TRANSISTOR JFET

Transistor JFET
JFET o transistor ad effetto di campo a giunzione, è un tipo di transistor ad
effetto di campo. I JFET possono essere “a canale n” o “a canale p”. Il
funzionamento nei due tipi è analogo, anche se cambia il tipo di portatori
maggioritari che causano la conduzione nel canale (nel JFET a canale p i
portatori di carica maggiori sono le lacune, nel JFET a canale n, invece, i
portatori maggiori sono gli elettroni). Il JFET è un dispositivo unipolare,
poiché solo i portatori maggioritari che costituiscono il canale si occupano
della conduzione. Per un funzionamento corretto del dispositivo le giunzioni
gate-canale non devono mai essere polarizzate direttamente. L'intero
funzionamento si basa sull'estensione della zona di svuotamento all'interno
di un canale, in seguito alla polarizzazione inversa di una giunzione, che viene
La struttura di un JFET a canale N è la
localizzata tra il terminale di gate e quello di source. seguente:

Come si vede dalla figura, esso è costituito da un substrato di semiconduttore

drogato di tipo n, detto canale, ai cui estremi sono realizzati i terminali di
source e drain. Sulla faccia superiore e inferiore del semiconduttore sono
ricavate due zone fortemente drogate di tipo p, entrambe collegate al
terminale di gate.
E’ importante sapere che nei JFET:
- la lunghezza del canale è molto più grande rispetto a quella delle altre 2 regioni
- i terminali di source e drain sono totalmente intercambiabili; nei JFET a canale N chiamiamo drain il terminale in cui la
corrente entra (quello a potenziale più alto) Nei JFET a canale P, invece, il drain è il terminale da cui la corrente fuoriesce.
Quando vengono polarizzate inversamente, attorno a entrambe le giunzioni si crea una zona di svuotamento (in cui non
sono più disponibili portatori di carica maggioritari), la cui dimensione dipende dalla tensione V_GS che deve essere
negativa per fornire la polarizzazione inversa. L’allargamento di queste zone di svuotamento provoca un restringimento del
canale, con un conseguente aumento della resistenza complessiva fra drain e source. In questo caso il dispositivo lavora in
zona ohmica, ossia può essere considerato come un resistore variabile controllato in tensione (VCR, Voltage Controlled
Resistor), dato che il valore resistivo visto fra drain e source cambia al variare della tensione di gate V_GS.

Simbolo elettrico JFET a canale n Zone di svuotamento nel JFET

Quando la tensione .fra drain e source diventa dello stesso ordine di
grandezza della , si ha che l’interazione tra i due campi elettrici non è
pù trascurabile, con una conseguente deformazione della forma delle
zone di svuotamento, più profonde verso il terminale di drain. Si
giunge a una situazione limite, chiamata pinch-off (strozzatura), in cui
le due zone di svuotamento arrivano a toccarsi strozzando il canale.
Oltre il pinch-off si verifica che la corrente non dipende piu’ dalla
tensione in modo lineare, ma presenta un fenomeno di saturazione e
il suo valore rimane costante, influenzato solo dalla polarizzazione
inversa fornita da . Nella cosiddetta zona di saturazione il JFET può
essere utilizzato come generatore di corrente costante comandato in
tensione. Aumentando ancora la tensione , si giunge alla zona di
breakdown (rottura) in cui si verifica la distruzione della giunzione
gate-canale.
I JFET possono anche essere utilizzati come amplificatori, dato che le
variazioni introdotte sulla tensione nella maglia di ingresso vengono
riportate come variazioni di corrente nella maglia di uscita e
producono sulla resistenza di carico una variazione di tensione con la
stessa forma d’onda dell’ingresso, ma con una potenza superiore.

Caratteristiche di uscita di un JFET a canale n

Transistor Mosfet e C-Mos
MOSFET è un dispositivo elettrico metallo-ossido-semiconduttore a effetto Type P
di campo.Esso In elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di
campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa
anche nell'elettronica analogica. È detto anche IGFET. Il primo MOSFET fu
realizzato da Kahng e Atalla nel 1959. Il MOSFET è composto da un
substrato di materiale semiconduttoredrogato, solitamente il silicio, al Type N

quale sono applicati tre terminali: gate, source e drain. L'applicazione di

una tensione al gate permette di controllare il passaggio di cariche tra il
source e il drain, e quindi la corrente elettrica, che attraversa il dispositivo.
A seconda che il drogaggio del semiconduttore sia di tipo n o di tipo p il
transistor prende rispettivamente il n) è un tipo di tecnologia utilizzata in
elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base
sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET.
Il CMOS è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la
progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a
transistor MOSFET. Si tratta di una struttura circuitale costituita dalla serie
di una rete di "Pull-Up" ed una di "Pull-Down". La rete di Pull-Up è
costituita da MOSFET a canale P, che si "accendono" solo se la tensione
presente sul gate è minore della tensione di soglia. Inversamente la rete di
Pull-Down è costituita da MOSFET a canale N che si accendono solo se la
tensione presente sul gate è maggiore della tensione di soglia. Per
comprendere come sia strutturata la tecnologia cmos può risultare utile
osservare una porta logica NOT.
Funzionamento di un FET
Il transistor fet è un tipo di transistor a effetto di campo costituito da un substrato di materiale semiconduttore
drogato p-n-p o n-p-n alla quale vengono applicati dei terminali.
Il transistor si basa sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo e la corrente elettrica
che lo attraversa mediante la formazione di un campo elettrico al suo interno che coinvolge solo i partitori di
carica maggioritaria per questo viene detto anche unipolare.
Il jfet è un tipo di transistor fet che utilizza la giunzione p-n con elettrodo retificato
Nel fet viene affiancato al terminale di gate due regioni di silicio drogate opposte al bulk(massa) che costituiscono i terminali di drain e source.
Nella giunzione PN privo di portatori liberi con una differenza di potenziale K detta tensione di bulk e per il funzionamento del dispositivo mantenere una
polarizzazione inversa.
Le dimensioni del transistor sono determinate da L (la larghezza) e W (la lunghezza)
che variano a seconda della direzione parallela e perpendicolare della corrente i nel canale N
Il canale N è la regione tra i due terminali
A seconda della tensione applicata al transistor si verificano 3 tipi di configurazioni di cariche all'interno del dispositivo
ACCOMULAZIONE: quando all'elettrodo di gate viene fornita una tensione minore rispetto al bulk e le lacune del substrato si accumulano in un piccolo strato in
prossimità del gate
SVUOTAMENTO: applicando una tensione maggiore rispetto al bulk le lacune si allontanano dal gate lasciando una regione di svuotamento vicino al gate
INVERSIONE: imposta una tensione V maggiore a quella di soglia, gli elettroni nel substrato vengono attratti dal gate e se la tensione applicata supera quella di
soglia la concentrazione dei elettroni in prossimità del gate è maggiore delle lacune e si forma cosi uno strato di versione la quale il silicio è drogato N
Nel JFET l'effetto transistor si ottiene tramite il campo elettrico indotto dalla tensione applicata al gate e al bulk di solito posto al terminale di source. Questa
differenza di potenziale crea un canale di conduzione nella quale i portatori di carica si spostano dal source al drain in Jfet drogato N dal drain al source in caso del
Jfet drogato P quindi permette il controllo del passaggio di cariche e quindi la corrente che attraversa il dispositivo
Jfet a canale N la regione di substrato è ricca di lacune o ricca di elettroni a seconda della tensione applicata
Jfet drogaggio di tipo N e il terminale di source e di gate di tipo N
Vappl>Vs c'è un passaggio di corrente attraverso il canale controllato dalla tensione al termine del gate
Il JFET è uno dei transistor più diffusi e ha trovato spazio soprattutto nell'elettronica digitale e analogica.
Differenze tra BJT e JFET
BJT
• Utilizzato in elettronica analogica
• Usato come amplificatore ed interruttore
• Giunzione n-p-n o p-n-p bipolare
• Controlla la corrente elettrica tramite la
tensione tra i suoi terminali
• Il più diffuso in elettronica
• Fornisce maggiore corrente in uscita
rispetto al FET
• Non ha il terminale isolato
JFET
• Utilizzato in elettronica digitale e meno in
analogica
• Diversificazione dei metodi e dei materiali: JFET,
MOSFET, MESFET
• Unipolare
• Controlla la corrente elettrica tramite un campo
elettrico al suo interno
• Il più diffuso insieme al BJT
• Alta impedenza in uscita erogando correnti molto
deboli
• Ha il terminale (gate) isolato dove non passa
corrente
 Caratteristiche di integrabilità del fet
i circuiti integrati sono il più importante campo di applicabilità dei transistor ad effetto di campo, visti gli svantaggi in
termini di grandezza e diffusione rispetto ai transistor BJT. I circuiti integrati sono dispositivi realizzati e assemblati
sullo stesso substrato di silicio, che ottimizzano spazio e costi rispetto alla creazione di un circuito tradizionale. In
questi circuiti non si utilizzeranno altri componenti passivi (resistenze, condensatori) in quanto gli stessi transistor
simuleranno il comportamento di questi componenti.

Source gate drain

n+ p- n+

canale n

substrato p
Modalità costruttiva del fet
La struttura reale del transistor è diversa da quella teorica: su un
substrato di tipo p viene fatto crescere,al di sopra, uno strato n che
costituisce il canale del transistor. Vengono poi ricavate, con il drogaggio,
la zona p- di gate e le due zone n+ di source e drain. Questo è il motivo
per cui nella pratica si possono notare tre piedini disposti assialmente tra
loro, in cui il gate occupa la posizione centrale. I transistor fet sono poi
divisi in quelli a canali n e quelli a canali p. per entrambi abbiamo due
tecnologie costruttive:
- JFET - Junction Field Effect Transistor;
- MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;
I MOSFET vengono spesso chiamati semplicemente MOS.
Nei JFET le dimensioni utili del canale vengono variate agendo sulle
dimensioni della zona di svuotamento di una giunzione PN tramite la
tensione VGS. I MOSFET, sia quelli a canale N che quelli a canale P, si
suddividono nei tipi "a riempimento" o "ad arricchimento" (enhancement
mode MOSFET) e "a svuotamento" (depletion mode MOSFET).
 MOS a canale N a riempimento

Nel primo tipo il canale non è inizialmente

presente, ma viene creato grazie alla MOS a canale P a riempimento
tensione VGS. Nel secondo tipo il canale è
inizialmente presente e può essere più o meno
svuotato dalle cariche elettriche sempre grazie
alla tensione VGS. In entrambi i casi, anche se
con modalità opposte, si ottiene una MOS a canale N a svuotamento
regolazione della corrente che scorre nel
canale.

MOS a canale P a svuotamento