Transistor di potenza

Prof. Tozzi Gabriele – ITIS G. Marconi - Verona 1

 Transistor di potenza
• I dispositivi attivi utilizzati
negli amplificatori di potenza
sono i BJT oppure i MOS di
potenza.
• Essi utilizzano tecnologie
costruttive diverse da quelle
impiegate per i transistor di
piccola potenza (di segnale)
perché devono sopportare
correnti e tensioni
decisamente più elevate;
• Inoltre impiegano
contenitori adeguati per
smaltire più facilmente il
calore prodotto dall' elevata
potenza dissipata.
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 Transistor di potenza
• I BJT furono i primi dispositivi attivi che
vennero usati ampiamente nel campo
dell’elettronica e sono ancora oggi molto
importanti nell’industria dei semiconduttori,
nonostante i MOSFET abbiano ormai
raggiunto e superato i BJT dal punto di vista
delle prestazioni e delle applicazioni.
• BJT e MOSFET agiscono sotto principi molto
diversi, ma l’effetto finale ottenuto è lo
stesso: entrambi permettono
l’amplificazione dei segnali.
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 Transistor di potenza
• Quando occorre gestire una corrente più forte ed una
maggiore potenza, si ricorre a transistori quali, ad esempio:
BD435, BD437, BD439, BD441.
• Sono transistori NPN, hanno una Icmax di ben 4 A e possono
smaltire una Pcmax di 36 W (naturalmente vanno montati su
apposito dissipatore di calore). La piedinatura è in figura.
Attenzione: la placchetta metallica sul retro del transistor è
elettricamente collegata al collettore.

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 Transistor di potenza
•Per applicazioni che richiedono di gestire
correnti e potenze elevate occorre usare
transistor in grado di smaltire con
efficienza il calore prodotto.
•In pratica si tratta di transistor in cui il
collettore, grazie ad un progetto
costruttivo che garantisce una ridotta
resistenza termica, riesce a trasmettere il
calore prodotto al radiatore cui è collegato.

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 Transistor di potenza
• I cosiddetti "Power transistor" sono moltissimi; di seguito se ne descrivono alcuni fra
quelli di uso più comune:
KSD2012: NPN, Ic = 3 A, PD = 25 W
TIP31: NPN, Ic = 3 A, PD = 40 W, complementare del TIP32
TIP32: PNP, Ic = 3 A, PD = 40 W, complementare del TIP31
BD435, BD437, BD439, BD441: NPN, Ic = 4 A, PD = 36 W
BD436, BD438, BD440, BD442: PNP, Ic = 4 A, PD = 36 W, complementari dei precedenti
D45C8: PNP, Ic = 4 A, PD = 60 W
2N6107, 2N6109, 2N6111: PNP, Ic = 7 A, PD = 40 W
2N6288, 2N6292: NPN, Ic = 7 A, PD = 40 W, complementari dei precedenti
MJE3055: NPN, Ic = 10 A, PD = 75 W
2N6487, 2N6488: NPN, Ic = 15 A, PD = 75 W
2N6490, 2N6491: PNP, Ic = 15 A, PD = 75 W, complementari dei precedenti
TIP2955: PNP, Ic = 15 A, PD = 90 W, complementare del 2N3055
TIP3055: NPN, Ic = 15 A, PD = 90 W, complementare del 2N2955
BD909, BD911: NPN, Ic = 15 A, PD = 90 W
BD910, BD912: PNP, Ic = 15 A, PD = 90 W, complementari dei precedenti
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 BJT di potenza-Parametri
• I parametri importanti da prendere in
considerazione per una corretta gestione del BJT di
potenza sono:
 la tensione Vceo(max), che è la massima
tensione che si può applicare tra collettore ed
emettitore a base aperta,
la tensione Vcbo(max), che è la massima tensione
che si può applicare tra collettore e base ad
emettitore aperto,
la massima corrente di collettore Icmax
la massima potenza dissipabile Pdmax, il cui
valore viene fornito a 25°C; essa si riduce
all'aumentare della temperatura ambiente.
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BJT di segnale vs BJT di potenza

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 Safe Operating Area
• Il luogo dei punti di funzionamento, nel piano Ic-Vce,
per cui la potenza dissipata è quella massima, è
un'iperbole (luogo dei punti a prodotto Ic∙Vce costante).
• L' area del piano Ic-Vce effettivamente utilizzabile è
quella racchiusa dall'iperbole ed è limitata, in corrente,
dalla Icmax e, in tensione, dalla Vceomax; questa area
viene chiamata SOA (Safe Operating Area).

• La SOA è la porzione
di piano in cui deve
rimanere il punto di
lavoro del transistor
per non danneggiarsi.

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 Connessione Darlington
• I finali di potenza a BJT spesso utilizzano coppie
Darlington, costituite da due BJT posti in cascata.
• I transistor Darlington hanno il parametro hfe elevato;ciò
perché hfe = hfe1·hfe2 dove hfe1 e hfe2 sono i parametri hfe
dei singoli BJT.
• I transistor Darlington,
quindi richiedono piccole
correnti di pilotaggio; la
coppia è corredata di
resistenze di protezione e di
un diodo che salvaguarda il
dispositivo dall'erronea
inversione della
polarizzazione.

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 Darlington di potenza
2N6036 (NPN), 2N6039 (PNP): coppia
complementare, Ic= 4 A, PD = 40 W
BD675, BD677, BD679, BD681: NPN, Ic= 4 A, PD =
40 W
BDX53: NPN, Ic= 8 A, PD = 60 W
MJE700, MJE702, MJE703: PNP, Ic= 4 A, PD = 40 W
MJE800, MJE802, MJE803: PNP, Ic= 4 A, PD = 40
W, complementari dei precedenti
TIP110, TIP111, TIP112: NPN, Ic= 2 A, PD = 50 W
TIP115, TIP116, TIP117: NPN, Ic= 2 A, PD = 50 W,
complementari dei precedenti
TIP131, TIP132: NPN, Ic= 8 A, PD = 70 W
TIP137: PNP, Ic= 8 A, PD = 70 W, complementari dei
precedenti
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 MOSFET di potenza
• I MOSFET di
potenza possono
gestire correnti
elevate sino al
centinaio di
Ampere ed hanno
tensioni di rottura
che possono arrivare
al kV;
• In questi dispositivi,
il canale ha una
struttura diversa
rispetto ai MOS di
piccola potenza.

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