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I TIRISTORI

I tiristori sono dispositivi di potenza a quattro strati alternati (PNPN) che consentono il
controllo di potenze molto elevate.
I tiristori vengono di solito classificati in relazione:
• Al numero dei terminali;
• Al tipo di commutazione.

Il DIAC è un dispositivo a due terminali costituito da due sezioni PNPN collegati in


antiparallelo; è un dispositivo bidirezionale perché conduce in entrambe le direzioni.

Quando il positivo dell’alimentazione viene collegato al morsetto 1 il DIAC conduce perché


la corrente scorre attraverso la sezione PNPN2; quando il positivo dell’alimentazione viene
collegato al morsetto 2 il DIAC conduce perché la corrente scorre attraverso la sezione
PNPN1.
Caratteristica I/V del DIAC
Il DIAC conduce a una determinata tensione di soglia o di breakover VBO).
Una volta raggiunta questa soglia, la corrente aumenta mentre la tensione diminuisce,
stabilizzandosi a una tensione inferiore a quella di breakover, e viene chiamata tensione di
lavoro (Vw).
Gli SCR, detto anche diodo controllato, sono dispositivi unidirezionali a semiconduttore a
quattro zone drogate alternativamente PNPN; in esso si individuano tre giunzioni J1, J2,
J3 e tre elettrodi A, K, G (A=Anodo, K=Catodo, G=Gate).

La caratteristica dell’SCR è che la tensione d’innesco può essere controllata variando la


corrente di ingresso al gate, facendo ciò svolge il compito di terminale di controllo.

Caratteristica I/V

Applicando all’SCR una tensione diretta (VAK > 0) e supponendo disattivato il gate
(IG = 0, VG = 0), il dispositivo è in stato di interdizione (condizione OFF) e consente solo il
passaggio di una corrente diretta di valore trascurabile. Quando VAK arriva al valore VBO
(tensione di break over) l’SCR passa allo stato di conduzione (condizione ON), la corrente
aumenta e la c.d.t. diminuisce.
Per tensioni positive l’andamento della curva varia in relazione alla corrente di gate. Più è
elevata la corrente di gate, più è bassa la tensione necessaria per portare l’SCR in
conduzione. Si può notare che aumentando la corrente di gate, la curva caratteristica
assomiglia sempre più a quella di un normale diodo.
L’innesco del dispositivo avviene applicando una tensione VG al gate, con la conseguente
circolazione della corrente IG; in questo modo la tensione d’innesco diminuisce in misura
tanto maggiore quanto più IG è elevata.
Questo consente di ottenere la commutazione OFF-ON del dispositivo.
La commutazione inversa, ossia il passaggio dalla conduzione all’interdizione (ON-OFF) è
invece comandata dal circuito in cui il componente è inserito; se la tensione VAK diventa
negativa la corrente diretta si interrompe e il tiristore si comporta come un diodo
polarizzato inversamente, permettendo solo la circolazione di una debole corrente inversa;
in questa fase la corrente IG non ha alcun effetto.
Se la tensione inversa supera il valore VBD (tensione di break down) si determina la
rottura delle giunzioni e l’anormale aumento della corrente inversa.
TRIAC, è un dispositivo semiconduttore a giunzione p-n-p-n.
Si tratta, in pratica, di un componente che funziona come due tiristori di uguali
caratteristiche collegati in antiparallelo, con un unico terminale di controllo G (gate) e due
terminali di potenza, indicati con A1 e A2.

Caratteristica I/V
Nel primo quadrante è simile a quella di un SCR ma, essendo il dispositivo bidirezionale,
si ripete identicamente nel quarto quadrante; la tensione di aggancio dipende dall’intensità
della corrente che viene inviata al gate.

Modi di funzionamento
Analizzando la struttura del TRIAC si osserva che i tre elettrodi (MT1, MT2 e G) sono in
contatto contemporaneamente con una zona P e una zona N; una simile struttura
consente al dispositivo di funzionare in quattro modi differenti:
- Per V1 > V2 con IG positiva;
- Per V2 > V1 con IG positiva;
- Per V1 > V2 con IG negativa;
- Per V2 > V1 con IG negativa;