IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor )

Componenti che sfruttino i vantaggi delle tecnologie bipolare e ad effetto di campo

integrando BJT e MOSFET.
Tale architettura conferisce al dispositivo la caratteristica di alta impedenza di
ingresso, tipica del MOSFET, e una capacità di conduzione della corrente simile a
quella di un BJT.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor )
Il funzionamento di un IGBT può essere
spiegato sulla base di un circuito equivalente:
applicando al gate una tensione positiva
rispetto all’emettitore, il MOSFET di
ingresso entra in conduzione, polarizzando
direttamente la giunzione base-emettitore del
BJT Q1.
La sua accensione provoca la modulazione
della conducibilità della regione n-, il cui è
effetto è stato schematizzato con la resistenza
Rdrift.
La riduzione a zero della tensione vge
determina lo spegnimento del componente.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor )
Il BJT parassita Q2 forma con Q1 una struttura
a controreazione, che potrebbe causare una
conduzione non controllata dell’IGBT. Ciò
viene evitatato riducendo la resistività,
mediante un forte drogaggio della zona di
strato p al di sotto.
In fase di spegnimento del dispositivo, a
causa della elevata Cgc ed in corrispondenza a
consistenti valori di dvce/dt, si potrebbero
verificare fenomeni di riaccensione. Per
evitare tale inconveniente, lo spegnimento del
componente deve avvenire applicando una
tensione vge negativa.
Spegnimento
 Vantaggi

Le principali caratteristiche che rendono vantaggioso l’impiego degli

IGBT sono le seguenti:
• pilotaggio simile a quello di un MOSFET (con assorbimento di corrente
solo durante le commutazioni);
• tempi di commutazione molto contenuti rispetto a quelli di un BJT di
uguale portata (in genere inferiori al ms);
• tensioni massime sopportabili molto maggiori di quelle applicabili ad un
MOSFET, senza pesante degrado delle prestazioni;
• minori problemi, rispetto ad un BJT, per soddisfare i requisiti connessi
alla SOAR inversa.
 Caratteristiche IGBT

Gli andamenti delle caratteristiche di uscita di un IGBT sono molto simili a

quelle di un Transistor bipolare, pur presentando una uscita dalla
saturazione molto più marcata.