Lezione 3: sistemi di propulsione

elettrica per i trasporti.

Dispositivi di potenza
06/05/2021.
Ogi continuaimo il nmostro discorso sui dispositivi di potenza, vedremo
disporitivi utilizzati nel campo della trazione sia nel powertrain sia per tutti in
convertitiori presenti in questa applicazione. Iniziaqmo con il MOSFET
(aggiungere simbolo), è un interruttore comandato con all’interno un diodo che
può essere utiulizzato come diodo di ricircolo, è sempre presente e quindi è il
diodo sdi Body è cc’è stato molto sforzo per i progettisiti affinche questo diodo
diventasse un dispositivo utilizzabile della storia del componente. Ha due
morsetti di potenzas dove scorre la corrente Id di potenza edu n terminale di
gate di comando comandato dalla tensione Vgs che accende o spegne il
compkinentne, si accevnde se la tensione è superiore alla soglia dsiq ualche volt
ed è una tensione sufficiente che va dai 10-12 V per un MOSFET normale, per i
TTL in questo caso il dispositivo funziona con tensione di 5V. Normalmente le
tensioni sono sui 10V-12V inferiori per la teconoliogia in Silicio alla tensione
critica di 20V,l se superiamo 20V possiamo perfor4rare l’ossido di gate, il gate
+è come se fosse un capacitore e questo capacitore ha tra le syue armature un
certo sperssore di ossido che può essre perforato per tensioni torppo elevate
perché è sottile. La caratteristica particolare del dispositivo è che è comandatbile
int esnione, quindi possiamo drae un atnesione, lui assorbe una corrtetne
èpiccola impulsiva attraverso una resistenza e possiamo accendere o spegtnere
il nostrpo componente. Rispetto ai tritisotri e GTo il circuito di gate è molto più
sewmplice e con omolta meno pogtenza disspitat, quindi sono veincenti nella
fasce di potenza più ridotte, percheé permettono un pilotaggiu più veloce e
semplice (aggiungere la foto a destra).
Facciamo vedere solo a livello di visualizzazione le curve statiche di uscita ed
ingresso del nostro c omponente che fanno vedere come funziona staticamente e
non didnameicamente ed abbiamo delle curbve al variare di Vgs, sul gate diamo
una certa tensione e poi mettiamo un generatore variabile tra drain e source
(mettrere diagramma e disegnino) e quindi abbiamo un generatore, il nostro
MOSFEt disegnato, abbimao un aresistebnza di drain ed un generatore connesso
a massa e quastp generatore è variabile che sa una Vds variabile, l’altro da un
aVgs variabile anch’essa, la prima tensine la Vds la chiamo VDD, la Vgs la chiamo
VDD. Variando VGS intorno ai 5V se è minore della tensione di treashold il
disposiutivo non sia ccendel, la curva si adagia sull’asse delle x perché non
socfrrre corrente al variare di Vds, se Vgs maggiore del treshold la corrente cher
può portare è piuttosto bassa al variare di Vds, se Vgs +è 5V, se aumento Vgs la
curva si alza un po' al variare di Vds, quindi il dispositivo porta più corrente. La
prima zona è quella ohmica perché il dispositivo si comporta come una
resistenza, vi è iuna retta con una certas pendenza tipica del resistore con
pendenza las Rdson, quando Vgs=12V, tale che è iòl dispsoitivo sia nelle
meigliori condizion ipe4r condurre, avremo qudesta curcva e normalmente
possiamo considera re anche 10V come tensione di comando, tra 10 e 12 V,a
bbiami lpunto di lavoro ad una corrente io che avrà sulle ascisse un Vdson poari
a Rdson per i0 Quindi rappresenta la caduta dfi tensikne nel compionente.
Quindi il dispsoitivo ha anche una tensione di breakdown da npon superare e
durante la faser on Vgs(I0)=Vgs(th)+Io/gfs dove gfs è la transconduttanza del
dispositivo, parametro al catalogo calcolato per le curva all’ingresso, le curve mi
dicono ccome varia Vgs al variare di Id. una volta definito I0 che è la corr3nte di
uscita allora a questo punto possiamo definire un punto nelle curve di uscita e
definire la caduta sul diuspositov, queasta è la seguenza per spiegare queste
curbve che rappressentano come si comporta staticamente il disopositivo cxon
una tensione Vgs e Vds calcolando punti di lavoro e le varie perdite. Quindi in
sostanza alla sinistra abbiamo le curve di ingresso, mentre a sinistra avremo la
curva di uscita (mettere le due curve).
Quindi il mosfet di potenzas ha un diodio di potenza in antiparallelo, il mosfet
può bloccare solo tensioni positive, facendo ricircolare la corrente in caso di
applicazioni motoristiche. In stato ddi On iul mosfet è visto come un aresistenza
di On RDS (on) se la tensione di comando è sufficientemente alta. La Rdson è
poporzionale a VDSS elevato a 2,5 o 2,7 e quindi possiamo avere delle resistende
id on più bbasse dimeinuendo la tensione di bfreakdsown er quindi ecco perché
imosfet in silicio sono vincenti quantdo le tensioni scendono sotto i 200V ed oggi
questo loro primato è attaccato da dispositivi nuovci chiamati Gal basati su
nitriuri di gallkio. Duarante la conduzikne la resistenza di Onn del mosfet ha un
coefficiente poistivo di variazione della temperatura che permette di
parallelizzare i dispositivi e quindi aumentando la resistenza diminuisce la
corrente che assorbono i kmosfet e quindi chi si scalda prima, tra due mosfet in
parallelo aumenta la resistenza e quindi equilibria lo shearing delle corretni e
questo è molto positivo, ingfatti si realizzano mosfet di alta corrente attraverso
la connessione in parallelo di molti mosfet anche se la tensione diminuisce. I
mosfet di alta tensione (650V-1200V) ad alte correnti sono collegati in parallelo
e quindi hanno correnti alte di 5-6-7-8- A elevata, infatti un singolo package di
questi, non collegato in parallelo supporta una corrente minore perché hanno
una RDSon molto. I tempi di commutazione sono molto piccoli, sono inferiori al
microsecondo e quindi sono molto veloci, sono ideali per applicazion ijn bassa
tensione inferiori a 200V, con frequenze di 150 Khz e correnti fino a 500°- per
spegnerlo basta pilotarlo con una tensionde di -5V per essere sicuri che il
dispositivo sia spento. I contenitori ci sono quelli discreti in To 220, poi vi sono
quelli più grossi per dispsiitivi in parallelo con un terminale detto source Kelvin
che serve a far si che nella zona in basso (aggiungere disegno) colleghiamo il
circuito di driver, mentre sopra circolerà la corrente di uscita che è una corrente
di potenza e quindi non possiamo fare che il terminale dii potenza sia
dirrettamente collegato a quello di gate altrimenti subentrano disturbi e quindi
vi è una piccola parte del source collegato al driver e questo contatto è detto
source Kelvin che diminuisce i disturbi dovuti al driver. Quindi in alto circola il
segnale la potenza, nel circuito driver passerà la corrente del driver dell’ordine
di milliampere, mentre la corrente che circola lì è alto perché abbiamo MOSFET
in parallelo con tensioni elevate, tipo 200V con tensioni di 500A, poi vi sono altri
contenutori per moduli, come per esempio la gambia di un ponte che vedremo
poi che significato ha. In questi contenutori più piccoli vi è csolo un dispositvo in
contenitori Tab 2020 per applicazioni classiche, i SOT servono per gli SMD
(surface Mounting device messi nei circuiti integrati). I MOSFET pilotano anche i
GTO e tiristori che ora andremo a fare.
Il tiristore invece rispetto al MOSFEt è un componente di tipo come un diodo
comandato, ma è un diodo con tre terminali gate anodo e catodo ed il gate può
solo accendere e non spegner eil dispositivo, allo spegnimento quando il
trisitoere è contropolarizzato si comporta come un diodo (aggiungere le curve
statiche), quando è controèpolarizzato si comporta come un diodo, quando
siamo nella zona diretat si comporta come un dispsoitivo che si accende qundo
arriva l’impiulso di gaten(n nel gtratto tratetgiato), quando arriva una tensione
inferiore a quella di rottrua, fa una perocorso velocisisimo ed arriva a funzionare
come un diodo, con una tensione ai capi molto bassa e questa è la cartteristcja
vincnente del tirisitore che la fa utilizzare per grandissime tensioni di esercizio
con corrrenti elevate. Dsiupponiamo di non dare nessun impulso al gate e
facciamo aumentare sempre la tensione via H, raggiungerà una tensione VB0 e
praticamentye si acce3nde perché gli elettron i e le lacune presenti per via di
questo campio eletlttrico molto pforte generano la condiziokni di innesco ed
accendiosne, ma non nonn vogliamo cvhe questo accada e qukindi facciamo
lavorare il tiristore con unab tensione inferiore a VB0, ma non lo spegniamo, per
spegnersi deve scender3e la corrente al disotto della corrente di mantenimento,
se la corrente scende al disotto o si contropolarizza allora il dispositivo rimane
spento. QWuindi per accenderlo ovviamente dobbiamo polaraizzarlo
positrivamente tra anodo e catod ed inviare l’impulos al gate dcon un circuito di
pilotaggio fattpo con un MOSFEt e sono usati nerlle appkicazioni di trazione
ferrorivaria, per creare dei raddrizzatori controllati, dove la gtensiooni e
potenza richeista è di ordini di migliai di Volt ed ampere. Vewdiamo come
funziona: quando vi è un impulso di gate lui si accende e si aaccende solo sulla
semionda positiva ‘ercheè quella negaticva la spegne e quindi viè l’accensiine
con due ancgoli di ritardo, il primo è se l’impulso di gate è dato all’inizio ovvero a
0 e quindi percorrerà tutta la semionda come un diodeo, se do alp’iumpulso un
cero ritardo (30°,40°,50° e così via), va ad affettare la forma d’onda e si
comporta come un Chopper in AC, se aumento e vado a 120° il ritardo allora
prenderò uno spicchietto della froma d’onda ed abbiamo ovviamente un certo
valore medio, un valore meido più basso e quindi posso controllare un segnale
AC con queste modalità. Posso usare un dispositivo di questo genere con un
dispositivo in antiparallelo, agendo sulla semionda positiva e negativa,
ottenendo delle forme d’onda che poi vediamo qui in cui noi affettiamo sia la
semionda positiva e negativa e questo può ewssere fatto con duet titristori in
antiparallelo o con u8j triac che è un componente a piu bassa ressistenza ed
affetta la semionda sia quella positiva e sia quella negativa e le curve statiche
sono quelle del primo quadrante uguali a quelle del terzo quadrante, questo
perché agisce sia quando le correnti e tensioni sono ambedue positive e sia
aquando sono ambedue negative e quindi il triac permete di avere il controllo
della semionda posiitva enegativa e viene utilizzata neio casi dove la potenza in
AC elabroata è piuttosto bassa, se no dobbiamo agire con tiristori in
antiparallelo. Una volta il triac era usato in ambito consumer nelle nostre case,
oggi sono usati in una nicchia di applicazioni. Accanto all’SCR che è così grosso
da portare correnti e tensioni ed elvate ma ha il limitie di poter essere acceso ma
non spento e per spegnerlo devo portare la corrente al disotto della corrente di
mantenimento, allora in alcuni testi vediamo direttamente che dobbiamo porre
la corrente a zero e quindi dobbiamo far sì che la corrente scende al disotto di un
certo valore di manetenimento ed attenzione che per usare altri dispositivi vi è il
GTO che è un dispositivo di commutazione che ha la caratteristica di esseere
acceso e spento ed ha delle complicazioni nel circuito di pilotaggio che deve
essere in grado di fornire o impulso di corrente per accenderlo, una corrente
costante durante accensione ed un forte impulso di corrente per spegnerlo e
quindi questa è la caratteristica del GTO e vediamo come la corrente il deve
essere fornita con un impulso, corrente di mantenimento e per spegnerlo devo
andare ad inviare una carica estremamente negativa in modo da estrarre tutte le
cariche e spegnerlo. Il GTO funziona in ampi range di correnti e tensioni
abbastanza elevati, viene usato nel pendolino e i convertitori sono inverter
multilivello a GTO ed è una caratteristica predominante di queste locomotive in
Italia e si è scelto di usare i GTO in frequenze di commutazioni piuttosto basse ed
hanno queste caratteristiche particolari con tutto un sistema di controllo e
pilotaggio abbastanza complesso fatto con dei MOSFET. Vi è anche una
efvoluzione dei GTO che sono utilizzati per correnti e tensioni molto elevate
come ad esempio 5000V e 4000A e richiedono un elaborato circuito di controllo
e i GTO a seconda delle aziende che li hanno sviluppati sono diventati dei gate
commutated thrystors (GCTs) e questi sono i GTO con il circuito di pilotaggio
che è abbastanza complesso, interamente in un unico blocco e quindi il circuito
di pilotaggio è direttamente implementato con il GTO dal costruttore qua e
quindi sia nel primo caso e nel secondo caso di IGCT (Insulated Gate
Commutated Thyristor) realizzato dalla ABB ed è abbastanza utilizzato ed il
costo è proporzionato ed il nostro GTO ha il circuito di pilotaggio con mosfet in
parallelo che etsraggono la correwentye velocemente e quindi fanno in modo
che l’evoluzione del GTO con unità di potenza e circuito di controllo farà si che il
dispositivo sia veloce e performante. Tutti questi componenti sono usati nella
trazione ferroviaria con 3000V e 25 kV e quindi sono usati solo in queste
applicazioni. Torniamo ai nostri dispositivi su cui stavamo lavorando. Avevamo
a questo punto degli SCR, dei BGTo, dei Triac che sono piuttosto complessi da
usare e per frequenze di commutazioni basse, mentre i MOSFEt sono pilotati con
un valore preciso di tensione, molto piu semplici e commutano con tempi più
bassi, mentre il GTO puo gestire 500 Hz o solo 200 Hz, qui arriaviamo a 150 kHZ
e quindi i campi di applicazioni sono diverse e queato testimonia che non esiste
il componennte ideale, in base ai progetti ed applicazioni che si fanno, bisogna
saper sceglierte e quindi vi è la necessita di saper scegliere il componentne
adatto, il MOSFEt nel mild hybrid 48 V è molto usato perché può dare la corrente
ad un convertitiore di 5kV con MOSFET in parallelo. V3ediamo una board
evaluation con i componenti in parallelo di un ramo dell’inverter e quello che
vediamo sono proprio i dispositivi simili a quelli della slide con il circuito
superiore di pilotaggio e controllo ed abbiamo sei dispositivi per ogni ramo da
310 A a 25°C quindi un 180A a 100°C ed ogni dispositivo può portare 180 A e si
mettono in parallelo per diminuire RDS on e per far si che la corrente non crei
probblemi, vi sono delle curve con cui il dispsoitov la vora a 5Kv e questo è un
modulo di un motoroe mild hybrtid calssico di 15Kv, basta mettere tre moduli di
questo per arrivare ai 15 Kv, tyre moduli con dei MOSFEt che devono essere
classificati per l’utilizzo in automotive, con un siustema per reednerli utilizzabili
in campo automotive e questa è una vera applicazione reale di quello che stiamo
dicendo. Allora, accanto ai MOSFEt, l’evoluzione dei MOSFEt per le applicazioni
ad alta èpotenza con tensioni ridotte durante la fase di conduzione è l’IGBT
(metrtere foto) ed è formato da un MOSFEt all’interno e da un transistore
bipolare che è un dispsitivo con una cadita di tensione diretta molto bassa ma è
un componente molto lento, con commutazione introno i 10ms e questo significa
che il dispsoitivo è lento, complicato da pilotyare perché serve una corrente
come gli SCR e il fatto di integrare il transistore bipolare con un MOSFET hal
professor Balica ha permesso di creare un circuito integrato performante con
caratteristiche all’uscita di un gtransisotr, all’ingresso dio un MOSFEt
vantaggioso per il pilotagggio e la forza dell’iGBT può essere usato a tensioni piu
alte dell MOSFET, mantenendo delle cadute di tensioni piuttosto basse ed anche
garantendo una semplicità nel pilotaggio, quindi l’IGBT dagli anni ’80 ad adesso
ha sostituio il transistore bipolare mentre ha sostiyuito il MOSFEt6 nelle
applicazioni di piu alta tensione e quindi per 650V-1220 V l’IGBT è piu
perfoemenate per il controllo motore per controlalre a 20-50 Khz senza arrivare
a frequenze elevate e può arrivare fino 3300V ed ha un mercato molto forte
insidiato dal silicon carbide perché i MOSFEt in sislicon carbide arrivano a
tensioni piu elevate e temperature di utilizzo molto interessanti, questi ultimi
non sono ancora molto diffusi o utilizzati ma gia Tesla ha prodotto un
powertrain con componenti discreti in SiC che ha appunto dei vantaggi vincenti
per la propulsione automotive. Comunque l’IGBT ha nicchie di mercato forti per
il costo, la maturità del progetto e quindi da lì si sono sviluppate nuove
tecnologie che rappresentano una certezza nel modno dei dispiotiuvi di potenza,
è controllato in tensione e vi è una certa tensiuone di treshold dovuta alla Vge
dovuta al gfATTO che deve entrare in conduzione il bipolare edc il dispositivo
MOSFet deve superare la Vth e quindi il comportmaento poi è simile a quello
visto. L’IGBT può syupportare anche tensioni negative ma normalmente viene
progettato per supportare tensioni posiutive, non ha diodo di rcicorcolo e quindi
devom aggiungere nel mio modulo il dispositov IGBt ed accanto mettere un
diodo che può essere o uno svantaggio un vantaggio e nle caso dell’0IGBT lo
possiamo mettere come vogliamo, facendo un ibrido tra un IGBT al silicio ed un
diod al SiC perché hanno caratteristiche molto superiori. A parità di tensione
nominale e di caratteristiche, la resistenza di ON dell’IGBT è più bassa rispetto a
quella di un MOSFET e quindi a parità di componente equivalente le perdite di
corrente sono piu basse e quindi l’IGBT è la scelato ottimale per tensioni
superiori a 220 V e frequenze da 30-50 kHz e tensioni di ocmando sono 12-154V
e la tensione di off va da -10 a 0 V. I package sono sempre quelli discreti gia visti
come il TO-247 molto usato, il TO-220, il TO-247 in versione particolare senza
buco per connettere il dissipatore e la versione per SMD e questo è un packaging
dell’infineon con un dispositov con terminale di Kelvin per disaccoppaire il
terminale di source e quello di segnale e questo è fondamentale per ridurre i
disutbri e questo è un dispositov da 1800V fino a 1900 A, mentre qua un
packaging di Semicron od Infineon ha un modulo con termianli di gate (quello in
basso) che sono tre punti: drain del dispositivo alto, source del disposotivo
basso più la nostra uscita al centro e vi sono i due bracci di Kelvin. I progettisiti
devono usare solo componenti di potenza certiificati automotive che devono
sottostare a prove ben precise con contenitori tali che qunaod li mettiamo sul
circuito stampato non devono avere problemi di bolle d’aria per la saldatura e
quindi mettiamo un datasheet di un dispositivo certificato per uso Automotoive
(mettere lo schema) usato per 40V e correnti di 120 A, è un dispositivo molto
piccolo ed è AEC-Q101 qualified, dove l’AEC-Q101 è uno stress test perché
devono verificare che il dispsoitov sia molto perfomante ed anche affidiabile e
qwuindi vi sono dei sistemi che strassano il MOSFET e vi è la IPC-610 che valuat
la qualità del montaggio. I dispositiv nuovi al nitruro di gallio e al carburo di
silicio sono conosociuti come wide bandgap devices e sono usati i SiC al posto
degli IGBT e MOSFEt di alta tensione ed i GaN sono usati ad alta tensione (fino a
650V) e moltissime soluzioni a basse tensioni e cercano di sostiutire i MOSFEt
con dcelle prestazioni piu elevati in frequenza e perdite ridotte maq hanno una
complessita nel pilotaggio enlela stesura del layout che diventa motl9o diffcile
da controllare e da fare e bisogna porre molta attenzione. Poi vi sono anche
imoduli che defvono essewre inteliugenti perché all’0interno non possono avere
non solo i componenti ma anche i circuiti di pilotaggio per il controllo della T, la
protenzione contro la sovracorrente e vediamo un modulo IPMn di potenza che
ha una uscita trifase ed un ingresso DC ed abbiamo direttamente il nostro
inverter per pilotare per esempio qualsiasi sisterma in base alla potenza, può
esasere un inverter general purppoose per i sistemi ausiliari di bordo, oppure
mettrendolo insieme ad altri pezzi si può arrivare a creare un powertrain, con
driver e sensori di temperatura e dei sistemi che portano fuori questi segnali. I
nuovi dispositivi sono widenadgap devices con larghezza della banda proibita
piuttosto elevata e quindi si comportano bene come i dispositiv al silicil,
sappiamo vi è una banda di valenza e conduzione e tra la banda di valenza e di
conduzione vi è una banda proibita e questi dispositivi hanno una banda
proibitia piuttosto larga e si mantengono in condizione on off in maniera stabile
e sono al SiC o al nitruro di gallio, hanno normalmente delle temperature di
esercizio più elevate e delle tensioni di commutazione più basse e quindi
possono arrivare a frequenze di commutazione piu elevate, in questo momento
il limite è il costo elevato, nj0onostanti gli attuali costi, le stime del mercato dei
componenti WBG mostrano un aumento molto sostenuto nel futuro. Il PFC sono i
convertitori collegati alla rete che verranno prodotti sicuramente in materiali
WBG(aggiungere diagramma) ed osserviamo come questi dispositivi stanno
incrememntando molto la loro presenza e quindi la loro profondità di utilizzo.
Per quanto riguarda il grafica, facciamo vedere le applicazioniclassiche del silicio
con il GTO, i MOSFET, ed i vari moduli che ci fanno vedere come sono realizzati,
abbiamo i GTO-CGT con il drive integrato, poi il silicio ad alta tensione e
corrente, il sislicio piu classico con IGBT a 1200V classici, a mano a mano che
scebndiamo i disppsitivi si riducono di dimensione ed hanno caratteristiche un
po' diverse (aggiungere grafico) e possono essere applicati per altri tipi di
applicazione. I WBG abbiamo (grafico da riportare) a sinistra i GaN, mentre a
destra abbiamo i SiC dove possono essere applicati sia SiC ed GaN e guardiamo
la riduzione di dimensione quando utilizziamo un modulo SiC con 3,3 kV e
corrente di 1500 A a livello prototipale. Quindi possiamo ridurre le dimensioni,
elevando le frequenze di commutazioni ed avendo anche correnti più elevate.
Poi qui osserviamo un futuro inverter SiC Toyota. A questo punto capiamo bene
che tutto il probvlema di questi elementi in termini di trazione riguarda le
perdite di potenza e le dissipazione di calore, poerché non vogliamo che il
dispositivo superi i 125°C altrimenti si hanno danni irreversibili e allora per
realizzare questo i componenti da soli non bastano, l’0inverter vista aveva la
scheda ma non il dissipatore di calore che deve essere opportunamente aggiunto
con delle viti e diventa più pesante ed esteso ma è necessario ed i dissipatori
sono i dispositivi che trasmette calore per convenzione ed irraggiamento ed i
dissipatori hanno un raffreddamento ad aria convenzione naturale, forzata o ad
acqua o a fluido per le alte potenze. Sono fatte in alluminio pressofuso/estruso
in colore scuro per favorire l’irraggiamento ed il montaggio di solito è verticale.
Osserviamo un classico dissipatore dove posso mettere l’inverter che abbiamo,
abbiamo i moduli, i passber bar che portano la corrente in uscita ed entrata ed il
nostro dispositivo è messo sul dissipatore con una ventola che permette la
convenzione ad aria forzata e poi vi sono quelli ad acqua con piastra in alluminio
e tubi in rame per la circolazione dell’acqua. Il modulo di potenza è connesso ad
un sistema di raffreddamento formato da alluminio con dei buchi all’0interno e
dei tubi che hanno l’ingresso e de uscita dell’acqua e permette il raffreddamento.
Allora, la cosa importante è capire come realizzare un modello termico per
calcolare il dissipatore, quindi progetteremo un dissipatore in steady-state in
csla ridotta per dispositivi discreti e si può andare avanti e progettare
quaslcoasa di grosso ed importanti. Normal,mente il dispositivo è il chip, proprio
il componente in silicio, poi il chip è adagiato su un frame che rappressenta il
case, il cdontenitore che ha una sua tenmperatura e quindi poi abbiamo l’heat
sink ov vero il disispatore, il case ed dissipatore possono essere collegati
direttamente, ma di solito viene posto dell’isolante che è del grasso di silicone
che permette di avere un contatto ancora più facile ed importante. L’ambiente
Ta è Td è la temperatura del dissipatore e quindi vi è una scala tra chip, case,
isolante che mette in relazione il case e l’heat sink e poi l’ambiente. Adesso
andiamo a considerare un’approccio ben preciso: noi elttrci abbiamo le nostre
caratteristiche: quello di trasformare tutto in grandezze elttrriche percfhé a noi
viene piu facile la risoluzione attraverso le reti elettrriche e la conoscenza delle
reti elettriche e quindi facciamo una analogia tra i fenomeni elttrici e le reti
elettriche ed allora la tensione l’associamo alla temperatura, la corrente
l’associamo alla potenza dissipata Pd, la resistenza elettrica a quella termica e la
capacità termica a quella elettrica (Aggiungere la tabella). La tensione è
associata alla temperatura perché tra un punto ed un alto vi è un salto di
temperatura che è analogo ad un salto di potenziale. Facciamo questa analogia
per semplificare quelli che sono i calcoli. Pd è la potenza dissipata che è Ckm e se
fosse una corrente che entra nella resistenza termica, ai caspi vi è una differenza
di temperatura. Se ho la legge di Ohm, v=RI ed allora ho che delta theta=Rth*Pd
che è [°C] =[°C/W]*[W], quindi ho la mia corrente elettrica equivalente a
potenza termica e posso realizzare un circuito ame più facile e quindi la
differenza di tensione è analoga alla differenza di temperatura e quindi vediamo
che le due differenze e quindi le due equazioni hanno una struttura analoga. A
parità di potenza dissipata, una resistenza termica piccola significa una
differenza di temperatura più piccola. La banda proibita nei dispositivi al silicio,
quella che differisce la banda di valenza da quella di conduzione, per esempio un
materiale metallico ha la banda di valenza e condizioni coincidenti, uniche e
quindi gli elettroni tra la banda di valenza e conduzione vengono condivisi senza
problemi, nell’isolante la banda di conduzione è molto distante da quello di
valenza e quindi un elettrone per passare dalla bassa di valenza a quella di
conduzione ci vuole una forte energia, perché vi è una banda proibita che è
molto larga e nel silicio questa banda è ridotta ma c’è e quindi ci vuole una certa
energia per passare dalla banda di valenza a quella di conduzione ed è per
questo motivo che vengono chiamati semiconduttori, nei dispositivi NGAP è un
pochettino più larga ma permette il funzionamento perché si è visto che questi
dispositivi già funzionavano in passato ed ora la tecnologia è stata affinata per
usarli come dispositivi di potenza e quindi la differenza di energia è accessibile
per passare dalla banda di valenza (il reticolo cristallino) alla banda di
conduzione attraverso questa energia aggiuntiva messa in gioco dal circuito
stesso attraverso il terminale di gate. Vediamo il TO-247 che è un MOSFET con
tre terminali ed il primo a destra è il gate nel mezzo c’è il drain e poi vi è il
source. Questo dispositivo è un interruttore, perché possa agire vi sono due
terminali: il drain ed il source che sono i terminali veri e propri dell’interruttore,
il gate serve per comandare l’apertura e la chiusura dell’interruttore. Se io al
gate do 10V allora ho una Rds(on) che è la resistenza tra drain ed source che
produrra una caduta di tensione durante la fase on, quando al gate do 0 il
dispositivo si apre con dei tempi di commutazione che non sono 0 ma dell’ordine
di qualche microsecondo o anche meno a seconda della tecnologia, se teniamo
conto che un relè commuta molto più lentamente allora questo è un dispositivo
vantaggioso, il relè chje è un interruttore comandato, dopo un certo numero di
commutazioni deve essere cambiato perché si usura,il MOSFET ha molte più ore
di esercizio. Questo è un dispositivo discreto, non un modulo, nei moduli
abbiamo più MOSFEt in parallelo, se sono inteliggenti cvi sono i ciruciuit di drive
con sensori di temperatura, di corrente per vedere se la corrente va in
overcutrrent per ridurre i problemi di danneggiamento ed attenzione che se io
ho un motore da 500° e devo pilotarlo, non posso prendere MOSFET di 500°, ma
devo prednere da 800° almeno per via di sovracorrenti che vi possono essere
sempre e quindi si progettano per il sovraccarico, il relè con una botta di
corrente più elevata non si danneggia, perché avendo all’interno dei fili di rame,
finché tali fili non si danneggiano completamente, il relè può continuare la sua
vita senza alcun particolare problema. Il MOSFET non è così, così come qualsiasi
altro componente al silicio o di altra tecnologia, tu devi progettare per
sovraccarico, prevedendo fino ad un certo punto la corrente che può supportare,
altrimenti devi mettere delle protezioni in maniera tale che oltre un certo livello
questo dispositivo deve essere spento nella maniera più rapida possibile in
modo che continui ad essere integro.