1

Progetto di un amplificatore di
potenza
1.1

Specifiche

Progettare lo stadio di uscita di un amplificatore di tensione con Av = 10, carico

RL = 50 e tensione di ingresso Vs compresa tra -1 V e +1 V. Il circuito deve
poter lavorare correttamente con una temperatura ambiente compresa tra 00 C e
500 C. Utilizzare un amplificatore operazionale LM741 alimentato a 15 V ed
unopportuna rete di transistori, diodi e resistenze.

1.2

Scelta del circuito

Viene richiesto di progettare un amplificatore di tensione con guadagno Av = 10

e resistenza di carico molto piccola RL = 50 . Avendo una tensione di ingresso
compresa nellintervallo [-1 V,+1 V] la tensione di uscita sar compresa nellintervallo [-10 V,+10 V]. Per massima tensione di uscita Vumax = 10 V la corrente che
deve scorrere sul carico quindi ILmax = 200 mA; tale corrente per molto
elevata e non pu essere fornita dallamplificatore operazionale. Dai data-sheet di
LM741 osserviamo infatti che la massima corrente in uscita dallamplificatore operazionale (output short circuit current) solamente 25 mA. E pertanto necessario
inserire tra luscita dellamplificatore operazionale ed il carico uno stadio di potenza come mostrato in Fig. 1.1a; questo stadio con guadagno di tensione unitario ha
lo scopo di fornire la corrente necessaria per sostenere la tensione richiesta sul carico. La realizzazione circuitale dello stadio di potenza mostrata in Fig. 1.1b. Nei
circuiti di Fig. 1.1 Vs la tensione del segnale di ingresso da amplificare (compresa
nellintervallo [-1 V, 1 V]), Vi la tensione in ingresso allo stadio di potenza e Vu
la tensione sul carico.
Analizziamo la funzione dei vari componenti nel circuito di Fig. 1.1b:
T 1 e T 2 sono i due transistori BJT necessari per fornire la corrente al carico
5

Progetto di un amplificatore di potenza

D1 e D2 sono i due diodi necessari per eliminare la distorsione di cross-over

IQ1 ed IQ2 sono i due generatori di corrente necessari per la polarizzazione
dei diodi e per fornire le correnti di base a T1 e T2
Re1 ed Re2 sono necessarie per evitare che il circuito vada in fuga termica,
inoltre insieme a T3 e T4 formano la rete di protezione contro il corto circuito
In questo esercizio dimensionare lo stadio di potenza implica:
dimensionare la rete di protezione contro il corto circuito
scegliere i transistori T1 e T2
progettare i generatori di corrente IQ1,2

1.3

Dimensionamento della rete di protezione contro il corto circuito e scelta dei transistori

La rete di protezione contro il corto circuito necessaria per proteggere lo stadio

di potenza dalleventualit in cui il carico vada accidentalmente in corto circuito,
ovvero Vu = 0 V pur avendo segnale in ingresso Vi non nullo. In assenza del
circuito di protezione la corrente che scorrerebbe nel collettore di T1 (IC1 ) diverebbe molto elevata; inoltre si avrebbe su T1 una tensione VCEmax ' VAL con
una potenza dissipata dal transistore pari a:
PDmax = IC1 VCEmax

(1.1)

Se tale potenza supera la massima potenza dissipabile dal transistore si ha la

distruzione del componente. La rete di protezione dal corto circuito ha quindi lo
scopo di limitare la corrente IC1 e deve quindi solo intervenire quando la corrente
di collettore supera un certo valore massimo (ICmax ) scelto in fase di progetto.
La corrente ICmax deve essere sempre scelta maggiore di ILmax in quanto la rete
di protezione non deve intervenire in condizioni di normale funzionamento del
circuito. Nel caso in esame avendo ICmax > 200 mA, si pu imporre ICmax =
300 mA; non conviene scegliere per ICmax un valore troppo grande per non far
crescere troppo la massima potenza dissipata riportata nellespressione (1.1).
Con ICmax = 300 mA ed VCEmax = 15 V si ha PDmax = 4.5 W ; T1,2
andranno quindi scelti in modo tale da poter dissipare almeno 4.5 W per tutto lintervallo di temperatura richiesto per il funzionamento del circuito. Scegliamo i
transistori TIP31 per T1 e TIP32 per T2 (la sigla TIP sta per Texas Instrument
Power transistor ed il codice numerico identifica il tipo di componente).
Per il dimensionamento delle resistenze Re osserviamo che quando IC1 (IC2 )
raggiunge IC1max (IC2max ) la caduta di tensione sulla resistenza Re1 (Re2 ) deve
far entrare in conduzione il transistore T3 (T4 ), che, estraendo corrente dalla base
di T1 (T2 ), fa diminuire la corrente di collettore. Si deve pertanto imporre:

1.3 Dimensionamento della rete di protezione contro il corto circuito e scelta dei transistori7

R3
I u AO

LM741

Vs

Stadio di potenza

RL V
u

Vi

IL

R2

R1

(a)

+VAL
IC1
IQ1
T1

ID1
D1

Vi

D2

IE1

T3

Re
Re

ID2
T4

IE2

RL V
u
L

T2

IC2
IQ2

-VAL
(b)
Figura 1.1. (a) Amplificatore di tensione con guadagno Av = 10 e stadio
di potenza. (b) Realizzazione circuitale dello stadio di potenza

Re1 IC1max = VBET 3 = VBEon

(1.2)

dove abbiamo indicato con VBEon la tensione base-collettore necessaria per far

Progetto di un amplificatore di potenza

entrare T3 in conduzione. La rete di protezione deve lavorare correttamente in

tutto lintervallo di temperatura richiesto (00 C-500 C); pertanto la resistenza Re1
va scelta in base alla (1.2) nelle condizioni in cui VBEon minima, ovvero a T =
500 C. Si ricorda infatti che la tensione VBEon diminuisce di -2.5 mV per grado
centigrado. Avremo quindi:
VBEon (T = 500 ) = VBEon (T = 250 ) 2.5 mV T

(1.3)

e, per essere conservativi, imponiamo nella (1.2) VBEon = 0.5 V . Si ottiene Re1 =
1.67 e scegliamo dalla serie E12:
Re1,2 = 1.8

(1.4)

A scopo di verifica, analizziamo il comportamento della rete di protezione a

T = 00 C. Si ha VBEon (T = 00 C) 0.7 V e quindi:
IC1max (T = 00 C) =

VBEon (T = 00 C)
= 390 mA
Re1

(1.5)

Lespressione (1.5) indica che al diminuire della temperatura aumenta la corrente

massima di collettore a cui scatta la protezione dal corto circuito; si arriva ad un
valore massimo di circa 390 mA, che tuttavia ancora accettabile.

1.4

Progetto dei generatori di corrente IQ1,2

I generatori di corrente IQ1,2 forniscono la corrente necessaria per polarizzare i

diodi D1,2 e la corrente di base per la polarizzazione dei transistori T1,2 . Facendo
riferimento al solo generatore IQ1 (per IQ2 il progetto analogo), calcoliamo ora
quanto deve valere IQ1 per la corretta polarizzazione del circuito. Osserviamo che
la corrente IQ1 si riparte tra la corrente nel diodo ID1 e la corrente di base (IBT 1 )
del transistore T1 . Imponiamo per la polarizzazione del diodo ID1 = 1 mA. Per
calcolare la massima corrente che scorre nella base di T1 , si osserva che IBT 1max
data dalla massima corrente di collettore (pari alla massima corrente sul carico)
divisa per il fattore hF E minimo (ovvero a T = 500 C); ovvero:
Vu max
200 mA
=
= 5 mA
(1.6)
RL hF E (T = 500 C)
40
Si impone quindi IQ1 6 mA.
I generatori di corrente IQ1,2 potrebbero essere realizzati semplicemente con le
resistenze R1,2 collegate alle tensioni di alimentazione come mostrato in Fig. 1.2;
analizzando per tale soluzione si osserva che non corretta. Dimensioniamo
dapprima la resistenza R1 ; la minima corrente che scorre in R1 data da:
IBT 1max =

VAL Vumax VBET 1 Re1 IC

=
R1
15 V 10 V 0.6 V 200 mA 1.8
R1

IQ1min =

(1.7)

1.4 Progetto dei generatori di corrente IQ1,2

Imponendo IQ1min 6 mA si ottiene R1 673,.

Scegliendo per esempio
R1 = R2 = 560

(1.8)

si ha IQ1 = 6.12 mA, che sono forniti dalla tensione di alimentazione. Calcoliamo ora in queste condizioni (Vumax = 10 V ) la corrente che scorre in R2 :
IQ2 =

2VAL VR1 2VD

= 44.2 mA
R2

(1.9)

In questo caso la corrente IQ2 , pari alla corrente che scorre nel diodo D2, dovrebbe
essere fornita in massima parte dal terminale di uscita dellamplificatore operazionale. Una piccola parte anche fornita da ID1 ma trascurabile, in quanto
si ha ID1 ' 1 mA. Dalla lettura dei data-sheet di LM741 osserviamo per che
la massima corrente ch pu fornire lamplificatore operazionale di circa 25 mA,
minore della corrente richiesta IQ2 . Da questa analisi si conclude quindi che non
possibile realizzare i generatori di corrente IQ1,2 tramite una semplice resistenza collegata allalimentazione ma necessario ricorrere ad altri tipi di circuito.
Verranno qui di seguito prese in considerazione due possibili soluzioni:
generatore di corrente realizzato con un transistore ed unopportuna rete di
resistenze
utilizzo di una configurazione Darlington

1.4.1 Generatore di corrente realizzato con un transistore ed unopportuna rete di resistenze

In Fig. 1.3 mostrato lo schema del generatore di corrente da sostituire ad IQ1
nel circuito di Fig. 1.1b; la corrente IQ1 ora ottenuta dalla corrente di collettore
del transistore T5 . E ora necessario dimensionare le resistenze R3 , R4 ed R5 ,
affinch il transistore T5 lavori in polarizzazione attiva diretta. Trattandosi di un
pnp dovremo imporre che la tensione tra emettitore e base (VEBT 5 ) sia circa 0.6 V
e che la tensione tra collettore e base sia negativa (giunzione pn collettore-base
polarizzata inversamente). La massima tensione sul collettore di T5 data da:
VCT5 = VUmax + Re1 ILmax + VBET 1 = 10.96 V

(1.10)

Poich la tensione sulla base di T5 deve essere maggiore della tensione sul collettore, imponiamo VBT 5 = 12 V e di conseguenza VET 5max = 12.6 V . Siccome la
corrente di collettore deve essere pari ad IQ1min = 200 mA (necessari per polarizzare T1 ed il diodo D1 ), otteniamo un limite superiore per il dimensionamento di
R5 :
VAL VET 5max
6mA
(1.11)
R5

10

Progetto di un amplificatore di potenza

+VAL
IC1

R1
I Q1

T1

ID1

T3

D1

Vi

D2

IE1
Re
Re

ID2
T4

IE2

RL V
u
L

T2

R2

IC2
IQ2

-VAL
Figura 1.2.
Realizzazione dei generatori di corrente
tramite resistenze collegate allalimentazione

da cui R5 480 ; scegliamo quindi

R5 = 470

(1.12)

Infine R3 ed R4 vanno scelte in modo che VBT 5 = 12 V . Trascurando la

corrente di base in T5 , la tensione sulla base pu essere calcolata dalla ripartizione
della tensione di alimentazione tra R4 ed R3 :
VBT 5 =

R4
R3
1
VAL = 12 V =
=
R4 + R3
R4
4

(1.13)

e scegliamo per esempio:

R4 = 33 k R3 = 8.2 k

(1.14)

1.4.2 Utilizzo di una configurazione Darlington

Una soluzione alternativa rispetto a quella presentata nella sezione precedente consiste nel sostituire i transistori T1 e T2 con una coppia di transistori (T1 e T7 , T2 e
T8 ) connessi in configurazione Darlington come mostrato in Fig. 1.4. In questo caso la coppia di transistori T1 ,T7 (T2 ,T8 ) pu essere interpretata come un transistore
equivalente T1eq (T2eq ) con guadagno di corrente hF Eeq1 (hF Eeq2 ) dato da:

1.4 Progetto dei generatori di corrente IQ1,2

11

+VAL
R5

R3

VE

T5

R4

VB

T5

T5

IQ1

VC

T5

Figura 1.3.

Schema circuitale del generatore di corrente

hF Eeq1 = hF ET 1 hF ET 7

(1.15)

La massima corrente nella base di T7 quindi data dallespressione (1.6) divisa

ancora per hF ET 7 ; avremo quindi:
IBT 7 max =

IL max
= 125 A
hF Eeq1

(1.16)

La configurazione Darlington permette quindi di ridurre di un fattore 1/hF ET 7 la

corrente che deve essere fornita da IQ1 ai transistori dello stadio di potenza. Per un
corretto dimensionamento di R1 dobbiamo per tenere conto anche della corrente
necessaria per polarizzare lo stadio moltiplicatore di VBE .
Lo stadio moltiplicatore di VBE mostrato in Fig. 1.4 necessario per la polarizzazione dei due stadi Darlington e va a sostituire i diodi D1 e D2 . Affinch lo
stadio Darlington possa lavorare in polarizzazione attiva diretta, la tensione baseemettitore di ciascun transistore equivalente (T1eq e T2eq ) deve essere infatti pari
a 2 VBE . Si deve quindi dimensionare il circuito moltiplicatore di VBE (ovvero
scegliere Rb ed Rc ) in modo che la tensione tra collettore ed emettitore di T9 sia
pari a 4VBE . Per far questo osserviamo che la caduta di tensione su Rb pari a
VBE e quindi la corrente che scorre in Rb data da:
IRb =

VBET 9
Rb

(1.17)

12

Progetto di un amplificatore di potenza

+VAL
R1

Darlington T1 eq

I Q1

Moltiplicatore di VBE

I B T7

T7
T1

Rc

T3

Re

T9

Rb

Re
T4

Vi

RL V
u
L

T2
T8

R2

IQ2

Darlington T2 eq

-VAL
Figura 1.4.
Stadio di potenza realizzato con transistori in
configurazione Darlington e moltiplicatore di VBE

Trascurando la corrente di base di T9 , la corrente che scorre in Rc pari ad IRb . La

caduta di tensione sulle due resistenze Rb ed Rc deve quindi essere pari a 4VBE ,
ovvero:

Rc
VBE 1 +
= 4VBE
(1.18)
Rb
da cui si ottiene il rapporto Rc /Rb = 3. I valori scelti per queste due resistenze
determinano la frazione di corrente IQ1 che entra nel circuito moltiplicatore di
VBE . Affinch IQ1 non sia troppo elevata, possimo imporre che la corrente entrante
nel circuito moltiplicatore di VBE sia confrontabile con IBT 7 . La corrente entrante
nel moltiplicatore di VBE pu essere calcolata come:
VBE
VBE
2VBE
+
hF ET 9
Rb
100Rb
Rb

(1.19)

dove il primo termine a sinistra la corrente in Rb ed il secondo termine rappresenta la corrente nel collettore di T9 , ottenuta dalla corrente di base moltiplicata
per il guadagno in corrente di T9 . La corrente nella base di T9 stata imposta pari
ad un centesimo della corrente in Rb . In base all espressione (1.19), otteniamo un

1.4 Progetto dei generatori di corrente IQ1,2

13

limite inferiore per la scelta di Rb imponendo:

2VBE
125A = Rb 9.6k
Rb

(1.20)

Scegliamo dunque:
Rb = 10k, Rc = 33 k

(1.21)

Possiamo ora dimensionare R1 imponendo che:

VAL Vumax VBET 1 VBET 1 Re1 ILmax
250 A
R1

(1.22)

da cui R1 13.75 k; scegliamo quindi

R1 = R2 = 12 k

(1.23)

Si osservi che i valori di R1 ,R2 sono ora aumentanti di circa un fattore 20 rispetto
ai valori ottenuti nella (1.8). Questo permette di ridurre anche la corrente che scorre
in R2 quando Vu = 10 V . Si ottiene infatti:
IQ2 =

2VAL R1 IQ1max 4VBE

= 1.2 mA
R2

(1.24)

Tale corrente molto pi piccola di quella ottenuta nel caso senza configurazione
Darlington (espressione (1.9)) e pu essere erogata dallamplificatore operazionale.