Dimensionamento del convertitore elettronico di potenza di un azionamento

elettrico in corrente continua.

Un rotabile dotato di azionamento a chopper, alimentato da una catenaria a 750V, compie il ciclo di
lavoro indicato in Fig.1: a partire da tali dati si desidera definire la struttura del convertitore,
sceglierne i componenti tenendo conto delle esigenze di raffreddamento e di protezione.

500

400

300

200
Corrente [A]

100

-100

-200

-300

-400
0 10 20 30 40 50 60 70
t [s]

Fig. 1 Andamento della corrente assorbita dai motori di trazione.

Dalla figura si evince che il chopper deve essere in grado di erogare sia corrente positiva, sia
negativa e cioè deve pilotare il motore in trazione ed in frenatura. Un convertitore che risponde a
tale prerogativa è il “chopper a due quadranti”: il nome indica che esso è in grado di governare il
funzionamento del motore di trazione su due dei quattro quadranti del piano cartesiano
velocità/coppia. Lo schema elettrico tipico del chopper a due quadranti è indicato in Fig.2.

Fig. 2 Schema elettrico del chopper a due quadranti.

1
Dove:

VL sorgente di tensione – linea di alimentazione

Lf induttanza del filtro ingresso
Cf capacità del filtro ingresso
TT transistor di trazione
TF transistor di frenatura
DT diodo di trazione
DF diodo di frenatura
e forza elettromotrice del motore
R resistenza del motore
L induttanza del motore

Durante la fase di trazione, quindi con corrente I2 positiva, viene comandato (con impulsi modulati
secondo un opportuno fattore di parzializzazione) il transistor di potenza TT mentre quello di
frenatura TF è aperto. Durante la fase in cui TT è in conduzione la corrente circola attraverso TT ed
il motore richiudendosi infine sul polo negativo della sorgente. Quando poi il comando impone
l’apertura a TT la corrente I2 si richiude attraverso il diodo DT. La conclusione è che le valvole DT e
TT vanno dimensionate per la corrente di trazione.

Viceversa quando si è nella fase di frenatura sono coinvolte le valvole DF e TF per il loro
dimensionamento si considera allora la corrente di frenatura. Dato che nelle applicazioni di trazione
la corrente di frenatura è quasi sempre minore di quella di trazione (vista l’esistenza delle azioni
frenanti naturali dovute alla resistenza di avanzamento al moto e al sistema meccanico di frenatura)
il dimensionamento di D F , TF sarebbe dissimmetrico rispetto a quello di DT , TT . Solitamente però
scelgono elementi identici sovradimensionando quelli che risultano meno sollecitati in modo da
avvalersi (come si vedrà nel seguito) di componenti standardizzati più facilmente sostituibili in caso
di guasto.

Per effettuare il calcolo si può considerare allora la sola parte di circuito attiva durante la trazione e
dimensionare gli altri due elementi allo stesso modo. Con queste precisazioni il dimensionamento
verrà effettuato con riferimento alla struttura del convertitore attiva nella fase di trazione (si veda la
Fig.3).

Fig. 3 Schema circuitale del chopper in fase di trazione.

Il problema in definitiva richiede di dimensionare le valvole del circuito di Fig.3 (diodo e transistor
IGBT) a partire dai seguenti dati:

• tensione nominale continua di alimentazione 750 V;

2
 • frequenza di commutazione 1560 Hz;
• corrente massima durante la prima fase del ciclo 450 A (fase 1);
• corrente massima durante la seconda fase del ciclo 330 A (fase2).

Scelte preliminari

Le prime scelte e verifiche da effettuare, una volta noti il ciclo di lavoro e la configurazione
circuitale, riguardano la classe in tensione del componente.

Per i transistor IGBT esistono attualmente diverse classi di tensione: 600 V, 1200 V, 1700 V,
2500V e 3300 V. Solitamente il margine di sicurezza che si utilizza è pari a circa il doppio della
tensione nominale di rete. Nel caso in esame allora è necessario utilizzare transistor IGBT e diodi
da 1700 V visto che la tensione di linea è di 750 V.

Si sceglie poi il valore della corrente nominale da cui partire per le verifiche del dimensionamento.
In proposito si osserva che, sebbene il ciclo di lavoro presenti una corrente efficace o corrente
media più bassa rispetto al valore massimo, il valore nominale di corrente della valvola va scelto
sulla base della corrente massima. Questa scelta tiene conto del fatto che la costante di tempo
termica dei dispositivi a semiconduttori è molto piccola (dell’ordine del secondo) per modo che,
durante il ciclo di lavoro (che presenta tempi, anche se brevi, superiori), la giunzione del
semiconduttore raggiunge il regime termico. La corrente nominale delle valvole deve essere quindi
prossima ai 450 A.

I dati nominali ora impostati serviranno per ricercare nei cataloghi specializzati i componenti
adeguati e per avvalersi dei dati forniti dai costruttori per le necessarie verifiche termiche.

Verifiche termiche

Viene nel seguito indicato un metodo per la determinazione delle perdite dei dispositivi a
semiconduttore. Le perdite serviranno infine per identificare un dissipatore adeguato al fine di
limitare le temperature delle parti attive al di sotto dei valori ammissibili per assicurare una
conveniente vita media probabile.

Calcolo delle perdite

Le perdite per qualsiasi dispositivo elettronico a semiconduttore di potenza si dividono in perdite

per conduzione (paragonabili a quelle per effetto Joule) e per commutazione (che corrispondono
all’energia persa durante la transizione acceso-spento e spento-acceso).

Per calcolare le prime occorre effettuare il prodotto tra la corrente che percorre il semiconduttore e
la tensione ai sui capi. Occorre però considerare che il legame tensione-corrente non è lineare.
Esiste infatti una tensione di soglia (costante e indipendente dalla corrente) più un valore che
dipende linearmente dalla corrente con legame del tipo resistivo. Andrebbe quindi conosciuta la
tensione di soglia e il valore della resistenza in stato di conduzione. Di solito però il costruttore
fornisce direttamente a catalogo la caratteristica V AK ( I d ) idonea al calcolo delle perdite.

3
 Stato di conduzione Stato di conduzione
Ic Id
Vge crescenti

Stato di blocco Vce Vak

a) b)
Fig. 3 Caratteristiche tensione corrente dispositivi a semiconduttore
a) IGBT b) Diodo
b)

In conclusione per il calcolo delle perdite per conduzione si utilizzeranno le seguenti relazioni
basate sui valori di tensione forniti dal costruttore, dove per le diverse grandezze valgono le
convenzioni di misura di Fig.4.

Pcond = Vce ( I C ) ⋅ I c IGBT

Pcond = Vak ( I d ) ⋅ I d diodo

Ic Id
C
A
Vak
G Vce
K
E
a) b)
Fig. 4 Convenzioni di misura e simbologia per: a) IGBT e b) Diodo.

Le perdite per commutazione si calcolano considerando che durante la fase di accensione e

spegnimento di un qualsiasi dispositivo a semiconduttore si ha una dissipazione di energia. Nota
l’energia impiegata in queste fasi, il calcolo della potenza dissipata va condotto dividendo l’energia
totale in un periodo di commutazione per il valore del periodo stesso. Sapendo che il periodo di
commutazione è pari all’inverso della frequenza, la potenza perduta si calcola moltiplicando per la
frequenza di commutazione l’energia dissipata in un ciclo di lavoro.

Esistono dei legami linearizzati per calcolare l’energia di commutazione integrando nel tempo il
prodotto tensione/corrente durante il tempo di accensione o spegnimento ed ipotizzando
l’andamento della tensione e della corrente come lineari. Ma questo tipo di calcolo può portare a
valutazioni errate per via delle approssimazioni introdotte, soprattutto se la frequenza di pilotaggio è
alta e i tempi di commutazione sono piccoli. Risultati più precisi si ottengono se si utilizzano i
valori di energia forniti direttamente dal costruttore in funzione della corrente e tensione.

4
In particolare, usando i dati dei cataloghi, i calcoli vanno impostati come è nel seguito precisato.

Pcomm = [ E on ( I c ) + E off ( I c )] f c IGBT

Pcomm = E rec ( I d ) ⋅ f c diodo (per il quale si trascura l’energia persa in accensione)

Moduli integrati a semiconduttore

I dispositivi da dimensionare sono quindi quattro: due transistori IGBT e due diodi. Esistono però in
commercio dei componenti modulari in cui l’intero chopper è integrato in un unico contenitore. In
Fig. 5 sono riportati lo schema elettrico e il disegno meccanico di un tipico componente integrato
disponibile sul mercato.

a) b)
Fig. 5 Modulo a semiconduttore
a) Schema elettrico b) disegno meccanico

Nello schema elettrico si nota come siano duplicate alcune connessioni elettriche e precisamente
E1/C2-C2/E1, E2 e C1. In effetti, essendo i livelli di corrente molto diversi tra i circuiti di potenza e
di controllo si preferisce separare la morsetteria dei segnali di comando da quella delle connessioni
di potenza. In Fig. 5b i morsetti di segnale sono ubicati nella parte bassa del modulo, mentre quelli
di potenza sono nella parte centrale e hanno una connessione a vite.

Il modello termico

Una volta individuato il valore e l’andamento delle perdite nel tempo va effettuata l’analisi termica
considerando anche la dinamica dei fenomeni poiché le costanti di tempo coinvolte (quelle del
semiconduttore e quelle del dissipatore) sono molto differenti tra loro.

Solitamente poiché le durate dei picchi di corrente superano il valore della costante di tempo del
semiconduttore essa viene trascurata, mentre si prende in considerazione quella relativa al
dissipatore.

5
Va tenuto presente che il modulo a semiconduttore ha quattro dispositivi integrati che sono sede di
perdite e tutti montati su di un unico dissipatore. La rete termica equivalente è rappresentata allora
in Fig. 6.

Rtd TF Rdd DF

θjd DF
θjIgbt TF
Rtd TT Rdd DT

θjIgbt TT
PIgbt F θjdDT Pdiodo T
θd Ctd Rd
PIgbt T Pdiodo F

θamb

Fig. 6 Rete termica equivalente del modulo chopper montato sul dissipatore

Il significato dei termini è:

PIgbtTT perdite nel transistor Igbt di trazione

PdiodoDT perdite nel Diodo di trazione
PIgbtTF perdite nel transistor Igbt di frenatura
PdiodoDF perdite nel Diodo di frenatura
RtdTT resistenza termica transistor Igbt-dissipatore trazione
RddDT resistenza termica diodo-dissipatore trazione
RtdTF resistenza termica transistor Igbt-dissipatore frenatura
RddDF resistenza termica diodo-dissipatore frenatura
Rd resistenza termica transistor dissipatore ambiente
Cd capacità termica dissipatore
θjIgbtTT sovratempreratura giunzione transistor Igbt Trazione-ambiente
θjIgbtTF sovratempreratura giunzione transistor Igbt Frenatura-ambiente
θjdDT sovratempreratura giunzione diodo Trazione-ambiente
θjdDF sovratempreratura giunzione diodo Frenatura-ambiente
θamb temperatura ambiente
θd sovratempreratura dissipatore-ambiente

Generalmente il costruttore fornisce i dati relativi al circuito termico del semiconduttore, è invece a
cura del progettista il dimensionamento del sistema di dissipazione e quindi l’individuazione dei
parametri dello stesso.

L’analisi termica sarà effettuata studiando le grandezze medie a regime e i valori istantanei di
temperatura per ogni fase del ciclo verificando che non vi siano picchi di temperatura superiori alla
massima consentita per la giunzione di ogni singolo dispositivo.

6
Verifiche Numeriche

Così come indicato sopra la prima operazione da compiere è l’individuazione del valore di corrente
nominale del modulo da cui partire per lo svolgimento delle verifiche numeriche successive.
Da catalogo allegato in tab.I si vede come la taglia commerciale più prossima alla corrente massima
di 450 A sia 400 A.
Il modulo scelto è il FF 401R17KF6C B2, in cui sono integrati due diodi e due igbt .

Chopper IGBT Standard Low Loss with

Diode
400A FF 400R16KF4 FF 401R17KF6C B2
600A FF 600R16KF4 FF 600R17KF6C B2
800A FF 800R17KF6C B2

Diodes Standard Diodes EmCon Diodes

300A BYM 300A170DN2

600A BYM 600A170DN2

400A DD 400S16K4 DD 400S17K6C B2

600A DD 600S16K4 DD 600S17K6C B2
800A DD 800S17K6C B2

Tab. I Elenco sigle componenti moduli a semiconduttore per chopper

Calcolo delle Perdite

Per il calcolo delle perdite è necessario porsi nelle condizioni di funzionamento più onerose per
ogni singolo elemento. In effetti a seconda del fattore di parzializzazione a cui funziona il chopper
risulta essere più sollecitato l’IGBT o il diodo.

Nella Fig. 7 si evidenzia il fenomeno considerando la ripartizione delle correnti nei due componenti
del chopper (la simbologia si riferisce alla parte del chopper dedicata alla trazione come indicato in
Fig. 3).

Infatti nell’IGBT (si veda Fig. 7 c) la corrente media dipende in maniera direttamente proporzionale
al fattore di parzializzazione δ = Ton / T , viceversa (si veda Fig. 7 d) nel diodo la corrente media è
proporzionale a (1-δ). Se ne deduce che per il calcolo delle perdite nel diodo ci si deve porre nelle
condizioni di δ minimo, viceversa per il calcolo delle perdite nell’IGBT si deve considerare il
funzionamento a δ massimo.

Valori ragionevoli per il caso in esame sono 0.02 per il δ minimo e 0.98 per quello massimo. Tali
valori sono imposti dai tempi minimi di accensione e/o spegnimento dei semiconduttori. Infatti i
tempi per la commutazione da uno stato all’altro (da acceso a spento e viceversa) sono diversi da
zero quindi una volta dato l’impulso di accensione esso deve durare un tempo sufficiente a garantire
sia l’accensione che lo spegnimento (altrimenti si rischia di comandare lo spegnimento quando non
si è ancora conclusa la fase di accensione).

Considerando che la frequenza di commutazione è pari a 1560 Hz (e quindi il periodo è di 641 µs),
il tempo corrispondente al 2% del fattore di parzializzazione è pari a 12,8 µs. I tempi necessari per
l’accensione e lo spegnimento sono dell’ordine del microsecondo. Scegliere quindi il 2% e il 98%
come valori limite è corretto e garantisce margini sufficienti. In queste condizioni (δ minimo o
massimo) la corrente media nell’elemento (diodo o transistore) è praticamente prossima alla
corrente in uscita al chopper.
7
Calcolo delle perdite negli IGBT

Una volta determinata la tipologia del modulo a semiconduttori si hanno a disposizioni da catalogo
(si veda tab.II) i dati necessari per il calcolo delle perdite.

Nota la corrente nel transistore nella fase di on del chopper si calcolano le perdite per conduzione
come indicato sopra e poi si riducono di un fattore pari a quello di parzializzazione nelle condizioni
più onerose. Le perdite per commutazione si calcolano in base alla corrente da commutare.

Poiché I c massima vale 450 A dal grafico di Fig. 8 si deduce la tensione Vce . Poiché spesso le
caratteristiche sono espresse in funzione della temperatura di giunzione conviene utilizzare quella
con temperatura maggiore che consente di effettuare calcoli con maggior margine di sicurezza.

a) Tensione in uscita al chopper:

V1 tensione istantanea V2m valore medio

b) Corrente in uscita al chopper:

i2 corrente istantanea, I2m valore medio

c) Corrente nell’Igbt
i1 corrente istantanea I1m valore medio

d) Corrente nel diodo

iD corrente istantanea IDm valore medio

Fig. 7 Forme d’onda di correnti e tensioni in un chopper.

8
 Fig. 8 Legame I c (Vce ) del transitore IGBT.

Si affronta quindi il calcolo delle perdite nel transistor di trazione TT: la Vce assume il valore di
circa 3,25 V con corrente I c di circa 450A, per cui le perdite per conduzione sono:

PcondIGBT = Vce ( I c ) ⋅ I c δ max = 3,25 ⋅ 450 ⋅ 0,98 = 1433W

Quelle per commutazione si deducono dalla Fig. 9 dove sono espresse le energie dissipate in fase di
accensione e spegnimento in funzione della corrente.

Fig. 9 Energie dissipate in fase di accensione e spegnimento dall’IGBT.

PcommIGBT = E on ⋅ f c + E off ⋅ f c = 0,24 ⋅ 1560 + 0,16 ⋅ 1560 = 624W

9
Le perdite totali come somma di quelle per commutazione con quelle per conduzione sono:

Ptot Igbt TT = 2057 W

Lo stesso calcolo va ripetuto con le medesime modalità anche quando la corrente assume il valore
di 330 A (fase di frenatura) per il transistor di frenatura TF.

Le perdite totali per l’elemento TF sono:

PtotIGBT = 1326W

Calcolo delle perdite nei diodi.

Per il calcolo delle perdite nei diodi si adotta una procedura molto simile a quella vista per i
transistor IGBT con la differenza che la situazione più onerosa per il diodo avviene nelle condizioni
di fattore di parzializzazione minimo (2%). La corrente media circolante nel diodo di trazione
risulta essere legata in maniera inversa al fattore di parzializzazione con la seguente relazione:

IDm = I2 (1-δ)

Per il calcolo delle perdite di conduzione si ha quindi:

PcondDT = Vak(I)I (1-δ)

Dove il valore di tensione Vak(I) si deduce dal grafico di figura 10

Fig. 10 Legame I F (V F ) del diodo1.

1
Nel grafico si utilizza la lettera F per indicare lo stato di conduzione diretta che in inglese è designato con la parola
forward

10
Il valore numerico è

Pcond DT =2.25 450 0.98 = 992 W

• •

Per le perdite di commutazione si considera, come riportato sopra, solamente la fase di

spegnimento:

Pcomm DT = Erec(I) • fc

Pcomm DT = 0.080 • 1560 = 124 W

Le perdite totali sono:

Ptot DT = Pcomm DT + Pcond DT =1116 W

Lo stesso si ripete per la corrente con valore pari a 330 A per il diodo di frenatura.

Ptot DF = Pcomm DF + Pcond DF =770 W

Analisi Termica

Il corretto dimensionamento di un convertitore elettronico di potenza è necessariamente subordinato

al corretto dimensionamento del dissipatore di calore sul quale sono montati i dispositivi a
semiconduttore.

Poiché il modello termico del sistema complessivo possiede due costanti di tempo molto differenti
tra loro, si considera che il dissipatore raggiunga una temperatura di regime costante dipendente dal
valore delle perdite medie totali sul ciclo di lavoro e che i semiconduttori raggiungano
istantaneamente picchi di temperatura dovuti invece al valore istantaneo delle perdite negli stessi.

Vanno quindi calcolate le perdite medie che serviranno per il dimensionamento del dissipatore.
Le sorgenti di perdita sono quattro: i due diodi e i due IGBT. Le perdite medie totali si calcolano
conoscendo l’andamento di quelle istantanee del singolo dispositivo all’interno del ciclo di lavoro
che sono:

Ptot(t)= Ptot igbt TT + Ptot diodo DT = 3173 W 0 < t < 11 s fase di trazione

Ptot(t)= 0 W 11 < t < 49 s fase di marcia per inerzia

Ptot(t)= Ptot igbt TF + Ptot diodo DF = 2096 W 49 < t < 60 s fase di frenatura

Ptot(t)= 0 60 < t < 72 s fase di sosta

Il valore medio si calcola per integrazione nel tempo e divedendo per il tempo del ciclo:
Tciclo
1
Pmtot =
Tciclo ∫P
0
tot ( t )dt = 804 W

11
Ipotizzando che il riferimento sia la temperatura ambiente θ a =40 °C, va dimensionato un
dissipatore adatto a garantire una sovratemperatura contenuta rispetto all’ambiente. Si può ad
esempio fissare una sovra-temperatura di 20 °C che corrisponde alla θ d di Fig. 6.

Note le perdite e la temperatura desiderata θ d si valuta il coefficiente di scambio termico del

dissipatore: questo dato serve per la scelta del componente a partire dai dati forniti dai cataloghi
specializzati.

θd
Rthdiss = = 0.0277 C°/W
Pmtot

La temperatura massima del singolo dispositivo a semiconduttore sarà calcolabile sommando alla
temperatura del dissipatore la sovratemperatura di ogni singolo elemento calcolata come il prodotto
delle sue perdite per la resistenza termica.
I valori di Rdd e Rtd cioè le resistenze termiche tra la giunzione del semiconduttore (junction) e il
contenitore metallico esterno (case), rispettivamente per i diodi e i transistor, sono definite sul
catalogo come Rthjc..

I picchi di temperatura in ogni fase devono rimanere all’interno del limite massimo che corrisponde
a 125 °C.

IGBT:

θ jTT = RtdTT ⋅ PtotIgbtTT + θ d + θ a = 144 °C

θ jTF = RtdTF ⋅ PtotIgbtTF + θ d + θ a = 114 °C

Diodi:

θ jDT = RddDT ⋅ PtotDiodoDT + θ d + θ a = 135 °C

θ jDF = RddDF ⋅ PtotDiodoDF + θ d + θ a = 108 °C

Dai risultati numerici si evince che la verifica dà esito negativo poiché sia per il transistor che per il
diodo di trazione viene superata la temperatura di funzionamento massima consentita. Il modulo a
semiconduttore scelto quindi non è idoneo. Va quindi scelto un componente con caratteristiche
nominali maggiori come ad esempio il modulo FF 600R17KF6C B2 che ha corrente nominale di
600 A. Volendo verificare la correttezza della scelta vanno ripetuti tutti i calcoli di verifica
utilizzando la medesima metodologia vista e i valori parametrici del nuovo dispositivo prescelto.
Dai calcoli si evincono i seguenti risultati numerici:

IGBT
θ jTT = RtdTT ⋅ PtotIgbtTT + θ d + θ a = 103 °C

θ jTF = RtdTF ⋅ PtotIgbtTF + θ d + θ a = 90 °C

Diodi:

12
θ jDT = RddDT ⋅ PtotDiodoDT + θ d + θ a = 108 °C

θ jDF = RddDF ⋅ PtotDiodoDF + θ d + θ a = 92 °C

θd
Rthdiss = = 0 324 C°/W
Pmtot

Pmtot = 618 W

Come è possibile notare per tutti i componenti a semiconduttore è verificato che la temperatura sia
entro i valori massimi consentiti.

Dimensionamento del Dissipatore

Si effettua ora la scelta del dissipatore.

Il dimensionamento del dissipatore si effettua partendo dal valore di resistenza termica complessiva
ottenuto dai calcoli precedenti.
Una tipologia di dissipatore adottabile é radiatore in alluminio con ventilazione forzata.
Nel catalogo dissipatori allegato vengono forniti per ogni tipologia i dati di potenza dissipabile in
funzione del salto termico e portata e velocità d’aria di ventilazione necessaria.
Questi valori sono riferiti ad una lunghezza standard del profilato di alluminio. Per poter ottenere il
valore richiesto è necessario scegliere una lunghezza appropriata.
Nel caso in esame ad esempio si vuole con un salto termico di 20 C° dissipare una potenza di 600
W.
Si sceglie come modulo dissipatore il P6D 24mm/300mm. La dicitura 24mm/300mm sta a significare
che le dimensioni della superficie di tale dissipatore sono 24 mm per 300mm.
Esso con un salto termico di 22 °C (seconda riga tabella: da 23 C° temperatura ambiente a 45 C°
temperatura dissipatore) è in grado di dissipare 152 W. Con un salto termico di 15,5 °C dissipa
104W.
Per assumere un maggior margine di sicurezza sul dimensionamento confideremo i valori relativi al
salto termico di 15.5 °C.
Il dissipatore sarebbe in grado di dissipare 104 W contro i 618 W richiesti.
Il dissipatore è formato da un profilato metallico di larghezza 300 mm e di lunghezza determinabile
in base alle esigenza. I dati, come visto sopra, sono forniti per una lunghezza nominale di 24 mm.
Mantenendo la larghezza nominale si può aumentare proporzionalmente alle perdite da dissipare la
lunghezza fino a raggiungere il corretto dimensionamento.

Scegliendo come valore di potenza dissipabile per 24mm 104 W, si può calcolare la lunghezza del
dissipatore con una semplice operazione di proporzionalità indicata di seguito.

Pmtot P24 mm
=
l tot 0.024

da cui:
0.024
ltot = Pmtot = 0.142 m
P24 mm

La stessa operazione va effettuata anche sulla portata d’aria che risulta essere 66 m3/h per 24 mm di
lunghezza dissipatore e quindi per 0.142 m è di:

13
 l tot
Qtot = Q24 mm = 393 m3/h
0.024

Il dissipatore sarà quindi largo 300 mm e lungo 142 mm, ventilato con aria alla velocità di 6 m/s
con portata di 393 m3/h.

14
DATI MODULO A SEMICONDUTTORE FF401R17KF6C B2

Electrical properties

collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 1700 V

DC-collector current TC = 80 °C IC,nom. 400 A
TC = 25 °C IC 650 A
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 800 A
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 3,1 kW
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
DC forward current IF 400 A
repetitive peak forward current tP = 1 ms IFRM 800 A
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 45 kA2s
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4 kV

Characteristic values
Transistor min. typ. max.
collector-emitter saturation voltage IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,6 3,1 V
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 3,1 3,6 V
gate threshold voltage IC = 30mA , VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 4,8 - µC
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 27 - nF
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 1,3 - nF
collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES - - 5 mA
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
turn on delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 1,8 , Tvj= 25°C td,on - 0,4 - µs
VGE = ±15V,RG =1,8 _, Tvj= 125°C - 0,4 - µs
rise time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C,RG =1,8 Ω Tr - 0,15 - µs
VGE= ±15V, RG =1,8 , Tvj = 125°C - 0,15 - µs
turn off delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C,RG =1,8 ohm td,off - 1,1 - µs
VGE= ±15V, RG =1,8 , Tvj = 125°C - 1,1 - µs
fall time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C,RG =1,8 Ω tf - 0,1 - µs
VGE= ±15V, RG =1,8 , Tvj = 125°C - 0,11 - µs
turn-on energy loss per pulse IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V Eon - 190 - mWs
RG,on = 1,8 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH

turn-off energy loss per pulse IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V Eoff - 150 - mWs
RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
SC Data TP = 10µsec, VGE =15V ISC - 1600 - A/s
TVj =125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE·Di/dt

stray inductance module LsCE - 58 - nH

module lead resistance, terminals - chip Per arm RCC+EE´ - 0,78 - mΩ

Characteristic values
Diode min. typ. max.
forward voltage IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF - 2,1 2,5 V
IF = 400A, VGE = 0V, Tvj= 125°C - 2,1 2,5 V
peak reverse recovery current IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, T vj= 25°C IRM - 270 - A
VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C - 320 - A
recovered charge IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, T vj= 25°C Qr - 75 - µAs
VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C - 145 - µAs
reverse recovery energy IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec -
VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C Erec 35 - mWs
VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C - 70 - mWs

15
Thermal properties
min. typ. max.
thermal resistance, junction to case Transistor, DC RthJC - - 0,04 K°/W
Diode, DC - - 0,068 K°/W
thermal resistance, case to heatsink per arm 0,04
per module RthCK - 0,02 K°/W
Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
operation temperature Top -40 - 125 °C
storage temperature Tstg -40 - 125 °C

Mechanical properties
case, see appendix
internal insulation AlN
creepage distance 32 mm
clearance 19 mm
comperative tracking index >400
mounting torque M1 5 Nm
terminal connection torque terminals M5 M2 4 Nm
weight G 500 g

CATALGOLO DISSIPATORI IN ARIA FORZATA2

Superpower P6D 24mm/100mm in aria forzata 3 m/s - 33 m3/h

Pd Ts Ta Rth
[W] [C°] [C°] [C°/W]
24 33,5 21,0 0,521
51 45,5 21,5 0,471
75 55,5 22,0 0,447
101 65,5 22,0 0,431
125 75,0 22,0 0,424
153 87,0 22,5 0,422
Superpower P6D 24mm/100mm in aria forzata 6 m/s - 66 m3/h
Pd Ts Ta Rth
[W] [C°] [C°] [C°/W]
51 38,0 22,0 0,314
99 50,0 22,0 0,283
153 62,5 22,0 0,265
200 74,0 22,0 0,260
Superpower P6D 24mm/200mm in aria forzata 3 m/s - 33 m3/h
Pd Ts Ta Rth
[W] [C°] [C°] [C°/W]
74 45,0 22,0 0,311
124 58,5 22,0 0,294
174 72,0 22,0 0,287
226 86,5 22,0 0,285
Superpower P6D 24mm/200mm in aria forzata 6 m/s - 66 m3/h
Pd Ts Ta Rth

2
Pd potenza dissipabile per
Ts temperatura dissipatore
Ta temperatura ambiente
Rth resistenza termica per lunghezza di riferimento (24 mm)
La seconda cifra dopo il 24 mm rappresenta la larghezza del dissipatore

16
 [W] [C°] [C°] [C°/W]
74 36,5 22,0 0,196
123 44,5 22,0 0,183
173 53,0 22,5 0,176
227 62,5 23,0 0,174
278 71,0 23,0 0,173
329 79,5 23,0 0,172
Superpower P6D 24mm/300mm in aria forzata 3 m/s - 33 m3/h
Pd Ts Ta Rth
[W] [C°] [C°] [C°/W]
102 47,0 21,0 0,255
155 59,0 21,0 0,245
198 69,5 22,0 0,240
251 81,5 22,0 0,237
Superpower P6D 24mm/300mm in aria forzata 6 m/s - 66 m3/h
Pd Ts Ta Rth
[W] [C°] [C°] [C°/W]
104 37,5 22,0 0,149
152 45,0 23,0 0,145
200 51,5 23,0 0,143
252 58,5 23,0 0,141
300 65,5 23,5 0,140
352 72,5 23,5 0,139
407 80,0 23,5 0,139

Scelta delle protezioni

Per proteggere e garantire maggiore affidabilità ai dispositivi a semiconduttore in caso di guasti al

sistema esistono diverse protezioni che vanno realizzate nel convertitore elettronico di potenza.
Alcune protezioni agiscono a livello di componente, cioè direttamente sul semiconduttore
interessato dal guasto, altre invece a livello di sistema.
I guasti dai quali è opportuno cautelarsi sono: sovracorrenti, correnti di corto circuito, correnti di
guasto verso terra, sovra-temperature e sovratensioni.
Per le principali condizioni di guasto indicate si riporta descrizione delle possibili cause e delle
modalità di protezione affinché non danneggino il convertitore.
Ci si riferisce di seguito ai possibili guasti che possono avvenire sul transistor IGBT.

Correnti di guasto

I casi di sovracorrenti, correnti di corto circuito e correnti di guasto avvengono generalmente in

seguito a un errore nel controllo del convertitore o a errori sul carico con conseguente superamento
della corrente nei componenti dei valori limiti standard di funzionamento.
Il dispositivo a semiconduttore si può danneggiare a seguito dei seguenti fenomeni:
• distruzione per effetti termici dovuti ad un eccessiva generazione di perdite al suo interno
dovute all’elevato valore di corrente
• distruzione per effetto valanga
• distruzione per sovratensioni indotte dalle sovracorrenti.

Per ogni tipologia di corrente di guasto riportiamo i dettagli.

17
Sovracorrenti

Cause
Possono essere causate da una riduzione dell’impedenza del carico applicato, o da un errore
generato dal sistema di controllo.

Caratteristiche
Il di/dt della corrente di guasto non è elevato, la corrente di guasto circola e si richiude nel circuito
principale di alimentazione e il transistor rimane in condizione di conduzione in saturazione (si veda
fig. 11).

Protezione
Va implementata una protezione di sovracorrente o massima corrente che, attraverso la misura della
corrente mediante un apposito sensore, rileva il superamento della corrente massima consentita al
componente e interrompe immediatamente gli impulsi di comando del chopper e comunica
l’avvenuto guasto al sistema di supervisione. Il livello di intervento è posto solitamente al 125%
della corrente massima Ic del componente.

Corrente di Corto circuito

Caratteristiche del guasto

La di/dt è molto elevata inoltre la corrente di guasto circola e si richiude nel circuito principale di
alimentazione e il transistor passa nella condizione di “conduzione in desaturazione” (si veda la
Fig.11). Dire che il transistor è nella zona di desaturazione significa dire che passa in una zona di
funzionamento in cui la tensione tra Vce tra collettore ed emettitore non è più dell’ordine di qualche
volt ma inizia a salire (sebbene il transitor IGBT sia in conduzione!). Ciò avviene per 5-6 volte la
corrente massima consentita al transistor.

Cause

• Corto circuito del ramo del chopper causato da una chiusura o apertura fallita, da un guasto
sui circuiti di accensione e/o spegnimento
• Corto circuito sul carico causato da guasto agli isolamenti o errore nel realizzare le
connessioni.

Protezione

Solitamente viene monitorata la tensione Vce e quando in caso di comando di pilotaggio attivo essa
supera un livello di attenzione vengono immediatamente disattivati gli impulsi. Il livello di
intervento è fissato a 5-6 volte la corrente massima I c consentita al transistor. In caso di corto
circuito la protezione di sovra corrente non interviene, sebbene sia tarata con un valore di intervento
più ristretto, poiché è più lenta rispetto alla protezione in esame detta anche di desaturazione.

18
 Ic
Stato di conduzione in
desaturazione

Stato di conduzione in
saturazione

Stato di blocco Vce

Fig. 11 Caratteristica I c (Vce ) dell‘IGBT .

in condizioni di saturazione e desaturazione

Sovratensioni
Se la sovratensioni ai capi del semiconduttore supera la tensione di break down per effetto valanga
esso si può distruggere.
Le sovra tensioni sono di tipo induttivo generare in seguito a brusche variazioni della corrente (di/dt
elevati) dovute a guasti o alla commutazione stesse. Le induttanze coinvolte sono quelle parassite
dei circuiti di collegamento dei transistor IGBT e quella del carico.
Nel caso in esame le induttanze parassite sono quelle indicate in figura 12 con il simbolo Lk.

Fig. 12 Schema chopper a 2 quadranti con induttanze parassite.

La corrente I1 infatti si azzera ciclicamente (come visibile in fig. 6c) con una rapidità imposta dalla
commutazione dei transistor.
di
All’atto dell’azzeramento della corrente si avrebbe una sovratensione DVk pari a 2 ⋅ Lk ⋅ 1 che va
dt
a sommarsi alla tensione V1, con valori tanto più elevati quanto maggiori sono le induttanze
parassite e la rapidità delle commutazioni. La tensione complessiva potrebbe superare la tensione
massima che i semiconduttori possono reggere.
Per proteggere i dispositivi si agisce con delle reti smorzatrici (in genere RC) dette snubber poste in
parallelo alle valvole (si veda fig. 13) in grado di proteggere e assorbire l’energia scaricata dagli
elementi induttivi ed evitando la sovra tensione.

19
 Rs
C

G Cs

Fig. 13 Transistor IGBT con circuito di snubber in parallelo.

1
Nelle induttanze parassite Lk è immagazzinata un’energia pari a ⋅ Lk ⋅ I 12 ciascuna.
2
Il condensatore Cs va dimensionato per assorbire questa energia limitando la tensione risultante,
1
Poiché l’espressione dell’energia accumulata nel condensatore è ⋅ C s ⋅ Vs2 uguagliando le due
2
energie e isolando il temine Cs si ottiene l’espressione della capacità di snubber in funzione di
corrente in commutazione, induttanze parassite e tensione massima consentita.

Lk ⋅ I 12
Cs =
2 ⋅ Vmax
2

Per assorbire eventuali risonanze tra la capacità di snubber e le induttanze parassite è necessario
inserire la resistenza Rs, la quale è anche in grado di limitare le correnti di scarica e carica.

Sovratemperatura
Il riscaldamento diventa pericoloso per la valvola quando viene superata la temperatura massima
consigliata dal costruttore (solitamente Tjmax = 150°C per dispositivi al silicio).

Durante il funzionamento un riscaldamento anomalo può essere generato da:

• riscaldamento dovuto a correnti di guasto;
• incremento dell’energia dissipata dovuto ad un pilotaggio errato;
• malfunzionamento del sistema di raffreddamento (sistema di ventilazione ad aria forzata o
scambiatore a fluido).

Per proteggere il dispositivo dai riscaldamenti è implementano dei sensori di temperatura lineari,
uno o più all’interno del modulo a semiconduttore il più possibile adiacente alle giunzioni e uno o
più sul dissipatore. L’informazione relativa alle temperature viene comunicata al sistema di
monitoraggio e controllo del convertitore il quale, solitamente con due livelli di attenzione, al
superamento di una prima soglia riduce automaticamente le prestazioni richieste in termini di
corrente e al superamento di una seconda soglia (maggiore della prima) interrompe gli impulsi.

Naturalmente questa protezione è la meno tempestiva di quelle viste finora in quanto i sensori di
temperatura danno un’informazione mediata nel tempo e quindi non sono in grado di rilevare i
picchi di temperatura. D’altro canto se tali picchi sono generati da sovracorrenti con un elevato

20
valore le protezioni di massima corrente e di corto circuito intercettano il guasto prima che
termicamente la situazione sia compromessa. Se invece la temperatura anomala deriva da
sovraccarichi momentanei di modesta intensità e dinamica non altrimenti rilevabili dalle precedenti
protezioni, o da un guasto al sistema di raffreddamento e dissipazione, la protezione di
sovratemperatura è in grado di preservare il corretto funzionamento del convertitore.

21