JU MJEŠOVITA SREDNJA ŠKOLA

SANSKI MOST

REFERAT

Predmet: Energetska elektronika

Zanimanje: tehničar elektroenergetike (EU VET)

Tema: UNIPOLARNI TRANZISTORI (FET tranzistori)

Profesor: Ešef Konjević, mag. ing. el. Učenica: Lejla Jakupović, IIIaEE

Sanski Most, novembar 2019. god.

 TRANZISTORI

Tranzistor (Transfer Resistor- prijenosi otpornik) je aktivni poluvodički element s

tri elektrode koji se pretežno upotrebljava kao pojačalo ili elektronička sklopka.
Mogu biti bipolarni ako korisnu struju kroz njega čine i manjinski i većinski
nosioci naelektrisanja ili unipolarni ako je struja posljedica djelovanja većinskih
nosilaca naelektrisanja.
Bipolarni tranzistori nazivaju se još i spojni (engl. Junction),a mogu biti PNP ili
NPN tipa.
Unipolarni tranzistori nazivaju se još i tranzistori s efektom polja (engl. Field
Effect Transistor).
Promjenom ulazne struje bipolarnoga tranzistora ili
ulaznoga napona unipolarnoga tranzistora upravlja se električnom strujom u
izlaznom krugu. U analognim sklopovima tranzistori se primjenjuju ponajprije za
pojačanje električnih signala, a u digitalnim sklopovima kao upravljive
sklopke.Osnovni je element mnogih elektroničkih sklopova, integriranih
krugova i elektroničkih računala.

UNIPOLARNI TRANZISTORI (FET Tranzistori)

Unipolarni tranzistor je kao i elektronička cijev naponski upravljiv

elektronički element. Imaju veliku ulaznu impedanciju te se zbog toga mogu
uporediti sa elektroničkim cijevima. To im daje veliku prednost u odnosu na
bipolarni tranzistor koji je strujno upravljiv elektronički element.
Kod unipolarnih tranzistora,izlazna struja je struja većinskih nosilaca
naelektrisanja koja nastaje uz malo zanemarivo djelovanje manjinskih nosilaca.
Unipolarni tranzistori se lakše proizvode od bipolarnih i manjih su dimenzija.
Prema konstrukciji,postoje dva osnovna oblika unipolarnih tranzistora:
*spojni tranzistori s efektom polja (engl. Junction Field Effect Transistor - JFET) i
*metal oksidni poluvodički transistor s efektom polja (engl. Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET).
FET ima tri osnovne elektrode:
*uvod (S),
*upravljačku elektrodu (G) i
*odvod (D).
 Slika 1.Izgled FET Tranzistora

SPOJNI TRANZISTOR S EFEKTOM POLJA (JFET Tranzistor)

Spojni tranzistori s efektom polja proizvode se s kanalom N tipa i kanalom P

tipa. Pojednostavljena struktura FET-a s kanalom N tipa prikazana je na slici 2.

Slika 2. Pojednostavljena struktura spojnog tranzistora s efektom polja

Komadić materijala N tipa koji prestavlja kanal, ima oblik štapa, čiji krajevi se
nazivaju izvod ili ponor (engl. drain) i izvor (engl. source). Na drugim stranama
kanala oformljena su područja P tipa, međusobno povezana i jako dopirana (P+)
koja s manje dopiranim (N) kanalom čine PN spoj, a cijelo to područje naziva se
upravljačka elektroda (engl. gate). Ukoliko se na krajeve kanala sa slobodnim
priključkom upravljačke elektrode, dovede napon U DD, tada će kroz njega proteći
struja većinskih nosilaca – elektrona. Jačina ove struje određena je Ohmovim
zakonom, odnosno naponom UDS i otporom kanala. Izvor (S) je kraj kroz koji
većinski nosioci ulaze u kanal, ponor (D) je onaj kroz koji većinski nosioci izlaze
iz kanala. Područja upravljačkih elektroda mogu se dobiti legiranjem, difuzijom ili
nekim drugim postupkom.
Proces započinje s podlogom P tipa,na kojoj se difuzijom donorskih primjesa
oformi kanal N tipa. Tada se difuzijom primjesa P tipa (akceptorskih primjesa) na
N kanalu oformi jedna strana upravljačke elektrode, dok drugu stranu
predstavlja podloga.. Na kraju se nanosi metal za mjesta priključaka.

Slika 3. Konstrukcija FET-a dobijenog procesom difuzije

Ako se upravljačku elektrodu (G) priključi negativan potencijal u odnosu na

potencijal izvora (S),osiromašeni slojevi PN spojeva se prošire jer su PN spojevi
polarizirani u inverznom smjeru, i to više u području kanala, a manje u području
upravljačke elektrode zbog različitih koncentracija primjesa (slika 2.). Ukoliko se
inverzni napon poveća, povećat će se i debljina osiromašenog područja kanala,
što znači, da će se povećanjem inverznog napona između upravljačke elektrode
i izvora smanjiti vodljiva širina kanala pri konstantnom naponu na krajevima
kanala. Doda li se potrošač u seriju s naponom UDD prema izvodu (D), promjena
struje ID dovodi do pada napona na potrošaču, tako da uz malu promjenu
napona na upravljačkoj elektrodi dolazi do velike promjene izlazne struje. Za
određenu vrijednost inverznog napona UGS kanal cijelom scojom širinom postaje
nevodljiv i struja kroz njega je tada jednaka nuli.
Naziv „efekt polja“ proizilazi iz činjenice da su osiromašena područja u kanalu
rezultat djelovanja električnog polja na inverzno polariziranim PN spojevima
upravljačka elektroda (G) – kanal.
Naziv „unipolarni“ proizilazi iz toga što struju izvoda čini samo jedan tip
nosilaca naboja – elektrona kod N-kanalnog FET-a, odnosno šupljina kod P-
kanalnog.
 KARAKTERISTIKA FET-a N TIPA

Na ponašanje spojnog tranzistora s efektom polja bitno djeluje osiromašeni sloj

PN spoja. Njegov utjecaj najbolje se može prikazati ako se promatra
karakteristika IDS= f (UDS) kada je UGS=0, kao što je prikazana na slici 4.

Slika 4. Prikaz osiromašenog sloja pri UGS=0 i funkciji ID=f (UDS)

Kako kanal ima određeni otpor, struja ID stvara na njemu pad napona,koji zavisi
od jačine ove struje. Napon između upravljačke elektrode (G) i neke tačke na
kanalu, neće biti konstantan duž kanala zbog razlike pada napona na dijelu
otpora izvora (S) do promatrane tačke.
Ako se spoje upravljačka elektroda i izvor (slika 4.) i za različite napone UDS
mjeri struja ID, tada se dobijenim vrijednostima može nacrtati krivulja prikazana
na slici 3. Kada je UDS=0 i ID=0, duž kanala nema pada napona, pa je i napon
između svake tačke na kanalu i izvora (S) jednak nuli.
U području napona UDS=0 do nekog napona manjeg od UP, porast struje je
približno linearan. Daljim porastom napona UDS nastaje proširenje osiromašenog
sloja, te to dovodi do znatne promjene otpora kanala, pa se kod napona UP
dolazi do struje zasićenja IDSS. Daljim povećanjem napona UDS dolazi do
neznatnog povećanja struje ID. Kada se postigne struja zasićenja, oblik
osiromašenih slojeva je takav da želi zatvoriti ili “prekinuti” kanal, pa se napon
kod kojeg se to događa naziva “napon prekida ili dodira” (engl. Pinch off
voltage) ili VP. Područje karakteristike između UDS=0 I UDS=UP naziva se triodno
područje, zbog sličnosti karakteristici elektroničke cijevi – triode.
Daljim povećanjem napona UDS dolazi do proboja, pri čemu će se tranzistor
najvjerovatnije uništiti, tako da je normalan rad tranzistora s efektom polja u
području zasićenja.
Ako se između upravljačke electrode I izvora priključi napon UGS tako da još više
inverzno polarizira PN spojeve, onda I pri naponu UDS=0 osiromašeno područje
u kanalu čija širina zavisi od napona UGS. Niža struja zasićenja se postiže na
nižim vrijedonstima napona UDS, tako da se uz različite napone UGS dobija skup
krivulja prikazan na slici 5, koji se naziva izlazna karakteristika tranzistora.

Slika 5. Skup krivulja ID=f (UDS) pri UGS=const. za FET

Sa slike možemo uočiti da se napon UP smanjuje ako se povećava inverzna

polarizacija PN spojeva između upravljačke elektrode i kanala. Ukoliko se mjeri
ID uz konstantan UDS I promjenljiv UGS dobija se prenosna karakteristika FET-a
prikazana na slici 6.
Slika 6.

Prenosna karakteristika FET-a ID=f (UGS) uz UDS=const.

Osim već opisanog N kanalnog FET-a postoji i P kanalni FET, kod kojeg je kanal
P tipa, a upravljačke elektrode su N tipa. Princip rada obe vrste je jednak, uz
osnovnu razliku u smjeru napona za postizanje inverznog napona PN spoja
upravljačka elektroda –kanal. Simboli oba tipa FET-a su prikazani na slici 7.

Slika 7. Grafički simboli za spojni tranzistor s efektom polja

Prijenosna karakteristika FET-a može se približno prikazati izrazom:

Iz nagiba prenosne karakteristike može se odrediti parametar gm tranzistora, koji

se naziva strmina. Ona zavisi od odnosa promjene struje ID i napona UGS.
Izražava se u μS ili mA/V. Drugi parametar tranzistora, značajan za izmjenični
signal je otpor izvoda rd koji zavisi od odnosa promjene napona UDS i struje ID.