Tranzistori – PNP i NPN spoj, unipolarni i bipolarni tranzistori

Tranzistor je aktivna poluprovodička elektronska komponeneta koja se koristi za pojačavanje

električnih signala, prekidanje struje, stabilizaciju napona, modulaciju signala i drugo. Jedan je od
osnovnih elemenata gotovo svih elektronskih sklopova i uređaja.

Tranzistori se prema načinu rada dele na dve osnovne grupe: bipolarne tranzistore (eng. BJT – Bipolar
Junction Transistor) kod kojih provodnost zavisi od elektrona u NPN i šupljina u PNP tipu, i
unipolarne tranzistore (eng. FET – Field Effect Transistor) kod kojih provodnost zavisi od elektrona u
N-kanalu ili šupljinama u P kanalu.

Prvi tranzistor su napravili Vilijam Šokli, Džon Bardin i Valter Bretejn 22. decembra 1947. godine u
Belovim laboratorijama. Šokli, Bardin i Bretejn su dobili Nobelovu nagradu za svoj izum „za njihova
istraživanja poluprovodnika i otkriće tranzistorskog efekta“.

Pre pronalaska bipolarnog tranzistora koristile su se elektronske cevi koje su imale bitne nedostatke
(cena, potrošnja energije, dimenzije…) ali i prednosti (cevi se i danas ponekad koriste za posebne
namene zbog manje osetljivosti na nuklearno zračenje, velike snage, i kao elementi u audiofilskim
analognim pojačalima…). Najbliži ekvivalent tranzistoru je bila elektronska cev – trioda.
Prvi silicijumski tranzistor proizveden je 1954.godine, od strane kompanije Texas Instruments.
Nakon toga je usledio veoma brz razvoj poluprovodničke tehnologije koja je rezultira tim da su se
pojavile brojne vrste tranzistora.

Kada kažemo TRANZISTOR najčešće se podrazumeva bipolarni tranzistor, a kada se govori o

unipolarnom tranzistoru obavezno je da se naglasi o kojoj vrsti unipolarnog tranzistora se radi.
 Bipolarni tranzistor

Bipolarni su tranzistori nastaju dopiranjem čistog poluvodnika, najčešće silicijuma ili germanijumaa,
gde nastaje struktura u kojoj se između dva područja istog tipa provodljivosti (P ili N) nalazi područje
suprotnog tipa provodljivosti (N ili P). Ovo nam daje mogućnost da imamo dva tipa bipolarnih
tranzistora koji se označavaju kao:

PNP (pozitivno-negativno-pozitivno)
NPN (negativno-pozitivno-negativno)

Izvodi kod bipolarnih tranzistora su:

Base [B]
Emiter [E]
Collector [C]

Baza i emiter čine propustno polarizovan PN spoj (kod NPN tranzistora), za razliku od kolektora i
baze koji čine nepropustno polarizovan PN spoj.

Princip rada tranzistora se zasniva na pobudi manjinskih nosioca naelektrisanja iz emitera u bazu i
njihovom prenosu do kolektora. Kako je napon na spoju baza-emiter manji od napona na spoju
kolektor-baza, a takođe je i struja koja teče u bazu manja od struja emitera i kolektora.
Kada imamo spoj sa zajedničkom bazom ostvaruje se samo pojačanje napona, u spoju sa zajedničkim
kolektorom samo pojačanje struje, a spoju sa zajedničkim emiterom pojačava se i napon i struja, pa je
pojačanje snage najveće.
Bilo da se radi o PNP ili NPN tipu tranzistora oba obavljaju istu funkciju. Razlika je u polaritetima
spoljnih napona i struja, te u vrsti nosilaca električne struje. U PNP tipu tranzistora glavni su nosioci
struje su šupljine, a u NPN tipu tranzistora su to elektroni.
 Unipolarni tranzistori

Kod unipolarnih tranzistora, za razliku od bipolarnih, u provođenju struje učestvuje samo jedna vrsta
električnog nosioca naelektrisanja (ili elektroni ili šupljine). Nazivaju se tranzistori sa efektom polja
(engl. Field-effect transistor, skraćeno FET). Karakteristika im je izrazito veliki ulazni otpor te ih
možemo smatrati naponski upravljanim aktivnim izvorom.

Unipolarni tranzistori u zavisnosti od tehnologije izrade mogu se podeliti na:

Spojni (engl. Junction field-effect transistor) – JFET

Sa izoliranim izlazom (engl. Insulated gate FET) – IGFET
Metal oksidni (engl. metal oxide semiconductor FET) – MOSFET
Vertikalni metal oksidni (engl. vertical metal oxide semiconductor FET) – VMOSFET

Izvodi kod unipolarnih tranzistora su:

Source [S]
Drain [D]
Gate [G]

Funkicija i princip rada tranzistora

Osnovna funkcija tranzistora je da kontroliše protok struje. Tranzistor funkcioniše tako što sa malom
strujom u kolu emiter-baza možemo upravljati znatno jačom strujom u kolu emiter-kolektor. Ova
pojava naziva se tranzistorski efekat. Najbolja analogija koja objašnjava tranzistor je slavina za vodu.
Ventil na vodenoj slavini kontroliše protok vode. Kod tranzistora se taj ventil naziva baza (base) ili
kapija (gate) kod FET-ova (Field Effect Transistor).
Pojačanje tranzistora izražava se kao faktor strujnog pojačanja u spojevima sa zajedničkim emiterom:

Gde su:

β – Faktor pojačanja tranzistora

Ic – Struja kolektora
Ib – Struja baze

Za pravilan rad tranzistora potrebno je polarizovati tranzistor (dovesti mu napajanje) kao i s obzirom
na njegovu preosetljivost na promenu temperature, stabilizaciju radne tačke u odnosu na kolektor i
emiter.
Izlazne karakteristike tipičnog bipolarnog tranzistora koji se ugrađuje u sklopove koji služe kao
naponska pojačala, i druge različite namene, radno područje označeno je plavom bojom.

Simboli bipolarnih i unipolarnih tranzistora