Fondamenti di Elettronica:

test, prima parte

Dato un transistor ad effetto di campo (MOSFET) a canale n del tipo a svuotamento,
polarizzato in zona di saturazione, una riduzione della tensione VGS causa:

un aumento della carica libera nel canale

una riduzione della corrente di drain

La formula Id = IDSS ( 1-VGS/VT)2 Poich VT negativo, allora se VGS (>0) si riduce Id cresce.
Aumentanto la corrente di drain diminuisce la carica libera del canale.

In un transistor MOSFET in saturazione, all'aumentare della tensione VDS, la corrente di

drain:

Rimane costante
Dipende dalla tensione di soglia
Aumenta
Diminuisce

Dalla formula di ID in saturazione si vede che questa dipende direttamente da Vds

Dato un transistor bipolare (BJT) di tipo npn polarizzato in zona attiva diretta, un aumento
della tensione VCE causa:

un aumento della componente di ricombinazione della corrente di base

un aumento della corrente di collettore

Perch dalle formuline aumentando VCE aumenta Ro. Aumentando Ro la corrente preferir fluire
per Ic (vedi schema ai piccoli segnali).

In una giunzione pn, aumentando il drogaggio dei semiconduttori, cosa succede al campo
elettrico massimo alla giunzione?

Rimane invariato
Diminuisce
Aumenta
Dipende dal tipo di drogante

In una giunzione pn, con regioni "p" ed "n" debolmente drogate, quale tipo di breakdown
avverra' in forte polarizzazione inversa?

Zener e Valanga
Valanga
Zener
Dipende dal tipo di drogante

[con scarso drogaggio, il diodo e' un normale diodo, se lo polarizzi fortemente in inversa lo
arrostisci]
Per avere un diodo con breakdown di tipo Zener, bisogna costruire una giunzione pn con
regioni "p" ed "n":

non drogate
fortemente drogate
ugualmente drogate
debolmente drogate

Drogando un semiconduttore con ND atomi donori per cm3 e NA atomi accettori per cm3,
sapendo che ND > NA, quale sar la concentrazione per cm3 delle lacune?

NA - ND
(no)ND - NA
ni 2/ (ND-NA)
NA

Drogando un semiconduttore con NA atomi accettori per cm3 e ND atomi donori per cm3,
sapendo che NA=ND, quale sar la concentrazione per cm3 dei portatori liberi di tipo lacuna?

NA + ND
ni 2/ (ND+NA)
NA
ni

La formula e' ni 2 / (ND - NA) ma aggiungendo lo stesso numero di atomi donori e accettori questi si
annullano

Un semiconduttore viene drogato con atomi di Fosforo (P) con una concentrazione ND=51016
atomi/cm-3 e con atomi di Boro (B) con una concentrazione NA=81015 atomi. Determinare la
concentrazione di Lacune p nel semiconduttore.

DATI: T=25C, ni=1.451010 cm-3 ..

p=5103 cm-3
p=1.451010 cm-3
p=4.2103 cm-3
p=2,6104 cm-3

La formula ni2 / (ND-NA): svolgendo i conti si ottiene p=5.005

Un transistor bipolare (BJT) di tipo pnp pu essere polarizzato nella regione attiva diretta
quando:

le tensioni vBE e vCB sono entrambe < 0

le tensioni vCE e vCB sono entrambe > 0
la tensione vCB > 0 mentre la tensione vCE < 0
la tensione vBE > 0 mentre la tensione vCE < 0

Si sa che la giunzione BE deve essere in diretta, BC in inversa. Poich in base c' il polo negativo
(pnp la base in centro) allora BE deve essere < 0 e BC>0
Un transistor bipolare con la giunzione Base-Emettitore (EBJ) e la giunzione Base-Collettore
(CBJ) polarizzate in inversa, in che regime sta operando?

Zona di interdizione
Zona di saturazione
Zona attiva diretta
Zona attiva inversa

Se entrambe sono in inversa (spente) facile ricordarsi che l'intero BJT risulta spento (interdetto)

Un diodo ideale:

conduce corrente solo se polarizzato direttamente

presenta sempre una tensione negativa tra anodo e catodo
conduce corrente solo se polarizzato inversamente
presenta sempre una tensione nulla tra anodo e catodo

La configurazione invertente, in condizioni ideali:

ha sempre guadagno negativo

ha resistenza di ingresso infinita
ha sempre guadagno maggiore di uno
ha sempre guadagno negativo e minore di -1

In figura riportata la transcaratteristica di un amplificatore (disegno non in scala). Sapendo

che l'amplificatore polarizzato in modo che la tensione continua in ingresso pari a V2/4,
qual' la massima ampiezza (valore di picco) che pu avere un segnale sinusoidale in ingresso
in modo da non avere distorsione nella componente sinusoidale in uscita?

Dati: VMAX=15V, VMIN=1V,V2=6mV, V1=1mV.

Vi_peak < 2mV

Vi_peak < 1.5mV
Vi_peak < 4.5mV
Vi_peak < 0.5mV
Dato l'amplificatore mostrato in figura, determinare la configurazione del transistore Q1 nel
circuito dinamico equivalente valido ai piccoli segnali.

Source comune senza resistenza di source

Gate comune
Source comune con resistenza di source
Drain comune

Dato l'amplificatore mostrato in figura, determinare la configurazione del transistore Q2 nel

circuito dinamico equivalente valido ai piccoli segnali.

Emettitore comune senza resistenza di emettitore

Base comune
Emettitore comune con resistenza di emettitore
Collettore comune
Un amplificatore elettronico deve avere per lo meno una delle seguenti caratteristiche:

amplificazione di potenza
amplificazione di corrente
resistenza di ingresso elevatissima
amplificazione di tensione

Un transistore bipolare, per essere usato al meglio come amplificatore, deve essere
polarizzato:

nella zona attiva

nella zona di saturazione
nella zona di interdizione
nella zona attiva inversa

Nell'amplificatore di figura, il guadagno di tensione pari a -10. La resistenza di ingresso vale

12 kOhm. Qual' il valore delle resistenze R1 e R2?

R1 = 120 kOhm, R2 = 1.2 MOhm

R1 = 1.2 kOhm, R2 = 12 kOhm
R1 = 12 kOhm, R2 = 120 kOhm
R1 = 12 kOhm, R2 = 1.2 kOhm

Nel circuto di figura R1 = 10 kOhm, R2 = 22 kOhm. Qual' il valore dell'amplificazione di

tensione?
AV = -2.2
Nell'amplificatore di figura, R1 = 10 kOhm. Quale deve essere il valore di R2 per ottenere un
guadagno di tensione pari a 10?

9 MOhm
9 kOhm
90 kOhm
900 kOhm

In una giunzione p+n (drogaggio della regione p molto maggiore che nella regione n), in
polarizzazione diretta, nella regione n, lontano dalla giunzione, la corrente dovuta a:

elettroni e lacune
(NO) lacune iniettate dalla regione p
a elettroni che verranno iniettati nella regione p
elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate

In una giunzione pn, per avere la regione di carica spaziale che si estende maggiormente nella
regione "n" bisogna che:

che la regione n sia meno drogata della regione p

La regione di carica spaziale si estende dove c' MENO drogante

In un transistor bipolare con drogaggio di base (NB) e di emettitore (NE) uguali, sara'
caratterizzato da:

Un guadagno ad emettitore comune ,b, basso

Un guadagno ad emettitore comune ,b, elevato
Un marcato effetto Early
Un effetto Early trascurabile
Determinare la zona di funzionamento per il transistore npn riportato in figura.
Dati: VA=3V, VB=4V,VC=3V.
n p n

Saturazione
Interdizione
Attiva inversa
Attiva diretta

Vb>Va ==> giunzione BE in diretta (la base e' p l'emettitore n, vuole appunto che Vb>Ve) Vb>Vc
==> giunzione BC in diretta (come prima)

Il BJT funziona in saturazione:

giunzione BE giunzione BC Funzionamento
off off spento (interd.)
on on saturazione
on off attiva diretta
off on attiva inversa

Determinare la zona di funzionamento per il transistore pnp riportato in figura.

Dati: VA=13V, VB=12V,VC=9V.
p n p

(NO)Attiva diretta
Interdizione
Saturazione
Attiva inversa

L'emettitore e' quello con la freccia! La base e' ad una tensione minore del collettore (Vb<Va)
quindi BC e' in diretta (visto che il pnp vuole che la base (n) sia a meno del collettore (p).
La base e' ad una tensione maggiore dell'emettitore (Vb>Vc) quindi BE e' in inversa.

In un transistor bipolare, per avere un guadagno di corrente ad emettitore comune (b)

elevato, bisogna avere:

Base larga e basso drogaggio di emettitore

Base stretta e basso drogaggio di emettitore
Base larga e drogaggio di emettitore elevato
Base stretta e drogaggio di emettitore elevato
La base deve essere stretta e il drogaggio deve essere: E > B > C
Un transistor MOS ad arricchimento a canale n caratterizzato da:

un substrato (bulk) drogato p

una regione di drain drogata p
una regione di source drogata n
una regione di source drogata p molto debolmente

Nei MOS a canale n, Source e Drain sono N mentre Bulk=p

Sia dato il circuito di figura che impiega un diodo ideale. Sapendo che la tensione d'ingresso vi
un'onda triangolare in accordo con quanto riportato in figura, si determini l'andamento
temporale della tensione di uscita (NOTA: i disegni non sono in scala).
Dati: ViM=15V, VR=-10V.

C)
B)
D)
A)

In un transistor MOSFET a canale n funzionante in zona lineare, aumentando la tensione di

gate, la resistivita' di canale :

Dipende dalla tensione di soglia

Aumenta
Diminuisce (come mai?)
Rimane costante

Dalla formuluzza di ID vediamo che aumentando VGS, ID aumenta, quindi la resistivit diminuita
Disporre i seguenti stadi elementari in ordine di resistenza di ingresso decrescente (i.e. da
quello che presenta la massima a quello che presenta la minima resistenza di ingresso)

1. Collettore comune
2. Emettitore comune senza resistenza di emettitore
3. Base comune

Nell'amplificatore di figura R1 = 12 kOhm, R2 = 24 kOhm, Vcc = 12 V. Qual' la massima

ampiezza (VImax) del segnale VI amplificabile senza distorsione?

VImax = 4

In figura riportata la transcaratteristica di un amplificatore (disegno non in scala).

Quanto vale il guadagno di tensione ai piccoli segnali sapendo che l'amplificatore
polarizzato con una tensione continua in ingresso pari a 3.8mV?
Dati: VMAX=10V, VMIN=2V,V2=4mV, V1=3mV.

AV = 8000
AV = 10000
AV = 0
AV = 2500
Determinare la zona di funzionamento per il transistore MOSFET ad arricchimento a canale
p riportato in figura avente una tensione di soglia Vt=-1V. Dati: VA=8V, VB=10V,VC=5V.

Ohmica (zona lineare o triodo)

Interdizione
Saturazione

Va-Vb = Vgs = -2 quindi puo' essere in lineare o in saturazione

ma Vds=Vc-Vb=-5 < Vgs - Vt = -1 quindi in Saturazione