Digitalna elektronika

2. Tranzistori
 Bipolarni trazistor
(Bipolar junction transistor BJT)

2
Generalna struktura
Poluprovodnička, sendvič struktura sa tri
elektrode
Tri različito dopirane oblasti i dva pn spoja
Najviše dopirana oblast predstavlja emitor,
središnja oblast se naziva baza, dok je
najmanje dopirana oblast kolektora
Baza mora biti vrlo uska
Analizu sprovodimo za npn tranzistore

3
4
Režimi rada BJT
Zavisno od polarizacije spojeva npn
tranzistor se može naći u sledećim
režimima:

5
Rad BJT u aktivnom režimu
U aktivnom režimu rada emitorski spoj je
direktno polarisan, a kolektorski spoj je
inverzno polarisan

6
Analiza struja
Emitor: dve difuzione struje većinskih
nosilaca sa obe strane spoja

7
Koncentracija elektrona u bazi
Oko emitorskog spoja konc. manjinskih
nosilaca (elektrona u bazi i šupljina u
kolektoru) u bazi velika, a oko kolektorskog
spoja izuzetno mala
Dakle, koncentracija elektrona u bazi opada
sa velike vrednosti oko emitorskog spoja na
malu vrednost oko kolektorskog spoja
Pošto je baza veoma može se smatrati da
koncentacija elektrona opada po linearnom
zakonu
8
Koncentracija elektrona u bazi
(2)
Kao posledica neuniformne koncentracije,
elektroni u bazi se kreću difuzijom od
emitorskog ka kolektorskom spoju
Izvestan broj elektrona se na svom putu od
emitorskog ka kolektorskom spoju
rekombinuje i ne stigne do kolektora
S obzirom na malu širinu baze, broj
rekombinovanih elektrona je mali

9
Analiza struja (2)
Na inverzno polarisanom kolektorskom
spoju postoje dve komponente struje
manjinskih nosilaca usled električnog polja:

10
Analiza struja (3)
Struja baze se sastoji od tri komponente:

11
Strujno pojačanje
Odnos struja koje prelaze u kolektor i
struje emitora

Koeficijent strujnog pojačanja od E do K

Koeficijent strujnog pojačanja od B do K

12
Izlazna karakteristika BJT

13
Model npn za velike signale

14
Model npn za male signale

Transkonduktansa tranzistora

Emitorska otpornost

15
Hibridni Pi model za male
signale

16
Polarizacija tranzistora

17
BJT u analognim i digitalnim
kolima
Analogna kola – BJT u direktnom aktivnom
režimu
Pojačavači signala

18
BJT u analognim i digitalnim
kolima (2)
Digitalna kola – BJT kao prekidač
Zakočenje ili zasićenje

19
MOS tranzistor (MOSFET)

20
Uvod
Skraćenica MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)
ukratko opisuje strukturu i princip rada
ovog tipa tranzistora
Kontrolna elektroda je kod MOS
tranzistora izolovana, a kontrola struje se
vrši električnim poljem
Struja se sastoji samo od jednog tipa
nosilaca (elektrona kod NMOS ili šupljina
kod PMOS) - unipolarni tranzistor
21
Uvod (2)
Princip rada MOS tranzistora -1930, a
70tih godina 20v MOS ulazi u širu upotrebu
Zbog jednostavne strukture i male
dimenzije, MOS tranzistori su postali
dominantni u realizaciji digitalnih logičkih
funkcija i memorija, ali se sve više koriste i
u realizaciji analognih elektronskih kola

22
Struktura i simboli MOS
tranzistora
NMOS tranzistor se realizuje na podlozi
(supstratu) p tipa, u kojoj su postupkom
difuzije napravljena dva jako dopirana n+
regiona, koji se nazivaju sors (source) i
drejn (drain)
Površina između S i D prekrivena tankim
slojem (20-100 nm) silicijum dioksida
(SiO2), preko koga je nanesen sloj metala,
koji čini treću, kontrolnu elektrodu - gejt
(gate).
23
Struktura i simboli MOS
tranzistora (2)
MOS tranzistor ima četiri elektrode, ali u
analizi zanemarujemo elektrodu vezanu za
podlogu
MOS tranzistor potpuno simetričan

24
Dimenzije
Dimenzije MOS tranzistora su veoma male.
Tipične vrednosti rastojanja sorsa i drejna,
L - od 1 do 10 μm
Širina istog područja, W, od 2 do 500 μm
U savremenim integrisanim kolima velike
složenosti, minimalne dimenzije su ispod 1
μm
Ovo omogućava realizaciju više miliona
tranzistora na jednoj silicijumskoj podlozi
(čipu).
25
26
Princip rada NMOS tranzistora
Kada na gejt nije priključen napon, između
sorsa i drejna su vezane dve diode na red
Ove dve diode sprečavaju protok struje od
drejna do sorsa kada se primeni napon VDS
Ako su S i D vezani na masu, a dovedemo
pozitivan napon na gejt VGS :
 Ovaj pozitivni napon odbija šupljine, koje
su većinski nosioci u podlozi, dalje od
područja ispod gejta i ostavlja
nepokretne, negativno naelektrisane
akceptorske atome – osiromašena oblast27
Princip rada NMOS tranzistora
(2)
Dovoljno veliki pozitivni napon na gejtu
može da privuče slobodne elektrone iz n+
oblasti sorsa i drejna
Ovi slobodni elektroni se grupišu u podlozi
neposredno ispod gejta i stvaraju provodnu
n oblast koja se naziva kanal
Ako se D i S primeni napon VDS, kroz kanal
će proteći struja - tranzistor sa
indukovanim n kanalom
Struja potiče od kretanja elektrona –
unipolarni tranzistor 28
Princip rada NMOS tranzistora
(3)
Minimalni VGS koji obezbeđuje formiranje
kanala naziva se napon praga provođenja i
obeležava sa Vt - u opsegu od 1 V do 3 V
Metalna elektroda gejta, oksid između
gejta i podloge i podloga formiraju
kondenzator
Kada se dovede napon na gejt, u dielektriku
kondenzatora se pojavljuje električno polje
Polje kontroliše broj slobodnih nosilaca u
kanalu, odnosno provodnost kanala –
tranzistori sa efektom polja 29
MOSFET pri malim naponima
između drejna i sorsa
Pretpostavimo da je formiran indukovani
kanal
Ide struja od sorsa ka drejnu
Jačina struje zavisi od broja slobodnih
nosilaca u kanalu, tj. od razlike napona VGS i
napona praga Vt, kao i od napona VDS
Struja sorsa je jednaka struji drejna, s
obzirom da je struja gejta jednaka nuli jer
je gejt izolovana elektroda

30
MOSFET pri malim naponima
između drejna i sorsa (2)
U režimu malih napona drejn-sors, NMOS
tranzistor radi kao otpornik čija se
otpornost može kontrolisati naponom na
gejtu

31
MOSFET pri većim naponima
između drejna i sorsa
Pri većim naponima VDS, napon između gejta
i sorsa neće biti približno jednak naponu
između gejta i drejna
Zbog toga će se napon između gejta i
kanala menjati od VGS na strani sorsa do
VGD na strani drejna
Pošto dubina kanala zavisi od ovog napona,
na strani sorsa kanal će prodirati dublje u
podlogu, a na strani drejna kanal će biti
plići
32
MOSFET pri većim naponima
između drejna i sorsa (2)
Sa porastom napona VDS promena dubine
kanala postaje sve veća
Kada se napon VDS izjednači sa razlikom
VGS − Vt dubina kanala u okolini drejna se
približno svede na nulu, odnosno kaže se da
je kanal stisnut
Dalje povećanje VDS ne utiče na promenu
oblika kanala, tako da se struja drejna
zaustavlja na nekoj vrednosti, odnosno,
dolazi do zasićenja (saturation) struje
drejna 33
MOSFET pri većim naponima
između drejna i sorsa (3)
Oblast rada NMOS tranzistora u režimu
većih napona VDS > VGS − Vt naziva se oblast
zasićenja
Struja drejna režimu zasićenja se može se
dobiti iz prethodne jednačine za struju
tako što se izvrši smena VDS = VGS − Vt

34
Izlazne karakteristike NMOS

Cut-off – zakočenje
Ohmic Region – triodna oblast
Satuation Region - zasićenje
35
PMOS i CMOS
MOS tranzistor sa p kanalom se pravi na
podlozi n tipa sa p+ oblastima za sors i
drejn
Princip rada isti, polaritet obrnut; u
izrazima za struju umesto pokretljivosti
elektrona figuriše pokretljivost šupljina
Tehnologija izrade PMOS starija i bila
dominantna
Danas zbog boljih karakteristika dominira
NMOS (pokretljivost elektrona 2,5 puta
veća od pokr. šupljina) 36
PMOS i CMOS (2)
PMOS tranzistori se još uvek koriste kao
diskretni tranzistori, a u integrisanim
kolima u okviru komplementarnih MOS ili
CMOS kola
Komplementarna MOS ili CMOS kola sadrže
tranzistore oba tipa
Najkorisnija savremena MOS kola i koriste
se u realizaciji i digitalnih i analognih kola

37
38
Model NMOS tranzistora za
velike signale - zakočenje
NMOS tranzistor je zakočen kada nema
uslova za formiranje kanala, VGS < Vt
Tada između drejna i sorsa, umesto kanala,
postoje dve diode od kojih je uvek jedna
inverzno polarisana
Otpornost izneđu sorsa i drejna reda 1012
Ω, a gejt je izolovan, može se smatrati da
se ceo MOS tranzistor može zameniti
prekinutim vezama.

39
Model NMOS tranzistora za
velike signale – triodna oblast
Uslovi

U triodnoj oblasti se tranzistor ponaša kao otpornik

čija vrednost zavisi od kontrolnog napona VGS

40
Model NMOS tranzistora za
velike signale – zasićenje
Uslovi

41
Model NMOS tranzistora za
male signale (zasićenje)
Jednosmerni režim

42
Model NMOS tranzistora za
male signale (zasićenje)
pretpostavimo da

transkonduktansa MOSFETa

43
Model NMOS tranzistora za
male signale (zasićenje)

44
MOSFET u analognim i
digitalnim kolima
Analogna kola – MOSFET radi u zasićenju
Pojačavači signala

45
MOSFET u analognim i
digitalnim kolima (2)
Digitalna kola – MOSFET kao prekidač
Zakočenje ili triodna oblast

46
MOSFET aproksimacije –
digitalna kola

47