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Transistors (MOSFETs)
2
Differenze costruttive e funzionali tra MOS e BJT
4
Parametri di funzionamento del BJT
5
Parametri di funzionamento del MOS
6
Parametri di funzionamento del MOS
7
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET
8
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET
9
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET
10
Confronto di parametri tra BJT e MOSFET
• Vt • VbeON
• È un dispositivo simmetrico Vt • Non è un dispositivo simmetrico
simile per source e drain VBCon VBEon
• Caratteristiche corrente-tensione: • Caratteristiche corrente-tensione:
– Relazione quadratica – Relazione parabolica
– Parametro di controllo il fattore di – Parametro di controllo l’area emitter-
forma W/L ID varia molto nel base IS varia poco nel processo di
processo di scaling (11000) scaling (110)
• Corrente di ingresso (gate) = 0 • Corrente di ingresso (iB) 0
impedenza di ingresso = impedenza d’ingresso valore
finito…
ID = 0.5 mA IC = 0.5 mA
K’n = 120 A/V2 gm = IC/VT = 20 mA/V
W/L = 1 gm = 0.35 mA/V
W/L = 100 gm = 3.5 mA/V
11
1/2
2 Φ
= Φ= ∙ 2
= = 2 Φ
= +2 + − = 0 + 2 + − 2
1
= 2
NMOS con vGS > Vt e un piccolo valore di vDS. Il dispositivo funziona come resistore il
cui valore è determinato da vGS. La conduttanza è proporzionale a vGS – Vt’ pertanto iD
13
è proporzionale a (vGS – Vt) vDS.
Caratteristica (iD–vDS ) del MOSFET quando la tensione applicata VDS è piccola. Il
dispositivo opera come un resistore lineare il cui valore è controllato da vGS.
14
All’aumentare di vDS il canale inizia a restringersi e la sua resistenza aumenta
all’aumentare di vDS . (vGS assume un valore costante e > Vt.
15
La corrente di drain iD in funzione di vDS per un NMOS ad accrescimento con vGS > Vt.
16
All’aumentare di vDS il canale inizia a restringersi e non appena vDS (VDSsat) uguaglia vGS
– Vt’ il canale si “strozza” al terminale di drain. L’aumento di vDS oltre vGS – Vt sulla
forma del canale
17
COX = ox/tox ox = 3.45 x10-11 [F/m], tox ~ 10-8 [m]
1 1 1
= ⟹ = =
∙ ∙ ( )
19
Tecnologia CMOS
20
Regime di funzionamento sottosoglia
′
= 1−
Caratteristica iD–vDS per un NMOS ad accrescimento per un dispositivo con k’n (W/L) = 1.0 mA/V2. 22
Modello di circuito equivalente per grandi-segnali, di un MOSFET a canale n in regime di
saturazione 23
Livelli relativi di tensione ai terminali di un NMOS ad arricchimento nelle regioni di
funzionamento di triodo e in saturazione
24
Xd Xd
Un aumento di vDS oltre il valore vDSsat determina un leggero arretramento del punto di
strozzatura (pinch-off) del canale dal terminale di drain determinando una riduzione effettiva della
25
lunghezza del canale (di Xd)
Effetto di vDS su iD nella regione di saturazione. Il parametro VA dipende dalla tecnologia e per un
dato processo, è proporzionale alla lunghezza del canale. (VA = V’A · L )
26
Circuito equivalente per grandi segnali per un NMOS in saturazione, inclusa la resistenza d’uscita
ro. La resistenza d’uscita modella la dipendenza di iD da vDS
27
(a) Simbolo circuitale per un PMOS ad arricchimento. (d) le tensioni di lavoro del PMOS e la
direzione delle correnti. Da notare chevGS e vDS sono negative e iD fluisce fuori dal terminale di
drain.
28
vGS Vt Per indurre il canale
vDS ≥ vGS Vt Regione di triodo
vDS vGS Vt saturazione
VOV 0 in tutte le regioni
30
IDSS = ½ K’nW/L(V2t)
32
Insieme delle caratteristiche di trasferimento iD–vGS per entrambi i tipi di MOSFET
(operanti in saturazione). Le caratteristiche intersecano l’asse di vGS in Vt.
33
Sommario delle equazioni i-v per un NMOS
34
Sommario delle equazioni i-v per un PMOS
35
Esercizio 1
Fissare i valori di RD ed RS in modo da avere:
ID = 0.4 mA
VD = +0.5 V
Vt = 0.7 V
µnCOX = 100 µA/V2
L = 1 µm
W = 32 µm
RS = 3.25 k
RD = 5 k
36
Esercizio 2
R = 25 k
37
Esercizio 3.
RD = 12.4 k
38
Esercizio 4.
Stabilire il regime operativo del transistor, assumendo:
Vt = 1 V
K’ (W/L) = 1 mA/V2
assumere = 0
39
Esercizio 5
Progettare il seguente circuito tale che ID = 0.5 mA e VD = 3V
PMOS ad arricchimento con Vt= -1V e KP’ (W/L) = 1 mA/V2
= 0 e ricordiamoci che VOV 0
Trovare il valore massimo consentito a RD per mantenere il MOSFET in
saturazione
RD = 6 k
RD = 8 k
40
Esercizio 6
Vt = -0.7 V
µPCOX = 60 µA/V2
L = 0.8 m
= 0
41
Analisi per grandi-segnali
42
Il MOSFET come amplificatore
vo = vDS = VDD - RDiD
(a) Struttura base dell’amplificatore a source-comune. (b) costruzione grafica per determinare
la caratteristica di trasferimento dell’amplificatore. 43
MOSFET usato come amplificatore lineare
(nella regione di saturazione)
= | ≡
45
Importanza della polarizzazione (DC bias-point)
Due rette di carico e corrispondenti punti di polarizzazione. Nel punto Q1 l’intervallo di variabilità
positiva del segnale d’uscita (positive signal swing ) è piccola (troppo vicino a VDD). Il punto Q2
è troppo vicino alla regione di triodo e non consente un sufficiente swing negativo del segnale.
46
ID = ½ n COX W/L (VGS – Vt)2
L’uso di una polarizzazione fissata (VGS costante) può risultare in una grande
variabilità nel valore di ID.
47
Stabilizzazione del punto di lavoro, fissando il valore di VGS e
usando una resistenza di degenerazione sul terminale di source
VG = VGS + RS ID
Esempio di uso di un resistore sul terminale di source RS: (a) schema di principio; (b) spiegazione
del metodo; (c) implementazione pratica utilizzando un’unica alimentazione; (d) accoppiamento
con un segnale d’ingresso; (e) implementazione con una doppia alimentazione 48
Autopolarizzazione (Rs – feedback)
49
Autopolarizzazione con due polarizzazioni
50
Esercizio 7
Progettare il circuito per avere:
ID = 0.5 mA con un MOSFET dalle seguenti caratteristiche:
VT = 1 V, Kn’W/L = 1 mA/V2
51
Anche qui la resistenza di gate RG agisce come feedback negativo (degenerazione di gate),
forzando ID a smorzare le eventuali variazioni,
producendo una variazione identica ma di segno opposto sul valore di VGS
53
Polarizzazione di MOSFET ad arricchimento
54
ID1 = ½ K’ (W/L)1 (VGS – Vt)2 = IREF = (VDD + Vss – VGS)/R
ID2 = ½ K’ (W/L)2 (VGS – Vt)2
ID2 = I = IREF (W/L)2 / (W/L)1
2
W V
I ds Cox Vgs VT Vds ds 1 Vds for 0 Vds Vgs VT (2)
L 2
• Saturazione:
Cox W 2
I ds
2 L
Vgs VT 1 Vds for Vds Vgs VT (3)
• Capacità di Ossido
ox
Cox
t ox
F/m
2
0.24m process
• Transconduttanza del processo
ox tox = 5 nm (~10 atomic layers)
Cox
t ox
A/V
2
Cox = 5.6 fF/m2
56
Caratteristiche d’uscita del NMOS ad arricchimento
• Regione lineare:
Vds<Vgs-VT
– Resistore controllato in
tensione
• Regione di saturazione:
Vds>Vgs-VT
– Generatore di corrente
controllato in tensione
• Le curve deviano dal
comportamento ideale a causa :
– Dell’effetto della
modulazione del canale
57
Analisi per piccoli-segnali
Il guadagno di tensione
Il modello di circuito equivalente
58
Regime di lavoro per piccoli segnali
59
vGS = VGS + vgs tensione totale applicata al gate = polarizzazione di gate + segnale
iD = ½ Kn’ (W/L) (VGS + vgs – Vt)2 =
Vogliamo che ½ Kn’ (W/L) v2gs « Kn’ (W/L) (VGS – Vt)vgs vgs « 2 (VGS – vt) = 2 VOV
iD = ID + id
61
Tensioni istantanee totalivGS e vD
Alcune utili espressioni di gm
Espressione 1
= ′ ( − )= ′
Espressione 3
2 2
= = In conclusione
( − )
64
Sviluppo del modello equivalente a T. Per semplicità ro è stato omesso.
65
Il modello a T completo
(a) Il modello a T con l’aggiunta della resistenza tra drain e source ro.
(b) Una rappresentazione alternativa.
66
L’effetto di Bulk
67
L’effetto di Bulk (body-effect)
68
Se il source non è connesso al bulk
70
Esercizio 8. Con i valori indicati, trovare: VOV, VGS, VG, Vs, VD, gm, rO.
Trovare il massimo swing d’uscita
VA = 75 V
Vt = 1.5V
K’ (W/L) = 1 mA/V2
-1,5VD 4
71
72
Amplificatori MOS a singolo stadio
73
ROUT = rO || RD
ig = 0 Rin = RG
= =
+ +
RG (M) >> Rsig
vgs = vi
= =− ( ∥ ∥ )
+ +
(a) Common-source amplifier (b) circuito equivalente per l’analisi per piccoli-segnali; (c) analisi fatta
direttamente sul circuito 74
Considerazioni sulla configurazione CS
75
Rin = RG
1
= = ⇒ =− ( ∥ )=− ( ∥ ) ⇒ =− ( ∥ )
1 1+ 1
+ +
=− ( ∥ ) ⟹ 0 =− ⟹ =− ( ∥ )
1+ 1+ + 1+
(a) Common-source amplifier con una resistenza RS sul terminale di source. (b) 76
circuito equivalente per piccoli-segnali avendo trascurato ro .
1
= ~1 Ω
1 1
≪ ⟹ ≈
= = =
+ 1 1+
+
= = = =− ⟹ = =− ( ∥ )= ( ∥ )
1
1
= ( ∥ ) ⇒ 0 = ⇒ = = =
+ 1 1+
+
1
= = =
+ 1
+
1
≫ ⇒ =
∥ ∥ 1
= ⇒ = = ≫
( )+
1
( )+
1 1
∥ ∥ +
Il guadagno di tensione è circa 1 la tensione d’uscita è circa uguale alla tensione d’ingresso source-follower
…ottimo anche come stadio d’uscita, per fornire un segnale d’uscita ad alto guadagno
con bassa impedenza d’uscita, senza perdita di segnale
80
Configurazione CS Sintesi e confronto tra le tre configurazioni base
Rin = RG
ROUT = rO || RD
=− ( ∥ ∥ )
+
CS con degenerazione
Rin = RG
=− ( ∥ )
1+
1
=− ( ∥ )
1
+
ROUT = RD
=− ( ∥ )
+ 1+
1
=
1+ 81
Configurazione CG e CD
Rin = 1/gm
= ( ∥ )
ROUT = RD
1
= ( ∥ )
1+
Rin = RG
∥
=
1
( ∥ )+
1
= ∥
( ∥ )
=
+ 1
( ∥ )+
82
Regime di funzionamento in frequenza
83
Le capacità parassite del MOSFET: alcuni valori
L(drawn) = 0.24 m
L(effective) = 0.18 m
Gate
W(drawn) = 2 m
Source Drain Co (s, d, b) = 0.36 fF/m
CGS CGB CGD Cox = 5.6 fF/m2
0 0
= =
1+ 1+
0 0
85
86
Le capacità parassite di un MOSFET (le espressioni)
87
Il modello del MOSFET in alta frequenza
(a) Modello del circuito equivalente del MOSFET. (b) circuito equivalnete nel caso del source
connesso al substrato (body). (c) modello equivalente del circuito (b) trascurando Cdb (per
semplificare l’analisi). 88
Il valore di frequenza a guadagno unitario (unity-gain frequency) fT
≡ =− ( ∥ ∥ )
+
≡| |⋅
Equivalente di Thèvenin
1
=
+ 1+
Cin = Cgs + Ceq 0
0 = 1/R’sig Cin
′
1
=− ∙
+ 1+
0
= =
1+
0
1
= ′
2
(c) circuito equivalente con la Cgd sostituita all’ingresso con Ceq; (d) plot della risposta in
frequenza tipico di un circuito passa-basso a singola costante di tempo (single-time-constant STC). 92
Calcolo esatto della frequenza di taglio superiore
94
Calcolo della frequenza di taglio inferiore
=−
1
+ +
2
= =−
+ 1
+
2( + )
1
3 =
2( + )
= = 1
1 + 1
+ + + 1 =
1 1( + ) 2( + )
= =
1 1 +
filtro “passa-alto” 2 =
+
97
Parametri SPICE Livello-1 del modello di un MOSFET
98
Valori dei parametri del modello Livello-1 del MOSFET per due tecnologie
99
Gli amplificatori CMOS nei circuiti integrati
100
Tipici valori costruttivi di dispositivi CMOS
101
Specchi di corrente MOSFET (generatori di corrente costante)
102
L’impedenza d’uscita di uno specchio di corrente
Q2 deve essere in saturazione, poiché deve fornire in uscita una corrente costante
Il circuito da pilotare (RL) deve essere tale da garantire la condizione: VO≥ VGS Vt
Una volta prodotta una corrente costante continua, può essere utilizzata
per essere replicata più volte all’interno dello stesso circuito
Q5 è in saturazione se:
3 5
5 =
1 4
104
…specchi di corrente
per problemi di “matching” (VTH1 VTH2 ) e a causa della presenza del carico che impone
di considerare l’effetto della modulazione della lunghezza di canale…
1 W
nCOX VGS VTH 1 1 VDS 1
2
ID1
2 L 1
1 W 2
ID 2 nCOX VGS VTH 2 1 VDS 2
2 L 2
ID 2 (W / L) 2 (VGS VTH 2) 1 VDS 2
ID1 W / L 1 (VGS VTH 1) 1 VDS1
id1 = gm1Vin
id2 = id1 e id3 = id2 [(W/L) 3/ (W/L)] 2,
la corrente di drain per piccolo segnale di M3 è uguale a gm1Vin (W/L) 3/ (W/L) 2,
quindi il guadagno di tensione del circuito, è uguale a
AV = gm1RL(W/L)3/(W/L)2. 106
Configurazioni di amplificatori per circuiti integrati:
il CS con carico NMOS connesso a diodo
1
= 1 ∥ 2 =
2 + 2+ 2 + 1
1
=− 1
2 + 2+ 2 + 1
1 1 1
≈− 1 =−
2+ 2 21+
= 2
2
1
≈−
2
2
vout
107
Determinazione dell’impedenza di M2 connesso a diodo
( rO)
2
2 = 2 2 + 2 2 +
2
2 1
2 = =
2 2 + 2 + 2
108
Confronto tra carico NMOS e PMOS in un CS:
1 gm1 1
Av gm1
gm 2 gmb 2 gm 2 1
Considerazioni:
1. Per avere un più alto guadagno dobbiamo avere un grosso dispositivo d’ingresso
2. Av è più lineare e dipende esclusivamente dai fattori di forma dei dispositivi
109
Il CS con carico MOS connesso a diodo:
il problema dell’output voltage swing
ID1 = ID2
W W
n VGS1 Vth12 p VGS 2 Vth 2 2
L 1 L 2
VGS 2 Vth 2
Av
VGS1 Vth1
Esempio:
se Av = 10 e (Vgs1 –Vth1) = 200 mV e Vth2 = 0.7V Vgs2 = 2.7V VOUT = VDD Vgs2
vin vout
gm1vgs1
vin vout
gm1vgs1
= 1 + (1 + | |) 1
= 1 + 1 + 2 + 2
1
= = 1 ∥ 2 =
2 + 2+ 2 + 1
1 1
−ℎ ℎ = −ℎ ℎ =
2 2 ( + )
111
Stadio CS con carico PMOS connesso a diodo
Alti guadagni richiedono grandi superfici capacità più elevate e ridotte bande-passanti
In questo caso è preferibile la configurazione con PMOS come carico
Inoltre questa configurazione presenta un’impedenza d’uscita più alta, poiché il PMOS
non soffre del body-effect
1
−ℎ ℎ =
2
2
−ℎ ℎ =
2 1 + 1+ 2 + 2
112
Amplificatore CS con carico attivo
Il carico attivo è spesso utilizzato come carico dello stadio CS per due motivi fondamentali:
1. L’alta impedenza incrementale offerta alti guadagni di tensione
2. La modesta corrente di carico assorbita basse potenze assorbite (low-power design)
al contrario volendo usare alti valori di resistenza usando resistori discreti …
1 ( 1 + 2)
= ⟹ =
2 2 1 + 2 + 1 + 2
113
Confronto tra CS con carico MOS connesso a diodo e carico attivo
1. Nel primo caso il guadagno a mezza banda è regolato solo dal rapporto delle
dimensioni dei dispositivi
2. Nel secondo, il guadagno AMB è dato ancora dal prodotto gm· Rout
3. Di conseguenza nel secondo caso si ottengono guadagni più elevati
4. Di contro si ottengono bande passanti più basse nel secondo caso, soprattutto se
consideriamo valori di resistenza di ingresso e capacità di carico diverse da zero
meglio del carico con MOS connesso a diodo, evito problemi di mismatch
Riduzione della banda se presente un grande carico capacitivo
Si può aumentare ROUT con configurazioni più complesse dello specchio di correnteriduce la banda
Prodotto GBW, rimane pressoché costante
114
Source Follower con carico attivo
Per evitare cadute di guadagno a causa di carichi capacitivi molto alti
(pad di I/O o presenza di stadi successivi), si usa la seguente configurazione
M1 presenta body-effect
vin
vout
gm1vgs1 gmb1vsb1
vout
vin
115
Source Follower con carico attivo (comportamento in frequenza)
gm1vout e gmb1vout
si trasformano nelle resistenze 1/gm1 , 1/gmb1
116
Source Follower con carico attivo (comportamento in frequenza)
1
= = 1 + 2 + 2 ≈ 1 + 2
1 + 1+ 1 + 2
Il guadagno di tensione del Source Follower
= ∙ =
(1 + ) (1 + )
1
1+
1
( ) = 1 ∙
1+ 1 +
118
Source Follower con carico attivo
1 + 1 + 1 + 2
=
2 1 +
1
Il guadagno a centro banda, risulta =
1 + 1 + 1 + 2
119
Source Follower con carico attivo: conclusioni
Le caratteristiche offerte dal SF, sono:
1. Una bassa capacità di carico per lo stadio precedente (effetto Miller non presente)
2. Consente di avere una BW maggiore del solo stadio CS
Lo stadio a SF con carico attivo per le sue caratteristiche viene usato come buffer d’uscita,
tra uno stadio di guadagno e il pin d’uscita o uno stadio successivo
120
Lo stadio Cascode
121
Lo stadio Cascode (a componenti discreti)
Consideriamo il circuito equivalente con carico discreto RD
Av gm1(gm2 + gmb2)rO2rO1
122
Calcolo dell’impedenza d’uscita dello stadio Cascode
(gm+gmb)rO » 1 e
sostituendo rO1 ed rO2
123
Lo stadio Cascode (aumento del guadagno AV)
Potremmo pertanto aumentare il numero di dispositivi in cascata per aumentare Av
c’è bisogno di trovare un compromesso però, tra Av e massima tensione d’uscita consentita
infatti in questo esempio, il massimo output voltage swing, è:
VOmax = VDD – (VGS1 – VTH1) – (VGS2 – VTH2) - |VGS3 – VTH3| - |VGS4 – VTH4|
124
Studio del guadagno di tensione del Cascode integrato
vgs2 = vs2
=− 1 1 − 1 + 2 2 − 1 1 − 1 + 2 −
( 1 1 + 2 1 1 2) ∙
=−
1 + 2 + + 2 1 2
1 2
( )= ∙ ⋯
1+ 0
1+ 1
1+
Comportamento in frequenza del Cascode (con carico attivo)
1 1
= ≈
2 ( 3 ∥ 2) 2 2 3 2
Thevenin
uscita M1
128
Stadio cascode con carico cascode
4 = 3 + 4 + 4 3 4
2 = 1 + 2 + 2 3 4
4 = 4 + 4
2 = 2 + 2
1 2 1 2 4
=− + + ⋅
1 2 1 2 4 2
1 2
≈−
2 1 2
129
Stadio cascode con carico cascode (sommario)
Rispetto allo stadio Cascode classico
• Contro:
– La banda passante si riduce
130
…specchi di corrente: il problema del matching
la configurazione Wilson (un’applicazione dell’architettura Cascode)
132
…specchi di corrente: un’altra configurazione
si adotta la configurazione a cascode
Come faccio ad evitare un’altra Vb? deve essere Vb – VGS3 = Vx ovvero Vb = VGS3 + Vx
Aggiungo quindi un dispositivo connesso a diodo M0 tale che VN = VGS0 + Vx
Le dimensioni dei dispositivi sono tali che VGS3 = VGS0 e connettendo insieme le gate di M0
ed M3 come in (c)
allora se (W/L)3/(W/L)0 = (W/L)2/(W/L)1 VGS3 = VGS0 e VY = VX
133
Note bibliografiche
Le figure della maggior parte delle trasparenze di queste note didattiche, sono
liberamente tratte dai seguenti testi:
• A.S. Sedra, K.C. Smith, “Microelectronic Circuits”, Oxford University Press, 2004
• B. Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, McGraw-Hill, 2001
• Gray-Meyer, “Circuiti Integrati Analogici, McGraw-Hill, 1993
134
Avvertenze
135