Unità 1

Caratteristiche funzionali
di diodi e transistor

1
Diodo. Due terminali: anodo (A); catodo (K).

Simbolo elettrico

Circuito di polarizzazione diretta

Caratteristica ID - VAK

2
Breakdown

Per VAK negativa (polarizzazione inversa) il diodo

normalmente non conduce. Superando la tensione di
breakdown il diodo entra in conduzione anche nella
polarizzazione inversa, provocando una caduta di tensione
quasi costante per qualsiasi valore di corrente.

3
Comportamento del diodo 1^ approssimazione

Per VAK positiva: conduce bene (interruttore chiuso)

Per VAK negativa: conduce male (interruttore aperto)

4
Comportamento del diodo 2^ approssimazione

Per VAK positiva = Vγ: produce una caduta di tensione

costante per qualsiasi valore di corrente (generatore
ideale di tensione)

Per Vγ minore di Vγ: conduce male (interruttore aperto)

5
Comportamento del diodo 3^ approssimazione

Per VAK positiva > Vγ: produce una caduta di tensione che
aumenta con l’aumentare della corrente (generatore
ideale di tensione con una resistenza in serie)

Per VAK minore di Vγ: conduce male (interruttore aperto)

6
Diodo Zener
Sfrutta la condizione di breakdown in polarizzazione
inversa. È utilizzato per ottenere un generatore ideale di
tensione (caduta di tensione costante).

Simbolo
Caratteristica ID-VAK
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Confronto fra circuito con tensione stabilizzata mediante diodo Zener
e circuito senza stabilizzazione.

8
Diodo tunnel Sfrutta l’effetto tunnel che si verifica quando la zona di
svuotamento sulla giunzione PN è molto sottile. In tal
caso gli elettroni invece di superarla la perforano.
Di conseguenza il diodo conduce anche per tensioni
inferiori a Vγ.

Confronto fra effetto tunnel

e corrente in un diodo
normale

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Simbolo del diodo
tunnel

Caratteristica I-V del diodo tunnel

10
BJT Bipolar Junction Transistor: struttura e simboli

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Quattro possibili condizioni di polarizzazione. La quarta non è usata.

12
Saturazione: Interdizione:
corto circuito circuito
fra i terminali aperto fra i
di collettore e terminali di
di emettitore collettore ed
emettitore

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Amplificazione:
sul collettore scorre
una corrente
proporzionale alla
corrente di base.
IC = hFE ⋅ IB

14
BJT come
amplificatore

Movimento dei portatori di carica in un BJT NPN

Formula fondamentale

Relazione fra IC e IB

Formula di uso frequente

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Circuito di polarizzazione per BJT e famiglia di caratteristiche IC -VCE

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BJT per piccoli segnali:
• elevato guadagno di corrente,
• elevata frequenza di taglio sul guadagno di corrente,
• bassa figura di rumore.

BJT di potenza:
• elevata potenza dissipabile,
• bassa resistenza termica,
• elevata tensione di breakdown,
• elevata corrente di collettore,
• elevato guadagno di corrente.

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 Connessione Darlington
Strutture interdigitate per per avere alti guadagni
aumentare la corrente di di corrente
collettore

18
Area di funzionamento sicuro SOA (Safe Operating Area)

Per evitare il surriscaldamento del BJT, il punto di

funzionamento deve essere all’interno della SOA
19
JFET Junction Field Effect Transistor

Struttura Schema per

Simboli
descrivere il
funzionamento

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Variazione della larghezza del canale ad opera di VGS

La zona di svuotamento si allarga di più nel canale perché meno drogato

VP Tensione di pinch-off = tensione che strozza il canale

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Variazione del canale al variare di VDS

22
Caratteristica ID- VDS

Per VDS > |VP| il canale è strozzato (fig. c slide precedente)

e la corrente rimane costante al variare di VDS

23
Funzionamento di un JFET e famiglia di caratteristiche IDS-VDS
per diversi valori di VGS

Al variare di VGS varia la linea orizzontale a corrente costante.

24
Formula del funzionamento del JFET

Transcaratteristica IDS-VGS del JFET

25
MOSFET: Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

Strutture dei MOSFET a canale N

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Formazione del canale nel MOSFET enhancement

La tensione VGS sposta molti elettroni liberi dalla zona N+

alla zona P sotto il gate. Lo strato di elettroni spostati
forma un canale di collegamento fra source e drain.
27
Funzionamento del MOSFET enhancement

La VGS produce un allargamento uniforme del canale, la VDS

restringe il canale vicino al drain. I due effetti si sommano.

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Famiglia di caratteristiche IDS-VDS per diversi valori di VGS

Più alta è VGS più largo è il canale e maggiore è la corrente

che può circolare in esso. La corrente è costante al variare
di VDS quando il canale si strozza.

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Equazione caratteristica del funzionamento di un MOSFET enhancement

VT = tensione di soglia, valore di VGS necessario a spostare nella

zona P un numero di elettroni liberi sufficiente a compensare le
lacune presenti. Per VGS = VT inizia a formarsi il canale, che
aumenta con l’aumentare di VGS.

30
MOSFET depletion:
il canale viene formato in fase di produzione del componente

31
La tensione VGS può provocare un allargamento del canale come
nei MOSFET enhancement oppure un restringimento uniforme.

Famiglia di caratteristiche ID-VDS:

1) VGS = 0: il canale è quello formato in fase di produzione.
2) VGS > 0: VGS produce un allargamento del canale (effetto enhancement).
3) VGS < 0: VGS produce un restringimento del canale (effetto depletion).

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