inizia la saturazione data da VDS VGS -VP In questa relazione troviamo i comportamenti che abbiamo descritto finora: per VGS = VP VDS = 0 che produce IDS = 0 qualunque sia VDS per VGS = 0 VDS = VP Anche il JFET (come il BJT) pu essere usato come amplificatore nella zona di saturazione. Si controlla una corrente con un segnale di tensione (nel BJT si controlla una corrente con unaltra corrente pi piccola).

zone di funzionamento del JFET


costante legge di Ohm
1. zona ohmica: VDS piccola e il canale ancora aperto.

|VP|

VGS =0

IDS = Kp [2(VGS -VP)VDS V2DS ] Kp [2(VGS -VP)VDS ]


con 0 < VDS (VGS -VP)

Kp = IDSS /V2P

per VDS <<|VP|

2. zona di saturazione: VDS >(VGS VP), IDS costante. Il luogo dei punti di pinchoff (separazione tra zona ohmica e di saturazione) si ottiene ponendo VGS = VD +VP S

IDS =Kp(VGS -VP)2 dove VP VGS 0 IDS = KpV2DS = eq.parabola

3. zona di interdizione: VGS < VP (con VP<0).

In questa zona IDS =0.

4. zona di breakdown: VDS cos elevata da causare un brusco aumento della corrente ed eventualmente la rottura del transistor.

Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistor (MOSFET)


Il MOSFET un dispositivo a effetto di campo che utilizza un elettrodo metallico separato da un canale di semiconduttore tramite uno strato di ossido (isolante) (struttura metallo-ossidosemiconduttore) Applicando una ddp tra gate e substrato del semiconduttore (body), attraverso lo strato di ossido, si controllano le caratteristiche del canale. Esistono 2 tipi di MOSFET ad arricchimento a svuotamento

MOSFET a canale n ad arricchimento (n channel enhancement NMOS) 2 regioni n+ in un substrato di tipo p superficie superiore ricoperta di Ossido di Silicio, a parte 2 contatti metallici (Al) per le zone n+ (Source e Drain). Il Gate si trova sullo strato di Ossido, sulla zona inferiore ceun quarto elettrodo di Substrato. Normalmente S e Substrato sono tenuti insieme. Il G ad un potenziale positivo rispetto a S, come pure il D. In assenza di potenziali esterni alcuni elettroni migrano dalle zone n+ verso p. Applichiamo VG > VS(=Vsub ) gli elettroni vengono attirati nella zona tra D e S creando un canale di conduzione. Applicando una VDS si avr una corrente IDS da D a S. Tutto ci avviene se VGS Vt (tensione di soglia). Il comportamento del MOSFET per VDS piccola analogo a quello del JFET in zona ohmica.

Aumentare il valore di VDS equivale a diminuire la ddp tra D e G in prossimit del D il canale si deforma e si restringe vicino al D. Quando VDS tale per cui VDG <Vt (VDG = VGS VDS Vt) si ha una situazione di pinchoff analoga a quella vista nel JFET. IDS diventa indipendente da VDS zona di saturazione del MOSFET Aumentando ulteriormente VDS si raggiunge la zona di breakdown (10 100 V).

IDS , A

400 300 200 100 0 0 1 2 3 4

VGS = 6 V VGS = 5.5 V VGS = 5 V VGS = 4.5 V VGS = 4 V

VDS ,V

. zona ohmica (VDS VGS -Vt): IDS = Kp [2(VGS -Vt)VDS V2DS ] 2. zona di saturazione (VDS VGS -Vt): IDS = Kp (VGS -Vt)2 per VGS =0, IDS = Kp Vt2 = IDSS = corrente di saturazione ( nA) Esiste il MOSFET a canale p ad arricchimento nel quale tutti i segni e le polarizzazioni sono invertiti, ma ha un funzionamento del tutto analogo.

SB

S G (+) G (metallo)

D(+)

------- n ----- p ---

substrato substrato n p

MOSFET a canale n a svuotamento

E identico al transistor NMOS appena visto, ma esiste gi un canale n di conduzione tra le regioni n+. Quindi anche in assenza di tensione sul G ci sar conduzione. Se il G ha un potenziale negativo rispetto al S ( e al substrato, che sono collegati) gli elettroni nella zona n vengono respinti si former una zona di svuotamento e quindi si avr un restringimento del canale modo di svuotamento Se G ha un potenziale positivo, altri elettroni saranno attratti verso lo strato di ossido e si avr un allargamento del canale ed un aumento della conduttanza modo di arricchimento

Supponiamo di operare in modo di svuotamento (VG < 0) Aumentando VDS si incontrer una prima zona ohmica, seguita anche in questo caso da una zona di saturazione dovuta allo stesso effetto di strozzamento gi visto in precedenza. Vp il valore minimo di VDS che causa la saturazione quando VGS =0 ( ed il valore di VGS che causa il pinchoff quando VDS =0). La curva caratteristica di questo MOSFET : Saturazione: VDS tale per cui VGD = VGS VDS = VP cio VDS = VGS -VP

1. zona ohmica (0 <VDS VGS -Vp): IDS = Kp [2(VGS -Vp)VDS V2DS ] 2. zona di saturazione (VDS VGS -Vp): IDS NMOS GS -Vp)2 = Kp (V PMOS

dispositivi CMOS
+VDD Q2 carico PMOS vi + vo pilota NMOS Q1

PMOS e NMOS entrambi ad arricchimento connessi in serie terminali D (Drain) collegati in serie tensione di uscita dal nodo dei D Gate comune. Al G viene applicato il segnale di ingresso. la tensione di ingresso pu variare da V(0) = 0 a V(1) = VDD vo

Se vi <VT NMOS in interdizione PMOS in conduzione

PMOS

NMOS

tensione di ingresso bassa

per vi =0 si ha VGS1 = 0 Q1 interdetto VGS2 = -VDD Q2 acceso, ma la corrente nulla VDS2 =0 e vo= VDD vi = V(0) vo = V(1)

tensione di uscita alta ed pari a VDD

+VDD

Q2 carico PMOS

poich D e S dei due transistor sono in serie nel canale del NMOS non passa mai corrente utilizzato in applicazioni digitali pilota NMOS al quale connesso un PMOS come carico. Supponiamo che la tensione di soglia sia la stessa ed uguale a VDD /2. Ricordate che NMOS conduce se VGs >0 e PMOS conduce se VGs < 0

vi

+ vo pilota NMOS Q1

Se vi >VT NMOS in conduzione PMOS in interdizione

vo

per vi = VDD = VGS1 Q1 acceso VGS2 = 0 Q2 spento la corrente nulla e quindi vo= 0 vi = V(1) vo = V(0)

tensione di ingresso alta

PMOS

NMOS

tensione di uscita bassa

Un circuito di questo tipo rappresenta un invertitore, cio una porta logica NOT