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MOS Field-Effect

Transistors (MOSFETs)

A. Ranieri Laboratorio di Elettronica A.A. 2009-2010 1


Struttura fisica di un transistore NMOS ad accrescimento. Tipicamente L = 0.1 a 3 m, W =
0.2 a 100 m e lo spessore dell’ossido (tOX) varia da 2 a 50 nm.

2
Differenze costruttive e funzionali tra MOS e BJT

1. Il MOS è un dispositivo “simmetrico”


il BJT no
2. Nel BJT due correnti concorrono 3
alla corrente d’uscita
Parametri di funzionamento del BJT

4
Parametri di funzionamento del BJT

5
Parametri di funzionamento del MOS

6
Parametri di funzionamento del MOS

7
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET

8
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET

9
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET

10
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET

• Vt • VbeON
• È un dispositivo simmetrico  Vt • Non è un dispositivo simmetrico
simile per source e drain  VBCon  VBEon
• Caratteristiche corrente-tensione: • Caratteristiche corrente-tensione:
– Relazione quadratica – Relazione parabolica
– Parametro di controllo il fattore di – Parametro di controllo l’area emitter-
forma W/L  ID varia molto nel base  IS varia poco nel processo di
processo di scaling (11000) scaling (110)
• Corrente di ingresso (gate) = 0  • Corrente di ingresso (iB)  0 
impedenza di ingresso =  impedenza d’ingresso valore
finito…

ID = 0.5 mA IC = 0.5 mA
K’n = 120 A/V2 gm = IC/VT = 20 mA/V
W/L = 1  gm = 0.35 mA/V
W/L = 100  gm = 3.5 mA/V

11
1/2
2 Φ
= Φ= ∙ 2

= = 2 Φ

F  0.3V Livello di Fermi

0 = 2 Φ Carica fissa nel canale con substrato non polarizzato

0 = 2 (Φ + ) Carica fissa nel canale con substrato polarizzato

Quando Si = 2F si raggiunge la condizione di inversione


Transistor NMOS ad accrescimento con tensione positiva applicata al terminale di
gate. Un canale di tipo n si forma al di sotto della gate nella regione di substrato tra 12
source e drain.
La tensione di soglia

= +2 + − = 0 + 2 + − 2

1
= 2

COX = 0.35 fF/m2 tOX= 0.1m = 0.5 V1/2 Vt0 = 0.51.5V

NMOS con vGS > Vt e un piccolo valore di vDS. Il dispositivo funziona come resistore il
cui valore è determinato da vGS. La conduttanza è proporzionale a vGS – Vt’ pertanto iD
13
è proporzionale a (vGS – Vt) vDS.
Caratteristica (iD–vDS ) del MOSFET quando la tensione applicata VDS è piccola. Il
dispositivo opera come un resistore lineare il cui valore è controllato da vGS.
14
All’aumentare di vDS il canale inizia a restringersi e la sua resistenza aumenta
all’aumentare di vDS . (vGS assume un valore costante e > Vt.
15
La corrente di drain iD in funzione di vDS per un NMOS ad accrescimento con vGS > Vt.
16
All’aumentare di vDS il canale inizia a restringersi e non appena vDS (VDSsat) uguaglia vGS
– Vt’ il canale si “strozza” al terminale di drain. L’aumento di vDS oltre vGS – Vt sulla
forma del canale
17
COX = ox/tox ox = 3.45 x10-11 [F/m], tox ~ 10-8 [m]

parametro di transconduttanza del processo

1 1 1
= ⟹ = =
∙ ∙ ( )

Come si ricava la caratteristica “per grandi segnali” iD in funzione di VDS 18


Simboli circuitali NMOS

Simboli circuitali per un NMOS ad accrescimento. In (a) è indicato il terminale


di bulk. In (b) la freccia è posta sul source (uscente) per distinguerlo dal
terminale di drain e indicare la polarità del dispositivo (a canale n). In (c) si
presuppone che il bulk sia collegato al source.

19
Tecnologia CMOS

Sezione trasversale di un circuito CMOS (Complementary MOS)

20
Regime di funzionamento sottosoglia


= 1−

Caratteristica di trasferimento iD–vGS per un NMOS ad 21


accrescimento in saturazione (Vt = 1 V, k’n W/L = 1.0 mA/V2).
1
=
′ ( )

Caratteristica iD–vDS per un NMOS ad accrescimento per un dispositivo con k’n (W/L) = 1.0 mA/V2. 22
Modello di circuito equivalente per grandi-segnali, di un MOSFET a canale n in regime di
saturazione 23
Livelli relativi di tensione ai terminali di un NMOS ad arricchimento nelle regioni di
funzionamento di triodo e in saturazione
24
Xd Xd

Un aumento di vDS oltre il valore vDSsat determina un leggero arretramento del punto di
strozzatura (pinch-off) del canale dal terminale di drain determinando una riduzione effettiva della
25
lunghezza del canale (di Xd)
Effetto di vDS su iD nella regione di saturazione. Il parametro VA dipende dalla tecnologia e per un
dato processo, è proporzionale alla lunghezza del canale. (VA = V’A · L )
26
Circuito equivalente per grandi segnali per un NMOS in saturazione, inclusa la resistenza d’uscita
ro. La resistenza d’uscita modella la dipendenza di iD da vDS

27
(a) Simbolo circuitale per un PMOS ad arricchimento. (d) le tensioni di lavoro del PMOS e la
direzione delle correnti. Da notare chevGS e vDS sono negative e iD fluisce fuori dal terminale di
drain.
28
vGS  Vt Per indurre il canale
vDS ≥ vGS  Vt Regione di triodo
vDS  vGS  Vt saturazione
VOV  0 in tutte le regioni

I livelli relativi di tensione ai terminali di un PMOS ad arricchimento nelle regioni di triodo e di


saturazione.
29
(a) Simbolo circuitale di un NMOS a svuotamento. (b) terminale di bulk connesso al
source.

30
IDSS = ½ K’nW/L(V2t)

Caratteristica corrente-tensione di un NMOS a svuotamento in cui Vt = –4 V e kn(W/L) =


2 mA/V2:
31
Livelli relativi di tensione per un NMOS a svuotamento nelle regioni di triodo e di
saturazione. Il caso mostrato è per operazione in modo ad arricchimento (vGS è positivo)

32
Insieme delle caratteristiche di trasferimento iD–vGS per entrambi i tipi di MOSFET
(operanti in saturazione). Le caratteristiche intersecano l’asse di vGS in Vt.
33
Sommario delle equazioni i-v per un NMOS

34
Sommario delle equazioni i-v per un PMOS

35
Esercizio 1
Fissare i valori di RD ed RS in modo da avere:
ID = 0.4 mA
VD = +0.5 V
Vt = 0.7 V
µnCOX = 100 µA/V2
L = 1 µm
W = 32 µm

RS = 3.25 k
RD = 5 k

36
Esercizio 2

Progettare il circuito in modo


da avere:
ID = 80 A
Vt = 0.6 V
µnCOX = 200 µA/V2
L = 0.8 µm
W = 4 µm

R = 25 k

37
Esercizio 3.

Progettare il circuito, assumendo:


Vt = 1 V
K’ (W/L) = 1 mA/V2

RD = 12.4 k

38
Esercizio 4.
Stabilire il regime operativo del transistor, assumendo:
Vt = 1 V
K’ (W/L) = 1 mA/V2
assumere  = 0

39
Esercizio 5
Progettare il seguente circuito tale che ID = 0.5 mA e VD = 3V
PMOS ad arricchimento con Vt= -1V e KP’ (W/L) = 1 mA/V2
= 0 e ricordiamoci che VOV 0
Trovare il valore massimo consentito a RD per mantenere il MOSFET in
saturazione

RD = 6 k
RD = 8 k

40
Esercizio 6

Vt = -0.7 V
µPCOX = 60 µA/V2
L = 0.8 m
= 0

Trovare i valori di W ed R per ottenere:


ID = 115 A e VD = 3.5 V

41
Analisi per grandi-segnali

•La caratteristica di trasferimento


•Il guadagno in DC
•La polarizzazione

42
Il MOSFET come amplificatore
vo = vDS = VDD - RDiD

Presenza di RD (resistenza di carico)


per ottenere la linea di carico:

iD = VDD/RD – (1/RD )vDS

da qui ci ricaviamo la caratteristica di trasferimento vO - vI

(a) Struttura base dell’amplificatore a source-comune. (b) costruzione grafica per determinare
la caratteristica di trasferimento dell’amplificatore. 43
MOSFET usato come amplificatore lineare
(nella regione di saturazione)

= | ≡

Al limite della regione di saturazione (punto B) si ha:

(c) Caratteristica di trasferimento di un amplificatore polarizzato nel punto Q.


44
MOSFET (nella regione di Triodo)

che nella regione lineare (vO molto piccolo)

Che per rDS « RD

45
Importanza della polarizzazione (DC bias-point)

Due rette di carico e corrispondenti punti di polarizzazione. Nel punto Q1 l’intervallo di variabilità
positiva del segnale d’uscita (positive signal swing ) è piccola (troppo vicino a VDD). Il punto Q2
è troppo vicino alla regione di triodo e non consente un sufficiente swing negativo del segnale.
46
ID = ½ n COX W/L (VGS – Vt)2

L’uso di una polarizzazione fissata (VGS costante) può risultare in una grande
variabilità nel valore di ID.
47
Stabilizzazione del punto di lavoro, fissando il valore di VGS e
usando una resistenza di degenerazione sul terminale di source

VG = VGS + RS ID

Esempio di uso di un resistore sul terminale di source RS: (a) schema di principio; (b) spiegazione
del metodo; (c) implementazione pratica utilizzando un’unica alimentazione; (d) accoppiamento
con un segnale d’ingresso; (e) implementazione con una doppia alimentazione 48
Autopolarizzazione (Rs – feedback)

49
Autopolarizzazione con due polarizzazioni

VSS = VGS + IDRS

50
Esercizio 7
Progettare il circuito per avere:
ID = 0.5 mA con un MOSFET dalle seguenti caratteristiche:
VT = 1 V, Kn’W/L = 1 mA/V2

51
Anche qui la resistenza di gate RG agisce come feedback negativo (degenerazione di gate),
forzando ID a smorzare le eventuali variazioni,
producendo una variazione identica ma di segno opposto sul valore di VGS

VGS = VDS = VDD – IDRD  VDD = VGS + IDRD

Impiego di un resistore di feedback RG.tra il drain e il gate per la polarizzazione del


MOSFET 52
Polarizzazione di MOSFET ad arricchimento

53
Polarizzazione di MOSFET ad arricchimento

54
ID1 = ½ K’ (W/L)1 (VGS – Vt)2 = IREF = (VDD + Vss – VGS)/R
ID2 = ½ K’ (W/L)2 (VGS – Vt)2
 ID2 = I = IREF (W/L)2 / (W/L)1

Configurazione a specchio di corrente

(a) polarizzazione del MOSFET con l’impiego di un generatore di corrente costante


I. (b) implementazione del generatore di corrente costante, utilizzando uno specchio di
corrente 55
Equazioni caratteristiche del funzionamento di un MOSFET (sintesi)
• Regione di Cut-off : I ds  0 for Vgs  VT  0 (1)
• Region Lineare:

 2
W V 
 
I ds    Cox    Vgs  VT  Vds  ds   1    Vds  for 0  Vds  Vgs  VT (2)
L  2 
 
• Saturazione:
  Cox W 2
I ds 
2 L
 
  Vgs  VT  1    Vds  for Vds  Vgs  VT (3)
• Capacità di Ossido
ox
Cox 
t ox
 F/m
2

0.24m process
• Transconduttanza del processo
  ox tox = 5 nm (~10 atomic layers)
  Cox 
t ox
A/V
2
  Cox = 5.6 fF/m2

56
Caratteristiche d’uscita del NMOS ad arricchimento

• Regione lineare:
Vds<Vgs-VT
– Resistore controllato in
tensione
• Regione di saturazione:
Vds>Vgs-VT
– Generatore di corrente
controllato in tensione
• Le curve deviano dal
comportamento ideale a causa :
– Dell’effetto della
modulazione del canale

57
Analisi per piccoli-segnali

Il guadagno di tensione
Il modello di circuito equivalente

58
Regime di lavoro per piccoli segnali

Primo: trovare il punto di lavoro in continua (DC point)


Lo facciamo ponendo il segnale vgs = 0 e per cui

e per essere nella sua regione di saturazione, si deve avere:

59
vGS = VGS + vgs  tensione totale applicata al gate = polarizzazione di gate + segnale 
iD = ½ Kn’ (W/L) (VGS + vgs – Vt)2 =

½ Kn’ (W/L) (VGS – Vt)2 ID corrente di polarizzazione in DC


+ Kn’ (W/L) (VGS – Vt)vgs termine proporzionale al segnale d’ingresso vgs
+ ½ Kn’ (W/L) v2gs termine non lineare

Vogliamo che ½ Kn’ (W/L) v2gs « Kn’ (W/L) (VGS – Vt)vgs  vgs « 2 (VGS – vt) = 2 VOV

Se la precedente condizione è soddisfatta


la condizione di piccolo segnale è soddisfatta
e per cui possiamo scrivere

iD = ID + id

dove id = Kn’ (W/L) (VGS – Vt)vgs

In questo caso possiamo definire la transconduttanza gm

gm ≡ id/vgs = Kn’ (W/L) (VGS – Vt) = Kn’ (W/L) VOV

La transconduttanza rappresenta la pendenza della caratteristica iD – vGS


nel punto di polarizzazione
= | ≡

Regime operativo per piccoli-segnali per un amplificatore con un MOSFET ad 60


arricchimento
Il guadagno di tensione in regime di piccolo-segnale

vDmax  vDmin  “Output Voltage Swing”

61
Tensioni istantanee totalivGS e vD
Alcune utili espressioni di gm
Espressione 1

= ′ ( − )= ′

per alti valori di gm :


1. il parametro k’n deve essere elevato
2. dispositivi corti e larghi
3. grandi overdrive (VOV)  povero output voltage swing
Espressione 2

NOTA: nel BJT il gm è proporzionale a Ic e


= 2 ′ non dipende dalla geometria

Espressione 3

2 2
= = In conclusione
( − )

Il gm dipende da 3 parametri di progetto e da 1 parametro tecnologico


62
Modello circuitale equivalente in regime di piccolo-segnale

Modello per piccoli-segnali: (a) trascurando la dipendenza di iD da vDS in saturazione


(modulazione della lunghezza di canale); (b) includendo l’effetto della modulazione del
canale, modellato attraverso la resistenza d’uscita ro = |VA| /ID. 63
Esempio di amplificatore MOSFET e suo circuito equivalente

64
Sviluppo del modello equivalente a T. Per semplicità ro è stato omesso.
65
Il modello a T completo

(a) Il modello a T con l’aggiunta della resistenza tra drain e source ro.
(b) Una rappresentazione alternativa.

66
L’effetto di Bulk

67
L’effetto di Bulk (body-effect)

68
Se il source non è connesso al bulk

Transconduttanza di substrato a VDS e VGS = const

0.1 <  < 0.3

Circuito equivalente per piccoli-segnali di un MOSFET con source non connesso al


body 69
Sommario dei modelli equivalenti in regime di piccolo-segnale di
un MOSFET

70
Esercizio 8. Con i valori indicati, trovare: VOV, VGS, VG, Vs, VD, gm, rO.
Trovare il massimo swing d’uscita

VA = 75 V
Vt = 1.5V
K’ (W/L) = 1 mA/V2

-1,5VD  4
71
72
Amplificatori MOS a singolo stadio

73
ROUT = rO || RD

ig = 0  Rin = RG

= =
+ +
RG (M) >> Rsig

vgs = vi

vO = -gm vgs (rO || RD || RL) 


Av = -gm (rO || RD || RL)

Avo = -gm (rO || RD )

= =− ( ∥ ∥ )
+ +

(a) Common-source amplifier (b) circuito equivalente per l’analisi per piccoli-segnali; (c) analisi fatta
direttamente sul circuito 74
Considerazioni sulla configurazione CS

L’amplificatore a CS, è caratterizzato da:


1. Un’altissima impedenza d’ingresso (M)
2. Un guadagno di tensione modesto
3. Un’impedenza d’uscita moderatamente alta
4. Presenta una non “linearità” di Av

75
Rin = RG

1. RS controlla vgs facendo sì che sia sempre verificata


la condizione di linearità vgs << 2VOV
1 2. aumenta la stabilità in DC del circuito
3. se RS » 1/gm il guadagno di tensione non dipende dalle variazioni di gm
= = = 4. Av è il rapporto tra la resistenza sul drain e la resistenza sul sourceRS
+ 1 1+
+ 5. estende la banda passante dell’amplificatore a scapito di una diminuzione
di id e Av e di un aumento del rumore

1
= = ⇒ =− ( ∥ )=− ( ∥ ) ⇒ =− ( ∥ )
1 1+ 1
+ +

=− ( ∥ ) ⟹ 0 =− ⟹ =− ( ∥ )
1+ 1+ + 1+

(a) Common-source amplifier con una resistenza RS sul terminale di source. (b) 76
circuito equivalente per piccoli-segnali avendo trascurato ro .
1
= ~1 Ω

1 1
≪ ⟹ ≈
= = =
+ 1 1+
+

= = = =− ⟹ = =− ( ∥ )= ( ∥ )
1

1
= ( ∥ ) ⇒ 0 = ⇒ = = =
+ 1 1+
+

(a) Configurazione a gate-comune (b) circuito equivalente per piccoli-segnali 77


Confronto tra le configurazioni CS e CG
1. L’amplificatore CG è non invertente
2. La configurazione CG presenta una resistenza d’ingresso bassa ( K)
3. Sebbene i guadagni Av sono identici (a parte il segno) il guadagno di tensione totale,
nel caso del CG è più piccolo di un fattore (1 + gm RS), causa la bassa impedenza
d’ingresso del CG
4. …ma guardiamo cosa succede se poniamo in ingresso un generatore di corrente

1
= = =
+ 1
+

1
≫ ⇒ =

5. La configurazione CG è un ottimo amplificatore di corrente con


guadagno unitario (current-follower)
6. Usato nella configurazione cascode
7. Mostra delle eccellenti prestazioni ad altissima frequenza

L’amplificatore common-gate eccitato con un segnale di corrente in ingresso.


78
= = = ⇒ ≈
+ +

∥ ∥ 1
= ⇒ = = ≫
( )+
1
( )+
1 1
∥ ∥ +

(guadagno a circuito aperto)

Il guadagno di tensione è circa 1  la tensione d’uscita è circa uguale alla tensione d’ingresso  source-follower

Poiché spesso rO» RL ( ∥ )


≃ =
1 + 1
+ ( ∥ )+

(a) Configurazione a drain-comune o source-follower (b) circuito equivalente


79
per piccoli-segnali con modello a T
Circuito per determinare la resistenza d’uscita Rout del source follower

Caratteristiche del CD:


Rin indipendente dal carico RL
ROUT indipendente da Rsig
il guadagno di tensione è  1

Ottimo stadio intermedio (buffer) tra


un primo stadio con alto guadagno e alta
impeedenza d’uscita e un secondo stadio con
bassa impedenza d’ingresso

…ottimo anche come stadio d’uscita, per fornire un segnale d’uscita ad alto guadagno
con bassa impedenza d’uscita, senza perdita di segnale

80
Configurazione CS Sintesi e confronto tra le tre configurazioni base

Rin = RG

Av = -gm (rO || RD || RL)

ROUT = rO || RD

=− ( ∥ ∥ )
+

CS con degenerazione
Rin = RG

=− ( ∥ )
1+

1
=− ( ∥ )
1
+

ROUT = RD

=− ( ∥ )
+ 1+

1
=
1+ 81
Configurazione CG e CD

Rin = 1/gm

= ( ∥ )

ROUT = RD

1
= ( ∥ )
1+

Rin = RG


=
1
( ∥ )+

1
= ∥

( ∥ )
=
+ 1
( ∥ )+

82
Regime di funzionamento in frequenza

83
Le capacità parassite del MOSFET: alcuni valori

• Le capacità nel MOSFET hanno tre origini:


– La struttura fisica del dispositivo
– La carica nel canale 0.24 m process
– Le regioni di svuotamento delle giunzioni p-n NMOS

L(drawn) = 0.24 m
L(effective) = 0.18 m
Gate
W(drawn) = 2 m
Source Drain Co (s, d, b) = 0.36 fF/m
CGS CGB CGD Cox = 5.6 fF/m2

Cgso = Cgdo = 0.72 fF


CSB CDB
Cgbo = 0.086 fF
Bulk
Cg = 2.02 fF

COX = ox/tox ox = 34.5 x10-12 [F/m], tox ~ 10-8 [m] 84


Capacità delle giunzioni p-n
Csb e Cdb sono capacità di giunzione formate dalle diffusioni di source e drain e il
substrato, nelle regioni di svuotamento:

0 0
= =
1+ 1+
0 0

Csb0 , Cdb0 sono le capacità source-substrato e drain-substrato con VSB = VDB = 0


V0 è la tensione necessaria a creare il canale (“inversione”) corrispondente a 2 volte il livello di Fermi
e pari a 0.6-0.8 V

85
86
Le capacità parassite di un MOSFET (le espressioni)

87
Il modello del MOSFET in alta frequenza

(a) Modello del circuito equivalente del MOSFET. (b) circuito equivalnete nel caso del source
connesso al substrato (body). (c) modello equivalente del circuito (b) trascurando Cdb (per
semplificare l’analisi). 88
Il valore di frequenza a guadagno unitario (unity-gain frequency) fT

Calcolo del guadagno di corrente di corto circuito Io /Ii.

IO = gmVgs – sCgdVgs  gmVgs


Vgs = Ii /s(Cgs+Cgd)
IO/Ii = gm / s(Cgs+Cgd)
T = gm /(Cgs+Cgd) fT = gm /2 (Cgs + Cgd)  1.5 (n/2L2)(VGSVT)

per un transistor bipolare  fT= 2 VT(n/(2W2B) 89


Risposta in frequenza di un MOSFET

≡ =− ( ∥ ∥ )
+

≡| |⋅

(a) Amplificatore a source-comune con accoppiamento capacitivo(b) risposta in frequenza


90
dell’amplificatore nelle tre regioni di funzionamento (bassa, media e alta frequenza)
R’L = rO RD RL

Equivalente di Thèvenin

Metodo per la determinazione della risposta in alta-frequenza dell’amplificatore CS: (a)


circuito equivalente; (b) il circuito con alcune semplificazioni in ingresso e uscita
91
VO = -gmVgsR’L

1
=
+ 1+
Cin = Cgs + Ceq 0

0 = 1/R’sig Cin


1
=− ∙
+ 1+
0

= =
1+
0
1
= ′
2

(c) circuito equivalente con la Cgd sostituita all’ingresso con Ceq; (d) plot della risposta in
frequenza tipico di un circuito passa-basso a singola costante di tempo (single-time-constant STC). 92
Calcolo esatto della frequenza di taglio superiore

COL  capacità di sovrapposizione tra Gate e Source e Gate e Drain.


In PSPICE coincide con il parametro CGS0 e CGD0 93
Esercizio 8

Trovare guadagno a centro-banda AM e frequenza superiore di taglio a 3-db fH


per un amplificatore CS al cui ingresso è applicato un generatore di tensione impulsiva con
una resistenza serie Rsig = 100 K.
L’amplificatore ha RG = 4.7 M, RD = RL = 15 K, gm = 1mA/V, rO = 150 K, Cgs = 1 pF e Cgd 0.4 pF

94
Calcolo della frequenza di taglio inferiore
=−
1
+ +
2

= =−
+ 1
+
2( + )
1
3 =
2( + )

Funzione di trasferimento filtro “passa-alto”

= = 1
1 + 1
+ + + 1 =
1 1( + ) 2( + )

= =
1 1 +
filtro “passa-alto” 2 =
+

Analisi dell’amplificatore CS per determinare la sua funzione di trasferimento a bassa


frequenza. Per semplicità, ro viene trascurata. 95
Diagramma di Bode del guadagno in tensione nella regione a bassa frequenza
dell’amplificatore CS. Si noti come le tre frequenze di taglio, siano sufficientemente
separate, per distinguerne gli effetti.
96
Calcolo della frequenza di taglio inferiore

97
Parametri SPICE Livello-1 del modello di un MOSFET

98
Valori dei parametri del modello Livello-1 del MOSFET per due tecnologie

99
Gli amplificatori CMOS nei circuiti integrati

1. I componenti passivi (resistori, capacitori), occupano molto spazio sul silicio


2. Nei IC i dispositivi MOSFET svolgono meglio la funzione di componenti passivi
3. Essi consentono di ottenere guadagni più elevati a parità di area
4. Il “fattore di forma” W/L è il parametro chiave nello sviluppo della maggior parte dei progetti analogici
5. Lo “scaling” dei dispositivi

100
Tipici valori costruttivi di dispositivi CMOS

101
Specchi di corrente MOSFET (generatori di corrente costante)

102
L’impedenza d’uscita di uno specchio di corrente

Q2 deve essere in saturazione, poiché deve fornire in uscita una corrente costante

Il circuito da pilotare (RL) deve essere tale da garantire la condizione: VO≥ VGS  Vt

La tensione d’uscita VO sarà uguale al valore di tensione VDS2 = VGS1


Se VO cambia poiché cambia il carico, cambia il valore di corrente IO ma si cerca di mantenere
costante il valore dell’impedenza d’uscita del generatore di corrente, pari a

regolo VA e quindi RO cambiando la lunghezza di canale


103
Circuito di current-steering (current sink e current pull)

Una volta prodotta una corrente costante continua, può essere utilizzata
per essere replicata più volte all’interno dello stesso circuito

Q2 e Q3 sono in saturazione se:

Q5 è in saturazione se:
3 5
5 =
1 4

104
…specchi di corrente
per problemi di “matching” (VTH1  VTH2 ) e a causa della presenza del carico che impone
di considerare l’effetto della modulazione della lunghezza di canale…

1 W 
nCOX   VGS  VTH 1 1  VDS 1
2
ID1 
2  L 1
1 W  2
ID 2  nCOX   VGS  VTH 2  1  VDS 2 
2  L 2
ID 2 (W / L) 2 (VGS  VTH 2) 1  VDS 2 

ID1 W / L 1 (VGS  VTH 1) 1  VDS1

•Modulazione della lunghezza di canale di Q2, al variare delle condizioni di carico


•Differenze nelle tensioni di soglia
•Differenze nelle geometrie

…si può correggere, vedremo come.


105
…carichi attivi MOSFET
Per ottenere alti guadagni AV ho bisogno di resistenza di drain con valori elevati, ma questo:
1. impossibile negli IC ottenere elevati valori di resistenza  spreco di silicio
2. alti valori di corrente di polarizzazione in DC e alta dissipazione di potenza impossibile per
disegni low power
 impiego di carichi attivi

id1 = gm1Vin
id2 = id1 e id3 = id2 [(W/L) 3/ (W/L)] 2,
la corrente di drain per piccolo segnale di M3 è uguale a gm1Vin (W/L) 3/ (W/L) 2,
quindi il guadagno di tensione del circuito, è uguale a
AV = gm1RL(W/L)3/(W/L)2. 106
Configurazioni di amplificatori per circuiti integrati:
il CS con carico NMOS connesso a diodo

1
= 1 ∥ 2 =
2 + 2+ 2 + 1

1
=− 1
2 + 2+ 2 + 1

1 1 1
≈− 1 =−
2+ 2 21+

= 2

2
1
≈−
2
2
vout

107
Determinazione dell’impedenza di M2 connesso a diodo

( rO)

vgs2 = vg2  vs2 = vs2

2
2 = 2 2 + 2 2 +
2
2 1
2 = =
2 2 + 2 + 2

108
Confronto tra carico NMOS e PMOS in un CS:

1 gm1 1
Av   gm1 
gm 2  gmb 2 gm 2 1  

n W / L 1 gmn


Av   
p W / L  2 gmp

Considerazioni:
1. Per avere un più alto guadagno dobbiamo avere un grosso dispositivo d’ingresso
2. Av è più lineare e dipende esclusivamente dai fattori di forma dei dispositivi

109
Il CS con carico MOS connesso a diodo:
il problema dell’output voltage swing

ID1 = ID2

W  W 
n  VGS1  Vth12  p  VGS 2  Vth 2 2
 L 1  L 2

VGS 2  Vth 2
 Av
VGS1  Vth1

Esempio:
se Av = 10 e (Vgs1 –Vth1) = 200 mV e Vth2 = 0.7V  Vgs2 = 2.7V  VOUT = VDD  Vgs2

Problema: limitazione dell’output voltage swing


110
Comportamento in frequenza dello stadio CS con carico NMOS connesso a diodo

vin vout
gm1vgs1

vin vout
gm1vgs1

= 1 + (1 + | |) 1
= 1 + 1 + 2 + 2
1
= = 1 ∥ 2 =
2 + 2+ 2 + 1

1 1
−ℎ ℎ = −ℎ ℎ =
2 2 ( + )
111
Stadio CS con carico PMOS connesso a diodo
Alti guadagni richiedono grandi superfici  capacità più elevate e ridotte bande-passanti
In questo caso è preferibile la configurazione con PMOS come carico
Inoltre questa configurazione presenta un’impedenza d’uscita più alta, poiché il PMOS
non soffre del body-effect

nW / L 1 gmn


Av   
p W / L  2 gmp

1
−ℎ ℎ =
2

2
−ℎ ℎ =
2 1 + 1+ 2 + 2
112
Amplificatore CS con carico attivo
Il carico attivo è spesso utilizzato come carico dello stadio CS per due motivi fondamentali:
1. L’alta impedenza incrementale offerta  alti guadagni di tensione
2. La modesta corrente di carico assorbita  basse potenze assorbite (low-power design)
al contrario volendo usare alti valori di resistenza usando resistori discreti …

1 ( 1 + 2)
= ⟹ =
2 2 1 + 2 + 1 + 2

…se considero anche i carichi in ingresso e in uscita, avrò

113
Confronto tra CS con carico MOS connesso a diodo e carico attivo

1. Nel primo caso il guadagno a mezza banda è regolato solo dal rapporto delle
dimensioni dei dispositivi
2. Nel secondo, il guadagno AMB è dato ancora dal prodotto gm· Rout
3. Di conseguenza nel secondo caso si ottengono guadagni più elevati
4. Di contro si ottengono bande passanti più basse nel secondo caso, soprattutto se
consideriamo valori di resistenza di ingresso e capacità di carico diverse da zero

 meglio del carico con MOS connesso a diodo, evito problemi di mismatch
 Riduzione della banda se presente un grande carico capacitivo
 Si può aumentare ROUT con configurazioni più complesse dello specchio di correnteriduce la banda
 Prodotto GBW, rimane pressoché costante

114
Source Follower con carico attivo
Per evitare cadute di guadagno a causa di carichi capacitivi molto alti
(pad di I/O o presenza di stadi successivi), si usa la seguente configurazione

M1 presenta body-effect

vin

vout

gm1vgs1 gmb1vsb1

vout

vin

115
Source Follower con carico attivo (comportamento in frequenza)

gm1vgs1 = gm1 (vin-vout)=


gm1vin – gm1vout

gm1vout e gmb1vout
si trasformano nelle resistenze 1/gm1 , 1/gmb1
116
Source Follower con carico attivo (comportamento in frequenza)

1
= = 1 + 2 + 2 ≈ 1 + 2
1 + 1+ 1 + 2
Il guadagno di tensione del Source Follower

Calcolo la corrente iout

iout = iin + gm1 vin iin iout

iin = sCgs (vin  vout)

iout = sCgs (vin  vout) + gm1 vin


iout =vin (gm + sCgs) sCgs vout

= ∙ =
(1 + ) (1 + )

1
1+
1
( ) = 1 ∙
1+ 1 +

118
Source Follower con carico attivo

Il circuito presenta pertanto uno zero in


1
e un polo in =
2 1

1 + 1 + 1 + 2
=
2 1 +

1
Il guadagno a centro banda, risulta =
1 + 1 + 1 + 2

Tipicamente è fpole < fzero


1
ℎ ℎ =
1 +

119
Source Follower con carico attivo: conclusioni
Le caratteristiche offerte dal SF, sono:
1. Una bassa capacità di carico per lo stadio precedente (effetto Miller non presente)
2. Consente di avere una BW maggiore del solo stadio CS

Lo stadio a SF con carico attivo per le sue caratteristiche viene usato come buffer d’uscita,
tra uno stadio di guadagno e il pin d’uscita o uno stadio successivo

120
Lo stadio Cascode

Il segnale è applicato a M1 il cui drain è collegato al source di M2 in configurazione CG


con il carico RD che nei IC viene sostituito con un generatore di corrente ID implementato
con un carico attivo

121
Lo stadio Cascode (a componenti discreti)
Consideriamo il circuito equivalente con carico discreto RD

La presenza di M2 aumenta il carico su M1 ottenendo un guadagno più elevato rispetto


alla semplice configurazione CS

Av  gm1(gm2 + gmb2)rO2rO1

122
Calcolo dell’impedenza d’uscita dello stadio Cascode

La corrente attraverso RS è IX, V1 = IXRS


la corrente che fluisce attraverso rO
IX – (gm+gmb)V1 = IX + (gm+gmb)RSIX.
Sommando le cadute di tensione su rO e RS, otteniamo:

ROUT = [1+(gm+gmb)RS]rO +RS = [1+(gm+gmb)rO]RS +rO

(gm+gmb)rO » 1 e
sostituendo rO1 ed rO2

ROUT = [1 + (gm2 + gmb2)rO2]rO1 + rO2

ROUT  (gm2 + gmb2)rO2rO1

123
Lo stadio Cascode (aumento del guadagno AV)
Potremmo pertanto aumentare il numero di dispositivi in cascata per aumentare Av

Av  gm1(gm2 + gmb2)(gm3 + gmb3)rO3rO2rO1 = Av1Av2Av3

c’è bisogno di trovare un compromesso però, tra Av e massima tensione d’uscita consentita
infatti in questo esempio, il massimo output voltage swing, è:

VOmax = VDD – (VGS1 – VTH1) – (VGS2 – VTH2) - |VGS3 – VTH3| - |VGS4 – VTH4|
124
Studio del guadagno di tensione del Cascode integrato

vgs2 = vs2

1. Con questa configurazione si ottengono guadagni di tensione di diverse migliaia


2. Dovendo rimanere costante il GBW, ad un aumento di Av corrisponde una diminuzione
della banda passante
125
Studio del guadagno di tensione del Cascode integrato
i
Equivalente di Thèvenin
gt2 =gm2 + gmb2
vs2 =  gm1· rds1 · vin + i· rds1
vout = i·rcs
vs2
= 2 + 2 2 + ∙ 2

=− 1 1 − 1 + 2 2 − 1 1 − 1 + 2 −

( 1 1 + 2 1 1 2) ∙
=−
1 + 2 + + 2 1 2

Guadagni anche di diverse migliaia 126


Comportamento in frequenza dello stadio Cascode (con carico esterno)

1 2
( )= ∙ ⋯
1+ 0
1+ 1
1+
Comportamento in frequenza del Cascode (con carico attivo)

Se rds3 è l’impedenza del carico attivo, visto dal drain di M2


e inoltre consideriamo nulla la resistenza serie del generatore di tensione d’ingresso

C1 = Cgd1 + Cdb1 + Csb2 + Cgs2,


C2 = Cgd2 + Cdb2 + Cdb3 +Cgd3
1 1
= 1 = 1 ∥ 2 ∥ 3 = 1 ∥ ∥ 3
2 1 1 2+ 2

1 1
= ≈
2 ( 3 ∥ 2) 2 2 3 2

Thevenin
uscita M1

128
Stadio cascode con carico cascode

4 = 3 + 4 + 4 3 4

2 = 1 + 2 + 2 3 4

4 = 4 + 4

2 = 2 + 2

1 2 1 2 4
=− + + ⋅
1 2 1 2 4 2

se il fattore di forma (W/L)PMOS = 3 (W/L)NMOS

gt2 = gt4 , grds1 = grds3 , grds2 = grds4

1 2
≈−
2 1 2
129
Stadio cascode con carico cascode (sommario)
Rispetto allo stadio Cascode classico

• I guadagni di tensione sono elevati per


entrambe le configurazioni e
dell’ordine del migliaio
• Migliora leggermente l’output swing  Vomax = VDD  (VGS1  Vtn1)  VGS3  Vtp3 
• L’impedenza d’uscita aumenta  RO4  RO2
notevolmente
• Richiede meno tensioni di
alimentazione

• Contro:
– La banda passante si riduce

130
…specchi di corrente: il problema del matching
la configurazione Wilson (un’applicazione dell’architettura Cascode)

rispetto alla semplice configurazione :


1. IO è più controllabile poiché evita i problemi di matching dei dispositivi grazie alla presenza di
M0
2. la presenza di M0 rende VDS2 insensibile alle variazioni di tensione dovute al carico
3. presenta una più elevata impedenza d’uscita ROUT = rO0 +[1 +(gm0+gmb0)rO2]  rO0rO2(gm0+gmb0)
131
…specchi di corrente PMOS

Configurazione classica Schema di Wilson

132
…specchi di corrente: un’altra configurazione
si adotta la configurazione a cascode

Scopo: IOUT = IREF  VY = VX


in (a) tutte le variazioni VY dovute alla presenza del carico  VP /[(gm3 + gmb3)rO3]

Come faccio ad evitare un’altra Vb?  deve essere Vb – VGS3 = Vx ovvero Vb = VGS3 + Vx
Aggiungo quindi un dispositivo connesso a diodo M0 tale che VN = VGS0 + Vx

Le dimensioni dei dispositivi sono tali che VGS3 = VGS0 e connettendo insieme le gate di M0
ed M3 come in (c)
allora se (W/L)3/(W/L)0 = (W/L)2/(W/L)1  VGS3 = VGS0 e VY = VX
133
Note bibliografiche

Le figure della maggior parte delle trasparenze di queste note didattiche, sono
liberamente tratte dai seguenti testi:

• A.S. Sedra, K.C. Smith, “Microelectronic Circuits”, Oxford University Press, 2004
• B. Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, McGraw-Hill, 2001
• Gray-Meyer, “Circuiti Integrati Analogici, McGraw-Hill, 1993

134
Avvertenze

• Tutto il materiale pubblicato e relativo alle lezioni sul Corso MOSFET,


tenute all’interno del Corso di Laboratorio di Elettronica per l’A.A. 2009-
2010 del Prof. Marangelli, sono esclusivamente da intendersi materiale
didattico e come tale, consultabile, scaricabile e stampabile.
• Ne è vietato qualunque uso commerciale.

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