Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Appunti di elettronica digitale tratti dalle lezioni del corso di Circuiti Elettronici
Digitali L-A alla facolt di Ingegneria Elettronica dellUniversit di Bologna tenute
dal professor B. Ricc e raccolti da Francesco Conti
INDICE DEI CONTENUTI
Transistori MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Struttura del transistore MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Caratteristiche statiche del transistore MOS . . . . . . . . . . . . . 5
Modello alle variazioni a bassa frequenza del transistore MOS . . 7
Funzionamento ad alta frequenza del transistore MOS . . . . . . . 9
Logica FCMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Invertitore CMOS statico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Buffer e tri-state . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Gate FCMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Logiche non FCMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Pass transistor e transfer gate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Multiplexer a pass transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Circuiti domino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Ripartizione di carica nei circuiti dinamici . . . . . . . . . . . . . . 23
Circuiti sincroni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Multivibratori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Multivibratori bistabili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Multivibratori monostabili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Multivibratori astabili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Licenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1
INDICE DELLE FORMULE
2
(25) Tempo di recupero di un multivibratore monostabile . . . . . . . . . 28
(26) Durata del segnale basso nellastabile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
(27) Durata del segnale alto nellastabile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3
TRANSISTORI MOS
Struttura del transistore MOS
Il transistore pi diffuso in elettronica digitale il MOSFET, ovvero Metal-Oxide-
Semiconductor Field Effect Transistor, pi comunemente detto transistore
MOS. Il fatto che il MOS sia a effetto di campo significa che esso controllato
per mezzo di un campo elettrico, ovvero in tensione: sul terminale di controllo
non passa corrente di conduzione.
La struttura del transistore MOS fondamentalmente quella di un conden-
satore non lineare in cui una delle armature un conduttore (metal), in mezzo
c un dielettrico (oxide) e laltra faccia un semiconduttore (semiconductor). Il
campo elettrico che si forma in questo condensatore controlla la quantit di carica
in una regione detta canale, attraverso cui pu quindi scorrere una corrente
controllata.
4
p-channel o PMOS, in cui i portatori di carica nel canale sono lacune
(positive, si muovono pi lentamente degli elettroni).
Inoltre, a seconda che il transistore funzioni inserendo carica nel canale o toglien-
done, detto rispettivamente ad enhancement (arricchimento) o a depletion
(svuotamento). Il 90% dei transistor del tipo enhancement.
Dal punto di vista circuitale, il MOS un dispositivo a quattro morsetti: quello
di controllo detto gate, quello da cui proviene la corrente (nel NMOS) detto
drain, quello da cui esce detto source e poi c un quarto terminale detto bulk o
body che costituisce il substrato su cui costruito il transistore. Il bulk formato
da un monocristallo di silicio debolmente drogato di tipo p, source e drain sono
invece in contatto con zone di silicio fortemente drogate di tipo n.
Il transistore MOS controllato dalle tre tensioni VGS , VDS e VSB che nel
NMOS sono tutte positive. Le giunzioni SB, DB sono diodi in inversa e dunque
non conducono (se non una corrente piccolissima), per cui lunica corrente
significativa IDS . Il PMOS simmetrico in tutto al NMOS: le sue tensioni sono
tutte negative e in esso la corrente scorre da source a drain, ma per il resto
funziona in modo assolutamente identico.
5
la quale si comporta approssimativamente come un resistore. Questa tensione
di soglia un parametro determinato durante la produzione a partire da una
corrente minima considerabile significativa. In ogni caso essa non pu essere n
troppo piccola (renderebbe il transistore difficile da spegnere) n troppo grande.
Variando VSB , si osserva una traslazione verso destra del diagramma, ovvero
un aumento della soglia. Questo effetto detto effetto body.
Laltra caratteristica interessante del transistore MOS IDS (VDS ), che molto
simile a quella di un transistore bipolare (tranne per il fatto che le correnti in
gioco sono molto pi piccole) ed suddivisa in due regioni: una zona triodo
dove IDS dipende da VGS (nella prima parte, in cui la dipendenza abbastanza
lineare, la zona detta anche zona lineare) e una zona di saturazione dove la
dipendenza estremamente limitata.
Nellapprossimazione che i transistori siano a canale lungo (non pi vali-
da per i transistori sub-micrometrici presenti nei moderni microprocessori),
possibile derivare dal funzionamento fisico teorico del transistore NMOS un
modello analitico statico ai grandi segnali del transistore NMOS. Si introduce
lapprossimazione di canale graduale: che il canale sia costituito da uno strato di
carica appoggiato allossido in cui gli elettroni si spostano per via di un campo
elettrico trasversale E e uno longitudinale Ek considerabili separatamente. Il
campo E dovuto, in questa approssimazione, alla tensione VGS e determina
come in un condensatore la quantit di carica presente nel canale; il campo Ek ,
dipendente da VDS , mette in moto le cariche del canale. Il moto delle cariche
approssimato come ohmico, ovvero a velocit costante vdrift : anche questa
approssimazione decade con i campi intensi presenti nei transistori odierni.
Si definisce la capacit del canale per unit di area come
ox
Cox = (1)
tox
e la conducibilit intrinseca
0
= n Cox (3)
6
Spento (VGS < VT ):
IDS = 0
7
Figura 3: Caratteristiche IDS (VGS ) e IDS (VGS ) di un NMOS senza modulazione di
larghezza di canale
8
una conduttanza duscita g0
g0 = (VGS VT ) VDS (in zona triodo)
g0 = 0 (in zona di saturazione con = 0) (7)
g0 = IDS0 (in zona di saturazione con , 0)
9
Figura 4: Capacit parassite del transistore MOS
Se si aumenta VGS , altra carica viene portata nel canale attraverso una
corrente che, poich VDS = 0, sar simmetrica. Dunque in questo caso
CGS = CGD . Se VDS , 0, invece, la corrente passa sempre pi attraverso il
source e sempre meno attraverso al drain, fino ad arrivare a saturazione,
dunque CGS > CGD . Parallela a questa capacit, vi una capacit costante
dovuta alla piccola zona di sovrapposizione fra il drogaggio n+ dei terminali
source e drain e il metallo del terminale di gate.
CGB modella una complessa variazione di carica fra gate e bulk ed tra-
scurabile sopra soglia ma la capacit caratteristica del transistore quando
esso spento. Come gi osservato prima, in senso trasversale il transistore
MOS un condensatore: esiste una tensione, detta tensione di flatband
VFB (circa 1V), per cui esso scarico (infatti, per via della giunzione,
non applicando nessuna tensione ci sarebbe un movimento di carica: il
condensatore si comporterebbe come una pila). Se la tensione fra gate e
bulk si riduce a 0, il gate tende a caricarsi positivamente sulla superficie a
contatto con lossido, mentre nel bulk, che non un buon conduttore, la
carica negativa non si concentra tutta sulla superficie dellossido ma occupa
unarea pi ampia. Infatti, gli elettroni, muovendosi verso linterfaccia con
lossido dove si accumulano formando la carica mobile, lasciano scoperti
atomi di boro di drogaggio intrappolati nel cristallo che formano una carica
fissa (e nota), la maggior parte. Aumentando la VGS , il canale si riempie
sempre di pi di carica mobile, finch questa non supera la carica fissa, e il
transistor si accende (VGS = VT ). Se si sposta una carica Q da un punto
10
allaltro del silicio situato a distanza d, la variazione di campo elettrico sar
E = Q
dunque
Q
=
V d
un buon modello per la capacit differenziale. Essa diminuir allaumento
della tensione (poich aumenta la distanza), ma quando la carica mobile
diventa rilevante torna ad aumentare.
Nella pratica, almeno per il calcolo a mano, si lavora spesso con valori fissi, con
il metodo del caso peggiore.
11
LOGICA FCMOS
Invertitore CMOS statico
In logica FCMOS (fully complementary MOS) si utilizzano insieme transistor
NMOS e PMOS per garantire alle porte logiche alcune utili propriet. Innanzitutto,
un invertitore CMOS (il circuito FCMOS per eccellenza) statico, ovvero mantiene
il proprio stato finch mantenuto collegato allalimentazione. Ha poi delle
buone propriet come unadeguata non-linearit, un ottimo swing logico (da 0 a
VDD ) ed simmetrico.
per Vin = VDD , VGSn = VDD e VGSp = 0: la situazione del tutto simmetri-
ca alla precedente: anche qui la corrente nulla e, poich lunico transistore
12
acceso quello n, la tensione duscita necessariamente 0 fino a quando
non si diminuisce Vi n fino a VDD VT n
n p
(Vin VT n )2 = (Vin VDD VT p )2
2 2
s
n
(Vin VT n ) = VT p (Vin VDD )
p
13
Quindi qui la caratteristica verticale e Vin la soglia logica VLT . Nelle
altre due zone, la caratteristica statica si raccorda con le due zone a corrente
nulla.
L )p
n
dove generalmente p
2, 5 3.
Volendo, spendendo un altro grado di libert, si pu progettare un gate ad
area minima e simmetrico ponendo
r
W L n
= = (13)
L p W n p
14
dei semplici corticircuiti caratterizzati da R = 0, L = 0, C = 0: i gate a carico,
poich il principale effetto parassita del transistore MOS sono le sue varie capacit,
costituiscono un carico di tipo capacitivo. La seconda approssimazione che,
essendo tali capacit non lineari, le si assumeranno uguali ad una costante
(peggiorativa) Cin che definiremo come capacit dingresso di un invertitore
(per gate di tipo diverso, assumeremo la stessa Cin . Con tali approssimazioni,
consideriamo il transitorio in discesa. Allinizio VDD VT n 6 V0 , dunque il
transistore in saturazione:
dV0
IC = CL
dt
dV0
CL n = dt
2
(VDD VT n
Integrando fra VDD e VDD VT n (zona di saturazione), si ottiene che
CL VT n
Fsat = n
2
(VDD VT n )2
Per la zona triodo si considera
dV0
CL = dt
n (VDD VT n )V0 21 V02
e si integra fra VDD VT n e VOLmax :
2CL 1 2(VDD VT n ) VOLmax
Flin = log
n 2(VDD VT n ) VOLmax
Sommando le due componenti, si ottiene il tempo di discesa. Poich, nel dimen-
sionamento simmetrico, questo tempo coincide necessariamente con il tempo di
salita, la media fra i due, cio il tempo di propagazione,
2CL 1 VT n 1 2(VDD VT n ) VOLmax
PD = W 0 + log
L n
n V DD V T n VDD VT n 2 VOLmax
(14)
15
Inoltre, ad alte frequenze, gli effetti di tipo propagatorio non sono pi
secondari: dunque le linee di interconnessione devono essere modellate come
celle RLC. Un altro fenomeni che complica ulteriormente la modellizzazione il
crosstalk: linee di interconnessione vicine possono accoppiarsi capacitivamente
e quindi scambiarsi parte del segnale.
Nel modello pi semplice, le varie capacit parassite possono essere portate
tutte allingresso del gate: le capacit che operano fra ingresso e uscita vengono
moltiplicato per 1 AV (effetto Miller). In questo modo, un modello ragionevole
per la capacit dingresso dellinvertitore
!
W W
Cin = Ki Cox L2 = Ki Cox (WL)n + (WL)p 1014 F (16)
+
L n L p
16
Buffer e tri-state
Generalmente i gate CMOS devono tenere a carico capacit dellordine di
1014 F. Se le capacit sono pi grandi, come spesso accade quando si esce
dal chip, il modo pi efficiente per gestirle mantenendo minimo il tempo di
propagazione utilizzare una serie di N invertitori sempre pi grandi di un fattore
G. Minimizzare il tempo di propagazione significa minimizzare tot , essendo
tip e Ctip rispettivamente il tempo di propagazione e la capacit dingresso
dellinvertitore a dimensionamento tipico:
tot = (N + 1)tip G
Ctip GN+1 = CL
da cui
G CL
tot = log
log G Ctip tip
1 CL
N+1 = log
log G Ctip
Ponendo
dtot
=0
dG
si ottiene
G=e (20)
CL
N = log 1
Ctipica
Un altro problema che pu essere risolto con lutilizzo dei buffer, oltre a
grandi capacit a carico, quello dei circuiti che condividono unuscita. chiaro
se le uscite di due circuiti in parallelo sono ad esempio uno 0 ed 1, si forma
sulluscita comune un nodo di conduzione fra alimentazione e massa che non
dovrebbe esistere e che assumer un potenziale intermedio fra 0 e VDD . Per fare
in modo che solo un circuito alla volta utilizzi una certa linea come uscita, e
dunque evitare questo problema, si utilizzano i buffer tristate: buffer controllati
da un segnale di enable che, se disattivato, porta luscita del buffer in uno stato
17
detto di alta impedenza. In tale stato tutti i transistor dello stadio finale del buffer
sono spenti e dunque il nodo duscita ad alta impedenza. Un simile buffer
pu essere realizzato facilmente anteponendo qualche stadio di circuiti logico
agli invertitori del buffer. Dal punto di vista del dimensionamento, tali porte
logiche (FCMOS) possono essere facilmente ricondotte ad invertitori e dunque
non costituiscono un problema ulteriore.
Gate FCMOS
Linvertitore CMOS costituisce la base su cui vengono costruiti tutti i gate FCMOS.
Tutti i gate sono costituiti da una rete di pull up di transistori PMOS e da una di
pull down di transistori NMOS, dimensionate generalmente in modo simmetrico.
La funzione logica della rete gi contenuta tutta in una delle due reti.
18
ed ha il compito esattamente opposto. La procedura per implementare una
funzione logica generica consiste solitamente nel ricondursi ad una forma del
tipo f = (. . . ). In una forma del genere, nella rete di pull down gli OR sono
costituiti da transistori in parallelo e gli AND da transistori in serie. Costruita
la rete di pull down, si pu costruire in modo simmetrico la rete di pull down,
convertendo le serie in paralleli e i paralleli in serie.
Alcune difficolt nel progetto di gate FCMOS pi complessi dellinvertitore
sono:
transistori con VSB non sempre nullo, quindi presenza delleffetto Body;
transistori in serie.
19
LOGICHE NON FCMOS
Pass transistor e transfer gate
Non tutte le funzioni logiche sono convenientemente implementate utilizzando
solo logica FCMOS. Il modo pi semplice per utilizzare i transistor sfruttarli
semplicemente come interruttori che permettono al segnale di passare oppure
no: i pass transistor. Il suo funzionamento di base ovvio: quando si ha una
tensione alta sul gate, il segnale passa, altrimenti non passa. Molto pi complessi
e interessanti sono i suoi problemi:
20
il potenziale del condensatore abbassato anche dalla carica contenuta
nel canale che, quando il transistore viene spento, defluisce verso drain e
source.
compensa buona parte dei problemi del transfer gate e permette di portare a
VDD luscita.
21
Un utilizzo particolarmente interessante del pass transistor il multiplexer,
circuito che permette di realizzare funzioni differenziate a seconda degli ingressi
Vi .
Con un MUX si pu realizzare in teoria qualsiasi funzione logica; in pratica
questo avviene a scapito della velocit, in particolare per la presenza di serie
di molti transistor e per i difetti analizzati precedentemente. Ciononostante, la
semplicit di questo circuito lo rende comunque attraente dal punto di vista
progettuale.
Circuiti domino
Poich in un circuito FCMOS la rete di pull down determina gi lintera funzione
logica, possibile costruire un circuito che comprenda solo questa parte. Tale
circuito, per, sar dinamico e non statico come un circuito FCMOS. Tale tipologia
di circuiti detta domino o ripple.
22
scarica il nodo OUT se necessario, a seconda degli ingressi e della funzione logica
implementata.
Di fatto, nella fase di precarica si assiste alla carica di un condensatore che
nella fase di valutazione pu essere scaricato, se si forma un percorso conduttivo
verso massa, o mantenuto nel suo stato, nel caso che tale percorso non si ferma.
In questultimo caso, il nodo OUT collegato al resto del circuito mediante
transistori spenti: un nodo ad alta impedenza che tender a scaricarsi in qualche
modo se CL non abbastanza rapido. Questo rende i circuiti domino di tipo
dinamico. Tuttavia, non si tratta di circuiti sincroni poich il segnale si propaga
come in un blocco combinatorio. Linvertitore alla fine del circuito serve sia ad
alzare la capacit per ridurre gli effetti di ripartizione di carica, sia per fare in
modo che i transistori del successivo gate rimangano spenti in fase di precarica.
La logica domino permette di ridurre larea occupata da gate con molti
transistor (quasi alla met che nel caso FCMOS) ma in cambio richiede un clock
e non statica.
23
la variazione del clock che controlla il gate del pass transistor,
V1 (C1 + CA ) + V2 (C2 + CB ) + (CA + CB )
Vf = (23)
C1 + C2 + CA + CB
Circuiti sincroni
Nei circuiti sincroni lelaborazione avviene in due stadi, ripetuti in maniera suc-
cessiva: una rete combinatoria che elabora i segnali binari in ingresso attraverso
opportune funzioni logiche, separati attraverso un interruttore (temporizzato
da un segnale di clock da blocchi di memoria che mantengono i valori ricevuti
al precedente intervallo di clock e alimentano altre reti combinatorie: e il ciclo
ricomincia. In questo modo lelaborazione si propaga e in ogni periodo di clock
una rete combinatoria elabora il risultato che la precedente rete combinatoria ha
elaborato nel precedente periodo di clock.
24
MULTIVIBRATORI
Multivibratori bistabili
I multivibratori sono circuiti che sfruttano la retroazione positiva di invertitori
per ottenere effetti particolari, quali memorizzare un dato, riportare unuscita a
un certo livello dopo qualche tempo o produrre una oscillazione.
25
quindi luscita assume un valore casuale, o 0 o 1. Il clock impedisce alluscita di
modificarsi fintantoch rimane a 0. Finch CK = 1, questo circuito per risente
di ogni cambiamento sugli ingressi (anche uno non voluto): si dice che esso
sensibile ai livelli.
In effetti non necessario usare tutti quei gate per implementare un flip-flop
SR: sono sufficienti 8 transistor. Il funzionamento del circuito ha comunque come
cuore una coppia di invertitori.
26
Figura 17: Flip-flop set-reset non sensibile ai livelli
Multivibratori monostabili
Il multivibratore monostabile un circuito che tende ad assumere un unico valore
stabile, anche se viene commutato. La retroazione positiva rende piccolissimo il
tempo di propagazione, che tende ad essere nullo rispetto alla costante di tempo
RC del circuito.
27
che nel frattempo pu tornare basso). Non appena VB supera VLT , linvertitore
scatta portando a 0 luscita e facendo scattare la tensione VB a VDD + VLT (questo
fra laltro lunico modo per portare in un circuito digitale una tensione pi
alta dellalimentazione). Dopo un tempo di scarica, anchesso con costante RC,
il circuito si ritrova nella situazione iniziale. La durata dellimpulso prodotto,
sulla base di questo ragionamento, data da
t
VB (t) = VB () + VBin VB () e RC
t
VLT = VDD (1 e RC )
per cui
VDD
t = RC log (24)
VDD VLT
Multivibratori astabili
28
ovvero che VA sceso sotto VLT . VA cerca di risalire verso VDD , ma quando arriva
a VLT fa commutare gli invertitori e, per effetto bootstrap, portato a VDD + VLT :
comincia quindi un transitorio di discesa, ma di nuovo quando arriva a VLT fa
commutare gli invertitori, e il ciclo ricomincia. Lastabile dunque genera unonda
quadra digitale. Il duty cycle pu essere calcolato in modo analogo alla durata
dellimpulso nel monostabile: lintervallo di tempo in cui il segnale basso
2VDD VLT
L = RC log (26)
VDD VLT
VDD + VLT
H = RC log (27)
VLT
29
LICENZA
Questi appunti sono rilasciati sotto licenza Creative Commons BY-NC-SA.
Chiunque libero
di modificare questopera
a patto che
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/deed.it
http://www.flickr.com/photos/naotakem/148029355/
Gli appunti sono rilasciati senza alcuna garanzia sulla loro correttezza: sono
probabilmente pieni di lacune, errori (di battitura e/o di concetto) ecc. Se qualcuno
rilevasse un errore di questo genere, pregato di segnalarlo con un commento
sul mio blog:
http://www.arunax.netsons.org
30